JP3645492B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3645492B2 JP3645492B2 JP2001025266A JP2001025266A JP3645492B2 JP 3645492 B2 JP3645492 B2 JP 3645492B2 JP 2001025266 A JP2001025266 A JP 2001025266A JP 2001025266 A JP2001025266 A JP 2001025266A JP 3645492 B2 JP3645492 B2 JP 3645492B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- unit
- resist
- reaction
- station
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板などの基板に対して例えばレジスト液の塗布処理や現像処理などを行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィ−技術においては半導体ウエハ(以下ウエハという)の表面にレジストを塗布し、この塗布レジストを所定パタ−ンに露光処理し、更に現像処理して所定パタ−ンのレジスト膜が形成される。このような一連の処理は、塗布/現像装置に露光装置を接続したシステムにより行われる。
【0003】
図13はこのような装置の従来例を示す平面図であり、基板例えば半導体ウエハWを25枚収納したカセットCはカセットステ−ションA1のカセットステ−ジ1に搬入される。カセットステ−ションA1には処理ステ−ションA2が接続されており、更に処理ステーションA2にはインターフェイスステーションA3を介して図示しない露光装置が接続されている。
【0004】
前記カセットステージ1上のカセットC内のウエハWは、受け渡しアーム11により取り出されて棚ユニット12の受け渡し部を介して塗布ユニット13に送られ、ここでレジストが塗布される。その後ウエハWは、ウエハ搬送手段14→棚ユニット15の受け渡し部→インタ−フェイスステ−ションA3→露光装置の経路で搬送されて露光される。露光後のウエハWは、逆経路で処理ステ−ションA2に搬送され、塗布ユニット13の下段に設けられた図示しない現像ユニットにて現像された後、ウエハ搬送手段14→棚ユニット12の受け渡し部→カセットCの経路で搬送される。
【0005】
なお棚ユニット12,15の各棚は、加熱部、冷却部、前記ウエハWの受け渡し部、疎水化処理部等として構成されており、前記レジストの塗布の前や現像処理の前には、所定の温度でレジストの塗布等を行うために、前記棚ユニット12,15にて加熱処理と冷却処理とがこの順序で行われる。なお16は処理ステ−ションA2と露光装置との間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡しア−ムである。
【0006】
また前記処理ステーションA2は、塗布ユニット13及び現像ユニットとからなる処理領域と、ウエハ搬送手段14が配置された搬送領域とが区画されており、処理領域はクリーンルームの雰囲気が取り込まれて、所定の温度及び湿度に調整された空気が送出され、いわば高精度調整雰囲気となっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで化学増幅型レジストは、露光することにより酸が生成し、この酸が加熱処理により拡散して触媒として作用し、レジスト材料の主成分であるベ−ス樹脂を分解したり、分子構造を変えて現像液に対して可溶化するものである。従ってこの種のレジストを用いた場合、露光後のウエハWは例えば棚ユニット15の加熱部で所定温度まで加熱された後、酸による現像液への可溶化反応(レジストの解像反応)を抑えるために同じ棚ユニット15の冷却部で所定温度まで冷却され、次いで現像ユニットにて現像液が塗布される。
【0008】
しかしながら化学増幅型レジストは、前記レジストの解像反応が室温程度の温度で進行してしまうため、露光装置→加熱部の間のウエハWの搬送の際に、当該搬送領域の温度や搬送時間の変化が現像線幅に大きな影響を与えてしまい、これらの変動に伴い、現像線幅が変化してしまうという問題があり、特にアセタール系化学増幅型レジストで顕著である。
【0009】
このため露光装置→加熱部間の搬送時間を管理し、この搬送の間のレジストの解像反応の進行の程度を揃えることにより、現像線幅の均一性を確保しようとしているが、それでもなお現像線幅にはばらつきが生じている。
【0010】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、露光後の基板をレジストの解像反応の進行を抑えた状態で加熱部に搬送し、ここで加熱処理を行うことにより、基板面内及び基板間の現像線幅の均一性を向上させる基板処理装置を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
このため本発明の基板処理装置は、複数の基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、を含むカセットステ−ションと、このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板に対して処理を行う処理ステ−ションと、前記処理ステ−ションと露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイスステ−ションと、を備え、
前記インターフェイスステーションは、レジストが塗布され、露光装置にて露光された基板をレジストの解像反応の進行を抑えるために冷却する冷却プレートを備えた反応抑制部が多段に積層されたユニットと、露光された基板を各段の冷却プレートに受け渡すための搬送アームと、を含み、
前記処理ステーションは、前記反応抑制部にて冷却された基板を加熱して、レジストの解像反応を進行させる加熱部と、前記加熱部にて加熱された基板を冷却して、レジストの解像反応の進行を抑える冷却部と、前記基板に対して現像液の塗布処理を行う現像処理部と、を含むことを特徴とする。
【0012】
他の発明は、複数の基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、を含むカセットステ−ションと、このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板に対して処理を行う処理ステ−ションと、前記処理ステ−ションと露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイスステ−ションと、を備え、
前記インターフェイスステーションは、レジストが塗布され、露光装置にて露光された基板に対してレジストの解像反応の進行を抑える処理を行う反応抑制部と、露光された基板を反応制御部に受け渡すための搬送アームと、を含み、
前記反応抑制部は、密閉された処理室と、この処理室内に基板を多段に載置するために設けられた棚と、前記処理室内の温度を検出する温度検出部と、この温度検出部にて検出された温度に基づいて気体の温度を調整して前記処理室内に供給する調整部と、各段毎に設けられ、開閉される基板の受け渡し口と、を備え、
前記処理ステーションは、前記反応抑制部にて冷却された基板を加熱して、レジストの解像反応を進行させる加熱部と、前記加熱部にて加熱された基板を冷却して、レジストの解像反応の進行を抑える冷却部と、前記基板に対して現像液の塗布処理を行う現像処理部と、を含むことを特徴とする。
【0013】
このような基板処理装置では、露光装置から加熱部に搬送される間のレジストの解像反応の進行が抑制された状態となり、加熱部では前記解像反応の進行の程度が揃えられた基板に対して前記解像反応が同じ条件で促進されることになる。このため現像処理を行う際には、基板全体に亘って前記解像反応の進行の程度が揃えられた状態となるので、現像線幅のばらつきの発生が抑えられる。
【0014】
この際前記反応抑制部は露光装置の近傍に設けられていることが望ましく、この場合には露光装置と反応抑制部との間の搬送時間が短くなるので、反応抑制部に搬送された基板の前記解像反応の進行の程度がより揃えられた状態となり、より現像線幅の均一性が向上する。
【0015】
ここで前記反応抑制部としては、レジストが塗布され、露光された基板を結露が発生しないように冷却することにより、レジストの解像反応の進行を抑えることを特徴とする構成とすることが望ましい。またレジストが塗布され、露光された基板に付着している水分量を、反応抑制部に搬送されたときの基板に付着している水分量よりも少なくすることにより、レジストの解像反応の進行を抑えることを特徴とし、例えばこの反応抑制部が設けられている雰囲気の空気の湿度よりも湿度の低いガスを基板に供給することにより、基板に付着している水分量を、反応抑制部に搬送されたときの基板に付着している水分量よりも少なくすることを特徴とする構成とすることが望ましい。
【0016】
なお、前記レジストは、例えば露光により発生した酸がレジストの解像反応を進行させる化学増幅型レジストであり、ここでレジストの解像反応とは、露光することにより生成した酸がレジスト材料の主成分であるベ−ス樹脂を分解したり、分子構造を変えて現像液に対して可溶化するという反応である。
【0017】
また上述のインターフェイスステーションは、処理ステーションから受け渡され露光装置に搬送される基板を一旦保持するチャンバと、このチャンバ内の雰囲気を制御する雰囲気コントローラと、を備える構成としてもよい。このような構成においては例えばチャンバ内を減圧したり、チャンバ内に除湿したガス例えば不活性ガスまたは空気の供給を行うようにすることで露光前のレジストの経時変化を抑制し、線幅の均一性を向上させることができる。また、更にガスに温度調整を行うことによりレジストの経時変化を一定化させる効果を加えることも好ましく、この場合、温度をチャンバ外部の雰囲気より低い温度に保つことで経時変化を抑えることができる。
【0018】
前記チャンバは、例えばチャンバ内に導入される基板を一旦保持してパージするパージ室と、基板を待機させるバッファ室と、前記パージ室と前記バッファ室との間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段とを備え、バッファ室に露光装置との間で基板の受け渡しをするための通過口を設けた構成とすることが好ましい。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下に本発明を基板の塗布、現像装置に適用した実施の形態について説明する。図1はこの実施の形態の概略平面図、図2は内部を透視して示す概観図であって、図中S1はカセットステ−ション、S2はウエハWに対してレジストの塗布処理や現像処理等を行うための処理ステ−ション、S3はインタ−フェイスステ−ション、S4は露光装置である。
【0020】
カセットステ−ションS1は、複数の基板例えば25枚のウエハWを収納した例えば4個の基板カセットをなすウエハカセット(以下「カセット」という)22を載置する載置部をなすカセットステ−ジ21と、カセットステ−ジ21上のカセット22と処理ステ−ションS2との間でウエハWの受け渡しを行なうための受け渡し手段をなす受け渡しア−ム23とを備えている。受け渡しアーム23は、昇降自在、X,Y方向に移動自在、鉛直軸まわりに回転自在に構成されている。
【0021】
また処理ステ−ションS2は、例えば2個の現像ユニットD(D1,D2)と、2個の塗布ユニットC(C1,C2)と、例えば3個の棚ユニットR(R1,R2,R3)と、例えば1個の基板搬送手段MAと、を備えており、カセットステ−ションS1とインタ−フェイスステ−ションS3との間でウエハWの受け渡しを行うと共に、当該ステ−ションS2内ではウエハWにレジスト液を塗布する処理と、ウエハWの現像処理と、これらの処理の前後にウエハWを所定の温度に加熱し、冷却する処理とを行うように構成されている。
【0022】
このような処理ステーションS2のレイアウトの一例について説明すると、前記受け渡しア−ム23の奥側には、例えばカセットステーションS1から奥を見て例えば右側には現像ユニットDや塗布ユニットC等を備えた処理ユニットUが2段に亘って設けられている。つまり2個の現像処理部をなす現像ユニットD1,D2が、カセットステージ21のカセットの配列方向とほぼ直交する方向に現像ユニットD1を手前側にして2個並んで配置されており、これら現像ユニットD1,D2の下段には2個の塗布ユニットC1,C2が塗布ユニットC1を手前側にして並んで設けられている。なお以降の説明では、カセットステーションS1側を手前側、露光装置S4側を奥側として述べることにする。
【0023】
またこれら処理ユニットUのカセットステーションS1から見て左側には、塗布ユニットCと現像ユニットDと棚ユニットRとの間でウエハWの受け渡しを行うための、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成された基板搬送手段MAが設けられている。そしてこの基板搬送手段MAのカセットステーションS1側から見て手前側には棚ユニットR1、奥側には棚ユニットR2、左側には棚ユニットR3が夫々配置されている。但し図2には便宜上棚ユニットR3と基板搬送手段MAは省略してある。
前記棚ユニットR1,R3は、図3に棚ユニットR1を代表して示すように、ウエハWを加熱するための加熱部31と、ウエハWを冷却するための冷却部32と、ウエハ表面を疎水化するための疎水化部33と、棚ユニットR1においてはカセットステーションS1の受け渡しアーム23と基板搬送手段MAとの間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡し台を備えた受け渡し部34と、棚ユニットR1においてはウエハWの位置合わせを行うためのアライメント部35とが縦に配列されている。
【0024】
前記加熱部31は、例えばヒータが内蔵された加熱プレートの表面にウエハWを載置することにより、当該ウエハWが所定温度まで加熱されるように構成されており、前記冷却部32は、例えばサーモモジュールが内蔵された冷却プレ−トの表面にウエハWを載置することにより、当該ウエハWが所定温度まで冷却されるようになっている。
また前記棚ユニットR2は、図4に示すように、ウエハWを加熱し、その後冷却するためのCHP装置(Chilling Hot Plate Process Station)と、後述するインターフェイスステーションS3の搬送アームAと基板搬送手段MAとの間でウエハWの受け渡しを行うための受け渡し台を備えた受け渡し部40とが縦に配列されている。
【0025】
前記CHP装置4は、例えば図5に示すように、ウエハWを加熱するための加熱部をなす加熱プレ−ト41と、ウエハWを冷却するための冷却プレ−ト42とを備えており、先ずウエハWを加熱プレ−ト41に載置して所定温度まで加熱した後(図5(a)参照)、例えば加熱プレ−ト41からウエハWを例えば突出ピン43で持ち上げると共に、冷却プレ−ト42を搬送手段44によりウエハWの下方側の位置まで移動させてウエハWを冷却プレ−ト42に受け渡し((図5(b),(c)参照)、その後ウエハWを載置したまま冷却プレ−ト42を加熱プレ−ト41の側方の位置まで移動させてウエハWを所定温度まで冷却するようになっており((図5(d))、この装置では加熱プレ−ト41と冷却プレ−ト42との間のウエハWの受け渡しによって加熱時間が制御されるので、オ−バ−ベ−クが防止される。
【0026】
また現像ユニットDについて例えば図6に基づいて説明すると、51はカップであり、このカップ51内に真空吸着機能を有する回転自在なスピンチャック52が設けられている。このスピンチャック52は昇降機構53により昇降自在に構成されており、カップ51の上方側に位置しているときに、前記基板搬送手段MAの後述するア−ム61との間でウエハWの受け渡しが行われる。
【0027】
このウエハWの受け渡しについては、ア−ム61上のウエハWをカップ51の上方側にてスピンチャック52がその下方側から相対的に上昇して受取り、またその逆の動作によってスピンチャック52側からア−ム61に受け渡される。54は処理液の吐出ノズル、55は処理液供給管、56はノズルを水平移動させる支持ア−ムである。
【0028】
前記吐出ノズル54は、例えばウエハWの直径方向に配列された多数の供給孔を備えるように構成され、スピンチャック52上のウエハWの表面に吐出ノズル54から現像液を吐出し、スピンチャック52を半回転させることによりウエハW上に現像液の液盛りが行われ、現像液の液膜が形成されるようになっている。また塗布ユニットCは現像ユニットDとほぼ同一の構成であるが、塗布ユニットCは吐出ノズル54が例えばウエハWのほぼ中心付近に処理液を供給するように構成され、スピンチャック52上のウエハWの表面に吐出ノズル54から処理液であるレジスト液を滴下し、スピンチャック52を回転させてレジスト液をウエハW上に伸展させ塗布するようになっている。
【0029】
さらにこれら処理ユニットUは空間が閉じられている。つまり例えば図6に示すように、現像ユニットD等は壁部57により他の空間から区画されていると共に、現像ユニットD1と塗布ユニットC1との間のような各部の間も仕切り壁に58より区画されており、前記壁部の現像ユニットD1等の各部の、基板搬送手段MAのアーム61に対応する位置には受け渡し口50が形成されている。
【0030】
また壁部57及び仕切り壁58により区画された各部には、不純物が除去され、所定の温度例えば現像液の塗布温度である23℃、及び所定湿度に調整された空気が送出されるようになっており、これによりこれらの領域はいわば高精度に調整された雰囲気になっている。
【0031】
つまり例えば区画された処理ユニットUには、例えば図6に示すようにフィルタユニットF1が上部側を覆うように設けられており、処理ユニットUの下部側から回収される雰囲気が工場排気系に排気される一方、一部がフィルタ装置59へと導入され、このフィルタ装置59にて清浄化された空気が、前記フィルタユニットF1を介して各部内にダウンフロ−として吹き出されるようになっている。
【0032】
前記フィルタユニットF1は、例えば空気を清浄化するためのフィルタ、化学増幅型レジストを用いる場合には、空気中のアルカリ成分例えばアンモニア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されている化学フィルタ、吸い込みファン等を備えている。また前記フィルタ装置59は、不純物を除去するための不純物除去部や、加熱機構及び加湿機構、空気を送出する送出部等を備えている。
【0033】
例えばレジスト液として化学増幅型レジストを用いた場合には、空気中に含まれている微量なアンモニアや壁の塗料などから発生するアミンなどのアルカリ成分がレジスト表面部の酸と接触すると、後述する酸による触媒反応が抑制され、パタ−ンの形状が劣化するためアルカリ成分を除去する必要がある。このため現像処理雰囲気にアルカリ成分が入り込みことを防止する必要があるので、処理ユニットを閉じた空間とし、化学フィルタを用いて外部からのアルカリ成分の侵入を防いでいる。
【0034】
前記基板搬送手段MAは、例えば図7に示すように、ウエハWを保持するための3枚のア−ム61と、このア−ム61を進退自在に支持する基台62と、この基台62を昇降自在に支持する一対の案内レ−ル63,64と、を備えており、これら案内レ−ル63,64を回転駆動部65により回転させることにより、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【0035】
処理ステ−ションS2の隣にはインタ−フェイスステ−ションS3が接続され、このインタ−フェイスステ−ションS3の奥側には、レジスト膜が形成されたウエハWに対して露光を行うための露光装置S4が接続されている。インタ−フェイスステ−ションS3は、ウエハWに対してレジストの解像反応の進行を抑える処理を行うための反応抑制部7を多段に備えた棚ユニットR4と、処理ステ−ションS2と露光装置S4と棚ユニットR4との間でウエハWの受け渡しを行うための搬送アームAと、を備えており、処理ステ−ションS2と露光装置S4との間でウエハWの受け渡しを行うと共に、当該ステ−ションS3内では露光後のウエハWに対して前記反応抑制処理を行うように構成されている。
【0036】
このようなインターフェイスステーションS3のレイアウトの一例について説明すると、例えばカセットステーション側S1から奥を見て例えば右側に棚ユニットR4が設けられており、この左側に、処理ステーションS2の棚ユニットR2と棚ユニットR4と露光装置S4との間でウエハWの受け渡しを行うための、例えば昇降自在、左右、前後に移動自在かつ鉛直軸まわりに回転自在に構成された搬送アームAが設けられている。
【0037】
前記反応抑制部7は、ウエハWを結露が生じない程度に冷却してレジストの解像反応の進行を抑えるためのものであり、例えば図8に示すように、例えばサーモモジュール70が内蔵された冷却プレ−ト71の表面にウエハWを載置することにより、当該ウエハWが所定温度例えばレジストの解像反応が進行しない程度であり、かつ結露が生じない程度の温度例えば10〜15℃程度まで冷却されるようになっている。この冷却プレート71は、例えば搬送アームAのアームに対応する位置にウエハWの受け渡し口75が形成されたケース72内に収納されており、さらに冷却プレート71には当該プレート71に対してウエハWの受け渡しを行うための、昇降機構74により昇降される昇降ピン73が設けられている。
【0038】
前記冷却プレート71のサーモモジュール70は、直流電流を流すことにより、吸熱側から放熱側に熱を移動できる半導体素子のことであり、流す電流量を変えることによって発熱量を制御できるので、これにより反応抑制部7にてウエハWの温度が高精度に調整される。この例では、冷却プレート71の設定温度は、例えばインターフェイスステーションS3内の温度及び湿度を図示しない温湿度計により検出してこの温湿度に基づいて露点を算出し、当該露点以下の温度にならないように図示しない制御部にて制御されている。
【0039】
搬送アームAは、ウエハWを保持するアーム76が1枚であって、このアーム75がカセットステーションS1のカセットの配列方向(Y方向)に移動自在に構成されている他は前記基板搬送手段MAと同様に構成されている。例えば搬送アームAは、回転駆動部65がY方向に設けたガイドレール77に沿って移動できるようになっており、これによりアーム76は、X,Y方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。
【0040】
さらにこのインターフェイスステーションS3は空間が閉じられている。つまり例えば図9に示すように、壁部78により他の空間から区画されており、前記壁部78の搬送アームAのアーム76に対応する位置には受け渡し口79が形成されている。
【0041】
そしてインターフェイスステーションS3には、例えば空気を清浄化するためのフィルタ、化学増幅型レジストを用いる場合には、空気中のアルカリ成分例えばアンモニア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されている化学フィルタ、吸い込みファン等を備えたフィルタユニットF2が上部側を覆うように設けられており、清浄化された空気が、このフィルタユニットF2を介してダウンフロ−として吹き出されるようになっている。
【0042】
次に上述の実施の形態の作用について説明する。先ず自動搬送ロボット(あるいは作業者)により例えば25枚のウエハWを収納したカセット22がカセットステ−ジ21に搬入され、受け渡しア−ム23によりカセット22内からウエハWが取り出されて処理ステ−ションS2の棚ユニットR1の受け渡し部34に置かれる。
【0043】
このウエハWは基板搬送手段MA→棚ユニットR1,R3の疎水化部33→基板搬送手段MA→棚ユニットR1,R3の冷却部32→基板搬送手段MA→塗布ユニットCの経路で搬送され、ウエハ表面が疎水化された後、所定温度まで冷却されて温度調整が行われ、塗布ユニットCにて所定温度例えば23℃でレジスト液が塗布される。
【0044】
こうしてレジスト液が塗布されたウエハWは、基板搬送手段MA→棚ユニットR1,R3の加熱部31→基板搬送手段MA→棚ユニットR1,R3の冷却部32→の経路で搬送されて温度調整が行われ、続いて基板搬送手段MA→棚ユニットR2の受け渡し部40→インタ−フェイスステ−ションS3の搬送アームA→露光装置S4の経路で搬送されて、露光が行われる。
【0045】
露光後のウエハWは露光装置S4→インターフェイスステーションS3の搬送アームA→棚ユニットR4の反応抑制部7の経路で搬送されて、この反応抑制部7ではウエハWを冷却プレート71の表面に昇降ピン73と搬送アームAとの協同作用により受け渡し、予め所定温度に設定された冷却プレート71の上にウエハWを所定時間以上載置することにより、ウエハWをレジストの解像反応の進行を抑え、かつ結露が生じない程度の温度例えば10〜15℃まで冷却する処理が行われる。
【0046】
ここで化学増幅型レジストについて説明すると、このレジストは図10に示す用に、主成分であるベース樹脂81と、現像液に対するベース樹脂81の溶解を抑制するための保護基82と、光酸発生剤83とを含み、少ない露光エネルギーで露光領域全体が感光する性質を有している。
【0047】
この種のレジストでは、例えば図10(a)に示すように、露光することにより光酸発生剤83から酸84が発生し、次いで図10(b)に示すように、加熱処理を行うことにより、熱エネルギーを利用して、この酸84で樹脂81から保護基82を切断し、アルカリ溶液に可溶な状態にする。次にこの酸84が別の保護基82を切断するため、この反応が連鎖反応的に生じる。続いて冷却処理を行うことによりこの連鎖反応を停止させ、この後図10(c)に示すように、現像処理にて前記連鎖反応でアルカリ溶液に可溶になった領域を除去することにより所定のパターンが形成される。ここで図10中85は基板、86はレジスト、87は所定のパターンが形成されたマスクである。
【0048】
このようなレジストでは露光により生成した酸84が触媒として作用するので、進行は遅くても露光直後からレジストの解像反応(保護基82をベース樹脂81から切断する反応)が進行する。しかしながらこの解像反応の進行速度は温度に依存し、室温よりも低く、しかも結露を発生させない程度の温度例えば10〜15℃程度の温度では進行速度がかなり遅くなり、解像反応の進行を抑えた状態とすることにできる。従って露光後のウエハWを反応抑制部7で10〜15℃程度の温度に冷却することにより、レジストの解像反応の進行は抑えられた状態となる。なお反応抑制部7ではウエハWの冷却温度を結露しない程度とするのは、ウエハW表面に露水が付着した場合、レジスト界面への酸84(表面付近の酸84)がレジスト液中に吸収され、不均一な解像進行及び現像線幅を招いてしまうので、これを防ぐためという理由による。
【0049】
こうして所定温度まで冷却されたウエハWは、インターフェイスステーションS3の搬送アームA→処理ステーションS2の棚ユニットR2の受け渡し部40→基板搬送手段MA→棚ユニットR2のCHP装置4→基板搬送手段MA→現像ユニットDの経路で搬送され、CHP装置4の加熱プレート41にて所定の温度まで加熱された後、冷却プレート42により所定温度まで冷却されて温度調整が行われ、次いでウエハWは現像ユニットDにて所定温度例えば現像液の塗布温度である23℃で現像処理される。
【0050】
ここでこの例ではCHP装置4の加熱プレート41にて、前記酸84で樹脂81から保護基82を切断し、アルカリ溶液に可溶な状態にするという加熱処理が行われ、冷却プレート42にて、前記連鎖反応を停止させるという冷却処理が行われる。
【0051】
その後ウエハWは基板搬送手段MA→棚ユニットR1,R3の加熱部31→基板搬送手段MA→棚ユニットR1,R3の冷却部32→基板搬送手段MA→棚ユニットRの受け渡し部34→受け渡しア−ム23の経路で搬送され、一旦所定温度まで加熱された後、所定温度まで冷却されたウエハWは、受け渡し部34を介して例えば元のカセット22内に戻される。
【0052】
ここで処理ステ−ションS2では、ウエハWは順次棚ユニットR1の受け渡し部34に送られ、続いて空いている疎水化部33→棚ユニットR1,R3の空いている冷却部32→空いている塗布ユニットC→棚ユニットR1,R3の空いている加熱部31→棚ユニットR1,R3の開いている冷却部32→インタ−フェイスステ−ションS3の経路で搬送され、また露光後のウエハWはインタ−フェイスステ−ションS3の棚ユニットR4の開いている反応抑制部7→処理ステーションS2の棚ユニットR2の開いているCHP装置4→開いている現像ユニットD→棚ユニットR1,R3の開いている加熱部31→棚ユニットR1,R3の開いている冷却部32→棚ユニットR1の受け渡し部34の経路で搬送されればよい。
【0053】
上述実施の形態では、露光後に反応抑制部7にてウエハWを結露を生じない程度の温度に冷却しているので現像線幅の均一性を高めることができる。つまり露光装置S4にて露光されたウエハWは反応抑制部7にて所定の温度まで冷却されるが、この露光装置S4→反応抑制部7までの搬送時間は一定であるので、この搬送の間のレジストの解像反応の進行の程度はほぼ同じである。
【0054】
また反応抑制部7ではウエハWを結露しない程度であってレジストの解像反応の進行を抑える程度まで冷却しているので、ここにあるウエハWは前記解像反応の進行はほぼ抑えられた状態にあるといえる。従って次工程であるCHP装置4への搬送をこの反応抑制部7にて待機するようにすれば、CHP装置4に搬送されたときのウエハWの前記解像反応の進行の程度がほぼ同じ状態になる。このため当該装置4の加熱プレート41では常に同じ状態のウエハWに対して加熱処理が行われることになるので、当該加熱プレート41でも前記解像反応の進行の程度が揃えられ、こうして現像線幅のばらつきの発生が抑えられ、現像線幅の均一性が高められる。
【0055】
以上において本実施の形態では、反応抑制部7は、冷却プレート71に冷媒を通流させてウエハWを冷却する構成としてもよく、反応抑制部7を例えば図11に示すように構成してもよい。この例は周囲から区画され密閉された処理室90内に、ウエハWを多段に載置するための棚91を設け、処理室90内に、所定温度のガスを供給して、これによりウエハWをレジストの解像反応の進行を抑え、かつ結露を生じない程度の温度に調整するというものである。
【0056】
図11中92は処理室90内に供給するガスの貯留タンクであり、93は貯留タンク92からのガスを所定の温度に調整した後、処理室90内に送出する調整部93である。この例では温度検出部94にて検出された処理室90内の温度に基づいて制御部95により調整部93にて調整されるガスの温度が制御されるようになっている。また処理室90内に供給されるガスとしては、空気や、窒素等の不活性ガス、及び空気と不活性ガス等の混合気体等を用いることができる。 また以上では反応抑制部7にてウエハWの温度管理を行うようにしたが、ウエハWに付着した水分量を管理することにより、レジストの解像反応の進行を抑えるようにしてもよい。つまりアセタール系化学増幅型レジストは、レジストの解像反応の際、45%程度の湿度が必要であり、湿度が十分でない場合には解像反応が起こりにくいという性質を有している。このため反応抑制部7内の湿度を例えば20%以下程度の低湿度状態として、この中でウエハWを所定時間以上待機させることによりウエハWの付着水分量を、反応抑制部7に搬送された時にウエハWに付着していた水分量よりも少なくすれば、レジストの解像反応の進行をかなり抑えることができる。
【0057】
具体的には、図8に示す反応抑制部7では、貯留タンクからケース内に調整部にて湿度が調整されたガスを供給するように構成し、ケース内の湿度に基づいて制御部により調整部にて調整されるガスの温度を制御するように構成すればよい。ここでケース内に供給されるガスとしては、空気や、窒素等の不活性ガス、空気と不活性ガスの混合気体等を用いることができる。また図11に示す反応抑制部7では、湿度検出部にて検出された処理室90内の湿度に基づいて制御部95により調整部93にて調整されるガスの湿度を制御するようにすればよい。
【0058】
さらに反応抑制部では、ウエハWの温度管理と付着水分量の管理とを組み合わせて行うようにしてもよく、この場合にはレジストの解像反応の進行をより抑制することができるので、より高い現像線幅の均一性を確保することができる。
【0059】
また反応抑制部7はインターフェイスステーションS3に限らず処理ステーションS2内に設置するようにしてもよいが、露光装置S4と反応抑制部7との間の搬送領域の温度や湿度が変化しやすい場合には、搬送時間が短い程、当該搬送の際のレジストの解像反応の進行の程度が揃うので、反応抑制部7はインターフェイスステーションS3内に設置することが望ましく、さらに露光装置S4の近傍に設置することが望ましい。
【0060】
さらに反応抑制部7の冷却プレート71の設定温度を、例えば検出された温湿度より算出される露点より所定温度幅例えば1℃〜3℃高い値が最適値となるように制御部にて設定するようにしてもよく、この場合レジストの種類により前記所定温度幅が変えられる。また雰囲気中の温湿度により、相対湿度(雰囲気水分量に対する冷却温度より求められる値)が85%±5%となる冷却温度を算出し、この温度に基づいて冷却プレート71の温度を所定の温度幅で制御するようにしてもよい。さらに冷却プレート71の制御温度幅を予め設定しておき、この温度幅が、露点や相対湿度により算出された所定の温度幅に収まらない場合に前記冷却プレート71の制御温度幅を補正するように制御してもよい。
【0061】
また本実施の形態におけるインターフェイスステーションS3は、例えば現像線幅の均一性を更に高めるべく、例えば図12に示すような構成としてもよい。図中101は箱状のチャンバであり、該チャンバ101内に導入されるウエハWを一旦保持してパージするパージ室102と、ウエハWを保持するバッファ室103と、パージ室102とバッファ室103との間に配置され、パージ室102からバッファ室103にウエハWを搬送する搬送装置104とで構成され、パージ室102及びバッファ室103はウエハWを多段に収容できるようになっている。
【0062】
パージ室102には搬送アームAからウエハWを搬入するための通過口102aと、該パージ室102から搬送装置104にウエハWを受け渡すための通過口102bが、バッファ室103には露光装置S4の図示しないイン・ステージにウエハWを搬出するための通過口103aが設けられており、各通過口102a、102b、103aは図示しないシャッタを備えている。また、チャンバ101内は雰囲気コントローラ105により雰囲気が制御できるようになっており、例えばチャンバ内を減圧し、またはチャンバ内に例えば除湿したガス例えば窒素等の不活性ガスや空気の供給を行うように構成されている。加えて、雰囲気コントローラ105にてチャンバ101内の温度制御を行うようにしてもよいが、この場合チャンバ101の外部雰囲気よりも低い温度とすることが好ましい。
【0063】
上述構成において、ウエハWがパージ室102に搬入されると、先ずパージ室102を大気圧よりも減圧状態とする減圧パージが行われる。この減圧パージでは、露光前レジストの経時変化要因となる酸素、塩基性物質オゾン、有機物等をチャンバ101内から低減させ、レジスト表面に付着することを防止でき、またそれらの物質のうち既に表面に付着したものについては、これを脱離させることができる。更にまたパージ室102内は減圧により温度が低下するため、レジストの経時変化が抑えられる。しかる後、ウエハWは搬送装置104によりパージ室102から一旦バッファ室103にウエハWが受け渡され、通過口103aを介して露光装置S4へ搬送される。
【0064】
このように本実施の形態によれば、雰囲気の制御されたチャンバ101内で処理ステーションS2から受け渡され露光装置S4に搬送されるウエハWを一旦保持するように構成したので、例えば露光前のレジストの経時変化を抑制でき、この結果、線幅の均一性を向上させることができる。
【0065】
以上において本発明では、疎水化処理の代わりに、レジストを塗布する前にウエハWの表面に反射防止膜を形成するようにしてもよい。この場合にはウエハWは反射防止膜を形成する処理を行う前に所定の温度まで冷却されるので、例えば反射防止膜を形成するユニットを処理ユニットUに追加し、搬送領域の温度に基づいて反射防止膜を形成するユニットにウエハWが搬送されたときに、ウエハWが当該処理を行う温度になるように、搬送領域の温度に基づいて冷却部4の温度制御が行われる。
【0066】
なお反射防止膜を形成するのは、化学増幅型のレジストを用いると露光時にレジストの下側で反射が起こるので、これを防止するためである。さらにまた本発明は、基板としてはウエハに限らず、液晶ディスプレイ用のガラス基板であってもよい。
【0067】
【発明の効果】
本発明によれば、基板を露光装置から加熱部までレジストの解像反応の進行を抑えた状態で搬送しているので、現像線幅の均一性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係る塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【図2】前記塗布、現像装置を示す概観斜視図である。
【図3】前記塗布、現像装置の棚ユニット及び現像ユニットの一例を示す側面図である。
【図4】前記塗布、現像装置の棚ユニットの一例を示す側面図である。
【図5】前記棚ユニットに設けられたCHP装置を示す断面図である。
【図6】前記現像ユニットの一例を示す断面図である。
【図7】基板搬送手段を示す断面図である。
【図8】反応抑制部の一例を示す断面図である。
【図9】インターフェイスステーションの一例を示す斜視図である。
【図10】化学増幅型レジストの解像反応を示す説明図である。
【図11】反応抑制部の他の例を示す断面図である。
【図12】インターフェイスステーションの他の実施例を示す説明図である。
【図13】従来の塗布、現像装置を示す概略平面図である。
【符号の説明】
W 半導体ウエハ
S1 カセットステ−ション
S2 処理ステ−ション
S3 インタ−フェイスステ−ション
S4 露光装置
23 受け渡しア−ム
3 温度検出部
30 制御部
7 反応抑制部
71 冷却プレート
92 ガス供給部
C 塗布ユニット
D 現像ユニット
R 棚ユニット
MA 基板搬送手段
A 搬送アーム
Claims (12)
- 複数の基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、を含むカセットステ−ションと、このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板に対して処理を行う処理ステ−ションと、前記処理ステ−ションと露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイスステ−ションと、を備え、
前記インターフェイスステーションは、レジストが塗布され、露光装置にて露光された基板をレジストの解像反応の進行を抑えるために冷却する冷却プレートを備えた反応抑制部が多段に積層されたユニットと、露光された基板を各段の冷却プレートに受け渡すための搬送アームと、を含み、
前記処理ステーションは、前記反応抑制部にて冷却された基板を加熱して、レジストの解像反応を進行させる加熱部と、前記加熱部にて加熱された基板を冷却して、レジストの解像反応の進行を抑える冷却部と、前記基板に対して現像液の塗布処理を行う現像処理部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 複数の基板を収納した基板カセットを載置する載置部と、この載置部に載置された基板カセットに対して基板の受け渡しを行う受け渡し手段と、を含むカセットステ−ションと、このカセットステ−ションに接続され、前記受け渡し手段により搬送された基板に対して処理を行う処理ステ−ションと、前記処理ステ−ションと露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイスステ−ションと、を備え、
前記インターフェイスステーションは、レジストが塗布され、露光装置にて露光された基板に対してレジストの解像反応の進行を抑える処理を行う反応抑制部と、露光された基板を反応制御部に受け渡すための搬送アームと、を含み、
前記反応抑制部は、密閉された処理室と、この処理室内に基板を多段に載置するために設けられた棚と、前記処理室内の温度を検出する温度検出部と、この温度検出部にて検出された温度に基づいて気体の温度を調整して前記処理室内に供給する調整部と、各段毎に設けられ、開閉される基板の受け渡し口と、を備え、
前記処理ステーションは、前記反応抑制部にて冷却された基板を加熱して、レジストの解像反応を進行させる加熱部と、前記加熱部にて加熱された基板を冷却して、レジストの解像反応の進行を抑える冷却部と、前記基板に対して現像液の塗布処理を行う現像処理部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記反応抑制部は露光装置の近傍に設けられていることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理装置。
- 前記反応抑制部は、レジストが塗布され、露光された基板を結露が発生しないような温度に冷却することにより、レジストの解像反応の進行を抑えることを特徴とする請求項1,2又は3記載の基板処理装置。
- 前記反応抑制部は、レジストが塗布され、露光された基板に付着している水分量を、反応抑制部に搬送されたときの基板に付着している水分量よりも少なくすることにより、レジストの解像反応の進行を抑えることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記反応抑制部は、この反応抑制部が設けられている雰囲気の空気の湿度よりも湿度の低いガスを基板に供給することにより、基板に付着している水分量を、反応抑制部に搬送されたときの基板に付着している水分量よりも少なくすることを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
- インターフェイスステーションは、処理ステーションから受け渡され露光装置に搬送される基板を一旦保持するチャンバと、
このチャンバ内の雰囲気を制御する雰囲気コントローラと、を具備することを特徴とする請求項1ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。 - 雰囲気コントローラはチャンバ内を減圧するものであることを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。
- 雰囲気コントローラはチャンバ内に不活性ガスを供給するものであることを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。
- 雰囲気コントローラはチャンバ内にドライエアーを供給するものであることを特徴とする請求項7記載の基板処理装置。
- チャンバは、該チャンバ内に搬入される基板を一旦保持してパージするパージ室と、基板を待機させるバッファ室と、前記パージ室と前記バッファ室との間で基板の受け渡しを行う受け渡し手段とを備えることを特徴とする請求項7ないし10のいずれかに記載の基板処理装置。
- バッファ室は、露光装置との間で基板の受け渡しをするための通過口を有することを特徴とする請求項11記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001025266A JP3645492B2 (ja) | 2000-02-01 | 2001-02-01 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000024221 | 2000-02-01 | ||
JP2000-24221 | 2000-02-01 | ||
JP2001025266A JP3645492B2 (ja) | 2000-02-01 | 2001-02-01 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001291664A JP2001291664A (ja) | 2001-10-19 |
JP3645492B2 true JP3645492B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=26584655
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001025266A Expired - Fee Related JP3645492B2 (ja) | 2000-02-01 | 2001-02-01 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3645492B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101370733B1 (ko) * | 2007-07-09 | 2014-03-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3911624B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2007-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
JP4568231B2 (ja) * | 2003-12-01 | 2010-10-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
JP2011222834A (ja) * | 2010-04-12 | 2011-11-04 | Hoya Corp | ベーク処理装置、レジストパターン形成方法、フォトマスクの製造方法、及び、ナノインプリント用モールドの製造方法 |
JP5397399B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
JP6423331B2 (ja) * | 2015-10-13 | 2018-11-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板ストック装置 |
JP7162541B2 (ja) * | 2019-01-22 | 2022-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、及び基板処理方法、及び記憶媒体 |
WO2023139937A1 (ja) * | 2022-01-19 | 2023-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送システム |
-
2001
- 2001-02-01 JP JP2001025266A patent/JP3645492B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101370733B1 (ko) * | 2007-07-09 | 2014-03-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001291664A (ja) | 2001-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100698352B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
US8848161B2 (en) | Resist coating and developing apparatus, resist coating and developing method, resist-film processing apparatus, and resist-film processing method | |
US7641404B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR101061647B1 (ko) | 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 | |
JP3943828B2 (ja) | 塗布、現像装置及びパターン形成方法 | |
US7722267B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US20090073394A1 (en) | Substrate processing apparatus with multi-speed drying | |
US20060291854A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US20130293856A1 (en) | Coating and developing apparatus, coating film forming method, and storage medium storing program for performing the method | |
TWI386976B (zh) | 塗布顯影裝置及塗布顯影裝置之操作方法與記憶媒體 | |
US8894775B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2002118051A (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
JPH09260275A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
US6467976B2 (en) | Coating and developing system | |
JP3818631B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011061142A (ja) | レジスト塗布現像装置およびレジスト塗布現像方法 | |
JP3645492B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR100573618B1 (ko) | 기판처리방법 및 기판처리장치 | |
JP2004055766A (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
JP3710979B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3718633B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2000058437A (ja) | レジスト塗布方法 | |
JP3590327B2 (ja) | 塗布現像処理システム | |
JP2001110701A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2000200749A (ja) | 液処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040701 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040727 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050118 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050203 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080210 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110210 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140210 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |