JP2009158767A - 回転塗布装置 - Google Patents

Abstract

【課題】スループットを向上させることが可能な回転塗布装置を提供すること
【解決手段】基板Ｗを保持し、基板Ｗとともに回転可能な基板保持部１と、基板保持部１に保持された基板Ｗの外方を囲み、基板Ｗを収容する収容体２と、収容体２の上方に設けられた、基板Ｗの径よりも小さい径を有する開口部３ａを中央部分に備えた蓋体３と、蓋体３と収容体２との間に配置され、収容体２の中と収容体２の外とを、収容体２に収容された基板Ｗの外周部Ｗａの上方を介して連通させる複数の筒状気流案内路４と、を具備する。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体ウエハやＦＰＤ等の基板に対して回転塗布膜を形成する回転塗布装置に関する。

半導体デバイスやＦＰＤの製造プロセスにおいては、半導体ウエハ又はガラス基板等の被処理基板上にレジスト膜やＳＯＤ膜を形成する膜形成処理が行われる。この膜形成処理においては、レジスト膜やＳＯＤ膜となる塗布液を被処理基板上に塗布する塗布処理が行われる。塗布処理は、回転塗布装置で行われ、塗布液を被処理基板上に滴下し、被処理基板を回転させ、遠心力を利用することで塗布液を被処理基板上に広げる。さらに、被処理基板を回転させ、塗布液を回転乾燥することでレジスト膜やＳＯＤ膜、いわゆる回転塗布膜が被処理基板上に形成される。このような回転塗布膜を形成する回転塗布装置は、例えば、特許文献１、２に記載されている。
特開２００３−１７９０４１号公報 特開２００５−２３５９５０号公報

しかしながら、回転塗布装置は、被処理基板を回転させて塗布液を乾燥させる。この乾燥の際、回転速度が速すぎると、被処理基板の外周部分に回転塗布膜の膜厚乱れが生じる。このため、乾燥の際には回転速度を低く抑えるようにしている。

外周部分における膜厚の乱れは、ウエハ径が大きくなるにつれて顕著に現れるようになってきており、ウエハ径が大きくなるに従って、回転速度はより低く抑えなければならない傾向にある。例えば、直径が３００ｍｍのウエハでは、回転速度を１０００以上２０００ｒｐｍ未満の範囲に抑えている。

しかしながら、回転速度を抑えると乾燥に時間がかかることになる。ウエハの大口径化は進展しているが、現状のまま、大口径化の進展に伴って回転速度を下げ続けていくと、スループット向上の妨げになりかねない。

この発明は、スループットを向上させることが可能な回転塗布装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、この発明の一態様に係る回転塗布装置は、基板を保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の外方を囲み、前記基板を収容する収容体と、前記収容体の上方に設けられた、前記基板の径よりも小さい径を有する開口部を中央部分に備えた蓋体と、前記蓋体と前記収容体との間に配置され、前記収容体の中と前記収容体の外とを、前記収容体に収容された前記基板の外周部の上方を介して連通させる複数の筒状気流案内路と、を具備する。

この発明によれば、スループットを向上させることが可能な回転塗布装置を提供できる。

以下、この発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。この説明においては、この発明を半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）にレジスト膜を形成する回転塗布装置に適用した場合について示す。

図１は、この発明の一実施形態に係る回転塗布装置の一例を概略的に示す断面図である。

図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１００は、ウエハＷを保持し、ウエハＷとともに回転可能な基板保持部１と、基板保持部１に保持されたウエハＷの外方を囲み、ウエハＷを収容する収容体（以下カップという）２と、カップ２の上方に設けられた、ウエハＷの径よりも小さい径を有する開口部３ａを中央部分に備えた蓋体３と、蓋体３とカップ２との間に配置され、カップ２の中とカップ２の外とを、カップ２に収容されたウエハＷの外周部Ｗａの上方を介して連通させる複数の筒状気流案内路４と、を備える。

本例の基板保持部１は、スピンチャック１ａである。スピンチャック１ａの基板載置面１ｂは水平に形成されており、この基板載置面１ｂには、例えば、ウエハＷを吸着するための図示せぬ吸引口が設けられている。ウエハＷは、基板載置面１ｂ上に水平に吸着保持される。基板載置面１ｂの反対側の面には回転軸１ｃが接続されている。回転軸１ｃは図示せぬ回転駆動機構に接続されており、回転軸１ｃを回転させることで、基板載置面１ｂ上に吸着保持されたウエハＷが所望の回転速度で回転される。

カップ２は、ウエハＷの外周部との間に環状の隙間２ｄを持って配置され、ウエハＷの外方を囲む外周壁２ａと、底板２ｂとを備える。底板２ｂには排気管２ｃが接続されている。排気管２ｃは図示せぬ排気機構に接続されており、排気機構を動作させることでカップ２の内部を排気する。

蓋体３はカップ２に対して着脱自在である。例えば、ウエハＷを基板保持部１に保持させるときには、蓋体３をカップ２から離脱させる。また、ウエハＷに塗布膜を形成するときには、蓋体３をカップ２に装着する。

筒状気流案内路４は本例では蓋体３に固定されており、蓋体３とともにカップ２から離脱され、また、蓋体３とともにカップ２に装着される。

図２Ａは筒状気流案内路４付の蓋体３の一例を示す平面図、図２Ｂは図２Ａ中の矢印２Ｂ方向から見た側面図である。

図２Ａに示すように、本例では筒状気流案内路４は円形の蓋体３に合計８本設けられており、それぞれ０°、４５°、９０°、１３５°、１８０°、２２５°、２７０°、３１５°の位置に設けられている。なお、筒状気流案内路４の数は８本に限られることはなく、任意である。筒状気流案内路４の数は、回転塗布装置のサイズや回転速度等を勘案して適宜決められれば良い。筒状気流案内路４どうしの間は、本例では塞がずに隙間のままとしている。筒状気流案内路４どうしの間は塞がれても良い。ただし、筒状気流案内路４どうしの間を隙間のまま、とすると、この隙間からも、ウエハＷ上方の気流をカップ２の外に排気することができるので、ウエハＷ上の気体密度をより下げやすい、という利点を得ることができる。

図１に戻り、蓋体３の中央部分に形成された開口部３ａの上方には、ウエハＷに対して所望の塗布液、本例ではレジスト液を滴下する塗布液供給ノズル５が設けられている。塗布液供給ノズル５は、例えば、開口部３ａを介して基板保持部１に保持されたウエハＷ上に、塗布液を滴下する。塗布液供給ノズル５は、回転塗布装置１００に一体に組み込まれても良いし、外付けの機構として回転塗布装置１００に取り付けられても良い。

さらに、一実施形態に係る回転塗布装置１００は、ケーシング６の内部に収容されている。ケーシング６の上部には図示せぬファン・フィルター・ユニット（ＦＦＵ）からの気流を、ケーシング６の側部に設けられた導入口６ａを介して導入する気流導入部６ｂが設けられている。気流導入部６ｂは、清浄空気をケーシング６の内部にダウンフローで供給する。ダウンフローで供給された清浄空気は、開口部３ａを介してカップ２の内部に導入される。カップ２の内部に導入された清浄空気は、基板保持部１に保持されたウエハＷの上面上を通り、カップ２の外周壁２ａとウエハＷとの間の円環状の隙間２ｄを介してウエハＷの下方に導かれる。ウエハＷの下方に導かれた空気は排気管２ｃを介してカップ２の外に排気される。

また、ケーシング６の底部にも排気管６ｃが接続されている。ケーシング６の内部に導入された清浄空気は、排気管６ｃを介してケーシング６の外に排気される。筒状気流案内路４の先端４ａはカップ２の内部にあるが、その末端４ｂはカップ２の外、本例ではケーシング６の内部にある。この構成により、カップ２の内部から筒状気流案内路４に入った清浄空気は、カップ２の内部に接続された排気管２ｃだけではなく、ケーシング６の内部に接続された排気管６ｃを介してカップ２の外に排気することができる。

また、ケーシング６の側部には、基板搬入出口６ｄが形成されており、ウエハＷは、基板搬入出口６ｄを介してケーシング６の内部に対して搬入出される。

次に、一実施形態に係る回転塗布装置１００による利点の一例を、図３Ａ及び図３Ｂを参照し、参考例と対比させながら説明する。

図３Ａは、この発明の参考例に係る回転塗布装置を示す断面図、図３Ｂはこの発明の一実施形態に係る回転塗布装置を示す断面図である。

図３Ａに示す参考例が、図３Ｂに示す一実施形態と異なるところは、筒状気流案内路４がなく、代わりに蓋体３とカップ２との間に密閉部材７が挿入されていることである。

図４Ａ乃至図４Ｃは、カップ２の内部に収容されたウエハＷの上面上に発生する気流の例を示す平面図であり、それぞれ停止時、低速回転時（１０００乃至２０００ｒｐｍ未満）、及び高速回転時（３０００ｒｐｍ）に発生する気流の様子を概略的に示している。なお、図４Ａ乃至図４Ｃはそれぞれ、便宜上、理想状態での気流を示している。実際には、カップ２の内部形状等で気流の状態が様々に変化することがあることを予め断っておく。

図４Ａに示すように、基板保持部１が停止している時においては、開口部３ａからカップ２の内部に導入された清浄空気の気流は、ウエハＷの外周に向かって均等、かつ、直線的に流れる。気流の流線１０は直線である。

基板保持部１が回転、例えば、時計回りの方向に回転しだすと、上記気流は回転するウエハＷに影響されて時計回りの方向にずれ出す。

図４Ｂに示すように低速回転時には、流線１０のずれ量が小さいので、流線１０はまだ直線に近い。この状態では、図５Ａに示すように、ウエハＷ上の塗布膜１１には膜厚の乱れ、特に、ウエハＷの周縁部にある平坦度が保証されていないエッジ除外領域（Ｅｄｇ Ｅｘｃｌｕｓｉｏｎ）を除いては膜厚の乱れがない。

さらに回転速度を上げていくと、図４Ｃに示すように、流線１０のずれ量が大きくなり、流線１０は渦巻き状となる。この状態では、図５Ｂに示すように、ウエハＷ上の塗布膜１１に風紋状の膜厚の乱れ１２が、エッジ除外領域以外の領域に発生しだす。エッジ除外領域以外の領域（平坦度が保証されている領域）は、半導体集積回路装置のチップパターンが描画されるところである。このような領域に膜厚の乱れ１２が発生すると、半導体集積回路装置の歩留りを低下させる原因となる。膜厚の乱れ１２は、例えば、ウエハ径が３００ｍｍのとき、回転速度が２０００ｒｐｍ以上になると発生しだし、回転速度が３０００ｒｐｍのときには目視できる状態まで大きくなる。

そこで、参考例に係る装置では回転速度を下げる、例えば、回転速度を２０００ｒｐｍ未満とすることで、膜厚の乱れ１２がウエハＷの平坦度が保証されている領域に発生しない、又は及ばないように工夫している。

しかしながら、上記膜厚の乱れ１２は、ウエハ径が大きくなるにつれて顕著に現れるようになってきており、ウエハ径が大きくなるに従って、回転速度はより低く抑えなければならない傾向にある。例えば、ウエハ径が４５０ｍｍでは、回転速度を８００ｒｐｍ以上にすると、上記膜厚の乱れ１２が発生する。このまま、回転速度を抑えつづけていくと、ウエハ径が大きくなるにつれて、乾燥時間が加速度的に長引くことが予想される。径が大きいウエハでは塗布膜１１の面積が大きいので、ただでさえ乾燥させづらい。これに加えて回転速度が抑え続けられていけば、やがては、塗布膜１１の乾燥のために半導体集積回路装置のスループットに影響を与えかねない。

図３Ａに示す参考例では、カップ２の内部に導入される清浄空気の量を開口部３ａで制限しているので、蓋体３が無い場合に比較すれば気体密度は減り、膜厚の乱れは発生し難い。しかしながら、カップ２の内部導入された清浄空気は、カップ２の中からしか排気することができない。しかも、開口部３ａから導入された清浄空気は、ウエハＷの外周にある隙間２ｄを通って排気されるから、カップ２の内部の気体密度は、隙間２ｄの近傍、即ち、ウエハＷの外周付近で一気に上がる。これは、例えば、図３Ａに示すように、カップ２の内部の上方に一旦拡がった空気までもが隙間２ｄに吸引されるからである。このため、ウエハＷの外周部Ｗａ付近は気体密度が上がりやすく、膜厚の乱れが発生しやすい。

そこで、本件発明者等は、まず、カップ２の内部の気体密度に着目した。

図３Ｂは一実施形態を示しているが、一実施形態では、複数の筒状気流案内路４を、蓋体３とカップ２との間に配置した。これにより、カップ２の内部に導入された清浄空気を、カップ２の排気管２ｃばかりでなく、筒状気流案内路４からも排気することができる。

さらに、筒状気流案内路４を、ウエハＷの外周部Ｗａの上方に設け、筒状気流案内路４に取り込まれた空気については、ウエハＷの外周部Ｗａには戻らない構造とした。つまり、筒状気流案内路４は羽根板等とは異なり、ウエハＷと気流案内路との間に底板がある構造である。気流案内路を底板がある構造、本例では筒状気流案内路４とすることで、取り込まれた空気がウエハＷの外周部Ｗａに戻らない構造にできる。

この構成により、カップ２の内部の気体密度が隙間２ｄの近傍、即ち、ウエハＷの外周付近で一気に上がってしまう事情を改善した。

図６は、一実施形態に係る装置におけるウエハＷの上面上に発生する気流の例を示す平面図である。なお、図６に示す気流の例は、図４Ｃに対応しており、ウエハ径が３００ｍｍ、回転速度が３０００ｒｐｍの状態である。

図６に示すように、筒状気流案内路４を設けることで、この筒状気流案内路４に取り込まれた空気は、流線１０ａに示すようにウエハＷの上面上に戻ることなく排気できる。よって、気体密度が隙間２ｄの近傍、即ち、ウエハＷの外周付近で一気に上がってしまう事情を改善できる。

この結果、図７に示すように、径が３００ｍｍのウエハＷを、２０００ｒｐｍ以上、本例では３０００ｒｐｍの回転速度で回転させても、塗布膜１１に発生する膜厚の乱れを、少なくともエッジ除外領域以外の領域（平坦度が保証されている領域）には発生しように抑制することができた。

さらに、本件発明者等は、カップ２の内部における気流の乱れやすさにも着目した。

回転に伴うウエハの移動量は、ウエハＷの中心付近からウエハＷの外側に向かって大きくなる。このため、カップ２の内部における気流は、ウエハＷの中心よりも外側の方が乱れやすい傾向になる。

そこで、一実施形態では、筒状気流案内路４の先端（空気取り込み口）４ａを、開口部３ａから後退させ、蓋体３の下で、かつ、ウエハＷの上面上に配置するようにした。

先端（空気取り込み口）４ａを開口部３ａから後退させることで、例えば、ウエハＷの回転に伴ってウエハＷの上面上方で乱れだした気流を、先端（空気取り込み口）４ａから取り込み、ウエハＷの上面に戻すことなく、そのままカップ２の外へ排気することができる。

この構成により、乱れた気流を、そのままカップ２の外に排気でき、カップ２の内部の気流の乱れについても、より小さく抑えることができる。カップ２の内部の気流の乱れを小さく抑えられることで、塗布膜１１の膜厚の乱れを、より発生し難くすることが可能となる。

例えば、筒状気流案内路４の先端（空気取り込み口）４ａは、図８Ａに示すように、開口部３ａと一致させても、カップ２の内部の気体密度を抑制できる効果があるから、筒状気流案内路４が無い装置に比較すれば、回転速度を上げても塗布膜１１に膜厚の乱れが発生することを抑制することができる。

さらに、回転速度を上げたいのであれば、図８Ｂに示すように、筒状気流案内路４の先端（空気取り込み口）４ａを開口部３ａから後退させて取り付けるようにすると良い。後退させる位置の一例は、例えば、カップ２の内部において気流が乱れやすい箇所である。先端（空気取り込み口）４ａを気流が乱れやすい箇所に配置することで、カップ２の内部で乱れてしまった気流を、そのままカップ２の外に排気できる。これにより、カップ２の内部における気流の乱れをより小さく抑えることができる。気流の乱れが小さく抑えられることで、回転速度をより速くしても、塗布膜１１に膜厚の乱れが発生し難くすることが可能となる。

なお、回転速度を速くすることにより、筒状気流案内路４内で、先端４ａから末端４ｂに流れる気流と、反対に末端４ｂから先端４ａに流れる気流とが発生することがあるが、この場合にも、双方の気流は、ウエハＷの外周部Ｗａには流れ込まない。よって、上記先端４ａから末端４ｂに流れる気流と、反対に末端４ｂから先端４ａに流れる気流とが発生した場合にも、ウエハＷの外周部Ｗａに直接に影響を与えることはない。

このように、一実施形態に係る回転塗布装置１００によれば、回転速度を上げても、塗布膜に膜厚の乱れが発生することを抑制できる。回転速度を上げることができる結果、例えば、塗布膜の乾燥時間を短く抑えることができる。乾燥時間を短く抑えることができることで、例えば、半導体集積回路装置のスループットを向上させることが可能となる。

例えば、一実施形態に係る回転塗布装置１００によれば、直径が３００ｍｍのウエハＷの場合には、ウエハＷを２０００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させ、ウエハＷ上に塗布された塗布液を乾燥させても、塗布膜１１に膜厚の乱れが発生することを抑制できる。さらに、直径が４５０ｍｍのウエハＷの場合には、ウエハＷを８００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させ、半導体ウエハ上に塗布された塗布液を乾燥させても、塗布膜１１に膜厚の乱れが発生することを抑制できる。

次に、一実施形態に係る回転塗布装置の変形例を説明する。

一実施形態に係る回転塗布装置１００においては、例えば、図２Ａ及び図２Ｂによく示したように、筒状気流案内路４を、蓋体３の中心から放射状に配置した。

しかしながら、筒状気流案内路４は、例えば、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、蓋体３の中心から放射状に延びる線１４上から傾けて配置するようにしても良い。蓋体３の中心から傾けて配置する場合の一例は、筒状気流案内路４をウエハＷの上方の気流を乱さない方向に配置することである。気流を乱さない方向に配置することの一例は、例えば、図１０Ａ乃至図１０Ｃに示すように、基板保持部に保持されたウエハＷの上方に発生する気流に対して、筒状気流案内路４を接線方向に配置することである。

図１０Ａ乃至図１０Ｃには、気流を流線１０で示しており、筒状気流案内路４は図１０Ａ乃至図１０Ｃに示すいずれの例においても流線１０の接線方向に配置されている。筒状気流案内路４を接線方向に配置する場合には、例えば、先端（取り込み口）４ａを、上記接線１５に対して垂直に向けることである。

この場合の流線１０であるが、これは達成したい回転速度の流線１０に合わせると良い。例えば、図１０Ａは流線１０のずれ量が小さい例、つまり達成したい回転速度を低く抑えた場合の例が示されており、図１０Ｂは流線１０のずれ量が大きい例、つまり達成したい回転速度を図１０Ａに示す例よりも速くした場合の例が示されている。

さらには、達成したい回転速度は同じでも、カップ２の内部の構造によっては、カップ２の内部において気流が乱れやすい箇所が異なってくる。この場合には、例えば、先端（取り込み口）４ａの位置をずらすことになるが、ずらした場合には、図１０Ｂと図１０Ｃに示すように、自ずと筒状気流案内路４の傾き方が変わる。いずれにせよ、図１０Ａ乃至図１０Ｃに示す例は全て、先端（取り込み口）４ａを、上記接線１５に対して垂直に向けた例である。

図１１Ａ乃至図１１Ｃは、筒状案内路４の例を示す斜視図である。

一実施形態に係る回転塗布装置１００においては、図１１Ａに示すように、筒状気流案内路４を円筒形の管とした。

しかしながら、筒状気流案内路４は円筒形の管に限られるものではなく、例えば、図１１Ｂに示すように、角筒型の管であっても良い。

さらに、筒状気流案内路４は、ウエハＷの外周部へ空気が戻らないように、ウエハとの間に底板が配置されるような形状であれば良いことに鑑み、例えば、図１１Ｃに示すように、樋型の部材が用いられても良い。筒状気流案内路４が樋型の部材で構成されても、図１２に示す斜視図のように、蓋体３に取り付けられれば、開放された上部が蓋体３で閉じられ、下部についてはそのまま底板として機能する。よって、図１１Ａや図１１Ｂに示す筒状気流案内路４と等価な作用を持たせることができ、樋型の部材は筒状気流案内路４と同様に機能する。

これらの変形例に係る回転塗布装置においても、一実施形態に係る回転塗布装置１００と同様な利点を得ることができる。

以上、この発明を一実施形態により説明したが、この発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。また、この発明の実施形態は、上記実施形態が唯一の実施形態でもない。

例えば、上記実施形態では、半導体ウエハ上に回転塗布によりレジスト膜を形成する例を示したがレジスト膜の形成ばかりでなく、ＳＯＤ膜、例えば、低誘電率絶縁膜の形成にも使うことができる。この場合にも、高速回転させても膜厚の乱れが発生し難くすることができるので、スループットの向上に役立つ。

また、基板としては、半導体ウエハに限られるものではなく、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板等においても適用可能である。

この発明の一実施形態に係る回転塗布装置の一例を概略的に示す断面図 図２Ａは蓋体の一例を示す平面図、図２Ｂは図２Ａ中の矢印２Ｂ方向から見た側面図 図３Ａは参考例に係る回転塗布装置を示す断面図、図３Ｂは一実施形態に係る回転塗布装置を示す断面図 ウエハＷの上面上に発生する気流の例を示す平面図 形成された塗布膜を示す平面図 ウエハＷの上面上に発生する気流の例を示す平面図 形成された塗布膜を示す平面図 筒状気流案内路の取り付け例を示す断面図 図９Ａは蓋体の他例を示す平面図、図９Ｂは図９Ａ中の矢印９Ｃ方向から見た側面図 筒状気流案内路の配置例を示す平面図 筒状気流案内路の形状例を示す斜視図 図１１Ｃに示す筒状気流案内路の取り付け例を示す斜視図

符号の説明

１…基板保持部、２…カップ（収容体）、３…蓋体、３ａ…開口部、４…筒状気流案内路、Ｗ…ウエハ（基板）、Ｗａ…外周部

Claims (8)

1. 基板を保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、
   前記基板保持部に保持された基板の外方を囲み、前記基板を収容する収容体と、
   前記収容体の上方に設けられた、前記基板の径よりも小さい径を有する開口部を中央部分に備えた蓋体と、
   前記蓋体と前記収容体との間に配置され、前記収容体の中と前記収容体の外とを、前記収容体に収容された前記基板の外周部の上方を介して連通させる複数の筒状気流案内路と、
   を具備することを特徴とする回転塗布装置。
2. 前記筒状気流案内路の先端が前記蓋体の開口部から後退した位置にあり、前記先端が、前記蓋体の下で、かつ、前記基板保持部に保持された基板の上方にあることを特徴とする請求項１に記載の回転塗布装置。
3. 前記収容体の外周壁と前記基板保持部に保持された基板の周縁部との間に隙間があり、前記収容体の内部に前記開口部を介して導入された気体を、前記隙間を介して前記収容体の外に排気する第１の排気経路と、
   前記筒状気流案内路を介して前記収容体の外に排気する第２の排気経路と、を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の回転塗布装置。
4. 前記筒状気流案内路は、前記蓋体の中心から放射状に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか一項に記載の回転塗布装置。
5. 前記筒状気流案内路は、前記蓋体の中心から傾けて配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３いずれか一項に記載の回転塗布装置。
6. 前記傾いて配置された前記筒状気流案内路は、前記基板保持部に保持された基板の上方に発生する気流に対して接線方向に配置されていることを特徴とする請求項５に記載の回転塗布装置。
7. 前記基板は直径が３００ｍｍの半導体ウエハであり、当該半導体ウエハを２０００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させ、前記半導体ウエハ上に塗布された塗布液を乾燥させることを特徴とする請求項１に記載の回転塗布装置。
8. 前記基板は直径が４５０ｍｍの半導体ウエハであり、当該半導体ウエハを８００ｒｐｍ以上の回転速度で回転させ、前記半導体ウエハ上に塗布された塗布液を乾燥させることを特徴とする請求項１に記載の回転塗布装置。

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