KR102259066B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판을 가스 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부에 기판을 처리하는 제1처리 공간을 제공하는 제1챔버, 상기 제1처리 공간에 위치되며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 표면을 소수화 처리하도록 상기 제1처리 공간에 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 제1처리 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 사익 가스 공급 유닛 및 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 제1처리 공간을 양압으로 유지한 상태에서 상기 제1처리 공간으로 소수화 가스를 공급한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for treating substrate}

본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기판을 가스 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 기판 상에 액막을 도포하고, 도포된 액막을 원하는 패턴으로 노광 처리한 후, 노광 처리면을 현상하는 공정을 수행한다. 현상 공정이 완료된 기판은 기판 상에 잔류된 공정 부산물을 제거하기 위한 세정 공정이 수행된다.

일반적으로 액막을 도포하는 공정은 소수성 성질을 갖는 감광액을 기판 상에 공급하여 도포하며, 감광액의 도포 효율을 높이고자, 도포 공정이 진행되기 전에는 기판의 표면을 소수화 처리하는 소수화 공정이 수행된다. 소수화 공정은 기판의 표면에 소수화 가스를 공급하는 것을 포함한다.

소수화 공정은 음압에서 이루어지며, 소수화 가스는 감광액이 도포되는 일면에만 공급된다. 이에 따라 기판의 일면과 이에 반대되는 반대면은 서로 다른 성질을 갖는 표면으로 제공된다. 따라서 기판을 일면과 그 반대면은 파티클의 잔류량이 달리 제공된다. 일 예에 의하면, 친수성을 가지는 반대면에는 일면에 비해 다량의 파티클이 부착된다.

따라서 다수 매의 기판들을 배치식으로 세정 처리하는 세정 공정 시에는 기판들이 서로 동일 성질의 표면을 바라보도록 배치한 상태로 세정액에 침지하는 것이 바람직하다.

그러나 다수 매의 기판들 중 일부 기판의 불량이 발생되거나, 손상이 발생된 기판들은 세정 공정 전에 기판을 제거한 채로 세정 공정을 수행한다. 이에 따라 도 1과 같이, 기판(W)이 제거된 공간은 빈 공간으로 자리 잡으며, 기판들(W)의 서로 다른 성질의 표면이 서로 마주하게 배치될 수 있다. 이 경우, 친수성의 표면에 부착된 파티클이 세정액에 의해 분리되면서 마주하는 기판의 소수성의 표면에 부착될 수 있다.

본 발명은 기판의 양면을 각각 소수화 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

또한 본 발명은 기판의 일면 및 양면을 선택적으로 소수화 처리할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.

본 발명이 실시예는 기판을 가스 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 내부에 기판을 처리하는 제1처리 공간을 제공하는 제1챔버, 상기 제1처리 공간에 위치되며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 표면을 소수화 처리하도록 상기 제1처리 공간에 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 제1처리 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 사익 가스 공급 유닛 및 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 상기 제1처리 공간을 양압으로 유지한 상태에서 상기 제1처리 공간으로 소수화 가스를 공급한다.

또한 기판을 처리하는 장치는 내부에 기판을 처리하는 제1처리 공간을 제공하는 제1챔버, 상기 제1처리 공간에 위치되며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 표면을 소수화 처리하도록 상기 제1처리 공간에 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛, 상기 제1처리 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 가스 공급 유닛 및 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 제1기판을 처리할 때에는 상기 제1처리 공간을 양압으로 유지한 상태에서 상기 제1처리 공간으로 소수화 가스를 공급하여 제1기판의 상면 및 저면을 각각 소수화 처리하고, 제2기판을 처리할 때에는 상기 제1처리 공간을 상압보다 낮은 압력으로 유지한 상태에서 상기 제1처리 공간으로 소수화 가스를 공급하여 제2기판의 상면과 저면 중 상면을 소수화 처리하도록 상기 가스 공급 유닛 및 상기 배기 유닛을 제어한다.

상기 가스 공급 유닛은, 상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되어 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 향해 소수화 가스를 공급하도록 제공되고, 상기 배기 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판보다 낮게 위치될 수 있다.

상기 기판 지지 유닛은 기판이 놓여지는 판 형상의 지지 플레이트와 상기 지지 플레이트로부터 상부로 돌출되는 돌기를 포함하고, 상기 돌기들은 상기 제1처리 공간으로 공급된 소수화 가스가 상기 지지 플레이트에 놓인 기판의 저면으로 유입 가능하도록 형성될 수 있다.

상기 지지핀은 기판과 접촉되는 접촉 부분이 라운드지도록 제공되어 기판과 점 접촉될 수 있다. 상기 배기 유닛은 상기 제1처리 공간에 공급된 소수화 가스가 배기되는 배기 유로를 가지며, 상부에서 바라볼 때 상기 배기 유로는 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 감싸도록 배치될 수 있다.

상기 장치는 상기 제1챔버와 독립되며, 내부에 제2처리 공간을 가지는 제2챔버와 상기 제2처리 공간에 위치되며, 내부에 복수의 기판들이 수용 가능한 세정액이 채워진 세정조와; 복수의 기판들을 지지하며, 상기 세정조 내에 삽입 가능하도록 제공되는 카세트를 포함할 수 있다.

기판을 처리하는 방법은 상기 기판이 제공된 처리 공간으로 소수화 가스를 공급하여 상기 기판의 표면을 소수화 처리하되, 상기 처리 공간을 양압으로 유지한 상태에서 상기 처리 공간으로 상기 소수화 가스를 공급하여 상기 기판의 상면 및 저면을 각각 소수화 처리한다.

기판을 처리하는 방법은 상기 기판이 제공된 처리 공간으로 소수화 가스를 공급하여 상기 기판의 표면을 소수화 처리하되, 상기 기판의 상면과 저면 각각을 소수화 처리하고자 하는 경우에는 상기 처리 공간을 상압 또는 이보다 높은 압력으로 유지한 상태에서 상기 처리 공간으로 상기 소수화 가스를 공급하고, 상기 기판의 상면과 저면 중 상면만을 소수화 처리하고자 하는 경우에는 상기 처리 공간을 상기 양압보다 낮은 압력으로 유지한 상태에서 상기 처리 공간으로 상기 소수화 가스를 공급한다.

상기 소수화 가스는 상기 기판보다 높은 위치에서 상기 기판을 향해 공급되록, 상기 처리 공간은 상기 기판보다 낮은 위치에서 배기될 수 있다. 상기 소수화 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane, HMDS) 가스를 포함할 수 있다.

상기 양압은 200파스칼(pa) 이상의 압력을 포함하고, 상기 음압은 0 파스칼(pa) 이하의 압력을 포함할 수 있다. 소수화된 복수의 상기 기판을 세정액에 동시 침지하여 복수의 상기 기판을 세정할 수 있다.

본 발명의 실시예에 의하면, 기판을 지지 플레이트로부터 이격된 위치에서 처리 공간의 압력을 양압 또는 음압으로 조절한다. 이로 인해 기판의 일면 또는 양면을 선택적으로 소수화 처리할 수 있다.

도 1은 일반적인 배치식 세정 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 8은 도 6의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 9는 도 8의 장치를 이용하여 제1기판을 처리 시 기류의 흐름을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 8의 장치를 이용하여 제2기판을 처리 시 기류의 흐름을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 3은 도 2의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 4는 도 3의 기판 처리 장치의 평면도이다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.

인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.

용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.

인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.

처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 본 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.

도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.

반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.

도 5는 도 4의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.

열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3202)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다. 열처리 챔버들(3200) 중 인덱스 모듈(20)에 가장 인접하게 위치되는 열처리 챔버(3202)는 액 처리 챔버(3600)에 기판을 반송하기 전에 기판을 열처리하고, 그 외의 열처리 챔버(3206)는 액처리 챔버(3600)에서 액 처리된 기판을 열처리한다. 본 실시예에는 인덱스 모듈(20)에 가장 인접하게 위치되는 열처리 챔버를 전단 열처리 챔버(3202)로 정의한다.

본 실시예는 복수의 열 처리 챔버들(3200) 중 전단 열처리 챔버(3202)를 일 예로 설명한다. 전단 열처리 챔버(3202)는 기판(W) 가열 중에 처리 가스를 공급하여 기판(W) 의 포토레지스트 부착률을 향상시킬 수 있다. 처리 가스는 기판(W)의 표면을 개질한다. 처리 가스는 기판(W)의 표면을 친수성에서 소수성으로 전환시킨다. 일 예에 의하면, 처리 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. 이와 달리 후단 열처리 챔버(3206)에는 처리 가스를 공급하지 않는다.

도 6은 도 5의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 7은 도 6의 열처리 챔버의 정면도이며, 도 8은 도 6의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 6 내지 도 8을 참조하면, 열처리 챔버(3202)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.

하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.

냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.

가열 유닛(3230)은 기판을 상온보다 높은 온도로 가열하는 장치(1000)로 제공된다. 가열 유닛(3230)은 양압 또는 이보다 낮은 음압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 가열 유닛(3230)은 기판(W)을 가열 처리하는 중에 소수화 가스를 공급하여 기판의 표면을 소수화 처리한다. 가열 유닛(3230)은 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 히터 유닛(1420), 가스 공급 유닛(1400), 배기 유닛(1500), 그리고 제어기(1800)를 포함한다.

챔버(1100)는 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다.

상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 중심홀(1124)이 형성된다. 중심홀(1124)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 중심홀(1124)은 소수화 가스가 토출되는 토출 부재로 기능한다.

하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)와 동일한 직경을 가질 수 있다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)의 하단과 대향되게 위치될 수 있다. 하부 바디(1140)의 바닥벽의 가장자리 영역에는 배기홀이 형성된다. 배기홀에는 배기 유닛이 연결된다.

상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 본 실시예에는 하부 바디(1140)의 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)가 이동되는 것으로 설명한다. 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 차단 위치는 하부 바디(1140) 및 상부 바디(1120)에 의해 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다.

실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 접촉될 때 처리 공간이 외부로부터 밀폐되도록 한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 실링 부재(1160)는 하부 바디(1140)의 상단에 고정 결합될 수 있다.

기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 지지 플레이트(1320), 리프트 핀(1340), 그리고 돌기(1360)을 포함한다. 지지 플레이트(1320)는 히터 유닛(1400)으로부터 발생된 열을 기판(W)으로 전달한다. 지지 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 지지 플레이트(1320)의 상면은 기판(W)이 놓이는 안착면으로 기능한다. 안착면에는 리프트 핀(1340)과 돌기(1360)가 각각 제공된다. 리프트 핀(1340)은 지지 플레이트(1320) 상에서 기판(W)을 승하강시킨다. 리프트 핀(1342)은 복수 개로 제공되며, 각각은 수직한 상하 방향을 향하는 핀 형상으로 제공된다. 리프트 핀(1342)은 상단이 지지 플레이트(1320) 내에 위치되도록 하강 이동되거나, 안착면의 위로 돌출되도록 승강 이동될 수 있다.

돌기(1360)는 기판(W)이 안착면에 직접적으로 접촉되는 것을 방지한다. 돌기(1360)는 리프트 핀(1342)과 평행한 길이 방향을 가지는 핀 형상으로 제공된다. 돌기(1360)는 복수 개로 제공되며, 각각은 안착면에 고정 설치된다. 돌기들(1360)은 안착면으로부터 위로 돌출되게 위치된다. 돌기(1360)의 상단은 기판(W)의 저면에 직접 접촉되는 접촉면으로 제공되며, 접촉면은 위로 볼록한 형상을 가진다. 예컨대, 돌기(1360)는 기판의 저면에 점 접촉될 수 있다. 이에 따라 돌기(1360)과 기판(W) 간의 접촉 면적을 최소화할 수 있다.

가이드(1380)는 기판(W)이 안착면의 정 위치에 놓여지도록 기판(W)을 안내한다. 가이드(1380)는 복수 개로 제공되며, 서로 조합되어 안착면을 감싸는 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 가이드(1380)에 의해 형성된 환형의 링의 내경은 기판보다 큰 크기를 가진다. 가이드들(1380)은 원주 방향을 따라 소정 간격 이격되게 위치된다. 이에 따라 기판(W), 안착면, 돌기(1360), 그리고 가이드들에(1380) 의해 형성된 공간에는 소수화 가스가 유입될 수 있으며, 기판(1380)의 저면에 소수화 가스가 공급될 수 있다. 가이드(1380)는 기판(W)과 동일 또는 이보다 큰 직경을 가진다. 가이드(1380)의 내측면은 지지 플레이트(1320)의 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 형상을 가진다. 이에 따라 가이드(1380)의 내측면에 걸친 기판(W)은 그 경사면을 타고 정위치로 이동된다.

히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열하는 가열 부재로 제공된다. 히터 유닛(1420)은 지지 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)보다 아래에 위치된다. 히터 유닛(1420)은 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 히터들(1420)은 각각 지지 플레이트(1320) 내에 위치된다. 선택적으로 히터들(1420)은 지지 플레이트(1320)의 저면에 위치될 수 있다. 각 히터들(1420)은 동일 평면 상에 위치된다. 일 예에 의하면, 각 히터들(1420)은 안착면의 서로 상이한 영역을 서로 다른 온도로 가열할 수 있다. 히터들(1420) 중 일부는 안착면의 중앙 영역을 제1온도로 가열하고, 히터들(1420) 중 다른 일부는 안착면의 가장자리 영역을 제2온도로 가열할 수 있다. 제2온도는 제1온도보다 높은 온도일 수 있다. 히터들(1420)은 프린팅된 패턴 또는 열선일 수 있다.

가스 공급 유닛(1400)은 처리 공간(1110)에 소수화 가스를 공급한다. 가스 공급 유닛(1400)은 기판 지지 유닛(1300)의 상부에서 처리 가스를 토출한다. 가스 공급 유닛은 중심홀(1124)에 연결된 처리 가스 공급 라인를 포함한다. 처리 가스 공급 라인은 상부 바디(1120)의 중심홀(1124)에 연결되며, 소수화 가스는 중심홀(1124)로부터 처리 공간(1110) 내로 토출된다. 처리 공간(1110)에 공급된 소수화 가스는 기판의 표면에 공급되고, 기판의 표면은 소수화 처리된다.

배기 유닛(1500)은 처리 공간에 발생된 공정 부산물을 배기한다. 배기 유닛(1500)은 기판 지지 유닛(1300)에 지지된 기판(W)보다 아래에 위치된다. 즉, 가스 공급 유닛(1400)은 기판(W)보다 높게 위치되고, 배기 유닛(1500)은 기판(W)보다 낮게 위치된다. 이에 따라 가스 공급 유닛(1400)으로부터 공급된 소수화 가스는 배기 유닛(1500)으로 배기되는 과정에서 기판(W)을 통과하며, 기판(W)의 표면에 공급된다. 배기 유닛(1500)은 배기 라인(1520) 및 감압 부재(1540)를 포함한다. 배기 라인(1520)은 하부 바디(1140)의 배기홀(1142)에 연결된다. 상부에서 바라볼 때 배기홀(1142)과 지지 플레이트(1320)는 서로 중첩되지 않도록 제공된다. 이에 따라 기판 지지 유닛(1300)과 하부 바디(1140)의 측벽 간의 틈, 그리고 배기 라인(1520)은 배기 유로로 제공된다. 선택적으로, 배기홀(1142)은 지지 플레이트(1320)에 형성될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 배기 유로는 기판 지지 유닛(1300)에 지지된 기판(W)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 배기 라인(1520)에는 감압 부재(1540)가 설치된다. 감압 부재(1540)는 배기 라인(1520)에 음압을 형성하여 처리 공간을 배기한다. 일 예에 의하면, 감압 부재(1540)로부터 발생되는 음압은 토출 부재를 통해 공급되는 소수화 가스의 공급압보다 작거나 크게 제공될 수 있다.

제어기(1800)는 가스 공급 유닛(1400) 및 배기 유닛(1500)을 제어한다. 제어기(1800)는 처리 공간에 공급되는 소수화 가스의 공급압이 일정하도록 가스 공급 유닛(1400)을 제어하고, 처리 공간이 양압 또는 음압을 가지도록 배기 유닛(1500)을 제어할 수 있다. 제어기(1800)는 소수화 가스를 공급하고자 하는 대상에 따라 처리 공간의 압력을 달리 제어할 수 있다. 일 예에 의하면, 제어기(1800)는 기판(W)의 상면과 저면 각각에 소수화 가스를 공급하고자 하는 경우에는 처리 공간을 양압으로 유지하고, 기판(W)의 저면을 제외한 상면에만 소수화 가스를 공급하고자 하는 경우에는 처리 공간을 음압으로 유지할 수 있다. 예컨대, 양압은 200 파스칼(pa) 이상의 압력이고, 음압은 0 파스칼(pa) 이하의 압력일 수 있다.

다음은 상술한 장치를 이용하여 제1기판(W₁)을 처리하는 과정을 설명한다. 도 9는 제1기판의 양면 각각을 소수화 처리 시 소수화 가스의 흐름을 보여주는 도면이다. 도 9를 참조하면, 제1기판(W₁)이 돌기에 놓여지면, 처리 공간은 닫혀지고, 처리 공간에 소수화 가스가 공급된다. 처리 공간은 양압을 유지하도록 제공된다. 이에 따라 소수화 가스는 처리 공간에서 일정 시간 순환된다. 소수화 가스는 제1기판(W₁)의 상면에 공급되고, 제1기판(W₁)과 지지 플레이트(1320)의 안착면 간의 사이 공간에 유입되어 제1기판(W₁)의 저면에 공급된다. 제1기판(W₁)의 상면 및 저면 각각은 소수화 처리되어 소수성 성질을 가지게 된다.

제1기판(W₁)과 달리, 제2기판(W₂)은 상면과 저면 중 상면만을 소수화 처리한다. 도 10은 제2기판의 저면을 제외한 상면을 소수화 처리 시 소수화 가스의 흐름을 보여주는 도면이다. 도 10을 참조하면, 제2기판(W₂)이 돌기에 놓여지면, 처리 공간은 닫혀지고, 처리 공간에 소수화 가스가 공급된다. 처리 공간은 음압을 유지하도록 제공된다. 이에 따라 소수화 가스는 처리 공간에 공급되고, 제2기판(W₂)의 상면을 거쳐 배기 유로를 통해 배기된다. 처리 공간은 제1기판(W₁)을 처리할 때에보다 소수화 가스를 가스 공급 유닛(1400)으로부터 배기 유닛(1500)을 향하는 방향의 배기력이 크다. 이로 인해 소수화 가스는 제2기판(W₂)과 안착면 간의 사이 공간에 유입되지 않고, 배기 유로로 이동되며, 제2기판(W₂)의 저면이 소수화 처리되는 것을 방지할 수 있다.

상술한 바와 같이, 작업자는 공정에 따라 혹은 작업 환경에 따라 제1기판(W₁)과 같이 양면 각각을 소수화 처리할 수 있고, 제2기판(W₂)과 같이 상면만을 소수화 처리할 수 있다.

제1기판(W₁)과 같이, 기판들(W)의 양면 각각을 소수화 처리하는 경우에는 양면이 소수화 처리된 기판들(W)을 카세트에 배치식으로 지지한 채로 세정액에 침지하여 세정 시 어느 하나의 기판(W)으로부터 떨어진 공정 부산물이 다른 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

또한 제2기판(W₂)과 같이, 기판들(W)의 상면만을 소수화 처리하는 경우에는 양면을 각각 소수화 처리하는 과정보다 신속하게 기판(W)을 소수화 처리할 수 있다.

다시 도 6 및 도 7을 참조하면, 반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.

기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)는 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)는 금속 재질로 제공될 수 있다.

액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.

전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.

도 11은 도 4의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 11 을 참조하면, 액 처리 챔버(3600)는 하우징(3610), 처리 용기(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)을 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 처리 용기(3620), 기판 지지 유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(3660)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(3670)이 제공될 수 있다. 처리 용기(3620)는 상부가 개방된 컵 형상으로 제공된다. 처리 용기(3620)는 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(3640)은 액 처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급 유닛(3660)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다.

액 공급 유닛(3660)은 처리액 노즐(3662)을 포함한다. 처리액 노즐(3662)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)에 처리액을 토출한다. 예컨대, 처리액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다. 처리액 노즐(3662)은 공정 위치와 대기 위치 간에 이동된다. 여기서 공정 위치는 처리액 노즐(3662)이 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)의 상부에서 기판(W)과 마주하는 위치이고, 대기 위치는 처리액 노즐(3662)이 공정 위치를 벗어난 위치이다. 공정 위치는 처리액 노즐(3662)이 기판(W)의 중심으로 처리액 토출이 가능한 위치일 수 있다.

다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802, front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804, rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.

전단 버퍼(3802)의 일측에는 전단 반송 로봇이 위치된다. 전단 반송 로봇은 전단 버퍼(3802)와 전단 열처리 챔버 간에 기판을 반송한다.

현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다.

현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판(W)을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.

인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.

인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.

인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.

일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.

반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.

제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.

인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.

일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.

또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.

다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다.

기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다.

도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.

이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다.

인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다.

전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다.

반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다.

이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다.

반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다.

보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.

이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.

이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.

현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.

이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다,

제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.

이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다.

현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다.

기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다.

이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다.

상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.

이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

1360: 돌기 1380: 가이드
1400: 가스 공급 유닛 1500:배기 유닛
1520: 배기 라인 1540: 감압 부재
1800: 제어기

Claims (13)

1. 삭제
2. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
   내부에 기판을 처리하는 제1처리 공간을 제공하는 제1챔버와;
   상기 제1처리 공간에 위치되며, 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
   상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 가열 부재와;
   상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판의 표면을 소수화 처리하도록 상기 제1처리 공간에 소수화 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
   상기 제1처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
   상기 가스 공급 유닛 및 상기 배기 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
   상기 제어기는 제1기판을 처리할 때에는 상기 제1처리 공간을 양압으로 유지한 상태에서 상기 제1처리 공간으로 소수화 가스를 공급하여 제1기판의 상면 및 저면을 각각 소수화 처리하고, 제2기판을 처리할 때에는 상기 제1처리 공간을 음압으로 유지한 상태에서 상기 제1처리 공간으로 소수화 가스를 공급하여 제2기판의 상면과 저면 중 상면을 소수화 처리하도록 상기 가스 공급 유닛 및 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
3. 제2항에 있어서,
   상기 가스 공급 유닛은,
   상기 기판 지지 유닛의 상부에 배치되어 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 향해 소수화 가스를 공급하도록 제공되고,
   상기 배기 유닛은 상기 기판 지지 유닛에 놓인 기판보다 낮게 위치되는 기판 처리 장치.
4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
   상기 기판 지지 유닛은,
   기판이 놓여지는 판 형상의 지지 플레이트와;
   상기 지지 플레이트로부터 상부로 돌출되는 돌기를 포함하고,
   상기 돌기들은 상기 제1처리 공간으로 공급된 소수화 가스가 상기 지지 플레이트에 놓인 기판의 저면으로 유입 가능하도록 형성되는 기판 처리 장치.
5. 제4항에 있어서,
   상기 돌기는 기판과 접촉되는 접촉 부분이 라운드지도록 제공되어 기판과 점 접촉되는 기판 처리 장치.
6. 제4항에 있어서,
   상기 배기 유닛은 상기 제1처리 공간에 공급된 소수화 가스가 배기되는 배기 유로를 가지며,
   상부에서 바라볼 때 상기 배기 유로는 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 감싸도록 배치되는 기판 처리 장치.
7. 제2항 또는 제3항에 있어서,
   상기 장치는,
   상기 제1챔버와 독립되며, 내부에 제2처리 공간을 가지는 제2챔버와;
   상기 제2처리 공간에 위치되며, 내부에 복수의 기판들이 수용 가능한 세정액이 채워진 세정조와;
   복수의 기판들을 지지하며, 상기 세정조 내에 삽입 가능하도록 제공되는 카세트를 포함하는 기판 처리 장치.
8. 삭제
9. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
   상기 기판이 제공된 처리 공간으로 소수화 가스를 공급하여 상기 기판의 표면을 소수화 처리하되,
   상기 기판의 상면과 저면 각각을 소수화 처리하고자 하는 경우에는 상기 처리 공간을 양압으로 유지한 상태에서 상기 처리 공간으로 상기 소수화 가스를 공급하고,
   상기 기판의 상면과 저면 중 상면만을 소수화 처리하고자 하는 경우에는 상기 처리 공간을 음압으로 유지한 상태에서 상기 처리 공간으로 상기 소수화 가스를 공급하는 기판 처리 방법.
10. 제9항에 있어서,
    상기 소수화 가스는 상기 기판보다 높은 위치에서 상기 기판을 향해 공급되록,
    상기 처리 공간은 상기 기판보다 낮은 위치에서 배기되는 기판 처리 방법.
11. 제10항에 있어서,
    상기 소수화 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane, HMDS) 가스를 포함하는 기판 처리 방법.
12. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    상기 양압은 200파스칼(pa) 이상의 압력을 포함하고,
    상기 음압은 0 파스칼(pa) 이하의 압력을 포함하는 기판 처리 방법.
13. 제12항에 있어서,
    소수화된 복수의 상기 기판을 세정액에 동시 침지하여 복수의 상기 기판을 세정하는 기판 처리 방법.
    
    
    
    
    

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