JP7363591B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本開示は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

半導体デバイスを製造するために、基板である半導体ウエハ（以下、ウエハと記載する）に様々な処理が行われる。この半導体デバイスの製造工程のうちの一工程として、例えばフォトリソグラフィが行われる。具体的にそのフォトリソグラフィでは、ウエハにレジストを塗布してレジスト膜を形成すること、及び現像液を供給して露光済みのレジスト膜を現像することが行われる。例えば特許文献１には、そのようなレジスト膜の形成及び現像を行う基板処理装置について記載されている。

特開２０１０－２１９４３４号公報

本開示は、基板処理装置において高いスループットを得ると共に占有床面積を小さくすることができる技術を提供する。

本開示の基板処理装置は、左右に伸びる第１の基板搬送領域と、当該第１の基板搬送領域の左右の一方側、他方側に夫々面して設けられる第１の処理モジュール、第２の処理モジュールと、前記第１の基板搬送領域の左右の一方側、他方側に夫々設けられ、前記第１の処理モジュール、前記第２の処理モジュールに夫々基板を受け渡すための第１の搬送機構、第２の搬送機構と、を備える第１の単位ブロックと、
左右に伸びる第２の基板搬送領域と、当該第２の基板搬送領域にて左右に前記基板を搬送する第３の搬送機構と、を備え、前記第１の単位ブロックに積層されて設けられる第２の単位ブロックと、
前記第１の単位ブロック及び前記第２の単位ブロックによって構成される単位ブロックの積層体に対して左右の一方側に設けられ、前記第１の搬送機構、前記第３の搬送機構に各々基板を受け渡すために前記基板を載置する一方側載置部を当該第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々の高さに備えると共に、前記基板を収納するキャリアを載置するキャリアステージを備える基板搬入出ブロックと、
前記単位ブロックの積層体に対して左右の他方側に設けられ、前記第２の搬送機構、前記第３の搬送機構に各々基板を受け渡すために前記基板を載置する他方側載置部を前記第１の単位ブロック及び前記第２の単位ブロックの各々の高さに備える中継ブロックと、
前記各他方側載置部の間で前記基板を搬送するように、前記中継ブロックに設けられた他方側搬送機構と、
前記キャリア及び前記各一方側載置部の間で前記基板を搬送し、前記第１の処理モジュールで処理済みで前記第２の処理モジュールで処理前の基板について前記第２の単位ブロック、前記中継ブロックを順に通過して前記第１の単位ブロックの他方側から前記第２の処理モジュールへ搬送するために、前記第１の単位ブロックの高さの一方側載置部から前記第２の単位ブロックの高さの一方側載置部へ搬送するように、前記基板搬入出ブロックに設けられた一方側搬送機構と、
を備える。

本開示によれば、基板処理装置において高いスループットを得ると共に占有床面積を小さくすることができる。

本開示の一実施形態である塗布、現像装置の横断平面図である。 前記塗布、現像装置の縦断正面図である。 前記塗布、現像装置の縦断正面図である。 前記塗布、現像装置に設けられるキャリアブロックの斜視図である。 前記塗布、現像装置に設けられる処理ブロックの前方側の斜視図である。 前記処理ブロックの縦断側面図である。 前記処理ブロックに設けられる塗布膜形成用の単位ブロックの平面図である。 前記処理ブロックに設けられる現像用の単位ブロックの平面図である。 前記塗布、現像装置の概略平面を示す模式図である。 前記処理ブロックに設けられる塗布膜形成用の単位ブロックの概略平面を示す模式図である。 前記塗布、現像装置におけるインターフェイスブロックの縦断側面図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路と用いられる搬送機構との対応を示す表図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示す模式図である。 前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示す模式図である。 塗布装置の概略側面図である。

本開示の基板処理装置の一実施形態である塗布、現像装置１について、図１の横断平面図、図２及び図３の縦断正面図を参照しながら説明する。この塗布、現像装置１は、基板であるウエハＷにレジスト膜を含む各種の膜を形成し、その後に塗布、現像装置１に接続される露光機Ｄ５によって露光済みのレジスト膜を現像して、レジストパターンを形成する。露光機Ｄ５は、ウエハＷの表面に例えば純水により構成される液膜を形成した状態で露光する。即ち、露光機Ｄ５は液浸露光を行う装置であり、塗布、現像装置１は当該液浸露光に対応した処理モジュールを備えている。

この塗布、現像装置１は、半導体製造工場のクリーンルームに設けられている。後に詳しく述べるように、塗布、現像装置１は、その周囲のガスとして空気を吸引するファンフィルタユニット（ＦＦＵ）と、吸引された空気を下方に放出して下降気流（ダウンフロー）を形成するためのフィルタと、を備える。当該フィルタは、ウエハＷを搬送する各搬送機構の移動領域上やウエハＷを収納して液処理するカップ上に配置され、当該搬送機構からのパーティクルの飛散や、当該カップからのミストの飛散が抑制される。

ウエハＷについては、ＦＯＵＰ（Front Opening Unify Pod）と呼ばれるキャリアＣに複数枚が格納された状態で、塗布、現像装置１の外部に設けられる搬送機構により、当該塗布、現像装置１に搬送される。この搬送容器であるキャリアＣを搬送する外部搬送機構は、例えばＯＨＴ（Over Head Transport）と呼ばれ、クリーンルームの天井部に設けられる。

塗布、現像装置１は、キャリアブロックＤ１、検査ブロックＤ２、処理ブロックＤ３、インターフェイスブロックＤ４が、この順で横方向に一列に並ぶと共に互いに接続されて構成されている。これらキャリアブロックＤ１、検査ブロックＤ２、処理ブロックＤ３、インターフェイスブロックＤ４について底部の高さは互いに揃っており、キャリアブロックＤ１の高さは他のブロックＤ２～Ｄ４の高さに比べて小さい。インターフェイスブロックＤ４には処理ブロックＤ３と反対側に、露光機Ｄ５が接続されている。キャリアブロックＤ１及び検査ブロックＤ２は基板搬入出ブロックであり、インターフェイスブロックＤ４は中継ブロックである。

以降の説明にあたり、上記のブロックＤ１～Ｄ４の配列方向を左右方向とし、キャリアブロックＤ１側を左側、インターフェイスブロックＤ４側を右側とする。また、装置の前後方向について、キャリアブロックＤ１を左側、インターフェイスブロックＤ４を右側に見たときの手前側を前方側、奥側を後方側とする。各図中では互いに直交するＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を夫々示している。Ｘ方向は左右方向、Ｙ方向は前後方向を夫々示し、Ｚ方向は高さ方向を示している。なお図２及び図３は、いずれも塗布、現像装置１の縦断面を示すが、装置の一部について前後に異なる位置の縦断面を示している。

キャリアブロックＤ１は、塗布、現像装置１の外部に設けられるキャリア搬送機構によってキャリアＣが搬送され、キャリアＣと塗布、現像装置１内との間でウエハＷを受け渡すためのブロックである。斜視図である図４も参照して説明すると、キャリアブロックＤ１を構成する筐体１１の右側は、左側に比べて高くなるように上方に突出しており、それによって正面視、段が形成されている。そのように構成された筐体１１の左側、右側を夫々低身部１２、高身部１３とする。

低身部１２の上面には４つのキャリアステージ１４が、前後方向に間隔を空けて設けられている。キャリアＣは、塗布、現像装置１に対してウエハＷを搬入、搬出するために当該キャリアステージ１４に載置される。筐体１１において高身部１３を形成すると共に左側に向かう側壁には、キャリアステージ１４に対応する位置にウエハＷの搬送口が開口しており、当該搬送口は開閉機構１６により開閉される。

筐体１１内において、高身部１３には前後移動、鉛直軸回りに回転自在、且つ昇降自在の移動体と、当該移動体を進退自在であると共にウエハＷを保持する保持体と、を備える搬送機構１７が設けられている。第１の一方側搬送機構である搬送機構１７により、キャリアステージ１４上のキャリアＣと検査ブロックＤ２との間でウエハＷが受け渡される。高身部１３の天井にはフィルタ１８が設けられている。フィルタ１８は高身部１３における搬送機構１７によるウエハＷの搬送領域をカバーするように設けられており、上記したようにダウンフローを形成する。このフィルタ１８についは、検査ブロックＤ２の構成を説明する際にも述べる。例えば筐体１１の底部には図示しない排気口が形成され、当該排気口から筐体１１内の空気が除去される。

検査ブロックＤ２は、塗布、現像装置１による処理前、処理後のウエハＷを検査するためのブロックである。また、処理ブロックＤ３は、各々ウエハＷが搬送される６つの層が重なって構成されるが、検査ブロックＤ２はウエハＷを昇降搬送して処理ブロックＤ３の層間でウエハＷが受け渡されるようにする役割も有する。検査ブロックＤ２は方形の筐体２１を備えており、当該筐体２１と上記のキャリアブロックＤ１の高身部１３とにより、正面視、段が形成されている。

筐体２１内の前後の中央部には、受け渡しモジュールＴＲＳの積層体、搬送機構２２、タワーＴ１が左側から右側に向かってこの順に設けられている。また、受け渡しモジュールＴＲＳの積層体の上方には処理前検査モジュール２３が設けられており、この処理前検査モジュール２３は、装置１内の各処理モジュールで処理を行う前のウエハＷを光学的に検査するためのモジュールである。また、受け渡しモジュールＴＲＳの積層体及び搬送機構２２の後方には、処理後検査モジュール２４が設けられている。この処理後検査モジュール２４は、装置１内の各処理モジュールで処理後のウエハＷ、即ちレジストパターンを形成済みのウエハＷを光学的に検査するためのモジュールである。タワーＴ１の後方には搬送機構２５が設けられている。搬送機構２２、２５は、上記のキャリアＣにアクセスする搬送機構１７よりも処理ブロックＤ３寄りに設けられる第２の一方側搬送機構であり、搬送機構１７と共に一方側搬送機構を構成する。

なお、モジュールはウエハＷが載置される場所として構成されるものである。ウエハＷに処理（検査を含む）を行うモジュールを処理モジュールと記載する場合が有り、処理モジュールのうち処理液を用いて処理を行うものを液処理モジュールと記載する場合がある。上記の受け渡しモジュールＴＲＳについて説明しておくと、受け渡しモジュールＴＲＳは縦方向に並んで複数設けられたウエハＷの載置部を備える。つまり、一つの受け渡しモジュールＴＲＳは、複数のウエハＷを縦方向に並んで載置することができる。塗布、現像装置１の各所に設けられるＴＲＳを区別するために、ＴＲＳの後に数字を付して示す。上記の受け渡しモジュールＴＲＳの積層体を構成する受け渡しモジュールをＴＲＳ４１、ＴＲＳ４２とする。ＴＲＳ４１はキャリアブロックＤ１から検査ブロックＤ２への搬入、ＴＲＳ４２は検査ブロックＤ２からキャリアブロックＤ１への搬出のために、ウエハＷが各々載置される受け渡しモジュールである。

タワーＴ１は、多数の受け渡しモジュールＴＲＳと多数の温度調整モジュールＳＣＰＬとが積層されて構成されており、これらのモジュールが一方側載置部を構成する。上記の処理ブロックＤ３を構成する層は６つであり、これらの各層と検査ブロックＤ２との間でウエハＷを受け渡すために、当該各層の高さに受け渡しモジュールＴＲＳ及び／または温度調整モジュールＳＣＰＬが設けられている。タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳについて、最下層の高さに設けられるものをＴＲＳ１１及びＴＲＳ２１、２番目に低い層の高さに設けられるものをＴＲＳ１２及びＴＲＳ２２として図３に示している。また、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳには、検査ブロックＤ２内でのウエハＷの受け渡しに用いられるものが含まれ、ＴＲＳ１７、ＴＲＳ１８として示している。

温度調整モジュールＳＣＰＬについては、ウエハＷを載置する載置部と、当該載置部における冷媒の流路と、を備え、当該載置部に載置されたウエハＷの温度が所望の温度となるように調整される。このＳＣＰＬについてもＴＲＳと同様に各々を区別するために、ＳＣＰＬの後に数字を付して示す。タワーＴ１において温度調整モジュールは、処理ブロックＤ３の各層の高さに設けられており、下層から順にＳＣＰＬ１１～ＣＰＬ１６として図３に示している。

搬送機構２２は、鉛直軸回りに回転自在、且つ昇降自在の移動体と、当該移動体を進退自在に構成されたウエハＷを保持する保持体とを備えている。そしてこの搬送機構２２は、検査ブロックＤ２内の各受け渡しモジュールＴＲＳ、処理前検査モジュール２３、処理後検査モジュール２４の各々にアクセスして、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。搬送機構２５はタワーＴ１の各モジュールにアクセスして、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。

検査ブロックＤ２の筐体２１内において、受け渡しモジュールＴＲＳの積層体及び搬送機構２２の前方側は液貯留領域２６として構成されており、塗布、現像装置１で行われる液処理に用いられる各種の処理液を貯留する貯留部が設けられる。また筐体２１内の天井部で搬送機構２２上にはフィルタ２８が、搬送機構２５上にはフィルタ２９が夫々ダウンフローを形成するために設けられている。

筐体２１上には、ＦＦＵ３１、３２、３３が左から右に向けてこの順に設けられている。ＦＦＵ３２、３３は吸引した空気をフィルタ２８、２９に夫々供給し、フィルタ２８、２９から当該空気が後方、下方に夫々放出される。そのように放出された空気は、例えばキャリアブロックＤ１に流れて排気される。また、ガス供給機構をなすＦＦＵ３１にはダクト３４の一端が接続されており、ダクト３４の他端は、筐体２１の側壁に沿って下方へ伸び、上記したキャリアブロックＤ１の高身部１３のフィルタ１８に接続されている。即ち、ＦＦＵ３１で吸引された空気が、フィルタ１８から下方に放出される。

ところで高身部１３の上方において、複数のキャリアＣを前後に並べて各々載置可能な３段の棚が設けられている。各棚は検査ブロックＤ２の側壁から突出するように設けられ、下方側の２つの棚はキャリア待機部２０として構成され、上方側の棚はキャリア搬入出部１９として構成されている。キャリア搬入出部１９は、上記したＯＨＴなどの外部搬送機構に対してキャリアＣを受け渡すために、当該キャリアＣが載置される場所である。キャリア待機部２０は、ウエハＷが塗布、現像装置１内に搬出される前のキャリアＣ及びウエハＷが搬出された後で当該ウエハＷが戻される前のキャリアＣを待機させる場所である。このようにキャリア搬入出部１９及びキャリア待機部２０は、キャリアＣが仮置きされるキャリア仮置き部を構成する。

キャリアブロックＤ１の低身部１２上には、図示しないキャリアＣの移載機構が設けられる。その移載機構により、外部搬送機構によってキャリア搬入出部１９に搬送されたキャリアＣは、キャリアステージ１４→キャリア待機部２０→キャリアステージ１４→キャリア搬入出部１９の順に移載される。そして、このように移載されたキャリアＣは、外部搬送機構により、キャリア搬入出部１９から他の装置へ搬送される。

続いて、処理ブロックＤ３について説明する。上記したように処理ブロックＤ３は６つの層が重なって構成されており、この６つの各層を単位ブロックとして、下方から順にＥ１～Ｅ６として示す。そして縦方向に連続する２つの層が、ウエハＷに各々同様の処理を行えるように同種の処理モジュールを備える。つまり、単位ブロックＥ１、Ｅ２間で、Ｅ３、Ｅ４間で、Ｅ５、Ｅ６間で各々同種の処理を行うことができる。

処理ブロックＤ３では処理液として、塗布膜形成用の薬液（塗布液）、現像液、洗浄液がウエハＷに供給されることで、塗布膜の形成、現像、洗浄が夫々行われる。この塗布膜としては反射防止膜、レジスト膜、保護膜が、この順にウエハＷの表面に形成される。保護膜は液浸露光時にレジスト膜を保護するための膜である。また、この処理ブロックＤ３で行われる洗浄は露光前のウエハＷの裏面の洗浄であり、露光機Ｄ５のステージにウエハＷを載置した際にウエハＷの裏面に付着する異物によって当該ウエハＷの表面の高さが異常となってデフォーカスが発生することを防止するために行われる。

各単位ブロックＥ（Ｅ１～Ｅ６）で行われる液処理を述べておくと、単位ブロックＥ１、Ｅ２ではレジスト膜の下層における反射防止膜の形成と、露光前のウエハＷの裏面の洗浄とが行われる。単位ブロックＥ３、Ｅ４ではレジスト膜及び保護膜の形成が行われ、単位ブロックＥ５、Ｅ６では現像処理が行われる。従って、ウエハＷは単位ブロックＥ１、Ｅ２→単位ブロックＥ３、Ｅ４→単位ブロックＥ１、Ｅ２→単位ブロックＥ５、Ｅ６の順で搬送される。単位ブロックＥ１～Ｅ６は互いに区画され、単位ブロック毎に分離された搬送領域をウエハＷが搬送されるが、後に詳しく述べるように単位ブロックＥ１、Ｅ２の右側については、その搬送領域の分離が行われていない。

単位ブロックＥ１～Ｅ６の積層体は方形に形成されている。そして、この積層体における前方側を左右から挟むように付帯設備設置部３５、３６が設けられている。付帯設備設置部３５は検査ブロックＤ２側に設けられ、当該検査ブロックＤ２の筐体２１内に進入し、上記したタワーＴ１の前方に位置する。従って当該付帯設備設置部３５は、搬送機構２５と共にタワーＴ１を前後から挟むように設けられている。付帯設備設置部３６はインターフェイスブロックＤ４側に設けられており、詳細な位置は後述する。付帯設備設置部３５、３６は、各単位ブロックＥにおける液処理モジュールの付帯設備が設置されるブロックであり、単位ブロックＥ１からＥ６に亘る高さ領域に設けられている。

この液処理モジュールの付帯設備には、当該モジュールに電力を供給するケーブル、モジュールを構成するカップ内を排気する排気路を形成する排気用ダクト、モジュールから排液するための排液路を形成する排液管、モジュールに処理液を供給する供給路を形成する供給管などが含まれる。上記の電力供給ケーブル、排気用ダクト、排液管及び処理液供給管について、単位ブロックＥの左側の液処理モジュールに関するものは付帯設備設置部３５を下方に向かうように、単位ブロックＥの右側の液処理モジュールに関するものは付帯設備設置部３６を下方に向かうように引き回される。

図５は処理ブロックＤ３の前方側の概略構成を示している。上記の液処理モジュールを構成するカップは各単位ブロックＥ１～Ｅ６の左右で分割されたベース体上に設けられており、左側のベース体を９１、右側のベース体を９２とする。そして、各単位ブロックＥのベース体９１、９２間の隙間を９３としている。なお、単位ブロックＥ１、Ｅ２ではベース体９１、９２間において後述する処理液供給機器の設置部３９が介在しており、この設置部３９とベース体９１との間の空間を隙間９３とする。各単位ブロックＥにて隙間９３は左右の中央部に形成され、この隙間９３は、単位ブロックＥ５、Ｅ６の液処理モジュールである現像モジュールの付帯設備の配置に利用されるが、後に詳しく説明する。ベース体９１、９２及び隙間９３については、この図５及び後述の単位ブロックＥ５の構成を示す図８以外では表示を省略している。

続いて、各単位ブロックについて、処理ブロックＤ３の縦断側面図である図６も参照して説明する。先ず、単位ブロックＥ３について説明する。図７はこの単位ブロックＥ３の平面図である。単位ブロックＥ３には、前後の中央部において左右に伸びるウエハＷの搬送路（搬送領域）３０が形成されている。搬送路３０全体にダウンフローが形成されるようにフィルタ３７が設けられており、当該フィルタ３７は当該搬送路３０を形成する単位ブロックＥ３の天井部に配置されている。搬送路３０の前方には当該搬送路３０に面するように、レジスト塗布モジュール４Ａ、保護膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｂが、左側、右側に夫々設けられている。従ってこれらのレジスト塗布モジュール４Ａ、薬液塗布モジュール４Ｂは、左右に並んでもうけられている

レジスト塗布モジュール４Ａは、当該レジスト塗布モジュール４Ａを搬送路３０及び他のモジュールに対して区画する区画壁４１を備え、後述のカップ４３内にウエハＷを搬送できるように、区画壁４１には搬送路３０に面してウエハＷの搬送口４２（図７では非表示）が設けられている。レジスト塗布モジュール４Ａは、ウエハＷを各々収納すると共に左右に並ぶ３つのカップ４３を備えており、カップ４３内にはウエハＷの裏面を吸着保持して回転させるスピンチャック４４が設けられている。カップ４３は付帯設備である上記の排気用ダクトを介して、工場の排気路などの排気源に接続されており、当該カップ４３の内部が排気される。即ち、レジスト塗布モジュール４Ａは、カップ４３によって排気される。また、カップ４３には付帯設備である上記の排液管が接続される。そしてレジスト塗布モジュール４Ａには、３つのカップ４３に共用され、ウエハＷの表面にレジストを吐出するノズル４５が設けられる。ノズル移動機構４６によりノズル４５は、各カップ４３のウエハＷ上と、例えば当該カップ４３間に設けられる図示しない待機領域との間を移動する。

また、３つのカップ４３に重なるようにフィルタ４７が設けられており、当該フィルタ４７は当該カップ４３に向けてダウンフローを形成できるように単位ブロックＥ３の天井部に配置されている。また、レジスト塗布モジュール４Ａは単位ブロックＥ３を左側に設けられるため、上記したようにその付帯設備は、付帯設備設置部３５に設けられる。

保護膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｂは、ノズル４５からレジストの代わりに保護膜形成用の薬液が吐出されること、付帯設備が付帯設備設置部３６に設けられることを除いて、レジスト塗布モジュール４Ａと同様に構成されている。なお、レジスト塗布モジュール４Ａのカップ４３、薬液塗布モジュール４Ｂのカップ４３は、図５で説明したベース体９１、ベース体９２に夫々設けられる。

搬送路３０の後方には、当該搬送路３０に面するように上下２段に処理モジュールが積層されて設けられおり、この処理モジュールの積層体は８つ左右に並べて配置されて、処理モジュール群を形成している。この処理モジュール群を構成するモジュールとしては例えば、複数の加熱モジュール５１、複数の加熱モジュール５２及び検査モジュール５３が含まれる。加熱モジュール５１、５２は熱板を備えており、当該熱板に載置されたウエハＷを加熱して塗布膜中の溶剤を除去する。加熱モジュール５１は、レジスト膜形成後で保護膜形成前のウエハＷの加熱、加熱モジュール５２は保護膜形成後のウエハＷの加熱を行う。検査モジュール５３は、加熱モジュール５１にて加熱後のウエハＷのレジスト膜を検査するためにウエハＷを撮像する。

単位ブロックＥ３には搬送機構Ｆ３が設けられている。この搬送機構Ｆ３は、搬送路３０に前後から面する各モジュール、タワーＴ１の単位ブロックＥ３の高さのモジュール、インターフェイスブロックＤ４に設けられる後述のタワーＴ２の単位ブロックＥ３の高さのモジュールに各々ウエハＷを受け渡す。搬送機構Ｆ３はウエハＷを各々保持する２つの保持体６１、各保持体６１を独立して進退させる移動体６２、移動体６２を鉛直軸回りに回動させる回動部６３、回動部６３を昇降させる昇降部６４、及び昇降部６４を左右に移動させる駆動軸を備える移動機構６５を含んでいる。

保持体６１、移動体６２、回動部６３及び昇降部６４が搬送路３０に設けられ、移動機構６５は、搬送路３０の後方側の処理モジュール群の下方に設けられている。この処理モジュール群に形成されるウエハＷの搬送口（不図示）と移動機構６５が設けられる領域とから、搬送路３０が排気される。つまり、搬送路３０は後方から排気されるように構成されている。なお、既述したキャリアブロックＤ１の搬送機構１７については移動機構６５による移動方向が異なることを除いてこの搬送機構Ｆ３と同様の構成であり、検査ブロックＤ２の搬送機構２２、２５については移動機構６５が設けられないことを除いて、搬送機構Ｆ３と同様の構成である。

単位ブロックＥ４は単位ブロックＥ３と同様の構成であり、搬送機構Ｆ３に相当する搬送機構をＦ４とする。
続いて、単位ブロックＥ１、Ｅ２について、単位ブロックＥ３、Ｅ４との差異点を中心に説明する。上記の図１は単位ブロックＥ１の平面を示しており、縦断正面を示す図２、図３及び縦断側面を示す図６の他に、当該図１も参照する。単位ブロックＥ１、Ｅ２の左側は各々同様に構成されており、単位ブロックＥ１、Ｅ２の搬送路３０の前方には、レジスト塗布モジュール４Ａの代わりに反射防止膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｃが搬送路３０に面して各々設けられている。薬液塗布モジュール４Ｃは、ノズル４５からレジストの代わりに反射防止膜形成用の薬液が吐出されることを除いて、レジスト塗布モジュール４Ａと同様に構成されている。

また、単位ブロックＥ１、Ｅ２では、単位ブロックＥ３と同様に上下２段の処理モジュールの積層体が左右に配列されて、搬送路３０の後方側に処理モジュール群が形成されている。ただし、単位ブロックＥ１、Ｅ２の各々にこの処理モジュールの積層体は５つのみ設けられており、単位ブロックＥ１、Ｅ２の左側寄りに配置されている。この処理モジュール群には、例えば複数の疎水化処理モジュール５４、複数の加熱モジュール５５、検査モジュール５６が含まれている。疎水化処理モジュール５４は、ウエハＷを載置して加熱する熱板と、熱板で加熱されるウエハＷの表面に疎水化処理用のガスを供給するガス供給部とを備える。加熱モジュール５５は加熱モジュール５１、５２と同様の構成であり、反射防止膜形成後のウエハＷを加熱して膜中の溶剤を除去する。検査モジュール５６は反射防止膜形成後のウエハＷを検査するために撮像する。

単位ブロックＥ１、Ｅ２の左側には、夫々搬送機構Ｆ３に相当する搬送機構Ｆ１、Ｆ２が設けられている。搬送機構Ｆ１は、単位ブロックＥ１における搬送路３０の後方側の処理モジュール群、単位ブロックＥ１における薬液塗布モジュール４Ｃ、タワーＴ１において単位ブロックＥ１の高さのモジュールに各々アクセスして、それらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。搬送機構Ｆ２については、アクセスするモジュールが単位ブロックＥ２内のモジュール及びタワーＴ１で単位ブロックＥ２の高さのモジュールになることを除いて、搬送機構Ｆ１と同様にウエハＷの受け渡しを行う。

単位ブロックＥ１、Ｅ２間で搬送路３０は互いに連通している。つまり、単位ブロックＥ１の右側においては搬送路３０を区画するための天井部が設けられていない。以降は、このように単位ブロックＥ１、Ｅ２の右側で上下に連通した搬送路（搬送領域）を共通搬送路６６と称し、単位ブロックＥ１、Ｅ２の左側における単位ブロック間で分離された搬送路３０とは区別して記載する。そのように単位ブロックＥ１には搬送路３０を区画する天井が無い構成であるため、共通搬送路６６には第２の単位ブロックＥ２のフィルタ３７によってダウンフローが形成される。上記の搬送機構Ｆ１、Ｆ２は搬送路３０及び共通搬送路６６のうち搬送路３０のみを移動して、ウエハＷの受け渡しを行う。

単位ブロックＥ１、Ｅ２の右側には洗浄モジュールとして、ウエハＷの裏面を洗浄する裏面洗浄モジュール４Ｄが設けられており、この裏面洗浄モジュール４Ｄは共通搬送路６６に面して、当該共通搬送路６６の前方及び後方に設けられている。従って、単位ブロックＥ１、Ｅ２の前方側においては、裏面洗浄モジュール４Ｄ及び薬液塗布モジュール４Ｃが左右に並んで設けられている。裏面洗浄モジュール４Ｄは、レジスト塗布モジュール４Ａと略同様の構成を有しており、レジスト塗布モジュール４Ａとの差異点を中心に説明すると、裏面洗浄モジュール４Ｄのカップ４３については左右に２つ並んで設けられている。レジスト塗布モジュール４Ａと同様に、単位ブロックの天井部のフィルタ３７からこれらのカップ４３に向かうダウンフローが形成される。

各カップ４３内にはスピンチャック４４の他に、回転するウエハＷの裏面に洗浄液を吐出する不図示のノズルが設けられている。レジスト塗布モジュール４Ａと異なり、裏面洗浄モジュール４Ｄには、ウエハＷの表面に塗布液を供給するノズル４５及び当該ノズル４５に対応するノズル移動機構４８が設けられていない。ノズル４５が設けられないため、当該ノズル４５の待機領域も設けられないので、裏面洗浄モジュール４Ｄのカップ４３間の距離は、上記したレジスト塗布モジュール４Ａ及び薬液塗布モジュール４Ｂ、４Ｃにおけるカップ４３間の距離よりも小さい。ところで裏面洗浄モジュール４Ｄについては、ウエハＷの表裏を反転させないままで処理を行うことができる構成とされている。詳しく述べると、裏面が下方を向いた状態でウエハＷは裏面洗浄モジュール４Ｄに搬送され、その裏面が保持部に保持される。また、裏面洗浄モジュール４Ｄのカップ内４３にはブラシが設けられている。保持部に保持されたウエハＷの裏面に対して、上記のカップ４３内のノズルからの洗浄液の供給と、上記のブラシの摺動と、が行われ、ウエハＷの裏面が洗浄される。なお、上記のウエハＷの裏面を保持する保持部は、スピンチャック４４及び当該スピンチャック４４とはウエハＷの裏面の異なる部位を保持する図示しない保持機構であり、ウエハＷの裏面全体が洗浄可能なように、順番に保持を行う。

ところで裏面洗浄モジュール４Ｄを構成する２つのカップ４３は、既述のベース体９２上に設けられ、当該ベース体９２は各カップ４３に共通である。従って、カップ４３内のスピンチャック４４、当該スピンチャック４４を回転させる回転機構、ウエハＷの裏面に洗浄液を吐出するノズルについてもベース体９２上に設けられる。このように共通のベース体９２に複数のカップ４３が設けられる構成によって、各スピンチャック４４の水平度の調整などのメンテナンス時の手間の軽減を図ることができる。また、例えば上記の回転機構やノズルを移動させる移動機構に電力を供給する電力供給系の一部はカップ４３間で共通化され、ベース体９２に設けられる。このようにベース体９２にカップ４３を複数設ける構成によって、各カップ４３で処理を行うにあたり必要な部品を共通化し、当該裏面洗浄モジュール４Ｄひいては塗布、現像装置１の製造コストの低下を図ることができる。

共通搬送路６６の後方側の裏面洗浄モジュール４Ｄについての付帯設備である電力供給ケーブル、排気用ダクト、排液管、処理液供給管の各々は、カップ４３の並びの外側のスペースを引き回される。それに対して、共通搬送路６６の前方側の裏面洗浄モジュール４Ｄについての電力供給ケーブル、排気用ダクト、排液管、処理液供給管の各々は、上記した付帯設備設置部３６を引き回される。

単位ブロックＥ１、Ｅ２の各々において、搬送路３０の前方で反射防止膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｃと裏面洗浄モジュール４Ｄとの間には、処理液供給機器の設置部３９が設けられている。この処理液供給機器としては、レジスト塗布モジュール４Ａ、薬液塗布モジュール４Ｂ、薬液塗布モジュール４Ｃ、裏面洗浄モジュール４Ｄ、後述の現像モジュール、露光後洗浄モジュールに各々処理液を供給するポンプやバルブが含まれる。つまり、上記した検査ブロックＤ２の液貯留領域２６に貯留される各処理液が、この設置部３９のポンプにより当該設置部３９を経由して各液処理モジュールに供給される

単位ブロックＥ１、Ｅ２には、単位ブロックＥ１、Ｅ２で共通の搬送機構Ｆ７が設けられている。単位ブロックＥ１、Ｅ２の各裏面洗浄モジュール４Ｄ及びインターフェイスブロックＤ４のタワーＴ２で単位ブロックＥ１、Ｅ２の各高さに位置するモジュールにアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。即ち、搬送機構Ｆ７は、搬送路３０及び共通搬送路６６のうち、共通搬送路６６のみを移動してウエハＷを受け渡す。

搬送機構Ｆ７は搬送機構Ｆ１～Ｆ４と略同様に構成されており、差異点としては各高さの裏面洗浄モジュール４Ｄにアクセスできるように、搬送機構Ｆ７の保持体６１の昇降可能な長さは、搬送機構Ｆ１～Ｆ４の保持体６１の昇降可能な長さよりも大きいことが挙げられる。また、搬送機構Ｆ７における移動機構６５は、図６に示すように共通搬送路６６の底部に設けられている。

裏面洗浄モジュール４Ｄについては、周囲への液の飛散を抑えるためにカップ４３を十分な高さとすること、及びスピンチャック４４の下方に回転機構を設けることから、モジュールの高さが、搬送路３０の後方で処理モジュール群を構成する各モジュールよりも大きい。一方、カップ４３の上方からウエハＷを搬送するため、裏面洗浄モジュール４Ｄに対しては比較的高い位置から搬送機構Ｆ７がアクセスする。つまり、上記のように搬送機構Ｆ７の移動機構６５を共通搬送路６６の底部に設けても、単位ブロックＥ１の裏面洗浄モジュール４Ｄへのアクセスが妨げられることは無い。そして、塗布、現像装置１が設置されるクリーンルームの高さが比較的小さく、単位ブロックＥの高さを比較的小さくすることが必要な場合が有る。従って、共通搬送路６６に移動機構６５を設けることで、裏面洗浄モジュール４Ｄに重ねて移動機構６５を設けていない上記の構成は、単位ブロックＥ１において共通搬送路６６の後方側における裏面洗浄モジュール４Ｄの設置を可能にし、当該裏面洗浄モジュール４Ｄの設置数を増加させている。

続いて、単位ブロックＥ５について図８の平面図を参照しながら、単位ブロックＥ３との差異点を中心に説明する。搬送路３０の後方側のモジュール群には、例えば加熱モジュールと、検査モジュール５９と、が含まれる。この加熱モジュールとしては露光後のウエハＷの加熱（いわゆるPEB：post exposure bake）を行う複数の加熱モジュール５７、及び現像後にウエハＷの加熱を行う複数の加熱モジュール５８が含まれ、各々加熱モジュール５１と同様に構成されている。検査モジュール５９は、現像後の加熱モジュールで処理されたウエハＷを検査するために撮像するモジュールである。また、単位ブロックＥ５において、単位ブロックＥ３の搬送機構Ｆ３に相当する搬送機構をＦ５とする。

単位ブロックＥ５には搬送路３０の前方側において、レジスト塗布モジュール４Ａ及び薬液塗布モジュール４Ｂの代わりに、第１の現像モジュール４Ｅ及び第２の現像モジュール４Ｆが設けられている。第１の現像モジュール４Ｅはポジ型レジスト現像用の現像液をウエハＷに供給し、第２の現像モジュール４Ｆはネガ型レジスト現像用の現像液をウエハＷに供給する。ウエハＷは、成膜されたレジスト膜の種類に応じて、第１の現像モジュール４Ｅ及び第２の現像モジュール４Ｆのうちのいずれかで処理を受ける。この例では、第１の現像モジュール４Ｅが５個左右に並んで単位ブロックＥ５の左側寄りに配置され、第２の現像モジュール４Ｆが３個左右に並んで単位ブロックＥ５の右側寄りに配置されている。従って、現像モジュールとしては８個設けられている。左側４つの現像モジュールはベース体９１上に、右側４つの現像モジュールはベース体９２上に設けられている。

第１の現像モジュール４Ｅは、レジスト塗布モジュール４Ａと同様にカップ４３及びスピンチャック４４を備えるが、当該カップ４３及びスピンチャック４４は１つのみ設けられている。ウエハＷの表面に現像液を供給するノズルについては前方側の待機領域からカップ上に移動して、ウエハＷに処理を行うが、当該ノズルの図示は省略している。上記した現像液の種類を除いて、第２の現像モジュール４Ｆは、第１の現像モジュール４Ｅと同様に構成されている。左側４つの現像モジュールのカップ４３間の距離、右側４つの現像モジュールのカップ４３間の距離は、既述した各液処理モジュールのカップ４３間の距離よりも短く、単位ブロックＥ１～Ｅ４に比べて、単位ブロックＥ５にはより多くのカップ４３が配置されている。

図８では、現像モジュール（第１の現像モジュール４Ｅ及び第２の現像モジュール４Ｆ）の付帯設備についても概略的に示している。その付帯設備について、現像モジュールのカップ４３に接続される排気路形成部材である排気用ダクトを７１として示しており、また、現像モジュールに接続される電力供給用のケーブルを７２、現像モジュールに接続される現像液の供給管を７３として示している。

８つの現像モジュールのうち左端側の３つの第１の現像モジュール４Ｅにおいて、排気用ダクト７１、電力供給用ケーブル７２、現像液供給管７３の各々は共通化されている。より具体的に述べると、排気用ダクト７１について、上流端はこれら３つのモジュールに接続されるようにモジュール毎に設けられるが、その下流側は合流して３つのモジュールで共通化されており、その共通化された部分は単位ブロックＥ５から付帯設備設置部３５へと引き出され、装置の下方へと向かう。電力供給用ケーブル７２、現像液供給管７３についても各々排気用ダクト７１と同様にモジュール毎に形成された上流側は合流して共通化されており、その共通化された部分が付帯設備設置部３５へと引き出されて装置の下方へ向かう。

また、８つの現像モジュールのうち右端側の３つの第２の現像モジュール４Ｆにおける排気用ダクト７１、電力供給用ケーブル７２、現像液供給管７３の各々は、上記した左端側の現像モジュールについてのものと同様の構成である。即ち、これらの付帯設備の各々は、３つの現像モジュール間で共通化されており、その共通化された部分が単位ブロックＥ５から付帯設備設置部３６へと引き出されて、装置の下方へと向かう。

そして、８つの現像モジュールのうち中央部の２つの第１の現像モジュール４Ｅにおける第１の排気用ダクト７１、電力供給用ケーブル７２、現像液供給管７３の各々は共通化されている。その共通化された部分は、図５で説明した既述したベース体９１、９２間の隙間９３を通過し、さらに下層の単位ブロックＥのベース体９１、９２間の隙間９３を介して装置の下方へ向けて引き出される。なお付帯設備として、各現像モジュールのカップ４３に接続される排液管については図示を省略したが、以上に述べた排気用ダクト７１等と同様に単位ブロックＥ５で分割されて引き回されている。

このように単位ブロックＥ５においては、左側３つの現像モジュールの付帯設備、中央部の２つの現像モジュールの付帯設備、右側３つの現像モジュールの付帯設備として、付帯設備が３分割されている。従って、左側、中央部、右側の各々の現像モジュールを互いに分割された排気ダクトにより排気するが、それにより、排気ダクトに接続される排気源からの各現像モジュールまでの距離のばらつきを抑えることができる。従って、各現像モジュールのカップ４３を均一性高く排気することができるので、特定のカップ４３が排気源から遠くなることによる排気性能の不足を防ぐことができると共に、各現像モジュールにおける処理の均一性を高くすることができる。

また、上記のように排気ダクトを３分割することに合わせて、電力供給用ケーブル７２、現像液供給管７３及び排液管も３分割しているため、いずれかの現像モジュールに異常が生じた場合、付帯設備を共用している現像モジュールのみ動作を停止して、メンテナンスを行えばよい。つまり、付帯設備を共用していない現像モジュールについてはメンテナンスのために処理を停止させる必要が無く、処理を続行できるために、スループットの低下を抑制することができるので有利である。

単位ブロックＥ６は単位ブロックＥ５と同様に構成されており、この単位ブロックＥ６において単位ブロックＥ３の搬送機構Ｆ３に相当する搬送機構をＦ６とする。単位ブロックＥ６の上側、即ち処理ブロックＤ３の上側には、ＦＦＵ７４（図６参照）が設けられている。このＦＦＵ７４によって吸引された空気が図示しないダクトを介して、単位ブロックＥ１～Ｅ６の搬送路３０及び単位ブロックＥ１、Ｅ２の共通搬送路６６上に設けられるフィルタ３７及び各液処理モジュール上のフィルタ４７に供給され、ダウンフローを形成する。当該ＦＦＵ７４及び各単位ブロックＥのカップ４３は、給排気部を構成する。

ところで、各単位ブロックＥ内において、搬送路３０の後方側及び液処理モジュールのカップ４３からの排気と、各フィルタ３７、４７からの空気の供給とにより圧力分布が形成される。この圧力分布について、図９、図１０の概略平面図を参照して説明する。図９は単位ブロックＥ１を含むブロックＤ１～Ｄ４を、図１０は単位ブロックＥ３を夫々示しており、これらの図では圧力分布によって形成される気流の向きを矢印で表している。

単位ブロックＥ１、Ｅ２においては、上記のように各部にて空気の供給と排気とが行われることで、搬送路３０及び共通搬送路６６の圧力が、反射防止膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｃの圧力よりも低く、且つ裏面洗浄モジュール４Ｄの圧力よりも高くなるように制御されている。このように各部の圧力が制御される理由を述べる。塗布膜を形成する薬液塗布モジュール４Ｃにおいては、塗布膜中にパーティクルが混入して欠陥となることを防ぐために、より高い清浄度とすることが好ましい。そこで搬送路３０及び共通搬送路６６から薬液塗布モジュール４Ｃへのパーティクルの流入を防ぐために、薬液塗布モジュール４Ｃから搬送路３０へ向かう空気の流れを形成する。その一方で、裏面洗浄モジュール４Ｄについては成膜を行うものではないので、薬液塗布モジュール４Ｃに比べて搬送路３０及び共通搬送路６６から流れ込んだパーティクルにより、当該処理が異常になるリスクが低い。そこでウエハＷの洗浄時に発生するミストが共通搬送路６６及び搬送路３０に流れてウエハＷに付着してしまうことがより確実に防止されるように、共通搬送路６６から裏面洗浄モジュール４Ｄへ向かう空気の流れを形成する。これらの空気の流れを形成するために、上記のように搬送路３０及び共通搬送路６６、薬液塗布モジュール４Ｃ、裏面洗浄モジュール４Ｄ間で、上記のような圧力分布が形成されている。

その一方、単位ブロックＥ３、Ｅ４においては、上記した塗布膜中へのパーティクルの混入を防止する目的で搬送路３０の圧力は、レジスト塗布モジュール４Ａ、薬液塗布モジュール４Ｂの圧力よりも高くなるように制御されている。即ち、図１０に示すように、レジスト塗布モジュール４Ａ及び薬液塗布モジュール４Ｂから搬送路３０へと空気が流れる。単位ブロックＥ５、Ｅ６についても第１の現像モジュール４Ｅ、第２の現像モジュール４Ｆの圧力よりも搬送路３０の圧力の方が小さくなるように制御され、現像時にウエハＷにパーティクルが付着することが抑制される。なお図９、図１０に示すように、各単位ブロックＥの搬送路３０及び共通搬送路６６に供給される空気は、搬送路３０の後方から排気されたり裏面洗浄モジュール４Ｄのカップ４３から排気されたりする他に、検査ブロックＤ２及びインターフェイスブロックＤ４に流入することによっても除去される。

単位ブロックＥ１、Ｅ２は第１の単位ブロックである。そして、単位ブロックＥ３～Ｅ６は第２の単位ブロックであり、単位ブロックＥ３、Ｅ４は往路用の単位ブロック、単位ブロックＥ５、Ｅ６は復路用の単位ブロックである。単位ブロックＥ１、Ｅ２の搬送路３０及び共通搬送路６６は、第１の基板搬送領域であり、単位ブロックＥ３、Ｅ４の搬送路３０は第２の基板搬送領域である。搬送機構Ｆ１、Ｆ２は第１の搬送機構、搬送機構Ｆ７は第２の搬送機構、搬送機構Ｆ３～Ｆ６は第３の搬送機構である。そして、反射防止膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｃは第１の処理モジュール、裏面洗浄モジュール４Ｄは第２の処理モジュール、レジスト塗布モジュール４Ａ及び保護膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｂは第３の処理モジュールである。第１の現像モジュール４Ｅ及び第２の現像モジュール４Ｆは、第４の処理モジュールである。

続いてインターフェイスブロックＤ４について平面を示す図１及び縦断正面を示す図２、図３の他に、縦断側面図である図１１も参照して説明する。インターフェイスブロックＤ４は、方形の筐体８１を備えている。筐体８１内で前後の中央部で処理ブロックＤ３寄りの位置には、タワーＴ２が設けられており、このタワーＴ２は筐体８１内に進入する、既述した付帯設備設置部３６の後方に位置している。タワーＴ２は、多数の受け渡しモジュールＴＲＳと多数の温度調整モジュールＳＣＰＬとが積層されて構成されており、これらのモジュールが他方側載置部を構成する。また、タワーＴ２の下部側には、露光機Ｄ５に搬入前のウエハＷの温度を調整する温度調整モジュールが設けられており、当該温度調整モジュールをＩＣＰＬとする。なお図１１ではタワーＴ２について、図示の便宜上、本来の位置を鎖線で示すと共に、インターフェイスブロックＤ４の外側にて、含まれる各モジュールが明らかになるように実線で表示している。

インターフェイスブロックＤ４の上部側において、付帯設備設置部３６の右側には、露光後処理モジュールである露光後洗浄モジュール８０が、例えば縦方向に４つ並んで設けられている。露光後洗浄モジュール８０は平面視長方形状に構成され、インターフェイスブロックＤ４の左右の長さを抑えるために長辺が前後に沿うように配置されている。この露光後洗浄モジュール８０は、現像液の代わりに、保護膜を除去すると共にウエハＷの表面を洗浄するための洗浄液をウエハＷの表面に供給することを除き、現像モジュールと同様に構成されている。

そして、タワーＴ２に対して後方且つ右側には、縦長のバッファモジュール８２が設けられており、インターフェイスブロックＤ４の上部側に位置している。従って、バッファモジュール８２は、タワーＴ２に含まれるＴＲＳ及びＳＣＰＬの列から外れた位置に設けられている。滞留モジュールであるバッファモジュール８２は、裏面洗浄モジュール４Ｄで処理前のウエハＷを載置できるように構成されており、受け渡しモジュールＴＲＳよりも多くの枚数のウエハＷを載置して、滞留させることができるように構成されている。

そして、インターフェイスブロックＤ４は、他方側搬送機構を構成する搬送機構８７、８８、８９を備えている。搬送機構８７、８８は移動機構６５が設けられないことを除いて、搬送機構Ｆ１～Ｆ７と同様の構成要素を備えている。第２の他方側搬送機構であると共に一の搬送機構である搬送機構８７は、タワーＴ２の後方に位置している。従って、搬送機構８７と付帯設備設置部３６とにより、タワーＴ２は前後に挟まれている。搬送機構８７は、タワーＴ２の各高さの受け渡しモジュールＴＲＳ及び温度調整モジュールＳＣＰＬと、温度調整モジュールＩＣＰＬと、バッファモジュール８２とにアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。

そして、第１の他方側搬送機構である搬送機構８８はタワーＴ２の右側に設けられており、バッファモジュール８２、タワーＴ２の上部側の各受け渡しモジュールＴＲＳ及び温度調整モジュールＳＣＰＬにアクセスして、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。つまり搬送機構８８がインターフェイスブロックＤ４の上部側でウエハＷを受け渡すのに対して、搬送機構８７は、インターフェイスブロックＤ４の上部側と下部側との間でウエハＷを受け渡す搬送機構である。そのために搬送機構８７の保持体６１は、搬送機構８８の保持体６１に比べて長い距離を昇降可能に構成されている。つまり、搬送機構８７によるウエハＷの搬送領域は、搬送機構８８によるウエハＷの搬送領域に比べて縦方向に長い。バッファモジュール８２、搬送機構８８及び露光後洗浄モジュール８０は、上面視、前後に列をなすように配置されている。

搬送機構８９は露光後洗浄モジュール８０の下方領域に設けられ、当該搬送機構８９を構成する移動機構６５は保持体６１等の各構成要素を前後方向に移動させることができるように設けられている。搬送機構８９は、タワーＴ２の下部側に設けられる受け渡しモジュールＴＲＳ及び温度調整モジュールＩＣＰＬにアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。

タワーＴ２に設けられる受け渡しモジュールＴＲＳ及び温度調整モジュールＳＣＰＬについて補足する。ＴＲＳについて、単位ブロックＥ１～Ｅ６の高さに位置し、これらの単位ブロックＥ１～Ｅ６に対する受け渡しに用いられるものをＴＲＳ３１～ＴＲＳ３６としている。また、ＴＲＳ３３、ＴＲＳ３４の他に単位ブロックＥ３、Ｅ４の高さに夫々位置して、これらの単位ブロックＥ３、Ｅ４に対する受け渡しに用いられるものをＴＲＳ４３、ＴＲＳ４４として夫々示している。その他に、タワーＴ２の下部側には搬送機構８７と搬送機構８９との間でウエハＷを受け渡すためのＴＲＳ３７、タワーＴ２の上部側には搬送機構８７と搬送機構８８との間でウエハＷを受け渡すためのＴＲＳ３８とが設けられている。タワーＴ２の温度調整モジュールＳＣＰＬとしては、単位ブロックＥ３～Ｅ６の高さに設けられ、ＳＣＰＬ３３～ＳＣＰＬ３６として示している。

インターフェイスブロックＤ４の上部に設けられるＦＦＵ８６は、各露光後洗浄モジュール８０のカップ４３の上側に設けられるフィルタ８５（図３参照）に空気を供給し、ダウンフローを形成する。また、インターフェイスブロックＤ４には、フィルタ８５以外にもＦＦＵ８６から供給された空気によって筐体８１内のウエハＷの搬送領域にダウンフローを形成するフィルタが設けられるが、当該フィルタの表示は省略している。

また、塗布、現像装置１は、制御部１０を備えている（図１参照）。この制御部１０はコンピュータにより構成されており、プログラム、メモリ、ＣＰＵを備えている。プログラムには、塗布、現像装置１における一連の動作を実施することができるようにステップ群が組み込まれている。そして、当該プログラムによって制御部１０は塗布、現像装置１の各部に制御信号を出力し、当該各部の動作が制御される。それにより、後述のウエハＷの搬送及びウエハＷの処理が行われる。上記のプログラムは、例えばコンパクトディスク、ハードディスク、ＤＶＤなどの記憶媒体に格納されて、制御部１０にインストールされる。

続いて図１２～図１４を参照して、塗布、現像装置１におけるウエハＷの搬送経路について説明する。図１２の表図ではモジュールと、当該モジュールへの搬入、搬出に用いられる搬送機構と、の対応を示している。より詳しく述べると、ウエハＷが搬送される順にモジュールを表の横方向に並べて記載すると共に各搬送機構を縦方向に記載し、モジュールへの搬入及び搬出に用いられる搬送機構に対応する表中のマス目に斜線を付している。なお表中、ＴＲＳについてはＴ、ＳＣＰＬについてはＳ、ＩＣＰＬについてはＩとして表中に示しており、キャリアＣについてもモジュールとして示している。また、表中では各モジュールがブロックＤ１～Ｄ５のうちいずれに属するかも示しているが、図示の便宜上、検査ブロックＤ２及びインターフェイスブロックＤ４の温度調整モジュールＳＣＰＬ及び受け渡しモジュールＴＲＳの一部については、処理ブロックＤ３に設けられるように示している。そして、図１３、図１４は搬送経路の概略を矢印で示すものであり、ウエハＷが通過するモジュールについては一部省略している。図１３はキャリアＣから露光機Ｄ５に至るまでのウエハＷの経路を示し、図１４は露光機Ｄ５からキャリアＣに至るまでのウエハＷの経路を示している。

キャリアブロックＤ１の搬送機構１７によってキャリアＣからウエハＷが、検査ブロックＤ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４１に搬送され、搬送機構２２により処理前検査モジュール２３に搬送されて検査された後、搬送機構２２によりタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１７に搬送される。この受け渡しモジュールＴＲＳ１７に搬送されたウエハＷは、搬送機構２５によってタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１１、ＴＲＳ１２に振り分けられる。

受け渡しモジュールＴＲＳ１１に搬送されたウエハＷは、搬送機構Ｆ１により単位ブロックＥ１に搬入される。そして当該ウエハＷは、疎水化処理モジュール５４、タワーＴ１の温度調整モジュールＳＣＰＬ１１、薬液塗布モジュール４Ｃ、加熱モジュール５５、検査モジュール５６の順に搬送され、疎水化処理、温度調整処理、反射防止膜の形成処理、加熱処理、検査を順次受ける。そして、このウエハＷは搬送機構Ｆ１によりタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ２１に搬送されて、単位ブロックＥ１から搬出される。一方、受け渡しモジュールＴＲＳ１２に搬送されたウエハＷは、搬送機構Ｆ２により単位ブロックＥ２に搬入される。そして、単位ブロックＥ１に搬入されたウエハＷと同様に処理された後、タワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ２２に搬送されることで、単位ブロックＥ２から搬出される。

そのように受け渡しモジュールＴＲＳ１２、ＴＲＳ２２に搬送されたウエハＷは、搬送機構２５によりタワーＴ１の温度調整モジュールＳＣＰＬ１３、ＳＣＰＬ１４に振り分けられる。温度調整モジュールＳＣＰＬ１３に搬送されたウエハＷは、搬送機構Ｆ３により単位ブロックＥ３に搬入される。そして当該ウエハＷは、レジスト塗布モジュール４Ａ、加熱モジュール５１、検査モジュール５３、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３３、温度調整モジュールＳＣＰＬ３３、保護膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｂ、加熱モジュール５２の順に搬送される。それにより、ウエハＷは、温度調整処理、レジスト膜の形成処理、加熱処理、検査、温度調整処理、加熱処理を順次受ける。そして、当該ウエハＷは搬送機構Ｆ３によりタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４３に搬送されることで、単位ブロックＥ３からインターフェイスブロックＤ４へ搬入される。

温度調整モジュールＳＣＰＬ１４に搬送されたウエハＷは、搬送機構Ｆ４により単位ブロックＥ４に搬入され、単位ブロックＥ３に搬入されたウエハＷと同様に処理された後、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ４４に搬送される。つまり、当該ウエハＷは、単位ブロックＥ４からインターフェイスブロックＤ４へ搬送される。

受け渡しモジュールＴＲＳ４３、ＴＲＳ４４のウエハＷは、インターフェイスブロックＤ４の前後の中央の搬送機構８８により、バッファモジュール８２に搬送された後、インターフェイスブロックＤ４の後方側の搬送機構８７により、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３１に搬送される。そして、この受け渡しモジュールＴＲＳ３１のウエハＷは、搬送機構Ｆ７により再度単位ブロックＥ１、Ｅ２に搬入され、裏面洗浄モジュール４Ｄに搬送される。そしてウエハＷは裏面洗浄モジュール４Ｄにて裏面洗浄された後、搬送機構Ｆ７により、タワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３２に搬送されることによって、インターフェイスブロックＤ４に戻される。このウエハＷは、搬送機構８７により温度調整モジュールＩＣＰＬに搬送されて温度調整された後、搬送機構８９により露光機Ｄ５に搬送されて、表面のレジスト膜が露光される。

露光されたウエハＷは、搬送機構８９によりタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３７に搬送され、搬送機構８７によりタワーＴ２の受け渡しモジュールＴＲＳ３８に搬送された後、搬送機構８８により露光後洗浄モジュール８０に搬送され、洗浄処理される。その後、当該ウエハＷは搬送機構８８により、受け渡しモジュールＴＲＳ３５、ＴＲＳ３６に振り分けられる。

受け渡しモジュールＴＲＳ３５に搬送されたウエハＷは、搬送機構Ｆ５により単位ブロックＥ５に搬入される。そして当該ウエハＷは、加熱モジュール５７、タワーＴ２の温度調整モジュールＳＣＰＬ３５、第１の現像モジュール４Ｅまたは第２の現像モジュール４Ｆ、加熱モジュール５８、検査モジュールの順に搬送される。それにより、ウエハＷは加熱処理、温度調整処理、現像処理、加熱処理、検査を順次受けた後、搬送機構Ｆ５によりタワーＴ１の温度調整モジュールＳＣＰＬ１５に搬送され、単位ブロックＥ５から検査ブロックＤ２へ搬出される。

受け渡しモジュールＴＲＳ３６に搬送されたウエハＷは、搬送機構Ｆ６により単位ブロックＥ６に搬入される。そして、当該ウエハＷは単位ブロックＥ５に搬入されたウエハＷと同様に処理された後、タワーＴ１の温度調整モジュールＳＣＰＬ１６に搬送される。つまり、単位ブロックＥ６から検査ブロックＤ２へ搬出される。そのように温度調整モジュールＳＣＰＬ１５、ＳＣＰＬ１６に搬送されたウエハＷは、搬送機構２５によりタワーＴ１の受け渡しモジュールＴＲＳ１８に搬送された後、搬送機構２２により処理後検査モジュール２４に搬送されて検査される。検査後のウエハＷは、搬送機構２２により受け渡しモジュールＴＲＳ４２に搬送され、搬送機構１７によりキャリアＣに戻される。なお、単位ブロックＥ２、Ｅ４、Ｅ６におけるウエハＷの搬送経路については簡単に説明したが、単位ブロックＥ１、Ｅ３、Ｅ５と同じモジュールを通過するように搬送される。ただし、受け渡しモジュールＴＲＳ、温度調整モジュールＳＣＰＬについては、各単位ブロックの高さに配置されたモジュールが用いられる。

上記のように塗布、現像装置１において、単位ブロックＥ１、Ｅ２の左側には薬液塗布モジュール４Ｃと、当該薬液塗布モジュール４ＣとウエハＷを昇降搬送可能な検査ブロックＤ２との間でウエハＷを受け渡す搬送機構Ｆ１、Ｆ２と、が設けられている。一方、単位ブロックＥ１、Ｅ２の右側には裏面洗浄モジュール４Ｄと、当該裏面洗浄モジュール４ＤとウエハＷを昇降搬送可能なインターフェイスブロックＤ４との間でウエハＷを受け渡す搬送機構Ｆ７と、が設けられている。単位ブロックＥ１、Ｅ２には、搬送機構Ｆ３、Ｆ４を備えた単位ブロックＥ３、Ｅ４が積層されている。そして、ウエハＷを薬液塗布モジュール４Ｃ、裏面洗浄モジュール４Ｄで順に処理した後に露光機Ｄ５に搬送するにあたり、薬液塗布モジュール４Ｃで処理後のウエハＷは、単位ブロックＥ１、Ｅ２から一旦、検査ブロックＤ２に搬出される。その後に当該ウエハＷは、単位ブロックＥ３、Ｅ４、インターフェイスブロックＤ４を順に経由して裏面洗浄モジュール４Ｄに搬送され、裏面洗浄後はインターフェイスブロックＤ４に戻される。このような構成により、薬液塗布モジュール４Ｃと検査ブロックＤ２との間のウエハＷの受け渡し、及び裏面洗浄モジュール４ＤとインターフェイスブロックＤ４との間のウエハＷの受け渡しのうちの一方の動作に影響されずに他方の動作を行うことができる。即ち、薬液塗布モジュール４Ｃに対するウエハＷの搬入出、裏面洗浄モジュール４Ｄに対するウエハＷの搬入出を各々速やかに行うことができる。また、搬送機構Ｆ１、Ｆ２によるウエハＷの搬送領域と搬送機構Ｆ７によるウエハＷの搬送領域との間に、受け渡しモジュールＴＲＳのような搬送機構間でウエハＷを受け渡すためのモジュールを設ける必要が無い。従って、塗布、現像装置１の左右の幅を小さくすることができる。それ故に、この塗布、現像装置１によれば高いスループットを得ることができると共に、装置の占有床面積を縮小化できる。なお、上記の特許文献１では同じ高さの層（単位ブロック）の左右に各々配置された搬送機構の間でウエハＷを受け渡すにあたり、搬送機構間に設けたウエハＷの載置部を利用している。当該載置部によって層の長さが大きくなってしまうため、装置の専有床面積を小さくすることが困難である。

塗布、現像装置１の左右の長さが小さいことの利点について補足する。一般に、塗布、現像装置をクリーンルームに設置するにあたり、その左右の幅について制限される。詳しく述べると、塗布、現像装置に対してキャリアＣを搬送する外部搬送機構は、クリーンルーム内を移動可能な範囲が限られる。従って、塗布、現像装置を構成するキャリアＣを搬入出するためのブロックの設置可能な位置が制限される。その一方で、クリーンルーム内における露光機Ｄ５の配置が決められている場合が有る。このような事情から、左右の長さが大きい塗布、現像装置は、クリーンルーム内に設置することができないという問題が有る。しかし塗布、現像装置１については、上記のような構成により左右の長さが比較的小さいため、この問題を解決することができる。また、塗布、現像装置１では裏面洗浄モジュール４Ｄについて、上記のように単位ブロックＥ１、Ｅ２に配置すると共に既述した経路でウエハＷを搬送することで、当該裏面洗浄モジュール４ＤをインターフェイスブロックＤ４に配置する必要を無くしている。それによって、インターフェイスブロックＤ４の大型化が防止されていることも、塗布、現像装置１の左右の長さの短縮化に寄与されている。

また、塗布、現像装置１の単位ブロックＥ３、Ｅ４においては、レジスト塗布モジュール４Ａ及び保護膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｂが設けられている。つまり、ウエハＷを単位ブロックＥ１、Ｅ２の左側から右側へ搬送するために通過する単位ブロックＥ３、Ｅ４にレジスト塗布モジュール４Ａ及び保護膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｂを設けられている。それにより、裏面洗浄を行うまでにウエハＷをＥ１～Ｅ４以外の単位ブロックＥに搬送する必要が無い。従って、ウエハＷの搬送経路が長くなることが防止されるのでスループットの低下がより確実に抑制されると共に、単位ブロックＥの数が増えることが防止されるので、装置の大型化が抑制される。

また、裏面洗浄モジュール４Ｄは単位ブロックＥ１、Ｅ２に各々設けられることで、２段に配置されている。そのように裏面洗浄モジュール４Ｄを複数段に設けることで、インターフェイスブロックＤ４のタワーＴ２には、この裏面洗浄モジュール４Ｄに対する受け渡しを行うための受け渡しモジュールＴＲＳ（上記のようにＴＲＳ３１、ＴＲＳ３２として表示している）も広い高さ範囲に設置することが可能になる。広い高さ範囲に設置可能ということは、より多くのウエハＷが載置されるように当該受け渡しモジュールＴＲＳを構成することが可能となることである。そのように多くのウエハＷを載置可能とすることで、当該受け渡しモジュールＴＲＳの後段の処理モジュールで一時的に処理が中止されるような不具合が生じても、当該受け渡しモジュールＴＲＳの前段の各処理モジュールではウエハＷの処理を続けることができる。つまり、装置全体でウエハＷの処理を停止させることを防ぐことができるので、装置のスループットの低下を防ぐことができる。また、搬送機構Ｆ７は単位ブロックＥ１、Ｅ２の共通搬送路６６を昇降するため、タワーＴ２の広い高さ範囲にアクセスすることができる。そのため、上記の受け渡しモジュールＴＲＳ３１、ＴＲＳ３２について、より多くのウエハＷを載置することができるように構成することができる。また搬送機構Ｆ７は、インターフェイスブロックＤ４からのウエハＷの受け取り、インターフェイスブロックＤ４へのウエハＷの搬出を、タワーＴ２のＴＲＳ３１、ＴＲＳ３２を用いて夫々行っている。つまり異なる段（高さ）のモジュールを用いて、インターフェイスブロックＤ４の搬送機構と単位ブロックＥ１、Ｅ２の搬送機構との間で、ウエハＷの受け渡しを行っている。そのような構成であることも、上記のようにＴＲＳ３１、ＴＲＳ３２について十分な配置のスペースを確保し、インターフェイスブロックＤ４と搬送機構Ｆ７との間で効率的な搬送を行うことに寄与する。

さらに裏面洗浄モジュール４Ｄを２段に設けること、及びノズル４５が無いため裏面洗浄モジュール４Ｄのカップ４３間の間隔を狭くできることを利用し、薬液塗布モジュール４Ｃと裏面洗浄モジュール４Ｄとの間を、ポンプを含む処理液供給機器の設置部３９としている。つまり、単位ブロックＥにおける液処理モジュールを構成するカップ４３間に処理液供給機器が設けられている。そのように処理液供給機器を設けることで、ポンプから各液処理モジュールのノズルに至るまでの処理液供給管の長さが大きくなることが抑制される。これは、処理液の圧力損失を抑制するために処理液供給管においてフィルタをポンプの前段に設けるとした場合、このフィルタとノズルとの距離が近くなることで処理液中の異物に対する捕集効果が高められることになる。つまり、上記の処理液供給機器の配置は、ウエハＷから製造される半導体製品の歩留りの低下を防ぐことに寄与するという利点が有る。また、この処理液供給機器は単位ブロックＥのうち下層側のＥ１、Ｅ２に設けられるため、作業員によるメンテナンスが容易であるという利点が有る。

また、搬送機構Ｆ１、Ｆ２がアクセスするモジュールの種類に比べて、搬送機構Ｆ７がアクセスするモジュールの種類は少ない。つまり、搬送工程数について、搬送機構Ｆ１、Ｆ２に比べて搬送機構Ｆ７の方が少ない。そのように搬送工程数が少ない搬送機構Ｆ７が単位ブロックＥ１、Ｅ２で共用の構成であるため、十分なスループットを確保しつつ、装置の製造コストを低下させることができる。

また、塗布、現像装置１においては、上記のようにキャリアブロックＤ１の高さは、当該キャリアブロックＤ１に隣接する検査ブロックＤ２の高さよりも小さく、キャリアブロックＤ１の上方でキャリアＣが待機される。このような構成により、キャリアブロックＤ１よりも左側にキャリア待機部２０及びキャリア搬入出部１９を設ける必要が無い。従って、塗布、現像装置１の左右の長さが、より確実に抑制される。そのようにキャリア待機部２０及びキャリア搬入出部１９をキャリアブロックＤ１上に配置するにあたり、キャリアブロックＤ１にダウンフローを形成するためのＦＦＵ３１を、平面視フィルタ１８に重ならない位置である検査ブロックＤ２上に設けている。つまり、そのようなＦＦＵ３１の配置によって、塗布、現像装置１の左右の長さが大きくなることが防止されている。なお、このＦＦＵ３１としては検査ブロックＤ２上に設けることには限られず、例えば塗布、現像装置１に対して前方や後方に配置してもよい。

さらに、塗布、現像装置１については、インターフェイスブロックＤ４にて処理ブロックＤ３との間でウエハＷを受け渡すためのタワーＴ２に対して、後方に当該タワーＴ２にアクセスする搬送機構８７を配置する。その一方で、タワーＴ２の前方側には処理ブロックＤ３の単位ブロックＥから突出する付帯設備設置部３６を配置し、タワーＴ２が付帯設備設置部３６と搬送機構８７に前後から挟まれるようにしている。このような各部の配置により付帯設備設置部３６によって塗布、現像装置１の左右の長さが大きくなることを抑制し、より確実に塗布、現像装置１の占有床面積が抑制される。また、検査ブロックＤ２においてタワーＴ１を前後から挟むように、付帯設備設置部３５と、搬送機構２５とが設けられている。そのような各部の配置によっても、塗布、現像装置１の左右の長さが大きくなることが抑制されている。

またインターフェイスブロックＤ４において、バッファモジュール８２により裏面洗浄前のウエハＷが待機される。従って裏面洗浄後、露光機Ｄ５に搬入されるまでにウエハＷが経由するモジュールは少なく、裏面に異物が付着した状態でウエハＷが露光機Ｄ５に搬入されることがより確実に抑制されるため、露光時のデフォーカスがより確実に防止される。

さらにインターフェイスブロックＤ４において、露光後洗浄モジュール８０、タワーＴ２のモジュール、バッファモジュール８２に各々アクセスする前後の中央の搬送機構８７と、タワーＴ２のモジュール、バッファモジュール８２にアクセスする後方側の搬送機構８８と、を設けている。そして、露光後洗浄モジュール８０にはアクセスしない搬送機構８８については、搬送機構８７よりも昇降する範囲が大きく、タワーＴ２におけるより低い位置に配置されたモジュールへ保持体６１がアクセスする。このような構成により搬送機構８７、８８間での負荷の偏りが抑制され、スループットをより確実に高くすることができる。

なお、単位ブロックＥ１～Ｅ４では付帯設備が左側のカップ４３用と、右側のカップ４３用とで２分割されている。単位ブロックＥ１～Ｅ４の付帯設備についても、単位ブロックＥ５、Ｅ６と同様に付帯設備を３分割してもよい。ただし、付帯設備の構造を簡素にするために、上記のようにカップの数が単位ブロックＥ１～Ｅ４よりも多い単位ブロックＥ５、Ｅ６のみ３分割することが好ましい。

上記の塗布、現像装置１では同じ単位ブロックＥについて２つ設けられているが、そのような構成に限られず、例えば１つのみあるいは３つ以上設けられていてもよい。また、単位ブロックＥが配列される順番も上記の例に限られず、例えば単位ブロックＥ３、Ｅ４の上方に単位ブロックＥ１、Ｅ２が位置していてもよい。

また、塗布、現像装置１におけるモジュールの配置としては既述した例に限られない。例えば単位ブロックＥ１、Ｅ２の右側において裏面洗浄モジュール４Ｄが設けられず、その代わりに保護膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｂ及び保護膜形成後のウエハＷを加熱する加熱モジュール５２が設けられるようにする。そして、単位ブロックＥ３、Ｅ４には液処理モジュールとして、レジスト塗布モジュール４Ａのみが設けられ、薬液塗布モジュール４Ｂが設けられないようにする。ウエハＷは、既述した搬送経路で各単位ブロックＥを通過し、裏面洗浄処理を受けないこと単位ブロックＥ１、Ｅ２で保護膜の形成及びその後の加熱処理を受けること以外は、既述した処理と同様の処理を受けるようにする。従って、単位ブロックＥ１、Ｅ２の右側に設けられるモジュールが、洗浄モジュールであることには限られない。

その他の塗布、現像装置１におけるモジュールの配置例を挙げると、例えば単位ブロックＥ１、Ｅ２における左側にレジスト塗布モジュール４Ａ、右側に裏面洗浄モジュール４Ｄが設けられ、単位ブロックＥ３、Ｅ４に保護膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｂが設けられるレイアウトとする。つまり反射防止膜が形成されないモジュール配置とし、ウエハＷが上記の経路で各単位ブロックを通過して、露光機Ｄ５に搬入されるようにしてもよい。また、例えば露光機Ｄ５が液浸露光を行わない場合には、保護膜の形成を行わない装置構成とし、単位ブロックＥ３、Ｅ４には液処理モジュールとしてレジスト塗布モジュール４Ａのみを配置し、既述のように各ブロック間でウエハＷを搬送して処理を行ってもよい。

また、本技術は塗布、現像装置に適用されることには限られない。図１５は、塗布装置９を示している。塗布装置９における塗布、現像装置１との差異点を挙げると、塗布装置９は露光機Ｄ５に接続されていない。また、単位ブロックＥについてはＥ１、Ｅ３の２つのみ設けられている。従って単位ブロックＥ１には単位ブロックＥ２に連通する共通搬送路６６は設けられておらず、搬送路３０の左側、右側を搬送機構Ｆ１、Ｆ７が夫々ウエハＷを搬送する。単位ブロックＥ１には液処理モジュールとして、左側に反射防止膜形成用の薬液塗布モジュール４Ｃ、右側にレジスト塗布モジュール４Ａが設けられる。単位ブロックＥ３には、処理モジュールが設けられていない。

図１５中の矢印は、ウエハＷの搬送経路を示している。ウエハＷは薬液塗布モジュール４Ｂで処理された後、検査ブロックＤ２に戻され、単位ブロックＥ３を介して、インターフェイスブロックＤ４に搬送された後、レジスト塗布モジュール４Ａに搬送されて処理される。その後、ウエハＷはインターフェイスブロックＤ４に戻され、単位ブロックＥ３、検査ブロックＤ２を順に通過して、キャリアＣに戻される。なお、タワーＴ１、Ｔ２にはこのような搬送を行える位置に、受け渡しモジュールＴＲＳが配置されるものとする。この塗布装置９についても、塗布、現像装置１と同様の効果を奏する。検査ブロックＤ２からインターフェイスブロックＤ４へウエハＷを搬送する単位ブロックＥと、インターフェイスブロックＤ４から検査ブロックＤ２へウエハＷを搬送する単位ブロックＥとは、この塗布装置９のように同じであってもよいし、塗布、現像装置１のように異なっていてもよい。

装置で行う液処理としては上記した例に限られず、薬液の塗布による絶縁膜の形成や、ウエハＷを互いに貼り合わせるための接着剤の塗布処理などが含まれていてもよい。なお、今回開示された実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更及び組み合わせがなされてもよい。

Ｃ キャリア
Ｄ１ キャリアブロック
Ｄ２ 検査ブロック
Ｄ４ インターフェイスブロック
Ｅ１～Ｅ４ 単位ブロック
Ｆ１～Ｆ４、Ｆ７ 搬送機構
ＳＣＰＬ 温度調整モジュール
ＴＲＳ 受け渡しモジュール
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
１４ キャリアステージ
１７、２２、２５ 搬送機構
３０ 搬送路
４Ｃ 薬液塗布モジュール
４Ｄ 裏面洗浄モジュール
８７、８８、８９ 搬送機構

Claims (18)

1. 左右に伸びる第１の基板搬送領域と、当該第１の基板搬送領域の左右の一方側、他方側に夫々面して設けられる第１の処理モジュール、第２の処理モジュールと、前記第１の基板搬送領域の左右の一方側、他方側に夫々設けられ、前記第１の処理モジュール、前記第２の処理モジュールに夫々基板を受け渡すための第１の搬送機構、第２の搬送機構と、を備える第１の単位ブロックと、
   左右に伸びる第２の基板搬送領域と、当該第２の基板搬送領域にて左右に前記基板を搬送する第３の搬送機構と、を備え、前記第１の単位ブロックに積層されて設けられる第２の単位ブロックと、
   前記第１の単位ブロック及び前記第２の単位ブロックによって構成される単位ブロックの積層体に対して左右の一方側に設けられ、前記第１の搬送機構、前記第３の搬送機構に各々基板を受け渡すために前記基板を載置する一方側載置部を当該第１の単位ブロック及び第２の単位ブロックの各々の高さに備えると共に、前記基板を収納するキャリアを載置するキャリアステージを備える基板搬入出ブロックと、
   前記単位ブロックの積層体に対して左右の他方側に設けられ、前記第２の搬送機構、前記第３の搬送機構に各々基板を受け渡すために前記基板を載置する他方側載置部を前記第１の単位ブロック及び前記第２の単位ブロックの各々の高さに備える中継ブロックと、
   前記各他方側載置部の間で前記基板を搬送するように、前記中継ブロックに設けられた他方側搬送機構と、
   前記キャリア及び前記各一方側載置部の間で前記基板を搬送し、前記第１の処理モジュールで処理済みで前記第２の処理モジュールで処理前の基板について前記第２の単位ブロック、前記中継ブロックを順に通過して前記第１の単位ブロックの他方側から前記第２の処理モジュールへ搬送するために、前記第１の単位ブロックの高さの一方側載置部から前記第２の単位ブロックの高さの一方側載置部へ搬送するように、前記基板搬入出ブロックに設けられた一方側搬送機構と、
   を備える基板処理装置。
2. 前記第２の単位ブロックには、前記第３の搬送機構により前記基板が受け渡される第３の処理モジュールが前記第２の基板搬送領域に面して設けられ、
   当該第３の処理モジュールは、前記第１の処理モジュールで処理後、前記第２の処理モジュールで処理前の前記基板を処理する請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１の処理モジュール及び第３の処理モジュールは、前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布モジュールを含む請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記第２の単位ブロックは、前記基板搬入出ブロックから前記中継ブロックへ前記基板を搬送する往路用の単位ブロックと、
   前記中継ブロックから前記基板搬入出ブロックへ前記基板を搬送する復路用の単位ブロックと、を備え、
   前記往路用の単位ブロック及び前記復路用の単位ブロックの各々が、前記第２の基板搬送領域及び前記第３の搬送機構を備え、
   前記往路用の単位ブロックは前記第３の処理モジュールを備え、
   前記復路用の単位ブロックは、前記第１及び第２及び第３の処理モジュールでの処理後の基板を処理する第４の処理モジュールを備え、
   前記一方側載置部及び前記他方側載置部は、前記往路用の単位ブロック及び前記復路用の単位ブロックの各々の高さに設けられる請求項２または３記載の基板処理装置。
5. 前記第１の処理モジュール、前記第２の処理モジュール及び前記往路用の単位ブロックにおける前記第３の処理モジュールのうちのいずれかは、レジストを前記基板に供給してレジスト膜を形成するレジスト塗布モジュールを含み、
   前記第４の処理モジュールは、前記レジスト膜を露光するために前記中継ブロックに接続される露光機で露光された前記レジスト膜を現像するように、前記第２の基板搬送領域に面して設けられる現像モジュールである請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記第１の処理モジュール及び前記第２の処理モジュールは左右に並んで設けられ、
   前記第１の処理モジュール、前記第２の処理モジュール及び前記第３の処理モジュールは、前記基板に処理液を供給して処理する液処理モジュールであり、
   前記第１の処理モジュールと第２の処理モジュールとの間に、前記第１の処理モジュール、前記第２の処理モジュール、前記第３の処理モジュールの各々に前記処理液を供給する供給機器が設けられる請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記第１の処理モジュールは、前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布モジュールであり、
   前記第２の処理モジュールは前記レジスト膜の形成後、前記露光機による露光前に基板を洗浄する洗浄モジュールである請求項６記載の基板処理装置。
8. 前記他方側載置部は縦方向に列をなし、
   前記中継ブロックには、前記露光機で露光後であり現像処理前の前記基板を処理する露光後処理モジュールと、前記他方側載置部の列から外れた位置にて、前記第２の処理モジュールで処理前の前記基板を滞留させる滞留モジュールと、が設けられ、
   前記他方側搬送機構は、
   前記露光後処理モジュール、前記滞留モジュール及び前記他方側載置部の間で前記基板を搬送する第１の他方側搬送機構と、
   前記露光後処理モジュール及び前記他方側載置部の間で前記基板を搬送する第２の他方側搬送機構と、を備え、
   第２の他方側搬送機構による基板の搬送領域は、第１の他方側搬送機構による基板の搬送領域よりも縦方向に長い請求項５ないし７のいずれか一つに記載の基板処理装置。
9. 前記単位ブロックの積層体を構成する一の単位ブロックにおける前記処理モジュールとして、左右に複数並ぶと共に前記基板に処理液を供給して処理する液処理モジュールが設けられ、
   当該液処理モジュールの列における左側の処理モジュールの付帯設備、中央部の処理モジュールの付帯設備、右側の処理モジュールの付帯設備は、互いに分割されている請求項１ないし８のいずれか一つに記載の基板処理装置。
10. 前記液処理モジュールは前記基板に処理液を供給するために前記基板を収容するカップを備え、
    前記付帯設備は、当該カップに接続されてカップ内を排気する排気路を形成するための排気路形成部材含む請求項９記載の基板処理装置。
11. 前記液処理モジュールは前記基板に処理液を供給するために前記基板を収容するカップを備え、
    前記一の単位ブロックは、前記単位ブロックの積層体を形成する他の単位ブロックに比べて前記カップの数が多い単位ブロックである請求項９記載の基板処理装置。
12. 前記中継ブロックには、前記他方側載置部が縦方向に列をなして設けられ、
    前記他方側搬送機構は、複数の搬送機構により構成され、
    前記複数の搬送機構のうちの一の搬送機構と、前記第２の処理モジュールの付帯設備を含む付帯設備設置部とが、前記他方側載置部の列を前後に挟んで設けられる請求項１ないし１１のいずれか一つに記載の基板処理装置。
13. 前記第１の単位ブロックは縦方向に連続して複数段に設けられ、前記第２の処理モジュールは各段の前記第１の単位ブロックに設けられる請求項１ないし１２のいずれか一つに記載の基板処理装置。
14. 前記第１の基板搬送領域の左右の一方側は段毎に区画され、
    前記第１の搬送機構は段毎に設けられ、
    前記第１の基板搬送領域の左右の他方側は各段間で連通し、
    前記第２の搬送機構は各段で共通の昇降自在な搬送機構である請求項１３記載の基板処理装置。
15. 前記一方側搬送機構は、前記キャリアに対して前記基板を搬入出する第１の一方側搬送機構と、前記第１の一方側搬送機構よりも前記単位ブロックの積層体寄りに設けられ、前記第１の搬送機構と第３の搬送機構との間で前記基板を受け渡すために昇降する第２の一方側搬送機構と、を含み、
    前記第１の一方側搬送機構による基板の搬送領域上に設けられた、供給されたガスを清浄化して当該搬送領域に放出するフィルタと、
    平面視、前記フィルタに重ならない位置に設けられ、ガスを吸引して前記フィルタに供給するガス供給機構と、
    前記搬送領域上において前記キャリアを仮置きするためのキャリア仮置き部と、
    を備える請求項１ないし１４のいずれか一つに記載の基板処理装置。
16. 前記第１の処理モジュールは前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布モジュールであり、前記第２の処理モジュールは前記基板を洗浄する洗浄モジュールであり、
    前記第１の基板搬送領域の圧力が前記第１の処理モジュールの圧力よりも低く、且つ第２の処理モジュールの圧力よりも高くなるように、前記第１の単位ブロックに対するガスの供給と排気とを行う給排気部が設けられる請求項１ないし１５のいずれか一つに記載の基板処理装置。
17. 前記第２の処理モジュールは、前記基板を収容して当該基板に処理液を供給するカップを備えると共に前記第１の基板搬送領域に対して前方、後方に各々設けられ、
    前記第２の搬送機構に設けられる前記基板を保持する保持体を左右に移動させるための移動機構が、当該第１の基板搬送領域に設けられる請求項１ないし１６のいずれか一つに記載の基板処理装置。
18. 左右に伸びる第１の基板搬送領域と、当該第１の基板搬送領域の左右の一方側、他方側に夫々面して設けられる第１の処理モジュール、第２の処理モジュールと、が設けられる第１の単位ブロックにおいて、前記第１の基板搬送領域の左右の一方側、他方側に夫々設けられる
    第１の搬送機構、第２の搬送機構により、前記第１の処理モジュール、前記第２の処理モジュールに夫々基板を受け渡す工程と、
    左右に伸びる第２の基板搬送領域を備え、前記第１の単位ブロックに積層されて設けられる第２の単位ブロックの前記第２の基板搬送領域にて、第３の搬送機構により左右に前記基板を搬送する工程と、
    前記第１の単位ブロック及び前記第２の単位ブロックによって構成される単位ブロックの積層体に対して左右の一方側に設けられる基板搬入出ブロックにおいて、前記第１の単位ブロック及び前記第２の単位ブロックの各々の高さに設けられる一方側載置部に前記基板を載置し、前記基板搬入出ブロックと、前記第１の搬送機構と、前記第３の搬送機構との間で各々基板を受け渡す工程と、
    前記基板搬入出ブロックに設けられるキャリアステージに、前記基板を収納するキャリアを載置する工程と、
    前記単位ブロックの積層体に対して左右の他方側に設けられる中継ブロックにおいて、前記該第１の単位ブロック及び前記第２の単位ブロックの各々の高さに設けられる他方側載置部に前記基板を載置し、前記中継ブロックと、前記第２の搬送機構と、前記第３の搬送機構との間で各々基板を受け渡す工程と、
    前記中継ブロックに設けられた他方側搬送機構により、前記各他方側載置部の間で前記基板を搬送する工程と、
    前記基板搬入出ブロックに設けられた一方側搬送機構により、前記キャリア及び前記各一方側載置部の間で前記基板を搬送する工程と、
    前記第１の処理モジュールで処理済みで前記第２の処理モジュールで処理前の基板について、前記第２の単位ブロック、前記中継ブロックを順に通過して前記第１の単位ブロックの他方側から前記第２の処理モジュールへ搬送するために、前記第１の単位ブロックの高さの一方側載置部から前記第２の単位ブロックの高さの一方側載置部へ前記一方側搬送機構により搬送する工程と、
    を備える基板処理方法。

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