KR101667432B1 - 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는 도포, 현상 장치의 처리량의 저하를 억제하는 동시에 장치의 설치 면적을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
액처리계의 단위 블록군과, 이 단위 블록군의 캐리어 블록측에 배치된 제1 가열계의 블록과, 상기 액처리계의 단위 블록군의 인터페이스 블록측에 배치된 제2 가열계의 블록을 구비하도록 처리 블록을 구성하여, 액처리계의 단위 블록군은 반사 방지막 및 레지스트막을 형성하는 전단 처리용 단위 블록을 이중화한 것과, 상층막을 형성하여, 노광 전에 세정을 행하는 후단 처리용 단위 블록을 이중화한 것과, 현상 처리를 행하는 단위 블록을 포함하도록 구성하여, 제1 가열계의 블록은 레지스트 도포 후 및 현상 후의 기판을 가열하고, 제2 가열계의 블록은 노광 후 현상 전, 반사 방지막 형성 후 및 상층막 형성 후의 각 기판을 가열한다.

Description

도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체{COATING AND DEVELOPING APPARATUS, COATING AND DEVELOPING METHOD AND STORAGE MEDIUM}
본 발명은 기판에 레지스트를 도포하여, 현상을 행하는 도포, 현상 장치, 도포, 현상 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 상기 레지스트 패턴을 형성하기 위한 도포, 현상 장치에는 웨이퍼에 각종 처리를 행하기 위한 처리 모듈을 구비한 처리 블록이 설치되어 있다.
처리 블록은, 예를 들어 특허 문헌 1에 기재된 바와 같이, 레지스트막 등의 각종 도포막을 형성하는 단위 블록 및 현상 처리를 행하는 단위 블록을 서로 적층함으로써 구성되어 있다. 각 단위 블록에는 웨이퍼의 반송 기구가 설치되고, 당해 반송 기구에 의해 웨이퍼는 순서대로 각 단위 블록에 설치되는 처리 모듈로 전달되어 처리를 받는다.
그런데, 웨이퍼에 형성하는 패턴의 미세화가 진행되고 있으므로, 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 처리 모듈은 다양화되고 있다. 웨이퍼에 레지스트를 공급하여 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 모듈이나 웨이퍼에 현상액을 공급하여 현상을 행하는 현상 모듈 등 이외에, 예를 들어 레지스트막의 하층에 반사 방지막을 형성하는 모듈이나, 예를 들어 웨이퍼의 상층에 액침 노광용 보호막을 형성하기 위한 모듈 등이 탑재되는 경우가 있다. 이와 같이 다종의 모듈을 탑재한 후에, 어떻게 도포, 현상 장치의 설치 면적을 작게 할지가 검토되어 있다.
또한, 상기 특허 문헌 1의 도포, 현상 장치에서는, 웨이퍼는 순서대로 각 층의 모듈 사이를 반송되므로, 하나의 모듈에 대해 웨이퍼의 처리가 행해지지 않게 되면, 후단의 모듈로 웨이퍼를 반송할 수 없게 되어, 처리 효율이 저하되어 버릴 우려가 있다. 이와 같이 처리 효율의 저하를 억제하고, 또한 설치 면적을 작게 할 수 있는 도포, 현상 장치가 요구되고 있었다.
일본 특허 출원 공개 제2007-115831
본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 도포, 현상 장치의 처리량의 저하를 억제하는 동시에, 장치의 설치 면적을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 도포, 현상 장치는 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록으로 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀되어 온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록으로 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
a) 상기 처리 블록은 캐리어 블록측에 배치되는 액처리계의 단위 블록군과, 이 액처리계의 단위 블록군의 캐리어 블록측에 배치된 제1 가열계의 블록과, 상기 액처리계의 단위 블록군의 인터페이스 블록측에 배치된 제2 가열계의 블록을 구비한 것과,
b) 상기 액처리계의 단위 블록군은,
기판에 하층측의 반사 방지막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 하층용 액처리 모듈과, 상기 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하기 위해 레지스트액을 공급하는 도포 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판의 전달을 행하기 위해 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하고, 단위 블록용 반송 기구를 구비한 전단 처리용 단위 블록을, 제1 전단 처리용 단위 블록 및 제2 전단 처리용 단위 블록으로서 상하에 이중화하여 서로 적층한 것과,
상기 전단 처리용 단위 블록의 상방측에 적층되어, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 상층용 액처리 모듈과, 상층막이 형성된 기판에 대해, 노광 전에 세정을 행하는 세정 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 후단 처리용 단위 블록을, 제1 후단 처리용 단위 블록 및 제2 후단 처리용 단위 블록으로서 상하에 이중화하여 서로 적층한 것과,
상기 전단 처리용 단위 블록에 대해 적층되어, 기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록을 포함하는 것과,
c) 상기 제1 가열계의 블록은 복수의 가열 모듈을 상하에 적층하고, 이들 가열 모듈에 대해, 상기 전단 처리용 단위 블록에서 레지스트액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 현상용 단위 블록에서 현상이 행해진 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 제1 가열계의 반송 기구를 구비한 것과,
d) 상기 제2 가열계의 블록은 복수의 가열 모듈을 상하에 적층하고, 이들 가열 모듈에 대해, 상기 전단 처리용 단위 블록에서 반사 방지막을 형성하기 위한 약액이 도포된 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 상기 후단 처리용 단위 블록에서 상층막을 형성하기 위한 약액이 도포된 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 현상용 단위 블록에서 현상이 행해지기 전의 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 제2 가열계의 반송 기구를 구비한 것과,
e) 상기 현상용 단위 블록의 캐리어 블록측에 현상 후의 기판이 반송 기구에 의해 반출되는 전달 스테이지를 설치하는 동시에, 상기 전단 처리용 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에, 캐리어로부터 불출된 기판을 당해 단위 블록의 반송 기구로 전달하기 위한 전달 스테이지를 설치한 것과,
f) 상기 전단 처리용 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에, 레지스트액이 도포된 기판을 제1 가열계의 블록에 불출하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 동시에, 상기 후단 처리용 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에, 레지스트막이 형성된 기판을 당해 단위 블록의 반송 기구가 수취하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 것과,
g) 상기 전단 처리용 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에, 반사 방지막이 도포된 기판을 제2 가열계의 블록에 불출하기 위한 전달 스테이지와 제2 가열계의 블록에서 가열 처리된 기판을 당해 단위 블록의 반송 기구가 수취하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 동시에, 상기 후단 처리용 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에, 상층막이 형성된 기판을 제2 가열계의 블록의 반송 기구로 전달하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 것을 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 도포, 현상 장치의 구체적인 형태로서는, 예를 들어 이하와 같다.
(1) 상기 제1 가열계의 블록은,
상기 직선 반송로의 연신되는 방향을 전후 방향으로 하면, 전후 방향으로 연신되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로를 따라서 설치된 복수의 가열 모듈과, 이들 가열 모듈 및 전달 스테이지 사이에서 기판을 반송하기 위해 당해 직선 반송로를 따라서 이동하는 수평 반송 기구를 구비한 유닛 부분을 복수단 적층하고, 또한 각 유닛 부분 사이에서 기판의 반송을 행하는 상하 반송 기구를 설치한 구성으로 된다.
(2) 현상 처리용 단위 블록은 당해 단위 블록의 반송 기구에 의해 기판의 전달이 행해지고, 노광 후의 기판을 세정하기 위한 세정 모듈을 더 구비하고 있다.
본 발명의 도포, 현상 방법은 상기한 도포, 현상 장치를 사용하고,
전단 처리용 단위 블록에서 반사 방지막을 형성하기 위한 약액이 도포된 후의 기판을 제2 가열계 블록으로 반송하는 공정과,
계속해서, 제2 가열계 블록의 가열 모듈에서 가열된 기판을 전단 처리용 단위 블록으로 반송하는 공정과,
상기 전단 처리용 단위 블록에서 레지스트액이 도포된 기판을 제1 가열계 블록으로 반송하는 공정과,
제1 가열계의 반송 기구에 의해 상기 기판을 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 공정과,
후단 처리용 단위 블록에서 상층막을 형성하기 위한 약액이 도포된 후의 기판을 제2 가열계의 블록으로 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 기억 매체는 도포, 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
상기 컴퓨터 프로그램은 상기한 도포, 현상 방법을 실시하기 위한 것인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 도포, 현상 장치를 구성하는 처리 블록은 반사 방지막을 형성하는 액처리 모듈, 레지스트막을 형성하는 도포 모듈 및 단위 블록용 반송 기구를 구비한 전단 처리용 단위 블록을 이중화한 것과, 상층용 액처리 모듈, 노광 전에 세정을 행하는 세정 모듈 및 단위 블록용 반송 기구를 구비한 후단 처리용 단위 블록을 이중화한 것과, 현상을 행하는 현상 모듈 및 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록의 적층체와, 이 적층체의 캐리어 블록측 및 인터페이스 블록측에 배치된 가열계의 블록에 의해 구성된다. 이에 의해 장치의 설치 면적을 억제할 수 있다. 또한, 전단 처리용 및 후단 처리용 단위 블록에 있어서 한쪽의 단위 블록이 사용 불가로 되어도 다른 쪽의 단위 블록에서 기판을 처리할 수 있으므로, 처리량의 저하를 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 도포, 현상 장치의 평면도.
도 2는 상기 도포, 현상 장치의 사시도.
도 3은 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도.
도 4는 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 메인 아암의 사시도.
도 5는 상기 도포, 현상 장치의 처리 블록의 개략 측면도.
도 6은 액처리 단위 블록의 종단 정면도.
도 7은 상기 도포, 현상 장치를 구성하는 인터페이스 블록의 종단 정면도.
도 8은 상기 도포, 현상 장치에 설치되는 제어부의 구성도.
도 9는 정상 시의 웨이퍼의 반송 경로의 흐름도.
도 10은 정상 시의 웨이퍼의 반송 경로의 흐름도.
도 11은 이상 시의 웨이퍼의 반송 경로의 흐름도.
(제1 실시 형태)
본 발명에 관한 도포, 현상 장치(1)에 대해, 각각 당해 도포, 현상 장치(1)의 평면도, 사시도, 종단 측면도인 도 1, 도 2, 도 3을 참조하면서 설명한다. 이 도포, 현상 장치(1)에서는 캐리어 블록(S1), 처리 블록(S20), 인터페이스 블록(S5)이 직선 형상으로 접속되어 있고, 인터페이스 블록(S5)에는 액침 노광을 행하는 노광 장치(S6)가 접속되어 있다. 상기 처리 블록(S20)은 캐리어 블록(S1)측으로부터 인터페이스 블록(S5)측을 향해 배열된 제1 가열계의 블록인 전방측 가열계 블록(S2)과, 액처리계의 단위 블록군을 이루는 액처리 블록(S3)과, 제2 가열계의 블록인 후방측 가열계 블록(S4)에 의해 구성된다.
상기 캐리어 블록(S1)은 기판인 웨이퍼(W)가, 예를 들어 25매 밀폐 수납된 캐리어(C)를 반입출하기 위한 블록이다. 상기 캐리어(C)를 적재하는 적재대(11)와, 이 적재대(11)로부터 볼 때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 아암(13)이 설치되어 있다.
전달 아암(13)은 상하 방향으로 5개의 웨이퍼 보유 지지부(14)를 구비하고, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 캐리어(C)의 배열 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 전달 아암(13)은 캐리어(C)로부터 5매씩 웨이퍼(W)를 처리 블록(S20)의 전달 모듈(BU11, BU12)로 일괄로 전달한다. 또한, 웨이퍼(W)를 적재할 수 있는 장소를 모듈이라고 기재하고, 이 모듈 중 웨이퍼(W)에 대해 가열, 액처리, 가스 공급 등의 처리를 행하는 모듈을 처리 모듈이라고 기재한다. 또한, 처리 모듈 중, 웨이퍼(W)에 약액이나 세정액을 공급하는 모듈을 액처리 모듈이라고 기재한다.
계속해서, 전방측 가열계 블록(S2)에 대해 설명한다. 전방측 가열계 블록(S2)은 구획벽에 의해 서로 구획된 유닛 부분인 제1 가열계 단위 블록(A1) 내지 제6 가열계 단위 블록(A6)이 적층되어 구성된다. 이들 가열계 단위 블록(A)은 서로 대략 동일하게 구성되어 있다. 여기서는 대표로 도 1에 도시된 제1 가열계 단위 블록(A1)에 대해 설명한다.
캐리어 블록(S1)측을 전방측, 인터페이스 블록(S5)측을 후방측으로 하면, 제1 가열계 단위 블록(A1)의 중앙에는 전후 방향으로 직선 형상의 반송로인 반송 영역(R1)이 형성되어 있다. 반송 영역(R1)에는 웨이퍼(W)의 반송 기구인 메인 아암(B1)이 설치되어 있다. 메인 아암(B1)에 대해서는 후술한다. 반송 영역(R1)의 좌우의 일측에는 선반 유닛(U11, U12)이 이 순서대로 후방측을 향해 배열되어 있다. 반송 영역(R1)의 좌우의 타측에는 상기 선반 유닛(U11)과 대향하도록 선반 유닛(U13)이 설치되어 있다. 또한, 선반 유닛(U13)의 후방측에는 선반 유닛(U14)이 설치되어 있고, 이 선반 유닛(U14)은 제1 가열계 단위 블록(A1) 내지 제6 가열계 단위 블록(A6)에 걸치도록 설치되어 있다.
제1 가열계 단위 블록(A1)의 선반 유닛(U11 내지 U13)에는 소수화 처리 모듈(ADH)이, 예를 들어 2단으로 적층되어 있다. 선반 유닛(U13)에서는 상기 소수화 처리 모듈(ADH)에, 전달 모듈(BU11)이 더 적층되어 있다. 또한, 선반 유닛(U14)에 있어서 제1 가열계 단위 블록(A1)의 높이 위치에는 전달 모듈(TRS11)이 설치되어 있다.
도 4는 수평 반송 기구를 이루는 메인 아암(B1)의 사시도를 도시하고 있다. 메인 아암(B1)은 반송 영역(R1)을 전후를 향해 부설된 가이드 레일(21)과, 가이드 레일(21)을 따라서 이동하는 수평 이동대(22)와, 수평 이동대(22)에 설치되어, 연직축 주위로 회전 가능한 프레임(23)과, 베이스(24)와, 웨이퍼 보유 지지부(25, 26)를 구비하고 있다. 베이스(24)는 프레임(23)에 지지되어, 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한, 웨이퍼 보유 지지부(25, 26)는 베이스(24)에 지지되는 동시에 베이스(24)를 독립하여 진퇴 가능하게 구성되어 있다. 이와 같은 구성에 의해 메인 아암(B1)은 제1 가열계 단위 블록(A1)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.
각 모듈에 대해 설명하면, 상기 소수화 처리 모듈(ADH)은 웨이퍼(W)를 가열하는 동시에 웨이퍼(W)의 베벨부(둘레 단부)를 포함하는 표면에 처리 가스를 공급하는 처리 모듈로, 상기 표면의 소수성을 향상시켜, 액침 노광 시에 당해 둘레 단부로부터 각 막의 벗겨짐을 억제하는 역할을 갖는다. 전달 모듈(BU11)은 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)가 전달되는 모듈로, 상술한 전달 아암(13)으로부터 반송된 웨이퍼(W)를 일괄로 수취하기 위해, 상하 방향으로 5개의 웨이퍼(W)를 적재하는 스테이지를 구비하고 있다. 전달 모듈(BU11)로 반송된 웨이퍼(W)는 1매씩 전달 모듈(BU11)로부터 취출되어 처리를 받는다. 또한, 전달 모듈은 웨이퍼(W)가 적재되는 스테이지를 구비하고 있다. 그리고, BU라고 기재한 전달 모듈은 복수매의 웨이퍼(W)를 각각 적재하는 스테이지를 구비하여, 적재한 웨이퍼(W)를 체류시킬 수 있다.
다른 가열계 단위 블록(A)에 대해, 제1 가열계 단위 블록(A1)과의 차이점을 중심으로 설명한다. 제2 가열계 단위 블록(A2)은 제1 가열계 단위 블록(A1)과 마찬가지로 구성되어 있다. 선반 유닛(U13)에는 전달 모듈(BU11)에 대응하는 전달 모듈(BU12)이 설치되어 있고, 선반 유닛(U14)에는 전달 모듈(TRS11)에 대응하는 전달 모듈(TRS12)이 설치되어 있다.
제3 가열계 단위 블록(A3) 및 제4 가열계 단위 블록(A4)에서는 선반 유닛(U11 내지 U13)에, 소수화 처리 모듈(ADH) 대신에, 가열 모듈(PAB)이 설치되어 있다. 가열 모듈(PAB)은 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)를 가열하는 모듈이다. 또한, 선반 유닛(U14)에 있어서, 전달 모듈(TRS11)에 상당하는 전달 모듈(TRS13, TRS14)을 구비하고 있다.
제5 가열계 단위 블록(A5) 및 제6 가열계 단위 블록(A6)에서는 선반 유닛(U11 내지 U13)에, 소수화 처리 모듈(ADH) 대신에, 가열 모듈(POST)이 설치되어 있다. 가열 모듈(POST)은 현상 처리 후의 웨이퍼(W)를 가열하는 모듈이다. 또한, 선반 유닛(U14)에도 선반 유닛(U11 내지 U13)과 마찬가지로 가열 모듈(POST)이 2단으로 적층되어 설치되어 있다. 또한, 제5 가열계 단위 블록(A5), 제6 가열계 단위 블록(A6)에서는 선반 유닛(U13)에 각각 전달 모듈(BU13, BU14)이 설치되어 있다. 이들 전달 모듈(BU13, BU14)은 캐리어(C)로 웨이퍼(W)를 복귀시키기 위한 모듈이다.
도 5는 도포, 현상 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 기구의 배치를 도시한 개략도이다. 이 도 5에 도시한 바와 같이 제1 내지 제4 가열계 단위 블록(A1 내지 A4)에서 공용되는 전달 아암(15)이 설치되어 있다. 상하 반송 기구를 이루는 전달 아암(15)은 선반 유닛(U14)의 근방에 배치되어 있고, 가열계 단위 블록(A1 내지 A4)의 각 높이 위치를 승강 가능하게 구성되어 있다. 또한, 선반 유닛(U14)에 대해 진퇴 가능하게 구성되어, 전달 모듈(TRS11 내지 TRS14) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 수 있다. 또한, 도 5에 도시한 바와 같이 가열계 단위 블록(A2 내지 A6)에서는 메인 아암(B1)에 대응하는 메인 아암(B2 내지 B6)이 설치되어 있다. 메인 아암(B1 내지 B6)은 서로 독립하여 웨이퍼(W)를 반송하고, 이들 메인 아암(B1 내지 B6) 및 전달 아암(15)은 제1 가열계의 반송 기구를 구성한다.
계속해서, 액처리 블록(S3)에 대해 설명한다. 액처리 단위 블록(S3)은 액처리 단위 블록(C1 내지 C6)이 상방을 향해 적층되어 구성되어 있고, 각 액처리 단위 블록(C1 내지 C6)은 가열계 단위 블록(A1 내지 A6)에 각각 인접하고 있다. 액처리 단위 블록(C1 내지 C6)은 서로 평면에서 볼 때 동일한 레이아웃으로 구성되어 있다. 도 1에서는 제1 전단 처리용 단위 블록인 제1 액처리 단위 블록(B1)에 대해 도시하고 있고, 이하, 대표로 이 제1 액처리 단위 블록(B1)에 대해 설명한다. 이 제1 액처리 단위 블록(B1)의 중앙에는, 전후 방향으로 직선 형상의 반송로인 반송 영역(R2)이 형성되어 있고, 이 반송 영역(R2)을 좌우로부터 사이에 두도록 반사 방지막 형성 모듈(BCT1), 레지스트막 형성 모듈(COT1)이 서로 대향하여 설치되어 있다. 상기 반송 영역(R2)에는 메인 아암(D1)이 설치되어 있다. 메인 아암(D1)은 상기한 메인 아암(B)과 마찬가지로 구성되어 있고, 반송 영역(R2)을 이동하여 제1 액처리 단위 블록(B1)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.
도포 모듈인 레지스트막 형성 모듈(COT1)에 대해 설명한다. 레지스트막 형성 모듈(COT1)은 하우징(31)을 구비하고 있고, 하우징(31) 내에는 반송 영역(R1)을 따라서 2개의 스핀 척(32)이 설치되어 있다. 스핀 척(32)은 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착 유지하는 동시에 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 도면 중 부호 33은 처리 컵이고, 상측이 개방되어 있다. 처리 컵(33)은 스핀 척(32)의 주위를 둘러싸서, 레지스트액의 비산을 억제한다. 웨이퍼(W)를 처리할 때에는, 당해 처리 컵(33) 내에 웨이퍼(W)가 수용되고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부는 스핀 척(32)에 보유 지지된다.
또한, 레지스트막 형성 모듈(COT1)에는 각 처리 컵(33)에서 공용되는 노즐(34)이 설치되어 있다. 도면 중 부호 35는 구동 기구이다. 구동 기구(35)는 아암(36)을 통해 노즐(34)을 각 처리 컵(23)의 배열 방향으로 이동시키는 동시에 아암(36)을 통해 노즐(34)을 승강시킨다. 구동 기구(35)에 의해, 노즐(34)은 각 처리 컵(33) 사이를 이동하여, 각 스핀 척(32)으로 전달된 웨이퍼(W)의 중심에 레지스트액을 토출한다. 토출된 레지스트액은 상기 스핀 척(22)에 의해 연직축 주위로 회전하는 웨이퍼(W)의 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 주연으로 늘어나, 레지스트막이 성막된다. 또한, 도시는 생략하고 있지만, 레지스트막 형성 모듈(COT1)은 웨이퍼(W)의 둘레 단부에 용제를 공급하여, 당해 둘레 단부의 불필요한 막을 제거하는 노즐을 구비하고 있다. 하층용 액처리 모듈인 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)은 레지스트막 형성 모듈(COT1)과 마찬가지로 구성되어 있지만, 노즐(34)로부터는 상기 레지스트액 대신에, 반사 방지막 형성용 약액이 토출된다.
도 6은 액처리 블록(S3)의 종단 정면도이고, 이 도 6도 참조하면서 다른 액처리 단위 블록(C2 내지 C6)에 대해 간단하게 설명한다. 도 5에 도시한 바와 같이 액처리 단위 블록(C2 내지 C6)에는 상기 메인 아암(D1)에 대응하는 메인 아암(D2 내지 D6)이 각각 설치되어 있다. 각 메인 아암(D1 내지 D6)은 각각 독립하여 웨이퍼(W)를 반송한다. 제2 액처리 단위 블록(C2)은 제2 전단 처리용 단위 블록으로, 제1 액처리 단위 블록(C1)과 마찬가지로 구성되어 있다. 제2 액처리 단위 블록(C2)에 설치되는 반사 방지막 형성 모듈, 레지스트막 형성 모듈을 각각 BCT2, COT2로 한다.
액처리 단위 블록(C3)은 액처리 단위 블록(C1)과의 차이점으로서 반사 방지막 형성 모듈 및 레지스트막 형성 모듈 대신에, 상층용 액처리 모듈인 보호막 형성 모듈(TCT1) 및 이면 세정 모듈(BCT1)을 구비하고 있다. 보호막 형성 모듈(TCT1)은 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있지만, 노즐(34)로부터는 상기 레지스트액 대신에, 보호막 형성용 약액이 토출된다. 이 보호막은 발수성을 갖고, 액침 노광 시에 레지스트막이나 반사 방지막으로의 액의 침투를 방지하는 역할을 갖는다. 이면 세정 모듈(BCT1)은 노즐(34) 대신에, 웨이퍼(W)의 이면측에 세정액을 공급하는 노즐이 설치되어 있다. 그리고, 상기 노즐로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 이면에 세정액이 공급됨으로써, 당해 이면이 세정된다. 제4 액처리 단위 블록(C4)은 제3 액처리 단위 블록(C3)과 마찬가지로 구성되어 있다. 도면 중 제4 액처리 단위 블록(C4)에 설치되는 보호막 형성 모듈, 이면측 세정 모듈을 각각 TCT2, BST2로서 나타내고 있다. 액처리 단위 블록(C3, C4)은 각각 후단 처리용 단위 블록을 이룬다.
제5 액처리 단위 블록(C5)은 액처리 단위 블록(C1)과의 차이점으로서 반사 방지막 형성 모듈 및 레지스트막 형성 모듈 대신에, 현상 모듈(DEV1) 및 노광 후 세정 모듈(PIR1)을 구비하고 있다. 현상 모듈(DEV1)은 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있지만, 노즐(34)부터는 상기 레지스트액 대신에, 현상액이 공급된다. 또한, 노광 후 세정 모듈(PIR1)은 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있지만, 노즐(34)부터는 상기 레지스트액 대신에, 보호막 제거 또는 세정용 처리액을 공급한다. 제6 액처리 단위 블록(C6)은 제5 액처리 단위 블록(C5)과 마찬가지로 구성되어 있다. 도면 중 제5 액처리 단위 블록(C5)에 설치되는 현상 모듈, 노광 후 세정 모듈을 각각 DEV2, PIR2로서 나타내고 있다. 이와 같이 액처리 블록(S4)은 마찬가지로 구성된 3종류의 단위 블록이 각각 2중화되어, 서로 적층되어 구성되어 있다.
액처리 블록(S3)에 있어서, 캐리어 블록(S1)측에는 도 1 및 도 3에 도시한 바와 같이, 각 액처리 단위 블록(C1 내지 C6)에 걸쳐서 선반 유닛(U1)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U1)은 다수의 적층된 모듈로 이루어지고, 메인 아암(A1 내지 A6)을 액세스할 수 있는 높이 위치에 전달 모듈(CPL)이 설치되어 있다. 이들 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL)을 통해 액처리 블록(S3)과, 전방측 가열계 블록(S2) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 또한, CPL이라고 기재한 전달 모듈은 적재한 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 스테이지를 구비하고 있다. 도 3 중, 제1 액처리 단위 블록(C1)의 상기 전달 모듈을 CPL11 및 CPL12, 제2 액처리 단위 블록(C2)의 전달 모듈을 CPL13 및 CPL14로서 나타내고 있다. 또한, 제3 내지 제6 액처리 단위 블록(C3 내지 C6)의 전달 모듈을 CPL15 내지 CPL18로서 나타내고 있다.
처리 블록(S3)에 있어서, 인터페이스 블록(S6)측에는, 도 3에 도시한 바와 같이 제1 내지 제6 액처리 단위 블록(C1 내지 C6)에 걸치는 선반 유닛(U2)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U2)은 복수의 적층된 모듈로 이루어지고, 제1 내지 제6 액처리 단위 블록(C1 내지 C6)의 각 높이 위치에는 각각 전달 모듈(TRS)이 설치되어 있다. 이들 선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS)을 통해 액처리 블록(S3)과, 후방측 가열 블록(S4) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달이 행해진다. 도 3 중, 제1 액처리 단위 블록(C1)의 상기 전달 모듈을 TRS21 및 TRS22, 제2 액처리 단위 블록(C2)의 전달 모듈을 TRS23 및 TRS24, 제3 액처리 단위 블록(C3)의 상기 전달 모듈을 TRS31 내지 TRS33, 제4 액처리 단위 블록(C4)의 전달 모듈을 TRS34 내지 TRS36으로서 나타내고 있다. 또한, 제5 액처리 단위 블록(C5)의 상기 전달 모듈을 TRS41 내지 TRS43, 제6 액처리 단위 블록(C6)의 전달 모듈을 TRS44 내지 TRS46으로서 나타내고 있다.
계속해서, 후방측 가열계 블록(S4)에 대해 설명한다. 이 후방측 가열계 블록(S4)의 중앙부에는 제2 가열계의 반송 기구를 구성하는 전달 아암(17, 18)이 상하에 설치되어 있다. 이 전달 아암(17, 18)은 가이드 레일(21)이 설치되어 있지 않은 것을 제외하고 메인 아암(B, D)과 마찬가지로 구성되어 있다. 그리고, 전달 아암(17)은 상기 제1 내지 제4 액처리 단위 블록(C1 내지 C4)의 각 높이 위치로 승강하여 이동할 수 있고, 상술한 선반 유닛(U2) 및 후술하는 선반 유닛(U3, U4)에 있어서 이들 높이 위치에 있는 모듈에 액세스할 수 있다. 전달 아암(18)은 상기 제5 내지 제6 액처리 단위 블록(C5 내지 C6)의 각 높이 위치로 승강하여 이동할 수 있고, 선반 유닛(U2 내지 U4)에 있어서 이들 높이 위치에 있는 각 모듈에 액세스할 수 있다.
후방측 가열계 블록(S4)에는 전달 아암(17, 18)을 좌우로부터 사이에 두도록 선반 유닛(U3, U4)이 각각 설치되어 있다. 선반 유닛(U3, U4)은 마찬가지로 구성되어 있고, 여기서는 대표로 도 3에 도시한 선반 유닛(U3)에 대해 설명한다. 선반 유닛(U3)은 제1 내지 제6 액처리 단위 블록(C1 내지 C6)과 동일한 높이에 각각 복수의 가열 모듈을 적층하여 구비하고 있다. 제1 내지 제4 액처리 단위 블록(C1 내지 C4)과 동일한 높이에 설치된 가열 모듈을 CHP로서 나타내고 있고, 제5 및 제6 액처리 단위 블록(C5 내지 C6)과 동일한 높이에 설치된 가열 모듈을 PEB로서 나타내고 있다.
제1 및 제2 액처리 단위 블록(C1, C2)과 동일한 높이에 설치된 가열 모듈(CHP)은 반사 방지막 형성 후에 가열 처리를 행하는 모듈로, 제3 및 제4 액처리 단위 블록(C3, C4)과 동일한 높이에 설치된 가열 모듈(CHP)은 보호막 형성 후에 가열 처리를 행하는 모듈이다. 또한, 가열 모듈(PEB)은 노광 후 세정 모듈에서 세정 후에 가열 처리를 행하는 모듈이다.
이들 가열 모듈(CHP, PEB)은 서로 동일하게 구성되어 있고, 웨이퍼(W)를 가열하는 열판(41)과, 냉각 플레이트(42)를 구비하고 있다. 냉각 플레이트(42)는 상기 열판(41)과 전달 아암(17) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송하는 동시에 가열 후의 웨이퍼(W)를 냉각한다. 전방측 가열계 블록(S2)의 가열 모듈(POST 및 PAB)도 가열 모듈(CHP, PAB)과 마찬가지로 구성되어 있다.
다음에, 인터페이스 블록(S5)에 대해, 그 종단 정면도인 도 7도 참조하면서 설명한다. 인터페이스 블록(S5)에는 복수의 적층된 모듈로 이루어지는 선반 유닛(U5)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U6)에 있어서, 상기 전달 아암(17)을 액세스할 수 있는 높이 위치에 전달 모듈(TRS51 및 TRS52)이 설치되어 있다. 또한, 전달 아암(18)을 액세스할 수 있는 높이 위치에 전달 모듈(TRS53)이 설치되어 있다. 또한, 선반 유닛(U6)에는 전달 모듈(BU21, BU22, CPL31, CPL32)이 설치되어 있다.
또한, 인터페이스 블록(S5)에는 인터페이스 아암(51, 52)이 설치되어 있다. 인터페이스 아암(51, 52)은 회전 가능, 승강 가능 및 진퇴 가능하게 구성되어 있고, 또한 인터페이스 아암(51)은 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 인터페이스 아암(51)은 노광 장치(S6) 및 전달 모듈(CPL31, CPL32)에 액세스하여, 이들 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 인터페이스 아암(52)은 선반 유닛(U6)을 구성하는 각 모듈에 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다.
계속해서, 도포, 현상 장치(1)에 설치된 제어부(61)에 대해, 도 8을 참조하면서 설명한다. 제어부(61)는 프로그램(62), 메모리(63), CPU(64) 등을 구비하고 있다. 도면 중 부호 60은 버스이다. 상기 프로그램(62)에는 제어부(61)로부터 도포, 현상 장치(1)의 각 모듈 및 웨이퍼(W)의 반송 수단으로 제어 신호를 보내고, 후술하는 웨이퍼(W)의 반송 및 처리를 진행시키도록 명령(각 스텝)이 내장되어 있다. 이 프로그램(62)은 컴퓨터 기억 매체, 예를 들어 플렉시블 디스크, 콤팩트 디스크, 하드 디스크, MO(광자기 디스크), 메모리 카드 등의 기억 매체에 저장되어 제어부(61)에 인스톨된다.
상기 메모리(63)에는 캐리어(C)의 각 웨이퍼(W)의 ID 번호와, 웨이퍼(W)가 반송되는 모듈이 대응된 반송 스케줄이 기억된 반송 스케줄 기억 영역(65)이 설치되어 있다. 이 반송 스케줄에 따라서, 각 메인 아암(B1 내지 B6, D1 내지 D6), 전달 아암(15, 17, 18) 및 인터페이스 아암(51, 52)이 동작하여, 각 웨이퍼(W)에 대해 설정된 모듈로의 반송이 행해진다.
액처리 블록(S3)의 메인 아암(D1 내지 D6)은 제어부(61)로 각 위치에 따른 위치 신호를 송신한다. CPU(64)는 이 위치 신호에 기초하여 메인 아암(D1 내지 D6)이 정상적으로 동작하고 있는지 판정한다. 정상이라고 판정된 경우에는, 미리 설정된 반송 스케줄에 따라서 웨이퍼(W)의 반송이 계속된다. 이상이라고 판정된 경우에는 상기 반송 스케줄이 변경되고, 웨이퍼(W)의 반송 경로가 변경된다.
도포, 현상 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 설명한다. 상기 메인 아암(D1 내지 D6)에 이상이 없는 정상 시에 있어서, 웨이퍼(W)는 도 9, 도 10에 점선으로 나타내는 경로에 각각 분류되어 반송된다. 전달 아암(13)은 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 제1 가열 처리 단위 블록(A1)의 전달 모듈(BU11), 제2 가열 처리 단위 블록(A2)의 전달 모듈(BU12)로 교대로 반송한다. 이와 같이 정상 시에 전달 모듈(BU11)로 반송되는 웨이퍼(W)[설명의 편의상, 웨이퍼(W1)라고 함]는, 도 9에 도시하는 경로에서 반송되도록 설정되어 있다. 또한, 정상 시에 전달 모듈(BU12)로 반송되는 웨이퍼(W)[설명의 편의상, 웨이퍼(W2)라고 함]는, 도 10에 도시하는 경로에서 반송되도록 설정되어 있다.
이하에 도 9의 웨이퍼(W1)의 경로를 설명하면, 상기 전달 모듈(BU11)로 전달된 웨이퍼(W1)는 제1 가열 처리 단위 블록(A1)의 메인 아암(B1)→선반 유닛(U11 내지 U13)의 소수화 처리 모듈(ADH)의 순으로 반송되어, 소수화 처리된다. 소수화 처리 후, 웨이퍼(W1)는 상기 메인 아암(B1)→선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL11)→제1 액처리 단위 블록(C1)의 메인 아암(D1)→반사 방지막 형성 모듈(BCT1)의 순으로 반송되어, 당해 웨이퍼(W1)에 반사 방지막이 형성된다.
반사 방지막 형성 후의 웨이퍼(W1)는 메인 아암(D1)→선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS21)→후방측 가열 처리 단위 블록(S4)의 전달 아암(17)→제1 액처리 단위 블록(C1)의 높이 위치에 있는 가열 모듈(CHP)→전달 아암(17)→선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS22)→메인 아암(D1)→레지스트막 형성 모듈(COT1)의 순으로 반송되어, 반사 방지막의 상층에 레지스트막이 형성된다.
이후 웨이퍼(W1)는 메인 아암(B1)→전달 모듈(CPL12)→메인 아암(B1)→선반 유닛(U14)의 전달 모듈(TRS11)→전달 아암(15)→제3 가열계 단위 블록(A3)의 전달 모듈(TRS13)→메인 아암(B3)→가열 모듈(PAB)→메인 아암(B3)→액처리 단위 블록(C3)의 전달 모듈(CPL15)→메인 아암(D3)→보호막 형성 모듈(TCT1)의 순으로 반송되어, 레지스트막의 상층에 보호막이 형성된다.
다음에, 웨이퍼(W1)는 메인 아암(D3)→선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS31)→전달 아암(17)→제3 액처리 단위 블록(C3)의 높이 위치에 있는 가열 모듈(CHP)→전달 아암(17)→전달 모듈(TRS32)→메인 아암(D3)→이면 세정 모듈(BST1)→메인 아암(D3)→전달 모듈(TRS33)→전달 아암(17)→선반 유닛(U6)의 전달 모듈(TRS51)→인터페이스 아암(52)→전달 모듈(BU21)→인터페이스 아암(52)→전달 모듈(CPL31)→인터페이스 아암(51)→노광 장치(S7)의 순으로 반송되어, 액침 노광된다.
액침 노광 후의 웨이퍼(W1)는 인터페이스 아암(51)→전달 모듈(CPL32)→인터페이스 아암(52)→전달 모듈(BU22)→인터페이스 아암(52)→전달 모듈(TRS53)→전달 아암(18)→선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS41)→제5 액처리 단위 블록(C5)의 메인 아암(D5)→노광 후 세정 모듈(PIR1)로 반송되어, 보호막의 제거 및 세정 처리를 받는다.
이후, 웨이퍼(W1)는 메인 아암(D5)→선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS42)→전달 아암(18)→가열 모듈(PEB)→전달 아암(18)→전달 모듈(TRS43)→메인 아암(D5)→현상 모듈(DEV1)의 순으로 반송되어, 웨이퍼(W1)가 현상된다. 이후, 웨이퍼(W1)는 선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL17)→제5 가열계 단위 블록(A5)의 메인 아암(B5)→가열 모듈(POST)→메인 아암(B5)→전달 모듈(BU13)→전달 아암(13)의 순으로 반송되어, 전달 아암(13)이 캐리어(C)에 웨이퍼(W1)를 복귀시킨다.
계속해서 캐리어(C)로부터 전달 모듈(BU12)로 전달된 웨이퍼(W2)의 경로에 대해 설명한다. 당해 웨이퍼(W2)는 반송되는 모듈의 계층이 다른 것 외에는 전달 모듈(BU11)로 반송된 웨이퍼(W2)와 마찬가지로 반송되어 처리를 받는다. 상기 웨이퍼(W2)는 제2 가열 처리 단위 블록(A2)의 메인 아암(B2)→선반 유닛(U11 내지 U13)의 소수화 처리 모듈(ADH)→메인 아암(B2)→선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL13)→제2 액처리 단위 블록(C2)의 메인 아암(D2)→반사 방지막 형성 모듈(BCT2)→메인 아암(D2)→선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS23)→후방측 가열 처리 단위 블록(S4)의 전달 아암(17)→제2 액처리 단위 블록(C2)의 높이 위치에 있는 가열 모듈(CHP)→전달 아암(17)→선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS24)→메인 아암(D1)→레지스트막 형성 모듈(COT2)의 순으로 반송된다.
이후 웨이퍼(W2)는 메인 아암(B2)→전달 모듈(CPL14)→메인 아암(B2)→선반 유닛(U14)의 전달 모듈(TRS12)→전달 아암(15)→제4 가열계 단위 블록(A4)의 전달 모듈(TRS14)→메인 아암(B4)→가열 모듈(PAB)→메인 아암(B4)→전달 모듈(CPL16)→제4 액처리 단위 블록(C4)의 메인 아암(D3)→보호막 형성 모듈(TCT2)→메인 아암(D4)→선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS34)→전달 아암(17)→제4 액처리 단위 블록(C4)의 높이 위치에 있는 가열 모듈(CHP)→전달 아암(17)→전달 모듈(TRS35)→메인 아암(D4)→이면 세정 모듈(BST2)→메인 아암(D4)→전달 모듈(TRS36)→전달 아암(17)→선반 유닛(U6)의 전달 모듈(TRS51)로 반송된다. 이후, 웨이퍼(W2)는 인터페이스 블록(S5) 내를 상기와 동일한 경로에서 반송되어, 액침 노광을 받은 후, 전달 모듈(TRS53)로 전달된다.
그 후, 웨이퍼(W2)는 전달 아암(18)→선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS44)→제6 액처리 단위 블록(C6)의 메인 아암(D6)→노광 후 세정 모듈(PIR1)→메인 아암(D6)→선반 유닛(U2)의 전달 모듈(TRS45)→전달 아암(18)→가열 모듈(PEB)→전달 아암(18)→전달 모듈(TRS46)→메인 아암(D6)→현상 모듈(DEV2)→선반 유닛(U1)의 전달 모듈(CPL18)→제6 가열계 단위 블록(A6)의 메인 아암(B6)→가열 모듈(POST)→메인 아암(B6)→전달 모듈(BU14)→전달 아암(13)의 순으로 반송되어, 전달 아암(13)이 캐리어(C)에 웨이퍼(W2)를 복귀시킨다.
제어부(61)가 액처리 블록(S3)의 메인 아암(D1 내지 D6) 중 어느 하나에 이상이 발생하였다고 판정했을 때에는, 이상이 발생하였다고 판정된 메인 아암(D)의 동작을 정지시킨다. 그리고 제어부(61)는 이상이 발생하였다고 판정된 메인 아암(D)을 포함하는 액처리 단위 블록(C) 및 상기 액처리 단위 블록(C)에 대응하는 가열계 단위 블록(A)으로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지하는 동시에, 이상으로 된 메인 아암(D)을 포함하는 액처리 단위 블록(C)과 쌍을 이루는 액처리 단위 블록(C) 및 당해 액처리 단위 블록(C)에 대응하는 가열계 단위 블록(A)으로 웨이퍼(W)를 반송하도록 반송 스케줄을 변경한다. 메인 아암(D)의 이상이 발생한 액처리 단위 블록(C)에 대해서는, 이와 같이 당해 액처리 단위 블록을 피하도록 반송 스케줄의 변경이 행해지지만, 메인 아암(D)의 이상이 발생하고 있지 않은 단위 블록에 대해서는 당해 액처리 단위 블록(C)으로의 반송을 피할 수는 없어, 웨이퍼(W)의 반송이 계속된다.
구체적으로 도 11을 참조하면서, 일례로서 제1 액처리 단위 블록(C1)의 메인 아암(D1)에 이상이 발생한 경우에 대해 설명한다. 상기 이상이 발생하면, 제1 액처리 단위 블록(C1) 및 당해 액처리 단위 블록(C1)에 대응하는 제1 가열계 단위 블록(A1)으로의 웨이퍼(W1)의 반송이 정지된다. 그리고, 이들 제1 액처리 단위 블록(C1) 및 제1 가열계 단위 블록(A1)으로 반송되도록 설정되어 있던 웨이퍼(W1)는 캐리어(C)로부터 전달 모듈(BU12)로 반송되어, 당해 전달 모듈(BU12)로부터 웨이퍼(W2)와 동일한 경로에서 제2 가열계 단위 블록(A2) 및 제2 액처리 단위 블록(C2)이 반송되어 처리를 받는다. 도 11에서는 점선의 화살표로 상기 웨이퍼(W1)의 반송 경로를 나타내고 있다.
제2 액처리 단위 블록(C2) 및 제2 가열계 단위 블록(A2)에서 처리 후, 선반 유닛(U14)의 전달 모듈(TRS12)로 반송된 웨이퍼(W1)는 전달 아암(15)에 의해 정상 시와 마찬가지로 제3 가열 처리 단위 블록(A3)의 TRS13으로 반입된다. 이후, 웨이퍼(W1)는 정상 시와 마찬가지로 액처리 단위 블록(C3, C5) 및 가열계 단위 블록(A3, A5)으로 반송되어 처리를 받는다. 제2 액처리 단위 블록(C2)으로 반입된 웨이퍼(W2)는 쇄선의 화살표로 나타낸 바와 같이 정상 시와 동일한 반송 경로에서 반송되어 처리를 받는다.
제2 액처리 단위 블록(C2)의 메인 아암(D2)에 이상이 발생한 경우에는 상기 메인 아암(D1)에 이상이 발생한 경우와 마찬가지로, 당해 제2 액처리 단위 블록(C2)에서 처리를 받도록 설정되어 있던 웨이퍼(W2)가, 캐리어(C)로부터 전달 모듈(BU11)로 반송되고, 제1 액처리 단위 블록(C1) 및 제1 가열계 단위 블록(A1)으로 반송되어 처리를 받는다. 그리고, 선반 유닛(U14)의 전달 모듈(TRS11)로 반송된 웨이퍼(W2)는 전달 아암(15)에 의해 정상 시와 마찬가지로 제4 가열 처리 단위 블록(A4)의 TRS14로 반입된다. 이후에는, 정상 시와 마찬가지로 액처리 단위 블록(C4, C6) 및 가열계 단위 블록(A4, A6)으로 반송되어 처리를 받는다.
제3 액처리 단위 블록(C3)의 메인 아암(D3)에 이상이 발생한 경우, 당해 제3 액처리 단위 블록(C3)으로 반입되도록 설정되어 있던 웨이퍼(W1)는 제1 가열계 단위 블록(A1) 및 제1 액처리 단위 블록(A1)에서 처리 후에, 이 제3 액처리 단위 블록(C3) 및 제3 가열 처리 단위 블록(A3)을 피해, 제4 액처리 단위 블록(C4) 및 제4 가열 처리 단위 블록(A4)으로 반송된다. 그리고, 이들 단위 블록(C4, A4)에서 처리 후에 제5 액처리 단위 블록(C5) 및 제5 가열 처리 단위 블록(A5)으로 반송되어 처리를 받는다.
제4 액처리 단위 블록(C4)의 메인 아암(D4)에 이상이 발생한 경우도 마찬가지로, 웨이퍼(W2)는 제2 가열계 단위 블록(A2) 및 제2 액처리 단위 블록(A2)에서 처리 후에, 이 제4 액처리 단위 블록(C4) 및 제4 가열 처리 단위 블록(A4)을 피해, 제3 액처리 단위 블록(C3) 및 제3 가열 처리 단위 블록(A3)으로 반송된다. 그리고, 이들 단위 블록(C3, A3)에서 처리 후에 제6 액처리 단위 블록(C6) 및 제6 가열 처리 단위 블록(A6)으로 반송되어 처리를 받는다.
또한, 제5 액처리 단위 블록(C5)의 메인 아암(D5)에 이상이 발생한 경우, 웨이퍼(W1)는 노광 후, 제6 액처리 단위 블록(C6) 및 제6 가열계 단위 블록(A6)으로 반송된다. 제6 액처리 단위 블록(C6)의 메인 아암(D6)에 이상이 발생한 경우, 웨이퍼(W2)는 노광 후, 제5 액처리 단위 블록(C5) 및 제5 가열계 단위 블록(A5)으로 반송된다.
또한, 사용자는 제어부(61)로부터 메인터넌스하는 액처리 단위 블록(C)을 지정할 수 있도록 되어 있다. 이와 같이 지정이 행해진 경우에도 제어부(61)는 메인 아암(D)이 고장난 경우와 마찬가지로, 지정한 액처리 단위 블록(C)과, 이 액처리 단위 블록에 대응하는 가열계 단위 블록(A)으로의 웨이퍼(W)의 반송을 피하도록 반송 제어를 행한다.
본 발명의 도포, 현상 장치(1)를 구성하는 처리 블록(S20)은 전방측으로부터 후방측을 향해 전방측 가열계 블록(S2), 액처리 블록(S3), 후방측 가열계 블록(S4)이 이 순서대로 배열되고, 상기 액처리 블록(S3)은 반사 방지막을 형성하는 반사 방지막 형성 모듈(BCT), 레지스트막을 형성하는 레지스트막 형성 도포 모듈(COT) 및 메인 아암(D)을 각각 구비한 전단 처리용 단위 블록(C1, C2)과, 보호막 형성 모듈(TCT), 노광 전에 세정을 행하는 세정 모듈(BST) 및 메인 아암(D)을 구비한 후단 처리용 단위 블록(C3, C4)과, 현상을 행하는 현상 모듈(DEV) 및 메인 아암(D)을 구비한 현상 처리용 단위 블록(C5, C6)을 적층하여 구성된다. 이에 의해, 장치의 설치 면적을 억제할 수 있다. 또한, 각 액처리 단위 블록(C)은 동일한 구성의 단위 블록(C)이 적층되어 이중화되어 있고, 그 이중화된 단위 블록(C) 중 하나가 사용 불가로 되어도, 다른 액처리 단위 블록(C)을 사용하여 웨이퍼(W)의 처리를 계속해서 행할 수 있으므로 처리량의 저하를 억제할 수 있다.
또한, 메인 아암(B)이 고장난 경우나 메인터넌스를 행함으로써, 소정의 가열계 단위 블록(A)에서의 웨이퍼(W)의 처리가 행해지지 않게 된 경우에도, 상기 가열계 단위 블록(A)과, 이 가열계 단위 블록(A)에 대응하는 액처리 단위 블록(C)으로의 웨이퍼(W)의 반송을 피하도록 반송 제어를 행해도 좋다. 또한, 이 실시 형태나 다른 실시 형태에서, 제3 액처리 단위 블록(B3)에서 형성되는 막은 보호막으로 한정되지 않고, 예를 들어 레지스트의 상층측에 설치되는 반사 방지막이라도 좋다. 또한, 액처리 단위 블록(C5, C6)의 메인 아암은 공통화되어 있어도 좋다. 구체적으로, 메인 아암(D5)이 액처리 단위 블록(C5, C6)을 승강하여, 이들 액처리 단위 블록(C5, C6)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송해도 좋다. 단, 상기와 같이 액처리 단위 블록(C5, C6)마다 메인 아암(D)을 설치함으로써, 메인 아암(C5, C6) 중 한쪽이 고장났을 때에 다른 쪽을 사용하여 반송을 계속할 수 있다.
A1 내지 A6 : 가열계 단위 블록
BCT : 반사 방지막 형성 모듈
B1 내지 B6 : 메인 아암
COT : 레지스트막 형성 모듈
DEV : 현상 모듈
C1 내지 C6 : 액처리 단위 블록
D1 내지 D6 : 메인 아암
TCT : 보호막 형성 모듈
S1 : 캐리어 블록
S2 : 전방측 가열계 블록
S3 : 액처리 블록
S4 : 후방측 가열계 블록
S5 : 인터페이스 블록
S6 : 노광 장치
W : 웨이퍼
1 : 도포, 현상 장치
61 : 제어부

Claims (5)

  1. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록으로 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀되어 온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록으로 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
    a) 상기 처리 블록은 캐리어 블록측에 배치되는 액처리계의 단위 블록군과, 이 액처리계의 단위 블록군의 캐리어 블록측에 배치된 제1 가열계의 블록과, 상기 액처리계의 단위 블록군의 인터페이스 블록측에 배치된 제2 가열계의 블록을 구비한 것과,
    b) 상기 액처리계의 단위 블록군은,
    기판에 하층측의 반사 방지막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 하층용 액처리 모듈과, 상기 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하기 위해 레지스트액을 공급하는 도포 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판의 전달을 행하기 위해 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 전단 처리용 단위 블록을, 제1 전단 처리용 단위 블록 및 제2 전단 처리용 단위 블록으로서 상하에 이중화하여 서로 적층한 것과,
    상기 전단 처리용 단위 블록의 상방측에 적층되어, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 상층용 액처리 모듈과, 상층막이 형성된 기판에 대해, 노광 전에 세정을 행하는 세정 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 후단 처리용 단위 블록을, 제1 후단 처리용 단위 블록 및 제2 후단 처리용 단위 블록으로서 상하에 이중화하여 서로 적층한 것과,
    상기 전단 처리용 단위 블록에 대해 적층되어, 기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록을 포함하는 것과,
    c) 상기 제1 가열계의 블록은 복수의 가열 모듈을 상하에 적층하고, 이들 가열 모듈에 대해, 상기 전단 처리용 단위 블록에서 레지스트액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 현상용 단위 블록에서 현상이 행해진 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 제1 가열계의 반송 기구를 구비한 것과,
    d) 상기 제2 가열계의 블록은 복수의 가열 모듈을 상하에 적층하고, 이들 가열 모듈에 대해, 상기 전단 처리용 단위 블록에서 반사 방지막을 형성하기 위한 약액이 도포된 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 상기 후단 처리용 단위 블록에서 상층막을 형성하기 위한 약액이 도포된 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 현상용 단위 블록에서 현상이 행해지기 전의 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 제2 가열계의 반송 기구를 구비한 것과,
    e) 상기 현상용 단위 블록의 캐리어 블록측에 현상 후의 기판이 반송 기구에 의해 반출되는 전달 스테이지를 설치하는 동시에, 상기 전단 처리용 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에, 캐리어로부터 불출된 기판을 당해 단위 블록의 반송 기구로 전달하기 위한 전달 스테이지를 설치한 것과,
    f) 상기 전단 처리용 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에, 레지스트액이 도포된 기판을 제1 가열계의 블록에 불출하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 동시에, 상기 후단 처리용 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에, 레지스트막이 형성된 기판을 당해 단위 블록의 반송 기구가 수취하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 것과,
    g) 상기 전단 처리용 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에, 반사 방지막이 도포된 기판을 제2 가열계의 블록에 불출하기 위한 전달 스테이지와 제2 가열계의 블록에서 가열 처리된 기판을 당해 단위 블록의 반송 기구가 수취하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 동시에, 상기 후단 처리용 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에, 상층막이 형성된 기판을 제2 가열계의 블록의 반송 기구로 전달하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 것을 구비한 것을 특징으로 하는 도포, 현상 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 가열계의 블록은,
    상기 직선 반송로가 연신되는 방향을 전후 방향으로 하면, 전후 방향으로 연신되는 직선 반송로와, 이 직선 반송로를 따라서 설치된 복수의 가열 모듈과, 이들 가열 모듈 및 전달 스테이지 사이에서 기판을 반송하기 위해 당해 직선 반송로를 따라서 이동하는 수평 반송 기구를 구비한 유닛 부분을 복수단 적층하고, 또한 각 유닛 부분 사이에서 기판의 반송을 행하는 상하 반송 기구를 설치한 구성으로 된 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 현상 처리용 단위 블록은 당해 단위 블록의 반송 기구에 의해 기판의 전달이 행해지고, 노광 후의 기판을 세정하기 위한 세정 모듈을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
  4. 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록으로 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대해 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치로 반송하고, 상기 인터페이스 블록을 통해 복귀되어 온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록으로 전달하는 도포, 현상 장치이며,
    a) 상기 처리 블록은 캐리어 블록측에 배치되는 액처리계의 단위 블록군과, 이 액처리계의 단위 블록군의 캐리어 블록측에 배치된 제1 가열계의 블록과, 상기 액처리계의 단위 블록군의 인터페이스 블록측에 배치된 제2 가열계의 블록을 구비한 것과,
    b) 상기 액처리계의 단위 블록군은,
    기판에 하층측의 반사 방지막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 하층용 액처리 모듈과, 상기 반사 방지막 상에 레지스트막을 형성하기 위해 레지스트액을 공급하는 도포 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판의 전달을 행하기 위해 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 전단 처리용 단위 블록을, 제1 전단 처리용 단위 블록 및 제2 전단 처리용 단위 블록으로서 상하에 이중화하여 서로 적층한 것과,
    상기 전단 처리용 단위 블록의 상방측에 적층되어, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막을 형성하기 위해 약액을 공급하는 상층용 액처리 모듈과, 상층막이 형성된 기판에 대해, 노광 전에 세정을 행하는 세정 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 후단 처리용 단위 블록을, 제1 후단 처리용 단위 블록 및 제2 후단 처리용 단위 블록으로서 상하에 이중화하여 서로 적층한 것과,
    상기 전단 처리용 단위 블록에 대해 적층되어, 기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용 반송 기구를 구비한 현상 처리용 단위 블록을 포함하는 것과,
    c) 상기 제1 가열계의 블록은 복수의 가열 모듈을 상하에 적층하여, 이들 가열 모듈에 대해, 상기 전단 처리용 단위 블록에서 레지스트액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 현상용 단위 블록에서 현상이 행해진 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 제1 가열계의 반송 기구를 구비한 것과,
    d) 상기 제2 가열계의 블록은 복수의 가열 모듈을 상하에 적층하여, 이들 가열 모듈에 대해, 상기 전단 처리용 단위 블록에서 반사 방지막을 형성하기 위한 약액이 도포된 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 상기 후단 처리용 단위 블록에서 상층막을 형성하기 위한 약액이 도포된 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 현상용 단위 블록에서 현상이 행해지기 전의 기판을 가열하는 가열 모듈을 할당하는 동시에, 가열 모듈 사이에서 기판의 반송을 행하기 위해 승강 가능한 제2 가열계의 반송 기구를 구비한 것과,
    e) 상기 현상용 단위 블록의 캐리어 블록측에 현상 후의 기판이 반송 기구에 의해 반출되는 전달 스테이지를 설치하는 동시에, 상기 전단 처리용 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에, 캐리어로부터 불출된 기판을 당해 단위 블록의 반송 기구로 전달하기 위한 전달 스테이지를 설치한 것과,
    f) 상기 전단 처리용 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에, 레지스트액이 도포된 기판을 제1 가열계의 블록에 불출하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 동시에, 상기 후단 처리용 단위 블록에 있어서의 캐리어 블록측에, 레지스트막이 형성된 기판을 당해 단위 블록의 반송 기구가 수취하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 것과,
    g) 상기 전단 처리용 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에, 반사 방지막이 도포된 기판을 제2 가열계의 블록에 불출하기 위한 전달 스테이지와 제2 가열계의 블록에서 가열 처리된 기판을 당해 단위 블록의 반송 기구가 수취하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 동시에, 상기 후단 처리용 단위 블록에 있어서의 인터페이스 블록측에, 상층막이 형성된 기판을 제2 가열계의 블록의 반송 기구로 전달하기 위한 전달 스테이지를 설치하는 것을 구비한 도포, 현상 장치를 사용하는 도포, 현상 방법에 있어서,
    전단 처리용 단위 블록에서 반사 방지막을 형성하기 위한 약액이 도포된 후의 기판을 제2 가열계 블록으로 반송하는 공정과,
    계속해서, 제2 가열계 블록의 가열 모듈에서 가열된 기판을 제2 가열계의 반송 기구에 의해 전단 처리용 단위 블록으로 반송하는 공정과,
    상기 전단 처리용 단위 블록에서 레지스트액이 도포된 기판을 제1 가열계 블록으로 반송하는 공정과,
    제1 가열계의 반송 기구에 의해 상기 기판을 후단 처리용 단위 블록으로 반송하는 공정과,
    후단 처리용 단위 블록에서 상층막을 형성하기 위한 약액이 도포된 후의 기판을 제2 가열계의 블록으로 반송하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 방법.
  5. 도포, 현상 장치에 사용되는 컴퓨터 프로그램이 기억된 기억 매체이며,
    상기 컴퓨터 프로그램은 제4항에 기재된 도포, 현상 방법을 실시하기 위한 것임을 특징으로 하는, 기억 매체.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103021906B (zh) * 2011-09-22 2016-10-05 东京毅力科创株式会社 基板处理装置及基板处理方法
JP5901477B2 (ja) * 2012-09-10 2016-04-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP5779168B2 (ja) * 2012-12-04 2015-09-16 東京エレクトロン株式会社 周縁部塗布装置、周縁部塗布方法及び周縁部塗布用記録媒体
JP6548513B2 (ja) * 2015-08-21 2019-07-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008258208A (ja) 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP2009135169A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Tokyo Electron Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP2010010433A (ja) 2008-06-27 2010-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3442686B2 (ja) * 1999-06-01 2003-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6402400B1 (en) * 1999-10-06 2002-06-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus
JP4356936B2 (ja) * 2005-01-21 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
US7267497B2 (en) * 2005-01-21 2007-09-11 Tokyo Electron Limited Coating and developing system and coating and developing method
JP4459831B2 (ja) * 2005-02-01 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4566035B2 (ja) * 2005-03-11 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4450784B2 (ja) * 2005-10-19 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法
JP4807749B2 (ja) * 2006-09-15 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 露光・現像処理方法
JP4853374B2 (ja) * 2007-04-27 2012-01-11 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP4924186B2 (ja) * 2007-04-27 2012-04-25 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP4979079B2 (ja) * 2007-07-09 2012-07-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP4757924B2 (ja) * 2009-02-26 2011-08-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5338757B2 (ja) * 2010-07-09 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
JP5338777B2 (ja) * 2010-09-02 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008258208A (ja) 2007-03-30 2008-10-23 Tokyo Electron Ltd 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体
JP2009135169A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Tokyo Electron Ltd 基板処理システムおよび基板処理方法
JP2010010433A (ja) 2008-06-27 2010-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
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