JP5287913B2 - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5287913B2 JP5287913B2 JP2011061422A JP2011061422A JP5287913B2 JP 5287913 B2 JP5287913 B2 JP 5287913B2 JP 2011061422 A JP2011061422 A JP 2011061422A JP 2011061422 A JP2011061422 A JP 2011061422A JP 5287913 B2 JP5287913 B2 JP 5287913B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- module
- coating
- substrate
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 113
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 113
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 8
- -1 developing device Substances 0.000 title description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 190
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 125
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 70
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 29
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 21
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 19
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 claims 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 abstract description 11
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 10
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 220
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 140
- 238000011161 development Methods 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 9
- FQVLRGLGWNWPSS-BXBUPLCLSA-N (4r,7s,10s,13s,16r)-16-acetamido-13-(1h-imidazol-5-ylmethyl)-10-methyl-6,9,12,15-tetraoxo-7-propan-2-yl-1,2-dithia-5,8,11,14-tetrazacycloheptadecane-4-carboxamide Chemical compound N1C(=O)[C@@H](NC(C)=O)CSSC[C@@H](C(N)=O)NC(=O)[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@H](C)NC(=O)[C@@H]1CC1=CN=CN1 FQVLRGLGWNWPSS-BXBUPLCLSA-N 0.000 description 8
- 102100034035 Alcohol dehydrogenase 1A Human genes 0.000 description 8
- 101000892220 Geobacillus thermodenitrificans (strain NG80-2) Long-chain-alcohol dehydrogenase 1 Proteins 0.000 description 8
- 101000780443 Homo sapiens Alcohol dehydrogenase 1A Proteins 0.000 description 8
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 101100001029 Pelophylax perezi ADH8 gene Proteins 0.000 description 5
- 102100039702 Alcohol dehydrogenase class-3 Human genes 0.000 description 4
- 101000959452 Homo sapiens Alcohol dehydrogenase class-3 Proteins 0.000 description 4
- 102100031795 All-trans-retinol dehydrogenase [NAD(+)] ADH4 Human genes 0.000 description 3
- 101000775437 Homo sapiens All-trans-retinol dehydrogenase [NAD(+)] ADH4 Proteins 0.000 description 3
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 101000662805 Homo sapiens Trafficking protein particle complex subunit 5 Proteins 0.000 description 2
- 101000679485 Homo sapiens Trafficking protein particle complex subunit 6A Proteins 0.000 description 2
- 102100037497 Trafficking protein particle complex subunit 5 Human genes 0.000 description 2
- 102100022607 Trafficking protein particle complex subunit 6A Human genes 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67751—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a single workpiece
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えると共に、各モジュールにより処理されることにより形成される塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックを設け、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々対応付けられ、前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールと、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御される受け渡し機構と、を備え、
d) 前記Nグループの各々は、互に同数の疎水化モジュールが含まれていることを特徴とする塗布、現像装置。
(1)前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止したときには、当該停止した塗布用の単位ブロックに対応するグループに属する疎水化モジュールに対する基板の受け渡しを停止し、その他のグループに属する疎水化モジュールに対しては基板の受け渡しを行うように受け渡し機構が制御される。
(2)前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止すると共に、前記Nグループのうち使用可能な塗布用単位ブロックに対応付けられたグループが停止したときに、
使用可能なグループから対応付けられていない前記使用可能な塗布用の単位ブロックへ基板の搬送先を切り替えるように受け渡し機構が制御される。
(3)前記塗布用の単位ブロックは、基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を備えたことを特徴とする。
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えると共に、各モジュールにより処理されることにより形成される塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックを設け、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々対応付けられ、前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールと、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御される受け渡し機構と、を備え、
d) 前記Nグループの各々は、互に同数の疎水化モジュールが含まれていることを特徴とする塗布、現像装置に用いられる塗布、現像方法において、
前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止したときには、当該停止した塗布用の単位ブロックに対応するグループに属する疎水化モジュールに対する基板の受け渡しを停止する工程と、
その他のグループに属する疎水化モジュールに対しては基板の受け渡しを行う工程と、を含むことを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
本発明に係る塗布、現像装置1の構成を詳細に説明する前に、この装置1の構成の概略と基板であるウエハWの搬送経路の概略とを図1〜図3を用いて説明する。図中S1は複数枚の基板であるウエハWが格納されたキャリアCが搬送されるキャリアブロックである。図中S2は昇降搬送ブロックであり、第1の疎水化処理モジュール群10A及び第2の疎水化処理モジュール群10Bを備えている。疎水化処理モジュール群10Aは4基の疎水化処理モジュールADH1〜ADH4からなり、疎水化処理モジュール群10Bは4基の疎水化処理モジュールADH5〜ADH8からなる。各疎水化処理モジュールADHにウエハWが順次搬送され、当該疎水化処理モジュールADHで並行してウエハWに疎水化処理が行われる。
塗布、現像装置1の通常時のウエハWの搬送経路を説明する。図1で説明したようにウエハWは第1の疎水化処理モジュール群10A及び第1の単位ブロックB1を通過する第1の経路と、第2の疎水化処理モジュール群10B及び第2の単位ブロックB2を通過する第2の経路とに振り分けられる。この振り分けは、例えばキャリアCから払い出された順に交互に行われる。第1の経路、第2の経路で搬送されるように設定されているウエハWを説明の便宜上夫々W1、W2とする。ウエハW1、W2は、互いに同種のモジュールを順番に搬送され、同様の処理を受ける。
続いて通常の搬送中に、図2に示したように第1の単位ブロックB1が故障やメンテナンスを行うことにより当該ブロックB1での処理が停止した場合について上記のケース1の搬送を説明する。このように処理停止となってもウエハW2の搬送は、通常時と同様に行われる。そして、この処理停止時点において第1の疎水化処理モジュール群10Aに搬送されているウエハW1は、疎水化処理後、バッファモジュール31に搬送され、然る後ウエハW2と同様に第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。また、第1の疎水化処理モジュール群10Aからバッファモジュール31に至るまでの経路にあるウエハW1も同様に、第2の単位ブロックB2に搬入されて処理される。
続いて、第2の単位ブロックB2が故障やメンテナンスを行うことによりその処理を停止した場合について、上記のケース3の搬送を説明する。この場合、ウエハW1の搬送が通常時と同様に行われる。そして、この処理停止時点において第2の疎水化処理モジュール群10Bに搬送されているウエハW2は、疎水化処理後にバッファモジュール31に搬送され、その後はウエハW1と同様に第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。また、第2の疎水化処理モジュール群10Bからバッファモジュール31に至るまでの経路にあるウエハW2も同様に、第1の単位ブロックB1に搬入されて処理される。
続いて通常搬送中に、図3に示したように疎水化処理モジュールADH1〜ADH4のすべてが、故障やメンテナンスにより搬送不可になった場合について説明する。この場合は、ウエハW2の搬送は通常時と同様に行われる。その一方で、このように搬送不可になった時点でキャリアCから払い出され、疎水化処理モジュール群までの経路にあるウエハW1は、ウエハW2と同様に疎水化処理モジュール群10Bに搬送され、さらにウエハW2と同様に第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。また、搬送不可になった時点から後にキャリアCから払い出されたウエハW1も、ウエハW2と同様に疎水化処理モジュール群10Bに搬送されて処理された後、第2の単位ブロックB2に搬送されて処理を受ける。
続いて通常の搬送中に、疎水化処理モジュールADH5〜ADH8のすべてが故障やメンテナンスにより搬送不可になった場合について説明する。この場合は、ウエハW1の搬送は通常時と同様に行われる。その一方で、このように搬送不可になった時点でキャリアCから払い出され、疎水化処理モジュール群までの経路にあるウエハW2は、ウエハW1と同様に疎水化処理モジュール群10Aに搬送され、さらにウエハW1と同様に第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。また、搬送不可になった時点から後にキャリアCから払い出されたウエハW2も、ウエハW1と同様に第1の疎水化処理モジュール群10A及び第1の単位ブロックB1に搬送されて処理を受ける。
以下、第2の実施形態の塗布、現像装置9について、第1の実施形態との差異点を中心に説明する。第1の実施形態ではレジスト塗布モジュールCOTと反射防止膜形成モジュールBCTとが同じ層に設けられているが、図15に示すように互いに異なる層に設けてもよい。この塗布、現像装置9では、単位ブロックC1、単位ブロックC2に反射防止膜形成モジュールBCTが2基ずつ設けられ、単位ブロックC3、C4にレジスト膜形成モジュールCOTが2基ずつ設けられている。単位ブロックC1〜C4は互いに積層され、液処理モジュールが異なることを除いて第1の単位ブロックB1と同様に構成される。
ADH 疎水化処理モジュール
BCT 反射防止膜形成モジュール
COT レジスト膜形成モジュール
DEV 現像モジュール
S2 昇降搬送ブロック
S3 処理ブロック
1 塗布、現像装置
100 制御部
A1〜A6 搬送アーム
B1〜B6 単位ブロック
TRS 受け渡しモジュール
CPL 受け渡しモジュール
Claims (8)
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックを設け、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々対応付けられ、前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールと、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御される受け渡し機構と、を備え、
d) 前記Nグループの各々は、互に同数の疎水化モジュールが含まれていることを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止したときには、当該停止した塗布用の単位ブロックに対応するグループに属する疎水化モジュールに対する基板の受け渡しを停止し、その他のグループに属する疎水化モジュールに対しては基板の受け渡しを行うように受け渡し機構が制御されることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。
- 前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止すると共に、前記Nグループのうち使用可能な塗布用単位ブロックに対応付けられたグループが停止したときに、
使用可能なグループから対応付けられていない前記使用可能な塗布用の単位ブロックへ基板の搬送先を切り替えるように受け渡し機構が制御されることを特徴とする請求項1または2記載の塗布、現像装置。 - 前記塗布用の単位ブロックは、
基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の塗布、現像装置。 - キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a) 前記処理ブロックは、前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体を含み、
b) 前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
c) 前記キャリアブロックと処理ブロックとの間に昇降搬送ブロックを設け、この昇降搬送ブロックは、前記N重化された塗布用の単位ブロックに対して夫々対応付けられ、前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのNグループの疎水化モジュールと、前記Nグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御される受け渡し機構と、を備え、
d) 前記Nグループの各々は、互に同数の疎水化モジュールが含まれていることを特徴とする塗布、現像装置に用いられる塗布、現像方法において、
前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止したときには、当該停止した塗布用の単位ブロックに対応するグループに属する疎水化モジュールに対する基板の受け渡しを停止する工程と、
その他のグループに属する疎水化モジュールに対しては基板の受け渡しを行う工程と、
を含むことを特徴とする塗布、現像方法。 - 前記N重化された塗布用の単位ブロックのいずれかが停止すると共に、前記Nグループのうち使用可能な塗布用単位ブロックに対応付けられたグループが停止したときに、
使用可能なグループから対応付けられていない前記使用可能な塗布用の単位ブロックへ基板の搬送先を切り替える工程を含むことを特徴とする請求項5記載の塗布、現像方法。 - 前記塗布用の単位ブロックは、
基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を備えたことを特徴とする請求項6記載の塗布、現像方法。 - 塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項5ないし7のいずれか一つに記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011061422A JP5287913B2 (ja) | 2011-03-18 | 2011-03-18 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
KR1020120016421A KR101807321B1 (ko) | 2011-03-18 | 2012-02-17 | 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 |
KR1020160058239A KR101717879B1 (ko) | 2011-03-18 | 2016-05-12 | 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011061422A JP5287913B2 (ja) | 2011-03-18 | 2011-03-18 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013119047A Division JP5664701B2 (ja) | 2013-06-05 | 2013-06-05 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012199318A JP2012199318A (ja) | 2012-10-18 |
JP5287913B2 true JP5287913B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=47113227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011061422A Active JP5287913B2 (ja) | 2011-03-18 | 2011-03-18 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5287913B2 (ja) |
KR (2) | KR101807321B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5541251B2 (ja) * | 2011-09-22 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
JP5664701B2 (ja) * | 2013-06-05 | 2015-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
JP5867473B2 (ja) | 2013-09-19 | 2016-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像装置の運転方法及び記憶媒体 |
US9685357B2 (en) | 2013-10-31 | 2017-06-20 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
JP7363591B2 (ja) * | 2020-03-05 | 2023-10-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59175122A (ja) * | 1983-03-23 | 1984-10-03 | Nec Corp | 半導体基板塗布前処理装置 |
JP4955976B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2012-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
JP4616731B2 (ja) * | 2005-09-01 | 2011-01-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
JP4450784B2 (ja) | 2005-10-19 | 2010-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
TW200919117A (en) * | 2007-08-28 | 2009-05-01 | Tokyo Electron Ltd | Coating-developing apparatus, coating-developing method and storage medium |
JP5128918B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5303954B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2013-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 疎水化処理方法、疎水化処理装置、塗布、現像装置及び記憶媒体 |
JP4985728B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
JP4906140B2 (ja) | 2010-03-29 | 2012-03-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
-
2011
- 2011-03-18 JP JP2011061422A patent/JP5287913B2/ja active Active
-
2012
- 2012-02-17 KR KR1020120016421A patent/KR101807321B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-05-12 KR KR1020160058239A patent/KR101717879B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20120106554A (ko) | 2012-09-26 |
JP2012199318A (ja) | 2012-10-18 |
KR101717879B1 (ko) | 2017-03-17 |
KR20160056868A (ko) | 2016-05-20 |
KR101807321B1 (ko) | 2017-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4566035B2 (ja) | 塗布、現像装置及びその方法 | |
TWI343087B (en) | Substrate transportation and processing apparatus | |
JP5338757B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
KR101717879B1 (ko) | 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 | |
TWI305943B (en) | Substrate processing system and substrate processing method | |
JP5348083B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP4985728B2 (ja) | 塗布、現像装置及びその方法 | |
US10201824B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
TW201222701A (en) | Coating and developing apparatus | |
JP2010199427A (ja) | 基板処理装置 | |
KR20130118236A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
JP2012054469A (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5212443B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5664701B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5223897B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5626167B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2010041059A (ja) | 塗布、現像装置 | |
JP5644915B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
JP5904294B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5541251B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP2010034566A (ja) | 塗布、現像装置 | |
JP6404303B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2010192688A (ja) | 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130417 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5287913 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |