JPH10323606A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH10323606A
JPH10323606A JP13721897A JP13721897A JPH10323606A JP H10323606 A JPH10323606 A JP H10323606A JP 13721897 A JP13721897 A JP 13721897A JP 13721897 A JP13721897 A JP 13721897A JP H10323606 A JPH10323606 A JP H10323606A
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JP
Japan
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substrate
temperature
shaped member
disk
processing apparatus
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Application number
JP13721897A
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English (en)
Inventor
Takeshi Matsuka
毅 松家
Masakazu Sanada
雅和 真田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の温度変動を補正することにより基板に
均一な処理を行うことが可能な基板処理装置を提供する
ことである。 【解決手段】 回転保持部1は円板状部材6および環状
の吸引保持部7からなる。回転保持部1はモータ3の回
転軸2の先端に取り付けられ、水平姿勢で回転駆動され
る。円板状部材6の下方に温調用ノズル16が半径方向
に移動可能に配設されている。温調用ノズル16には温
調用流体供給源18から温調器19を介して温調用流体
が供給される。温調ノズル16から円板状部材6の裏面
に温調用流体が吐出される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を回転させな
がら基板に所定の処理を行う基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板等の基板に種々の処理を行うために基板処理装置が用
いられている。特に、基板を回転させながら基板の表面
にフォトレジスト液、現像液等の処理液を供給するため
に回転式塗布装置、回転式現像装置等の回転式基板処理
装置が用いられている。
【0003】このような回転式基板処理装置において、
基板を水平に保持しながら回転させるために回転保持部
が用いられる。回転保持部は、モータの回転軸の先端に
取り付けられ、基板を水平に保持した状態でモータによ
り回転駆動される。
【0004】この回転保持部としては、一般に、吸引式
スピンチャックまたはメカ式スピンチャックが用いられ
ている。吸引式スピンチャックは、基板の裏面を真空吸
着により吸着保持しつつ基板にモータの回転力を伝達す
るものである。一方、メカ式スピンチャックは、基板の
裏面を支持するとともに基板の外周端縁を保持しつつ基
板にモータに回転力を伝達するものである。
【0005】回転処理時には、回転保持部に保持された
基板上に処理液が滴下され、基板の回転により処理液が
基板の全面に塗り広げられる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記の回転式基板処理
装置で回転保持部を回転駆動するモータは、回転時に発
熱する。モータの熱は、回転軸を通して回転保持部に伝
達され、時間の経過とともに回転保持部の温度が上昇す
る。このような回転保持部の温度変動は基板に伝達され
る。また、回転保持部の上面からの放熱により基板の温
度が変動する。
【0007】フォトレジスト液、現像液等の処理液は温
度に対して敏感であるため、基板の温度が変動すると、
処理むらが発生する。回転式塗布装置では、基板の微妙
な温度変化により基板上に形成されるレジスト膜の膜厚
が変動する。特に、回転保持部と接触する基板の部分に
おいてレジスト膜の部分的な膜厚変動が発生する。
【0008】また、基板の回転数を高くした場合には、
基板上のレジスト膜の外周部にいわゆる風車模様が形成
されたり、レジスト膜が部分的に厚くなる現象が発生す
る。近年の基板の大径化に伴い、低速回転時にも、基板
上のレジスト膜に上記の風車模様や部分的に厚い部分が
発生しやすくなっている。このような膜厚変動を補正す
るためには、基板に部分的に0.1〜0.5℃程度の微
小な温度変化を与えることが必要となる。
【0009】一方、回転式現像装置では、現像されるパ
ターンの線幅が基板の温度に依存するため、基板の温度
変動によりパターンの線幅がばらつくという問題が生じ
る。
【0010】基板の温度を調整するために、塗布処理前
に冷却プレートで基板の温度を調整する方法(特開平5
−36597号公報)や、塗布処理時に基板の裏側から
温度調整されたリング状の治具を近づける方法(特開平
6−224113号公報)が提案されている。
【0011】しかしながら、いずれの方法でも基板処理
装置の構造が複雑となり、かつ膜厚変動の補正に適する
0.1〜0.5℃程度の微小な温度変化を基板に与える
ことは困難である。
【0012】本発明の目的は、基板の温度変動を補正す
ることにより基板に均一な処理を行うことが可能な基板
処理装置を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る基板処理装置は、基板を回転させながら基板
に所定の処理を行う基板処理装置であって、水平姿勢で
回転駆動される円板状部材と、円板状部材上に設けら
れ、基板を水平姿勢で保持する基板保持手段と、円板状
部材の裏面に温度調整用流体を吐出する吐出手段とを備
えたものである。
【0014】本発明に係る基板処理装置においては、円
板状部材の裏面に温度調整用流体を吐出することによ
り、円板状部材の温度を全体的にまたは部分的に調整す
ることが可能となる。それにより、円板状部材上の基板
保持手段に保持された基板の温度を調整するとともに、
円板状部材および基板の温度を雰囲気温度に適合させる
ことが可能となる。その結果、基板の温度変動による処
理むらの発生を防止し、基板に均一な処理を行うことが
可能となる。
【0015】また、円板状部材を介して基板に微小な温
度変化を与えることができるので、円板状部材の温度を
部分的に調整することにより基板上の部分的な処理むら
を防止することが可能となる。
【0016】第2の発明に係る基板処理装置は、第1の
発明に係る基板処理装置の構成において、吐出手段が、
円板状部材の下方に移動可能に設けられ、温度調整用流
体を吐出する吐出ノズルを含むものである。
【0017】この場合、吐出ノズルを移動させることに
より、円板状部材の全体または所定の部分を所定の温度
に調整することができる。
【0018】第3の発明に係る基板処理装置は、第1の
発明に係る基板処理装置の構成において、吐出手段が、
円板状部材の下方に配置され、温度調整用流体をそれぞ
れ吐出する複数の吐出ノズルを含むものである。
【0019】この場合、各吐出ノズルにより円板状部材
の各部分をそれぞれ同一または異なる所定の温度に調整
することができる。
【0020】第4の発明に係る基板処理装置は、第1の
発明に係る基板処理装置の構成において、吐出手段が、
円板状部材の下方に吐出角度を変更可能に設けられ、温
度調整用流体を吐出する吐出ノズルを含むものである。
【0021】この場合、吐出ノズルの吐出角度を変更す
ることにより、円板状部材の任意の部分を所定の温度に
調整することができる。
【0022】第5の発明に係る基板処理装置は、第1〜
第4のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、吐出手段から吐出される温度調整用流体の温度を制
御する温度制御手段をさらに備えたものである。
【0023】この場合、温度調整用流体の温度を制御す
ることにより円板状部材の温度を任意に調整することが
できるので、円板状部材上の基板保持手段に保持された
基板の温度を任意に調整することが可能となる。また、
温度調整用流体の温度を適正化することにより短時間の
吐出で基板の温度補正が可能となるので、処理時間の増
大を防止することができるとともに、温度調整用流体の
使用量も低減される。
【0024】第6の発明に係る基板処理装置は、第1〜
第5のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、吐出手段による温度調整用流体の吐出時間を制御す
る吐出時間制御手段をさらに備えたものである。
【0025】この場合、温度調整用流体の吐出時間を制
御することにより円板状部材の温度を任意に調整するこ
とができるので、円板状部材上の基板保持手段に保持さ
れた基板の温度を任意に調整することが可能となる。ま
た、吐出時間を調整することにより、基板の部分的な温
度補正を容易に行うことができる。
【0026】第7の発明に係る基板処理装置は、第1〜
第6のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、基板保持手段が、円板状部材の上面に設けられ、基
板の裏面の周縁部を部分的または全体的に吸引保持する
吸引保持部を含むものである。
【0027】本発明に係る基板処理装置においては、円
板状部材上の吸引保持部により基板の裏面の周縁部が部
分的または全体的に吸引保持される。この場合、円板状
部材の裏面に温度調整用流体を吐出することにより、円
板状部材の温度を全体的にまたは部分的に調整すること
ができ、円板状部材上に保持された基板の温度を調整す
ることが可能となる。
【0028】第8の発明に係る基板処理装置は、第1〜
第6のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、基板保持手段が、円板状部材の上面に設けられ、基
板の裏面を支持する支持部と、円板状部材の上面に設け
られ、基板の端縁を保持する複数の保持部とを含むもの
である。
【0029】本発明に係る基板処理装置においては、円
板状部材上の支持部により基板の裏面が支持されるとと
もに複数の保持部により基板の水平位置が規制される。
この場合、円板状部材の裏面に温度調整用流体を吐出す
ることにより、円板状部材の温度を全体的にまたは部分
的に調整することができ、円板状部材上に保持された基
板の温度を調整することが可能となる。
【0030】
【発明の実施の形態】図1は本発明の第1の実施例にお
ける回転式基板処理装置の概略断面図である。また、図
2は図1の回転式基板処理装置における回転保持部の一
部切欠き平面図、図3は図2のX−X線断面図である。
図4は図1の回転式基板処理装置の一部の拡大断面図で
ある。この回転式基板処理装置は、基板の表面にレジス
ト液を塗布する回転式塗布装置である。
【0031】図1において、回転式基板処理装置は、基
板Wを水平姿勢で保持して回転する回転保持部1を備え
る。回転保持部1はモータ3の回転軸2の先端に取り付
けられ、鉛直軸の周りで回転駆動される。回転軸2は、
内部に中空部4を有し、スリーブ5内に挿入されてい
る。
【0032】回転保持部1は、円板状部材6および環状
の吸引保持部7からなる。円板状部材6の下面の中心部
には円筒状の軸取付け部6aが設けられ、この軸取付け
部6aにモータ3の回転軸2が嵌合している。
【0033】図2に示すように、円板状部材6の内部に
は、中心部から外周部に延びる複数の放射状通路8およ
び外周部に沿って延びる環状通路9が形成されている。
複数の放射状通路8は、モータ3の回転軸2の中空部4
に連通している。
【0034】図1の吸引保持部7は、円板状部材6の環
状通路9の上面側にはめ込まれており、環状通路9に連
通する環状吸引口10を有する。この吸引保持部7は、
基板Wの裏面の周縁部を支持する。
【0035】モータ3の回転軸2内の中空部4は、真空
ポンプ等の吸引手段(図示せず)に接続され、その吸引
手段により回転軸2内の中空部4、円板状部材6内の放
射状通路8、環状通路9および吸引保持部7の環状吸引
口10を通して基板Wの裏面の周縁部が吸引される。こ
れにより、基板Wの周縁部が吸引保持部7に吸着保持さ
れる。
【0036】回転保持部1に保持された基板100の周
囲を取り囲むように飛散防止用のカップ11が設けられ
ている。このカップ11の上面側には開口部が設けら
れ、下部には排液口(図示せず)および複数の排気口
(図示せず)が設けられている。さらに、回転保持部1
の上方には、基板W上にレジスト液を吐出するレジスト
ノズル12が上下動可能かつ基板Wの上方位置とカップ
11外の待機位置との間で移動可能に設けられている。
【0037】一方、カップ11の側面に孔部11aが設
けられ、この孔部11aを通して温度調整用流体(以
下、温調用流体と呼ぶ)を円板状部材6の裏面に吐出す
る温調用ノズル16が円板状部材6の下方にが配設され
ている。この温調用ノズル16は、エアシリンダ17に
より矢印Rで示すように円板状部材6の半径方向に移動
可能に設けられている。なお、温調用ノズル16を移動
させるためにエアシリンダ17の代わりにモータを用い
てもよい。
【0038】温調用ノズル16には、温調用流体供給源
18から温調器19を通して温調用流体が供給される。
温調用流体としては、例えば窒素(N2 )ガス、圧縮空
気等の気体または水等の液体が用いられる。温調器19
は、温調用流体の温度を調整する。
【0039】制御部20は、モータ3の回転数、レジス
トノズル12によるレジスト液の吐出タイミング、エア
シリンダ17による温調用ノズル16の移動、温調用ノ
ズル16からの温調用流体の吐出時間および温調器19
による温調用流体の温度を制御する。
【0040】図2および図3に示すように、円板状部材
6には複数の貫通孔13が設けられている。図4に示す
ように、各貫通孔13の上面を閉塞するようにゴム等の
伸縮性材料からなる閉塞用シート部材15が取り付けら
れている。各貫通孔13の下方におけるカップ11の底
面には、孔11bが形成され、各孔11bには蓋11c
が開閉自在に設けられている。
【0041】カップ11の孔11bの下方には、昇降ピ
ン14が昇降自在に設けられている。図4に一点鎖線で
示すように、基板Wの搬入時および搬出時には、昇降ピ
ン14が上昇し、カップ11の孔11bおよび円板状部
材6の貫通孔13を貫通して基板Wの裏面に当接する。
このとき、閉塞用シート部材15が伸縮性を有するの
で、昇降ピン14が閉塞用シート部材15を伸張させて
基板Wを上方に持ち上げることができる。
【0042】この閉塞用シート部材15により、パーテ
ィクル(塵埃)が円板状部材6の貫通孔13を通して基
板Wの裏面に付着することが防止される。
【0043】本実施例では、吸引保持部7が基板保持手
段に相当し、温調用ノズル16が吐出手段および吐出ノ
ズルに相当し、温調器19および制御部20が温度制御
手段に相当し、温調用流体供給源18および制御部20
が吐出時間制御手段に相当する。
【0044】本実施例の回転式基板処理装置において
は、塗布処理時に、レジストノズル12から回転保持部
1に保持された基板W上にレジスト液が滴下される。基
板W上に滴下されたレジスト液は、基板Wの回転により
基板Wの表面の全体に塗り広げられる。
【0045】塗布処理前または塗布処理中に、温調用流
体供給源18から温調器19を介して温調用ノズル16
に温調用流体が供給され、温調用ノズル16から円板状
部材6の裏面に温調用流体が吐出される。この温調用流
体は、温調器19により基板Wの温度よりも0.5℃程
度低めまたは高めに調整される。
【0046】温調用ノズル16が円板状部材6の下面と
平行に半径方向に移動することにより、円板状部材6の
裏面の全体または所定の部分に温調用流体が吐出され
る。これにより、円板状部材6の全体または所定の部分
の温度が調整される。その結果、円板状部材6上の吸引
保持部7に保持された基板Wの温度を調整するととも
に、円板状部材6および基板Wの温度を雰囲気温度に適
合させることが可能となる。
【0047】この場合、基板Wに0.1〜0.5℃の微
小な温度変動を与えることができる。また、温調器19
により温調用流体の温度を制御することにより円板状部
材6の温度を任意に調整することができるので、円板状
部材6上の吸引保持部7に保持された基板Wの温度を任
意に調整することが可能となる。さらに、温調用流体の
温度を適正化することにより短時間の吐出で基板Wの温
度補正が可能となるので、処理時間の増大が防止される
とともに、温調用流体の使用量が低減される。
【0048】また、温調用流体供給源18により温調用
流体の吐出時間を制御することにより、円板状部材6の
部分的な温度分布を調整することができる。
【0049】これらの結果、基板W上に形成されるレジ
スト膜の膜厚均一性を補正することが可能となる。
【0050】図5は本発明の第2の実施例における回転
式基板処理装置の概略断面図である。
【0051】図5の回転式基板処理装置においては、カ
ップ11の下面にスリット11dが形成され、このスリ
ット11dを通して円板状部材6の下方に複数の温調用
ノズル21,22が半径方向に配列されている。これら
の温調用ノズル21,22はノズル駆動部23によりそ
れぞれ矢印R1,R2で示すように半径方向に移動可能
となっている。ノズル駆動部23は、シリンダまたはモ
ータにより構成される。スリット11dは、温調用ノズ
ル21,22の移動に伴って半閉するように構成されて
いる。
【0052】温調用ノズル21,22には、温調用流体
供給源18から温調器19を介して温調用流体がそれぞ
れ独立に供給される。温調器19は、温調用ノズル2
1,22に供給する温調用流体の温度をそれぞれ独立に
調整する。図5の回転式基板処理装置の他の部分の構成
は図1の回転式基板処理装置と同様である。
【0053】本実施例の回転式基板処理装置において
は、塗布処理前または塗布処理中に、温調用流体供給源
18から温調器19を介して温調用ノズル21,22に
温調用流体が供給され、温調用ノズル21,22から円
板状部材6の裏面にそれぞれ独立に温度調整された温調
用流体が吐出される。これにより、円板状部材6の各部
分をそれぞれ同一または異なる所定の温度に調整するこ
とができる。その結果、円板状部材6の部分的な温度分
布を補正することができ、基板W上に形成されるレジス
ト膜の膜厚均一性を調整することが可能となる。
【0054】図6は本発明の第3の実施例における回転
式基板処理装置の概略断面図である。
【0055】図6の回転式基板処理装置においては、カ
ップ11の下面にノズル駆動部25が固定され、ノズル
駆動部24に温調用ノズル25が取り付けられている。
ノズル駆動部24は、矢印Qで示すように温調用ノズル
25の吐出角度を変化させる。ノズル駆動部24は、モ
ータまたはシリンダとクランプとの組み合わせにより構
成される。この温調用ノズル25には、温調用流体供給
源18から温調器19を介して温調用流体が供給され
る。図6の回転式基板処理装置の他の部分の構成は図1
の回転式基板処理装置と同様である。
【0056】本実施例の回転式基板処理装置において
は、塗布処理前または塗布処理中に、温調用流体供給源
18から温調器19を介して温調用ノズル25に温調用
流体が供給され、温調用ノズル25から円板状部材6の
裏面に温調用流体が吐出される。
【0057】この場合、ノズル駆動部24により温調用
ノズル25の吐出角度を変化させることにより、円板状
部材6の裏面の任意の部分に温調用流体を吐出すること
が可能となる。その結果、温調用ノズル25を移動させ
ることなく、基板Wの任意の位置の温度を調整すること
が可能となる。
【0058】図7は回転保持部の他の例を示す概略断面
図である。第1、第2および第3の実施例の回転式基板
処理装置において、回転保持部1の代わりに図7の回転
保持部31を用いてもよい。
【0059】図7の回転保持部31は、円板状部材3
3、複数の支持ピン34および複数の保持ピン35から
なる。円板状部材33はモータ(図示せず)の回転軸3
2の先端に水平に取り付けられる。複数の支持ピン34
は、円板状部材33の上面に設けられ、基板Wの裏面を
支持する。複数の保持ピン35は、円板状部材33の上
面に基板Wの外周部に沿って配置され、基板Wの外周端
縁に当接して基板Wの水平位置を規制する。
【0060】図7の回転式保持部31を用いた場合で
も、第1〜第3の実施例と同様に温調用ノズル16,2
1,22,25を設けることにより、円板状部材33の
温度を調整することができる。それにより、基板Wの全
体的または部分的な温度補正を行うことが可能となる。
その結果、円板状部材33および基板Wの温度と雰囲気
の温度の適合性が良好となり、基板W上に均一な厚さの
レジスト膜を形成することが可能となる。
【0061】なお、上記実施例では、本発明を回転式塗
布装置に適用した場合について説明したが、本発明は基
板を回転させながら基板に所定の処理を行う種々の回転
式基板処理装置、例えば回転式現像装置にも同様にして
適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例における回転式基板処理
装置の概略断面図である。
【図2】図1の回転式基板処理装置における回転保持部
の一部切欠き平面図である。
【図3】図2におけるX−X線断面図である。
【図4】図1の回転式基板処理装置の回転保持部の一部
の拡大断面図である。
【図5】本発明の第2の実施例における回転式基板処理
装置の概略断面図である。
【図6】本発明の第3の実施例における回転式基板処理
装置の概略断面図である。
【図7】回転保持部の他の例を示す概略断面図である。
【符号の説明】 1,31 回転保持部 2,32 回転軸 3 モータ 6 円板状部材 7 吸引保持部 8 放射状通路 9 環状通路 10 環状吸引口 12 レジストノズル 16,21,22,25 温調用ノズル 17 エアシリンダ 18 温調用流体供給源 19 温調器 20 制御部 23,25 ノズル駆動部 34 支持ピン 35 保持ピン

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を回転させながら前記基板に所定の
    処理を行う基板処理装置であって、 水平姿勢で回転駆動される円板状部材と、 前記円板状部材上に設けられ、前記基板を水平姿勢で保
    持する基板保持手段と、 前記円板状部材の裏面に温度調整用流体を吐出する吐出
    手段とを備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 前記吐出手段は、 前記円板状部材の下方に移動可能に設けられ、前記温度
    調整用流体を吐出する吐出ノズルを含むことを特徴とす
    る請求項1記載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記吐出手段は、 前記円板状部材の下方に配置され、前記温度調整用流体
    をそれぞれ吐出する複数の吐出ノズルを含むことを特徴
    とする請求項1記載の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 前記吐出手段は、 前記円板状部材の下方に吐出角度を変更可能に設けら
    れ、前記温度調整用流体を吐出する吐出ノズルを含むこ
    とを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  5. 【請求項5】 前記吐出手段から吐出される前記温度調
    整用流体の温度を制御する温度制御手段をさらに備えた
    ことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の基板
    処理装置。
  6. 【請求項6】 前記吐出手段による前記温度調整用流体
    の吐出時間を制御する吐出時間制御手段をさらに備えた
    ことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の基板
    処理装置。
  7. 【請求項7】 前記基板保持手段は、 前記円板状部材の上面に設けられ、前記基板の裏面の周
    縁部を部分的または全体的に吸引保持する吸引保持部を
    含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の
    基板処理装置。
  8. 【請求項8】 前記基板保持手段は、 前記円板状部材の上面に設けられ、前記基板の裏面を支
    持する支持部と、 前記円板状部材の上面に設けられ、前記基板の端縁を保
    持する複数の保持部とを含むことを特徴とする請求項1
    〜6のいずれかに記載の基板処理装置。
JP13721897A 1997-05-27 1997-05-27 基板処理装置 Pending JPH10323606A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102297A (ja) * 1999-07-28 2001-04-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びその方法
JP2002231609A (ja) * 2001-02-02 2002-08-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薬液塗布装置及び薬液塗布方法
JP2015092523A (ja) * 2013-11-08 2015-05-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP2018137307A (ja) * 2017-02-21 2018-08-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

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