JPH10261692A

JPH10261692A - 基板処理装置

Info

Publication number: JPH10261692A
Application number: JP6632697A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Imanishi; 保夫今西; Masami Otani; 正美大谷; Masao Tsuji; 雅夫辻; Masaki Iwami; 優樹岩見; Joichi Nishimura; 讓一西村; Akihiko Morita; 彰彦森田; Kazuhiro Nishimura; 和浩西村
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1997-03-19
Filing date: 1997-03-19
Publication date: 1998-09-29

Abstract

(57)【要約】【課題】設置面積の低減化が可能でかつメンテナンス
が容易な基板処理装置を提供することである。【解決手段】処理領域Ａの中央に搬送領域Ｂを設け、
その周囲に処理ユニットを積層配置する。搬送領域Ｂは
上下方向に分離された下部搬送領域Ｂ１と上部搬送領域
Ｂ２とを有する。下部搬送領域Ｂ１には昇降および旋回
可能な下部搬送ユニット４０を配置し、上部搬送領域Ｂ
２には昇降および旋回可能な上部搬送ユニット５０を配
置する。処理領域Ａの下部には回転式塗布ユニット、回
転式現像ユニットＳＤ２および冷却ユニットＩＦＣＰ４
を配置し、上部には加熱ユニットＨＰを配置する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板に所定の処理
を行う複数の処理部を備えた基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が
用いられている。例えば、半導体デバイスの製造プロセ
スでは、生産効率を高めるために一連の処理の各々をユ
ニット化し、複数の処理ユニットを統合した基板処理装
置が用いられている。

【０００３】図１６は、従来の基板処理装置の一例を示
す斜視図である。図１６の基板処理装置は、処理領域
Ａ，Ｂおよび搬送領域Ｃを有する。

【０００４】処理領域Ａには、基板に処理液の塗布処理
を行う回転式塗布ユニット（スピンコータ）２ａおよび
基板に現像処理を行う回転式現像ユニット（スピンデベ
ロッパ）２ｂが並設されている。また、処理領域Ｂに
は、基板に加熱処理を行う加熱ユニット（ホットプレー
ト）ＨＰおよび基板に冷却処理を行う冷却ユニット（ク
ーリングプレート）ＣＰが複数段に配置されている。搬
送領域Ｃには、基板を搬送する搬送ユニット５が設けら
れている。

【０００５】これらの処理領域Ａ，Ｂおよび搬送領域Ｃ
の一端部側には、基板Ｗを収納するとともに基板Ｗの搬
入および搬出を行う搬入搬出装置（インデクサ）６が配
置されている。搬入搬出装置６は、基板Ｗを収納する複
数のカセット７および基板Ｗの搬入および搬出を行う移
載ロボット８を備える。搬入搬出装置６の移載ロボット
８は、矢印Ｕ方向に移動し、カセット７から基板Ｗを取
り出して搬送ユニット５に渡し、一連の処理が施された
基板Ｗを搬送ユニット５から受け取ってカセット７に戻
す。

【０００６】搬送ユニット５は、搬送領域Ｃ内で基板Ｗ
を矢印Ｓ方向に搬送するとともに、上記の各処理ユニッ
トに対して基板Ｗの搬入および搬出を行い、かつ移載ロ
ボット８との間で基板Ｗの受渡しを行う。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】近年では、基板の処理
を大量にかつ効率的に行うために、多数の処理ユニット
が１台の基板処理装置に搭載されている。また、生産性
の向上のために基板が大径化しており、この基板の大径
化に伴って各処理ユニットの寸法も大きくなる。それに
より、複数の処理ユニットを統合した基板処理装置が大
型化し、そのフットプリント（設置面積）が大きくな
る。それゆえ、クリーンルーム内のスペースを有効に使
用することができる基板処理装置が望まれる。

【０００８】そこで、従来の基板処理装置では、各処理
ユニットを上方に積層する構造を用いてフットプリント
の低減を図っている。例えば、特開平８−４６０１０号
公報に開示された基板処理装置では、回転式塗布ユニッ
トと回転式現像ユニットとを上下に積層した構造を有し
ている。

【０００９】しかしながら、処理液を用いて基板に回転
処理を行う処理ユニットを上下方向に積層すると、上方
に配置された処理ユニットの監視やメンテナンス作業が
困難となる。また、上方の処理ユニットへの処理液の供
給系や排出系の配置が複雑となり、加えて、万一処理液
等の漏洩が生じた場合には下方の処理ユニットに液漏れ
が生じ、下方の処理ユニットや処理中の基板を汚染する
という問題が生じる。

【００１０】本発明の目的は、設置面積の低減化が可能
でかつ処理部のメンテナンスが容易な基板処理装置を提
供することである。

【００１１】

【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板処理装置は、基板搬送領域と、基板搬送
領域を取り囲む処理領域とを備え、処理領域は、第１の
処理空間と、第１の処理空間の上方に配置された第２の
処理空間とを有し、処理領域の第１の処理空間には、基
板に処理液を用いて処理を行う第１の処理部が配置さ
れ、処理領域の第２の処理空間には、基板に温度処理を
行う第２の処理部が配置されたものである。

【００１２】第２の発明に係る基板処理装置は第１の発
明に係る基板処理装置の構成において、第１の処理空間
には、加熱された基板を所定温度に冷却する第３の処理
部がさらに配置されたものである。

【００１３】第３の発明に係る基板処理装置は、第１ま
たは第２の発明に係る基板処理装置の構成において、第
１の処理部の上方には、第１の処理部に清浄な空気を供
給する空気調整ユニットが設けられたものである。

【００１４】第１〜第３の発明に係る基板処理装置にお
いて、下方側の第１の処理空間に第１の処理部が配置さ
れている。第１の処理部には、例えば回転式塗布ユニッ
ト、回転式現像ユニット等が含まれる。これらの処理ユ
ニットは処理液の供給あるいは廃液の排出等の機構およ
び回転機構等を有し、基板処理の監視やメンテナンスを
行う必要がある。このため、基板処理装置の下方側に配
置することにより、作業者が第１の処理部に接近するこ
とが容易となり、メンテナンス性が向上する。

【００１５】また、上方の第２の処理空間には温度処理
を行う第２の処理部が配置されている。このため、温度
処理による熱雰囲気が下方に配置された第１の処理空間
に及ぶことが抑制され、これによって第１の処理部およ
び第２の処理部をそれぞれ良好な雰囲気に保持すること
ができる。

【００１６】特に、第２の発明に係る基板処理装置にお
いては、第１の処理空間に冷却処理を行う第３の処理部
が配置されている。第３の処理部は第１の処理部による
基板処理に連続して使用される場合が多い。このため、
第１の処理空間内に両者が配置されることにより基板の
搬送効率が向上し、基板処理装置における処理のスルー
プットが向上する。

【００１７】特に、第３の発明に係る基板処理装置にお
いては、空気調整ユニットを設けたことにより第１の処
理空間と第２の処理空間とが隔離され、かつ第１の処理
部を清浄な雰囲気に維持することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】図 1は本発明の実施例における基
板処理装置の斜視図、図２は図１の基板処理装置の矢印
Ｐ方向の側面図、図３は図１の基板処理装置の矢印Ｑ方
向の側面図である。

【００１９】また、図４は、図２におけるＸ１−Ｘ１線
断面図、図５は図２におけるＸ２−Ｘ２線断面図、図６
は図２におけるＸ３−Ｘ３線断面図である。

【００２０】さらに、図７は、図４におけるＺ１−Ｚ１
線断面図、図８は図４におけるＺ２−Ｚ２線断面図、図
９は図４におけるＺ３−Ｚ３線断面図である。

【００２１】さらに、図１０は図４におけるＹ１−Ｙ１
線断面図、図１１は図４におけるＹ２−Ｙ２線断面図、
図１２は図４におけるＹ３−Ｙ３線断面図、図１３は図
４におけるＹ４−Ｙ４線断面図である。

【００２２】すなわち、図１において、矢印Ｐ側から見
た基板処理装置の各位置での側面断面が図４〜図６に示
され、Ｒ方向から見た基板処理装置の各位置の正面断面
が図７〜図９に示され、鉛直上方から見た基板処理装置
の各位置における平面断面が図１０〜図１３に示され
る。

【００２３】図１において、基板処理装置は、処理領域
Ａ、基板搬入搬出領域Ｃおよび基板受け渡し領域Ｄに大
別される。

【００２４】基板搬入搬出領域Ｃは、基板Ｗを収納する
複数のカセット１１および基板の搬入搬出を行う移載ロ
ボット１２を備える。移載ロボット１２は、上下方向お
よび水平方向に移動可能かつ鉛直方向に軸の周りで回動
可能に構成され、カセット１１および処理領域Ａとの間
で基板Ｗの受け渡しを行う。

【００２５】処理領域Ａを介して基板搬入搬出領域Ｃの
反対側には、外部の装置との間で基板の受け渡しを行う
受け渡し領域Ｄが配置されている。本実施例では、外部
の装置として露光装置が隣接配置されている。受け渡し
領域Ｄは基板の受け渡しを行う搬送ロボット７０を備え
る。搬送ロボット７０は、上下方向および水平方向に移
動可能かつ鉛直方向に軸の周りで回動可能に構成され、
露光装置および処理領域Ａとの間で基板Ｗの受け渡しを
行う。

【００２６】処理領域Ａは、搬送領域Ｂ（図４、図１０
参照）を中心とし、その周囲に複数の処理ユニットが放
射状に配置されている。図４〜図９（特に図４）を参照
して、処理領域Ａでは、種々の処理ユニットがＡ０〜Ａ
４の５つの階層に積層されている。

【００２７】最下部の第１の階層Ａ０には、化学系ユニ
ット１５が配置されている。化学系ユニット１５は、各
種処理液（薬液）、廃液、ポンプおよび排気系を収納す
る。

【００２８】第２の階層Ａ１には、基板にフォトレジス
ト等の処理液を回転塗布する複数の回転式塗布ユニット
（スピンコータ）ＳＣ１，ＳＣ２、基板に現像処理を行
う複数の回転式現像ユニット（スピンデベロッパ）ＳＤ
１，ＳＤ２および基板に冷却処理を行う冷却ユニット
（クーリングプレート）ＩＦＣＰ１〜４が配置されてい
る。この第２の階層Ａ１の平面断面が図１０に示されて
いる。

【００２９】回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２および
回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２と冷却ユニットＩＦ
ＣＰ１〜４とは下部搬送領域Ｂ１を中心に互いに対向す
る位置に配置されている。各回転式塗布ユニットＳＣ
１，ＳＣ２および回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２の
下部搬送領域Ｂ１に面する側面には基板Ｗの受け渡しを
行うための開口部１７が形成されている。また、同様に
冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４の下部搬送領域Ｂ１に面す
る側面にも下部開口部３０が形成されている。

【００３０】さらに、回転式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ
２および回転式現像ユニットＳＤ１，ＳＤ２の上部には
ＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air ）フィルタ、化
学吸着フィルタ等のフィルタ８２およびファン８１から
なる空気調整ユニット８０が配置されている。

【００３１】ここで、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４の構
造について冷却ユニットＩＦＣＰ１を例に説明する。図
１４は、冷却ユニットＩＦＣＰ１の構造を示す断面図で
ある。冷却ユニットＩＦＣＰ１は加熱処理された基板Ｗ
を所定温度まで冷却するアルミニウム製の冷却プレート
２０を備える。冷却プレート２０の上面には基板Ｗを支
持する３つのボール２１が配置されている。また、冷却
プレート２０には、基板Ｗの下面を支持する３本の支持
ピン２２を貫通させる貫通孔が形成されている。さら
に、冷却プレート２０の下方には、冷却プレート２０の
貫通孔を通り昇降移動する３本の支持ピン２２およびこ
れを保持する連結部材２３が配置されている。支持ピン
２２および連結部材２３は冷却プレート２０を支持する
支柱２４に沿って昇降自在に取り付けられている。さら
に連結部材２３の下方には、連結部材２３および支持ピ
ン２２を昇降移動させるための第１のエアシリンダ３２
が配置されている。

【００３２】筐体２５の内部上方には、窒素ガス等の不
活性ガスを供給するためのガス供給部２６が形成されて
いる。ガス供給部２６から供給された不活性ガスは筐体
２５の側面に形成された排気口２７から外方へ排出され
る。

【００３３】また、冷却ユニットＩＦＣＰ１の筐体２５
の下部搬送領域Ｂ１側の側面には、下部搬送領域Ｂ１に
配置された下部搬送ユニット４０（図４参照）との間で
基板を受け渡すための下部開口部３０および上部搬送領
域Ｂ２に配置された上部搬送ユニット５０との間で基板
の受け渡しを行うための上部開口部２９が形成されてい
る。上部開口部２９および下部開口部３０内側には上部
および下部開口部２９、３９をそれぞれ開閉するための
シャッタ部材３３、３４が上下動可能に設けられてい
る。シャッタ部材３４の下端は第２のエアシリンダ３１
に接続され、さらに、シャッタ部材３３の下端はデュア
ルロッドシリンダタイプの第１のエアシリンダ３２に接
続されている。そして、第２のエアシリンダ３１のロッ
ドが伸長することでシャッタ部材３４が上下動し、シャ
ッタ部材３４が上昇した位置で下部開口部３０が開口さ
れ、下降した位置で下部開口部３０が閉塞される。ま
た、第１のエアシリンダ３２のロッドが伸長することに
より、シャッタ部材３３が上下動し、シャッタ部材３３
が上昇した位置で上部開口部２９が開口され、下降した
位置で上部開口部２９が閉塞される。

【００３４】さらに、シャッタ部材３４の下端には、支
持ピン２２および連結部材２３を昇降移動させる第１の
エアシリンダ３２が取り付けられている。このような構
造により、基板Ｗは冷却プレート２０の上方の４つの待
機位置Ｈ１〜Ｈ４に保持可能とされている。すなわち、
第１のエアシリンダ３２および第２のエアシリンダ３１
の各ロッドが収納された状態では、基板Ｗが冷却プレー
ト２０のボール２１上の第１の待機位置Ｈ１に保持され
る。これにより、基板Ｗに冷却処理が施される。

【００３５】次に、第２のエアシリンダ３１のロッドが
伸長されると、第１のエアシリンダ３２のロッドが連結
部材２３を上方に押し上げ、これによって支持ピン２２
が基板Ｗの下面を支持して上昇し、基板Ｗを冷却プレー
ト２０の上方の第２の待機位置Ｈ２に保持する。この位
置では、下部搬送領域Ｂ１に配置される搬送ユニット４
０の第１のアーム４３ａにより基板Ｗが受け渡しが可能
となる。

【００３６】さらに、第１のエアシリンダ３２のロッド
が伸長されると、基板Ｗは第２の待機位置Ｈ２の上方の
第３の待機位置Ｈ３に押し上げられる。この第３の待機
位置Ｈ３では、上記の下部搬送ユニット４０の第２のア
ーム４３ａにより基板Ｗの受け渡しが可能となる。

【００３７】第２のエアシリンダ３１のロッドが縮めら
れ、第１のエアシリンダ３２のロッドがさらに伸長され
ると、基板Ｗは上方の第４の待機位置Ｈ４まで押し上げ
られる。この待機位置Ｈ４は、上部開口部２９に対応し
ている。そして、この第４の待機位置Ｈ４では、上部搬
送領域Ｂ２に配置された上部搬送ユニット５０のアーム
５１ａ，５１ｂとの間で基板Ｗの受け渡しが可能とな
る。なお、第１のエアシリンダ３２をデュアルロッドシ
リンダで例示したが、２個のシリンダを用いてもよい
し、モータ等の駆動手段でもよい。

【００３８】このように、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４
は、基板Ｗに冷却処理を行う機構のみならず、下部搬送
ユニット４０と上部搬送ユニット５０との間で基板Ｗの
受け渡しを行う受け渡し機構（インタフェース機構）を
備えている。

【００３９】再び図４を参照して、第３の階層Ａ２に
は、第１および第２の基板受け渡し部６０ａ，６０ｂお
よび主要部が第２の階層Ａ１に配置された冷却ユニット
ＩＦＣＰ１〜４の上部開口部２ａの周辺部分が配置され
る。第３の階層Ａ２の平面断面が図１１に示される。第
２の基板受渡し部６０ｂは、上部搬送領域Ｂ２および基
板受け渡し領域Ｄ側に開口部を有している。上部搬送領
域Ｂ２側の開口部には開閉自在なシャッタ部材が設けら
れている。第２の基板受け渡し部６０ｂの内部には、基
板Ｗを一時的に保持するための正三角形状に配置された
３個の球状支持体６１を有する支持台６２が配置されて
いる。

【００４０】第４の階層Ａ３には、第１および第２の基
板受け渡し部６０ａ，６０ｂおよび基板に対して加熱処
理を行う加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰが配置さ
れている。この第４の階層Ａ３の平面構造が図１２に示
される。冷却ユニットＩＦＣＰ３，ＩＦＣＰ４の上部に
配置された第１の基板受け渡し部６０ａは、移載ロボッ
ト１２側と上部搬送ユニット５０側とに基板Ｗを通過さ
せる開口部が形成されている。上部搬送ユニット５０側
の開口部には開閉自在なシャッタ部材が設けられてい
る。第１の基板受け渡し部６０ａの内部には、基板Ｗを
支持する正三角形状に配置された３個の球状支持体６１
を有する支持台６２が配置されている。この第１の基板
受け渡し部６０ａを介して移載ロボット１２と上部搬送
ユニット５０との間で基板Ｗの受け渡し動作が行われ
る。

【００４１】さらに、第５の階層Ａ４には、複数の加熱
ユニットＨＰが配置される。この第５の階層Ａ４の主要
な平面断面が図１３に示される。加熱ユニットＨＰは、
上部搬送領域Ｂ２側に基板Ｗの出し入れを行うための開
口部（図示せず）が形成されている。開口部にはシャッ
タ部材が設けられている。なお、第５の階層Ａ４に基板
の密着強化処理を行う密着強化ユニットＡＨを設けても
よい。

【００４２】上記の処理領域Ａの中央には、搬送領域Ｂ
が設けられている。搬送領域Ｂは、空気調整ユニット８
０を介在して上下方向に隔離された下部搬送領域Ｂ１お
よび上部搬送領域Ｂ２を有している。

【００４３】下部搬送領域Ｂ１には下部搬送ユニット４
０が配置されている。図１５は、下部搬送ユニットの断
面図である。下部搬送ユニット４０は、箱状のフレーム
４１を有する。フレーム４１は昇降機構および旋回機構
（図示せず）によって昇降および旋回可能に構成されて
いる。フレーム４１の上面には、図４における第２の階
層Ａ１に配置された各処理ユニットに向かう長細形状の
開口４２が形成されている。開口４２には、２つのアー
ム４３ａ，４３ｂの基部にその上端部が接続された２つ
の可動支柱４４が緩挿されている。可動支柱４４は、ガ
イドレール４５に沿って摺動可能に配置されており、そ
の底部が駆動ワイヤ４６の一部に接続されている。駆動
ワイヤ４６は２つの従動プーリ４７に張設されるととも
に、主動プーリ４８に巻かれている。主動プーリ４８は
モータ４９によって回転駆動されるように構成されてお
り、これによって可動支柱４４が従動プーリ４７の間を
移動してアーム４３ａを進退駆動（図中実線が伸長状態
を示し、２点鎖線が収縮した状態を示す）するようにな
っている。また、アーム４３ａとアーム４３ｂのそれぞ
れの開口部４２は、両者が伸縮した際に互いの可動支柱
４４とアーム４３ａ，４３ｂの基板支持部とが干渉しな
いように配置されている。

【００４４】アーム４３ｂは、アーム４３ａと同様の駆
動機構を備えるが、アーム４３ａと逆方向に進退駆動す
るように構成されている。これにより、一方のアーム４
３ａと他方の４３ｂは互いに反対方向に進退移動するこ
とができる。

【００４５】このような構造により、例えば図１０を参
照して、冷却ユニットＩＦＣＰ１により冷却処理が施さ
れた基板Ｗと、回転式塗布ユニットＳＣ１において回転
塗布処理が行われた他方の基板Ｗとをそれぞれ下部搬送
ユニット４０のアーム４３ａ，４３ｂに保持し、アーム
４３ａ，４３ｂを後退させた後、１８０度旋回し、さら
にアーム４３ａ，４３ｂを進行させて２つの基板Ｗを同
時に入れ換えることができる。

【００４６】上部搬送領域Ｂ２は下部搬送領域Ｂ１の上
部に配置される。上部搬送領域Ｂ２には上部搬送ユニッ
ト５０が配置されている。上部搬送ユニット５０は、同
じ方向に進退移動可能な２本のアーム５１ａ，５１ｂお
よび２本のアーム５１ａ，５１ｂを進退移動させる移動
部５２を備える。移動部５２は昇降機構５３および旋回
機構５４に接続されており、これによって上部搬送領域
Ｂ２内で昇降および旋回移動する。

【００４７】この上部搬送ユニット５０は、４種類の基
板受け渡し動作を行う。第１の基板受け渡し動作は、基
板搬入搬出領域Ｃの移載ロボット１２との間で行われ
る。上部搬送ユニット５０から基板Ｗを移載ロボット１
２へ受け渡す場合には、上部搬送ユニット５０のアーム
５１ａ，５１ｂを第１の基板受け渡し部６０ａ内に伸ば
し、基板Ｗを支持台６２上に受け渡す。その後、移載ロ
ボット１２がアームを第１の基板受け渡し部６０ａ内に
伸ばし、支持台６２に載置された基板Ｗを保持して後退
する。また、移載ロボット１２から上部搬送ユニット５
０に基板Ｗを受け渡す場合には、上記と逆の動作が行わ
れる。

【００４８】第２の基板受け渡し動作は、冷却ユニット
ＩＦＣＰ１〜４との間で行われる。上述したように、冷
却ユニットＩＦＣＰ１〜４は、上部搬送ユニット５０と
の間で基板Ｗの受け渡しを行う際に、支持ピン２２を第
４の待機位置Ｈ４に上昇させる。このとき、第４の待機
位置Ｈ４に対応する上部開口部２９が開放される。上部
搬送ユニット５０は上部搬送領域Ｂ２内を下降し、アー
ム５１ａ，５１ｂが冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４の上部
開口部２９に対応する位置で停止する。そして、いずれ
かのアーム５１ａ，５１ｂを伸ばし、冷却ユニットＩＦ
ＣＰ１〜４の支持ピン２２上に保持された基板Ｗを受け
取り、または支持ピン２２上に基板Ｗを渡し、後退す
る。その後、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４の保持ピン２
２が下降して基板Ｗの受け渡しが終了する。

【００４９】第３の基板受け渡し動作は、基板受け渡し
領域Ｄの搬送ロボット７０との間で行われる。上部搬送
ユニット５０から搬送ロボット７０へ基板Ｗを受け渡す
場合には、基板Ｗを保持した上部搬送ユニット５０のア
ーム５１ａ，５１ｂが第２の基板受け渡し部６０ｂ内に
伸びて支持台６２上に基板Ｗを載置する。その後、搬送
ロボット７０がアームを伸ばし、支持台６２上の基板Ｗ
を保持して後退する。

【００５０】また、搬送ロボット７０から上部搬送ユニ
ット５０に基板Ｗを受け渡す際には、上記と逆の動作が
行われる。

【００５１】基板搬入搬出領域Ｃ、基板受け渡し領域Ｄ
および上部搬送領域Ｂ２の上部には、フィルタおよびフ
ァンからなる空気調整ユニット１３，７１，５５がそれ
ぞれ配置されている。

【００５２】ここで、本実施例の処理領域Ａにおける第
２の階層Ａ１および第３の階層Ａ２の一部が本発明の第
１の処理空間に相当し、第４および第５の階層Ａ３，Ａ
４が第２の処理空間に相当する。さらに、回転式塗布ユ
ニットＳＣ１，ＳＣ２、回転式現像ユニットＳＤ１，Ｓ
Ｄ２が第１の処理部に相当し、冷却ユニットＩＦＣＰ１
〜４が第２の処理部に相当し、加熱ユニットＨＰが第３
の処理部に相当する。

【００５３】次に、図１の基板処理装置の動作を説明す
る。例えば図４を参照して、基板搬入搬出領域Ｃの移載
ロボット１２がカセット１１から基板Ｗを取り出し、基
板搬入搬出領域Ｃ側に開口を有する３つの第１の基板受
け渡し部６０ａのうちの１つに基板Ｗを搬入する。

【００５４】上部搬送領域Ｂ２の上部搬送ユニット５０
は第１の基板受け渡し部６０ａに供給された基板Ｗを受
け取り、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４の上部開口部２９
から基板Ｗを冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４に受け渡す。
基板Ｗを受け取った冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４は、基
板Ｗに冷却処理を行う。冷却処理が終了すると、下部搬
送領域Ｂ１に配置された下部搬送ユニット４０が冷却ユ
ニットＩＦＣＰ１〜４から基板Ｗを取り出し、回転式塗
布ユニットＳＣ１に基板Ｗを受け渡す。回転式塗布ユニ
ットＳＣ１は、受け取った基板Ｗに処理液を回転塗布す
る。処理が終了すると、再び下部搬送ユニット４０が基
板Ｗを回転式塗布ユニットＳＣ１から取り出し、１８０
度旋回して冷却ユニットＩＦＣＰ１に基板Ｗを受け渡
す。

【００５５】冷却ユニットＩＦＣＰ１は基板Ｗを上方に
押し上げ、上部開口部２９を通して上部搬送ユニット５
０に基板Ｗを受け渡す。上部搬送ユニット５０は受け取
った基板Ｗを熱処理ユニットＨＰに搬送する。加熱ユニ
ットＨＰは受け取った基板Ｗに対して加熱処理を行う。
処理が終了すると、処理済みの基板Ｗは再び上部搬送ユ
ニット５０に渡され、第１の基板受け渡し部６０ａを通
して移載ロボット１２に受け渡される。移載ロボット１
２は処理済みの基板Ｗを再びカセット１１に戻す。

【００５６】また、外部の露光装置による処理が終了
し、基板受け渡し領域Ｄに搬送された基板Ｗは、搬送ロ
ボット７０に渡され、第２の基板受け渡し部６０ｂに供
給される。その後、上記と同様に、基板Ｗは上部搬送ユ
ニット５０により冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４、下部搬
送ユニット４０を通り、例えば回転式現像ユニットＳＤ
１に受け渡される。回転式現像ユニットＳＤ１では基板
Ｗに現像処理を行う。現像処理が終了した基板Ｗは、再
び下部搬送ユニット４０により、例えば冷却ユニットＩ
ＦＣＰ４に受け渡され、さらに上部搬送ユニット５０を
通して加熱ユニットＨＰに搬送され、熱処理が行われ
る。

【００５７】熱処理が終了すると、上部搬送ユニット５
０から冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４に受け渡され、冷却
処理が行われる。冷却処理が終了した基板Ｗは再び上部
搬送ユニット５０に受け渡され、第１の基板受け渡し部
６０ａを通り移載ロボット１２に受け渡される。そし
て、移載ロボット１２によりカセット１１に戻される。

【００５８】上記実施例による基板処理装置は、処理領
域Ａの中央に下部搬送領域Ｂ１および上部搬送領域Ｂ２
が配置されている。下部搬送領域Ｂ１および上部搬送領
域Ｂ２にそれぞれ配置された下部搬送ユニット４０およ
び上部搬送ユニット５０は鉛直方向に昇降動作および旋
回動作のみを行うように形成されており、水平方向には
移動しない。このため、上部および下部搬送領域Ｂ１，
Ｂ２の平面占有面積は、水平方向に移動可能な搬送ユニ
ットを有する搬送領域に比べ小さくすることができる。
これにより、基板処理装置のフットプリントを低減する
ことができる。

【００５９】また、処理領域Ａにおいては、下部に回転
式塗布ユニットＳＣ１，ＳＣ２および回転式現像ユニッ
トＳＤ１，ＳＤ２を配置している。このため、回転処理
系を有するユニットが下部に配置されることにより作業
者の接近が容易となり、メンテナンス性を向上すること
ができる。

【００６０】さらに、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４を下
部に配置し、加熱ユニットＨＰを上方に配置するととも
に、両者の間の雰囲気が遮断されている。これにより、
加熱ユニットＨＰから漏出する加熱雰囲気が冷却ユニッ
トＩＦＣＰ１〜４あるいは回転処理系のユニットの内部
雰囲気に悪影響を及ぼすことが防止される。

【００６１】さらに、下部搬送領域Ｂ１に配置された下
部搬送ユニット４０は、互いに逆方向に進退可能な２つ
のアーム４３ａ，４３ｂを有している。加えて、この第
１の階層Ａ１には、互いに連続した処理工程に用いられ
る処理ユニットが下部搬送ユニット４０を介して対向配
置されている。これにより、下部搬送ユニット４０の２
つのアーム４３ａ，４３ｂを互いに対向する方向に配置
された各処理ユニットにそれぞれ伸長し、基板Ｗを保持
して後退した後、１８０度旋回させてさらにアーム４３
ａ，４３ｂを伸長することにより、対向配置された処理
ユニット間で基板Ｗを同時に入れ換えることができる。
これにより、基板Ｗの受け渡し時間が短縮され、処理効
率が向上する。

【００６２】さらに、冷却ユニットＩＦＣＰ１〜４は、
冷却処理機構のみならず、上部搬送領域Ｂ２の上部搬送
ユニット５０との間で基板Ｗの受け渡しを可能とするイ
ンタフェース機構を備えている。これにより、受け渡し
のためのインタフェース領域を新たに設けることなく上
部と下部との処理ユニットの間で基板Ｗの受け渡しが可
能となる。したがって、各処理ユニットの平面的な配置
効率が向上し、基板処理装置のフットプリントを低減す
ることができる。

【００６３】さらに、図１１および図１２から明らかな
ように、基板搬入搬出領域Ｃの移載ロボット１２は、３
つの第１の基板受け渡し部６０ａのそれぞれに基板Ｗを
受け渡すことが可能である。また基板受け渡し領域Ｄの
搬送ロボット７０も３つの第２の基板受け渡し部６０ｂ
のそれぞれに基板Ｗを受け渡すことができる。このた
め、移載ロボット１２および搬送ロボット７０に近い第
１および第２の基板受け渡し部６０ａ，６０ｂを適宜選
択して基板Ｗの受け渡しを行うことにより基板Ｗの受け
渡し時間が短縮され、処理のスループットを向上するこ
とができる。

【００６４】なお、上記実施例において、冷却ユニット
ＩＦＣＰ１〜４のいずれかに代えて下部搬送ユニット４
０と上部の搬送ユニット５０との間で基板Ｗを受け取り
昇降移動させる基板昇降機構部を配置してもよい。

【００６５】また、第１および第２の基板受け渡し部６
０ａ，６０ｂに代えて、上部搬送領域Ｂ２側と基板搬入
搬出領域Ｃ側または基板受け渡し領域Ｄ側にそれぞれ開
口部を有する加熱ユニットＨＰを用いてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例による基板処理装置の斜視図で
ある。

【図２】図１における矢印Ｐ方向の側面図である。

【図３】図１における矢印Ｑ方向の側面図である。

【図４】図２におけるＸ１−Ｘ１線断面図である。

【図５】図２におけるＸ２−Ｘ２線断面図である。

【図６】図２におけるＸ３−Ｘ３線断面図である。

【図７】図４におけるＺ１−Ｚ１線断面図である。

【図８】図４におけるＺ２−Ｚ２線断面図である。

【図９】図４におけるＺ３−Ｚ３線断面図である。

【図１０】図４におけるＹ１−Ｙ１線断面図である。

【図１１】図４におけるＹ２−Ｙ２線断面図である。

【図１２】図４におけるＹ３−Ｙ３線断面図である。

【図１３】図４におけるＹ４−Ｙ４線断面図である。

【図１４】冷却ユニットの構造を示す断面図である。

【図１５】下部搬送領域の搬送ユニットの構造を示す断
面図である。

【図１６】従来の基板処理装置の構造を示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

Ａ処理領域Ｂ搬送領域Ｂ１上部搬送領域Ｂ２下部搬送領域ＳＣ１，ＳＣ２回転式塗布ユニットＳＤ１，ＳＤ２回転式現像ユニット１１カセット１２移載ロボット１３，５５，７１，８０空気調整ユニットＩＦＣＰ１〜４冷却ユニットＨＰ加熱ユニット４０搬送ユニット４３ａ，４３ｂアーム５０搬送ユニット６０ａ，６０ｂ第１および第２の基板受け渡し部７０搬送ロボット

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者辻雅夫京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者岩見優樹京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者西村讓一京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者森田彰彦京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者西村和浩京都市伏見区羽束師古川町322番地大日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板搬送領域と、前記基板搬送領域を取
り囲む処理領域とを備え、前記処理領域は、第１の処理空間と、前記第１の処理空
間の上方に配置された第２の処理空間とを有し、前記処理領域の前記第１の処理空間には、基板に処理液
を用いて処理を行う第１の処理部が配置され、前記処理領域の前記第２の処理空間には、基板に温度処
理を行う第２の処理部が配置されたことを特徴とする基
板処理装置。
【請求項２】前記第１の処理空間には、加熱された基
板を所定温度に冷却する第３の処理部がさらに配置され
たことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】前記第１の処理部の上方には、前記第１
の処理部に清浄な空気を供給する空気調整ユニットが設
けられたことを特徴とする請求項１または２記載の基板
処理装置。