KR101667433B1 - 도포, 현상 장치 - Google Patents

Abstract

도포, 현상 장치의 처리량의 저하를 억제하는 동시에 장치의 설치 면적을 줄인다. 처리 블록은, 캐리어 블록측에 배치되는 액처리계의 단위 블록군과, 이 액처리계의 단위 블록군의 인터페이스 블록측에 배치된 가열계의 블록을 구비하고, 액처리계의 단위 블록군은, 제1 단위 블록과 제2 단위 블록을 이 순서대로 상측에 적층한 적층체와, 이 적층체에 대해 서로 상하로 적층되고, 노광 후의 기판을 현상하기 위한 현상용의 단위 블록을 서로 상하로 적층한 적층체로 구성되고, 상기 제1 단위 블록은, 반사 방지막 모듈과 레지스트 모듈을 기판의 반송로의 좌우에 구비하고, 상기 제2 단위 블록은, 상층막 모듈과 경화 모듈을 기판의 반송로의 좌우에 구비한다.

Description

도포, 현상 장치 {COATING-DEVELOPING APPARATUS}

본 발명은, 기판에 레지스트를 도포하고, 현상을 행하는 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.

반도체 제조 공정의 하나인 포토 레지스트 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 상기 레지스트 패턴을 형성하기 위한 도포, 현상 장치에는, 웨이퍼에 각종 처리를 행하기 위한 처리 모듈을 구비한 처리 블록이 형성되어 있다.

처리 블록은, 예를 들어 특허 문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, 레지스트막 등의 각종 도포막을 형성하는 단위 블록 및 현상 처리를 행하는 단위 블록을 서로 적층함으로써 구성되어 있다. 각 단위 블록에는 웨이퍼의 반송 기구가 설치되고, 당해 반송 기구에 의해 웨이퍼는 순서대로 각 단위 블록에 설치되는 처리 모듈에 전달되어 처리를 받는다.

그런데, 웨이퍼에 형성하는 패턴의 미세화가 진행됨에 따라, 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 처리 모듈은 다양화되고 있다. 웨이퍼에 레지스트를 공급해서 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 모듈이나 웨이퍼에 현상액을 공급해서 현상을 행하는 현상 모듈 등 외에도, 예를 들어 반복 포토 리소그래피를 행하기 위해 레지스트 패턴을 경화시키는 경화액을 공급하는 모듈이나, 웨이퍼의 상층에 액침 노광용 보호막을 형성하기 위한 모듈 등이 탑재되는 경우가 있다. 이렇게 다양한 종류의 모듈을 탑재한 상태에서, 어떻게 도포, 현상 장치의 설치 면적을 작게 할지가 검토되고 있다.

또한, 상기 특허 문헌 1의 도포, 현상 장치에서는, 웨이퍼는 순서대로 각 층의 모듈 간에서 반송되기 때문에, 하나의 모듈에 대해 웨이퍼의 처리를 행할 수 없게 되면, 후단의 모듈에 웨이퍼를 반송할 수 없게 되어 처리 효율이 저하될 우려가 있다. 이와 같이 처리 효율의 저하를 억제하고, 또한 설치 면적을 작게 할 수 있는 도포, 현상 장치가 요구되었다.

특허 문헌 1 : 일본 특허 출원 공개 제 2007-115831호

본 발명은 이러한 사정 하에서 이루어진 것으로, 도포, 현상 장치의 처리량의 저하를 억제하는 동시에 장치의 설치 면적을 줄일 수 있는 기술을 제공하는 것이다.

본 발명의 도포, 현상 장치는, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,　a)상기 처리 블록은, 캐리어 블록측에 배치되는 액처리계의 단위 블록군과, 이 액처리계의 단위 블록군의 인터페이스 블록측에 배치된 가열계의 블록을 구비한 것과,　b)상기 액처리계의 단위 블록군은, 제1 단위 블록과 제2 단위 블록을 이 순서대로 상측에 적층한 적층체와, 이 적층체에 대해 상하로 적층되고, 노광 후의 기판을 현상하기 위한 현상용의 단위 블록으로 구성되는 것과,　c)상기 제1 단위 블록은, 캐리어 블록측에서 인터페이스 블록측을 보는 방향을 전방으로 하면, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되어 반사 방지막용의 약액을 기판에 공급하기 위한 반사 방지막 모듈과, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되어 반사 방지막 상에 레지스트액을 공급하기 위한 레지스트 모듈과, 상기 직선 반송로를 따라 이동하고, 이들 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비한 것과,　d)상기 제2 단위 블록은, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되어 레지스트막 상에 상층막을 형성하기 위한 약액을 기판에 공급하기 위한 상층막 모듈과, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되고, 기판에 대해 1회째의 현상 처리가 실시되어 형성된 제1 레지스트 패턴을 경화시키기 위한 경화액을 기판에 공급하는 경화 모듈과, 상기 직선 반송로를 따라 이동하고, 이들 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비한 것과,　e)상기 현상용의 단위 블록은, 전후로 신장되는 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되어 현상액을 기판에 공급하기 위한 현상 모듈을 구비하는 동시에, 이들 현상 모듈은 상기 직선 반송로를 따라 이동하는 주 반송 기구에 의해 기판의 전달이 행해지는 것과,　f)상기 가열계의 블록은, 다수의 가열 모듈을 상하로 적층하고, 이들 가열 모듈에 대해, 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록에서 약액을 도포한 후의 기판을 각각 가열하는 가열 모듈과, 현상용의 단위 블록에서 현상액을 공급하기 전의 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 상하 반송 기구를 구비한 것과, g)상기 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록의 각각에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 약액의 도포 처리 후의 기판을 상기 주 반송 기구로부터 상기 상하 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지와, 상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 노광 후의 기판을 상기 상하 반송 기구로부터 상기 주 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지를 구비한 것과,　h)상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에 설치되고, 현상 후의 기판이 주 반송 기구에 의해 반출되는 전달 스테이지와, 상기 제1 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에 설치되고, 캐리어로부터 방출된 기판을 당해 제1 단위 블록의 주 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지를 구비한 것과,　i)캐리어 블록에 놓여진 캐리어로부터 취출된 기판을, 상기 제1 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측의 전달 스테이지에 전달하고, 또한 상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측의 전달 스테이지로부터 기판을 수취하기 위한 전달 기구를 구비한 것을 특징으로 한다.

상기 도포, 현상 장치는, 다음과 같이 구성할 수 있다.

(1)제1 단위 블록에 설치된 레지스트 모듈 대신에 경화 모듈이 설치되고, 제2 단위 블록에 설치된 경화 모듈 대신에 레지스트 모듈이 설치된다.

(2)상기 현상 모듈은, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 포지티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈과, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함된다.

(3)제1 회째의 레지스트 패턴 형성 처리를 행한 후, 상기 경화 모듈을 사용하고, 그 후에 제2 회째의 레지스트 패턴 형성 처리를 행하는 모드와, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈을 사용해서 레지스트 패턴을 형성하는 모드 중 어느 한쪽을 선택하기 위한 모드 선택부를 설치한다.

　또한, 본 발명의 도포, 현상 방법은, 상기 도포, 현상 장치를 사용하여, 기판에 대해 1회째의 레지스트액의 공급을 행하는 공정과, 상기 기판을 현상 처리해서 1회째의 현상 처리를 행하여 제1 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1 레지스트 패턴에 경화액을 공급하여 제1 레지스트 패턴을 경화하는 공정과, 경화된 제1 레지스트 패턴에 2회째의 레지스트액의 공급을 행하는 공정과, 상기 기판을 현상 처리해서 2회째의 현상 처리를 행하여 제2 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 도포, 현상 방법.

본 발명의 다른 도포, 현상 장치는, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,　a)상기 처리 블록은, 캐리어 블록측에 배치되는 액처리계의 단위 블록군과, 이 액처리계의 단위 블록군의 인터페이스 블록측에 배치된 가열계의 블록을 구비한 것과,　b)상기 액처리계의 단위 블록군은, 제1 단위 블록과 제2 단위 블록을 이 순서대로 상측에 적층한 적층체와, 이 적층체에 대해 서로 상하로 적층되어, 노광 후의 기판을 현상하기 위한 현상용의 단위 블록으로 구성되는 것과,　c)상기 제1 단위 블록은, 캐리어 블록측에서 인터페이스 블록측을 보는 방향을 전방으로 하면, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되어 반사 방지막용의 약액을 기판에 공급하기 위한 반사 방지막 모듈과, 상기 직선 반송로를 따라 이동하고, 이들 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비한 것과,　d)상기 제2 단위 블록은, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되어 레지스트막 상에 상층막을 형성하기 위한 약액을 기판에 공급하기 위한 상층막 모듈과, 상기 직선 반송로를 따라 이동하고, 이들 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비한 것과,　e)상기 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록의 적어도 한쪽의 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되어 반사 방지막 상에 레지스트액을 공급하기 위한 레지스트 모듈과, f)상기 현상용의 단위 블록은, 전후로 신장되는 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되어 현상액을 기판에 공급하기 위한 현상 모듈을 구비하는 동시에, 이들 현상 모듈은 상기 직선 반송로를 따라 이동하는 주 반송 기구에 의해 기판의 전달이 행해지는 것과,　g)상기 가열계의 블록은, 다수의 가열 모듈을 상하로 적층하고, 이들 가열 모듈에 대해, 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록에서 약액을 도포한 후의 기판을 각각 가열하는 가열 모듈과, 현상용의 단위 블록에서 현상액을 공급하기 전의 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 상하 반송 기구를 구비한 것과,　h)상기 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록의 각각에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 약액의 도포 처리 후의 기판을 상기 주 반송 기구로부터 상기 상하 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지와, 상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 노광 후의 기판을 상기 상하 반송 기구로부터 상기 주 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지를 구비한 것과,　i)상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에 설치되고, 현상 후의 기판이 주 반송 기구에 의해 반출되는 전달 스테이지와, 상기 제1 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에 설치되고, 캐리어로부터 방출된 기판을 당해 제1 단위 블록의 주 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지를 구비한 것과,　j)캐리어 블록에 놓여진 캐리어로부터 취출된 기판을, 상기 제1 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측의 전달 스테이지에 전달하고, 또한 상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측의 전달 스테이지로부터 기판을 수취하기 위한 전달 기구와,　k)상기 현상 모듈은, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 포지티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈과, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함되는 것을 구비한 것을 특징으로 한다.

예를 들어, 현상용의 단위 블록은 복수 설치되고, 복수의 현상용 단위 블록 중 하나는, 포지티브형 레지스트를 현상하는 전용의 단위 블록이며, 복수의 현상용 단위 블록 중 다른 하나는, 네거티브형 레지스트를 현상하는 전용의 단위 블록이다.

본 발명의 다른 도포, 현상 방법은, 상기 도포, 현상 장치를 사용하여, 레지스트 모듈에서 기판에 네거티브형 레지스트 또는 포지티브형 레지스트를 도포하는 공정과, 네거티브형 레지스트가 도포된 기판을, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈에 반송하는 공정과, 포지티브형 레지스트가 도포된 기판을, 포지티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈에 반송하는 공정을 구비한 것을 특징으로 한다.

본 발명의 또 다른 도포, 현상 장치는, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,　a)상기 처리 블록은, 캐리어 블록측에 배치되는 액처리계의 단위 블록군과, 이 액처리계의 단위 블록군의 인터페이스 블록측에 배치된 가열계의 블록을 구비한 것과,　b)상기 액처리계의 단위 블록군은, 반사 방지막을 기판에 형성하기 위한 반사 방지막용의 단위 블록과, 상기 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막용의 단위 블록과, 레지스트막 상에 상층막을 형성하기 위한 상층막용의 단위 블록을 이 순서대로 상측에 적층한 도포막용의 단위 블록군과, 이 도포막용의 단위 블록군에 대해 서로 상하로 적층되어, 노광 후의 기판을 현상하기 위한 현상용의 단위 블록으로 구성되는 것과,　c)상기 도포막용의 단위 블록군의 각각은, 캐리어 블록측에서 인터페이스 블록측을 보는 방향을 전방으로 하면, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되어 각 도포막에 대응하는 약액을 기판에 공급하기 위한 액처리 모듈과, 상기 직선 반송로를 따라 이동하고, 이들 액처리 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비한 것과,　d)상기 현상용의 단위 블록은, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되어 현상액을 기판에 공급하기 위한 현상 모듈과, 상기 직선 반송로를 따라 이동하고, 이들 현상 모듈 간에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비한 것과,　e)상기 가열계의 블록은, 다수의 가열 모듈을 상하로 적층하고, 이들 가열 모듈에 대해 도포막용의 단위 블록군의 각 단위 블록에서 약액을 도포한 후의 기판을 각각 가열하는 가열 모듈과, 현상용의 단위 블록에서 현상액을 공급하기 전의 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 상하 반송 기구를 구비한 것과,　f)상기 도포막용의 단위 블록군의 각각에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 약액의 도포 처리 후의 기판을 상기 주 반송 기구로부터 상기 상하 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지와, 상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 노광 후의 기판을 상기 상하 반송 기구로부터 상기 주 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지와,　g)상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에 설치되고, 현상 후의 기판이 주 반송 기구에 의해 반출되는 전달 스테이지와, 상기 반사 방지막용의 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에 설치되고, 캐리어로부터 방출된 기판을 당해 단위 블록의 주 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지와,　h)캐리어 블록에 놓여진 캐리어로부터 취출된 기판을, 상기 반사 방지막용의 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측의 전달 스테이지에 전달하고, 또한 상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측의 전달 스테이지로부터 기판을 수취하기 위한 전달 기구와,　i)하기의 [i-1], [i-2], [i-3] 중 어느 하나의 구성을 구비한 것과, [i-1]기판에 대해 1회째의 현상 처리가 실시되어 형성된 제1 레지스트 패턴을 경화시키기 위한 경화액을 기판에 공급하는 경화 모듈을 설치하고, 현상 모듈은 모두 포지티브 레지스트용의 레지스트를 현상하기 위한 것이다.

[i-2]상기 경화 모듈을 설치하고, 현상 모듈로는, 포지티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈과, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함된다.

[i-3]상기 경화 모듈은 설치되지 않고, 현상 모듈로는, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함된다.

j)상기 [i-1], [i-2]에서의 경화 모듈은, 도포막용의 단위 블록군 또는 현상용의 단위 블록에 대해 상하 방향으로 적층된 단위 블록 중에 배치되고, 당해 단위 블록에는 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된 상기 경화 모듈과, 이들 경화 모듈 간에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비하고, 또한 상기 [i-2]에서의 현상 모듈은, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 포지티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈과, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함되는 것과, 상기 [i-3]에서의 현상 모듈은, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함되는 것을 구비한 것을 특징으로 한다.

상기 도포, 현상 장치에 있어서, [i-2]의 구성을 채용하여 제1 회째의 레지스트 패턴 형성 처리를 행한 후, 상기 경화 모듈을 사용하고, 그 후에 제2 회째의 레지스트 패턴 형성 처리를 행하는 모드와, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈을 사용해서 레지스트 패턴을 형성하는 모드 중 어느 한쪽을 선택하기 위한 모드 선택부를 설치해도 좋다.

또 다른 본 발명의 도포, 현상 방법은, 상기 도포, 현상 장치를 사용하여 이하의 공정을 행하는 것을 특징으로 한다.

(4)기판에 대해 1회째의 포지티브형의 레지스트액의 공급을 행하는 공정과, 상기 기판을 현상 처리해서 1회째의 현상 처리를 행하여 제1 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1 레지스트 패턴에 경화액을 공급하여 제1 레지스트 패턴을 경화하는 공정과, 경화된 제1 레지스트 패턴에 2회째의 포지티브형의 레지스트액의 공급을 행하는 공정과, 상기 기판을 현상 처리해서 2회째의 현상 처리를 행하여 제2 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 구비한다.

(5)제1 기판에 대해 네거티브형의 레지스트액의 공급을 행하는 공정과, 상기 제1 기판을 현상 처리하는 공정을 구비한다.

(6)(5)의 각 공정 외에도, 제2 기판에 대해 1회째의 포지티브형의 레지스트액의 공급을 행하는 공정과, 상기 제2 기판을 현상 처리해서 1회째의 현상 처리를 행하여 제1 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 상기 제1 레지스트 패턴에 경화액을 공급하여 제1 레지스트 패턴을 경화하는 공정과, 경화된 제1 레지스트 패턴에 2회째의 포지티브형의 레지스트액의 공급을 행하는 공정과, 상기 제1 기판을 현상 처리해서 2회째의 현상 처리를 행하여 제2 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 구비한다.

본 발명의 도포, 현상 장치는, 반사 방지막 모듈 및 레지스트 모듈을 포함한 제1 단위 블록과, 상층막을 형성하는 모듈과 레지스트 패턴을 경화시키는 모듈을 포함한 제2 단위 블록을 적층한 적층체에 현상용의 단위 블록이 더 적층되고, 이들 각 모듈은 기판을 반송하는 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되어 있다. 따라서, 장치의 설치 면적을 줄일 수 있으며, 또한 한쪽의 모듈을 사용할 수 없을 시에 다른 쪽의 모듈에서 처리를 행할 수 있으므로, 처리량의 저하를 막을 수 있다.

본 발명의 다른 도포, 현상 장치에 대해서도, 반사 방지막 모듈, 레지스트 모듈, 상층막을 형성하는 모듈을 포함하는 제1 및 제2 단위 블록으로 이루어지는 적층체에, 포지티브용의 레지스트, 네거티브용의 레지스트를 각각 현상하는 현상 모듈을 포함한 현상용의 단위 블록이 적층되고, 각 모듈은 기판을 반송하는 반송로의 좌우 양측에 배치되어 있다. 따라서, 장치의 설치 면적을 줄일 수 있고, 처리량의 저하를 막을 수 있다.

본 발명의 또 다른 도포, 현상 장치에 대해서도, 반사 방지막용의 단위 블록과, 레지스트막용의 단위 블록과, 상층막용의 단위 블록과, 현상용의 단위 블록의 적층체에, 경화 모듈을 포함한 단위 블록이 더 적층되거나, 상기 현상용 단위 블록은 적어도 네거티브용의 레지스트를 현상하는 현상 모듈을 구비하도록 구성되고, 각 단위 블록에서 모듈이 기판의 반송로의 좌우 양측에 배치되어 있으므로, 장치의 설치 면적을 줄일 수 있고, 처리량의 저하를 막을 수 있다.

도 1은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 도포, 현상 장치의 평면도이다.
도 2는 상기 도포, 현상 장치의 사시도이다.
도 3은 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 4는 상기 도포, 현상 장치의 전방측 블록의 종단 측면도이다.
도 5는 상기 도포, 현상 장치의 액처리 블록의 종단 정면도이다.
도 6은 상기 도포, 현상 장치의 가열 처리 블록의 종단 정면도이다.
도 7은 상기 도포, 현상 장치의 보조 블록의 종단 정면도이다.
도 8은 상기 보조 블록의 평면도이다.
도 9는 상기 도포, 현상 장치의 인터페이스 블록의 종단 정면도이다.
도 10은 상기 도포, 현상 장치의 제어부의 구성도이다.
도 11은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도이다.
도 12는 웨이퍼가 노광되는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 13은 웨이퍼가 노광되는 모습을 도시하는 설명도이다.
도 14는 정상 시에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도이다.
도 15는 액처리 모듈의 이상 시에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도이다.
도 16은 제2 실시 형태에 관한 도포, 현상 장치의 평면도이다.
도 17은 상기 도포, 현상 장치의 사시도이다.
도 18은 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도이다.
도 19는 상기 도포, 현상 장치의 전방측 블록의 종단 측면도이다.
도 20은 상기 도포, 현상 장치의 액처리 블록의 평면도이다.
도 21은 상기 도포, 현상 장치의 액처리 블록의 평면도이다.
도 22는 상기 도포, 현상 장치의 액처리 블록의 평면도이다.
도 23은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도이다.
도 24는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도이다.
도 25는 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도이다.
도 26은 상기 도포, 현상 장치에 의해 처리되는 웨이퍼의 표면도이다.
도 27은 상기 도포, 현상 장치에 의해 처리되는 웨이퍼의 표면도이다.
도 28은 상기 도포, 현상 장치에 의해 처리되는 웨이퍼의 표면도이다.
도 29는 상기 도포, 현상 장치의 변형예의 액처리 블록의 평면도이다.
도 30은 상기 도포, 현상 장치의 변형예의 액처리 블록의 평면도이다.
도 31은 제1 실시 형태에 경화 모듈을 적용한 개략도이다.
도 32는 제1 실시 형태에 경화 모듈을 적용한 개략도이다.

(제1 실시 형태)

본 발명에 관한 도포, 현상 장치(1)에 대해 설명한다. 도 1은, 본 발명의 도포, 현상 장치(1)를 레지스트 패턴 형성 장치에 적용한 경우의 일 실시 형태의 평면도를 나타내며, 도 2는 동 개략 사시도, 도 3은 동 개략 측면도이다. 상기 도포, 현상 장치(1)는, 기판인 웨이퍼(W)가 예를 들어 25장 밀폐 수납된 캐리어(C)를 반입출하기 위한 캐리어 블록(S1)과, 웨이퍼(W)에 대해 처리를 행하기 위한 처리 블록(S20)과, 보조 블록(S5)과, 인터페이스 블록(S6)을 직선 형상으로 배열하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(S6)에는, 액침 노광을 행하는 노광 장치(S7)가 접속되어 있다.

상기 캐리어 블록(S1)에는, 상기 캐리어(C)를 적재하는 적재대(11)와, 상기 적재대(11)에서 봤을 때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 아암(13)이 설치되어 있다. 전달 아암(13)은, 상하 방향에 5개의 웨이퍼 유지부(14)를 구비하여, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 캐리어(C)의 배열 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 전달 아암(13)은, 캐리어(C)로부터 5장씩 웨이퍼(W)를 처리 블록(S20)의 전달 모듈(BU11)에 일괄적으로 전달한다. 또한, 웨이퍼(W)를 적재할 수 있는 장소를 모듈이라 기재하고, 이 모듈 중 웨이퍼(W)에 대해 가열, 액처리, 가스 공급 등의 처리를 행하는 모듈을 처리 모듈이라 기재한다. 또한, 처리 모듈 중, 웨이퍼(W)에 약액이나 세정액을 공급하는 모듈을 액처리 모듈이라 기재한다.

처리 블록(S20)은, 캐리어 블록(S1)측으로부터 보조 블록(S5)측을 향해 배열된 전방측 블록(S2)과, 액처리 블록(S3)과, 가열계의 블록인 가열 처리 블록(S4)에 의해 구성된다. 도 4는, 전방측 블록(S2)의 종단 측면도를 나타내고 있다. 전방측 블록(S2)에는 복수의 모듈이 적층된 선반 유닛(U1, U2)이 설치되어 있고, 선반 유닛(U1, U2)은 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S6)을 향하는 방향과 직교하는 방향을 따라 배열되어 있다.

선반 유닛(U1, U2)에는 소수화 처리 모듈(ADH)이, 예를 들어 액처리 블록(S3)을 구성하는 후술하는 제1 액처리 단위 블록(B1)과 동일한 높이에 배치되어 있다. 소수화 처리 모듈(ADH)은, 웨이퍼(W)의 베벨부(둘레 단부)를 포함하는 표면에 처리 가스를 공급하여 상기 표면의 소수성을 향상시켜, 액침 노광 시에 당해 둘레 단부로부터 각 막의 벗겨짐을 억제하기 위한 모듈이다.

또한, 예를 들어 선반 유닛(U1)에는 전달 모듈(BU11, BU12)이 설치되어 있고, 이들 전달 모듈(BU11, BU12)은, 각각 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)가 전달되는 모듈, 캐리어(C)에 웨이퍼(W)를 복귀시키기 위한 모듈이다. 전달 모듈(BU11)은, 상술한 전달 아암(13)으로부터 반송된 웨이퍼(W)를 일괄적으로 수취하기 위해서, 상하 방향에 5개의 웨이퍼(W)의 유지부를 구비하고 있다. 전달 모듈(BU11)에 반송된 웨이퍼(W)는, 1장씩 전달 모듈(BU11)로부터 취출되어 처리를 받는다. 또한, BU라고 기재한 전달 모듈은, 복수 장의 웨이퍼(W)를 각각 적재하는 스테이지를 구비하여, 적재한 웨이퍼(W)를 체류시킬 수 있다.

선반 유닛(U1, U2) 사이에 끼워지도록 전달 아암(15)이 설치되어 있다. 상기 전달 아암(15)은 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 그리고 진퇴 가능하게 구성되어 있다. 전달 아암(15)은, 선반 유닛(U1, U2) 및 후술하는 U3의 각 모듈 간에서 웨이퍼(W)를 전달한다.

액처리 블록(S3)에 대해 그 종단 측면도인 도 5를 참조하면서 설명한다. 액처리 블록(S3)은, 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제1~제5 액처리 단위 블록(B1~B5)이 밑에서부터 순서대로 적층되어 구성되어 있고, 각 액처리 단위 블록(B1~B5)은 구획벽에 의해 구획되어 있다. 각 액처리 단위 블록(B1~B5)은, 거의 마찬가지로 구성되어 있다. 도 1에서는 제2 액처리 단위 블록(B2)에 대해 도시하고 있으며, 이하, 대표적으로 이 제2 액처리 단위 블록(B2)에 대해 설명한다. 캐리어 블록(S1)측을 전방측, 인터페이스 블록(S6)측을 후방측이라고 하면, 상기 제2 액처리 단위 블록(B2)의 중앙에는, 전후 방향을 향한 직선 형상의 반송로인 반송 영역(R1)이 형성되어 있고, 이 반송 영역(R1)을 좌우에서 사이에 끼우도록 레지스트막 형성 모듈(레지스트 모듈)(COT1, COT2)이 서로 대향해서 설치되어 있다.

상기 반송 영역(R1)에는, 주 반송 기구인 메인 아암(A2)이 설치되어 있다. 이 메인 아암(A2)은, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능 및 전후 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있어, 제2 액처리 단위 블록(B2)의 각 모듈 간에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.

레지스트막 형성 모듈(COT1)은, 전후 방향으로 2개의 스핀 척(22)을 구비하고 있으며, 스핀 척(22)은, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착 유지하는 동시에 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 도면 중 23은 처리 컵이며, 상측이 개방되어 있다. 처리 컵(23)은, 스핀 척(22)의 주위를 둘러싸서 레지스트의 비산을 억제한다. 웨이퍼(W)를 처리할 때에는, 당해 처리 컵(23) 내에 웨이퍼(W)가 수용되고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부는 스핀 척(22)에 유지된다.

또한, 레지스트막 형성 모듈(COT1)에는, 각 처리 컵(23)에서 공용되는 노즐(24, 25)이 설치되어 있다. 노즐(24)은 포지티브형 레지스트를, 노즐(25)은 네거티브형 레지스트를 웨이퍼(W)에 공급한다. 도면 중 26은 노즐(24, 25)을 지지하는 아암이며, 도면 중 27은 구동 기구이다. 구동 기구(27)는, 아암(26)을 통해 노즐(24, 25)을 각 처리 컵(23)의 배열 방향으로 이동시키는 동시에 아암(26)을 통해 노즐(24, 25)을 승강시킨다. 구동 기구(27)에 의해, 노즐(24, 25)은 레지스트막 형성 모듈(COT1)의 각 처리 컵(23) 사이를 이동하여, 각 스핀 척(22)에 전달된 웨이퍼(W)의 중심으로 네거티브형 레지스트 또는 포지티브형 레지스트를 토출한다. 토출된 레지스트는, 상기 스핀 척(22)에 의해 연직축 주위로 회전하는 웨이퍼(W)의 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 둘레로 퍼져나가 레지스트막이 성막된다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 레지스트막 형성 모듈(COT1)은, 웨이퍼(W)의 둘레 단부에 용제를 공급하여 당해 둘레 단부의 불필요한 막을 제거하는 노즐을 구비하고 있다. 레지스트막 형성 모듈(COT2)은, 레지스트막 형성 모듈(COT1)과 마찬가지로 구성되어 있다.

각 액처리 단위 블록(B1, B3~B5)에 대해 간단히 설명한다. 각 액처리 단위 블록(B1, B3~B5)은, 액처리 단위 블록(B2)과 마찬가지의 레이아웃으로 각 모듈이 배치되어 있다. 즉, 상술한 각 액처리 모듈이, 반송 영역(R1)을 사이에 두고 서로 대향하고 있다. 또한, 각 액처리 단위 블록(B1~B5)에 설치되는 메인 아암(A1~A4)은, 서로 독립적으로 모듈 간에서 웨이퍼(W)를 반송한다. 제1 액처리 단위 블록(B1)은, 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2) 대신에 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)을 구비하는 것을 제외하고, 제2 액처리 단위 블록(B2)과 마찬가지로 구성되어 있다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)은, 노즐(24)로부터 반사 방지막 형성용의 약액을 웨이퍼(W)에 공급하여, 당해 웨이퍼(W)에 반사 방지막을 형성하는 것을 제외하고, 레지스트막 형성 모듈과 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 이들 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)은, 각각 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)을 2개씩 구비하고 있고, 2개의 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)에 대해 노즐이 공유되어 있다.

제3 액처리 단위 블록(B3)은, 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2) 대신에 상층막 모듈인 보호막 형성 모듈(ITC1, ITC2)을 구비하는 것을 제외하고, 제2 액처리 단위 블록(B2)과 마찬가지로 구성되어 있다. 보호막 형성 모듈(ITC1, ITC2)은, 노즐(24)로부터 발수성의 보호막을 형성하기 위한 약액을 웨이퍼(W)에 공급하여, 당해 웨이퍼(W)에 상기 보호막을 형성한다.

제4 액처리 단위 블록(B4)은, 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2) 대신에 네거티브 현상 모듈(NDEV1, NDEV2)을 구비하는 것을 제외하고, 제2 액처리 단위 블록(B2)과 마찬가지로 구성되어 있다. 네거티브 현상 모듈(NDEV)은, 네거티브형의 레지스트를 현상하는 모듈이며, 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있다. 단, 현상 모듈(DEV1, DEV2)의 상기 노즐(24)로부터는, 레지스트 대신에 네거티브형의 레지스트를 현상하는 현상액이 공급된다.

제5 액처리 단위 블록(B5)은, 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2) 대신에 네거티브 현상 모듈(NDEV3, NDEV4)을 구비하는 것을 제외하고, 제2 액처리 단위 블록(B2)과 마찬가지로 구성되어 있다. 제4 액처리 단위 블록(B4)의 반송 영역(R1)과, 제5 액처리 단위 블록(B1)의 반송 영역(R1)은 서로 접속되어 있다. 그리고, 액처리 단위 블록(B4, B5)에서 공용인 메인 아암(A4)이 설치되어 있다. 메인 아암(A4)은, 메인 아암(A2)과 마찬가지로 구성되어 있지만, 차이점으로서 당해 메인 아암(A4)은 액처리 단위 블록(B4, B5) 사이를 승강할 수 있어, 이들 액처리 단위 블록(B4, B5)의 각 모듈에 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다.

액처리 블록(S3)에 있어서, 캐리어 블록(S1)측에는, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 각 액처리 단위 블록(B1~B5)에 걸쳐서 선반 유닛(U3)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U3)은, 다수의 적층된 모듈로 이루어지며, 메인 아암(A1)이 액세스할 수 있는 높이 위치에 전달 모듈(CPL11)이 설치되고, 메인 아암(A4)이 액세스할 수 있는 높이 위치에 전달 모듈(CPL12)이 설치되어 있다. 이들 선반 유닛(U3)의 전달 모듈을 통해 액처리 블록(S3)과 전방측 블록(S2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 또한, CPL이라고 기재한 전달 모듈은, 적재한 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 스테이지를 구비하고 있다. 후술하는 전달 모듈(TRS)은, 웨이퍼(W)를 적재하는 스테이지를 구비하고 있다.

액처리 블록(S3)에 있어서, 인터페이스 블록(S6)측에는, 도 1 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 액처리 단위 블록(B1~B5)에 걸쳐서 상하 방향으로 선반 유닛(U4)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U4)은, 복수의 적층된 모듈로 이루어지며, 액처리 단위 블록(B1~B5)의 높이 위치에는 각각 전달 모듈(BU31~BU34)이 설치되어 있다. 각 액처리 단위 블록(B1~B5)에서, 웨이퍼(W)의 반송처의 액처리 모듈이 사용중이거나 메인터넌스중으로, 신속하게 웨이퍼(W)를 각 액처리 모듈에 반입할 수 없을 때에는, 상기 웨이퍼(W)를 각 액처리 모듈에 반입하기 전에, 상기 전달 모듈(BU31~BU34)에 일단 대피시킨다.

선반 유닛(U4)에 있어서, 액처리 단위 블록(B1)의 높이 위치에는 전달 모듈(TRS11)이 설치되어 있다. 액처리 단위 블록(B2)의 높이 위치에는 전달 모듈(TRS12, TRS13)이 설치되어 있다. 액처리 단위 블록(B3)의 높이 위치에는 전달 모듈(TRS14, TRS15)이 설치되어 있다. 액처리 단위 블록(B4, B5)의 높이 위치에는 각각 전달 모듈(TRS16, TRS17)이 설치되어 있다. 이들 선반 유닛(U4)의 전달 모듈(TRS)를 통해 액처리 블록(S3)과 가열 처리 블록(S4)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다.

가열 처리 블록(S4)에 대해 종단 측면도인 도 6을 참조하면서 설명한다. 가열 처리 블록(S4)은, 웨이퍼(W)에 가열 처리를 행하는 제1~제4 가열 처리 단위 블록(C1~C4)이 밑에서부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 가열 처리 단위 블록(C1~C4)은 서로 구획벽에 의해 구획되고, 가열 처리 단위 블록(C1)은, 액처리 단위 블록(B1~B2)에 인접해서 설치되어 있다. 가열 처리 단위 블록(C2)은, 액처리 단위 블록(B3)에 인접해서 설치되어 있다. 또한, 가열 처리 단위 블록(C3, C4)은 각각 액처리 단위 블록(B4, B5)에 각각 인접하고 있다. 이들 가열 처리 단위 블록(C1~C4)은, 가열 모듈과, 단위 블록용의 반송 수단인 메인 아암(D)과, 상기 메인 아암(D)이 이동하는 반송 영역(R2)을 구비하고 있다.

제1~제4 가열 처리 단위 블록(C1~C4)은 서로 거의 마찬가지로 구성되어 있으며, 여기서는 대표적으로 도 1에 도시한 제1 가열 처리 단위 블록(C1)에 대해 설명한다. 제1 가열 처리 단위 블록(C1)의 중앙에는, 상기 반송 영역(R2)이 전후 방향으로 형성되어 있다. 그리고, 이 반송 영역(R2)에 따라 선반 유닛(U11~U13) 및 선반 유닛(U14~U16)이 배열되어 있다. 선반 유닛(U11~U13) 및 선반 유닛(U14~U16)은, 반송 영역(R2)을 사이에 두도록 서로 대향하고 있으며, 각 선반 유닛(U11~U16)은, 예를 들어 4기 적층된 가열 모듈을 포함하고 있다. 상기 반송 영역(R2)에는 메인 아암(D1)이 설치되어 있다. 상기 메인 아암(D1)은, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 전후 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 상기 메인 아암(D1)에 대해서는 상세하게 후술한다.

상기 가열 모듈은, 적재된 웨이퍼(W)를 가열하는 열판(31)과, 당해 열판(31)과 후술하는 메인 아암(D1)의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 냉각 플레이트(32)를 구비하며, 열판(31)에서 가열된 웨이퍼(W)는, 냉각 플레이트(32)에 전달되어 냉각된 후, 메인 아암(D1)에 전달된다. 도 6에서는, 제1 가열 처리 단위 블록(C1)에 있어서 반사 방지막 형성 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈을 CHP, 레지스트막 형성 후에 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 모듈을 PAB로 하여 각각 도시하고 있다.

다음으로 제2 가열 처리 단위 블록(C2)에 대해 설명한다. 제2 가열 처리 단위 블록(C2)은, 제1 가열 처리 단위 블록(C1)과 거의 마찬가지로 구성되어 있으며, 차이점으로서 선반 유닛(U14~U16)을 구성하는 가열 모듈이 2단으로 설치되어 있다. 상기 가열 모듈은, 보호막 형성 후의 웨이퍼(W)를 가열하는 모듈이며, 도면 중에 CHP로서 나타내고 있다. 또한, 상기 제2 가열 처리 단위 블록(C2)에서는, 제1 가열 처리 단위 블록(C1)과 메인 아암(D1)을 공유하고 있으며, 상기 메인 아암(D1)은, 가열 처리 단위 블록(C1, C2)에 설치되는 각 모듈과, 상기 선반 유닛(U4)에 있어서 가열 처리 단위 블록(C1, C2)의 높이에 설치되는 각 모듈과, 후술하는 선반 유닛(U5)에 있어서 가열 처리 단위 블록(C1, C2)의 높이에 설치되는 각 모듈과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다.

제3 가열 처리 단위 블록(C3)은, 제2 가열 처리 단위 블록(C2)과 마찬가지로 구성되어 있으며, 차이점으로서 고유한 메인 아암(D2)을 구비하고 있다. 메인 아암(D2)은, 가열 처리 단위 블록(C3)에 설치되는 각 모듈과, 상기 선반 유닛(U4)에 있어서 가열 처리 단위 블록(C3)의 높이에 설치되는 각 모듈과, 선반 유닛(U5)에 있어서 가열 처리 단위 블록(C3)의 높이에 설치되는 각 모듈과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 또한, 각 선반 유닛(U11~U16)을 구성하는 가열 모듈은, 노광 후에 가열을 행하는 가열 모듈 및 현상 후에 가열을 행하는 가열 모듈이며, 도면 중에서 PEB, POST로서 각각 기재하고 있다. 제4 가열 처리 단위 블록(C4)은, 제3 가열 처리 단위 블록(C3)과 마찬가지로 구성되어 있으며, 메인 아암(D2)에 대응하는 메인 아암(D3)을 구비하고 있다. 메인 아암(D1~D3)은 상하 반송 기구를 구성한다.

계속해서, 보조용 처리 블록(S5)에 대해 그 종단 측면도인 도 7을 참조하면서 설명한다. 상기 보조 처리용 블록(S5)은, 제1~제5 보조 단위 블록(E1~E5)이 밑에서부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 각 보조 단위 블록(E1~E5)은, 서로 구획벽에 의해 구획되고, 제1, 제2 보조 단위 블록(E1, E2)은, 상기 가열 처리 단위 블록(C1)에 인접하고 있다. 제3~제5 보조 단위 블록(E3~E5)은, 제2~제4 가열 처리 단위 블록(C2~C4)에 각각 인접해서 설치되어 있다.

도 1에 도시한 제2 보조 단위 블록(E2)에 대해 설명하면, 제2 보조 단위 블록(E2)의 중앙에는, 반송 영역(R3)이 전후를 향해 형성되어 있고, 상기 반송 영역(R3)을 사이에 두도록 이면 세정 모듈(BST1, BST2)이 서로 대향해서 설치되어 있다. 각 이면 세정 모듈(BST)은, 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과 마찬가지로 구성되어 있으며, 2개의 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)을 구비하고 있다. 또한, 노즐(24)이 설치되는 대신에, 처리 컵(23)마다 웨이퍼(W)의 이면 및 베벨부에 세정액을 공급해서 세정을 행하는 도시하지 않은 노즐을 구비하고 있다. 상기 반송 영역(R3)에는 메인 아암(F1)이 설치되어, 진퇴 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 전후 방향으로 이동 가능 및 승강 가능하게 구성되어 있다.

제1 보조 단위 블록(E1)은 제2 보조 단위 블록(E2)과 마찬가지로 반송 영역(R3)을 구비하고 있지만, 액처리 모듈은 구비하지 않고 있다. 제3 보조 단위 블록(E3)은, 제2 보조 단위 블록(E2)과 마찬가지로 구성되어 있으며, 이면 세정 모듈(BST1, BST2)에 대응하는 이면 세정 모듈(BST3, BST4)을 각각 구비하고 있다. 또한, 제1~제3 보조 단위 블록(E1~E3)의 반송 영역(R3)은 서로 접속되어, 제1~제3 보조 단위 블록(E1~E3)은 상기 메인 아암(F1)을 공유하고 있다. 그리고, 메인 아암(F1)은, 제1~제3 보조 단위 블록(E1~E3)에 설치되는 각 모듈과, 후술하는 선반 유닛(U5, U6)에 있어서 제1~제3 보조 단위 블록(E1~E3)과 동일한 높이 위치에 있는 각 모듈과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.

도 8에는 제4 보조 단위 블록(E4)의 평면도를 도시하고 있다. 제4 보조 단위 블록(E4)은, 제2 보조 단위 블록(E2)과 마찬가지로 반송 영역(R3)을 구비하고 있다. 또한, 제2 보조 단위 블록(E2)과의 차이점으로서, 이면 세정 모듈(BST) 대신에 현상 모듈(DEV1) 및 노광 후 세정 모듈(PIR1, PIR2)을 구비하고 있다. 노광 후 세정 모듈(PIR1, PIR2)이 반송 영역(R3)에 면하도록 전후 방향을 따라 배열되고, 현상 모듈(DEV1)은 반송 영역(R3)을 사이에 두고 이들 노광 후 세정 모듈(PIR1, PIR2)에 대향하도록 설치되어 있다.

노광 후 세정 모듈(PIR1, PIR2)은, 웨이퍼(W)에 보호막 제거 또는 세정용의 처리액을 공급하는 모듈이며, 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있지만, 1개의 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)에 대해 1개의 노즐(24)이 설치되어 있다. 현상 모듈(DEV1)은, 레지스트막 형성 모듈(COT1)과 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 2개의 처리 컵(23)에 대해 1개의 노즐(24)이 공유되어 있다. 단, 현상 모듈(DEV1, DEV2)의 상기 노즐(24)로부터는, 레지스트 대신에 포지티브형의 레지스트를 현상하는 현상액이 공급된다.

제5 보조 단위 블록(E5)은, 현상 모듈(DEV1)에 대응하는 현상 모듈(DEV2)과, 노광 후 세정 모듈(PIR1, PIR2)에 대응하는 노광 후 세정 모듈(PIR3, PIR4)을 구비하고 있다. 제4, 제5 보조 단위 블록(E4, E5)은, 메인 아암(F1)에 대응하는 메인 아암(F2)을 공유하고 있다. 메인 아암(F2)은, 제4, 제5 보조 단위 블록(E4, E5)에 설치되는 각 모듈과, 후술하는 선반 유닛(U5, U6)에 있어서 제4, 제5 보조 단위 블록(E4, E5)과 동일한 높이 위치에 있는 각 모듈과의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.

각 층의 반송 영역(R3)의 캐리어 블록(S1)측에는, 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 제1~제5 보조 단위 블록(E1~E5)에 걸쳐서 선반 유닛(U5)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U5)에는, 메인 아암(F1)이 액세스 가능한 위치에 전달 모듈(CPL31)이 설치되어 있다. 또한, 메인 아암(F2)이 액세스 가능한 위치에 전달 모듈(CPL32, CPL33)이 설치되어 있다.

인터페이스 블록(S6)에 대해 그 종단 측면도인 도 7을 참조하면서 설명한다. 인터페이스 블록(S6)에는, 복수의 적층된 모듈로 이루어지는 선반 유닛(U6)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U6)에 있어서, 상기 메인 아암(F2)이 액세스할 수 있는 높이 위치에 전달 모듈(TRS21)이 설치되고, 메인 아암(F1)이 액세스할 수 있는 높이 위치에 전달 모듈(TRS22)이 설치되어 있다. 또한, 선반 유닛(U6)에는 전달 모듈(BU41, BU42, CPL41, CPL42)이 설치되어 있다.

또한, 인터페이스 블록(S6)에는 인터페이스 아암(35, 36)이 설치되어 있다. 인터페이스 아암(35, 36)은 회전 가능, 승강 가능 및 진퇴 가능하게 구성되어 있고, 또한 인터페이스 아암(35)은, 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 인터페이스 아암(35)은, 노광 장치(S7), 전달 모듈(CPL41, CPL42)에 액세스하여 이들 간에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 인터페이스 아암(36)은, 선반 유닛(U6)을 구성하는 각 모듈에 액세스하여 이들 모듈 간에서 웨이퍼(W)를 전달한다.

계속해서, 도포, 현상 장치(1)에 설치된 제어부(51)에 대해 도 10을 참조하면서 설명한다. 도면 중에서 50은 버스이다. 제어부(51)는 프로그램(52), 메모리(53), CPU(54) 등을 구비하고 있고, 상기 프로그램(52)에는, 제어부(51)로부터 도포, 현상 장치(1)의 각 모듈 및 반송 수단에 제어 신호를 보내고, 후술하는 웨이퍼(W)의 반송 및 처리를 진행시키도록 명령(각 단계)이 내장되어 있다. 상기 프로그램(52)(처리 파라미터의 입력 조작이나 표시에 관한 프로그램도 포함)은, 컴퓨터 기억 매체, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크), 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되어 제어부(51)에 인스톨된다.

상기 메모리(53)에는, 웨이퍼(W)의 ID와, 당해 웨이퍼(W)의 반송처의 모듈과, 반송되는 모듈의 순서가 서로 대응된 반송 스케줄이 기억되는 기억 영역(55)이 설치된다. 또한, 제어부(51)는 모드 선택부(56)를 구비하고 있다. 상기 모드 선택부(56)로부터 예를 들어 웨이퍼(W)의 로트마다 처리 모드를 선택할 수 있다. 이 처리 모드로는, 웨이퍼(W)에 레지스트막 형성 모듈(COT)에서 네거티브형 레지스트를 도포하고, 네거티브 현상 모듈(NDEV)에서 현상 처리를 행하는 네거티브 현상 처리 모드와, 웨이퍼(W)에 레지스트막 형성 모듈(COT)에서 포지티브형 레지스트를 도포하고, 현상 모듈(DEV)에서 현상 처리를 행하는 포지티브 현상 처리 모드가 있다. 상기 반송 스케줄은, 이렇게 선택한 처리 모드에 기초하여 결정된다.

계속해서, 도포, 현상 장치(1)에 있어서, 사용자가 네거티브 현상 처리 모드를 선택한 경우의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 설명한다. 도 11에는, 이 반송 경로를 점선으로 나타내고 있으며, 상기 도 11을 참조하면서 설명한다. 캐리어(C)로부터 전달 아암(13)에 의해 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BU11)에 전달된 웨이퍼(W)는, 전달 아암(15)→선반 유닛(U1, U2)의 소수화 처리 모듈(ADH)의 순서대로 반송되어 소수화 처리된다. 소수화 처리 후, 웨이퍼(W)는 전달 아암(15)→선반 유닛(U3)의 전달 모듈(CPL11)→제1 액처리 단위 블록(B1)의 메인 아암(A1)→반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)의 순서대로 반송되어, 당해 웨이퍼(W)에 반사 방지막이 형성된다.

반사 방지막 형성 후 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A1)→선반 유닛(U4)의 전달 모듈(TRS11)→제1 가열 처리 단위 블록(C1)의 메인 아암(D1)→가열 모듈(CHP)→메인 아암(D1)→선반 유닛(U4)의 전달 모듈(TRS12)→제2 액처리 단위 블록(B2)의 메인 아암(A2)→레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)의 순서대로 반송되어, 웨이퍼(W)에 네거티브형의 레지스트막이 형성된다.

계속해서, 상기 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A2)→선반 유닛(U4)의 전달 모듈(TRS13)→메인 아암(D2)→가열 모듈(PAB)→메인 아암(D1)→선반 유닛(U4)의 전달 모듈(TRS14)→제3 액처리 단위 블록(B3)의 메인 아암(A3)→보호막 형성 모듈(ITC1, ITC2)의 순서대로 반송되어, 레지스트막의 상층에 보호막이 형성된다.

다음으로, 웨이퍼(W)는 메인 아암(A3)→선반 유닛(U4)의 전달 모듈(TRS15)→메인 아암(D1)→가열 모듈(CHP)→메인 아암(D1)→선반 유닛(U5)의 전달 모듈(CPL31)→제1~제3 보조 단위 블록(E1~E3)의 메인 아암(F1)→이면 세정 모듈(BST1~BST4)의 순서대로 반송되어 이면 세정 처리를 받는다. 이면 세정 처리 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(F1)→선반 유닛(U6)의 전달 모듈(TRS21)→인터페이스 아암(36)→전달 모듈(BU41)→인터페이스 아암(36)→전달 모듈(CPL41)→인터페이스 아암(35)→노광 장치(S7)의 순서대로 반송되어 액침 노광된다.

도 12, 도 13은, 상기 노광 장치(S7)에서의 처리 모습을 도시한 것이다. 도면 중에서 41은 노광되는 웨이퍼(W)가 적재되는 스테이지이며, 연직축 주위로 회전한다. N은 웨이퍼(W)의 노치이다. 43은 노광 헤드이며, 웨이퍼(W)를 노광하면서 이동한다. 노광 헤드(43)는, 쇄선의 화살표로 나타내는 바와 같이 아래쪽으로 광을 조사하면서 웨이퍼(W)의 일방측과 타방측의 사이에서 이동하고, 그 이동을 행할 때마다 이동 방향과는 직교하도록 어긋난다. 이로 인해 웨이퍼(W)에 줄무늬 형상으로 노광 영역(44)이 형성된다. 노광 영역(44)에는 다수의 점을 찍어 나타내고 있다. 그 후, 웨이퍼(W)가 90°회전하여, 노광 헤드(43)가 다시 웨이퍼(W) 상을 마찬가지로 움직여 웨이퍼(W)가 우물 정자 형상으로 노광된다. 도면 중에서 45는 비 노광 영역이다.

도 11로 돌아와서, 액침 노광 후의 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(35)→전달 모듈(CPL42)→인터페이스 아암(36)→전달 모듈(BU42)→인터페이스 아암(36)→전달 모듈(TRS22)→제4~제5 보조 단위 블록(E4~E5)의 메인 아암(F2)→제4 또는 제5 보조 단위 블록(E4 또는 E5)의 노광 후 세정 모듈(PIR1~PIR4)에 반송되어, 보호막 제거 및 세정 처리를 받는다.

그 후, 웨이퍼(W)는, 메인 아암(F2)→선반 유닛(U5)의 전달 모듈(CPL32 또는CPL33)→제3 가열 처리 단위 블록(C3)의 메인 아암(D2) 또는 제4 가열 처리 단위 블록(C4)의 메인 아암(D3)→가열 모듈(PEB)→메인 아암(D2 또는 D3)→선반 유닛(U4)의 전달 모듈(TRS16 또는 TRS17)→제4, 제5 액처리 단위 블록(B4, B5)의 메인 아암(A4)→네거티브 현상 모듈(NDEV1~NDEV4)의 순서대로 반송되어, 웨이퍼(W)에 현상액이 공급된다. 그리고, 비 노광 영역(65)이 상기 현상액에 용해되어, 격자 형상으로 구멍이 배열된 패턴이 형성된다. 또한, 상기 구멍은, 예를 들어 콘택트 홀의 형성에 이용된다.

다음으로 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A4)→선반 유닛(U4)의 전달 모듈(TRS16, TRS17)→메인 아암(D2 또는 D3)→가열 모듈(POST)→메인 아암(D2 또는 D3)→전달 모듈(TRS16 또는 TRS17)→메인 아암(A4)→선반 유닛(U3)의 전달 모듈(CPL12)→전달 아암(15)→전달 모듈(BU12)→전달 아암(13)→캐리어(C)의 순서대로 반송된다.

계속해서, 사용자가 포지티브 현상 처리 모드를 행하도록 선택한 경우에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해, 상기 네거티브 현상 처리 모드의 경로와의 차이점을 설명한다. 웨이퍼(W)는 네거티브 현상 처리를 행하는 경우와 마찬가지로 캐리어(C)로부터 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)에 반송되고, 당해 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)에서는 포지티브형 레지스트가 도포된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)로부터, 네거티브 현상을 행하는 경우와 마찬가지로 노광 장치(S7)에 반송된다. 노광 장치(S7)에서는, 예를 들어 도 13에서 도시한 바와 같이 웨이퍼(W) 전체를 1회 노광한 후의 스테이지(41)의 회전, 노광 헤드(43)의 재이동 및 재노광이 행해지지 않는다. 상기 포지티브 현상 처리에서는 네거티브 현상 처리와는 다른 패턴이 형성된다.

노광 후의 웨이퍼(W)는, 상기의 반송 경로를 따라 반송되어, 노광 후 세정 모듈(PIR), 가열 모듈(PEB)에서 순차적으로 처리를 받은 후, 가열 처리 단위 블록(C3, C4)의 메인 아암(D2, D3)이, 당해 웨이퍼(W)를 선반 유닛(U5)의 전달 모듈(CPL32, CPL33)에 각각 반송한다. 계속해서, 메인 아암(F2)이, 이들 전달 모듈(CPL32, CPL33)의 웨이퍼(W)를 현상 모듈(DEV1, DEV2)에 반송한다. 그리고, 웨이퍼(W)에 현상액이 공급되어 포지티브 현상 처리가 행해지고 레지스트막의 노광부가 용해된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(F2)→전달 모듈(CPL32, CPL33)→메인 아암(D3, D4)→가열 모듈(POST)의 순서대로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 네거티브 현상 처리 모드 실행시와 마찬가지의 경로로 캐리어(C)에 복귀된다.

상기와 같이 웨이퍼(W)가 처리 중에 액처리 블록(S3)의 각 층의 액처리 모듈 중 한쪽이 사용 불가가 된 경우에는, 당해 액처리 모듈에 대향한 다른 쪽의 액처리 모듈로 후속 웨이퍼(W)를 반송하도록 반송 스케줄이 변경된다. 도 14에는 통상의 반송시의 웨이퍼(W)의 반송 흐름의 개략을 도시하고 있고, 도 15에는 예를 들어 레지스트막 형성 모듈(COT2) 및 네거티브 현상 모듈(NDEV2)이 사용 불가가 되었을 경우의 반송 흐름의 개략을 도시하고 있다.

도 15의 흐름에 나타낸 바와 같이, 레지스트막 형성 모듈(COT2)이 사용 불가가 된 경우에는, 레지스트막 형성 모듈(COT2)에 반입되도록 설정되어 있었던 웨이퍼(W)는, 레지스트막 형성 모듈(COT1)에 반송되어 처리를 받도록 반송 스케줄이 변경된다. 또한, 네거티브 현상 모듈(NDEV1)에 반입되도록 설정되어 있었던 웨이퍼(W)는, 네거티브 현상 모듈(NDEV1)에 반송되어 처리를 받도록 반송 스케줄이 변경된다. ITC, BCT에 대해서도, 이들 모듈이 사용 불가가 된 경우에는 마찬가지로, 대향하는 동종의 액처리 모듈에 웨이퍼(W)가 반송된다. 이들 액처리 모듈이 사용 불가가 된 경우로는, 예를 들어 모듈의 고장 시나 메인터넌스 시 등이 있으며, 고장 시에는 제어부(51)가 자동으로 상기와 같이 반송 스케줄의 변경을 행한다. 메인터넌스 시에는, 사용자가 메인터넌스를 행하는 액처리 모듈을 제어부(51)로부터 설정하면, 당해 제어부(51)가 상기와 같이 반송 스케줄의 변경을 행한다.

상기 제1 실시 형태 및 후술하는 각 예에서, 웨이퍼(W)에 소수화 처리를 행하는 타이밍으로는 상기의 예에 한정되지 않고, 예를 들어 레지스트막을 형성하고, 가열 모듈(PAB)에서 가열 처리를 행한 후에 메인 아암(D1), 메인 아암(A2), 선반 유닛(U3)의 전달 모듈 및 전달 아암(15)을 통해 선반 유닛(U1, U2)의 소수화 처리 모듈(ADH)에 반송하여 처리를 행해도 된다. 처리 후의 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U3)의 전달 모듈 및 전달 아암(15)을 통해 다시 액처리 블록(S2)에 반입된다.

상기 도포, 현상 장치(1)에 따르면, 반사 방지막 형성 모듈(BCT), 레지스트막 형성 모듈(COT), 보호막 형성 모듈(ITC), 네거티브 현상 모듈(NDEV)을 각각 포함하는 액처리 단위 블록(B1~B5)이 상하로 적층된 액처리 블록이 설치되고, 액처리 블록(S3)에 인접하도록 가열 모듈이 적층된 가열 처리 블록(S4)이 설치되어 있다. 그리고, 각 액처리 단위 블록(B1~B5)에서는, 동종의 액처리 모듈이 웨이퍼(W)의 반송 영역(R1)을 사이에 두고 대향하고 있다. 이로 인해 처리 블록(S20)의 설치 면적을 줄이는 동시에, 액처리 모듈이 사용 불가가 되도 다른 액처리 모듈을 사용해서 웨이퍼(W)를 처리할 수 있으므로, 처리량의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 상기의 예에서는 네거티브 현상 처리와 포지티브 현상 처리를 전환해서 행할 수 있으므로, 형성하는 레지스트 패턴의 종류에 따라 사용자가 선택할 수 있는 폭이 넓다. 따라서, 복수의 도포, 현상 장치를 설치할 필요가 없어지기 때문에, 비용을 줄일 수 있고, 장치의 설치 면적을 보다 줄일 수 있다.

(제2 실시 형태)

계속해서 제2 실시 형태의 도포, 현상 장치(6)에 대해, 도포, 현상 장치(1)와의 차이점을 중심으로 설명한다. 도 16, 도 17, 도 18은, 각각 도포, 현상 장치(6)의 평면도, 사시도, 종단 측면도이다. 도 16에 도시한 바와 같이 전방측 블록(S2)에는, 선반 유닛(U1, U2)의 후방측에 선반 유닛(U21, U22)이 각각 배치되어 있다. 그리고, 선반 유닛(U1)과 선반 유닛(U2)의 사이 및 선반 유닛(U21)과 선반 유닛(U22)의 사이는, 전후 방향에 형성된 반송 영역(R4)으로서 구성되어 있다. 상기 전달 아암(15)은 반송 영역(R4)을 따라 이동하여, 각 선반 유닛(U1, U2, U21, U22)의 각 모듈에 웨이퍼(W)를 반송한다. 도 19는, 전방측 블록(S2)의 정면도이다. 단, 선반 유닛(U21, U22)은, 선반 유닛(U1, U2)에 대해 외측으로 옮겨 나타내고 있다. 선반 유닛(U21, U22)에는, 선반 유닛(U1, U2)과 마찬가지로 소수화 처리 모듈(ADH)이 설치되어 있다.

액처리 블록(S3)을 구성하는 각 액처리 단위 블록(B1~B4)에는, 반송 영역(R1)의 좌우에 각각 2기씩 동종의 액처리 모듈이 대향하도록 설치되어 있고, 각 액처리 모듈은 반송 영역(R1)을 따라 배열되어 있다. 도 20에는 제1 액처리 단위 블록(B1)의 평면도를 도시하고 있다. 캐리어 블록(S1)측에는 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)이 설치되고, 인터페이스 블록(S6)측에는, 경화 모듈(FCOT1, FCOT2)이 설치되어 있다. 경화 모듈(FCOT)은, 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있지만, 레지스트액 대신에 경화액을 공급한다. 상기 경화액이 레지스트 패턴이 형성된 레지스트막에 공급되면, 당해 레지스트 패턴이 경화한다. 그로 인해, 당해 레지스트 패턴에 다시 레지스트액을 공급했을 때, 공급된 레지스트액에 포함되는 용제에 대해 레지스트 패턴이 불용성으로 된다.

또한, 도 16에 도시한 바와 같이 제2 액처리 단위 블록(B2)에 있어서는, 캐리어 블록(S1)측에 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)이 설치되어 있다. 인터페이스 블록(S6)측에는, 보호막 형성 모듈(ITC1, ITC2)이 설치되어 있다. 도 21에는 제3 액처리 단위 블록(B3)의 평면도를 도시하고 있다. 상기 제3 액처리 단위 블록(B3)에서는, 캐리어 블록(S1)측에 네거티브 현상 모듈(NDEV1, NDEV2)이 대향해서 설치되고, 인터페이스 블록(S6)측에 네거티브 현상 모듈(NDEV3, NDEV4)이 설치되어 있다. 도 22에는, 제4 액처리 단위 블록(B4)의 평면도를 도시하고 있으며, 캐리어 블록(S1)측에 현상 모듈(DEV1, DEV2)이 설치되고, 인터페이스 블록(S6)측에 현상 모듈(DEV3, DEV4)이 설치되어 있다.

도포, 현상 장치(6)의 가열 처리 블록(S4)은 제1 실시 형태와 거의 마찬가지로 구성되어 있으며, 메인 아암(D1)은 선반 유닛(U4)에 있어서 액처리 단위 블록(B1, B2)의 높이 위치에 있는 전달 모듈 간에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 메인 아암(D2, D3)은, 선반 유닛(U4)에 있어서 액처리 단위 블록(B3, B4)의 각 높이 위치에 있는 전달 모듈에 웨이퍼(W)를 전달한다.

보조 블록(S5)은, 보조 단위 블록(E1~E4)에 의해 구성되어 있고, 이들 보조 단위 블록(E1~E4)에서 메인 아암(F1)이 공용되어 있다. 각 단위 블록(E1~E4)에는, 노광 후 세정 모듈(PIR)과 이면 세정 모듈(BST)이 반송 영역(R3)을 사이에 두고 대향해서 설치되어 있다. 상기 도포, 현상 장치(6)에 탑재된 이면 세정 모듈(BST)은, 제1 실시 형태의 이면 세정 모듈(BST)과는 달리, 1개의 스핀 척(22) 및 처리 컵(23)을 구비하고 있다.

제1 실시 형태와 마찬가지로, 제어부(51)의 모드 선택부(56)로부터, 사용자는 네거티브 현상 처리 모드 및 포지티브 현상 처리 모드 중 어느 것을 행할지를 선택할 수 있다. 상기 제2 실시 형태에서는, 네거티브 현상 처리 모드를 선택한 경우 및 포지티브 현상 처리를 선택한 경우 모두에서, 제1 실시 형태에서 설명한 격자 형상으로 구멍이 배열되는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

네거티브 현상 처리 모드 실행시의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 도 23을 참조하면서 설명한다. 웨이퍼(W)는, 캐리어(C)→전달 아암(13)→선반 유닛(U1)의 전달 모듈(BU11)→전달 아암(15)→선반 유닛(U1, U2, U21, U22)의 소수화 처리 모듈(ADH)→전달 아암(15)→전달 모듈(CPL11)→메인 아암(A1)→반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)→메인 아암(A1)→전달 모듈(TRS11)→메인 아암(D1)→가열 모듈(CHP)→메인 아암(D1)→전달 모듈(TRS12)→메인 아암(A2)→레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)의 순서대로 반송되어, 웨이퍼(W)에 네거티브형의 레지스트막이 형성된다.

계속해서, 상기 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A2)→전달 모듈(TRS13)→메인 아암(D1)→가열 모듈(PAB)→메인 아암(D1)→전달 모듈(TRS14)→메인 아암(A2)→보호막 형성 모듈(ITC1, ITC2)→메인 아암(A2)→전달 모듈(TRS15)→메인 아암(D1)→가열 모듈(CHP)→전달 모듈(CPL31)→메인 아암(F1)→이면 세정 모듈(BST)→메인 아암(F1)의 순서대로 전달된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 제1 실시 형태와 마찬가지로 인터페이스 블록(S6)을 통해 노광 장치(S7)에 반입되어, 제1 실시 형태의 네거티브형 현상 처리 모드 실행시와 마찬가지로 액침 노광된다.

액침 노광 후, 웨이퍼(W)는, 제1 실시 형태와 마찬가지로 인터페이스 블록(S6)으로부터 메인 아암(F1)에 전달되어, 메인 아암(F1)→노광 후 세정 모듈(PIR)→전달 모듈(CPL32)→메인 아암(D2)→가열 모듈(PEB)→메인 아암(D2)→전달 모듈(TRS16)→메인 아암(A3)→네거티브 현상 모듈(NDEV1~NDEV4)에서 현상 처리를 받는다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A3)→전달 모듈(TRS17)→메인 아암(D2)→가열 모듈(POST)→메인 아암(D2)→전달 모듈(TRS18)→메인 아암(A3)→전달 모듈(CPL12)의 순서대로 반송되고, 그 후 웨이퍼(W)는 제1 실시 형태와 마찬가지로 캐리어(C)에 복귀된다.

계속해서, 포지티브 현상 처리를 행할 경우의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 도 24, 도 25를 참조하면서 상기 네거티브 현상 처리와의 차이점을 설명한다. 상기 포지티브 현상 처리에서는, 캐리어(C)로부터 취출한 웨이퍼(W)에 1회째의 레지스트 패턴 형성을 행하여 웨이퍼(W)를 캐리어(C)에 복귀시킨 후, 당해 웨이퍼(W)에 2회째의 레지스트 패턴 형성을 행하고 다시 캐리어(C)에 복귀시킨다. 도 24는 1회째의 레지스트 패턴을 형성할 때의 반송 경로와 모듈, 도 25는 2회째의 레지스트 패턴을 형성할 때의 반송 경로와 모듈을 각각 도시하고 있다. 또한, 도 26~도 28에서는 처리중의 웨이퍼(W)의 표면을 도시하고 있으며, 이들 도 26~도 28도 적절하게 참조하면서 설명을 행한다.

도 24에 도시한 바와 같이 네거티브 현상 처리를 행하는 경우와 마찬가지의 경로로 캐리어(C)로부터 노광 장치(S7)에 웨이퍼(W)가 반송되어 각 모듈에서 처리를 받는다. 단, 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)에서는, 웨이퍼(W)에 네거티브형 레지스트 대신에 포지티브형 레지스트가 도포된다. 노광 장치(S7)에서는, 제1 실시 형태의 네거티브형 현상 처리 모드 실행시와 마찬가지로 줄무늬 형상으로 노광 영역이 형성된다.

노광 후의 웨이퍼(W)는, 노광 장치(S7)→메인 아암(F1)→노광 후 세정 모듈(PIR)→메인 아암(F1)→전달 모듈(CPL33)→메인 아암(D3)→가열 모듈(PEB)→전달 모듈(TRS16)→메인 아암(A4)→현상 모듈(DEV)의 순서대로 반송되어 현상된다. 그로 인해, 상기 노광 영역이 용해되어 레지스트 패턴이 형성된다. 도 26은 상기 레지스트 패턴을 도시하고 있으며, 패턴의 오목부를 61, 볼록부를 62로서 나타내고 있다. 도면 중 화살표의 끝에는 레지스트 패턴의 종단 측면을 나타내고 있다. 레지스트 패턴 형성 후, 웨이퍼(W)는 메인 아암(A4)→전달 모듈(TRS17)→가열 모듈(POST)→전달 모듈(TRS18)→메인 아암(A4)→전달 모듈(CPL12)의 순서대로 반송되고, 그 후, 제1 실시 형태와 마찬가지로 캐리어(C)에 복귀되어 1회째의 레지스트 패턴 형성이 종료한다.

그 후, 웨이퍼(W)는 캐리어(C)로부터 다시 전달 모듈(BU11)에 취출되고, 도 25에 도시한 바와 같이 2회째의 레지스트 패턴 형성이 개시된다. 웨이퍼(W)는, 전달 아암(15)→전달 모듈(CPL11)→경화 모듈(FCOT1, FCOT2)→메인 아암(D1)→가열 모듈(CHP)의 순서대로 반송되어 패턴이 경화된 후, 1회째의 레지스트 패턴 형성시와 마찬가지로 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)에 반송되어 포지티브형 레지스트가 공급된다. 도 27에 도시한 바와 같이, 새롭게 공급된 레지스트(63)가 오목부 (61)에 채워진다. 그 후, 1회째의 패턴 형성시와 마찬가지의 경로로 웨이퍼(W)는 반송되고, 보호막 형성 후에 노광 장치(S7)에 반입된다. 노광 장치(S7)에서는, 상기한 바와 마찬가지로 줄무늬 형상으로 노광 영역이 형성되도록 노광 헤드(43)가 이동한다. 상기 2회째의 패턴 형성시의 노광 처리에서는, 1회째의 패턴 형성시의 노광 처리와, 웨이퍼(W)의 노치(N) 방향이 90°상이하다(도 28).

액침 노광 후, 웨이퍼(W)는 1회째의 패턴 형성시와 마찬가지로 현상 모듈(DEV)에 반송되고, 2회째의 패턴 형성시에 노광된 영역(64)이 현상액에 용해되지만, 1회째의 패턴 형성시에 형성된 볼록부(62)는 노광 영역(64)으로 되어 있어도 용해되지 않는다. 이로 인해 격자 형상으로 배열된 구멍이 형성된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 1회째의 패턴 형성시와 마찬가지로 처리를 받는 동시에 각 모듈 간에 반송되어 캐리어(C)에 복귀된다. 상기 제2 실시 형태에 있어서도 제1 실시 형태와 마찬가지로 대향하는 동종의 액처리 모듈 중 한쪽이 사용 불가가 된 경우에는 다른 쪽의 액처리 모듈을 사용하여 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 계속된다.

상기 제2 실시 형태에서는, 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 경화 모듈(FCOT)을 포함하는 제1 액처리 단위 블록(B1), 레지스트막 형성 모듈(COT) 및 보호막 형성 모듈(ITC)을 포함하는 제2 액처리 단위 블록(B2), 네거티브 현상 처리 모듈(NDEV)을 포함하는 제3 액처리 단위 블록(B3), 현상 처리 모듈(DEV)을 포함하는 제4 액처리 단위 블록(B4)이 서로 적층되어 액처리 블록(S3)을 구성하고, 상기 액처리 블록(S3)에 인접하도록 가열 모듈이 적층된 가열 처리 블록(S4)이 설치되어 있다. 그리고, 각 액처리 단위 블록(B1~B4)에서는, 동종의 액처리 모듈이 반송 영역(R1)을 사이에 두고 대향하고 있다. 따라서, 제1 실시 형태와 마찬가지로 처리 블록(S20)의 설치 면적을 줄이는 동시에 처리량의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 제2 실시 형태에서는 마찬가지의 형상의 패턴을 형성함에 있어서, 사용자가 네거티브 현상 처리나 포지티브 현상 처리를 선택할 수 있다. 사용하는 레지스트의 성질이나 각 막의 막 두께 등을 고려하여 이 선택을 행함으로써, 양호한 형상의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.

(제2 실시 형태의 변형예)

제2 실시 형태의 도포, 현상 장치(6)에서, 액처리 모듈의 배치로는 상기의 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 29 및 도 30에 도시한 바와 같이 제1 액처리 단위 블록(B1)에 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT)을 배치하고, 제2 액처리 단위 블록(B2)에 경화 모듈(FCOT) 및 보호막 형성 모듈(ITC)을 배치해도 좋다. 이러한 배치로 했을 경우, 네거티브 현상 처리 모드 실행시에 있어서는, 웨이퍼(W)는 반사 방지막 형성 후 제1 가열 처리 단위 블록(C1)의 가열 모듈(CHP)에서 가열 처리된 후, 선반 유닛(U5)의 전달 모듈(TRS)을 통해 제1 액처리 단위 블록(B1)에 복귀되어 레지스트막 형성 모듈(COT)에서 처리된다. 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)는, 다시 제1 가열 처리 단위 블록(C1)에 반입되어 가열 모듈(PAB)에서 가열 처리된 후, 메인 아암(F1)에 의해 제2 액처리 단위 블록(B2)에 반송되어 보호막의 형성 처리를 받는다. 그 후, 웨이퍼(W)는 제2 실시 형태와 마찬가지의 반송 경로로 반송되어 처리를 받는다.

포지티브 현상 처리를 행할 경우, 상기 네거티브 현상 처리와 마찬가지의 경로로 웨이퍼(W)를 반송하여 1회째의 레지스트 패턴을 형성한 후, 당해 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로부터 전달 아암(13)→전달 모듈(BU11)→전달 아암(15)→제1 액처리 단위 블록(B1)→제1 가열 처리 단위 블록(C1)→제2 액처리 단위 블록(B2)의 순서대로 반송하여, 당해 제2 액처리 단위 블록(B2)의 경화 모듈(FCOT1, FCOT2)에서 처리한다.

그 후, 웨이퍼(W)를 제1 가열 처리 단위 블록(C1)의 가열 모듈(CHP)에 반송해서 가열 처리하고, 또한 보조 블록(S5)→인터페이스 블록(S6)의 전달 모듈(CPL42)→전달 모듈(BU41)→제3 가열 처리 단위 블록(C3)→제4 액처리 단위 블록(B4)의 순서대로 반송하여 캐리어(C)에 복귀시킨다. 이때, 각 블록에서는, 웨이퍼(W)의 처리를 행하지 않고 캐리어(C)에 반송한다. 그 후, 당해 웨이퍼(W)를 반복해서 캐리어(C)로부터 취출하여 제1 액처리 단위 블록(B1)에 반입한 후, 1회째의 레지스트 패턴 형성시와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 반송 및 처리를 행하여 2회째의 레지스트 패턴 형성을 행한다.

또한, 현상 처리를 행하는 단위 블록의 액처리 모듈의 배치에 대해서도 상기의 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제2 실시 형태에서는, 제3 액처리 단위 블록(C3), 제4 액처리 단위 블록(C4)에 각각 현상 모듈(DEV), 네거티브 현상 모듈(NDEV) 중 한쪽만이 설치되어 있지만, 이들 제3 및 제4 액처리 단위 블록(C3, C4)이, 현상 모듈(DEV) 및 네거티브 현상 모듈(NDEV) 모두를 포함하고 있어도 된다. 또한, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 현상 처리를 행하는 제3 액처리 단위 블록(C3), 제4 액처리 단위 블록(C4)의 메인 아암은 이들 액처리 단위 블록(C3, C4)에서 공용되어 있어도 된다. 또한, 각 실시 형태에서, 현상 모듈(DEV) 및 네거티브 현상 모듈(NDEV)을 포함하는 액처리 단위 블록은, 다른 액처리 모듈을 포함하는 액처리 단위 블록의 하방에 위치하고 있어도 된다.

제2 실시 형태의 도포, 현상 장치(6)에 설치된 경화 모듈(FCOT)을 제1 실시 형태의 도포, 현상 장치(1)에 적용할 수도 있다. 도 31은, 상기 경화 모듈(FCOT)을 구비하고, 상기 격자 형상으로 구멍이 배열된 패턴을 형성할 수 있게 구성된 도포, 현상 장치(1)의 개략도를 나타내고 있다. 상기 도포, 현상 장치(1)의 액처리 블록(S3)에서는 액처리 단위 블록(G1~G6)이 밑에서부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 액처리 단위 블록(G1, G3, G4)은, 제1 실시 형태의 액처리 단위 블록(B1, B2, B3)과 각각 마찬가지로 구성되어 있다. 액처리 단위 블록(G5, G6)은, 네거티브 현상 모듈(NDEV) 대신에 현상 모듈(DEV)이 설치되어 있는 것을 제외하고, 제1 실시 형태의 액처리 단위 블록(B4, B5)과 마찬가지로 구성되어 있다. 또한, 액처리 단위 블록(G2)은, 액처리 모듈로서 FCOT가 설치되는 것 외에는, 제1 실시 형태의 액처리 단위 블록(B1)과 마찬가지로 구성되어 있다.

이 예에서는 가열 처리 단위 블록(C1, C2)에 설치되는 메인 아암(D1)은, 액처리 단위 블록(G1~G4)의 높이 위치에 있는 전달 모듈에 액세스할 수 있다. 그로 인해, 액처리 단위 블록(G1~G4)과 가열 처리 단위 블록(C1, C2)의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있게 되어 있다. 그리고, 1회째의 레지스트 패턴 형성 처리에서는, 웨이퍼(W)는, 액처리 단위 블록(G1, G3, G4)에 순차적으로 반송되어 처리를 받은 후, 액처리 단위 블록(G5 또는 G6)에 반송되어 처리를 받는다. 그리고, 2회째의 레지스트 패턴 형성 처리에서 웨이퍼(W)는, 액처리 단위 블록(G2, G3, G4)에 순차적으로 반송되어 처리를 받은 후, 액처리 단위 블록(G5 또는 G6)에 반송되어 처리를 받는다.

도 32에는, 경화 모듈(FCOT)을 제1 실시 형태에 적용한 또 다른 예에 대해 도시하고 있다. 여기에 나타낸 액처리 블록(S3)의 액처리 단위 블록(G6)에는 액처리 모듈로서 네거티브 현상 모듈(NDEV)이 설치되어 있다. 이 차이를 제외하고, 도 32의 액처리 블록(S3)은 도 31의 액처리 블록과 마찬가지로 구성되어 있다. 이러한 액처리 블록(S3)을 구비한 도포, 현상 장치(1)에서도 네거티브 현상 처리 모드와 포지티브 현상 처리 모드를 전환해서 실행할 수 있어, 제2 실시 형태와 마찬가지로 각 현상 모드에서 다수의 구멍이 격자 형상으로 배열된 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 상기의 각 실시 형태에서 보호막 형성 모듈(ITC)은, 보호막 형성용의 약액 대신에 레지스트막의 상층에 반사 방지막을 형성하기 위한 약액을 공급하여, 당해 반사 방지막을 형성하는 것이어도 좋다. 단, 그 경우는, 제2 실시 형태의 포지티브 현상 처리 모드와 같이 1장의 웨이퍼(W)에 반복해서 레지스트 패턴을 형성하는 처리는 행하지 않는다.

상기의 각 실시 형태에서 현상용의 단위 블록은 2층 설치되어 있지만, 3층 이상의 복수층이어도 좋고, 또한 1층만 설치되어 있어도 된다. 또한, 제1 실시 형태의 현상용의 단위 블록과 같이, 메인 아암(A)이 공유화되어 있어도, 다른 단위 블록(B)의 높이의 2개분의 높이를 갖고 있으면, 그 단위 블록(B)은 2층인 것으로 볼 수 있다.

A1~A6 : 메인 아암 BCT : 반사 방지막 형성 모듈
B1~B6 : 액처리 단위 블록 COT : 레지스트막 형성 모듈
DEV : 현상 모듈 D1~D4 : 메인 아암
F1, F2 : 메인 아암 NDEV : 네거티브 현상 모듈
ITC : 보호막 형성 모듈 S1 : 캐리어 블록
S2 : 전방측 처리 블록 S3 : 액처리 블록
S4 : 가열 처리 블록 S5 : 보조 블록
S6 : 인터페이스 블록 S7 : 노광 장치
W : 웨이퍼 1, 6 : 도포, 현상 장치
51 : 제어부

Claims (20)

1. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,　
   a) 상기 처리 블록은, 캐리어 블록측에 배치되는 액처리계의 단위 블록군과, 이 액처리계의 단위 블록군의 인터페이스 블록측에 배치된 가열계의 블록을 구비한 것과,　
   b) 상기 액처리계의 단위 블록군은, 제1 단위 블록과 제2 단위 블록을 이 순서대로 상측 방향으로 적층한 적층체와,
   이 적층체에 대해 상하 방향으로 적층되고, 노광 후의 기판을 현상하기 위한 현상용의 단위 블록으로 구성되는 것과,　
   c) 상기 제1 단위 블록은, 캐리어 블록측에서 인터페이스 블록측을 보는 방향을 전방으로 하면, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 대향하도록 배치되어 반사 방지막용의 약액을 기판에 공급하기 위한 복수의 반사 방지막 모듈과, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 대향하도록 배치되어 반사 방지막 상에 레지스트액을 공급하기 위한 복수의 레지스트 모듈과, 상기 직선 반송로를 전후로 신장되는 가이드를 따라 이동하고, 이들 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비하고, 상기 반사 방지막 모듈 및 레지스트 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 직선 반송로를 따라 구비한 것과,　
   d) 상기 제2 단위 블록은, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 대향하도록 배치되어 레지스트막 상에 상층막을 형성하기 위한 약액을 기판에 공급하기 위한 상층막 모듈과, 상기 직선 반송로를 전후로 신장되는 가이드를 따라 이동하고, 이들 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비하고, 상기 상층막 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 직선 반송로를 따라 구비한 것과,　
   e) 상기 현상용의 단위 블록은, 전후로 신장되는 직선 반송로의 좌우 양측에 대향하도록 배치되어 현상액을 기판에 공급하기 위한 복수의 현상 모듈을 구비하는 동시에, 이들 현상 모듈은 상기 직선 반송로를 전후로 신장되는 가이드를 따라 이동하는 주 반송 기구에 의해 기판의 전달이 행해지고, 상기 현상 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 직선 반송로를 따라 구비하는 것과,　
   f) 상기 가열계의 블록은, 복수의 가열 모듈을 상하 방향으로 적층하고, 이들 가열 모듈에 대해, 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록에서 약액을 도포한 후의 기판을 각각 가열하는 가열 모듈과, 현상용의 단위 블록에서 현상액을 공급하기 전의 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 상하 반송 기구와, 전후로 신장되는 직선 반송로를 구비한 것과,
   g) 상기 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록의 각각에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 약액의 도포 처리 후의 기판을 상기 주 반송 기구로부터 상기 상하 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지와, 상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 노광 후의 기판을 상기 상하 반송 기구로부터 상기 주 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지를 구비한 것과,　
   h) 상기 가열계의 블록의 가열 모듈의 적층체는 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 서로 대향하도록 복수 설치됨과 함께, 직선 반송로의 좌우에 있어서 전후 방향에 복수 배열되어, 상기 상하 반송 기구는 상기 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록의 주반송 기구와는 별개로 설치되고, 당해 가열계의 블록의 직선 반송로를 전후로 신장되는 가이드를 따라 이동하는 것을 구비하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
2. 제1항에 있어서, 상기 제2 단위 블록은 당해 제2 단위 블록의 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되고, 기판에 대하여 1회째의 현상 처리가 되어 형성된 제1 레지스트 패턴을 경화시키기 위한 경화액을 기판에 공급하는 경화 모듈을 구비하고, 상기 경화 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 상기 직선 반송로를 따라 구비하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
3. 제2항에 있어서, 제1 단위 블록에 설치된 레지스트 모듈 대신에 경화 모듈이 설치되고, 제2 단위 블록에 설치된 경화 모듈 대신에 레지스트 모듈이 설치되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 현상 모듈은, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 포지티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈과, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
5. 제4항에 있어서, 상기 제2 단위 블록은 당해 제2 단위 블록의 직선 반송로의 좌우 양측에 배치되고, 기판에 대하여 1회째의 현상 처리가 되어 형성된 제1 레지스트 패턴을 경화시키기 위한 경화액을 기판에 공급하는 경화 모듈을 구비하고, 상기 경화 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 직선 반송로를 따라 구비하거나,
   또는,
   제1 단위 블록에 설치된 레지스트 모듈 대신에 경화 모듈이 설치되고, 제2 단위 블록에 설치된 경화 모듈 대신에 레지스트 모듈이 설치되고,
   제1 회째의 레지스트 패턴 형성 처리를 행한 후, 상기 경화 모듈을 사용하고, 그 후에 제2 회째의 레지스트 패턴 형성 처리를 행하는 모드와, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈을 사용해서 레지스트 패턴을 형성하는 모드 중 어느 한쪽을 선택하기 위한 모드 선택부를 설치한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
6. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
   a) 상기 처리 블록은, 캐리어 블록측에 배치되는 액처리계의 단위 블록군과, 이 액처리계의 단위 블록군의 인터페이스 블록측에 배치된 가열계의 블록을 구비한 것과,　
   b) 상기 액처리계의 단위 블록군은, 제1 단위 블록과 제2 단위 블록을 이 순서대로 상측 방향으로 적층한 적층체와,
   이 적층체에 대해 서로 상하 방향으로 적층되어, 노광 후의 기판을 현상하기 위한 현상용의 단위 블록으로 구성되는 것과,　
   c) 상기 제1 단위 블록은, 캐리어 블록측에서 인터페이스 블록측을 보는 방향을 전방으로 하면, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 대향하도록 배치되어 반사 방지막용의 약액을 기판에 공급하기 위한 복수의 반사 방지막 모듈과, 상기 직선 반송로를 전후로 신장되는 가이드를 따라 이동하고, 이들 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비하고, 상기 반사 방지막 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 직선 반송로를 따라 구비한 것과,　
   d) 상기 제2 단위 블록은, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 대향하도록 배치되어 레지스트막 상에 상층막을 형성하기 위한 약액을 기판에 공급하기 위한 상층막 모듈과, 상기 직선 반송로를 전후로 신장되는 가이드를 따라 이동하고, 이들 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비하고, 상기 상층막 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 직선 반송로를 따라 구비한 것과,　
   e) 상기 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록의 적어도 한쪽의 직선 반송로의 좌우 양측에 대향하도록 배치되어 반사 방지막 상에 레지스트액을 공급하기 위한 복수의 레지스트 모듈을 구비하고, 레지스트 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 직선 반송로를 따라 구비한 것과,
   f) 상기 현상용의 단위 블록은, 전후로 신장되는 직선 반송로의 좌우 양측에 대향하도록 배치되어 현상액을 기판에 공급하기 위한 복수의 현상 모듈을 구비하는 동시에, 이들 현상 모듈은 상기 직선 반송로를 전후로 신장되는 가이드를 따라 이동하는 주 반송 기구에 의해 기판의 전달이 행해지고, 상기 현상 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 직선 반송로를 따라 구비한 것과,　
   g) 상기 가열계의 블록은, 복수의 가열 모듈을 상하 방향으로 적층하고, 이들 가열 모듈에 대해, 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록에서 약액을 도포한 후의 기판을 각각 가열하는 가열 모듈과, 현상용의 단위 블록에서 현상액을 공급하기 전의 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 상하 반송 기구를 구비한 것과,　
   h) 상기 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록의 각각에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 약액의 도포 처리 후의 기판을 상기 주 반송 기구로부터 상기 상하 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지와, 상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 노광 후의 기판을 상기 상하 반송 기구로부터 상기 주 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지를 구비한 것과,　
   i) 상기 가열계의 블록의 가열 모듈의 적층체는 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 서로 대향하도록 복수 설치됨과 함께, 직선 반송로의 좌우에 있어서 전후 방향에 복수 배열되어, 상기 상하 반송 기구는 상기 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록의 주반송 기구와는 별개로 설치되고, 당해 가열계의 블록의 직선 반송로를 전후로 신장되는 가이드를 따라 이동하는 것을 구비하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 현상 모듈에는, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 포지티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈과, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
8. 제4항에 있어서, 현상용의 단위 블록은 복수 설치되고, 복수의 현상용 단위 블록 중 하나는, 포지티브형 레지스트를 현상하는 전용의 단위 블록이며, 복수의 현상용 단위 블록 중 다른 하나는, 네거티브형 레지스트를 현상하는 전용의 단위 블록인 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
9. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,　
   a) 상기 처리 블록은, 캐리어 블록측에 배치되는 액처리계의 단위 블록군과, 이 액처리계의 단위 블록군의 인터페이스 블록측에 배치된 가열계의 블록을 구비한 것과,　
   b) 상기 액처리계의 단위 블록군은,
   반사 방지막을 기판에 형성하기 위한 반사 방지막용의 단위 블록과, 상기 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하기 위한 레지스트막용의 단위 블록과, 레지스트막 상에 상층막을 형성하기 위한 상층막용의 단위 블록을 이 순서대로 상측 방향으로 적층한 도포막용의 단위 블록군과,
   이 도포막용의 단위 블록군에 대해 서로 상하 방향으로 적층되어, 노광 후의 기판을 현상하기 위한 현상용의 단위 블록으로 구성되는 것과,　
   c) 상기 도포막용의 단위 블록군의 각각은, 캐리어 블록측에서 인터페이스 블록측을 보는 방향을 전방으로 하면, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 대향하도록 배치되어 각 도포막에 대응하는 약액을 기판에 공급하기 위한 액처리 모듈과, 상기 직선 반송로를 전후로 신장되는 가이드를 따라 이동하고, 이들 액처리 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비하고, 상기 액처리 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 직선 반송로를 따라 구비한 것과,　
   d) 상기 현상용의 단위 블록은, 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 대향하도록 배치되어 현상액을 기판에 공급하기 위한 현상 모듈과, 상기 직선 반송로를 전후로 신장되는 가이드를 따라 이동하고, 이들 현상 모듈 사이에서 기판의 반송을 행하는 주 반송 기구를 구비하고, 상기 현상 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 직선 반송로를 따라 구비한 것과,　
   e) 상기 가열계의 블록은, 복수의 가열 모듈을 상하 방향으로 적층하고, 이들 가열 모듈에 대해 도포막용의 단위 블록군의 각 단위 블록에서 약액을 도포한 후의 기판을 각각 가열하는 가열 모듈과, 현상용의 단위 블록에서 현상액을 공급하기 전의 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈의 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 상하 반송 기구를 구비한 것과,　
   f) 상기 도포막용의 단위 블록군의 각각에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 약액의 도포 처리 후의 기판을 상기 주 반송 기구로부터 상기 상하 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지와, 상기 현상용의 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에 설치되고, 노광 후의 기판을 상기 상하 반송 기구로부터 상기 주 반송 기구에 전달하기 위한 전달 스테이지와,　
   g) 상기 가열계의 블록의 가열 모듈의 적층체는 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 서로 대향하도록 복수 설치됨과 함께, 직선 반송로의 좌우에 있어서 전후 방향에 복수 배열되어, 상기 상하 반송 기구는 제1 단위 블록 및 제2 단위 블록의 주반송 기구와는 별개로 설치되고, 당해 가열계의 블록의 직선 반송로를 전후로 신장되는 가이드를 따라 이동하는 것을 구비하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
10. 제9항에 있어서, i) 하기의 [i-1], [i-2], [i-3] 중 어느 하나의 구성을 구비한 것과,
    [i-1] 기판에 대해 1회째의 현상 처리가 실시되어 형성된 제1 레지스트 패턴을 경화시키는 경화액을 기판에 공급하는 경화 모듈을 설치하고, 현상 모듈은 모두 포지티브 레지스트용의 레지스트를 현상하는 것인 구성,
    [i-2] 상기 경화 모듈을 설치하고, 현상 모듈로는, 포지티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈과, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함되는 구성,
    [i-3] 상기 경화 모듈은 설치되지 않고, 현상 모듈로는, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함되는 구성,
    j) 상기 [i-1], [i-2]에서의 경화 모듈은, 도포막용의 단위 블록군 또는 현상용의 단위 블록에 대해 상하 방향으로 적층된 단위 블록 중에 배치되고, 당해 단위 블록에는 전후로 신장되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로의 좌우 양측에 대향하도록 배치된 상기 경화 모듈과, 이들 경화 모듈 사이에서 기판의 반송을 행하도록 직선 반송로를 전후로 신장하는 가이드를 따라 이동하는 주 반송 기구를 구비하고, 경화 모듈은 기판을 각각 처리하기 위한 복수의 컵을 직선 반송로를 따라 구비하고,
    또한, 상기 [i-2]에서의 현상 모듈은, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 포지티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈과, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된, 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함되는 것과,
    상기 [i-3]에서의 현상 모듈은, 상기 직선 반송로의 좌우 양측에 배치된 네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈이 포함되는 것을 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
11. 제10항에 있어서, [i-2]의 구성을 채용하여,
    제1 회째의 레지스트 패턴 형성 처리를 행한 후, 상기 경화 모듈을 사용하고, 그 후에 제2 회째의 레지스트 패턴 형성 처리를 행하는 모드와,
    네거티브형 레지스트를 현상하는 현상 모듈을 사용해서 레지스트 패턴을 형성하는 모드 중 어느 한쪽을 선택하기 위한 모드 선택부를 설치한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
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