JP2002217266A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JP2002217266A
JP2002217266A JP2001010647A JP2001010647A JP2002217266A JP 2002217266 A JP2002217266 A JP 2002217266A JP 2001010647 A JP2001010647 A JP 2001010647A JP 2001010647 A JP2001010647 A JP 2001010647A JP 2002217266 A JP2002217266 A JP 2002217266A
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unit
processing
units
processing apparatus
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JP2001010647A
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Mitsuharu Hashimoto
光治 橋本
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板処理装置の設置面積を削減して、さらに基
板搬送を安定して行える基板処理装置を提供する。 【解決手段】基板処理装置1は、処理領域Aの中心に配
置される搬送ロボットTR1の周囲に基板処理部が多段
に積層されて配置される。第2の階層D2は、インデク
サIDと搬送ロボットTR1を挟んで回転式塗布ユニッ
トSC1,SC2が配置される。それぞれ、その上方の
第4の階層D4には、回転式塗布ユニットSC1,SC
2の上方に回転式現像ユニットSD1,SD2が積層さ
れる。インデクサIDの上方には多段熱処理ユニット2
0,21,22とエッジ露光ユニットEEが水平方向に
並んで配置される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板や液
晶用ガラス基板などの薄板状基板(以下、単に「基板」
と称する)に対して熱処理、薬液処理などの一連の処理
を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が
用いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロセ
スでは、生産効率を高めるために一連の処理の各々をユ
ニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理装
置が用いられている。
【0003】基板処理装置においては、基板に対して所
定の加熱処理を行う加熱処理部、冷却処理を行う冷却処
理部および薬液処理を行う薬液処理部間で搬送ロボット
により基板の搬送を行い、所定の順序で一連の基板処理
を行っている。そして、このような基板処理装置は、温
度、湿度およびパーティクルが管理されたクリーンルー
ム中に通常設置されている。
【0004】図7は、従来の基板処理装置における処理
ユニット配置の一例を模式的に示す概念的平面配置図で
ある。図7の基板処理装置は、処理部110,120お
よび搬送領域130を有する。処理部110には、基板
に処理液の塗布処理を行う回転式塗布ユニット(スピン
コータ)111および基板に現像処理を行う回転式現像
ユニット(スピンデベロッパ)112が並設されてい
る。
【0005】また、処理部120には、基板に加熱処理
を行う加熱ユニット(ホットプレート)HPおよび基板
に冷却処理を行う冷却ユニット(クーリングプレート)
CPが複数段に配置されている。搬送領域130には、
基板を搬送する搬送ユニット131が設けられている。
これらの処理部110,120および搬送領域130の
一端部側には、基板Wを収納するとともに基板Wの搬入
および搬出を行う搬入搬出装置(インデクサ)140が
配置されている。
【0006】搬入搬出装置140は、基板Wを収納する
複数のカセット141および基板Wの搬入および搬出を
行う移載ロボット142を備える。搬入搬出装置140
の移載ロボット142は、矢印U方向に移動し、カセッ
ト141から基板Wを取り出して搬送ユニット131に
渡し、一連の処理が施された基板Wを搬送ユニット13
1から受け取ってカセット141に戻す。搬送ユニット
131は、搬送領域130内で基板Wを矢印S方向に搬
送するとともに、上記の各処理ユニットに対して基板W
の搬入および搬出を行い、かつ移載ロボット142との
間で基板Wの受渡しを行う。
【0007】ところで、近年においては、生産性の向上
のために基板の大口径化がますます進み、直径が300
mm以上の基板も取り扱われるようになりつつある。基
板のサイズが大きくなると、その基板を処理する各処理
部も大きくなり、それにつれて基板処理装置全体が大型
化し、その基板処理装置が平面的に占有する設置面積
(以下、「フットプリント」と称する)が大きくなる。
一方、クリーンルームの管理の都合上、基板処理装置が
大型化するのは好ましくない。
【0008】これは、基板処理装置のフットプリントが
大きくなると環境維持費のコストアップに結びつくから
である。クリーンルームを維持するのに基板処理装置の
内部の雰囲気を清浄に保持するために温湿調ユニットや
フィルタなどの特別な設備を必要としている。そこで、
フィルタ等の材料費および維持費が増加するという問題
が生じる。特に最近は処理液として化学増幅型レジスト
に対応するための高価な化学吸着フィルタなどが必要と
なる場合もあるため、この化学吸着フィルタを使用する
面積が増大すると、材料費や維持費の増大が大きな問題
となる。
【0009】また、最近では、基板の処理を大量にかつ
効率的に行うために、多数の処理ユニットが1台の基板
処理装置に搭載されている。それゆえ、クリーンルーム
内のスペースを有効に使用することができる基板処理装
置が望まれる。そこで、基板処理装置のフットプリント
の増大を抑制するために、上記の各処理ユニットを上方
へ多段に積層した基板処理装置が提案され、使用されつ
つある。その結果、フットプリントの低減を図ってい
る。
【0010】例えば、搬入搬出装置、各処理ユニットを
すべて鉛直方向に配置する(特開昭63−5523号公
報)が提案されている。また、処理部において各処理ユ
ニットを積層して構成した基板処理装置(特開平10−
284568号公報)が提案されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】各処理ユニットを多段
に積層した基板処理装置では、フットプリントの増大は
抑制できるものの、その高さは積層の程度に応じて高く
なる。そして、基板処理装置の高さが高くなるにつれ
て、各処理部に基板の搬送を行う搬送ロボットの高さも
高くなり基板の搬送が不安定になってくる。そのため、
積層するのにも限度がある。
【0012】特に搬入搬出装置の上方を利用する場合
は、基板の大型化によりセットされるカセットの数に伴
って搬入搬出装置の幅方向が大きくなり、上面面積の有
効利用が問題となる。
【0013】本発明は、かかる事情を鑑みてなされたも
のであって、本発明の目的は、設置面積の低減化を達成
しつつ、高さを押さえることが可能な基板処理装置を提
供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記目的を達成するために、本発明は、基板搬送手段が基
板に処理を施す複数の基板処理部に対して基板を搬送し
て所定の処理を行う基板処理装置であって、前記基板搬
送手段へ受け渡す複数枚の基板を収納するためのカセッ
トが載置される搬入搬出手段と、前記搬入搬出手段から
基板を受け取る基板搬送手段の周囲に多段に配置される
複数の基板処理部と、を具備し、前記基板処理部の一部
は搬入搬出手段の上方で水平方向に異なる基板処理部が
配置されたことを特徴とする基板処理装置である。
【0015】請求項2に係る発明は、請求項1に記載の
基板処理装置において、前記搬入搬出手段の上方に配置
された基板処理部が、加熱された基板を所定温度に冷却
する冷却処理部と、基板に加熱処理を行う加熱処理部と
からなる多段熱処理ユニット部と、表面に処理液が塗布
された基板の周囲を露光するエッジ露光ユニットと、を
備えていることを特徴とする。
【0016】本発明の作用は次のとおりである。請求項
1に係る発明の基板処理装置においては、基板搬送手段
の周囲に基板処理部を積層配置することで基板処理装置
の設置面積も小さくなる。さらに、搬入搬出手段の上方
に異なる基板処理部を配置することで有効利用が計られ
る。
【0017】請求項2記載の発明は、搬入搬出手段の上
方に多段熱処理ユニットとエッジ露光ユニットが配置さ
れる。薬液処理系のユニットを配置しないことで搬入搬
出手段に対して薬液雰囲気の影響を防ぐことができる。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明に係
る基板処理装置の一実施の形態について説明する。
【0019】以下、図面を参照して本発明の実施例を説
明する。 <第1実施例>まず、本発明に係る基板処理装置の全体
構成について説明する。図1及び図2は、実施形態の装
置を説明する図である。図1は、装置の平面図であり、
図2は、装置の正面図である。なお、図1には、その方
向関係を明確にするためXYZ直交座標系を付してい
る。ここでは、床面に平行な水平面をXY面とし、鉛直
方向をZ方向としている。
【0020】図1において、基板処理装置1は、基板の
搬入搬出領域Bを含む処理領域A、および受け渡し領域
Cに大別される。
【0021】処理領域Aは、基板を搬送する基板搬送手
段としての搬送ロボットTR1が配置される周囲に基板
の搬出入を行う搬入搬出領域Bを構成するインデクサI
Dと、後述する基板に処理を行う複数の処理ユニットが
放射状に配置される。そして受け渡し領域Cは図示しな
い露光装置と処理領域Aとの間で基板の搬入/搬出を行
うためにインターフェイスIFが構成されている。
【0022】処理領域Aでは、種々の処理ユニットがD
1〜D5の5つの階層に積層されている。最下部の第1
の階層D1には、化学系ユニット11が配置されてい
る。化学系ユニット11は、各種処理液(薬液)、廃液
を貯留するタンクや配管等を収納するケミカルキャビネ
ットと、ポンプおよび排気系を収納する。
【0023】この上側であって第2の階層D2には、イ
ンデクサIDと、搬送ロボットTR1を挟んでインデク
サIDに対向してその隅には基板に処理液による処理を
施す処理ユニットとして、基板にフォトレジスト等の処
理液を基板を回転させつつレジスト塗布処理を行う回転
式塗布ユニットSC1、SC2(スピンコータ)が配置
される。
【0024】次に第3の階層D3であるインデクサID
及び回転式塗布ユニットSC1,SC2の上部には、U
LPA(Ultra Low Penetration Air )フィルタ、化学
吸着フィルタ等のフィルタおよびファンからなる空気調
整ユニット12,13が配置されている。
【0025】第4の階層D4には、インデクサIDの上
方でインデクサID上面に3列の基板に熱処理を行う多
段熱処理ユニット20,21,22とエッジ露光ユニッ
トEEが装置の前部(Y方向の負の向き側)及び後部
(Y方向の正の向き側)に配置されている。塗布処理ユ
ニットSC1,SC2の上方には露光後の基板の現像処
理を行う回転式現像ユニットSD1、SD2(スピンデ
ベロッパ)が配置されている。
【0026】処理領域Aの最上部には第5の階層D5と
して、クリーンエアのダウンフローを形成するファンフ
ィルタユニットFFUが設置されている。
【0027】装置の前側(Y方向の負の向き側)であっ
て回転式塗布ユニットSC1とインデクサIDの間に
は、処理ユニットとして基板に純水等の洗浄液を供給し
て基板を回転洗浄する洗浄処理ユニットSS(スピンス
クラバ)が配置されている。
【0028】処理領域Aの中央は、ファンフィルタユニ
ットFFUを上端として搬送ロボットTR1が上下方向
に移動する搬送領域Eを有している。
【0029】次に、図3を参照して更に詳細に説明す
る。図3は、図1の処理ユニットの配置構成を説明する
図である。さらに図3は、処理領域A内における基板W
の搬送、インデクサID内における基板の搬送、処理領
域A及びインデクサID間における基板の受け渡しを説
明する図である。
【0030】インデクサIDは、装置1の前部から後部
に向かう載置台30に基板Wを収納する複数(本実施例
では4個)のカセット31および基板の搬入搬出を行う
移載ロボット32を備える。移載ロボット32は、全体
として、ガイドレール等からなるY軸方向の駆動機構3
3を備え、インデクサIDに設けた通路上をY方向に往
復移動可能となっている。また上下方向に移動可能で、
かつ鉛直方向に軸の周りで回動可能に構成される。
【0031】そして、インデクサIDに設けた移載ロボ
ット32は、搬送ロボットTR1との間で基板Wの受け
渡しを行う。この移載ロボット32は、搬送ロボットT
R1によって受け渡しポジションP1まで搬送されてき
た基板Wを受け取ってカセット31中に収納するととも
に、カセット31中の基板Wをカセット31外に取り出
し、受け渡しポジションP1まで移動させて搬送ロボッ
トTR1に渡す。
【0032】インデクサIDの上方には、6段構成の多
段熱処理ユニット20,21,23とエッジ露光ユニッ
トEEが配置されている。これらのうち、第一の多段熱
処理ユニット20の形態としては、最下段より数えて1
段目の位置には基板の冷却処理を行うクールプレート部
CP1が設けられており、2段目,3段目についても同
様にクールプレート部CP2,CP3が設けられてい
る。そして、4段目には、基板の加熱処理を行うホット
プレート部HP1が設けられ、5段目と6段目の位置に
ついても同様に、ホットプレート部HP2,HP3が設
けられている。
【0033】中央の第二の多段熱処理ユニット21は、
最下段より1段目から3段目の位置にはクールプレート
部CP4〜CP6が設けられており、4段目から6段目
の位置にはホットプレート部HP4〜HP6が設けられ
ている。
【0034】第三の多段熱処理ユニット22は、最下段
より1段目,2段目の位置にはクールプレート部CP
7,CP8が設けられており、3段目段目には、基板に
対して密着強化処理を行う密着強化部AHが設けられ、
4段目,5段目の位置にはホットプレート部HP7,H
P8が設けられている。最上段の位置には、基板に対し
て露光後のベーキング処理を行う露光後ベークプレート
部PEBが設けられている。
【0035】エッジ露光ユニットEEは、基板Wを保持
して低速回転させる基板回転保持機構40と、基板Wの
周縁に光を照射する光照射部41などを備えて構成され
ている。エッジ露光された基板Wは、後の現像処理によ
って基板Wの周縁のフォトレジスト膜が除去される結
果、基板Wの周縁のフォトレジスト膜が剥離してパーテ
ィクルになるという弊害が生じない。
【0036】次に、搬送ロボットTR1について説明す
る。搬送ロボットTR1は、周囲の全処理ユニットにア
クセスしてこれらとの間で基板の受け渡しを行う。この
搬送ロボットTR1は、鉛直方向に移動可能であるとと
もに中心の鉛直軸回りに回転可能となっている。即ち、
搬送ロボットTR1は基台50上に設置されており、基
板Wを保持する一対の搬送アーム51a,51bを水平
方向に移動させる水平移動機構と、鉛直方向に移動させ
る昇降機構と、基台50の中心を軸として回転すること
ができるように回転駆動機構が構成されている。そし
て、これらの機構によって搬送アーム51a,51bは
3次元的に移動することが可能である。これによって搬
送領域E内で昇降および旋回移動する。
【0037】各搬送アーム51a,51bは、それぞれ
各処理ユニットに対する姿勢を維持しつつ水平方向に直
進する。そして、各搬送アーム51a,51bを互い違
いに屈伸させれば、正面にある処理ユニット中の処理済
み基板Wを取り出して、未処理の基板Wをこの処理ユニ
ット中に搬入することができる。
【0038】この搬送ロボットTR1は、このような構
造により、例えば第4の階層D4でクールプレート部C
P3により冷却処理が施された基板Wと、回転式現像ユ
ニットSD1において回転処理が行われた他方の基板W
とをそれぞれ搬送ロボットTR1のアーム51a,51
bに保持し、アーム51a,51bを後退させた後、1
80度旋回し、さらにアーム51a,51bを進行させ
て2つの基板Wを同時に入れ換えることができる。
【0039】そして、上記の液処理ユニットや熱処理ユ
ニット間を処理領域Aの中央部に設けられた搬送ロボッ
トTR1が順次に搬送することによって基板に対して所
定の処理を施すことができる。
【0040】搬送ロボットTR1とインターフェースI
Fとの間には、回転式塗布ユニットSC1,SC2が装
置1の前後に配置される。そして、各回転式塗布ユニッ
トSC1,SC2の上方には、露光後の基板の現像処理
を行う回転式現像ユニットSD1、SD2(スピンデベ
ロッパ)が、各々同じユニット設置面積で積層されてい
る。そして、前後の積層処理ユニットの間は、搬送ロボ
ットTR1とインターフェイスIFとの間で基板の受け
渡しを行う受け渡しポジションP2として機能する。
【0041】受け渡し領域Cでは、外部の装置との間で
基板の受け渡しを行うインターフェイスIFが配置さ
れ、本実施例では、外部の装置として図示しない露光装
置が隣接配置されている。インターフェイスIFは、処
理領域Aにおいてレジストの塗布が終了した基板Wを露
光装置側に渡したり露光後の基板Wを露光装置側から受
け取るべく、かかる基板Wを一時的にストックする機能
を有し、搬送ロボットTR1との間で基板Wを受け渡す
搬送ロボット60と、基板を載置するバッファカセット
61とを備えている。
【0042】搬送ロボット60は、上下方向および水平
方向に移動可能かつ鉛直方向に軸の周りで回動可能に構
成され、露光装置および処理領域Aとの間で基板Wの受
け渡しを行う。インターフェイスIFの直上にも、クリ
ーンエアのダウンフローを形成するフィルタファンユニ
ットFFUが設置されている。
【0043】インターフェイスIFに関しては、受け渡
しポジションP2において基板の交換が行われる。すな
わち、搬送ロボットTR1は、処理領域Aにおいて所定
の処理を終了した基板Wを受け渡しポジションP2まで
移動させてここでインターフェイスIFとの間の基板交
換を行う。
【0044】ここで、本実施例における回転式塗布ユニ
ットSC1,SC2、回転式現像ユニットSD1,SD
2、クールプレート部CP1〜8、ホットプレート部H
P1〜8、密着強化部AH、露光後ベークプレート部P
BE、エッジ露光ユニットEが基板処理部に相当する。
さらに、インデクサIDが搬入搬出手段に相当し、搬送
ロボットTR1が基板搬送手段に相当する。
【0045】次に、図1の基板処理装置1の動作を説明
する。以下に上述した実施例装置における基板Wの処理
の流れを図4を参照して説明する。図4は、各処理ユニ
ットなどへの基板Wの流れを示したフロー図ある。な
お、図4中に符号を並べて記載したステップ、例えば
「SC1、SC2 」は、空いている回転式塗布ユニッ
トに基板Wを搬入して基板の並行処理(この場合、フォ
トレジスト塗布の並行処理)を行うことを意味する。
【0046】インデクサIDの移載ロボット32がカセ
ット31から未処理の基板Wを取り出し、基板Wを搬入
する。搬送ロボットTR1は受け渡しポジションP1に
供給された基板Wを受け取る。この基板Wは、搬送ロボ
ットTR1によって、密着強化部AHL、クールプレー
ト部CP1またはCP2、回転式塗布ユニットSC1ま
たはSC2、ホットプレート部HP1またはHP2、ク
ールプレート部CP3またはCP4、エッジ露光ユニッ
トEEへと順に搬送される。
【0047】即ち、基板Wを受け取ったクールプレート
部CP1またはCP2は、基板Wに冷却処理を行う。冷
却処理が終了すると、搬送ロボットTR1がクールプレ
ート部CP1またはCP2から基板Wを取り出し、回転
式塗布ユニットSC1に基板Wを受け渡す。回転式塗布
ユニットSC1は、受け取った基板Wに処理液を回転塗
布する。処理が終了すると、再び搬送ロボットTR1が
基板Wを回転式塗布ユニットSC1から取り出し、18
0度旋回して基板Wをホットプレート部HP1またはH
P2に搬送する。ホットプレート部HP1またはHP2
には受け取った基板Wに対して加熱処理を行う。
【0048】以上の処理を受けた基板Wは、処理が終了
すると、処理済みの基板Wは再び搬送ユニットTR1に
渡され、受け渡しポジションP2を通して搬送ロボット
60に受け渡される。搬送ロボットTR1から搬送ロボ
ット60を受け渡され、さらに、インターフェイスIF
を介して露光装置に送られる。
【0049】露光装置で回路パターンなどが露光された
基板Wは、インターフェイスIFを介して再び搬送ロボ
ットTR1に受け渡される。この基板Wは、搬送ロボッ
トTR1によって、エッジ露光ユニットEE、ホットプ
レート部HP5またはHP6、クールプレート部CP4
またはCP5、回転式現像ユニットSD1またはSD
2、ホットプレート部HP7またはHP8、およびクレ
ールプレート部CP6へと順に搬送される。
【0050】即ち、外部の露光装置による処理が終了し
た基板Wは、搬送ロボット60に渡され、受け渡しポジ
ションP2に供給される。その後、基板Wは搬送ロボッ
トTR1によりエッジ露光ユニットEEの後、回転式現
像ユニットSD1またはSD2に受け渡される。回転式
現像ユニットSD1またはSD2では基板Wに現像処理
を行う。現像処理が終了した基板Wは、搬送ロボットT
R1により、例えばホットプレート部HP7またはHP
8に受け渡され、さらに搬送ロボットTR1を通してク
ールプレート部CP6に搬送され、冷却処理が行われ
る。
【0051】冷却処理が終了すると、基板Wは再び搬送
ロボットTR1に受け渡され、受け渡しポジションP1
を通り移載ロボット32に受け渡される。そして、移載
ロボット32によりカセット31に戻される。
【0052】以上の処理を受けた基板Wは、インデクサ
装置20を戻されてカセットCに収納される。以下、同
様の処理が基板単位で繰り返し実行される。
【0053】以上説明したような上記第一の実施例によ
る基板処理装置は、回転式塗布ユニットSC1,SC2
と回転式現像ユニットSD1,SD2とを積層し、多段
熱処理ユニット20とエッジ露光ユニットEEとをイン
デクサIDの上方に積層し、搬送ロボットTR1を中心
に互いに対向する位置に配置されている。このため、基
板処理装置1の平面占有面積は、水平方向に移動可能な
搬送ユニットを有する搬送領域に比べ小さくすることが
できる。これにより、基板処理装置1のフットプリント
を低減することができる。また、インデクサIDの上方
も利用して各処理ユニットの平面的な配置効率が向上
し、基板処理装置の高さも押さえることができる。
【0054】<第2実施例>図5は、本発明に係る基板
処理装置の第2実施例の概略構成を示した平面図であ
る。なお、図5において、図1中の符号と同一の符号で
示した構成部分は、第1実施例のものと同じ構成である
ので、ここでの説明は省略する。以下、本実施例の特徴
部分を説明する。
【0055】本実施例に係る基板処理装置80は、イン
デクサIDの上方であるインデクサID上面におけるユ
ニット配置を非直線状として配置している。一方、回転
式塗布ユニットSC1,SC2の上方の回転式現像ユニ
ットSD1,SD2の配置については第1実施例装置と
同様である。
【0056】多段熱処理ユニット200,211,22
2とエッジ露光ユニットEE2が、搬送ロボットTR1
の回転軌道経路に沿ってその周りに配置されている。各
ユニット列の搬入開口を有する側面が搬送ロボットTR
1に向かうように構成される。こうすることにより搬送
ロボットTR1による基板の搬入搬出時間の均一化が保
たれる。
【0057】<第3実施例>図6は、本発明に係る基板
処理装置の第3実施例の概略構成を示した図である。な
お、図6において、図1中の符号と同一の符号で示した
構成部分は、第1実施例のものと同じ構成であるので、
ここでの説明は省略する。以下、本実施例の特徴部分を
説明する。
【0058】基板処理装置90は、処理領域Aの中央に
搬送領域Eが処理領域Aを区切るように配置されてい
る。処理領域Aのほぼ中間を通るように搬送ロボットT
R2の駆動機構92が配設され搬送領域Eが設けられて
いる。搬送ロボットTR2は鉛直方向に昇降動作および
旋回動作のみを行うように形成されており、駆動機構9
2が搬送ロボットTR2をインデクサIDと平行して水
平方向に移動する。
【0059】そして、搬送ロボットTR2の搬送領域E
に沿うように、それぞれがインデクサIDと多段熱処理
ユニット20〜22とエッジ露光ユニットEEが配置し
て構成された第一処理ユニット群A1と、回転式塗布ユ
ニットSC1,SC2と回転式現像ユニットSD1,S
D2からなる第二処理ユニット群A2が対向して配置さ
れている。
【0060】第一処理ユニット群A1はインデクサID
の上方位置であって、搬送ロボットTR2の移動経路の
周りに第1実施例と同様に構成される。
【0061】また、第二処理ユニット群A2は、第2の
階層D2において、回転式塗布ユニットSC1とSC2
の間に位置決めユニット91が配置されている。位置決
めユニット91は、基板Wの方向を所定の方向に調整す
る機能を有するものである。第2の階層D2の上方の第
4の階層D4は、装置90の奥側から回転式塗布ユニッ
トSC1,SC2および前側に洗浄処理ユニットSSが
配置される。以上の積層配置により第二処理ユニット群
A2が構成される。
【0062】このように搬送ロボットTR2の搬送領域
Eの周りに配置された第一及び第二処理ユニット群A
1,A2は、搬送ロボットTR2の水平移動によって基
板の搬入・搬出が行われる。よって、本実施例に係る基
板処理装置90もインデクサIDの上方を有効に利用し
た配置の装置であり、その設置面積は第1実施例の装置
と同様に縮小化されている。
【0063】なお、処理ユニットの配置は上記の例に限
らず、位置決めユニット91とエッジ露光ユニットEE
とを入れ換える、または洗浄処理ユニットSSと位置決
めユニット91とを入れ換えるように配置してもよい。
【0064】なお、上記の各実施例において処理ユニッ
トの配置は上記の例に限らず、回転式現像ユニットSD
1,SD2と回転式塗布ユニットSC1,SC2とを入
れ換えて、図3の配置とは逆になるように配置してもよ
い。
【0065】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば次の効果を奏する。複数の処理部が高さ方向に
積層された基板処理装置であって、搬入搬出手段の上方
を利用して異なる基板処理部を配置するのでスペースを
抑制することができ基板処理装置の占める鉛直面内での
装置の設置面積を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施の形態である基板処理装置を説
明する平面図である。
【図2】この発明の実施の形態である基板処理装置を説
明する正面図である。
【図3】図1の装置を構成する処理ユニットの配置を説
明する図である。
【図4】図4は、各処理ユニットなどへの基板Wの流れ
を示したフロー図ある。
【図5】第二の実施形態である基板処理装置を説明する
正面図である。
【図6】第三の実施形態である基板処理装置装置を構成
する処理ユニットの配置を説明する図である。
【図7】従来の基板処理装置の処理ユニット配置を模型
式的に示す概念的平面配置図である。
【符号の説明】
1、80、90 基板処理装置 A 処理領域 B 搬入搬出領域 C 受け渡し領域 TR1、TR2、60 搬送ロボット 111、SC1、SC2 回転式塗布ユニット 112、SD1、SD2 回転式現像ユニット EE、EE2 エッジ露光ユニット 20、21、22、200、211、222 多段熱処
理ユニット W 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H025 AA04 AB16 EA05 EA10 FA03 FA12 5F031 CA02 CA05 DA01 FA01 FA02 FA07 FA11 FA12 FA15 GA02 GA43 GA47 GA48 GA49 GA50 MA02 MA03 MA04 MA06 MA09 MA23 MA24 MA26 MA27 MA30 NA02 5F046 AA17 AA28 CD05 JA22 KA07 LA11 LA18

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板搬送手段が基板に処理を施す複数の
    基板処理部に対して基板を搬送して所定の処理を行う基
    板処理装置であって、 前記基板搬送手段へ受け渡す複数枚の基板を収納するた
    めのカセットが載置される搬入搬出手段と、 前記搬入搬出手段から基板を受け取る基板搬送手段の周
    囲に多段に配置される複数の基板処理部と、を具備し、 前記基板処理部の一部は、搬入搬出手段の上方で水平方
    向に異なる基板処理部が配置されたことを特徴とする基
    板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の基板処理装置におい
    て、 前記搬入搬出手段の上方に配置された基板処理部が、加
    熱された基板を所定温度に冷却する冷却処理部と、基板
    に加熱処理を行う加熱処理部とからなる多段熱処理ユニ
    ット部と、 表面に処理液が塗布された基板の周囲を露光するエッジ
    露光ユニットと、を備えていることを特徴とする基板処
    理装置。
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