JPH0529206A - レジスト塗布装置 - Google Patents
レジスト塗布装置Info
- Publication number
- JPH0529206A JPH0529206A JP18621791A JP18621791A JPH0529206A JP H0529206 A JPH0529206 A JP H0529206A JP 18621791 A JP18621791 A JP 18621791A JP 18621791 A JP18621791 A JP 18621791A JP H0529206 A JPH0529206 A JP H0529206A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- resist
- semiconductor wafer
- resist coating
- heat source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ回転型のレジスト塗布装置において、
半導体ウエハの裏面洗浄を行うときに温度低下に起因し
てレジスト膜厚が不均一になるのを防ぐ。 【構成】 基板１の下面と対向する位置に、基板１の下
面を加熱する熱源１１を配置した。基板洗浄時に熱源１
１によって基板１の下面を加熱することで、裏面洗浄用
の揮発性溶剤により熱が奪われても基板１の各部温度は
略均一になる。したがって、基板温度を制御することが
できるようになるため、基板１に塗布されるレジストの
膜厚を基板全面にわたって略均一にすることができる。
半導体ウエハの裏面洗浄を行うときに温度低下に起因し
てレジスト膜厚が不均一になるのを防ぐ。 【構成】 基板１の下面と対向する位置に、基板１の下
面を加熱する熱源１１を配置した。基板洗浄時に熱源１
１によって基板１の下面を加熱することで、裏面洗浄用
の揮発性溶剤により熱が奪われても基板１の各部温度は
略均一になる。したがって、基板温度を制御することが
できるようになるため、基板１に塗布されるレジストの
膜厚を基板全面にわたって略均一にすることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハを製造す
る際に使用するレジスト塗布装置に関するものである。
る際に使用するレジスト塗布装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハにレジストを塗布す
るレジスト塗布装置としては、半導体ウエハを回転させ
てその上面に液状のレジストを塗布するように構成され
たものがある。この種の従来のレジスト装置を図４によ
って説明する。図４は従来のレジスト塗布装置の概略構
成を示す断面図である。同図において、１は半導体ウエ
ハとしてのシリコン等からなる基板、２はこの基板１を
固定する真空吸着チャックである。
るレジスト塗布装置としては、半導体ウエハを回転させ
てその上面に液状のレジストを塗布するように構成され
たものがある。この種の従来のレジスト装置を図４によ
って説明する。図４は従来のレジスト塗布装置の概略構
成を示す断面図である。同図において、１は半導体ウエ
ハとしてのシリコン等からなる基板、２はこの基板１を
固定する真空吸着チャックである。
【０００３】前記真空吸着チャック２は回転モータ３に
連結され、基板２を上面に吸着保持した状態で鉛直軸に
沿って回転するように構成されている。
連結され、基板２を上面に吸着保持した状態で鉛直軸に
沿って回転するように構成されている。
【０００４】４は裏面洗浄用ノズルで、この裏面洗浄用
ノズル４は、基板１の裏面に洗浄液を吹き付けて基板１
の裏面に付着したレジスト取り除くために設けられてお
り、真空吸着チャック２の側方であって基板１の裏面と
対向する位置に配置されている。なお、洗浄液として
は、酢酸ブチル，アセトン等の揮発性の高い溶剤が使用
される。
ノズル４は、基板１の裏面に洗浄液を吹き付けて基板１
の裏面に付着したレジスト取り除くために設けられてお
り、真空吸着チャック２の側方であって基板１の裏面と
対向する位置に配置されている。なお、洗浄液として
は、酢酸ブチル，アセトン等の揮発性の高い溶剤が使用
される。
【０００５】そして、上述した各部材はレジスト塗布カ
ップ（図示せず）内に収容されていた。
ップ（図示せず）内に収容されていた。
【０００６】次に、このように構成された従来のレジス
ト塗布装置の動作を説明する。レジストを基板１に塗布
するには、先ず、基板１を真空吸着チャック２に真空引
きにより固定する。そして、回転モータ３を駆動させて
基板１を真空吸着チャック２ごと所定回転数をもって所
定時間回転させ、レジストを基板１の上方から塗布す
る。基板１上に塗布されたレジストは、遠心力によって
基板１の径方向外側へ広がり、基板１の上面に全面にわ
たって塗り広がる。一方、レジスト塗布時には、裏面洗
浄用ノズル４から洗浄液を基板１の裏面に噴射させ、基
板１の裏面を洗浄する。
ト塗布装置の動作を説明する。レジストを基板１に塗布
するには、先ず、基板１を真空吸着チャック２に真空引
きにより固定する。そして、回転モータ３を駆動させて
基板１を真空吸着チャック２ごと所定回転数をもって所
定時間回転させ、レジストを基板１の上方から塗布す
る。基板１上に塗布されたレジストは、遠心力によって
基板１の径方向外側へ広がり、基板１の上面に全面にわ
たって塗り広がる。一方、レジスト塗布時には、裏面洗
浄用ノズル４から洗浄液を基板１の裏面に噴射させ、基
板１の裏面を洗浄する。
【０００７】上述したようにレジストが基板１の全面に
広がった後、回転モータ３を停止させる。このようにし
てレジスト塗布作業が終了する。
広がった後、回転モータ３を停止させる。このようにし
てレジスト塗布作業が終了する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかるに、従来のレジ
スト塗布装置によってレジストを塗布したのでは、必ず
しもレジスト膜の膜厚を基板１の全面にわたって均一に
することができなかった。これは、レジスト塗布時に基
板１の裏面を洗浄すると、溶剤の気化熱により基板１の
温度が急激に低下してしまうからであった。
スト塗布装置によってレジストを塗布したのでは、必ず
しもレジスト膜の膜厚を基板１の全面にわたって均一に
することができなかった。これは、レジスト塗布時に基
板１の裏面を洗浄すると、溶剤の気化熱により基板１の
温度が急激に低下してしまうからであった。
【０００９】また、基板１の外周部では、表面張力等の
影響で塗布膜厚が厚くなるという問題もあった。
影響で塗布膜厚が厚くなるという問題もあった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレジスト塗
布装置は、半導体ウエハの下面と対向する位置に、半導
体ウエハの下面を加熱する加熱装置を配置したものであ
る。
布装置は、半導体ウエハの下面と対向する位置に、半導
体ウエハの下面を加熱する加熱装置を配置したものであ
る。
【００１１】
【作用】裏面洗浄時に加熱装置によって半導体ウエハの
下面を加熱することで、ウエハ裏面洗浄用の揮発性溶剤
が揮発して半導体ウエハから熱が奪われても半導体ウエ
ハの各部温度は略均一になる。
下面を加熱することで、ウエハ裏面洗浄用の揮発性溶剤
が揮発して半導体ウエハから熱が奪われても半導体ウエ
ハの各部温度は略均一になる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１によって詳細
に説明する。図１は本発明に係るレジスト塗布装置の概
略構成を示す断面図で、同図において前記図４で説明し
たものと同一もしくは同等部材については、同一符号を
付し詳細な説明は省略する。図１において、１１は基板
１の裏面を加熱する加熱装置を構成する熱源である。こ
の熱源１１は、電熱源，赤外線源，温風源等によって構
成され、真空吸着チャック２に固定された基板１の下面
と対向する位置に設置されている。
に説明する。図１は本発明に係るレジスト塗布装置の概
略構成を示す断面図で、同図において前記図４で説明し
たものと同一もしくは同等部材については、同一符号を
付し詳細な説明は省略する。図１において、１１は基板
１の裏面を加熱する加熱装置を構成する熱源である。こ
の熱源１１は、電熱源，赤外線源，温風源等によって構
成され、真空吸着チャック２に固定された基板１の下面
と対向する位置に設置されている。
【００１３】また、この熱源１１における伝熱部分（熱
源１１の上面）の幅寸法は、真空吸着チャック２に固定
された基板１の下面全面と対向するように設定されてい
る。
源１１の上面）の幅寸法は、真空吸着チャック２に固定
された基板１の下面全面と対向するように設定されてい
る。
【００１４】このように構成されたレジスト塗布装置で
は、レジスト塗布，基板裏面洗浄等は従来と同様にして
行われる。そして、基板１の裏面を洗浄するときには洗
浄液が揮発することに起因して基板１の温度が急激に低
下する。本発明に係るレジスト装置では、基板１の温度
変化を±０．１℃以内程度に抑えるように前記温度変化
に応じて熱源１１が作動される。
は、レジスト塗布，基板裏面洗浄等は従来と同様にして
行われる。そして、基板１の裏面を洗浄するときには洗
浄液が揮発することに起因して基板１の温度が急激に低
下する。本発明に係るレジスト装置では、基板１の温度
変化を±０．１℃以内程度に抑えるように前記温度変化
に応じて熱源１１が作動される。
【００１５】したがって、基板洗浄時に熱源１１によっ
て基板１の下面を加熱することで、基板裏面洗浄用の洗
浄液が揮発して基板１から熱が奪われても基板１の各部
温度は略均一になる。このため、基板１上に塗布された
レジストは、その膜厚が基板１の全面にわたって略均一
となる。
て基板１の下面を加熱することで、基板裏面洗浄用の洗
浄液が揮発して基板１から熱が奪われても基板１の各部
温度は略均一になる。このため、基板１上に塗布された
レジストは、その膜厚が基板１の全面にわたって略均一
となる。
【００１６】また、本実施例では加熱装置を一つの熱源
によって構成し、その熱源を真空吸着チャックに固定さ
れた基板の下面全面に対向する幅寸法をもって形成した
が、図２に示すように熱源を基板の外周部のみに対向す
るように形成したり、図３に示すように加熱装置を複数
の熱源によって構成したりすることもできる。
によって構成し、その熱源を真空吸着チャックに固定さ
れた基板の下面全面に対向する幅寸法をもって形成した
が、図２に示すように熱源を基板の外周部のみに対向す
るように形成したり、図３に示すように加熱装置を複数
の熱源によって構成したりすることもできる。
【００１７】図２は基板の外周部に熱源を配置した他の
実施例を示す断面図、図３は加熱装置を複数の熱源によ
って構成した他の実施例を示す断面図である。これらの
図において前記図１で説明したものと同一もしくは同等
部材については、同一符号を付し詳細な説明は省略す
る。
実施例を示す断面図、図３は加熱装置を複数の熱源によ
って構成した他の実施例を示す断面図である。これらの
図において前記図１で説明したものと同一もしくは同等
部材については、同一符号を付し詳細な説明は省略す
る。
【００１８】図２に示された熱源１１は、基板１の下面
における外周部と対向する位置に配置されている。
における外周部と対向する位置に配置されている。
【００１９】この図２に示されたレジスト塗布装置で
は、レジスト塗布時に熱源１１によって基板外周部のみ
を１００℃程度まで加熱して基板１に温度差をつける。
これにより、基板１の外周部に表面張力によって溜まっ
たレジストの粘性が低下する。すなわち、基板外周部で
レジストが盛り上がるのを防ぐことができる。
は、レジスト塗布時に熱源１１によって基板外周部のみ
を１００℃程度まで加熱して基板１に温度差をつける。
これにより、基板１の外周部に表面張力によって溜まっ
たレジストの粘性が低下する。すなわち、基板外周部で
レジストが盛り上がるのを防ぐことができる。
【００２０】図３に示された熱源１１は、互いに独立し
たものが基板１の半径方向に沿って複数（本実施例では
４個）並べられている。そして、各熱源１１は、それぞ
れ異なる温度をもって基板１を加熱し、基板１の面内で
任意に温度差をつけて加熱できるように構成されてい
る。
たものが基板１の半径方向に沿って複数（本実施例では
４個）並べられている。そして、各熱源１１は、それぞ
れ異なる温度をもって基板１を加熱し、基板１の面内で
任意に温度差をつけて加熱できるように構成されてい
る。
【００２１】この図３に示されたレジスト塗布装置によ
れば、レジスト塗布時に基板外周部を特に高温となるよ
うに加熱し、かつ洗浄液が気化することに起因する基板
１の温度低下を防ぐように基板１全面を加熱することに
より、基板外周部も含め基板面内でのレジスト塗布膜厚
の均一性を向上させることができる。
れば、レジスト塗布時に基板外周部を特に高温となるよ
うに加熱し、かつ洗浄液が気化することに起因する基板
１の温度低下を防ぐように基板１全面を加熱することに
より、基板外周部も含め基板面内でのレジスト塗布膜厚
の均一性を向上させることができる。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るレジス
ト塗布装置は、半導体ウエハの下面と対向する位置に、
半導体ウエハの下面を加熱する加熱装置を配置したた
め、基板洗浄時に加熱装置によって半導体ウエハの下面
を加熱することで、ウエハ裏面洗浄用の揮発性溶剤が揮
発して半導体ウエハから熱が奪われても半導体ウエハの
各部温度は略均一になる。したがって、半導体ウエハの
温度を制御することができるようになるため、半導体ウ
エハに塗布されるレジストの膜厚を全面にわたって略均
一にすることができる。
ト塗布装置は、半導体ウエハの下面と対向する位置に、
半導体ウエハの下面を加熱する加熱装置を配置したた
め、基板洗浄時に加熱装置によって半導体ウエハの下面
を加熱することで、ウエハ裏面洗浄用の揮発性溶剤が揮
発して半導体ウエハから熱が奪われても半導体ウエハの
各部温度は略均一になる。したがって、半導体ウエハの
温度を制御することができるようになるため、半導体ウ
エハに塗布されるレジストの膜厚を全面にわたって略均
一にすることができる。
【図１】本発明に係るレジスト塗布装置の概略構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】基板の外周部に熱源を配置した他の実施例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】加熱装置を複数の熱源によって構成した他の実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
【図４】従来のレジスト塗布装置の概略構成を示す断面
図である。
図である。
１ 基板 ２ 真空吸引チャック ４ 裏面洗浄用ノズル １１ 熱源
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年７月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】前記真空吸着チャック２は回転モータ３に
連結され、基板１を上面に吸着保持した状態で鉛直軸に
沿って回転するように構成されている。
連結され、基板１を上面に吸着保持した状態で鉛直軸に
沿って回転するように構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係るレジス
ト塗布装置は、半導体ウエハの下面と対向する位置に、
半導体ウエハの下面を加熱する加熱装置を配置したた
め、基板洗浄時に加熱装置によって半導体ウエハの下面
を加熱することで、ウエハ裏面洗浄用の揮発性溶剤が揮
発して半導体ウエハから熱が奪われても半導体ウエハの
各部温度は略均一になる。また、特に半導体ウエハ外周
部のみを高温とすることで、レジストの盛り上がりを防
ぐことも可能となる。したがって、半導体ウエハの温度
を制御することができるようになるため、半導体ウエハ
に塗布されるレジストの膜厚を全面にわたって略均一に
することができる。
ト塗布装置は、半導体ウエハの下面と対向する位置に、
半導体ウエハの下面を加熱する加熱装置を配置したた
め、基板洗浄時に加熱装置によって半導体ウエハの下面
を加熱することで、ウエハ裏面洗浄用の揮発性溶剤が揮
発して半導体ウエハから熱が奪われても半導体ウエハの
各部温度は略均一になる。また、特に半導体ウエハ外周
部のみを高温とすることで、レジストの盛り上がりを防
ぐことも可能となる。したがって、半導体ウエハの温度
を制御することができるようになるため、半導体ウエハ
に塗布されるレジストの膜厚を全面にわたって略均一に
することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体ウエハを回転させてその上面にレ
ジストを適下し、かつ半導体ウエハの下面に揮発性溶剤
を吹き付けてウエハ下面を洗浄するレジスト塗布装置に
おいて、半導体ウエハの下面と対向する位置に、半導体
ウエハの下面を加熱する加熱装置を配置したことを特徴
とするレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18621791A JPH0529206A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | レジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18621791A JPH0529206A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | レジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529206A true JPH0529206A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16184421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18621791A Pending JPH0529206A (ja) | 1991-07-25 | 1991-07-25 | レジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529206A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012119536A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
| KR20180058390A (ko) * | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| US10682674B2 (en) | 2016-10-31 | 2020-06-16 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
-
1991
- 1991-07-25 JP JP18621791A patent/JPH0529206A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012119536A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Tokyo Electron Ltd | 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体 |
| US10682674B2 (en) | 2016-10-31 | 2020-06-16 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
| KR20180058390A (ko) * | 2016-11-24 | 2018-06-01 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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