JP2001510940A - 超小型電子部品を製造するための平たい基板、特にシリコン薄板（ウェハ）を処理する方法および装置 - Google Patents

超小型電子部品を製造するための平たい基板、特にシリコン薄板（ウェハ）を処理する方法および装置

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、シリコン薄板（ウェハ）のような、超小型電子部品を製造するための平たい基板を処理または加工する方法および装置に関する。本発明に従い、平たい基板は垂直にして処理または加工される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、超小型電子部品を製造するための平たい基板、特にシリコン薄板（
ウェハ）を処理または加工する方法および装置に関する。
【０００２】 超小型電子機器の部品のための基板、例えばウェハとも呼ばれるシリコン薄板
は、きわめてきれいな表面を必要とする。この表面を得るために、チップの製造
中、洗浄プロセス（処理）を繰り返して行わなければならない。洗浄法に対する
要求は、基板の両側を、しかも表面のすべての個所を洗浄することである。特に
物理的な洗浄法の場合には主として、例えばブラシ、超音波、メガ音波、高圧等
による湿式法で個別基板洗浄が行われる。そのために、基板は洗浄装置内で湿っ
た状態で、個々の洗浄ステーションに運ばれる。個別基板処理の場合には基板を
水平な姿勢にして取扱い操作ロボットによって行われる。この取扱い操作ロボッ
トは基板の例えば下面を負圧で保持するかまたは側方を挟持するかあるいは搬送
を可能にするコンベヤベルト、ローラ等に適当に載せることによって行われる。
取扱い操作による表面（前面と後面）の接触は、汚れ（粒子）による汚染を生じ
る。更に、クリーンルーム内で使用される取扱い操作装置は非常に複雑で高価で
ある。基板の水平な位置決めをするように形成された洗浄装置は、基板寸法が大
きくなるにつれて、クリーンルームの必要床面積が非常に大きくなる。従って、
クリーンルームは非常に高価である。更に、クリーンルーム内でも、基板の水平
な表面に粒子が集積する。シリコン薄板は、残留粒子を含む、層状に案内される
衝突するクリーンルーム空気のみによっても非常に汚染される。
【０００３】 同じことが、ハードディスク（金属基板）の洗浄または一般的にチップと呼ば
れる超小型電子部品の製造についても当てはまる。このチップの製造は、基板表
面に塗布された感光性レジストに、マスクによって露光することによる、フォト
リソグラフィプロセスを用いて、例えば円形のシリコン薄板で行われる。その際
感光性レジスト層（フォトレジスト）は水平な状態で基板にスピンオンされる。
この場合、レジスト層の乾燥、露光、現像、エッチング等ような次のプロセスお
よびレジスト層の形成の前の表面処理剤の塗布は同様に、基板を水平にして行わ
れる。個々の加工段階の間の取扱い操作は、高価なクリーンルーム用取扱い操作
ロボットによって行われる。
【０００４】 湿式処理の後で、個々の薄板を水平に横たえて遠心乾燥することが知られてい
る。そのためには、高い回転数（１０００〜５０００回転／分）が必要である。
なぜなら、その前の湿式プロセスで薄板に付着した水滴が表面張力で非常に安定
していて、基板中央の表面に付着しているからである。基板中央では、作用する
遠心力が小さいので、非常に高い回転数によってのみ、基板中央に充分な力を生
じ、乾燥が可能となる。これにより、乾燥を促進する乱流を生じる。この乱流は
洗浄された表面を汚染することになる粒子を巻き上げる。
【０００５】 基板中央に対する窒素の吹き付けのような他の乾燥方法は同様に、乱流を生じ
、上記と同じ作用をもたらす。表面を付加的に（赤外線、レーザ）加熱すること
によって、乾燥プロセスを補助することができる。しかし、蒸発プロセスが発生
し、すすぎ液乾燥斑点の残渣が基板表面に残ることになる。このような乾燥斑点
は同様に粒子であり、従ってチップ製造に望ましくない。
【０００６】 本発明の根底をなす課題は、このような基板を良好に、特に低コストで処理ま
たは加工することができる、方法および／または装置を提供することである。
【０００７】 この課題は本発明に従い、平たい基板特にシリコン薄板の平面がほぼ垂直に延
びるように、平たい基板特にシリコン薄板の向きが定められ、このように（垂直
に）方向づけられた薄板が少なくとも１つの処理ステーションを通過する、冒頭
に述べた種類の方法によって解決される。すなわち、薄板は垂直に配向されて処
理ステーション内に入り、そこで垂直に配向されて処理され、この処理ステーシ
ョンから再び垂直に配向されて出る。薄板は垂直な配向で横方向に移動可能であ
るが、しかし、その垂直な配向を維持したままである。
【０００８】 基板すなわち薄板を垂直に配向することにより、比較的に高価であるクリーン
ルームでの床面積が非常に狭くて済み、薄板表面に堆積または衝突する汚れ粒子
が非常に少ないので、クリーンルームの汚染が同様に低下するという利点が得ら
れる。更に、このような設備は異なる寸法の薄板に合うように非常に簡単に変更
可能である。
【０００９】 シリコン薄板は取扱い操作ロボットを介して搬送可能である。その際、薄板は
その縁部を掴まれる。掴むためには、例えばロボットの円錐状の凹部を使用する
ことができる。
【００１０】 円形の薄板の場合、薄板が重力下で、傾斜配置された処理ステーションを通過
、特に転動通過することによって、簡単な搬送が達成可能である。それによって
、別個の搬送装置（取扱い操作ロボット）が不要であるので、設備が比較的に低
コストになる。薄板は特に、並べて配置された複数の処理ステーションを通過す
る。
【００１１】 しかし、コンベヤベルトに配置された案内ローラまたは搬送ローラあるいは搬
送要素によって薄板搬送を行うことができる。この場合、基板の縁領域のできる
だけ小さな載置面が搬送ローラまたは搬送要素に載るように、搬送ローラまたは
搬送要素の間の間隔と、搬送ローラと搬送要素の数および大きさを、加工すべき
基板またはシリコン薄板の寸法に適合させることができる。
【００１２】 シリコン薄板の側方案内、ひいては垂直な姿勢の安定化は、加工プロセスの要
求に応じて、基板表面に接触させないでまたは接触させて行うことができる。例
えば、湿式プロセスの場合に非接触式案内は、基板の両側に配置された噴霧ノズ
ルによって、あるいは水または他の液体で湿らせた案内ローラまたは案内条片に
よって可能であり、それによって基板は液体の膜または液体噴流と面でのみ接触
する。乾燥プロセスの場合の非接触式案内は、空気噴霧または窒素噴霧によって
行うことができる。更に、基板と案内ローラまたは案内条片の間に発生する空気
クッションを介して、基板を案内することができる。
【００１３】 接触式案内は、基板の縁領域または側方において基板を案内するローラ（ころ
）または案内条片によって行うことができる。
【００１４】 処理または加工のために必要な基板の回転は、コンベヤベルトから基板を持ち
上げることによって行うことができる。この場合、基板は回転駆動要素として形
成された駆動ローラに押し付けられる。この駆動ローラはシリコン薄板の片側ま
たは両側に作用し、その間にシリコン薄板を挟持するかあるいは搬送ローラまた
は持上げ機構のローラを挟持する。挟持圧力の調節はばね要素、圧力センサによ
ってあるいは電子的に制御して行うことができる。この圧力センサまたは電子制
御装置には、駆動ローラおよび／または持上げ機構が接続されている。更に、搬
送ローラ自体を駆動ローラとして形成可能である。更に、基板はその重力だけで
回転駆動装置に載り、例えば保持装置によって垂直な姿勢に保持することができ
る。
【００１５】 最適な処理結果を達成するために、薄板が処理中に停止および／または回転さ
せられる。薄板は、所望な加工結果が達成されるまで、個々の処理ステーション
に留まる。
【００１６】 円形のシリコン薄板の場合には、薄板はその縁部で処理ステーションを通過す
る。変形例では、円形薄板または円形でない薄板が円環状アダプタに一体化され
、このアダプタを介して個々の処理ステーションを通過する。
【００１７】 本発明の方法は例えば洗浄方法または乾燥方法であるがしかし、フォトリソグ
ラフィ処理方法でもよい。この場合、シリコン薄板の洗浄時には、流動媒体がシ
リコン薄板の少なくとも一方の表面、特に両表面に案内される。
【００１８】 本発明の方法は垂直式スピン乾燥方法でもよい。この乾燥方法の場合には、薄
板中央において低下する遠心力に加えて、重力が薄板の中央にある水滴に作用す
る。
【００１９】 この場合更に、水の表面張力を更に低下させるために、ガスとアルコールの混
合気体、例えばイソプロパノールを含む窒素が処理ステーションに供給される。
これによって、水を飛ばすために必要な遠心力、ひいては回転数を更に低下させ
ることができる。
【００２０】 冒頭に述べた課題は更に、処理ステーションが薄板のための垂直な入口と、垂
直方向に向いた薄板用搬送路と、垂直な出口を備えている、上記方法を実施する
ための装置によって解決される。搬送路は、薄板を垂直に配向して案内するため
の案内要素を備えている。更に、搬送区間（案内路）として、例えば傾斜した面
が役立つ。
【００２１】 本発明による装置の場合には、薄板が垂直に配向されて個々の処理ステーショ
ンを通過するので、薄板は両側を加工可能である。気相または湿式プロセスが用
いられると、例えば洗浄、表面処理剤の塗布、現像、エッチング、すすぎ等の際
に、個々のステーションは次のように配置可能である。すなわち、流動体が段滝
状に用いられ、すなわち次のステーションの液体が続いて例えば薄板の前処理を
行うかまたは薄板の他方の側を処理する先行するステーションで使用されるよう
に配置可能である。これは、流動体を数分の１だけしか必要としないという利点
がある。
【００２２】 そして、流動体は容易に排出され、汚れ粒子を一緒に運んで搬出することがで
きる。薄板のための特別な方向変換装置を処理ステーション内に設ける必要がな
い。なぜなら、薄板が処理ステーション（例えば洗浄ステーション）に垂直に入
り、この処理ステーションから垂直に出るからである。
【００２３】 更に、薄板は案内路から取出し可能であるかまたは導き出すことができ、かつ
別個の加工領域に供給可能である。この領域において、例えば並べて配置された
ステーションで実施不可能な他の加工段階または処理段階を実施可能である。例
えば、スピン乾燥方法または後続の方法を実施可能である。その際、薄板は依存
として垂直な姿勢のままである。
【００２４】 表面処理剤を塗布するためのステーション、感光性レジスト、保護コーティン
グ、調整コーティング層を形成するためのステーション、乾燥させるためのステ
ーション、現像するためのステーション、すすぎのためのステーション、エッチ
ング等のような湿式プロセスのためのステーション、露光のためのステーション
が設けられていると有利である。このすべてのステーションにおいて、薄板は垂
直に配向されて処理される。
【００２５】 例えば、ブラシ洗浄のためのステーションを設けることができる。この場合、
シリコン薄板が回転させられ、この回転が両側から表面に押し付け可能な駆動さ
れる（回転する）ブラシによって補助される。その際、一方のブラシ（例えばナ
イロンブラシ、スポンジブラシ）は基板直径全体にわたって延び、他方のブラシ
は基板直径の一部のみにわたって回転するかあるいは両ブラシは基板直径の一部
にわたってのみ延びているかまたは基板直径の一部にわたってのみ回転する。そ
の際、ブラシの回転方向は好ましくは、薄板の回転が補助されるように選定され
る。
【００２６】 ブラシ洗浄の場合、洗浄作用を達成するために、ブラシを多少強く基板表面に
押し付けなければならないという問題がある。しかし、この押し付けによって、
シリコン薄板はその回転が制動される。この制動に対処するためには、処理中に
基板を保持する挟持力は非常に大きくなる。しかし、これは結晶構造体を損傷さ
せることになる。一方のブラシをシリコン薄板の直径の一部にわたってのみ回転
させることによって、この制動に対処することができる。これにより、基板の回
転運動が補助される。ブラシの押圧力とブラシの回転数の選定によって、洗浄能
力を変化させることができる。
【００２７】 ブラシッシング中、洗浄のために必要な湿気をブラシに付与するために、基板
の表面には水が吹き付けられる。
【００２８】 基板中央をも洗浄できるようにするために、ブラシが基板中心を越えて作用す
ると有利である。すなわち、両ブラシは基板中央を越えて延びている。
【００２９】 スピン乾燥として役立つかまたは遠心室として形成された処理ステーションの
場合には、この処理ステーションは閉じられ、荷積みおよび荷下ろしのためにの
み開放可能に形成することができる。そのために、室は例えば２つの半部からな
っている。この半部は相互の方向に移動可能である。基板はその縁部に作用する
掴み具（基板ホルダー）によって室内で保持される。飛ばされた水は吸引装置に
よって遠心室から除去される。更に、ステーションは乾燥ガスおよび／または予
熱ガス（例えば窒素）のための供給部を備えていてもよい。それによって、乾燥
が改善される。というのは、これによって回転の終了後、遠心室内の湿気を低下
させることができるからである。
【００３０】 案内要素が側方の縁部領域においてのみ薄板に接触するので、両側の処理が簡
単に可能であり、粒子による薄板の汚染を最小に抑えることができる。搬送時の
薄板への機械的な負荷は小さい。
【００３１】 処理ステーションが薄板のための傾斜した走行路を備えているので、薄板は重
力下で処理ステーションを転動通過可能である。そのための駆動装置は不要であ
る。処理ステーションは好ましくは、薄板のための少なくとも１個のストッパー
を備えている。それによって、薄板（基板）はステーション内に必要な処理時間
または設定された処理時間滞在することができる。薄板は続いて、更に搬送する
ために解放可能である。
【００３２】 処理ステーション内に回転駆動要素が設けられていると有利である。薄板を搬
送しないで、すなわちステーション内に滞在している間中央軸回りに回転させな
いで、回転駆動要素を介して薄板が回転運動させられる。
【００３３】 マガジンを含んでいるかまたはマガジンとして形成された供給ステーションお
よび／または受け取りステーションが設けられていると有利である。供給ステー
ションおよび／または受け取りステーション内には、多数の薄板が並べて準備さ
れ、遮蔽体を介して個別的に処理ステーションに供給される。マガジン内での薄
板の貯蔵は垂直に配向して行うことができる。遮蔽体によって、薄板を１個だけ
供給ステーションに供給可能であるかまたは受け取りステーションに達するよう
にすることができる。この場合、遮蔽体を介して、供給ステーションまたは受け
取りステーション内にある他の薄板が押し止められる。
【００３４】 供給ステーションおよび／または受け取りステーションが傾動可能に支承可能
であるので、薄板は重力で出ることができるかまたはステーションに入ることが
できる。すなわち、所望の薄板が入口からステーション内に落ちる。
【００３５】 供給ステーションまたは受け取りステーションからの薄板の搬送の他の例では
、供給ステーションまたは受け取りステーションが、薄板を処理ステーションに
移送するかまたは処理ステーションから移送するプランジャを備えている。
【００３６】 荷積みおよび荷下ろしのために、案内要素は、薄板範囲から外に移動すること
ができるように形成可能である。これにより、コンベヤベルトまたは走行ベルト
に側方から荷積みおよび側方に荷下ろしすることができる。
【００３７】 乾燥は他のステーションとしてすすぎステーションの後に接続可能であるかま
たは別個のステーションとして形成可能である。このステーションでは、アルコ
ール蒸発乾燥またはマランゴニ乾燥を行うことができる。
【００３８】 本発明の他の効果、特徴および詳細は従属請求項と次の記載から明らかになる
。次に、図を参照して、特に有利な２つの実施の形態を詳細に説明する。その際
、図に示した特徴と、特許請求の範囲および明細書に記載した特徴はそれぞれ単
独でも任意の組み合わせでも本発明にとって重要である。
【００３９】 図１には、加工装置３の２つのステーション１，２と、シリコン薄板（シリコ
ンスライス）を貯蔵するマガジン４が示してある。例えばマガジン４を矢印６方
向に傾けることによってあるいは取扱い操作システムによって、シリコン薄板５
がマガジン４から第１のステーション１に垂直に挿入される。ステーション１で
は、基板（以下、シリコン薄板５と言う）は案内要素７，８を介して倒れないよ
うにその縁部を保持される。案内要素７，８が傾斜配置され、案内要素８が走行
路９を形成するので、シリコン薄板５は重力によって搬送方向すなわち矢印１０
方向に転動する。ステーション１において、シリコン薄板５はストッパー１１に
よって保持されるので、この位置に保持し加工可能である。このステーション１
において、シリコン薄板５は例えば回転駆動要素１４によって回転させられるの
で、均一に加工される。加工の後で、ステーション１が再び出発位置に戻され、
ストッパー１１がシリコン薄板５を解放するので、シリコン薄板は中間要素１５
を経て次のステーション２に転動可能である。
【００４０】 図２は、ステーション、例えばステーション２の実施の形態を示している。こ
のステーションにおいて、案内要素７，８を矢印１２，１３の方向に離れるよう
に移動させると、薄板５は解放され、矢印１６の方への搬送によって別個の処理
領域１７に搬送される。この別個の処理領域１７では、例えば流体が基板の表面
に塗布される。その際、基板は例えば基板ホルダー１９によって背後から保持さ
れ、回転させられる。余剰の流体は表面１８から遠心力で飛ばされる。熱処理の
際、基板ホルダー１９は加熱される。処理の後で、基板ホルダー１９を移動させ
ることによって、薄板５は再び案内要素７，８内に戻されるので、走行路を経て
次のステーションに供給可能である。
【００４１】 図３には前後に配置された２つの洗浄ステーション２０，２１が示してある。
この洗浄ステーションの後にすすぎステーション２２が配置されている。洗浄ス
テーション２０，２１とすすぎステーション２２は傾斜配置され、斜めの平面を
有する。この斜めの平面に沿って、シリコン薄板５が重力に基づいて転動可能で
ある。その際、シリコン薄板５は付加的な駆動手段なしに、個々の洗浄ステーシ
ョン２０，２１とすすぎステーション２２を通過する。各々の洗浄ステーション
２０または２１は排出口２３または２４を備えている。この排出口から、例えば
化学的な添加物を含むかまたは含まない脱イオン水である洗浄液が排出可能であ
る。図３から判るように洗浄ステーション２０，２１が前後に並べて配置されて
いるので、排出口２４から流出する洗浄液は洗浄ステーション２０で、すなわち
手前に配置された洗浄ステーションで再び使用可能である。これにより、洗浄液
が節約される。
【００４２】 搬送方向（矢印２４）において、洗浄ステーション２０の手前には、供給ステ
ーション２６を備えたマガジン４が設けられている。この供給ステーションを経
て、シリコン薄板５は矢印６方向に洗浄ステーション２０に供給される。すすぎ
ステーション２２の後方には他のマガジン２７が配置されている。このマガジン
は受け取りステーション２８を備えている。この受け取りステーション２８は乾
燥ステーションとして形成可能である。
【００４３】 図４には変形例が示してある。この変形例では、シリコン薄板５がマガジン４
、特に供給ステーション２６から、洗浄ステーション２０に搬送される。そのた
めに、供給ステーション２６は垂直方向に移動可能な搬送プランジャ２９を備え
ている。この搬送プランジャ２９はその上端３０に、シリコン薄板５のための適
当な収容部または保持装置を備えている。シリコン薄板は搬送プランジャ２９に
よってマガジン４から取り出され、垂直方向上方に移動させられる。その際、シ
リコン薄板５のその上側の周縁は傾斜面３１に当たり、搬送プランジャ２９を更
に上昇させることによって、この搬送プランジャによって矢印３２の方向に押し
のけられる。その際、シリコン薄板５は洗浄ステーション２０に入り、ストッパ
ー１１によって保持されるまで傾斜した走行路９上を転動する。この位置で、シ
リコン薄板５は両側を洗浄される。洗浄ステーション２１には回転駆動要素１４
が設けられている。この回転駆動要素はシリコン薄板５を矢印３３方向に回転運
動させる。この回転運動はステーション２０でも可能である。
【００４４】 図５には、洗浄ステーション２０への装填の他の変形が示してある。この場合
、シリコン薄板５が重力によってマガジン４と供給ステーション２６から洗浄ス
テーション２０に入ることができるように、マガジン４が揺動させられる。遮蔽
体３４により、所望のシリコン薄板５だけが供給ステーション２６から出る。所
望のシリコン薄板５だけがこの遮蔽体を通過し、残りのシリコン薄板は供給ステ
ーション２６に留まる。
【００４５】 すすぎステーション２２に続いて、受け取りステーション２８を備えた揺動可
能なマガジン２７が設けられている。シリコン薄板５は遮蔽体３５を通ってこの
マガジン内に入る（図６）。
【００４６】 その代わりに、図７に示すように、すすぎステーション２２から出る薄板５を
掴み具３６によって掴んでマガジン２７の受け取りステーション２８に入れるこ
とができる。
【００４７】 図６のすすぎステーション２２には矢印３７が記入されている。この矢印によ
って、シリコン薄板５へのすすぎ液体の流れ方向が示してある。これにより、シ
リコン薄板５は同様に回転運動させられるので、矢印３３方向に回転する。
【００４８】 図８は基板搬送のための搬送装置を示している。この場合、シリコン薄板５は
コンベヤベルト４１上に“離隔されて”取付けられた搬送ローラ４０によって移
動させられる。搬送ローラ４０は、シリコン薄板５が常に２個の搬送ローラ４０
の間に位置し、次の対の搬送ローラ４０に対して間隔が空くように配置されてい
る。これにより、基板５の最小の載置面が得られる。シリコン薄板５の側方案内
は、案内条片として形成された案内要素７によって行われる。加工のために、基
板５は下側から、持上げ機構としての働きをする、弾性的に支承されたローラ４
２によって、コンベヤベルト４１から持上げられるので、シリコン薄板５は搬送
ローラ４０との接触領域の外に位置する。回転駆動要素１４として、ローラ４２
に対向して駆動ローラ１４が設けられている。この駆動ローラはシリコン薄板５
を回転させる。この駆動ローラ１４はシリコン薄板５に押し付けられる。この場
合、押圧力はそれに反対向きに作用するばね弾性力によって調節される。コンベ
ヤベルト４１の荷積みおよび荷下ろしのために、案内条片は上方に移動可能であ
る。それによって、コンベヤベルト４１からシリコン薄板を側方に取り出すこと
ができる。
【００４９】 図９は代替的な実施の形態を示している。この場合、シリコン薄板５は回転駆
動要素としての働きをする駆動ローラ１４によって回転させられる。この駆動ロ
ーラはその間に基板５を挟んでコンベヤベルト４１と搬送ローラ４０の作用部か
ら持上げるまで相互の方向に移動可能である。駆動ローラ１４の反対側に、基板
５の方に移動可能な他の案内ローラ４３が設けられている。この案内ローラは弾
性的に支承されている。シリコン薄板は処理中にこの３点支持によって保持され
る。
【００５０】 図１０は本発明の他の実施の形態を示している。この場合、搬送ローラ４０は
回転駆動要素１４として形成されている。薄板５の保持とその回転駆動は第３の
ローラ４３によって行われる。この第３のローラはシリコン薄板５の方に移動可
能であり、シリコン薄板５を弾性的に挟む。
【００５１】 更に、シリコン薄板をその重力だけによって回転駆動要素１４に載せ、例えば
流体噴射流によって側方を非接触式に保持することができる。
【００５２】 図１１には、噴霧ノズル４４によるシリコン薄板５の非接触式案内が示してあ
る。
【００５３】 基板５を洗浄するために、回転するシリコン薄板５に作用するブラシ５０，５
１を使用することができる（図１２）。このブラシ５０，５１はナイロンブラシ
またはスポンジブラシ（スポンジブラシローラ）である。ブラシ５０，５１は洗
浄のために回転し、或る押圧力でシリコン薄板５に押し付けられる。それによっ
て、シリコン薄板５の回転が制動させられる。これを防止し、シリコン薄板５の
回転運動を補助するために、一方のブラシ５０だけが基板直径全体にわたって延
びているかあるいは回転する。他方のブラシ５１は基板直径の一部にわたっての
み延びているかまたは回転する。この場合、基板の中央の洗浄を行うために、こ
のブラシ５１は基板中心を越えた側まで達している。更に、ブラシ５０，５１の
回転方向は、シリコン薄板５の回転を補助するように選択されている。
【００５４】 図１３はスピン乾燥のための乾燥ステーションを示している。このスピン乾燥
の場合、基板５は閉じた遠心室５３内で掴み具１９によってその縁領域を保持さ
れる。この場合、掴み具１９は軸５４を介して駆動可能である。遠心室５３は荷
積みおよび荷下ろしのために分離開放可能な２個の半部５５，５６からなってい
る。基板５は乾燥のために回転させられる。基板中央に作用する遠心力は、重力
によって補助される。この重力は同様に、基板５上にある水滴に作用する。水の
表面張力を小さくするために、遠心室５３内にはアルコールとガスの混合物が供
給されるので、この遠心室内はアルコール雰囲気となる。回転によって、水は基
板５の表面から飛ばされ、吸引装置によって出口５７から排出される。これによ
り、支配する正圧が低下する。回転の終了前に、遠心室５３が開放され、それに
よって、遠心室５３内の湿度が低下し、基板５が完全に乾燥する。図示した遠心
室５３の場合には、残留湿気を吸収する働きをする、予熱された乾燥ガスを、入
口５８から選択的に供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 垂直に配置されたシリコン薄板を備えた加工装置の部分図である。
【図２】 基板が加工プロセスを通過するステーションを示す図である。
【図３】 供給ステーションと受け取りステーションを備えた装置の変形を示す図である
。
【図４】 プランジャを有する供給ステーションを備えた他の変形を示す図である。
【図５】 傾動可能な供給ステーションを備えた装置の変形を示す図である。
【図６】 傾動可能に形成された受け取りステーションの変形を示す図である。
【図７】 薄板が搬送要素によって挿入される受け取りステーションの他の変形を示す図
である。
【図８】 回転駆動装置を備えた基板搬送装置の実施の形態を示す図である。
【図９】 代替的な回転駆動装置を備えた基板搬送装置の実施の形態を示す図である。
【図１０】 搬送ローラが回転駆動要素として形成されている、基板搬送装置の実施の形態
を示す図である。
【図１１】 シリコン薄板のための非接触式案内装置を示す図である。
【図１２】 ブラシとして形成された洗浄ステーションを示す図である。
【図１３】 遠心室を備えた乾燥装置を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＵＳ

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 超小型電子部品を製造するための平たい基板、特にシリコン
    薄板を処理する方法において、平たい基板特にシリコン薄板の平面がほぼ垂直に
    延びるように、平たい基板特にシリコン薄板の向きが定められ、このように方向
    づけられて薄板が少なくとも１つの処理ステーションを通過することを特徴とす
    る方法。
  2. 【請求項２】 シリコン薄板が取扱い操作ロボットを介して搬送されること
    を特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 薄板が重力下で、傾斜配置された処理ステーションを通過す
    る、特に転動通過することを特徴とする請求項１または２記載の方法。
  4. 【請求項４】 薄板がコンベヤベルトに取付けられた搬送ローラまたは搬送
    要素によって搬送され、２個の搬送ローラまたは搬送要素の間にそれぞれ１個の
    薄板が位置することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の方法。
  5. 【請求項５】 薄板が複数の処理ステーションを通過することを特徴とする
    請求項１〜４のいずれか一つに記載の方法。
  6. 【請求項６】 薄板が処理中に停止および／または回転させられることを特
    徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の方法。
  7. 【請求項７】 薄板がその縁部で処理ステーションを通過するかまたは円環
    状アダプタに収容されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の
    方法。
  8. 【請求項８】 シリコン薄板が乾燥させられ、フォトリソグラフィプロセス
    のための感光剤によって処理されるかまたは洗浄され、シリコン薄板の洗浄時に
    、シリコン薄板の少なくとも一方の表面、特に両表面に流動媒体が案内されるこ
    とを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の方法。
  9. 【請求項９】 薄板が重力下で回転駆動装置（１４）に載せられ、場合によ
    っては挟持装置を介して保持されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一
    つに記載の方法。
  10. 【請求項１０】 乾燥法が垂直式スピン乾燥プロセスであり、アルコール雰
    囲気を発生するためにガスとアルコールの混合気体が処理ステーションに供給さ
    れることを特徴とする請求項８記載の方法。
  11. 【請求項１１】 処理ステーション（１，２，２０，２１）が薄板のための
    垂直な入口と、垂直方向に向いた薄板用搬送路と、垂直な出口を備えていること
    を特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載の方法を実施するための装置
    。
  12. 【請求項１２】 搬送路が薄板（５）を垂直に向けて案内するための案内要
    素（７）を備えていることを特徴とする請求項１１記載の装置。
  13. 【請求項１３】 案内要素（７，８）として、液体噴霧ノズルまたはガス噴
    霧ノズル（４４）がシリコン薄板（５）の両側に設けられ、この噴霧ノズルが薄
    板（５）を非接触案内することを特徴とする請求項１１または１２記載の装置。
  14. 【請求項１４】 案内要素（７，８）として、液体で湿らせた案内ローラま
    たは案内条片がシリコン薄板（５）の両側に配置され、基板（５）が水の膜にの
    み接触することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一つに記載の装置。
  15. 【請求項１５】 シリコン薄板（５）のための案内路（９）として斜めの平
    面を備えていることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一つに記載の装置
    。
  16. 【請求項１６】 複数の処理ステーション（１，２，２０，２１）が並べて
    配置され、処理流体が前方に配置された処理ステーション（２，２１）から手前
    に配置された処理ステーション（１，２０）に段滝状に搬送されることを特徴と
    する請求項１１〜１５のいずれか一つに記載の装置。
  17. 【請求項１７】 薄板（５）が案内路（９）から取出し可能であり、かつ別
    個の加工領域または加工ステーション（１７）に供給可能であることを特徴とす
    る請求項１１〜１６のいずれか一つに記載の装置。
  18. 【請求項１８】 表面処理剤を塗布するためのステーション、感光性レジス
    ト、成層コーティング、調整コーティング層を形成するためのステーション、乾
    燥させるためのステーション、現像するためのステーション、すすぎのためのス
    テーション、エッチング等のような湿式プロセスのためのステーション、露光の
    ためのステーションが設けられていることを特徴とする請求項１１〜１７のいず
    れか一つに記載の装置。
  19. 【請求項１９】 薄板（５）の両側に配置された回転するブラシ（５０，５
    １）を用いて洗浄するためのステーションが設けられ、この場合シリコン薄板（
    ５）が回転し、一方のブラシ（５０）が基板直径全体にわたって延び、他方のブ
    ラシ（５１）が基板直径の一部のみにわたって延びていることを特徴とする請求
    項１１〜１８のいずれか一つに記載の装置。
  20. 【請求項２０】 薄板（５）の両側に配置された回転するブラシ（５０，５
    １）を用いて洗浄するためのステーションが設けられ、この場合シリコン薄板（
    ５）が回転し、両ブラシ（５０，５１）が基板直径の一部にわたってのみ延びて
    いることを特徴とする請求項１１〜１９のいずれか一つに記載の装置。
  21. 【請求項２１】 両ブラシ（５０，５１）が基板中心を越えて延びているこ
    とを特徴とする請求項１９または２０記載の装置。
  22. 【請求項２２】 案内要素（７，８）が薄板（５）の側方の縁領域にのみ接
    触することを特徴とする請求項１１〜２１のいずれか一つに記載の装置。
  23. 【請求項２３】 処理ステーション（１，２，２０，２１）が薄板（５）の
    ための少なくとも１個のストッパー（１１）および／または回転駆動要素を備え
    ていることを特徴とする請求項１１〜２２のいずれか一つに記載の装置。
  24. 【請求項２４】 供給ステーション（２６）と受け取りステーション（２８
    ）が設けられていることを特徴とする請求項１１〜２３のいずれか一つに記載の
    装置。
  25. 【請求項２５】 供給ステーション（２６）または受け取りステーション（
    ２８）がマガジン（４，２７）を含んでいるかまたはマガジン（４，２７）とし
    て形成され、このマガジンの中に薄板（５）が垂直に収容されていることを特徴
    とする請求項１１〜２４のいずれか一つに記載の装置。
  26. 【請求項２６】 供給ステーション（２６）または受け取りステーション（
    ２８）が、薄板（５）を処理ステーション（１，２，２０，２１）に移送するか
    または処理ステーションから移送する搬送プランジャ（２９）を備え、および／
    または傾動可能に支承されていることを特徴とする請求項２４または２５記載の
    装置。
  27. 【請求項２７】 薄板（５）が重力によって回転駆動装置（１４）に載るこ
    とを特徴とする請求項１１〜２６のいずれか一つに記載の装置。
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DE1997130582 DE19730582A1 (de) 1997-07-17 1997-07-17 Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung von Wafer zum Herstellen mikroelektronischer Bauelemente
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013061506A1 (ja) * 2011-10-28 2013-05-02 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000074115A1 (en) * 1999-05-27 2000-12-07 Lam Research Corporation Wafer cascade scrubber
US6439245B1 (en) 2000-06-30 2002-08-27 Lam Research Corporation Method for transferring wafers from a conveyor system to a wafer processing station
US7018268B2 (en) * 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing
DE102004032659B4 (de) * 2004-07-01 2008-10-30 Atotech Deutschland Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum chemischen oder elektrolytischen Behandeln von Behandlungsgut sowie die Verwendung der Vorrichtung
DE102006003990A1 (de) * 2006-01-23 2007-08-02 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zum Aufbereiten bzw. Bearbeiten von Siliziummaterial
NL1032069C2 (nl) * 2006-06-28 2008-01-02 Meco Equip Eng Inrichting voor het in een bad behandelen van een plaatvormig substraat.
ATE555496T1 (de) * 2007-03-13 2012-05-15 Applied Materials Inc Vorrichtung zum bewegen eines carriers in einer vakuumkammer
US10808319B1 (en) * 2010-02-26 2020-10-20 Quantum Innovations, Inc. System and method for vapor deposition of substrates with circular substrate frame that rotates in a planetary motion and curved lens support arms
US10550474B1 (en) * 2010-02-26 2020-02-04 Quantum Innovations, Inc. Vapor deposition system
JP6202544B2 (ja) 2012-08-27 2017-09-27 アクティエボラゲット エレクトロラックス ロボット位置決めシステム
US9261791B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-16 Infineon Technologies Ag Photoresist application
CN110710920B (zh) 2013-04-15 2021-12-14 伊莱克斯公司 具有伸出的侧刷的机器人真空吸尘器
JP6217952B2 (ja) 2013-04-15 2017-10-25 アクティエボラゲット エレクトロラックス ロボット真空掃除機
JP6494118B2 (ja) 2013-12-19 2019-04-03 アクチエボラゲット エレクトロルックス 障害物の乗り上げの検出に伴うロボット掃除機の制御方法、並びに、当該方法を有するロボット掃除機、プログラム、及びコンピュータ製品
EP3082541B1 (en) 2013-12-19 2018-04-04 Aktiebolaget Electrolux Adaptive speed control of rotating side brush
JP6455737B2 (ja) 2013-12-19 2019-01-23 アクチエボラゲット エレクトロルックス 方法、ロボット掃除機、コンピュータプログラムおよびコンピュータプログラム製品
US10617271B2 (en) 2013-12-19 2020-04-14 Aktiebolaget Electrolux Robotic cleaning device and method for landmark recognition
KR102116596B1 (ko) 2013-12-19 2020-05-28 에이비 엘렉트로룩스 나선형 패턴으로 이동하는 사이드 브러시를 구비한 로봇 진공 청소기
EP3084539B1 (en) 2013-12-19 2019-02-20 Aktiebolaget Electrolux Prioritizing cleaning areas
EP3084540B1 (en) 2013-12-19 2021-04-14 Aktiebolaget Electrolux Robotic cleaning device and operating method
CN105848545B (zh) 2013-12-20 2019-02-19 伊莱克斯公司 灰尘容器
ES2681802T3 (es) 2014-07-10 2018-09-17 Aktiebolaget Electrolux Método para detectar un error de medición en un dispositivo de limpieza robotizado
WO2016037636A1 (en) 2014-09-08 2016-03-17 Aktiebolaget Electrolux Robotic vacuum cleaner
CN106659345B (zh) 2014-09-08 2019-09-03 伊莱克斯公司 机器人真空吸尘器
EP3230814B1 (en) 2014-12-10 2021-02-17 Aktiebolaget Electrolux Using laser sensor for floor type detection
CN107072454A (zh) 2014-12-12 2017-08-18 伊莱克斯公司 侧刷和机器人吸尘器
WO2016095965A2 (en) 2014-12-16 2016-06-23 Aktiebolaget Electrolux Experience-based roadmap for a robotic cleaning device
WO2016095966A1 (en) 2014-12-16 2016-06-23 Aktiebolaget Electrolux Cleaning method for a robotic cleaning device
CN107405034B (zh) 2015-04-17 2022-09-13 伊莱克斯公司 机器人清洁设备以及控制所述机器人清洁设备的方法
JP6736831B2 (ja) 2015-09-03 2020-08-05 アクチエボラゲット エレクトロルックス ロボット清掃デバイスのシステム、清掃デバイスを制御する方法、コンピュータプログラム及びコンピュータプログラム製品
EP3430424B1 (en) 2016-03-15 2021-07-21 Aktiebolaget Electrolux Robotic cleaning device and a method at the robotic cleaning device of performing cliff detection
US11122953B2 (en) 2016-05-11 2021-09-21 Aktiebolaget Electrolux Robotic cleaning device
KR20200013657A (ko) 2017-06-02 2020-02-07 에이비 엘렉트로룩스 로봇 청소 장치 전방의 표면의 레벨차를 검출하는 방법
CN111093447B (zh) 2017-09-26 2022-09-02 伊莱克斯公司 机器人清洁设备的移动控制
DE102019102492A1 (de) * 2019-01-31 2020-08-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
CN116682771B (zh) * 2023-08-02 2023-09-26 北京特思迪半导体设备有限公司 晶圆清洗机构及晶圆清洗系统

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5317778A (en) 1991-07-31 1994-06-07 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Automatic cleaning apparatus for wafers
US5468302A (en) 1994-07-13 1995-11-21 Thietje; Jerry Semiconductor wafer cleaning system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013061506A1 (ja) * 2011-10-28 2013-05-02 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置
JPWO2013061506A1 (ja) * 2011-10-28 2015-04-02 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO1999004416A1 (de) 1999-01-28
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