CN108022860B - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents

用于处理基板的装置和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108022860B
CN108022860B CN201711044543.3A CN201711044543A CN108022860B CN 108022860 B CN108022860 B CN 108022860B CN 201711044543 A CN201711044543 A CN 201711044543A CN 108022860 B CN108022860 B CN 108022860B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
heating
support plate
interval
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201711044543.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108022860A (zh
Inventor
郑煐宪
朴昶昱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of CN108022860A publication Critical patent/CN108022860A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108022860B publication Critical patent/CN108022860B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
    • B08B11/02—Devices for holding articles during cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B9/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour
    • B05B9/002—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent material, without essentially mixing with gas or vapour incorporating means for heating or cooling, e.g. the material to be sprayed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1042—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material provided with means for heating or cooling the liquid or other fluent material in the supplying means upstream of the applying apparatus
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3042—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations
    • G03F7/3057—Imagewise removal using liquid means from printing plates transported horizontally through the processing stations characterised by the processing units other than the developing unit, e.g. washing units
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0229—Suction chambers for aspirating the sprayed liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10—Objects to be cleaned
    • C11D2111/14—Hard surfaces
    • C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本发明构思的实施方式涉及一种用于去除残留在基板上的液体的装置和方法。基板处理装置包括：基板支撑单元，其配置成支撑基板；液体供给单元，其配置成将液体供给到由基板支撑单元支撑的基板上；以及加热单元，其配置成加热由基板支撑单元支撑的基板，其中，基板支撑单元包括：支撑板，其具有用于放置基板的放置表面，并在放置表面上具有吸附孔；旋转轴，其配置成旋转支撑板；以及真空构件，其配置成减小吸附孔的压力，使得放置在放置表面上的基板被真空吸附在支撑板上。因此，可以提高基板的干燥效率。

Description

用于处理基板的装置和方法
技术领域
本发明构思的实施方式涉及一种用于对基板进行液体处理的装置和方法，更具体地，涉及用于去除残留在基板上的液体的装置和方法。
背景技术
制造半导体器件和平板显示面板的工艺包括诸如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、薄膜沉积工艺和清洁工艺的各种工艺。在这些工艺中，在光刻工艺中，依次进行涂布、曝光和显影步骤。涂布工艺是将诸如抗蚀剂的感光性液体涂布在基板的表面上的工艺。曝光工艺是在形成有感光膜的基板上曝光电路图案的工艺。显影工艺是选择性地显影基板的曝光区域的工艺。
通常，显影工艺包括显影液供给操作、冲洗液供给操作和干燥操作。依次进行显影液供给操作、冲洗液供给操作和干燥操作。显影液供给操作是通过将显影液供给到基板上来显影曝光区域的操作，而冲洗液供给操作是冲洗由显影液产生的工艺副产物和残留显影液的操作。干燥操作是干燥残留在基板上的冲洗液的操作。
在操作中基板以不同的速度旋转，并且基板在干燥操作中比在显影液供给操作和冲洗液供给操作中以更高的速度旋转，以便干燥液体。
然而，当图案的线宽变细到30nm以下时，如图1所示，在干燥冲洗液的工艺中，经常发生图案塌陷的图案塌陷现象。此外，基板的不同区域的旋转速度是不同的，因此无法均匀地干燥基板的这些区域。
发明内容
本发明构思的实施方式提供了一种用于稳定地干燥基板的装置和方法。
本发明构思的实施方式还提供了一种用于均匀干燥基板的各区域的装置和方法。
本发明构思的实施方式提供一种用于去除残留在基板上的液体的装置和方法。
根据本发明构思的一个方面，提供了一种基板处理装置，包括：基板支撑单元，其配置成支撑基板；液体供给单元，其配置成将液体供给到由基板支撑单元支撑的基板上；以及加热单元，其配置成加热由基板支撑单元支撑的基板，其中，基板支撑单元包括：支撑板，其具有用于放置基板的放置表面，并在放置表面上具有吸附孔；旋转轴，其配置成旋转支撑板；以及真空构件，其配置成减小吸附孔的压力，使得放置在放置表面上的基板被真空吸附在支撑板上。
放置表面可以具有小于基板的面积，加热单元可以包括第一加热构件，其位于由基板支撑单元支撑的基板下方，并且第一加热构件可以包括：加热板，其具有围绕支撑板的外周的形状；以及第一加热器，其设置在加热板中。加热单元还可以包括第二加热构件，其位于由基板支撑单元支撑的基板上方，第一加热构件可以加热基板的周边区域，并且第二加热构件可以加热基板的中心区域。液体供给单元可以包括：处理喷嘴，其配置成在支撑板上方将处理液供给到被放置在支撑板上的基板上；以及清洁喷嘴，其安装在加热板中并且配置成将清洁液供给到被放置在支撑板上的基板的底表面。处理液可以包括显影液。
液体供给单元还可以包括：冲洗喷嘴，其配置成在支撑板上方将冲洗液供给到被放置在支撑板上的基板上，基板处理装置还可以包括控制器，其配置成控制液体供给单元和加热单元，控制器可以控制液体供给单元和加热单元以依次进行将处理液供给到基板上的处理液供给操作、将冲洗液供给到基板上的冲洗液供给操作以及去除基板上的冲洗液的干燥操作；并且控制器可以控制基板支撑单元以在处理液供给操作中以处理速度旋转基板、在冲洗液供给操作中以冲洗速度旋转基板以及在干燥操作中以低于处理速度和冲洗速度的干燥速度旋转基板。第一加热构件还可以包括升降构件，其配置成升降加热板和支撑板中的一个以调节加热板和支撑板之间的相对高度，升降构件可以按第一间隔或按小于第一间隔的第二间隔移动加热板和支撑板，并且控制器可以在冲洗液供给操作中按第一间隔移动加热板和支撑板，并且在干燥操作中按第二间隔移动加热板和支撑板。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种用于处理基板的方法，该方法包括：将液体供给到被旋转的基板上的液体供给操作；以及在液体供给操作之后加热被旋转的基板的干燥操作。
可在旋转基板的同时，将基板真空吸附在支撑板上。支撑板的用于放置基板的放置表面可以具有比基板小的面积，并且可以通过利用位于基板下方的第一加热器加热基板的周边区域来加热基板。在液体供给操作中，支撑板和第一加热器之间的间隔可以调节为第一间隔，在干燥操作中，支撑板和第一加热器之间的间隔可以调节为第二间隔，并且第二间隔可以小于第一间隔。位于基板上方的第二加热器可以在干燥操作中加热基板的中心区域。液体供给操作可以包括：通过位于基板上方的处理喷嘴将处理液供给到基板上的处理液供给操作；以及通过位于基板上方的冲洗喷嘴将冲洗液供给到基板上的冲洗液供给操作，并且位于基板下方的清洁喷嘴可以在冲洗液供给操作中将清洁液供给到基板的周边区域。处理液可以包括显影液。
可以控制基板支撑单元，使得基板在处理液供给操作中以处理速度旋转，基板在冲洗液供给操作中以冲洗速度旋转，并且基板在干燥操作中以低于处理速度和冲洗速度的干燥速度旋转。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种基板处理装置，包括：基板支撑单元，其配置成支撑基板；液体供给单元，其具有配置成向被支撑在基板支撑单元上的基板上供给处理液的处理喷嘴和配置成将冲洗液供给到基板上的冲洗喷嘴；加热单元，其配置成加热由基板支撑单元支撑的基板；以及控制器，其配置成控制基板支撑单元和液体供给单元，其中，基板支撑单元包括：支撑板，其具有用于放置基板的放置表面；以及旋转轴，其配置成旋转支撑板，其中，控制器控制液体供给单元和加热单元以依次进行将处理液供给到基板上的处理液供给操作、将冲洗液供给到基板上的冲洗液供给操作以及去除残留在基板上的冲洗液的干燥操作，且其中，控制器控制基板支撑单元以在处理液供给操作中以处理速度旋转基板、在冲洗液供给操作中以冲洗速度旋转基板以及在干燥操作中以低于冲洗速度的干燥速度旋转基板。
可以在放置表面上形成有吸附孔，并且基板支撑单元还可以包括真空构件，其配置成减小吸附孔的压力，使得放置在放置表面上的基板被真空吸附在支撑板上。放置表面可以具有比基板小的面积，加热单元可以包括第一加热构件，其位于由基板支撑单元支撑的基板下方，并且第一加热构件可以包括：加热板，其具有围绕支撑板的外周的形状；以及第一加热器，其设置在加热板中。第一加热构件还可以包括升降构件，其配置成升降加热板和支撑板中的一个以调节加热板和支撑板之间的相对高度，升降构件可以在冲洗液供给操作中按第一间隔移动加热板和支撑板，可以在干燥操作中按第二间隔移动加热板和支撑板，并且第二间隔可以小于第一间隔。
加热单元还可以包括第二加热构件，其位于由基板支撑单元支撑的基板上方，第一加热构件可以加热基板的周边区域，并且第二加热构件可以加热基板的中心区域。处理液可以包括显影液。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种用于对基板进行液体处理的方法，包括：将处理液供给到被旋转的基板上的处理液供给操作；将冲洗液供给到被旋转的基板上的冲洗液供给操作；以及去除残留在被旋转的基板上的冲洗液的干燥操作，其中基板在处理液供给操作中以处理速度旋转，其中基板在冲洗液供给操作中以冲洗速度旋转，并且其中基板在干燥操作中以低于冲洗速度的干燥速度旋转。
处理液可以包括显影液。位于基板下方的第一加热器可以在干燥操作中加热基板的周边区域。可以移动基板或第一加热器，使得基板和第一加热器之间的间隔在冲洗液供给操作中变为第一间隔，且可以移动基板或第一加热器，使得基板和第一加热器之间的间隔在干燥操作中变为第二间隔，并且第二间隔可以小于第一间隔。位于基板上方的第二加热器可以在干燥操作中加热基板的中心区域。
根据本发明构思的另一方面，提供了一种基板处理装置，包括：支撑板，其具有用于放置基板的放置表面，并在放置表面上具有吸附孔；真空构件，其配置成减小吸附孔的压力；以及第一加热构件，其配置成加热被支撑在支撑板上的基板的周边区域，其中，第一加热构件包括：加热板，其在被支撑在支撑板上的基板下方围绕支撑板的外周；以及第一加热器，其设置在加热板中。
放置表面可以具有小于基板的面积，并且加热板可以具有与支撑板的外径相对应的内径，并且具有与基板的外径相对应的圆环形状。第一加热构件还可以包括升降构件，其配置成升降加热板和支撑板中的一个以调节加热板和支撑板之间的相对高度，并且升降构件可以按第一间隔或按小于第一间隔的第二间隔移动加热板和支撑板。
基板处理系统还可以包括第二加热构件，其配置成加热被支撑在支撑板上的基板的中心区域，并且第二加热构件可以包括第二加热器，其位于被支撑在支撑板上的基板上方。第二加热器可以具有圆板形状，其具有与放置表面相对应的直径。
附图说明
根据以下参考附图的描述，上述和其它目的和特征将变得显而易见，除非另有说明，其中相同的附图标记表示各个附图中的相同部件，其中：
图1是示出干燥基板的一般工艺的截面图；
图2是示出本发明构思的实施方式的基板处理系统的平面图；
图3是图2的系统沿线A-A截取的截面图；
图4是图2的系统沿线B-B截取的截面图；
图5是图2的系统沿线C-C截取的截面图；
图6是示出图2的基板处理装置的截面图；
图7是示出图6的基板处理装置的平面图；
图8是示出图6的处理喷嘴单元的立体图；
图9是示出图6的第一加热构件的立体图；
图10至图12是示出使用图6的装置处理基板的工艺的图；
图13是示出根据图10至图12的基板旋转速度的曲线图；以及
图14是示出图9的第一加热构件的另一个实施方式的立体图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明构思的示例性实施方式。本发明构思的实施方式可以以各种形式进行修改，并且本发明构思的范围不应被解释为限于以下实施方式。提供本发明构思的实施方式以更完全地描述本领域技术人员的发明构思。因此，附图的部件的形状被夸大以强调其更清楚的描述。
本发明构思的本实施方式的系统可用于在诸如半导体晶片或平板显示面板等基板上进行光刻工艺。特别地，本实施方式的系统可以与曝光装置连接，以在基板上进行显影工艺。但是，本实施方式并不限于此，也可以在对基板进行液体处理的任意工艺中实现各种应用。在下文中，在实施方式中将示例性地将晶片用作基板。
在下文中，将参考图2至图14描述根据本发明构思的基板处理系统。
图2是示出本发明构思的实施方式的基板处理系统的平面图。图3是图2的系统沿线A-A截取的截面图。图4是图2的系统沿线B-B截取的截面图。图5是图2的系统沿线C-C截取的截面图。
参考图2至图5，基板处理系统1包括载入埠100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂布/显影模块400、第二缓冲模块500、前/后曝光处理模块600和接口模块700。载入埠100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂布/显影模块400、第二缓冲模块500、前/后曝光处理模块600和接口模块700依次沿一个方向排列设置。
在下文中，设置有载入埠100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂布/显影模块400、第二缓冲模块500、前/后曝光处理模块600和接口模块700的方向将称为第一方向12，并且当从顶部观察时，垂直于第一方向12的方向将称为第二方向14，并且与第一方向12和第二方向14垂直的方向将称为第三方向16。
基板W在被容纳在盒20中的同时进行移动。然后，盒20具有从外部密封的结构。例如，可以使用在前侧具有门的正面开口标准箱(FOUP)作为盒20。
在下文中，将详细描述载入埠100、转位模块200、第一缓冲模块300、涂布/显影模块400、第二缓冲模块500、前/后曝光处理模块600和接口模块700。
载入埠100具有载体120，其上设置有容纳基板W的盒20。设置有多个载体120，并且沿着第二方向14排成一行。在图2中，设置有四个载体120。
转位模块200在位于载入埠100的载体120上的盒20和第一缓冲模块300之间输送基板W。转位模块200具有框架210、转位机械手220和导轨230。框架210具有内部为空的大致长方体形状，具有，并且设置在载入埠100和第一缓冲模块300之间。转位模块200的框架210的高度可以小于第一缓冲模块300的框架310的高度，其将在下面描述。转位机械手220和导轨230设置在框架210中。转位机械手220具有四轴驱动结构，使得直接处理基板W的手状部221可沿第一方向12、第二方向14和第三方向16移动和旋转。转位机械手220具有手状部221、臂状部222、支撑件223和支架224。手状部221固定地安装在臂状部222中。臂状部222具有柔性和可旋转的结构。支撑件223配置成使得其长度方向沿着第三方向16设置。臂状部222联接到支撑件223以沿着支撑件223移动。支撑件223固定地联接到支架224。导轨230设置成使得其长度方向沿着第二方向14设置。支架224联接到导轨230，以沿着导轨230线性移动。尽管未示出，框架210还设置有开门器，其打开和关闭盒20的门。
第一缓冲模块300具有框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机械手360。框架310具有内部为空的长方体形状，并且设置在转位模块200和涂布/显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲机械手360位于框架310内。冷却室350、第二缓冲器330和第一缓冲器320从底部依次沿着第三方向16设置。第一缓冲器320位于与涂布/显影模块400的涂布模块401相对应的高度，其将在下面描述，并且第二缓冲器330和冷却室350位于与涂布/显影模块400的显影模块402相对应的高度，其将在下面描述。第一缓冲机械手360与第二缓冲器330、冷却室350和第一缓冲器320在第二方向14上间隔开预定距离。
第一缓冲器320和第二缓冲器330暂时保留多个基板W。第二缓冲器330具有壳体331和多个支撑件332。支撑件332设置在壳体331内，并且沿着第三方向16彼此间隔开。每个支撑件332上布置一个基板W。壳体331在设置有转位机械手220的一侧、设置有第一缓冲机械手360的一侧以及设置有显影机械手482的一侧上具有开口(未示出)，使得转位机械手220、第一缓冲机械手360和显影模块402的显影机械手482(将在下面描述)将基板W载入或载出壳体331中的支撑件322。第一缓冲器320具有大致类似于第二缓冲器330的结构。同时，第一缓冲器320的壳体321在设置有第一缓冲机械手360的一侧以及设置有位于涂布模块401中的涂布机械手432(将在下面描述)的一侧上具有开口。为第一缓冲器320设置的支撑件322的数量和为第二缓冲器330设置的支撑件332的数量可以相同或不同。根据实施方式，为第二缓冲器330设置的支撑件332的数量可以大于为第一缓冲器320设置的支撑件332的数量。
第一缓冲机械手360在第一缓冲器320和第二缓冲器330之间输送基板W。第一缓冲机械手360具有手状部361、臂状部362和支撑件363。手状部361固定地安装在臂状部362中。臂状部362具有柔性结构，并且允许手状部361沿着第二方向14移动。臂状部362联接到支撑件363，以沿着支撑件363在第三方向16上线性移动。支撑件363具有从对应于第二缓冲器330的位置延伸到对应于第一缓冲器320的位置的长度。支撑件363可以设置成向上或向下延伸更长。第一缓冲机械手360可以设置成使得手状部361沿着第二方向14和第三方向16简单地两轴驱动。
冷却室350冷却基板W。冷却室350具有壳体351和冷却板352。冷却板352具有对基板W所在的其上表面和基板W进行冷却的冷却单元353。可以使用各种类型作为冷却单元353，例如使用冷却水的冷却型和使用热电元件的冷却型。定位冷却板352上的基板W的升降销组件(未示出)可以设置在冷却室350中。壳体351在设置有转位机械手220的一侧以及设置有显影机械手482的一侧上具有开口(未示出)，使得转位机械手220和为显影模块402设置的显影机械手482(将在下面描述)将基板W载入或载出冷却板352。打开和关闭上述开口的门(未示出)可以设置在冷却室350中。
涂布/显影模块400进行在曝光处理之前将光致抗蚀剂涂布到基板W上的工艺以及在曝光处理之后显影基板W的工艺。涂布/显影模块400具有大致长方体形状。涂布/显影模块400具有涂布模块401和显影模块402。涂布模块401和显影模块402可以设置成在不同的层中彼此分隔开。根据示例，涂布模块401位于显影模块402上。
涂布模块401进行将诸如光致抗蚀剂的光敏液体涂布到基板W上的工艺以及例如在抗蚀剂涂布工艺之前和之后加热和冷却基板W的热处理工艺。涂布模块401具有抗蚀剂涂布单元410、烘烤室420和载送室430。抗蚀剂涂布单元410、烘烤室420和载送室430沿着第二方向14依次设置。因此，抗蚀剂涂布单元410和烘烤室420在第二方向14上彼此间隔开，同时将载送室430插入其间。可以设置多个抗蚀剂涂布单元410，并且多个抗蚀剂涂布单元410可以设置在第一方向12和第三方向16中的每一个上。在附图中，示出了六个抗蚀剂涂布单元410作为示例。多个烘烤室420可以设置在第一方向12和第三方向16中的每一个上。在附图中，示出了六个烘烤室420作为示例。然而，与此不同，可以提供更多数量的烘烤室420。
载送室430在第一方向12上平行于第一缓冲模块300的第一缓冲器320。涂布机械手432和导轨433可以位于载送室430中。载送室430具有大致矩形形状。涂布机械手432在烘烤室420、抗蚀剂涂布单元400、第一缓冲模块300的第一缓冲器320以及第二缓冲模块500的第一冷却室520之间输送基板W。导轨433使得其长度方向平行于第一方向12。导轨433引导涂布机械手432，使得涂布机械手432在第一方向12上线性移动。涂布机械手432具有手状部434、臂状部435、支撑件436和支架437。手状部434固定地安装在臂状部435中。臂状部435具有柔性结构，使得手状部434可水平移动。支撑件436设置成使得其长度方向沿着第三方向16设置。臂状部435联接到支撑件436，以沿着支撑件436在第三方向16上线性移动。支撑件436固定地联接到支架437，并且支架437联接到导轨433以沿着导轨433移动。
抗蚀剂涂布单元410具有相同的结构。然而，在抗蚀剂涂布单元410中使用的光致抗蚀剂的类型可以不同。作为示例，光致抗蚀剂可以是化学增强抗蚀剂。抗蚀剂涂布单元410将光致抗蚀剂涂布到基板W上。抗蚀剂涂布单元410具有壳体411、支撑板412和喷嘴413。壳体411具有顶部开口的杯形状。支撑板412位于壳体411中并且支撑基板W。支撑板412可以设置成可旋转的。喷嘴413将光致抗蚀剂液体供给到位于支撑板412上的基板W上。喷嘴413具有圆形管形状，并且可以将光致抗蚀剂液体供给到基板W的中心。可选地，喷嘴413可以具有与基板W的直径相对应的长度，喷嘴413的排出孔可以是狭缝。此外，还可以在抗蚀剂涂布单元410中进一步设置喷嘴414，用于供给诸如去离子水的清洁液以清洁涂布有抗蚀剂的基板W的表面。
烘烤室420对基板W进行热处理。例如，烘烤室420在涂布光致抗蚀剂前通过在预定温度下加热基板W来在基板W的表面上进行消除有机物质和水分的预烘烤工艺，或在将光致抗蚀剂涂布到基板W上之后进行的软烘烤工艺，并且进行在加热工艺之后冷却基板W的冷却工艺。烘烤室420具有冷却板421和加热板422。冷却板421设置有诸如冷却水或热电元件的冷却单元423。加热板422设置有诸如加热丝或热电元件的加热单元424。冷却板421和加热板422可以设置在一个烘烤室420中。可选地，一些烘烤室420可以仅包括冷却板421，并且一些烘烤室422可以仅包括加热板472。
显影模块402包括通过供给显影液来消除光致抗蚀剂以获得基板W上的图案的工艺以及在显影工艺之前和之后在基板W上进行的热处理工艺，例如加热和冷却。显影模块402具有显影室800、烘烤室470和载送室480。显影室800、烘烤室470和载送室480沿着第二方向14依次设置。因此，显影室800和烘烤室470在第二方向14上彼此间隔开，同时载送室480插入其间。可以设置有多个显影室800，并且多个显影室800可以设置在第一方向12和第三方向16中的每一个上。在附图中，示出了六个显影室800作为示例。多个烘烤室470可以设置在第一方向12和第三方向16中的每一个上。在附图中，示出了六个烘烤室470作为示例。然而，与此不同，可以提供更多数量的烘烤室470。
载送室480在第一方向12上平行于第一缓冲模块300的第二缓冲器330。显影机械手482和导轨483可以位于载送室480中。载送室480具有大致矩形的形状。显影机械手482在烘烤室470、显影室460、第一缓冲模块300的第二缓冲器330和冷却室350以及第二缓冲模块500的第二冷却室540之间输送基板W。轨道483布置成使得其长度方向平行于第一方向12。导轨483引导显影机械手482，使得显影机械手432在第一方向12上线性移动。显影机械手482具有手状部484、臂状部485、支撑件486和支架487。手状部484固定地安装在臂状部485中。臂状部485具有柔性结构，使得手状部484可水平移动。支撑件486设置成使得其长度方向沿着第三方向16设置。臂状部485联接到支撑件486以沿着支撑件48在第三方向16上线性移动。支撑件486固定地联接到支架487。支架487联接到导轨483，以沿着导轨483线性移动。
显影室800具有相同的结构。然而，在显影室800中使用的显影液体的类型可以不同。显影室800消除基板W上照射有光的光致抗蚀剂的区域。然后，一起消除照射有光的保护膜的区域。可选地，根据所使用的光致抗蚀剂的类型，可以仅消除不照射有光的光致抗蚀剂和保护膜的区域。
在本实施方式中，显影室800设置为用于对基板W进行液体处理的基板处理装置800。图6是表示图2的基板处理装置的截面图。图7是表示图6的基板处理装置的平面图。参考图6和图7，基板处理装置800包括基板支撑单元810、处理容器820、升降单元840、液体供给单元850、加热单元900和控制器890。
基板支撑单元810支撑并旋转基板W。基板支撑单元810包括支撑板812、旋转驱动构件814和815以及真空构件818。支撑板812支撑基板。支撑板812具有圆盘形状。支撑板812的上表面的直径大于支撑板812的下表面的直径。连接支撑板812的上表面和下表面的侧表面可以随着移向支撑板812的中心轴线而朝向向下倾斜的方向。支撑板812的上表面设置为用于放置基板W的放置表面。放置表面具有比基板W小的面积。在放置表面上形成有多个吸附孔816。吸附孔816可以是用于通过降低基板的压力来吸附放置在放置表面上的基板的孔816。真空构件818连接到吸附孔816。根据示例，放置表面的直径可以小于基板W的半径。真空构件818可以是减小吸附孔816的压力的泵。
旋转驱动构件814和815旋转支撑板812。旋转驱动构件814和815包括旋转轴814和驱动器815。旋转轴814设置成使得旋转轴814的长度方向具有朝向垂直方向的容器形状。旋转轴814联接到支撑板812的底表面。驱动器815将旋转力传递到旋转轴814。旋转轴814可以通过由驱动器815提供的旋转力围绕其中心轴线旋转。支撑板812可以与旋转轴814一起旋转。通过驱动器815调节旋转轴814的旋转速度，使得可以调节基板W的旋转速度。例如，驱动器815可以是电动机。
处理容器820在其内部具有进行显影工艺的处理空间。处理容器820回收显影工艺中使用的液体。处理容器820具有顶部开口的杯形状。处理容器820包括内部回收容器822和外部回收容器826。回收容器822和826回收在工艺中使用的不同处理液。内部回收容器822设置成具有围绕基板支撑构件810的圆环形状，并且外部回收容器826设置成具有围绕内部回收容器822的圆环形状。内部回收容器822的内部空间822a以及外部回收容器826和内部回收容器822之间的空间826a用作入口，液体通过所述入口分别被引入内部回收容器822和外部回收容器826。从回收容器822和826以垂直于其底表面的向下方向延伸的回收管线822b和826b分别连接到回收容器822和826。回收管线822b和826b分别排出通过回收容器822和826引入的液体。排出的液体可以通过外部处理液回收系统(未示出)重新使用。
升降单元840调节容器820和基板支撑单元810之间的相对高度。升降单元840向上和向下移动容器820。升降单元840包括托架842、可移动轴844和驱动器846。托架842连接处理容器820和可移动轴844。托架842固定地安装在处理容器820的垂直壁822中。可移动轴844设置成使得可移动轴844的长度方向朝向垂直方向。可移动轴844的上端固定地联接到托架842。可移动轴844可以通过驱动器846垂直移动，并且处理空间820可以与可移动轴844一起升降。例如，驱动器846可以是气缸或电动机。
液体供给单元850将液体供给到由基板支撑单元810支撑的基板W上。液体供给单元850包括喷嘴移动构件860、喷嘴单元870和清洁喷嘴880。喷嘴移动构件860使喷嘴单元870移动到处理位置和待机位置。这里，处理位置是喷嘴单元870垂直朝向基板W的位置，待机位置是偏离处理位置的位置。喷嘴移动构件860使喷嘴单元870线性移动。根据示例，喷嘴单元870可以在第一方向12上线性移动。
喷嘴移动构件860包括导轨862和支撑臂864。导轨862位于处理容器的一侧。导轨862设置成使得导轨862的长度方向平行于喷嘴单元870和880的移动方向。例如，导轨862的长度方向可以设置成朝向第一方向12。支撑臂864具有条形状。当从顶部观察时，支撑臂864的长度方向垂直于导轨862。例如，支撑臂864的长度方向可以朝向第二方向14。喷嘴单元870连接到支撑臂864。支撑臂864的相对端安装在导轨862中。因此，支撑臂864和喷嘴单元870可以沿着导轨862的长度方向一起移动。
喷嘴单元870排出处理液和冲洗液。图8是示出图6的喷嘴单元的立体图。参考图8，喷嘴单元870包括主体872、冲洗喷嘴874、第一处理喷嘴876和第二处理喷嘴878。处理主体872支撑冲洗喷嘴874、第二处理喷嘴878和第一处理喷嘴876。主体872固定地联接到支撑臂864的一端的底表面。冲洗喷嘴874、第一处理喷嘴876和第二处理喷嘴878固定地联接到主体872的底表面。
第一处理喷嘴876以流动方式排出处理液。第一处理喷嘴876具有圆形流出口。流出口朝向垂直向下的方向。
第二处理喷嘴878以液幕方式排出处理液。处理喷嘴878具有狭缝出口。狭缝出口具有平行于导轨862的长度方向。狭缝出口可以具有朝向第一方向12的长度方向。狭缝出口朝向向下倾斜的方向。第二处理喷嘴878可以向下倾斜，使得液体排出到与第一处理喷嘴876相同的点。狭缝出口的长度小于基板W的半径。根据实施方式，狭缝出口可以随着从第二处理喷嘴878移向第一处理喷嘴876而朝向向下倾斜的方向。第二处理喷嘴878位于第一处理喷嘴876的一侧。第二处理喷嘴878位于第一处理喷嘴876的相对侧。当从顶部观察时，第二处理喷嘴878和第一处理喷嘴876可以沿着第二方向14布置。例如，从第二处理喷嘴878和第一处理喷嘴876排出的处理液可以是相同种类的。处理液可以是显影液。
冲洗喷嘴874以流动方式排出润湿液体。冲洗喷嘴874定位成与第一处理喷嘴876和第二处理喷嘴878相邻。当从顶部观察时，冲洗喷嘴874和第一处理喷嘴878可以沿着第一方向12布置。冲洗喷嘴874具有圆形流出口。流出口朝向垂直向下的方向。例如，冲洗液可以是纯水(DIW)。
清洁喷嘴880将清洁液供给到基板W的底表面上。清洁喷嘴880可以通过加热单元900的升降构件916升降。清洁喷嘴880安装在加热单元900的加热板912的上表面上。清洁喷嘴880的出口朝向垂直向上的方向。清洁喷嘴880将清洁液供给到基板W的底表面的周边区域。例如，清洁液可以与冲洗液相同。清洁液可以是纯水(DIW)。可选地，清洁喷嘴880的出口可以朝向向上倾斜的方向。
加热单元900加热基板W。加热单元900包括第一加热构件910和第二加热构件930。第一加热构件910加热基板W的第一区域A。根据实施方式，第一区域A可以是周边区域。第一区域A可以是不对应于放置表面的区域。第一加热构件910位于基板W的下方。图9是示出图6的第一加热构件910的立体图。参考图9，第一加热构件910包括加热板912、第一加热器914和升降构件916。加热板912具有围绕支撑板812的外周的圆环形状。加热板912的外径可以等于或大于基板W的外径。此外，加热板912的内径可以等于或者大于支撑板812的底表面的直径。第一加热器914设置在加热板912中。类似于加热板912，第一加热器914具有圆环形状。加热板912垂直朝向基板W的第一区域A。也就是说，加热板912加热基板W下方的第一区域A。
升降构件916调节加热板912和基板W之间的相对高度。升降构件916升降加热板912和基板W中的一个。在本实施方式中，将描述升降构件916升降加热板912。升降构件916移动加热板912，使得加热板912和支撑板812之间的间隔变为第一间隔D1或第二间隔D2。第二间隔D2定义为小于第一间隔D1的间隔。根据示例，加热板912和基板W移动到第一位置，使得加热板912和支撑板812之间的间隔变为第一间隔D1，并且移动到第二位置，使得加热板912和支撑板812之间的间隔变成第二间隔D2。第二位置可以是与基板W相邻的位置，使得第一加热器914加热基板W。例如，升降构件916可以是一个或多个气缸。
参考图6和图7，第二加热构件930加热基板W的第二区域B，其与第一区域A不同。根据示例，第二区域B可以是中心区域。第二区域B可以是对应于放置表面的区域。第二加热构件930位于基板W的上方。第二加热构件930包括第二加热器932和可动构件934。第二加热器932具有圆板形状。第二加热器932的直径可以等于或小于支撑板812的放置表面的直径。例如，第二加热构件930的温度可以与加热构件910的温度相同。当基板W的区域A是整个区域的一部分时，第二区域B可以是剩余区域。
可移动构件934使第二加热器932移动到加热位置和待机位置。可移动构件934包括水平臂。水平臂支撑第二加热器932。水平臂可以通过驱动构件(未示出)摆动。水平臂使第二加热器932移动到朝向基板W的加热位置和偏离加热位置的待机位置。加热位置是第二加热器932加热基板W的第二区域B的位置，待机位置是不加热基板W的位置。第二位置是第二加热器932和第二区域B彼此垂直朝向的位置。在加热位置，第二加热器932与第二区域B之间的间隔D3可以与第二间隔D2相同。因此，第一区域A和第二区域B可以加热到相同的温度。
控制器890控制液体供给单元850和加热单元900。控制器890控制液体供给单元850，使得处理液和冲洗液可以依次供给到基板W上。控制器890控制液体供给单元850，使得清洁液可以供给到基板W的底表面，同时将处理液和冲洗液供给到基板W上。如果清洁液的供给完成，则控制器890停止将液体供给到基板W并进行基板W的干燥工艺。根据实施方式，在将处理液供给到基板W时，基板W以处理速度V1旋转，在将冲洗液供给到基板W时，基板W以冲洗速度V2旋转，在干燥工艺中，基板W以干燥速度V3旋转。干燥速度V3可以是低于处理速度V1和冲洗速度V2的速度。
接下来，将描述通过使用上述基板处理装置处理基板W的方法。图10至图12是示出使用图6的装置处理基板的工艺的图。图13是示出根据图10至图12的基板的旋转速度的曲线图。参见图10至图13，处理基板W的方法包括液体供给操作和干燥操作S30。液体供给操作包括处理液供给操作S10和冲洗液供给操作S20。依次进行处理液供给操作S10、冲洗液供给操作S20和干燥操作S30。如果进行处理液供给操作S10，则基板W以处理速度V1旋转，将处理液供给到基板W的上表面。在加热板912和基板W之间的间隔是第一间隔D1的第一位置处，清洁喷嘴880将清洁液供给到基板W的底表面。清洁液可以是由第一加热器914加热的液体。清洁液可以清洁基板W的底表面，同时将基板W的温度调节到工艺温度。如果处理液供给操作S10完成，则停止供给处理液。
如果进行冲洗液供给操作S20，则基板W以冲洗速度V2旋转，并且将冲洗液体供给到基板W的上表面。冲洗液使残留在基板W上的处理液升高。将清洁液供给到基板W的底表面。清洁液可以是由第一加热器914加热的液体。在加热板912和基板W之间的间隔是第一间隔D1的第一位置处，清洁喷嘴880将清洁液供给到基板W的底表面。冲洗速度V2可以是比处理速度V1高的速度。如果冲洗液供给操作S20完成，则停止供给冲洗液和清洁液。处理液可以被回收到外部回收容器826，并且冲洗液可以被回收到内部回收容器822。
如果进行干燥操作S30，则基板W以干燥速度V3旋转。加热板912移动到第一位置，使得加热板912和基板W之间的间隔变为第一间隔D1，并且第二加热器932移动到加热位置。第一加热器914加热基板W的第一区域A，第二加热器932加热基板W的第二区域B。第一加热构件910和第二加热构件930将区域加热到相同的温度。第二加热器932与第二区域B之间的间隔D3可以与第二间隔D2相同。干燥速度V3可以为20RPM以下。
可选地，该操作可以通过调节第二间隔D2来将第一区域A和第二区域B加热到不同的温度。
在上述实施方式中，基板W在干燥操作S30中比在处理液供给操作S10和冲洗液供给操作S20中旋转更慢。因此，在蒸发冲洗液的工艺中，可以减少形成在基板W上的图案塌陷。此外，基板W的第一区域A通过第一加热构件910加热，并且基板W的第二区域B通过第二加热构件930加热。因此，可以提高基板W的干燥效率。
在上述实施方式中，已经描述了第一加热构件910具有单个加热板912，并且加热板912具有圆环形状。然而，如图14所示，可以设置多个加热板912。加热板911具有圆弧形状，并且可以沿着支撑板812的外周方向布置。加热板911可以彼此组合以具有圆环形状。可以将第一加热器914设置到每个加热板911。加热板911可以由升降构件916同时升降。
参考图2至图5，显影模块402的烘烤室470加热基板W。例如，烘烤室470可以在显影工艺之前进行加热基板W的后烘烤处理、在显影工艺之后加热基板W的硬烘烤工艺以及在显影工艺之后冷却加热基板W的冷却工艺。烘烤室470具有冷却板471和加热板472。冷却板471设置有诸如冷却水或热电元件的冷却单元473。加热板472设置有诸如加热丝或热电元件的加热单元474。冷却板471和加热板472可以设置在一个烘烤室470中。可选地，一些烘烤室470可以仅包括冷却板471，并且一些烘烤室470可以仅包括加热板472。
如上所述，涂布/显影模块400设置成使得涂布模块401和显影模块402分离。当从顶部观察时，涂布模块401和显影模块402可以具有相同的室配置。
第二缓冲模块500设置成在涂布/显影模块400和前/后曝光模块600之间传送基板W的通道。第二缓冲模块500在基板W上进行诸如冷却工艺或边缘曝光工艺的工艺。第二缓冲模块500具有框架510、缓冲器520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550和第二缓冲机械手560。框架510具有长方体形状。缓冲器520、第一冷却室530、第二冷却室540、边缘曝光室550和第二缓冲机械手560位于框架510中。缓冲器520、第一冷却室530和边缘曝光室550设置在与显影模块401相对应的高度处。第二冷却室540设置在与显影模块402相对应的高度处。缓冲器520、第一冷却室530和第二冷却室540沿着第三方向16设置成一行。当从顶部观察时，缓冲器520沿着涂布模块401的载送室430在第一方向12上设置。边缘曝光室550与缓冲器520或第一冷却室530在第二方向14上间隔开预定距离。
第二缓冲机械手560在缓冲器520、第一冷却室530和边缘曝光室550之间传送基板W。第二缓冲机械手560位于边缘曝光室550和缓冲器520之间。第二缓冲机械手560可以具有类似于第一缓冲机械手360的结构。第一冷却室530和边缘曝光室550对已经进行工艺的基板W进行后续工艺。第一冷却室530冷却已经由显影模块401进行工艺的基板W。第一冷却室530具有类似于第一缓冲模块300的冷却室350的结构。边缘曝光室550曝光已经由第一冷却室530进行冷却工艺的基板W的周边。在将已经由边缘曝光室550进行工艺的基板W传送到前处理模块601(将在下面描述)之前，缓冲器520暂时保留基板W。在将已经由后处理模块602(将在下面描述)进行工艺的基板W传送到显影模块402之前，第二冷却室540冷却基板W。第二缓冲模块500还可以具有在对应于显影模块402的高度处的缓冲器。在这种情况下，已经由后处理模块602进行工艺的基板W在临时保留在附加缓冲器中之后，可以传送到显影模块402。
当曝光装置900进行浸泡/曝光工艺时，前/后曝光模块600可以在浸泡/曝光工艺期间进行涂布保护膜以保护涂布到基板W的光致抗蚀剂膜的工艺。前/后曝光模块600可以在曝光工艺之后进行清洁基板W的工艺。此外，当通过使用化学增强抗蚀剂进行涂布工艺时，前/后曝光模块600可以在曝光工艺之后进行烘烤工艺。
前/后曝光模块600具有前处理模块601和后处理模块602。前处理模块601在曝光工艺之前进行处理基板W的工艺，并且后处理模块602在曝光工艺之后进行处理基板W的工艺。前处理模块601和后处理模块602可以设置成在不同的层中彼此分隔开。根据示例，前处理模块601位于后处理模块602上。前处理模块601具有与涂布模块401相同的高度。后处理模块602具有与显影模块402相同的高度。前处理模块601具有保护膜涂布室610、烘烤室620和载送室630。保护膜涂布室610、载送室630和烘烤室620沿第二方向14依次设置。因此，保护膜涂布室610和烘烤室620在第二方向14上彼此间隔开，同时载送室630插入其间。设置有多个保护膜涂布室610，并且多个保护膜施加单元610沿着第三方向16设置以形成不同的层。可选地，多个保护膜施加单元610可以设置在第一方向12和第三方向16中的每一个上。设置多个烘烤室620，并且多个烘烤室610沿着第三方向16设置以形成不同的层。可选地，多个烘烤室620可以设置在第一方向12和第三方向16中的每一个上。
载送室630在第一方向12上平行于第二缓冲模块500的第一冷却室530。前处理机械手632位于载送室630中。载送室630具有大致方形或矩形形状。前处理机械手632将保护膜涂布室610、烘烤室620、第二缓冲模块500的缓冲器520以及接口模块700(将在下面描述)的第一缓冲器720之间输送基板W。前处理机械手632具有手状部633、臂状部634和支撑件635。手状部633固定地安装在臂状部634中。臂状部634具有柔性和可旋转的结构。臂状部634联接到支撑件635，以沿着支撑件635在第三方向16上线性移动。
保护膜涂布室610在浸泡/曝光处理期间将保护抗蚀剂膜的保护膜涂布到基板W上。保护膜涂布室610具有壳体611、支撑板612和喷嘴613。壳体611具有顶部开口的形状。支撑板612位于壳体611中并且支撑基板W。支撑板612可以设置成可旋转的。喷嘴613将用于形成保护膜的保护液供给到位于支撑板612上的基板W上。喷嘴613具有圆形管形状，并且可以向基板W的中心供给保护液。可选地，喷嘴613可以具有与基板W的直径相对应的长度，并且喷嘴613的排出孔可以是狭缝。在这种情况下，支撑板612可以设置为固定状态。保护液包括可膨胀材料。保护液可以是对光致抗蚀剂和水具有低亲和力的材料。例如，保护液可以包括氟类溶剂。保护膜涂布室610将保护液供给到基板W的中心区域，同时旋转位于支撑板612上的基板W。
烘烤室620对涂布有保护膜的基板W进行加热处理。烘烤室620具有冷却板621和加热板622。冷却板621设置有诸如冷却水或热电元件的冷却单元623。加热板622设置有诸如加热丝或热电元件的加热单元624。加热板622和冷却板621可以设置在一个烘烤室620中。可选地，一些烘烤室620可以仅包括加热板622，并且一些烘烤室620可以仅包括冷却板621。
后处理模块602具有清洁室660、后曝光烘烤室670和载送室680。清洁室660、载送室680和后曝光烘烤室670沿第二方向14依次布置。因此，清洁室660和后曝光烘烤室670在第二方向14上彼此间隔开，同时载送室680插入其间。设置有多个清洁室660，并且多个清洁室660沿着第三方向16设置以形成不同的层。可选地，多个清洁室660可以设置在第一方向12和第三方向16中的每一个上。设置有多个后曝光烘烤室670，并且多个后曝光烘烤室610沿着第三方向16设置以形成不同的层。可选地，多个后曝光烘烤室670可以设置在第一方向12和第三方向16中的每一个上。
当从顶部观察时，载送室680在第一方向12上平行于第二缓冲模块500的第二冷却室540。载送室680具有大致方形或矩形形状。后处理机械手682位于载送室680中。后处理机械手682在清洁室660、后曝光烘烤室670、第二缓冲模块500的第二冷却室540以及接口模块700(将在下面描述)的第二缓冲器730之间输送基板W。设置在后处理模块602中的后处理机械手682可以具有与设置在前处理模块601中的前处理机械手632相同的结构。
清洁室660在曝光工艺之后清洁基板W。清洁室660具有壳体661、支撑板662和喷嘴663。壳体661具有顶部开口的杯形状。支撑板662位于壳体661中，并且支撑基板W。支撑板662可以设置成可旋转的。喷嘴663将清洁液供给到位于支撑板662上的基板W上。清洁液可以是诸如去离子水的水。清洁室660将清洁液供给到基板W的中心区域，同时旋转位于支撑板662上的基板W。可选地，喷嘴663可以从基板W的中心区域向周边区域直线移动或旋转，同时旋转基板W。
在曝光工艺之后，烘烤室670通过使用远红外线加热已经进行了曝光工艺的基板W。在曝光工艺之后，在烘烤工艺中，通过曝光工艺增强光致抗蚀剂中产生的酸来加热基板W以完成光致抗蚀剂的性能变化。在曝光工艺之后，烘烤室670具有加热板672。加热板672设置有诸如加热丝或热电元件的加热单元674。在曝光工艺之后，烘烤室670还可以在其内部设置有冷却板671。冷却板671设置有诸如冷却水或热电元件的冷却单元673。可选地，可以进一步设置仅具有冷却板671的烘烤室。
如上所述，设置前/后曝光模块600使得前处理模块601和后处理模块602彼此完全分离。前处理模块601的载送室630和后处理模块602的载送室680可以具有相同的尺寸，并且当从顶部观察时可以彼此完全重叠。保护膜涂布单元610和清洁室660可以具有相同的尺寸，并且当从顶部观察时可以彼此完全重叠。烘烤室620和后曝光烘烤室670可以具有相同的尺寸，并且当从顶部观察时可以彼此完全重叠。
接口模块700在前/后曝光模块600和曝光装置900之间输送基板W。接口模块700具有框架710、第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740。第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740位于框架710内。第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此间隔开预定距离，并且可以堆叠。第一缓冲器720设置在高于第二缓冲器730的位置处。第一缓冲器720位于与前处理模块601相对应的高度处，并且第二缓冲器730设置在与后处理模块602相对应的高度处。当从顶部观察时，第一缓冲器720沿着第一方向12设置，同时与前处理模块601的载送室630形成一排，并且第二缓冲器730沿着第一方向12设置，同时与后处理模块602的载送室680形成一排。
接口机械手740定位成在第二方向14上与第一缓冲器720和第二缓冲器730间隔开。接口机械手740在第一缓冲器720、第二缓冲器730和曝光装置900之间传送基板W。接口机械手740具有与第二缓冲机械手560大致相似的结构。
在已经由前处理模块601进行工艺的基板W移动到曝光装置900之前，第一缓冲器720将其临时保留。在已经由曝光装置900完全进行工艺的基板W移动到后处理模块602之前，第二缓冲器730将其临时保留。第一缓冲器720具有壳体721和多个支撑件722。支撑件722设置在壳体721内，并且沿着第三方向16彼此间隔开。一个基板W位于每个支撑件722上。壳体721在设置有接口机械手740的一侧和设置有前处理机械手721的一侧上具有开口(未示出)，使得接口机械手740和前处理机械手632将基板W载入壳体721中。第二缓冲器730具有与第一缓冲器720大致相似的结构。同时，第二缓冲器730的壳体731在设置有接口机械手740的一侧和设置有后处理机械手682的一侧上具有开口(未示出)。接口模块可以仅设置有如上所述的缓冲器和机械手，而不设置在基板上进行特定工艺的腔室。
根据本发明构思的实施方式，在基板的干燥操作中，同时旋转和加热基板。因此，可以提高基板的干燥效率。
此外，根据本发明构思的实施方式，第一加热构件加热基板的第一区域，第二加热构件补偿地加热与第一区域不同的第二区域。因此，可以均匀地加热基板的区域。
上述描述举例说明了本发明的构思。此外，上述内容描述了本发明构思的示例性实施方式，并且本发明构思可以用于各种其它组合、变化和环境中。也就是说，在不脱离本说明书中公开的发明构思的范围，本文所述的书面公开的等同范围和/或技术或知识范围的情况下，可以修改和修正本发明的构思。书面实施方式描述了实现本发明构思的技术精神的最佳状态，并且可以进行本发明构思的详细应用领域和目的所需的各种变化。因此，本发明构思的详细描述并不旨在限制所公开的实施方式状态中的发明构思。此外，应该理解所附权利要求书包括其它实施方式。

Claims (24)

1.一种基板处理装置，包括：
基板支撑单元，其配置成支撑所述基板；
液体供给单元，其配置成将液体供给到由所述基板支撑单元支撑的所述基板上；
加热单元，其配置成加热由所述基板支撑单元支撑的所述基板；以及
控制器，其配置成控制所述液体供给单元和所述加热单元，
其中，所述基板支撑单元包括：
支撑板，其具有用于放置所述基板的放置表面，并在所述放置表面上具有吸附孔；
旋转轴，其配置成旋转所述支撑板；以及
真空构件，其配置成减小所述吸附孔的压力，使得放置在所述放置表面上的所述基板被真空吸附在所述支撑板上，
其中，所述加热单元包括第一加热构件，所述第一加热构件位于由所述基板支撑单元支撑的所述基板的下方，并且
其中，所述第一加热构件包括：
加热板，其具有围绕所述支撑板的外周的形状；
第一加热器，其设置在所述加热板中；以及
升降构件，其配置成升降所述加热板和所述支撑板中的一个以调节所述加热板和所述支撑板之间的相对高度，
其中，所述升降构件按第一间隔或按小于所述第一间隔的第二间隔移动所述加热板和所述支撑板，
其中，所述控制器控制所述液体供给单元和所述加热单元以依次进行将所述处理液供给到所述基板上的处理液供给操作、将冲洗液供给到所述基板上的冲洗液供给操作以及去除所述基板上的所述冲洗液的干燥操作，所述控制器在所述冲洗液供给操作中将所述加热板和所述支撑板之间的间隔调节为所述第一间隔，并且在所述干燥操作中将所述加热板和所述支撑板之间的间隔调节为所述第二间隔。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述放置表面具有小于所述基板的面积。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，所述加热单元还包括：
第二加热构件，其位于由所述基板支撑单元支撑的所述基板上方，
其中，所述第一加热构件加热所述基板的周边区域，并且
其中，所述第二加热构件加热所述基板的中心区域。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述液体供给单元包括：
处理喷嘴，其配置成在所述支撑板上方将处理液供给到被放置在所述支撑板上的所述基板上；以及
清洁喷嘴，其安装在所述加热板中并且配置成将清洁液供给到被放置在所述支撑板上的所述基板的底表面。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述处理液包括显影液。
6.根据权利要求4或5所述的基板处理装置，其中，所述液体供给单元还包括：
冲洗喷嘴，其配置成在所述支撑板上方将冲洗液供给到被放置在所述支撑板上的所述基板上，
其中，所述控制器控制所述基板支撑单元以在所述处理液供给操作中以处理速度旋转所述基板、在所述冲洗液供给操作中以冲洗速度旋转所述基板以及在所述干燥操作中以低于所述处理速度和所述冲洗速度的干燥速度旋转所述基板。
7.一种用于处理基板的方法，所述方法包括：
将液体供给到被旋转的基板上的液体供给操作；以及
在所述液体供给操作之后加热所述被旋转的基板的干燥操作,
其中，在旋转所述基板的同时，将所述基板真空吸附在支撑板上，
其中，通过利用位于所述基板下方的第一加热器加热所述基板的周边区域来加热所述基板，
其中，在所述液体供给操作中，将所述支撑板和所述第一加热器之间的间隔调节为第一间隔，
其中，在所述干燥操作中，将所述支撑板和所述第一加热器之间的间隔调节为第二间隔，并且
其中，所述第二间隔小于所述第一间隔。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述支撑板的用于放置所述基板的放置表面具有比所述基板小的面积。
9.根据权利要求7所述的方法，其中，位于所述基板上方的第二加热器在所述干燥操作中加热所述基板的中心区域。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述液体供给操作包括：
通过位于所述基板上方的处理喷嘴将处理液供给到所述基板上的处理液供给操作；以及
通过位于所述基板上方的冲洗喷嘴将冲洗液供给到所述基板上的冲洗液供给操作，并且
其中，位于所述基板下方的清洁喷嘴在所述冲洗液供给操作中将清洁液供给到所述基板的周边区域。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述处理液包括显影液。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其中，所述基板在所述处理液供给操作中以处理速度旋转，所述基板在所述冲洗液供给操作中以冲洗速度旋转，并且所述基板在所述干燥操作中以低于所述处理速度和所述冲洗速度的干燥速度旋转。
13.一种基板处理装置，包括：
基板支撑单元，其配置成支撑所述基板；
液体供给单元，其具有配置成向被支撑在所述基板支撑单元上的所述基板上供给处理液的处理喷嘴和配置成将冲洗液供给到所述基板上的冲洗喷嘴；
加热单元，其配置成加热由所述基板支撑单元支撑的所述基板；以及
控制器，其配置成控制所述基板支撑单元和所述液体供给单元，
其中，所述基板支撑单元包括：
支撑板，其具有用于放置所述基板的放置表面；以及
旋转轴，其配置成旋转所述支撑板，
其中，所述控制器控制所述液体供给单元和所述加热单元以依次进行将所述处理液供给到所述基板上的处理液供给操作、将所述冲洗液供给到所述基板上的冲洗液供给操作以及去除残留在所述基板上的所述冲洗液的干燥操作，并且
其中，所述控制器控制所述基板支撑单元以在所述处理液供给操作中以处理速度旋转所述基板、在所述冲洗液供给操作中以冲洗速度旋转所述基板以及在所述干燥操作中以低于所述冲洗速度的干燥速度旋转所述基板，
其中，所述加热单元包括：
第一加热构件，其位于由所述基板支撑单元支撑的所述基板的下方，并且
其中，所述第一加热构件包括：
加热板，其具有围绕所述支撑板的外周的形状；
第一加热器，其设置在所述加热板中；以及
升降构件，其配置成升降所述加热板和所述支撑板中的一个以调节所述加热板和所述支撑板之间的相对高度，
其中，所述升降构件在所述冲洗液供给操作中将所述加热板和所述支撑板之间的间隔调节为第一间隔，在所述干燥操作中将所述加热板和所述支撑板之间的间隔调节为第二间隔，并且
其中，所述第二间隔小于所述第一间隔。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，在所述放置表面上形成有吸附孔，并且
其中，所述基板支撑单元还包括：
真空构件，其配置成减小所述吸附孔的压力，使得放置在所述放置表面上的所述基板被真空吸附在所述支撑板上。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，所述放置表面具有比所述基板小的面积。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的基板处理装置，其中，所述加热单元还包括：
第二加热构件，其位于由所述基板支撑单元支撑的所述基板上方，
其中，所述第一加热构件加热所述基板的周边区域，并且
其中，所述第二加热构件加热所述基板的中心区域。
17.根据权利要求13至15中任一项所述的基板处理装置，其中，所述处理液包括显影液。
18.一种用于对基板进行液体处理的方法，包括：
将处理液供给到被旋转的基板上的处理液供给操作；
将冲洗液供给到所述被旋转的基板上的冲洗液供给操作；以及
去除残留在所述被旋转的基板上的所述冲洗液的干燥操作，
其中，所述基板在所述处理液供给操作中以处理速度旋转，
其中，所述基板在所述冲洗液供给操作中以冲洗速度旋转，并且
其中，所述基板在所述干燥操作中以低于所述冲洗速度的干燥速度旋转，
其中，位于所述基板下方的第一加热器在所述干燥操作中加热所述基板的周边区域，
其中，移动所述基板或所述第一加热器，使得所述基板和所述第一加热器之间的间隔在所述冲洗液供给操作中变为第一间隔，
其中，移动所述基板或所述第一加热器，使得所述基板和所述第一加热器之间的间隔在所述干燥操作中变为第二间隔，并且
其中，所述第二间隔小于所述第一间隔。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述处理液包括显影液。
20.根据权利要求18所述的方法，其中，位于所述基板上方的第二加热器在所述干燥操作中加热所述基板的中心区域。
21.一种基板处理装置，包括：
基板支撑单元，其配置成支撑所述基板；
液体供给单元，其配置成将液体供给到由所述基板支撑单元支撑的所述基板上；
加热单元，其配置成加热由所述基板支撑单元支撑的所述基板；以及
控制器，其配置成控制所述液体供给单元和所述加热单元，
其中，所述基板支撑单元包括：
支撑板，其具有用于放置所述基板的放置表面，并在所述放置表面上具有吸附孔；
真空构件，其配置成减小所述吸附孔的压力；以及
第一加热构件，其配置成加热被支撑在所述支撑板上的所述基板的周边区域，
其中，所述第一加热构件包括：
加热板，其在被支撑在所述支撑板上的所述基板下方围绕所述支撑板的外周；
第一加热器，其设置在所述加热板中；以及
升降构件，其配置成升降所述加热板和所述支撑板中的一个以调节所述加热板和所述支撑板之间的相对高度，并且
其中，所述升降构件按第一间隔或按小于所述第一间隔的第二间隔移动所述加热板和所述支撑板，
其中，所述控制器控制所述液体供给单元和所述加热单元以依次进行将所述处理液供给到所述基板上的处理液供给操作、将冲洗液供给到所述基板上的冲洗液供给操作以及去除所述基板上的所述冲洗液的干燥操作，所述控制器在所述冲洗液供给操作中将所述加热板和所述支撑板之间的间隔调节为第一间隔，并且在所述干燥操作中将所述加热板和所述支撑板之间的间隔调节为第二间隔。
22.根据权利要求21所述的基板处理装置，其中，所述放置表面具有小于所述基板的面积，并且
其中，所述加热板具有与所述支撑板的外径相对应的内径，并且具有与所述基板的外径相对应的圆环形状。
23.根据权利要求21或22所述的基板处理装置，还包括：
第二加热构件，其配置成加热被支撑在所述支撑板上的所述基板的中心区域，并且
其中，所述第二加热构件包括：
第二加热器，其位于被支撑在所述支撑板上的所述基板上方。
24.根据权利要求23所述的基板处理装置，其中，所述第二加热器具有圆板形状，所述圆板形状具有与所述放置表面相对应的直径。
CN201711044543.3A 2016-10-31 2017-10-31 用于处理基板的装置和方法 Active CN108022860B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160143129A KR101927699B1 (ko) 2016-10-31 2016-10-31 기판 처리 장치 및 방법
KR10-2016-0143129 2016-10-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108022860A CN108022860A (zh) 2018-05-11
CN108022860B true CN108022860B (zh) 2022-05-03

Family

ID=62020912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201711044543.3A Active CN108022860B (zh) 2016-10-31 2017-10-31 用于处理基板的装置和方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10682674B2 (zh)
KR (1) KR101927699B1 (zh)
CN (1) CN108022860B (zh)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10203604B2 (en) 2015-11-30 2019-02-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers
KR102030068B1 (ko) * 2017-10-12 2019-10-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN108333885A (zh) * 2018-02-08 2018-07-27 武汉华星光电技术有限公司 涂布装置
KR102099105B1 (ko) * 2018-07-18 2020-05-15 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP7213648B2 (ja) * 2018-09-27 2023-01-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102204884B1 (ko) * 2018-09-27 2021-01-19 세메스 주식회사 기판 반송 로봇 및 기판 처리 설비
US11215929B2 (en) 2018-10-30 2022-01-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Photoresist system and method
CN109860024B (zh) * 2019-01-04 2022-07-08 山东天岳先进科技股份有限公司 一种降低晶片表面颗粒度的清洁方法
KR102392039B1 (ko) * 2019-09-11 2022-04-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI718794B (zh) * 2019-10-08 2021-02-11 辛耘企業股份有限公司 濕製程裝置
KR102324610B1 (ko) 2019-12-26 2021-11-09 세메스 주식회사 기판 가열 유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20210086748A (ko) * 2019-12-30 2021-07-09 세메스 주식회사 기판 리프팅 방법 및 기판 처리 장치
WO2022027347A1 (zh) * 2020-08-05 2022-02-10 重庆康佳光电技术研究院有限公司 金属镓去除装置及金属镓去除方法
JP7361005B2 (ja) * 2020-09-18 2023-10-13 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、基板保持具、半導体装置の製造方法、及び、プログラム
KR20220103330A (ko) 2021-01-15 2022-07-22 삼성전자주식회사 웨이퍼 클리닝 장치 및 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101859693A (zh) * 2009-04-09 2010-10-13 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0529206A (ja) 1991-07-25 1993-02-05 Mitsubishi Electric Corp レジスト塗布装置
JPH05326483A (ja) 1992-05-15 1993-12-10 Sony Corp ウエハ処理装置およびウエハ一貫処理装置
JPH118227A (ja) 1997-06-17 1999-01-12 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の加熱処理装置及び加熱処理方法
JP2002057079A (ja) * 2000-06-26 2002-02-22 Unisem Co Ltd 半導体ウェーハベーク装置
JP2004536217A (ja) * 2000-10-03 2004-12-02 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド 金属蒸着のためのエントリーにあたって半導体基板を傾けるための方法と関連する装置
JP2002341167A (ja) * 2001-05-21 2002-11-27 Fuji Xerox Co Ltd 光伝送装置及びこれに用いる光シート保持部材
JP4252740B2 (ja) * 2001-06-04 2009-04-08 東京エレクトロン株式会社 膜形成方法及び膜形成装置
KR20040082101A (ko) 2003-03-18 2004-09-24 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 회전 건조 장치와 방법
JP2010069428A (ja) * 2008-09-19 2010-04-02 Panasonic Corp 除湿装置
DE102010054919A1 (de) * 2010-12-17 2012-06-21 Centrotherm Photovoltaics Ag Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Substraten
CN104205305B (zh) 2012-03-23 2017-03-08 斯克林集团公司 基板处理装置以及加热器清洗方法
JP5975563B2 (ja) 2012-03-30 2016-08-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN103398571B (zh) * 2013-07-24 2015-03-11 广东芬尼克兹节能设备有限公司 一种可高效回收有机废气的烘干系统
JP6195803B2 (ja) * 2014-05-02 2017-09-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6211478B2 (ja) * 2014-07-14 2017-10-11 東京エレクトロン株式会社 触媒層形成方法、触媒層形成システムおよび記憶媒体

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101859693A (zh) * 2009-04-09 2010-10-13 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10682674B2 (en) 2020-06-16
KR101927699B1 (ko) 2018-12-13
KR20180049310A (ko) 2018-05-11
US20180117641A1 (en) 2018-05-03
CN108022860A (zh) 2018-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108022860B (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR101798320B1 (ko) 기판 처리 장치
CN108803257B (zh) 液体供应单元、基板处理装置以及基板处理方法
KR102359530B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치, 그리고 용기 세정 방법
CN114488696A (zh) 用于处理基板的方法和装置
KR102315667B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
CN112170035B (zh) 喷嘴装置以及用于处理基板的装置和方法
CN107546153B (zh) 用于处理基板的装置和方法
KR101977752B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102343636B1 (ko) 기판 처리 장치
KR101884854B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102000010B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102010261B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR101958637B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR101935943B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법
KR20160076508A (ko) 기판 처리 장치
KR20170046486A (ko) 대기 포트 및 이를 가지는 기판 처리 장치
KR102298083B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR20210000355A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102315661B1 (ko) 기판 처리 방법 및 장치
KR102000011B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102289486B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20210316319A1 (en) Nozzle apparatus and apparatus for treating substrate
KR102243066B1 (ko) 기판 처리 장치
KR20180122518A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant