JP7363591B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
左右に伸びる第2の基板搬送領域と、当該第2の基板搬送領域にて左右に前記基板を搬送する第3の搬送機構と、を備え、前記第1の単位ブロックに積層されて設けられる第2の単位ブロックと、
前記第1の単位ブロック及び前記第2の単位ブロックによって構成される単位ブロックの積層体に対して左右の一方側に設けられ、前記第1の搬送機構、前記第3の搬送機構に各々基板を受け渡すために前記基板を載置する一方側載置部を当該第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックの各々の高さに備えると共に、前記基板を収納するキャリアを載置するキャリアステージを備える基板搬入出ブロックと、
前記単位ブロックの積層体に対して左右の他方側に設けられ、前記第2の搬送機構、前記第3の搬送機構に各々基板を受け渡すために前記基板を載置する他方側載置部を前記第1の単位ブロック及び前記第2の単位ブロックの各々の高さに備える中継ブロックと、
前記各他方側載置部の間で前記基板を搬送するように、前記中継ブロックに設けられた他方側搬送機構と、
前記キャリア及び前記各一方側載置部の間で前記基板を搬送し、前記第1の処理モジュールで処理済みで前記第2の処理モジュールで処理前の基板について前記第2の単位ブロック、前記中継ブロックを順に通過して前記第1の単位ブロックの他方側から前記第2の処理モジュールへ搬送するために、前記第1の単位ブロックの高さの一方側載置部から前記第2の単位ブロックの高さの一方側載置部へ搬送するように、前記基板搬入出ブロックに設けられた一方側搬送機構と、
を備える。
続いて、単位ブロックE1、E2について、単位ブロックE3、E4との差異点を中心に説明する。上記の図1は単位ブロックE1の平面を示しており、縦断正面を示す図2、図3及び縦断側面を示す図6の他に、当該図1も参照する。単位ブロックE1、E2の左側は各々同様に構成されており、単位ブロックE1、E2の搬送路30の前方には、レジスト塗布モジュール4Aの代わりに反射防止膜形成用の薬液塗布モジュール4Cが搬送路30に面して各々設けられている。薬液塗布モジュール4Cは、ノズル45からレジストの代わりに反射防止膜形成用の薬液が吐出されることを除いて、レジスト塗布モジュール4Aと同様に構成されている。
D1 キャリアブロック
D2 検査ブロック
D4 インターフェイスブロック
E1~E4 単位ブロック
F1~F4、F7 搬送機構
SCPL 温度調整モジュール
TRS 受け渡しモジュール
W ウエハ
1 塗布、現像装置
14 キャリアステージ
17、22、25 搬送機構
30 搬送路
4C 薬液塗布モジュール
4D 裏面洗浄モジュール
87、88、89 搬送機構
Claims (18)
- 左右に伸びる第1の基板搬送領域と、当該第1の基板搬送領域の左右の一方側、他方側に夫々面して設けられる第1の処理モジュール、第2の処理モジュールと、前記第1の基板搬送領域の左右の一方側、他方側に夫々設けられ、前記第1の処理モジュール、前記第2の処理モジュールに夫々基板を受け渡すための第1の搬送機構、第2の搬送機構と、を備える第1の単位ブロックと、
左右に伸びる第2の基板搬送領域と、当該第2の基板搬送領域にて左右に前記基板を搬送する第3の搬送機構と、を備え、前記第1の単位ブロックに積層されて設けられる第2の単位ブロックと、
前記第1の単位ブロック及び前記第2の単位ブロックによって構成される単位ブロックの積層体に対して左右の一方側に設けられ、前記第1の搬送機構、前記第3の搬送機構に各々基板を受け渡すために前記基板を載置する一方側載置部を当該第1の単位ブロック及び第2の単位ブロックの各々の高さに備えると共に、前記基板を収納するキャリアを載置するキャリアステージを備える基板搬入出ブロックと、
前記単位ブロックの積層体に対して左右の他方側に設けられ、前記第2の搬送機構、前記第3の搬送機構に各々基板を受け渡すために前記基板を載置する他方側載置部を前記第1の単位ブロック及び前記第2の単位ブロックの各々の高さに備える中継ブロックと、
前記各他方側載置部の間で前記基板を搬送するように、前記中継ブロックに設けられた他方側搬送機構と、
前記キャリア及び前記各一方側載置部の間で前記基板を搬送し、前記第1の処理モジュールで処理済みで前記第2の処理モジュールで処理前の基板について前記第2の単位ブロック、前記中継ブロックを順に通過して前記第1の単位ブロックの他方側から前記第2の処理モジュールへ搬送するために、前記第1の単位ブロックの高さの一方側載置部から前記第2の単位ブロックの高さの一方側載置部へ搬送するように、前記基板搬入出ブロックに設けられた一方側搬送機構と、
を備える基板処理装置。 - 前記第2の単位ブロックには、前記第3の搬送機構により前記基板が受け渡される第3の処理モジュールが前記第2の基板搬送領域に面して設けられ、
当該第3の処理モジュールは、前記第1の処理モジュールで処理後、前記第2の処理モジュールで処理前の前記基板を処理する請求項1記載の基板処理装置。 - 前記第1の処理モジュール及び第3の処理モジュールは、前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布モジュールを含む請求項2記載の基板処理装置。
- 前記第2の単位ブロックは、前記基板搬入出ブロックから前記中継ブロックへ前記基板を搬送する往路用の単位ブロックと、
前記中継ブロックから前記基板搬入出ブロックへ前記基板を搬送する復路用の単位ブロックと、を備え、
前記往路用の単位ブロック及び前記復路用の単位ブロックの各々が、前記第2の基板搬送領域及び前記第3の搬送機構を備え、
前記往路用の単位ブロックは前記第3の処理モジュールを備え、
前記復路用の単位ブロックは、前記第1及び第2及び第3の処理モジュールでの処理後の基板を処理する第4の処理モジュールを備え、
前記一方側載置部及び前記他方側載置部は、前記往路用の単位ブロック及び前記復路用の単位ブロックの各々の高さに設けられる請求項2または3記載の基板処理装置。 - 前記第1の処理モジュール、前記第2の処理モジュール及び前記往路用の単位ブロックにおける前記第3の処理モジュールのうちのいずれかは、レジストを前記基板に供給してレジスト膜を形成するレジスト塗布モジュールを含み、
前記第4の処理モジュールは、前記レジスト膜を露光するために前記中継ブロックに接続される露光機で露光された前記レジスト膜を現像するように、前記第2の基板搬送領域に面して設けられる現像モジュールである請求項4記載の基板処理装置。 - 前記第1の処理モジュール及び前記第2の処理モジュールは左右に並んで設けられ、
前記第1の処理モジュール、前記第2の処理モジュール及び前記第3の処理モジュールは、前記基板に処理液を供給して処理する液処理モジュールであり、
前記第1の処理モジュールと第2の処理モジュールとの間に、前記第1の処理モジュール、前記第2の処理モジュール、前記第3の処理モジュールの各々に前記処理液を供給する供給機器が設けられる請求項5記載の基板処理装置。 - 前記第1の処理モジュールは、前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布モジュールであり、
前記第2の処理モジュールは前記レジスト膜の形成後、前記露光機による露光前に基板を洗浄する洗浄モジュールである請求項6記載の基板処理装置。 - 前記他方側載置部は縦方向に列をなし、
前記中継ブロックには、前記露光機で露光後であり現像処理前の前記基板を処理する露光後処理モジュールと、前記他方側載置部の列から外れた位置にて、前記第2の処理モジュールで処理前の前記基板を滞留させる滞留モジュールと、が設けられ、
前記他方側搬送機構は、
前記露光後処理モジュール、前記滞留モジュール及び前記他方側載置部の間で前記基板を搬送する第1の他方側搬送機構と、
前記露光後処理モジュール及び前記他方側載置部の間で前記基板を搬送する第2の他方側搬送機構と、を備え、
第2の他方側搬送機構による基板の搬送領域は、第1の他方側搬送機構による基板の搬送領域よりも縦方向に長い請求項5ないし7のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記単位ブロックの積層体を構成する一の単位ブロックにおける前記処理モジュールとして、左右に複数並ぶと共に前記基板に処理液を供給して処理する液処理モジュールが設けられ、
当該液処理モジュールの列における左側の処理モジュールの付帯設備、中央部の処理モジュールの付帯設備、右側の処理モジュールの付帯設備は、互いに分割されている請求項1ないし8のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記液処理モジュールは前記基板に処理液を供給するために前記基板を収容するカップを備え、
前記付帯設備は、当該カップに接続されてカップ内を排気する排気路を形成するための排気路形成部材含む請求項9記載の基板処理装置。 - 前記液処理モジュールは前記基板に処理液を供給するために前記基板を収容するカップを備え、
前記一の単位ブロックは、前記単位ブロックの積層体を形成する他の単位ブロックに比べて前記カップの数が多い単位ブロックである請求項9記載の基板処理装置。 - 前記中継ブロックには、前記他方側載置部が縦方向に列をなして設けられ、
前記他方側搬送機構は、複数の搬送機構により構成され、
前記複数の搬送機構のうちの一の搬送機構と、前記第2の処理モジュールの付帯設備を含む付帯設備設置部とが、前記他方側載置部の列を前後に挟んで設けられる請求項1ないし11のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記第1の単位ブロックは縦方向に連続して複数段に設けられ、前記第2の処理モジュールは各段の前記第1の単位ブロックに設けられる請求項1ないし12のいずれか一つに記載の基板処理装置。
- 前記第1の基板搬送領域の左右の一方側は段毎に区画され、
前記第1の搬送機構は段毎に設けられ、
前記第1の基板搬送領域の左右の他方側は各段間で連通し、
前記第2の搬送機構は各段で共通の昇降自在な搬送機構である請求項13記載の基板処理装置。 - 前記一方側搬送機構は、前記キャリアに対して前記基板を搬入出する第1の一方側搬送機構と、前記第1の一方側搬送機構よりも前記単位ブロックの積層体寄りに設けられ、前記第1の搬送機構と第3の搬送機構との間で前記基板を受け渡すために昇降する第2の一方側搬送機構と、を含み、
前記第1の一方側搬送機構による基板の搬送領域上に設けられた、供給されたガスを清浄化して当該搬送領域に放出するフィルタと、
平面視、前記フィルタに重ならない位置に設けられ、ガスを吸引して前記フィルタに供給するガス供給機構と、
前記搬送領域上において前記キャリアを仮置きするためのキャリア仮置き部と、
を備える請求項1ないし14のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記第1の処理モジュールは前記基板に塗布液を供給して塗布膜を形成する塗布モジュールであり、前記第2の処理モジュールは前記基板を洗浄する洗浄モジュールであり、
前記第1の基板搬送領域の圧力が前記第1の処理モジュールの圧力よりも低く、且つ第2の処理モジュールの圧力よりも高くなるように、前記第1の単位ブロックに対するガスの供給と排気とを行う給排気部が設けられる請求項1ないし15のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 前記第2の処理モジュールは、前記基板を収容して当該基板に処理液を供給するカップを備えると共に前記第1の基板搬送領域に対して前方、後方に各々設けられ、
前記第2の搬送機構に設けられる前記基板を保持する保持体を左右に移動させるための移動機構が、当該第1の基板搬送領域に設けられる請求項1ないし16のいずれか一つに記載の基板処理装置。 - 左右に伸びる第1の基板搬送領域と、当該第1の基板搬送領域の左右の一方側、他方側に夫々面して設けられる第1の処理モジュール、第2の処理モジュールと、が設けられる第1の単位ブロックにおいて、前記第1の基板搬送領域の左右の一方側、他方側に夫々設けられる
第1の搬送機構、第2の搬送機構により、前記第1の処理モジュール、前記第2の処理モジュールに夫々基板を受け渡す工程と、
左右に伸びる第2の基板搬送領域を備え、前記第1の単位ブロックに積層されて設けられる第2の単位ブロックの前記第2の基板搬送領域にて、第3の搬送機構により左右に前記基板を搬送する工程と、
前記第1の単位ブロック及び前記第2の単位ブロックによって構成される単位ブロックの積層体に対して左右の一方側に設けられる基板搬入出ブロックにおいて、前記第1の単位ブロック及び前記第2の単位ブロックの各々の高さに設けられる一方側載置部に前記基板を載置し、前記基板搬入出ブロックと、前記第1の搬送機構と、前記第3の搬送機構との間で各々基板を受け渡す工程と、
前記基板搬入出ブロックに設けられるキャリアステージに、前記基板を収納するキャリアを載置する工程と、
前記単位ブロックの積層体に対して左右の他方側に設けられる中継ブロックにおいて、前記該第1の単位ブロック及び前記第2の単位ブロックの各々の高さに設けられる他方側載置部に前記基板を載置し、前記中継ブロックと、前記第2の搬送機構と、前記第3の搬送機構との間で各々基板を受け渡す工程と、
前記中継ブロックに設けられた他方側搬送機構により、前記各他方側載置部の間で前記基板を搬送する工程と、
前記基板搬入出ブロックに設けられた一方側搬送機構により、前記キャリア及び前記各一方側載置部の間で前記基板を搬送する工程と、
前記第1の処理モジュールで処理済みで前記第2の処理モジュールで処理前の基板について、前記第2の単位ブロック、前記中継ブロックを順に通過して前記第1の単位ブロックの他方側から前記第2の処理モジュールへ搬送するために、前記第1の単位ブロックの高さの一方側載置部から前記第2の単位ブロックの高さの一方側載置部へ前記一方側搬送機構により搬送する工程と、
を備える基板処理方法。
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