JPS61235833A - 塗布装置 - Google Patents

塗布装置

Info

Publication number
JPS61235833A
JPS61235833A JP7653985A JP7653985A JPS61235833A JP S61235833 A JPS61235833 A JP S61235833A JP 7653985 A JP7653985 A JP 7653985A JP 7653985 A JP7653985 A JP 7653985A JP S61235833 A JPS61235833 A JP S61235833A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
photoresist
center
coated
coating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7653985A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideo Meguro
目黒 英男
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP7653985A priority Critical patent/JPS61235833A/ja
Publication of JPS61235833A publication Critical patent/JPS61235833A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、塗布技術、特に、半導体装置の製造において
、ウェハにフォトレジストを塗布する工程に適用して有
効な技術に関する。
[背景技術] 半導体装置の製造においては、たとえばシリコンなどか
らなる半導体基板、すなわちウェハに所定の半導体素子
を形成する過程で、通常光蝕刻法が用いられる。
この場合、ウェハに感光剤であるフォトレジスト溶液を
塗布する装置としては、次のようなものが考えられる。
すなわち、ウェハを水平に保持して回転させ、回転され
るウェハの中央部にフォトレジスト溶液を所定量だけ滴
下させ、遠心力によってフォトレジスト溶液をウェハの
全面にわたって分散させることにより、ウェハ表面に所
定の厚さのフォトレジスト膜を形成させるものである。
しかしながら、上記のフォトレジストの塗布においては
、回転されるウェハの中央部と周辺部で雰囲気に対する
相対的な速度が異なるため、粘性を調整するなどの目的
でフォトレジストに含まれる有機溶媒などの揮散速度が
、ウェハの中央部と周辺部で不均一となることは避けら
れない。
すなわち、フォトレジスト中の有機溶媒の揮散速度は、
雰囲気に対する相対的な速度のより大なウェハの周辺部
の方がウェハの中央部よりも大となり、ウェハの周辺部
に塗布されたフォトレジストの粘性がウェハの中央部の
フォトレジストの粘性よりも大となって、ウェハに形成
されるフォトレジストの膜厚が、ウェハの中央部が周辺
部に比較して薄くなりやすい。
この結果、後の、たとえば露光工程において、ウェハに
塗布されたフォトレジストに形成されるパターンの寸法
が、不均一なフォトレジストの膜厚に影響されてウェハ
の各部でばらつきを生じ、製品の歩留り低下の原因とな
るなどの不具合があることを本発明者は見いだした。
なお、ウェハに対するフォトレジストの塗布技術につい
て説明されている文献としては、株式会社工業調査会、
昭和56年11月IO日発行「電子材料J 1981年
別冊、P95〜P102がある。
[発明の目的] 本発明の目的は、均一な塗布膜を得ることが可能な塗布
技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
[発明の概要] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、つぎの通りである。
すなわち、回転台上に着脱自在に固定されて回転される
被塗布物に溶液を滴下することによって塗布を行う塗布
装置において、回転台上に位置される被塗布物の中央部
近傍に排気手段を設けることにより、回転される被塗布
物の中央部における溶液中の溶媒蒸気の揮散速度を制御
し、被塗布物の中央部と周辺部とにおける溶媒蒸気の揮
散速度を均一化することを可能にして、溶媒蒸気の揮散
速度のばらつきに起因して塗布膜厚が不均一となること
を防止したものである。
[実施例] 第1図は本発明の一実施例である塗布装置の断面図であ
り、第2図は、第1図において線■−■で示される方向
から見た図である。
塗布カップ1の中央部には、スピンチャック2(回転台
)が水平に位置され、このスピンチャック2の上には、
ウェハ3(被塗布物)が、たとえば真空吸着の方法で着
脱自在に固定され、スピンチャック2とともに回転され
るように構成されている。
さらに、スピンチャック2の上に位置されるウェハ3の
上方近傍には、ウェハ3に平行に遮風板4が設けられて
いる。
そして、前記遮風板4を貫通して滴下ノズル5がウェハ
3の中央部上方に突出され、所定量のフォトレジスト(
溶液)が、スピンチャック2に固定されて回転されるウ
ェハ3の中央部に滴下され、遠心力によってウェハ3の
全面に分散される構造とされている。
また、ウェハ3の中央部上方には、遮風板4を貫通する
複数の排気ノズル6 (yF気気膜段が、滴下ノズル5
の周囲に等間隔で配設され、ウェハ3の中央部の雰囲気
が外部に排出されるように構成されている。
この場合、複数の排気ノズル6は、たとえば真空ポンプ
などからなる排気制御機構(図示せず)に接続され、排
気ノズル6を通じて外部に排出される、ウェハ3の中央
部における雰囲気の量が所定の値に調整されるものであ
る。
このように、スピンチャック2の上に位置されるウェハ
3の中央部上方に排気ノズル6が設けられているため、
回転されつつあるウェハ3にフォトレジストが滴下され
、遠心力によってウェハ3の全面にわたって分散される
際に、排気ノズル6を通じてウェハ3の中央部の雰囲気
を適宜排気することにより、ウェハ3の中央部に塗布さ
れたフォトレジストからの有機溶媒蒸気の揮散速度を高
めることができ、雰囲気に対する相対的な速度の差に起
因して、ウェハ3の周辺部よりも中央部における有機溶
媒蒸気の揮散速度が低下することが防止される。
この結果、ウェハ3に塗布されたフォトレジストからの
有機溶媒蒸気の揮散速度の差、従ってフォトレジストの
粘性の差によってウェハ3の中央部と周辺部におけるフ
ォトレジストの膜厚が不均一になることが防止される。
また、ウェハ3の上方近傍に遮風板4を設けることによ
り、塗布カップ1の底部に設けられたダクト7を通じて
塗布カップ1内の排気が行われる際に、塗布カップ1の
上部開放端から塗布カップ1内に流入される外気がウェ
ハ3の表面に直接衝突してウェハ3の表面に形成される
フォトレジスト膜にしわなどが発生されることが防止さ
れる。
さらに、スピンチャック2は塗布カップlの底部を貫通
する回転軸8を介してサーボモータ9(駆動部)に接続
され、所定の回転数で回転されるように構成されている
前記サーボモータ9は、たとえば数値制御機構(図示せ
ず)などによって制御され、回転数や、所定の回転数に
達するまでの時間などが任意に調゛整可能なものである
この場合、回転軸8の全長の一部には、たとえばゴムな
どの比較的熱伝導性の低い物質を介在させることによっ
て回転軸8の軸方向に熱の移動を妨げる断熱継手10が
設けられ、サーボモータ9の動作時に発生される熱が回
転軸8を通じてスピンチャック2に伝達されることが防
止されるように構成されている。
このように、スピンチャック2が、このスピンチャック
2を回転させるサーボモータ9から熱的に絶縁されるこ
とにより、スピンチャック2の上に位置されるウェハ3
がサーボモータ9の熱に影響されて温度分布が不均一に
なることが防止され、ウェハ3内の不均一な温度分布に
起因してウェハ3に形成されるフォトレジストの膜厚に
ばらつきを生じることが防止される。
また、遮風板4は、この遮風板4を貫通する滴下ノズル
5および複数の排気ノズル6とともに昇降自在に構成さ
れ、塗布カップ1の上部開放端からスピンチャック2上
へのウェハ3の装着および取り出しが自在におこなわれ
る構造とされている。
以下、本実施例の作用について説明する。
始めに、遮風板4は上昇され、塗布カップ1の上部から
ウェハ3がスピンチャック2の上に位置され、真空吸着
の方法で固定される。
次に、遮風板4は降下され、スピンチャック2の上に固
定されるウェハ3の上方近傍の所定位置に停止される。
そして、滴下ノズル5から所定量のフォトレジストがウ
ェハ3の表面に滴下される。
所定時間経過後、塗布カップ1の底部に設けられたダク
ト7を通じて塗布カップ1内の排気が行われるとともに
、ウェハ3が固定されたスピンチャック2は回転軸8を
介してサーボモータ9によって所定の回転数で回転され
、ウェハ3の上に滴下されたフォトレジストは遠心力に
よってウェハ3の全面にわたって分散される。
このとき、ウェハ3の中央部上方に設けられた複数の排
気ノズル6を通じてウェハ3の中央部の雰囲気が所定の
排気流量で外部に排出される。
このように、回転されつつあるウェハ3にフォトレジス
トが滴下され、遠心力によってウェハ3の全面にわたっ
て分散される際に、ウェハ3の中央部上方に設けられた
排気ノズル6を通じてウェハ3の中央部の雰囲気を適宜
排気することにより、ウェハ3の中央部に塗布されたフ
ォトレジストからの有機溶媒蒸気の揮散速度を高めるこ
とができ、雰囲気に対するウェハ3の各部の相対的な速
度の差に影響されることなく、ウェハ3の周辺部および
中央部における有機溶媒蒸気の揮散速度が均一化される
この結果、ウェハ3に塗布されたフォトレジストからの
有機溶媒蒸気の揮散速度の差、従ってフォトレジストの
粘性の差によってウェハ3の中央部と周辺部におけるフ
ォトレジストの膜厚が不均一になることが防止され、ウ
ェハ3の表面には、均一な膜厚のフォトレジスト膜が形
成される。
また、ウェハ3の上方近傍に遮風板4が位置されている
ことにより、塗布カップ1の底部に設けられたダクト7
を通じて行われる塗布カップl内の排気操作によって、
塗布カップ1の上部開放端から塗布カップ1内に流入さ
れる外気がウェハ3の表面に直接衝突してウェハ3の表
面に形成されるフォトレジスト膜にしわなどが発生され
ることが防止される。
さらに、ウェハ3を固定して回転させるスピンチャック
2は、スピンチャック2にサーボモータ9の回転を伝達
する回転軸8の途中に設けられた断熱継手lOによって
サーボモータ9から熱的に絶縁されており、スピンチャ
ック2の上に位置されるウェハ3がサーボモータ9の動
作時に発生される熱に影響されて温度分布が不均一にな
ることが防止され、ウェハ3内の不均一な温度分布に起
因してウェハ3に形成されるフォトレジストの膜厚にば
らつきを生じることが防止される。
所定の時間経過後、スピンチャック2の回転は停止され
、真空吸着によるウェハ3のスピンチャック2に対する
固定状態が解除されるとともに、遮風板4は上昇され、
フォトレジスト膜が全面にわたって均一に形成されたウ
ェハ3は塗布カップ1の外部に取り出される。
上記の一連の操作を繰り返すことによって、多数のウェ
ハ3に均一なフォトレジスト膜が形成される。
なお、上記の説明では、ウェハ3の中央部に設けられた
排気ノズル6の排気量を、ウェハ3に形成されるフォト
レジストの膜厚が全面にわたって均一になるように制御
する場合について説明したが、それに限らず、たとえば
、試験研究等のために、故意に排気ノズル6からの排気
量を所定の値だけ過大または過小に設定して、ウェハ3
の表面に任意の膜厚分布を有するフォトレジスト膜を形
成するようにすることも可能である。
[効果] (1)、駆動部によって回転される回転台上に着脱自在
に固定されて回転される被塗布物に溶液を滴下すること
によって塗布を行う塗布装置の、回転台上に位置される
被塗布物の中央部近傍に排気手段が設けられているため
、回転される被塗布物の中′   央部における溶液中
の溶媒蒸気の揮散速度を制御することによって、被塗布
物の中央部と周辺部とにおける溶媒蒸気の揮散速度を均
一化することが可能となり、溶媒蒸気の揮散速度のばら
つきに起因して塗布膜厚が不均一となることを防止し、
被塗布物に均一な厚さの塗布膜を得ることができる。
(2)、被塗布物の近傍に、被塗布物に平行な遮風板が
設けられていることにより、被塗布物に対する溶液の塗
布の際に行われる排気操作によって形成される気流が被
塗布物に直接衝突することが防止され、被塗布物の表面
に形成される溶液の膜にしわなどが発生することが防止
される。
(3)0回転台を回転させる駆動部と回転台との間が熱
的に絶縁されていることにより、駆動部の動作時に発生
される熱が回転台に伝達されることが防止され、回転台
上に位置される被塗布物の温度分布が不均一になること
が回避でき、被塗布物における不均一な温度分布に起因
する溶液の塗布膜厚のばらつきの発生が防止される。
(4)、前記+11〜(3)の結果、ウェハに均一なフ
ォトレジスト膜が形成され、製品の歩留りが向上される
(5)、前記+11の結果、被塗布物に形成される溶液
の塗布膜厚の分布を任意に制御でき、塗布技術に関する
試験研究が容易に行える。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、排気ノズルは複数に限らず、一つであっても
よい。
[利用分野] 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハのフォトレジ
スト塗布技術に適用した場合について説明したが、それ
に限定されるものではなく、板状の物品に溶液の均一な
塗布膜を形成することが必要とされる技術に広く適用で
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である塗布装置の断面図、 第2図は第1図において線■−■で示される方向から見
た図である。 l・・・塗布カップ、2・・・スピンチャック(回転台
)、3・・・ウェハ(被塗布物)、4・・・遮風板、5
・・・滴下ノズル、6・・・排気ノズル(排気手段)、
7・・・ダクト、8・・・回転軸、9・・・サーボモー
タ(駆動部)、10・・・断熱継手。 ↓

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、駆動部によって回転される回転台上に着脱自在に固
    定されて回転される被塗布物に溶液を滴下することによ
    って塗布を行う塗布装置であって、回転台上に位置され
    る被塗布物の中央部近傍に排気手段が設けられているこ
    とを特徴とする塗布装置。 2、前記被塗布物の近傍に、該被塗布物に平行な遮風板
    が設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の塗布装置。 3、前記回転台を回転させる駆動部と回転台との間が熱
    的に絶縁されていることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の塗布装置。 4、前記溶液がフォトレジストであることを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の塗布装置。 5、前記被塗布物がウェハであることを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の塗布装置。
JP7653985A 1985-04-12 1985-04-12 塗布装置 Pending JPS61235833A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7653985A JPS61235833A (ja) 1985-04-12 1985-04-12 塗布装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7653985A JPS61235833A (ja) 1985-04-12 1985-04-12 塗布装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS61235833A true JPS61235833A (ja) 1986-10-21

Family

ID=13608071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7653985A Pending JPS61235833A (ja) 1985-04-12 1985-04-12 塗布装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61235833A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS64737A (en) * 1987-03-27 1989-01-05 Toshiba Corp Applicator for resist
JPH0360761A (ja) * 1989-07-31 1991-03-15 Hitachi Ltd 塗布装置および塗布方法
US5378511A (en) * 1993-03-22 1995-01-03 International Business Machines Corporation Material-saving resist spinner and process
US5449405A (en) * 1991-10-29 1995-09-12 International Business Machines Corporation Material-saving resist spinner and process
JP2009158767A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Tokyo Electron Ltd 回転塗布装置
JP2013080012A (ja) * 2011-09-30 2013-05-02 Hoya Corp 眼鏡レンズ用塗布液塗布装置
JP2013080013A (ja) * 2011-09-30 2013-05-02 Hoya Corp 眼鏡レンズ用塗布液塗布装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS64737A (en) * 1987-03-27 1989-01-05 Toshiba Corp Applicator for resist
JPH0360761A (ja) * 1989-07-31 1991-03-15 Hitachi Ltd 塗布装置および塗布方法
US5449405A (en) * 1991-10-29 1995-09-12 International Business Machines Corporation Material-saving resist spinner and process
US5378511A (en) * 1993-03-22 1995-01-03 International Business Machines Corporation Material-saving resist spinner and process
JP2009158767A (ja) * 2007-12-27 2009-07-16 Tokyo Electron Ltd 回転塗布装置
JP2013080012A (ja) * 2011-09-30 2013-05-02 Hoya Corp 眼鏡レンズ用塗布液塗布装置
JP2013080013A (ja) * 2011-09-30 2013-05-02 Hoya Corp 眼鏡レンズ用塗布液塗布装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100414551B1 (ko) 레지스트도포방법및레지스트도포장치
JP3276449B2 (ja) 回転塗布方法
US6303526B1 (en) Temperature controlled spin chuck
US6322626B1 (en) Apparatus for controlling a temperature of a microelectronics substrate
JPH0734890B2 (ja) スピン・コーティング方法
JPS61235833A (ja) 塗布装置
JP3330324B2 (ja) レジスト塗布方法およびレジスト塗布装置
US20030205196A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JPH021113A (ja) レジスト処理装置
JPS61125017A (ja) 塗布装置
JP3029767B2 (ja) 薄膜形成装置
JP3194815B2 (ja) レジスト塗布装置
JP2002110513A (ja) 液状膜乾燥方法及び液状膜乾燥装置
JP2975140B2 (ja) 回転処理装置
JP2802636B2 (ja) 塗布装置及び塗布方法
JPS6226817A (ja) スピンナ−装置
JP2840182B2 (ja) 基板への回転式塗布方法並びに基板への回転式塗布装置
JPH1012536A (ja) 基板熱処理装置
JP2649156B2 (ja) レジスト塗布装置と方法
JPH08168715A (ja) 回転式塗布装置および回転式塗布方法
JP2533401B2 (ja) 回転式塗布装置
JPH10275761A (ja) レジスト塗布方法及びレジスト塗布装置
JPS61206224A (ja) レジスト塗布装置
US20240118621A1 (en) Substrate treating apparatus
JP3067177B2 (ja) 回転塗布装置