JP2002231609A - 薬液塗布装置及び薬液塗布方法 - Google Patents

薬液塗布装置及び薬液塗布方法

Info

Publication number
JP2002231609A
JP2002231609A JP2001026785A JP2001026785A JP2002231609A JP 2002231609 A JP2002231609 A JP 2002231609A JP 2001026785 A JP2001026785 A JP 2001026785A JP 2001026785 A JP2001026785 A JP 2001026785A JP 2002231609 A JP2002231609 A JP 2002231609A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
suction
wafer
chemical
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2001026785A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideaki Mito
秀明 水戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2001026785A priority Critical patent/JP2002231609A/ja
Priority to US10/056,587 priority patent/US20020106445A1/en
Publication of JP2002231609A publication Critical patent/JP2002231609A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハチャックが基板の電子装置形成領域に
対応する裏面領域を保持してしまうことにより、基板表
面に塗布された薬液の膜厚が不均一になり、得られる電
子装置の特性バラツキや歩留まり低下を招いていた。 【解決手段】 基板１の表面上に形成される電子装置形
成領域以外の領域に相当する裏面領域を吸着部９ａ、９
ｃ、９ｄにて保持する。これにより、薬液塗布時の電子
装置形成領域内の温度が均一になり、膜厚一定の薬液膜
を形成することができる。その結果、電子装置の製造に
おける歩留まり向上と品質向上とを実現できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は主に電子装置（特に
半導体装置）の製造分野等に好適に使用できる薬液塗布
装置及び薬液塗布方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、図面を参照しながら、従来の薬液
塗布装置の一例について説明する。
【０００３】図１１は従来の薬液塗布装置の概略構造を
示した断面図である。図１１において、１は略円板状の
ウエハで、通常レジスト液を塗布後、露光処理、現像処
理を経てレジストパターンが形成される。２はウエハチ
ャックで、ウエハ１の中心部を吸着保持し薬液の回転塗
布処理を可能にする。３はウエハチャックの吸着部で、
ウエハ１の裏面に接触し吸着する。４は回転軸で、図示
しないモーターの回転をウエハチャック２に伝える。５
は塗布ノズルで、レジスト等の薬液をウエハ１上に滴下
する。６はカップで、ウエハ１の周囲に配置され、レジ
スト塗布時にレジスト液やリンス液などの薬液の飛散を
防止し回収する。
【０００４】また、図１２は図１１の薬液塗布装置にウ
エハを吸着した状態を上から見た平面図である。図１２
において、７はウエハ１上に縦横方向に多数配列形成さ
れる半導体集積回路等の電子装置の形成領域で、回路パ
ターンを形成後、個々のチップに切り離して半導体集積
回路装置（電子装置）が製造される。
【０００５】このような薬液塗布装置を用いた従来の薬
液の塗布方法は以下の通りである。まず、ウエハ１を塗
布処理のため図１１に示した塗布ユニット内に搬送し、
ウエハ１の裏面の中心付近をウエハチャック２の吸着部
３で真空吸着して保持する。このとき吸着部３によって
吸着されるのは、半導体集積回路形成領域７に対応する
裏面の領域内の所定の領域である。その後、回転軸４を
回転させ、塗布ノズル５より薬液をウエハ１上に滴下
し、一般に３０秒から６０秒程度ウエハ１を回転させ、
ウエハ１上の薬液を任意の膜厚に制御する。なお、ウエ
ハ１を停止した状態で薬液を滴下し、その後上記の時間
回転させる場合もある。その後、ウエハ１は回転乾燥さ
れる。そして、ベーク等の次工程に搬送される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
様な構成では、塗布された薬液の膜厚は、ウエハ面内に
おいて数ｎｍ程度の範囲で不均一になりやすいという問
題があった。特に薬液がレジスト液あるいは現像液の場
合、塗布膜厚の不均一はウエハ面内における非常に微細
なパターン配線寸法のバラツキとして現れる。固体撮像
素子や液晶表示装置のように光で画像の入出力を行う電
子装置（特に半導体装置）は通常の半導体装置よりも感
度が高く、面内特性の僅かな不均一も画像を表示するこ
とによって明らかとなる。従って、特にこのような半導
体装置の製造においては、塗布膜厚の不均一が特性不良
の原因となって、歩留まり低下を招いていた。
【０００７】また、このような微小な塗布膜厚の不均一
は現在の一般的な集積回路などでは特に問題になってい
ないが、設計ルール（配線幅）が０．１μｍ以下の半導
体装置では、パターン配線寸法の絶対値が小さくなるの
で、素子特性に影響し、特にその生産管理などにおいて
歩留まりを落とす要因として現れてくると考えられる。
【０００８】本発明は上記の問題点に鑑み、ウエハ上の
電子装置形成領域内に薬液を均一に塗布することができ
る薬液塗布装置及び薬液塗布方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は以下の構成とする。
【００１０】本発明の第１の薬液塗布装置は、基板の表
面上の電子装置形成領域以外の領域に相当する前記基板
の裏面の領域のみを吸着して前記基板を保持する吸着手
段と、薬液を前記基板の表面に供給する薬液供給手段と
を備えることを特徴とする。かかる第１の薬液塗布装置
の吸着手段は電子装置形成領域に相当する領域内を吸着
しない。その結果、電子装置形成領域内での薬液の塗布
均一性が確保され、電子装置の製造における歩留まり向
上と品質向上を実現することができる。
【００１１】上記第１の薬液塗布装置の前記吸着手段
は、前記基板の異なる場所を吸着する少なくとも３つ以
上の吸着部を有し、前記基板の重心位置は、前記吸着部
による前記基板の吸着箇所を頂点とする多角形の内側に
あることが好ましい。このような複数の吸着部で基板を
吸着し保持することで、基板を安定して保持し回転させ
ることができる。
【００１２】あるいは、前記吸着手段は、前記基板の全
周を吸着する吸着部を有していても良い。このような吸
着部を用いることにより基板を全周にわたって略均一に
吸着することができ、基板を安定して保持し回転させる
ことができる。また、基板と吸着手段との基板の法線方
向を軸とする回転方向の位置合わせを行なう必要がな
い。
【００１３】また、前記吸着手段は、前記基板の端部か
ら内側へ１０ｍｍ以下の領域を吸着することが好まし
い。通常、電子装置形成領域は基板の端部から１０ｍｍ
以上内側の領域内に形成されるからである。
【００１４】本発明の第２の薬液塗布装置は、複数の吸
着部からなる吸着手段と、前記吸着部が前記基板の表面
上の電子装置形成領域以外の領域に相当する前記基板の
裏面の領域のみを吸着するように、前記複数の吸着部の
うち前記基板を吸着して保持する吸着部を選択する制御
部と、薬液を前記基板の表面に供給する薬液供給手段と
を備えることを特徴とする。かかる第２の薬液塗布装置
によれば、吸着手段を構成する吸着部のうち、電子装置
形成領域に相当する領域内にある吸着部は基板を吸着し
ない。その結果、電子装置形成領域内での薬液の塗布均
一性が確保され、電子装置の製造における歩留まり向上
と品質向上を実現することができる。
【００１５】上記第２の薬液塗布装置において、前記複
数の吸着部のうち前記基板を吸着しない吸着部を前記基
板から離間させることが好ましい。これにより、電子装
置形成領域内の薬液の塗布膜がより一層均一になる。
【００１６】本発明の第３の薬液塗布装置は、基板の表
面上の電子装置形成領域に相当する前記基板の裏面の領
域の全てを少なくとも吸着して前記基板を保持する吸着
手段と、薬液を前記基板の表面に供給する薬液供給手段
とを備えることを特徴とする。第３の薬液塗布装置によ
れば、吸着手段が電子装置形成領域に相当する領域の全
てを吸着することにより、電子装置形成領域内での薬液
の塗布均一性が確保され、電子装置の製造における歩留
まり向上と品質向上を実現することができる。
【００１７】上記第３の薬液塗布装置において、前記基
板は円板状をなし、前記吸着手段の前記基板の吸着面は
略円形で、前記吸着面の直径は、前記基板の直径以下で
あって、前記基板の直径より１０ｍｍ小さい寸法以上で
あることが好ましい。吸着面を基板より小さくすること
で、吸着面上に薬液が付着するのを防止できる。また、
通常、電子装置形成領域は基板の端部から１０ｍｍ以上
内側の領域内に形成されるから、吸着面の直径を［基板
の直径−１０ｍｍ］以上にすることで、電子装置形成領
域に相当する領域の全てを吸着することができる。
【００１８】上記第１〜第３の薬液塗布装置は、更に、
前記基板を回転させる回転手段を備えることが好まし
い。これにより、回転塗布が可能になる。
【００１９】また、本発明の第１の薬液塗布方法は、基
板の表面上の電子装置形成領域以外の領域に相当する前
記基板の裏面の領域のみを吸着して前記基板を保持する
工程と、薬液を前記基板の表面に供給する工程とを備え
ることを特徴とする。
【００２０】また、本発明の第２の薬液塗布方法は、基
板の表面上の電子装置形成領域に相当する前記基板の裏
面の領域の全てを少なくとも吸着して前記基板を保持す
る工程と、薬液を前記基板の表面に供給する工程とを備
えることを特徴とする。
【００２１】第１及び第２の薬液塗布方法によれば、電
子装置形成領域内での薬液の塗布均一性が確保され、電
子装置の製造における歩留まり向上と品質向上を実現す
ることができる。
【００２２】上記第１及び第２の薬液塗布方法におい
て、前記電子装置は幅０．１５μｍ以下の配線パターン
を含んでいても良い。電子装置の配線が微細になればな
るほど、製造過程における塗布された薬液膜の不均一性
が、得られる電子装置の特性バラツキにより大きな影響
を与える。本発明の薬液塗布方法によれば均一な薬液膜
が得られるから、このような微細な配線を含む電子装置
の製造に特に効果を発揮する。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２４】（実施の形態１）図１は本発明の薬液塗布
装置の第１の実施の形態を示す断面図である。また、図
２は図１の塗布装置において吸着されたウエハを上から
見た平面図である。
【００２５】図１、図２において、１は略円板状のウエ
ハで、通常レジスト液を塗布後、露光処理、現像処理を
経てレジストパターンが形成される。４は回転軸で、図
示しないモーターの回転をウエハチャック８に伝える。
５は塗布ノズルで、レジスト等の薬液をウエハ１上に滴
下する。６はカップで、ウエハ１の周囲に配置され、レ
ジスト塗布時にレジスト液やリンス液などの薬液の飛散
を防止し回収する。７はウエハ１上に縦横方向に多数配
列形成される電子装置（特に半導体集積回路）の形成領
域で、回路パターンを形成後、個々のチップに切り離し
て電子装置（特に半導体集積回路装置）が製造される。
８はウエハチャックで、ウエハ１を吸着保持し薬液の回
転処理を可能にする。９ａ〜９ｄはウエハチャック８の
吸着部で、ウエハ１の裏面に接触し吸着する。本実施の
形態では、ウエハ１の半導体集積回路の形成領域７以外
の領域に対応する裏面の領域内の４箇所に、接触面積が
非常に小さい吸着部９ａ〜９ｄを吸着させて、ウエハ１
を吸着支持する。吸着部９ａ〜９ｄは、ウエハ１の外周
円より小さく、半導体集積回路形成領域７の外接円より
大きな、ウエハ１の中心を中心とする円の円周上に略等
角度間隔に配置される。好ましくは、吸着部９ａ〜９ｄ
は、ウエハ１の端部から内側へ１０ｍｍ以下の領域内に
配置される。
【００２６】このような薬液塗布装置を用いた本実施の
形態１の薬液の塗布方法は以下の通りである。まずウエ
ハ１を塗布処理のため、図１に示した塗布ユニット内に
搬送し、ウエハ１の裏面の所定位置をウエハチャック８
の吸着部９ａ〜９ｄで真空吸着して保持する。このとき
吸着部９ａ〜９ｄによって吸着されるのは、半導体集積
回路形成領域７を含まない領域すなわちウエハ１の周辺
部である。その後、回転軸４を回転させ、塗布ノズル５
より薬液をウエハ１上に滴下し、一般に３０秒から６０
秒程度ウエハ１を回転させ、ウエハ１上の薬液を任意の
膜厚に制御する。なお、ウエハ１を停止した状態で薬液
を滴下し、その後上記の時間回転させる場合もある。そ
の後、ウエハ１は回転乾燥される。そして、ベーク等次
工程に搬送される。
【００２７】上記の例では４つの吸着部９ａ〜９ｄをウ
エハ１の中心を中心とする円周上に略等角度間隔に配置
しているが、吸着部が、ウエハ１の裏面の、半導体集積
回路形成領域７に対応する領域以外の領域で吸着支持し
ていれば、本発明は上記の例に限定されない。ウエハ１
を支持する吸着部の数は、ウエハ１を安定して保持する
ためには３つ以上であることが好ましい。また、ウエハ
１を安定して保持し回転させるためには、吸着位置がウ
エハ１の周辺部にあり、かつ、ウエハ１の重心位置が、
複数の吸着位置を順に結んで形成される多角形内に包含
されているのが好ましい。更には、吸着位置は該重心を
中心とする円周上に等角度間隔で配置されているのがよ
り好ましい。
【００２８】本実施の形態では以上のように、ウエハ１
の集積回路形成領域７以外の領域でウエハ１を吸着支持
する。以下にこれによる効果について説明する。
【００２９】図１３は、図１１，図１２に示した従来の
塗布装置を用いて、供給するレジスト液の温度を４通り
に変えてレジスト塗布し、得られたレジスト膜の厚さ分
布を示したものである。図１３の横軸は膜厚の測定点を
示し、膜厚の測定は、図１４に示したようにウエハ１の
直径方向に端から端まで１５．８ｍｍ間隔にＰ1〜Ｐ1 3
の１３箇所で行なった。ここで測定点Ｐ7はウエハ１の
中心と一致する。図１３から分かるように、厚さ約１．
２μｍのレジスト膜は約６ｎｍの厚さバラツキを有して
いる。しかも、その厚さバラツキの様子はレジスト液の
温度によって相違している。このレジスト膜厚の温度依
存性の原因は、レジスト液の粘性の温度依存性にあると
考えられる。
【００３０】一方、従来の塗布装置においては、すでに
述べたようにウエハ１より小さい直径の吸着部３で半導
体集積回路形成領域７の裏面を吸着している。この結
果、ウエハ１のうち、吸着部３が吸着している領域と、
それ以外の領域との間にわずかな温度差が生じ、この温
度差が塗布されるレジスト液の粘性差を生じさせ、形成
されるレジスト膜の厚さバラツキをもたらしていると考
えられる。
【００３１】これに対して、本実施の形態では、半導体
集積回路形成領域７以外の領域の裏面を吸着している。
従って、半導体集積回路形成領域７内の温度分布をレジ
スト液の温度によらずほぼ均一にすることができ、半導
体集積回路形成領域７内に膜厚の均一なレジスト膜を形
成することができる。その結果、配線パターン寸法が面
内において所望する通りである半導体装置を得ることが
できる。
【００３２】以上から明らかなように、供給する薬液の
温度にバラツキがあっても半導体集積回路形成領域７内
の温度分布がほぼ均一になるようにウエハ１を吸着保持
できれば、その吸着部の実施形態は本実施の形態に限定
されない。以下に、これを説明する。
【００３３】（実施の形態２）図３は本発明の薬液塗布
装置の第２の実施の形態を示す断面図である。また、図
４は図３の塗布装置において吸着されたウエハを上から
見た平面図である。図３，図４において、実施の形態１
を示す図１，図２と同一の構成要素には同一の符号を付
してあり、それらの詳細な説明を省略する。
【００３４】図３，図４において、９ｅ〜９ｊ及び１０
ａ、１０ｂはウエハチャック８の吸着部で、ウエハ１の
裏面に接触し吸着する。各吸着部９ｅ〜９ｊ及び１０
ａ、１０ｂは全て同一構成を有し、図４に示すように、
ウエハ１の外周円よりわずかに小さい円周上に略等角度
間隔に配置されている。また、吸着部９ｅ〜９ｊ及び１
０ａ、１０ｂはそれぞれ単独に上下方向に少なくとも２
通りに変位させることができる。本例では、ウエハ１の
半導体集積回路形成領域７以外の領域にある吸着部９ｅ
〜９ｊはウエハ１の裏面に吸着してウエハ１を支持して
いるが、半導体集積回路形成領域７内にある吸着部１０
ａ，１０ｂは吸着部９ｅ〜９ｊよりわずかに低い位置に
変位して、ウエハ１と離間している。
【００３５】ウエハ１の吸着動作は以下のようにして行
なわれる。ウエハ１の回転方向の位置合わせを実施した
後、ウエハ１を塗布処理のため、図３の塗布ユニット内
に搬送し、ウエハ１の裏面を、半導体集積回路形成領域
７に重ならない位置にある吸着部９ｅ〜９ｊで真空吸着
して保持する。一方、半導体集積回路形成領域７と重な
る位置にある吸着部１０ａ，１０ｂはウエハ１の下方向
に移動する。
【００３６】ここで、吸着部９ｅ〜９ｊ及び１０ａ、１
０ｂのうち、どの吸着部を吸着させ、どの吸着部を下方
向に移動させるかは塗布装置に付属した制御装置（図示
せず）で制御される。制御装置にはウエハ１上の半導体
集積回路形成領域７に関するデータが記憶されており、
そのデータに基づいて吸着させる吸着部（上記の例では
吸着部９ｅ〜９ｊ）が決定される。そして吸着させない
吸着部（上記の例では吸着部１０ａ，１０ｂ）は制御装
置の信号によってアクチュエータ（図示せず）を作動さ
せて、吸着しないように下方へ移動させられる。
【００３７】以上のようにウエハ１の吸着動作が行なわ
れた後に、実施の形態１と同様に塗布ノズル６より薬液
をウエハ１上に滴下して、薬液を回転塗布する。このよ
うにして実施の形態１と同様に、レジスト等の薬液を均
一に塗布することができる。
【００３８】（実施の形態３）図５は本発明の薬液塗布
装置の第３の実施の形態を示す断面図である。また、図
６はウエハチャックの平面図、図７は図５の塗布装置に
おいて吸着されたウエハを上から見た平面図である。図
５〜図７において、実施の形態１を示す図１，図２と同
一の構成要素には同一の符号を付してあり、それらの詳
細な説明を省略する。
【００３９】図５〜図７において、９はウエハチャック
８の吸着部で、ウエハ１の裏面に接触し吸着することが
できる。本実施の形態の吸着部９は円板状のウエハチャ
ック８の全面に格子点状に多数配列されている。各吸着
部９は同一構成を有し、内部の真空吸着用のチューブ等
の経路はすべてウエハチャック８につながっている。各
吸着部９はそれぞれ単独に上下方向に少なくとも２通り
に変位させることができる。本例では、多数の吸着部９
のうち、ウエハ１の半導体集積回路形成領域７以外の領
域にある吸着部９はウエハ１の裏面に吸着してウエハ１
を支持しているが、半導体集積回路形成領域７内にある
吸着部９は該領域７内の吸着部９よりわずかに低い位置
に変位して、ウエハ１と離間している。図７では、ウエ
ハ１を吸着している吸着部９のみを点線で示している。
１１はウエハ位置検出器（画像認識装置）で、ウエハ１
の所定位置に形成された切り欠き部（ノッチ）を検出
し、回転軸４の回転を制御し回転方向の位置合わせを行
う。１２は搬送アームで、塗布装置に対してウエハ１の
搬入及び搬出を行なう。
【００４０】ウエハ１の吸着動作は以下のようにして行
なわれる。まず、ウエハ１を塗布処理のために、搬送ア
ーム１２で図５に示した塗布ユニット内に搬送し、ウエ
ハ１の裏面をウエハチャック８の全ての（又は任意の）
吸着部９で真空吸着して保持する。次に回転軸４を回転
させウエハ１の切り欠き部をウエハ位置検出器１１で検
知する。次にウエハ１を搬送アーム１２で保持し、半導
体集積回路形成領域７以外の領域をなるべく多くの吸着
部９が吸着保持できるように、ウエハチャック８を回転
させる。次に搬送アーム１２の保持を解除し、半導体集
積回路形成領域７以外の領域にある吸着部９のみで再度
ウエハ１を吸着保持する。一方、半導体集積回路形成領
域７と重なる位置にある吸着部９は下方向に移動する。
【００４１】ここで、複数の吸着部９のうち、どの吸着
部を吸着させ、どの吸着部を下方向に移動させるかは塗
布装置に付属した制御装置（図示せず）で制御される。
制御装置にはウエハ１上の半導体集積回路形成領域７と
切り欠き部の位置に関するデータが記憶されており、そ
のデータに基づいて吸着させる吸着部が決定される。そ
して吸着させない吸着部は制御装置の信号によってアク
チュエータ（図示せず）を作動させて、吸着しないよう
に下方へ移動させられる。
【００４２】以上のようにウエハ１の吸着動作が行なわ
れた後に、実施の形態１と同様に塗布ノズル６より薬液
をウエハ１上に滴下して、薬液を回転塗布する。このよ
うにして実施の形態１と同様に、レジスト等の薬液を均
一に塗布することができる。
【００４３】なお、上記の例ではウエハチャック８を回
転させてウエハ１と回転方向の位置合わせを実施した後
ウエハ１を保持する吸着部９を決定したが、回転方向の
位置合わせを行なうことなく、ウエハチャック８上に載
置されたウエハ１の切り欠き部を画像認識して、又は半
導体集積回路形成領域７を直接画像認識して、吸着させ
る吸着部９を選択しても良い。
【００４４】（実施の形態４）図８は本発明の第４の実
施の形態にかかる薬液塗布装置のウエハチャックの側面
断面図、図９はウエハチャックの平面図である。塗布ノ
ズル、カップなどは実施の形態１に示したのと同様であ
り、図示を省略している。また、図８，図９において、
実施の形態１を示す図１，図２と同一の構成要素には同
一の符号を付してあり、それらの詳細な説明を省略す
る。
【００４５】図８，図９において、８はウエハ１を吸着
保持するウエハチャックである。１３はウエハチャック
８の吸着部で、ウエハ１の裏面に接触し吸着することが
できる。吸着部１３は、直径が異なる２つの円筒面を軸
を一致させて配置してなり、両円筒面の間に隙間１４が
形成されている。隙間１４は、回転軸４内の中空部とつ
ながっており、更に図示しない吸引装置に接続されてい
る。
【００４６】吸着部１３の外径はウエハ１の直径と略一
致しており、吸着部１３の内径は、半導体集積回路形成
領域７の外接円の直径より大きい。従って、図８に示す
ように吸着部１３の上端面にウエハ１を、両者の中心が
一致するようにして載置すると、吸着部１３はウエハ１
の半導体集積回路の形成領域以外の領域に対応する裏面
の領域と接触する。この状態で隙間１４を通じてウエハ
１を吸着して保持することができる。本実施の形態で
は、実施の形態２，３に示したようなウエハ１とウエハ
チャック８との回転方向の位置合わせは不要である。ま
た、ウエハ１を全周にわたって均等の吸着力で保持する
ことができる。
【００４７】吸着部１３は、半導体集積回路の形成領域
以外の領域であって、ウエハ１の端部から内側に１０ｍ
ｍ以内の領域でウエハ１と接触することが好ましい。
【００４８】（実施の形態５）図１０は本発明の第５の
実施の形態にかかる薬液塗布装置のウエハチャックの側
面断面図である。塗布ノズル、カップなどは実施の形態
１に示したのと同様であり、図示を省略している。ま
た、図１０において、実施の形態１を示す図１，図２と
同一の構成要素には同一の符号を付してあり、それらの
詳細な説明を省略する。
【００４９】図１０において、１５はウエハチャック８
上に固定されたウエハチャック吸着部で、円板形状（若
しくは高さの低い円筒形状）を有する。ウエハ１が載置
される吸着部１５の上面の円の直径は、［ウエハ１の直
径−１０ｍｍ］以上、かつウエハ１の直径以下であるの
が好ましい。また、ウエハ１が載置される吸着部１５の
上面の円の直径は、ウエハ１の半導体集積回路形成領域
７の外接円の直径より大きいことが好ましい。吸着部１
５の上面のウエハ１が接触する面には多数の真空吸着用
の小孔１６が一様な分布で形成されている。全ての小孔
１６は、回転軸４内の中空部とつながっており、更に図
示しない吸引装置に接続されている。
【００５０】図１０に示すように吸着部１５の上面にウ
エハ１を、両者の中心が一致するようにして載置する
と、吸着部１５はウエハ１の半導体集積回路形成領域に
対応する裏面の全領域と接触する。この状態で小孔１６
を通じてウエハ１を吸着して保持する。
【００５１】本実施の形態では、ウエハ１の半導体集積
回路形成領域に対応する裏面の領域が全て吸着部１５と
接触するために、レジストなどの薬液を塗布しても、半
導体集積回路形成領域の温度を均一にすることができ、
塗布膜の不均一が生じない。また、実施の形態４と同様
に、ウエハ１とウエハチャック８との回転方向の位置合
わせは不要である。また、ウエハ１の半導体集積回路形
成領域に対応する裏面の領域をほぼ均等の吸着力で保持
することができる。
【００５２】なお、吸着部１５の上面の円の直径をウエ
ハ１の直径よりも大きくすることも可能であるが、この
場合はレジスト等の薬液が、ウエハ１が載置されない吸
着部１５の露出した上面に付着してしまう。したがっ
て、吸着部１５の上面のサイズは上記の条件を満足する
ことが好ましい。
【００５３】
【発明の効果】以上のように本発明は、ウエハ上に形成
される電子装置形成領域に含まれない任意の位置をウエ
ハチャックにて保持するか、または電子装置形成領域全
体をウエハチャックにて保持することにより、ウエハ上
の電子装置形成領域内の塗布均一性を損なうことなくウ
エハを保持することができ、電子装置の製造における歩
留まり向上、品質向上を実現することができる。
【００５４】本発明は、レジストなどの薬液を塗布した
とき、数ｎｍという僅かな塗布膜厚の不均一性を改善す
ることができ、主として幅０．１５μｍ以下のパターン
配線を含む電子装置の製造に効果を発揮するが、幅０．
１０μｍ以下のパターン配線を含む場合により一層顕著
な効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態における薬液塗布装
置の断面図
【図２】本発明の第１の実施の形態における薬液塗布装
置においてウエハ吸着状態を示す平面図
【図３】本発明の第２の実施の形態における薬液塗布装
置の断面図
【図４】本発明の第２の実施の形態における薬液塗布装
置においてウエハ吸着状態を示す平面図
【図５】本発明の第３の実施の形態における薬液塗布装
置の断面図
【図６】本発明の第３の実施の形態における薬液塗布装
置のウエハチャックの平面図
【図７】本発明の第３の実施の形態における薬液塗布装
置においてウエハ吸着状態を示す平面図
【図８】本発明の第４の実施の形態における薬液塗布装
置のウエハチャックがウエハを吸着している状態を示す
断面図
【図９】本発明の第４の実施の形態における薬液塗布装
置のウエハチャック平面図
【図１０】本発明の第５の実施の形態における薬液塗布
装置のウエハチャックがウエハを吸着している状態を示
す断面図
【図１１】従来の薬液塗布装置の断面図
【図１２】従来の薬液塗布装置におけるウエハ吸着状態
を示す平面図
【図１３】従来の薬液塗布装置を用いてレジストを塗布
したときのレジスト膜厚分布を示す図
【図１４】ウエハ上の膜厚測定点を示す図
【符号の説明】
１ ウエハ ２ ウエハチャック ３ ウエハチャックの吸着部 ４ 回転軸 ５ 塗布ノズル ６ カップ ７ 半導体集積回路形成領域 ８ ウエハチャック ９ ウエハチャックの吸着部 ９ａ〜９ｊ ウエハチャックの吸着部 １０ａ，１０ｂ ウエハチャックの吸着部 １１ ウエハ位置検出器 １２ 搬送アーム １３ ウエハチャックの吸着部 １４ 真空吸着用の隙間 １５ ウエハチャックの吸着部 １６ 小孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の表面上の電子装置形成領域以外の
    領域に相当する前記基板の裏面の領域のみを吸着して前
    記基板を保持する吸着手段と、薬液を前記基板の表面に
    供給する薬液供給手段とを備えることを特徴とする薬液
    塗布装置。
  2. 【請求項２】 前記吸着手段は、前記基板の異なる場所
    を吸着する少なくとも３つ以上の吸着部を有し、前記基
    板の重心位置は、前記吸着部による前記基板の吸着箇所
    を頂点とする多角形の内側にある請求項１に記載の薬液
    塗布装置。
  3. 【請求項３】 前記吸着手段は、前記基板の全周を吸着
    する吸着部を有する請求項１に記載の薬液塗布装置。
  4. 【請求項４】 前記吸着手段は、前記基板の端部から内
    側へ１０ｍｍ以下の領域を吸着する請求項１〜３のいず
    れかに記載の薬液塗布装置。
  5. 【請求項５】 複数の吸着部からなる吸着手段と、 前記吸着部が前記基板の表面上の電子装置形成領域以外
    の領域に相当する前記基板の裏面の領域のみを吸着する
    ように、前記複数の吸着部のうち前記基板を吸着して保
    持する吸着部を選択する制御部と、 薬液を前記基板の表面に供給する薬液供給手段とを備え
    ることを特徴とする薬液塗布装置。
  6. 【請求項６】 前記複数の吸着部のうち前記基板を吸着
    しない吸着部を前記基板から離間させる請求項５に記載
    の薬液塗布装置。
  7. 【請求項７】 基板の表面上の電子装置形成領域に相当
    する前記基板の裏面の領域の全てを少なくとも吸着して
    前記基板を保持する吸着手段と、薬液を前記基板の表面
    に供給する薬液供給手段とを備えることを特徴とする薬
    液塗布装置。
  8. 【請求項８】 前記基板は円板状をなし、前記吸着手段
    の前記基板の吸着面は略円形で、前記吸着面の直径は、
    前記基板の直径以下であって、前記基板の直径より１０
    ｍｍ小さい寸法以上である請求項７に記載の薬液塗布装
    置。
  9. 【請求項９】 更に、前記基板を回転させる回転手段を
    備える請求項１〜８のいずれかに記載の薬液塗布装置。
  10. 【請求項１０】 基板の表面上の電子装置形成領域以外
    の領域に相当する前記基板の裏面の領域のみを吸着して
    前記基板を保持する工程と、薬液を前記基板の表面に供
    給する工程とを備えることを特徴とする薬液塗布方法。
  11. 【請求項１１】 基板の表面上の電子装置形成領域に相
    当する前記基板の裏面の領域の全てを少なくとも吸着し
    て前記基板を保持する工程と、薬液を前記基板の表面に
    供給する工程とを備えることを特徴とする薬液塗布方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記電子装置は幅０．１５μｍ以下の
    配線パターンを含む請求項１０又は１１に記載の薬液塗
    布方法。
JP2001026785A 2001-02-02 2001-02-02 薬液塗布装置及び薬液塗布方法 Pending JP2002231609A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001026785A JP2002231609A (ja) 2001-02-02 2001-02-02 薬液塗布装置及び薬液塗布方法
US10/056,587 US20020106445A1 (en) 2001-02-02 2002-01-23 Chemical liquid coating device and chemical liquid coating method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001026785A JP2002231609A (ja) 2001-02-02 2001-02-02 薬液塗布装置及び薬液塗布方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002231609A true JP2002231609A (ja) 2002-08-16

Family

ID=18891546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001026785A Pending JP2002231609A (ja) 2001-02-02 2001-02-02 薬液塗布装置及び薬液塗布方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20020106445A1 (ja)
JP (1) JP2002231609A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7531039B2 (en) * 2002-09-25 2009-05-12 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing system
US10373858B2 (en) * 2016-04-06 2019-08-06 Lam Research Corporation Chuck for edge bevel removal and method for centering a wafer prior to edge bevel removal

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6245378A (ja) * 1985-08-23 1987-02-27 Hitachi Ltd 塗布装置
JPH02118926U (ja) * 1989-03-10 1990-09-25
JPH0639164U (ja) * 1992-10-30 1994-05-24 京セラ株式会社 スピンコータ
JPH10323606A (ja) * 1997-05-27 1998-12-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6245378A (ja) * 1985-08-23 1987-02-27 Hitachi Ltd 塗布装置
JPH02118926U (ja) * 1989-03-10 1990-09-25
JPH0639164U (ja) * 1992-10-30 1994-05-24 京セラ株式会社 スピンコータ
JPH10323606A (ja) * 1997-05-27 1998-12-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20020106445A1 (en) 2002-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6673151B2 (en) Substrate processing apparatus
TWI408009B (zh) 塗布膜之塗布裝置
JP2006332185A (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
TW201014658A (en) Treating liquid supplying unit and substrate treating apparatus and method using the same
US7673582B2 (en) Apparatus and method for removing an edge bead of a spin-coated layer
JP3843200B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2001189260A (ja) 液処理装置及びその方法
JP2002231609A (ja) 薬液塗布装置及び薬液塗布方法
JP3599323B2 (ja) 基板処理装置
JP2000208591A (ja) 回転式基板処理装置
JP2814184B2 (ja) 塗布装置
JP2001060542A (ja) レジストパタ−ンの形成方法
CN117501409A (zh) 一种显影装置、显影方法及涂胶显影系统
US9919350B2 (en) Cup-wash device, semiconductor apparatus, and cup cleaning method
JPH07240360A (ja) 薬液塗布装置
JP2975140B2 (ja) 回転処理装置
JP3588277B2 (ja) 基板の現像処理方法
JPH08168715A (ja) 回転式塗布装置および回転式塗布方法
JP3963732B2 (ja) 塗布処理装置およびこれを用いた基板処理装置
JP3210893B2 (ja) 処理装置および処理方法
JPH08279448A (ja) 回転塗布装置および回転塗布方法
JP3686241B2 (ja) 処理方法及び処理装置
JP2001250771A (ja) 膜形成装置及び膜形成方法における膜の均一性を向上させる方法
JPH02260415A (ja) 搬送装置
JP3410259B2 (ja) 半導体装置の製造方法