KR20190082029A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents
기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20190082029A KR20190082029A KR1020180025034A KR20180025034A KR20190082029A KR 20190082029 A KR20190082029 A KR 20190082029A KR 1020180025034 A KR1020180025034 A KR 1020180025034A KR 20180025034 A KR20180025034 A KR 20180025034A KR 20190082029 A KR20190082029 A KR 20190082029A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- heat treatment
- robot
- liquid
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명의 기판 처리 장치는 가열 챔버, 냉각 챔버, 열처리 챔버, 그리고 액처리 챔버를 가진다. 열처리 챔버는 하우징, 가열유닛, 냉각유닛, 그리고 반송 플레이트를 가진다. 가열 챔버에서는 기판에 부착력 강화를 위한 가스를 공급하면서 가열 처리가 이루어지고, 가열 유닛에서는 상기 가스의 공급 없이 가열 처리가 이루어진다.
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판 상에 감광액과 같은 막을 형성하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 복수의 패턴들을 형성하여야 한다. 반도체 패턴 형성은 증착 공정(depositing process), 사진 공정(lithography process), 그리고 식각 공정(etching process) 등과 같은 다양한 공정을 연속적으로 수행함으로써 이루어진다.
이들 중 사진 공정은 기판 상에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하여 기판 상에 포토레지스트 층(photoresist layer)을 형성하는 도포 공정, 레티클(reticle)에 형성된 패턴을 기판 상의 포토레지스트 층에 전사하여 회로를 형성하는 노광 공정, 그리고 현상액을 기판 상의 포토레지스트 층에 공급하여 노광된 영역 또는 그 반대 영역을 선택적으로 제거하는 현상 공정을 포함한다. 기판 상에 포토레지스트를 도포하기 전과 후, 그리고 기판 상에 현상액을 공급하기 전과 후에는 각각 기판에 대해 열처리가 이루어진다.
한국공개특허 2016-0017699에는 상술한 도포 공정과 현상 공정을 수행하는 기판 처리 장치의 일 예가 개시되어 있다. 이에 의하면, 기판 처리 장치는 서로 적층된 도포 모듈 및 현상 모듈을 가지고, 도포 모듈과 현상 모듈은 각각 반송 챔버, 액처리 챔버, 그리고 열처리 챔버를 가진다. 반송 챔버는 그 길이 방향이 제1방향을 따라 길게 제공되고, 제1방향을 기준으로 양 측부 중 하나의 측부에는 열처리 챔버들이 배치되고, 다른 측부에는 액처리 챔버들이 제공된다. 또한, 열처리 챔버의 하우징 내에는 냉각 유닛과 가열 유닛, 그리고 이들 간에 기판을 반송하는 반송 플레이트가 제공된다. 반송 플레이트는 기판을 가열 유닛으로 반송하고, 가열이 완료되면 기판이 반송 플레이트에 놓인 상태에서 냉각 유닛에 의해 냉각된다.
상술한 열처리 챔버의 구조는 가열 유닛과 냉각 유닛이 각각 독립된 챔버로 제공된 구조에서 가열 처리 및 냉각 처리를 수행하는 일반적인 구조에 비해 가열 처리, 냉각 처리, 그리고 기판의 반송 등에 소요되는 총 시간이 더 길다. 예컨대, 외부의 로봇이 반송 플레이트로 기판을 반송하고, 냉각 유닛이 제공된 영역에서 반송 플레이트가 가열 유닛이 제공된 영역으로 기판을 반송하는 경로 및 그 반대의 경로가 추가적으로 요구된다. 반면에, 열처리 챔버 내에 제공된 반송 플레이트를 이용해 가열 유닛과 냉각 유닛 간에 기판을 반송하므로 열처리 챔버 외부에 제공된 반송 로봇의 반송 부하(load)가 작다.
열처리 공정 중에는 표면이 친수성인 성질을 가지는 기판에 포토레지스트막이나 반사방지막을 형성하기 위한 액이 잘 부착되도록 하기 위해 기판의 표면을 소수성으로 바꾸어주는 헥사메칠디실란(hexamethyldisilazane, 이하 HMDS)과 같은 가스를 공급하면서 열처리하는 공정을 포함한다. 이 열처리 공정은 위 가스의 공급 없이 기판에 대해 열처리하는 공정에 비해 공정 시간이 더 많이 소요된다. 따라서 HMDS 가스를 공급하면서 열처리하는 공정과 HMDS 가스의 공급 없이 열처리하는 공정을 모두 위 열처리 챔버의 구조를 사용하면 HMDS 가스를 공급하면서 열처리를 수행하는 열처리 챔버에서 공정에 소요되는 시간이 크게 길어지고, 이를 해소하기 위해서는 위 가스를 공급하면서 열처리하는 열처리 챔버가 많이 필요하다..
또한, 상술한 구조의 기판 처리 장치에서는 반송 챔버의 길이 방향을 기준으로 양 측부 중 하나의 측부에는 열처리 챔버들이 제공되므로 도포 모듈이나 현상 모듈 내에 제공되는 액처리 챔버들의 수가 제한된다.
또한, 상술한 구조의 기판 처리 장치에서는 각각의 열처리 챔버 내로 기판의 반입 및 열처리 챔버로부터 기판의 반출이 모두 동일한 반송 로봇으로부터 이루어지므로 반송 로봇의 동작 레시피를 작성하기가 복잡하다.
또한, 상술한 구조의 기판 처리 장치에서는 반송 로봇이 반송 챔버의 길이 방향을 따라 주행하면서 기판을 열처리 챔버 또는 공정 챔버로 반송하므로 반송 로봇의 주행을 위한 축이 별도로 요구되므로 장치 구성이 복잡하고 메인티넌스 작업이 더 많이 요구된다.
본 발명은 도포 모듈이나 현상 모듈과 같은 처리 모듈에서 제한된 공간 내에 많은 수의 처리 챔버를 제공할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 처리 공정을 진행시 기판의 반송 스텝을 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 열처리에 수행하는 공정들 간에 열처리에 소요되는 시간 편차를 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 열처리 챔버 및 공정 챔버로 기판을 반송하는 반송 로봇의 동작 레시피를 더 단순하게 작성이 가능한 구조의 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 제1방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈과 처리 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은 기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트, 상기 로드 포트에 놓인 용기와 상기 처리 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 인덱스 프레임을 포함하고, 상기 처리 모듈은 기판에 액을 공급하여 기판 상에 액을 도포하는 액처리 챔버; 처리 가스를 공급하면서 상기 기판을 가열 처리하는 가열 챔버; 상기 가열 챔버에서 가열된 기판을 냉각하는 냉각 챔버; 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 가열하는 가열유닛, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각유닛, 그리고 상기 하우징 내에서 기판을 반송하는 반송 플레이트를 포함하는 상기 액처리 챔버부에서 처리된 기판을 열처리하는 열처리 챔버; 상기 가열 챔버와 상기 냉각 챔버 간에 기판을 반송하는 이송 기구; 그리고 상기 냉각 챔버, 상기 액처리 챔버, 그리고 상기 열처리 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 로봇을 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 냉각 챔버, 상기 반송 로봇, 그리고 상기 열처리 챔버는 상기 제1방향을 따라 배치되고, 상기 가열 유닛과 상기 냉각 유닛은 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 배치되고, 상기 반송 로봇과 상기 액처리 챔버는 상기 제2방향을 따라 배치된다.
일 예에 의하면, 상기 이송 기구와 상기 가열 챔버는 상기 제2방향을 따라 배열될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 반송 로봇은 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 지지축, 상기 지지축에 결합되며 상기 지지축에 대해 전진 및 후진 이동이 가능하게 제공되며 기판을 지지하는 핸드를 포함하되, 상기 지지축은 상기 냉각 챔버, 상기 액처리 챔버, 그리고 상기 열처리 챔버에 의해 둘러싸여진 영역의 기설정된 위치에 고정되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 반송 로봇의 상기 지지축은 상기 제1방향으로 상기 냉각 유닛과 마주보도록 위치될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 기판이 보관되는 버퍼를 더 포함하되, 상기 인덱스 로봇과 상기 이송 기구는 상기 버퍼와 직접 기판을 주고받도록 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 버퍼, 상기 가열 챔버, 그리고 상기 반송 로봇은 상기 제1방향을 따라 순차적으로 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 제1방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 처리 모듈, 그리고 인터페이스 모듈을 포함하되, 상기 인덱스 모듈은 기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트 및 상기 로드포트에 놓인 용기와 상기 처리모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 인덱스 프레임을 포함하고, 상기 처리모듈은 기판 상에 액막을 형성하는 도포공정을 수행하는 도포블럭, 상기 도포블럭과 적층되게 제공되며 현상공정을 수행하는 현상블럭을 포함하고, 상기 인터페이스 모듈은 외부의 노광장치와 연결되는 인터페이스 프레임 및 상기 인터페이스 프레임 내에 배치되는 반송 유닛을 포함하고, 상기 도포블럭과 상기 현상블럭은 각각 기판을 열처리하는 열처리챔버와; 기판에 액을 공급하여 기판을 처리하는 액처리챔버와; 상기 열처리챔버와 상기 액처리챔버 간에 기판을 반송하는 반송로봇을 포함하고, 상기 열처리챔버는 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 가열하는 가열 유닛, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각 유닛, 상기 하우징 내에서 기판을 반송하는 반송 플레이트를 포함하고, 상기 도포블럭은 가스를 공급하면서 기판을 가열 처리하는 가열 챔버, 기판을 냉각 처리하는 냉각 챔버, 그리고 상기 가열 챔버와 상기 냉각 챔버 간에 기판을 반송하는 이송 기구를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 가열 챔버, 상기 냉각 챔버, 그리고 상기 이송 기구는 상기 인덱스 모듈과 상기 반송 로봇 사이에 배치될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 냉각 챔버, 상기 반송 로봇, 그리고 상기 열처리 챔버는 상기 제1방향을 따라 배치되고, 상기 가열 유닛과 상기 냉각 유닛은 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 배치되고, 상기 반송 로봇과 상기 액처리 챔버는 상기 제2방향을 따라 배치될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 이송 기구와 상기 가열 챔버는 상기 제2방향을 따라 배열될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 반송 로봇은 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 지지축, 상기 지지축에 결합되며 상기 지지축에 대해 전진 및 후진 이동이 가능하게 제공되며 기판을 지지하는 핸드를 포함하되, 상기 지지축은 상기 냉각 챔버, 상기 액처리 챔버, 그리고 상기 열처리 챔버에 의해 둘러싸여진 영역의 기설정된 위치에 고정되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 반송 로봇의 상기 지지축은 상기 제1방향에서 바라볼 때 상기 냉각 유닛과 마주보도록 위치될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 도포블럭에 제공된 상기 반송 로봇은 상기 제1방향을 따라 순차적으로 배치되는 전단 반송 로봇과 후단 반송 로봇을 포함하고, 상기 도포블럭에 제공된 상기 열처리 챔버는 상기 전단 반송 로봇과 상기 후단 반송 로봇 사이에 배치되는 중간 열처리 챔버, 상기 후단 반송 로봇과 상기 인터페이스 모듈 사이에 배치되는 후단 열처리 챔버를 포함하고, 상기 도포블럭에 제공된 상기 액처리 챔버는 상기 전단 반송 로봇의 측부에 배치되며 기판에 대해 제1액을 도포하는 전단 액처리 챔버와 상기 후단 반송 로봇의 측부에 배치되며, 기판에 대해 상기 제1액과 상이한 제2액을 도포하는 후단 액처리 챔버를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 제1액은 기판 상에 반사 방지막을 형성하는 액이고, 상기 제2액은 기판 상에 도포된 상기 반사 방지막 상에 감광액을 형성하는 액일 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 전단 반송로봇과 상기 후단 반송로봇은 각각 상기 중간 열처리 챔버와 기판을 주고받도록 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 현상블럭에 제공된 상기 반송 로봇은 상기 제1방향을 따라 순차적으로 배치되는 전단 반송 로봇, 그리고 후단 반송 로봇을 포함하고, 상기 현상블럭에 제공된 상기 열처리 챔버는 상기 인덱스 모듈과 상기 전단 반송 로봇 사이에 배치되는 전단 열처리 챔버, 상기 전단 반송 로봇과 상기 후단 반송 로봇 사이에 배치되는 중간 열처리 챔버, 그리고 상기 후단 반송 로봇과 상기 인터페이스 모듈 사이에 배치되는 후단 열처리 챔버를 포함하고, 상기 현상 블럭에 제공된 상기 액처리 챔버는 상기 전단 반송 로봇의 측부에 배치되는 전단 액처리 챔버와 상기 후단 반송 로봇의 측부에 배치되는 후단 액처리 챔버를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 현상 블럭은 상기 열처리 챔버와 적층되게 제공되며 기판을 보관하는 버퍼를 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 현상 블럭은 상기 인덱스 모듈과 상기 전단 열처리 챔버 사이에 배치되며 기판에 대해 검사 공정을 수행하는 검사 챔버를 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 일 실시예에 의하면, 기판 처리 방법은 기판의 가열 및 냉각이 순차적으로 이루어지는 제1열처리 단계, 상기 제1열처리 이후에 상기 기판에 액을 공급하여 상기 액을 도포하는 액처리 단계, 그리고 기판의 가열 및 냉각이 순차적으로 이루어지는 제2열처리 단계를 포함하되, 상기 제1열처리 단계는 서로 독립적으로 제공되는 가열 챔버 및 냉각 챔버에서 이루어지고, 상기 제2열처리 단계는 가열 유닛과 냉각 유닛이 하나의 하우징 내에 제공된 열처리 챔버에서 이루어진다.
일 예에 의하면, 상기 제1열처리 단계에서 기판 가열에 소요되는 시간은 상기 제2열처리 단계에서 기판 가열에 소요되는 시간보다 더 길게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 액은 반사 방지막 또는 감광막을 형성하는 액이고, 상기 제1열처리 단계에서 상기 기판의 가열은 상기 기판에 상기 액의 부착력을 향상시키는 가스를 기판에 공급하면서 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 의하면, 기판 처리 장치는 전단 반송 로봇, 후단 반송 로봇, 상기 전단 반송 로봇과 상기 후단 반송 로봇 사이에 배치되어 기판에 대해 열처리 공정을 수행하는 열처리 챔버, 상기 전단 반송 로봇의 일 측에 배치되어 기판에 대해 액처리 공정을 수행하는 전단 액처리 챔버, 그리고 상기 후단 반송 로봇의 일 측에 배치되어 기판에 대해 액처리 공정을 수행하는 후단 액처리 챔버를 포함하되, 상기 전단 반송 로봇, 상기 열처리 챔버, 그리고 상기 후단 반송 로봇은 제 1 방향을 따라 순차적으로 일렬로 배치되고, 상기 전단 반송 로봇과 상기 전단 액처리 챔버는 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 일렬로 배치되고, 상기 후단 반송 로봇과 상기 후단 액처리 챔버는 상기 제2방향을 따라 일렬로 배치되며, 상기 전단 반송 로봇은 상기 열처리 챔버 및 상기 전단 액처리 챔버와 기판을 주고받을 수 있도록 제공되고, 상기 후단 반송 로봇은 상기 열처리 챔버 및 상기 후단 액처리 챔버와 기판을 주고받을 수 있도록 제공된다.
일 예에 의하면, 상기 전단 열처리 챔버 및 상기 후단 열처리 챔버는 각각 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 가열하는 가열유닛, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각유닛, 그리고 상기 하우징 내에서 기판을 반송하는 반송 플레이트를 포함하되, 상기 가열 유닛과 상기 냉각 유닛은 상기 제2방향을 따라 배치될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 전단 반송 로봇 및 상기 후단 반송 로봇은 각각 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 지지축과 상기 지지축에 결합되며 상기 지지축에 대해 전진 및 후진 이동이 가능하게 제공되며 기판을 지지하는 핸드를 포함하되, 상기 지지축은 기설정된 위치에 고정되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 전단 열처리 챔버에서 상기 냉각 유닛은 상기 가열 유닛보다 상기 전단 액처리 챔버에 더 인접하게 위치되고, 상기 후단 열처리 챔버에서 상기 냉각 유닛은 상기 가열 유닛보다 상기 전단 액처리 챔버에 더 인접하게 위치되며, 상기 전단 반송 로봇이 상기 후단 반송 로봇은 상기 냉각 유닛이 제공된 영역에 위치된 상기 반송 플레이트로 직접 기판을 주고받도록 제공될 수 있다.
위 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법은 상기 전단 반송 로봇이 기판을 상기 전단 공정 챔버로 반입하고, 상기 전단 공정 챔버에서 상기 기판 상에 제1액을 도포하는 단계; 상기 전단 반송 로봇이 상기 기판을 상기 전단 공정 챔버로부터 반출하고, 이후에 상기 기판을 상기 열처리 챔버로 반입하고, 상기 열처리 챔버에서 상기 기판에 대해 열처리 공정을 수행하는 단계; 그리고 상기 후단 반송 로봇이 상기 열처리 챔버에서 상기 기판을 반출하고, 이후에 상기 기판을 후단 액처리 챔버로 반입하고, 상기 후단 액처리 챔버에서 상기 기판 상에 제2액을 도포하는 단계를 포함한다.
일 예에 의하면, 상기 열처리 공정을 수행하는 단계는 상기 반송 플레이트가 상기 냉각 유닛이 제공된 영역에서 상기 전단 반송 로봇으로부터 상기 기판을 인수받는 단계, 상기 반송 플레이트가 상기 기판을 상기 열처리 유닛에 인계하고 상기 열처리 유닛에서 상기 기판을 가열하는 단계, 그리고 상기 반송 플레이트가 상기 열처리 유닛에서 상기 기판을 인수하고 상기 반송 플레이트 상에 기판이 놓인 상태에서 상기 냉각 유닛에서 상기 기판을 냉각하는 단계를 포함할 수 있다.
일 예에 의하면, 상기 제1액은 포토 레지스트이고, 상기 제2액은 반사 방지막일 수 있다.
본 발명에 의하면, 도포 모듈이나 현상 모듈에서 제한된 공간 내에 많은 수의 처리 챔버를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 처리 공정을 진행시 기판의 반송 스텝을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 반송 로봇의 반송 부하를 줄이면서, 동시에 열처리 공정들에 소요되는 총 시간을 줄일 수 있다.
또한, 본 발명은 열처리 공정들 간에 열처리에 소요되는 총 시간의 편차를 줄일 수 있다.
또한, 본 발명은 열처리 챔버 및 공정 챔버로 기판을 반송하는 반송 로봇의 동작 레시피를 더 단순하게 작성할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 정면도이다.
도 3은 도포 블럭을 보여주는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 현상 블럭을 보여주는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치에서 현상 블럭의 후면도이다.
도 6은 도 3의 가열 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 도 3의 냉각 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 3의 반송 로봇에서 핸드의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 9의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 11은 도 3의 액처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 12는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트이다.
도 13은 도 3에서 용기에서 노광 장치에 반입되기 전까지 기판의 반송 경로의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 14는 도 4에서 노광 장치로부터 반출된 후 용기까지 기판의 반송 경로의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 15 내지 도 19는 각각 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면들이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 정면도이다.
도 3은 도포 블럭을 보여주는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 현상 블럭을 보여주는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 1의 기판 처리 장치에서 현상 블럭의 후면도이다.
도 6은 도 3의 가열 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7은 도 3의 냉각 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 3의 반송 로봇에서 핸드의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 10은 도 9의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 11은 도 3의 액처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 12는 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트이다.
도 13은 도 3에서 용기에서 노광 장치에 반입되기 전까지 기판의 반송 경로의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 14는 도 4에서 노광 장치로부터 반출된 후 용기까지 기판의 반송 경로의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 15 내지 도 19는 각각 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면들이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 기판 처리 장치의 정면도이다. 도 3은 도포 블럭을 보여주는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이고, 도 4는 현상 블럭을 보여주는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이며, 도 5는 도 1의 기판 처리 장치에서 현상 블럭의 후면도이다
도 1 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12) 및 제2방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 일 예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 3개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 3개가 제공된다. 도포 블럭(30a)들은 현상 블럭(30b)들의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 3개의 도포 블럭(30a)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 3개의 현상 블럭(30b)들은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리부(heat treating part), 반송부(transfer part), 그리고 액처리부(liquid treating part)를 가진다. 인덱스 모듈(20)과 도포 블럭(30a) 간에 반송되는 기판은 버퍼(1600)에서 일시적으로 머무른다. 버퍼(1600)는 인덱스 프레임(24)과 인접한 영역에 배치된다. 버퍼(1600)에는 복수의 기판들이 제3방향(16)을 따라 서로 이격되게 배치될 수 있다. 버퍼(1600)는 도포 블럭(30a)에 대응되는 높이에서 현상 블럭(30b)에 대응하는 높이까지 복수 개가 제공될 수 있다.
열처리부는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리부는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막, 반사방지막, 또는 보호막일 수 있다. 반송부는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리부와 액처리부 간에 기판(W)을 반송한다.
반송부는 이송 기구(3900)와 복수의 반송 로봇(3422, 3424)를 가진다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422, 3424)은 지지축(3427)과 핸드(3420)를 가진다. 지지축(3427)은 그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공된다. 핸드(3420)는 기판(W)을 지지한다. 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3방향(16)을 축으로 회전 가능하도록 지지축(3427)에 결합될 수 있다. 또한, 지지축(3427)은 제3방향(16)으로 승하강될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422, 3424)의 지지축(3427)은 제1방향(12) 또는 제2방향(14)으로 이동되지 않고, 기설정 위치에 고정되도록 제공된다.
도 8는 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지돌기(3429)는 등간격으로 4개가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 이송 기구(3900)는 각각 반송 로봇(3422, 3424)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 반송 로봇(3422, 3424)은 2개가 제공될 수 있으며, 2개의 반송 로봇(3422, 344)은 제1방향(12)을 따라 배열될 수 있다. 2개의 반송 로봇(3422, 3424)는 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 이하, 2개의 반송 로봇들 중 인덱스 모듈(20)에 더 인접하게 위치된 반송 로봇을 전단 반송로봇(3422, front transfer robot)라 칭하고, 인터페이스 모듈(40)에 더 인접하게 위치된 반송 로봇을 후단 반송로봇(3424, rear transfer robot)이라 칭한다.
열처리부는 가열 챔버(1200), 냉각 챔버(1400), 그리고 복수의 열처리 챔버(3204, 3206)를 가진다. 가열 챔버(1200)와 냉각 챔버(1400)는 기판이 액처리부로 반입되기 전에 기판을 열처리한다. 예컨대, 가열 챔버(1200)와 냉각 챔버(1400)는 기판이 후술하는 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판 상에 액을 도포하기 전에 기판을 가열 또는 냉각할 수 있다. 열처리 챔버(3204, 3206)는 기판에 대해 전단 액처리 챔버(3602) 또는 후단 액처리 챔버(3604)에서 액처리가 완료된 이후에 기판을 가열 및 냉각할 수 있다.
이송 기구(3900)는 버퍼(1600), 가열 챔버(1200), 그리고 냉각 챔버(1400) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 버퍼(1600), 이송 기구(3900), 그리고 가열 챔버(1200)는 제2방향(14)을 따라 순차적으로 배치되고, 버퍼(1600), 냉각 챔버(1400), 그리고 전단 반송로봇(3422)은 제1방향(12)을 따라 순차적으로 배치된다. 이와 달리, 버퍼(16))와 냉각 챔버(1400)는 서로 간에 적층된 구조로 배치될 수 있다.
도 6은 가열 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 6을 참조하면, 가열 챔버(1200)는 가열판(1232), 커버(1234), 히터(1233), 그리고 가스공급부재(1240)를 가진다. 가열판(1232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(1232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(1232)에는 히터(1233)가 설치된다. 히터(1233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(1232)에는 제3방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(1238)들이 제공된다. 리프트 핀(1238)은 가열 챔버(1200) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(1232) 상에 내려놓거나 가열판(1232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 챔버(1200) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(1238)은 3개가 제공될 수 있다.
커버(1234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(1234)는 가열판(1232)의 상부에 위치되며 구동기(1236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(1234)가 가열판(1232)에 접촉되면, 커버(1234)와 가열판(1232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다.
가스공급부재(1240)는 기판의 가열이 이루어지는 동안 가열 챔버(1240)의 내부로 가스를 공급한다. 가스는 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판에 공급되는 액과 기판과의 부착력을 향상시키는 가스일 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane, HMDS) 가스일 수 있다. 가스 공급 부재(1240)는 가스 공급원(1242)과 가스 공급라인(1244)을 가진다. 가스 공급라인(1244)은 가열 챔버(100)에 제공된 가스 도입구(1235) 및 가스 공급원(1242)과 연결되어, 가스 공급원(1242)으로부터 가스를 가열 챔버(1200) 내부로 공급한다.
도 7은 냉각 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 7을 참조하면, 냉각 챔버(1400)는 프레임(1420), 냉각 플레이트(1440), 그리고 지지체(1460)를 가진다. 프레임(1420)은 대체로 직육면체의 형상을 가지고, 냉각 플레이트(1440) 및 지지체(1460)가 수용되는 공간을 제공한다. 프레임(1420)에서 네 개의 측면은 모두 개방된 면으로 제공될 수 있다. 선택적으로 프레임(1420)에서 이송 기구(3900) 및 전단 반송 로봇(3422)과 마주보는 면만 개방된 면으로 제공될 수 있다. 냉각 플레이트(1440)는 복수 개가 제공되며, 이들은 제3방향(16)으로 서로 적층되게 배치된다. 냉각 플레이트들(1440)은 서로 간에 일정 거리 이격된 상태로 배치된다. 각각의 냉각 플레이트(1440) 내에는 냉각 유체가 흐르는 냉각 유로(1446)가 형성된다. 냉각 유체는 물일 수 있다.
냉각 플레이트(1440)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 냉각 플레이트(1440)의 가장자리에는 노치(1444)가 형성된다. 노치(1444)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(1444)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 냉각 플레이트(1440)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 냉각 플레이트(1440)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 냉각 플레이트(1440) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다.
지지체(1460)는 길이 방향이 제3방향(16)으로 제공되고, 복수의 냉각 플레이트들(1440)을 지지한다. 지지체(1460) 내에는 냉각 유체가 흐르는 분배 라인(도시되지 않음)이 형성된다. 각각의 냉각 플레이트(1440)에 제공된 냉각 유로들(1446)은 분배 라인으로부터 분기된다. 지지체(1460)에는 냉각 플레이트(1440)로부터 외부의 냉각 유체가 유입되는 유입포트(1462)와 외부로 냉각 유체를 배출하는 유출포트(1464)가 형성된다. 분배 라인은 유입포트(1462) 및 유출포트(1464)와 연결된다.
도 9는 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 10은 도 9의 열처리 챔버의 정면도이다. 열처리 챔버(3204, 3206)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 하우징(3210) 내부는 제1영역(3212)과 제2영역(3214)을 가진다. 제1영역(3212)과 제2영역(3214)은 제2방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 열처리 챔버(3204)는 제1방향(12)에서 바라볼 때 제1영역(3212)은 반송 로봇(3422, 3424)과 중첩되고 제2영역(3214)은 반송 로봇(3422, 3424)와 중첩되는 위치에서 벗어나게 배치된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 제1영역(3212)에 배치되고, 가열 유닛(3230)은 제2영역(3214)에 배치된다. 제1방향(12)에서 바라볼 때, 지지축(3427)은 냉각 유닛(3220)과 마주보는 위치에 배치될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 냉각판(3222)은 상하 방향으로 이동되도록 제공되어, 반송 플레이트(3240)가 제1영역(3212)에 위치하면 냉각판(3222)은 반송 플레이트(3240)와 접촉되도록 이동될 수 있다.
가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 제3방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다.
반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(3238)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.
도 9의 실시예에 의하면, 기판(W)의 가열은 기판(W)이 가열판(3232) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)는 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다.
열처리 챔버(3204, 3206)들 중 일부는 전단 반송 로봇(3422)과 후단 반송 로봇(3424) 사이에 위치된다. 이하 이들 열처리 챔버를 중간 열처리 챔버(3204, middle heat treating chamber)라 한다. 열처리 챔버(3204, 3206)들 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 열처리 챔버를 후단 열처리 챔버(3206, rear heat treating chamber)라 칭한다.
일 예에 의하면, 후단 열처리 챔버(3204)와 중간 열처리 챔버(3206)는 서로 동일한 배치 및 동일한 수로 제공될 수 있다. 후단 열처리 챔버(3206)는 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 후단 열처리 챔버(3206)들은 서로 적층되도록 제공된다. 일 예에 의하면, 후단 열처리 챔버(3206)는 3개가 제공될 수 있다.
액처리부(3600)는 복수의 액처리 챔버(3602, 3604)를 가진다. 액처리 챔버(3602, 3604)는 전단 반송 로봇(3422) 및 후단 반송 로봇(3424)의 일측에 각각 복수 개가 배치될 수 있다. 또한, 액처리 챔버(3602, 3604)들 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다.
도 11은 액처리 챔버(3602, 3604)의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 11을 참조하면, 액처리 챔버(3602, 3604)는 하우징(3610), 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 지지유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지유닛(3640)은 액처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급유닛(3660)은 지지유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다.
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 현상 블럭(30b)은 열처리부, 반송부, 그리고 액처리부를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리부, 반송부, 그리고 액처리부는 도포 블럭(30a)의 열처리부, 반송부, 그리고 액처리부와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공될 수 있다. 다만, 현상 블럭(30b)의 열처리부는 가열 챔버와 냉각 챔버를 구비하지 않고, 전단 열처리 챔버(3202)를 추가로 구비한다. 전단 열처리 챔버(3202)는 인덱스 모듈(20)과 인접한 영역에 위치된다. 전단 열처리 챔버(3202)는 인덱스 모듈(20)과 전단 반송 로봇(3422) 사이에 위치될 수 있다.
도 5를 참조하면, 현상 블럭(30b)에는 전단 버퍼(3102), 후단 버퍼(3104), 그리고 중간 버퍼(3106)가 제공될 수 있다. 전단 버퍼(3102)는 전단 열처리 챔버(3202)와 적층되도록 제공될 수 있다. 전단 버퍼(3102)는 복수 개가 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 전단 반송 로봇(3422)과 이송 기구(3900) 간에 기판이 반송은 다음과 같이 진행될 수 있다. 기판에 대해 열처리를 수행하고자 하는 경우에는 전단 반송 로봇(3422)에 의해서 기판이 전단 열처리 챔버(3202) 내로 반입되어 열처리되고, 이후에 이송 기구(3900)에 의해 기판이 전단 열처리 챔버(3202)에서 반출된다. 이와 달리 기판에 대해 열처리 없이 반송하고자 하는 경우에는 전단 반송 로봇(3422)에 의해서 기판이 전단 버퍼(3102)로 반입되고, 이후에 이송 기구(3900)에 의해 기판이 전단 버퍼(3102)에서 반출된다.
후단 버퍼(3104)는 후단 열처리 챔버(3204)와 적층되도록 제공될 수 있다. 후단 버퍼(3104)는 복수 개가 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 중간 버퍼(3106)는 중간 열처리 챔버(3206)와 적층되도록 제공될 수 있다. 중간 버퍼(3106)는 복수 개가 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 인터페이스 모듈(40)과 후단 반송 로봇(3424) 간에 기판의 반송, 그리고 전단 반송 로봇(3422)과 후단 반송 로봇(3424) 간에 기판의 반송은 위와 유사하게 이루어질 수 있다.
또한, 현상 블럭(30b)에는 검사 챔버(3990)가 제공될 수 있다. 검사 챔버(3990)는 도포 공정 또는 현상 공정이 진행된 기판에 대해 공정 불량이 발생되었는지 여부를 검사할 수 있다. 일 예에 의하면, 검사 챔버(3990)는 이송 기구(3900)의 일측에 배치된다. 이송 기구(3900)와 검사 챔버(3990)는 제2방향(14)을 따라 나란하게 배치될 수 있다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 유닛(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 유닛(4600)은 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지노광공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼(4400)는 서로 적층되게 제공될 수 있다. 인터페이스 버퍼(4400)들 중 일부는 기판의 냉각이 가능하도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 도포 블럭(30a)에 대응하는 높이에 제공되는 인터페이스 버퍼들(4400)은 기판의 냉각을 수행하도록 제공되고, 현상 블럭(30b)에 대응하는 높이에 제공되는 인터페이스 버퍼들(4400)은 기판의 냉각 없이 보관만 하도록 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 전단 반송 로봇(3422)과 후단 반송 로봇(3424)이 배열된 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 유닛(4600)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 유닛(4600)은 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(4600)은 제1로봇(4602)과 제2로봇(4604)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 현상 블럭(30b), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602)과 제2로봇(4604)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(2200), 이송 기구(3900), 제1로봇(4602), 그리고 제2로봇(4604)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버(3204, 3206)의 반송 플레이트(3240) 및 냉각 챔버(1400)의 냉각 플레이트(1440)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 이송 기구(3900)는 버퍼(1600), 가열 챔버(1200), 냉각 챔버(1400), 그리고 검사 챔버(3990)에 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 반송 로봇(3422)은 냉각 챔버(1400), 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)에 위치된 반송 플레이트(3240), 그리고 전단 액처리 챔버(3602)와 각각 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. 또한, 도포 블럭(30a)에 제공된 후단 반송 로봇(3424)은 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)에 위치된 반송 플레이트(3240), 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)에 위치된 반송 플레이트(3240), 그리고 후단 액처리 챔버(3604)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
또한, 현상 블럭(30b)에 제공된 전단 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3102), 중간 버퍼(3106), 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)에 위치한 반송 플레이트(3240), 전단 열처리 챔버(3202)의 제1영역(3212)에 위치한 반송 플레이트(3240), 및 전단 액처리 챔버(3602)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다. 현상 블럭(30b)에 제공된 후단 반송 로봇(3424)은 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)에 위치된 반송 플레이트(3240), 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)에 위치된 반송 플레이트(3240), 후단 액처리 챔버(3604), 중간 버퍼(3106), 그리고 후단 버퍼(3104)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
또한, 인터페이스 모듈(40)에서 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a)에 제공된 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)에 위치한 반송 플레이트(3240), 현상 블럭(30b)에 제공된 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)에 위치한 반송 플레이트(3240), 후단 버퍼(3104), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 보조 공정챔버(4200)와 기판(W)을 직접 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다. 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400) 및 노광 장치(50)와 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
상술한 예에서는 버퍼(1600), 가열 챔버(1200), 냉각 챔버(1400), 전단 열처리 챔버(3202), 전단 버퍼(3102), 그리고 검사 챔버(3990) 간에 기판의 반송은 동일한 이송 기구(3900)에 의해 이루어지는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 버퍼(1600), 가열 챔버(1200), 냉각 챔버(1400) 간에 기판을 반송하는 이송 기구와 전단 열처리 챔버(3202), 전단 버퍼(3102), 검사 챔버(3990), 그리고 버퍼(1600) 간에 기판을 반송하는 이송 기구는 각각 제공될 수 있다.
다음에는 도 12 내지 도 14를 참조하여, 도 1의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다.
도 12는 기판 처리 방법을 순차적으로 보여주는 플로우차트이다. 도 13은 용기에서 노광 장치에 반입되기 전까지 기판의 반송 경로의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 14는 노광 장치에서 반출된 후 용기까지 기판의 반송 경로의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 12를 참조하면, 기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다.
도포 처리 공정(S20)은 가열 챔버(3900)에서 가열 처리 공정(S21), 냉각 챔버(1400)에서 냉각 처리 공정(S22), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S23), 중간 열처리 챔버(3206)에서 열처리 공정(S24), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S25), 그리고 후단 열처리 챔버(3204)에서 열처리 공정(S26)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.
이하, 도 13을 참조하여 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다,
인덱스 로봇(2200)이 용기(10)에서 기판(W)을 꺼내서 버퍼(1600)에 기판(W)을 반송한다. 이송 기구(3900)가 버퍼(1600)에서 기판(W)을 꺼내어 가열 챔버(1200)로 반송한다. 가열 챔버(1200)에서 HMDS가스를 기판(W)에 공급하면서 기판(W)을 가열하는 가열 처리 공정을 수행한다. 가열 처리 공정이 완료되면, 이송 기구(3900)가 가열 챔버(1200)에서 기판을 꺼내어 냉각 챔버(1400)으로 반송한다. 냉각 챔버(1400)에서 기판을 냉각하는 냉각 처리 공정을 수행한다. 냉각 처리 공정이 완료되면, 전단 반송 로봇(3422)이 냉각 챔버(1400)에서 기판(W)을 꺼내어 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다.
전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다.
전단 반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)으로 기판(W)을 반입한다. 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)에서 반송 플레이트(3240)가 기판(W)을 중간 열처리 챔버(3206)의 제2영역(3214)에 제공된 가열 유닛(3230)으로 반송한다. 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 가열 유닛(3230)에서 기판(W)을 반출하여 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)으로 이동하고, 이후 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 후단 반송 로봇(3424)이 중간 열처리 챔버(3206)에서 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다.
이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다.
후단 반송 로봇(3424)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)으로 기판(W)을 반입한다. 제1영역(3212)에서 반송 플레이트(3240)가 기판(W)을 제2영역(3214)에 제공된 가열 유닛(3230)으로 반송한다. 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 가열 유닛(3230)에서 기판(W)을 반출하여 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)으로 이동하고, 이후 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 열처리 챔버(3204)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다.
보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.
이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제2로봇(4604)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.
현상 처리 공정(S80)은 후단 열처리 챔버(3204)에서 열처리 공정(S81), 후단 액처리 챔버(3604)에서 현상 공정(S82), 그리고 중간 열처리 챔버(3206)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다. 이와 달리 현상 공정(S82)은 전단 액처리 챔버(3602)에서 수행되고, 이후에 전단 열처리 챔버(3202)에서 열처리 공정(S83)이 수행될 수 있다.
이하, 도 11을 참조하여 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다,
제2로봇(4604)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 현상 블럭(30b)의 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)으로 기판(W)을 반입한다. 제1영역(3212)에서 반송 플레이트(3240)가 기판(W)을 제2영역(3214)에 제공된 가열 유닛(3230)으로 반송한다. 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 가열 유닛(3230)에서 기판(W)을 반출하여 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)으로 이동하고, 이후 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 후단 반송 로봇(3424)이 후단 열처리 챔버(3204)의 제1영역(3212)에서 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다.
후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다.
후단 반송 로봇(3424)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 현상 블럭(30b)의 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)으로 기판(W)을 반입한다. 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)에서 반송 플레이트(3240)가 기판(W)을 제2영역(3214)에 제공된 가열 유닛(3230)으로 반송한다. 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 가열 유닛(3230)에서 기판(W)을 반출하여 중간 열처리 챔버(3206)의 제1영역(3212)으로 이동하고, 이후 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 전단 반송 로봇(3422)이 중간 열처리 챔버(3206)에서 기판(W)을 반출하여 전단 버퍼(3102)로 반송한다.
이후, 이송 기구(3900)가 전단 버퍼(3102)에서 기판(W)을 반출하여 버퍼(1600)으로 반송한다. 그리고 인덱스 로봇(2200)이 버퍼(1600)에서 기판을 꺼내어 용기(10)로 반송한다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 가열 챔버(1200)에서 HMDS가스를 기판에 공급하면서 기판을 가열 처리하는 데 소요되는 시간은 열처리 챔버(3204, 3206)의 가열 유닛(3230)에서 HMDS가스의 공급 없이 기판을 가열 처리하는 데 소요되는 시간이 더 길다. 이에 반해, 기판이 이송 기구(3900)에 의해 가열 챔버(1200)로 반입되는 시점부터 전단 반송 로봇(3422)이 냉각 챔버(1400)로부터 기판을 꺼내는 시점까지 소요되는 기판의 이동시간은 전단 반송 로봇(3422)에 의해 기판이 중간 열처리 챔버(3206)로 반입된 시점부터 후단 반송 로봇(3424)에 의해 기판이 중간 열처리 챔버(3206)에서 꺼내는 시점까지 소요되는 기판의 이동시간보다 더 짧다. 따라서 도 1의 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리시에는 HMDS가스를 공급하면서 기판을 열처리하는 공정과 HMDS 가스의 공급 없이 기판을 열처리하는 공정을 모두 열처리 챔버(3204, 3206)에서 수행하는 경우에 비해 가열 처리, 기판 반송, 그리고 냉각 처리 전체에 소요되는 총 시간의 편차가 더 작다.
다음에는 본 발명의 다양한 변형 예에 대해 개략적으로 설명한다. 도 15 내지 도 19은 각각 본 발명의 기판 처리 장치의 다른 예를 개략적으로 보여주는 도면들이다.
도 1에서는 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)이 각각 3개가 제공된 경우를 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 15에 도시된 바와 같이 기판 처리 장치(2)에서 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a)과 현상 블럭(30b)을 각각 1개씩 구비할 수 있다.
또한, 도 2 내지 도 4에서는 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)이 각각 2개의 반송 로봇(3422, 3424)를 구비하는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 16에 도시된 바와 같이 기판 처리 장치(3)에서 도포 블럭(30a) 또는 현상 블럭(30b)은 1개의 반송 로봇(3422)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 도포 블럭(30a)에 제공된 액처리 챔버(3602)들은 서로 상이한 종류의 액들을 기판(W) 상에 도포할 수 있으며, 선택적으로 액처리 챔버(3602)들은 모두 포토 레지스트를 기판(W) 상에 도포할 수 있다.
또한, 도 3에서는 도포 블럭(30a)에 전단 반송 로봇(3422), 중간 열처리 챔버(3206), 후단 반송 로봇(3424), 후단 열처리 챔버(3204)가 순차적으로 제1방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 전단 반송 로봇(3422)의 측부에 제1액처리 챔버(3602)가 배치되고, 후단 반송 로봇(3424)의 측부에 제2액처리 챔버(3604)가 배치되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 도 17에 도시된 바와 같이 기판 처리 장치(4)의 도포 블럭(30a)은 전단 반송 로봇(3422), 제1중간 열처리 챔버(3206a), 중간 반송 로봇(3426), 제2중간 열처리 챔버(3206b), 후단 반송 로봇(3424), 그리고 후단 열처리 챔버(3204)가 순차적으로 배치되고, 전단 반송 로봇(3422)의 측부에 전단 액처리 챔버(3602)가 배치되고, 중간 반송 로봇(3426)의 측부에 중간 액처리 챔버(3606)가 배치되고, 후단 반송 로봇(3424)의 측부에 후단 액처리 챔버(3604)가 배치될 수 있다. 이 경우, 일 실시예에 의하면, 전단 액처리 챔버(3602), 중간 액처리 챔버(3606), 그리고 후단 액처리 챔버(3604)는 순차적으로 기판(W) 상에 하부 반사 방지막, 포토 레지스트막, 그리고 상부 반사 방지막을 도포할 수 있다.
또한, 도 1 내지 도 4에서는 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭이 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 도 18에 도시된 바와 같이 기판 처리 장치(5)는 인터레이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막일 수 있다.
또한, 도 1 내지 도 4에서는 기판 처리 장치(1)의 도포 블럭(30a)에서 열처리부는 열처리 챔버 이외에 가열 챔버와 냉각 챔버를 더 구비하고, HMDS 가스를 공급하면서 기판을 가열 처리하는 공정은 가열 챔버에서 이루어지는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리, 도 19에 도시된 바와 같이 기판 처리 장치(6)의 열처리부는 가열 챔버와 냉각 챔버 없이 열처리 챔버(3200) 만을 구비하고, 열처리 챔버(3200)는 중간 열처리 챔버(3206)와 후단 열처리 챔버(3204) 이외에 추가적으로 전단 열처리 챔버(3202)를 더 구비하고, 전단 열처리 챔버(3202)는 인덱스 모듈(20)과 전단 반송 로봇(3422) 사이에 위치될 수 있다. 이 경우, 인덱스 로봇(2200)과 전단 반송 로봇(3422)은 전단 열처리 챔버(3202)와 직접 기판을 주고받도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)과 전단 반송 로봇(3422)은 각각 전단 열처리 챔버(3202)의 제1영역(3212)에 위치한 반송 플레이트(3240)와 기판을 직접 주고받도록 제공될 수 있다. 선택적으로 인덱스 로봇(2200)은 전단 열처리 챔버(3202)의 가열 유닛(3230)과 기판을 직접 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
20 : 인덱스 모듈 30 : 처리 모듈
30a : 도포 블럭 30b : 현상 블럭
40 : 인터페이스 모듈 50 : 노광 장치
1200 : 가열 챔버 1400 : 냉각 챔버
1600 : 버퍼 3900 : 이송 기구
3202 : 전단 열처리 챔버 3204 : 후단 열처리 챔버
3206 : 중간 열처리 챔버 3422 : 전단 반송 로봇
3424 : 후단 반송 로봇 3602 : 전단 액처리 챔버
3604 : 후단 액처리 챔버
30a : 도포 블럭 30b : 현상 블럭
40 : 인터페이스 모듈 50 : 노광 장치
1200 : 가열 챔버 1400 : 냉각 챔버
1600 : 버퍼 3900 : 이송 기구
3202 : 전단 열처리 챔버 3204 : 후단 열처리 챔버
3206 : 중간 열처리 챔버 3422 : 전단 반송 로봇
3424 : 후단 반송 로봇 3602 : 전단 액처리 챔버
3604 : 후단 액처리 챔버
Claims (29)
- 기판을 처리하는 장치에 있어서,
제1방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈과 처리 모듈을 포함하되,
상기 인덱스 모듈은,
기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트와; 그리고
상기 로드 포트에 놓인 용기와 상기 처리 모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 인덱스 프레임을 포함하고,
상기 처리 모듈은
기판에 액을 공급하여 기판 상에 액을 도포하는 액처리 챔버와;
처리 가스를 공급하면서 상기 기판을 가열 처리하는 가열 챔버와;
상기 가열 챔버에서 가열된 기판을 냉각하는 냉각 챔버와;
하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 가열하는 가열유닛, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각유닛, 그리고 상기 하우징 내에서 기판을 반송하는 반송 플레이트를 포함하는 상기 액처리 챔버부에서 처리된 기판을 열처리하는 열처리 챔버와,
상기 가열 챔버와 상기 냉각 챔버 간에 기판을 반송하는 이송 기구과; 그리고
상기 냉각 챔버, 상기 액처리 챔버, 그리고 상기 열처리 챔버 간에 기판을 반송하는 반송 로봇을 포함하는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 냉각 챔버, 상기 반송 로봇, 그리고 상기 열처리 챔버는 상기 제1방향을 따라 배치되고,
상기 가열 유닛과 상기 냉각 유닛은 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 배치되고,
상기 반송 로봇과 상기 액처리 챔버는 상기 제2방향을 따라 배치되는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 이송 기구과 상기 가열 챔버는 상기 제2방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 반송 로봇은,
그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 지지축과; 그리고
상기 지지축에 결합되며, 상기 지지축에 대해 전진 및 후진 이동이 가능하게 제공되며 기판을 지지하는 핸드를 포함하되,
상기 지지축은 상기 냉각 챔버, 상기 액처리 챔버, 그리고 상기 열처리 챔버에 의해 둘러싸여진 영역의 기설정된 위치에 고정되게 제공되는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 반송 로봇의 상기 지지축은 상기 제1방향으로 상기 냉각 유닛과 마주보도록 위치되는 기판 처리 장치. - 제3항에 있어서,
기판이 보관되는 버퍼를 더 포함하되,
상기 인덱스 로봇과 상기 이송 기구는 상기 버퍼와 직접 기판을 주고받도록 제공되는 기판 처리 장치. - 제6항에 있어서,
상기 버퍼, 상기 가열 챔버, 그리고 상기 반송 로봇은 상기 제1방향을 따라 순차적으로 배치되는 기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 장치에 있어서,
제1방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 처리 모듈, 그리고 인터페이스 모듈을 포함하되,
상기 인덱스 모듈은 기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드포트 및 상기 로드포트에 놓인 용기와 상기 처리모듈 간에 기판을 반송하는 인덱스 로봇이 제공된 인덱스 프레임을 포함하고,
상기 처리모듈은 기판 상에 액막을 형성하는 도포공정을 수행하는 도포블럭, 상기 도포블럭과 적층되게 제공되며 현상공정을 수행하는 현상블럭을 포함하고,
상기 인터페이스 모듈은 외부의 노광장치와 연결되는 인터페이스 프레임 및 상기 인터페이스 프레임 내에 배치되는 반송 유닛을 포함하고,
상기 도포블럭과 상기 현상블럭은 각각 기판을 열처리하는 열처리 챔버, 기판에 액을 공급하여 기판을 처리하는 액처리 챔버, 그리고 상기 열처리 챔버와 상기 액처리 챔버 간에 기판을 반송하는 반송로봇을 포함하고,
상기 열처리챔버는 하우징, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 가열하는 가열 유닛, 상기 하우징 내에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각 유닛, 그리고 상기 하우징 내에서 기판을 반송하는 반송 플레이트를 포함하고,
상기 도포블럭은,
가스를 공급하면서 기판을 가열 처리하는 가열 챔버와,
기판을 냉각 처리하는 냉각 챔버와; 그리고
상기 가열 챔버와 상기 냉각 챔버 간에 기판을 반송하는 이송 기구을 더 포함하는 기판 처리 장치. - 제8항에 있어서,
상기 가열 챔버, 상기 냉각 챔버, 그리고 상기 이송 기구는 상기 인덱스 모듈과 상기 반송 로봇 사이에 배치되는 기판 처리 장치. - 제9항에 있어서,
상기 냉각 챔버, 상기 반송 로봇, 그리고 상기 열처리 챔버는 상기 제1방향을 따라 배치되고,
상기 가열 유닛과 상기 냉각 유닛은 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 배치되고,
상기 반송 로봇과 상기 액처리 챔버는 상기 제2방향을 따라 배치되는 기판 처리 장치. - 제9항에 있어서,
상기 이송 기구과 상기 가열 챔버는 상기 제2방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치. - 제9항에 있어서,
상기 반송 로봇은,
그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 지지축과; 그리고
상기 지지축에 결합되며, 상기 지지축에 대해 전진 및 후진 이동이 가능하게 제공되며 기판을 지지하는 핸드를 포함하되,
상기 지지축은 상기 냉각 챔버, 상기 액처리 챔버, 그리고 상기 열처리 챔버에 의해 둘러싸여진 영역의 기설정된 위치에 고정되게 제공되는 기판 처리 장치. - 제12항에 있어서,
상기 반송 로봇의 상기 지지축은 상기 제1방향에서 바라볼 때 상기 냉각 유닛과 마주보도록 위치되는 기판 처리 장치. - 제8항 내지 제13항 중 어느 하나에 있어서,
상기 도포블럭에 제공된 상기 반송 로봇은 상기 제1방향을 따라 순차적으로 배치되는 전단 반송 로봇과 후단 반송 로봇을 포함하고,
상기 도포블럭에 제공된 상기 열처리 챔버는,
상기 전단 반송 로봇과 상기 후단 반송 로봇 사이에 배치되는 중간 열처리 챔버와; 그리고
상기 후단 반송 로봇과 상기 인터페이스 모듈 사이에 배치되는 후단 열처리 챔버를 포함하고,
상기 도포블럭에 제공된 상기 액처리 챔버는,
상기 전단 반송 로봇의 측부에 배치되며 기판에 대해 제1액을 도포하는 전단 액처리 챔버와; 그리고
상기 후단 반송 로봇의 측부에 배치되며, 기판에 대해 상기 제1액과 상이한 제2액을 도포하는 후단 액처리 챔버를 포함하는 기판 처리 장치. - 제14에 있어서,
상기 제1액은 기판 상에 반사 방지막을 형성하는 액이고,
상기 제2액은 기판 상에 도포된 상기 반사 방지막 상에 감광액을 형성하는 액인 기판 처리 장치. - 제14항에 있어서,
상기 전단 반송로봇과 상기 후단 반송로봇은 각각 상기 중간 열처리 챔버와 기판을 주고받도록 제공되는 기판 처리 장치. - 제7항 내지 제13항 중 어느 하나에 있어서,
상기 현상블럭에 제공된 상기 반송 로봇은 상기 제1방향을 따라 순차적으로 배치되는 전단 반송 로봇, 그리고 후단 반송 로봇을 포함하고,
상기 현상블럭에 제공된 상기 열처리 챔버는,
상기 인덱스 모듈과 상기 전단 반송 로봇 사이에 배치되는 전단 열처리 챔버와;
상기 전단 반송 로봇과 상기 후단 반송 로봇 사이에 배치되는 중간 열처리 챔버와; 그리고
상기 후단 반송 로봇과 상기 인터페이스 모듈 사이에 배치되는 후단 열처리 챔버를 포함하고,
상기 현상 블럭에 제공된 상기 액처리 챔버는,
상기 전단 반송 로봇의 측부에 배치되는 전단 액처리 챔버와; 그리고
상기 후단 반송 로봇의 측부에 배치되는 후단 액처리 챔버를 포함하는 기판 처리 장치. - 제17항에 있어서,
상기 현상 블럭은 상기 열처리 챔버와 적층되게 제공되며 기판을 보관하는 버퍼를 더 포함하는 기판 처리 장치. - 제17항에 있어서,
상기 현상 블럭은,
상기 인덱스 모듈과 상기 전단 열처리 챔버 사이에 배치되며 기판에 대해 검사 공정을 수행하는 검사 챔버를 더 포함하는 기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 방법에 있어서,
기판의 가열 및 냉각이 순차적으로 이루어지는 제1열처리 단계와;
상기 제1열처리 이후에 상기 기판에 액을 공급하여 상기 액을 도포하는 액처리하는 단계와; 그리고
기판의 가열 및 냉각이 순차적으로 이루어지는 제2열처리 단계를 포함하되,
상기 제1열처리 단계는 서로 독립적으로 제공되는 가열 챔버 및 냉각 챔버에서 이루어지고,
상기 제2열처리 단계는 가열 유닛과 냉각 유닛이 하나의 하우징 내에 제공된 열처리 챔버에서 이루어지는 기판 처리 방법. - 제20항에 있어서,
상기 제1열처리 단계에서 기판 가열에 소요되는 시간은 상기 제2열처리 단계에서 기판 가열에 소요되는 시간보다 더 긴 기판 처리 방법. - 제21항에 있어서,
상기 액은 반사 방지막 또는 감광막을 형성하는 액이고,
상기 제1열처리 단계에서 상기 기판의 가열은 상기 기판에 상기 액의 부착력을 향상시키는 가스를 기판에 공급하면서 이루어지는 기판 처리 방법. - 기판을 처리하는 장치에 있어서,
전단 반송 로봇과;
후단 반송 로봇과;
상기 전단 반송 로봇과 상기 후단 반송 로봇 사이에 배치되어 기판에 대해 열처리 공정을 수행하는 열처리 챔버와;
상기 전단 반송 로봇의 일 측에 배치되어, 기판에 대해 액처리 공정을 수행하는 전단 액처리 챔버와;
상기 후단 반송 로봇의 일 측에 배치되어, 기판에 대해 액처리 공정을 수행하는 후단 액처리 챔버를 포함하되,
상기 전단 반송 로봇, 상기 열처리 챔버, 그리고 상기 후단 반송 로봇은 제 1 방향을 따라 순차적으로 일렬로 배치되고,
상기 전단 반송 로봇과 상기 전단 액처리 챔버는 상부에서 바라볼 때 상기 제1방향에 수직한 제2방향을 따라 일렬로 배치되고,
상기 후단 반송 로봇과 상기 후단 액처리 챔버는 상기 제2방향을 따라 일렬로 배치되며,
상기 전단 반송 로봇은 상기 열처리 챔버 및 상기 전단 액처리 챔버와 기판을 주고받을 수 있도록 제공되고,
상기 후단 반송 로봇은 상기 열처리 챔버 및 상기 후단 액처리 챔버와 기판을 주고받을 수 있도록 제공되는 기판 처리 장치. - 제23항에 있어서,
상기 전단 열처리 챔버 및 상기 후단 열처리 챔버는 각각,
하우징;
상기 하우징 내에 배치되며 기판을 가열하는 가열유닛;
상기 하우징 내에 배치되며 기판을 냉각하는 냉각유닛; 그리고
상기 하우징 내에서 기판을 반송하는 반송 플레이트를 포함하되,
상기 가열 유닛과 상기 냉각 유닛은 상기 제2방향을 따라 배치되는 기판 처리 장치. - 제23항 또는 제24항에 있어서,
상기 전단 반송 로봇 및 상기 후단 반송 로봇 각각은,
그 중심축을 기준으로 회전 가능하게 제공되는 지지축과; 그리고
상기 지지축에 결합되며, 상기 지지축에 대해 전진 및 후진 이동이 가능하게 제공되며 기판을 지지하는 핸드를 포함하되,
상기 지지축은 기설정된 위치에 고정되게 제공되는 기판 처리 장치. - 제25항에 있어서,
상기 전단 열처리 챔버에서 상기 냉각 유닛은 상기 가열 유닛보다 상기 전단 액처리 챔버에 더 인접하게 위치되고,
상기 후단 열처리 챔버에서 상기 냉각 유닛은 상기 가열 유닛보다 상기 전단 액처리 챔버에 더 인접하게 위치되며,
상기 전단 반송 로봇이 상기 후단 반송 로봇은 상기 냉각 유닛이 제공된 영역에 위치된 상기 반송 플레이트로 직접 기판을 주고받도록 제공되는 기판 처리 ㅈ장치. - 제23항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
상기 전단 반송 로봇이 기판을 상기 전단 공정 챔버로 반입하고, 상기 전단 공정 챔버에서 상기 기판 상에 제1액을 도포하는 단계와;
상기 전단 반송 로봇이 상기 기판을 상기 전단 공정 챔버로부터 반출하고, 이후에 상기 기판을 상기 열처리 챔버로 반입하고, 상기 열처리 챔버에서 상기 기판에 대해 열처리 공정을 수행하는 단계와; 그리고
상기 후단 반송 로봇이 상기 열처리 챔버에서 상기 기판을 반출하고, 이후에 상기 기판을 후단 액처리 챔버로 반입하고, 상기 후단 액처리 챔버에서 상기 기판 상에 제2액을 도포하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법. - 제27항에 있어서,
상기 열처리 공정을 수행하는 단계는,
상기 반송 플레이트가 상기 냉각 유닛이 제공된 영역에서 상기 전단 반송 로봇으로부터 상기 기판을 인수받는 단계와;
상기 반송 플레이트가 상기 기판을 상기 열처리 유닛에 인계하고 상기 열처리 유닛에서 상기 기판을 가열하는 단계와;
상기 반송 플레이트가 상기 열처리 유닛에서 상기 기판을 인수하고, 상기 반송 플레이트 상에 기판이 놓인 상태에서 상기 냉각 유닛에서 상기 기판을 냉각하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법. - 제27항에 있어서,
상기 제1액은 포토 레지스트이고,
상기 제2액은 반사 방지막인 기판 처리 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20170183938 | 2017-12-29 | ||
KR1020170183938 | 2017-12-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190082029A true KR20190082029A (ko) | 2019-07-09 |
KR102010265B1 KR102010265B1 (ko) | 2019-10-21 |
Family
ID=67261897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020180025034A KR102010265B1 (ko) | 2017-12-29 | 2018-03-02 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102010265B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210017221A (ko) * | 2019-08-07 | 2021-02-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010147360A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20160053446A (ko) * | 2014-11-04 | 2016-05-13 | 세메스 주식회사 | 인터페이스 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101736854B1 (ko) * | 2015-10-29 | 2017-05-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
2018
- 2018-03-02 KR KR1020180025034A patent/KR102010265B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010147360A (ja) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | Sokudo Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR20160053446A (ko) * | 2014-11-04 | 2016-05-13 | 세메스 주식회사 | 인터페이스 모듈 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101736854B1 (ko) * | 2015-10-29 | 2017-05-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210017221A (ko) * | 2019-08-07 | 2021-02-17 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102010265B1 (ko) | 2019-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2021073706A (ja) | 基板処理装置 | |
KR102000013B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20170050061A (ko) | 기판 처리 장치 | |
US8480319B2 (en) | Coating and developing apparatus, coating and developing method and non-transitory tangible medium | |
JP4515331B2 (ja) | 基板の処理システム | |
KR101101697B1 (ko) | 기판의 처리시스템 | |
KR101667432B1 (ko) | 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 | |
KR102037900B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20190082029A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20210011197A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102280035B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102319197B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR20220094020A (ko) | 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR20220014475A (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102289939B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102583261B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR102315666B1 (ko) | 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR102403199B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102259066B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102201887B1 (ko) | 기판 지지 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
KR102255278B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR102280034B1 (ko) | 반송 유닛 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
CN213149472U (zh) | 涂敷、显影装置 | |
KR102298086B1 (ko) | 가스 공급 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 및 방법 | |
KR102264292B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |