JP5644915B2 - 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 - Google Patents
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a)前記処理ブロックは、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものと、
複数の前段処理用の単位ブロックのインターフェイスブロック側に当該前段処理用の単位ブロックに隣接して夫々設けられ、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた複数の後段処理用の単位ブロックと、
前段処理用の単位ブロックと、対応する後段処理用の単位ブロックとの間に夫々設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための塗布処理用の受け渡し部と、
基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを複数上下に積層してなり、前記前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものに対して上下方向に積層された第1の現像処理用の積層ブロックと、
基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを複数上下に積層してなり、前記後段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものに対して上下方向に積層された第2の現像処理用の積層ブロックと、
第1の現像処理用の積層ブロックの単位ブロックと、この単位ブロックに対応する第2の現像処理用の積層ブロックの単位ブロックとの間に夫々設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための現像処理用の受け渡し部と、
各段の塗布処理用の受け渡し部の間及び各段の現像処理用の受け渡し部の間で基板の搬送を行うために昇降自在に設けられた補助移載機構と、を備えたことと、
b)各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行う搬入出用の受け渡し部と、
c)キャリアから前段処理用の各単位ブロックに対応する搬入出用の前記受け渡し部に基板を振り分けて受け渡すと共に、現像処理用の各単位ブロックに対応する搬入出用の受け渡し部から基板をキャリアに戻すための第1の受け渡し機構と、
d)前記処理ブロックで処理された露光前の基板を受け取り、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡すための第2の受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする。
(1)前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを不使用となった単位ブロックとして使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を補助移載機構を介して、前記不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに搬送するステップと、を実行する制御部を備える。
(2)後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを不使用となった単位ブロックとして使用せず、前記不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を前記補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに基板を搬送するステップと、を実行する制御部を備える。
前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを不使用となった単位ブロックとして使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、前記不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに基板を搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程を実施することを特徴とする。
後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを不使用となった単位ブロックとして使用せず、前記不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程を実施することを特徴とする。
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
続いて、通常搬送モードF1が実行されているときの塗布、現像装置1でのウエハWの搬送経路について説明する。図10は、この搬送経路の概略を示したものであり、キャリアCからバッファモジュールBU1に取り出されたウエハWは、第1〜第3の前方側単位ブロックB1〜B3に振り分けられ、夫々処理を受けた後、第1の前方側単位ブロックB1→第1の後方側単位ブロックD1、第2の前方側単位ブロックB2→第2の後方側単位ブロックD2、第3の前方側単位ブロックB3→第3の後方側単位ブロックD3の経路で夫々搬送される。第1〜第3の後方側単位ブロックD1〜D3で処理を受けたウエハWは、露光装置S5に搬入後、第4〜第6の後方側単位ブロックD4〜D6に振り分けられ、現像処理を受ける。
続いて、通常搬送モードG1の搬送経路について図10を参照しながら、搬送モードF1との差異点を中心に説明する。通常搬送モードF1実行時と同様にウエハWは、前方側単位ブロックB1〜B3、後方側単位ブロックD1〜D3及びインターフェイスブロックS4、露光装置S5に搬送される。ただし、各レジスト膜形成モジュールCOTでは、ウエハWにポジ型レジストが供給される。露光後に前方側単位ブロックB1、B2、B3に振り分けられたウエハWは、インターフェイスブロックS4の受け渡しモジュールTRS1、TRS2、TRS3に夫々搬入される。
続いて、搬送モードF2が実行された場合について説明する。この搬送モードF2は、搬送モードF1が実行されているときに、前方側単位ブロックB1〜B3のうち、いずれかの単位ブロックで処理を行えなくなった場合に実行される搬送モードであり、処理可能な前方側単位ブロックB1〜B3で処理を行った後、ウエハWを単位ブロックD1〜D3に振り分けて搬送を行う。以降、図11を参照しながら、例えば制御部51が搬送アームA1に異常を検出した場合について説明する。前記異常が検出されると、制御部51は、搬送アームA1の動作及び前方側単位ブロックB1の各処理モジュールの動作を停止させる。そして、受け渡しアーム30により後続のウエハWを第2、第3の前方側単位ブロックB2、B3に交互に搬送し、既述の搬送経路で各ウエハWは各前方側単位ブロックB2、B3を搬送されて処理を受け、然る後、棚ユニットU13の受け渡しモジュールCPL33,CPL35に搬送される。
続いて、搬送モードF3が実行された場合について説明する。この搬送モードF3は、搬送モードF1が実行されているときに、後方側単位ブロックD1、D2、D3のうちのいずれかで処理を行えなくなった場合に実行される搬送モードであり、前方側単位ブロックB1〜B3で処理を受けたウエハWを、前記D1〜D3の後方側単位ブロックのうち、処理可能な後方側単位ブロックに振り分ける。
続いて、搬送モードG2について説明する。この搬送モードG2は、搬送モードG1が実行されているときに、前方側単位ブロックB1、B2、B3のうち、いずれかで処理を行えなくなった場合に実行される搬送モードである。処理可能な前方側単位ブロックB1〜B3で処理を行った後、ウエハWを単位ブロックD1〜D3に振り分けて搬送を行うモードである。図13には、図11と同様に前方側単位ブロックB1で処理を行えなくなった場合の搬送経路を示している。後方側単位ブロックD4〜D6の代わりに、前方側単位ブロックB4〜B6で現像処理されることを除けば、搬送モードF2と同様にウエハWが搬送される。
続いて、搬送モードG3について説明する。この搬送モードG3は、搬送モードG1が実行されているときに、後方側単位ブロックD1、D2、D3のうちのいずれかで処理を行えなくなった場合に実行される搬送モードであり、前方側単位ブロックB1〜B3で処理を受けたウエハWを、前記D1〜D3の後方側単位ブロックのうち、処理可能な後方側単位ブロックに振り分ける。図13は、図11と同様に後方側単位ブロックD1で処理を行えなくなった場合の搬送経路を示している。後方側単位ブロックD4〜D6の代わりに前方側単位ブロックB4〜B6で現像処理されることを除けば、搬送モードF3と同様にウエハWが搬送される。
BCT 反射防止膜形成モジュール
B1〜B6 前方側単位ブロック
COT レジスト膜形成モジュール
DEV 現像モジュール
D1〜D6 後方側単位ブロック
TCT 保護膜形成モジュール
S1 キャリアブロック
S2 前方側処理ブロック
S3 後方側処理ブロック
S4 インターフェイスブロック
W ウエハ
1 塗布、現像装置
27、33 加熱モジュール
30、40 受け渡しアーム
51 制御部
Claims (6)
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a)前記処理ブロックは、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものと、
複数の前段処理用の単位ブロックのインターフェイスブロック側に当該前段処理用の単位ブロックに隣接して夫々設けられ、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた複数の後段処理用の単位ブロックと、
前段処理用の単位ブロックと、対応する後段処理用の単位ブロックとの間に夫々設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための塗布処理用の受け渡し部と、
基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを複数上下に積層してなり、前記前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものに対して上下方向に積層された第1の現像処理用の積層ブロックと、
基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを複数上下に積層してなり、前記後段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものに対して上下方向に積層された第2の現像処理用の積層ブロックと、
第1の現像処理用の積層ブロックの単位ブロックと、この単位ブロックに対応する第2の現像処理用の積層ブロックの単位ブロックとの間に夫々設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための現像処理用の受け渡し部と、
各段の塗布処理用の受け渡し部の間及び各段の現像処理用の受け渡し部の間で基板の搬送を行うために昇降自在に設けられた補助移載機構と、を備えたことと、
b)各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行う搬入出用の受け渡し部と、
c)キャリアから前段処理用の各単位ブロックに対応する搬入出用の前記受け渡し部に基板を振り分けて受け渡すと共に、現像処理用の各単位ブロックに対応する搬入出用の受け渡し部から基板をキャリアに戻すための第1の受け渡し機構と、
d)前記処理ブロックで処理された露光前の基板を受け取り、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡すための第2の受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを不使用となった単位ブロックとして使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を補助移載機構を介して、前記不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに搬送するステップと、を実行する制御部を備えたことを特徴とする請求項1に記載の塗布、現像装置。
- 後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを不使用となった単位ブロックとして使用せず、前記不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を前記補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに基板を搬送するステップと、を実行する制御部を備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の塗布、現像装置。
- 請求項1に記載の塗布、現像装置を用い、
前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを不使用となった単位ブロックとして使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、前記不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに基板を搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程を実施することを特徴とする塗布、現像方法。 - 請求項1に記載の塗布、現像装置を用い、
後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを不使用となった単位ブロックとして使用せず、前記不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程を実施することを特徴とする塗布、現像方法。 - 塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項4または5に記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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