JPH02260415A - 搬送装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 搭載している半導体基板の温度分布を改善する搬送装置
に関し、 搭載している半導体基板の表面の温度分布のバラツキを
、搬送中に減少させることが可能となる搬送装置の提供
を目的とし、 表面に設けた半導体基板を吸着固定する真空製〔産業上
の利用分野〕 本発明は、搭載している半導体基板の温度分布を改善す
る搬送装置に関するものである。

近年の半導体装置の微細化に伴い、半導体チップのパタ
ーン寸法に対しては高い精度が要求されている。

このため、パターン寸法に大きな影響を与える半導体基
板の表面へのレジストの塗布技術が非常に重要になり、
均一な膜厚分布のレジスト膜を半導体基板の表面に形成
するためには、半導体基板の温度分布を均一に保つこと
が必要になっている。

以上のような状況から、半導体基板の表面の温度分布を
均一に保つことが可能な半導体基板の搬送装置が要望さ
れている。

〔従来の技術〕

従来の搬送装置を、レジスト塗布装置の場合について第
５図〜第６図により説明する。

第６図に概略構造を示す従来のレジスト塗布装置におい
ては、半導体基板７を保持する複数の保持部２ａを備え
、半導体基板７を収納するバスケット２により半導体基
板７が供給される。

このバスケット１２内の半導体基板７は、搬送装置１１
に順次移し替えられ、ウェーハチャック１４の位置まで
搬送され、コーターカップ１３内のウェーハチャック１
４の上に搭載される。

このウェーハチャック１４の上に搭載された半導体基板
７は、通常のレジスト塗布装置においては真空により吸
着固定され、上方に設けた塗布すべきレジストを滴下す
るノズル１５からレジストを供給される。

この後、ウェーハチャック１４は設定された回転数で、
設定された時間回転して半導体基板７の表面にレジスト
の薄膜を形成する。

このようなレジスト塗布装置に用いられる搬送装置１１
は、第５図に示すように半導体基板７との接触を少なく
するように半導体基板７を周辺部で保持しており、半導
体基板７の下面の中央部は露出されている。

〔発明が解決しようとする課題〕

以上説明した従来の搬送装置においては、搬送装置と半
導体基板とは搬送装置の周辺部で接触するのみで、半導
体基板の上下の表面は殆ど露出されており、半導体基板
の表面の温度分布にはバラツキが生じている。

温度が高くなるとレジストの粘度が低下し、このために
膜厚は薄くなるが、一方温度が高くなるとレジスト中に
含まれている溶剤が蒸発し易くなり、このために膜厚が
厚くなる効果の方が大きいためにレジストの膜厚が厚（
なり、形成されるレジスト膜の膜厚分布にバラツキが生
じるという問題点があった。

本発明は以上のような状況から、搭載している半導体基
板の表面の温度分布のバラツキを、搬送中に減少させる
ことが可能となる搬送装置の提供を目的としたものであ
る。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の搬送装置は、表面に設けた半導体基板を吸着固
定する真空吸着口と、温度調節器により制御される内蔵
されたヒータとを具備し、搭載しているこの半導体基板
の表面の温度分布を均一にするよう構成する。

〔作用〕

即ち本発明においては、内蔵するヒータを温度調節器に
より制御して搬送装置の表面温度を均一にし、搬送装置
の表面に真空吸着口を設けて半導体基板を吸着固定して
いるので、均一になっている搬送装置の表面の温度と、
搭載しているこの半導体基板の表面の温度とが等しくな
り、半導体基板の表面の温度分布を均一にすることが可
能となる。

〔実施例〕

以下、本発明による一実施例の搬送装置を、レジスト塗
布装置の場合について第１図〜第４図により説明する。

第２図に概略構造を示す本発明による一実施例のレジス
ト塗布装置においては、半導体基板７を保持する複数の
保持部２ａを備え、半導体基板７を収納するバスケット
２により半導体基板７が供給される。

このバスケット２内の半導体基板７は、搬送装置ＩＩに
順次移し替えられ、コーターカップ３内のウェーハチャ
ック４の近傍まで搬送され、その位置で半導体基板７を
周辺部で真空吸着する真空チャック６により速やかにウ
ェーハチャック４の上に搭載される。

このウェーハチャック４の上に搭載さｉた半導体基板７
は、通常のレジスト塗布装置においては真空により吸着
固定され、上方に設けた塗布すべきレジスト、例えば東
京応化社製の０ＦＰＲ−８００を滴下するノズル５から
レジストが供給される。

この後、ウェーハチャック４は設定された下記の条件で
半導体基板７の表面にレジストの薄膜を形成する。

コーターカップ内温度−・−・・−・・・−２４℃（一
定）レジストの温度　　　−・　　・・・・・・−・−
・−・・−・・−・２４℃回軸回転度　　　　　　　　
５０．００Ｏｒｐｍ／ｓｅｃ回転数　　−−−−−−−
−−−−−−−−−−−−−４，６００ｒｐｔ＊設定温
度−・−−−−−・−・−・・−２２，２３，２４，２
５，２６℃の５種類このようなレジスト塗布装置に用い
られる搬送装置１は第１図に示すように、その表面に真
空吸着口１ａが設けられており、内部には図示するよう
にヒータｌｂ、例えば中心部と周辺部に二分割されたシ
ーズヒータを内蔵している。

これらのヒータｌｂをそれぞれ独立して制御する温度調
節器１ｃが設けられており、中心部及び周辺部に設けた
温度センサ１ｄにより検知した表面温度に応じて温度調
節を行って搬送装置ｌの表面温度が均一になるよう制御
している。

搬送装置１の表面と半導体基板７との接触を確実にし、
半導体基板７の表面温度を均一にするよう、真空吸着口
１ａにより半導体基板７を搬送装置１の全表面に密着さ
せて保持している。

このようにして、半導体基板の表面に形成したレジスト
膜の膜厚と半導体基板の表面温度との関係は、第３図に
示すように表面温度が１℃高くなると、レジスト膜厚が
５０Ａ増加している。

また、温度調節を行わないので半導体基板の中心部の温
度が、中心から半径３０鰭の位置の温度よりも０．４℃
高い半導体基板７の表面に形成したレジスト膜の膜厚は
、第４図に■で示すように半導体基板７の中心から半径
Ｌｏｆｌの範囲内では、半導体基板７の中心から半径１
０１１以上離れた位置のレジスト膜厚と比べると膜厚が
増加しているが、温度調節を行った半導体基板の表面に
形成したレジスト膜の膜厚は図にムで示すように、半導
体基板７の中心から半径３０ｆｌの全領域で殆ど一定に
なっている。

〔発明の効果〕

以上の説明から明らかなように本発明によれば、温度調
節器を有するヒータを内蔵し、搭載する半導体基板を真
空吸着して半導体基板を搬送するので、半導体基板を搭
載してから搬送を終了するまでの間の時間内において半
導体基板の表面温度を均一にすることが可能となり、塗
布したレジスト膜の膜厚を均一にすることが可能となる
等の利点があり、著しい信頼性向上の効果が期待できる
搬送装置の提供が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による一実施例を示す図、第２図は本発
明による搬送装置を用いたレジスト塗布装置の概略構造
図、 第３図は半導体基板の温度と形成されたレジスト膜厚と
の関係を示す図、 第４図は半導体基板の表面に形成されたレジスト膜厚の
分布を示す図、 第５図は従来の搬送装置を示す図、 第６図は従来の搬送装置を用いたレジスト塗布装置の概
略構造図、である。 図において、 １は搬送装置、 １ａは真空吸着口、 １ｂはヒータ、 １ｃは温度調節器、 １ｄは温度センサ、 ２はバスケット、 ２ａは保持部、 ３は゛コーターカップ、 ４はウェーハチャック、 ５はノズル、 ６は真空チャック、 ７は半導体基板、 を示す。 ｉａｌ 平 面 図 山】 Ａ−Ａ断面矢視図 本発明による一実施例を示す図 半導体基板の１度と形成されたレノス日ＩＡ厚との関係
を示す図第 図 半導体基板の表面に形成されたレジスト膜厚の分布を示
す図第 図 Ｂ−Ｂ断面矢視図 本発明による搬送装置を用いたレジスト塗布装置のｉｎ
構造図（ａｌ 平 面 図 （ｂｌ 側 面 図 従来の搬送装置を示す図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 表面に設けた半導体基板（７）を吸着固定する真空吸着
   口（１ａ）と、 温度調節器（１ｃ）により制御される内蔵されたヒータ
   （１ｂ）とを具備し、 搭載している前記半導体基板（７）の表面の温度分布を
   均一にすることを特徴とする搬送装置。