KR20210042628A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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KR20210042628A
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Abstract

본 발은 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 용기의 일측에 위치되며, 처리액을 토출하는 노즐이 대기되는 공간을 제공하는 노즐 수용 부재를 가지는 대기 포트, 상기 처리 용기와 상기 대기 포트 간에 이동되며, 상기 노즐을 가지는 액 공급 유닛, 그리고 상기 액 공급 유닛 및 상기 대기 포트를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 노즐 수용 부재는 내부에 상기 노즐이 수용 가능하며 세정액이 채워진 수용 공간을 가지는 몸체와 상기 수용 공간 내의 액이 배출되도록 상기 몸체에 연결되는 배출 라인을 포함하되, 상기 제어기는 상기 수용 공간에 채워진 세정액에 상기 노즐의 토출단이 잠기도록 이동하여 상기 노즐이 세정 처리도록 상기 액 공급 유닛을 제어한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{Apparatus and method for treating substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 애싱, 식각, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 사진, 애싱, 식각, 그리고 세정 공정은 기판 상에 처리액을 공급하는 액 처리 공정이다.
액 처리 공정은 그 공정이 진행되는 중에 노즐이 기판과 마주보는 위치에서 처리액을 공급하고, 공정의 전후인 대기 중에 노즐이 대기 포트에서 대기된다. 대기 포트에는 복수의 노즐 수용 공간이 형성되며, 각각에는 서로 다른 노즐이 동시 또는 순차 수용된다. 각 수용 공간에 수용된 노즐은 대기되는 중에 토출단을 향해 세정액이 토출되며, 토출단 및 그 주변부가 함께 세정된다.
그러나 노즐은 세정액의 토출구와 마주하는 영역은 세정되더라도, 그 반대편은 제대로 세정되지 않는다.
또한 세정 처리된 파티클은 각 수용 공간에 연결된 배출 라인 및 이들을 하나로 통합한 통합 라인을 통해 외부로 배출한다. 그러나 파티클을 배출하는 과정에서 미스트가 발생될 수 있으며, 미스트는 통합라인으로부터 각 배출 라인을 통해 각 수용 공간으로 역류되어 노즐들을 오염시킨다.
또한 수용 공간에 수용된 노즐은 세정액에 의해 세정 처리된다. 그러나 노즐을 세정 처리하는 과정에서 세정액에 포함된 버블이 노즐 내부로 흡입되는 경우가 발생될 수 있으며, 이는 노즐의 토출 초기 시 헌팅을 유발한다.
본 발명은 노즐이 대기되는 중에 역오염되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한 본 발명은 노즐을 세정하는 과정에서 버블이 유입되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 액 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.
기판을 처리하는 장치는 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 처리 용기, 상기 처리 용기의 일측에 위치되며, 처리액을 토출하는 노즐이 대기되는 공간을 제공하는 노즐 수용 부재를 가지는 대기 포트, 상기 처리 용기와 상기 대기 포트 간에 이동되며, 상기 노즐을 가지는 액 공급 유닛, 그리고 상기 액 공급 유닛 및 상기 대기 포트를 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 노즐 수용 부재는 내부에 상기 노즐이 수용 가능하며 세정액이 채워진 수용 공간을 가지는 몸체와 상기 수용 공간 내의 액이 배출되도록 상기 몸체에 연결되는 배출 라인을 포함하되, 상기 제어기는 상기 수용 공간에 채워진 세정액에 상기 노즐의 토출단이 잠기도록 이동하여 상기 노즐이 세정 처리도록 상기 액 공급 유닛을 제어한다.
상기 몸체는 상기 노즐의 토출단이 수용되며, 제1폭을 가지는 제1공간이 형성되는 토출단 수용부와 상기 토출단 수용부보다 아래에 위치되며, 상기 제1폭보다 작은 제2폭을 가지는 제2공간이 형성되는 배출단부를 가지되, 상기 배출단부는 상기 제2폭과 수직한 방향의 길이가 상기 토출단의 내경 미만으로 제공될 수 있다.
상기 제2폭은 상기 토출단의 내경 내지 그보다 3mm 이하로 제공될 수 있다.
상기 몸체는, 상기 배출단으로부터 아래로 연장되며, 아래로 갈수록 폭이 점차 커지는 드레인부를 더 가질 수 있다. 상기 노즐 수용 부재는 복수 개로 제공되며, 서로 간에 독립되게 위치되고, 상부에서 바라볼 때 일 방향을 따라 배열될 수 있다.
상기 대기 포트는, 상기 수용 공간의 아래에 위치되며, 세정액이 저장되는 저장 탱크와 상기 저장 탱크로부터 상기 노즐 수용 부재 각각에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인을 더 포함하되, 상기 몸체의 내측면에는 수용부 토출홀이 형성되고, 상기 세정액 공급 라인은 상기 수용부 토출홀 각각에 세정액을 공급할 수 있다, 상기 몸체의 내측면에는 상기 수용 공간과 연통되는 넘침 방지홀이 더 형성되되, 상기 넘침 방지홀은 상기 수용부 토출홀보다 위에 위치될 수 있다.
상술한 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법으로는 상기 노즐은 상기 대기 포트로 이동되기 전에, 상기 노즐은 상기 토출단에 채워진 처리액을 석백하여 상기 토출단에 제1가스층을 형성하는 제1가스층 형성 단계와 상기 노즐은 상기 제1가스층을 형성한 상태에서 상기 수용 공간에 채워진 상기 세정액에 상기 토출단이 잠기도록 상기 수용 공간에 삽입되어 상기 토출단을 세정하는 토출단 세정 단계를 포함한다.
상기 방법은, 상기 토출단이 상기 세정액에 잠긴 상태에서 상기 세정액을 석백하여 액층을 형성하는 액층 형성 단계와 상기 수용 공간에 채워진 상기 세정액을 배출한 상태에서 상기 노즐을 석백하여 상기 토출단에 제2가스층을 형성하는 제2가스층 형성 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 세정액은 버블을 포함하는 액을 포함할 수 있다. 상기 처리액은 감광액을 포함하고, 상기 세정액은 신나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 배출단부는 토출단의 내경 내지 그보다 3mm 이하로 제공되는 폭을 가진다. 이로 인해 세정액에 포함된 버블이 석셕 과정에서 흡입되는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 노즐 수용 부재들은 서로 독립되게 위치된다. 이로 인해 미스트 발생으로 인해 미스트 역류가 발생될지라도, 주변 노즐이 역오염되는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 노즐은 수용 공간에 채워진 세정액에 잠겨져 세정된다. 이로 인해 세정액을 토출단으로 직접 토출하는 방식에 비해 토출단 전체 영역을 세정 처리할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다.
도 7은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 8은 도 7의 노즐들을 보여주는 사시도이다.
도 9는 도 7의 대기 포트를 보여주는 절단 사시도이다.
도 10은 도 9의 노즐 수용 부재를 보여주는 단면도이다.
도 11 내지 도 14는 도 10의 노즐 수용 부재에서 노즐을 세정하는 과정을 보여주는 도면들이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(3420)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.
열처리 챔버(3202)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3202)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3202)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 5는 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정면도이다. 도 5 및 도 6을 참조하면, 열처리 챔버(3202)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(3230), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(3230)은 제2 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(3230)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.
가열 유닛(3230)은 가열판(3232), 커버(3234), 그리고 히터(3233)를 가진다. 가열판(3232)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가진다. 가열판(3232)은 기판(W)보다 큰 직경을 가진다. 가열판(3232)에는 히터(3233)가 설치된다. 히터(3233)는 전류가 인가되는 발열저항체로 제공될 수 있다. 가열판(3232)에는 제3 방향(16)을 따라 상하 방향으로 구동 가능한 리프트 핀(3238)들이 제공된다. 리프트 핀(3238)은 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 가열판(3232) 상에 내려놓거나 가열판(3232)으로부터 기판(W)을 들어올려 가열 유닛(3230) 외부의 반송 수단으로 인계한다. 일 예에 의하면, 리프트 핀(3238)은 3개가 제공될 수 있다. 커버(3234)는 내부에 하부가 개방된 공간을 가진다. 커버(3234)는 가열판(3232)의 상부에 위치되며 구동기(3236)에 의해 상하 방향으로 이동된다. 커버(3234)가 가열판(3232)에 접촉되면, 커버(3234)와 가열판(3232)에 의해 둘러싸인 공간은 기판(W)을 가열하는 가열 공간으로 제공된다.
반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(3420)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(3420)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 제1영역(3212)과 제2영역(3214) 간에 이동될 수 있다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 제2 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 제1 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(3230) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀(1340)이 서로 간섭되는 것을 방지한다.
기판(W)의 가열은 기판(W)이 지지 플레이트(1320) 상에 직접 놓인 상태에서 이루어지고, 기판(W)의 냉각은 기판(W)이 놓인 반송 플레이트(3240)가 냉각판(3222)에 접촉된 상태에서 이루어진다. 냉각판(3222)과 기판(W) 간에 열전달이 잘 이루어지도록 반송 플레이트(3240)은 열전달율이 높은 재질로 제공된다. 일 예에 의하면, 반송 플레이트(3240)은 금속 재질로 제공될 수 있다.
열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착률을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸디실란(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다.
액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
도 7은 도 3의 액 처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 7을 참조하면, 액 처리 챔버(3600)는 하우징(3610), 컵(3620), 기판 지지 유닛(3640), 액 공급 유닛(1000), 그리고 대기 포트를 가진다. 하우징(3610)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3610)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐될 수 있다. 컵(3620), 지지유닛(3640), 그리고 액 공급 유닛(1000)은 하우징(3610) 내에 제공된다. 하우징(3610)의 상벽에는 하우징(3260) 내에 하강 기류를 형성하는 팬 필터 유닛(3670)이 제공될 수 있다. 컵(3620)은 상부가 개방된 처리 공간을 가진다. 기판 지지 유닛(3640)은 처리 공간 내에 배치되며, 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(3640)은 액 처리 도중에 기판(W)이 회전 가능하도록 제공된다. 액 공급 유닛(1000)은 기판 지지 유닛(3640)에 지지된 기판(W)으로 액을 공급한다.
도 8은 도 7의 액 공급 유닛을 보여주는 단면도이고, 도 9는 도 8의 노즐들을 보여주는 사시도이다. 도 7 내지 도 9를 참조하면, 액 공급 유닛(1000)은 복수 개의 노즐들(1100)을 포함한다. 각 노즐(1100)은 서로 다른 종류의 처리액을 공급한다. 노즐들(1100) 각각에는 서로 독립된 액 공급관이 연결된다. 노즐(1100)은 대기 위치와 공정 위치 간에 이동하며, 처리액을 공급한다. 공정 위치는 노즐(1100)이 처리액을 기판(W)의 중심으로 토출 가능한 위치이고, 대기 위치는 노즐이 대기 포트에 대기되는 위치이다. 예컨대, 처리액은 포토레지스트와 같은 감광액일 수 있다.
대기 포트(1200)는 처리 용기의 일측에서 노즐(1100)이 대기하는 공간을 제공한다. 노즐(1100)은 액 처리 공정을 진행하기 전후에 대기 포트(1200)에서 대기된다. 대기 포트(1200)는 노즐(1100)이 대기되는 동안에, 노즐(1100)을 세정하는 동시에 노즐(1100)의 토출단에 잔류된 처리액이 경화되는 것을 방지한다.
대기 포트(1200)는 복수의 노즐 수용 부재(1250) 및 저장 탱크(1700)를 포함한다. 노즐 수용 부재(1250)는 노즐(1100)의 개수와 일대일 대응되거나 더 많게 제공된다. 각 노즐 수용 부재(1250)에는 각 노즐(1100)이 수용 가능하도록 제공된다. 각 노즐 수용 부재(1250)는 서로 독립되게 위치된다. 따라서 어느 하나의 노즐(1100)로부터 발생된 파티클이 다른 하나 또는 노즐(1100) 전부에 영향을 끼치는 것을 방지할 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐 수용 부재(1250)들은 일 방향을 따라 일렬로 배열되게 위치된다. 저장 탱크(1700)는 노즐 수용 부재(1250)들의 아래에 위치된다. 저장 탱크(1700)는 내부에 노즐(1100)을 세정하는 세정액이 저장된다. 노즐 수용 부재(1250)는 몸체(1300), 배출 라인(1800), 그리고 제어기(1900)를 포함한다. 몸체(1300)는 내부에 노즐(1100)이 수용되는 수용 공간(1302)을 가진다. 몸체(1300)는 상하 방향을 향하는 통 형상을 가진다. 몸체(1300)는 위에서 아래로 갈수록 폭이 좁아지다가 다시 넓어지는 형상을 가진다. 몸체(1300)는 상부 몸통부(1320), 제1경사부(1340), 토출단 수용부(1400), 제2경사부(1360), 배출단부(1500), 드레인부(1600), 그리고 하부 몸통부(1380)를 가진다. 상부 몸통부(1320), 제1경사부(1340), 토출단 수용부(1400), 제2경사부(1360), 배출단부(1500), 드레인부(1600), 그리고 하부 몸통부(1380)는 위에서 아래 방향을 따라 순차적으로 연장되게 제공된다. 상부 몸통부(1320)는 몸체(1300)의 상부 영역으로 제공된다. 상부 몸통부(1320)는 상하 방향을 따라 일정한 폭을 가지도록 제공된다. 상부 몸통부(1320)와 하부 몸통부(1380)는 다른 부분에 비해 큰 폭을 가지도록 제공된다. 상부 몸통부(1320)의 내측면에는 넘침 방지홀(1325)이 형성된다. 넘침 방지홀(1325)은 수용 공간(1302)에 채워진 세정액이 수용 공간(1302)의 외부로 넘치는 것을 방지하기 위함이다. 따라서 넘침 방지홀(1325)은 수용부 토출홀(1450)에 비해 높게 위치되며, 토출단 수용부(1400)에 비해 높게 위치되는 것이 바람직하다. 제1경사부(1340)는 상부 몸통부(1320)의 하단으로부터 아래로 연장되는 통 형상을 가진다. 제1경사부(1340)는 위에서 아래로 갈수록 점진적으로 폭이 좁아지도록 제공된다. 제1경사부(1340)는 수용 공간(1302)에 잔류된 액을 아래 방향으로 흐르도록 1차 안내한다.
토출단 수용부(1400)는 제1경사부(1340)의 하단으로부터 아래로 연장되는 통 형상을 가진다. 토출단 수용부(1400)는 상하 방향으로 일정한 제1폭(D1)을 가지도록 제공된다. 토출단 수용부(1400)는 노즐(1100)의 토출단이 위치되는 공간으로, 노즐(1100)에 비해 큰 폭을 가지도록 제공된다. 토출단 수용부(1400)의 내측면에는 수용부 토출홀(1450)이 형성된다. 수용부 토출홀(1450)은 토출단 수용부(1400)에 세정액을 토출하는 홀로 기능한다. 수용부 토출홀(1450)에는 세정액 공급 라인(1720)이 연결되며, 세정액 공급 라인(1720)은 저장 탱크(1700)로부터 수용부 토출홀(1450)에 세정액을 공급한다. 예컨대, 세정액은 노즐(1100)의 토출단 및 주변에 부착된 처리액과 이물을 제거하는 액으로 제공될 수 있다. 세정액은 기포를 포함하는 액일 수 있다. 세정액은 신나를 포함할 수 있다.
선택적으로, 토출단 수용부(1400)의 내측면에는 나사산이 형성되어 수용부 토출홀(1450)로부터 토출되는 세정액이 스크류 형상을 가지도록 공급될 수 있다.
제2경사부(1360)는 토출단 수용부(1400)의 하단으로부터 아래 방향으로 연장된다. 제2경사부(1360)는 위에서 아래로 갈수록 폭이 좁아지는 통 형상으로 제공된다. 제1경사부(1340)와 제2경사부(1360)는 각각 지면으로부터 30 내지 60 도의 경사각을 가지도록 제공될 수 있다.
배출단부(1500)는 제2경사부(1360)의 하단으로부터 아래로 연장되는 통 형상을 가진다. 배출단부(1500)는 다른 부분에 비해 작은 제2폭(D2)을 가지도록 제공된다. 예컨대, 제2폭(D2)은 토출단의 내경(S) 내지 그보다 3mm 더한 값 이하로 제공될 수 있다. 또한 배출단부(1500)는 상하 방향을 향하는 길이가 다른 부분에 비해 짧게 제공된다, 예컨대, 배출단부(1500)의 길이는 0 내지 토출단의 내경(S) 미만으로 제공될 수 있다. 이러한 배출단부(1500)의 길이 및 제2폭(D2)은 배출단부(1500)를 통과한 기포가 위로 역류되는 것을 방지할 수 있다.
드레인부(1600)는 배출단부(1500)의 하단으로부터 아래로 연장되는 통 형상을 가진다. 드레인부(1600)는 아래로 갈수록 폭이 커지도록 제공될 수 있다. 이는 배출단부(1500)를 통과하는 기포가 터지거나, 그 기포를 더 크게함으로써, 기포의 역류를 방지할 수 있다.
하부 몸통부(1380)는 드레인부(1600)의 하단으로부터 아래로 연장되는 통 형상을 가진다. 하부 몸통부(1380)는 상하 방향으로 일정한 폭을 가지도록 제공된다. 예컨대, 하부 몸통부(1380)는 상부 몸통부(1320)와 동일한 폭을 가질 수 있다.
배출 라인(1800)은 하부 몸통부(1380)에 연결되며, 하부 몸통부(1380)로 전달된 액을 외부로 배출시킨다. 배출 라인(1800)에는 이를 개폐하는 밸브(1820)가 설치된다.
제어기(1900)는 배출 라인(1800)에 설치된 밸브(1820)를 제어한다. 제어기(1900)는 수용 공간(1302)에 세정액이 채워지도록 세정액을 토출하는 중에 배출 라인(1800)이 닫히도록 밸브(1820)를 제어한다. 이에 따라 노즐(1100)의 토출단은 수용 공간(1302)에 채워진 세정액에 잠겨 토출단을 세정 처리할 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 대해 설명한다. 기판을 처리하는 방법으로는 액 처리 단계 및 노즐(1100) 세정 단계를 포함한다. 액 처리 단계에는 노즐(1100)이 공정 위치로 이동되어 기판 상에 처리액을 공급한다. 처리액 공급이 완료되면, 노즐(1100)은 처리액 공급을 중지하고, 노즐(1100) 세정 단계를 수행한다.
노즐(1100) 세정 단계에는 제1가스층 형성 단계, 토출단 세정 단계, 액층 형성 단계, 그리고 제2가스층 형성 단계를 포함한다. 제1가스층 형성 단계에는 노즐(1100)이 공정 위치에서 대기 위치로 이동되기 전에 토출단에 위치된 처리액을 토출 방향과 반대 방향으로 후퇴되도록 석션한다. 처리액의 끝단이 토출단보다 높게 위치되면, 노즐(1100)은 대기 위치로 이동된다.
토출단 세정 단계에는 토출단이 수용 공간(1302)에 채워진 세정액이 잠기도록 수용 공간(1302)에 삽입되게 위치된다. 이때 배출 라인(1800)은 닫혀진 상태를 유지하여 세정액의 수위가 변동되는 것을 방지할 수 있다. 토출단은 세정액에 의해 세정된다. 토출단으로부터 처리액의 끝단 사이에는 제1가스층이 형성되어 있으므로, 세정액이 노즐(1100) 내부에 유입되는 것이 방지된다. 토출단 및 이의 주변부가 세정 처리되면, 액층 형성 단계를 수행한다.
액층 형성 단계에는 수용 공간(1302)에 수용된 세정액을 석션한다. 이에 따라 노즐(1100) 내에 제공된 처리액 및 제1가스층이 함께 후퇴되며, 처리액과 이격된 위치에 세정액에 의한 액층이 형성된다. 세정액에 의한 액층은 일부가 휘발되면서 처리액의 끝단이 경화되는 것을 방지할 수 있다.
액층 형성 단계가 완료되면, 배출 라인(1800)을 개방하여 수용 공간(1302)에 채워진 세정액을 배출시킨다. 세정액이 배출되면, 노즐(1100)은 제2가스층이 형성되도록 노즐(1100) 내부를 석션한다. 노즐(1100)의 토출단과 액층 사이에은 제2가스층이 형성된다. 이에 따라 노즐(1100) 내부에는 위에서 아래 방향을 따라 처리액, 제1가스층, 액층, 그리고 제2가스층이 순차적으로 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 배출 단부는 토출단 수용부(1400)보다 작은 폭을 가지며, 토출단의 내경(S) 내지 그보다 3mm 더한값 이하로 제공된다. 또한 배출단부(1500)는 길이 방향을 향하는 길이가 0 내지 토출단의 내경(S) 미만으로 제공되며, 배출 단부의 하단으로부터 아래로 연장되는 드레인부(1600)는 아래로 갈수록 폭이 커지는 형상을 가진다. 이에 따라 배출단부(1500)를 통과한 기포는 다시 배출단부(1500)를 통과하여 역류하기 어려우며, 액층을 형성하는 과정에서 기포가 노즐(1100) 내에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 그리고 반송 챔버(3400)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다.
현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
다음에는 상술한 기판 처리 장치(1)를 이용하여 기판을 처리하는 방법의 일 실시예에 대해 설명한다.
기판(W)에 대해 도포 처리 공정(S20), 에지 노광 공정(S40), 노광 공정(S60), 그리고 현상 처리 공정(S80)이 순차적으로 수행된다.
도포 처리 공정(S20)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S21), 전단 액처리 챔버(3602)에서 반사방지막 도포 공정(S22), 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S23), 후단 액처리 챔버(3604)에서 포토레지스트막 도포 공정(S24), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S25)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.
이하, 용기(10)에서 노광 장치(50)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다.
인덱스 로봇(2200)은 기판(W)을 용기(10)에서 꺼내서 전단 버퍼(3802)로 반송한다. 반송 로봇(3422)은 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)을 전단 열처리 챔버(3200)로 반송한다. 기판(W)은 반송 플레이트(3240)에 의해 가열 유닛(3230)에 기판(W)을 반송한다. 가열 유닛(3230)에서 기판의 가열 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)는 기판을 냉각 유닛(3220)으로 반송한다. 반송 플레이트(3240)는 기판(W)을 지지한 상태에서, 냉각 유닛(3220)에 접촉되어 기판(W)의 냉각 공정을 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 반송 플레이트(3240)가 냉각 유닛(3220)의 상부로 이동되고, 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출하여 전단 액처리 챔버(3602)로 반송한다.
전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W) 상에 반사 방지막을 도포한다.
반송 로봇(3422)이 전단 액처리 챔버(3602)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 반출하여 후단 액처리 챔버(3604)로 반송한다.
이후, 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W) 상에 포토레지스트막을 도포한다.
반송 로봇(3422)이 후단 액처리 챔버(3604)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)으로 기판(W)을 반입한다. 열처리 챔버(3200)에는 상술한 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 진행되고, 각 열처리 공정이 완료되면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)을 후단 버퍼(3804)로 반송한다. 인터페이스 모듈(40)의 제1로봇(4602)이 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 보조 공정챔버(4200)로 반송한다.
보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)에 대해 에지 노광 공정이 수행된다.
이후, 제1로봇(4602)이 보조 공정챔버(4200)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제2로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 노광 장치(50)로 반송한다.
현상 처리 공정(S80)은 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S81), 액처리 챔버(3600)에서 현상 공정(S82), 그리고 열처리 챔버(3200)에서 열처리 공정(S83)이 순차적으로 이루어짐으로써 수행된다.
이하, 노광 장치(50)에서 용기(10)까지 기판(W)의 반송 경로의 일 예를 설명한다,
제2로봇(4606)이 노광 장치(50)에서 기판(W)을 반출하여 인터페이스 버퍼(4400)로 기판(W)을 반송한다.
이후, 제1로봇(4602)이 인터페이스 버퍼(4400)에서 기판(W)을 반출하여 후단 버퍼(3804)로 기판(W)을 반송한다. 반송 로봇(3422)은 후단 버퍼(3804)에서 기판(W)을 반출하여 열처리 챔버(3200)로 기판(W)을 반송한다. 열처리 챔버(3200)에는 기판(W)의 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행한다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)로 반송한다.
현상 챔버(3600)에는 기판(W) 상에 현상액을 공급하여 현상 공정을 수행한다.
기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 현상 챔버(3600)에서 반출되어 열처리 챔버(3200)로 반입된다. 기판(W)은 열처리 챔버(3200)에서 가열 공정 및 냉각 공정이 순차적으로 수행된다. 냉각 공정이 완료되면, 기판(W)은 반송 로봇(3422)에 의해 열처리 챔버(3200)에서 기판(W)을 반출되어 전단 버퍼(3802)로 반송한다.
이후, 인덱스 로봇(2200)이 전단 버퍼(3802)에서 기판(W)을 꺼내어 용기(10)로 반송한다.
상술한 기판 처리 장치(1)의 처리 블럭은 도포 처리 공정과 현상 처리 공정을 수행하는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판 처리 장치(1)는 인터페이스 모듈 없이 인덱스 모듈(20)과 처리 블럭(37)만을 구비할 수 있다. 이 경우, 처리 블럭(37)은 도포 처리 공정만을 수행하고, 기판(W) 상에 도포되는 막은 스핀 온 하드마스크막(SOH)일 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1300: 몸체 1320: 상부 몸통부
1340: 제1경사부 1360: 제2경사부
1380: 하부 몸통부 1400: 토출단 수용부
1500: 배출단부 1600: 드레인부

Claims (11)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 처리 용기와;
    상기 처리 용기의 일측에 위치되며, 처리액을 토출하는 노즐이 대기되는 공간을 제공하는 노즐 수용 부재를 가지는 대기 포트와;
    상기 처리 용기와 상기 대기 포트 간에 이동되며, 상기 노즐을 가지는 액 공급 유닛과;
    상기 액 공급 유닛 및 상기 대기 포트를 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 노즐 수용 부재는,
    내부에 상기 노즐이 수용 가능하며 세정액이 채워진 수용 공간을 가지는 몸체와;
    상기 수용 공간 내의 액이 배출되도록 상기 몸체에 연결되는 배출 라인을 포함하되,
    상기 제어기는 상기 수용 공간에 채워진 세정액에 상기 노즐의 토출단이 잠기도록 이동하여 상기 노즐이 세정 처리도록 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 몸체는,
    상기 노즐의 토출단이 수용되며, 제1폭을 가지는 제1공간이 형성되는 토출단 수용부와;
    상기 토출단 수용부보다 아래에 위치되며, 상기 제1폭보다 작은 제2폭을 가지는 제2공간이 형성되는 배출단부를 가지되,
    상기 배출단부는 상기 제2폭과 수직한 방향의 길이가 상기 토출단의 내경 미만으로 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2폭은 상기 토출단의 내경 내지 그보다 3mm 이하로 제공되는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 몸체는,
    상기 배출단으로부터 아래로 연장되며, 아래로 갈수록 폭이 점차 커지는 드레인부를 더 가지는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 노즐 수용 부재는 복수 개로 제공되며, 서로 간에 독립되게 위치되고, 상부에서 바라볼 때 일 방향을 따라 배열되는 기판 처리 장치.
  6. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 대기 포트는,
    상기 수용 공간의 아래에 위치되며, 세정액이 저장되는 저장 탱크와;
    상기 저장 탱크로부터 상기 노즐 수용 부재 각각에 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인을 더 포함하되,
    상기 몸체의 내측면에는 수용부 토출홀이 형성되고,
    상기 세정액 공급 라인은 상기 수용부 토출홀 각각에 세정액을 공급하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 몸체의 내측면에는 상기 수용 공간과 연통되는 넘침 방지홀이 더 형성되되,
    상기 넘침 방지홀은 상기 수용부 토출홀보다 위에 위치되는 기판 처리 장치.
  8. 제6항에 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 노즐은 상기 대기 포트로 이동되기 전에, 상기 노즐은 상기 토출단에 채워진 처리액을 석백하여 상기 토출단에 제1가스층을 형성하는 제1가스층 형성 단계와;
    상기 노즐은 상기 제1가스층을 형성한 상태에서 상기 수용 공간에 채워진 상기 세정액에 상기 토출단이 잠기도록 상기 수용 공간에 삽입되어 상기 토출단을 세정하는 토출단 세정 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  9. 제8항에 있어서
    상기 방법은,
    상기 토출단이 상기 세정액에 잠긴 상태에서 상기 세정액을 석백하여 액층을 형성하는 액층 형성 단계와;
    상기 수용 공간에 채워진 상기 세정액을 배출한 상태에서 상기 노즐을 석백하여 상기 토출단에 제2가스층을 형성하는 제2가스층 형성 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 세정액은 버블을 포함하는 액을 포함하는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 처리액은 감광액을 포함하고,
    상기 세정액은 신나를 포함하는 기판 처리 방법.

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230100831A (ko) * 2021-12-28 2023-07-06 세메스 주식회사 홈 포트 및 기판 처리 장치

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