JP2559617B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ウエハ等の基板を処理する基板処理装置に
関し、例えば半導体製造工程においてフォトリソグラフ
ィ用のレジスト膜を塗布により生成する装置、露光後の
現像を行なう装置、ウエハへ不純物をドーピングさせる
膜を塗布により生成する装置、またはウエハ上の素子の
層間絶縁膜もしくはパシベーション膜を塗布により生成
する装置等に関するものである。
関し、例えば半導体製造工程においてフォトリソグラフ
ィ用のレジスト膜を塗布により生成する装置、露光後の
現像を行なう装置、ウエハへ不純物をドーピングさせる
膜を塗布により生成する装置、またはウエハ上の素子の
層間絶縁膜もしくはパシベーション膜を塗布により生成
する装置等に関するものである。
［従来技術］ 第８図は、塗布部、オーブン部、現像部あるいはウエ
ハカセット載置部が平面配置された従来の半導体製造装
置の平面配置図である。同図において、SE1,SE2はウエ
ハ送出側のウエハカセット載置部、PEBは露光後のレジ
スト膜を強固にするオーブン部、DBは塗布前にウエハ上
の水分を除去するためのオーブン部、DEVは現像部、CT
はレジスト塗布部、DPB現像後のレジストの引き締める
ためのオーブン部、CPBは塗布後のレジスト乾燥オーブ
ン部、RE1,RE2がウエハ収納部のウエハカセット載置
部、OPは乾燥パネルを示す。
ハカセット載置部が平面配置された従来の半導体製造装
置の平面配置図である。同図において、SE1,SE2はウエ
ハ送出側のウエハカセット載置部、PEBは露光後のレジ
スト膜を強固にするオーブン部、DBは塗布前にウエハ上
の水分を除去するためのオーブン部、DEVは現像部、CT
はレジスト塗布部、DPB現像後のレジストの引き締める
ためのオーブン部、CPBは塗布後のレジスト乾燥オーブ
ン部、RE1,RE2がウエハ収納部のウエハカセット載置
部、OPは乾燥パネルを示す。
［発明が解決しようとする課題］ このように従来のこの種の基板処理装置では、装置の
各構成部は平面配置されており、半導体製造工場の高価
なクリーンルームでの床占有面積が大きくなる欠点があ
った。また、処理手順に従って各部が一列に配置されて
いるため、各部が専有化され共通化による装置の低価格
化や形状寸法の縮小化が計れないという欠点があった。
さらに、処理手順に依存した構成となるため、複数の処
理工程に対する融通性に欠けるという問題点があった。
各構成部は平面配置されており、半導体製造工場の高価
なクリーンルームでの床占有面積が大きくなる欠点があ
った。また、処理手順に従って各部が一列に配置されて
いるため、各部が専有化され共通化による装置の低価格
化や形状寸法の縮小化が計れないという欠点があった。
さらに、処理手順に依存した構成となるため、複数の処
理工程に対する融通性に欠けるという問題点があった。
本発明は、上述の従来例の問題点に鑑み、床占有面積
をより少なくし、装置全体として低価格化や形状寸法の
縮小化を計ることができ、また種々の処理工程に対応で
きるような融通性を有する基板処理装置を提供すること
を目的とする。
をより少なくし、装置全体として低価格化や形状寸法の
縮小化を計ることができ、また種々の処理工程に対応で
きるような融通性を有する基板処理装置を提供すること
を目的とする。
同時に、基板処理装置を装置の各構成部へ清浄な空気
をまたは温調された清浄な空気を送れる構造とし、クリ
ーンルーム内の他の装置と基板受け渡しをする部分のみ
クリーンルームに開口し、さらに装置全体はクリーンル
ーム外へ設置することも可能となるようにして、クリー
ンルーム内の占有面積の著しい縮小を計ることを目的と
する。
をまたは温調された清浄な空気を送れる構造とし、クリ
ーンルーム内の他の装置と基板受け渡しをする部分のみ
クリーンルームに開口し、さらに装置全体はクリーンル
ーム外へ設置することも可能となるようにして、クリー
ンルーム内の占有面積の著しい縮小を計ることを目的と
する。
［課題を解決するための手段および作用］ この目的を達成するため本発明の基板処理装置は、レ
ジスト塗布部、レジスト現像部、オーブン部、洗浄部、
遠紫外光照射部、膜厚測定部、現像結果測定部、基板識
別記号読取り部、基板カセット載置部等の装置構成部の
内のいくつかの装置構成部を有し、前記いくつかの装置
構成部を床面に垂直な方向と床面に沿った方向に並べて
配置し、前記いくつかの装置構成部に対する基板の搬出
入を行う際に該基板を保持して搬送する搬送ハンドを有
し、前記基板ハンドを介した前記いくつかの装置構成部
に対する基板搬出入の順序を一連の組み合わせられる処
理手順により任意に設定できるようにしたことを特徴と
する。この一連の処理手順は複数設定し、同時あるいは
切替えて動作させるようにしてもよい。また、前記いく
つかの装置構成部に対しクリーンフィルタを通した清浄
な空気を送るようにしてもよい。
ジスト塗布部、レジスト現像部、オーブン部、洗浄部、
遠紫外光照射部、膜厚測定部、現像結果測定部、基板識
別記号読取り部、基板カセット載置部等の装置構成部の
内のいくつかの装置構成部を有し、前記いくつかの装置
構成部を床面に垂直な方向と床面に沿った方向に並べて
配置し、前記いくつかの装置構成部に対する基板の搬出
入を行う際に該基板を保持して搬送する搬送ハンドを有
し、前記基板ハンドを介した前記いくつかの装置構成部
に対する基板搬出入の順序を一連の組み合わせられる処
理手順により任意に設定できるようにしたことを特徴と
する。この一連の処理手順は複数設定し、同時あるいは
切替えて動作させるようにしてもよい。また、前記いく
つかの装置構成部に対しクリーンフィルタを通した清浄
な空気を送るようにしてもよい。
これによれば、いくつかの装置構成部を床面に垂直な
方向と床面に沿った方向に並べて配置するとともに、装
置構成部に対する基板搬出入の順序を一連の組み合わせ
られる処理手順により任意に設定できるようにしたた
め、装置がコンパクトになり、また装置の低価格化が図
られ、装置の清浄度も高くなる。さらに、処理工程に関
しては、融通度が増し、多品種少量生産が容易となる。
方向と床面に沿った方向に並べて配置するとともに、装
置構成部に対する基板搬出入の順序を一連の組み合わせ
られる処理手順により任意に設定できるようにしたた
め、装置がコンパクトになり、また装置の低価格化が図
られ、装置の清浄度も高くなる。さらに、処理工程に関
しては、融通度が増し、多品種少量生産が容易となる。
［実施例］ 以下、図面を用いて本発明の実施例を説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る基板処理装置の概
略構成を示す斜視図である。これは本発明の基板処理装
置を半導体製造装置に適用した例である。同図におい
て、ADは清浄空気または温調空気を送り込むダクト、AF
は送られた空気をさらに清浄化するフィルタ、RDは清浄
空気の回収または排気ダクト、HDは配線配管ダクト、CA
はキャリア、IDXはウエハカセット載置部である。な
お、キャリアCAはステージが回転する機構を有する。ま
た、ウエハカセット載置部IDXはカセットエレベータに
なっていてもよい。あるいは、後述するハンド部WHUの
ハンドWHによってウエハカセット載置部IDXの各段のキ
ャリアに収納されたウエハを直接取り出してもよい。
略構成を示す斜視図である。これは本発明の基板処理装
置を半導体製造装置に適用した例である。同図におい
て、ADは清浄空気または温調空気を送り込むダクト、AF
は送られた空気をさらに清浄化するフィルタ、RDは清浄
空気の回収または排気ダクト、HDは配線配管ダクト、CA
はキャリア、IDXはウエハカセット載置部である。な
お、キャリアCAはステージが回転する機構を有する。ま
た、ウエハカセット載置部IDXはカセットエレベータに
なっていてもよい。あるいは、後述するハンド部WHUの
ハンドWHによってウエハカセット載置部IDXの各段のキ
ャリアに収納されたウエハを直接取り出してもよい。
SCはウエハ洗浄ユニット、CT1,CT2は塗布装置、OV1,O
V2はオーブン部である。本実施例においては、オーブン
部OV1,OV2に独立したホットプレートが４枚設けられて
いる。なお、この中の一つを強制ウエハ冷却プレートと
して使用することもできる。DEV1,DEV2は現像装置、WW,
WW1〜４は各構成部へのウエハ搬出入口、CWはキャリア
搬出入口である。
V2はオーブン部である。本実施例においては、オーブン
部OV1,OV2に独立したホットプレートが４枚設けられて
いる。なお、この中の一つを強制ウエハ冷却プレートと
して使用することもできる。DEV1,DEV2は現像装置、WW,
WW1〜４は各構成部へのウエハ搬出入口、CWはキャリア
搬出入口である。
以上の各構成部は半導体製造装置を設置する床面から
垂直方向に配置されている。
垂直方向に配置されている。
次に、WHUはウエハを各構成部間で移動するハンド部
全体を示す。このハンド部WHUは、一点鎖線で示されて
いるように上記の垂直配置各部に面して配置される。WH
はウエハを構成部へ出し入れするハンドで矢印A,B,Cの
ように前後、左右、上下に動く。なお、ハンドWHが複数
個設けられる場合、ハンドの機構干渉がない構造となっ
ている。
全体を示す。このハンド部WHUは、一点鎖線で示されて
いるように上記の垂直配置各部に面して配置される。WH
はウエハを構成部へ出し入れするハンドで矢印A,B,Cの
ように前後、左右、上下に動く。なお、ハンドWHが複数
個設けられる場合、ハンドの機構干渉がない構造となっ
ている。
ハンドWHの前後方向（矢印Ａの方向）への動作はハン
ド機構WHBにより行なわれ、このハンド機構WHBはさらに
ウエハを収納できるボックスになっている。WHD1はハン
ドWHを左右方向（矢印Ｂの方向）へ動作させるハンド駆
動機構である。ハンド駆動機構WHD1はスライドSRに沿っ
てハンドWHを駆動ボールネジDSにより動作させる。WHD2
はハンドWHをスライドSRおよび駆動ボールネジDSととも
に上下方向（矢印Ｃの方向）へ動作させる垂直駆動機構
である。
ド機構WHBにより行なわれ、このハンド機構WHBはさらに
ウエハを収納できるボックスになっている。WHD1はハン
ドWHを左右方向（矢印Ｂの方向）へ動作させるハンド駆
動機構である。ハンド駆動機構WHD1はスライドSRに沿っ
てハンドWHを駆動ボールネジDSにより動作させる。WHD2
はハンドWHをスライドSRおよび駆動ボールネジDSととも
に上下方向（矢印Ｃの方向）へ動作させる垂直駆動機構
である。
なお、各ユニットのウエハ取り出し口は、ハンド方向
の一方向を向いている。ただし、左端・右端のユニット
については、さらに左・右の側に何らかのウエハ搬送機
がある場合、取り出し口はそこにも持たせることが可能
である。
の一方向を向いている。ただし、左端・右端のユニット
については、さらに左・右の側に何らかのウエハ搬送機
がある場合、取り出し口はそこにも持たせることが可能
である。
また、各構成部はダクトAD、フィルタAFおよび排気ダ
クトRDにより、常に確実な清浄度を得ることができる。
クトRDにより、常に確実な清浄度を得ることができる。
第２図は、第１図の装置のダクトAD、フィルタAFおよ
び排気ダクトRD等の部分の断面図である。空気（温調さ
れた空気でも良い）は、ダクトADからエアフィルタAFを
介して矢印のようにユニット内に送られる。このとき、
図のようにエアフィルタAFの上にファンモータDMを有し
ていても良い。空気は、ユニット内を層流状態で通過す
るように配慮されている。また、空気は排気ダクトRDに
回収されるようになっている。さらに、配線配管ダクト
はダクトAD・RDとは隔離されてダクトAD・RDの後部に用
意されており、この部分は送風排気は特に実施されてい
ない。
び排気ダクトRD等の部分の断面図である。空気（温調さ
れた空気でも良い）は、ダクトADからエアフィルタAFを
介して矢印のようにユニット内に送られる。このとき、
図のようにエアフィルタAFの上にファンモータDMを有し
ていても良い。空気は、ユニット内を層流状態で通過す
るように配慮されている。また、空気は排気ダクトRDに
回収されるようになっている。さらに、配線配管ダクト
はダクトAD・RDとは隔離されてダクトAD・RDの後部に用
意されており、この部分は送風排気は特に実施されてい
ない。
さらに、オーブン部OV1,OV2では各オーブン（ヒータ
ー）の温度設定が自由であり、２つのヒーターをプリベ
ーク用、他の２つをポストベーク用として使用すること
も可能である。
ー）の温度設定が自由であり、２つのヒーターをプリベ
ーク用、他の２つをポストベーク用として使用すること
も可能である。
以下、本実施例に係る装置による塗布処理と現像処置
の手順を説明する。
の手順を説明する。
先ず、ウエハの塗布処置において、ウエハはウエハカ
セット載置部IDXに置かれたキャリアCAからハンドWHに
より取出される。そして、ウエハ洗浄が必要な場合に
は、ウエハ洗浄ユニットSCに運ばれ洗浄される。その
後、ウエハ洗浄ユニットSCがらハンドWHにより取出さ
れ、オーブンOV2に運ばれ乾燥される。このようにして
ハンド部WHUのハンドWHにより次々と各処理ユニットに
運ばれていき、乾燥以後は順次、塗布装置CT1にて塗膜
され、オーブンOV1にて焼成され、さらに塗布が必要で
あれば塗布装置CT2にて塗膜され、再度オーブンOV1にて
焼成され、キャリアCAに戻される。
セット載置部IDXに置かれたキャリアCAからハンドWHに
より取出される。そして、ウエハ洗浄が必要な場合に
は、ウエハ洗浄ユニットSCに運ばれ洗浄される。その
後、ウエハ洗浄ユニットSCがらハンドWHにより取出さ
れ、オーブンOV2に運ばれ乾燥される。このようにして
ハンド部WHUのハンドWHにより次々と各処理ユニットに
運ばれていき、乾燥以後は順次、塗布装置CT1にて塗膜
され、オーブンOV1にて焼成され、さらに塗布が必要で
あれば塗布装置CT2にて塗膜され、再度オーブンOV1にて
焼成され、キャリアCAに戻される。
その後、キャリアCAからウエハが取出され、本装置外
の露光ユニットにて露光され再びキャリアCAに戻され
る。
の露光ユニットにて露光され再びキャリアCAに戻され
る。
次に現像処理のため、露光済のウエハは再度ハンドWH
により取出され現像ユニットDEV1またはDEV2に運ばれ現
像される。現像後は再びハンドWHによりウエハをオーブ
ンOV1またはOV2に運び入れて焼成し、その後最終キャリ
アCAに戻し、全工程を終了する。
により取出され現像ユニットDEV1またはDEV2に運ばれ現
像される。現像後は再びハンドWHによりウエハをオーブ
ンOV1またはOV2に運び入れて焼成し、その後最終キャリ
アCAに戻し、全工程を終了する。
なお、本実施例はフォトリソグラフィにおけるスピン
式装置およびベーキング装置等のユニットレイアウトに
よる例として示したが、これ以外にも適用可能であり、
例えばエッチングやCVD等のユニットレイアウトに対し
ても同様の構成を成立させることが可能である。
式装置およびベーキング装置等のユニットレイアウトに
よる例として示したが、これ以外にも適用可能であり、
例えばエッチングやCVD等のユニットレイアウトに対し
ても同様の構成を成立させることが可能である。
なお、第１図の装置では、洗浄後SC、塗布部CT、オー
ブン部OV1,OV2および現像部DEV1,DEV2を組み込んで記載
したが、例えば第３図のように構成することもできる。
同図の構成においては、まずキャリアCA1から第１枚目
のウエハを取り出し、基板識別記号読み取り部READ1に
入れる。そして第１枚目のウエハの識別記号の内容を読
み取り、テスト用のウエハであることを認識し、塗布部
CT1からオーブン部OV1を経由して膜厚測定部SP1へと入
る。これにより膜厚を測定し、膜厚が基準値内にある場
合は、そのまま第２枚目のウエハの処理へと移っても良
いので、第２枚目からの処理へと移る。テスト用ウエハ
の膜厚が基準値内にない場合は、塗布部CT1の回転数を
自動的に変更して第２枚目のウエハからの処理へと移
る。また、この第２枚目のウエハの処理に移るときも、
基板識別記号読み取り部READ1における読み取りによ
り、ウエハがCT1→OV1→CT2→OV2と経由するか、それと
もCT1→OV1またはCT2→OV2と経由するかを認識し、これ
によりウエハの処理をしていく。
ブン部OV1,OV2および現像部DEV1,DEV2を組み込んで記載
したが、例えば第３図のように構成することもできる。
同図の構成においては、まずキャリアCA1から第１枚目
のウエハを取り出し、基板識別記号読み取り部READ1に
入れる。そして第１枚目のウエハの識別記号の内容を読
み取り、テスト用のウエハであることを認識し、塗布部
CT1からオーブン部OV1を経由して膜厚測定部SP1へと入
る。これにより膜厚を測定し、膜厚が基準値内にある場
合は、そのまま第２枚目のウエハの処理へと移っても良
いので、第２枚目からの処理へと移る。テスト用ウエハ
の膜厚が基準値内にない場合は、塗布部CT1の回転数を
自動的に変更して第２枚目のウエハからの処理へと移
る。また、この第２枚目のウエハの処理に移るときも、
基板識別記号読み取り部READ1における読み取りによ
り、ウエハがCT1→OV1→CT2→OV2と経由するか、それと
もCT1→OV1またはCT2→OV2と経由するかを認識し、これ
によりウエハの処理をしていく。
さらに、第４図のように構成した場合、まずキャリア
CA1から第１枚目のウエハを取り出し、基板識別記号読
み取り部READ1に入れる。そして、第１枚目のウエハの
識別記号の内容を読み取り、ウエハが、DEV1またはDEV2
→OV1またはOV2→DUV1またはDUV2と経由して処理をする
か、DEV1またはDEV2→OV1またはOV2のみの処理をするか
を判断し、処理を進めていく。なお、ここでDUV1、DUV2
は現像処理後のパターンの耐熱性を向上させるための遠
紫外線照射部である。また、この現像部DEV1,DEV2は、
現像結果測定部（現像終点検出部）を内蔵しており、毎
ウエハの現像が適切になるように光学的に検出できる部
分を有している。
CA1から第１枚目のウエハを取り出し、基板識別記号読
み取り部READ1に入れる。そして、第１枚目のウエハの
識別記号の内容を読み取り、ウエハが、DEV1またはDEV2
→OV1またはOV2→DUV1またはDUV2と経由して処理をする
か、DEV1またはDEV2→OV1またはOV2のみの処理をするか
を判断し、処理を進めていく。なお、ここでDUV1、DUV2
は現像処理後のパターンの耐熱性を向上させるための遠
紫外線照射部である。また、この現像部DEV1,DEV2は、
現像結果測定部（現像終点検出部）を内蔵しており、毎
ウエハの現像が適切になるように光学的に検出できる部
分を有している。
本実施例の装置では、オペレータが操作することによ
って一連の組み合わせられる処理手順が任意に設定でき
る。この処理手順に従いホストコンピュータは、ウエハ
の搬出入の順序を制御する。例えば、オペレータが指定
可能な処理手順には以下のようなものがある。
って一連の組み合わせられる処理手順が任意に設定でき
る。この処理手順に従いホストコンピュータは、ウエハ
の搬出入の順序を制御する。例えば、オペレータが指定
可能な処理手順には以下のようなものがある。
インデクサIDXに置かれたキャリアCA中のウエハを次
のように移動し処理する。
のように移動し処理する。
キャリアCA→塗布部CT1→オーブン部OV1→キャリアCA これは塗布後ベーキングするのみの処理を指定したもの
である。
である。
インデクサIDXに置かれたキャリアCA中のウエハを次
のように移動し処理する。
のように移動し処理する。
キャリアCA→塗布部CT1→オーブン部OV1→塗布部CT2→
オーブン部OV2→キャリアCA インデクサIDXに置かれたキャリアCA中のウエハを次
のように移動し処理する。
オーブン部OV2→キャリアCA インデクサIDXに置かれたキャリアCA中のウエハを次
のように移動し処理する。
キャリアCA→洗浄部SC→オーブン部OV2→塗布部CT1→オ
ーブン部OV1→キャリアCA インデクサIDXに置かれたキャリアCA中のウエハを次
のように移動し処理する。
ーブン部OV1→キャリアCA インデクサIDXに置かれたキャリアCA中のウエハを次
のように移動し処理する。
キャリアCA→現像部DEV1またはDEV2→オーブン部OV1ま
たはOV2→キャリアCA 以上のようにオペレータの操作によってウエハのプロ
セス順序を指定し、ホストコンピュータはその指定され
たプロセスに従ってウエハを処理していく。
たはOV2→キャリアCA 以上のようにオペレータの操作によってウエハのプロ
セス順序を指定し、ホストコンピュータはその指定され
たプロセスに従ってウエハを処理していく。
さらに、本実施例の装置では、一連の処理手順を複数
設定し同時あるいは切替えて動作させることもできる。
例えば、キャリアが複数個設置されていた場合に、Ａキ
ャリアのウエハは塗布部CT1からオーブン部OV1を経由し
た処理へ、Ｂキャリアのウエハは現像部DEV1またはDEV2
からオーブン部OV2を経由した処理へ、というように設
定すれば、各ユニットのレデイまたはビジー状態をホス
トコンピュータが判断しながらハンドWHが各キャリアの
ウエハを自動的に移動しつつ処理を進めていくことがで
きる。
設定し同時あるいは切替えて動作させることもできる。
例えば、キャリアが複数個設置されていた場合に、Ａキ
ャリアのウエハは塗布部CT1からオーブン部OV1を経由し
た処理へ、Ｂキャリアのウエハは現像部DEV1またはDEV2
からオーブン部OV2を経由した処理へ、というように設
定すれば、各ユニットのレデイまたはビジー状態をホス
トコンピュータが判断しながらハンドWHが各キャリアの
ウエハを自動的に移動しつつ処理を進めていくことがで
きる。
また、第５図に示すように、本実施例の装置の各部を
集中的に制御する集中コントロールモニタHCを、ホスト
CPUと接続した状態で制御室（装置の入っている場所と
は違う室）にもっていき制御監視用として用いることも
できる。
集中的に制御する集中コントロールモニタHCを、ホスト
CPUと接続した状態で制御室（装置の入っている場所と
は違う室）にもっていき制御監視用として用いることも
できる。
また、各構成部にはサブハンドをもたせることができ
る。第６図（ａ），（ｂ），（ｃ）は、第１図に示す装
置の塗布装置CT1内にサブハンドをもたせた様子を示す
要部の斜視図および断面図である。
る。第６図（ａ），（ｂ），（ｃ）は、第１図に示す装
置の塗布装置CT1内にサブハンドをもたせた様子を示す
要部の斜視図および断面図である。
同図（ａ），（ｂ），（ｃ）において、HDはハンド、
CHはチャック、CPはカップ、CBHはサブハンド、SRはス
ライドレール、RGはラックギヤ、PGはピニオンギヤ、CY
1〜３はシリンダ、W1,W2はウエハを示す。シリンダCY2
は第３図（ｃ）に示すようにベースに固定されており、
シリンダCY1とシリンダCY2はリンク固定されている。
CHはチャック、CPはカップ、CBHはサブハンド、SRはス
ライドレール、RGはラックギヤ、PGはピニオンギヤ、CY
1〜３はシリンダ、W1,W2はウエハを示す。シリンダCY2
は第３図（ｃ）に示すようにベースに固定されており、
シリンダCY1とシリンダCY2はリンク固定されている。
本サブハンドは、ウエハセンタリング機能兼ウエハバ
ッファ機能を有する。すなわち、第６図（ｂ）に示すよ
うにサブハンドCBHの上部はバッファ域になり処理済の
ウエハW2を保持することができ、また処理前のウエハW1
をチャックCH上に載置する際にそのセンタリングを行な
うことができる。
ッファ機能を有する。すなわち、第６図（ｂ）に示すよ
うにサブハンドCBHの上部はバッファ域になり処理済の
ウエハW2を保持することができ、また処理前のウエハW1
をチャックCH上に載置する際にそのセンタリングを行な
うことができる。
この動作を説明する。先ず、チャックCH上に載置され
ている処理済ウエハW2をチャックCHにより紙面の上方に
突き上げる。その後、シリンダCY1を縮め、ラックギヤR
GおよびピニオンギヤPGの働きによりサブハンドCBHの２
つのアームの幅を狭める。そして、チャックCHを下げる
ことによりサブハンドCBH上にウエハW2を載せる。これ
が終わるとシリンダCY3によりサブハンドCBHを紙面の上
方に上昇させる。これによりウエハW2がバッファリング
される。
ている処理済ウエハW2をチャックCHにより紙面の上方に
突き上げる。その後、シリンダCY1を縮め、ラックギヤR
GおよびピニオンギヤPGの働きによりサブハンドCBHの２
つのアームの幅を狭める。そして、チャックCHを下げる
ことによりサブハンドCBH上にウエハW2を載せる。これ
が終わるとシリンダCY3によりサブハンドCBHを紙面の上
方に上昇させる。これによりウエハW2がバッファリング
される。
次に、処理前ウエハW1をハンドHDによりカップCP上に
運び入れる。そして、再びチャックCHを上昇させウエハ
W1をチャックCH上に受け取る。ハンドHDはカップCP上か
ら一度逃げる。この時シリンダCY2が縮むことにより、
わずかにハンドCBHのアームが狭まり、ウエハW1のセン
タとチャックセンタが完全に合致する。第６図（ｂ）は
このときの状態を示している。次に、チャックCHは真空
によりウエハW1を吸着する。そして、再びシリンダCY2
が動作しわずかにサブハンドCBHが開き、チャックCHは
ウエハW1を吸着したまま下降する。再びハンドHDがカッ
プCP上に差し入れられ、その後シリンダCY3によりサブ
ハンドCBHが下降しハンドHD上にウエハW2を受け渡し、
ハンドHDは再び縮み次の処理へ移行する。なお、これと
同時にシリンダCY1が開きサブハンドCBHはカップCP上か
ら逃げ、ウエハW1の処理を始める状態となる。
運び入れる。そして、再びチャックCHを上昇させウエハ
W1をチャックCH上に受け取る。ハンドHDはカップCP上か
ら一度逃げる。この時シリンダCY2が縮むことにより、
わずかにハンドCBHのアームが狭まり、ウエハW1のセン
タとチャックセンタが完全に合致する。第６図（ｂ）は
このときの状態を示している。次に、チャックCHは真空
によりウエハW1を吸着する。そして、再びシリンダCY2
が動作しわずかにサブハンドCBHが開き、チャックCHは
ウエハW1を吸着したまま下降する。再びハンドHDがカッ
プCP上に差し入れられ、その後シリンダCY3によりサブ
ハンドCBHが下降しハンドHD上にウエハW2を受け渡し、
ハンドHDは再び縮み次の処理へ移行する。なお、これと
同時にシリンダCY1が開きサブハンドCBHはカップCP上か
ら逃げ、ウエハW1の処理を始める状態となる。
第７図は、第１図の装置のオーブン部例えばOV1の１
つのユニットを示す。これはオーブン内にサブハンドを
設け、ウエハがオーバーベークされないようにホットプ
レートを設けた加熱室から一定時間の後にサブハンドに
てウエハを取り出すようにした例である。
つのユニットを示す。これはオーブン内にサブハンドを
設け、ウエハがオーバーベークされないようにホットプ
レートを設けた加熱室から一定時間の後にサブハンドに
てウエハを取り出すようにした例である。
同図において、ハンドHDからオーブンチャックCHOに
てウエハを受け取ると、シリンダCY4が駆動してユニッ
ト全体をアップしサブハンドSBH上にウエハを受け取
る。サブハンドSBHはモータM1の駆動により左に動作
し、オーブンOV上にウエハを搬入しシリンダCY4による
ユニット全体のダウンでウエハをオーブンOV上に置く。
そして、サブハンドSBHは再びモータM1の駆動により元
の位置へ戻る。オーブンOVでのベーキングがある一定時
間たつと、サブハンドSBHは前記の逆動作によりウエハ
をオーブンチャックCHD上に戻すことができる。
てウエハを受け取ると、シリンダCY4が駆動してユニッ
ト全体をアップしサブハンドSBH上にウエハを受け取
る。サブハンドSBHはモータM1の駆動により左に動作
し、オーブンOV上にウエハを搬入しシリンダCY4による
ユニット全体のダウンでウエハをオーブンOV上に置く。
そして、サブハンドSBHは再びモータM1の駆動により元
の位置へ戻る。オーブンOVでのベーキングがある一定時
間たつと、サブハンドSBHは前記の逆動作によりウエハ
をオーブンチャックCHD上に戻すことができる。
スピン式処理装置による塗布のプロセスおよびベーク
等のプロセスが重複する場合、横列配置のものでは第８
図に示すように非常に膨大な装置専有面積をとる必要が
ある。しかし、上記実施例に示すような装置によれば、
装置を縦に延ばすため、ある限られた小面積に配置する
ことができ、装置占有面積が小さくなる。
等のプロセスが重複する場合、横列配置のものでは第８
図に示すように非常に膨大な装置専有面積をとる必要が
ある。しかし、上記実施例に示すような装置によれば、
装置を縦に延ばすため、ある限られた小面積に配置する
ことができ、装置占有面積が小さくなる。
また、従来は横列配置であったため、例えば第９図の
平面配置図に示すような装置配列で、SOGCT（SPIN ON G
LASS コーター）のみ使用したい場合には、B3,B4をセン
ダ、B5,B6をレシーバとして使わなければならないとい
うような制約があった。しかし、上記実施例に示すよう
な装置によれば、このような制約はなく、途中でプロセ
スを変更したい場合でも同一キャリアステーションから
ウエハの取り出しが可能である。
平面配置図に示すような装置配列で、SOGCT（SPIN ON G
LASS コーター）のみ使用したい場合には、B3,B4をセン
ダ、B5,B6をレシーバとして使わなければならないとい
うような制約があった。しかし、上記実施例に示すよう
な装置によれば、このような制約はなく、途中でプロセ
スを変更したい場合でも同一キャリアステーションから
ウエハの取り出しが可能である。
本実施例の装置によれば、無駄なバッファステーショ
ン（第９図のB1〜B8）がなくなり、各ユニット間（例え
ば第９図のＳからCT間）にハンドを必要としないため、
低価格化が図れる。また、装置自体が清浄度を上げるこ
とができるため、ユーザクリーンルームの価格を下げる
ことができる。
ン（第９図のB1〜B8）がなくなり、各ユニット間（例え
ば第９図のＳからCT間）にハンドを必要としないため、
低価格化が図れる。また、装置自体が清浄度を上げるこ
とができるため、ユーザクリーンルームの価格を下げる
ことができる。
さらに、各ユニットにおいてクリーンネス、温調の必
要な部分を局所的にコントロールすることができるた
め、常にコンスタントの条件を実現できる。また、ハン
ドリング中のウエハは常に収納ケース内に納って搬送さ
れるため、ウエハ上へ異物が乗る心配もない。
要な部分を局所的にコントロールすることができるた
め、常にコンスタントの条件を実現できる。また、ハン
ドリング中のウエハは常に収納ケース内に納って搬送さ
れるため、ウエハ上へ異物が乗る心配もない。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、基板処理装置
の各構成部を垂直方向に配置しているので、床占有面積
が縮小でき、装置全体として低価格化や形状寸法の縮小
化を計ることができる。
の各構成部を垂直方向に配置しているので、床占有面積
が縮小でき、装置全体として低価格化や形状寸法の縮小
化を計ることができる。
また、比較的清浄度の低いクリーンルーム内でも、本
発明による装置内は清浄度を高く保つことができ、ウエ
ハに対する汚染を少なくすることが可能となる。
発明による装置内は清浄度を高く保つことができ、ウエ
ハに対する汚染を少なくすることが可能となる。
さらに、処理工程に関して非常に融通性が向上し、半
導体の試作や研究を行なうような研究所、工場、あるい
は多品種少量生産の工場での多目的使用等が可能とな
る。
導体の試作や研究を行なうような研究所、工場、あるい
は多品種少量生産の工場での多目的使用等が可能とな
る。
第１図は、本発明の一実施例に係る基板処理装置の概略
構成を示す斜視図、 第２図は、第１図に示す装置のダクトAD、フィルタAFお
よび排気ダクトRD等の部分の断面図、 第３図および第４図は、本発明の他の実施例に係る基板
処理装置の概略構成を示す正面図、 第５図は、集中コントロールモニタHCを制御室に配置す
る例を示すブロック図、 第６図は、第１図に示す装置の塗布装置内にサブハンド
をもたせた様子を示す要部の斜視図および断面図、 第７図は、第１図の装置のオーブン部の１つのユニット
を示す斜視図、 第８図および第９図は、各構成部が平面配置された従来
の半導体製造装置の平面配置図である。 AD,RD:ダクト、AF:フィルタ、 HD:配線配管ダクト、CA:キャリア、 IDX:ウエハカセット載置部、 SC:ウエハ洗浄ユニット、 CT1,CT2:塗布装置、 OV1,OV2:オーブン部、 DEV1,DEV2:現像装置、 WW,WW1〜WW4:ウエハ搬出入口、 CW:キャリア搬出入口、 WHU:ハンド部全体、WH:ハンド HC:集中コントロールモニタ HD:ハンド、CH:チャック、 CP:カップ、CBH:サブハンド、 SR:スライドレール、RG:ラックギヤ、 PG:ピニオンギヤ、CY1〜4:シリンダ、 W1,W2:ウエハ、 CHO:オーブンチャック、 SBH:サブハンド、OV:オーブン、 M1:駆動モータ。
構成を示す斜視図、 第２図は、第１図に示す装置のダクトAD、フィルタAFお
よび排気ダクトRD等の部分の断面図、 第３図および第４図は、本発明の他の実施例に係る基板
処理装置の概略構成を示す正面図、 第５図は、集中コントロールモニタHCを制御室に配置す
る例を示すブロック図、 第６図は、第１図に示す装置の塗布装置内にサブハンド
をもたせた様子を示す要部の斜視図および断面図、 第７図は、第１図の装置のオーブン部の１つのユニット
を示す斜視図、 第８図および第９図は、各構成部が平面配置された従来
の半導体製造装置の平面配置図である。 AD,RD:ダクト、AF:フィルタ、 HD:配線配管ダクト、CA:キャリア、 IDX:ウエハカセット載置部、 SC:ウエハ洗浄ユニット、 CT1,CT2:塗布装置、 OV1,OV2:オーブン部、 DEV1,DEV2:現像装置、 WW,WW1〜WW4:ウエハ搬出入口、 CW:キャリア搬出入口、 WHU:ハンド部全体、WH:ハンド HC:集中コントロールモニタ HD:ハンド、CH:チャック、 CP:カップ、CBH:サブハンド、 SR:スライドレール、RG:ラックギヤ、 PG:ピニオンギヤ、CY1〜4:シリンダ、 W1,W2:ウエハ、 CHO:オーブンチャック、 SBH:サブハンド、OV:オーブン、 M1:駆動モータ。
Claims (3)
- 【請求項１】レジスト塗布部、レジスト現像部、オーブ
ン部、洗浄部、遠紫外光照射部、膜厚測定部、現像結果
測定部、基板識別記号読取り部、基板カセット載置部等
の装置構成部の内のいくつかの装置構成部を有し、前記
いくつかの装置構成部を床面に垂直な方向と床面に沿っ
た方向に並べて配置し、前記いくつかの装置構成部に対
する基板の搬出入を行う際に該基板を保持して搬送する
搬送ハンドを有し、前記基板ハンドを介した前記いくつ
かの装置構成部に対する基板搬出入の順序を一連の組み
合わせられる処理手順により任意に設定できるようにし
たことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】一連の処置手順を複数設定し、同時あるい
は切替えて動作させる特許請求の範囲第１項記載の基板
処理装置。 - 【請求項３】前記いくつかの装置構成部に対しクリーン
フィルタを通した清浄な空気を送る手段を具備する特許
請求の範囲第１項記載の基板処置装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6820288A JP2559617B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 基板処理装置 |
| GB8906751A GB2217107B (en) | 1988-03-24 | 1989-03-23 | Workpiece processing apparatus |
| DE19893909669 DE3909669A1 (de) | 1988-03-24 | 1989-03-23 | Vorrichtung zur bearbeitung von werkstuecken |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6820288A JP2559617B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01241840A JPH01241840A (ja) | 1989-09-26 |
| JP2559617B2 true JP2559617B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=13366973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6820288A Expired - Lifetime JP2559617B2 (ja) | 1988-03-24 | 1988-03-24 | 基板処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559617B2 (ja) |
| DE (1) | DE3909669A1 (ja) |
| GB (1) | GB2217107B (ja) |
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| GB9006471D0 (en) * | 1990-03-22 | 1990-05-23 | Surface Tech Sys Ltd | Loading mechanisms |
| DE4024973C2 (de) * | 1990-08-07 | 1994-11-03 | Ibm | Anordnung zum Lagern, Transportieren und Einschleusen von Substraten |
| JP2697364B2 (ja) * | 1991-04-30 | 1998-01-14 | 株式会社村田製作所 | 熱処理システム |
| KR940003241B1 (ko) * | 1991-05-23 | 1994-04-16 | 금성일렉트론 주식회사 | To-220 반도체 제조기의 리드프레임 자동 공급장치 |
| DE4127341C2 (de) * | 1991-08-19 | 2000-03-09 | Leybold Ag | Vorrichtung zum selbsttätigen Gießen, Beschichten, Lackieren, Prüfen und Sortieren von Werkstücken |
| KR950001245Y1 (ko) * | 1991-09-13 | 1995-02-24 | 금성일렉트론 주식회사 | 핸들러의 디바이스 자동 송출장치 |
| DE4139549A1 (de) * | 1991-11-30 | 1993-06-03 | Leybold Ag | Vorrichtung fuer den transport von substraten |
| JPH0722490A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | ロット自動編成装置及び方法 |
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- 1988-03-24 JP JP6820288A patent/JP2559617B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
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