KR101909481B1 - 베이크 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.
기판 처리 장치는 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 챔버의 상벽 중앙에 결합되며, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 처리 공간에서 상기 배기 유닛과 상기 기판 지지 유닛 사이의 높이에 위치되며, 상기 처리 공간의 기류를 제어하는 기류 제어 부재를 포함한다.

Description

베이크 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법{Bake unit, Apparatus and method for treating substrate with the unit}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 기판 상에 막을 형성하는 공정으로 증착 및 도포 공정이 사용된다. 일반적으로 증착 공정은 공정 가스를 기판 상에 증착하여 막을 형성하는 공정이고, 도포 공정은 처리액을 기판 상에 도포하여 액막을 형성하는 공정이다.
기판 상에 막을 형성하기 전후에는 기판을 베이크 처리하는 과정이 진행된다. 베이크 처리 과정은 밀폐된 공간에서 기판을 공정 온도 또는 그 이상으로 가열 처리하는 과정으로, 기판의 전체 영역을 균일한 온도로 가열하거나 작업자에 따라 기판의 영역 별 온도를 조절한다.
그러나 도 1과 같이, 베이크 처리 장치의 내부에는 기판(W)의 외측부로부터 외기가 유입된다. 이로 인해 기판(W)의 외측 영역에는 외기가 우선적으로 접촉되고, 기판(W)의 내측 영역과 접촉된 후, 챔버(2)의 상부 중앙 영역을 통해 배기된다. 도 2는 도 1의 베이크 처리 장치의 내부에서 기판의 영역 별 기류의 유속을 보여주는 도표이다. 도 2를 참조하면, 장치 내에 기류 유속은 기판의 가장자리 영역(E)에서 빠른 속도를 가지며, 기판의 중앙 영역(C)으로 갈수록 그 속도가 감속된다.
이에 따라 기판(W)의 가장자리 영역(E)은 작업자가 원하는 공정 온도에 도달되지 못한다. 이에 따라 기판의 온도는 영역 별로 상이해지고, 이는 기판의 영역 별 베이크 상태의 불균일을 발생시켜, 공정 불량을 야기한다.
한국 등록 특허 10-07843890000
본 발명은 기판 처리 공간의 기류를 제어할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 기판 처리 공간에서 기류의 유량을 영역 별로 균일하게 조절할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 기판의 영역 별 온도를 균일하게 조절할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예는 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다.
기판 처리 장치는 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 챔버의 상벽 중앙에 결합되며, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 처리 공간에서 상기 배기 유닛과 상기 기판 지지 유닛 사이의 높이에 위치되며, 상기 처리 공간의 기류를 제어하는 기류 제어 부재를 포함한다.
상기 배기 유닛은 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 챔버의 상벽에 관통되게 위치되는 배기관 및 상기 배기관을 감압하는 감압 부재를 포함하되, 상기 장치는 중앙에 통공을 가지며, 상기 기판 지지 유닛과 대향되게 위치되도록 상기 배기관의 하단에 고정 결합되는 대향판을 더 포함하되, 상기 대향판은 상기 챔버의 내경보다 작은 외경을 가지고, 상기 기류 제어 부재는 상기 대향판과 상기 기판 지지 유닛 사이의 높이에 위치되며, 상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어 부재는 상기 챔버의 측벽과 상기 대향판 간의 틈과 마주보도록 위치되고, 상부에서 바라볼 때 상기 대향판과 마주하는 상기 챔버의 상벽에는 기류가 유입되는 유입홀이 형성될 수 있다.
상기 챔버는 상부가 개방되는 통 형상을 가지는 하부 바디 및 상기 하부 바디의 위에 위치되며, 하부가 개방되는 통 형상을 가지는 상부 바디를 포함하되, 상기 기류 제어 부재는 상기 상부 바디에 고정 결합되는 기류 제어판을 포함하되, 상기 장치는 상기 상부 바디와 상기 하부 바디에 의해 상기 처리 공간이 밀폐된 상태에서 상기 상부 바디를 상하 방향으로 이동시키는 승강 부재를 더 포함할 수 있다.
또한 상기 기류 제어 부재는 기류 제어판 및 상기 챔버의 내측벽에 고정 결합되며, 상기 기류 제어판은 상하 방향으로 이동시키는 가이드 레일을 포함할 수 있다.
상기 기류 제어판은 링 형상을 가지도록 제공될 수 있다. 상기 기류 제어판의 상면은 중심축에 가까워질수록 높이가 낮아지도록 제공될 수 있다. 상기 기류 제어판의 상면은 라운드진 형상을 가지며, 중심축에 가까워질수록 기울기가 완만해지도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어판과 상기 대향판은 일부가 서로 중첩되게 위치될 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은 상면에 기판이 안착되는 안착면을 가지는 안착 플레이트를 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 대향판은 상기 안착면과 동일하거나 이보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어판과 상기 안착면은 일부가 서로 중첩되게 위치될 수 있다. 상기 기류 제어판에는 이의 상단에서 하단까지 연장되는 복수의 슬릿홀들이 형성되되, 상기 슬릿홀들은 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 원주 방향을 따라 배열될 수 있다. 상기 슬릿홀들은 하향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 상기 슬릿홀들은 상기 기류 제어판의 중심축과 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 상기 슬릿홀들은 반경 방향을 따라 복수 열로 배열될 수 있다. 서로 상이한 열에 위치되는 슬릿홀들은 서로 상이한 폭을 가질 수 있다.
또한 기판 처리 장치는 기판 상에 액막을 형성하는 도포 유닛 및 기판 상에 형성된 액막을 열 처리하는 베이크 유닛을 포함하되, 상기 베이크 유닛은 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 챔버, 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛, 상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 히팅 부재, 상기 챔버의 상벽 중앙에 결합되며, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛, 그리고 상기 처리 공간에서 상기 배기 유닛과 상기 기판 지지 유닛 사이의 높이에 위치되며, 상기 처리 공간의 기류를 제어하는 기류 제어 부재를 포함한다.
상기 배기 유닛은 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 챔버의 상벽에 관통되게 위치되는 배기관 및 상기 배기관을 감압하는 감압 부재를 포함하되, 상기 베이크 유닛은 중앙에 통공을 가지며, 상기 기판 지지 유닛과 대향되게 위치되도록 상기 배기관의 하단에 고정 결합되는 대향판을 더 포함하되, 상기 대향판은 상기 챔버의 내경보다 작은 외경을 가지고, 상기 기류 제어 부재는 상기 대향판과 상기 기판 지지 유닛 사이의 높이에 위치되며, 상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어 부재는 상기 챔버의 측벽과 상기 대향판 간의 틈과 마주보도록 위치되고, 상부에서 바라볼 때 상기 대향판과 마주하는 상기 챔버의 상벽에는 기류가 유입되는 유입홀이 형성될 수 있다.
상기 챔버는 상부가 개방되는 통 형상을 가지는 하부 바디 및 상기 하부 바디의 위에 위치되며, 하부가 개방되는 통 형상을 가지는 상부 바디를 포함하되, 상기 기류 제어 부재는 상기 상부 바디에 고정 결합되며 링 형상을 가지는 기류 제어판을 포함하되, 상기 베이크 유닛은 상기 상부 바디와 상기 하부 바디에 의해 상기 처리 공간이 밀폐된 상태에서 상기 상부 바디를 상하 방향으로 이동시키는 승강 부재를 더 포함할 수 있다.
상기 기류 제어 부재는 링 형상을 가지는 기류 제어판 및 상기 챔버의 내측벽에 고정 결합되며, 상기 기류 제어판은 상하 방향으로 이동시키는 가이드 레일을 포함할 수 있다.
상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어판과 상기 대향판은 일부가 서로 중첩되게 위치될 수 있다. 상기 기판 지지 유닛은 상면에 기판이 안착되는 안착면을 가지는 안착 플레이트를 포함하되, 상부에서 바라볼 때 상기 대향판은 상기 안착면보다 큰 직경을 가지도록 제공되고, 상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어판과 상기 안착면은 일부가 서로 중첩되게 위치될 수 있다.
기판을 베이크 처리하는 방법은 챔버 내에 위치되는 기판은 가열 처리되고, 상기 챔버 내에는 상기 챔버의 중심보다 측벽에 인접한 영역으로 외기가 유입되고, 상기 챔버 내에 발생된 공정 부산물은 챔버의 상벽 중앙에 위치되는 배기관을 통해 배기되되, 상기 중심보다 측벽에 인접하게 위치되는 기류 제어판을 이동시켜 상기 챔버 내에 발생된 기류의 유량을 영역 별로 균일하도록 조절한다.
상기 기류 제어판은 링 형상으로 제공되며, 상기 기류의 유량을 영역 별로 균일하게 조절하는 것은, 상기 기류 제어판과 상기 기판 간에 간격을 조절할 수 있다. 상기 챔버는 서로 조합되어 내부에 기판을 가열 처리하는 공간을 형성하는 상부 바디 및 하부 바디를 포함하되, 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 어느 하나의 바디에는 상기 기류 제어판이 고정 결합되고, 다른 하나에는 기판을 지지하는 기판 지지 유닛에 결합되되,상기 기류 제어판은 이동시키는 것은 상기 어느 하나의 바디를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
또한 상기 기류 제어판은 이동시키는 것은, 상기 기류 제어판을 상기 챔버와 독립되게 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 챔버의 측벽과 대향판 간에는 틈이 형성되고, 처리 공간에는 틈을 통해 외기가 유입된다. 기류 제어판은 틈과 마주보도록 위치되어 기판의 가장자리 영역에 기류의 유량이 커지는 것을 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기류 제어판의 일부는 기판의 안착면과 중첩되게 위치된다. 이에 따라 기판의 가장자리 영역을 향하는 기류의 방향을 우회시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 기류 제어판은 슬릿홀이 형성된다. 이로 인해 다량의 기류는 기판의 가장자리 영역을 우회하고, 소량의 기류가 기판의 가장자리 영역으로 직접 흐를 수 있다.
도 1은 일반적인 베이크 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 도 1의 베이크 처리 장치 내부에서 영역 별 기류의 유속을 보여주는 도표이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다
도 7은 도 3의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다.
도 8은 도 7의 히터 및 안착 플레이트를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 7의 기류 제어판의 제1실시예를 보여주는 절단 사시도이다.
도 10은 도 7의 상부 바디가 상부 위치로 이동 시 처리 공간의 영역 별 기류의 유속을 보여주는 데이터이다.
도 11은 도 7의 상부 바디가 하부 위치로 이동 시 처리 공간의 영역 별 기류의 유속을 보여주는 데이터이다.
도 12는 도 11의 기류 제어판의 제2실시예를 보여주는 평면도이다.
도 13은 도 12의 기류 제어판을 보여주는 단면도이다.
도 14는 도 12의 기류 제어판의 제3실시예를 보여주는 평면도이다.
도 15는 도 14의 기류 제어판을 보여주는 단면도이다.
도 16은 도 11의 기류 제어판의 제4실시예를 보여주는 단면도이다.
도 17은 도 11의 기류 제어판의 제5실시예를 보여주는 단면도이다.
도 18은 도 7의 기류 제어 부재의 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 19는 도 18의 기류 제어판이 제1높이로 이동 시 처리 공간의 영역 별 기류의 유속을 보여주는 데이터이다.
도 20은 도 18의 기류 제어판이 제1높이로 이동 시 처리 공간의 영역 별 기류의 유속을 보여주는 데이터이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 그러나 본 실시예는 밀폐된 기판 처리 공간에 기류가 형성되는 장치라면 다양하게 적용 가능하다. 아래에서는 기판으로 원형의 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 3 내지 도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 3은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 3의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 5는 도 3의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 6은 도 3의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 유닛(410), 베이크 유닛(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 유닛(410)과 베이크 유닛(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 유닛(410)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 유닛(410)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(420)는 더 많거나 더 적은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 유닛들(420), 레지스트 도포 유닛들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 유닛들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 유닛(410)에서 사용되는 감광액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 감광액으로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 유닛(410)은 기판(W) 상에 감광액을 도포한다. 레지스트 도포 유닛(410)은 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 감광액을 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 감광액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 유닛(410)에는 감광액이 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다.
베이크 유닛(800)은 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(800)는 감광액을 도포하기 전후 각각에 기판(W)을 열 처리한다. 베이크 유닛(800)은 감광액을 도포하기 전의 기판(W)의 표면 성질이 변화시키도록 기판(W)을 소정의 온도로 가열하고, 그 기판(W) 상에 점착제와 같은 처리액막을 형성할 수 있다. 베이크 유닛(800)은 감광액이 도포된 기판(W)을 감압 분위기에서 감광액막을 열 처리할 수 있다. 감광액막에 포함된 휘발성 물질을 휘발시킬 수 있다. 본 실시예에는 베이크 유닛(800)이 감광액막을 열 처리하는 유닛으로 설명한다.
베이크 유닛(800)은 냉각 플레이트(820) 및 가열 유닛(1000)을 포함한다. 냉각 플레이트(820)는 가열 유닛(1000)에 의해 가열 처리된 기판(W)을 냉각 처리한다. 냉각 플레이트(820)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 냉각 플레이트(820)의 내부에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단이 제공된다. 예컨대, 냉각 플레이트(820)에 놓여진 기판(W)은 상온과 동일하거나 이와 인접한 온도로 냉각 처리될 수 있다.
가열 유닛(1000)은 상압 또는 이보다 낮은 감압 분위기에서 기판(W)을 가열 처리한다. 도 7은 도 3의 가열 유닛을 보여주는 단면도이다. 도 7을 참조하면, 가열 유닛(1000)는 챔버(1100), 기판 지지 유닛(1300), 히팅 부재(1400), 배기 유닛(1500), 대향판(1600), 그리고 기류 제어 부재(1700)를 포함한다.
챔버(1100)은 내부에 기판(W)을 가열 처리하는 처리 공간(1110)을 제공한다. 처리 공간(1110)은 외부와 차단된 공간으로 제공된다. 챔버(1100)은 상부 바디(1120), 하부 바디(1140), 그리고 실링 부재(1160)를 포함한다.
상부 바디(1120)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 상부 바디(1120)의 상면에는 중심홀(1122) 및 주변홀(1124)이 형성된다. 중심홀(1122)은 상부 바디(1120)의 중심에 형성된다. 중심홀(1122)은 처리 공간(1110)의 분위기가 배기되는 배기홀(1122)로 기능한다. 주변홀(1124)은 복수 개로 제공되며, 상부 바디(1120)의 중심을 벗어난 위치에 형성된다. 주변홀들(1124)은 처리 공간(1110)에 외부의 기류가 유입되는 유입홀(1124)로 기능한다. 주변홀들(1124)은 중심홀(1122)을 감싸도록 위치된다. 일 예에 의하면, 주변홀(1124)은 4 개일 수 있다. 외부의 기류는 에어일 수 있다.
선택적으로, 주변홀들(1124)은 3 개 이하 또는 5 개 이상으로 제공될 수 있다. 또한 외부의 기류는 비활성 가스일 수 있다.
하부 바디(1140)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)의 아래에 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향으로 서로 마주보도록 위치된다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(1110)을 형성한다. 상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140)는 상하 방향에 대해 서로의 중심축이 일치되게 위치된다. 하부 바디(1140)는 상부 바디(1120)에 비해 작은 직경을 가진다. 즉, 하부 바디(1140)의 상단은 상부 바디(1120)에 삽입 가능하다.
상부 바디(1120) 및 하부 바디(1140) 중 하나는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치와 차단 위치로 이동되고, 다른 하나는 그 위치가 고정된다. 일 예에 의하면, 하부 바디(1140)는 그 위치가 고정되고, 상부 바디(1120)는 승강 부재(1130)에 의해 개방 위치 및 공정 위치 간에 이동될 수 있다. 여기서 개방 위치는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140)가 서로 이격되어 처리 공간(1110)이 개방되는 위치이다. 공정 위치는 하부 바디(1140)의 상단이 상부 바디(1120)에 삽입되어 처리 공간(1110)이 외부로부터 밀폐되는 위치이다. 공정 위치는 하부 위치 및 상부 위치를 포함한다. 하부 위치 및 상부 위치 각각은 처리 공간(1110)이 밀폐되는 위치이다. 하부 위치는 상부 위치에 비해 낮은 위치이다. 상부 바디(1120)는 하부 위치 및 상부 위치 간에 상하 이동되어 기류 제어판(1720)의 높이를 조절할 수 있다.
실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 사이에 위치된다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)와 하부 바디(1140) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(1160)는 환형의 링 형상을 가지는 오링 부재(1160)일 수 있다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)의 내측벽에 고정 결합될 수 있다. 실링 부재(1160)는 상부 바디(1120)의 하단과 인접하게 위치될 수 있다.
기판 지지 유닛(1300)은 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(1300)은 하부 바디(1140)에 고정 결합된다. 기판 지지 유닛(1300)은 안착 플레이트(1320) 및 리프트 핀(1340)을 포함한다. 안착 플레이트(1320)는 처리 공간(1110)에서 기판(W)을 지지한다. 안착 플레이트(1320)는 원형의 판 형상으로 제공된다. 안착 플레이트(1320)의 상면에는 기판(W)이 안착 가능하다. 안착 플레이트(1320)의 상면 중 중심을 포함하는 영역은 기판(W)이 안착되는 안착면으로 기능한다. 안착 플레이트(1320)의 안착면에는 복수 개의 핀 홀들(1322)이 형성된다. 상부에서 바라볼 때 핀 홀들(1322)은 안착면의 중심을 감싸도록 배열된다. 각각의 핀 홀 원주 방향을 따라 서로 이격되게 배열된다. 핀 홀들(1322)은 서로 간에 동일 간격으로 이격되게 위치된다. 각각의 핀 홀(1322)에는 리프트 핀(1340)이 제공된다. 리프트 핀(1340)은 상하 방향으로 이동하도록 제공된다. 리프트 핀(1340)은 안착 플레이트(1320)로부터 기판(W)을 들어올리거나 기판(W)을 안착 플레이트(1320)에 안착시킨다. 예컨대, 핀 홀들(1322)은 3 개로 제공될 수 있다.
히팅 부재(1400)는 안착 플레이트(1320)에 놓여진 기판(W)을 가열 처리한다. 히팅 부재(1400)는 안착 플레이트(1320)의 내부에 위치된다. 히팅 부재(1400)는 복수 개의 히터들(1420)을 포함한다. 도 8은 도 7의 히터 및 안착 플레이트를 보여주는 평면도이다. 도 8을 참조하면, 각각의 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320) 내에 위치된다. 각각의 히터(1420)는 동일 평면 상에 위치된다. 각각의 히터(1420)는 안착 플레이트(1320)의 서로 상이한 영역을 가열한다. 상부에서 바라볼 때 각 히터(1420)에 대응되는 안착 플레이트(1320)의 영역은 히팅존들로 제공될 수 있다. 각각의 히터(1420)는 온도가 독립 조절 가능하다. 예컨대, 히팅존은 15 개일 수 있다. 각 히팅존은 센서(미도시)에 의해 온도가 측정된다. 히터(1420)는 열전 소자 또는 열선일 수 있다. 선택적으로 히터들(1420)은 안착 플레이트(1320)의 저면에 장착될 수 있다.
다시 도 7을 참조하면, 배기 유닛(1500)은 처리 공간(1110)을 배기한다. 배기 유닛(1500)은 배기관(1520) 및 감압 부재(1540)를 포함한다. 배기관(1520)은 양단이 개방된 관 형상으로 제공된다. 배기관(1520)은 길이 방향이 상하 방향을 향하도록 제공된다. 배기관(1520)은 상부 바디(1120)에 고정 결합된다. 배기관(1520)은 상부 바디(1120)의 중심홀(1122)에 관통되게 위치된다. 배기관(1520)은 하단을 포함하는 하부 영역이 처리 공간(1110)에 위치되고, 상단을 포함하는 상부 영역이 처리 공간(1110)의 외부에 위치된다. 즉 배기관(1520)의 상단은 상부 바디(1120)보다 높게 위치된다.배기관(1520)에는 감압 부재(1540)가 연결된다. 감압 부재(1540)는 배기관(1520)을 감압한다. 이에 따라 처리 공간(1110)은 배기관(1520)을 통해 배기될 수 있다.
대향판(1600)은 처리 공간(1110)에 유입되는 기류의 흐름 방향을 안내한다. 대향판(1600)은 처리 공간(1110)에서 기류의 흐름 방향을 1차 안내한다. 대향판(1600)은 통공(1620)을 가지는 판 형상으로 제공된다. 통공(1620)은 대향판(1600)의 중심에 형성된다. 대향판(1600)은 처리 공간(1110)에서 안착 플레이트(1320)의 상부에 위치된다. 대향판(1600)은 상부 바디(1120)와 대응되는 높이에 위치된다. 대향판(1600)은 안착 플레이트(1320)와 마주보도록 위치된다. 대향판(1600)은 통공(1620)에 배기관(1520)이 삽입되도록 위치된다. 예컨대, 통공(1620)은 배기관(1520)과 동일한 직경을 가질 수 있다. 대향판(1600)은 배기관(1520)의 하단에 고정 결합된다. 대향판(1600)은 상부 바디(1120)의 내경보다 작은 외경을 가지도록 제공된다. 이에 따라 대향판(1600)의 측단과 상부 바디(1120)의 내측면 간에는 틈이 형성된다. 처리 공간(1110)에 유입된 기류는 대향판(1600)에 의해 흐름 방향이 안내되고, 틈을 통해 공급된다. 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 대향판(1600)은 주변홀(1124)과 중첩되는 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 대향판(1600)은 기판(W)이 안착되는 안착면과 동일하거나 이보다 직경을 가지도록 제공될 수 있다.
기류 제어 부재(1700)는 처리 공간(1110)에서 기류의 흐름 방향을 2차 안내한다. 기류 제어 부재(1700)는 처리 공간(1110)에서 기류가 기판(W)을 향하는 흐름 방향을 우회시킨다. 기류 제어 부재(1700)는 기류의 흐름이 기판(W)의 가장자리 영역을 향하는 방향으로 제공되는 것을 방지한다. 기류 제어 부재(1700)는 기류 제어판(1720)을 포함한다.
도 9는 도 7의 기류 제어판의 제1실시예를 보여주는 사시도이다. 도 7 및 도 9를 참조하면, 기류 제어판(1720)은 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 기류 제어판(1720)의 상면은 중심축에 가까울수록 영역 별 높이가 상이하게 제공된다. 일 예에 의하면, 기류 제어판(1720)의 상면은 중심축에 가까워질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다, 기류 제어판(1720)의 상면은 라운드지도록 제공될 수 있다. 기류 제어판(1720)의 상면은 중심축에 가까워질수록 기울기가 완만하게 제공될 수 있다. 기류 제어판(1720)은 상부 바디(1120)의 내측벽에 고정 결합된다. 기류 제어판(1720)은 대향판(1600)보다 낮고, 안착면보다 높게 위치된다. 상부에서 바라볼 때 기류 제어판(1720)은 대향판(1600)과 챔버의 내측벽 간의 틈과 중첩되게 위치된다. 상부에서 바라볼 때 기류 제어판(1720)과 대향판(1600)은 일부가 서로 중첩되게 위치된다. 상부에서 바라볼 때 기류 제어판(1720)과 안착면은 일부가 서로 중첩되게 위치된다.
도 10은 도 7의 상부 바디가 상부 위치로 이동 시 처리 공간의 영역 별 기류의 유속을 보여주는 데이터이고, 도 11은 도 7의 상부 바디가 하부 위치로 이동 시 처리 공간의 영역 별 기류의 유속을 보여주는 데이터이다. 작업자는 기판(W)과 기류 제어판(1720) 간에 간격에 따른 영역 별 기류의 유속 데이터를 통해 처리 공간(1110)의 영역 별 기류 유속을 조절하고, 기판(W)의 영역 별 온도를 균일하게 조절할 수 있다.
다음은 기류 제어판(1720)의 다양한 변형 실시예에 대해 설명한다.
제2실시예에 의하면, 도 12 및 도 13과 같이 기류 제어판(1720)에는 복수의 슬릿홀들(1722)이 형성될 수 있다. 슬릿홀들(1722)은 기류 제어판(1720)의 상단과 하단을 연장하는 홀로 제공될 수 있다. 각각의 슬릿홀(1720)은 기류 제어판(1720)의 원주 방향을 향하는 라운드진 길이 방향을 가질 수 있다. 슬릿홀들(1722)은 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 원주 방향을 따라 일렬로 배열될 수 있다. 슬릿홀들(1722)은 서로 이격되게 형성될 수 있다. 이로 인해 다량의 기류는 기판(W)의 가장자리 영역을 우회하고, 소량의 기류가 기판(W)의 가장자리 영역으로 직접 공급될 수 있다.
제3실시예에 의하면, 도 14 및 도 15와 같이 기류 제어판(1720)에는 슬릿홀들(1722)이 반경 방향을 따라 복수 열로 배열될 수 있다. 즉, 기류 제어판(1720)에는 제1그룹의 슬릿홀들(1722a) 및 제2그룹의 슬릿홀들(1722b)이 형성될 수 있다. 제1그룹의 슬릿홀들(1722a)은 원주 방향을 따라 일렬로 배열되고, 제2그룹의 슬릿홀들(1722b)은 제1그룹의 슬릿홀들(1722a)은 감싸도록 원주 방향을 따라 일렬로 배열될 수 있다. 제1그룹의 슬릿홀들(1722a)과 제2그룹의 슬릿홀들(1722b)은 길이가 서로 상이하게 제공될 수 있다.
제4실시예에 의하면, 도 16과 같이 슬릿홀은 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 슬릿홀들(1722)은 기류 제어판(1720)의 중심축과 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공될 수 있다.
제5실시예에 의하면, 도 17과 같이, 제1그룹의 슬릿홀(1722a)과 제2그룹의 슬릿홀(1722b)은 서로 상이한 폭을 가지도록 제공될 수 있다. 제1그룹의 슬릿홀(1722a)은 제2그룹의 슬릿홀(1722b)에 비해 큰 폭을 가질 수 있다.
선택적으로 제1그룹의 슬릿홀(1722a)은 제2그룹의 슬릿홀(1722b)에 비해 작은 폭을 가질 수 있다.
상술한 실시예에는 상부 바디(1120)에 기류 제어판(1720)이 서로 고정 결합되며, 상부 바디(1120)와 기류 제어판(1720)이 함께 이동되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 18과 같이, 기류 제어판(1720)과 상부 바디(1120)는 서로 독립되게 이동될 수 있다. 기류 제어 부재(1700)는 가이드 레일(1740)을 더 포함할 수 있다. 가이드 레일(1740)은 상부 바디(1120)의 내측벽에 고정 결합될 수 있다. 가이드 레일(1740)에는 기류 제어판(1720)이 설치될 수 있다. 가이드 레일(1740)은 기류 제어판(1720)와 상부 바디(1120)를 서로 독립되게 이동시킬 수 있다. 예컨대, 기류 제어판(1720)은 기판(W)과 멀어지고, 대향판(1600)과 가까워지는 제1높이로 이동되거나, 기판(W)과 가까워지고, 대향판(1600)과 멀어지는 제2높이로 이동될 수 있다. 기류 제어판(1720)은 가이드 레일(1740)을 따라 상하 방향으로 이동될 수 있다. 이에 따라 기류 제어판(1720)과 기판(W) 간에 간격, 그리고 기류 제어판(1720)과 대향판(1600) 간에 간격이 각각 조절될 수 있다.
도 19는 도 18의 기류 제어판이 제1높이로 이동 시 처리 공간의 영역 별 기류의 유속을 보여주는 데이터이고, 도 20은 도 18의 기류 제어판이 제1높이로 이동 시 처리 공간의 영역 별 기류의 유속을 보여주는 데이터이다. 작업자는 기판(W)과 기류 제어판(1720) 간에 간격, 그리고 대향판(1600)과 기류 제어판(1720) 간에 간격에 따른 영역 별 기류의 유속 데이터를 통해 처리 공간(1110)의 영역 별 기류 유속을 조절하고, 기판(W)의 영역 별 온도를 균일하게 조절할 수 있다.
다시 도 3 내지 도 6을 참조하면, 현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 유닛(460), 베이크 유닛(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 유닛(460)과 베이크 유닛(470)은 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 유닛(460)은 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 유닛(460)이 제공된 예가 도시되었다. 베이크 유닛(470)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 유닛(470)이 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 유닛(470)은 더 많은 수로 제공될 수 있다.
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 유닛들(470), 현상 유닛들(460), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 유닛들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 유닛(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 유닛(460)은 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 유닛(460)은 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 유닛(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
현상모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 유닛들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 유닛(470)은 냉각 플레이트(471) 또는 가열 유닛(472)을 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 유닛(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 유닛(472)는 하나의 베이크 유닛(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 유닛(472)만을 구비할 수 있다. 현상 모듈(402)의 베이크 유닛(470)은 도포 모듈(401)의 베이크 유닛(800)과 동일한 구성을 가지므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다.
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다.
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 유닛(610), 베이크 유닛(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 유닛(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 유닛(620)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 유닛(610)과 베이크 유닛(620)은 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 유닛(610)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 유닛(610)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 유닛(620)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 유닛(620)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 유닛들(610), 베이크 유닛들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다.
보호막 도포 유닛(610)은 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 유닛(610)은 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 유닛(610)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다.
베이크 유닛(620)은 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 유닛(620)은 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 유닛(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 유닛들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다.
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 유닛(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 유닛(670)은 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다.
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 유닛들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다.
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다.
노광 후 베이크 유닛(670)은 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 유닛(670)은 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 유닛이 더 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 유닛(610)과 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 유닛(620)와 노광 후 베이크 유닛(670)은 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(4531)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
1110: 처리 공간 1300: 기판 지지 유닛
1500: 배기 유닛 1700: 기류 제어 부재
1720: 기류 제어판 1740: 가이드 레일

Claims (25)

  1. 내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지되, 상부가 개방되는 통 형상을 가지는 하부 바디 및 상기 하부 바디의 상부에 위치되고 하부가 개방되는 통 형상을 가지는 상부 바디를 포함하는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 챔버의 상벽 중앙에 결합되며, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
    상기 처리 공간에서 상기 배기 유닛과 상기 기판 지지 유닛 사이의 높이에 위치되며, 상기 처리 공간의 기류를 제어하는 기류 제어 부재와;
    상기 상부 바디를 상하 방향으로 이동시키는 승강 부재를 포함하고,
    상기 기류 제어 부재는, 복수의 홀들이 형성되는 링 형상의 기류 제어판을 포함하며,
    상기 복수의 홀들은, 상기 기류 제어판의 상단에서 하단까지 연장되고, 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 상기 기류 제어판의 원주 방향을 따라 배열되고,
    상기 기류 제어판은 상기 상부 바디에 고정 결합되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 처리 공간을 배기하도록 상기 챔버의 상벽에 관통되게 위치되는 배기관과;
    상기 배기관을 감압하는 감압 부재를 포함하되,
    상기 장치는 중앙에 통공을 가지며, 상기 기판 지지 유닛과 대향되게 위치되도록 상기 배기관의 하단에 고정 결합되는 대향판을 더 포함하되,
    상기 대향판은 상기 챔버의 내경보다 작은 외경을 가지고,
    상기 기류 제어 부재는 상기 대향판과 상기 기판 지지 유닛 사이의 높이에 위치되며,
    상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어 부재는 상기 챔버의 측벽과 상기 대향판 간의 틈과 마주보도록 위치되고,
    상부에서 바라볼 때 상기 대향판과 마주하는 상기 챔버의 상벽에는 기류가 유입되는 유입홀이 형성되는 기판 처리 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기류 제어판의 상면은 중심축에 가까워질수록 높이가 낮아지도록 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 기류 제어판의 상면은 라운드진 형상을 가지며, 중심축에 가까워질수록 기울기가 완만해지도록 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어판과 상기 대향판은 일부가 서로 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛은,
    상면에 기판이 안착되는 안착면을 가지는 안착 플레이트를 포함하되,
    상부에서 바라볼 때 상기 대향판은 상기 안착면과 동일하거나 이보다 큰 직경을 가지도록 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어판과 상기 안착면은 일부가 서로 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 홀들은, 슬릿홀인 기판 처리 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 홀들은, 하향 경사진 방향을 향하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 홀들은, 상기 기류 제어판의 중심축과 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하도록 제공되는 기판 처리 장치.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 홀들은, 반경 방향을 따라 복수 열로 배열되는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 복수의 홀들 중 서로 상이한 열에 위치되는 홀은 서로 상이한 폭을 가지는 기판 처리 장치.
  16. 기판 상에 액막을 형성하는 도포 유닛과;
    기판 상에 형성된 액막을 열 처리하는 베이크 유닛을 포함하되,
    상기 베이크 유닛은,
    내부에 기판을 처리하는 처리 공간을 가지되, 상부가 개방되는 통 형상을 가지는 하부 바디 및 상기 하부 바디의 상부에 위치되고 하부가 개방되는 통 형상을 가지는 상부 바디를 포함하는 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
    상기 기판 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하는 히팅 부재와;
    상기 챔버의 상벽 중앙에 결합되며, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
    상기 처리 공간에서 상기 배기 유닛과 상기 기판 지지 유닛 사이의 높이에 위치되며, 상기 처리 공간의 기류를 제어하는 기류 제어 부재와;
    상기 상부 바디를 상하 방향으로 이동시키는 승강 부재를 포함하고,
    상기 기류 제어 부재는, 복수의 홀들이 형성되는 링 형상의 기류 제어판을 포함하며,
    상기 복수의 홀들은, 상기 기류 제어판의 상단에서 하단까지 연장되고, 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 상기 기류 제어판의 원주 방향을 따라 배열되고,
    상기 기류 제어판은 상기 상부 바디에 고정 결합되는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 처리 공간을 배기하도록 상기 챔버의 상벽에 관통되게 위치되는 배기관과;
    상기 배기관을 감압하는 감압 부재를 포함하되,
    상기 베이크 유닛은 중앙에 통공을 가지며, 상기 기판 지지 유닛과 대향되게 위치되도록 상기 배기관의 하단에 고정 결합되는 대향판을 더 포함하되,
    상기 대향판은 상기 챔버의 내경보다 작은 외경을 가지고,
    상기 기류 제어 부재는 상기 대향판과 상기 기판 지지 유닛 사이의 높이에 위치되며,
    상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어 부재는 상기 챔버의 측벽과 상기 대향판 간의 틈과 마주보도록 위치되고,
    상부에서 바라볼 때 상기 대향판과 마주하는 상기 챔버의 상벽에는 기류가 유입되는 유입홀이 형성되는 기판 처리 장치.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제17항에 있어서,
    상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어판과 상기 대향판은 일부가 서로 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.
  21. 제20항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛은,
    상면에 기판이 안착되는 안착면을 가지는 안착 플레이트를 포함하되,
    상부에서 바라볼 때 상기 대향판은 상기 안착면보다 큰 직경을 가지도록 제공되고,
    상부에서 바라볼 때 상기 기류 제어판과 상기 안착면은 일부가 서로 중첩되게 위치되는 기판 처리 장치.
  22. 기판을 베이크 처리하는 방법에 있어서,
    챔버 내에 위치되는 기판은 가열 처리되고, 상기 챔버 내에는 상기 챔버의 중심보다 측벽에 인접한 영역으로 외기가 유입되고, 상기 챔버 내에 발생된 공정 부산물은 챔버의 상벽 중앙에 위치되는 배기관을 통해 배기되되,
    상기 중심보다 측벽에 인접하게 위치되는 기류 제어판을 이동시켜 상기 챔버 내에 발생된 기류의 유량을 영역 별로 균일하도록 조절하고,
    상기 기류 제어판은, 복수의 홀들이 형성되는 링 형상으로 제공되며,
    상기 복수의 홀들은, 상기 기류 제어판의 상단에서 하단까지 연장되고, 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 상기 기류 제어판의 원주 방향을 따라 배열되고,
    상기 챔버는 서로 조합되어 내부에 기판을 가열 처리하는 공간을 형성하는 상부 바디 및 하부 바디를 포함하되,
    상기 상부 바디에는 상기 기류 제어판이 고정 결합되어, 상기 상부 바디의 상하 방향 이동에 의해 상기 기류 제어판을 이동시키는 기판 처리 방법.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 기류의 유량을 영역 별로 균일하게 조절하는 것은, 상기 기류 제어판과 상기 기판 간에 간격을 조절하는 기판 처리 방법.

  24. 삭제
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