JPH10261684A

JPH10261684A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH10261684A
Application number: JP9066325A
Authority: JP
Inventors: Masao Tsuji; 雅夫辻; Masami Otani; 正美大谷; Yasuo Imanishi; 保夫今西; Masaki Iwami; 優樹岩見; Joichi Nishimura; 讓一西村; Akihiko Morita; 彰彦森田; Kazuhiro Nishimura; 和浩西村
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-03-19
Filing date: 1997-03-19
Publication date: 1998-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】設置面積の低減化が可能な基板処理装置を提
供することである。【解決手段】処理領域Ａの中央に搬送領域Ｂを設け、
その周囲に処理ユニットを積層配置する。搬送領域Ｂは
上下方向に分離された下部搬送領域Ｂ１と上部搬送領域
Ｂ２とを有する。下部搬送領域Ｂ１には昇降および旋回
可能な下部搬送ユニット４０を配置し、上部搬送領域Ｂ
２には昇降および旋回可能な上部搬送ユニット５０を配
置する。処理領域Ａの下部には回転式塗布ユニット、回
転式現像ユニットおよび冷却ユニットを配置し、上部に
は加熱ユニットを配置する。冷却ユニットを通して上部
搬送ユニット５０と下部搬送ユニット４０との基板の受
け渡しが行われ、第１および第２の基板受け渡し部６０
ａ，６０ｂを通して上部搬送ユニット５０と移載ロボッ
ト１２および搬送ロボット７０との間の基板の受け渡し
が行われる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に所定の処理
を行う複数の処理部を備えた基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が
用いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロセ
スでは、生産効率を高めるために一連の処理の各々をユ
ニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理装
置が用いられている。

【０００３】図１６は、従来の基板処理装置の一例を示
す斜視図である。図１６の基板処理装置は、処理領域
Ａ，Ｂおよび搬送領域Ｃを有する。

【０００４】処理領域Ａには、基板に処理液の塗布処理
を行う回転式塗布ユニット（スピンコータ）２ａおよび
基板に現像処理を行う回転式現像ユニット（スピンデベ
ロッパ）２ｂが並設されている。また、処理領域Ｂに
は、基板に加熱処理を行う加熱ユニット（ホットプレー
ト）ＨＰおよび基板に冷却処理を行う冷却ユニット（ク
ーリングプレート）ＣＰが複数段に配置されている。搬
送領域Ｃには、基板を搬送する搬送ユニット５が設けら
れている。

【０００５】これらの処理領域Ａ，Ｂおよび搬送領域Ｃ
の一端部側には、基板Ｗを収納するとともに基板Ｗの搬
入および搬出を行う搬入搬出装置（インデクサ）６が配
置されている。搬入搬出装置６は、基板Ｗを収納する複
数のカセット７および基板Ｗの搬入および搬出を行う移
載ロボット８を備える。搬入搬出装置６の移載ロボット
８は、矢印Ｕ方向に移動し、カセット７から基板Ｗを取
り出して搬送ユニット５に渡し、一連の処理が施された
基板Ｗを搬送ユニット５から受け取ってカセット７に戻
す。

【０００６】搬送ユニット５は、搬送領域Ｃ内で基板Ｗ
を矢印Ｓ方向に搬送するとともに、上記の各処理ユニッ
トに対して基板Ｗの搬入および搬出を行い、かつ移載ロ
ボット８との間で基板Ｗの受渡しを行う。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】近年では、基板の処理
を大量にかつ効率的に行うために、多数の処理ユニット
が１台の基板処理装置に搭載されている。また、生産性
の向上のために基板が大径化しており、この基板の大径
化に伴って各処理ユニットの寸法も大きくなる。それに
より、複数の処理ユニットを統合した基板処理装置が大
型化し、そのフットプリント（設置面積）が大きくな
る。それゆえ、クリーンルーム内のスペースを有効に使
用することができる基板処理装置が望まれる。

【０００８】そこで、従来の基板処理装置では、各処理
ユニットを上方に積層する構造を用いてフットプリント
の低減を図っている。

【０００９】しかしながら、基板処理装置に搭載される
処理ユニットの数が増加すると、搬送ユニット５の搬送
効率が低下し、基板処理装置のスループットが低下す
る。そこで、搬送領域を複数箇所形成し、複数の搬送ユ
ニットによって基板を搬送して搬送効率を高めた構造の
基板処理装置が提案されている。ところが、この場合に
は、基板処理装置における搬送領域の平面占有面積が大
きくなり、基板処理装置全体のフットプリントを低減さ
せる妨げとなっている。

【００１０】また、最近では、基板処理装置の内部の雰
囲気を清浄に保持するために処理領域Ａ，Ｂあるいは搬
送領域Ｃ上にフィルタを含む空気調整ユニットが用いら
れている。そこで、搬送領域Ｃの平面占有面積が増大す
ると、フィルタ等の材料費および維持費が増加するとい
う問題が生じる。特に、化学吸着フィルタは高価であ
り、この化学吸着フィルタを使用する面積が増大する
と、材料費や維持費の増大が大きな問題となる。

【００１１】本発明の目的は、設置面積の低減化が可能
な基板処理装置を提供することである。

【００１２】

【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を行う複
数の処理部が配置された処理領域と、処理領域の一端部
側に設けられ、外部との間で基板の搬入および搬出を行
う基板搬入搬出領域と、処理領域の内側に配置され、複
数の処理部に取り囲まれた基板搬送領域とを備え、基板
搬入搬出領域と基板搬送領域との間で基板の受け渡しを
行う第１の受け渡し部が設けられ、基板搬送領域内に
は、処理部に基板を搬送する搬送手段が設けられたもの
である。

【００１３】第２の発明に係る基板処理装置は、第１の
発明に係る基板処理装置の構成において、処理領域が、
互いに雰囲気が遮断された第１の処理空間および第１の
処理空間の上方に形成された第２の処理空間を有し、基
板搬送領域が、互いに雰囲気が遮断されかつ第１および
第２の処理空間にそれぞれ対応した第１および第２の搬
送空間を有し、第１の搬送空間と第２の搬送空間との間
で基板の受け渡しを行う基板受け渡し手段が設けられ、
搬送手段が、第１の搬送空間に設けられ、第１の処理空
間に配置された処理部と基板受け渡し手段との間で基板
を搬送する下部搬送ユニットと、第２の搬送空間に設け
られ、第２の処理空間に配置された処理部、第１の受け
渡し部および基板受け渡し手段との間で基板を搬送する
上部搬送ユニットとを含むものである。

【００１４】第３の発明に係る基板処理装置は、第２の
発明に係る基板処理装置の構成において、第１の処理空
間に配置された処理部が、処理液を用いて基板に処理を
行う第１の処理部および加熱された基板を所定温度に冷
却する第２の処理部であり、第２の処理空間に配置され
た処理部が、基板に加熱処理を行う第３の処理部であ
る。

【００１５】第４の発明に係る基板処理装置は、第２ま
たは第３の発明に係る基板処理装置の構成において、第
１の処理空間に配置された第１の処理部と第２の処理部
とは第１の搬送空間を中心に対向して配置されており、
下部搬送ユニットが、互いに反対方向に進退自在でかつ
鉛直方向の軸の回りで旋回自在な一対の基板保持部を有
するものである。

【００１６】第５の発明に係る基板処理装置は、第２〜
第４のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、基板受け渡し手段が、第２の搬送空間に面する開閉
自在な開口部と、開口部に対応する位置に基板を移動さ
せる移動部と、基板を冷却する冷却部とを備えた第２の
処理部である。

【００１７】第６の発明に係る基板処理装置は、第２〜
第５のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第２の処理空間の基板搬入搬出領域側には、第１の
受け渡し部が複数設けられ、基板搬入搬出領域には、外
部との間で受け渡される基板を収納した収納容器を支持
する支持部と、支持部と複数の第１の受け渡し部との間
で基板を搬送する基板搬入搬出用搬送ユニットとが設け
られたものである。

【００１８】第７の発明に係る基板処理装置は、第１〜
第６のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、処理領域の他端部側には、隣接配置される他の基板
処理装置との間で基板の受け渡しを行う基板受け渡し領
域がさらに設けられ、第２の処理空間の基板受け渡し領
域側には第２の搬送空間と基板受け渡し領域との間で基
板の受け渡しを行う第２の受け渡し部が設けられたもの
である。

【００１９】第８の発明に係る基板処理装置は、第２〜
第７のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、第２の受け渡し部が複数設けられており、基板受け
渡し領域には、第２の受け渡し部との間で受け渡された
基板を搬送する受け渡し用搬送ユニットが設けられたも
のである。

【００２０】第１〜第８の発明に係る基板処理装置にお
いては、複数の処理部が基板搬送ユニットを取り囲むよ
うに配置されている。このため、基板搬送領域の平面占
有面積を低減することができ、これによって基板処理装
置全体の平面占有面積を低減することができる。また、
基板搬送領域と処理部とが近接配置されることにより基
板の搬送距離が短縮化され、それによって基板搬送効率
が向上し、基板処理装置の処理のスループットが向上す
る。

【００２１】さらに、基板搬送領域が縮小されたことに
より、基板搬送領域に設けられる空気調整ユニットのフ
ィルタ面積を低減することができ、空気調整ユニットに
要する費用を節約することができる。

【００２２】特に、第２の発明に係る基板処理装置にお
いては、下方に第１の処理空間を、上方に第２の処理空
間を互いの雰囲気を遮断して配置している。これによ
り、一方の処理空間内の雰囲気が他方の処理空間の雰囲
気に影響を及ぼすことが防止され、第１および第２の処
理空間に配置される各処理部を好ましい雰囲気に保つこ
とができる。

【００２３】また、上下に遮断された第１および第２の
搬送空間内にそれぞれ下部搬送ユニットおよび上部搬送
ユニットを設けることにより各処理部間の基板の受け渡
しが可能となり、かつ基板受け渡し手段を介して第１お
よび第２の搬送空間の間で基板の受け渡しが可能とな
る。

【００２４】特に、第３の発明に係る基板処理装置にお
いては、鉛直下方側の第１の処理空間に処理液を用いて
基板に処理を行う処理部、例えば回転式塗布処理部、回
転式現像処理部、あるいは基板に冷却処理を行う冷却処
理部を配置し、上方の第２の処理空間に加熱処理部を配
置することにより、加熱処理部からの熱雰囲気が第１の
処理空間内の各処理部に悪影響を及ぼすことが防止され
る。これにより第１の処理空間内において回転塗布処理
や現像処理を良好な雰囲気内で行うことができる。

【００２５】特に、第４の発明に係る基板処理装置にお
いては、処理工程が連続した第１の処理部と第２の処理
部とを対向配置し、互いに反対方向に進退自在な基板保
持部を有する下部搬送ユニットを用いて第１および第２
の処理部の基板を同時に入れ換えるように構成してい
る。これにより、第１および第２の処理部への基板の交
換作業が迅速にかつ容易に行うことができ、基板搬送効
率が向上し、基板処理装置のスループットを向上するこ
とができる。

【００２６】特に、第５の発明に係る基板処理装置にお
いては、第２の処理部に第１の搬送空間と第２の搬送空
間との間の基板の受け渡しを行う開口部および移動部を
設けることにより、第１および第２の搬送空間との間で
基板の受け渡しを可能とするとともに、この基板の受け
渡しのための独立した機構を設ける領域を省略すること
ができ、処理領域における各処理部の配置効率が向上
し、基板処理装置の平面占有面積を低減することができ
る。

【００２７】特に、第６の発明に係る基板処理装置にお
いては、複数の第１の基板受け渡し部が設けられたこと
により、搬入搬出用搬送ユニットが基板の受け渡しを行
うことが可能な領域が増加し、これによって基板の搬入
および搬出効率が向上する。

【００２８】特に、第７の発明に係る基板処理装置にお
いては、隣接配置された他の基板処理装置との間で受け
渡される基板を第２の受け渡し部を通して第２の搬送空
間に受け渡すことができる。これにより、隣接配置され
た基板処理装置との間で基板の受け渡しを効率的に行う
ことができる。

【００２９】特に、第８の発明に係る基板処理装置にお
いては、複数の第２の基板受け渡し部を使用して受け渡
し用搬送ユニットと、一部搬送ユニットとの間で基板の
受け渡しを行うことが可能となる。これにより、基板の
受け渡し効率が向上し、基板処理装置の処理のスループ
ットを向上することができる。

【００３０】

【発明の実施の形態】図 1は本発明の実施例における基
板処理装置の斜視図、図２は図１の基板処理装置の矢印
Ｐ方向の側面図、図３は図１の基板処理装置の矢印Ｑ方
向の側面図である。

【００３１】また、図４は、図２におけるＸ１−Ｘ１線
断面図、図５は図２におけるＸ２−Ｘ２線断面図、図６
は図２におけるＸ３−Ｘ３線断面図である。

【００３２】さらに、図７は、図４におけるＺ１−Ｚ１
線断面図、図８は図４におけるＺ２−Ｚ２線断面図、図
９は図４におけるＺ３−Ｚ３線断面図である。

【００３３】さらに、図１０は図４におけるＹ１−Ｙ１
線断面図、図１１は図４におけるＹ２−Ｙ２線断面図、
図１２は図４におけるＹ３−Ｙ３線断面図、図１３は図
４におけるＹ４−Ｙ４線断面図である。

【００３４】すなわち、図１において、矢印Ｐ側から見
た基板処理装置の各位置での側面断面が図４〜図６に示
され、Ｒ方向から見た基板処理装置の各位置の正面断面
が図７〜図９に示され、鉛直上方から見た基板処理装置
の各位置における平面断面が図１０〜図１３に示され
る。

【００３５】図１において、基板処理装置は、処理領域
Ａ、基板搬入搬出領域Ｃおよび基板受け渡し領域Ｄに大
別される。

【００３６】基板搬入搬出領域Ｃは、基板Ｗを収納する
複数のカセット１１および基板の搬入搬出を行う移載ロ
ボット１２を備える。移載ロボット１２は、上下方向お
よび水平方向に移動可能かつ鉛直方向に軸の周りで回動
可能に構成され、カセット１１および処理領域Ａとの間
で基板Ｗの受け渡しを行う。

【００３７】処理領域Ａを介して基板搬入搬出領域Ｃの
反対側には、外部の装置との間で基板の受け渡しを行う
受け渡し領域Ｄが配置されている。本実施例では、外部
の装置として露光装置が隣接配置されている。受け渡し
領域Ｄは基板の受け渡しを行う搬送ロボット７０を備え
る。搬送ロボット７０は、上下方向および水平方向に移
動可能かつ鉛直方向に軸の周りで回動可能に構成され、
露光装置および処理領域Ａとの間で基板Ｗの受け渡しを
行う。

【００３８】処理領域Ａは、搬送領域Ｂ（図４、図１０
参照）を中心とし、その周囲に放射状に配置された複数
の処理ユニットを有する。図４〜図９（特に図４）を参
照して、処理領域Ａでは、種々の処理ユニットがＡ０〜
Ａ４の５つの階層に積層されている。

【００３９】最下部の第１の階層Ａ０には、化学系ユニ
ット１５が配置されている。化学系ユニット１５は、各
種処理液（薬液）、廃液、ポンプおよび排気系を収納す
る。

【００４０】第２の階層Ａ１には、基板にフォトレジス
ト等の処理液を回転塗布する複数の回転式塗布ユニット
（スピンコータ）ＳＣ１，ＳＣ２、基板に現像処理を行
う複数の回転式現像ユニット（スピンデベロッパ）ＳＤ
１，ＳＤ２および基板に冷却処理を行う冷却ユニット
（クーリングプレート）ＩＦＣＰ１〜４が配置されてい
る。この第２の階層Ａ１の平面断面が図１０に示されて
いる。

【００４１】回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２および
回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２と冷却ユニットＩＦ
ＣＰ１〜４とは下部搬送領域Ｂ１を中心に互いに対向す
る位置に配置されている。各回転式塗布ユニットＳＣ
１，ＳＣ２および回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２の
下部搬送領域Ｂ１に面する側面には基板Ｗの受け渡しを
行うための開口部１７が形成されている。また、同様に
冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４の下部搬送領域Ｂ１に面す
る側面にも下部開口部３０が形成されている。

【００４２】さらに、回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ
２および回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２の上部には
ＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air ）フィルタ、化
学吸着フィルタ等のフィルタ８２およびファン８１から
なる空気調整ユニット８０が配置されている。

【００４３】ここで、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４の構
造について冷却ユニットＩＦＣＰ１を例に説明する。図
１４は、冷却ユニットＩＦＣＰ１の構造を示す断面図で
ある。冷却ユニットＩＦＣＰ１は加熱処理された基板Ｗ
を所定温度まで冷却するアルミニウム製の冷却プレート
２０を備える。冷却プレート２０の上面には基板Ｗを支
持する３つのボール（球状支持体）２１が配置されてい
る。また、冷却プレート２０には、基板Ｗの下面を支持
する３本の支持ピン２２を貫通させる貫通孔が形成され
ている。さらに、冷却プレート２０の下方には、冷却プ
レート２０の貫通孔を通り昇降移動する３本の支持ピン
２２およびこれを保持する連結部材２３が配置されてい
る。支持ピン２２および連結部材２３は冷却プレート２
０を支持する支柱２４に沿って昇降自在に取り付けられ
ている。さらに連結部材２３の下方には、連結部材２３
および支持ピン２２を昇降移動させるための第１のエア
シリンダ３２が配置されている。

【００４４】筐体２５の内部上方には、窒素ガス等の不
活性ガスを供給するためのガス供給部２６が形成されて
いる。ガス供給部２６から供給された不活性ガスは筐体
２５の側面に形成された排気口２７から外方へ排出され
る。

【００４５】また、冷却ユニットＩＦＣＰ１の筐体２５
の下部搬送領域Ｂ１側の側面には、下部搬送領域Ｂ１に
配置された下部搬送ユニット４０（図４参照）との間で
基板を受け渡すための下部開口部３０および上部搬送領
域Ｂ２に配置された上部搬送ユニット５０との間で基板
の受け渡しを行うための上部開口部２９が形成されてい
る。上部開口部２９および下部開口部３０内側には上部
および下部開口部２９、３９をそれぞれ開閉するための
シャッタ部材３３、３４が上下動可能に設けられてい
る。シャッタ部材３４の下端は第２のエアシリンダ３１
に接続され、さらに、シャッタ部材３３の下端はデュア
ルロッドシリンダタイプの第１のエアシリンダ３２に接
続されている。そして、第２のエアシリンダ３１のロッ
ドが伸長することでシャッタ部材３４が上下動し、シャ
ッタ部材３４が上昇した位置で下部開口部３０が開口さ
れ、下降した位置で下部開口部３０が閉塞される。ま
た、第１のエアシリンダ３２のロッドが伸長することに
より、シャッタ部材３３が上下動し、シャッタ部材３３
が上昇した位置で上部開口部２９が開口され、下降した
位置で上部開口部２９が閉塞される。

【００４６】さらに、シャッタ部材３４の下端には、支
持ピン２２および連結部材２３を昇降移動させる第１の
エアシリンダ３２が取り付けられている。このような構
造により、基板Ｗは冷却プレート２０の上方の４つの待
機位置Ｈ１〜Ｈ４に保持可能とされている。すなわち、
第１のエアシリンダ３２および第２のエアシリンダ３１
の各ロッドが収納された状態では、基板Ｗが冷却プレー
ト２０のボール２１上の第１の待機位置Ｈ１に保持され
る。これにより、基板Ｗに冷却処理が施される。

【００４７】次に、第２のエアシリンダ３１のロッドが
伸長されると、第１のエアシリンダ３２のロッドが連結
部材２３を上方に押し上げ、これによって支持ピン２２
が基板Ｗの下面を支持して上昇し、基板Ｗを冷却プレー
ト２０の上方の第２の待機位置Ｈ２に保持する。この位
置では、下部搬送領域Ｂ１に配置される搬送ユニット４
０の第１のアーム４３ａにより基板Ｗが受け渡しが可能
となる。

【００４８】さらに、第１のエアシリンダ３２のロッド
が伸長されると、基板Ｗは第２の待機位置Ｈ２の上方の
第３の待機位置Ｈ３に押し上げられる。この第３の待機
位置Ｈ３では、上記の下部搬送ユニット４０の第２のア
ーム４３ａにより基板Ｗの受け渡しが可能となる。

【００４９】第２のエアシリンダ３１のロッドが縮めら
れ、第１のエアシリンダ３２のロッドがさらに伸長され
ると、基板Ｗは上方の第４の待機位置Ｈ４まで押し上げ
られる。この待機位置Ｈ４は、上部開口部２９に対応し
ている。そして、この第４の待機位置Ｈ４では、上部搬
送領域Ｂ２に配置された上部搬送ユニット５０のアーム
５１ａ，５１ｂとの間で基板Ｗの受け渡しが可能とな
る。なお、第１のエアシリンダ３２をデュアルロッドシ
リンダで例示したが、２個のシリンダを用いてもよい
し、モータ等の駆動手段でもよい。

【００５０】このように、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４
は、基板Ｗに冷却処理を行う機構のみならず、下部搬送
ユニット４０と上部搬送ユニット５０との間で基板Ｗの
受け渡しを行う受け渡し機構（インタフェース機構）を
備えている。

【００５１】再び図４を参照して、第３の階層Ａ２に
は、第１および第２の基板受け渡し部６０ａ，６０ｂお
よび主要部が第２の階層Ａ１に配置された冷却ユニット
ＩＦＣＰ１〜４の上部開口部２ａの周辺部分が配置され
る。第３の階層Ａ２の平面断面が図１１に示される。第
２の基板受渡し部６０ｂは、上部搬送領域Ｂ２および基
板受け渡し領域Ｄ側に開口部を有している。上部搬送領
域Ｂ２側の開口部には開閉自在なシャッタ部材が設けら
れている。第２の基板受け渡し部６０ｂの内部には、基
板Ｗを一時的に保持するための正三角形状に配置された
３個の球状支持体６１を有する支持台６２が配置されて
いる。

【００５２】第４の階層Ａ３には、第１および第２の基
板受け渡し部６０ａ，６０ｂおよび基板に対して加熱処
理を行う加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰが配置さ
れている。この第４の階層Ａ３の平面構造が図１２に示
される。冷却ユニットＩＦＣＰ３，ＩＦＣＰ４の上部に
配置された第１の基板受け渡し部６０ａは、移載ロボッ
ト１２側と上部搬送ユニット５０側とに基板Ｗを通過さ
せる開口部が形成されている。上部搬送ユニット５０側
の開口部には開閉自在なシャッタ部材が設けられてい
る。第１の基板受け渡し部６０ａの内部には、基板Ｗを
支持する正三角形状に配置された３個の球状支持体６１
を有する支持台６２が配置されている。この第１の基板
受け渡し部６０ａを介して移載ロボット１２と上部搬送
ユニット５０との間で基板Ｗの受け渡し動作が行われ
る。

【００５３】さらに、第５の階層Ａ４には、複数の加熱
ユニットＨＰが配置される。この第５の階層Ａ４の主要
な平面断面が図１３に示される。加熱ユニットＨＰは、
上部搬送領域Ｂ２側に基板Ｗの出し入れを行うための開
口部（図示せず）が形成されている。開口部にはシャッ
タ部材が設けられている。なお、第５の階層Ａ４に基板
の密着強化処理を行う密着強化ユニットＡＨを設けても
よい。

【００５４】上記の処理領域Ａの中央には、搬送領域Ｂ
が設けられている。搬送領域Ｂは、空気調整ユニット８
０を介在して上下方向に隔離された下部搬送領域Ｂ１お
よび上部搬送領域Ｂ２を有している。

【００５５】下部搬送領域Ｂ１には下部搬送ユニット４
０が配置されている。図１５は、下部搬送ユニットの断
面図である。下部搬送ユニット４０は、箱状のフレーム
４１を有する。フレーム４１は昇降機構および旋回機構
（図示せず）によって昇降および旋回可能に構成されて
いる。フレーム４１の上面には、図４における第２の階
層Ａ１に配置された各処理ユニットに向かう長細形状の
開口４２が形成されている。開口４２には、２つのアー
ム４３ａ，４３ｂの基部にその上端部が接続された２つ
の可動支柱４４が緩挿されている。可動支柱４４は、ガ
イドレール４５に沿って摺動可能に配置されており、そ
の底部が駆動ワイヤ４６の一部に接続されている。駆動
ワイヤ４６は２つの従動プーリ４７に張設されるととも
に、主動プーリ４８に巻かれている。主動プーリ４８は
モータ４９によって回転駆動されるように構成されてお
り、これによって可動支柱４４が従動プーリ４７の間を
移動してアーム４３ａを進退駆動（図中実線が伸長状態
を示し、２点鎖線が収縮した状態を示す）するようにな
っている。また、アーム４３ａとアーム４３ｂのそれぞ
れの開口部４２は、両者が伸縮した際に互いの可動支柱
４４とアーム４３ａ，４３ｂの基板支持部とが干渉しな
いように配置されている。

【００５６】アーム４３ｂは、アーム４３ａと同様の駆
動機構を備えるが、アーム４３ａと逆方向に進退駆動す
るように構成されている。これにより、一方のアーム４
３ａと他方の４３ｂは互いに反対方向に進退移動するこ
とができる。

【００５７】このような構造により、例えば図１０を参
照して、冷却ユニットＩＦＣＰ１により冷却処理が施さ
れた基板Ｗと、回転式塗布ユニットＳＣ１において回転
塗布処理が行われた他方の基板Ｗとをそれぞれ下部搬送
ユニット４０のアーム４３ａ，４３ｂに保持し、アーム
４３ａ，４３ｂを後退させた後、１８０度旋回し、さら
にアーム４３ａ，４３ｂを進行させて２つの基板Ｗを同
時に入れ換えることができる。

【００５８】上部搬送領域Ｂ２は下部搬送領域Ｂ１の上
部に配置される。上部搬送領域Ｂ２には上部搬送ユニッ
ト５０が配置されている。上部搬送ユニット５０は、同
じ方向に進退移動可能な２本のアーム５１ａ，５１ｂお
よび２本のアーム５１ａ，５１ｂを進退移動させる移動
部５２を備える。移動部５２は昇降機構５３および旋回
機構５４に接続されており、これによって上部搬送領域
Ｂ２内で昇降および旋回移動する。

【００５９】この上部搬送ユニット５０は、４種類の基
板受け渡し動作を行う。第１の基板受け渡し動作は、基
板搬入搬出領域Ｃの移載ロボット１２との間で行われ
る。上部搬送ユニット５０から基板Ｗを移載ロボット１
２へ受け渡す場合には、上部搬送ユニット５０のアーム
５１ａ，５１ｂを第１の基板受け渡し部６０ａ内に伸ば
し、基板Ｗを支持台６２上に受け渡す。その後、移載ロ
ボット１２がアームを第１の基板受け渡し部６０ａ内に
伸ばし、支持台６２に載置された基板Ｗを保持して後退
する。また、移載ロボット１２から上部搬送ユニット５
０に基板Ｗを受け渡す場合には、上記と逆の動作が行わ
れる。

【００６０】第２の基板受け渡し動作は、冷却ユニット
ＩＦＣＰ１〜４との間で行われる。上述したように、冷
却ユニットＩＦＣＰ１〜４は、上部搬送ユニット５０と
の間で基板Ｗの受け渡しを行う際に、支持ピン２２を第
４の待機位置Ｈ４に上昇させる。このとき、第４の待機
位置Ｈ４に対応する上部開口部２９が開放される。上部
搬送ユニット５０は上部搬送領域Ｂ２内を下降し、アー
ム５１ａ，５１ｂが冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４の上部
開口部２９に対応する位置で停止する。そして、いずれ
かのアーム５１ａ，５１ｂを伸ばし、冷却ユニットＩＦ
ＣＰ１〜４の支持ピン２２上に保持された基板Ｗを受け
取り、または支持ピン２２上に基板Ｗを渡し、後退す
る。その後、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４の保持ピン２
２が下降して基板Ｗの受け渡しが終了する。

【００６１】第３の基板受け渡し動作は、基板受け渡し
領域Ｄの搬送ロボット７０との間で行われる。上部搬送
ユニット５０から搬送ロボット７０へ基板Ｗを受け渡す
場合には、基板Ｗを保持した上部搬送ユニット５０のア
ーム５１ａ，５１ｂが第２の基板受け渡し部６０ｂ内に
伸びて支持台６２上に基板Ｗを載置する。その後、搬送
ロボット７０がアームを伸ばし、支持台６２上の基板Ｗ
を保持して後退する。

【００６２】また、搬送ロボット７０から上部搬送ユニ
ット５０に基板Ｗを受け渡す際には、上記と逆の動作が
行われる。

【００６３】基板搬入搬出領域Ｃ、基板受け渡し領域Ｄ
および上部搬送領域Ｂ２の上部には、フィルタおよびフ
ァンからなる空気調整ユニット１３，７１，５５がそれ
ぞれ配置されている。

【００６４】ここで、本実施例における搬送領域Ｂ、下
部搬送領域Ｂ１、上部搬送領域Ｂ２がそれぞれ本発明の
基板搬送領域、第１の搬送空間、第２の搬送空間に相当
する。また、処理領域Ａにおける第２の階層Ａ１および
第３の階層Ａ２の一部が第１の処理空間に相当し、第３
の階層Ａ２の一部および第４、第５の階層Ａ３，Ａ４が
第２の処理空間に相当する。さらに、回転式塗布ユニッ
トＳＣ１，ＳＣ２、回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２
が第１の処理部に相当し、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４
が第２の処理部に相当し、加熱ユニットＨＰが第３の処
理部に相当する。さらに、移載ロボット１２が搬入搬出
用搬送ユニットに相当し、搬送ロボット７０が受け渡し
用搬送ユニットに相当する。

【００６５】次に、図１の基板処理装置の動作を説明す
る。例えば図４を参照して、基板搬入搬出領域Ｃの移載
ロボット１２がカセット１１から基板Ｗを取り出し、基
板搬入搬出領域Ｃ側に開口を有する３つの第１の基板受
け渡し部６０ａのうちの１つに基板Ｗを搬入する。

【００６６】上部搬送領域Ｂ２の上部搬送ユニット５０
は第１の基板受け渡し部６０ａに供給された基板Ｗを受
け取り、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４の上部開口部２９
から基板Ｗを冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４に受け渡す。
基板Ｗを受け取った冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４は、基
板Ｗに冷却処理を行う。冷却処理が終了すると、下部搬
送領域Ｂ１に配置された下部搬送ユニット４０が冷却ユ
ニットＩＦＣＰ１〜４から基板Ｗを取り出し、回転式塗
布ユニットＳＣ１に基板Ｗを受け渡す。回転式塗布ユニ
ットＳＣ１は、受け取った基板Ｗに処理液を回転塗布す
る。処理が終了すると、再び下部搬送ユニット４０が基
板Ｗを回転式塗布ユニットＳＣ１から取り出し、１８０
度旋回して冷却ユニットＩＦＣＰ１に基板Ｗを受け渡
す。

【００６７】冷却ユニットＩＦＣＰ１は基板Ｗを上方に
押し上げ、上部開口部２９を通して上部搬送ユニット５
０に基板Ｗを受け渡す。上部搬送ユニット５０は受け取
った基板Ｗを熱処理ユニットＨＰに搬送する。加熱ユニ
ットＨＰは受け取った基板Ｗに対して加熱処理を行う。
処理が終了すると、処理済みの基板Ｗは再び上部搬送ユ
ニット５０に渡され、第１の基板受け渡し部６０ａを通
して移載ロボット１２に受け渡される。移載ロボット１
２は処理済みの基板Ｗを再びカセット１１に戻す。

【００６８】また、外部の露光装置による処理が終了
し、基板受け渡し領域Ｄに搬送された基板Ｗは、搬送ロ
ボット７０に渡され、第２の基板受け渡し部６０ｂに供
給される。その後、上記と同様に、基板Ｗは上部搬送ユ
ニット５０により冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４、下部搬
送ユニット４０を通り、例えば回転式現像ユニットＳＤ
１に受け渡される。回転式現像ユニットＳＤ１では基板
Ｗに現像処理を行う。現像処理が終了した基板Ｗは、再
び下部搬送ユニット４０により、例えば冷却ユニットＩ
ＦＣＰ４に受け渡され、さらに上部搬送ユニット５０を
通して加熱ユニットＨＰに搬送され、熱処理が行われ
る。

【００６９】熱処理が終了すると、上部搬送ユニット５
０から冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４に受け渡され、冷却
処理が行われる。冷却処理が終了した基板Ｗは再び上部
搬送ユニット５０に受け渡され、第１の基板受け渡し部
６０ａを通り移載ロボット１２に受け渡される。そし
て、移載ロボット１２によりカセット１１に戻される。

【００７０】上記実施例による基板処理装置は、処理領
域Ａの中央に下部搬送領域Ｂ１および上部搬送領域Ｂ２
が配置されている。下部搬送領域Ｂ１および上部搬送領
域Ｂ２にそれぞれ配置された下部搬送ユニット４０およ
び上部搬送ユニット５０は鉛直方向に昇降動作および旋
回動作のみを行うように形成されており、水平方向には
移動しない。このため、上部および下部搬送領域Ｂ１，
Ｂ２の平面占有面積は、水平方向に移動可能な搬送ユニ
ットを有する搬送領域に比べ小さくすることができる。
これにより、基板処理装置のフットプリントを低減する
ことができる。

【００７１】また、処理領域Ａにおいては、下部に回転
式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２および回転式現像ユニッ
トＳＤ１，ＳＤ２を配置している。このため、回転処理
系を有するユニットが下部に配置されることによりメン
テナンス性を向上することができる。

【００７２】さらに、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４を下
部に配置し、加熱ユニットＨＰを上方に配置するととも
に、両者の間の雰囲気が遮断されている。これにより、
加熱ユニットＨＰから漏出する加熱雰囲気が冷却ユニッ
トＩＦＣＰ１〜４あるいは回転処理系のユニットの内部
雰囲気に悪影響を及ぼすことが防止される。

【００７３】さらに、下部搬送領域Ｂ１に配置された下
部搬送ユニット４０は、互いに逆方向に進退可能な２つ
のアーム４３ａ，４３ｂを有している。加えて、この第
１の階層Ａ１には、互いに連続した処理工程に用いられ
る処理ユニットが下部搬送ユニット４０を介して対向配
置されている。これにより、下部搬送ユニット４０の２
つのアーム４３ａ，４３ｂを互いに対向する方向に配置
された各処理ユニットにそれぞれ伸長し、基板Ｗを保持
して後退した後、１８０度旋回させてさらにアーム４３
ａ，４３ｂを伸長することにより、対向配置された処理
ユニット間で基板Ｗを同時に入れ換えることができる。
これにより、基板Ｗの受け渡し時間が短縮され、処理効
率が向上する。

【００７４】さらに、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４は、
冷却処理機構のみならず、上部搬送領域Ｂ２の上部搬送
ユニット５０との間で基板Ｗの受け渡しを可能とするイ
ンタフェース機構を備えている。これにより、受け渡し
のためのインタフェース領域を新たに設けることなく上
部と下部との処理ユニットの間で基板Ｗの受け渡しが可
能となる。したがって、各処理ユニットの平面的な配置
効率が向上し、基板処理装置のフットプリントを低減す
ることができる。

【００７５】さらに、図１１および図１２から明らかな
ように、基板搬入搬出領域Ｃの移載ロボット１２は、３
つの第１の基板受け渡し部６０ａのそれぞれに基板Ｗを
受け渡すことが可能である。また基板受け渡し領域Ｄの
搬送ロボット７０も３つの第２の基板受け渡し部６０ｂ
のそれぞれに基板Ｗを受け渡すことができる。このた
め、移載ロボット１２および搬送ロボット７０に近い第
１および第２の基板受け渡し部６０ａ，６０ｂを適宜選
択して基板Ｗの受け渡しを行うことにより基板Ｗの受け
渡し時間が短縮され、処理のスループットを向上するこ
とができる。

【００７６】なお、上記実施例において、冷却ユニット
ＩＦＣＰ１〜４のいずれかに代えて下部搬送ユニット４
０と上部の搬送ユニット５０との間で基板Ｗを受け取り
昇降移動させる基板昇降機構部を配置してもよい。

【００７７】また、第１および第２の基板受け渡し部６
０ａ，６０ｂに代えて、上部搬送領域Ｂ２側と基板搬入
搬出領域Ｃ側または基板受け渡し領域Ｄ側にそれぞれ開
口部を有する加熱ユニットＨＰを用いてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による基板処理装置の斜視図で
ある。

【図２】図１における矢印Ｐ方向の側面図である。

【図３】図１における矢印Ｑ方向の側面図である。

【図４】図２におけるＸ１−Ｘ１線断面図である。

【図５】図２におけるＸ２−Ｘ２線断面図である。

【図６】図２におけるＸ３−Ｘ３線断面図である。

【図７】図４におけるＺ１−Ｚ１線断面図である。

【図８】図４におけるＺ２−Ｚ２線断面図である。

【図９】図４におけるＺ３−Ｚ３線断面図である。

【図１０】図４におけるＹ１−Ｙ１線断面図である。

【図１１】図４におけるＹ２−Ｙ２線断面図である。

【図１２】図４におけるＹ３−Ｙ３線断面図である。

【図１３】図４におけるＹ４−Ｙ４線断面図である。

【図１４】冷却ユニットの構造を示す断面図である。

【図１５】下部搬送領域の搬送ユニットの構造を示す断
面図である。

【図１６】従来の基板処理装置の構造を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

Ａ処理領域Ｂ搬送領域Ｂ１上部搬送領域Ｂ２下部搬送領域ＳＣ１，ＳＣ２回転式塗布ユニットＳＤ１，ＳＤ２回転式現像ユニット１１カセット１２移載ロボット１３，５５，７１，８０空気調整ユニットＩＦＣＰ１〜４冷却ユニットＨＰ加熱ユニット４０搬送ユニット４３ａ，４３ｂアーム５０搬送ユニット６０ａ，６０ｂ第１および第２の基板受け渡し部７０搬送ロボット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者今西保夫京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者岩見優樹京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者西村讓一京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者森田彰彦京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者西村和浩京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板に所定の処理を行う複数の処理部が
配置された処理領域と、前記処理領域の一端部側に設けられ、外部との間で基板
の搬入および搬出を行う基板搬入搬出領域と、前記処理領域の内側に配置され、前記複数の処理部に取
り囲まれた基板搬送領域とを備え、前記基板搬入搬出領域と前記基板搬送領域との間で基板
の受け渡しを行う第１の受け渡し部が設けられ、前記基板搬送領域内には、前記処理部に基板を搬送する
搬送手段が設けられたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】前記処理領域は、互いに雰囲気が遮断さ
れた第１の処理空間および前記第１の処理空間の上方に
形成された第２の処理空間を有し、前記基板搬送領域は、互いに雰囲気が遮断されかつ前記
第１および第２の処理空間にそれぞれ対応した第１およ
び第２の搬送空間を有し、前記第１の搬送空間と前記第２の搬送空間との間で基板
の受け渡しを行う基板受け渡し手段が設けられ、前記搬送手段は、前記第１の搬送空間に設けられ、前記第１の処理空間に
配置された処理部と前記基板受け渡し手段との間で基板
を搬送する下部搬送ユニットと、前記第２の搬送空間に設けられ、前記第２の処理空間に
配置された処理部、前記第１の受け渡し部および前記基
板受け渡し手段との間で基板を搬送する上部搬送ユニッ
トとを含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装
置。
【請求項３】前記第１の処理空間に配置された処理部
は、処理液を用いて基板に処理を行う第１の処理部およ
び加熱処理された基板を所定温度に冷却する第２の処理
部であり、前記第２の処理空間に配置された処理部は、基板に加熱
処理を行う第３の処理部であることを特徴とする請求項
２記載の基板処理装置。
【請求項４】前記第１の処理空間に配置された前記第
１の処理部と前記第２の処理部とは前記第１の搬送空間
を中心に対向して配置されており、前記下部搬送ユニットは、互いに反対方向に進退自在で
かつ鉛直方向の軸の周りで旋回自在な一対の基板保持部
を有することを特徴とする請求項２または３記載の基板
処理装置。
【請求項５】前記基板受け渡し手段は、前記第２の搬
送空間に面する開閉自在な開口部と、前記開口部に対応
する位置に基板を移動させる移動部と、基板を冷却する
冷却部とを備えた第２の処理部であることを特徴とする
請求項２〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】前記第２の処理空間の前記基板搬入搬出
領域側には、前記第１の受け渡し部が複数設けられ、前記基板搬入搬出領域には、外部との間で受け渡される
基板を収納した収納容器を支持する支持部と、前記支持
部と前記複数の第１の受け渡し部との間で基板を搬送す
る搬入搬出用搬送ユニットとが設けられたことを特徴と
する請求項２〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】前記処理領域の他端部側には、隣接配置
される他の基板処理装置との間で基板の受け渡しを行う
基板受け渡し領域がさらに設けられ、前記第２の処理空間の前記基板受け渡し領域側には前記
第２の搬送空間と前記基板受け渡し領域との間で基板の
受け渡しを行う第２の受け渡し部が設けられたことを特
徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装
置。
【請求項８】前記第２の受け渡し部は複数設けられて
おり、前記基板受け渡し領域には、前記第２の受け渡し部との
間で受け渡された基板を搬送する受け渡し用搬送ユニッ
トが設けられたことを特徴とする請求項２〜７のいずれ
かに記載の基板処理装置。