KR102201883B1 - 기판지지유닛 및 이를 가지는 기판처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 지지하는 장치를 제공한다. 기판지지유닛은 기판을 지지하며, 상면에 핀홈이 형성되는 지지플레이트 및 상기 지지플레이트에 상기 기판을 로딩 또는 언로딩하도록 상기 기판을 승강 또는 하강 이동시키는 핀 어셈블리를 포함하되, 상기 핀 어셈블리는 상기 핀홈에 위치되는 리프트핀 및 상기 리프트핀을 승강위치와 하강위치로 이동시키는 구동부재를 포함하되, 상기 리프트핀은 제1핀 및 상단이 상기 제1핀의 상단과 힌지결합되는 제2핀을 포함하되, 상기 구동부재는 상기 제1핀과 상기 제2핀 간의 사이각이 변경되도록 상기 제1핀과 상기 제2핀 중 적어도 어느 하나를 이동시킨다. 이로 인해 핀홈에 누운 2 개의 핀들이 서로에게 기대어 그 높이를 조절하므로, 핀을 승하강시키기 위한 별도의 공간을 필요로 하지 않다.

Description

기판지지유닛 및 이를 가지는 기판처리장치{Unit for supporting substrate and Apparatus for treating substrate with the unit}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판을 지지하는 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 다양한 공정들이 단계별로 진행된다. 각각의 공정은 서로 상이한 장치에서 진행되며, 반송로봇은 기판을 각각의 장치 간에 반송한다. 또한 각각의 장치에는 반송로봇으로부터 기판을 인수받거나 인계하는 핀 어셈블리가 제공된다. 이때 핀 어셈블리에는 기판을 반송로봇으로부터 인수받거나 반송로봇으로 인계하기 위한 리프트핀이 제공된다.
일반적으로 기판을 지지하는 지지플레이트에는 이를 상하방향으로 관통하는 핀홀들이 형성된다. 핀홀들 각각에는 리프트핀이 제공되며, 이는 승강 이동하여 반송로봇으로부터 기판을 인수한다. 또한 리프트핀은 기판을 인수한 상태에서 하강이동하여 기판을 지지플레이트에 내려놓는다. 도1은 일반적인 핀 어셈블리을 보여주는 장치의 일 예로서, 리프트핀(1)은 베이스(3)에 고정결합되고 베이스(3)는 구동기(미도시)에 의해 리프트핀(1)과 함께 승강된다.
그러나 리프트핀(1)을 승하강시키기 위해서는, 지지플레이트(5)의 아래에 많은 공간을 확보해야 한다. 이로 인해 리프트핀(1)을 구동하기 위한 별도의 공간을 필요로 한다.
본 발명은 기판을 승하강시키는 새로운 구조의 핀 어셈블리를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 협소한 공간에서 리프트핀을 구동할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 지지플레이트의 아래의 별도의 공간없이 리프트핀을 구동할 수 있는 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 지지하는 장치를 제공한다. 기판지지유닛은 기판을 지지하며, 상면에 핀홈이 형성되는 지지플레이트 및 상기 지지플레이트에 상기 기판을 로딩 또는 언로딩하도록 상기 기판을 승강 또는 하강 이동시키는 핀 어셈블리를 포함하되, 상기 핀 어셈블리는 상기 핀홈에 위치되는 리프트핀 및 상기 리프트핀을 승강위치와 하강위치로 이동시키는 구동부재를 포함하되, 상기 리프트핀은 제1핀 및 상단이 상기 제1핀의 상단과 힌지결합되는 제2핀을 포함하되, 상기 구동부재는 상기 제1핀과 상기 제2핀 간의 사이각이 변경되도록 상기 제1핀과 상기 제2핀 중 적어도 어느 하나를 이동시킨다.
상기 구동부재는 상기 하강위치에서 상기 승강위치로 이동 시 상기 제1핀은 상기 제2핀을 향하는 방향으로 이동되도록 상기 제1핀의 하단을 이동시키는 제1실린더를 포함할 수 있다. 상기 구동부재는 상기 하강위치에서 상기 승강위치로 이동 시 상기 제2핀이 상기 제1핀을 향하는 방향으로 이동되도록 상기 제2핀의 하단을 이동시키는 제2실린더를 포함할 수 있다. 상기 승강위치 및 상기 하강위치에서 상기 제1핀 및 제2핀 각각의 하단은 그 높이가 서로 동일하고, 상기 제1핀 및 제2핀 각각의 상단은 변경될 수 있다. 상기 핀홈은 복수 개로 제공되며, 각각은 슬릿 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 각각의 상기 핀홈은 그 길이방향이 상기 지지플레이트의 반경방향과 평행하도록 제공될 수 있다. 상기 하강위치에 위치되는 상기 제1핀과 상기 제2핀 간의 사이각은 둔각을 이루도록 제공될 수 있다.
기판처리장치는 내부에 기판을 열처리하는 공간을 제공하는 챔버, 상기 베이크 챔버의 내부에서 기판을 지지하며, 상면에 핀홈이 형성되는 지지플레이트, 상기 지지플레이트를 가열하는 히터, 그리고 상기 지지플레이트에 상기 기판을 로딩 또는 언로딩하도록 상기 기판을 승강 또는 하강 이동시키는 핀 어셈블리를 포함하되, 상기 핀 어셈블리는 상기 핀홈에 위치되는 리프트핀 및 상기 리프트핀을 승강위치와 하강위치로 이동시키는 구동부재를 포함하되, 상기 리프트핀은 제1핀 및 상단이 상기 제1핀의 상단과 힌지결합되는 제2핀을 포함하되, 상기 구동부재는 상기 제1핀과 상기 제2핀 간의 사이각이 변경되도록 상기 제1핀과 상기 제2핀 중 적어도 어느 하나를 이동시킨다.
상기 구동부재는 상기 하강위치에서 상기 승강위치로 이동 시 상기 제1핀과 상기 제2핀은 서로를 향하는 방향으로 이동되도록 상기 제1핀 및 상기 제2핀 각각의 하단을 이동시키는 실린더를 포함할 수 있다. 상기 승강위치 및 상기 하강위치에서 상기 제1핀 및 제2핀 각각의 하단은 그 높이가 서로 동일하고, 상기 제1핀 및 제2핀 각각의 상단은 변경될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 2 개의 핀들이 서로 맞물린 상태에서 승강 또는 하강되는 장치를 제공하고자 한다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 핀홈에 누운 2 개의 핀들이 서로에게 기대어 그 높이를 조절하므로, 핀을 승하강시키기 위한 별도의 공간을 필요로 하지 않다.
도1은 일반적인 핀 어셈블리을 보여주는 단면도이다.
도2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도3은 도2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도4는 도2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도5는 도2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도6는 도2의 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도7은 도6의 지지플레이트를 보여주는 평면도이다.
도8은 도6의 하강위치에 위치된 핀 어셈블리를 보여주는 단면도이다.
도9는 도6의 승강위치에 위치된 핀 어셈블리를 보여주는 단면도이다.
도10은 도7의 지지플레이트의 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
도11은 승강위치로 이동된 도10의 핀 어셈블리를 보여주는 사시도이다.
도12는 도7의 지지플레이트의 또 다른 실시예를 보여주는 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판으로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
이하 도 2 내지 도 12를 통해 본 발명의 기판 처리 설비를 설명한다.
도 2는 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 2의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 2의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 2의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.
베이크 챔버(420)에는 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(420)는 가열유닛(421) 및 냉각유닛(422)을 포함한다. 가열유닛은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하기 위해 사용될 수 있다.
가열유닛(421)은 기판을 가열 처리하는 기판처리장치(800)로 제공된다. 기판처리장치(800)는 열처리 챔버(810) 및 기판지지유닛(820)을 포함한다. 열처리 챔버(810)는 내부에 기판을 가열 처리하는 공간(812)을 제공한다. 기판지지유닛(820)은 열처리 챔버(810)의 내부 공간에서 기판을 지지한다. 도7은 도6의 기판지지유닛을 보여주는 평면도이다. 도7을 참조하면, 기판지지유닛(820)은 가열플레이트(822), 가이드(824), 히터(826), 그리고 핀어셈블리(830)를 포함한다. 가열플레이트(822)는 기판(W)을 지지하는 지지플레이트(802)로 제공된다. 가열플레이트(822)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 가열플레이트(822)의 상면에는 복수 개의 핀홈(828)들이 형성된다. 예컨대, 핀홈(828)들은 3 개로 제공될 수 있다. 각각의 핀홈(828)은 슬릿 형상으로 제공된다. 각각의 핀홈(828)은 그 길이방향이 가열플레이트(822)의 반경방향과 평행한 방향을 향하도록 제공된다. 각각의 핀홈(828)은 가열플레이트(822)의 원주방향을 따라 이격되게 위치된다. 핀홈(828)들은 서로 간게 동일 간격으로 이격되게 위치된다.
가열플레이트(822)의 내부에는 히터(826)가 제공된다. 히터(826)는 외부에 위치된 전원과 연결된다. 히터(826)는 전원으로부터 전력을 인가받아 발열된다. 발열된 히터(826)는 가열플레이트(822)를 가열시키고, 이는 가열플레이트(822)에 놓인 기판(W)을 가열 처리한다. 예컨대, 히터(826)는 열선으로 제공되거나, 인쇄된 발열체로 제공될 수 있다.
가이드(824)는 가열플레이트(822)에 기판이 정위치에 놓이도록 기판을 안내한다. 가이드(824)는 복수 개로 제공된다. 각각의 가이드(824)는 가열플레이트(822)의 상면 가장자리에 위치된다. 각각의 가이드(824)는 그 상면이 가열플레이트(822)의 중심축과 가까울수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 각각의 가이드(824)는 가열플레이트(822)의 원주방향을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드(824)들은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 가이드(824)들은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 가이드(824)와 가열플레이트(822)의 중심축 간의 거리는 핀홈(828)과 가열플레이트(822)의 중심축 간의 거리보다 멀게 제공된다.
핀어셈블리(830)는 도포부로봇과 가열플레이트(822) 간에 기판(W)을 전달하는 매개체로 기능한다. 도8은 도6의 하강위치에 위치된 핀어셈블리를 보여주는 단면도이고, 도9는 도6의 승강위치에 위치된 핀어셈블리를 보여주는 단면도이다. 도8 및 도9를 참조하면, 핀어셈블리(830)는 리프트핀(840) 및 구동부재(852)를 포함한다. 리프트핀(840)은 도포부 로봇으로부터 기판(W)을 직접 인수받거나 인계한다. 리프트핀(840)은 핀홈(828)에 제공된다. 리프트핀(840)은 복수 개로 제공된다. 일 예에 의하면, 리프트핀(840)은 핀홈(828)과 동일한 개수로 제공될 수 있다. 리프트핀(840)은 3 개로 제공될 수 있다. 리프트핀(840)은 승강위치 또는 하강위치로 이동 가능하다. 승강위치는 리프트핀(840)의 상단이 핀홈(828)의 상부에 제공되는 위치이고, 하강위치는 리프트핀(840)의 상단이 핀홈(828)에 제공되는 위치이다. 리프트핀(840)은 제1핀(841) 및 제2핀(842)을 포함한다. 제1핀(841) 및 제2핀(842)은 핀홈(828)에 위치된다. 제1핀(841) 및 제2핀(842)은 핀홈(828)의 길이방향을 따라 나란히 위치된다. 제1핀(841)의 상단과 제2핀(842)의 상단은 서로 인접하게 위치된다. 제1핀(841)의 상단과 제2핀(842)의 상단은 서로 힌지결합되게 제공된다. 제1핀(841)과 제2핀(842) 간의 사이각은 승강위치 및 하강위치에 따라 변경된다. 여기서 승강위치는 제1핀(841)의 상단과 제2핀(842)의 상단이 핀홈(828)보다 높게 제공된 위치이다. 하강위치는 제1핀(841)의 상단과 제2핀(842)의 상단이 핀홈(828)에 제공되는 위치이다. 제1핀(841)의 하단과 제2핀(842)의 하단은 승강위치 및 하강위치 각각에서 동일한 높이를 가진다. 제1핀(841)의 하단 및 제2핀(842)의 하단은 승강위치 및 하강위치에서 핀홈(828)에 위치된다. 제1핀(841)과 제2핀(842)이 힌지결합되는 영역은 기판을 지지하는 영역으로 제공될 수 있다. 하강위치에 위치되는 제1핀(841) 및 제2핀(842)은 서로 둔각을 이루도록 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제2핀(842)은 제1핀(841)에 비해 가열플레이트(822)의 중심축과 멀게 위치될 수 있다.
구동부재(852)는 리프트핀(840)을 승강위치 또는 하강위치로 이동시킨다. 구동부재(852)는 가열플레이트(822)의 내부에 위치된다. 구동부재(852)는 제1실린더(851) 및 제2실린더(852)를 포함한다. 제1실린더(851) 및 제2실린더(852)는 제1핀(841) 및 제2핀(842)을 사이에 두고 서로 대향되게 위치될 수 있다. 제1실린더(851)는 제1핀(841)의 하단과 인접하게 위치된다. 제2실린더(852)는 제2핀(842)의 하단과 인접하게 위치된다. 제1실린더(851)는 제1핀(841)이 제2핀(842)을 향하는 방향으로 제1핀(841)의 하단을 이동시키고, 제2실린더(852)는 제2핀(842)이 제1핀(841)을 향하는 방향으로 제2핀(842)의 하단을 이동시킨다. 이로 인해 제1핀(841) 및 제2핀(842) 각각의 상단은 핀홈(828)으로부터 위로 돌출되게 이동될 수 있다. 이와 반대로 제1실린더(851)는 제1핀(841)을 가열플레이트(822)의 중심축과 멀어지는 방향으로 제1핀(841)의 하단을 이동시키고, 제2실린더(852)는 제2핀(842)을 가열플레이트(822)의 중심축과 가까워지는 방향으로 제2핀(842)의 하단을 이동시킬 수 있다. 이로 인해 제1핀(841) 및 제2핀(842) 각각의 상단은 하강될 수 있다.
다음은 상술한 핀어셈블리(830)를 이용하여 기판(W)을 로딩하는 과정에 대해 설명한다. 제1핀(841) 및 제2핀(842) 각각의 하단은 제1핀(841) 및 제2핀(842)이 서로 가까워지는 방향으로 이동된다. 이로 인해 제1핀(841) 및 제2핀(842) 각각의 상단은 핀홈(828)으로부터 위로 돌출된다. 도포부로봇은 기판을 제1핀(841)과 제2핀(842) 각각의 상단에 인계한다. 제1핀(841) 및 제2핀(842) 각각의 상단에 기판이 놓이면, 제1핀(841)과 제2핀(842) 각각의 하단은 서로 멀어지는 방향으로 이동된다. 제1핀(841) 및 제2핀(842) 각각의 하단은 하강되고, 기판은 그 핀들과 함께 하강되어 가열플레이트(822)에 놓인다.
상술한 실시예와 달리, 구동부재(852)는 제1실린더(851)만이 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 제2핀(842)의 하단은 핀홈(828)에서 고정될 수 있다. 제2핀(842)의 하단은 가열플레이트(822)에 힌지 결합될 수 있다. 제1핀(841)의 하단이 제1실린더(851)에 의해 이동됨에 따라 제2핀(842)의 하단은 그 높이가 고정되고, 상단은 그 높이가 변결될 수 있다.
또한 도10 및 도11과 같이, 리프트핀(840)은 지지링(841a) 및 복수 개의 지지핀(842a)을 포함할 수 있다. 지지링(841a)은 기판을 지지할 수 있다. 지지링(841a)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 가열플레이트(822)의 상면에 형성된 핀홈(828a)은 지지링(841a) 및 지지핀(842a)이 삽입 가능하도록 형성될 수 있다. 지지링(841a)의 외측면에는 각각의 지지핀(842a)이 힌지결합될 수 있다. 각각의 지지핀(842a)은 실린더에 의해 지지링(841a)을 승강위치 또는 하강위치로 이동시킬 수 있다.
또한 도12와 같이, 핀홈(828)들은 그 길이방향이 가열플레이트(822)의 반경방향과 수직한 방향을 향하도록 제공될 수 있다.
다시 도2 내지 도5를 참조하면, 냉각유닛(421)은 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행하기 위해 사용된다. 냉각유닛은 냉각 플레이트 및 리프트 어셈블리를 포함한다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각플레이트는 하나의 베이크 챔버(420) 내에서 가열플레이트(822)의 일측에 위치된다. 냉각플레이트는 기판을 지지하며, 내부에 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 냉각플레이트에는 복수 개의 핀홈(828)이 형성되고, 각각의 핀홈(828)에는 핀어셈블리(830)가 제공된다. 냉각유닛의 핀어셈블리(830)는 가열유닛의 핀어셈블리(830)와 동일한 구성을 가지므로 이에 대한 설명은 생략한다.
선택적으로 베이크 챔버들 중 일부에는 냉각유닛만을 제공되고, 다른 일부에는 가열유닛만이 제공될 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(460)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 도포모듈(401)의 베이크 챔버(470)와 동일한 형상을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 웨이퍼를 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
상술한 바와 같이 도포 및 현상 모듈(400)에서 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 분리되도록 제공된다. 또한, 상부에서 바라볼 때 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 동일한 챔버 배치를 가질 수 있다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 웨이퍼에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
상술한 실시예에는 핀 어셈블리는 레지스트 도포 챔버(410)의 가열유닛(421) 또는 냉각유닛(422)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 핀 어셈블리는 현상챔버(460)의 가열유닛(471) 또는 냉각유닛(472)에도 적용 가능하다.
또한 핀 어셈블리(810,830)는 리프트핀(834)을 이용하여 기판(W)을 로딩/언로딩 시 모두 적용 가능하다. 예컨대, 핀 어셈블리는 식각공정, 증착공정, 그리고 애싱공정과 같은 플라즈마 처리공정에서 기판(W)을 지지하는 정전척에 제공될 수 있다.
830: 핀 어셈블리 840: 리프트핀
850: 구동부재 841: 제1핀
842: 제2핀 851: 제1실린더
852: 제2실린더

Claims (10)

  1. 기판을 지지하며, 상면에 핀홈이 형성되는 지지플레이트와;
    상기 지지플레이트에 상기 기판을 로딩 또는 언로딩하도록 상기 기판을 승강 또는 하강 이동시키는 핀 어셈블리를 포함하되,
    상기 핀 어셈블리는,
    상기 핀홈에 위치되는 리프트핀과;
    상기 리프트핀을 승강위치와 하강위치로 이동시키는 구동부재를 포함하되,
    상기 리프트핀은,
    제1핀과;
    상단이 상기 제1핀의 상단과 힌지결합되는 제2핀을 포함하되,
    상기 구동부재는,
    상기 하강위치에서 상기 승강위치로 이동 시 상기 제1핀은 상기 제2핀을 향하는 방향으로 이동되도록 상기 제1핀의 하단을 이동시키는 제1실린더를 포함하고,
    상기 제1핀과 상기 제2핀 간의 사이각이 변경되도록 상기 제1핀과 상기 제2핀 중 적어도 어느 하나를 이동시키는 기판지지유닛.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 구동부재는,
    상기 하강위치에서 상기 승강위치로 이동 시 상기 제2핀이 상기 제1핀을 향하는 방향으로 이동되도록 상기 제2핀의 하단을 이동시키는 제2실린더를 포함하는 기판지지유닛.
  4. 제1항 또는 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 승강위치 및 상기 하강위치에서 상기 제1핀 및 제2핀 각각의 하단은 그 높이가 서로 동일하고, 상기 제1핀 및 제2핀 각각의 상단은 변경되는 기판지지유닛,
  5. 제4항에 있어서,
    상기 핀홈은 복수 개로 제공되며, 각각은 슬릿 형상을 가지도록 제공되는 기판지지유닛.
  6. 제5항에 있어서,
    각각의 상기 핀홈은 그 길이방향이 상기 지지플레이트의 반경방향과 평행하도록 제공되는 기판지지유닛.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 하강위치에 위치되는 상기 제1핀과 상기 제2핀 간의 사이각은 둔각을 이루도록 제공되는 기판지지유닛.
  8. 내부에 기판을 열처리하는 공간을 제공하는 베이크 챔버와;
    상기 베이크 챔버의 내부에서 기판을 지지하며, 상면에 핀홈이 형성되는 지지플레이트와;
    상기 지지플레이트를 가열하는 히터와;
    상기 지지플레이트에 상기 기판을 로딩 또는 언로딩하도록 상기 기판을 승강 또는 하강 이동시키는 핀 어셈블리를 포함하되,
    상기 핀 어셈블리는,
    상기 핀홈에 위치되는 리프트핀과;
    상기 리프트핀을 승강위치와 하강위치로 이동시키는 구동부재를 포함하되,
    상기 리프트핀은,
    제1핀과;
    상단이 상기 제1핀의 상단과 힌지결합되는 제2핀을 포함하되,
    상기 구동부재는,
    상기 하강위치에서 상기 승강위치로 이동 시 상기 제1핀과 상기 제2핀은 서로를 향하는 방향으로 이동되도록 상기 제1핀 및 상기 제2핀 각각의 하단을 이동시키는 실린더를 포함하고,
    상기 제1핀과 상기 제2핀 간의 사이각이 변경되도록 상기 제1핀과 상기 제2핀 중 적어도 어느 하나를 이동시키는 기판처리장치.
  9. 삭제
  10. 제8항에 있어서,
    상기 승강위치 및 상기 하강위치에서 상기 제1핀 및 제2핀 각각의 하단은 그 높이가 서로 동일하고, 상기 제1핀 및 제2핀 각각의 상단은 변경되는 기판처리장치.
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022805A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Tokyo Electron Ltd 熱的処理装置および熱的処理方法
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JP2013182912A (ja) * 2012-02-29 2013-09-12 Toppan Printing Co Ltd 支持ピン構造体

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010002497A (ko) * 1999-06-15 2001-01-15 윤종용 웨이퍼 로딩장치 및 그 장착방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004022805A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Tokyo Electron Ltd 熱的処理装置および熱的処理方法
US20110109896A1 (en) 2008-04-29 2011-05-12 Asml Netherlands B.V. Support Structure, Inspection Apparatus, Lithographic Apparatus and Methods for Loading and Unloading Substrates
JP2013182912A (ja) * 2012-02-29 2013-09-12 Toppan Printing Co Ltd 支持ピン構造体

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