JPH0276227A - 基板の洗浄乾燥方法及びその装置 - Google Patents

基板の洗浄乾燥方法及びその装置

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JPH0276227A
JPH0276227A JP22798788A JP22798788A JPH0276227A JP H0276227 A JPH0276227 A JP H0276227A JP 22798788 A JP22798788 A JP 22798788A JP 22798788 A JP22798788 A JP 22798788A JP H0276227 A JPH0276227 A JP H0276227A
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Masazumi Nakarai
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野j この発明は、半導体ウェハやガラスマスク等の基板を自
動的に洗浄、乾燥するのに有効な方法と装置に関するも
のである。
[従来の技術l 半導体ウェハをメガソニック洗浄、HFエツチング、乾
燥からなる一連の工程により自動的に洗浄、乾燥する工
程のあることは周知である。すなわちメガソニック洗浄
は、石英ガラス槽にヒートコントロールされたN)+4
 08.H2o2.純水の混合液を入れ、ウェハを浸せ
きして槽の底に固定された950KHzの振動子により
振動させてウェハ表面に付着した異物を洗い落とす、H
Fエツチングは、石英ガラス槽にHFと純水の混合液を
入れ、ウェハを浸せきしてウェハ表面のエッチングを行
う、乾燥は、洗浄液からウェハを微速度で引き上げ、洗
浄液の表面張力を利用して静的に乾燥するスタティック
乾燥、純水をインプロピルアルコールで置換するIPA
乾燥等である。
[発明が解決しようとする問題点1 これら従来の工程では、ウェハはすべて第1図に示すよ
うなフッ素樹脂製のキャリア1に担持され処理されてい
た。フッ素樹脂製のキャリア1は1個当り20〜26枚
のウェハを相互に接触しないように担持するための案内
溝2が形成されてあり、非常に複流な形状をしている。
そのためキャリア1の案内溝2に接触したウェハの表面
が十分に洗浄、乾燥されなかったり、HF工・7チング
中にキャリア表面から溶出してくる有機物のためウェハ
が汚染されるという問題点があった。
1 発明が問題点を解決するための手段]本発明は上記
欠点の原因となるキャリアを洗浄乾燥工程中に一切使用
せず、クリーン度をア・ツブした基板の洗浄乾燥方法と
装置を提供するものである0本発明においてキャリアが
介在するのは、本発明による装置入口であるローダ部と
出口であるアンローダ部のみで、洗浄、乾燥工程中のハ
ンドリングは、ウェハとの接触面積が小さくウェハを等
間隔に保持する形状のロボットが行うようにした。
[作 用1 ウェハを接触面積が小さいチャッキングで保持するため
ウェハの洗浄、乾燥残しがなく、又キャリアを使用しな
いためHFエツチング中に有機物の溶出がなくウェハが
汚染されることがない。
I 実施例] 本発明の実施例を図面により説明する。
第2図は本発明の一実施例の概略断面構成図であり、本
発明による基板の洗浄乾燥装置3は、台座4が取付けら
れたハウジング5を有し、その内部には図示左側から順
にローダ部6、チャッキング洗浄部7、メガソニック洗
浄部8、HFエッチンけている。又、その上部には2台
のチャッキング12.13とその搬送部14を設け、更
にその上部には清浄な風を送るための送風IR(図示せ
ず)とフィルタ15とを設けている。ローダ部6にはキ
ャリアlを置くための載置部16が有り、その下部には
キャリア1内の複数のウェハ17(以下ウェハ17と記
す)のオリフラ17aを上部に揃えるためのオリフラ合
わせ機構18と、ウェハ17をキャリア1から垂直に押
し出すためのリフト手段19とを設けている。オリフラ
合わせ機構18はウェハ17の周縁部に接触して回転さ
せるためのシリコンゴム製の駆動ローラ20と、駆動ロ
ーラ20をキャリア1の真下まで水平移動するための水
平駆動装置21と、駆動ローラ20を持ち上げてキャリ
アl内のウェハ17に接触させるための垂直駆動装置2
2とで構成されており、リフト手段19はウェハ支持バ
ー23とブツシュロッド24とエアシリンダ25とで構
成されている。チャッキング12(13)は第3図に詳
細に示すが2本の連結パイプ26.27と連結ボックス
28とで搬送部14に連結され、搬送部14内の駆動機
構(図示せず)により水平移動、垂直移動、ウェハ17
の把持が行われる。連結ボックス28には1本の固定ア
ーム29が固定され、2本の回動アーム30.31が一
定角度回動するように支持されている。固定アーム29
の先端には静止プレート32が固定され、静止ル−ト3
2にはウェハ17を相互に接触しないように担持するた
めの案内溝33が形成された石英ガラスのガイド343
5が各々プレート36.37と各々2本の固定バー38
.38と2本のボルト39.39により左右対称的に挟
持固定されている0回動アーム3031の先端には各々
扇動プレート40.41が固定され、扇動プレート40
.41には各々前記ガイド34.35と同様にウェハ1
7を相互に接触しないように担持するための円周講42
が形成された石英ガラス製の溝付バー43.44(図示
せず)が、各々プレート45.46と各々2本の固定バ
ー38.38及び2本のボルト3つ、39によりやはり
左右対称に挟持固定されている0以上のように構成され
たチャッキング12(13)でウェハ17を担持する場
合は、ガイド34と35でウェハ17の水平方向中心線
上の左右周縁部4748を案内し、2本の溝付バー43
.4.4が前記左右周縁部47.48からウェハ17の
中心からの角度で各々約30°下側の周縁部49.50
を支持しているだけで、強固にウェハ17を把持してい
るわけでわない、すなわち、ウェハ17の下端を押し上
げれば容易に上方に移動する状態に保持されている。チ
ャッキング12(13)がウェハ17を解放する場合は
、回動アーム30と31が搬送部14内の図示しない駆
動装置により各々矢印51.52方向に一定角度回動さ
れ、つれて扇動プレート39及び40が矢印53.54
方向に扇動されて左右2本の溝付バー43と44の間隔
がガイド34と35の間隔と同距離になるまで拡張され
、ウェハ17が下方に解放される。
第2図において、チャッキング洗浄部7には純水をスプ
レーしてチャッキング12のガイド3435や溝付バー
43.44等を洗浄するための洗浄ノズル55.56が
設けである。メガソニック洗浄部8には石英ガラス製の
オーバフロー槽57が置かれ、その下部に約950KH
zの周波数で発振するメガソニック発振器58が固定さ
れている。オーバフロー槽57には工場内配管(図示せ
ず)からH202が、メガソニック洗浄部8の下部に置
かれ工場内配管によりN)(40Hと純水が供給される
貯液タンク59から図示しないポンプによりNH,OH
と純水の混合液が供給されて混合され洗浄液になる。オ
ーバフロー槽57は第4図に詳細を示すように、外槽6
0の内側に外槽より高さが少し低い内槽61が有り、内
槽61の内側にはウェハ17を相互に接触しないように
保持するための案内溝62が形成されている。オーバフ
ロー槽57へのウェハ17の出し入れは、垂直駆動装置
く図示せず)に連結されたリフトパー63により行われ
、チャッキング12とオーバフロー槽57との間でウェ
ハ17の受渡しが行われる。
リフトパー63のウェハ17との接触部は細いスリット
64が形成してあり、ウェハ17を洗浄液から取り出す
際毛管現象により最後の液切りを行い、ウェハ17の乾
燥速度を早める効果がある。
HFエツチング部9には、前記メガソニ・yり洗浄部8
と同様にHFと純水の混合液を入れるための石英ガラス
製のオーバフロー槽65が有り、その構造はメガソニッ
ク洗浄部8のオーバフロー槽57と全く同一である。H
Fと純水の混合液の供給はHFエツチング部9の下部に
置かれ工場内配管(図示せず)によりHFと純水が供給
される貯液タンク66からポンプ(図示せず)により供
給される。オーバフロー槽65へのウェハ17の出し入
れは、メガソニック洗浄部8と同様に垂直駆動装置(図
示せず)に連結されたリフトパー67により行われる。
リフトパー67は前記リフトパー63と同一形状であり
、ウェハ17の液切り、乾燥に関して同一の効果を有す
る。IPA乾燥部10にはステンレス製のIPA槽68
が置かれ、その底部にはIPA液を暖めて蒸発させるた
めのヒータ69が、その上部には蒸発したIPA蒸気を
凝縮して繰返し利用するための凝縮器70が設けである
。又、IPAは揮発性で引火化が強いためIPA槽68
の上側に両開きのオートシャッタ71が設けてあり、さ
らにHFエツチング部9との境界アンローダ部11との
境界に各々オートシャッタ72.73が設けてありIP
Aの外部への漏れを防止している。IPA槽68へのウ
ェハ17の出し入れは、ウェハ授受装置74により行わ
れる。
ウェハ授受装置74は、第5図に示すようにチャッキン
グ12に用いられている溝付バー43と同−構造の4本
の溝付バー75.76.77.78が固定されたブロッ
ク79が2本のバイ180と81とで垂直駆動装置(図
示せず)に接続され、1本の溝付バー82が固定された
ブロック83が1本のパイプ84で別の垂直駆動装置(
図示せず)に接続された構造になっており、IPA槽6
槽内8内理中のウェハ17は5本の溝付バーで保持され
る。前記2本のパイプ80と81とを駆動する垂直駆動
装置にはパイプ84を駆動する垂直駆動装置が載置され
ているため、パイプ80と81が垂直移動されるとパイ
プ84も一緒に同距離だけ垂直移動し、したがってブロ
ック79に固定された4本の溝付バー75.76.77
.78とブロック83に固定された1本の溝付バー82
とが同時に移動し、ウェハ17を持ち上げたり下げたり
する。さらにバイブ84を駆動する垂直駆動装置により
バイブ84を垂直移動するとブロック83とそれに固定
された溝付バー82のみが垂直移動してウェハ17の周
縁下部を持ち上げたり下げたりすることができる。IP
A乾燥部10では、チャッキング12からウェハ授受装
置74にウェハ17を移載してIPA乾燥後、今度はウ
ェハ授受装置74から別のチャッキング13にウェハ1
7を再び移載する工程を経るが、次に移載の方法を詳し
く述べる。ウェハ授受装置74の真上に停止しているチ
ャッキング12に対しウェハ授受装置74が実線85で
示す位置まで上昇して停止し、次に溝付バー82のみが
上昇してウェハ17の周縁下部を持ち上げ、二点鎖線8
6の位置まで持ち上げて停止する。この状態で、チャッ
キング12の扇動プレート40.41が矢印53.54
方向に扇動して二点鎖線40a、41aの位置まで開き
、溝付バー43と44との間隔がガイド34と35との
In隔と同距離だけ離され、ウェハ17が下降する際の
ガイドとなる9次に溝付バー82が下降して実線87の
位置まで下がると、ウェハ17は5本の溝付バー75.
76.77.78.82によってウェハ17を相互に接
触しないように保持される。これでチャッキング12か
らウェハ授受装置74への移載は終了し、次にウェハ授
受装置74全体が下降してIPA槽6槽内8内端位置で
停止し、ウェハ17がIPA乾燥される。
ウェハ授受装置74からチャッキング13への移載は、
前記チャッキング12からウェハ授受装置1f74への
移載と全く逆工程で行われるため詳細な説明は省略する
アンローダ部11には清浄なキャリア88を置くための
載1部89が有り、その下部にはキャリア88内に洗浄
乾燥済みのウェハ17を収納するためのリフト手段90
が設けである。リフト手段90はローダ部6のリフト手
段19と同一構造であり、説明を省略する。
次に、以上のように構成された本発明を用いてウェハを
洗浄、乾燥する場合の動作について工程順に列記して説
明する。
1)洗浄、乾燥すべきウェハ17が収納されたキャリア
1を人手もしくはロボットハンドで載置部16の設定位
置に載せる。
2)オリフラ合わせ機構18の駆動ローラ20が前記キ
ャリア1の真下でウェハ17の周縁下部に接触するまで
移動し、駆動ローラ20が回転してウェハ17のオリフ
ラ17aを上部に合わせる。
3)チャッキング12の扇動プレート40.41がキャ
リア1の真下で扇動して開く。
4)リフト手段19のブツシュロッド24がエアシリン
ダ25により押し上げられ、ウェハ支持バー23がウェ
ハ17を持ち上げてキャリア1から押し出し、チャッキ
ング12のチャッキング位置で停止する。
5)チャッキング12の扇動プレート40.41が扇動
して閏じる。
6)ブツシュロッド24が下降し、ウェハ17の下部が
チャッキング12の溝付バー43.44の清42に入り
保持される。
7)チャッキング12がメガソニック洗浄部8のオーバ
フロー槽57の真上まで水平移動する。
8)チャッキング12が下降して受渡し位1で停止し、
ウェハ17をオーバフロー槽57の上端に接近させる 
9)リフトバー63が上昇してウェハ17の周縁下部を
持ち上げ停止する。
10)チャッキング12の扇動プレート40.41が扇
動して開く。
11)リフトパー63が下降してウェハ17をオーバフ
ロー槽57の内槽61の案内溝62に沿って導き、N 
H40H、H202、純水の混合液である洗浄液中に浸
せきして停止する。
12)メガソニック発振器58が発振して、音波エネル
ギがオーバフロー槽57の底からウェハ17の表面に沿
って平行に進み、ウェハ表面の不要な微粒子を取り去る
。(数分〜士数分)13)洗浄液を廃液すると同時に純
水のみをオーバフロ槽57に流入して1喚し、ウェハ1
7を純水のみで洗浄する。(数分〜十数骨)14)メガ
ソニック洗浄が終了すると、オーバフロー槽57内のリ
フトパー63が静かに上昇しウェハ17を受渡し位置ま
で持ち上げる。この際ウェハ17の周縁下部に残った純
水をリフトパー63のスリット64が毛管現象により吸
引除去し乾燥を早める。
15)チャッキング12の扇動プレート40.41が扇
動して閉じ、メガソニック洗浄済みのウェハ17をチャ
ッキングする。
16)チャッキング12がHFエッチ27部9のオーバ
フロー槽65の真上まで水平移動し、下降して受渡し位
1で停止し、ウェハ17をオーバフロー槽65の上端に
接近させる。
17)リフトパー67が上昇してウェハ17の周縁下部
を持ち上げ停止する。
18)チャッキング12の扇動プレート40.41が扇
動して開く。
19)リフトパー67が下降してウェハ17をオーバフ
ロー槽65の溝に沿って導き、HFと純水との混合液で
あるHFエツチング液中に浸せきして停止する。
20)HFエツチング液によりウェハ17の表面がエツ
チングされ不要な微粒子を取り去る。(数分間) 21)HFエツチング液を廃液すると同時に純水のみを
オーバフロー槽65内に流入して置換しウェハ17を純
水のみで洗浄する。(数分〜十数骨) 22)HFエツチングが終了すると、オーバフロー槽6
5内のリフトパー67が静かに上昇し、ウェハ17を受
渡し位置まで持ち上げる。この際ウェハ17の周縁下部
に残った純水をリフトパー67のスリットが毛管現象に
より吸引除去し、乾燥を早める。
23)チャッキング12の扇動プレート40.41が扇
動して閉じ、HFエツチング済みのウェハ17をチャッ
キングする。
24)オートシャッタ72が開き、チャッキング12が
IPA乾燥部10のIPA槽68の真上まで水平移動し
て停止し、オートシャッタ72が閉じる。
25)オートシャッタ71が開きチャッキング12が下
降して受渡し位置で停止し、ウェハ17をIPA槽68
の上端に接近させる。
26)IPA槽内のウェハ授受装置74が上昇してチャ
ッキング12に接近し受渡し位置で停止する。
27)ウェハ授受装置74のうち溝付バー82のみが上
昇してウェハ17の周縁下部を持ち上げ停止する。
28)チャッキング12の扇動プレート40.41が扇
動して開く。
29)溝付バー82が下降し、ウェハ17をチャッキン
グ12のガイド34.35、溝付バー4344により案
内して、ウェハ授受装置74の溝付バー75.76.7
7.78まで導き保持する。
30)ウェハ授受装置74が下降してIPA槽6槽内8
内端位置で停止すると同時にオートシャッタ71が閉じ
る。
31)ヒートコントロールされたIPAの蒸気でウェハ
17の表面に残存した純水を置換する。
この間にチャッキング12は、上昇後水平移動してチャ
ッキング洗浄部7の真上まで戻って下降し洗浄ノズル5
5.56から噴出する純水により洗浄された後ローダ部
6まで戻り、次のウェハ17の洗浄工程に移る。一方、
もう一つ別のチャッキング13がアンローダ部11から
IPA槽68の真上まで移動して待機している。
32)IPA乾燥が終了するとオートシャッタ71が開
き、ウェハ授受装置74が上昇し、チャッキング13が
下降して相互に接近して受渡し位置で停止する。
33)ウェハ授受装置74の溝付バー82のみが上昇し
、ウェハ17の周縁下部を持ち上げ停止する。
34)チャッキング13の扇動プレート40゜41が扇
動して閉じる。
35)溝付バー82が下降して、ウェハ17の下部がチ
ャッキング13の溝付バー43.44により保持される
36)ウェハ授受装置74が下降、チャッキング13が
上昇後、オートシャッタ71が閏じる。
37)オートシャッタ73が開き、チャッキング13が
水平移動してアンローダ部11に載置された洗浄乾燥済
みのキャリア88の真上まで移動する。この間に純水と
置換したIPAが蒸発してウェハ17が乾燥する。
38)チャッキング13が下降し、キャリア88の上端
に接近して受渡し位置で停止する。
39)リフト手段90のウェハ支持バー91が上昇して
、ウェハ17の周縁下部を持ち上げる。
40)チャッキング13の扇動プレート40.41が扇
、動して開く。
41)ウェハ支持バー91が下降して、ウェハ17をキ
ャリア88の溝に沿って収納する。
42)洗浄乾燥済みのウェハ17を収納したキャリア8
8を、人手もしくはロボットハンドでアンローダ部11
から取り出す。
以上で1工程が完了するが、スループットを上げるため
IPA乾燥中に別のウェハが洗浄処理される。
[効  果  ] 以上のように本発明によれば、洗浄、乾燥工程中に全く
キャリアを使用しないため、ウェハの洗浄、乾燥が十分
に行われ、HFエツチング中の有fi物の溶出がなくウ
ェハが汚染されることがない効果を有する。又、キャリ
アを使用しないことにより各処理槽を小さくでき、従っ
て処理液の使用量が少なくて済み、コストダウンを計れ
る効果をも合わせ持つ。
【図面の簡単な説明】
第1図はキャリアの斜視図、第2図は本発明の一実施例
の概略断面構成図、第3図はチャッキングの斜視図、第
4図はオーバフロー槽とリフトバーの一部断面斜視図、
第5図はチャッキングとウェハ授受装置との相関図であ
る。 3・・・基板の洗浄乾燥装置、6・・・ローダ部8・・
・メガソニック洗浄部、9・・・HFエツチング部、1
0・・・IPA乾燥部、11・・・アンローダ部、12
.13・ ・チャッキング、14 ・ 搬送部、18・
・・オリフラ合わせ機構、1つ、90  ・リフト手段
、33.62・案内講、34.35・・・ガイド、43
,44講付バー、57.65 ・・オーバフロー槽、5
8  ・メガソニック発振器、63.67・リフトバー
、74・・・ウェハ授受装置出願人代理人   半 井
  正 澄 第1圓 吊4図 窮3図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体、ガラス等から成る基板を洗浄、乾燥するに
    際し、基板を担持したキャリアから基板を基板相互間を
    一定間隔に保って取り出し、メガソニック洗浄、HFエ
    ッチング等の洗浄工程及びスタティック乾燥、IPA乾
    燥等の乾燥工程を経由して、再びキャリアに前記基板を
    収納することを特徴とする基板の洗浄乾燥方法。 2、半導体、ガラス等から成る基板を洗浄、乾燥する装
    置において、基板を担持したキャリアから基板を持ち上
    げたり、空のキャリアに基板を収納するための少なくと
    も1つ以上のリフト手段と基板を基板相互間を一定間隔
    に保って担持するための少なくとも1つ以上のチャッキ
    ングと、前記チャッキングを洗浄、乾燥の各工程部まで
    移動するための搬送部とを備えたことを特徴とする基板
    の洗浄乾燥装置。 3、前記洗浄、乾燥の各工程部において、基板を基板相
    互間を一定間隔に保って保持するように構成したことを
    特徴とする特許請求の範囲第2項記載の基板の洗浄乾燥
    装置。
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