JPH1012536A - 基板熱処理装置 - Google Patents
基板熱処理装置Info
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- JPH1012536A JPH1012536A JP16786496A JP16786496A JPH1012536A JP H1012536 A JPH1012536 A JP H1012536A JP 16786496 A JP16786496 A JP 16786496A JP 16786496 A JP16786496 A JP 16786496A JP H1012536 A JPH1012536 A JP H1012536A
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- heat treatment
- gas
- exhaust
- treatment apparatus
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱処理空間内における気体の不均一な流動に
よる処理むらが発生することのない簡素な構造の基板熱
処理装置を提供する。 【解決手段】 上部カバー１の下面内側にガス吹き出し
用の回転体３を配置する。回転体３は下面外周端を支持
部材７に支持され、ベアリング８を介して上部カバー１
の内面に回動可能に取り付けられる。回転体３の側面
に、モータ９の回転軸に固定された圧接ローラ１０を当
接させ、モータ９の回転力によって回転体３を回動させ
る。回転体３の下面の多数の供給孔４からは窒素ガスが
熱処理空間１１内に吹き出され、プレート２０の外周の
排気路２１を通り外方へ排出される。
よる処理むらが発生することのない簡素な構造の基板熱
処理装置を提供する。 【解決手段】 上部カバー１の下面内側にガス吹き出し
用の回転体３を配置する。回転体３は下面外周端を支持
部材７に支持され、ベアリング８を介して上部カバー１
の内面に回動可能に取り付けられる。回転体３の側面
に、モータ９の回転軸に固定された圧接ローラ１０を当
接させ、モータ９の回転力によって回転体３を回動させ
る。回転体３の下面の多数の供給孔４からは窒素ガスが
熱処理空間１１内に吹き出され、プレート２０の外周の
排気路２１を通り外方へ排出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板に対して加熱
あるいは冷却処理を行う基板熱処理装置に関する。
あるいは冷却処理を行う基板熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の基板熱処理装置の正面断
面図である。基板熱処理装置は、半導体ウエハなどの基
板Ｗを載置するプレート４０と、プレート４０の上方に
被せられる上部カバー４１とを備える。プレート４０に
はヒータ、冷却管あるいはペルチェ素子等の加熱または
冷却手段が埋め込まれている。そして、プレート４０の
上面に近接して配設される基板Ｗは、プレート４０に埋
め込まれた加熱（冷却）手段から加熱（冷却）されるこ
とにより所定の熱処理が行われる。
面図である。基板熱処理装置は、半導体ウエハなどの基
板Ｗを載置するプレート４０と、プレート４０の上方に
被せられる上部カバー４１とを備える。プレート４０に
はヒータ、冷却管あるいはペルチェ素子等の加熱または
冷却手段が埋め込まれている。そして、プレート４０の
上面に近接して配設される基板Ｗは、プレート４０に埋
め込まれた加熱（冷却）手段から加熱（冷却）されるこ
とにより所定の熱処理が行われる。
【０００３】例えば、レジストのベーク処理では、レジ
ストが塗布された基板Ｗを球状スペーサ４０ａを介して
プレート４０上に載置し、上部カバー４１で覆った後、
プレート４０の加熱手段により加熱してベーク処理を行
う。基板Ｗが加熱されると、基板Ｗ上のレジスト中の余
分な溶媒分等が蒸発し、上部カバー４１の内部に充満す
る。ここで、外部から外気が侵入するなどして上部カバ
ー４１内の温度変動が生じると、レジストからの昇華物
が再び凝結してレジストの表面に付着する場合が生じ、
好ましくない。
ストが塗布された基板Ｗを球状スペーサ４０ａを介して
プレート４０上に載置し、上部カバー４１で覆った後、
プレート４０の加熱手段により加熱してベーク処理を行
う。基板Ｗが加熱されると、基板Ｗ上のレジスト中の余
分な溶媒分等が蒸発し、上部カバー４１の内部に充満す
る。ここで、外部から外気が侵入するなどして上部カバ
ー４１内の温度変動が生じると、レジストからの昇華物
が再び凝結してレジストの表面に付着する場合が生じ、
好ましくない。
【０００４】そこで、基板熱処理装置の内部に充満する
溶媒分（揮発分）などを外部に排出しながら熱処理を行
うことが行われている。図５に示す基板熱処理装置で
は、上部カバー４１の上部の開口部４２から多孔板４３
を通して窒素（Ｎ2 ）ガス等の不活性ガスあるいは酸素
（Ｏ2 ）等のガス４５を基板Ｗの表面に吹きつけるとと
もに、プレート４０の外周に設けられた排気口４４を通
して外部に排出している。
溶媒分（揮発分）などを外部に排出しながら熱処理を行
うことが行われている。図５に示す基板熱処理装置で
は、上部カバー４１の上部の開口部４２から多孔板４３
を通して窒素（Ｎ2 ）ガス等の不活性ガスあるいは酸素
（Ｏ2 ）等のガス４５を基板Ｗの表面に吹きつけるとと
もに、プレート４０の外周に設けられた排気口４４を通
して外部に排出している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の基板
熱処理装置では、気流（ガス流）の速度が基板Ｗの表面
で不均一となる。すなわち、上部カバー４１の上方から
供給されるガス４５は、基板Ｗの中央部から外周側へ向
かうにしたがって流速が大きくなる。しかも、基板Ｗの
外周縁を外れる部分では気流に乱れが生じる。このよう
な気流の速度の不均一によって基板Ｗのレジスト表面に
温度分布の不均一が生じ、これによって処理むらが発生
するという問題があった。
熱処理装置では、気流（ガス流）の速度が基板Ｗの表面
で不均一となる。すなわち、上部カバー４１の上方から
供給されるガス４５は、基板Ｗの中央部から外周側へ向
かうにしたがって流速が大きくなる。しかも、基板Ｗの
外周縁を外れる部分では気流に乱れが生じる。このよう
な気流の速度の不均一によって基板Ｗのレジスト表面に
温度分布の不均一が生じ、これによって処理むらが発生
するという問題があった。
【０００６】また、レジストの中には、ガス４５の吹き
出し力の強弱に敏感に反応して処理むらが生じるものも
ある。このようなレジストを用いた場合には、熱処理空
間内のガス４５の流速の不均一によって、敏感なレジス
トの表面に処理むらが生じやすい。
出し力の強弱に敏感に反応して処理むらが生じるものも
ある。このようなレジストを用いた場合には、熱処理空
間内のガス４５の流速の不均一によって、敏感なレジス
トの表面に処理むらが生じやすい。
【０００７】そこで、従来より処理むらの発生を回避す
る手段として、熱処理中に基板を回転させる方法が提案
されている。このような方法は、例えば特開昭５７−１
７８３２８号公報、特開昭５９−２１５７１８号公報、
実開昭６０−３０５３７号公報、特開昭６１−１２９６
４７号公報、特開昭６４−９０５２５号公報および特開
平４−１９６５１８号公報などに開示されている。
る手段として、熱処理中に基板を回転させる方法が提案
されている。このような方法は、例えば特開昭５７−１
７８３２８号公報、特開昭５９−２１５７１８号公報、
実開昭６０−３０５３７号公報、特開昭６１−１２９６
４７号公報、特開昭６４−９０５２５号公報および特開
平４−１９６５１８号公報などに開示されている。
【０００８】しかしながら、これらの方法においては、
基板の直下に加熱（冷却）手段が組み込まれているよう
な場合に基板を回転させる機構が非常に複雑なものにな
る。加えて、基板を回転させると、基板の位置ずれが生
じやすくなり、基板の搬入、搬出動作に悪影響を及ぼす
おそれがある。
基板の直下に加熱（冷却）手段が組み込まれているよう
な場合に基板を回転させる機構が非常に複雑なものにな
る。加えて、基板を回転させると、基板の位置ずれが生
じやすくなり、基板の搬入、搬出動作に悪影響を及ぼす
おそれがある。
【０００９】本発明の目的は、熱処理空間内における気
体の不均一な流動のよる処理むらが発生することのない
簡素な構造の基板熱処理装置を提供することである。
体の不均一な流動のよる処理むらが発生することのない
簡素な構造の基板熱処理装置を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る基板熱処理装置は、基台の上方を上部カバー
で覆い、基台と上部カバーとの間に形成された熱処理空
間内に基板を保持するとともに、基板の上方から熱処理
空間内に気体を供給しつつ所定の熱処理処理を行う基板
熱処理装置において、気体を熱処理空間内に導入する給
気口を有する給気部材を基台の上方に配置し、給気部材
を基板に対して移動させる移動手段を設けたものであ
る。
発明に係る基板熱処理装置は、基台の上方を上部カバー
で覆い、基台と上部カバーとの間に形成された熱処理空
間内に基板を保持するとともに、基板の上方から熱処理
空間内に気体を供給しつつ所定の熱処理処理を行う基板
熱処理装置において、気体を熱処理空間内に導入する給
気口を有する給気部材を基台の上方に配置し、給気部材
を基板に対して移動させる移動手段を設けたものであ
る。
【００１１】第２の発明に係る基板熱処理装置は、第１
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、給気部材
が基板に対向してほぼ平行に配置されかつ複数の給気口
を有する円板状部材からなり、移動手段が、円板状部材
を水平面内で回動させる回動手段を備えたものである。
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、給気部材
が基板に対向してほぼ平行に配置されかつ複数の給気口
を有する円板状部材からなり、移動手段が、円板状部材
を水平面内で回動させる回動手段を備えたものである。
【００１２】第１および第２の発明に係る基板熱処理装
置においては、給気部材の給気口を通して気体が熱処理
空間内を移動しながら供給される。このため、基板上方
の雰囲気は、移動する気体によって攪拌混合され、基板
上方の全面に亘って温度分布が均一化する。これによ
り、基板の温度分布の不均一に起因する処理むらの発生
が防止され、基板に対して均一な熱処理を行うことがで
きる。
置においては、給気部材の給気口を通して気体が熱処理
空間内を移動しながら供給される。このため、基板上方
の雰囲気は、移動する気体によって攪拌混合され、基板
上方の全面に亘って温度分布が均一化する。これによ
り、基板の温度分布の不均一に起因する処理むらの発生
が防止され、基板に対して均一な熱処理を行うことがで
きる。
【００１３】特に、第２の発明に係る基板熱処理装置に
おいては、複数の給気口を有する円板状部材が回動され
ることにより、基板の表面には気体が緩やかに周方向に
回動しながら分散して供給される。このため、基板熱処
理装置上方において基板上面からの揮発分と外部から供
給される気体とが均一に混合され、熱処理空間内の均熱
性が保持される。これにより、処理むらを生じることな
く熱処理を行うことができる。
おいては、複数の給気口を有する円板状部材が回動され
ることにより、基板の表面には気体が緩やかに周方向に
回動しながら分散して供給される。このため、基板熱処
理装置上方において基板上面からの揮発分と外部から供
給される気体とが均一に混合され、熱処理空間内の均熱
性が保持される。これにより、処理むらを生じることな
く熱処理を行うことができる。
【００１４】また、回動する部分が円板状部材であるた
め、基台全体を回動させる従来の装置に比べて構成を簡
素化することができる。第３の発明に係る基板熱処理装
置は、基台の上方を上部カバーで覆い、基台と上部カバ
ーとの間に形成された熱処理空間内に基板を保持すると
ともに、基板の上方から熱処理空間内に気体を供給しつ
つ所定の熱処理を行う基板熱処理装置において、熱処理
空間内の気体を外部へ排出する排出口を有する排気部材
を基台の周囲に配置し、排気部材を基板に対して移動さ
せる移動手段を設けたものである。
め、基台全体を回動させる従来の装置に比べて構成を簡
素化することができる。第３の発明に係る基板熱処理装
置は、基台の上方を上部カバーで覆い、基台と上部カバ
ーとの間に形成された熱処理空間内に基板を保持すると
ともに、基板の上方から熱処理空間内に気体を供給しつ
つ所定の熱処理を行う基板熱処理装置において、熱処理
空間内の気体を外部へ排出する排出口を有する排気部材
を基台の周囲に配置し、排気部材を基板に対して移動さ
せる移動手段を設けたものである。
【００１５】第４の発明に係る基板熱処理装置は、第３
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、排気部材
が複数の排気口が形成されたリング状部材からなり、移
動手段が、リング状部材を基台の周りに回動させる回動
手段を備えたものである。第３および第４の発明に係る
基板熱処理装置においては、熱処理空間内に供給される
気体を、移動する排気口から外部へ排出するように構成
されている。このため、排気口の移動に伴って熱処理空
間内での気体の流れが周期的に変動し、基板の上方にお
いて気体と基板上面からの揮発成分との混合が均一に行
われる。これによって基板上方の雰囲気の均熱性が保持
され、処理むらを生じることなく基板の熱処理を行うこ
とができる。
の発明に係る基板熱処理装置の構成において、排気部材
が複数の排気口が形成されたリング状部材からなり、移
動手段が、リング状部材を基台の周りに回動させる回動
手段を備えたものである。第３および第４の発明に係る
基板熱処理装置においては、熱処理空間内に供給される
気体を、移動する排気口から外部へ排出するように構成
されている。このため、排気口の移動に伴って熱処理空
間内での気体の流れが周期的に変動し、基板の上方にお
いて気体と基板上面からの揮発成分との混合が均一に行
われる。これによって基板上方の雰囲気の均熱性が保持
され、処理むらを生じることなく基板の熱処理を行うこ
とができる。
【００１６】特に、第４の発明に係る基板熱処理装置に
おいては、リング状部材に設けた複数の排気口が回動し
ながら排気が行われる。このために、基板上方において
十分な攪拌作用が促され、熱処理空間内の均熱性が保持
される。
おいては、リング状部材に設けた複数の排気口が回動し
ながら排気が行われる。このために、基板上方において
十分な攪拌作用が促され、熱処理空間内の均熱性が保持
される。
【００１７】また、回動する部分がリング状部材である
ため、基台全体を回転させる従来の装置に比べて構成を
簡素化することができる。ここで、回動手段による円板
状部材の回動動作は、回転のみならず所定の範囲内で揺
動するものであってもよい。また、同様に、回動手段に
よるリング状部材の回動動作は、回転のみならず所定範
囲内の揺動を行うものであってもよい。
ため、基台全体を回転させる従来の装置に比べて構成を
簡素化することができる。ここで、回動手段による円板
状部材の回動動作は、回転のみならず所定の範囲内で揺
動するものであってもよい。また、同様に、回動手段に
よるリング状部材の回動動作は、回転のみならず所定範
囲内の揺動を行うものであってもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施例に
よる基板熱処理装置の正面断面図である。また、図２
は、図１中のＸ−Ｘ線断面図である。図１において、基
板熱処理装置は、基板Ｗを表面近傍に保持するプレート
２０と、プレート２０の上方を覆い、基板Ｗに対して所
定の加熱あるいは冷却処理を行うための熱処理空間を構
成する上部カバー１とを備えている。
よる基板熱処理装置の正面断面図である。また、図２
は、図１中のＸ−Ｘ線断面図である。図１において、基
板熱処理装置は、基板Ｗを表面近傍に保持するプレート
２０と、プレート２０の上方を覆い、基板Ｗに対して所
定の加熱あるいは冷却処理を行うための熱処理空間を構
成する上部カバー１とを備えている。
【００１９】プレート２０には基板Ｗを加熱あるいは冷
却するための手段としてのヒータ、冷却管あるいはペル
チェ素子などが埋め込まれており、その表面には基板Ｗ
を近接して保持する球状スペーサ２０ａが形成されてい
る。また、プレート２０と外周カバー２４との間には排
気路２１，２１が設けられている。排気路２１，２１の
上部には、排気孔２３が形成された閉塞リング２２がは
め込まれている。この閉塞リング２２の排気孔２３は、
熱処理空間１１内の気体（以下、内部気体と称する）を
吸引して外部へ排出するために設けられている。
却するための手段としてのヒータ、冷却管あるいはペル
チェ素子などが埋め込まれており、その表面には基板Ｗ
を近接して保持する球状スペーサ２０ａが形成されてい
る。また、プレート２０と外周カバー２４との間には排
気路２１，２１が設けられている。排気路２１，２１の
上部には、排気孔２３が形成された閉塞リング２２がは
め込まれている。この閉塞リング２２の排気孔２３は、
熱処理空間１１内の気体（以下、内部気体と称する）を
吸引して外部へ排出するために設けられている。
【００２０】上部カバー１はプレート２０に対して着脱
自在に形成されており、軽量化のために金属製の板材を
用いた中空構造に構成されている。上部カバー１は蓋状
に形成されたカバー部材２の内側にガス吹き出し用の回
転体３を備えている。ガス吹き出し用の回転体３は中空
円板状に形成されており、その上面中央には窒素
（Ｎ 2 ）などの不活性ガスあるいは酸素（Ｏ2 ）などの
ガスを回転体３の内部に導入するためのガス供給管接続
部５が取り付けられている。また、ガス供給管接続部５
にはガス供給管路６が接続されており、ガス供給管路６
はカバー部材２の壁面を貫通し、外部に設けられたガス
供給源（図示省略）に接続されている。ガス供給管接続
部５はカバー部材２に対して固定されている。また、回
転体３はガス管接続部５に対して回動自在に接続されて
いる。
自在に形成されており、軽量化のために金属製の板材を
用いた中空構造に構成されている。上部カバー１は蓋状
に形成されたカバー部材２の内側にガス吹き出し用の回
転体３を備えている。ガス吹き出し用の回転体３は中空
円板状に形成されており、その上面中央には窒素
（Ｎ 2 ）などの不活性ガスあるいは酸素（Ｏ2 ）などの
ガスを回転体３の内部に導入するためのガス供給管接続
部５が取り付けられている。また、ガス供給管接続部５
にはガス供給管路６が接続されており、ガス供給管路６
はカバー部材２の壁面を貫通し、外部に設けられたガス
供給源（図示省略）に接続されている。ガス供給管接続
部５はカバー部材２に対して固定されている。また、回
転体３はガス管接続部５に対して回動自在に接続されて
いる。
【００２１】ガス吹き出し用の回転体３の下面には複数
の給気孔４が形成されている。図２に示すように、給気
孔４はほぼ均等な間隔で分散して配置されている。ま
た、回転体３の下端周縁部は支持部材７によって支持さ
れており、ベアリング８を介してカバー部材２の側壁内
面に対して回動可能に形成されている。さらに、回転体
３の側壁面には、モータ９により駆動される圧接ローラ
１０が当接されている。モータ９はカバー部材２の上壁
を貫通して固定されており、圧接ローラ１０はモータ９
の回転軸に取り付けられている。
の給気孔４が形成されている。図２に示すように、給気
孔４はほぼ均等な間隔で分散して配置されている。ま
た、回転体３の下端周縁部は支持部材７によって支持さ
れており、ベアリング８を介してカバー部材２の側壁内
面に対して回動可能に形成されている。さらに、回転体
３の側壁面には、モータ９により駆動される圧接ローラ
１０が当接されている。モータ９はカバー部材２の上壁
を貫通して固定されており、圧接ローラ１０はモータ９
の回転軸に取り付けられている。
【００２２】上記の構成を有する基板熱処理装置の熱処
理工程においては、まずプレート２０の上面に球状スペ
ーサ２０ａを介して近接して基板Ｗが載置される。この
基板Ｗは、基板熱処理装置の外部に設けられた基板搬送
装置によってプレート２０上の所定の位置に位置決めさ
れて載置される。その後、上部カバー１がプレート２０
上に被せられる。そして、プレート２０に設けられた加
熱（冷却）手段により基板Ｗの加熱（冷却）処理が開始
される。
理工程においては、まずプレート２０の上面に球状スペ
ーサ２０ａを介して近接して基板Ｗが載置される。この
基板Ｗは、基板熱処理装置の外部に設けられた基板搬送
装置によってプレート２０上の所定の位置に位置決めさ
れて載置される。その後、上部カバー１がプレート２０
上に被せられる。そして、プレート２０に設けられた加
熱（冷却）手段により基板Ｗの加熱（冷却）処理が開始
される。
【００２３】さらに、外部のガス供給源からガス供給管
路６を通してガス吹き出し用の回転体３に窒素などのガ
スが供給される。回転体３はモータ９により駆動される
圧接ローラ１０の回転によって回転駆動される。これに
より、回転体３の内部に供給されたガスは複数の給気孔
４を通り熱処理空間１１内に吹き出される。この際、回
転体３の回転により、給気孔４から吹き出されるガスは
回転体３の回転方向に沿って吹き出し位置が変化しなが
ら基板Ｗ上の全面に亘って分散して吹き出される。しか
も、ガスは基板Ｗの表面に対して傾斜した方向に吹き出
されるようになるため、基板Ｗの表面に直交する速度成
分が減少し、これによって基板Ｗの表面に対して緩やか
に吹き出される。このため、熱処理空間１１の内部で
は、給気孔４から吹き出されるガスによって均一な混合
が促され、熱処理空間１１内の温度分布が均一化すると
ともに、基板Ｗの表面に塗布された塗布膜からの揮発分
の濃度分布が均一化する。
路６を通してガス吹き出し用の回転体３に窒素などのガ
スが供給される。回転体３はモータ９により駆動される
圧接ローラ１０の回転によって回転駆動される。これに
より、回転体３の内部に供給されたガスは複数の給気孔
４を通り熱処理空間１１内に吹き出される。この際、回
転体３の回転により、給気孔４から吹き出されるガスは
回転体３の回転方向に沿って吹き出し位置が変化しなが
ら基板Ｗ上の全面に亘って分散して吹き出される。しか
も、ガスは基板Ｗの表面に対して傾斜した方向に吹き出
されるようになるため、基板Ｗの表面に直交する速度成
分が減少し、これによって基板Ｗの表面に対して緩やか
に吹き出される。このため、熱処理空間１１の内部で
は、給気孔４から吹き出されるガスによって均一な混合
が促され、熱処理空間１１内の温度分布が均一化すると
ともに、基板Ｗの表面に塗布された塗布膜からの揮発分
の濃度分布が均一化する。
【００２４】そして、均熱性が保持された熱処理空間１
１内の内部気体は閉塞リング２２に設けられた複数の排
気孔２３から排気路２１を通り外部へ排出される。な
お、回転体３の下面に形成される複数の給気孔４の配置
形態は、図２に示すような形態に限定されるものではな
い。例えば、回転体３の中心から外方に向かって渦巻状
に配置してもよく、あるいは給気孔４の間隔を中心側で
粗く外周側で密に形成してもよい。
１内の内部気体は閉塞リング２２に設けられた複数の排
気孔２３から排気路２１を通り外部へ排出される。な
お、回転体３の下面に形成される複数の給気孔４の配置
形態は、図２に示すような形態に限定されるものではな
い。例えば、回転体３の中心から外方に向かって渦巻状
に配置してもよく、あるいは給気孔４の間隔を中心側で
粗く外周側で密に形成してもよい。
【００２５】また、回転体３にガスを供給する方法とし
ては、外周カバー２４側にガス供給管路を設け、外周カ
バー２４とカバー部材２との接触部を通して回転体３内
にガスを導くように構成してもよい。
ては、外周カバー２４側にガス供給管路を設け、外周カ
バー２４とカバー部材２との接触部を通して回転体３内
にガスを導くように構成してもよい。
【００２６】図３は、本発明の第２の実施例による基板
熱処理装置の正面断面図であり、図４は、図３中のＹ−
Ｙ線断面図である。第２の実施例による基板熱処理装置
は、熱処理空間３７からの排気経路を回転移動させるこ
とによって熱処理空間３７内の内部気体を攪拌するよう
に構成したものである。
熱処理装置の正面断面図であり、図４は、図３中のＹ−
Ｙ線断面図である。第２の実施例による基板熱処理装置
は、熱処理空間３７からの排気経路を回転移動させるこ
とによって熱処理空間３７内の内部気体を攪拌するよう
に構成したものである。
【００２７】図３において、基板熱処理装置の上部カバ
ー３０は、基板Ｗを保持するプレート２０に対して着脱
自在に形成されている。上部プレート３０は金属製の蓋
状部材からなり、その内面にガス吹き出し部３１を備え
ている。詳細な図示は省略しているが、このガス吹き出
し部３１には、外部に設けられたガス供給源に接続され
るガス供給管路３２の先端が上部カバー３０の上面を貫
通して接続されている。そして、ガス吹き出し部３１の
下面には多数の給気孔が形成されている。したがって、
ガス供給管路３２を通して供給されたガスは、この給気
孔から熱処理空間３７内に吹き出される。
ー３０は、基板Ｗを保持するプレート２０に対して着脱
自在に形成されている。上部プレート３０は金属製の蓋
状部材からなり、その内面にガス吹き出し部３１を備え
ている。詳細な図示は省略しているが、このガス吹き出
し部３１には、外部に設けられたガス供給源に接続され
るガス供給管路３２の先端が上部カバー３０の上面を貫
通して接続されている。そして、ガス吹き出し部３１の
下面には多数の給気孔が形成されている。したがって、
ガス供給管路３２を通して供給されたガスは、この給気
孔から熱処理空間３７内に吹き出される。
【００２８】プレート２０には、第１の実施例と同様
に、基板Ｗを加熱（あるいは冷却）するための手段とし
てのヒータ、冷却管あるいはペルチェ素子等が埋め込ま
れている。プレート２０における、基板Ｗより外方の位
置には、リング状の排気路２１が形成されている。さら
に、排気路２１の上部には排気リング３３が配置されて
いる。排気リング３３は断面が鉤形のリング状に形成さ
れており、排気路２１に面する部分には多数の排気孔３
４が形成されている。
に、基板Ｗを加熱（あるいは冷却）するための手段とし
てのヒータ、冷却管あるいはペルチェ素子等が埋め込ま
れている。プレート２０における、基板Ｗより外方の位
置には、リング状の排気路２１が形成されている。さら
に、排気路２１の上部には排気リング３３が配置されて
いる。排気リング３３は断面が鉤形のリング状に形成さ
れており、排気路２１に面する部分には多数の排気孔３
４が形成されている。
【００２９】この閉塞リング３３は、ベアリング３８に
よって外周カバー２４に対して回動可能に取り付けられ
ている。例えば、ベアリング３８を構成する一方のリン
グ部材が外周カバー２４の上面に固定され、他方のリン
グ部材が排気リング３３の下面に固定されている。これ
により、排気リング３３は水平面内で回動自在に保持さ
れている。
よって外周カバー２４に対して回動可能に取り付けられ
ている。例えば、ベアリング３８を構成する一方のリン
グ部材が外周カバー２４の上面に固定され、他方のリン
グ部材が排気リング３３の下面に固定されている。これ
により、排気リング３３は水平面内で回動自在に保持さ
れている。
【００３０】排気リング３３の側面には圧接ローラ３５
が当接されている。圧接ローラ３５はモータ３６の回転
軸に取り付けられており、モータ３６の駆動により回転
し、排気リング３３を回転させる。
が当接されている。圧接ローラ３５はモータ３６の回転
軸に取り付けられており、モータ３６の駆動により回転
し、排気リング３３を回転させる。
【００３１】上記の構成を有する基板熱処理装置におい
て、熱処理空間３７内のガスの給排気は以下のようにし
て行われる。まず、ガス吹き出し部３１の多数の給気孔
から、ガス供給管路３２を通して供給された窒素あるい
は酸素等の所定のガスが基板Ｗの表面に向けて吹き出さ
れる。また、排気リング３３は、モータ３６からの回転
力を受けて回転する。排気リング３３が回転することに
より、多数の排気孔３４が回転し、これによってガス吹
き出し部３１から排気リング３３の排気孔３４に至るガ
スおよび内部気体の流動経路が周期的に変化する。この
ため、基板Ｗの上方においてガスおよび内部気体の攪拌
が促進され、ガスと基板Ｗ上の塗布膜から揮発した溶媒
分とが混合されて濃度分布が均一化するとともに、熱処
理空間３７内の温度分布も均一化する。これにより、基
板Ｗの表面での処理むらの発生が防止される。
て、熱処理空間３７内のガスの給排気は以下のようにし
て行われる。まず、ガス吹き出し部３１の多数の給気孔
から、ガス供給管路３２を通して供給された窒素あるい
は酸素等の所定のガスが基板Ｗの表面に向けて吹き出さ
れる。また、排気リング３３は、モータ３６からの回転
力を受けて回転する。排気リング３３が回転することに
より、多数の排気孔３４が回転し、これによってガス吹
き出し部３１から排気リング３３の排気孔３４に至るガ
スおよび内部気体の流動経路が周期的に変化する。この
ため、基板Ｗの上方においてガスおよび内部気体の攪拌
が促進され、ガスと基板Ｗ上の塗布膜から揮発した溶媒
分とが混合されて濃度分布が均一化するとともに、熱処
理空間３７内の温度分布も均一化する。これにより、基
板Ｗの表面での処理むらの発生が防止される。
【００３２】このように、上記第１および第２の実施例
による基板熱処理装置では、特に基板Ｗの位置を変化さ
せることなく（回転させることなく）ガスの吹き出し位
置あるいは内部気体の排気位置を変動させることによ
り、熱処理空間１１，３７内の均熱化を図っている。し
かも、基板Ｗの位置ずれが生じないことにより、熱処理
前あるいは熱処理後の基板Ｗの搬入あるいは搬出動作時
において、基板搬送装置との間で基板の受渡し不良の発
生を防止することができる。
による基板熱処理装置では、特に基板Ｗの位置を変化さ
せることなく（回転させることなく）ガスの吹き出し位
置あるいは内部気体の排気位置を変動させることによ
り、熱処理空間１１，３７内の均熱化を図っている。し
かも、基板Ｗの位置ずれが生じないことにより、熱処理
前あるいは熱処理後の基板Ｗの搬入あるいは搬出動作時
において、基板搬送装置との間で基板の受渡し不良の発
生を防止することができる。
【００３３】また、第１の実施例においては、回転体３
を回動させ、第２の実施例においては排気リング３３を
回転させるように構成されているので、ヒータや冷却管
等の加熱（冷却）手段が組み込まれたプレート２０を回
動させる従来の基板熱処理装置に比べて簡単な構成で処
理むらの発生を防止することができる。
を回動させ、第２の実施例においては排気リング３３を
回転させるように構成されているので、ヒータや冷却管
等の加熱（冷却）手段が組み込まれたプレート２０を回
動させる従来の基板熱処理装置に比べて簡単な構成で処
理むらの発生を防止することができる。
【００３４】なお、第１の実施例における回転体３およ
び第２の実施例における排気リング３３はそれぞれモー
タ９，３６により回転するのみならず、適当な正逆回転
機構を用い、揺動するように構成してもよい。
び第２の実施例における排気リング３３はそれぞれモー
タ９，３６により回転するのみならず、適当な正逆回転
機構を用い、揺動するように構成してもよい。
【図１】本発明の第１の実施例による基板熱処理装置の
正面断面図である。
正面断面図である。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例による基板熱処理装置の
正面断面図である。
正面断面図である。
【図４】図３中のＹ−Ｙ線断面図である。
【図５】従来の基板熱処理装置の断面構造図である。
１，３０ 上部カバー ２ カバー部材 ３ 回転体 ４ 給気孔 ７ 支持部材 ８，３８ ベアリング ９，３６ モータ １０，３５ 圧接ローラ １１，３７ 熱処理空間 ２０ プレート ２１ 排気路 ２２ 閉塞リング ２３ 排気孔 ３１ ガス吹き出し部 ３３ 排気リング ３４ 排気孔
Claims (4)
- 【請求項１】 基台の上方を上部カバーで覆い、前記基
台と前記上部カバーとの間に形成された熱処理空間内に
基板を保持するとともに、前記基板の上方から前記熱処
理空間内に気体を供給しつつ所定の熱処理を行う基板熱
処理装置において、 前記気体を前記熱処理空間内に導入する給気口を有する
給気部材を前記基台の上方に配置し、前記給気部材を前
記基板に対して移動させる移動手段を設けたことを特徴
とする基板熱処理装置。 - 【請求項２】 前記給気部材は、前記基板に対向してほ
ぼ平行に配置されかつ複数の前記給気口を有する円板状
部材からなり、 前記移動手段は、前記円板状部材を水平面内で回動させ
る回動手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の基
板熱処理装置。 - 【請求項３】 基台の上方を上部カバーで覆い、前記基
台と前記上部カバーとの間に形成された熱処理空間内に
基板を保持するとともに、前記基板の上方から前記熱処
理空間内に気体を供給しつつ所定の熱処理を行う基板熱
処理装置において、 前記熱処理空間内の気体を外部へ排出する排出口を有す
る排気部材を前記基台の周囲に配置し、前記排気部材を
前記基板に対して移動させる移動手段を設けたことを特
徴とする基板熱処理装置。 - 【請求項４】 前記排気部材は、複数の前記排気口が形
成されたリング状部材からなり、 前記移動手段は、前記リング状部材を前記基台の周りに
回動させる回動手段を備えたことを特徴とする請求項３
記載の基板熱処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16786496A JPH1012536A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 基板熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16786496A JPH1012536A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 基板熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012536A true JPH1012536A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15857506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16786496A Pending JPH1012536A (ja) | 1996-06-27 | 1996-06-27 | 基板熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012536A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274052A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置及びその方法 |
| JP2003133305A (ja) * | 2001-10-23 | 2003-05-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2006508787A (ja) * | 2002-12-05 | 2006-03-16 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 層の厚さを制御するための方法および装置 |
| KR100574116B1 (ko) * | 1999-04-23 | 2006-04-25 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체 처리 시스템의 매엽식 처리 장치 |
| US7980003B2 (en) * | 2006-01-25 | 2011-07-19 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus and heat processing method |
| JP2014115389A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Hoya Corp | 基板冷却装置及びマスクブランクの製造方法 |
-
1996
- 1996-06-27 JP JP16786496A patent/JPH1012536A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100574116B1 (ko) * | 1999-04-23 | 2006-04-25 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 반도체 처리 시스템의 매엽식 처리 장치 |
| JP2001274052A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Tokyo Electron Ltd | 加熱装置及びその方法 |
| JP2003133305A (ja) * | 2001-10-23 | 2003-05-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP2006508787A (ja) * | 2002-12-05 | 2006-03-16 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 層の厚さを制御するための方法および装置 |
| US7980003B2 (en) * | 2006-01-25 | 2011-07-19 | Tokyo Electron Limited | Heat processing apparatus and heat processing method |
| JP2014115389A (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-26 | Hoya Corp | 基板冷却装置及びマスクブランクの製造方法 |
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