JPH09260275A - 処理方法及び処理装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 被処理体の解像不良を防止し、歩留まりの向
上及び装置の信頼性の向上を図ること。 【解決手段】 塗布処理部１０、現像処理部２０及びイ
ンター・フェース部３０のうち、少なくとも塗布処理部
１０及びインター・フェース部３０内の雰囲気中の解像
不良を起こす不純物濃度を検出し、その検出された濃度
値と予め記憶された解像不良しきい値あるいはそれより
低い値とをＣＰＵ６０にて比較処理して、解像不良しき
い値あるいはそれより低い値に基いて塗布処理部１０及
びインター・フェース部３０内の雰囲気中の不純物濃度
を所定値以下に制御する。
上及び装置の信頼性の向上を図ること。 【解決手段】 塗布処理部１０、現像処理部２０及びイ
ンター・フェース部３０のうち、少なくとも塗布処理部
１０及びインター・フェース部３０内の雰囲気中の解像
不良を起こす不純物濃度を検出し、その検出された濃度
値と予め記憶された解像不良しきい値あるいはそれより
低い値とをＣＰＵ６０にて比較処理して、解像不良しき
い値あるいはそれより低い値に基いて塗布処理部１０及
びインター・フェース部３０内の雰囲気中の不純物濃度
を所定値以下に制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、処理方法及び処
理装置に関するものである。
理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程には、被処理
体例えばシリコン基板等の半導体ウエハに処理液例えば
フォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術を
用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を露
光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。
体例えばシリコン基板等の半導体ウエハに処理液例えば
フォトレジスト液を塗布し、フォトリソグラフィ技術を
用いて回路パターン等を縮小してフォトレジスト膜を露
光し、これを現像処理する一連の処理工程がある。
【０００３】この処理工程は、半導体デバイスの高集積
化において極めて重要なプロセスであり、例えば６４Ｍ
ＤＲＡＭから２５６ＭＤＲＡＭの生産においては、従来
のレジスト液に代って化学増幅型レジスト液を使用する
プロセスが必要である。
化において極めて重要なプロセスであり、例えば６４Ｍ
ＤＲＡＭから２５６ＭＤＲＡＭの生産においては、従来
のレジスト液に代って化学増幅型レジスト液を使用する
プロセスが必要である。
【０００４】上記処理を行う装置として、被処理体例え
ば半導体ウエハの表面に処理液例えばレジスト液を塗布
してレジスト膜を形成する塗布装置、半導体ウエハ表面
に塗布されたレジスト膜に所定のパターンを有するマス
ク部材を介して光源からの光を照射して回路パターンを
露光する露光装置、及び露光後の半導体ウエハの表面に
現像液を塗布して現像処理を行う現像装置等の処理装置
が使用されている。これら処理装置は、一般に、未処理
あるいは処理済みの半導体ウエハを収容するカセット
（容器）と、これらカセットとの間で半導体ウエハを搬
出又は搬入する搬送機構とを具備するカセットステーシ
ョン（搬入・搬出部）と塗布処理部あるいは現像処理部
等とを組合わせた構造である。したがって、半導体ウエ
ハにレジスト液を塗布し、露光し、現像するためにはこ
れら各処理装置を組合わせて使用する必要がある。
ば半導体ウエハの表面に処理液例えばレジスト液を塗布
してレジスト膜を形成する塗布装置、半導体ウエハ表面
に塗布されたレジスト膜に所定のパターンを有するマス
ク部材を介して光源からの光を照射して回路パターンを
露光する露光装置、及び露光後の半導体ウエハの表面に
現像液を塗布して現像処理を行う現像装置等の処理装置
が使用されている。これら処理装置は、一般に、未処理
あるいは処理済みの半導体ウエハを収容するカセット
（容器）と、これらカセットとの間で半導体ウエハを搬
出又は搬入する搬送機構とを具備するカセットステーシ
ョン（搬入・搬出部）と塗布処理部あるいは現像処理部
等とを組合わせた構造である。したがって、半導体ウエ
ハにレジスト液を塗布し、露光し、現像するためにはこ
れら各処理装置を組合わせて使用する必要がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、化学増
幅型レジスト液は環境依存性が高く、雰囲気中に、例え
ばアンモニアやＮＭＰ（Ｎ−methyl・2pyrrolidinone）
の有機アミン、極性分子が存在すると、解像不良を起こ
す虞れがある。
幅型レジスト液は環境依存性が高く、雰囲気中に、例え
ばアンモニアやＮＭＰ（Ｎ−methyl・2pyrrolidinone）
の有機アミン、極性分子が存在すると、解像不良を起こ
す虞れがある。
【０００６】すなわち、露光された半導体ウエハの表面
に現像液を供給して現像処理を施す工程において、回路
パターンの正確な線幅が得られず、集積度の高精度の性
能が充分得られないという問題がある。この高集積度の
対応について発明者等は鋭意研究した結果、明らかでは
ないが、以下の理由により回路パターンの正確な線幅が
得られないと推測される。
に現像液を供給して現像処理を施す工程において、回路
パターンの正確な線幅が得られず、集積度の高精度の性
能が充分得られないという問題がある。この高集積度の
対応について発明者等は鋭意研究した結果、明らかでは
ないが、以下の理由により回路パターンの正確な線幅が
得られないと推測される。
【０００７】すなわち、未処理の半導体ウエハ表面に
付着した微粒子等のウエハ表面汚染物を除去する洗浄液
にアンモニアを使用するため、雰囲気中にアルカリ成分
が生成される。レジスト液を半導体ウエハ表面に塗布
する前工程として半導体ウエハ表面の疎水化処理を行う
際に、アミン系溶剤が使用されるため、アミン等のアル
カリ成分が生成される。露光処理時の異常露光の発生
を防止するために使用する反射防止膜である塗布剤の溶
剤としてアミン系溶剤を使用するため、同様にアミン等
のアルカリ成分が生成される。
付着した微粒子等のウエハ表面汚染物を除去する洗浄液
にアンモニアを使用するため、雰囲気中にアルカリ成分
が生成される。レジスト液を半導体ウエハ表面に塗布
する前工程として半導体ウエハ表面の疎水化処理を行う
際に、アミン系溶剤が使用されるため、アミン等のアル
カリ成分が生成される。露光処理時の異常露光の発生
を防止するために使用する反射防止膜である塗布剤の溶
剤としてアミン系溶剤を使用するため、同様にアミン等
のアルカリ成分が生成される。
【０００８】上記，，の工程、すなわち洗浄処理
工程、疎水化処理工程及び露光処理工程において発生し
たアルカリ成分が露光工程後の焼成工程や現像工程など
の雰囲気に流入することにより、上記焼成時や現像時に
回路パターンの正確な線幅が得られず、ＩＣ素子の歩留
まりの低下を招くものと考えられる。
工程、疎水化処理工程及び露光処理工程において発生し
たアルカリ成分が露光工程後の焼成工程や現像工程など
の雰囲気に流入することにより、上記焼成時や現像時に
回路パターンの正確な線幅が得られず、ＩＣ素子の歩留
まりの低下を招くものと考えられる。
【０００９】したがって、装置の雰囲気中のこの種のア
ルカリ成分すなわち解像不良を起因する不純物の濃度を
低下させる必要がある。そのため、各装置の処理室に例
えばケミカルフィルタを配置して上記不純物の濃度を低
下させている。しかし、ケミカルフィルタの経時変化等
によって雰囲気濃度が許容安全値を上回るため、各装置
内の雰囲気濃度を検出して、ケミカルフィルタの交換等
を行わなければならない。
ルカリ成分すなわち解像不良を起因する不純物の濃度を
低下させる必要がある。そのため、各装置の処理室に例
えばケミカルフィルタを配置して上記不純物の濃度を低
下させている。しかし、ケミカルフィルタの経時変化等
によって雰囲気濃度が許容安全値を上回るため、各装置
内の雰囲気濃度を検出して、ケミカルフィルタの交換等
を行わなければならない。
【００１０】上記問題を解決する手段として、従来で
は、各装置内の雰囲気を採取して、雰囲気中の解像不良
不純物の濃度を解析する方法が行われているが、この方
法では、濃度検出に時間を要し、半導体ウエハの上記処
理を連続的に行うシステムにおいては、歩留まりの低下
をきたすと共に、装置の信頼性が低下するという問題が
あった。
は、各装置内の雰囲気を採取して、雰囲気中の解像不良
不純物の濃度を解析する方法が行われているが、この方
法では、濃度検出に時間を要し、半導体ウエハの上記処
理を連続的に行うシステムにおいては、歩留まりの低下
をきたすと共に、装置の信頼性が低下するという問題が
あった。
【００１１】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、歩留まりの向上を図ると共に、装置の信頼性の向上
を図れるようにした処理方法及び処理装置を提供するこ
とを目的とするものである。
で、歩留まりの向上を図ると共に、装置の信頼性の向上
を図れるようにした処理方法及び処理装置を提供するこ
とを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の処理方法は、被処理体に処理液を塗
布した後、被処理体を露光処理し、露光処理された被処
理体を温度調整した後、現像処理する処理方法を前提と
し、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至
るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起
こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値の解像不
良しきい値に基いて上記各処理部の雰囲気を制御するよ
うにしたことを特徴とする。
に、請求項１記載の処理方法は、被処理体に処理液を塗
布した後、被処理体を露光処理し、露光処理された被処
理体を温度調整した後、現像処理する処理方法を前提と
し、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至
るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起
こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値の解像不
良しきい値に基いて上記各処理部の雰囲気を制御するよ
うにしたことを特徴とする。
【００１３】この場合、検出された濃度値の解像不良し
きい値より低い値に基いて各処理部の雰囲気を制御する
ようにしてもよい（請求項２）。
きい値より低い値に基いて各処理部の雰囲気を制御する
ようにしてもよい（請求項２）。
【００１４】請求項３記載の処理方法は、被処理体に処
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
被処理体の処理を停止することを特徴とする。
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
被処理体の処理を停止することを特徴とする。
【００１５】請求項４記載の処理方法は、被処理体に処
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
処理部及び処理部外の被処理体を処理した後、処理を停
止することを特徴とする。
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
処理部及び処理部外の被処理体を処理した後、処理を停
止することを特徴とする。
【００１６】請求項５記載の処理方法は、被処理体に処
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
処理が施される被処理体の全ての処理を行った後、処理
を停止することを特徴とする。
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出された濃度値
が所定値に達した際に、所定の表示を行うと共に、上記
処理が施される被処理体の全ての処理を行った後、処理
を停止することを特徴とする。
【００１７】請求項６記載の処理方法は、被処理体に処
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出すると共に、上記処理
部の外部の環境雰囲気中における解像不良を起こす不純
物の濃度を検出し、検出された所定の濃度値に基いて、
上記各処理部の雰囲気及び外部環境雰囲気を制御するこ
とを特徴とする。
理液を塗布した後、被処理体を露光処理し、露光処理さ
れた被処理体を温度調整した後、現像処理する処理方法
を前提とし、少なくとも上記処理液の塗布処理から現像
処理に至るまでの上記被処理体の雰囲気中における解像
不良を起こす不純物の濃度を検出すると共に、上記処理
部の外部の環境雰囲気中における解像不良を起こす不純
物の濃度を検出し、検出された所定の濃度値に基いて、
上記各処理部の雰囲気及び外部環境雰囲気を制御するこ
とを特徴とする。
【００１８】上記請求項１ないし６のいずれかに記載の
処理方法において、異なる処理部で検出された濃度値の
差が所定以上に達した際に、再度検出を実行する方が好
ましい（請求項７）。
処理方法において、異なる処理部で検出された濃度値の
差が所定以上に達した際に、再度検出を実行する方が好
ましい（請求項７）。
【００１９】また、請求項８記載の処理装置は、被処理
体に処理液を塗布する塗布処理部と、露光処理された被
処理体を所定温度に加熱する加熱部と、被処理体を所定
温度に冷却する冷却部と、被処理体を現像する現像処理
部と、露光処理部との間で被処理体を受け渡す中継部
と、上記各処理部及び中継部との間で被処理体を搬入・
搬出する搬送手段とを具備する処理装置を前提とし、少
なくとも上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部の
雰囲気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検出
する濃度検出手段と、 上記濃度検出手段からの検出信
号と予め記憶された情報信号とを比較処理する制御手段
と、 上記制御手段からの信号により解像不良しきい値
を知らせる警報表示手段と、を具備することを特徴とす
る。
体に処理液を塗布する塗布処理部と、露光処理された被
処理体を所定温度に加熱する加熱部と、被処理体を所定
温度に冷却する冷却部と、被処理体を現像する現像処理
部と、露光処理部との間で被処理体を受け渡す中継部
と、上記各処理部及び中継部との間で被処理体を搬入・
搬出する搬送手段とを具備する処理装置を前提とし、少
なくとも上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部の
雰囲気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検出
する濃度検出手段と、 上記濃度検出手段からの検出信
号と予め記憶された情報信号とを比較処理する制御手段
と、 上記制御手段からの信号により解像不良しきい値
を知らせる警報表示手段と、を具備することを特徴とす
る。
【００２０】請求項９記載の処理装置は、被処理体に処
理液を塗布する塗布処理部と、露光処理された被処理体
を所定温度に加熱する加熱部と、被処理体を所定温度に
冷却する冷却部と、被処理体を現像する現像処理部と、
露光処理部との間で被処理体を受け渡す中継部と、上記
各処理部及び中継部との間で被処理体を搬入・搬出する
搬送手段とを具備する処理装置を前提とし、 少なくと
も上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部の雰囲気
中における解像不良を起こす不純物の濃度を検出する第
１の濃度検出手段と、 上記塗布処理部、加熱部、冷却
部及び中継部の外部の環境雰囲気中における解像不良を
起こす不純物の濃度を検出する第２の濃度検出手段と、
上記第１及び第２の濃度検出手段からの検出信号と予
め記憶された情報信号とを比較処理する制御手段と、
上記制御手段からの信号により解像不良しきい値を知ら
せる警報表示手段と、を具備することを特徴とする。
理液を塗布する塗布処理部と、露光処理された被処理体
を所定温度に加熱する加熱部と、被処理体を所定温度に
冷却する冷却部と、被処理体を現像する現像処理部と、
露光処理部との間で被処理体を受け渡す中継部と、上記
各処理部及び中継部との間で被処理体を搬入・搬出する
搬送手段とを具備する処理装置を前提とし、 少なくと
も上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部の雰囲気
中における解像不良を起こす不純物の濃度を検出する第
１の濃度検出手段と、 上記塗布処理部、加熱部、冷却
部及び中継部の外部の環境雰囲気中における解像不良を
起こす不純物の濃度を検出する第２の濃度検出手段と、
上記第１及び第２の濃度検出手段からの検出信号と予
め記憶された情報信号とを比較処理する制御手段と、
上記制御手段からの信号により解像不良しきい値を知ら
せる警報表示手段と、を具備することを特徴とする。
【００２１】請求項１０記載の処理装置は、上記請求項
８又は９記載の処理装置において、上記濃度検出手段
が、塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部からそれぞ
れ採取される空気を純水中で解析して、解像不良を起こ
す不純物の濃度を検出する濃度分析器であることを特徴
とする。
８又は９記載の処理装置において、上記濃度検出手段
が、塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部からそれぞ
れ採取される空気を純水中で解析して、解像不良を起こ
す不純物の濃度を検出する濃度分析器であることを特徴
とする。
【００２２】この発明によれば、被処理体の雰囲気中に
おける解像不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出さ
れた濃度値を解像不良しきい値とを比較することができ
るので、被処理体の処理部の雰囲気を絶えず管理するこ
とができる。また、解像不良しきい値あるいはしきい値
より低い値を所定の表示手段で表示すると共に、被処理
体の処理動作の続行・停止を促すことにより、オペレー
タに処理部の雰囲気状態を知らせることができると共
に、被処理体のダメージを抑制することができる。した
がって、被処理体の処理雰囲気中の解像不良を起こす不
純物の濃度を絶えず管理して、最適な状態で被処理体の
処理を行うことができるので、歩留まりの向上が図れる
共に、装置の信頼度の向上が図れる。
おける解像不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出さ
れた濃度値を解像不良しきい値とを比較することができ
るので、被処理体の処理部の雰囲気を絶えず管理するこ
とができる。また、解像不良しきい値あるいはしきい値
より低い値を所定の表示手段で表示すると共に、被処理
体の処理動作の続行・停止を促すことにより、オペレー
タに処理部の雰囲気状態を知らせることができると共
に、被処理体のダメージを抑制することができる。した
がって、被処理体の処理雰囲気中の解像不良を起こす不
純物の濃度を絶えず管理して、最適な状態で被処理体の
処理を行うことができるので、歩留まりの向上が図れる
共に、装置の信頼度の向上が図れる。
【００２３】
【発明の実施の形態】次に、この発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明に係る処理装置を半導体ウエハへのレジスト液塗
布・現像処理システムに適用した場合について説明す
る。
付図面に基いて詳細に説明する。この実施形態では、こ
の発明に係る処理装置を半導体ウエハへのレジスト液塗
布・現像処理システムに適用した場合について説明す
る。
【００２４】上記レジスト液塗布・現像処理システム
は、図１に示すように、未処理の被処理体例えば半導体
ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する第１のカセ
ット１ａ（容器）と処理済みのウエハＷを収容する第２
のカセット１ｂ（容器）を所定位置に配置し、これら容
器１ａ及び１ｂとの間でウエハＷの搬出又は搬入を行う
ウエハＷの搬送用ピンセット２（搬送機構）と受渡し用
載置台３を具備するカセットステーション４（搬入・搬
出部）と、このカセットステーション４に隣接して配設
されてウエハＷの表面にレジスト膜を形成する塗布処理
部１０と、この塗布処理部１０に隣接して配設されて露
光処理されたウエハＷを現像処理する現像処理部２０
と、この現像処理部２０との間に、受渡し用載置台３１
を具備するインター・フェース部３０（中継部）を介し
て配設されて塗布処理されたウエハＷに所定のマスク部
材Ｍを介して光源から紫外光を照射してレジスト膜に所
定の回路パターンを露光する露光装置４０（露光処理
部）とで主要部が構成されている。
は、図１に示すように、未処理の被処理体例えば半導体
ウエハＷ（以下にウエハという）を収容する第１のカセ
ット１ａ（容器）と処理済みのウエハＷを収容する第２
のカセット１ｂ（容器）を所定位置に配置し、これら容
器１ａ及び１ｂとの間でウエハＷの搬出又は搬入を行う
ウエハＷの搬送用ピンセット２（搬送機構）と受渡し用
載置台３を具備するカセットステーション４（搬入・搬
出部）と、このカセットステーション４に隣接して配設
されてウエハＷの表面にレジスト膜を形成する塗布処理
部１０と、この塗布処理部１０に隣接して配設されて露
光処理されたウエハＷを現像処理する現像処理部２０
と、この現像処理部２０との間に、受渡し用載置台３１
を具備するインター・フェース部３０（中継部）を介し
て配設されて塗布処理されたウエハＷに所定のマスク部
材Ｍを介して光源から紫外光を照射してレジスト膜に所
定の回路パターンを露光する露光装置４０（露光処理
部）とで主要部が構成されている。
【００２５】また、上記塗布処理部１０、現像処理部２
０及びインター・フェース部３０は、解像不良を起こす
不純物例えばアンモニアやＮＭＰ（Ｎ−methyl・2pyrrol
idinone）の有機アミン、極性分子成分（以下に不純物
という）の濃度を検出する濃度検出手段例えば不純物成
分分析器５０（以下に濃度分析器という）によって内部
雰囲気中の不純物成分濃度が検出されるように構成され
ている。この不純物成分分析器５０によって検出された
検出信号は、制御手段例えば中央演算処理装置６０（Ｃ
ＰＵ）に送信され、ＣＰＵ６０において予め記憶された
情報例えば不純物濃度値の解像不良しきい値（例えばア
ンモニアの場合１ｐｐｂ）あるいはその値より低い値と
比較処理されて、モニター７０やアラーム（図示せず）
等の表示手段にて表示されるように構成されている。
０及びインター・フェース部３０は、解像不良を起こす
不純物例えばアンモニアやＮＭＰ（Ｎ−methyl・2pyrrol
idinone）の有機アミン、極性分子成分（以下に不純物
という）の濃度を検出する濃度検出手段例えば不純物成
分分析器５０（以下に濃度分析器という）によって内部
雰囲気中の不純物成分濃度が検出されるように構成され
ている。この不純物成分分析器５０によって検出された
検出信号は、制御手段例えば中央演算処理装置６０（Ｃ
ＰＵ）に送信され、ＣＰＵ６０において予め記憶された
情報例えば不純物濃度値の解像不良しきい値（例えばア
ンモニアの場合１ｐｐｂ）あるいはその値より低い値と
比較処理されて、モニター７０やアラーム（図示せず）
等の表示手段にて表示されるように構成されている。
【００２６】上記塗布処理部１０と現像処理部２０の中
央部には、直線状の搬送路５が敷設されており、この搬
送路５を移動可能な搬送機構６が設けられている。この
搬送機構６には水平面内でＸ，Ｙ方向及び垂直方向（Ｚ
方向）に移動し、かつ回転（θ）自在なウエハ搬送アー
ム７が設けられている。
央部には、直線状の搬送路５が敷設されており、この搬
送路５を移動可能な搬送機構６が設けられている。この
搬送機構６には水平面内でＸ，Ｙ方向及び垂直方向（Ｚ
方向）に移動し、かつ回転（θ）自在なウエハ搬送アー
ム７が設けられている。
【００２７】上記塗布処理部１０において、搬送機構６
の搬送路５の側縁に沿う一方の側には、ブラシ洗浄部１
１，疎水化処理工程を実行するアドヒージョン部１２ａ
と冷却部１２ｂとを積み重ねて設けたアドヒージョン部
／冷却部１２及びベーク部１３（第１の熱処理部）が一
列に隣接して配置されている。また、搬送路５の他方の
側には、ジェット水洗浄部１４と個数例えば２個のレジ
スト液（具体的には通常のレジスト液と反射防止用レジ
スト液）をスピンコーティングするレジスト塗布部１５
ａ，１５ｂが一列に隣接して配置され、レジスト塗布部
１５ａ，１５ｂとベーク部１３とが搬送路５を介して対
向配置されている。このように搬送路５を介してベーク
部１３とレジスト塗布部１５ａ，１５ｂとを離した状態
で対向配置することにより、ベーク部１３の熱がレジス
ト塗布部１５ａ，１５ｂに伝わるのを防止することがで
き、レジスト塗布処理に際して熱的影響を受けるのを防
止することができる。
の搬送路５の側縁に沿う一方の側には、ブラシ洗浄部１
１，疎水化処理工程を実行するアドヒージョン部１２ａ
と冷却部１２ｂとを積み重ねて設けたアドヒージョン部
／冷却部１２及びベーク部１３（第１の熱処理部）が一
列に隣接して配置されている。また、搬送路５の他方の
側には、ジェット水洗浄部１４と個数例えば２個のレジ
スト液（具体的には通常のレジスト液と反射防止用レジ
スト液）をスピンコーティングするレジスト塗布部１５
ａ，１５ｂが一列に隣接して配置され、レジスト塗布部
１５ａ，１５ｂとベーク部１３とが搬送路５を介して対
向配置されている。このように搬送路５を介してベーク
部１３とレジスト塗布部１５ａ，１５ｂとを離した状態
で対向配置することにより、ベーク部１３の熱がレジス
ト塗布部１５ａ，１５ｂに伝わるのを防止することがで
き、レジスト塗布処理に際して熱的影響を受けるのを防
止することができる。
【００２８】上記現像処理部２０において、搬送機構６
の搬送路５の側縁に沿う一方の側には、露光後のレジス
ト膜を化学増感するための２個のベーク部２１（第２の
熱処理部）が一列に隣接して配置されている。また、搬
送路５の他方の側には、ベーク部２１と対向して個数例
えば２個の現像部２２例えば現像液を回転塗布する現像
装置が隣接して配置されている。このように、ベーク部
２１と現像部２２とを搬送路５を介して離した状態で対
向配置することにより、ベーク部２１の熱が現像部２２
に伝わるのを防止することができ、現像処理に際して熱
的影響を受けるのを防止することができる。
の搬送路５の側縁に沿う一方の側には、露光後のレジス
ト膜を化学増感するための２個のベーク部２１（第２の
熱処理部）が一列に隣接して配置されている。また、搬
送路５の他方の側には、ベーク部２１と対向して個数例
えば２個の現像部２２例えば現像液を回転塗布する現像
装置が隣接して配置されている。このように、ベーク部
２１と現像部２２とを搬送路５を介して離した状態で対
向配置することにより、ベーク部２１の熱が現像部２２
に伝わるのを防止することができ、現像処理に際して熱
的影響を受けるのを防止することができる。
【００２９】上記露光装置４０は、ウエハＷを受け渡し
するためのインター・フェース部３０を介して上記現像
処理部２０に連接されており、この露光装置４０には、
ウエハ載置台４１と光照射手段（図示せず）が設けられ
ている。また、この露光装置４０の一側にはウエハ載置
台４１上に載置されたウエハＷの上面に配設されるマス
ク部材Ｍを収容する容器４３が配置され、この容器４３
とウエハ載置台４１との間でマスク部材Ｍを受渡しする
マスク部材搬送アーム４２がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及び回
転（θ）自在に設けられている。また、露光装置４０に
は、この露光装置４０と現像処理部２０との間に配置さ
れたインター・フェース部３０との間でウエハＷの受渡
しを行うウエハ搬送アーム４４がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及
び回転（θ）自在に設けられている。
するためのインター・フェース部３０を介して上記現像
処理部２０に連接されており、この露光装置４０には、
ウエハ載置台４１と光照射手段（図示せず）が設けられ
ている。また、この露光装置４０の一側にはウエハ載置
台４１上に載置されたウエハＷの上面に配設されるマス
ク部材Ｍを収容する容器４３が配置され、この容器４３
とウエハ載置台４１との間でマスク部材Ｍを受渡しする
マスク部材搬送アーム４２がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及び回
転（θ）自在に設けられている。また、露光装置４０に
は、この露光装置４０と現像処理部２０との間に配置さ
れたインター・フェース部３０との間でウエハＷの受渡
しを行うウエハ搬送アーム４４がＸ，Ｙ方向、Ｚ方向及
び回転（θ）自在に設けられている。
【００３０】また、上記のように構成される塗布処理部
１０及び現像処理部２０の側方及び上方はカバーによっ
て覆われており、処理部内に清浄化された空気が供給さ
れるように構成されている。この空気清浄機構８０につ
いて、図２に示す塗布処理部１０を代表して説明する
と、筐体８１によって形成される処理部を覆うカバー８
２の上部側にダクト８３が形成され、このダクト８３と
処理部内とを連通する連通路８４内には、上から順にケ
ミカルフィルタ８５，送風ファン８６及びＵＬＰＡフィ
ルタ８７が配設され、更にレジスト塗布部１５ａ，１５
ｂの上方にＵＬＰＡフィルタ８７が配設されて、不純物
成分濃度が所定値以下に抑制され、かつ清浄化された空
気が処理部内にダウンフロー状態で供給されるようにな
っている。また、処理部中央の搬送路５の底部には排気
通路８８が設けられており、この排気通路８８内に排気
ファン８９が配設されて、上方より処理部内に供給され
た清浄な空気が搬送路５及びレジスト塗布部１５ａ，１
５ｂに供給された後、下方に排気されるようになってい
る。なおこの場合、ＵＬＰＡフィルタ８７が連通路８４
とレジスト塗布部１５ａ，１５ｂの上方の２箇所に配設
されているが、必ずしも２箇所に配設する必要はなく、
少なくともいずれか１箇所に配設すればよい。
１０及び現像処理部２０の側方及び上方はカバーによっ
て覆われており、処理部内に清浄化された空気が供給さ
れるように構成されている。この空気清浄機構８０につ
いて、図２に示す塗布処理部１０を代表して説明する
と、筐体８１によって形成される処理部を覆うカバー８
２の上部側にダクト８３が形成され、このダクト８３と
処理部内とを連通する連通路８４内には、上から順にケ
ミカルフィルタ８５，送風ファン８６及びＵＬＰＡフィ
ルタ８７が配設され、更にレジスト塗布部１５ａ，１５
ｂの上方にＵＬＰＡフィルタ８７が配設されて、不純物
成分濃度が所定値以下に抑制され、かつ清浄化された空
気が処理部内にダウンフロー状態で供給されるようにな
っている。また、処理部中央の搬送路５の底部には排気
通路８８が設けられており、この排気通路８８内に排気
ファン８９が配設されて、上方より処理部内に供給され
た清浄な空気が搬送路５及びレジスト塗布部１５ａ，１
５ｂに供給された後、下方に排気されるようになってい
る。なおこの場合、ＵＬＰＡフィルタ８７が連通路８４
とレジスト塗布部１５ａ，１５ｂの上方の２箇所に配設
されているが、必ずしも２箇所に配設する必要はなく、
少なくともいずれか１箇所に配設すればよい。
【００３１】上記空気清浄機構８０は、インター・フェ
ース部３０にも配設されており、インター・フェース部
３０内に清浄な空気が供給されるように構成されてい
る。
ース部３０にも配設されており、インター・フェース部
３０内に清浄な空気が供給されるように構成されてい
る。
【００３２】また、上記濃度分析器５０は、図２に示す
ように、純水５１を収容するタンク５２を具備してお
り、例えば塗布処理部１０内のレジスト塗布部１５ａ，
１５ｂの上方位置に吸入口５３を有する採取管５４と接
続されると共に、図示しない吸気ファンを具備する排気
管５５と接続されている。この濃度分析器５０により、
レジスト塗布部１５ａ，１５ｂ内の雰囲気空気がタンク
５２内に採取され、純水５１中で解析されて処理雰囲気
中の不純物成分の濃度が検出される。そして、その検出
信号すなわち検出された不純物濃度値はＣＰＵ６０に送
られ、ＣＰＵ６０に予め記憶された解像不良を起こす不
純物濃度値のしきい値例えばアンモニア濃度１ｐｐｂと
比較されて、モニター７０にて表示されると共に、濃度
値が１ｐｐｂ以上の場合にはアラーム表示されるように
なっている。この場合、不純物濃度値が解像不良しきい
値（１ｐｐｂ）より低い値例えばアンモニア濃度０．７
ｐｐｂ以上に達した時に上記アラーム表示を行えるよう
にすれば、処理部の雰囲気が不十分になる前に処理部の
雰囲気状態を知ることができ、解像不良が生じる前に余
裕をもって例えばケミカルフィルタ８５の交換等を行う
ことができる。
ように、純水５１を収容するタンク５２を具備してお
り、例えば塗布処理部１０内のレジスト塗布部１５ａ，
１５ｂの上方位置に吸入口５３を有する採取管５４と接
続されると共に、図示しない吸気ファンを具備する排気
管５５と接続されている。この濃度分析器５０により、
レジスト塗布部１５ａ，１５ｂ内の雰囲気空気がタンク
５２内に採取され、純水５１中で解析されて処理雰囲気
中の不純物成分の濃度が検出される。そして、その検出
信号すなわち検出された不純物濃度値はＣＰＵ６０に送
られ、ＣＰＵ６０に予め記憶された解像不良を起こす不
純物濃度値のしきい値例えばアンモニア濃度１ｐｐｂと
比較されて、モニター７０にて表示されると共に、濃度
値が１ｐｐｂ以上の場合にはアラーム表示されるように
なっている。この場合、不純物濃度値が解像不良しきい
値（１ｐｐｂ）より低い値例えばアンモニア濃度０．７
ｐｐｂ以上に達した時に上記アラーム表示を行えるよう
にすれば、処理部の雰囲気が不十分になる前に処理部の
雰囲気状態を知ることができ、解像不良が生じる前に余
裕をもって例えばケミカルフィルタ８５の交換等を行う
ことができる。
【００３３】また、ＣＰＵ６０からの信号が塗布処理部
１０の搬送機構６及びスピンチャック１６の駆動モータ
１７等にフィードバックされている。このように、ＣＰ
Ｕ６０からの信号を塗布処理部１０の搬送機構６及びス
ピンチャック１６の駆動モータ１７等にフィードバック
することにより、搬送機構６及び駆動モータ１７の駆動
を制御して、ウエハＷの塗布処理を、ＣＰＵ６０から送
信されるプログラムによって処理動作を続行あるいは停
止することができる。
１０の搬送機構６及びスピンチャック１６の駆動モータ
１７等にフィードバックされている。このように、ＣＰ
Ｕ６０からの信号を塗布処理部１０の搬送機構６及びス
ピンチャック１６の駆動モータ１７等にフィードバック
することにより、搬送機構６及び駆動モータ１７の駆動
を制御して、ウエハＷの塗布処理を、ＣＰＵ６０から送
信されるプログラムによって処理動作を続行あるいは停
止することができる。
【００３４】上記説明では、濃度分析器５０が塗布処理
部１０に接続される場合について説明したが、現像処理
部２０及びインター・フェース部３０においても同様に
濃度分析器５０が接続されている。
部１０に接続される場合について説明したが、現像処理
部２０及びインター・フェース部３０においても同様に
濃度分析器５０が接続されている。
【００３５】このように、塗布処理部１０、現像処理部
２０及びインター・フェース部３０に濃度分析器５０を
接続することにより、これら各処理部の雰囲気中の不純
物濃度値を検出し、その検出された不純物濃度値をモニ
タリングすることができる。また、検出された不純物濃
度値が解像不良濃度しきい値あるいはそれより低い所定
値に達した際、アラーム表示してオペレータに知らせる
ことができると共に、塗布処理部１０、現像処理部２０
の駆動モータ及び搬送機構６等の動作を、ＣＰＵ６０か
らのプログラムに基いて制御することができる。更に
は、ＣＰＵ６０のプログラムを変えることによって塗布
処理部１０、現像処理部２０及びインター・フェース部
３０で検出された不純物濃度値の差が所定以上になるよ
うな異常事態が生じた場合、自動的に再度検出を実行さ
せることができ、これにより、検出の確認及びトラブル
の原因を究明することができる。
２０及びインター・フェース部３０に濃度分析器５０を
接続することにより、これら各処理部の雰囲気中の不純
物濃度値を検出し、その検出された不純物濃度値をモニ
タリングすることができる。また、検出された不純物濃
度値が解像不良濃度しきい値あるいはそれより低い所定
値に達した際、アラーム表示してオペレータに知らせる
ことができると共に、塗布処理部１０、現像処理部２０
の駆動モータ及び搬送機構６等の動作を、ＣＰＵ６０か
らのプログラムに基いて制御することができる。更に
は、ＣＰＵ６０のプログラムを変えることによって塗布
処理部１０、現像処理部２０及びインター・フェース部
３０で検出された不純物濃度値の差が所定以上になるよ
うな異常事態が生じた場合、自動的に再度検出を実行さ
せることができ、これにより、検出の確認及びトラブル
の原因を究明することができる。
【００３６】上記制御の方法には、例えば不純物濃度値
が１ｐｐｂ以上に達した時、全てのウエハＷの処理動
作を停止する、塗布処理部１０、現像処理部２０及び
これら処理部１０，２０以外の容器１から搬出された未
処理のウエハＷを処理した後、動作を停止する、あるい
は各処理部１０，２０、処理部以外のインター・フェ
ース部３０や搬送中のウエハＷ以外にカセットステーシ
ョン４にセットされた容器１内の全てのウエハＷを処理
した後、動作を停止する、などの制御方法が考えられ
る。このうち、の制御方法によれば、解像不良による
ウエハＷのダメージを押さえることができるが、処理部
１０，２０内に搬入された未処理のウエハＷが無駄にな
るという問題がある。これに対し、の制御方法によれ
ば、解像不良によるウエハＷのダメージは否めないが、
処理部１０，２０内に搬入された未処理のウエハＷを処
理してウエハＷの無駄をなくすことができる。また、
の制御方法によれば、の制御方法と同様解像不良によ
るウエハＷのダメージは否めないが、処理部１０，２０
内に搬入された未処理のウエハＷ及びカセットステーシ
ョン４にセットされた容器１中の未処理のウエハＷを処
理してウエハＷの無駄をなくすことができる。しかし、
動作停止までの時間を要するという問題がある。このよ
うに、制御方法，及びには、それぞれ一長一短が
あるが、解像不良によるダメージを少なくするには、例
えば不純物濃度が解像不良しきい値よりやや低い値に達
した際に制御動作を行うようにするか、あるいは、ウエ
ハＷの処理状態を検知して、処理の進行状況に応じて上
記〜の制御方法を選択するなど、制御方法を適宜選
択して行えばよい。
が１ｐｐｂ以上に達した時、全てのウエハＷの処理動
作を停止する、塗布処理部１０、現像処理部２０及び
これら処理部１０，２０以外の容器１から搬出された未
処理のウエハＷを処理した後、動作を停止する、あるい
は各処理部１０，２０、処理部以外のインター・フェ
ース部３０や搬送中のウエハＷ以外にカセットステーシ
ョン４にセットされた容器１内の全てのウエハＷを処理
した後、動作を停止する、などの制御方法が考えられ
る。このうち、の制御方法によれば、解像不良による
ウエハＷのダメージを押さえることができるが、処理部
１０，２０内に搬入された未処理のウエハＷが無駄にな
るという問題がある。これに対し、の制御方法によれ
ば、解像不良によるウエハＷのダメージは否めないが、
処理部１０，２０内に搬入された未処理のウエハＷを処
理してウエハＷの無駄をなくすことができる。また、
の制御方法によれば、の制御方法と同様解像不良によ
るウエハＷのダメージは否めないが、処理部１０，２０
内に搬入された未処理のウエハＷ及びカセットステーシ
ョン４にセットされた容器１中の未処理のウエハＷを処
理してウエハＷの無駄をなくすことができる。しかし、
動作停止までの時間を要するという問題がある。このよ
うに、制御方法，及びには、それぞれ一長一短が
あるが、解像不良によるダメージを少なくするには、例
えば不純物濃度が解像不良しきい値よりやや低い値に達
した際に制御動作を行うようにするか、あるいは、ウエ
ハＷの処理状態を検知して、処理の進行状況に応じて上
記〜の制御方法を選択するなど、制御方法を適宜選
択して行えばよい。
【００３７】次に、上記のように構成されるこの発明の
処理装置におけるウエハＷの処理工程について、図１及
び図３のフローチャートを参照して説明する。
処理装置におけるウエハＷの処理工程について、図１及
び図３のフローチャートを参照して説明する。
【００３８】まず、カセットステーション４に配置され
た未処理のウエハＷを搬送用ピンセット２によってカセ
ット１ａから受け取って受渡し用載置台３に搬送し、ウ
エハＷの中心位置合わせを行う。次に、ブラシ洗浄部１
１に搬送してブラシ洗浄を行い、ジェット水洗浄部１４
に搬送してジェット水洗浄を行った後、アドヒージョン
部１２ａに搬送して加熱しつつウエハＷとレジストとの
密着性を改善するための疎水化処理を施す。疎水化処理
されたウエハＷは冷却部１２ｂにて冷却された後、レジ
スト塗布部１５ａ，１５ｂに搬送されて、表面にレジス
ト液の塗布が施される。なお、反射防止膜を塗布する場
合には、ウエハＷの表面に反射防止膜塗布を施し、ベー
キングした後、レジスト液の塗布が施される。この際、
塗布処理部１０には補助的に空気清浄機構８０が設けら
れているので、洗浄処理の際に発生した不純物等のアル
カリ成分雰囲気をダウンフローにより排気し、補助的に
除去することができる。レジスト液の塗布が施されたウ
エハＷは再びベーク部１３に搬送されてベークされてレ
ジスト膜中の溶剤を蒸発する。
た未処理のウエハＷを搬送用ピンセット２によってカセ
ット１ａから受け取って受渡し用載置台３に搬送し、ウ
エハＷの中心位置合わせを行う。次に、ブラシ洗浄部１
１に搬送してブラシ洗浄を行い、ジェット水洗浄部１４
に搬送してジェット水洗浄を行った後、アドヒージョン
部１２ａに搬送して加熱しつつウエハＷとレジストとの
密着性を改善するための疎水化処理を施す。疎水化処理
されたウエハＷは冷却部１２ｂにて冷却された後、レジ
スト塗布部１５ａ，１５ｂに搬送されて、表面にレジス
ト液の塗布が施される。なお、反射防止膜を塗布する場
合には、ウエハＷの表面に反射防止膜塗布を施し、ベー
キングした後、レジスト液の塗布が施される。この際、
塗布処理部１０には補助的に空気清浄機構８０が設けら
れているので、洗浄処理の際に発生した不純物等のアル
カリ成分雰囲気をダウンフローにより排気し、補助的に
除去することができる。レジスト液の塗布が施されたウ
エハＷは再びベーク部１３に搬送されてベークされてレ
ジスト膜中の溶剤を蒸発する。
【００３９】上記塗布処理が施されたウエハＷはインタ
ー・フェース部３０の載置台３１に搬送されて位置合わ
せされた後、露光装置４０の搬送アーム４３によって載
置台４１上に搬送され、マスク部材Ｍを介して光源から
の光が照射されて所定のパターンが縮小投影されて露光
される。
ー・フェース部３０の載置台３１に搬送されて位置合わ
せされた後、露光装置４０の搬送アーム４３によって載
置台４１上に搬送され、マスク部材Ｍを介して光源から
の光が照射されて所定のパターンが縮小投影されて露光
される。
【００４０】露光処理されたウエハＷはインター・フェ
ース部３０を介してウエハ搬送アーム７によって現像処
理部２０のベーク部２１に搬送されてベークされた後、
現像部２２に搬送されて現像処理が施される。この際、
現像処理部２０には補助的に空気清浄機構８０が設けら
れているので、塗布処理部１０の疎水化処理や反射防止
膜塗布の際に発生したアミン等のアルカリ成分雰囲気を
ダウンフローにより排気し、補助的に除去することがで
きる。このようにして現像処理されたウエハＷは再びベ
ーク部２１に搬送されてポストベークされてパターン強
度が強化される。
ース部３０を介してウエハ搬送アーム７によって現像処
理部２０のベーク部２１に搬送されてベークされた後、
現像部２２に搬送されて現像処理が施される。この際、
現像処理部２０には補助的に空気清浄機構８０が設けら
れているので、塗布処理部１０の疎水化処理や反射防止
膜塗布の際に発生したアミン等のアルカリ成分雰囲気を
ダウンフローにより排気し、補助的に除去することがで
きる。このようにして現像処理されたウエハＷは再びベ
ーク部２１に搬送されてポストベークされてパターン強
度が強化される。
【００４１】上記のようにして現像が施されたウエハＷ
はカセットステーション４の受渡し用載置台３に搬送さ
れた後、搬送用ピンセット２によって受け取られて処理
済みのウエハＷを収容するカセット１ｂに搬送されて処
理が完了する。
はカセットステーション４の受渡し用載置台３に搬送さ
れた後、搬送用ピンセット２によって受け取られて処理
済みのウエハＷを収容するカセット１ｂに搬送されて処
理が完了する。
【００４２】また、上記のように、ウエハＷを塗布処理
部１０に搬送してレジスト液を塗布し、露光装置４０に
おいてフォトリソグラフィ技術により回路パターン等を
縮小してレジスト膜を露光し、これを現像処理部２０に
搬送して現像処理する一連の処理工程において、上記濃
度分析器５０及びＣＰＵ６０を用いて各処理部１０，２
０及びインター・フェース部３０の不純物濃度値を検出
し、その検出値が解像不良しきい値あるいはそれより低
い所定の値に達した際、モニター７０あるいはアラーム
表示によりオペレータに知らせることができる。したが
って、オペレータは処理部の雰囲気が最適状態でないこ
とを知ることができ、雰囲気中の不純物濃度値を下げる
ためにケミカルフィルタ８５を交換することができる。
また、ＣＰＵ６０からの信号に基いて各処理部１０，２
０及びインター・フェイス部３０の駆動手段や搬送機構
の駆動部の続行・停止を行うことにより、ウエハＷを解
像不良やその他のダメージから回避することができ、歩
留まりの向上を図ることができる。
部１０に搬送してレジスト液を塗布し、露光装置４０に
おいてフォトリソグラフィ技術により回路パターン等を
縮小してレジスト膜を露光し、これを現像処理部２０に
搬送して現像処理する一連の処理工程において、上記濃
度分析器５０及びＣＰＵ６０を用いて各処理部１０，２
０及びインター・フェース部３０の不純物濃度値を検出
し、その検出値が解像不良しきい値あるいはそれより低
い所定の値に達した際、モニター７０あるいはアラーム
表示によりオペレータに知らせることができる。したが
って、オペレータは処理部の雰囲気が最適状態でないこ
とを知ることができ、雰囲気中の不純物濃度値を下げる
ためにケミカルフィルタ８５を交換することができる。
また、ＣＰＵ６０からの信号に基いて各処理部１０，２
０及びインター・フェイス部３０の駆動手段や搬送機構
の駆動部の続行・停止を行うことにより、ウエハＷを解
像不良やその他のダメージから回避することができ、歩
留まりの向上を図ることができる。
【００４３】上記実施形態では、１台のレジスト液塗布
・現像処理システムにおける不純物成分濃度を検出し
て、各処理部の雰囲気を制御する場合について説明した
が、図４に示すように、複数台例えば５台のレジスト液
塗布・現像処理システムの各処理部の雰囲気を同時に制
御することもできると共に、レジスト液塗布・現像処理
システムを設置するクリーンルーム９０内の不純物濃度
値を検出してクリーンルーム９０内の雰囲気を制御する
ことができる。なおこの場合、システム内の各処理部１
０，２０及びインター・フェイス部３０内の解像不良し
きい値とクリーンルーム９０内の解像濃度しきい値は、
環境の違いにより異なり、例えばシステム内の各処理部
１０，２０及びインター・フェイス部３０内の解像不良
しきい値が１ｐｐｂであるのに対し、クリーンルーム９
０内の解像不良しきい値は１０ｐｐｂである。このよう
にシステム内の不純物濃度の他にクリーンルーム９０内
の不純物濃度を検出することにより、ケミカルフィルタ
８５の寿命の予測が可能となり、更に歩留まりの向上を
図ることができる。
・現像処理システムにおける不純物成分濃度を検出し
て、各処理部の雰囲気を制御する場合について説明した
が、図４に示すように、複数台例えば５台のレジスト液
塗布・現像処理システムの各処理部の雰囲気を同時に制
御することもできると共に、レジスト液塗布・現像処理
システムを設置するクリーンルーム９０内の不純物濃度
値を検出してクリーンルーム９０内の雰囲気を制御する
ことができる。なおこの場合、システム内の各処理部１
０，２０及びインター・フェイス部３０内の解像不良し
きい値とクリーンルーム９０内の解像濃度しきい値は、
環境の違いにより異なり、例えばシステム内の各処理部
１０，２０及びインター・フェイス部３０内の解像不良
しきい値が１ｐｐｂであるのに対し、クリーンルーム９
０内の解像不良しきい値は１０ｐｐｂである。このよう
にシステム内の不純物濃度の他にクリーンルーム９０内
の不純物濃度を検出することにより、ケミカルフィルタ
８５の寿命の予測が可能となり、更に歩留まりの向上を
図ることができる。
【００４４】また、上記実施形態では、システム内の各
処理部１０，２０及びインター・フェース部３０内の不
純物濃度値の解像不良しきい値を全て同じ値にする場合
について説明したが、勿論各処理部１０，２０、インタ
ー・フェース部３０毎に別のアラーム表示しきい値を設
定するようにしてもよい。
処理部１０，２０及びインター・フェース部３０内の不
純物濃度値の解像不良しきい値を全て同じ値にする場合
について説明したが、勿論各処理部１０，２０、インタ
ー・フェース部３０毎に別のアラーム表示しきい値を設
定するようにしてもよい。
【００４５】また、上記実施形態では、塗布処理部１
０、現像処理部２０及びインター・フェース部３０にお
けるウエハＷの処理部の雰囲気中の不純物濃度を検出す
る場合について説明したが、露光処理後のプリベークに
より解像不良の原因となる不純物（アンモニア成分等）
が焼成されるため、少なくともレジスト液の塗布処理か
ら現像処理に至るまでのウエハＷの処理部内の雰囲気中
の不純物濃度を検出するようにすればよい。好ましく
は、露光処理後にベーク処理されてからクーリング処理
に至る間に上記不純物濃度を検出する方がよい。
０、現像処理部２０及びインター・フェース部３０にお
けるウエハＷの処理部の雰囲気中の不純物濃度を検出す
る場合について説明したが、露光処理後のプリベークに
より解像不良の原因となる不純物（アンモニア成分等）
が焼成されるため、少なくともレジスト液の塗布処理か
ら現像処理に至るまでのウエハＷの処理部内の雰囲気中
の不純物濃度を検出するようにすればよい。好ましく
は、露光処理後にベーク処理されてからクーリング処理
に至る間に上記不純物濃度を検出する方がよい。
【００４６】また、上記実施形態では、不純物濃度の検
出ポイントを空気清浄機構８０のＵＬＰＡフィルタ８７
の下方近傍位置としているが、不純物濃度の検出ポイン
トを例えば装置内のドア（図示せず）付近に位置させる
ことにより、ドアを開放した時と閉鎖した時の不純物濃
度の変化を検出することができ、ドアの開放により装置
内の不純物濃度が所定値以上に達した際にアラーム表示
することができると共に、装置の動作制御を行うことが
できる。
出ポイントを空気清浄機構８０のＵＬＰＡフィルタ８７
の下方近傍位置としているが、不純物濃度の検出ポイン
トを例えば装置内のドア（図示せず）付近に位置させる
ことにより、ドアを開放した時と閉鎖した時の不純物濃
度の変化を検出することができ、ドアの開放により装置
内の不純物濃度が所定値以上に達した際にアラーム表示
することができると共に、装置の動作制御を行うことが
できる。
【００４７】なお、上記実施形態では、この発明に係る
処理装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適
用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬ
ＣＤ基板等の被処理体にレジスト液を塗布し、露光及び
現像処理する場合にも適用できることは勿論である。
処理装置を半導体ウエハの塗布・現像処理システムに適
用した場合について説明したが、半導体ウエハ以外のＬ
ＣＤ基板等の被処理体にレジスト液を塗布し、露光及び
現像処理する場合にも適用できることは勿論である。
【００４８】
【発明の効果】この発明によれば、被処理体の雰囲気中
における解像不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出
された濃度値を解像不良しきい値とを比較することがで
きるので、被処理体の処理部の雰囲気を絶えず管理する
ことができる。また、解像不良しきい値あるいはしきい
値より低い値を所定の表示手段で表示すると共に、被処
理体の処理動作の続行・停止を促すことにより、オペレ
ータに処理部の雰囲気状態を知らせることができると共
に、被処理体のダメージを抑制することができるので、
被処理体の処理雰囲気中の解像不良を起こす不純物の濃
度を絶えず管理して、最適な状態で被処理体の処理を行
うことができ。したがって、歩留まりの向上が図れる共
に、装置の信頼性の向上を図ることができる。
における解像不良を起こす不純物の濃度を検出し、検出
された濃度値を解像不良しきい値とを比較することがで
きるので、被処理体の処理部の雰囲気を絶えず管理する
ことができる。また、解像不良しきい値あるいはしきい
値より低い値を所定の表示手段で表示すると共に、被処
理体の処理動作の続行・停止を促すことにより、オペレ
ータに処理部の雰囲気状態を知らせることができると共
に、被処理体のダメージを抑制することができるので、
被処理体の処理雰囲気中の解像不良を起こす不純物の濃
度を絶えず管理して、最適な状態で被処理体の処理を行
うことができ。したがって、歩留まりの向上が図れる共
に、装置の信頼性の向上を図ることができる。
【図１】この発明に係る処理装置の一例を示す半導体ウ
エハのレジスト液塗布・現像システムの概略平面図であ
る。
エハのレジスト液塗布・現像システムの概略平面図であ
る。
【図２】この発明における塗布処理部の概略断面図であ
る。
る。
【図３】この発明の処理方法の処理工程を説明するフロ
ーチャートである。
ーチャートである。
【図４】この発明の処理方法の別の形態を示す概略平面
図である。
図である。
【符号の説明】 Ｗ 半導体ウエハ（被処理体） １０ 塗布処理部 １３ ベーク部 １５ａ，１５ｂ レジスト塗布部 ２０ 現像処理部 ２１ ベーク部 ２２ 現像部 ３０ インター・フェース部（中継部） ４０ 露光装置 ５０ 濃度分析器（濃度検出手段） ６０ ＣＰＵ（制御手段） ７０ モニター（表示手段） ８０ 空気清浄機構 ８５ ケミカルフィルタ ９０ クリーンルーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神澤 敬子 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレ クトロン株式会社プロセス開発センター内 (72)発明者 片野 貴之 山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレ クトロン株式会社プロセス開発センター内
Claims (10)
- 【請求項１】 被処理体に処理液を塗布した後、被処理
体を露光処理し、露光処理された被処理体を温度調整し
た後、現像処理する処理方法において、 少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至るま
での上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起こす
不純物の濃度を検出し、検出された濃度値の解像不良し
きい値に基いて上記各処理部の雰囲気を制御するように
したことを特徴とする処理方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の処理方法において、 検出された濃度値の解像不良しきい値より低い値に基い
て各処理部の雰囲気を制御するようにしたことを特徴と
する処理方法。 - 【請求項３】 被処理体に処理液を塗布した後、被処理
体を露光処理し、露光処理された被処理体を温度調整し
た後、現像処理する処理方法において、 少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至るま
での上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起こす
不純物の濃度を検出し、検出された濃度値が所定値に達
した際に、所定の表示を行うと共に、上記被処理体の処
理を停止することを特徴とする処理方法。 - 【請求項４】 被処理体に処理液を塗布した後、被処理
体を露光処理し、露光処理された被処理体を温度調整し
た後、現像処理する処理方法において、 少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至るま
での上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起こす
不純物の濃度を検出し、検出された濃度値が所定値に達
した際に、所定の表示を行うと共に、上記処理部及び処
理部外の被処理体を処理した後、処理を停止することを
特徴とする処理方法。 - 【請求項５】 被処理体に処理液を塗布した後、被処理
体を露光処理し、露光処理された被処理体を温度調整し
た後、現像処理する処理方法において、 少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至るま
での上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起こす
不純物の濃度を検出し、検出された濃度値が所定値に達
した際に、所定の表示を行うと共に、上記処理が施され
る被処理体の全ての処理を行った後、処理を停止するこ
とを特徴とする処理方法。 - 【請求項６】 被処理体に処理液を塗布した後、被処理
体を露光処理し、露光処理された被処理体を温度調整し
た後、現像処理する処理方法において、 少なくとも上記処理液の塗布処理から現像処理に至るま
での上記被処理体の雰囲気中における解像不良を起こす
不純物の濃度を検出すると共に、上記処理部の外部の環
境雰囲気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検
出し、検出された所定の濃度値に基いて、上記各処理部
の雰囲気及び外部環境雰囲気を制御することを特徴とす
る処理方法。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかに記載の処
理方法において、 異なる処理部で検出された濃度値の差が所定以上に達し
た際に、再度検出を実行するようにしたことを特徴とす
る処理方法。 - 【請求項８】 被処理体に処理液を塗布する塗布処理部
と、露光処理された被処理体を所定温度に加熱する加熱
部と、被処理体を所定温度に冷却する冷却部と、被処理
体を現像する現像処理部と、露光処理部との間で被処理
体を受け渡す中継部と、上記各処理部及び中継部との間
で被処理体を搬入・搬出する搬送手段とを具備する処理
装置において、 少なくとも上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部
の雰囲気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検
出する濃度検出手段と、 上記濃度検出手段からの検出信号と予め記憶された情報
信号とを比較処理する制御手段と、 上記制御手段からの信号により解像不良しきい値を知ら
せる表示手段と、を具備することを特徴とする処理装
置。 - 【請求項９】 被処理体に処理液を塗布する塗布処理部
と、露光処理された被処理体を所定温度に加熱する加熱
部と、被処理体を所定温度に冷却する冷却部と、被処理
体を現像する現像処理部と、露光処理部との間で被処理
体を受け渡す中継部と、上記各処理部及び中継部との間
で被処理体を搬入・搬出する搬送手段とを具備する処理
装置において、 少なくとも上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部
の雰囲気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検
出する第１の濃度検出手段と、 上記塗布処理部、加熱部、冷却部及び中継部の外部の環
境雰囲気中における解像不良を起こす不純物の濃度を検
出する第２の濃度検出手段と、 上記第１及び第２の濃度検出手段からの検出信号と予め
記憶された情報信号とを比較処理する制御手段と、 上記制御手段からの信号により解像不良しきい値を知ら
せる表示手段と、を具備することを特徴とする処理装
置。 - 【請求項１０】 請求項８又は９記載の処理装置におい
て、 上記濃度検出手段が、塗布処理部、加熱部、冷却部及び
中継部からそれぞれ採取される空気を純水中で解析し
て、解像不良を起こす不純物の濃度を検出する濃度分析
器であることを特徴とする処理装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09475296A JP3218425B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 処理方法及び処理装置 |
| TW086103595A TW358220B (en) | 1996-03-25 | 1997-03-21 | Method and apparatus for processing of substrate photoresist |
| US08/823,470 US5932380A (en) | 1996-03-25 | 1997-03-24 | Method of processing resist utilizing alkaline component monitoring |
| EP97105041A EP0798598A3 (en) | 1996-03-25 | 1997-03-25 | Method of processing resist onto substrate and resist processing apparatus |
| KR1019970010284A KR100357313B1 (ko) | 1996-03-25 | 1997-03-25 | 기판의레지스트처리방법및레지스트처리장치 |
| US09/277,734 US6097469A (en) | 1996-03-25 | 1999-03-29 | Method of processing resist onto substrate and resist processing apparatus |
| US09/277,735 US6017663A (en) | 1996-03-25 | 1999-03-29 | Method of processing resist utilizing alkaline component monitoring |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09475296A JP3218425B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 処理方法及び処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260275A true JPH09260275A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3218425B2 JP3218425B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=14118859
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09475296A Expired - Fee Related JP3218425B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 処理方法及び処理装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US5932380A (ja) |
| EP (1) | EP0798598A3 (ja) |
| JP (1) | JP3218425B2 (ja) |
| KR (1) | KR100357313B1 (ja) |
| TW (1) | TW358220B (ja) |
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| US6875281B2 (en) * | 2000-05-11 | 2005-04-05 | Tokyo Electron Limited | Method and system for coating and developing |
| DE19901426B4 (de) * | 1998-04-21 | 2008-04-03 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen |
| US7630052B2 (en) | 2004-01-05 | 2009-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Exposure processing system, exposure processing method and method for manufacturing a semiconductor device |
| JP2014067833A (ja) * | 2012-09-25 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH11274050A (ja) * | 1998-03-25 | 1999-10-08 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
| KR20010014319A (ko) * | 1998-05-01 | 2001-02-26 | 히가시 데츠로 | 막 두께 측정 장치, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
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