JP2002217267A - 基板処理装置 - Google Patents
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- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
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- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】基板処理装置の設置面積を削減して、さらに基
板搬送を安定して行える基板処理装置を提供する。 【解決手段】基板処理装置１は、処理領域Ｃの中心に配
置される搬送ロボットＴＲ１の周囲に処理ユニットが多
段に積層されて処理部が形成される。第２の階層Ｄ２
は、インデクサＩＤと搬送ロボットＴＲ１を挟んで回転
式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２が配置される。それぞ
れ、その上方の第４の階層Ｄ４には、回転式塗布ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２の上方に回転式現像ユニットＳＤ１，
ＳＤ２が積層される。インターフェイス機構部ＩＦの上
方には多段熱処理ユニット２０，２１，２２とエッジ露
光ユニットＥＥが水平方向に並んで配置される。
板搬送を安定して行える基板処理装置を提供する。 【解決手段】基板処理装置１は、処理領域Ｃの中心に配
置される搬送ロボットＴＲ１の周囲に処理ユニットが多
段に積層されて処理部が形成される。第２の階層Ｄ２
は、インデクサＩＤと搬送ロボットＴＲ１を挟んで回転
式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２が配置される。それぞ
れ、その上方の第４の階層Ｄ４には、回転式塗布ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２の上方に回転式現像ユニットＳＤ１，
ＳＤ２が積層される。インターフェイス機構部ＩＦの上
方には多段熱処理ユニット２０，２１，２２とエッジ露
光ユニットＥＥが水平方向に並んで配置される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板や液
晶用ガラス基板などの薄板状基板（以下、単に「基板」
と称する）に対して熱処理、薬液処理などの一連の処理
を行う基板処理装置に関する。
晶用ガラス基板などの薄板状基板（以下、単に「基板」
と称する）に対して熱処理、薬液処理などの一連の処理
を行う基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が
用いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロセ
スでは、生産効率を高めるために一連の処理の各々をユ
ニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理装
置が用いられている。
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が
用いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロセ
スでは、生産効率を高めるために一連の処理の各々をユ
ニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理装
置が用いられている。
【０００３】基板処理装置においては、基板に対して所
定の加熱処理を行う加熱処理部、冷却処理を行う冷却処
理部および薬液処理を行う薬液処理部間で搬送ロボット
により基板の搬送を行い、所定の順序で一連の基板処理
を行っている。そして、このような基板処理装置は、温
度、湿度およびパーティクルが管理されたクリーンルー
ム中に通常設置されている。
定の加熱処理を行う加熱処理部、冷却処理を行う冷却処
理部および薬液処理を行う薬液処理部間で搬送ロボット
により基板の搬送を行い、所定の順序で一連の基板処理
を行っている。そして、このような基板処理装置は、温
度、湿度およびパーティクルが管理されたクリーンルー
ム中に通常設置されている。
【０００４】図７は、従来の基板処理装置における処理
ユニット配置の一例を模式的に示す概念的平面配置図で
ある。図７の基板処理装置は、処理部１１０，１２０お
よび搬送領域１３０を有する。処理部１１０には、基板
に処理液の塗布処理を行う回転式塗布ユニット（スピン
コータ）１１１および基板に現像処理を行う回転式現像
ユニット（スピンデベロッパ）１１２が並設されてい
る。
ユニット配置の一例を模式的に示す概念的平面配置図で
ある。図７の基板処理装置は、処理部１１０，１２０お
よび搬送領域１３０を有する。処理部１１０には、基板
に処理液の塗布処理を行う回転式塗布ユニット（スピン
コータ）１１１および基板に現像処理を行う回転式現像
ユニット（スピンデベロッパ）１１２が並設されてい
る。
【０００５】また、処理部１２０には、基板に加熱処理
を行う加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび基板
に冷却処理を行う冷却ユニット（クーリングプレート）
ＣＰが複数段に配置されている。搬送領域１３０には、
基板を搬送する搬送ユニット１３１が設けられている。
これらの処理部１１０，１２０および搬送領域１３０の
一端部側には、基板Ｗを収納するとともに基板Ｗの搬入
および搬出を行う搬入搬出装置（インデクサ）１４０が
配置されている。
を行う加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび基板
に冷却処理を行う冷却ユニット（クーリングプレート）
ＣＰが複数段に配置されている。搬送領域１３０には、
基板を搬送する搬送ユニット１３１が設けられている。
これらの処理部１１０，１２０および搬送領域１３０の
一端部側には、基板Ｗを収納するとともに基板Ｗの搬入
および搬出を行う搬入搬出装置（インデクサ）１４０が
配置されている。
【０００６】搬入搬出装置１４０は、基板Ｗを収納する
複数のカセット１４１および基板Ｗの搬入および搬出を
行う移載ロボット１４２を備える。搬入搬出装置１４０
の移載ロボット１４２は、矢印Ｕ方向に移動し、カセッ
ト１４１から基板Ｗを取り出して搬送ユニット１３１に
渡し、一連の処理が施された基板Ｗを搬送ユニット１３
１から受け取ってカセット１４１に戻す。搬送ユニット
１３１は、搬送領域１３０内で基板Ｗを矢印Ｓ方向に搬
送するとともに、上記の各処理ユニットに対して基板Ｗ
の搬入および搬出を行い、かつ移載ロボット１４２との
間で基板Ｗの受渡しを行う。
複数のカセット１４１および基板Ｗの搬入および搬出を
行う移載ロボット１４２を備える。搬入搬出装置１４０
の移載ロボット１４２は、矢印Ｕ方向に移動し、カセッ
ト１４１から基板Ｗを取り出して搬送ユニット１３１に
渡し、一連の処理が施された基板Ｗを搬送ユニット１３
１から受け取ってカセット１４１に戻す。搬送ユニット
１３１は、搬送領域１３０内で基板Ｗを矢印Ｓ方向に搬
送するとともに、上記の各処理ユニットに対して基板Ｗ
の搬入および搬出を行い、かつ移載ロボット１４２との
間で基板Ｗの受渡しを行う。
【０００７】ところで、近年においては、生産性の向上
のために基板の大口径化がますます進み、直径が３００
ｍｍ以上の基板も取り扱われるようになりつつある。基
板のサイズが大きくなると、その基板を処理する各処理
部も大きくなり、それにつれて基板処理装置全体が大型
化し、その基板処理装置が平面的に占有する設置面積
（以下、「フットプリント」と称する）が大きくなる。
一方、クリーンルームの管理の都合上、基板処理装置が
大型化するのは好ましくない。
のために基板の大口径化がますます進み、直径が３００
ｍｍ以上の基板も取り扱われるようになりつつある。基
板のサイズが大きくなると、その基板を処理する各処理
部も大きくなり、それにつれて基板処理装置全体が大型
化し、その基板処理装置が平面的に占有する設置面積
（以下、「フットプリント」と称する）が大きくなる。
一方、クリーンルームの管理の都合上、基板処理装置が
大型化するのは好ましくない。
【０００８】これは、基板処理装置のフットプリントが
大きくなると環境維持費のコストアップに結びつくから
である。クリーンルームを維持するのに基板処理装置の
内部の雰囲気を清浄に保持するために温湿調ユニットや
フィルタなどの特別な設備を必要としている。そこで、
フィルタ等の材料費および維持費が増加するという問題
が生じる。特に最近は処理液として化学増幅型レジスト
に対応するための高価な化学吸着フィルタなどが必要と
なる場合もあるため、この化学吸着フィルタを使用する
面積が増大すると、材料費や維持費の増大が大きな問題
となる。
大きくなると環境維持費のコストアップに結びつくから
である。クリーンルームを維持するのに基板処理装置の
内部の雰囲気を清浄に保持するために温湿調ユニットや
フィルタなどの特別な設備を必要としている。そこで、
フィルタ等の材料費および維持費が増加するという問題
が生じる。特に最近は処理液として化学増幅型レジスト
に対応するための高価な化学吸着フィルタなどが必要と
なる場合もあるため、この化学吸着フィルタを使用する
面積が増大すると、材料費や維持費の増大が大きな問題
となる。
【０００９】また、最近では、基板の処理を大量にかつ
効率的に行うために、多数の処理ユニットが１台の基板
処理装置に搭載されている。それゆえ、クリーンルーム
内のスペースを有効に使用することができる基板処理装
置が望まれる。そこで、基板処理装置のフットプリント
の増大を抑制するために、上記の各処理ユニットを上方
へ多段に積層した基板処理装置が提案され、使用されつ
つある。その結果、フットプリントの低減を図ってい
る。
効率的に行うために、多数の処理ユニットが１台の基板
処理装置に搭載されている。それゆえ、クリーンルーム
内のスペースを有効に使用することができる基板処理装
置が望まれる。そこで、基板処理装置のフットプリント
の増大を抑制するために、上記の各処理ユニットを上方
へ多段に積層した基板処理装置が提案され、使用されつ
つある。その結果、フットプリントの低減を図ってい
る。
【００１０】例えば、搬入搬出装置、各処理ユニットを
すべて鉛直方向に配置する（特開昭６３−５５２３号公
報）が提案されている。また、処理部において各処理ユ
ニットを積層して構成した基板処理装置（特開平１０−
２８４５６８号公報）が提案されている。
すべて鉛直方向に配置する（特開昭６３−５５２３号公
報）が提案されている。また、処理部において各処理ユ
ニットを積層して構成した基板処理装置（特開平１０−
２８４５６８号公報）が提案されている。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】各処理ユニットを多段
に積層した基板処理装置では、フットプリントの増大は
抑制できるものの、その高さは積層の程度に応じて高く
なる。そして、基板処理装置の高さが高くなるにつれ
て、各処理部に基板の搬送を行う搬送ロボットの高さも
高くなり基板の搬送が不安定になってくる。そのため、
積層するのにも限度がある。
に積層した基板処理装置では、フットプリントの増大は
抑制できるものの、その高さは積層の程度に応じて高く
なる。そして、基板処理装置の高さが高くなるにつれ
て、各処理部に基板の搬送を行う搬送ロボットの高さも
高くなり基板の搬送が不安定になってくる。そのため、
積層するのにも限度がある。
【００１２】一方、上記のような基板処理装置には、本
装置に連設される露光装置との間で、基板を受け渡すイ
ンターフェイス機構部が別途、配置されることとなる。
このインターフェイス機構部も、基板処理装置と同様に
基板のサイズが大きくなると、各部が大きくなり、それ
につれ全体が大型化し、そのフットプリントが大きくな
るという問題があった。
装置に連設される露光装置との間で、基板を受け渡すイ
ンターフェイス機構部が別途、配置されることとなる。
このインターフェイス機構部も、基板処理装置と同様に
基板のサイズが大きくなると、各部が大きくなり、それ
につれ全体が大型化し、そのフットプリントが大きくな
るという問題があった。
【００１３】本発明は、かかる事情を鑑みてなされたも
のであって、本発明の目的は、設置面積の低減化を達成
しつつ、高さを押さえることが可能なインターフェイス
機構部を備えた基板処理装置を提供することである。
のであって、本発明の目的は、設置面積の低減化を達成
しつつ、高さを押さえることが可能なインターフェイス
機構部を備えた基板処理装置を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】上
記目的を達成するために、本発明は、基板に対して複数
工程からなる処理を施す基板処理装置であって、鉛直方
向に沿って延在する搬送経路と、この搬送経路の周囲に
配置され、各々基板に対して所定の処理を施す複数の処
理ユニットを鉛直方向に積層して構成される複数の処理
部と、前記搬送経路を移動するとともに、前記複数の処
理部の各処理ユニットに対して前記基板を搬入出する主
搬送機構と、を備え、前記処理部に、装置外部との間で
基板を受け渡しするインターフェイス機構部を配置した
ことを特徴とする基板処理装置である。
記目的を達成するために、本発明は、基板に対して複数
工程からなる処理を施す基板処理装置であって、鉛直方
向に沿って延在する搬送経路と、この搬送経路の周囲に
配置され、各々基板に対して所定の処理を施す複数の処
理ユニットを鉛直方向に積層して構成される複数の処理
部と、前記搬送経路を移動するとともに、前記複数の処
理部の各処理ユニットに対して前記基板を搬入出する主
搬送機構と、を備え、前記処理部に、装置外部との間で
基板を受け渡しするインターフェイス機構部を配置した
ことを特徴とする基板処理装置である。
【００１５】請求項２に係る発明は、請求項１に記載の
基板処理装置において、前記インターフェイス機構部の
上方に配置された処理ユニットが、加熱された基板を所
定温度に冷却する冷却処理部と、基板に加熱処理を行う
加熱処理部とからなる多段熱処理ユニット部と、表面に
処理液が塗布された基板の周囲を露光するエッジ露光ユ
ニットと、を備えていることを特徴とする。
基板処理装置において、前記インターフェイス機構部の
上方に配置された処理ユニットが、加熱された基板を所
定温度に冷却する冷却処理部と、基板に加熱処理を行う
加熱処理部とからなる多段熱処理ユニット部と、表面に
処理液が塗布された基板の周囲を露光するエッジ露光ユ
ニットと、を備えていることを特徴とする。
【００１６】本発明の作用は次のとおりである。請求項
１に係る発明の基板処理装置においては、複数の処理部
が主搬送機構の周囲に基板の処理ユニットを積層配置す
ることで基板処理装置の設置面積も小さくなる。さら
に、処理部にはインターフェイス機構部を配置すること
で設置面積の低減化が計られる。
１に係る発明の基板処理装置においては、複数の処理部
が主搬送機構の周囲に基板の処理ユニットを積層配置す
ることで基板処理装置の設置面積も小さくなる。さら
に、処理部にはインターフェイス機構部を配置すること
で設置面積の低減化が計られる。
【００１７】請求項２記載の発明は、インターフェイス
機構部の上方に多段熱処理ユニットとエッジ露光ユニッ
トが配置される。薬液処理系のユニットを配置しないこ
とでインターフェイス機構部に対して薬液雰囲気の影響
を防ぐことができる。
機構部の上方に多段熱処理ユニットとエッジ露光ユニッ
トが配置される。薬液処理系のユニットを配置しないこ
とでインターフェイス機構部に対して薬液雰囲気の影響
を防ぐことができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明に係
る基板処理装置の一実施の形態について説明する。
る基板処理装置の一実施の形態について説明する。
【００１９】以下、図面を参照して本発明の実施例を説
明する。 ＜第１実施例＞まず、本発明に係る基板処理装置の全体
構成について説明する。図１及び図２は、実施形態の装
置を説明する図である。図１は、装置の平面図であり、
図２は、装置の正面図である。なお、図１には、その方
向関係を明確にするためＸＹＺ直交座標系を付してい
る。ここでは、床面に平行な水平面をＸＹ面とし、鉛直
方向をＺ方向としている。
明する。 ＜第１実施例＞まず、本発明に係る基板処理装置の全体
構成について説明する。図１及び図２は、実施形態の装
置を説明する図である。図１は、装置の平面図であり、
図２は、装置の正面図である。なお、図１には、その方
向関係を明確にするためＸＹＺ直交座標系を付してい
る。ここでは、床面に平行な水平面をＸＹ面とし、鉛直
方向をＺ方向としている。
【００２０】図１において、基板処理装置１は、基板の
搬入搬出領域Ａと、本実施例装置１に連設される露光装
置２００との間で基板Ｗを受け渡しする受け渡し領域Ｂ
を含む処理領域Ｃに大別される。以下、各部の構成を説
明する。
搬入搬出領域Ａと、本実施例装置１に連設される露光装
置２００との間で基板Ｗを受け渡しする受け渡し領域Ｂ
を含む処理領域Ｃに大別される。以下、各部の構成を説
明する。
【００２１】搬入搬出領域Ａは、インデクサＩＤより構
成され、インデクサＩＤは、載置台３０に基板Ｗを収納
する複数（本実施例では４個）のカセット３１を載置
し、各カセット３１と所定の基板受け渡し位置Ｐ１との
間で基板Ｗを搬入搬出する移載ロボット３２とを備え
る。カセット３１内には基板Ｗを多段に収納できるよう
になっている。移載ロボット３２は、全体として、ガイ
ドレール等からなるＹ軸方向の駆動機構３３を備え、イ
ンデクサＩＤに並設された搬送経路Ｙ１に沿って、搬送
経路Ｙ１上をＹ方向に往復移動可能となっている。ま
た、その上端に基板Ｗを支持する第１アーム３２ａを備
えている。この第１アーム３２ａは、上下方向に昇降自
在に、かつその長手方向に伸縮自在に移動可能で、また
鉛直方向に軸の周りで回動可能に構成される。なお、こ
のインデクサＩＤの上部にはファンフィルタユニットＦ
ＦＵａ が配置される。
成され、インデクサＩＤは、載置台３０に基板Ｗを収納
する複数（本実施例では４個）のカセット３１を載置
し、各カセット３１と所定の基板受け渡し位置Ｐ１との
間で基板Ｗを搬入搬出する移載ロボット３２とを備え
る。カセット３１内には基板Ｗを多段に収納できるよう
になっている。移載ロボット３２は、全体として、ガイ
ドレール等からなるＹ軸方向の駆動機構３３を備え、イ
ンデクサＩＤに並設された搬送経路Ｙ１に沿って、搬送
経路Ｙ１上をＹ方向に往復移動可能となっている。ま
た、その上端に基板Ｗを支持する第１アーム３２ａを備
えている。この第１アーム３２ａは、上下方向に昇降自
在に、かつその長手方向に伸縮自在に移動可能で、また
鉛直方向に軸の周りで回動可能に構成される。なお、こ
のインデクサＩＤの上部にはファンフィルタユニットＦ
ＦＵａ が配置される。
【００２２】そして、この移載ロボット３２は、カセッ
ト３１に対向する状態で第１アーム３２ａを伸長させる
とともに上昇させることにより、カセット３１内の所望
の基板Ｗを受け取り、第１アーム３２ａを収縮させるこ
とにより、カセット３１内から基板Ｗを取り出す。ま
た、移載ロボット３２は、基板Ｗを受け渡しポジション
Ｐ１まで移動させて、後述する搬送ロボットＴＲ１に渡
し、搬送ロボットＴＲ１によって受け渡しポジションＰ
１まで搬送されてきた基板Ｗを受け取ってカセット３１
中に収納するものである。
ト３１に対向する状態で第１アーム３２ａを伸長させる
とともに上昇させることにより、カセット３１内の所望
の基板Ｗを受け取り、第１アーム３２ａを収縮させるこ
とにより、カセット３１内から基板Ｗを取り出す。ま
た、移載ロボット３２は、基板Ｗを受け渡しポジション
Ｐ１まで移動させて、後述する搬送ロボットＴＲ１に渡
し、搬送ロボットＴＲ１によって受け渡しポジションＰ
１まで搬送されてきた基板Ｗを受け取ってカセット３１
中に収納するものである。
【００２３】次に、図３を参照して更に詳細に説明す
る。図３は、図１の処理ユニットの配置構成を説明する
図である。さらに図３は、処理領域Ｃ内における基板Ｗ
の搬送、受け渡し領域Ｂ内における基板の搬送、処理領
域Ｃ及び受け渡し領域Ｂ間における基板の受け渡しを説
明する図である。
る。図３は、図１の処理ユニットの配置構成を説明する
図である。さらに図３は、処理領域Ｃ内における基板Ｗ
の搬送、受け渡し領域Ｂ内における基板の搬送、処理領
域Ｃ及び受け渡し領域Ｂ間における基板の受け渡しを説
明する図である。
【００２４】処理領域Ｃは、その中央部に前記搬送経路
Ｙ１に直交して鉛直方向に延在する搬送経路Ｚ１が配備
されている。この搬送経路Ｚ１に沿って基板を搬送する
主搬送機構としての搬送ロボットＴＲ１が配置されてい
る。そして、搬送ロボットＴＲ１の周囲に、基板に処理
を行う複数の処理部が放射状に配置されている。そし
て、処理部に露光装置２００と処理領域Ａとの間で基板
の搬入／搬出を行うためにインターフェイス機構部ＩＦ
で構成されている受け渡し領域Ｂを含んでいる。
Ｙ１に直交して鉛直方向に延在する搬送経路Ｚ１が配備
されている。この搬送経路Ｚ１に沿って基板を搬送する
主搬送機構としての搬送ロボットＴＲ１が配置されてい
る。そして、搬送ロボットＴＲ１の周囲に、基板に処理
を行う複数の処理部が放射状に配置されている。そし
て、処理部に露光装置２００と処理領域Ａとの間で基板
の搬入／搬出を行うためにインターフェイス機構部ＩＦ
で構成されている受け渡し領域Ｂを含んでいる。
【００２５】次に、搬送ロボットＴＲ１について説明す
る。処理領域Ｃの中央は、クリーンエアのダウンフロー
を形成するファンフィルタユニットＦＦＵｂを上端とし
て搬送ロボットＴＲ１が上下方向に移動する搬送領域Ｚ
１を有している。搬送ロボットＴＲ１は、周囲の全処理
ユニットにアクセスしてこれらとの間で基板の受け渡し
を行う。この搬送ロボットＴＲ１は、鉛直方向に移動可
能であるとともに中心の鉛直軸回りに回転可能となって
いる。即ち、搬送ロボットＴＲ１は基台５０上に設置さ
れており、基板Ｗを保持する一対の搬送アーム５１ａ，
５１ｂを水平方向に移動させる水平移動機構と、鉛直方
向に移動させる昇降機構と、基台５０の中心を軸として
回転することができるように回転駆動機構が構成されて
いる。そして、これらの機構によって搬送アーム５１
ａ，５１ｂは３次元的に移動することが可能である。こ
れによって搬送領域Ｚ１内で昇降および旋回移動する。
る。処理領域Ｃの中央は、クリーンエアのダウンフロー
を形成するファンフィルタユニットＦＦＵｂを上端とし
て搬送ロボットＴＲ１が上下方向に移動する搬送領域Ｚ
１を有している。搬送ロボットＴＲ１は、周囲の全処理
ユニットにアクセスしてこれらとの間で基板の受け渡し
を行う。この搬送ロボットＴＲ１は、鉛直方向に移動可
能であるとともに中心の鉛直軸回りに回転可能となって
いる。即ち、搬送ロボットＴＲ１は基台５０上に設置さ
れており、基板Ｗを保持する一対の搬送アーム５１ａ，
５１ｂを水平方向に移動させる水平移動機構と、鉛直方
向に移動させる昇降機構と、基台５０の中心を軸として
回転することができるように回転駆動機構が構成されて
いる。そして、これらの機構によって搬送アーム５１
ａ，５１ｂは３次元的に移動することが可能である。こ
れによって搬送領域Ｚ１内で昇降および旋回移動する。
【００２６】各搬送アーム５１ａ，５１ｂは、それぞれ
各処理ユニットに対する姿勢を維持しつつ水平方向に直
進する。そして、各搬送アーム５１ａ，５１ｂを互い違
いに屈伸させれば、正面にある処理ユニット中の処理済
み基板Ｗを取り出して、未処理の基板Ｗをこの処理ユニ
ット中に搬入することができる。
各処理ユニットに対する姿勢を維持しつつ水平方向に直
進する。そして、各搬送アーム５１ａ，５１ｂを互い違
いに屈伸させれば、正面にある処理ユニット中の処理済
み基板Ｗを取り出して、未処理の基板Ｗをこの処理ユニ
ット中に搬入することができる。
【００２７】処理領域Ｃでは、図４に示すように搬送経
路Ｚ１の一側方（図４中の左側）に、種々の処理ユニッ
トが５つの階層に積層されている。最下部の第１の階層
Ｄ１には、化学系ユニット１１が配置されている。化学
系ユニット１１は、各種処理液（薬液）、廃液を貯留す
るタンクや配管等を収納するケミカルキャビネットと、
ポンプおよび排気系を収納する。
路Ｚ１の一側方（図４中の左側）に、種々の処理ユニッ
トが５つの階層に積層されている。最下部の第１の階層
Ｄ１には、化学系ユニット１１が配置されている。化学
系ユニット１１は、各種処理液（薬液）、廃液を貯留す
るタンクや配管等を収納するケミカルキャビネットと、
ポンプおよび排気系を収納する。
【００２８】この上側であって第２の階層Ｄ２には、移
載ロボット３２と搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの受
け渡し位置Ｐ１を挟んで対向し、基板Ｗに処理液による
処理を施す処理ユニットとして、基板にフォトレジスト
等の処理液を基板を回転させつつレジスト塗布処理を行
う回転式塗布ユニットＳＣ１、ＳＣ２（スピンコータ）
が配置される。
載ロボット３２と搬送ロボットＴＲ１による基板Ｗの受
け渡し位置Ｐ１を挟んで対向し、基板Ｗに処理液による
処理を施す処理ユニットとして、基板にフォトレジスト
等の処理液を基板を回転させつつレジスト塗布処理を行
う回転式塗布ユニットＳＣ１、ＳＣ２（スピンコータ）
が配置される。
【００２９】次に第３の階層Ｄ３である回転式塗布ユニ
ットＳＣ１，ＳＣ２の上部には、ＵＬＰＡ（Ultra Low
Penetration Air ）フィルタ、化学吸着フィルタ等のフ
ィルタおよびファンからなる空気調整ユニット１２が配
置されている。
ットＳＣ１，ＳＣ２の上部には、ＵＬＰＡ（Ultra Low
Penetration Air ）フィルタ、化学吸着フィルタ等のフ
ィルタおよびファンからなる空気調整ユニット１２が配
置されている。
【００３０】第４の階層Ｄ４には、塗布処理ユニットＳ
Ｃ１，ＳＣ２の上方に露光後の基板の現像処理を行う回
転式現像ユニットＳＤ１、ＳＤ２（スピンデベロッパ）
が配置されている。最後に、処理領域Ｃの最上部には第
５の階層Ｄ５として、搬送領域Ｚ１と同様にファンフィ
ルタユニットＦＦＵｂが設置されている。
Ｃ１，ＳＣ２の上方に露光後の基板の現像処理を行う回
転式現像ユニットＳＤ１、ＳＤ２（スピンデベロッパ）
が配置されている。最後に、処理領域Ｃの最上部には第
５の階層Ｄ５として、搬送領域Ｚ１と同様にファンフィ
ルタユニットＦＦＵｂが設置されている。
【００３１】以上のように、搬送ロボットＴＲ１とイン
デクサＩＤとの間には、回転式塗布ユニットＳＣ１，Ｓ
Ｃ２が装置１の前後に配置される。そして、各回転式塗
布ユニットＳＣ１，ＳＣ２の上方には、露光後の基板の
現像処理を行う回転式現像ユニットＳＤ１、ＳＤ２が、
各々同じユニット設置面積で積層されている。そして、
前後の積層処理部の間は、搬送ロボットＴＲ１とインデ
クサＩＤとの間で基板の受け渡しを行う受け渡しポジシ
ョンＰ１として機能する。
デクサＩＤとの間には、回転式塗布ユニットＳＣ１，Ｓ
Ｃ２が装置１の前後に配置される。そして、各回転式塗
布ユニットＳＣ１，ＳＣ２の上方には、露光後の基板の
現像処理を行う回転式現像ユニットＳＤ１、ＳＤ２が、
各々同じユニット設置面積で積層されている。そして、
前後の積層処理部の間は、搬送ロボットＴＲ１とインデ
クサＩＤとの間で基板の受け渡しを行う受け渡しポジシ
ョンＰ１として機能する。
【００３２】処理領域Ｃの、搬送経路Ｚ１の他側方（図
４中の右側）にも、種々の処理ユニットが積層されてい
る。最下部には、受け渡し領域Ｂである、露光装置２０
０との間で基板Ｗの受け渡しを行うインターフェイス機
構部ＩＦが配置されている。インターフェイス機構部Ｉ
Ｆは、処理領域Ｃにおいてレジストの塗布が終了した基
板Ｗを露光装置２００側に渡したり露光後の基板Ｗを露
光装置２００側から受け取るべく、かかる基板Ｗを一時
的にストックする機能を有し、搬送ロボットＴＲ１との
間で基板Ｗを受け渡す搬送ロボット６０と、基板を載置
するバッファカセット６１とを備えている。
４中の右側）にも、種々の処理ユニットが積層されてい
る。最下部には、受け渡し領域Ｂである、露光装置２０
０との間で基板Ｗの受け渡しを行うインターフェイス機
構部ＩＦが配置されている。インターフェイス機構部Ｉ
Ｆは、処理領域Ｃにおいてレジストの塗布が終了した基
板Ｗを露光装置２００側に渡したり露光後の基板Ｗを露
光装置２００側から受け取るべく、かかる基板Ｗを一時
的にストックする機能を有し、搬送ロボットＴＲ１との
間で基板Ｗを受け渡す搬送ロボット６０と、基板を載置
するバッファカセット６１とを備えている。
【００３３】搬送ロボット６０は、上下方向および水平
方向に移動可能かつ鉛直方向に軸の周りで回動可能に構
成され、露光装置２００および搬送ロボットＴＲ１との
間で基板Ｗの受け渡しを行う。インターフェイス機構部
ＩＦの直上にも、クリーンエアのダウンフローを形成す
るフィルタファンユニットＦＦＵｃが設置されている。
方向に移動可能かつ鉛直方向に軸の周りで回動可能に構
成され、露光装置２００および搬送ロボットＴＲ１との
間で基板Ｗの受け渡しを行う。インターフェイス機構部
ＩＦの直上にも、クリーンエアのダウンフローを形成す
るフィルタファンユニットＦＦＵｃが設置されている。
【００３４】インターフェイスＩＦに関しては、受け渡
しポジションＰ２において基板の交換が行われる。すな
わち、搬送ロボットＴＲ１は、処理領域Ｃにおいて所定
の処理を終了した基板Ｗを受け渡しポジションＰ２まで
移動させてここでインターフェイス機構部ＩＦとの間の
基板交換を行う。
しポジションＰ２において基板の交換が行われる。すな
わち、搬送ロボットＴＲ１は、処理領域Ｃにおいて所定
の処理を終了した基板Ｗを受け渡しポジションＰ２まで
移動させてここでインターフェイス機構部ＩＦとの間の
基板交換を行う。
【００３５】このインターフェイス機構部ＩＦの上方の
階層には、３列の基板に熱処理を行う６段構成の多段熱
処理ユニット２０，２１，２２が装置の前部（Ｙ方向の
負の向き側）、及び、エッジ露光ユニットＥＥが後部
（Ｙ方向の正の向き側）に配置されている。
階層には、３列の基板に熱処理を行う６段構成の多段熱
処理ユニット２０，２１，２２が装置の前部（Ｙ方向の
負の向き側）、及び、エッジ露光ユニットＥＥが後部
（Ｙ方向の正の向き側）に配置されている。
【００３６】多段熱処理ユニット２０，２１，２３のう
ち、第一の多段熱処理ユニット２０の形態としては、最
下段より数えて１段目の位置には基板の冷却処理を行う
クールプレート部ＣＰ１が設けられており、２段目，３
段目についても同様にクールプレート部ＣＰ２，ＣＰ３
が設けられている。そして、４段目には、基板の加熱処
理を行うホットプレート部ＨＰ１が設けられ、５段目と
６段目の位置についても同様に、ホットプレート部ＨＰ
２，ＨＰ３が設けられている。
ち、第一の多段熱処理ユニット２０の形態としては、最
下段より数えて１段目の位置には基板の冷却処理を行う
クールプレート部ＣＰ１が設けられており、２段目，３
段目についても同様にクールプレート部ＣＰ２，ＣＰ３
が設けられている。そして、４段目には、基板の加熱処
理を行うホットプレート部ＨＰ１が設けられ、５段目と
６段目の位置についても同様に、ホットプレート部ＨＰ
２，ＨＰ３が設けられている。
【００３７】中央の第二の多段熱処理ユニット２１は、
最下段より１段目から３段目の位置にはクールプレート
部ＣＰ４〜ＣＰ６が設けられており、４段目から６段目
の位置にはホットプレート部ＨＰ４〜ＨＰ６が設けられ
ている。
最下段より１段目から３段目の位置にはクールプレート
部ＣＰ４〜ＣＰ６が設けられており、４段目から６段目
の位置にはホットプレート部ＨＰ４〜ＨＰ６が設けられ
ている。
【００３８】第三の多段熱処理ユニット２２は、最下段
より１段目，２段目の位置にはクールプレート部ＣＰ
７，ＣＰ８が設けられており、３段目段目には、基板に
対して密着強化処理を行う密着強化部ＡＨが設けられ、
４段目，５段目の位置にはホットプレート部ＨＰ７，Ｈ
Ｐ８が設けられている。最上段の位置には、基板に対し
て露光後のベーキング処理を行う露光後ベークプレート
部ＰＥＢが設けられている。
より１段目，２段目の位置にはクールプレート部ＣＰ
７，ＣＰ８が設けられており、３段目段目には、基板に
対して密着強化処理を行う密着強化部ＡＨが設けられ、
４段目，５段目の位置にはホットプレート部ＨＰ７，Ｈ
Ｐ８が設けられている。最上段の位置には、基板に対し
て露光後のベーキング処理を行う露光後ベークプレート
部ＰＥＢが設けられている。
【００３９】エッジ露光ユニットＥＥは、基板Ｗを保持
して低速回転させる基板回転保持機構４０と、基板Ｗの
周縁に光を照射する光照射部４１などを備えて構成され
ている。エッジ露光された基板Ｗは、後の現像処理によ
って基板Ｗの周縁のフォトレジスト膜が除去される結
果、基板Ｗの周縁のフォトレジスト膜が剥離してパーテ
ィクルになるという弊害が生じない。
して低速回転させる基板回転保持機構４０と、基板Ｗの
周縁に光を照射する光照射部４１などを備えて構成され
ている。エッジ露光された基板Ｗは、後の現像処理によ
って基板Ｗの周縁のフォトレジスト膜が除去される結
果、基板Ｗの周縁のフォトレジスト膜が剥離してパーテ
ィクルになるという弊害が生じない。
【００４０】そして、処理領域Ｃは、装置の前側（Ｙ方
向の負の向き側）であって回転式塗布ユニットＳＣ１と
インターフェイス機構部ＩＦとの間に、処理ユニットと
して基板に純水等の洗浄液を供給して基板を回転洗浄す
る洗浄処理ユニットＳＳ（スピンスクラバ）が配置され
ている。
向の負の向き側）であって回転式塗布ユニットＳＣ１と
インターフェイス機構部ＩＦとの間に、処理ユニットと
して基板に純水等の洗浄液を供給して基板を回転洗浄す
る洗浄処理ユニットＳＳ（スピンスクラバ）が配置され
ている。
【００４１】以上の構成により、この基板処理装置１で
は、例えば第４の階層Ｄ４でクールプレート部ＣＰ３に
より冷却処理が施された基板Ｗと、回転式現像ユニット
ＳＤ１において回転処理が行われた他方の基板Ｗとをそ
れぞれ搬送ロボットＴＲ１のアーム５１ａ，５１ｂに保
持し、アーム５１ａ，５１ｂを後退させた後、１８０度
旋回し、さらにアーム５１ａ，５１ｂを進行させて２つ
の基板Ｗを同時に入れ換えることができる。そして、上
記の液処理ユニットや熱処理ユニット間を処理領域Ｃの
中央部に設けられた搬送ロボットＴＲ１が順次に搬送す
ることによって基板に対して所定の処理を施すことがで
きる。
は、例えば第４の階層Ｄ４でクールプレート部ＣＰ３に
より冷却処理が施された基板Ｗと、回転式現像ユニット
ＳＤ１において回転処理が行われた他方の基板Ｗとをそ
れぞれ搬送ロボットＴＲ１のアーム５１ａ，５１ｂに保
持し、アーム５１ａ，５１ｂを後退させた後、１８０度
旋回し、さらにアーム５１ａ，５１ｂを進行させて２つ
の基板Ｗを同時に入れ換えることができる。そして、上
記の液処理ユニットや熱処理ユニット間を処理領域Ｃの
中央部に設けられた搬送ロボットＴＲ１が順次に搬送す
ることによって基板に対して所定の処理を施すことがで
きる。
【００４２】また、露光装置２００には、基板処理装置
１でレジスト膜が形成された基板Ｗを露光処理する露光
処理部２１０と、露光処理部２１０と上記したインター
フェイス機構部ＩＦとの間で基板Ｗを搬送する搬送ロボ
ット２２０とが備えられている。
１でレジスト膜が形成された基板Ｗを露光処理する露光
処理部２１０と、露光処理部２１０と上記したインター
フェイス機構部ＩＦとの間で基板Ｗを搬送する搬送ロボ
ット２２０とが備えられている。
【００４３】ここで、本実施例における回転式塗布ユニ
ットＳＣ１，ＳＣ２、回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ
２、クールプレート部ＣＰ１〜８、ホットプレート部Ｈ
Ｐ１〜８、密着強化部ＡＨ、露光後ベークプレート部Ｐ
ＢＥ、エッジ露光ユニットＥが処理ユニットに相当す
る。さらに、搬送ロボットＴＲ１が主搬送機構に相当す
る。
ットＳＣ１，ＳＣ２、回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ
２、クールプレート部ＣＰ１〜８、ホットプレート部Ｈ
Ｐ１〜８、密着強化部ＡＨ、露光後ベークプレート部Ｐ
ＢＥ、エッジ露光ユニットＥが処理ユニットに相当す
る。さらに、搬送ロボットＴＲ１が主搬送機構に相当す
る。
【００４４】次に、図１の基板処理装置１の基板Ｗの処
理の流れを図５を参照して説明する。図５は、各処理ユ
ニットなどへの基板Ｗの流れを示したフロー図である。
なお、図５中に符号を並べて記載したステップ、例えば
「ＳＣ１、ＳＣ２ 」は、空いている回転式塗布ユニッ
トに基板Ｗを搬入して基板の並行処理（この場合、フォ
トレジスト塗布の並行処理）を行うことを意味する。
理の流れを図５を参照して説明する。図５は、各処理ユ
ニットなどへの基板Ｗの流れを示したフロー図である。
なお、図５中に符号を並べて記載したステップ、例えば
「ＳＣ１、ＳＣ２ 」は、空いている回転式塗布ユニッ
トに基板Ｗを搬入して基板の並行処理（この場合、フォ
トレジスト塗布の並行処理）を行うことを意味する。
【００４５】インデクサＩＤの移載ロボット３２がカセ
ット３１から未処理の基板Ｗを取り出し、基板Ｗを搬入
する。搬送ロボットＴＲ１は受け渡しポジションＰ１に
供給された基板Ｗを受け取る。この基板Ｗは、搬送ロボ
ットＴＲ１によって、密着強化部ＡＨＬ、クールプレー
ト部ＣＰ１またはＣＰ２、回転式塗布ユニットＳＣ１ま
たはＳＣ２、ホットプレート部ＨＰ１またはＨＰ２、ク
ールプレート部ＣＰ３またはＣＰ４、エッジ露光ユニッ
トＥＥへと順に搬送される。
ット３１から未処理の基板Ｗを取り出し、基板Ｗを搬入
する。搬送ロボットＴＲ１は受け渡しポジションＰ１に
供給された基板Ｗを受け取る。この基板Ｗは、搬送ロボ
ットＴＲ１によって、密着強化部ＡＨＬ、クールプレー
ト部ＣＰ１またはＣＰ２、回転式塗布ユニットＳＣ１ま
たはＳＣ２、ホットプレート部ＨＰ１またはＨＰ２、ク
ールプレート部ＣＰ３またはＣＰ４、エッジ露光ユニッ
トＥＥへと順に搬送される。
【００４６】即ち、基板Ｗを受け取ったクールプレート
部ＣＰ１またはＣＰ２は、基板Ｗに冷却処理を行う。冷
却処理が終了すると、搬送ロボットＴＲ１がクールプレ
ート部ＣＰ１またはＣＰ２から基板Ｗを取り出し、回転
式塗布ユニットＳＣ１に基板Ｗを受け渡す。回転式塗布
ユニットＳＣ１は、受け取った基板Ｗに処理液を回転塗
布する。処理が終了すると、再び搬送ロボットＴＲ１が
基板Ｗを回転式塗布ユニットＳＣ１から取り出し、１８
０度旋回して基板Ｗをホットプレート部ＨＰ１またはＨ
Ｐ２に搬送する。ホットプレート部ＨＰ１またはＨＰ２
には受け取った基板Ｗに対して加熱処理を行う。
部ＣＰ１またはＣＰ２は、基板Ｗに冷却処理を行う。冷
却処理が終了すると、搬送ロボットＴＲ１がクールプレ
ート部ＣＰ１またはＣＰ２から基板Ｗを取り出し、回転
式塗布ユニットＳＣ１に基板Ｗを受け渡す。回転式塗布
ユニットＳＣ１は、受け取った基板Ｗに処理液を回転塗
布する。処理が終了すると、再び搬送ロボットＴＲ１が
基板Ｗを回転式塗布ユニットＳＣ１から取り出し、１８
０度旋回して基板Ｗをホットプレート部ＨＰ１またはＨ
Ｐ２に搬送する。ホットプレート部ＨＰ１またはＨＰ２
には受け取った基板Ｗに対して加熱処理を行う。
【００４７】以上の処理を受けた基板Ｗは、処理が終了
すると、再び搬送ユニットＴＲ１に渡され、受け渡しポ
ジションＰ２を通して搬送ロボット６０に受け渡され
る。搬送ロボットＴＲ１から搬送ロボット６０を受け渡
され、さらに、インターフェイス機構部ＩＦを介して露
光装置２００に送られる。
すると、再び搬送ユニットＴＲ１に渡され、受け渡しポ
ジションＰ２を通して搬送ロボット６０に受け渡され
る。搬送ロボットＴＲ１から搬送ロボット６０を受け渡
され、さらに、インターフェイス機構部ＩＦを介して露
光装置２００に送られる。
【００４８】露光装置２００で回路パターンなどが露光
された基板Ｗは、インターフェイス機構部ＩＦを介して
再び搬送ロボットＴＲ１に受け渡される。この基板Ｗ
は、搬送ロボットＴＲ１によって、エッジ露光ユニット
ＥＥ、ホットプレート部ＨＰ５またはＨＰ６、クールプ
レート部ＣＰ４またはＣＰ５、回転式現像ユニットＳＤ
１またはＳＤ２、ホットプレート部ＨＰ７またはＨＰ
８、およびクールプレート部ＣＰ６へと順に搬送され
る。
された基板Ｗは、インターフェイス機構部ＩＦを介して
再び搬送ロボットＴＲ１に受け渡される。この基板Ｗ
は、搬送ロボットＴＲ１によって、エッジ露光ユニット
ＥＥ、ホットプレート部ＨＰ５またはＨＰ６、クールプ
レート部ＣＰ４またはＣＰ５、回転式現像ユニットＳＤ
１またはＳＤ２、ホットプレート部ＨＰ７またはＨＰ
８、およびクールプレート部ＣＰ６へと順に搬送され
る。
【００４９】即ち、外部の露光装置２００による処理が
終了した基板Ｗは、搬送ロボット６０に渡され、受け渡
しポジションＰ２に供給される。その後、基板Ｗは搬送
ロボットＴＲ１によりエッジ露光ユニットＥＥの後、回
転式現像ユニットＳＤ１またはＳＤ２に受け渡される。
回転式現像ユニットＳＤ１またはＳＤ２では基板Ｗに現
像処理を行う。現像処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボ
ットＴＲ１により、例えばホットプレート部ＨＰ７また
はＨＰ８に受け渡され、さらに搬送ロボットＴＲ１を通
してクールプレート部ＣＰ６に搬送され、冷却処理が行
われる。
終了した基板Ｗは、搬送ロボット６０に渡され、受け渡
しポジションＰ２に供給される。その後、基板Ｗは搬送
ロボットＴＲ１によりエッジ露光ユニットＥＥの後、回
転式現像ユニットＳＤ１またはＳＤ２に受け渡される。
回転式現像ユニットＳＤ１またはＳＤ２では基板Ｗに現
像処理を行う。現像処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボ
ットＴＲ１により、例えばホットプレート部ＨＰ７また
はＨＰ８に受け渡され、さらに搬送ロボットＴＲ１を通
してクールプレート部ＣＰ６に搬送され、冷却処理が行
われる。
【００５０】冷却処理が終了すると、基板Ｗは再び搬送
ロボットＴＲ１に受け渡され、受け渡しポジションＰ１
を通り移載ロボット３２に受け渡される。そして、移載
ロボット３２によりカセット３１に戻される。
ロボットＴＲ１に受け渡され、受け渡しポジションＰ１
を通り移載ロボット３２に受け渡される。そして、移載
ロボット３２によりカセット３１に戻される。
【００５１】以上の処理を受けた基板Ｗは、インデクサ
ＩＤを戻されてカセット３１に収納される。以下、同様
の処理が基板単位で繰り返し実行される。
ＩＤを戻されてカセット３１に収納される。以下、同様
の処理が基板単位で繰り返し実行される。
【００５２】以上説明したような上記第一の実施例によ
る基板処理装置１は、回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ
２と回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２とを積層し、多
段熱処理ユニット２０とエッジ露光ユニットＥＥとをイ
ンターフェイス機構部ＩＦの上面に積層し、搬送ロボッ
トＴＲ１を中心に互いに対向する位置に配置されてい
る。このため、基板処理装置１の平面占有面積は、水平
方向に移動可能な搬送ユニットを有する搬送領域に比べ
小さくすることができる。これにより、基板処理装置１
のフットプリントを低減することができる。また、イン
ターフェイス機構部ＩＦの上方も利用して各処理ユニッ
トの平面的な配置効率が向上し、基板処理装置の高さも
押さえることができる。
る基板処理装置１は、回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ
２と回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２とを積層し、多
段熱処理ユニット２０とエッジ露光ユニットＥＥとをイ
ンターフェイス機構部ＩＦの上面に積層し、搬送ロボッ
トＴＲ１を中心に互いに対向する位置に配置されてい
る。このため、基板処理装置１の平面占有面積は、水平
方向に移動可能な搬送ユニットを有する搬送領域に比べ
小さくすることができる。これにより、基板処理装置１
のフットプリントを低減することができる。また、イン
ターフェイス機構部ＩＦの上方も利用して各処理ユニッ
トの平面的な配置効率が向上し、基板処理装置の高さも
押さえることができる。
【００５３】＜第２実施例＞図６は、本発明に係る基板
処理装置の第２実施例の概略構成を示した平面図であ
る。なお、図６において、図１中の符号と同一の符号で
示した構成部分は、第１実施例のものと同じ構成である
ので、ここでの説明は省略する。以下、本実施例の特徴
部分を説明する。
処理装置の第２実施例の概略構成を示した平面図であ
る。なお、図６において、図１中の符号と同一の符号で
示した構成部分は、第１実施例のものと同じ構成である
ので、ここでの説明は省略する。以下、本実施例の特徴
部分を説明する。
【００５４】インターフェイス機構部ＩＦ２は、図６に
示すように、上下方向に２段に構成されている。その上
段Ｂ１には搬送経路Ｚ１に対向して、搬送ロボットＴＲ
１（図示せず）に対して基板Ｗの受け渡しを行う基板受
け渡し部７１が設けられている。基板受け渡し部７１に
は、上段側の床の上面から突出された複数個の支持ピン
がある。この支持ピンの上端に搬送ロボットＴＲ１によ
り搬送されてきた基板Ｗを受け渡し、あるいは、支持ピ
ンの上端に支持された基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が受
け取って各処理ユニットに搬送する。基板受け渡し部７
１の側方（図６では下側）に露光装置２００で露光処理
された基板Ｗを待機させておくためのバッファ用のカセ
ット７２、７３がそれぞれ設けられている。
示すように、上下方向に２段に構成されている。その上
段Ｂ１には搬送経路Ｚ１に対向して、搬送ロボットＴＲ
１（図示せず）に対して基板Ｗの受け渡しを行う基板受
け渡し部７１が設けられている。基板受け渡し部７１に
は、上段側の床の上面から突出された複数個の支持ピン
がある。この支持ピンの上端に搬送ロボットＴＲ１によ
り搬送されてきた基板Ｗを受け渡し、あるいは、支持ピ
ンの上端に支持された基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が受
け取って各処理ユニットに搬送する。基板受け渡し部７
１の側方（図６では下側）に露光装置２００で露光処理
された基板Ｗを待機させておくためのバッファ用のカセ
ット７２、７３がそれぞれ設けられている。
【００５５】インターフェイス機構部ＩＦ２の下段Ｂ２
には、前記搬送経路Ｘと直交する方向に搬送経路Ｙ2 が
配備されている。この搬送経路Ｙ2 に沿って搬送ロボッ
ト７４が移動自在に設けられている。搬送ロボット７４
は、基板受け渡し部７１ と後述する各テーブル７５、
７６との間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボット７４は、
その上端に基板Ｗを支持するアーム７４ａを備え、この
アーム７４ａは、インターフェイス機構部ＩＦ２の下段
Ｂ２から上段Ｂ１にわたって昇降するとともにその長手
方向に伸縮し、かつ回動自在に構成されている。
には、前記搬送経路Ｘと直交する方向に搬送経路Ｙ2 が
配備されている。この搬送経路Ｙ2 に沿って搬送ロボッ
ト７４が移動自在に設けられている。搬送ロボット７４
は、基板受け渡し部７１ と後述する各テーブル７５、
７６との間で基板Ｗを搬送する。搬送ロボット７４は、
その上端に基板Ｗを支持するアーム７４ａを備え、この
アーム７４ａは、インターフェイス機構部ＩＦ２の下段
Ｂ２から上段Ｂ１にわたって昇降するとともにその長手
方向に伸縮し、かつ回動自在に構成されている。
【００５６】また、インターフェイス機構部ＩＦ２の下
段Ｂ２には、露光装置２００に基板Ｗを受け渡すための
露光送り用テーブル７５と、露光装置２００で露光処理
された基板Ｗを受け取るための露光戻り用テーブル７６
とがそれぞれ設けられている。各テーブル７５、７６そ
れぞれには、その上面から突出された複数個の支持ピン
７７があり、この支持ピン７７の上端に基板Ｗが支持さ
れる。また、各テーブル７５、７６には、基板センタリ
ング機構７８が備えられている。基板センタリング機構
７８は、支持ピン７７を挟んで対向配備された一対のガ
イド板７８ａが、それぞれ遠近移動するように構成され
ている。各ガイド板７８ａの対向する端縁は基板Ｗに合
わせて円弧状に形成されており、各ガイド板７８ａが接
近した時に、各ガイド板７８ａが基板Ｗの外周縁に当接
して、基板Ｗを各テーブル７５、７６の中心上に心合わ
せ位置決めするようになっている。
段Ｂ２には、露光装置２００に基板Ｗを受け渡すための
露光送り用テーブル７５と、露光装置２００で露光処理
された基板Ｗを受け取るための露光戻り用テーブル７６
とがそれぞれ設けられている。各テーブル７５、７６そ
れぞれには、その上面から突出された複数個の支持ピン
７７があり、この支持ピン７７の上端に基板Ｗが支持さ
れる。また、各テーブル７５、７６には、基板センタリ
ング機構７８が備えられている。基板センタリング機構
７８は、支持ピン７７を挟んで対向配備された一対のガ
イド板７８ａが、それぞれ遠近移動するように構成され
ている。各ガイド板７８ａの対向する端縁は基板Ｗに合
わせて円弧状に形成されており、各ガイド板７８ａが接
近した時に、各ガイド板７８ａが基板Ｗの外周縁に当接
して、基板Ｗを各テーブル７５、７６の中心上に心合わ
せ位置決めするようになっている。
【００５７】以上の構成の第二実施例装置によれば、イ
ンターフェイス機構部ＩＦ２が２階層を有し、露光装置
２００との基板Ｗの受け渡しが下段Ｂ２でもって行われ
る。その結果、インターフェイス機構部ＩＦ２の上面の
配置される熱処理ユニットからの熱的影響が上段Ｂ１を
介することで好適に遮断される。
ンターフェイス機構部ＩＦ２が２階層を有し、露光装置
２００との基板Ｗの受け渡しが下段Ｂ２でもって行われ
る。その結果、インターフェイス機構部ＩＦ２の上面の
配置される熱処理ユニットからの熱的影響が上段Ｂ１を
介することで好適に遮断される。
【００５８】本発明は上述した実施例に限らず次のよう
に変形実施することができる。 （１）配置される処理ユニットは上記の例に限らず、図
６に示す露光送り用テーブル７５、７６と同様な位置決
めユニットを別途、有する構成としてもよい。そして、
エッジ露光ユニットＥＥと位置決めユニットを入れ換え
る、または洗浄処理ユニットＳＳと位置決めユニットと
を入れ換えるように配置してもよい。
に変形実施することができる。 （１）配置される処理ユニットは上記の例に限らず、図
６に示す露光送り用テーブル７５、７６と同様な位置決
めユニットを別途、有する構成としてもよい。そして、
エッジ露光ユニットＥＥと位置決めユニットを入れ換え
る、または洗浄処理ユニットＳＳと位置決めユニットと
を入れ換えるように配置してもよい。
【００５９】（２）また、上記の各実施例において処理
ユニットの配置は上記の例に限らず、回転式現像ユニッ
トＳＤ１，ＳＤ２と回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２
とを入れ換えて、図３の配置とは逆になるように配置し
てもよい。
ユニットの配置は上記の例に限らず、回転式現像ユニッ
トＳＤ１，ＳＤ２と回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２
とを入れ換えて、図３の配置とは逆になるように配置し
てもよい。
【００６０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば次の効果を奏する。複数の処理部が高さ方向に
積層された基板処理装置であって、処理部にインターフ
ェイス機構部を配置する、即ち、インターフェイス機構
部の上方を利用して基板処理ユニットを配置するのでス
ペースを抑制することができ基板処理装置の占める鉛直
面内での装置の設置面積を小さくすることができる。
によれば次の効果を奏する。複数の処理部が高さ方向に
積層された基板処理装置であって、処理部にインターフ
ェイス機構部を配置する、即ち、インターフェイス機構
部の上方を利用して基板処理ユニットを配置するのでス
ペースを抑制することができ基板処理装置の占める鉛直
面内での装置の設置面積を小さくすることができる。
【図１】この発明の実施の形態である基板処理装置を説
明する平面図である。
明する平面図である。
【図２】この発明の実施の形態である基板処理装置を説
明する正面図である。
明する正面図である。
【図３】図１の装置を構成する処理ユニットの配置を説
明する図である。
明する図である。
【図４】この発明の実施の形態である基板処理装置を説
明する要部正面図である。
明する要部正面図である。
【図５】図５は、各処理ユニットなどへの基板Ｗの流れ
を示したフロー図ある。
を示したフロー図ある。
【図６】第二の実施形態である基板処理装置を構成する
処理ユニットの配置を説明する図である。
処理ユニットの配置を説明する図である。
【図７】従来の基板処理装置の処理ユニット配置を模型
式的に示す概念的平面配置図である。
式的に示す概念的平面配置図である。
１ 基板処理装置 Ａ 搬入搬出領域 Ｂ 受け渡し領域 Ｃ 処理領域 ＴＲ１、６０、７４、２１０ 搬送ロボット １１１、ＳＣ１、ＳＣ２ 回転式塗布ユニット １１２、ＳＤ１、ＳＤ２ 回転式現像ユニット ＥＥ エッジ露光ユニット ２０、２１、２２、２００、２１１、２２２ 多段熱処
理ユニット Ｗ 基板
理ユニット Ｗ 基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 DA01 FA01 FA02 FA07 FA11 FA12 FA15 GA02 GA43 GA47 GA48 GA49 GA50 MA02 MA04 MA06 MA13 MA16 MA23 MA24 MA26 MA27 MA30 NA02 PA02 PA11 5F046 AA17 CD05 JA22 KA07 LA11 LA18
Claims (2)
- 【請求項１】 基板に対して複数工程からなる処理を施
す基板処理装置であって、 鉛直方向に沿って延在する搬送経路と、 この搬送経路の周囲に配置され、各々基板に対して所定
の処理を施す複数の処理ユニットを鉛直方向に積層して
構成される複数の処理部と、 前記搬送経路を移動するとともに、前記複数の処理部の
各処理ユニットに対して前記基板を搬入出する主搬送機
構と、を備え、 前記処理部に、装置外部との間で基板を受け渡しするイ
ンターフェイス機構部を配置したことを特徴とする基板
処理装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理装置におい
て、 前記インターフェイス機構部の上方に配置された処理ユ
ニットが、加熱された基板を所定温度に冷却する冷却処
理部と、基板に加熱処理を行う加熱処理部とからなる多
段熱処理ユニット部と、 表面に処理液が塗布された基板の周囲を露光するエッジ
露光ユニットと、を備えていることを特徴とする基板処
理装置。
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