JP3190159B2 - 半導体ウェーハの接着装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェーハの研磨
を行うにあたり、研磨装置のキャリアプレートに半導体
ウェーハを接着するための半導体ウェーハの接着装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】シリコン単結晶などの半導体ウェーハ
（以下、単にウェーハとも言う）においては、キャリア
プレートにウェーハを接着固定し、このキャリアプレー
トをポリッシングなどの研磨装置に投入することにより
ウェーハの研磨を行っている。

【０００３】従来、キャリアプレートにウェーハを接着
固定する場合は、ウェーハの裏面（鏡面研磨する面に対
する裏面）に予めワックスなどの接着剤を塗布してお
き、キャリアプレートの上面に複数のウェーハを配列し
て一次接着を行ったのち、加圧接着装置を用いて二次接
着を施していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ウェーハに
要求される平坦度は益々厳しくなっており、研磨方法の
改善やキャリアプレートの平坦度管理の強化が行われて
いるが、高平坦度のウェーハを得るためには、上述した
ワックスの厚さおよび厚さ分布もきわめて重要な管理項
目である。

【０００５】そのため、ウェーハの裏面に塗布されるワ
ックスの厚さは１μｍ以下に管理され、しかも、この極
薄ワックス層に起因してウェーハとキャリアプレートと
の間に微少な塵埃や気泡が浸入しただけで、研磨後のウ
ェーハにディンプルと呼ばれる欠陥が発生し、ウェーハ
の平坦度を著しく低下させるという問題があった。

【０００６】このような問題は、集積度が高まったり、
半導体ウェーハの口径が大きくなればなる程、均一な加
圧が困難となり、しかも塵埃や気泡の浸入確率が増加す
ることから、ウェーハの製造工程にとってきわめて深刻
な問題となっていた。

【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、複数の半導体ウェーハをキ
ャリアプレートの表面に接着する際に、ワックスを均一
に薄く塗布するとともに塵埃や気泡の混入を防止するこ
とにより、研磨後のディンプルの発生を抑止することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の半導体ウェーハの接着装置は、順次送り込
まれた半導体ウェーハを研磨装置のキャリアプレートの
表面に接着剤を介在させて圧着させる半導体ウェーハの
接着装置において、（Ａ）前記送り込まれた半導体ウェ
ーハのウェーハ搬送手段に対する相対位置を定位置に修
正する位置決め手段と、（Ｂ）前記半導体ウェーハの裏
面を吸着して回転させながら前記半導体ウェーハの表面
に洗浄液を噴射するとともに、当該洗浄液の噴射後に前
記半導体ウェーハを高速で回転させて水切りを行う前洗
浄手段と、（Ｃ）前記前洗浄手段により水切りされた半
導体ウェーハを加熱板により加熱して、当該半導体ウェ
ーハの表面に残留した水膜を蒸発除去する乾燥手段と、
（Ｄ）前記半導体ウェーハの裏面を把持し、当該半導体
ウェーハの表面に接着剤を滴下したのち高速回転させる
ことにより、前記接着剤を当該半導体ウェーハの表面に
拡散させる接着剤塗布手段と、（Ｅ）前記接着剤塗布手
段により接着剤が塗布された半導体ウェーハを加熱板に
より加熱して、前記接着剤に含まれた溶剤を蒸発させる
溶剤除去手段と、（Ｆ）前記半導体ウェーハに形成され
たオリエンテーションフラット面を検出して、当該オリ
エンテーションフラット面を決められた方向に位置決め
するオリフラ合わせ手段と、（Ｇ）前記半導体ウェーハ
をウェーハパッドにより吸着し、前記半導体ウェーハを
張り付けるべきキャリアプレートを順次回転させながら
前記ウェーハパッドを反転させることにより前記キャリ
アプレートに所定間隔で前記半導体ウェーハを張り付け
る張り付け手段と、（Ｈ）前記位置決め手段、前洗浄手
段、乾燥手段、接着剤塗布手段、溶剤除去手段、オリフ
ラ合わせ手段の各位置に対応して設けられたウェーハハ
ンドをビームで連結し、当該ビームを搬送方向および上
下方向に移動自在に設けることにより、前記各手段に投
入された半導体ウェーハを一括して次の手段に搬送する
ウェーハ搬送手段と、を備え、前記各手段の少なくとも
いずれかは、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ搬送手
段との間で移載可能な位置に昇降させるリフタを有する
ことを特徴とする。

【０００９】本発明の半導体ウェーハの接着装置は、順
次送り込まれた半導体ウェーハを研磨装置のキャリアプ
レートの表面に接着剤を介在させて圧着させる半導体ウ
ェーハの接着装置において、（Ａ）前記送り込まれた半
導体ウェーハのウェーハ搬送手段に対する相対位置を定
位置に修正する位置決め手段と、（Ｂ）前記半導体ウェ
ーハの裏面を吸着して回転させながら前記半導体ウェー
ハの表面に洗浄液を噴射するとともに、当該洗浄液の噴
射後に前記半導体ウェーハを高速で回転させて水切りを
行う前洗浄手段と、（Ｃ）前記前洗浄手段により水切り
された半導体ウェーハを加熱板により加熱して、当該半
導体ウェーハの表面に残留した水膜を蒸発除去する乾燥
手段と、（Ｄ）前記半導体ウェーハの裏面を吸着して把
持し、当該半導体ウェーハの表面に接着剤を滴下したの
ち高速回転させることにより半導体ウェーハの表面に接
着剤を拡散させる接着剤塗布手段と、（Ｅ）前記接着剤
塗布手段により接着剤が塗布された半導体ウェーハを加
熱板により加熱して、前記接着剤に含まれた溶剤を蒸発
させる溶剤除去手段と、（Ｆ）前記半導体ウェーハに形
成されたオリエンテーションフラット面を検出して、当
該オリエンテーションフラット面を決められた方向に位
置決めするオリフラ合わせ手段と、（Ｇ）前記半導体ウ
ェーハをウェーハパッドにより吸着し、前記半導体ウェ
ーハを張り付けるべきキャリアプレートを順次回転させ
ながら前記ウェーハパッドを反転させることにより前記
キャリアプレートに所定間隔で前記半導体ウェーハを張
り付ける張り付け手段と、（Ｈ）前記位置決め手段、前
洗浄手段、乾燥手段、接着剤塗布手段、溶剤除去手段、
オリフラ合わせ手段の各位置に対応して設けられ、前記
半導体ウェーハを載置する一対の載置部材と、これら載
置部材を連結して前記ビームに固定する棒部材からなる
複数のウェーハハンドと、前記複数のウェーハハンドを
連結しベースの上方に配備されたビームと、前記ベース
の下方に配備され前記ビームを半導体ウェーハの搬送方
向および上下方向に移動させる駆動部とを具備し、前記
ビームを搬送方向および上下方向に移動させることによ
り、前記各手段間での前記半導体ウェーハの移載および
搬送を一括して行うウェーハ搬送手段とを備えたことを
特徴とする。

【００１０】好ましくは、前記各手段の少なくともいず
れかは、前記半導体ウェーハを前記ウェーハ搬送手段と
の間で移載可能な位置に昇降させるリフタを有する。

【００１１】本発明のウェーハ搬送装置は、半導体ウェ
ーハを研磨装置のキャリアプレートの表面に接着剤を介
在させて圧着させるのに必要な一連の工程を行う複数の
処理装置間における半導体ウェーハの搬送を行うウェー
ハ搬送装置であって、ベースの上方に配備されたビーム
と、前記各処理装置にそれぞれ対応して設けられ、前記
半導体ウェーハを載置する一対の載置部材と、これら載
置部材と前記ビームとを連結する棒部材とからなるウェ
ーハハンドと、前記ベースの下方に配備され、前記ビー
ムを半導体ウェーハの搬送方向および上下方向に移動さ
せる駆動部とを備え、前記ビームの搬送方向および上下
方向への移動動作により、前記各処理装置間での前記半
導体ウェーハの移載および搬送を一括して行う。

【００１２】好ましくは、前記ウェーハハンドの載置部
材は、フッ素系樹脂から成形され、前記棒部材は、石英
棒からなる。

【００１３】本発明のウェーハ搬送装置は、半導体ウェ
ーハを研磨装置のキャリアプレートの表面に接着剤を介
在させて圧着させるのに必要な一連の工程を行う複数の
処理装置間における半導体ウェーハの搬送を行うウェー
ハ搬送装置であって、前記複数の処理装置の各位置に対
応して設けられたウェーハハンドをビームで連結し、当
該ビームを搬送方向および上下方向に移動自在に設ける
ことにより、前記各処理装置に投入された半導体ウェー
ハを一括して次の処理装置に搬送するウェーハ搬送手段
と、前記各処理装置に設けられ、前記半導体ウェーハを
前記ウェーハ搬送手段との間で移載可能な位置に昇降さ
せるリフタとを有する。

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【００２２】

【００２３】

【００２４】

【００２５】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説
明する。半導体ウェーハの接着装置の全体構成 図１は本発明の半導体ウェーハの接着装置全体を示す平
面図であり、例えば、厚さ分類装置などによって厚さ別
にバッチ構成された半導体ウェーハにワックスを塗布し
て研磨装置のキャリアプレートに張り付ける装置であ
る。

【００２６】「Ｒ₁ 」はウェーハ移載用ロボットであ
り、厚さ分類装置から順次搬送されてきた半導体ウェー
ハＷを把持し、本実施例の接着装置に案内する。ロボッ
トＲ₁の下流側には、２つの並列した搬送路１ａ，１ｂ
が形成されており、これらそれぞれの搬送路１ａ，１ｂ
に沿って、位置決め装置Ａ、前洗浄装置Ｂ、乾燥装置
Ｃ、接着剤塗布装置Ｄ、溶剤除去装置Ｅ、オリフラ合わ
せ装置Ｆの各装置が設けられている。

【００２７】オリフラ合わせ装置Ｆの下流側には別のロ
ボットＲ₂ が設けられており、上述した２つの搬送路１
ａ，１ｂから送られてきた半導体ウェーハＷを交互に張
り付け装置Ｇに移載する。また、２つの搬送路１ａ，１
ｂのそれぞれに沿ってウェーハ搬送装置Ｈ，Ｈが設けら
れており、各装置に位置する半導体ウェーハを一括して
１ステージづつ移送する。なお、半導体ウェーハＷが張
り付けられたキャリアプレート２は図示しない研磨装置
に送られ、そこで半導体ウェーハの研磨が行われる。

【００２８】次に、搬送路に設けられた各装置の構成に
ついて説明する。位置決め装置Ａ 図２（ａ）は本発明に係る位置決め装置（位置決め手
段）を示す平面図、図２（ｂ）は同じく縦断面図であ
る。同図に示すように、本実施例に係る位置決め装置Ａ
は、ベース３に脚部４を介して取り付けられた位置決め
プレート５と、ベース３に固定されたエアーシリンダ６
などの駆動部によって昇降するリフタ７とを有してお
り、さらに、位置決めプレート５の上面には、半導体ウ
ェーハＷの口径に応じて取り付けられた位置決めピン８
ａ，８ｂを有している。

【００２９】位置決めプレート５の中心には、リフタ７
が昇降する際に通過し得る開口９が開設されており、リ
フタ７はエアーシリンダ６によって上昇してロボットＲ
₁ から半導体ウェーハＷを受け取る位置（図２（ｂ）に
二点鎖線で示す）と、下降しながら半導体ウェーハＷを
位置決めプレート５上に載置する位置（図２（ｂ）に実
線で示す）との間を上下移動する。

【００３０】このリフタ７の下降時において、当該リフ
タ７に載置された半導体ウェーハＷは位置決めプレート
５に取り付けられた位置決めピン８ａまたは８ｂに接触
するが、位置決めピン８ａ，８ｂの先端にはテーパ状の
呼び込み面１０が形成されており、この呼び込み面１０
によってリフタ７に載置されたウェーハＷの位置が多少
ずれていたとしても位置決めピン８ａ，８ｂが取り付け
られた定位置に修正することができる。

【００３１】なお、本実施例では半導体ウェーハＷを例
えば６インチと８インチの２種類としているため、それ
ぞれの口径に応じた位置決めピン８ａ，８ｂを取り付け
ている。すなわち、「８ａ」が６インチ用の位置決めピ
ンであり、「８ｂ」が８インチ用の位置決めピンであ
る。

【００３２】ただし、本発明においては適用される半導
体ウェーハの具体的口径については何ら限定されること
はない。したがって、搬送路に投入される半導体ウェー
ハの口径に応じて位置決めピンの取付位置を変更するこ
とができる。

【００３３】なお、図２（ｂ）に示す符号「１１」はベ
ース３に取り付けられた光電管であり、リフタ７上のウ
ェーハＷの有無を検出することにより、エアーシリンダ
６とのインターロックを行っている。

【００３４】前洗浄装置Ｂ 図３は本発明に係る前洗浄装置（前洗浄手段）を示す縦
断面図、図４は同じく平面図である。同図に示すよう
に、本実施例の前洗浄装置Ｂは、上ベース１２と下ベー
ス１３とに固定されたスリーブ１４を有しており、この
スリーブ１４内に軸受を介して回転軸１５が回転自在に
支持されている。この回転軸１５は、タイミングプーリ
１６およびタイミングベルト１７を介して下ベース１３
に固定されたＡＣサーボモータ１８により所望の回転速
度で回転する。回転軸１５の先端には、半導体ウェーハ
Ｗを吸着保持するためのウェーハパッド１９が取り付け
られており、ウェーハパッド１９および回転軸１５に穿
設された真空引き用孔２０を利用して真空引きを行うこ
とにより半導体ウェーハＷはウェーハパッド１９に吸着
されることになる。

【００３５】また、半導体ウェーハＷの受渡しを行うた
めに、下ベース１３に固定されたエアーシリンダ２１な
どの駆動部により昇降するリフタ２２が設けられてお
り、リフタ２２の先端は上ベース１２を貫通して半導体
ウェーハＷを受け取る位置（図３に二点鎖線で示す）
と、この位置から下降して半導体ウェーハＷをウェーハ
パッド１９に載置する位置（図３に実線で示す）との間
を上下移動するようになっている。本実施例の前洗浄装
置Ｂでは、かかるリフタ２２を３本設ける（図４参照）
ことにより半導体ウェーハＷを保持する。

【００３６】上ベース１２の上面には、半導体ウェーハ
Ｗの洗浄処理を行うためのチャンバ２３が形成されてお
り、このチャンバ２３には、中央にウェーハＷが挿通し
得る開口２４を有する飛散防止プレート２５が取り付け
られている。

【００３７】この飛散防止プレート２５は、チャンバ２
３の側縁に沿って設けられた環状プレートであって、ウ
ェーハパッド１９に保持された半導体ウェーハＷの外周
縁から放射位置に取り付けられており、かつ若干傾斜し
て設けられている。これは、ウェーハパッド１９の回転
により半導体ウェーハＷの外周縁から放射状に飛散する
洗浄液を受け止め、チャンバ２３の底部に貯留させる機
能を有している。したがって、飛散防止プレート２５の
傾斜角度は、かかる機能を考慮して形成することが望ま
しい。少なくとも、飛散防止プレート２５に飛び散った
洗浄液が再び半導体ウェーハＷに飛散して付着しないよ
うな傾斜角度を選択する。

【００３８】この飛散防止プレート２５によって集約さ
れた洗浄液は、チャンバ２３の底部に設けられたドレン
管２６から外部に排出され、一方、チャンバ２３の底部
に貯留しない微細な水粒や粉塵などは、チャンバ２３に
形成された排出口２７から吸引されるようになってい
る。

【００３９】洗浄液の噴射は、チャンバ２３の上部に設
けられたノズル２８によって行われる。このノズル２８
は、固定プレート２９に軸受を介して回転自在に取り付
けられたアーム３０の先端に設けられており、例えば超
音波を混入した純水を半導体ウェーハの表面に噴射し、
ウェーハ表面に付着した粉塵などを叩き出す機能を司
る。

【００４０】また、本実施例の前洗浄装置Ｂでは、ノズ
ル２８から洗浄液を噴射させるにあたり、半導体ウェー
ハＷの表面全体に洗浄液が噴射されるようにノズル２８
を旋回させるように構成されている。

【００４１】具体的には、固定プレート２９に取り付け
られたスピードコントロールモータ３１の出力軸の先端
にはカムフォロア３２が取り付けられており、このカム
フォロア３２はアーム３０の基端に固定されたカム３３
のカム溝に係合されている。したがって、スピードコン
トロールモータ３１の出力軸が回転すると、カムフォロ
ア３２も回転し、これによりカム３３はアーム３０の基
端３０ａを中心にして揺動することになり、その結果ア
ーム３０の先端、すなわちノズル２８が揺動することに
なる。このような構成の洗浄液噴射部３４は、図４に示
すように２対設けられており、一方の洗浄液噴射部３４
ａは図４において半導体ウェーハＷの中心から上側に揺
動し、他方の洗浄液噴射部３４ｂは中心から下側に揺動
する。

【００４２】なお、図３に示す符号「３５」は、ウェー
ハパッド１９に半導体ウェーハＷが吸着されているか否
かを検出するための光電スイッチである。

【００４３】このように構成された前洗浄装置Ｂでは、
まず、２対のノズル２８を搬入されてきた半導体ウェー
ハＷと干渉しない位置（図４に二点鎖線で示す）まで待
避させておき、エアーシリンダ２１を作動させて３本の
リフタ２２を上昇させる。そして、このリフタ２２上に
後述するウェーハ搬送装置Ｈによって処理すべき半導体
ウェーハＷを載置したのち、当該リフタ２２を下降させ
ながらウェーハパッド１９に吸着させる。

【００４４】ついで、ＡＣサーボモータ１８を作動させ
て最初は低速（３０〜１００ｒｐｍ）で回転させ、これ
と同時にスピードコントロールモータ３１を作動させて
ノズル２８を揺動させながら、当該ノズル２８から超音
波を混入した純水を半導体ウェーハＷの表面に噴射す
る。

【００４５】これにより、前工程で付着した粉塵などを
叩き出すことができるが、半導体ウェーハＷの外周縁か
ら放射状に飛び散った洗浄液は、飛散防止プレート２５
に受け止められてチャンバ２３の底部に集約されたの
ち、ドレン管２６から排出される。また、チャンバ２３
内に充満した洗浄液の水粒は排気口２７から外部に排出
される。このように、半導体ウェーハから除去された粉
塵等は再びウェーハに付着することなく適切に除去され
ることになる。

【００４６】ある程度の洗浄液の噴射を行ったらノズル
２８からの噴射を停止する。そして、今度はＡＣサーボ
モータ１８を高速（５００〜１０００ｒｐｍ）で回転さ
せることにより、半導体ウェーハＷの水切りを行う。こ
の水切りを行う場合にも、半導体ウェーハの外周縁から
放射状に飛散した洗浄液は飛散防止プレート２５によっ
てチャンバ２３の底部に集約されドレン管２６から排出
されることになる。

【００４７】高速回転による水切りを終了すると、再び
ノズル２８を待避位置に戻し、ウェーハパッド１９の真
空引きを停止すると同時に、リフタ２２を上昇させて半
導体ウェーハＷをウェーハ搬送装置Ｈの移送位置（図３
に二点鎖線で示す）まで上昇させ、次の乾燥工程に送
る。

【００４８】乾燥装置Ｃ 図５（ａ）は本発明に係る乾燥装置（乾燥手段）を示す
平面図、図５（ｂ）は同じく縦断面図である。上述した
前洗浄装置Ｂにおいて半導体ウェーハを高速回転させる
と、ある程度の水切りは行われる。しかしながら、ウェ
ーハ表面には、遠心力によっては除去され難い水膜が形
成されており、これが残留すると後工程で塗布されるワ
ックスとの相溶性の点から好ましくないので本乾燥装置
Ｃにて蒸発させて除去するようにしている。

【００４９】本乾燥装置Ｃにおいては、図５に示すよう
に、ベース３６に断熱材３７を介して加熱板３８が固定
されており、この加熱板３８には加熱源となる熱電対３
９が挿入されている。また、ベース３６に対して固定さ
れた下ベース４０にはエアーシリンダ４１などの駆動部
が取り付けられており、このエアーシリンダ４１のロッ
ド先端にプレート４２を介して３本のリフタ４３が設け
られている。このリフタ４３は、上昇して半導体ウェー
ハＷを受け取る位置と下降して加熱板３８上に半導体ウ
ェーハＷを載置する位置との間を上下移動するようにな
っている。

【００５０】なお、図５（ｂ）において符号「４４」
は、加熱板３８上に半導体ウェーハＷが存在するか否か
を検出するための光電スイッチである。

【００５１】このように構成された乾燥装置Ｃでは、ま
ずエアーシリンダ４１を作動させることにより３本のリ
フタ４３を上昇させ、後述するウェーハ搬送装置Ｈにて
搬送されてきた半導体ウェーハＷを受け取る。そして、
当該リフタ４３を下降させることによりリフタ４３に載
置された半導体ウェーハＷを加熱板３８上に移載する。
加熱板３８は熱電対３９によって約４０〜８０℃に加温
されているため、半導体ウェーハＷに残留した水膜は蒸
発することにより払拭される。乾燥を終えた半導体ウェ
ーハＷは、上昇するリフタ４３に保持されて、ウェーハ
搬送装置Ｈによる受渡し位置まで上昇する。

【００５２】接着剤塗布装置Ｄ 図６は本発明に係る接着剤塗布装置（接着剤塗布手段）
を示す縦断面図、図７は同じく平面図である。前洗浄装
置Ｂおよび乾燥装置Ｃにより粉塵等が除去された半導体
ウェーハＷは、ウェーハ搬送装置Ｈによって接着剤塗布
装置Ｄに搬入される。

【００５３】本実施例の接着剤塗布装置Ｄは、上ベース
４５と下ベース４６とに固定されたスリーブ４７を有し
ており、このスリーブ４７内に軸受を介して回転軸４８
が回転自在に支持されている。この回転軸４８は、タイ
ミングプーリ４９およびタイミングベルト５０を介して
下ベース４６に固定されたＡＣサーボモータ５１により
所望の回転速度で回転する。回転軸４８の先端には、半
導体ウェーハＷを吸着保持するためのウェーハパッド５
２が取り付けられており、ウェーハパッド５２および回
転軸４８に穿設された真空引き用孔５３を利用して真空
引きを行うことにより半導体ウェーハＷはウェーハパッ
ド５２に吸着される。

【００５４】また、半導体ウェーハＷの受渡しを行うた
めに、下ベース４６に固定されたエアーシリンダ５４な
どの駆動部により昇降するリフタ５５が設けられてお
り、リフタ５５の先端は上ベース４５を貫通して半導体
ウェーハＷを受け取る位置と、この位置から下降して半
導体ウェーハＷをウェーハパッド５２に載置する位置と
の間を上下移動するようになっている。本実施例の前洗
浄装置では、かかるリフタ５５を３本設けることにより
半導体ウェーハＷを保持する。

【００５５】上ベース４５の上面には、半導体ウェーハ
Ｗへの塗布処理を行うためのチャンバ５６が形成されて
おり、このチャンバ５６には中央にウェーハＷが挿通し
得る開口５７が形成された飛散防止プレート５８が取り
付けられている。この飛散防止プレート５８は、チャン
バ５６の側縁に沿って設けられた環状プレートであっ
て、ウェーハパッド５２に保持された半導体ウェーハＷ
の外周縁から放射位置に取り付けられており、かつ若干
傾斜して設けられている。これは、ウェーハパッド５２
の回転により半導体ウェーハＷの外周縁から放射状に飛
散する接着剤を受け止め、チャンバ５６の底部５６ａに
滴下させる機能を有している。したがって、飛散防止プ
レート５８の傾斜角度は、かかる機能を考慮して形成す
ることが望ましい。少なくとも、飛散防止プレート５８
に飛び散った接着剤が再び半導体ウェーハＷに飛散して
付着しないような傾斜角度を選択する。

【００５６】この飛散防止プレート５８によって集約さ
れた接着剤は、チャンバの底部５６ａに設けられたドレ
ン管５９から外部に排出され、また、チャンバの底部５
６ａに貯留しない微細な水粒や粉塵などは、チャンバ５
６に形成された排出口６０から吸引されるようになって
いる。

【００５７】特に本実施例の接着剤塗布装置Ｄでは、接
着剤をドレン管５９から排出するにあたり、接着剤の粘
度を下げて円滑な排出を実現するために、チャンバの底
部５６ａにはヒータ６１が埋設されている。そして、半
導体ウェーハＷから飛散した接着剤がある程度チャンバ
５６に貯留したら、ヒータ６１を作動させて接着剤の粘
度を低下させることにより流動性を高め、ドレン管５９
に導く。

【００５８】ただし、本実施例では接着剤として常温リ
キッドワックス（常温で液体状の粘性を有するワック
ス）を用いていることに鑑み、常時ヒータ６１を作動さ
せて貯留した接着剤を加温すると、処理中の半導体ウェ
ーハＷに蒸発した溶剤が付着し、これが処理ムラとなる
ため、半導体ウェーハに接着剤を塗布している間はヒー
タ６１を停止しておき、処理すべき半導体ウェーハがチ
ャンバ５６内にないときにヒータ６１を作動させて接着
剤の排出を行う。

【００５９】また、半導体ウェーハ表面に滴下された接
着剤がウェーハの裏面に回り込むのを防止するために、
以下の構成を採用している。すなわち、チャンバ５６内
には、ウェーハＷがウェーハパッド５２に載置された状
態で、当該ウェーハの裏面との間に僅かな隙間Ｓが形成
されるように環状の隆起部６２が形成されており、さら
に、この環状隆起部６２の内部から外部に向かってガス
が流れるようにガス導入口６３がベース４５に穿設され
ている。そして、ガス導入口６３から例えば窒素ガスな
どを吹き込むことにより、ウェーハパッド５２に載置さ
れた半導体ウェーハＷの裏面に沿って、中心から外周に
向かって窒素ガスが流れるようになっている。このガス
により、半導体ウェーハＷの表面に滴下された接着剤
は、遠心力によって外周縁から放射状に飛散し、ウェー
ハＷの裏面に回り込むことが防止される。

【００６０】接着剤の噴射は、チャンバ５６の上部に設
けられたワックスディスペンサ６４によって行われる。
固定プレート６５にはロータリアクチュエータ６６が固
定されており、このロータリアクチュエータ６６の出力
軸に取り付けられたアーム６７の先端にワックスディス
ペンサ６４が設けられている。そして、ロータリアクチ
ュエータ６６の作動によって、ワックスディスペンサ６
４は、図７に実線で示す塗布位置と、同図に二点鎖線で
示す待避位置との間を回動し得るようになっており、半
導体ウェーハＷをチャンバ５６内に搬入したり搬出した
りするときには待避位置に回動する。

【００６１】また、本実施例の接着剤塗布装置Ｄでは、
アーム６７に２つのワックスディスペンサ６４，６４を
取り付けており、例えば８インチウェーハのように大口
径のウェーハに対しては２つのワックスディスペンサを
使用して接着剤の塗布を行う。これに対して、６インチ
ウェーハなどのように比較的それより小口径のウェーハ
に対しては１つのワックスディスペンサのみを使用して
接着剤の塗布を行う。

【００６２】なお、図６に示す符号「６８」は、ウェー
ハパッド５２に半導体ウェーハＷが吸着されているか否
かを検出するための光電スイッチである。

【００６３】このように構成された接着剤塗布装置Ｄで
は、まず、ワックスディスペンサ６４を待避位置（図７
に二点鎖線で示す）に回動させておき、エアーシリンダ
５４を作動させて３本のリフタ５５を上昇させる。そし
て、このリフタ５５上に後述するウェーハ搬送装置Ｈに
よって処理すべき半導体ウェーハＷを載置したのち、リ
フタ５５を下降させながらウェーハパッド５２に吸着さ
せる。ついで、ロータリアクチュエータ６６によりワッ
クスディスペンサ６４を塗布位置まで回転させ、ＡＣサ
ーボモータ５１を作動させて最初は低速（１０〜６０ｒ
ｐｍ）で回転させながら、ワックスディスペンサ６４か
ら接着剤を滴下する。

【００６４】これにより、接着剤が半導体ウェーハ表面
にある程度均等に行きわたることになるが、未だ薄膜状
の接着剤層とはなっていないので、次に、ＡＣサーボモ
ータ５１を操作して高速（２０００〜４５００ｒｐｍ）
で回転させる。半導体ウェーハＷの表面にある程度均等
に引き延ばされた接着剤は、遠心力によってさらに引き
延ばされ、余分な接着剤は、半導体ウェーハの外周縁か
ら放射状に飛び散るが、この飛散した接着剤は、飛散防
止プレート５８に受け止められてチャンバの底部５６ａ
に集約されることになる。

【００６５】高速回転による接着剤の薄膜化を終了する
と、再びワックスディスペンサ６４を待避位置まで戻
し、ウェーハパッド５２の真空引きを停止すると同時
に、リフタ５５を上昇させて半導体ウェーハＷをウェー
ハ搬送装置Ｈの移送位置まで上昇させ、次の溶剤除去工
程に送る。

【００６６】溶剤除去装置Ｅ 図８（ａ）は本発明に係る溶剤除去装置（溶剤除去手
段）を示す平面図、図８（ｂ）は同じく縦断面図であ
る。上述した接着剤塗布装置Ｄによって半導体ウェーハ
表面には薄膜の接着剤層が形成される。しかしながら、
この薄膜接着剤層には、接着剤の流動性を付与するため
の溶剤（揮発成分）が含まれており、この溶剤は、ウェ
ーハをキャリアプレートへ張り付ける際に、加熱される
ことにより接着剤層から蒸発し、その部分に気泡が発生
するという不具合を引き起こす。したがって、キャリア
プレートに張り付ける前に溶剤を除去しておく必要があ
る。

【００６７】このように、予め接着剤層から不要な溶剤
を除去するために、半導体ウェーハＷをウェーハ搬送装
置Ｈによって溶剤除去装置Ｅに移送し、この溶剤除去装
置Ｅの加熱板で半導体ウェーハを加熱する。

【００６８】本溶剤除去装置Ｅは、図８に示すように、
ベース６９に断熱材７０を介して加熱板７１が固定され
ており、この加熱板７１には加熱源となる熱電対７６が
挿入されている。また、ベース６９に対して固定された
下ベース７２にはエアーシリンダ７３などの駆動部が取
り付けられており、このエアーシリンダ７３のロッド先
端にプレート７４を介して３本のリフタ７５が設けられ
ている。

【００６９】このリフタ７５は、上昇して半導体ウェー
ハＷを受け取る位置と、下降して加熱板７１上に半導体
ウェーハＷを載置する位置（ただし、加熱位置では半導
体ウェーハＷと加熱板７１との間に１〜２ｍｍ程度の僅
かな隙間Ｓが設定されている）との間を上下移動するよ
うになっている。

【００７０】なお、図８（ｂ）に示す符号「７７」は、
加熱板７１上に半導体ウェーハＷが存在するか否かを検
出するための光電スイッチである。

【００７１】このように構成された溶剤除去装置Ｅで
は、まずエアーシリンダ７３を作動させることにより３
本のリフタ７５を上昇させ、後述するウェーハ搬送装置
Ｈにて搬送されてきた半導体ウェーハＷを受け取る。そ
して、当該リフタ７５を下降させることによりリフタ７
５に載置された半導体ウェーハＷを加熱板７１まで下降
させる。加熱板７１は熱電対７６によって約４０〜８０
℃に加温されているため、半導体ウェーハＷに形成され
た接着剤層に含まれた溶剤は、蒸発することにより除去
される。

【００７２】このとき、半導体ウェーハＷを加熱板７１
から僅かに持ち上げた状態で加熱処理を行っているた
め、仮に接着剤塗布装置Ｄによって半導体ウェーハＷの
裏面に接着剤が回り込んでいたとしても、その接着剤が
加熱板７１によって過熱されて炭化されることはない。

【００７３】溶剤の除去を終えた半導体ウェーハＷは、
上昇するリフタ７５に保持されて、ウェーハ搬送装置Ｈ
による受渡し位置まで上昇する。

【００７４】オリフラ合わせ装置Ｆ 図９は本発明に係るオリフラ合わせ装置（オリフラ合わ
せ手段）を示す縦断面図である。ポリッシングなどの研
磨装置においては、キャリアプレートへのウェーハの配
置が原因で「面だれ」なる不具合が生じることが経験的
に知られている。これは例えば研磨装置の特性によって
キャリアプレートの外側が研磨され易いといった不具合
であるが、本発明の接着装置では、キャリアプレートに
おける半導体ウェーハの配置を考慮することにより極力
面だれ現象を抑制しようとしている。

【００７５】具体的には、図１３（ｂ）（ｃ）に示すよ
うに、半導体ウェーハのオリエンテーションフラット面
ＯＦをキャリアプレート２の外側に向けて接着する。こ
れにより、全ての半導体ウェーハＷはオリエンテーショ
ンフラット面側が研磨され易くなり、その後の品質管理
にとって好ましいものとなる。これと同時に、オリエン
テーションフラット面ＯＦをキャリアプレート２の外側
に向かわせて配置すると、キャリアプレート２の外径が
小さくなるという効果もある。また、一定方向に配置す
ることにより研磨品質の解析を行う上で好都合となる。

【００７６】このような事情により、本実施例のオリフ
ラ合わせ装置Ｆでは、半導体ウェーハのオリエンテーシ
ョンフラット面ＯＦを検出し、これを張り付け装置Ｇに
搬出するときにウェーハＷを一定方向に位置決めするよ
うに構成されている。

【００７７】すなわち、上ベース７８に固定されたスリ
ーブ７９には軸受を介して回転軸８０が回転自在に支持
されており、この回転軸８０は、タイミングプーリ８１
およびタイミングベルト８２を介して下ベース８３に固
定されたＡＣサーボモータ８４により回転する。回転軸
８０の先端には、半導体ウェーハＷを吸着保持するため
のウェーハパッド８５が取り付けられており、ウェーハ
パッド８５および回転軸８０に穿設された真空引き用孔
８６を利用して真空引きを行うことにより半導体ウェー
ハＷはウェーハパッド８５に吸着される。

【００７８】一方、回転軸８０の基端には、ロータリエ
ンコーダ８７が設けられており、回転軸８０の回転角度
を検出する。また、上ベース７８に立設されたスタンド
８８には２対のレーザセンサ８９，９０が互いに対向し
て設けられており、内側のレーザセンサ９０は、例えば
６インチウェーハ用、外側のレーザセンサ８９は、例え
ば８インチウェーハ用としてそれぞれ設けられている。
これらレーザセンサ８９，９０の取付位置については、
ウェーハパッド８５により半導体ウェーハＷを吸着し、
これを回転させたときに、オリエンテーションフラット
面ＯＦに対してはレーザ光が通過するが、それ以外の面
に対しては遮光する位置とする。

【００７９】このようなオリフラ合わせ装置Ｆにあって
は、まずウェーハ搬送装置Ｈによって搬入された半導体
ウェーハＷをウェーハパッド８５で吸着する。このと
き、回転軸８０の中心とウェーハＷの中心は一致してい
る。ついで、ＡＣサーボモータ８４を作動させ回転軸８
０を定速で１回転させながらレーザセンサ８９，９０か
らの信号を取り込む。レーザセンサ８９，９０による検
出信号は、オリエンテーションフラット面ＯＦでは通過
（受光素子に受光）、その他の面では遮光となるため、
オリエンテーションフラット面ＯＦの通過時間ｔ（ロー
タリエンコーダ８７による通過角度でもよい）を計測す
る。

【００８０】そして、さらに回転軸８０を１回転させ、
ロータリエンコーダ８７に基づいてオリエンテーション
フラット面ＯＦの端部からｔ／２時間だけ回転させた位
置で回転軸８０を停止する。これにより、ウェーハパッ
ド８５に対するオリエンテーションフラット面ＯＦの位
置が定まることになり、次にウェーハ搬送装置Ｈを用い
て張り付け装置Ｇに搬出する。

【００８１】張り付け装置Ｇ 図１０は本発明に係る張り付け装置（張り付け手段）を
示す縦断面図、図１１（ａ）は同装置のウェーハパッド
を示す平面図、図１１（ｂ）（ｃ）はキャリアプレート
への割り付けの一例を示す平面図であって図１１（ｂ）
は６インチウェーハ、図１１（ｃ）は８インチウェーハ
を示す。

【００８２】上述したオリフラ合わせ装置Ｆによってオ
リエンテーションフラット面ＯＦが一定方向に位置決め
された半導体ウェーハＷは、その状態で研磨装置のキャ
リアプレート２に張り付けられるが、接着剤層が形成さ
れた面はウェーハの表面であるため、キャリアプレート
２に張り付けるにあたってはウェーハＷを反転させる必
要がある。また、キャリアプレート２への張り付け位置
精度は研磨品質に影響するため、半導体ウェーハの位置
精度も重要となる。

【００８３】そのため、本実施例の張り付け装置Ｇで
は、位置決めプレート９１上に半導体ウェーハＷの口径
に応じて固定された位置決めピン９２，９３を有してお
り、この位置決めピン９２，９３には半導体ウェーハＷ
の端縁に接触する呼び込み面９４が形成されている。こ
の呼び込み面９４によってロボットＲ₂ に載置されたウ
ェーハの位置が多少ずれていたとしても、位置決めピン
の取り付けられた定位置に修正することができる。

【００８４】なお、図１１（ａ）に示すように、本実施
例では半導体ウェーハを例えば６インチと８インチの２
種類としているため、本実施例の位置決めピン９２，９
３は、それぞれの口径に応じた位置に取り付けられてい
る。すなわち、「９３」が６インチ用の位置決めピンで
あり、「９２」が８インチ用の位置決めピンである。

【００８５】この位置決めピン９２，９３によって定位
置に修正された半導体ウェーハＷに対し、このウェーハ
Ｗを吸着して反転させる反転機構が設けられている。

【００８６】この反転機構にあっては、ウェーハＷを吸
着するウェーハパッド９５が回転軸９６を中心に約１８
０゜回転し得るアーム９７に取り付けられ、さらにエア
ーシリンダ９８によってアーム先端に対して相対的に前
後移動可能になっている。アーム９７はモータ９９によ
り回転するとともに、アーム９７の基台１００とベース
１０１との間にはスライドガイド１０２が介装されてい
る。また、このスライドガイド１０２およびエアーシリ
ンダ１０３によって、アームの基台１００はベース１０
１に対してキャリアプレート２の中心方向に接近離反移
動可能となっている。これは例えば６インチウェーハと
８インチウェーハではキャリアプレート２に張り付ける
位置が相違するからである。

【００８７】また、ウェーハパッド９５がアーム９７に
対して揺動し得るように、ウェーハパッド９５とエアー
シリンダ９８のロッドとの間には自在軸受１０４が設け
られており、キャリアプレート２に対してウェーハパッ
ド９５が多少傾斜していても、この自在軸受１０４によ
って修正することができるようになっている。

【００８８】一方、研磨装置のキャリアプレート２を回
転させながら張り付けられる半導体ウェーハの位置を割
り付けるために、キャリアプレート２のターンテーブル
１０５が配備されている。このターンテーブル１０５
は、ベース１０６に固定されたスリーブ１０７に回転軸
１０８が軸受を介して回転自在に嵌挿されており、さら
にこのスリーブ１０７にはキャリアプレート２を加温す
るための加熱板１０９が設けられている。加熱板１０９
は均熱ヒータによってキャリアプレート２を加熱し、反
転して張り付けられる半導体ウェーハの接着剤を流動化
させる機能を司る。

【００８９】また、キャリアプレート２は加熱板１０９
上に載置されている状態であるが、回転軸１０８の先端
に係合する孔１１０が中心に穿設されており、この孔１
１０と回転軸１０８の先端が係合することにより、回転
軸１０８の上昇／下降および回転に追従することにな
る。

【００９０】回転軸１０８はステッピングモータ１１１
によって所定の割り付け角だけ順次回転するが、エアー
シリンダ１１２によって上下移動も可能になっている。
これは、回転軸１０８によりキャリアプレート２を回転
させる場合、そのまま回転させると加熱板１０９とキャ
リアプレート２が摩耗するため、キャリアプレート２を
回転させるときはエアーシリンダ１１２を作動させてキ
ャリアプレート２を若干持ち上げた状態で回転させるよ
うにしている。具体的には、エアーシリンダ１１２が作
動するとベース１０６に固定されたリニアブッシュ１１
３に沿って回転軸１０８が上下移動する。

【００９１】このように構成された張り付け装置Ｇで
は、まず図１に示すロボットＲ₂ により半導体ウェーハ
Ｗが位置決めピン９２または９３に載置され、この位置
決めピン９２，９３によって定位置に修正されたのち、
アーム９７に取り付けられたエアーシリンダ９８を作動
させてウェーハパッド９５に半導体ウェーハＷを吸着す
る。この状態からアーム９７を回転させ、ウェーハパッ
ド９５に吸着された半導体ウェーハＷをキャリアプレー
ト２の方に向かって反転させる。

【００９２】一方、キャリアプレート２は、エアーシリ
ンダ１１２を作動させることにより加熱板１０９から若
干持ち上げられ、ステッピングモータ１１１により選択
された割り付け角度の位置まで回転して待機する。アー
ム９７の回転により半導体ウェーハＷはキャリアプレー
ト２に接触し圧着されるが、加熱板１０９の作用によっ
てキャリアプレート２は加熱されているため、半導体ウ
ェーハＷに塗布された接着剤は軟化し、キャリアプレー
ト２への接着が円滑に行われることになる。

【００９３】なお、仮に半導体ウェーハＷとキャリアプ
レート２が相対的に傾斜していても、ウェーハパッド９
５に設けられた自在軸受１０４によって傾斜が修正さ
れ、その結果、半導体ウェーハＷとキャリアプレート２
との間に気泡などが混入することなく円滑に接着され
る。

【００９４】半導体ウェーハＷをキャリアプレート２に
接着すると、ウェーハパッド９５の真空引きを停止して
半導体ウェーハＷの保持を解除し、アーム９７を原位置
に戻す。一方、エアーシリンダ１１２により回転軸１０
８を下降させ、キャリアプレート２を加熱板１０９上に
載置する。

【００９５】なお、キャリアプレート２上への半導体ウ
ェーハＷの張り付けは、例えば、６インチウェーハであ
れば図１１（ｂ）、８インチウェーハであれば図１１
（ｃ）のようにする。

【００９６】ウェーハ搬送装置Ｈ 図１２（ａ）は本発明に係るウェーハ搬送装置（ウェー
ハ搬送手段）を示す平面図、図１２（ｂ）は同じく縦断
面図、図１３（ａ）は同装置の駆動部を示す平面図、図
１３（ｂ）は同じく縦断面図である。以上説明した位置
決め装置Ａ、前洗浄装置Ｂ、乾燥装置Ｃ、接着剤塗布装
置Ｄ、溶剤除去装置Ｅおよびオリフラ合わせ装置Ｆの各
装置間の半導体ウェーハＷの移送は、図１２および図１
３に示すウェーハ搬送装置Ｈによって行われる。

【００９７】このウェーハ搬送装置Ｈは、複数のウェー
ハハンド１１４が連結され、ベース１１５の上方に配備
されたビーム１１６を有しており、このビーム１１６は
図１に示す搬送路１ａ，１ｂに沿って設けられている。
ウェーハハンド１１４は、フッ素系樹脂（例えばトリテ
トラフルオロエチレンＰＴＦＥ）などの材料により成形
されており、図１３（ｂ）に示すように、半導体ウェー
ハの底面を抱え込むように対向した一対の載置部材１１
７によって構成されている。これら一対のウェーハハン
ド１１４は、例えば石英棒からなる棒部材１１８で連結
され、各装置間の距離に応じてビーム１１６に固定され
ている。したがって、例えば各装置の天井から吹き出さ
れた空調および防塵用エアーはそのまま半導体ウェーハ
に吹き付けられることになる。

【００９８】ベース１１５の下方には、ビーム１１６を
半導体ウェーハＷの搬送方向および上下方向に移動させ
る駆動部が設けられている。すなわち、図１３（ｂ）に
示すように、ベース１１５の裏面に固定されたフレーム
１１９にはウェーハの搬送方向（搬送路の方向）に沿っ
てリニアガイド１２０が設けられており、図１２（ａ）
（ｂ）に示すボールネジ１２１と当該ボールネジ１２１
を回転させるステッピングモータ１２２によって、ビー
ム１１６は搬送方向に移動する。

【００９９】一方、リニアガイド１２０の可動部側には
リニアブッシュ１２３が設けられており、エアーシリン
ダ１２４を作動させることによりビーム１１６が可動部
に対して上下移動するようになっている。

【０１００】このように構成されたウェーハ搬送装置Ｈ
では、まずビーム１１６が下降した状態で図１に示す上
方に移動し、半導体ウェーハＷを把持する。ついで、そ
のままビーム１１６を上昇させたのち、図１に示す下方
側の次の装置まで移動する。最後にビーム１１６を下降
させてウェーハハンド１１４に把持した半導体ウェーハ
Ｗを次の装置の定位置に載置する。このようにして半導
体ウェーハＷの移送を終了すると、次の移送に備えて原
位置に戻る。

【０１０１】このように本実施例のウェーハ搬送装置Ｈ
では、発塵源となる駆動部をベース１１５の下部に配備
し、ビーム１１６およびウェーハハンド１１４のみをベ
ース１１５の上部に設けているため、特に防塵が要求さ
れる半導体ウェーハの搬送手段としては好ましいといえ
る。

【０１０２】次に、接着装置全体の作用を説明する。ポ
リッシングなどの研磨時に生じるディンプルを抑止する
ためには、複数の半導体ウェーハＷをキャリアプレート
２の表面に接着する際に、ワックスを均一に薄く塗布
し、かつ塵埃や気泡の混入を防止する必要がある。

【０１０３】そのため、本実施例に係る半導体ウェーハ
の接着装置では、順次送り込まれた半導体ウェーハＷを
研磨装置のキャリアプレート２の表面に接着剤を介在さ
せて圧着させるにあたり、以下の作用を司る。

【０１０４】まず、ロボットＲ₁ によって半導体ウェー
ハＷが位置決め装置Ａに送られる。本実施例では、図１
に示すように２つの搬送路１ａ，１ｂが設けられている
ため、ロボットＲ₁ は交互に搬送路１ａ，１ｂにウェー
ハを送る。この位置決め装置Ａにより、ウェーハ搬送装
置Ｈに対する相対位置が定位置に修正され、これによっ
て、後述する各装置Ｂ〜Ｇへの受渡し位置が一定位置に
定められ、ウェーハの把持ミスや載置ミスが防止され
る。

【０１０５】次に、位置決め装置Ａにより定位置に修正
された半導体ウェーハＷは、ウェーハ搬送装置Ｈによっ
て前洗浄装置Ｂに移送される。この前洗浄装置Ｂでは、
半導体ウェーハＷの裏面を吸着して回転させながら、半
導体ウェーハの表面に超音波を混入させた純水を洗浄液
として噴射し、ウェーハ表面（研磨面）に付着した塵埃
などを洗い流す。

【０１０６】そして、この洗浄後に半導体ウェーハＷを
さらに高速で回転させることにより水切りを行うが、半
導体ウェーハＷの表面には薄い水膜が残留しているた
め、前洗浄装置Ｂにより水切りされた半導体ウェーハを
ウェーハ搬送装置Ｈによって乾燥装置Ｃに移送し、この
乾燥装置Ｃの加熱板３８でウェーハを加熱して、ウェー
ハ表面に残留した水膜を蒸発させる。

【０１０７】ついで、前洗浄装置Ｂおよび乾燥装置Ｃで
塵埃等が除去され清浄になったウェーハをウェーハ搬送
装置Ｈを用いて接着剤塗布装置Ｄに移送する。この接着
剤塗布装置Ｄでは、半導体ウェーハＷの裏面を吸着して
把持し、最初は低速で回転させながら半導体ウェーハの
表面に接着剤を滴下する。これによりウェーハ表面にあ
る程度均一に接着剤がゆきわたるが、未だ薄膜状の接着
剤層とはならないため、つぎにウェーハを高速回転させ
ることにより、半導体ウェーハの表面に薄膜状に接着剤
を拡散させる。

【０１０８】この薄膜で形成された接着剤層には、接着
剤の流動性を付与するための溶剤（揮発成分）が含まれ
ており、この溶剤は、ウェーハＷをキャリアプレート２
へ張り付ける際に加熱されることにより接着剤層から蒸
発し、その部分に気泡が発生することになる。

【０１０９】そこで、予め接着剤層から不要な溶剤を除
去するために、接着剤塗布装置Ｄにより接着剤が塗布さ
れた半導体ウェーハＷをウェーハ搬送装置Ｈによって溶
剤除去装置Ｅに移送し、この溶剤除去装置Ｅの加熱板７
１で半導体ウェーハＷを加熱する。このとき、加熱板７
１とウェーハＷとの間に隙間を形成しておくことによ
り、ウェーハの裏面にまで回り込んだ接着剤の炭化を防
止することができる。

【０１１０】溶剤が除去された接着剤層を有する半導体
ウェーハＷをウェーハ搬送装置Ｈによってオリフラ合わ
せ装置Ｆに移送する。そして、半導体ウェーハＷに形成
されたオリエンテーションフラット面ＯＦをレーザセン
サ８９，９０で検出して、当該オリエンテーションフラ
ット面ＯＦを決められた方向に位置決めする。

【０１１１】最後に、オリエンテーションフラット面Ｏ
Ｆが位置決めされた半導体ウェーハＷをロボットＲ₂ を
用いて張り付け装置Ｇの位置決めピン９２，９３に載置
し、定位置に修正したのち、この半導体ウェーハＷをウ
ェーハパッド９５で吸着し、キャリアプレート２を順次
回転させながらウェーハパッド９５を反転させる。これ
により、ウェーハ搬送装置Ｈによって順次移送される半
導体ウェーハをキャリアプレート２に所定間隔で張り付
けることができる。

【０１１２】なお、以上説明した実施例は、本発明の理
解を容易にするために記載されたものであって、本発明
を限定するために記載されたものではない。したがっ
て、上述した実施例に開示された各要素は、本発明の技
術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨
である。

【０１１３】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、複数
の半導体ウェーハをキャリアプレートの表面に接着する
際に、ワックスを均一に薄く塗布することができ、しか
も塵埃や気泡の混入を防止することにより、研磨後のデ
ィンプルの発生を抑止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体ウェーハの接着装置全体を示す
平面図である。

【図２】（ａ）は本発明に係る位置決め装置（位置決め
手段）を示す平面図、（ｂ）は同じく縦断面図である。

【図３】本発明に係る前洗浄装置（前洗浄手段）を示す
縦断面図である。

【図４】本発明に係る前洗浄手段（前洗浄手段）を示す
平面図である。

【図５】（ａ）は本発明に係る乾燥装置（乾燥手段）を
示す平面図、（ｂ）は同じく縦断面図である。

【図６】本発明に係る接着剤塗布装置（接着剤塗布手
段）を示す縦断面図である。

【図７】本発明に係る接着剤塗布装置（接着剤塗布手
段）を示す平面図である。

【図８】（ａ）は本発明に係る溶剤除去装置（溶剤除去
手段）を示す平面図、（ｂ）は同じく縦断面図である。

【図９】本発明に係るオリフラ合わせ装置（オリフラ合
わせ手段）を示す縦断面図である。

【図１０】本発明に係る張り付け装置（張り付け手段）
を示す縦断面図である。

【図１１】（ａ）は図１０と同じ本発明に係る張り付け
装置のウェーハパッドを示す平面図、（ｂ）（ｃ）はキ
ャリアプレートへの割り付けの一例を示す平面図であ
り、（ｂ）は６インチウェーハ、（ｃ）は８インチウェ
ーハを示す。

【図１２】（ａ）は本発明に係るウェーハ搬送装置（ウ
ェーハ搬送手段）を示す平面図、（ｂ）は同じく縦断面
図である。

【図１３】（ａ）は図１２と同じ本発明に係るウェーハ
搬送装置の駆動部を示す平面図、（ｂ）は同じく縦断面
図である。

【符号の説明】

Ａ…位置決め手段 Ｂ…前洗浄手段 Ｃ…乾燥手段 Ｄ…接着剤塗布手段 Ｅ…溶剤除去手段 Ｆ…オリフラ合わせ手段 Ｇ…張り付け手段 Ｈ…ウェーハ搬送手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−19215（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−80888（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−207164（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−40171（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−34345（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−163073（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304 651 B05C 11/08 B05D 1/40 H01L 21/68

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】順次送り込まれた半導体ウェーハを研磨装
   置のキャリアプレートの表面に接着剤を介在させて圧着
   させる半導体ウェーハの接着装置において、 （Ａ）前記送り込まれた半導体ウェーハのウェーハ搬送
   手段に対する相対位置を定位置に修正する位置決め手段
   と、 （Ｂ）前記半導体ウェーハの裏面を吸着して回転させな
   がら前記半導体ウェーハの表面に洗浄液を噴射するとと
   もに、当該洗浄液の噴射後に前記半導体ウェーハを高速
   で回転させて水切りを行う前洗浄手段と、 （Ｃ）前記前洗浄手段により水切りされた半導体ウェー
   ハを加熱板により加熱して、当該半導体ウェーハの表面
   に残留した水膜を蒸発除去する乾燥手段と、 （Ｄ）前記半導体ウェーハの裏面を把持し、当該半導体
   ウェーハの表面に接着剤を滴下したのち高速回転させる
   ことにより、前記接着剤を当該半導体ウェーハの表面に
   拡散させる接着剤塗布手段と、 （Ｅ）前記接着剤塗布手段により接着剤が塗布された半
   導体ウェーハを加熱板により加熱して、前記接着剤に含
   まれた溶剤を蒸発させる溶剤除去手段と、 （Ｆ）前記半導体ウェーハに形成されたオリエンテーシ
   ョンフラット面を検出して、当該オリエンテーションフ
   ラット面を決められた方向に位置決めするオリフラ合わ
   せ手段と、 （Ｇ）前記半導体ウェーハをウェーハパッドにより吸着
   し、前記半導体ウェーハを張り付けるべきキャリアプレ
   ートを順次回転させながら前記ウェーハパッドを反転さ
   せることにより前記キャリアプレートに所定間隔で前記
   半導体ウェーハを張り付ける張り付け手段と、 （Ｈ）前記位置決め手段、前洗浄手段、乾燥手段、接着
   剤塗布手段、溶剤除去手段、オリフラ合わせ手段の各位
   置に対応して設けられたウェーハハンドをビームで連結
   し、当該ビームを搬送方向および上下方向に移動自在に
   設けることにより、前記各手段に投入された半導体ウェ
   ーハを一括して次の手段に搬送するウェーハ搬送手段
   と、を備え、 前記各手段の少なくともいずれかは、前記半導体ウェー
   ハを前記ウェーハ搬送 手段との間で移載可能な位置に昇
   降させるリフタを有する ことを特徴とする半導体ウェー
   ハの接着装置。
2. 【請求項２】順次送り込まれた半導体ウェーハを研磨装
   置のキャリアプレートの表面に接着剤を介在させて圧着
   させる半導体ウェーハの接着装置において、 （Ａ）前記送り込まれた半導体ウェーハのウェーハ搬送
   手段に対する相対位置を定位置に修正する位置決め手段
   と、 （Ｂ）前記半導体ウェーハの裏面を吸着して回転させな
   がら前記半導体ウェーハの表面に洗浄液を噴射するとと
   もに、当該洗浄液の噴射後に前記半導体ウェーハを高速
   で回転させて水切りを行う前洗浄手段と、 （Ｃ）前記前洗浄手段により水切りされた半導体ウェー
   ハを加熱板により加熱して、当該半導体ウェーハの表面
   に残留した水膜を蒸発除去する乾燥手段と、 （Ｄ）前記半導体ウェーハの裏面を吸着して把持し、当
   該半導体ウェーハの表面に接着剤を滴下したのち高速回
   転させることにより半導体ウェーハの表面に接着剤を拡
   散させる接着剤塗布手段と、 （Ｅ）前記接着剤塗布手段により接着剤が塗布された半
   導体ウェーハを加熱板により加熱して、前記接着剤に含
   まれた溶剤を蒸発させる溶剤除去手段と、 （Ｆ）前記半導体ウェーハに形成されたオリエンテーシ
   ョンフラット面を検出して、当該オリエンテーションフ
   ラット面を決められた方向に位置決めするオリフラ合わ
   せ手段と、 （Ｇ）前記半導体ウェーハをウェーハパッドにより吸着
   し、前記半導体ウェーハを張り付けるべきキャリアプレ
   ートを順次回転させながら前記ウェーハパッドを反転さ
   せることにより前記キャリアプレートに所定間隔で前記
   半導体ウェーハを張り付ける張り付け手段と、 （Ｈ）前記位置決め手段、前洗浄手段、乾燥手段、接着
   剤塗布手段、溶剤除去手段、オリフラ合わせ手段の各位
   置に対応して設けられ、前記半導体ウェーハを載置する
   一対の載置部材と、これら載置部材を連結してビームに
   固定する棒部材からなる複数のウェーハハンドと、前記
   複数のウェーハハンドを連結しベースの上方に配備され
   たビームと、前記ベースの下方に配備され前記ビームを
   半導体ウェーハの搬送方向および上下方向に移動させる
   駆動部とを具備し、前記ビームを搬送方向および上下方
   向に移動させることにより、前記各手段間での前記半導
   体ウェーハの移載および搬送を一括して行うウェーハ搬
   送手段と、 を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの接着装置。
3. 【請求項３】前記各手段の少なくともいずれかは、前記
   半導体ウェーハを前記ウェーハ搬送手段との間で移載可
   能な位置に昇降させるリフタを有する請求項２に記載の
   半導体ウェーハの接着装置。
4. 【請求項４】半導体ウェーハを研磨装置のキャリアプレ
   ートの表面に接着剤を介在させて圧着させるのに必要な
   一連の工程を行う複数の処理装置間における半導体ウェ
   ーハの搬送を行うウェーハ搬送装置であって、 ベースの上方に配備されたビームと、 前記各処理装置にそれぞれ対応して設けられ、前記半導
   体ウェーハを載置する一対の載置部材と、これら載置部
   材と前記ビームとを連結する棒部材とからなるウェーハ
   ハンドと、 前記ベースの下方に配備され、前記ビームを半導体ウェ
   ーハの搬送方向および上下方向に移動させる駆動部とを
   備え、 前記ビームの搬送方向および上下方向への移動動作によ
   り、前記各処理装置間での前記半導体ウェーハの移載お
   よび搬送を一括して行うウェーハ搬送装置。
5. 【請求項５】前記ウェーハハンドの載置部材は、フッ素
   系樹脂から成形され、 前記棒部材は、石英棒からなる請求項４に記載のウェー
   ハ搬送装置。
6. 【請求項６】半導体ウェーハを研磨装置のキャリアプレ
   ートの表面に接着剤を介在させて圧着させるのに必要な
   一連の工程を行う複数の処理装置間における半導体ウェ
   ーハの搬送を行うウェーハ搬送装置であって、 前記複数の処理装置の各位置に対応して設けられたウェ
   ーハハンドをビームで連結し、当該ビームを搬送方向お
   よび上下方向に移動自在に設けることにより、前記各処
   理装置に投入された半導体ウェーハを一括して次の処理
   装置に搬送するウェーハ搬送手段と、 前記各処理装置に設けられ、前記半導体ウェーハを前記
   ウェーハ搬送手段との間で移載可能な位置に昇降させる
   リフタとを有するウェーハ搬送装置。