CN214848548U - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及基板处理装置。使基板处理装置得到较高的生产率并减小占地面积。该装置包括：第1单位模块，其包括第1基板输送区域、分别设为面向第1基板输送区域的左右的一侧、另一侧的第1处理组件、第2处理组件、分别设于第1基板输送区域的左右的一侧、另一侧且分别用于向第1处理组件、第2处理组件交接基板的第1输送机构、第2输送机构；第2单位模块，其包括第2基板输送区域和第3输送机构，与第1单位模块层叠；基板送入送出模块，其相对于单位模块的层叠体设于左右的一侧，分别向第1输送机构、第3输送机构交接基板；中继模块，其相对于单位模块的层叠体设于左右的另一侧，分别向第2输送机构、第3输送机构交接基板。

Description

基板处理装置

技术领域

本公开涉及基板处理装置。

背景技术

为了制造半导体装置，对作为基板的半导体晶圆(以下，记作晶圆)进行各种各样的处理。作为该半导体装置的制造工序中的一个工序，例如进行光刻。具体而言，在该光刻中，进行在晶圆涂布抗蚀剂而形成抗蚀膜和供给显影液而对曝光完成的抗蚀膜进行显影。例如在专利文献1中记载了一种进行这样的抗蚀膜的形成和显影的基板处理装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-219434号公报

实用新型内容

实用新型要解决的问题

本公开提供一种对于基板处理装置能够得到较高的生产率并且减小占地面积的技术。

用于解决问题的方案

本公开的基板处理装置包括：第1单位模块，其包括左右延伸的第1基板输送区域、设为面向该第1基板输送区域的左右的一侧的第1处理组件、设为面向该第1基板输送区域的左右的另一侧的第2处理组件、以及设于所述第1基板输送区域的左右的一侧且用于向所述第1处理组件交接基板的第1输送机构、设于所述第1基板输送区域的左右的另一侧且用于向所述第2处理组件交接基板的第2输送机构；第2单位模块，其包括左右延伸的第2基板输送区域和在该第2基板输送区域沿左右输送所述基板的第3输送机构，该第2单位模块与所述第1单位模块层叠地设置；基板送入送出模块，其相对于由所述第1单位模块和所述第2单位模块构成的单位模块的层叠体设于左右的一侧，该基板送入送出模块在该第1单位模块的高度和第2单位模块的高度包括载置所述基板的一侧载置部，以分别向所述第1输送机构、所述第3输送机构交接基板，并且该基板送入送出模块包括载置用于收纳所述基板的载体的载体台；中继模块，其相对于所述单位模块的层叠体设于左右的另一侧，该中继模块在所述第1单位模块的高度和所述第2单位模块的高度包括载置所述基板的另一侧载置部，以分别向所述第2输送机构、所述第3输送机构交接基板；另一侧输送机构，其设于所述中继模块，以在各所述另一侧载置部之间输送所述基板；以及一侧输送机构，其在所述载体和各所述一侧载置部之间输送所述基板，为了使在所述第1处理组件完成处理后且在所述第2处理组件进行处理前的基板依次经过所述第2单位模块、所述中继模块而自所述第1单位模块的另一侧向所述第2处理组件输送，将所述一侧输送机构设于所述基板送入送出模块，以自所述第1单位模块的高度的一侧载置部向所述第2单位模块的高度的一侧载置部输送该基板。

对于上述基板处理装置，也可以是，在所述第2单位模块，面向所述第2基板输送区域地设有利用所述第3输送机构交接所述基板的第3处理组件，该第3处理组件对在所述第1处理组件进行了处理后且在所述第2处理组件进行处理前的所述基板进行处理。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第1处理组件和所述第3处理组件包括向所述基板供给涂布液而形成涂布膜的涂布组件。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第2单位模块包括：自所述基板送入送出模块向所述中继模块输送所述基板的去路用的单位模块；以及自所述中继模块向所述基板送入送出模块输送所述基板的返路用的单位模块，所述去路用的单位模块和所述返路用的单位模块均包括所述第2基板输送区域和所述第3输送机构，所述去路用的单位模块包括所述第3处理组件，所述返路用的单位模块包括对在所述第1处理组件、所述第2处理组件和所述第3处理组件进行了处理后的基板进行处理的第4处理组件，所述一侧载置部和所述另一侧载置部设于所述去路用的单位模块的高度和所述返路用的单位模块的高度。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第1处理组件、所述第2处理组件和所述去路用的单位模块的所述第3处理组件中的任一者包括向所述基板供给抗蚀剂而形成抗蚀膜的抗蚀剂涂布组件，所述第4处理组件是面向所述第2基板输送区域设置的显影组件，该显影组件对在为了对所述抗蚀膜进行曝光而与所述中继模块连接的曝光机进行了曝光的所述抗蚀膜进行显影。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第1处理组件和所述第2处理组件左右排列地设置，所述第1处理组件、所述第2处理组件和所述第3处理组件是向所述基板供给处理液而进行处理的液处理组件，在所述第1处理组件与第2处理组件之间设有分别向所述第1处理组件、所述第2处理组件、所述第3处理组件供给所述处理液的供给机器。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第1处理组件是向所述基板供给涂布液而形成涂布膜的涂布组件，所述第2处理组件是在所述抗蚀膜的形成后且在利用所述曝光机进行的曝光前对基板进行清洗的清洗组件。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述另一侧载置部在纵向上成列，在所述中继模块设有：对在所述曝光机进行曝光后且显影处理前的所述基板进行处理的曝光后处理组件；以及供在所述第2处理组件进行处理前的所述基板在与所述另一侧载置部的列偏离开的位置滞留的滞留组件，所述另一侧输送机构包括：第1另一侧输送机构，其在所述曝光后处理组件、所述滞留组件和所述另一侧载置部之间输送所述基板；以及第2另一侧输送机构，其在所述滞留组件和所述另一侧载置部之间输送所述基板，基板的利用第2另一侧输送机构进行输送的输送区域在纵向上长于基板的利用第1另一侧输送机构进行输送的输送区域。

对于上述基板处理装置，也可以是，作为构成所述单位模块的层叠体的一单位模块的所述处理组件，设有左右排列有多个并且向所述基板供给处理液而进行处理的液处理组件，该液处理组件的列中的左侧的处理组件的附加设备、中央部的处理组件的附加设备、右侧的处理组件的附加设备彼此被分隔开。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述液处理组件包括收容所述基板并向该基板供给处理液的杯，所述附加设备包括与该杯连接并用于形成使杯内进行排气的排气路的排气路形成构件。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述液处理组件包括收容所述基板并向该基板供给处理液的杯，所述一单位模块是与形成所述单位模块的层叠体的另一单位模块相比所述杯的数量较多的单位模块。

对于上述基板处理装置，也可以是，在所述中继模块在纵向上成列地设有所述另一侧载置部，所述另一侧输送机构由多个输送机构构成，所述多个输送机构中的一输送机构和包括所述第2处理组件的附加设备的附加设备设置部设为从前后夹着所述另一侧载置部的列。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第1单位模块在纵向上连续地设有多层，所述第2处理组件设于各层的所述第1单位模块。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第1基板输送区域的左右的一侧以层为单位被划分开，在每层均设有所述第1输送机构，所述第1基板输送区域的左右的另一侧在各层之间连通，所述第2输送机构是在各层共用的升降自如的输送机构。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述一侧输送机构包括：第1一侧输送机构，其相对于所述载体送入送出所述基板；以及第2一侧输送机构，其设为比所述第1一侧输送机构靠近所述单位模块的层叠体，该第2一侧输送机构升降以在所述第1输送机构与所述第3输送机构之间交接所述基板，该基板处理装置包括：过滤器，其设于基板的利用所述第1一侧输送机构进行输送的输送区域之上，使供给来的气体洁净化并向该输送区域排出；气体供给机构，其设于俯视时不与所述过滤器重叠的位置，抽吸气体并向所述过滤器供给；以及载体临时载置部，其在所述输送区域上用于临时载置所述载体。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第1处理组件是向所述基板供给涂布液而形成涂布膜的涂布组件，所述第2处理组件是对所述基板进行清洗的清洗组件，该基板处理装置设有供气排气部，该供气排气部以使所述第1基板输送区域的压力低于所述第1处理组件的压力且高于第2处理组件的压力的方式进行气体的相对于所述第1单位模块的供给与排气。

对于上述基板处理装置，也可以是，所述第2处理组件包括用于收容所述基板并向该基板供给处理液的杯并且相对于所述第1基板输送区域分别设于前方、后方，用于使设于所述第2输送机构的保持所述基板的保持体左右移动的移动机构设于该第1基板输送区域。

本公开的基板处理方法包括以下工序：在设有左右延伸的第1基板输送区域、设为面向该第1基板输送区域的左右的一侧的第1处理组件、以及设为面向该第1基板输送区域的左右的另一侧的第2处理组件的第1单位模块，利用设于所述第1基板输送区域的左右的一侧的第1输送机构向所述第1处理组件交接基板，利用设于所述第1基板输送区域的左右的另一侧的第2输送机构向所述第2处理组件交接基板；在包括左右延伸的第2基板输送区域且与所述第1单位模块层叠地设置的第2单位模块的所述第2基板输送区域，利用第3输送机构沿左右输送所述基板；在相对于由所述第1单位模块和所述第2单位模块构成的单位模块的层叠体设于左右的一侧的基板送入送出模块，在设于所述第1单位模块的高度和所述第2单位模块的高度的一侧载置部载置所述基板，在所述基板送入送出模块、所述第1输送机构和所述第3输送机构之间交接各个基板；在设于所述基板送入送出模块的载体台载置用于收纳所述基板的载体；在相对于所述单位模块的层叠体设于左右的另一侧的中继模块，在设于所述第1单位模块的高度和所述第2单位模块的高度的另一侧载置部载置所述基板，在所述中继模块、所述第2输送机构和所述第3输送机构之间交接各个基板；利用设于所述中继模块的另一侧输送机构在各所述另一侧载置部之间输送所述基板；利用设于所述基板送入送出模块的一侧输送机构在所述载体和各所述一侧载置部之间输送所述基板；以及为了使在所述第1处理组件完成处理后且在所述第2处理组件进行处理前的基板依次经过所述第2单位模块、所述中继模块而自所述第1单位模块的另一侧向所述第2处理组件输送，利用所述一侧输送机构自所述第1单位模块的高度的一侧载置部向所述第2单位模块的高度的一侧载置部输送该基板。

实用新型的效果

根据本公开，对于基板处理装置，能够得到较高的生产率并且减小占地面积。

附图说明

图1是本公开的一实施方式的涂布、显影装置的横剖俯视图。

图2是所述涂布、显影装置的纵剖主视图。

图3是所述涂布、显影装置的纵剖主视图。

图4是设于所述涂布、显影装置的载体模块的立体图。

图5是设于所述涂布、显影装置的处理模块的前方侧的立体图。

图6是所述处理模块的纵剖侧视图。

图7是设于所述处理模块的涂布膜形成用的单位模块的俯视图。

图8是设于所述处理模块的显影用的单位模块的俯视图。

图9是表示所述涂布、显影装置的概略俯视面的示意图。

图10是表示设于所述处理模块的涂布用的单位模块的概略俯视面的示意图。

图11是所述涂布、显影装置的接口模块的纵剖侧视图。

图12是表示所述涂布、显影装置的晶圆的输送路径与所使用的输送机构的对应的图表。

图13是表示所述涂布、显影装置的晶圆的输送路径的示意图。

图14是表示所述涂布、显影装置的晶圆的输送路径的示意图。

图15是涂布装置的概略侧视图。

具体实施方式

一边参照图1的横剖俯视图、图2和图3的纵剖主视图，一边说明本公开的基板处理装置的一实施方式的涂布、显影装置1。该涂布、显影装置1在作为基板的晶圆W形成包含抗蚀膜在内的各种膜，之后，对利用与涂布、显影装置1连接的曝光机D5完成曝光的抗蚀膜进行显影，形成抗蚀图案。曝光机D5在晶圆W的表面形成有由例如纯水构成的液膜的状态下进行曝光。即，曝光机D5是进行浸液曝光的装置，涂布、显影装置1包括与该浸液曝光对应的处理组件。

该涂布、显影装置1设于半导体制造工厂的无尘室。如随后详述的那样，涂布、显影装置1包括抽吸作为其周围的气体的空气的风机过滤单元(FFU)和用于向下方排出抽吸来的空气而形成下降气流(downflow)的过滤器。该过滤器配置于输送晶圆W的各输送机构的移动区域上、收纳晶圆W并进行液处理的杯上，抑制来自该输送机构的微粒的飞散、来自该杯的雾沫的飞散。

在被称作FOUP(Front Opening Unify Pod；前开式晶圆交接盒)的载体C存储有多张晶圆W的状态下，利用设于涂布、显影装置1的外部的输送机构向该涂布、显影装置1输送该晶圆W。输送该作为输送容器的载体C的外部输送机构被称作例如OHT(Over HeadTransport；悬挂式输送机构)，其设于无尘室的顶部。

涂布、显影装置1由载体模块D1、检查模块D2、处理模块D3、接口模块D4按照该顺序横向排成一列并互相连接而构成。这些载体模块D1、检查模块D2、处理模块D3、接口模块D4的底部的高度彼此对齐，载体模块D1的高度比其他的模块D2～D4的高度小。在接口模块D4，在与处理模块D3相反的一侧连接有曝光机D5。载体模块D1和检查模块D2是基板送入送出模块，接口模块D4是中继模块。

在以下的说明中，将上述的模块D1～D4的排列方向设为左右方向，将载体模块D1侧设为左侧，将接口模块D4侧设为右侧。另外，对于装置的前后方向，将以载体模块D1为左侧、接口模块D4为右侧的条件下观察时的近前侧设为前方侧，进深侧设为后方侧。在各图中，分别示出了互相正交的X方向、Y方向、Z方向。X方向表示左右方向，Y方向表示前后方向，Z方向表示高度方向。另外，图2和图3均示出了涂布、显影装置1的纵剖面，但对于装置的局部示出了前后不同的位置的纵剖面。

载体模块D1是用于利用设于涂布、显影装置1的外部的载体输送机构输送载体C并在载体C与涂布、显影装置1内之间交接晶圆W的模块。在也参照作为立体图的图4进行说明时，构成载体模块D1的壳体11的右侧以比左侧高的方式向上方突出，由此，在主视时形成台阶。像这样构成的壳体11的左侧、右侧分别设为低身部12、高身部13。

在低身部12的上表面在前后方向上空开间隔地设有4个载体台14。载体C载置于该载体台14，以相对于涂布、显影装置1送入、送出晶圆W。在壳体11，在随着形成高身部13而朝向左侧的侧壁，在与载体台14对应的位置开口有晶圆W的输送口，该输送口利用开闭机构16开闭。

在壳体11内，在高身部13设有输送机构17，该输送机构17包括前后移动自如、绕铅垂轴线旋转自如、且升降自如的移动体和相对于该移动体进退自如并保持晶圆W的保持体。利用作为第1一侧输送机构的输送机构17在载体台14上的载体C与检查模块D2之间交接晶圆W。在高身部13的顶部设有过滤器18。过滤器18设为覆盖高身部13处的利用输送机构17进行的晶圆W的输送的输送区域，如上述那样形成下降气流。在说明检查模块D2的结构时也会对该过滤器18进行叙述。例如在壳体11的底部形成有未图示的排气口，自该排气口去除壳体11内的空气。

检查模块D2是用于检查在利用涂布、显影装置1进行的处理前、处理后的晶圆W的模块。另外，处理模块D3由重叠用于输送各晶圆W的6层而构成，但检查模块D2还具有对晶圆W进行升降输送而在处理模块D3的层之间交接晶圆W的作用。检查模块D2包括方形的壳体21，该壳体21与上述的载体模块D1的高身部13在主视时形成台阶。

交接组件TRS的层叠体、输送机构22、塔T1自左侧向右侧按照该顺序设于壳体21内的前后的中央部。另外，在交接组件TRS的层叠体的上方设有处理前检查组件23，该处理前检查组件23是用于对在装置1内的各处理组件进行处理前的晶圆W进行光学检查的组件。另外，在交接组件TRS的层叠体和输送机构22的后方设有处理后检查组件24。该处理后检查组件24是用于对在装置1内的各处理组件处理后的晶圆W、即已形成抗蚀图案的晶圆W进行光学检查的组件。在塔T1的后方设有输送机构25。输送机构22、25是设为比接入上述的载体C的输送机构17靠近处理模块D3的第2一侧输送机构，与输送机构17共同构成一侧输送机构。

另外，组件构成为载置晶圆W的场所。有时将对晶圆W进行处理(包括检查)的组件记作处理组件，有时将处理组件中的使用处理液进行处理的组件记作液处理组件。若预先对上述的交接组件TRS进行说明，则交接组件TRS包括以纵向排列的方式设有多个的晶圆W的载置部。即，一个交接组件TRS能够将多个晶圆W以纵向排列的方式载置。为了区分设于涂布、显影装置1的各部位的TRS，在TRS之后标注数字来表示。将构成上述的交接组件TRS的层叠体的交接组件设为TRS41、TRS42。TRS41是为了自载体模块D1向检查模块D2的送入而载置各个晶圆W的交接组件，TRS42是为了自检查模块D2向载体模块D1的送出而载置各个晶圆W的交接组件。

塔T1由多个交接组件TRS与多个温度调整组件SCPL层叠而构成，这些组件构成一侧载置部。构成上述的处理模块D3的层为6个，为了在这些各层与检查模块D2之间交接晶圆W，在该各层的高度设有交接组件TRS和/或温度调整组件SCPL。对于塔T1的交接组件TRS，将设于最下层的高度的TRS在图3中表示为TRS11和TRS21，将设于第二低的层的高度的TRS在图3中表示为TRS12和TRS22。另外，在塔T1的交接组件TRS包括晶圆W的在检查模块D2内的交接所使用的TRS，表示为TRS17、TRS18。

温度调整组件SCPL包括载置晶圆W的载置部和位于该载置部的制冷剂的流路，以载置于该载置部的晶圆W的温度成为期望的温度的方式进行调整。该SCPL也与TRS同样地，为了区分各个SCPL，在SCPL之后标注数字来表示。在塔T1，温度调整组件设于处理模块D3的各层的高度，在图3中自下层按照顺序表示为SCPL11～SCPL16。

输送机构22包括绕铅垂轴线旋转自如且升降自如的移动体和构成为相对于该移动体进退自如并对晶圆W进行保持的保持体。于是，该输送机构22分别接入检查模块D2内的各交接组件TRS、处理前检查组件23、处理后检查组件24，而在这些组件之间交接晶圆W。输送机构25接入塔T1的各组件，而在这些组件之间交接晶圆W。

在检查模块D2的壳体21内，交接组件TRS的层叠体和输送机构22的前方侧构成为液贮存区域26，设有贮存在涂布、显影装置1进行的液处理所使用的各种处理液的贮存部。另外，在壳体21内的顶部，在输送机构22之上设有过滤器28，在输送机构25之上设有过滤器29，以分别形成下降气流。

FFU31、32、33自左向右按照该顺序设于壳体21上。FFU32、33分别将抽吸来的空气向过滤器28、29供给，自过滤器28、29分别向后方、下方排出该空气。像这样排出来的空气例如向载体模块D1流动而排气。另外，在成为气体供给机构的FFU31连接有管道34的一端，管道34的另一端沿着壳体21的侧壁向下方延伸，与上述的载体模块D1的高身部13的过滤器18连接。即，由FFU31抽吸来的空气自过滤器18向下方排出。

另外，在高身部13的上方设有分别能够将多个载体C前后排列地载置的3层架。各架以自检查模块D2的侧壁突出的方式设置，下方侧的两个架构成为载体待机部20，上方侧的架构成为载体送入送出部19。载体送入送出部19是为了向上述的OHT等外部输送机构交接载体C而载置该载体C的场所。载体待机部20是使向涂布、显影装置1内送出晶圆W之前的载体C和送出晶圆W之后且收回该晶圆W之前的载体C待机的场所。如此，载体送入送出部19和载体待机部20构成临时载置载体C的载体临时载置部。

在载体模块D1的低身部12上设有未图示的载体C的移载机构。利用该移载机构对利用外部输送机构输送至载体送入送出部19的载体C按照载体台14→载体待机部20→载体台14→载体送入送出部19的顺序进行移载。于是，被像这样移载了的载体C利用外部输送机构自载体送入送出部19向其他的装置输送。

接着，说明处理模块D3。如上所述，处理模块D3由6层重叠而构成，该6层分别作为单位模块，从下方依次表示为E1～E6。而且，在纵向上连续的两层以能够对晶圆W分别进行同样处理的方式包括同种处理组件。即，在单位模块E1、E2之间、单位模块E3、E4之间以及单位模块E5、E6之间，分别能够进行同种处理。

在处理模块D3，通过向晶圆W供给涂布膜形成用的化学溶液(涂布液)、显影液、清洗液作为处理液，从而分别进行涂布膜的形成、显影、清洗。作为该涂布膜，防反射膜、抗蚀膜、保护膜按照该顺序形成于晶圆W的表面。保护膜是用于在浸液曝光时保护抗蚀膜的膜。另外，在该处理模块D3进行的清洗是对曝光前的晶圆W的背面的清洗，进行该清洗是为了防止在将晶圆W载置于曝光机D5的载置台时附着于晶圆W的背面的异物导致该晶圆W的表面的高度异常而发生散焦。

若预先叙述在各单位模块E(E1～E6)进行的液处理，则在单位模块E1、E2进行作为抗蚀膜的下层的防反射膜的形成和对曝光前的晶圆W的背面的清洗。在单位模块E3、E4进行抗蚀膜和保护膜的形成，在单位模块E5、E6进行显影处理。因此，按照单位模块E1、E2→单位模块E3、E4→单位模块E1、E2→E5、E6的顺序输送晶圆W。单位模块E1～E6彼此被划分开，在按每个单位模块分离开的输送区域输送晶圆W，但如随后详述的那样，单位模块E1、E2的右侧未进行该输送区域的分离。

单位模块E1～E6的层叠体形成为方形。而且，以从左右夹着该层叠体的前方侧的方式设有附加设备设置部35、36。附加设备设置部35设于检查模块D2侧，进入该检查模块D2的壳体21内，位于上述的塔T1的前方。因此，该附加设备设置部35设为与输送机构25一起从前后夹着塔T1。附加设备设置部36设于接口模块D4侧，详细位置随后叙述。附加设备设置部35、36是供各单位模块E的液处理组件的附加设备设置的模块，设于跨单位模块E1～单位模块E6的高度区域。

该液处理组件的附加设备包括：向该组件供给电力的线缆、形成使构成组件的杯内进行排气的排气路的排气用管道、形成用于自组件排液的排液路的排液管、形成向组件供给处理液的供给路的供给管等。对于上述的电力供给线缆、排气用管道、排液管和处理液供给管，与单位模块E的左侧的液处理组件有关的设备以朝向下方的方式引绕于附加设备设置部35，与单位模块E的右侧的液处理组件有关的设备以朝向下方的方式引绕于附加设备设置部36。

图5表示处理模块D3的前方侧的概略结构。构成上述的液处理组件的杯设于在各单位模块E1～E6的左右被分隔开的基体上，将左侧的基体设为91，将右侧的基体设为92。而且，将各单位模块E的基体91、92之间的间隙设为93。另外，在单位模块E1、E2，后述的处理液供给机器的设置部39介于基体91、92之间，将该设置部39与基体91之间的空间设为间隙93。在各单位模块E，间隙93形成于左右的中央部，该间隙93被单位模块E5、E6的液处理组件即显影组件的附加设备的配置所利用，但随后详细说明。对于基体91、92和间隙93，在该图5和后述的表示单位模块E5的结构的图8以外，省略其表示。

接着，也参照作为处理模块D3的纵剖侧视图的图6来说明各单位模块。首先，说明单位模块E3。图7是该单位模块E3的俯视图。在单位模块E3，在前后的中央部形成有沿左右延伸的晶圆W的输送路(输送区域)30。以针对整个输送路30形成有下降气流的方式设有过滤器37，该过滤器37配置于单位模块E3的形成该输送路30的顶部。在输送路30的前方，以面向该输送路30的方式在左侧设有抗蚀剂涂布组件4A、在右侧设有保护膜形成用的化学溶液涂布组件4B。因此，这些抗蚀剂涂布组件4A、化学溶液涂布组件4B左右排列地设置。

抗蚀剂涂布组件4A包括将该抗蚀剂涂布组件4A相对于输送路30以及其他的组件划分开的划分壁41，在划分壁41面向输送路30地设有晶圆W的输送口42(图7中未表示)，以能够向后述的杯43内输送晶圆W。抗蚀剂涂布组件4A包括分别收纳晶圆W且左右排列的3个杯43，在杯43内设有对晶圆W的背面进行吸附保持并使其旋转的旋转卡盘44。杯43借助作为附加设备的上述的排气用管道与工厂的排气路等排气源连接，使该杯43的内部进行排气。即，抗蚀剂涂布组件4A利用杯43排气。另外，在杯43连接有作为附加设备的上述的排液管。而且，在抗蚀剂涂布组件4A设有3个杯43共用的向晶圆W的表面喷出抗蚀剂的喷嘴45。利用喷嘴移动机构46，喷嘴45在各杯43的晶圆W之上与例如设于该杯43之间的未图示的待机区域之间移动。

另外，以与3个杯43重叠的方式设有过滤器47，该过滤器47配置于单位模块E3的顶部，以能够朝向该杯43形成下降气流。另外，对于抗蚀剂涂布组件4A，单位模块E3被设于左侧，因此如上所述，其附加设备设于附加设备设置部35。

保护膜形成用的化学溶液涂布组件4B除了自喷嘴45喷出保护膜形成用的化学溶液来代替抗蚀剂、附加设备设于附加设备设置部36以外，与抗蚀剂涂布组件4A同样地构成。另外，抗蚀剂涂布组件4A的杯43设于利用图5说明了的基体91，化学溶液涂布组件4B的杯43设于利用图5说明了的基体92。

在输送路30的后方，以面向该输送路30的方式层叠为上下两层地设有处理组件，该处理组件的层叠体左右排列地配置有8个，而形成处理组件群。作为构成该处理组件群的组件，例如包括多个加热组件51、多个加热组件52和检查组件53。加热组件51、52包括热板，用于加热载置于该热板的晶圆W而去除涂布膜中的溶剂。加热组件51对抗蚀膜形成后且保护膜形成前的晶圆W进行加热，加热组件52对保护膜形成后的晶圆W进行加热。检查组件53对晶圆W进行拍摄，以检查被加热组件51加热后的晶圆W的抗蚀膜。

在单位模块E3设有输送机构F3。该输送机构F3向自前后面向输送路30的各组件、塔T1的单位模块E3的高度上的组件、设于接口模块D4的后述的塔T2的单位模块E3的高度上的组件分别交接晶圆W。输送机构F3包括：分别保持晶圆W的两个保持体61、使各保持体61独立地进退的移动体62、使移动体62绕铅垂轴线转动的转动部63、使转动部63升降的升降部64、以及包括使升降部64左右移动的驱动轴的移动机构65。

保持体61、移动体62、转动部63和升降部64设于输送路30，移动机构65设于输送路30的后方侧的处理组件群的下方。自形成于该处理组件群的晶圆W的输送口(未图示)和设置移动机构65的区域使输送路30进行排气。即，输送路30构成为自后方排气。另外，上述的载体模块D1的输送机构17除了利用移动机构65进行移动的移动方向不同以外为与该输送机构F3同样的结构，检查模块D2的输送机构22、25除了未设置移动机构65以外为与输送机构F3同样的结构。

单位模块E4为与单位模块E3同样的结构，将相当于输送机构F3的输送机构设为F4。接着，以单位模块E1、E2与单位模块E3、E4的差异点为中心说明该单位模块E1、E2。上述的图1表示单位模块E1的俯视面，除了参照表示纵剖主视面的图2、图3和表示纵剖侧视面的图6以外还参照该图1。单位模块E1、E2的左侧分别与单位模块E3、E4同样地构成，在单位模块E1、E2的输送路30的前方分别面向输送路30地设有防反射膜形成用的化学溶液涂布组件4C来代替抗蚀剂涂布组件4A。化学溶液涂布组件4C除了自喷嘴45喷出防反射膜形成用的化学溶液来代替抗蚀剂以外与抗蚀剂涂布组件4A同样地构成。

另外，在单位模块E1、E2，与单位模块E3同样地左右排列有上下两层的处理组件的层叠体，在输送路30的后方侧形成处理组件群。不过，在单位模块E1、E2分别仅设有5个该处理组件的层叠体，配置为靠近单位模块E1、E2的左侧。在该处理组件群例如包括多个疏水化处理组件54、多个加热组件55、检查组件56。疏水化处理组件54包括载置晶圆W并对其加热的热板和向被热板加热的晶圆W的表面供给疏水化处理用的气体的气体供给部。加热组件55为与加热组件51、52同样的结构，用于加热防反射膜形成后的晶圆W而去除膜中的溶剂。检查组件56对防反射膜形成后的晶圆W进行拍摄，以对其进行检查。

在单位模块E1、E2的左侧分别设有相当于输送机构F3的输送机构F1、F2。输送机构F1分别接入单位模块E1的输送路30的后方侧的处理组件群、单位模块E1的化学溶液涂布组件4C、塔T1的单位模块E1的高度上的组件，而在这些组件之间交接晶圆W。对于输送机构F2，除了接入的组件变为单位模块E2内的组件和塔T1的单位模块E2的高度上的组件以外，与输送机构F1同样地进行晶圆W的交接。

输送路30在单位模块E1、E2之间互相连通。即，在单位模块E1的右侧未设置用于划分开输送路30的顶部。以下，将像这样在单位模块E1、E2的右侧上下连通的输送路(输送区域)称作共用输送路66，与处于单位模块E1、E2的左侧的在单位模块之间分离开的输送路30区分地记载。由于是像这样在单位模块E1不存在划分开输送路30的顶部的结构，因此在共用输送路66利用第2单位模块E2的过滤器37形成下降气流。上述的输送机构F1、F2仅在输送路30和共用输送路66中的输送路30移动，从而进行晶圆W的交接。

在单位模块E1、E2的右侧，作为清洗组件，设有对晶圆W的背面进行清洗的背面清洗组件4D，该背面清洗组件4D面向共用输送路66，设于该共用输送路66的前方和后方。因此，在单位模块E1、E2的前方侧左右排列地设有背面清洗组件4D和化学溶液涂布组件4C。背面清洗组件4D具有与抗蚀剂涂布组件4A大致同样的结构，以其与抗蚀剂涂布组件4A的差异点为中心进行说明，对于背面清洗组件4D的杯43，左右排列地设有两个。与抗蚀剂涂布组件4A同样地，形成自单位模块的顶部的过滤器37朝向这些杯43的下降气流。

在各杯43内，除了旋转卡盘44以外，还设有向旋转的晶圆W的背面喷出清洗液的未图示的喷嘴。与抗蚀剂涂布组件4A不同，在背面清洗组件4D未设置向晶圆W的表面供给涂布液的喷嘴45和与该喷嘴45对应的喷嘴移动机构48。由于未设置喷嘴45，因此也未设置该喷嘴45的待机区域，因此背面清洗组件4D的杯43之间的距离小于上述的抗蚀剂涂布组件4A以及化学溶液涂布组件4B、4C的杯43之间的距离。另外，背面清洗组件4D设为能够以不翻转晶圆W的表面背面的状态进行处理的结构。若详细叙述，则是以背面朝向下方的状态向背面清洗组件4D输送晶圆W，其背面被保持部保持。另外，在背面清洗组件4D的杯内43设有刷。对于被保持部保持着的晶圆W的背面，进行清洗液的自上述的杯43内的喷嘴的供给和上述的刷的滑动，对晶圆W的背面进行清洗。另外，保持上述的晶圆W的背面的保持部是旋转卡盘44和对晶圆W的背面的与该旋转卡盘44所保持的部位不同的部位进行保持的未图示的保持机构，以能够对晶圆W的整个背面进行清洗的方式依次进行保持。

另外，构成背面清洗组件4D的两个杯43设于上述的基体92上，该基体92对于各杯43而言共用。因此，杯43内的旋转卡盘44、使该旋转卡盘44旋转的旋转机构、向晶圆W的背面喷出清洗液的喷嘴也设于基体92上。根据像这样在共用的基体92设有多个杯43的结构，能够谋求各旋转卡盘44的水平度的调整等维护时的工作的减轻。另外，向例如上述的旋转机构、使喷嘴移动的移动机构供给电力的电力供给系统的一部分在杯43之间共用化，而被设于基体92。根据像这样在基体92设有多个杯43的结构，能够使在各杯43进行处理时所需要的部件共用化，谋求该背面清洗组件4D的制造成本的降低，进而谋求涂布、显影装置1的制造成本的降低。

共用输送路66的后方侧的背面清洗组件4D的附加设备即电力供给线缆、排气用管道、排液管、处理液供给管分别引绕于杯43这排的外侧的空间。与此相对，共用输送路66的前方侧的背面清洗组件4D的电力供给线缆、排气用管道、排液管、处理液供给管分别引绕于上述的附加设备设置部36。

在单位模块E1、E2，分别在输送路30的前方于防反射膜形成用的化学溶液涂布组件4C与背面清洗组件4D之间设有处理液供给机器的设置部39。作为该处理液供给机器，包括分别向抗蚀剂涂布组件4A、化学溶液涂布组件4B、化学溶液涂布组件4C、背面清洗组件4D、后述的显影组件、曝光后清洗组件供给处理液的泵、阀。即，贮存于上述的检查模块D2的液贮存区域26的各处理液利用该设置部39的泵经由该设置部39向各液处理组件供给。

在单位模块E1、E2设有单位模块E1、E2所共用的输送机构F7。该输送机构F7能接入单位模块E1、E2的各背面清洗组件4D和接口模块D4的塔T2的位于单位模块E1、E2的各高度的组件，而在这些组件之间交接晶圆W。即，输送机构F7仅在输送路30和共用输送路66中的共用输送路66移动，从而交接晶圆W。

输送机构F7与输送机构F1～F4大致同样地构成，作为差异点，能列举出：为了能够接入各高度的背面清洗组件4D，输送机构F7的保持体61的能够升降的长度大于输送机构F1～F4的保持体61的能够升降的长度。另外，如图6所示，输送机构F7的移动机构65设于共用输送路66的底部。

对于背面清洗组件4D，将杯43设为足够的高度以抑制液体向周围的飞散，并且在旋转卡盘44的下方设有旋转机构，因此组件的高度大于在输送路30的后方构成处理组件群的各组件的高度。另一方面，由于自杯43的上方输送晶圆W，因此输送机构F7自相对于背面清洗组件4D而言比较高的位置接入。即，即使如上述这样将输送机构F7的移动机构65设于共用输送路66的底部，也不会妨碍向单位模块E1的背面清洗组件4D的接入。而且，有时需要使设置涂布、显影装置1的无尘室的高度比较小、使单位模块E的高度比较小。因此，通过在共用输送路66设置移动机构65，从而不与背面清洗组件4D重叠地设置移动机构65的上述的结构能够在单位模块E1实现背面清洗组件4D在共用输送路66的后方侧的设置，使该背面清洗组件4D的设置数量增加。

接着，一边参照图8的俯视图，一边以与单位模块E3的差异点为中心说明单位模块E5。在输送路30的后方侧的组件群包括例如加热组件和检查组件59。作为该加热组件，包括进行对曝光后的晶圆W的加热(所谓的PEB：post exposure bake；曝光后烘烤)的多个加热组件57以及在显影后进行对晶圆W的加热的多个加热组件58，分别与加热组件51同样地构成。检查组件59是对在显影后的加热组件进行了处理的晶圆W进行拍摄以对其进行检查的组件。另外，在单位模块E5，将相当于单位模块E3的输送机构F3的输送机构设为F5。

在单位模块E5的输送路30的前方侧，代替抗蚀剂涂布组件4A和化学溶液涂布组件4B而设有第1显影组件4E和第2显影组件4F。第1显影组件4E向晶圆W供给正型抗蚀剂显影用的显影液，第2显影组件4F向晶圆W供给负型抗蚀剂显影用的显影液。晶圆W根据已形成的抗蚀膜的种类在第1显影组件4E和第2显影组件4F中的任一者接受处理。在该例中，第1显影组件4E左右排列且靠近单位模块E5的左侧地配置有5个，第2显影组件4F左右排列且靠近单位模块E5的右侧地配置有3个。因此，作为显影组件，设有8个。左侧4个显影组件设于基体91上，右侧4个显影组件设于基体92上。

第1显影组件4E与抗蚀剂涂布组件4A同样地包括杯43和旋转卡盘44，但该杯43和旋转卡盘44均仅设有一个。作为向晶圆W的表面供给显影液的喷嘴，自前方侧的待机区域向杯上移动，而对晶圆W进行处理，但省略该喷嘴的图示。除了上述的显影液的种类以外，第2显影组件4E与第1显影组件4F同样地构成。左侧4个显影组件的杯43之间的距离以及右侧4个显影组件的杯43之间的距离短于上述的各液处理组件的杯43之间的距离，与单位模块E1～E4相比，在单位模块E5配置有更多杯43。

在图8中，还概略地表示了显影组件(第1显影组件4E和第2显影组件4F)的附加设备。对于该附加设备，将与显影组件的杯43连接的排气路形成构件即排气用管道表示为71，另外，将与显影组件连接的电力供给用的线缆表示为72，将与显影组件连接的显影液的供给管表示为73。

对于8个显影组件中的左端侧的3个第1显影组件4E，排气用管道71、电力供给用线缆72、显影液供给管73分别被共用化。若更加具体地叙述，则对于排气用管道71，以其上游端与这3个组件连接的方式设于每个组件，但其下游侧汇合，而在3个组件被共用化，其共用化的部分自单位模块E5向附加设备设置部36引出，而去向装置的下方。电力供给用线缆72、显影液供给管73也分别与排气用管道71同样，形成于每个组件的上游侧汇合而被共用化，其共用化的部分向附加设备设置部36引出，而去向装置的下方。

另外，8个显影组件中的右端侧的3个第2显影组件4F的排气用管道71、电力供给用线缆72、显影液供给管73分别为与上述的左端侧的显影组件的排气用管道71、电力供给用线缆72、显影液供给管73同样的结构。即，这些附加设备分别在3个显影组件之间被共用化，其共用化的部分自单位模块E5向附加设备设置部36引出，而去向装置的下方。

接着，8个显影组件中的中央部的两个第1显影组件4E的第1排气用管道71、电力供给用线缆72、显影液供给管73分别被共用化。其共用化的部分穿过在图5中说明了的上述的基体91、92之间的隙间93，进而经由下层的单位模块E的基体91、92之间的间隙93而朝向装置的下方引出。另外，作为附加设备，对与各显影组件的杯43连接的排液管省略了图示，但与以上叙述的排气用管道71等同样地在单位模块E5被分隔开并引绕。

如此，在单位模块E5，附加设备被分隔成三部分而作为左侧3个显影组件的附加设备、中央部的两个显影组件的附加设备、以及右侧3个显影组件的附加设备。因此，利用彼此分隔开了的排气管道分别使左侧、中央部、右侧的显影组件排气，由此，能够抑制自连接于排气管道的排气源至各显影组件之间的距离的偏差。因此，能够均匀性较高地使各显影组件的杯43排气，因此能够防止因特定的杯43距离排气源较远而引起的排气性能的不足，并且能够提高各显影组件的处理的均匀性。

另外，与如上述这样将排气管道分隔成三部分相应地，也将电力供给用线缆72、显影液供给管73和排液管分隔成三部分，因此在任一显影组件发生异常的情况下，仅使共用附加设备的显影组件停止动作而进行维护即可。即，无需为了维护而使不共用附加设备的显影组件停止处理，能够继续进行处理，因此能够抑制生产率的下降，因此有利。

单位模块E6与单位模块E5同样地构成，在该单位模块E6，将相当于单位模块E3的输送机构F3的输送机构设为F6。在单位模块E6的上侧即处理模块D3的上侧，设有FFU74(参照图6)。利用该FFU74抽吸来的空气经由未图示的管道向设于单位模块E1～E6的输送路30和单位模块E1、E2的共用输送路66上的过滤器37和各液处理组件上的过滤器47供给，而形成下降气流。该FFU74和各单位模块E的杯43构成供气排气部。

另外，在各单位模块E内，由于自输送路30的后方侧和液处理组件的杯43的排气和自各过滤器37、47的空气的供给而形成压力分布。参照图9、图10的概略俯视图说明该压力分布。图9表示包括单位模块E1的模块D1～D4，图10表示单位模块E3，在这些图中利用箭头表示由于压力分布而形成的气流的流向。

在单位模块E1、E2，通过如上述这样在各部分进行空气的供给和排气，将输送路30和共用输送路66的压力控制为：低于防反射膜形成用的化学溶液涂布组件4C的压力，且高于背面清洗组件4D的压力。叙述像这样控制各部分的压力的理由。对于形成涂布膜的化学溶液涂布组件4C优选更高的洁净度，以防止微粒混入涂布膜中而产生缺陷。因此，形成自化学溶液涂布组件4C朝向输送路30的空气的流动，以防止微粒自输送路30和共用输送路66向化学溶液涂布组件4C流入。另一方面，由于背面清洗组件4D不进行成膜，因此与化学溶液涂布组件4C相比，该处理因自输送路30和共用输送路66流入的微粒而变得异常的风险较低。并且，形成空气的自共用输送路66朝向背面清洗组件4D的流动，以更加可靠地防止在晶圆W的清洗时产生的雾沫向共用输送路66和输送路30流动而导致附着于晶圆W。如上述这样在输送路30和共用输送路66、化学溶液涂布组件4C、背面清洗组件4D之间形成上述这样的压力分布，以形成该空气的流动。

另一方面，在单位模块E3、E4，以上述的防止微粒向涂布膜中的混入的目的，将输送路30的压力控制为低于抗蚀剂涂布组件4A、化学溶液涂布组件4B的压力。即，如图10所示，空气自抗蚀剂涂布组件4A和化学溶液涂布组件4B向输送路30流动。在单位模块E5、E6，也以输送路30的压力小于第1显影组件4E、第2显影组件4F的压力的方式进行控制，而抑制在显影时微粒附着于晶圆W。另外，如图9、图10所示，向各单位模块E的输送路30和共用输送路66供给的空气除了自输送路30的后方排气或自背面清洗组件4D的杯43排气以外，还通过向检查模块D2和接口模块D4流入来去除。

单位模块E1、E2是第1单位模块。而且，单位模块E3～E6是第2单位模块，单位模块E3、E4是去路用的单位模块，单位模块E5、E6是返路用的单位模块。单位模块E1、E2的输送路30和共用输送路66是第1基板输送区域，单位模块E3、E4的输送路30是第2基板输送区域。输送机构F1、F2是第1输送机构，输送机构F7是第2输送机构，输送机构F3～F6是第3输送机构。而且，防反射膜形成用的化学溶液涂布组件4C是第1处理组件，背面清洗组件4D是第2处理组件，抗蚀剂涂布组件4A和保护膜形成用的化学溶液涂布组件4B是第3处理组件。第1显影组件4E和第2显影组件4F是第4处理组件。

接着，除了参照表示俯视面的图1和表示纵剖主视面的图2、图3以外，还参照作为纵剖侧视图的图11说明接口模块D4。接口模块D4包括方形的壳体81。在壳体81内在前后的中央部靠近处理模块D3的位置设有塔T2，该塔T2进入壳体81内，并位于上述的附加设备设置部36的后方。塔T2由多个交接组件TRS和多个温度调整组件SCPL层叠而构成，这些组件构成另一侧载置部。另外，在塔T2的下部侧设有用于调整向曝光机D5送入前的晶圆W的温度的温度调整组件，将该温度调整组件设为ICPL。另外，在图11中，对于塔T2，为了图示的方便，使用点划线表示其本来的位置，并且在接口模块D4的外侧使用实线清晰地表示其所包括的各组件。

在接口模块D4的上部侧，在附加设备设置部36的右侧，作为曝光后处理组件的曝光后清洗组件80例如纵向排列地设有4个。曝光后清洗组件80构成为俯视时呈长方形状，以长边沿着前后的方式配置，以抑制接口模块D4的左右的长度。该曝光后清洗组件80除了向晶圆W的表面供给用于去除保护膜并对晶圆W的表面进行清洗的清洗液来代替显影液以外，与显影组件同样地构成。

而且，在相对于塔T2处于后方且是右侧的位置设有纵长的缓冲组件82，位于接口模块D4的上部侧。因此，缓冲组件82设于与塔T2所包括的TRS和SCPL的列偏离的位置。作为滞留组件的缓冲组件82构成为能够载置被背面清洗组件4D处理前的晶圆W，构成为与交接组件TRS相比能够载置更多张数的晶圆W并使其滞留。

而且，接口模块D4包括构成另一侧输送机构的输送机构87、88、89。输送机构87、88除了未设置移动机构65以外包括与输送机构F1～F7同样的构成要素。作为第2另一侧输送机构且作为一输送机构的输送机构87位于塔T2的后方。因此，输送机构87与附加设备设置部36在前后夹着塔T2。输送机构87能接入塔T2的各高度的交接组件TRS以及温度调整组件SCPL、温度调整组件ICPL、缓冲组件82，而在这些组件之间交接晶圆W。

而且，作为第1另一侧输送机构的输送机构88设于塔T2的右侧，能接入缓冲组件82、塔T2的上部侧的各交接组件TRS以及温度调整组件SCPL，而在这些组件之间交接晶圆W。即，与输送机构88在接口模块D4的上部侧交接晶圆W相对地，输送机构87是在接口模块D4的上部侧与下部侧之间交接晶圆W的输送机构。为此，输送机构87的保持体61构成为与输送机构88的保持体61相比能够升降较长的距离。即，与晶圆W的利用输送机构88进行输送的输送区域相比，晶圆W的利用输送机构87进行输送的输送区域在纵向上较长。缓冲组件82、输送机构88和曝光后清洗组件80配置为在俯视时前后排成一列。

输送机构89设于曝光后清洗组件80的下方区域，构成该输送机构89的移动机构65设为能够使保持体61等的各构成要素在前后方向上移动。输送机构89能接入设于塔T2的下部侧的交接组件TRS和温度调整组件ICPL，在这些组件之间交接晶圆W。

对设于塔T2的交接组件TRS和温度调整组件SCPL进行补充。TRS位于单位模块E1～E6的高度，将相对于这些单位模块E1～E6的交接所使用的TRS设为TRS31～TRS36。另外，除了TRS33、TRS34，将分别位于单位模块E3、E4的高度且相对于这些单位模块E3、E4的交接所使用的TRS分别表示为TRS43、TRS44。此外，在塔T2的下部侧设有用于在输送机构87与输送机构89之间交接晶圆W的TRS37，在塔T2的上部侧设有用于在输送机构87与输送机构88之间交接晶圆W的TRS38。塔T2的温度调整组件SCPL设于单位模块E3～E6的高度，表示为SCPL33～SCPL36。

设于接口模块D4的上部的FFU86向设于各曝光后清洗组件80的杯43的上侧的过滤器85(参照图3)供给空气，而形成下降气流。另外，在接口模块D4，除了过滤器85以外还设有利用自FFU86供给来的空气在壳体81内的晶圆W的输送区域形成下降气流的过滤器，但省略该过滤器的表示。

另外，涂布、显影装置1包括控制部10(参照图1)。该控制部10由计算机构成，包括程序、存储器、CPU。在程序中编入有步骤群组，以能够实施涂布、显影装置1的一系列动作。于是，控制部10利用该程序向涂布、显影装置1的各部分输出控制信号，控制该各部分的动作。由此，进行后述的晶圆W的输送和晶圆W的处理。上述的程序存储于例如光盘、硬盘、DVD等存储介质，并加载于控制部10。

接着，参照图12～图14，说明涂布、显影装置1的晶圆W的输送路径。图12的图表表示组件与相对于该组件的送入、送出所使用的输送机构之间的对应关系。若更加详细地叙述，则按照输送晶圆W的顺序，将组件沿表的横向排列记载，并且将各输送机构沿纵向记载，在与相对于组件的送入和送出所使用的输送机构对应的表中的方格画上斜线。另外，在表中，TRS表示为T，SCPL表示为S，ICPL表示为I，载体C也作为组件表示。另外，在表中，也示出了各组件属于模块D1～D5中的哪一者，但为了图示的方便，检查模块D2和接口模块D4的温度调整组件SCPL和交接组件TRS的一部分表示为设于处理模块D3。并且，图13、图14使用箭头表示输送路径的概略，省略了一部分晶圆W经过的组件。图13表示晶圆W的自载体C至曝光机D5的路径，图14表示晶圆W的自曝光机D5至载体C的路径。

晶圆W利用载体模块D1的输送机构17自载体C向检查模块D2的交接组件TRS41输送，利用输送机构22向处理前检查组件23输送并检查，之后，利用输送机构22向塔T1的交接组件TRS17输送。输送至该交接组件TRS17的晶圆W利用输送机构25向塔T1的交接组件TRS11、TRS12分配。

输送至交接组件TRS11的晶圆W利用输送机构F1向单位模块E1送入。然后，该晶圆W依次向疏水化处理组件54、塔T1的温度调整组件SCPL11、化学溶液涂布组件4C、加热组件55、检查组件56输送，而依次接受疏水化处理、温度调整处理、防反射膜的形成处理、加热处理、检查。然后，该晶圆W利用输送机构F1向塔T1的交接组件TRS21输送，而自单位模块E1送出。另一方面，输送至交接组件TRS12的晶圆W利用输送机构F2向单位模块E2送入。然后，与送入了单位模块E1的晶圆W同样地进行处理，之后，向塔T1的交接组件TRS22输送，从而自单位模块E2送出。

像这样输送至交接组件TRS12、TRS22的晶圆W利用输送机构25向塔T1的温度调整组件SCPL13、SCPL14分配。输送至温度调整组件SCPL13的晶圆W利用输送机构F3向单位模块E3送入。然后，该晶圆W依次向抗蚀剂涂布组件4A、加热组件51、检查组件53、塔T2的交接组件TRS33、温度调整组件SCPL33、保护膜形成用的化学溶液涂布组件4B、加热组件52输送。由此，晶圆W依次接受温度调整处理、抗蚀膜的形成处理、加热处理、检查、温度调整处理、加热处理。然后，该晶圆W利用输送机构F3向塔T2的交接组件TRS43输送，而自单位模块E3向接口模块D4送入。

输送至温度调整组件SCPL14的晶圆W利用输送机构F4向单位模块E4送入，与送入了单位模块E3的晶圆W同样地进行处理，之后，向塔T2的交接组件TRS44输送。即，该晶圆W自单位模块E4向接口模块D4输送。

交接组件TRS43、TRS44的晶圆W利用接口模块D4的位于前后的中央的输送机构88向缓冲组件82输送，之后，利用接口模块D4的后方侧的输送机构87向塔T2的交接组件TRS31输送。然后，该交接组件TRS31的晶圆W利用输送机构F7再次向单位模块E1、E2送入，而向背面清洗组件4D输送。然后，晶圆W在背面清洗组件4D进行背面清洗，之后，利用输送机构F7向塔T2的交接组件TRS32输送，从而返回接口模块D4。该晶圆W利用输送机构87向温度调整组件ICPL输送并进行温度调整，之后，利用输送机构89向曝光机D5输送，对表面的抗蚀膜进行曝光。

曝光后的晶圆W利用输送机构89向塔T2的交接组件TRS37输送，利用输送机构87向塔T2的交接组件TRS38输送，之后，利用输送机构88向曝光后清洗组件80输送，进行清洗处理。之后，该晶圆W利用输送机构88向交接组件TRS35、TRS36分配。

输送至交接组件TRS35的晶圆W利用输送机构F5向单位模块E5送入。然后，该晶圆W依次向加热组件57、塔T2的温度调整组件SCPL35、第1显影组件4E或第2显影组件4F、加热组件58、检查组件输送。由此，晶圆W依次接受加热处理、温度调整处理、显影处理、加热处理、检查，之后，利用输送机构F5向塔T1的温度调整组件SCPL15输送，而自单位模块E5向检查模块D2送出。

输送至交接组件TRS36的晶圆W利用输送机构F6向单位模块E6送入。然后，该晶圆W与送入了单位模块E5的晶圆W同样地进行处理，之后，向塔T1的温度调整组件SCPL16输送。即，自单位模块E6向检查模块D2送出。像这样输送至温度调整组件SCPL15、SCPL16的晶圆W利用输送机构25向塔T1的交接组件TRS18输送，之后，利用输送机构22向处理后检查组件24输送并检查。检查后的晶圆W利用输送机构22向交接组件TRS42输送，利用输送机构17返回载体C。其中，对晶圆W的处于单位模块E2、E4、E6的输送路径简单地进行了说明，但以经过与单位模块E1、E3、E5的组件同样的组件的方式进行输送。不过，交接组件TRS、温度调整组件SCPL使用配置于各单位模块的高度的组件。

如上所述，在涂布、显影装置1，在单位模块E1、E2的左侧设有化学溶液涂布组件4C和在该化学溶液涂布组件4C与能够升降输送晶圆W的检查模块D2之间交接晶圆W的输送机构F1、F2。另一方面，在单位模块E1、E2的右侧设有背面清洗组件4D和在该背面清洗组件4D与能够升降输送晶圆W的接口模块D4之间交接晶圆W的输送机构F7。在单位模块E1、E2层叠有包括输送机构F3、F4的单位模块E3、E4。于是，在化学溶液涂布组件4C、背面清洗组件4D依次对晶圆W进行处理之后，向曝光机D5输送该晶圆W，在此时，在化学溶液涂布组件4C进行了处理后的晶圆W会暂时自单位模块E1、E2向检查模块D2送出。之后，该晶圆W依次经由单位模块E3、E4、接口模块D4而向背面清洗组件4D输送，在进行了背面清洗后返回接口模块D4。根据这样的结构，能够以不影响晶圆W的在化学溶液涂布组件4C与检查模块D2之间的交接以及晶圆W的在背面清洗组件4D与接口模块D4之间的交接中的一个动作的情况下进行另一个动作。即，能够分别迅速地进行晶圆W的相对于化学溶液涂布组件4C的送入送出以及晶圆W的相对于背面清洗组件4D的送入送出。另外，在晶圆W的利用输送机构F1、F2进行输送的输送区域与晶圆W的利用输送机构F7进行输送的输送区域之间无需设置交接组件TRS这样的用于在输送机构之间交接晶圆W的组件。因此，能够减小涂布、显影装置1的左右的宽度。因此，根据该涂布、显影装置1，能够得到较高的生产率，并且能够使装置的占地面积缩小化。另外，在上述的专利文献1中，在于相同的高度的层(单位模块)的左右分别配置的输送机构之间交接晶圆W时，利用设于输送机构之间的晶圆W的载置部。由于该载置部而导致层的长度变大，因此难以减小装置的占地面积。

对涂布、显影装置1的左右的长度较小的优点进行补充。一般，在将涂布、显影装置设置于无尘室时，其左右的宽度被限制。若详细地叙述，则相对于涂布、显影装置输送载体C的外部输送机构的能够在无尘室内移动的范围被限制。因此，构成涂布、显影装置的用于将载体C送入送出的模块的能够设置的位置被限制。另一方面，有时无尘室内的曝光机D5的配置已经确定。由于这样的情况，因此存在左右的长度较大的涂布、显影装置无法设置于无尘室内这样的问题。但是，与像上述这样的结构相比，涂布、显影装置1的左右的长度比较小，因此能够解决该问题。另外，在涂布、显影装置1，将背面清洗组件4D像上述这样配置于单位模块E1、E2，并且以上述的路径输送晶圆W，从而无需将该背面清洗组件4D配置于接口模块D4。由此，防止接口模块D4的大型化也有助于涂布、显影装置1的左右的长度的缩短化。

另外，在涂布、显影装置1的单位模块E3、E4设有抗蚀剂涂布组件4A和保护膜形成用的化学溶液涂布组件4B。即，在由于将晶圆W自单位模块E1、E2的左侧向右侧输送而经过的单位模块E3、E4设置抗蚀剂涂布组件4A和保护膜形成用的化学溶液涂布组件4B。由此，直到进行背面清洗为止，无需将晶圆W向除了单位模块E1～E4以外的单位模块E输送。因此，防止晶圆W的输送路径变长因而更加可靠地抑制生产率的下降，并且防止单位模块E的数量增加，因此能够抑制装置的大型化。

另外，背面清洗组件4D分别设于单位模块E1、E2，因此配置为两层。像这样将背面清洗组件4D设为多层，从而在接口模块D4的塔T2，也能够在较宽的高度范围内设置用于进行相对于该背面清洗组件4D的交接的交接组件TRS(如上所述，表示为TRS31、TRS32)。能够在较宽的高度范围内设置能够使该交接组件TRS构成为载置更多的晶圆W。通过像这样能够载置较多的晶圆W，即使在该交接组件TRS的后段的处理组件中产生处理被临时中止这样的不良情况，也能够在该交接组件TRS的前段的各处理组件继续晶圆W的处理。即，能够防止整个装置停止晶圆W的处理，因此能够防止装置的生产率的下降。另外，输送机构F7在单位模块E1、E2的共用输送路66进行升降，因此能够接入塔T2的较宽的高度范围。因此，上述的交接组件TRS31、TRS32能够构成为能够载置更多的晶圆W。另外，输送机构F7使用塔T2的TRS31、TRS32分别进行晶圆W的自接口模块D4的接收、晶圆W的向接口模块D4的送出。即，使用不同的层(高度)的组件在接口模块D4的输送机构与单位模块E1、E2的输送机构之间进行晶圆W的交接。这样的结构也有助于像上述这样对于交接组件TRS31、TRS32确保足够的配置的空间、在接口模块D4与输送机构F7之间进行高效的输送。

此外，利用将背面清洗组件4D设为两层以及由于不存在喷嘴45而能够使背面清洗组件4D的杯43之间的间隔较窄，将化学溶液涂布组件4C与背面清洗组件4D之间设为包括泵的处理液供给机器的设置部39。即，在单位模块E的构成液处理组件的杯43之间设置处理液供给机器。像这样设置处理液供给机器，从而抑制处理液供给管的自泵至各液处理组件的喷嘴的长度变大。由此，在为了抑制处理液的压力损失而在处理液供给管将过滤器设于泵的前段的情况下，该过滤器与喷嘴之间的距离变近，从而提高对于处理液中的异物的捕集效果。即，上述的处理液供给机器的配置具有有助于防止由晶圆W制造的半导体制品的成品率的下降的优点。另外，由于该处理液供给机器设于单位模块E中的下层侧的E1、E2，因此具有作业员易于进行维护这样的优点。

另外，与单位模块E1、E2能接入的组件的种类相比，设有输送机构F7的单位模块E7能接入的组件的种类较少。即，与输送机构F1、F2相比，输送机构F7的输送工序数量较少。像这样将输送工序数较少的输送机构F7设为在单位模块E1、E2共用的结构，因此能够在确保足够的生产率的同时，使装置的制造成本下降。

另外，在涂布、显影装置1，如上所述，载体模块D1的高度小于与该载体模块D1相邻的检查模块D2的高度，载体C在载体模块D1的上方待机。根据这样的结构，无需在比载体模块D1靠左侧的位置设置载体待机部20和载体送入送出部19。因此，更加可靠地抑制涂布、显影装置1的左右的长度。在像这样将载体待机部20和载体送入送出部19配置于载体模块D1上时，将用于在载体模块D1形成下降气流的FFU31设于俯视时不与过滤器18重叠的位置即检查模块D2上。即，利用这样的FFU31的配置，防止涂布、显影装置1的左右的长度变大。另外，该FFU31并不限定于设于检查模块D2上，例如也可以相对于涂布、显影装置1配置于前方、后方。

此外，在涂布、显影装置1，在接口模块D4，相对于用于在与处理模块D3之间交接晶圆W的塔T2在后方配置能接入该塔T2的输送机构87。另一方面，在塔T2的前方侧配置自处理模块D3的单位模块E突出的附加设备设置部36，附加设备设置部36与输送机构87从前后夹着塔T2。根据这样的各部分的配置，能够抑制由于附加设备设置部36导致涂布、显影装置1的左右的长度变大，从而更加可靠地抑制涂布、显影装置1的占地面积。另外，在检查模块D2，将附加设备设置部35与输送机构25设为从前后夹着塔T2。根据像这样的各部分的配置，也能抑制涂布、显影装置1的左右的长度变大。

另外，在接口模块D4，背面清洗前的晶圆W利用缓冲组件82进行待机。因此，在背面清洗之后到向曝光机D5送入为止，晶圆W经由的组件较少，从而更加可靠地抑制晶圆W以在背面附着有异物的状态向曝光机D5送入，因此更加可靠地防止曝光时的散焦。

此外，在接口模块D4设有处于前后的中央的输送机构87和后方侧的输送机构88，该处于前后的中央的输送机构87分别能接入曝光后清洗组件80、塔T2的组件、缓冲组件82，该后方侧的输送机构88能接入塔T2的组件、缓冲组件82。而且，不会接入曝光后清洗组件80的输送机构88的升降的范围比输送机构87大，该输送机构88的保持体61向塔T2的配置于更低的位置的组件接入。根据这样的结构，能够抑制输送机构87、88之间的负荷的偏重，更加可靠地提高生产率。

另外，在单位模块E1～E4，附加设备被一分为二为左侧的杯43用和右侧的杯43用。对于单位模块E1～E4的附加设备，也可以与单位模块E5、E6同样地将附加设备分隔成三部分。不过，为了简化附加设备的构造，优选像上述这样仅将与单位模块E1～E4相比杯的数量较多的单位模块E5、E6分隔成三部分。

在上述的涂布、显影装置1，对于同样的单位模块E，设有两个，但并不限定于这样的结构，例如也可以仅设有一个或设有3个以上。另外，单位模块E排列的顺序也并不限定于上述的例子，例如单位模块E1、E2也可以位于单位模块E3、E4的上方。

另外，涂布、显影装置1的组件的配置并不限定于上述的例子。例如，不在单位模块E1、E2的右侧设置背面清洗组件4D，取而代之，设置保护膜形成用的化学溶液涂布组件4B和加热保护膜形成后的晶圆W的加热组件52。并且，在单位模块E3、E4仅设有抗蚀剂涂布组件4A作为液处理组件，而不设置化学溶液涂布组件4B。晶圆W以上述的输送路径经过各单位模块E，除了不接受背面清洗处理和在单位模块E1、E2接受保护膜的形成和形成后的加热处理以外，接受与上述的处理同样的处理。因此，设于单位模块E1、E2的右侧的组件并不限定于清洗组件。

若列举其他的涂布、显影装置1的组件的配置例，则例如设为如下的布局：在单位模块E1、E2的左侧设置抗蚀剂涂布组件4A、在右侧设置背面清洗组件4D、在单位模块E3、E4设置保护膜形成用的化学溶液涂布组件4B。即，也可以设为不形成防反射膜的组件配置，晶圆W以上述的路径经过各单位模块而向曝光机D5送入。另外，例如在曝光机D5不进行浸液曝光的情况下，也可以设为不进行保护膜的形成的装置结构，在单位模块E3、E4作为液处理组件仅配置抗蚀剂涂布组件4A，像上述这样在各模块之间输送晶圆W并进行处理。

另外，本技术并不限定于应用于涂布、显影装置。图15表示涂布装置9。若列举涂布装置9的与涂布、显影装置1的差异点，则涂布装置9不与曝光机D5连接。另外，单位模块E仅设有单位模块E1、E3这两者。因此在单位模块E1未设置与单位模块E2连通的共用输送路66，输送机构F1、F7分别在输送路30的左侧、右侧输送晶圆W。在单位模块E1，作为液处理组件而在左侧设有防反射膜形成用的化学溶液涂布组件4C，在右侧设有抗蚀剂涂布组件4A。在单位模块E3未设置处理组件。

图15中的箭头表示晶圆W的输送路径。晶圆W在化学溶液涂布组件4B进行了处理之后，返回检查模块D2，经由单位模块E3向接口模块D4输送，之后，向抗蚀剂涂布组件4A输送并进行处理。之后，晶圆W返回接口模块D4，依次经过单位模块E3、检查模块D2，而返回载体C。另外，在塔T1、T2，在能够进行像这样的输送的位置配置有交接组件TRS。该涂布装置9也起到与涂布、显影装置1同样的效果。自检查模块D2向接口模块D4输送晶圆W的单位模块E和自接口模块D4向检查模块D2输送晶圆W的单位模块E既可以像该涂布装置9这样相同，也可以像涂布、显影装置1那样不同。

在装置进行的液处理并不限定于上述的例子，也可以包括利用化学溶液的涂布进行的绝缘膜的形成、用于使晶圆W彼此贴合的粘接剂的涂布处理等。另外，应当认为本次公开了的实施方式在所有方面均为例示，并不是限制性的。上述的实施方式在不脱离权利要求书的范围及其主旨的情况下，也可以以各种各样的形态进行省略、置换、变更和组合。

Claims (17)

1.一种基板处理装置，其特征在于，

该基板处理装置包括：

第1单位模块，其包括左右延伸的第1基板输送区域、设为面向该第1基板输送区域的左右的一侧的第1处理组件、设为面向该第1基板输送区域的左右的另一侧的第2处理组件、以及设于所述第1基板输送区域的左右的一侧且用于向所述第1处理组件交接基板的第1输送机构、设于所述第1基板输送区域的左右的另一侧且用于向所述第2处理组件交接基板的第2输送机构；

第2单位模块，其包括左右延伸的第2基板输送区域和在该第2基板输送区域沿左右输送所述基板的第3输送机构，该第2单位模块与所述第1单位模块层叠地设置；

基板送入送出模块，其相对于由所述第1单位模块和所述第2单位模块构成的单位模块的层叠体设于左右的一侧，该基板送入送出模块在该第1单位模块的高度和第2单位模块的高度包括载置所述基板的一侧载置部，以分别向所述第1输送机构、所述第3输送机构交接基板，并且该基板送入送出模块包括载置用于收纳所述基板的载体的载体台；

中继模块，其相对于所述单位模块的层叠体设于左右的另一侧，该中继模块在所述第1单位模块的高度和所述第2单位模块的高度包括载置所述基板的另一侧载置部，以分别向所述第2输送机构、所述第3输送机构交接基板；

另一侧输送机构，其设于所述中继模块，以在各所述另一侧载置部之间输送所述基板；以及

一侧输送机构，其在所述载体和各所述一侧载置部之间输送所述基板，为了使在所述第1处理组件完成处理后且在所述第2处理组件进行处理前的基板依次经过所述第2单位模块、所述中继模块而自所述第1单位模块的另一侧向所述第2处理组件输送，将所述一侧输送机构设于所述基板送入送出模块，以自所述第1单位模块的高度的一侧载置部向所述第2单位模块的高度的一侧载置部输送该基板。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述第2单位模块，面向所述第2基板输送区域地设有利用所述第3输送机构交接所述基板的第3处理组件，

该第3处理组件对在所述第1处理组件进行了处理后且在所述第2处理组件进行处理前的所述基板进行处理。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1处理组件和所述第3处理组件包括向所述基板供给涂布液而形成涂布膜的涂布组件。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第2单位模块包括：自所述基板送入送出模块向所述中继模块输送所述基板的去路用的单位模块；以及自所述中继模块向所述基板送入送出模块输送所述基板的返路用的单位模块，

所述去路用的单位模块和所述返路用的单位模块均包括所述第2基板输送区域和所述第3输送机构，

所述去路用的单位模块包括所述第3处理组件，

所述返路用的单位模块包括对在所述第1处理组件、所述第2处理组件和所述第3处理组件进行了处理后的基板进行处理的第4处理组件，

所述一侧载置部和所述另一侧载置部设于所述去路用的单位模块的高度和所述返路用的单位模块的高度。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1处理组件、所述第2处理组件和所述去路用的单位模块的所述第3处理组件中的任一者包括向所述基板供给抗蚀剂而形成抗蚀膜的抗蚀剂涂布组件，

所述第4处理组件是面向所述第2基板输送区域设置的显影组件，该显影组件对在为了对所述抗蚀膜进行曝光而与所述中继模块连接的曝光机进行了曝光的所述抗蚀膜进行显影。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1处理组件和所述第2处理组件左右排列地设置，

所述第1处理组件、所述第2处理组件和所述第3处理组件是向所述基板供给处理液而进行处理的液处理组件，

在所述第1处理组件与第2处理组件之间设有分别向所述第1处理组件、所述第2处理组件、所述第3处理组件供给所述处理液的供给机器。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1处理组件是向所述基板供给涂布液而形成涂布膜的涂布组件，

所述第2处理组件是在所述抗蚀膜的形成后且在利用所述曝光机进行的曝光前对基板进行清洗的清洗组件。

8.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

所述另一侧载置部在纵向上成列，

在所述中继模块设有：对在所述曝光机进行曝光后且显影处理前的所述基板进行处理的曝光后处理组件；以及供在所述第2处理组件进行处理前的所述基板在与所述另一侧载置部的列偏离开的位置滞留的滞留组件，

所述另一侧输送机构包括：

第1另一侧输送机构，其在所述曝光后处理组件、所述滞留组件和所述另一侧载置部之间输送所述基板；以及

第2另一侧输送机构，其在所述滞留组件和所述另一侧载置部之间输送所述基板，

基板的利用第2另一侧输送机构进行输送的输送区域在纵向上长于基板的利用第1另一侧输送机构进行输送的输送区域。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

作为构成所述单位模块的层叠体的一单位模块的所述处理组件，设有左右排列有多个并且向所述基板供给处理液而进行处理的液处理组件，

该液处理组件的列中的左侧的处理组件的附加设备、中央部的处理组件的附加设备、右侧的处理组件的附加设备彼此被分隔开。

10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述液处理组件包括收容所述基板并向该基板供给处理液的杯，所述附加设备包括与该杯连接并用于形成使杯内进行排气的排气路的排气路形成构件。

11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于，

所述液处理组件包括收容所述基板并向该基板供给处理液的杯，所述一单位模块是与形成所述单位模块的层叠体的另一单位模块相比所述杯的数量较多的单位模块。

12.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

在所述中继模块在纵向上成列地设有所述另一侧载置部，

所述另一侧输送机构由多个输送机构构成，

所述多个输送机构中的一输送机构和包括所述第2处理组件的附加设备的附加设备设置部设为从前后夹着所述另一侧载置部的列。

13.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1单位模块在纵向上连续地设有多层，所述第2处理组件设于各层的所述第1单位模块。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1基板输送区域的左右的一侧以层为单位被划分开，

在每层均设有所述第1输送机构，

所述第1基板输送区域的左右的另一侧在各层之间连通，

所述第2输送机构是在各层共用的升降自如的输送机构。

15.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述一侧输送机构包括：第1一侧输送机构，其相对于所述载体送入送出所述基板；以及第2一侧输送机构，其设为比所述第1一侧输送机构靠近所述单位模块的层叠体，该第2一侧输送机构升降以在所述第1输送机构与所述第3输送机构之间交接所述基板，

该基板处理装置包括：

过滤器，其设于基板的利用所述第1一侧输送机构进行输送的输送区域之上，使供给来的气体洁净化并向该输送区域排出；

气体供给机构，其设于俯视时不与所述过滤器重叠的位置，抽吸气体并向所述过滤器供给；以及

载体临时载置部，其在所述输送区域上用于临时载置所述载体。

16.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第1处理组件是向所述基板供给涂布液而形成涂布膜的涂布组件，所述第2处理组件是对所述基板进行清洗的清洗组件，

该基板处理装置设有供气排气部，该供气排气部以使所述第1基板输送区域的压力低于所述第1处理组件的压力且高于第2处理组件的压力的方式进行气体的相对于所述第1单位模块的供给与排气。

17.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第2处理组件包括用于收容所述基板并向该基板供给处理液的杯并且相对于所述第1基板输送区域分别设于前方、后方，

用于使设于所述第2输送机构的保持所述基板的保持体左右移动的移动机构设于该第1基板输送区域。

Images