KR101692679B1

KR101692679B1 - 도포, 현상 장치

Info

Publication number: KR101692679B1
Application number: KR1020160115376A
Authority: KR
Inventors: 노부아끼 마쯔오까; 아끼라 미야따; 신이찌 하야시; 스구루 에노끼다
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2010-07-09
Filing date: 2016-09-08
Publication date: 2017-01-03
Also published as: CN104966685B; TW201222701A; US20130329199A1; TW201523780A; TWI566322B; EP2405478B1; EP2405478A3; JP5397399B2; KR101657721B1; US8740481B2; SG196814A1; KR20160110335A; TW201526149A; JP2012033863A; US20120008936A1; CN102315090A; KR20120005946A; TWI487056B; US8534936B2; EP2405478A2

Abstract

본 발명의 과제는 처리 블록의 설치 면적을 억제하는 동시에 장치의 가동 효율의 저하를 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것이다.
전단 처리용의 단위 블록을 제1 전단 처리용의 단위 블록 및 제2 전단 처리용의 단위 블록으로서 상하로 이중화하여 서로 적층하고, 후단 처리용의 단위 블록을 제1 후단 처리용의 단위 블록 및 제2 후단 처리용의 단위 블록으로서 상하로 이중화하여, 서로 적층하고, 또한 현상 처리용의 단위 블록을 제1 현상 처리용의 단위 블록 및 제2 현상 처리용의 단위 블록으로서 상하로 이중화하여, 서로 적층하여 처리 블록을 구성하고, 전단 처리용의 단위 블록으로부터 후단 처리용의 각 단위 블록에 기판을 배분하여 전달하는 제1 전달 기구와, 노광 후의 기판을 현상 처리용의 단위 블록에 배분하여 전달하는 제2 전달 기구를 구비하도록 도포, 현상 장치를 구성한다.

Description

도포, 현상 장치 {COATING AND DEVELOPING APPARATUS}

본 발명은, 기판에 레지스트를 도포하고, 현상을 행하는 도포, 현상 장치에 관한 것이다.

반도체 제조 공정의 하나인 포토레지스트 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)의 표면에 레지스트를 도포하고, 이 레지스트를 소정의 패턴으로 노광한 후에 현상하여 레지스트 패턴을 형성하고 있다. 상기 레지스트 패턴을 형성하기 위한 도포, 현상 장치에는, 웨이퍼에 각종 처리를 행하기 위한 처리 모듈을 구비한 처리 블록이 설치되어 있다.

처리 블록은, 예를 들어 특허 문헌 1에 기재되는 바와 같이, 레지스트막 등의 각종 도포막을 형성하는 단위 블록 및 현상 처리를 행하는 단위 블록을 서로 적층함으로써 구성되어 있다. 웨이퍼는 순서대로 각 단위 블록에 설치되는 처리 모듈에서 전달되어 처리를 받는다.

그런데, 보다 미세한 패턴을 형성하고, 또한 수율을 저하시키기 위해, 상기 처리 블록에 설치되는 처리 모듈은 다양화되어 있다. 예를 들어, 기판에 레지스트를 도포하는 레지스트막 형성 모듈이나 현상액을 공급하는 현상 모듈 이외에, 레지스트가 도포된 웨이퍼의 이면을 세정하는 이면 세정 모듈, 레지스트막의 상층에 약액을 공급하여 또한 막을 형성하는 상층용의 액처리 모듈 등이 설치될 경우가 있다. 이들 각종 처리 모듈을 처리 블록에 탑재한 후에, 어떻게 도포, 현상 장치의 점유 바닥 면적을 억제할지가 검토되고 있다.

상기의 단위 블록을 적층하는 구성은, 상기 점유 바닥 면적을 억제하기 위해 유효하지만, 웨이퍼는 순서대로 각 단위 블록에 반송되므로, 1개의 처리 모듈 또는 단위 블록에 이상이 발생하거나, 메인터넌스를 행할 때에, 도포, 현상 장치의 처리 전체를 정지해야만 할 경우가 있다. 그렇게 되면, 장치의 가동 효율이 저하되어 버린다는 문제가 있다.

일본 특허 출원 공개 제2007-115831

본 발명은 이와 같은 사정 하에 이루어진 것으로, 처리 블록의 설치 면적을 억제하는 동시에, 단위 블록에 이상이 발생하거나 메인터넌스를 행할 때에, 도포, 현상 장치의 가동 효율의 저하를 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것에 있다.

본 발명의 도포, 현상 장치는, 캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대하여 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송해, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,

a) 상기 처리 블록은,

상기 도포막을 형성하기 위한 약액을 기판에 공급하는 액처리 모듈과, 약액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 도포용의 단위 블록을 서로 상하로 적층하여, N(N은 2 이상의 정수)중화된 적층체와,

상기 적층체에 대하여 적층되어, 기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 현상 처리용의 단위 블록을 서로 상하로 적층하여, N(N은 2 이상의 정수)중화된 적층체를 포함하고,

상기 N중화된 도포용의 단위 블록은, 서로 동일한 도포막이 형성되도록 구성되고,

b) 각 단위 블록마다 캐리어 블록측에 설치되어, 각 단위 블록의 반송 기구와의 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 전달부와,

c) 캐리어로부터 불출된 기판을, 도포막용의 단위 블록의 전달부에 전달하는 전달 기구와,

d) 기판의 반송을 제어하기 위한 제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.

처리 블록의 일례로서는,

기판에 반사 방지막 형성용의 약액을 공급하여 하층측의 반사 방지막을 형성하는 하층용의 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 전단 처리용의 단위 블록과,

상기 전단 처리용의 단위 블록에 대하여 적층되어, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막 형성용의 약액을 공급하여 상층측의 막을 형성하는 상층용의 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 후단 처리용의 단위 블록을 포함하고,

상기 반사 방지막 상에 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성하는 도포 모듈은, 전단 처리용의 단위 블록 및 후단 처리용의 단위 블록 중 적어도 한쪽에 설치되고,

전단 처리용의 단위 블록 및 후단 처리용의 단위 블록 중 어느 쪽에 대해서도 각각 N개 사용하여 N중화되어 적층되어 있는 구성을 들 수 있다.

본 발명에 따르면, 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성하기 위한 단위 블록으로서, 도포막을 형성하기 위한 약액을 기판에 공급하는 액처리 모듈과, 약액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 도포용의 단위 블록을 사용하고, 이 단위 블록을 서로 상하로 적층하여, N(N은 2 이상의 정수)중화하고 있다. 그리고 이들 단위 블록 군에 또한, 상하로 N중화된 현상 처리용의 단위 블록을 적층하고 있다. 이로 인해, 처리 블록의 깊이 치수를 알맞은 크기로 설정하면서 설치 면적을 작게 할 수 있다. 또한 각 단위 블록을 N중화하고 있으므로, 하나의 단위 블록에 대해 이상이 발생하거나, 메인터넌스를 행하고 있을 때라도 다른 단위 블록을 사용할 수 있어, 가동 효율의 저하를 억제할 수 있다.

도 1은 본 발명의 도포, 현상 장치의 평면도.
도 2는 상기 도포, 현상 장치의 사시도.
도 3은 상기 도포, 현상 장치의 종단 측면도.
도 4는 상기 도포, 현상 장치의 액처리 모듈의 종단 측면도.
도 5는 인터페이스 블록의 종단 정면도.
도 6은 상기 인터페이스 블록에 설치되는 전달 모듈의 사시도.
도 7은 상기 도포, 현상 장치의 제어부의 구성도.
도 8은 상기 제어부의 메모리의 데이터를 도시하는 모식도.
도 9는 상기 제어부의 메모리의 데이터를 도시하는 모식도.
도 10은 상기 도포, 현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 흐름도.
도 11은 단위 블록으로의 반송이 정지할 때까지의 프로세스를 도시한 흐름도.
도 12는 이상이 검출된 경우에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 모식도.
도 13은 이상이 검출된 경우에 있어서의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 모식도.
도 14는 처리 모듈로의 반송이 정지할 때까지의 프로세스를 도시한 흐름도.
도 15는 인터페이스 블록의 종단 정면도.
도 16은 인터페이스 블록의 다른 종단 정면도.
도 17은 본 발명의 도포, 현상 장치에 사용되는 처리 블록의 다른 레이아웃을 모식적으로 도시하는 측면도.
도 18은 도 17에 도시하는 처리 블록을 사용한 경우의 웨이퍼의 반송 경로를 도시하는 설명도.
도 19는 본 발명의 도포, 현상 장치에 사용되는 처리 블록의 다른 레이아웃을 모식적으로 도시하는 측면도.
도 20은 본 발명의 도포, 현상 장치에 사용되는 처리 블록의 다른 레이아웃을 모식적으로 도시하는 측면도.
도 21은 본 발명의 도포, 현상 장치에 사용되는 처리 블록의 다른 레이아웃을 모식적으로 도시하는 측면도.

본 발명에 관한 도포, 현상 장치(1)에 대해 설명한다. 도 1은, 본 발명의 도포, 현상 장치(1)를 레지스트 패턴 형성 장치에 적용한 경우의 일 실시 형태의 평면도를 도시하고, 도 2는 동 개략 사시도, 도 3은 동 개략 측면도이다. 이 도포, 현상 장치(1)는, 기판인 웨이퍼(W)가 예를 들어 25매 밀폐 수납된 캐리어(C)를 반입출하기 위한 캐리어 블록(S1)과, 웨이퍼(W)에 대하여, 처리를 행하기 위한 처리 블록(S2)과, 인터페이스 블록(S3)을 직선 형상으로 배열하여 구성되어 있다. 인터페이스 블록(S3)에는, 액침 노광을 행하는 노광 장치(S4)가 접속되어 있다.

상기 캐리어 블록(S1)에는, 상기 캐리어(C)를 적재하는 적재대(11)와, 이 적재대(11)로부터 보아 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(12)와, 개폐부(12)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 아암(13)이 설치되어 있다. 전달 아암(13)은, 상하 방향으로 5개의 웨이퍼 보유 지지부(14)를 구비하고, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 캐리어(C)의 배열 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 후술의 제어부는 캐리어(C)의 웨이퍼(W)에 번호를 할당하여, 전달 아암(5)은 번호가 작은것으로부터 5매씩 순서대로 웨이퍼(W)를 처리 블록(S2)의 전달 모듈(BU1)로 일괄하여 전달한다. 또한, 웨이퍼(W)를 적재할 수 있는 장소를 모듈로 기재하고, 이 모듈 중 웨이퍼(W)에 대하여 가열, 액처리, 가스 공급 또는 주연 노광 등의 처리를 행하는 모듈을 처리 모듈로 기재한다. 또한, 처리 모듈 중, 웨이퍼(W)에 약액이나 세정액을 공급하는 모듈을 액처리 모듈로 기재한다.

캐리어 블록(S1)에는, 처리 블록(S2)이 접속되어 있고, 이 처리 블록(S2)은, 웨이퍼(W)에 액처리를 행하는 제1 내지 제6 블록(B1 내지 B6)이 아래부터 순서대로 적층되어 구성되어 있다. 처리 블록(S2)의 개략 종단 측면도인 도 4도 참조하면서 설명을 계속한다. 전단 처리용의 단위 블록인 제1 단위 블록(B1) 및 제2 단위 블록(B2)은 마찬가지로 구성되어 있고, 웨이퍼(W)에 반사 방지막의 형성 및 레지스트막의 형성을 행한다.

후단 처리용의 단위 블록인 제3 단위 블록(B3) 및 제4 단위 블록(B4)은 마찬가지로 구성되어 있고, 액침 노광용의 보호막의 형성 및 웨이퍼(W)의 이면측 세정을 행한다. 현상 처리용의 단위 블록인 제5 단위 블록(B5) 및 제6 단위 블록(B6)은 마찬가지로 구성되어 있고, 액침 노광 후의 웨이퍼(W)에 현상 처리를 행한다. 이와 같이 웨이퍼(W)에 동일 처리를 행하는 단위 블록이, 2층씩 설치되어 있다. 또한, 편의상, 제1 내지 제4 단위 블록(B1 내지 B4)을 도포 블록, 제5 내지 제6 단위 블록(B5 내지 B6)을 현상 블록으로 부른다.

이들 단위 블록(B1 내지 B6)은, 액처리 모듈과, 가열 모듈과, 단위 블록용의 반송 수단인 메인 아암(A)과, 상기 메인 아암(A)이 이동하는 반송 영역(R1)을 구비하고 있고, 각 단위 블록(B)에서는, 이들 배치 레이아웃이 마찬가지로 구성되어 있다. 각 단위 블록(B)에서는, 메인 아암(A)에 의해 서로 독립하여 웨이퍼(W)가 반송되고, 처리가 행해진다. 상기 반송 영역(R1)은, 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S3)으로 신장되는 직선 반송로이다. 도 1에서는 제1 단위 블록(B1)에 대해 도시하고 있고, 이하, 대표하여 이 제1 단위 블록(B1)에 대해 설명한다.

이 제1 단위 블록(B1)의 중앙에는, 상기 반송 영역(R1)이 형성되어 있다. 이 반송 영역(R1)을 캐리어 블록(S1)으로부터 인터페이스 블록(S3)측으로 본 좌우에는 액처리 유닛(21), 선반 유닛(U1 내지 U6)이 각각 배치되어 있다.

액처리 유닛(21)에는, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)과, 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)이 설치되어 있고, 캐리어 블록(S1)측으로부터 인터페이스블록(S3)측을 향해 BCT1, BCT2, COT1, COT2가, 이 순서대로 배열되어 있다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT)은 스핀 척(22)을 구비하고 있고, 스핀 척(22)은, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부를 흡착 유지하는 동시에 연직축 주위로 회전 가능하게 구성되어 있다. 도면 중 23은 처리 컵으로, 상측이 개방되어 있다. 처리 컵(23)은, 스핀 척(22)의 주위를 둘러싸고, 약액의 비산을 억제한다. 웨이퍼(W)를 처리할 때에는, 당해 처리 컵(23) 내에 웨이퍼(W)가 수용되고, 웨이퍼(W)의 이면 중앙부는 스핀 척(22)으로 보유 지지 된다.

또한, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)에는, 이들 모듈에 의해 공용되는 노즐(24)이 설치되어 있다. 도면 중 25는, 노즐(24)을 지지하는 아암이고, 도면 중 26은 구동 기구이다. 구동 기구(26)는, 아암(25)을 통해 노즐(24)을 각 처리 컵(23)의 배열 방향으로 이동시키는 동시에 아암(25)을 통해 노즐(24)을 승강시킨다. 구동 기구(26)에 의해, 노즐(24)은 반사 방지막 형성 모듈(BCT1)의 처리 컵(23) 상과 반사 방지막 형성 모듈(BCT2)의 처리 컵(23) 상의 사이를 이동하고, 각 스핀 척(22)에 전달된 웨이퍼(W)의 중심에 반사 방지막 형성용의 약액을 토출한다. 공급된 약액은, 상기 스핀 척(22)에 의해 연직축 주위로 회전하는 웨이퍼(W)의 원심력에 의해, 웨이퍼(W)의 주연으로 전신(展伸)해, 반사 방지막이 성막된다. 또한, 도시는 생략되어 있지만, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)은, 웨이퍼(W)의 주위 단부에 용제를 공급하고, 당해 주위 단부의 불필요한 막을 제거하는 노즐을 구비하고 있다.

레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)은, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)과 마찬가지로 구성되어 있다. 즉, 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)은 각각 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)을 구비하고 있고, 각 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)에 대하여 노즐(24)이 공유되어 있다. 단, 상기 노즐(24)로부터는 반사 방지막 형성용의 약액 대신에 레지스트가 공급된다. 또한, 여기서는 1개의 액처리 모듈마다 각 처리 컵(23)이 설치되고, 2개의 액처리 모듈이 1개의 노즐(24)을 공유하고 있는 것으로서 설명하고 있지만, 1개의 액처리 모듈이, 1개의 노즐(24)과 2개의 처리 컵(23)을 구비하고, 노즐(24)이 2개의 처리 컵(23)에 공유되어 있다고 볼 수도 있다.

선반 유닛(U1 내지 U6)은, 캐리어 블록(S1)측으로부터 인터페이스 블록(S3)측을 향해서 순서대로 배열되어 있다. 각 선반 유닛(U1 내지 U5)은, 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행하는 가열 모듈이 예를 들어 2단으로 적층되어 구성되어 있다. 가열 모듈은 웨이퍼(W)를 가열하는 열판과, 가열 후에 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 플레이트를 구비하고 있다. 따라서 단위 블록(B1)은 10기의 가열 모듈을 구비하고 있고, 각 가열 모듈은 HP100 내지 HP109로 한다. 선반 유닛(U6)은, 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)에 대하여 주연 노광을 행하는 주연 노광 모듈(WEE1, WEE2)이 적층되어 구성되어 있다.

상기 반송 영역(R1)에는, 상기 메인 아암(A1)이 설치되어 있다. 이 메인 아암(A1)은, 진퇴 가능, 승강 가능, 연직축 주위로 회전 가능, 처리 블록(S2)의 길이 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 단위 블록(B1)의 모든 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행할 수 있다.

다른 단위 블록에 대해 설명한다. 제2 단위 블록(B2)은, 상술한 제1 단위 블록(B1)과 마찬가지로 구성되어 있고, 반사 방지막 형성 모듈(BCT3, BCT4) 및 레지스트막 형성 모듈(COT3, COT4)이 설치되어 있다. 또한, 각 선반 유닛(U1 내지 U5)을 구성하는 가열 모듈로서, HP200 내지 209의 10기가 설치되어 있다. 선반 유닛(U6)을 구성하는 주연 노광 모듈로서, WEE3, WEE4의 2기가 설치되어 있다.

제3 단위 블록(B3)은, 제1 단위 블록(B1)과 대략 마찬가지의 구성이지만, 차이점으로서, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2) 대신에 액침 노광용의 보호막 형성 모듈(TCT1, TCT2)을 구비하고 있다. 또한, 레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2) 대신에 이면 세정 모듈(BST1, BST2)을 구비하고 있다. 보호막 형성 모듈(TCT1, TCT2)은, 웨이퍼(W)에 발수성의 보호막을 형성하기 위한 약액을 공급하는 것을 제외하고, 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과 마찬가지의 구성이다. 즉, 각 보호막 형성 모듈(TCT1, TCT2)은, 각각 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)을 구비하고 있고, 노즐(24)이 이들 2개의 처리 컵(23) 및 스핀 척(22)에 공유되어 있다.

이면 세정 모듈(BST1, BST2)은, 웨이퍼(W)의 표면에 약액을 공급하는 노즐(24)이 설치되는 대신에, 웨이퍼(W)의 이면 및 주연의 베벨부에 세정액을 공급하고, 웨이퍼(W)의 이면을 세정하는 노즐이 각각 개별로 설치된다. 이와 같은 차이를 제외하고는, 반사 방지막 형성 모듈(BCT)과 마찬가지의 구성이다. 또한, 이면 세정 모듈(BST)은 웨이퍼(W)의 이면측만, 또는 상기 베벨부만을 세정하도록 구성되어 있어도 된다. 또한 이면 세정 모듈(BST1, BST2)은, 세정액에 더하여 브러시 부재를 사용해 찰과 작용에 의해 웨이퍼(W)의 이면을 세정하도록 해도 된다. 또한, 제3 단위 블록(B3)의 선반 유닛(U6)은, 주연 노광 모듈(WEE) 대신에 가열 모듈에 의해 구성되어 있다. 이 선반 유닛(U1 내지 U6)의 가열 모듈은, HP300 내지 311로 한다.

제4 단위 블록(B4)은, 상술한 제3 단위 블록(B3)과 마찬가지로 구성되고 있고, 보호막 형성 모듈(TCT3, TCT4) 및 이면 세정 모듈(BST3, BST4)이 설치되어 있다. 제4 단위 블록(B4)의 선반 유닛(U1 내지 U6)은, 가열 모듈 HP400 내지 411에 의해 구성되어 있다.

제5 단위 블록(B5)은, 단위 블록(B1)과 대략 마찬가지의 구성이지만, 차이점으로서, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1) 및 레지스트막 형성 모듈(COT) 대신에 현상 모듈(DEV1 내지 DEV4)을 구비하고 있다. 현상 모듈(DEV)은, 웨이퍼(W)에 레지스트 대신에 현상액을 공급하는 외에는, 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있다. 또한, 제5 단위 블록(B5)의 선반 유닛(U1 내지 U6)은, 가열 모듈 HP500 내지 HP511에 의해 구성되어 있다.

제6 단위 블록(B6)은, 단위 블록(B5)과 마찬가지로 구성되어 있고, 현상 모듈(DEV5 내지 DEV8)이 설치되어 있다. 또한, 제6 단위 블록(B6)의 선반 유닛(U1 내지 U6)은, 가열 모듈 HP600 내지 HP611에 의해 구성되어 있다.

각 단위 블록의 액처리 유닛(21)에 있어서, 웨이퍼(W)에 공급된 약액은, 예를 들어 도포, 현상 장치의 하방측에 설치된 도시하지 않은 배액로를 향해 배액된다. 반사 방지막 형성 모듈(BCT), 레지스트막 형성 모듈(COT) 및 보호막 형성 모듈(TCT)에서 웨이퍼(W)에 공급되는 약액의 점도는, 현상액의 점도보다도 높다. 따라서, 이 실시 형태와 같이 현상 모듈(DEV)을 상측의 단위 블록에 배치하고, 다른 액처리 모듈을 하측의 단위 블록에 배치함으로써, 각 약액을 신속하게 배액할 수 있다. 그 결과로서, 각 처리 모듈에 있어서 약액이 휘발하는 것을 방지할 수 있으므로, 액처리 유닛(21) 내의 처리 환경이 변화되는 것을 방지할 수 있다.

반송 영역(R1)의 캐리어 블록(S1)측에는, 도 1 및 도 3에 도시하는 바와 같이, 각 단위 블록(B)에 걸친 선반 유닛(U7)이 설치되어 있다. 이하, 선반 유닛(U7)의 구성에 대해 설명한다. 선반 유닛(U7)은, 서로 적층된 복수의 모듈에 의해 구성되고, 제1 단위 블록(B1)의 메인 아암(A1)을 액세스할 수 있는 높이 위치에, 소수화 처리 모듈(ADH1, ADH2) 및 전달 모듈(CPL1 내지 CPL3)이 설치되어 있다. 제2 단위 블록(B2)의 메인 아암(A2)을 액세스할 수 있는 높이 위치에는, 소수화 처리 모듈(ADH3, ADH4) 및 전달 모듈(CPL4 내지 CPL6)이 설치되어 있다. 설명 중, CPL로 기재한 전달 모듈은, 적재한 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 스테이지를 구비하고 있다. BU로 기재한 전달 모듈은, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용해, 체류시킬 수 있도록 구성되어 있다.

또한, 소수화 처리 모듈(ADH1 내지 ADH4)은, 웨이퍼(W)에 처리 가스를 공급하고, 웨이퍼(W) 표면의 소수성을 향상시킨다. 그에 의해, 액침 노광시에 웨이퍼(W)로부터 각 막의 박리를 억제한다. 특히 웨이퍼(W)의 베벨부(주위 단부)의 소수성을 향상시킴으로써, 각 액처리 모듈에서 당해 주위 단부의 막이 제거되어 웨이퍼(W)의 표면이 노출된 상태에서도, 당해 표면이 발수 작용 갖고, 액침 노광시에 당해 주위 단부로부터 각 막의 박리를 억제하도록 처리가 행해진다.

또한, 단위 블록(B3, B4)의 메인 아암(A3, A4)을 액세스할 수 있는 높이 위치에, 전달 모듈(CPL7 내지 CPL8, CPL9 내지 CPL10)이 설치되어 있다. 또한, 캐리어 블록(S1)의 전달 아암(13)을 액세스할 수 있는 높이 위치에, 전달 모듈(BU1 및 CPL0)이 설치되어 있다. 전달 모듈(BU1)은, 상술한 전달 아암(13)으로부터 반송된 웨이퍼(W)를 일괄로 수취하기 위해, 상하 방향으로 5개의 웨이퍼(W)의 보유 지지부를 구비하고 있다. 전달 모듈(CPL0)은, 현상 처리된 웨이퍼(W)를 캐리어(C)로 복귀시키기 위해 사용된다.

또한, 단위 블록(B5)의 메인 아암(A5)을 액세스할 수 있는 높이 위치에, 전달 모듈(CPL12 내지 CPL13 및 BU2)이 설치되어 있고, 단위 블록(B6)의 메인 아암(A6)이 액세스할 수 있는 위치에, 전달 모듈(CPL14 내지 CPL15 및 BU3)이 설치되어 있다.

선반 유닛(U7)에는 검사 모듈(31)이 설치되어 있다. 단위 블록(B5, B6)으로부터 웨이퍼(W)를 반출할 때에, 검사 모듈(31)에 반입되는 웨이퍼(W)는 전달 모듈(BU2, BU3)에 반송된다. 검사 모듈(31)에 반입되지 않는 웨이퍼(W)에 대해서는, 전달 모듈(BU2, BU3)을 통하지 않고 캐리어(C)에 복귀된다. 이와 같이 경로가 각각 설정됨으로써, 웨이퍼(W)는 번호순으로, 즉 캐리어(C)로부터의 반출순으로 캐리어(C)에 복귀되도록, 반송이 제어된다.

또한, 처리 블록(B2)에 있어서, 선반 유닛(U7)의 근방에는, 승강 가능, 진퇴 가능한 제1 전달 기구인 전달 아암(30)이 설치되어 있고, 선반 유닛(U7)의 각 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.

상기 검사 모듈(31)에 대해, 보다 자세하게 설명한다. 후술하는 바와 같이 선택되는 검사 모드에 따라, 검사 모듈(31)에는 레지스트막 형성 후, 노광 전의 웨이퍼(W) 또는 현상 처리 후의 웨이퍼(W)가 반입된다. 레지스트막 형성 후, 노광 전의 웨이퍼(W)에 대해서는, 예를 들어 레지스트막 표면의 이물질의 유무 및 레지스트의 막 두께가 검사된다.

현상 처리 후의 웨이퍼(W)가 검사 모듈(31)에 반송된 경우에는, 현상 후 결함의 검사가 행해진다. 이 현상 후 결함은, 현상 처리 기인의 결함, 현상 처리 및 도포 처리 기인의 결함으로 분류되고, 현상 처리 기인의 결함으로서는, 예를 들어 패턴 쓰러짐, 선 폭 이상, 레지스트 용해 불량, 현상 후 거품의 부착, 이물질의 부착, 레지스트 패턴 사이의 브리지 결함(패턴간의 상부에 있어서의 레지스트의 잔류) 및 용해 생성물(스컴)의 나머지에 의한 패턴 결함(스컴 결함)이 있다. 도포 처리 및 현상 처리 기인의 결함으로서는, 예를 들어 패턴 쓰러짐 및 패턴의 선 폭의 국소 이상이 있다.

이 실시 형태에서는, 이들 각 결함의 유무가 검사 항목으로서 설정되어 있다. 후술의 각 검사 모드 실행시에 검사 모듈(31)은, 얻어진 검사 데이터를 후술의 제어부(51)에 송신한다. 후술의 제어부(51)는, 이 검사 데이터에 기초하여, 각 결함의 유무를 판정한다.

계속하여, 인터페이스 블록(S3)의 구성에 대해, 도 5도 참조하면서 설명한다. 인터페이스 블록(S3)에는, 각 단위 블록의 메인 아암(A1 내지 A6)이 액세스할 수 있는 위치에 선반 유닛(U8)이 설치되어 있다. 선반 유닛(U8)은, 제3 단위 블록(B3) 내지 제6 단위 블록(B6)에 대응하는 위치에 전달 모듈(BU4)을 구비하고 있다. 전달 모듈(BU4)에 대해서는 후술한다. 전달 모듈(BU4)의 하방에는, 전달 모듈(TRS, CPL16 내지 CPL18)이, 서로 적층되어 설치되어 있다.

인터페이스 블록(S3)에는 예를 들어 4기의 노광 후 세정 모듈(PIR1 내지 PIR4)이 적층되어 설치되어 있다. 각 노광 후 세정 모듈(PIR)은, 레지스트막 형성 모듈(COT)과 마찬가지로 구성되어 있고, 웨이퍼(W) 표면에 레지스트 대신에 보호막 제거 및 세정용의 약액을 공급한다.

또한, 인터페이스 블록(S3)에는, 3기의 인터페이스 아암(32, 33, 34)이 설치되어 있다. 인터페이스 아암(32, 33, 34)은 승강 가능 및 진퇴 가능하게 구성되어 있고, 또한 인터페이스 아암(32)은, 수평 방향으로 이동 가능하게 구성되어 있다. 인터페이스 아암(32)은 노광 장치(S4), 전달 모듈(TRS, CPL16 내지 CPL18)에 액세스하여, 이들 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 인터페이스 아암(33)은, 전달 모듈(TRS, CPL16 내지 CPL18 및 BU4)에 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 인터페이스 아암(34)은, 전달 모듈(BU4) 및 노광 후 세정 모듈(PIR1 내지 PIR4)에 액세스하여, 이들 모듈 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 인터페이스 아암(32 내지 34)은, 제2 전달 기구를 구성한다.

전달 모듈(BU4)에 대해 도 6을 참조하면서 설명한다. 전달 모듈(BU4)은, 주위 방향에 배치된 지지 기둥(41)을 구비하고 있다. 하나의 지지 기둥(41)과 다른 지지 기둥(41)의 사이에 와이어(42)가 뻗어 있고, 와이어(42, 42)가 서로 교차되어 조를 이루고 있다. 이 와이어(42, 42)의 조가 서로 다른 높이 위치에 다수 설치되어 있고, 와이어(42, 42)의 교차 부분 상에는, 예를 들어 원형의 지지부(43)가 설치되어 있다. 웨이퍼(W)는, 지지부(43) 상에 수평으로 지지된다. 도 6에서는 지지부(43)는 5개만 도시하고 있지만, 각 계층에 웨이퍼(W)를 전달시킬 수 있도록 상방을 향해 다수 설치되어 있다. 지지 기둥(41) 사이에는 인터페이스 아암(33, 34) 및 메인 아암(A3 내지 A6)이 진입할 수 있도록 되어 있고, 진입한 각 아암은, 승강 동작에 의해 지지부(43)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달한다. 전달 모듈(BU1 내지 BU3)에 대해서도, 예를 들어 BU4와 마찬가지로 구성된다.

계속하여, 도포, 현상 장치(1)에 설치된 제어부(51)에 대해 도 7을 참조하면서 설명한다. 도면 중 52는 버스이고, 버스(52)에는, 각종 연산을 행하는 CPU(53)가 접속된다. 또한 버스(52)에는, 처리 프로그램(54), 반송 프로그램(55) 및 판정 프로그램(56)을 저장한 프로그램 저장부(57)가 접속되어 있다. 처리 프로그램(54)은, 도포, 현상 장치(1)의 각 부에 제어 신호를 출력하고, 각 웨이퍼(W)에 대하여 약액이나 세정액의 공급, 가열 등의 처리를 행한다.

반송 프로그램(55)은, 선택한 검사 모드 및 판정 프로그램(56)의 판정 결과에 따라, 각 단위 블록(B1 내지 B6)의 메인 아암(A1 내지 A6), 전달 아암(30) 및 인터페이스 아암(32 내지 34)에 제어 신호를 출력해, 웨이퍼(W)의 반송을 제어한다. 판정 프로그램(56)은, 예를 들어 검사 모듈(31)로부터 송신된 검사 데이터에 기초하여, 웨이퍼(W) 처리의 이상 유무를 판정한다.

버스(52)에는 메모리(61)가 접속되어 있고, 이 메모리(61)는, 각 웨이퍼(W)의 반송 스케줄 및 검사 모듈(31)에 의한 검사 결과가 기억된다. 도 8에는, 메모리(61)에 포함되는 반송 스케줄 기억 영역(63)에 저장되는 데이터의 일례를 도시하고 있다. 이 도면의 데이터는, 검사 모듈(31)에 의한 검사로, 웨이퍼(W)에 이상이 없다고 하는 통상시의 반송 스케줄이다.

반송 스케줄 기억 영역(63)에는, 웨이퍼(W)의 ID와, 당해 웨이퍼(W)의 반송처의 모듈과, 반송되는 모듈의 순서가 서로 대응되어 반송 스케줄로서 기억되어 있다. 즉 반송 스케줄은, 웨이퍼의 반송된 경로의 데이터이다. 예를 들어 도면 중의 웨이퍼(A1)는, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1), 가열 모듈(HP100), 레지스트막 형성 모듈(COT1), 가열 모듈(HP101), 주연 노광 모듈(WEE1), 보호막 형성 모듈(TCT1), 가열 모듈(HP300), 이면 세정 모듈(BST1), 가열 모듈(500), 현상 모듈(DEV1) 및 가열 모듈(501)에, 이 순서대로 반송된다.

또한, 이 예에서는, 웨이퍼(W)는 제1 단위 블록(B1)→제3 단위 블록(B3)→제5 단위 블록(B5)의 순으로 반송되거나, 혹은 제2 단위 블록(B2)→제4 단위 블록(B4)→제6 단위 블록(B6)의 순으로 반송되도록 설정된다. 그리고, 어느 웨이퍼(W)가 제1 단위 블록(B1)에 반송되면, 다음 웨이퍼(W)는 제2 단위 블록(B2)에 반송되고, 또한 다음 웨이퍼(W)는 제1 단위 블록(B1)에 반송된다. 이와 같이, 계속하여 캐리어(C)로부터 불출되는 웨이퍼(W)가, 교대로 다른 단위 블록(B)에 배분된다.

계속하여, 메모리(61)에 포함되는 검사 결과 기억 영역(60)에 대해, 도 9를 참조하여 설명한다. 이 검사 결과 기억 영역(60)은, 각 웨이퍼에 대해 상술한 검사 항목마다 이상의 유무가 기억되는 영역이다. 또한, 이상이 있는 웨이퍼(W)에 대해서는, 후술하는 바와 같이 당해 웨이퍼(W)를 처리한 모듈 및 처리한 단위 블록이 기억된다.

또한, 검사 결과 기억 영역(60)에는, 검사 항목마다 설정된 반송 정지 기준이 기억되어 있다. 이 반송 정지 기준은, 이상이 검출된 웨이퍼(W)를 처리한 단위 블록(B) 또는 처리 모듈로, 후속 웨이퍼(W)의 반송을 정지하기 위한 기준이다. 상기의 검사 모듈(31)에서 검사되는 각 검사 항목에 대해, 이상이 발생하는 빈도가, 이 반송 정지 기준에 해당한 경우에 상기 반송의 정지가 일어난다.

예로서 도 9에 도시하는, 패턴 쓰러짐에 대해 설정된 반송 정지 기준에 대하여 설명한다. 후술의 단위 블록(B)마다 반송을 정지시키는 모드가 선택되어 있는 경우, 검사한 웨이퍼(W)에 패턴 쓰러짐이 처음으로 검출되면, 그 후, 당해 웨이퍼(W)가 통과한 단위 블록(B)과 동일 단위 블록(B)을 통과하여 검사된 5매의 웨이퍼(W) 중 2매 이상의 웨이퍼(W)에 패턴 쓰러짐이 검출되면, 당해 단위 블록(B)으로 후속 웨이퍼(W)의 반송을 정지한다.

또한, 처리 모듈마다 반송을 정지시키는 모드가 선택되어 있는 경우는, 검사한 웨이퍼(W)에 패턴 쓰러짐이 처음으로 검출되면, 상기 웨이퍼(W)가 통과한 처리 모듈과 동일 처리 모듈을 통과하여 검사된 5매의 웨이퍼(W) 중 2매 이상의 웨이퍼(W)에 패턴 쓰러짐이 검출되면, 당해 처리 모듈로의 반송을 정지한다. 또한, 상기 5매의 웨이퍼(W) 중, 패턴 쓰러짐이 검출된 웨이퍼(W)가 1매 또는 0매이면, 이 5매의 웨이퍼(W)를 검사 후에, 패턴 쓰러짐이 다시 검출되었을 때로부터 다시, 5매 웨이퍼(W)가 검사되는 동안에 2매 이상의 웨이퍼(W)에 패턴 쓰러짐이 검출된 경우에 단위 블록 또는 처리 모듈로의 반송이 정지된다.

도 9의 레지스트 용해 불량, 현상 후의 거품에 대해서도 패턴 쓰러짐과 대략 마찬가지의 반송 정지 기준이 설정되어 있지만, 이들 검사 항목에 대해서는 패턴 쓰러짐의 경우와 달리, 일단 결함이 검출된 후에 검사되는 웨이퍼(W) 5매 중 1매의 웨이퍼(W)에 동일 결함이 검출되면, 상기의 단위 블록(B)으로의 반송이 정지된다. 또한, 도 9의 스컴 결함에 대해서는, 검출 후 신속하게 당해 웨이퍼(W)를 처리한 단위 블록 또는 처리 모듈로의 반송의 정지 처리가 행해진다. 이와 같은 반송 정지 기준이, 상술한 검사 항목마다 설정되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 우발적으로 결함이 발생된 경우에, 단위 블록 또는 처리 모듈로의 반송 정지가 일어나는 것이 억제된다.

도 7로 돌아와 설명을 계속한다. 버스(52)에는 설정부(64)가 접속되어 있다. 설정부(64)는, 예를 들어 키보드나 마우스, 터치 패널 등에 의해 구성되어, 검사 모듈(31)에서 행하는 검사를 설정할 수 있도록 되어 있다. 설정할 수 있는 검사로서는, 현상 처리 후 검사 C1 및 레지스트막 형성 후 검사 C2가 있고, 어느 하나를 사용자가 선택한다. 현상 처리 후 검사 C1에서는, 제5 또는 제6 단위 블록(B5, B6)에서 현상 처리를 받은 웨이퍼(W)가, 검사 모듈(31)에 반송되어 검사된다. 레지스트막 형성 후 검사 C2에서는, 제1 또는 제2 단위 블록(B1, B2)에서 레지스트막이 형성된 웨이퍼(W)가, 검사 모듈(31)에 반송되어 검사된다.

현상 처리 후 검사 C1을 선택한 경우는, 단위 블록(B)마다 반송을 정지하는 모드 D1, 처리 모듈마다 반송을 정지하는 모드 D3 중, 어느 하나를 사용자가 더 선택하도록 되어 있다. 또한, 레지스트막 형성 후 검사 C2를 선택한 경우는, 단위 블록(B)마다 반송을 정지하는 모드 D2, 처리 모듈마다 반송을 정지하는 모드 D4 중, 어느 하나를 사용자가 더 선택하도록 되어 있다.

또한, 사용자는, 예를 들어 설정부(64)로부터 웨이퍼(W)의 ID를 지정하여 검사 대상으로 되는 웨이퍼(W)를 결정할 수 있다. 또한, 버스(52)에는 예를 들어 디스플레이 등에 의해 구성되는 표시부(65)가 접속되어 있다. 표시부(65)에는, 예를 들어 반송 스케줄이나 각 웨이퍼에 대해 검사 항목마다의 검사 결과가 표시된다.

(모드 D1)

계속하여, 도 10을 참조하면서, 도포, 현상 장치(1)에서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 설명한다. 여기서는, 미리 현상 처리 후 검사 C1이 선택되고, 또한 단위 블록마다 웨이퍼(W)의 반송을 정지하는 모드 D1이 선택되어 있는 것으로 한다. 우선, 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)가 전달 아암(14)에 의해 전달 모듈(BU1)에 반송된다. 전달 모듈(BU1)로부터 제1 단위 블록(B1)에 반송되는 경우는, 도 10의 (a)에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)는, 전달 아암(30)에 의해 소수화 처리 모듈(ADH1, ADH2)에 반송되어 소수화 처리를 받고, 전달 모듈(CPL1)에 반송된다.

전달 모듈(CPL1)에 반송되어, 메인 아암(A1)이, 당해 웨이퍼(W)를 반사 방지막 형성 모듈(BCT1, BCT2)→가열 모듈(HP100 내지 109)→전달 모듈(CPL2)→레지스트막 형성 모듈(COT1, COT2)→가열 모듈(HP100 내지 109)→주연 노광 모듈(WEE3, WEE4)→전달 모듈(CPL3)의 순으로 반송하여, 웨이퍼(W)에 반사 방지막, 레지스트막이 순서대로 형성된다.

전달 아암(30)에 의해 웨이퍼(W)는, 전달 모듈(CPL3)로부터, 제3 단위 블록(B3)의 전달 모듈(CPL7)에 반송되고, 메인 아암(A3)이, 당해 웨이퍼(W)를, 보호막 형성 모듈(TCT1, TCT2)→가열 모듈(HP300 내지 311)→전달 모듈(CPL8)→이면 세정 모듈(BST1, BST2)→전달 모듈(BU4)의 순으로 반송하여, 웨이퍼(W)에 보호막이 형성되고, 또한 이면 세정이 행해진다.

인터페이스 아암(33)에 의해, 상기 웨이퍼(W)는, 전달 모듈(CPL16 내지 CPL18)→인터페이스 아암(32)→노광 장치(S4)의 순으로 반송되어, 액침 노광 처리를 받는다. 노광 처리 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(32)→전달 모듈(TRS)→ 인터페이스 아암(33)→전달 모듈(BU4)→인터페이스 아암(34)→노광 후 세정 모듈(PIR1 내지 PIR4)→인터페이스 아암(34)→전달 모듈(BU4)에 있어서의 제5 단위 블록(B5)의 높이 위치의 순으로 반송된다.

계속하여, 상기 웨이퍼(W)는, 메인 아암(A5)에 의해, 가열 모듈(HP500 내지 511)→전달 모듈(CPL12)→현상 모듈(DEV1 내지 DEV4)→가열 모듈(HP500 내지 511) →전달 모듈(CPL13)→전달 아암(30)→전달 모듈(BU2)→검사 모듈(31)의 순으로 반송되어 검사된다. 검사 후의 웨이퍼(W)는, 검사 모듈(31)→전달 아암(30)→전달 모듈(BU1)의 순으로 반송되어, 전달 아암(13)으로부터 캐리어(C)로 복귀된다. 검사 모듈(31)에서 검사를 행하지 않도록 설정된 웨이퍼(W)에 대해서는, 현상 모듈(DEV1 내지 DEV4), 가열 모듈(HP500 내지 511)에 의해 순차 처리 후, 전달 모듈(CPL13)→전달 아암(30)→전달 모듈(CPL0)→전달 아암(13)→캐리어(C)의 순으로 반송된다.

웨이퍼(W)가, 버퍼 모듈(BU1)로부터 제2 단위 블록(B2, B4, B6)에 반송되는 경우도 상기의 단위 블록(B1, B3, B5)에 반송하는 경우와 마찬가지의 처리가 웨이퍼(W)에 행해진다. 도 10의 (b)에 이와 같이 단위 블록(B2→B4→B6)을 통과하는 경우의 반송 경로에 대해 도시하고 있다.

이하, 간단하게 반송 경로를 설명하면, 상기 웨이퍼(W)는, 전달 아암(30)→소수화 처리 모듈(ADH3, ADH4)→전달 아암(30)→전달 모듈(CPL4)의 순으로 반송된다. 계속하여, 메인 아암(A2)이, 웨이퍼(W)를 반사 방지막 형성 모듈(BCT3, BCT4)→가열 모듈(HP200 내지 209)→전달 모듈(CPL5)→레지스트막 형성 모듈(COT3, COT4)→가열 모듈(HP200 내지 209)→주연 노광 모듈(WEE3, WEE4)→전달 모듈(CPL6)에 반송한다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 전달 아암(30)→전달 모듈(CPL9)의 순으로 반송되고, 메인 아암(A4)에 의해, 보호막 형성 모듈(TCT3, TCT4)→가열 모듈(HP400 내지 411)→전달 모듈(CPL10)→이면 세정 모듈(BST3, BST4)→전달 모듈(BU4)의 순으로 반송된다.

인터페이스 블록(S3)에서는, 상기 웨이퍼(W)는, 제1 및 제3 단위 블록(B)에 반송된 웨이퍼(W)와 마찬가지로 반송되어, 노광 처리 및 노광 후 세정 처리를 받고, 또한 전달 모듈(BU4)의 제6 단위 블록(B6)에 있어서의 높이 위치에 전달된다. 그 후, 상기 웨이퍼(W)는 메인 아암(A6)에 의해, 가열 모듈(HP600 내지 611)→전달 모듈(CPL14)→현상 모듈(DEV5 내지 DEV8)→가열 모듈(HP600 내지 611)→전달 모듈(CPL15)→전달 모듈(BU3)→전달 아암(30)→검사 모듈(31)→전달 아암(30)→전달 모듈(CPL0)→ 캐리어(C)의 순으로 반송된다. 검사 대상이 아닌 웨이퍼(W)에 대해서는, 상기의 반송 경로에 있어서, 현상, 가열 후 처리, 전달 모듈(CPL15)→전달 아암(30)→전달 모듈(CPL0)→전달 아암(13)→캐리어(C)의 순으로 반송된다.

도 11을 참조하면서, 제어부(51)에 의해 단위 블록(B)으로의 반송이 정지되는 공정에 대해 설명한다. 상기의 경로에 의해 웨이퍼(W)가 반송되는 동안, 판정 프로그램(56)은 검사 모듈(31)로부터 송신되는 검사 데이터에 기초해, 상술한 각 검사 항목에 대해 이상의 유무를 판정하고, 이 판정 결과가 검사 결과 기억 영역(60)에 기억된다. 그리고, 이상이 있다고 판정하면, 반송 스케줄 기억 영역(63)의 반송 스케줄에 기초하여, 이상이 검출된 웨이퍼(W)를 처리한 처리 모듈 및 단위 블록(B)을 특정한다. 또한, 웨이퍼의 ID와 이상으로 된 검사 항목과, 상기 처리 모듈 및 단위 블록(B)을 대응시켜, 메모리(61)의 검사 결과 기억 영역(60)에 기억한다(스텝 S1).

계속하여, 판정 프로그램(56)은, 검사 결과 기억 영역(60)에 기억된 과거의 웨이퍼(W) 검사 이력에 기초하여, 그 검사 항목으로 설정된 상술한 반송 정지 기준에 해당하고 있는지 여부를 판정한다(스텝 S2). 예를 들어, 이상으로 된 검사 항목이, 패턴 쓰러짐인 경우에는, 상술한 바와 같이 동일 단위 블록(B)을 통과한 웨이퍼(W)에 대해, 최초로 패턴 쓰러짐이 일어난 후, 5매의 웨이퍼(W)에 검사를 행하는 동안에 2매 이상의 웨이퍼(W)에 패턴 쓰러짐이 일어나고 있는지 여부가 판정된다. 반송 정지 기준에 해당하고 있지 않다고 판정한 경우에는, 계속하여 단위 블록(B1 내지 B6)에 의해 처리를 행한다.

반송 정지 기준에 해당하고 있다고 판정한 경우에는, 스텝 S1에서 이상이 검출된 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행한 단위 블록(B5 또는 B6)의 각 처리 모듈에 의한 웨이퍼(W)의 처리 및 메인 아암(A)의 동작을 정지시킨다. 그리고, 반송 프로그램(55)이, 단위 블록(B5, B6) 중, 처리 모듈 및 메인 아암(A)의 동작이 정지하고 있지 않은 쪽의 단위 블록을 사용하여, 처리를 행하도록 반송 스케줄을 고쳐쓴다. 그리고, 그 반송 스케줄에 따라, 웨이퍼(W)가 반송되어, 처리된다(스텝 S3).

도 12의 (a), (b)에는, 일례로서 제5 단위 블록(B5)으로의 웨이퍼(W)의 반송이 정지한 경우의 반송 경로를 도시하고 있고, 이 도면에 도시하는 바와 같이 제1 내지 제4 단위 블록(B1 내지 B4)에서 처리를 받은 웨이퍼(W)는, 모두 제6 단위 블록(B6)에 반입된다. 이 예와는 반대로, 제6 단위 블록(B6)으로의 반송이 정지한 경우에는, 제1 내지 제4 단위 블록(B1 내지 B4)에서 처리를 받은 웨이퍼(W)는, 모두 제5 단위 블록(B5)에 반입된다.

이와 같이 한쪽의 현상 블록만을 사용하여, 처리가 계속된다. 그 후, 웨이퍼(W)에 이상이 검출되면, 판정 프로그램(56)은, 스텝 S1과 마찬가지로 반송 스케줄 기억 영역(63)의 반송 스케줄에 기초하여, 이상이 검출된 웨이퍼(W)를 처리한 처리 모듈 및 단위 블록을 특정해, 웨이퍼의 ID와 이상으로 된 검사 항목과, 상기 처리 모듈 및 단위 블록(B)을 대응시켜 메모리(61)에 기억한다(스텝 S4).

계속하여, 판정 프로그램(56)은, 단위 블록(B5 또는 B6)으로의 반송 정지 후의 웨이퍼(W)의 검사 이력을 참조하여, 그 검사 항목으로 설정되어 있는 단위 블록의 반송 정지 기준에 해당하고 있는지 여부를 판정한다(스텝 S5). 해당하고 있지 않다고 판정한 경우에는, 계속하여 단위 블록(B1 내지 B4 및 B5 또는 B6)에 의해 처리를 행한다.

반송 정지 기준에 해당하고 있다고 판정한 경우에는, 판정 프로그램(56)은, 이상으로 된 검사 항목이, 스텝 S2, S3에서 단위 블록(B5 또는 B6)을 정지시킬 때에 이상으로 판정된 검사 항목과 동일한지 여부를 판정한다(스텝 S6). 스텝 S6에서, 동일 검사 항목이라고 판정한 경우, 판정 프로그램(56)은, 또한 스텝 S1에서 이상으로 판정된 웨이퍼(W)가 통과한 도포 블록과, 스텝 S4에서 이상으로 판정된 웨이퍼(W)가 통과한 도포 블록이 일치하고 있는지 여부를 판정한다(스텝 S7).

스텝 S7에서, 도포 블록이 일치하고 있다고 판정한 경우는, 상기 검사 항목의 이상이, 도포 블록에서의 처리에 기인하는 것으로 생각할 수 있으므로, 당해 도포 블록에 의한 웨이퍼(W)의 처리 및 메인 아암(A)의 동작을 정지시킨다. 즉 단위 블록(B1 및 B3, B2 및 B4) 중 어느 한쪽에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리가 정지한다. 또한, 반송 프로그램(55)이, 단위 블록(B1 내지 B4) 중 가동하고 있는 단위 블록을 사용하여 처리를 행하도록 반송 스케줄을 고쳐쓴다. 그리고, 그 반송 스케줄에 따라, 웨이퍼(W)가 반송되어, 처리가 계속된다(스텝 S8).

예를 들어, 도 12와 같이 단위 블록(B5)으로의 반송이 정지된 상태로부터, 이 단위 블록(B5)으로의 반송이 정지가 되었을 때와 동일 검사 항목의 이상이 계속되면, 상기 스텝 S6 내지 S8에 따라, 단위 블록(B1, B3)으로의 반송이 정지한다. 그리고, 모든 웨이퍼(W)는, 도 12의 (b)에 도시하는 단위 블록(B2→B4→B6)의 경로로 순서대로 반송된다.

스텝 S6에서, 현상 블록을 정지시켰을 때에 이상으로 된 검사 항목과는 다르다고 판정되거나, 스텝 S7에서, 이상으로 된 도포 블록이 다르다고 판정된 경우는, 예를 들어 가동 중의 각 단위 블록으로의 반송이 계속되고, 스텝 S5에서 반송 정지 기준에 해당하고 있다고 판정된 검사 항목에 대해, 표시부(65)에 표시된다(스텝 S9).

(모드 D2)

다음에, 레지스트막 형성 후 검사 C2가 행해지도록 설정되고, 또한 단위 블록마다 반송 정지시키는 모드 D2가 선택되어 있는 경우에 대해 설명한다. 레지스트막 형성 후 검사 C2 실행시의 웨이퍼(W)의 반송 경로로서는, 레지스트 도포 처리를 종료하고, 전달 모듈(CPL4, CPL6)에 반입된 웨이퍼(W)가, 전달 아암(30)에 의해 검사 모듈(31)에 반입된다. 검사 모듈(31)에서 검사된 후는 전달 모듈(CPL7, CPL9)을 통해 제3, 제4 단위 블록에 반입된다. 현상 처리 후의 웨이퍼(W)는, 전달 모듈(CPL13, CPL15)→전달 모듈(CPL0)의 순으로 반송되어, 캐리어(C)에 복귀된다. 이와 같은 차이를 제외하면, 현상 처리 후 검사 C1 실행시와 마찬가지로 웨이퍼(W)가 반송된다.

이 모드 D2 실행시에도, 현상 처리 후 검사 모드 실행시와 마찬가지로 검사 항목마다 웨이퍼(W)의 이상이 검사되어, 스텝 S1 내지 S2의 처리가 실행된다. 그리고, 스텝 S2에서 반송 정지 기준에 해당하고 있지 않다고 판정된 경우에는 처리가 계속된다. 반송 정지 기준에 해당하고 있다고 판정된 경우에는, 이상이 검출된 웨이퍼(W)에 대하여 처리를 행한 단위 블록(B1 또는 B2)의 각 처리 모듈에 의한 웨이퍼(W)의 처리 및 메인 아암(A)의 동작을 정지시킨다. 그리고, 반송 프로그램(55)이, 단위 블록(B1, B2) 중 처리 모듈 및 아암의 동작이 정지하고 있지 않은 쪽의 단위 블록을 사용하여, 처리를 행하도록 반송 스케줄을 고쳐쓴다.

도 13에는, 일례로서 제2 단위 블록(B2)으로의 웨이퍼(W)의 반송이 정지한 경우의 반송 경로를 도시하고 있고, 이 도면에 도시하는 바와 같이 후속의 웨이퍼(W)는 캐리어(C)로부터 모두 제1 단위 블록(B1)으로 반입된다. 그리고, 제1 단위 블록(B1)으로부터 제3, 제4 단위 블록(B3, B4)으로 배분된다. 반대로 제1 단위 블록(B1)으로의 반송이 정지한 경우에는, 후속의 웨이퍼(W)는 모두, 캐리어(C)로부터 제2 단위 블록(B2)에 반입된다.

(모드 D3)

다음에, 현상 처리 후 검사 C1이 행해지도록 설정되고, 또한 처리 모듈마다 반송 정지시키는 모드 D3이 선택되어 있는 경우에 대해 설명한다. 이후, 도 14를 참조하면서 모드 D3 실행시의 플로우에 대해, 모드 D1과의 차이점을 중심으로 설명한다. 웨이퍼(W)에 이상이 검출된 경우에는, 반송 스케줄에 기초해, 단위 블록(B5, B6)에 있어서, 당해 웨이퍼(W)를 처리한 처리 모듈이 특정된다. 웨이퍼의 ID와 이상으로 된 검사 항목과, 상기 처리 모듈이 대응되어 메모리(61)에 기억된다(스텝 S11). 계속하여, 판정 프로그램(56)은, 스텝 S11에서 특정한 처리 모듈마다, 검사 결과 기억 영역(60)의 데이터에 기초해, 상기 각 처리 모듈이 반송 정지 기준에 해당하고 있는지 여부를 판정한다(스텝 S12).

어떤 처리 모듈도 반송 정지 기준에 해당하고 있지 않다고 판정된 경우에는, 각 처리 모듈로 웨이퍼(W)의 반송이 계속된다. 반송 정지 기준에 해당하고 있는 처리 모듈이 있는 경우에는, 당해 처리 모듈에서의 웨이퍼(W)의 처리가 정지한다(스텝 S13). 그리고, 이와 같이 처리가 정지된 모듈을 제외하고, 반송이 행해지도록 반송 스케줄이 설정되어, 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 계속된다.

웨이퍼(W)의 처리가 계속되고, 계속하여 웨이퍼(W)에 이상이 발생하면, 판정 프로그램(56)은, 스텝 S11과 마찬가지로, 이상으로 된 웨이퍼의 ID와, 이상으로 된 검사 항목과, 현상 블록에 있어서 당해 웨이퍼(W)를 처리한 처리 모듈을 대응시켜, 검사 결과 기억 영역(60)에 기억한다(스텝 S14). 그리고, 스텝 S12와 마찬가지로, 판정 프로그램(56)은, 스텝 S14에서 특정한 처리 모듈마다, 검사 결과 기억 영역(60)의 데이터에 기초해, 반송 정지 기준에 해당하고 있는 모듈이 있는지 여부를 판정한다(스텝 S15).

그리고, 반송 정지 기준에 해당하는 검사 항목이 있으면, 판정 프로그램(56)은, 그 검사 항목이 스텝 S13에서, 처리 모듈로의 반송을 멈추게 된 검사 항목과 동일 검사 항목인지 여부를 판정한다(스텝 S16). 동일 검사 항목의 해당이 아니라고 판정한 경우는, 스텝 S13 이후의 처리가 실행되어, 현상 블록에 있어서, 당해 반송 정지 기준에 해당한 처리 모듈로의 반송이 정지된다.

스텝 S16에서, 동일 검사 항목으로 판정한 경우에는, 판정 프로그램(56)은, 반송 스케줄에 기초하여 단위 블록(B1 내지 B4)에 있어서, 스텝 S14에서 이상을 검출한 웨이퍼(W)를 처리한 처리 모듈을 특정한다. 그리고, 특정한 처리 모듈에서의 웨이퍼(W)의 처리가 정지된다. 또한, 이와 같이 처리가 정지된 처리 모듈을 제외하고, 반송이 행해지도록 반송 스케줄이 설정되어, 웨이퍼(W)의 반송 및 처리가 계속된다(스텝 S17). 처리를 정지한 처리 모듈을 제외하고 반송한다 함은, 구체적으로 설명하면, 하나의 단위 블록에 있어서 처리를 정지한 모듈에 반송하도록 설정되어 있던 웨이퍼(W)는, 상기 단위 블록에 있어서 당해 모듈과 동일 처리를 행하는 다른 반송 가능한 모듈에 반송되는 것이다. 즉, 하나의 가열 모듈의 처리가 정지하면, 웨이퍼(W)는 당해 가열 모듈이 설치된 단위 블록의 다른 가열 모듈에 반송되어 처리를 받는다. 또한, 하나의 액처리 모듈의 처리가 정지하면, 웨이퍼(W)는 당해 가열 모듈이 설치된 단위 블록에 있어서, 상기 액처리 모듈과 마찬가지의 처리를 행하는 다른 액처리 모듈에 반송되어 처리를 받는다. 이와 같이, 모드 D3에서는 사용 불가로 된 모듈로의 반송이 행해지지 않게 되는 것을 제외하고, 웨이퍼(W)는 도 10에 도시하는 바와 같이 각 단위 블록에 이상이 없는 경우와 마찬가지의 경로로 반송된다.

여기서, 이 모드 D3이 실행된 경우에, 반송이 정지가 되는 처리 모듈에 대해 설명을 보충한다. 예를 들어, 상기의 스텝 S11에서 웨이퍼(W)에 패턴 쓰러짐이 검출되어, 당해 웨이퍼(W)가 현상 모듈(DEV1) 및 가열 모듈(500)에서 처리를 받고 있는 경우, 과거에 DEV1에서 처리를 받은 웨이퍼(W)의 검사 결과가 참조되어, 각 처리 모듈이 반송 정지 기준에 해당하고 있는지 여부가 판정된다. 또한 과거에 가열 모듈(500)에서 처리를 받은 웨이퍼(W)의 검사 결과가 참조되어, 반송 정지 기준에 해당하고 있는지 여부가 판정된다. 그리고, DEV1 및 가열 모듈(500) 중, 반송 정지 기준에 해당하고 있다고 판정된 처리 모듈에 대해서는, 당해 처리 모듈로의 반송이 정지한다. 이와 같이 처리 모듈마다 개별로 반송 정지 기준에 해당하는지 여부가 판정된다.

단, 현상 모듈(DEV1 및 DEV2, DEV3 및 DEV4, DEV5 및 DEV6, DEV7 및 DEV8)은, 각각 노즐(24)을 공유하고 있다. 이와 같이 노즐(24)을 공유하고 있는 DEV 중, 한쪽의 DEV로의 반송 정지가 결정되면, 다른 쪽 DEV로의 반송도 정지되도록 결정된다. 따라서, DEV1로의 반송이 정지가 되면, DEV2로의 반송도 정지가 된다. 그리고, DEV3, DEV4로의 반송이 정지되어 있지 않으면, 단위 블록(B5)에 반송된 웨이퍼(W)는 상술한 바와 같이 이들 DEV3, DEV4에서 처리되어, 캐리어(C)에 복귀된다. 또한, 상기 가열 모듈(500)이 반송 정지 기준에 해당한 경우는, 다른 가열 모듈(501 내지 511)에 반송된다.

또한, 반사 방지막 형성 모듈(BCT), 레지스트막 형성 모듈(COT) 및 보호막 형성 모듈(TCT)에 대해서는, 각 단위 블록에 설치되는 2기가 노즐을 공유하고 있다. 따라서, 각 단위 블록에서의 처리의 정지를 방지하기 위해, 스텝 S17에서 이들 액처리 모듈로의 반송은 정지되지 않고, 대신에 스텝 S15에서 정지 기준에 해당한 웨이퍼(W)를 처리한 이들 액처리 모듈과, 이상으로 된 검사 항목이 대응되어, 표시부(65)에 표시된다.

(모드 D4)

다음에, 레지스트 도포 후 검사 C2가 행해지도록 설정되고, 또한 처리 모듈마다 반송 정지시키는 모드 D4가 선택되어 있는 경우에 대해, 모드 D3 선택시와의 차이점을 중심으로 설명한다. 모드 D4 실행시에는, 모드 D2 실행시와 마찬가지로 웨이퍼(W)의 반송이 행해진다. 즉, 단위 블록(B1, B2)에서 처리를 종료한 웨이퍼(W)가 검사 모듈(31)에 반송된다. 그리고, 웨이퍼(W)에 이상이 검출된 경우에는, 모드 D3과 마찬가지로 당해 웨이퍼(W)를 처리한 처리 모듈을 특정하고, 특정한 처리 모듈마다 반송 정지 기준에 해당하고 있는지 여부가 판정되어, 반송 정지 기준에 해당한 경우에는 당해 처리 모듈로의 반송이 정지된다. 이 모드 D4에서는, 레지스트 도포 후의 웨이퍼(W)를 검사하고 있으므로, 반송이 정지하는 처리 모듈은 단위 블록(B1, B2)의 처리 모듈이다. 처리 모듈로의 반송은, 모드 D3에서 설명한 룰에 기초하여 정지한다. 즉, 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT)에 대해서는 반송 정지 기준에 해당해도, 모듈로의 반송이 계속된다.

이 도포, 현상 장치(1)에 따르면, 반사 방지막 형성 모듈(BCT) 및 레지스트막 형성 모듈(COT)을 단위 블록(B1, B2)에 배치하고, 보호막 형성 모듈(TCT), 이면 세정 모듈(BST)을 단위 블록(B3, B4)에 배치하고 있고, 마찬가지로 구성된 단위 블록이 상하로 이중화되어 있다. 그리고 이들 단위 블록(B1 내지 B4)에 또한, 상하로 이중화된 현상 처리용의 단위 블록(B5, B6)을 적층하고 있다. 이로 인해, 처리 블록(S2)의 깊이 치수를 알맞은 크기로 설정하면서 설치 면적을 작게 할 수 있다. 또한, 이중화는 웨이퍼(W)에 각각 마찬가지의 처리가 행해지도록 단위 블록을 구성하면 되고, 레이아웃이나 모듈수를 각 단위 블록에서 동일하게 하는 것에 한정되지 않는다.

또한, 모드 D1, D2 실행시에는, 웨이퍼(W)에 이상이 검출된 경우이어도, 이중화된 단위 블록 중, 한쪽의 단위 블록으로의 반송을 정지하고, 다른 쪽에의 단위 블록으로의 반송이 계속된다. 그리고, 다른 쪽의 단위 블록에서 웨이퍼(W)의 처리를 계속하는 동안에, 사용자는 한쪽의 단위 블록에 대해, 고장시의 수리나 정기 점검, 조정 확인 등의 메인터넌스를 행할 수 있다. 따라서, 도포, 현상 장치(1)의 가동 효율의 저하를 억제할 수 있다.

또한, 상기와 같이 현상 블록으로의 반송 정지와 도포 블록으로의 반송 정지를 단계적으로 행함으로써, 반송을 정지할 필요가 없는 도포 블록으로의 반송을 멈추어버리는 것을 억제할 수 있으므로, 보다 확실하게 가동 효율의 저하를 억제할 수 있다. 단, 이와 같이 단계적으로 각 단위 블록으로의 반송을 정지시키는 것에 한정되지 않는다. 예를 들어 패턴 쓰러짐, 선 폭의 국소 이상 등, 도포 공정의 요인이 포함되는 현상 결함이 웨이퍼(W)에 검출된 경우, 당해 웨이퍼(W)를 처리한 현상 블록과 도포 블록으로의 반송을 동시에 정지시켜도 된다. 이 경우에는, 결함을 갖는 웨이퍼(W)가 발생되는 리스크를 저하시킬 수 있다. 또한, 모드 D1에 있어서, 현상 블록을 정지시키는 공정을 모드 E1, 도포 블록을 정지시키는 공정을 모드 E2로 하면, 상기의 예에서는 모드 E1 실행 후에 모드 E2가 자동적으로 실행되지만, 모드 E2를 실행할지 여부는 사용자가 설정부(64)로부터 선택할 수 있도록 되어 있어도 된다.

또한, 모드 D3, D4 실행시에는, 처리 모듈마다 웨이퍼(W)의 반송이 정지되므로, 가동을 정지하는 처리 모듈의 수가 억제된다. 따라서, 장치의 가동 효율의 저하를 보다 억제할 수 있다. 모드 D3 실행시에 있어서, 현상 블록의 처리 모듈과 도포 블록의 처리 모듈을 단계적으로 정지시키는 것에 한정되지 않고, 예를 들어 이상으로 된 검사 항목에 따라서는, 이상으로 검출된 웨이퍼(W)를 처리한 처리 모듈로의 반송을 모두 정지시켜도 된다. 또한, 모드 D3에 있어서, 현상 블록의 처리 모듈을 정지시키는 공정을 모드 E3, 도포 블록의 처리 모듈을 정지시키는 공정을 모드 E4로 하면, 상기의 예에서는 모드 E3 실행 후에 모드 E4가 자동적으로 실행되지만, 모드 E4를 실행할지 여부는 사용자가 설정부(64)로부터 선택할 수 있도록 되어 있어도 된다.

또한, 모드 D3, D4 실행시에 있어서, 액처리 모듈(BCT, COT, TCT, BST 및 DEV)에 대해서는 각 처리 컵마다 웨이퍼(W)의 반송의 정지를 제어해도 된다. 즉, 이들의 각 처리 모듈에 있어서 이상이 발생한 웨이퍼(W)를 처리한 쪽의 처리 컵(23)으로의 웨이퍼(W)의 반송이 정지하고, 당해 처리 컵(23)과 노즐(24)을 공유하고 있는 처리 컵(23)으로의 웨이퍼(W)의 반송은 계속되어도 된다. 그 밖에, BCT, COT, TCT 및 BST에 대해, 이들의 액처리 모듈로의 반송 정지가 결정된 경우에는, 이들 액처리 모듈로의 반송을 계속하는 대신에 당해 액처리 모듈을 포함하는 단위 블록으로의 웨이퍼(W)의 반송을 정지시켜도 된다.

상기와 같이 처리 컵(23)마다 웨이퍼(W)의 반송을 정지시키는 경우, 장치 내에서의 웨이퍼(W)의 처리 매수를 조정하기 위해, 예를 들어 1개의 BCT의 처리 컵(23)을 사용하지 않음으로 한 경우에, 동일 단위 블록 1개의 COT의 처리 컵(23)을 사용하지 않음으로 하도록 설정할 수 있다. 마찬가지로 예를 들어 1개의 COT의 처리 컵(23)을 사용하지 않음으로 한 경우에 동일 단위 블록 1개의 BCT도 사용하지 않음으로 설정할 수 있다. 또한, 이와 같이 COT 및 BCT의 처리 컵(23)으로의 반송이 정지된 단위 블록과 마찬가지로 구성된 단위 블록에서도, COT 1개의 처리 컵(23) 및 BCT 1개의 처리 컵(23)으로의 반송을 정지시킴으로써, 웨이퍼(W)의 처리 매수를 조정해도 된다.

또한, 상기의 도포, 현상 장치(1)에 있어서, 인터페이스 블록(S3)은 도 15와 같이 구성되어 있어도 된다. 이 예에서는, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 블록(S3)을 통하여, 단위 블록(B1, B2→B3, B4)으로 반송된다. 도 5에 도시하는 인터페이스 블록(S3)과의 차이점을 설명하면, 단위 블록(B1, B2)에 대응하는 높이 위치에, 전달 모듈(BU5, BU6)이 각각 설치되어 있다. 단위 블록(B3)에 대응하는 높이 위치에, 전달 모듈(BU7, BU8)이 설치되어 있다. 단위 블록(B4)에 대응하는 높이 위치에, 전달 모듈(BU9, BU10)이 설치되어 있다. 또한, 단위 블록(B5, B6)에 대응하는 높이 위치에, 전달 모듈(TRS1, TRS2)이 각각 설치되어 있다. 또한, 전달 모듈(BU11)이 설치되어 있다. 각 전달 모듈은 서로 적층되어 있다.

단위 블록(B1, B2)에서 처리를 종료한 웨이퍼(W)는, 전달 모듈(BU5, BU6)에 각각 반송되고, 또한 인터페이스 아암(33)에 의해, 전달 모듈(BU7, BU8)에 반송된다. 전달 모듈(BU7, BU8)에 반송된 웨이퍼(W)는, 전달 아암(A3, A4)에 의해 단위 블록(B3, B4)에 각각 반입되어, 처리를 받는다. 단위 블록(B3, B4)에서 처리를 받은 웨이퍼(W)는, 전달 모듈(BU9, BU10)에 반송되어, 인터페이스 아암(33)에 의해 전달 모듈(CPL16, CPL17)에 반송된다. 이후, 웨이퍼(W)는 도 5의 예와 마찬가지로 노광 장치(S4)→전달 모듈(TRS)의 순서대로 반송되고, 그러한 후, 전달 모듈(TRS)→ 인터페이스 아암(33)→전달 모듈(BU11)→인터페이스 아암(34)→노광 후 세정 모듈(PIR)→인터페이스 아암(34)→전달 모듈(TRS1, TRS2)에 반송되어, 메인 아암(A5, A6)에 의해 단위 블록(B5, B6)에 반송된다.

도 16에는, 또한 다른 인터페이스 블록(S3)의 구성을 도시하고 있다. 이 도 16의 인터페이스 블록(S3)에서는, 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)이 적층되어 설치되어 있다. 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)은, 노광 전의 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 공급해, 당해 웨이퍼(W)의 표면 용출물을 씻어 버린다. 이 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)이 설치되는 것을 제외하고, 도 16의 인터페이스 블록(S3)은, 도 15의 인터페이스 블록(S3)과 마찬가지로 구성되어 있다.

도 16의 인터페이스 블록(S3)에서는, 제3 단위 블록(B3) 또는 제4 단위 블록(B4)에서 처리되고, 전달 모듈(BU9 또는 BU8)에 반송된 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(33)에 의해 노광 전 세정 모듈(RD1 내지 RD4)에 반송되어 세정된다. 그러한 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 아암(33)→전달 모듈(CPL14, 15)→노광 처리(S4)의 순서대로 반송된다. 또한, 도 5의 인터페이스 블록(S3)에도 이와 같은 노광 전 세정 모듈(RD)을 설치하여, 세정 처리를 행할 수 있다. 또한, 상기의 각 실시 형태에 있어서, 단위 블록(B1, B2)으로부터 단위 블록(B3, B4)으로의 웨이퍼(W)의 반송은, 인터페이스 아암(33)에 의해 행해도 된다. 구체적으로, 선반 유닛(U8)의 단위 블록(B1, B2)의 높이 위치에, 도포 처리를 종료한 전달 모듈을 설치하고, 당해 전달 모듈로부터 인터페이스 아암(33)을 통해 전달 모듈(BU4)의 선반 유닛(U8)의 단인 블록(B3, B4)의 높이 위치에 웨이퍼(W)를 전달함으로써, 각 층간의 반송을 행할 수 있다.

또한, 상기 실시 형태에 있어서, TCT1 내지 TCT4에서 보호막을 형성하고, 가열 모듈(HP300 내지 311 또는 HP400 내지 411)에서 가열한 웨이퍼(W)를 검사 모듈(31)에 반송해, 검사를 행해도 된다. 그 경우는, 상기의 각 모드와 마찬가지로, 예를 들어 이상이 검출된 웨이퍼(W)의 반송 경로에 기초하여, 당해 웨이퍼(W)에 반사 방지막, 레지스트막 및 보호막을 형성한 단위 블록으로의 반송을 정지시키거나, 상기 단위 블록에 포함되는 당해 웨이퍼(W)를 처리한 모듈로의 반송을 정지시킨다.

상기의 예에 있어서, TCT는 보호막 형성 모듈이 아니라, 레지스트막의 상층에 반사 방지막을 형성하는 모듈이어도 된다. 또한, 소수화 처리 모듈(ADH)에서의 소수화 처리는, 반사 방지막 형성 모듈(BCT)에서 반사 방지막의 형성 전에 행하는 대신에, 상기 반사 방지막의 형성 후, 레지스트 도포 전에 행해도 되고, 레지스트 도포 후, 웨이퍼(W)를 단위 블록(B3, B4)에 반송하기 전에 행해도 된다. 또한, 각 단위 블록의 적층 순서는 이 예에 한정되지 않고, 예를 들어 현상 처리를 행하는 제5, 제6 단위 블록이 레지스트막의 형성을 행하는 제1 및 제2 단위 블록의 하방으로 설치되어 있어도 된다. 또한, 상기의 예에서는 이중화된 각 단위 블록은, 각 모듈의 수, 레이아웃을 동일하도록 구성하고 있지만, 웨이퍼(W)에 대하여 마찬가지의 처리를 행할 수 있으면, 이와 같이 모듈의 수, 레이아웃을 동일하게 하는 것에는 한정되지 않는다.

또한, 이 도포, 현상 장치(1)에서는, 상술한 각 모드를 실행하여 웨이퍼(W)를 처리 중에, 임의인 타이밍에서 메인터넌스 모드로의 전환을 행할 수 있도록 되어 있고, 사용자가 예를 들어 선택부(64)로부터 소정의 처리를 행하면, 장치(1)의 각 부에 모드의 전환 신호가 출력되어, 메인터넌스 모드가 개시된다. 메인터넌스의 형태로서는, 이중화되어 있는 도포막용의 단위 블록의 한쪽의 단위 블록을 메인터넌스 할 경우를 들 수 있고, 예를 들어 전단 처리용의 단위 블록(B1, B2) 중 한쪽을 메인터넌스 할 경우를 들 수 있다. 혹은 후단 처리용의 단위 블록(B3, B4) 중 한쪽을 메인터넌스 할 경우나, 현상 처리용의 단위 블록(B5, B6) 중 한쪽을 메인터넌스 할 경우를 들 수 있다. 이와 같은 경우에는, 예를 들어 단위 블록(B1)을 메인터넌스 하는 정보를 제어부에 입력하면, 메인터넌스의 대상으로 되어 있는 단위 블록(B1)에는 웨이퍼가 반송되지 않도록 웨이퍼의 반송 제어가 행해진다. 그리고 상술한 실시 형태에서는, 웨이퍼의 반송 경로로서, 도 10의 (a)에 도시하는 경로와 도 10의 (b)에 도시하는 경로가 준비되어 있으므로, 단위 블록(B1)에 웨이퍼를 반입하지 않는다고 하는 것은, 도 10의 (a)에 도시하는 경로를 사용하지 않는다고 하는 것으로, 이를 위해 당해 경로에 포함되는 소수화 처리 모듈(ADH1, 2) 및 단위 블록(B3 및 B5)에는, 웨이퍼가 반입되지 않게 된다.

이 메인터넌스 모드에서는, 웨이퍼(W)의 검사 결과에 의하지 않고, 사용자가 웨이퍼(W)의 반송을 정지하는 단위 블록을 지정해, 반송이 정지되어 있지 않은 단위 블록에 의해 웨이퍼(W)의 처리를 계속하게 된다. 이와 같이 단위 블록을 이중화하고, 메인터넌스를 행하는 단위 블록이 속하는 반송 경로를 사용하지 않는 것으로 하면, 웨이퍼의 반송 제어를 포함하는 처리가 간소화된다.

메인터넌스 모드는, 메인터넌스를 행하는 단위 블록이 속하는 반송 경로로의 반송을 멈춘다고 하는 방법에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 도 10의 (a)에 도시하는 경로에 포함되는 하나의 단위 블록인 단위 블록(B1)과, 도 10의 (b)에 도시하는 경로에 포함되는 하나의 단위 블록인 단위 블록(B4)을 동시에 메인터넌스 할 경우에는, 도 10의 (b)에 도시하는 경로에 포함되는 단위 블록(B2)과, 도 10의 (a)에 도시하는 경로에 포함되는 단위 블록(B3)을 사용하는 것이 효율적이다. 이 경우에는, 이중화되어 있는 단위 블록 중 사용 가능한 단위 블록을 서로 연결하여 웨이퍼의 처리를 행하게 되고, 이 경우에도 메인터넌스를 행하면서 가동률의 저하를 억제한 장치의 운전을 행할 수 있다.

또한 메인터넌스 모드에 있어서, 이중화된 단위 블록 중의 하나, 예를 들어 전단 처리용의 단위 블록(B1)이 메인터넌스되어 있는 경우에, 당해 단위 블록(B1) 이외의 다른 단위 블록에 대해서는 웨이퍼를 반송하도록 해도 된다. 이 경우, 예를 들어 후단 처리용의 단위 블록(B3 및 B4)에 대해서는 가동시켜, 전단 처리용의 단위 블록(B1)에서 처리된 웨이퍼를 후단 처리용의 단위 블록(B3 및 B4)에 배분하고, 또한 현상 처리용의 단위 블록(B5, B6)에 대해서도 가동시키도록 해도 된다.

또한 본 발명의 다른 실시 형태를 기재해 둔다. 도 17은, 처리 블록(S2)의 다른 예를 나타내고 있고, 가로의 열은 아래부터 순서대로 도 4에 도시하는 각 단위 블록(B1 내지 B6)에 대응하고, 1칸은, 반사 방지막 형성 모듈(BCT1) 등의 1개의 액처리 모듈을 나타내고 있다. 따라서 단위 블록(B1, B2, B5 및 B6)에 대해서는, 도 4에 도시하는 단위 블록과 동일 구성이고, 평면에서 보면 예를 들어 단위 블록(B1)이면 도 1과 같이 나타내어진다. 도 17의 예가 도 4의 예와 다른 점은, 단위 블록(B3, B4)에 있어서, 이면 세정 모듈(BST1 내지 BST4)을 설치하지 않고 빈 영역으로 되어 있는 것이다.

여기서 도 18은, 상술한 도 10에 도시한 웨이퍼의 경로 중, 도포막 형성을 위한 경로에 대해 발췌하여 개략적으로 도시한 도면이다. 도 10에 도시한 실시 형태에 따르면, 캐리어(C)로부터 취출된 웨이퍼는, 소수화 처리 모듈(ADH1 내지 ADH4)의 어느 하나를 통해 도포막을 형성하기 위한 도포막용의 단위 블록에 반입되지만, 도포막용의 단위 블록은, 전단 처리용의 단위 블록 B1(B2)과 후단 처리용의 단위 블록 B3(B4)으로 분리되어 있다. 그리고 전단 처리용의 단위 블록 B1(B2)에 레지스트막 형성용 모듈(COT1 내지 COT4)이 설치되어 있지만, 레지스트막 형성용 모듈(COT1 내지 COT4)을 후단 처리용의 단위 블록 B3(B4)에 배치하도록 해도 된다.

이와 같은 레이아웃의 일례로서는, 도 19의 레이아웃을 들 수 있다. 도 19의 종횡의 칸의 의미는, 도 17의 칸과 마찬가지이고, 이 예에서는, 레지스트막 형성용 모듈(COT1, COT2)과 상층막을 형성하는 모듈인 보호막 형성 모듈(TCT1, TCT2)을 후단 처리용의 단위 블록(B3)에 설치하는 동시에, 레지스트막 형성용 모듈(COT3, COT4)과 보호막 형성 모듈(TCT3, TCT4)을 후단 처리용의 단위 블록(B4)에 설치하고, 도 4의 레이아웃에 있어서 레지스트막 형성용 모듈(COT1 내지 COT4)이 설치되어 있던 단위 블록(B1, B2)에 있어서의 영역을 빈 영역으로 하고 있다. 또한, 레지스트막 형성용 모듈(COT1)을 단위 블록(B1)에 설치하는 동시에, 레지스트막 형성용 모듈(COT2)을 단위 블록(B2)에 설치하고, 그리고 레지스트막 형성용 모듈(COT3)을 단위 블록(B2)에 설치하는 동시에, 레지스트막 형성용 모듈(COT4)을 단위 블록(B4)에 설치한다고 하는 구성이어도 된다. 이 경우, 레지스트막 형성용 모듈을, 전단 처리용의 단위 블록 B1(B2)과 후단 처리용의 단위 블록 B3(B4)으로 분산 배치한 구성이라고 할 수 있다.

또한 처리 블록(S2)은, 도 20에 도시하는 바와 같이, 후단 처리용의 단위 블록(B3, B4)에, 검사 모듈(701 내지 704)을 설치하도록 해도 된다. 이 레이아웃은, 도 4의 레이아웃에 대해, 이면 세정 모듈(BST1 내지 BST4) 대신에 검사 모듈(701 내지 704)을 설치한 것이다. 검사 모듈(701 내지 704)은, 보호막 형성 모듈(TCT1 내지 TCT4)에서 웨이퍼(W)의 표면에 보호막이 형성된 후, 도포면의 도포 상태를 검사하기 위한 것이다. 구체적으로는 예를 들어 막 두께의 불균일, 도포막에 줄이 보이는 상태의 검출, 미도포 상태의 검출 등을 들 수 있다. 미도포 상태이면, 노즐, 도포액 토출 펌프, 배관계의 이상 등이 생각된다.

검사 모듈(701 내지 704)에 있어서의 검사에 있어서 이상의 판정이 된 경우에는, 당해 이상으로 판정된 웨이퍼(W)가 처리된 모듈(액처리 모듈이나 가열 모듈)을 정지시켜, 그 이외의 모듈에 대해서는 계속하여 사용하도록 해도 되고, 혹은 당해 웨이퍼(W)가 사용된 도포막용의 단위 블록마다 정지시켜, 다른 단위 블록의 운전에 대해서는 계속하도록 해도 된다. 어느 형태로 사용할지(검사 결과에서 이상으로 판정된 경우에, 모듈의 정지나 단위 블록의 정지 중 어느 하나를 선택할지)에 대해서는, 예를 들어 제어부에서 모드를 설정함으로써 실시된다.

이상의 예에서는, 도포막용의 단위 블록을 구성하는, 전단 처리용의 단위 블록과 후단 처리용의 단위 블록을 각각 이중화하여 서로 적층하고 있지만, 이중화에 한하지 않고 삼중화해도 되고, 보다 일반적인 표현으로 하면 N(N은 2 이상의 정수)중화하는 것이 요건이다. 또한 현상용의 블록에 대해서도 마찬가지로 이중화에 한하지 않고 삼중화 혹은 사중화해도 된다.

또한 도포막용의 단위 블록으로서는, 전단 처리용의 단위 블록과 후단 처리용의 단위 블록으로 분리하지 않는 구성이어도 된다. 도 21은 이와 같은 처리 블록(S2)의 레이아웃을 도시하고, 이 예에서는, 반사 방지막 형성용의 모듈과 레지스트막 형성용의 모듈을 동일 단위 블록에 배치하고, 이 단위 블록을 3단 적층하여 삼중화하고 있다. 즉, 도 21에 도시하는 처리 블록(S2)은, 도 4에 도시한 처리 블록(S2)의 레이아웃에 있어서, 보호막 형성 모듈을 설치한 후단 처리용의 단위 블록(B3, B4)을 삭제하고, 전단 처리용의 단위 블록(B1, B2)에 더하여 동일 구성의 단위 블록을 더 적층한 구성이라고 할 수 있다. 이 경우, 후단 처리용의 단위 블록이 존재하지 않으므로, 전단 처리용의 단위 블록이 도포막용의 단위 블록으로 된다.

또한 도 21의 처리 블록(S2)에서는, 현상 처리용의 단위 블록을 3개 적층하여 삼중화하고 있다. 또한, 도 21에 있어서, 부호의 번잡화를 피하기 위해, 각 층에 있어서의 아래부터 센 단수와 B의 뒤에 부여한 숫자를 대응시켜, 도 4와 동일한 B1 내지 B6의 부호를 사용하고 있다.

W : 웨이퍼
BCT1 내지 BCT6 : 반사 방지막 형성 모듈
BST1 내지 BST4 : 이면 세정 모듈
COT1 내지 COT6 : 레지스트막 형성 모듈
DEV1 내지 DEV12 : 현상 모듈
HP : 가열 모듈
TCT1 내지 TCT4 : 보호막 형성 모듈
S1 : 캐리어 블록
S2 : 처리 블록
S3 : 인터페이스 블록
WEE : 주연 노광 모듈
1 : 도포, 현상 장치
30 : 전달 아암
51 : 제어부
55 : 반송 프로그램
56 : 판정 프로그램
61 : 메모리
64 : 설정부
A1 내지 A6 : 메인 아암

Claims

캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 레지스트막을 포함하는 도포막을 형성한 후, 상기 처리 블록에 대하여 캐리어 블록과는 반대측에 위치하는 인터페이스 블록을 통해 노광 장치에 반송해, 상기 인터페이스 블록을 통해 되돌아 온 노광 후의 기판을 상기 처리 블록에서 현상 처리하여 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
a) 상기 처리 블록은,
상기 도포막을 형성하기 위한 약액을 기판에 공급하는 액처리 모듈과, 약액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 각각 구비한 복수의 도포용의 단위 블록을 서로 상하로 적층한 도포 처리 적층체와,
상기 도포 처리 적층체에 대하여 적층되어, 기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록과 인터페이스 블록을 연결하는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 각각 구비한 복수의 현상 처리용의 단위 블록을 서로 상하로 적층한 현상 처리 적층체를 포함하고,
b) 상기 인터페이스 블록은, 상기 처리 블록에 대하여 상기 노광 장치측에 설치되고,
기판이 적재되는 전달부가 수직 방향으로 다단으로 배치되어 구성되는 전달부의 적층체와,
상기 전달부 사이에서 기판을 전달하기 위해 승강하는 제1 반송 기구와,
상기 전달부 사이에서 기판을 전달하기 위해 승강하고, 상기 제1 반송 기구와 함께 상기 전달부의 적층체를 가로 방향으로 사이에 두도록 설치된 제2 반송 기구와,
상기 전달부의 적층체와 노광 장치 사이에서 기판을 전달하기 위한 제3 반송 기구를 구비하고,
상기 전달부의 적층체에는, 상기 제3 반송 기구에 의해 기판이 전달되는 노광 장치 전달용의 전달부와, 각 단위 블록의 반송 기구에 의해 기판이 전달되도록 당해 단위 블록에 대응하는 단위 블록용의 전달부가 포함되고,
c) 각 블록에 있어서의 기판의 반송을 제어하기 위한 제어부를 구비하고,
d) 제3 반송 기구는, 상하 방향의 이동로와 가로 방향의 이동로를 포함하고, 또한 제1 반송 기구의 승강로의 하방에 형성된 제3 반송 기구용의 이동로를 이동하도록 구성되고,
e) 상기 전달용의 적층체에는, 제2 반송 기구와 제3 반송 기구 사이에서 기판을 전달하기 위한 전달부가 포함되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제1항에 있어서,
상기 노광 장치 전달용의 전달부는, 적재된 기판을 냉각하는 냉각 스테이지를 포함하고,
상기 도포 처리 적층체의 단위 블록용 반송 기구로부터 당해 단위 블록에 대응하는 전달부에 전달된 기판은, 상기 노광 장치에 반입되기 전에 상기 냉각 스테이지에서 냉각되고 나서, 상기 제3 반송 기구에 의해 당해 노광 장치에 전달되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제1항에 있어서,
상기 도포 처리 적층체를 구성하는 복수의 단위 블록은,
상기 액처리 모듈로서, 기판에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 모듈을 포함하는 레지스트막 형성 단위 블록과,
상기 레지스트막 형성 단위 블록에 적층되며, 상기 액처리 모듈로서, 상기 레지스트막 상에 상층막을 형성하기 위한 상층막 도포 모듈을 포함하는 상층막 형성 단위 블록을 갖고,
상기 레지스트 도포 모듈에서 처리된 기판은, 상기 레지스트막 형성 단위 블록에 대응하는 단위 블록용의 전달부에 전달되고,
계속해서, 상기 제1 반송 기구 또는 제2 반송 기구에 의해, 상층막 형성 단위 블록에 대응하는 단위 블록용의 전달부에 전달되고,
계속해서, 상기 상층막 형성 단위 블록의 단위 블록용의 반송 기구에 의해, 상기 단위 블록용의 전달부로부터, 상기 상층막을 형성하기 위해 상층막 형성 모듈에 반송되도록 상기 제어부에 의해 각 반송 기구가 제어되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 인터페이스 블록은, 기판을 세정하는 세정 모듈을 구비하고,
상기 전달부의 적층체로부터 보아, 상기 세정 모듈은, 상기 제1 반송 기구에 의해 기판이 전달되도록 당해 제1 반송 기구의 배면측과, 제2 반송 기구에 의해 기판이 전달되도록 당해 제2 반송 기구의 배면측에 각각 설치되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제4항에 있어서,
상기 제1 반송 기구의 배면측에 설치되는 상기 세정 모듈은, 노광 처리 전의 기판의 세정을 행하는 세정 모듈이며,
상기 제2 반송 기구의 배면측에 설치되는 상기 세정 모듈은, 노광 처리 후의 기판의 세정을 행하는 세정 모듈인 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 액처리를 행한 후, 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
a) 상기 처리 블록은,
도포막을 형성하기 위한 약액을 기판에 공급하는 액처리 모듈과, 약액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 가로 방향으로 신장되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 도포용의 단위 블록을 서로 상하로 적층하여, N(N은 2 이상의 정수)중화한 적층체와,
상기 적층체에 대하여 적층되어, 기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록과 상기 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 현상 처리용의 단위 블록을 서로 상하로 적층하여, N(N은 2 이상의 정수)중화한 적층체를 포함하고,
상기 N중화된 도포용의 단위 블록은, 서로 동일한 도포막이 형성되도록 구성되고,
b) 각 단위 블록마다 캐리어 블록측에 설치되어, 각 단위 블록의 반송 기구와의 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 전달부와,
c) 상기 캐리어와, 상기 도포용의 단위 블록의 전달부 및 상기 현상 처리용의 단위 블록의 전달부의 각각과의 사이에서 기판을 전달하는 전달 기구와,
d) 기판의 반송을 제어하기 위한 제어부와,
e) 현상 처리 후의 기판을 검사하는 현상 후 검사 모듈과,
f) 이 검사 모듈에서 검사를 받을 때까지 기판이 반송된 경로의 데이터를 기억하는 기억부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 현상 후 검사 모듈에 의한 검사에서 상기 기판에 이상이 검출되었을 때에, 상기 기억부에 기억된 데이터에 기초하여 상기 현상 처리용의 단위 블록에 있어서의 당해 기판이 처리된 모듈을 특정하고, 후속의 기판을, 특정된 모듈 이외의 모듈에 반송하도록 제어 신호를 출력하여 단위 블록용의 반송 기구의 동작을 제어하는 모드를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
캐리어 블록에 캐리어에 의해 반입된 기판을 처리 블록에 전달하고, 이 처리 블록에서 액처리를 행한 후, 상기 캐리어 블록에 전달하는 도포, 현상 장치에 있어서,
a) 상기 처리 블록은,
도포막을 형성하기 위한 약액을 기판에 공급하는 액처리 모듈과, 약액을 도포한 후의 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 가로 방향으로 신장되는 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 도포용의 단위 블록을 서로 상하로 적층하여, N(N은 2 이상의 정수)중화한 적층체와,
상기 적층체에 대하여 적층되어, 기판에 현상액을 공급하는 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 캐리어 블록과 상기 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 현상 처리용의 단위 블록을 서로 상하로 적층하여, N(N은 2 이상의 정수)중화한 적층체를 포함하고,
상기 N중화된 도포용의 단위 블록은, 서로 동일한 도포막이 형성되도록 구성되고,
b) 각 단위 블록마다 캐리어 블록측에 설치되어, 각 단위 블록의 반송 기구와의 사이에서 기판의 전달을 행하기 위한 전달부와,
c) 상기 캐리어와, 상기 도포용의 단위 블록의 전달부 및 상기 현상 처리용의 단위 블록의 전달부의 각각과의 사이에서 기판을 전달하는 전달 기구와,
d) 기판의 반송을 제어하기 위한 제어부와,
e) 현상 처리 후의 기판을 검사하는 현상 후 검사 모듈과,
f) 이 검사 모듈에서 검사를 받을 때까지 기판이 반송된 경로의 데이터를 기억하는 기억부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 현상 후 검사 모듈에 의한 검사에서 기판에 이상이 검출되었을 때에, 기억부에 기억된 데이터에 기초하여, 당해 기판이 처리된 현상 처리용의 단위 블록을 특정하고, 후속의 기판을, 특정된 현상 처리용의 단위 블록 이외의 현상 처리용의 단위 블록에 반송하도록 제어 신호를 출력하여 상기 전달 기구의 동작을 제어하는 모드를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제6항에 있어서,
도포막 형성 후의 기판을 검사하는 도포막 형성 후 검사 모듈이 설치되고,
상기 제어부는, 상기 도포막 형성 후 검사 모듈에 의한 검사에서 기판에 이상이 검출되었을 때에, 기억부에 기억된 데이터에 기초하여, 도포용의 단위 블록에 있어서의 당해 기판이 처리된 모듈을 특정하고, 후속의 기판을, 특정된 모듈 이외의 모듈에 반송하도록 단위 블록용의 반송 기구의 동작을 제어하는 모드를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제7항에 있어서,
도포막 형성 후의 기판을 검사하는 도포막 형성 후 검사 모듈이 설치되고,
상기 제어부는, 상기 도포막 형성 후 검사 모듈에 의한 검사에서 기판에 이상이 검출되었을 때에, 기억부에 기억된 데이터에 기초하여, 당해 기판이 처리된 도포용의 단위 블록을 특정하고, 후속의 기판을, 특정된 단위 블록 이외의 도포용의 단위 블록에 반송하도록 제어 신호를 출력하는 모드를 구비한 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도포용의 단위 블록은,
기판에 반사 방지막 형성용의 약액을 공급하여 하층측의 반사 방지막을 형성하는 하층용의 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 상기 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 전단 처리용의 단위 블록과,
상기 전단 처리용의 단위 블록에 대하여 적층되어, 레지스트막이 형성된 기판에 상층측의 막 형성용의 약액을 공급하여 상층측의 막을 형성하는 상층용의 액처리 모듈과, 기판을 가열하는 가열 모듈과, 이들 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위해, 상기 직선 반송로 상을 이동하는 단위 블록용의 반송 기구를 구비한 후단 처리용의 단위 블록을 포함하고,
상기 반사 방지막 상에 레지스트액을 공급하여 레지스트막을 형성하는 도포 모듈은, 전단 처리용의 단위 블록 및 후단 처리용의 단위 블록 중 적어도 한쪽에 설치되고,
전단 처리용의 단위 블록 및 후단 처리용의 단위 블록 중 어느 것에 대해서도 각각 N개 사용하여 N중화되어 적층되어 있는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.
제10항에 있어서,
상기 전달 기구는, 전단 처리용의 각 단위 블록에서 처리된 기판을 후단 처리용의 각 단위 블록에 대응하는 상기 각 단위 블록마다 설치되어 있는 전달부에 전달하도록 제어되는 것을 특징으로 하는, 도포, 현상 장치.