JP2012033863A - 塗布、現像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
前段処理用の単位ブロックを第1の前段処理用の単位ブロック及び第2の前段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して互いに積層し、後段処理用の単位ブロックを第1の後段処理用の単位ブロック及び第2の後段処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層し、さらに現像処理用の単位ブロックを第1の現像処理用の単位ブロック及び第2の現像処理用の単位ブロックとして上下に二重化して、互いに積層して処理ブロックを構成し、前段処理用の単位ブロックから後段処理用の各単位ブロックに基板を振り分けて受け渡す第1の受け渡し機構と、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡す第2の受け渡し機構と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。
【選択図】図4
Description
a) 前記処理ブロックは、
前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体と、
前記積層体に対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体と、を含み、
前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
b) 各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、
c) キャリアから払い出された基板を、塗布膜用の単位ブロックの受け渡し部に受け渡す受け渡し機構と、
d) 基板の搬送を制御するための制御部と、
を備えたことを特徴とする。
基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を含み、
前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールは、前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックの少なくとも一方に設けられ、
前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックのいずれについても各々N個用いてN重化されて積層されている構成を挙げることができる。
(モードD1)
続いて、図10を参照しながら、塗布、現像装置1でのウエハWの搬送経路について説明する。ここでは、予め現像処理後検査C1が選択され、さらに単位ブロック毎にウエハWの搬送を停止するモードD1が選択されているものとする。先ず、キャリアCからウエハWが受け渡しアーム14により受け渡しモジュールBU1に搬送される。受け渡しモジュールBU1から第1の単位ブロックB1に搬送される場合は、図10(a)に示すようにウエハWは、受け渡しアーム30により疎水化処理モジュールADH1、ADH2に搬送されて疎水化処理を受け、受け渡しモジュールCPL1に搬送される。
(モードD2)
次に、レジスト膜形成後検査C2が行われるように設定され、さらに単位ブロック毎に搬送停止させるモードD2が選択されている場合について説明する。レジスト膜形成後検査C2実行時のウエハWの搬送経路としては、レジスト塗布処理を終え、受け渡しモジュールCPL4、CPL6に搬入されたウエハWが、受け渡しアーム30により検査モジュール31に搬入される。検査モジュール31で検査された後は受け渡しモジュールCPL7、CPL9を介して第3、第4の単位ブロックに搬入される。現像処理後のウエハWは、受け渡しモジュールCPL13、CPL15→受け渡しモジュールCPL0の順で搬送されて、キャリアCに戻される。このような違いを除けば、現像処理後検査C1実行時と同様にウエハWが搬送される。
次に、現像処理後検査C1が行われるように設定され、さらに処理モジュール毎に搬送停止させるモードD3が選択されている場合について説明する。以降、図14を参照しながらモードD3実行時のフローについて、モードD1との差異点を中心に説明する。ウエハWに異常が検出された場合には、搬送スケジュールに基づき、単位ブロックB5,B6において、当該ウエハWを処理した処理モジュールが特定される。ウエハのIDと異常となった検査項目と、前記処理モジュールとが対応付けられてメモリ61に記憶される(ステップS11)。続けて、判定プログラム56は、ステップS11で特定した処理モジュール毎に、検査結果記憶領域60のデータに基づき、前記各処理モジュールが搬送停止基準に該当しているか否かを判定する(ステップS12)。
(モードD4)
次に、レジスト塗布後検査C2が行われるように設定され、さらに処理モジュール毎に搬送停止させるモードD4が選択されている場合について、モードD3選択時との差異点を中心に説明する。モードD4実行時には、モードD2実行時と同様にウエハWの搬送が行われる。つまり、単位ブロックB1、B2で処理を終えたウエハWが検査モジュール31に搬送される。そして、ウエハWに異常が検出された場合には、モードD3と同様に当該ウエハWを処理した処理モジュールを特定し、特定した処理モジュールごとに搬送停止基準に該当しているか否かが判定され、搬送停止基準に該当した場合には当該処理モジュールへの搬送が停止される。このモードD4では、レジスト塗布後のウエハWを検査しているので、搬送が停止する処理モジュールは単位ブロックB1、B2の処理モジュールである。処理モジュールへの搬送は、モードD3で説明したルールに基づいて停止する。つまり、反射防止膜形成モジュールBCT及びレジスト膜形成モジュールCOTについては搬送停止基準に該当しても、モジュールへの搬送が継続される。
更にまたメンテナンスモードにおいて、二重化された単位ブロックのうちの一つ、例えば前段処理用の単位ブロックB1がメンテナンスされている場合に、当該単位ブロックB1以外の他の単位ブロックについてはウエハを搬送するようにしてもよい。この場合、例えば後段処理用の単位ブロックB3及びB4については稼働させ、前段処理用の単位ブロックB1にて処理されたウエハを後段処理用の単位ブロックB3及びB4に振り分け、また現像処理用の単位ブロックB5、B6についても稼働させるようにしてもよい。
また塗布膜用の単位ブロックとしては、前段処理用の単位ブロックと後段処理用の単位ブロックとに分離しない構成であってもよい。図21はこのような処理ブロックS2のレイアウトを示し、この例では、反射防止膜形成用のモジュールとレジスト膜形成用のモジュールとを同じ単位ブロックに配置し、この単位ブロックを3段積み重ねて三重化している。即ち、図21に示す処理ブロックS2は、図4に示した処理ブロックS2のレイアウトにおいて、保護膜形成モジュールを設けた後段処理用の単位ブロックB3、B4を削除し、前段処理用の単位ブロックB1、B2に加えて更に同じ構成の単位ブロックを積層した構成ということができる。この場合、後段処理用の単位ブロックが存在しないので、前段処理用の単位ブロックが塗布膜用の単位ブロックとなる。
更に図21の処理ブロックS2では、現像処理用の単位ブロックを3つ積層して三重化している。なお、図21において、符号の煩雑化を避けるために、各層における下から数えた段数とBの後に付した数字とを対応させ、図4と同じB1〜B6の符号を用いている。
BCT1〜BCT6 反射防止膜形成モジュール
BST1〜BST4 裏面洗浄モジュール
COT1〜COT6 レジスト膜形成モジュール
DEV1〜DEV12 現像モジュール
HP 加熱モジュール
TCT1〜TCT4 保護膜形成モジュール
S1 キャリアブロック
S2 処理ブロック
S3 インターフェイスブロック
WEE 周縁露光モジュール
1 塗布、現像装置
30 受け渡しアーム
51 制御部
55 搬送プログラム
56 判定プログラム
61 メモリ
64 設定部
A1〜A6 メインアーム
Claims (12)
- キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
a) 前記処理ブロックは、
前記塗布膜を形成するための薬液を基板に供給する液処理モジュールと、薬液を塗布した後の基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた塗布用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体と、
前記積層体に対して積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを互に上下に積層して、N(Nは2以上の整数)重化した積層体と、を含み、
前記N重化された塗布用の単位ブロックは、互に同一の塗布膜が形成されるように構成され、
b) 各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、
c) キャリアから払い出された基板を、塗布膜用の単位ブロックの受け渡し部に受け渡す受け渡し機構と、
d) 基板の搬送を制御するための制御部と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。 - 前記塗布膜用の単位ブロックは、
基板に反射防止膜形成用の薬液を供給して下層側の反射防止膜を形成する下層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックと、
前記前段処理用の単位ブロックに対して積層され、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜形成用の薬液を供給して上層側の膜を形成する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた後段処理用の単位ブロックと、を含み、
前記反射防止膜の上にレジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールは、前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックの少なくとも一方に設けられ、
前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックのいずれについても各々N個用いてN重化されて積層されていることを特徴とする請求項1記載の塗布、現像装置。 - 前記受け渡し機構は、前段処理用の各単位ブロックにて処理された基板を後段処理用の各単位ブロックに対応する前記受け渡し部に受け渡すように制御されることを特徴とする請求項2記載の塗布、現像装置。
- 前記前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックごとにインターフェイスブロック側に設けられ、各単位ブロック用の搬送機構との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、
前段処理用の単位ブロックにて処理された基板を、インターフェイスブロック側に設けられた前記受け渡し部を介して後段処理用の単位ブロックに受け渡すために、インターフェイスブロックに設けられた受け渡し機構と、を備えたことを特徴とする請求項2記載の塗布、現像装置。 - レジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールは、前段処理用の各単位ブロックに設けられ、
前段処理用の各単位ブロックには、レジスト膜が形成された基板の裏面側を洗浄するための裏面洗浄モジュールが設けられていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。 - レジスト液を供給してレジスト膜を形成する塗布モジュールは、前段処理用の各単位ブロックに設けられ、
前段処理用の各単位ブロックには、レジスト膜が形成された基板を検査するための露光前検査モジュールが設けられていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。 - 現像処理後の基板を検査する現像後検査モジュールと、
この検査モジュールで検査を受けるまでに基板が搬送された経路のデータを記憶する記憶部と、を備え、
前記制御部は、現像後検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて現像処理用の単位ブロックにおける当該基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードを備えたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。 - 前記制御部は、前記現像後検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、塗布膜用の単位ブロックにおける当該基板が処理されたモジュールを特定し、後続の基板を、特定されたモジュール以外のモジュールに搬送するように単位ブロック用の搬送機構の動作を制御するモードを備えたことを特徴とする請求項7記載の塗布、現像装置。
- 現像処理後の基板を検査する現像後検査モジュールと、
この検査モジュールで検査を受けるまでに基板が搬送された経路のデータを記憶する記憶部と、を備え、
前記制御部は、前記現像後検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、当該基板が処理された現像処理用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された現像処理用の単位ブロック以外の現像処理用の単位ブロックに搬送するように制御信号を出力するモードを備えたことを特徴とする請求項1ないし8のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。 - 前記制御部は、前記検査モジュールによる検査で基板に異常が検出されたときに、記憶部に記憶されたデータに基づいて、当該基板が処理された塗布膜用の単位ブロックを特定し、後続の基板を、特定された単位ブロック以外の塗布膜用の単位ブロックに搬送するように制御信号を出力するモードを備えたことを特徴とする請求項9に記載の塗布、現像装置。
- 現像液の粘度は、下層側の反射防止膜を形成するための薬液及びレジスト液並びに上層側の反射防止膜を形成するための薬液のいずれの粘度よりも小さく、
現像処理用の単位ブロックは、前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックの上方側に位置していることを特徴とする請求項1ないし10のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。 - 前記制御部は、通常の基板の処理が行われているときに、メンテナンスを行うためのメンテナンスモードへ移行する切り替え信号を出力することができるように構成され、
この切り替え信号により、N重化された単位ブロックの中でメンテナンスの対象となる単位ブロックへの基板の搬入が止められ、当該N重化された単位ブロックのうち他の単位ブロックへの基板の搬入が行われるように制御信号が出力されることを特徴とする請求項1ないし11のいずれか一項に記載の塗布、現像装置。
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