JPH0463539B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0463539B2 JPH0463539B2 JP59018249A JP1824984A JPH0463539B2 JP H0463539 B2 JPH0463539 B2 JP H0463539B2 JP 59018249 A JP59018249 A JP 59018249A JP 1824984 A JP1824984 A JP 1824984A JP H0463539 B2 JPH0463539 B2 JP H0463539B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- washing
- water
- semiconductor material
- drying
- back surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 49
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 33
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 41
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は片面をエツチングされたシリコンウエ
ハやガラスフオトマスクなどの半導体材料を水洗
し且つ乾燥するための方法に関する。
ハやガラスフオトマスクなどの半導体材料を水洗
し且つ乾燥するための方法に関する。
薄板状の半導体材料の片側の表面に半導体配線
回路を形成する場合、半導体材料の表面に金属薄
膜または酸化膜を施こし且つ感光液(フオトレジ
スト)を該材料表面の所定部分に薄膜状に塗布
し、それを焼付けて現像処理を行ない、配線回路
となるパターンを形成した後にエツチングを行な
い、パターンが形成されている部分以外の部分の
金属薄膜を除去し、次いでフオトレジストを剥離
することによつて半導体配線回路を形成してい
る。
回路を形成する場合、半導体材料の表面に金属薄
膜または酸化膜を施こし且つ感光液(フオトレジ
スト)を該材料表面の所定部分に薄膜状に塗布
し、それを焼付けて現像処理を行ない、配線回路
となるパターンを形成した後にエツチングを行な
い、パターンが形成されている部分以外の部分の
金属薄膜を除去し、次いでフオトレジストを剥離
することによつて半導体配線回路を形成してい
る。
しかるに従来技術ではエツチングされた半導体
材料はチヤツクヘツドにより水洗槽に移動され、
そこで回路が形成される表面のみを水洗した後、
所謂「プール」と言われる水槽内に置かれたキヤ
リヤ内に収められ、通常は25〜50枚の所定数のウ
エハがキヤリヤ内に収められた後、キヤリヤごと
次の乾燥工程に移動された。従つて、初めにキヤ
リヤ内に収められた半導体材料は長い時間をプー
ル内の水中に置かれる。例えばキヤリヤ内に25枚
の材料が収められる場合、1枚の材料に要する処
理時間を3分とすれば、最初に収められた材料は
72分間水中に保たれることになる。プール内には
各材料に僅かながら残留したエツチング液が持込
まれるため、持込まれたエツチング液によりイオ
ンが生じ、それにより材料の表面が反応を受け、
さらに材料の表面は長時間水中に浸すと変化する
欠点があつた。
材料はチヤツクヘツドにより水洗槽に移動され、
そこで回路が形成される表面のみを水洗した後、
所謂「プール」と言われる水槽内に置かれたキヤ
リヤ内に収められ、通常は25〜50枚の所定数のウ
エハがキヤリヤ内に収められた後、キヤリヤごと
次の乾燥工程に移動された。従つて、初めにキヤ
リヤ内に収められた半導体材料は長い時間をプー
ル内の水中に置かれる。例えばキヤリヤ内に25枚
の材料が収められる場合、1枚の材料に要する処
理時間を3分とすれば、最初に収められた材料は
72分間水中に保たれることになる。プール内には
各材料に僅かながら残留したエツチング液が持込
まれるため、持込まれたエツチング液によりイオ
ンが生じ、それにより材料の表面が反応を受け、
さらに材料の表面は長時間水中に浸すと変化する
欠点があつた。
本発明の目的は上記従来技術の欠点を解消する
ことであつて、それ故半導体材料の裏面にまわり
込んだエツチング液をも除去し得ると共に水洗後
にプール中に浸けることなく直ちに乾燥するよう
にした半導体材料の洗浄乾燥方法を提供すること
である。
ことであつて、それ故半導体材料の裏面にまわり
込んだエツチング液をも除去し得ると共に水洗後
にプール中に浸けることなく直ちに乾燥するよう
にした半導体材料の洗浄乾燥方法を提供すること
である。
本発明による半導体材料の洗浄乾燥方法の特徴
はカツプ状の水洗槽の上において表面を下向きに
した半導体材料が下方のウオータノズルにより予
備水洗した后に下方から吹き上げる純水により本
水洗し、その際に上側の裏面も水洗し、本水洗の
後に直ちに回転装置により水切乾燥を行なうよう
にしたことである。
はカツプ状の水洗槽の上において表面を下向きに
した半導体材料が下方のウオータノズルにより予
備水洗した后に下方から吹き上げる純水により本
水洗し、その際に上側の裏面も水洗し、本水洗の
後に直ちに回転装置により水切乾燥を行なうよう
にしたことである。
次に図面を参照のもとに本発明に関し説明す
る。第1図は本発明の洗浄乾燥方法を実施する工
程を含むエツチングを行なうシステムの一例を示
すものであつて、図において1は所定数の半導体
材料、この実施例ではシリコンウエハSを収め得
る第1のキヤリヤであり、2は第1のステージ、
3はウエハの反転用装置、4は第2のステージ、
5はエツチング前の水洗装置、6はエツチング装
置、7は本発明による方法の一部が実施される水
洗装置、8は反転装置、9は回転装置、10はウ
エハを順次に搬送する装置であり、この装置には
真空による吸盤を備えたチヤツクヘツド11が在
る。
る。第1図は本発明の洗浄乾燥方法を実施する工
程を含むエツチングを行なうシステムの一例を示
すものであつて、図において1は所定数の半導体
材料、この実施例ではシリコンウエハSを収め得
る第1のキヤリヤであり、2は第1のステージ、
3はウエハの反転用装置、4は第2のステージ、
5はエツチング前の水洗装置、6はエツチング装
置、7は本発明による方法の一部が実施される水
洗装置、8は反転装置、9は回転装置、10はウ
エハを順次に搬送する装置であり、この装置には
真空による吸盤を備えたチヤツクヘツド11が在
る。
このシステムでは第1のキヤリヤ1内に収めら
れたウエハは適当な送り装置13によつて一枚づ
つ順次に表面を上側にして第1のステージ2の上
に載置され、ステージ2上のウエハは先端に吸盤
を備えた反転装置3により反転されて表面を下向
きにした状態で第2のステージ4の上に載せられ
る。ステージ4の上のウエハは搬送装置10によ
り水洗装置5に移動され、エツチング前の予備水
洗を行ない、次いで搬送装置10によりエツチン
グ装置6の上に、配線回路が形成される表面を下
向きにしたまま移載され、そこで下から吹き上げ
るエツチング液によつてエツチングが行なわれ
る。
れたウエハは適当な送り装置13によつて一枚づ
つ順次に表面を上側にして第1のステージ2の上
に載置され、ステージ2上のウエハは先端に吸盤
を備えた反転装置3により反転されて表面を下向
きにした状態で第2のステージ4の上に載せられ
る。ステージ4の上のウエハは搬送装置10によ
り水洗装置5に移動され、エツチング前の予備水
洗を行ない、次いで搬送装置10によりエツチン
グ装置6の上に、配線回路が形成される表面を下
向きにしたまま移載され、そこで下から吹き上げ
るエツチング液によつてエツチングが行なわれ
る。
本発明はエツチング終了後の洗浄および乾燥に
関するもので、ウエハの上側になつている裏面の
乾燥まではエツチング後の水洗装置7で行なわれ
る。即ち、ウエハの下向きの表面がエツチングさ
れると、第1図の実施例では搬送装置10のチヤ
ツクヘツド11により表面が下向きのままウエハ
を吸着して水洗装置7に移動し、そこで第2図に
示すように、カツプ状の水洗槽14の上に水平に
ウエハSを支持する。ウエハが所定位置に至る
と、先ず槽14内の適当な位置に設けられたウオ
ータノズル15によりウエハの下向きの表面に純
水を噴射し、予備的に水洗する。この水洗はウオ
ータジエツトによつて行なわれるので、早急にな
され、従つてエツチング液を素早く除去するので
ウエハの表面から完全にエツチング液を除去でき
且つステイン膜が形成されるのを防ぐ。
関するもので、ウエハの上側になつている裏面の
乾燥まではエツチング後の水洗装置7で行なわれ
る。即ち、ウエハの下向きの表面がエツチングさ
れると、第1図の実施例では搬送装置10のチヤ
ツクヘツド11により表面が下向きのままウエハ
を吸着して水洗装置7に移動し、そこで第2図に
示すように、カツプ状の水洗槽14の上に水平に
ウエハSを支持する。ウエハが所定位置に至る
と、先ず槽14内の適当な位置に設けられたウオ
ータノズル15によりウエハの下向きの表面に純
水を噴射し、予備的に水洗する。この水洗はウオ
ータジエツトによつて行なわれるので、早急にな
され、従つてエツチング液を素早く除去するので
ウエハの表面から完全にエツチング液を除去でき
且つステイン膜が形成されるのを防ぐ。
次いで槽14の底部に設けられた通路16を通
して純水を吹き上げ、ウエハ表面の本水洗を行な
う。この本水洗に移行した後にチヤツクヘツド1
1の吸着が解かれ、搬送装置10は第2のステー
ジ4の位置に戻り、その上に置かれた次のウエハ
を同様に搬送する。本水洗においては下から吹き
上げる水によりウエハは水洗槽14の上に浮いた
状態に保たれる。この本水洗は通常、2〜3分間
行なわれ、槽14の上にウエハが浮いた状態で上
側になつているウエハの裏面を好ましくはシヤワ
ー装置17によりシヤワー水洗を行なう。このシ
ヤワー水洗は前のエツチング工程においてウエハ
の裏面にまわり込んで付着したエツチング液また
はエツチングによる反応ガスを洗い落すものであ
り、本水洗に比し短時間でよい。そしてシヤワー
水洗の直後にウエハの裏面に対しガスノズル18
によりガスブローを行ない、乾燥させる。このガ
スブローは窒素ガスで行なうのが好ましい。
して純水を吹き上げ、ウエハ表面の本水洗を行な
う。この本水洗に移行した後にチヤツクヘツド1
1の吸着が解かれ、搬送装置10は第2のステー
ジ4の位置に戻り、その上に置かれた次のウエハ
を同様に搬送する。本水洗においては下から吹き
上げる水によりウエハは水洗槽14の上に浮いた
状態に保たれる。この本水洗は通常、2〜3分間
行なわれ、槽14の上にウエハが浮いた状態で上
側になつているウエハの裏面を好ましくはシヤワ
ー装置17によりシヤワー水洗を行なう。このシ
ヤワー水洗は前のエツチング工程においてウエハ
の裏面にまわり込んで付着したエツチング液また
はエツチングによる反応ガスを洗い落すものであ
り、本水洗に比し短時間でよい。そしてシヤワー
水洗の直後にウエハの裏面に対しガスノズル18
によりガスブローを行ない、乾燥させる。このガ
スブローは窒素ガスで行なうのが好ましい。
ウエハの裏面に対する水洗およびガスブローは
前記吹き上げ水による本水洗の間に行なわれる。
ガスブローは本水洗の終了の直前に終るのが好ま
しく、そのため本水洗が或る程度行なわれた後に
シヤワー水洗を行なつてもよい。なお、ウエハ裏
面の水洗は必ずしもシヤワー水洗である必要はな
く、単に水を注ぐことによつても行なうことがで
きる。また本水洗およびウエハ裏面の水洗は若干
加熱された純水、例えば30度C程度の純水によつ
て行なうのが好ましく、そのように加熱された水
を用いれば洗浄を促進できる。
前記吹き上げ水による本水洗の間に行なわれる。
ガスブローは本水洗の終了の直前に終るのが好ま
しく、そのため本水洗が或る程度行なわれた後に
シヤワー水洗を行なつてもよい。なお、ウエハ裏
面の水洗は必ずしもシヤワー水洗である必要はな
く、単に水を注ぐことによつても行なうことがで
きる。また本水洗およびウエハ裏面の水洗は若干
加熱された純水、例えば30度C程度の純水によつ
て行なうのが好ましく、そのように加熱された水
を用いれば洗浄を促進できる。
次いで反転装置8の先端の吸盤により、乾燥さ
れたウエハの裏面を吸着して反転しながら、モー
タで回転される回転装置9の上に移動する。この
システムに用いられた回転装置9は第3図に示す
ように、中空の主軸19とその先端に備えられた
真空による吸盤20を含み、主軸の他端は電磁弁
21を介して分岐管になつており、その一方の管
22が真空源に、他方の管23が窒素ガスの源に
連通し、吸盤20がウエハを吸引しないときは窒
素ガスを流出して空気の吸引を防止している。こ
の回転装置9は吸盤20でウエハの裏面を吸着し
た状態で回転し、通常1000〜8000rpmで回転し
て、水切乾燥を行なう。なお、この場合、反転装
置8の先端の吸盤はウエハの中心より回転装置9
に近い位置でウエハを吸着し、反転後は該吸盤お
よびそれに関連のアームは回転装置の吸盤20の
切欠部20aを通過してその下に保持され、水切
乾燥後に該切欠部20aを通つて戻り、次の反転
に用いられる。水切乾燥されたウエハは適当な送
り装置24により、別のキヤリヤ12の中に順に
装入され、キヤリヤ12内に所定枚数のウエハが
収められると、次の処理工程に送られる。
れたウエハの裏面を吸着して反転しながら、モー
タで回転される回転装置9の上に移動する。この
システムに用いられた回転装置9は第3図に示す
ように、中空の主軸19とその先端に備えられた
真空による吸盤20を含み、主軸の他端は電磁弁
21を介して分岐管になつており、その一方の管
22が真空源に、他方の管23が窒素ガスの源に
連通し、吸盤20がウエハを吸引しないときは窒
素ガスを流出して空気の吸引を防止している。こ
の回転装置9は吸盤20でウエハの裏面を吸着し
た状態で回転し、通常1000〜8000rpmで回転し
て、水切乾燥を行なう。なお、この場合、反転装
置8の先端の吸盤はウエハの中心より回転装置9
に近い位置でウエハを吸着し、反転後は該吸盤お
よびそれに関連のアームは回転装置の吸盤20の
切欠部20aを通過してその下に保持され、水切
乾燥後に該切欠部20aを通つて戻り、次の反転
に用いられる。水切乾燥されたウエハは適当な送
り装置24により、別のキヤリヤ12の中に順に
装入され、キヤリヤ12内に所定枚数のウエハが
収められると、次の処理工程に送られる。
なお、上記の実施例では反転装置8により回転
装置9にウエハを移載しているが、反転装置8を
用いなくても可能であり、例えば第4図に示すよ
うに、回転装置9自体を可動にし、水洗槽14の
位置に回転装置9を移動し、直接ウエハを吸着し
て別の位置に移動し、水切乾燥を行なつた後、例
えば窒素ガスの吹出しによる搬送を行なうエアー
ベアリング25にウエハを、その表面が下向きの
まま載せて、キヤリヤ12に搬送することもでき
る。
装置9にウエハを移載しているが、反転装置8を
用いなくても可能であり、例えば第4図に示すよ
うに、回転装置9自体を可動にし、水洗槽14の
位置に回転装置9を移動し、直接ウエハを吸着し
て別の位置に移動し、水切乾燥を行なつた後、例
えば窒素ガスの吹出しによる搬送を行なうエアー
ベアリング25にウエハを、その表面が下向きの
まま載せて、キヤリヤ12に搬送することもでき
る。
上記の実施例ではシリコンウエハについて述べ
られているが、ガラスフオトマスクまたは他の薄
板状の半導体材料についても同様に実施し得るこ
とは言うまでもない。
られているが、ガラスフオトマスクまたは他の薄
板状の半導体材料についても同様に実施し得るこ
とは言うまでもない。
また、上記のシステムでは半導体材料を水洗槽
14の上に浮かせた状態でその裏面を水洗してい
るが、エツチング終了後に第5図および第6図に
示すように、進退自在のアーム30,31に設け
られた把持部32,33,34,35で材料Sを
チヤツクヘツド11より移し取り、水洗槽14の
上に支持し、表裏両面を水洗してもよい。図中、
36は次の回転工程への回動部である。
14の上に浮かせた状態でその裏面を水洗してい
るが、エツチング終了後に第5図および第6図に
示すように、進退自在のアーム30,31に設け
られた把持部32,33,34,35で材料Sを
チヤツクヘツド11より移し取り、水洗槽14の
上に支持し、表裏両面を水洗してもよい。図中、
36は次の回転工程への回動部である。
さらに水切乾燥のための半導体材料の回転も、
第7図に示すように、回転する主軸40に枢止さ
れた複数の線材で作られたグリツパー41からな
り、各グリツパーの下端の重り42が広がること
により上端のV形の保持部43が狭まるように構
成された回転装置を用い、図示のように保持部4
3に半導体材料Sを保持して行なつてもよく、こ
の場合にはガスブローによる半導体材料の乾燥は
必要としない。
第7図に示すように、回転する主軸40に枢止さ
れた複数の線材で作られたグリツパー41からな
り、各グリツパーの下端の重り42が広がること
により上端のV形の保持部43が狭まるように構
成された回転装置を用い、図示のように保持部4
3に半導体材料Sを保持して行なつてもよく、こ
の場合にはガスブローによる半導体材料の乾燥は
必要としない。
上記のように、本発明による洗浄乾燥方法では
半導体材料の表面は適切に水洗されると共に裏面
も水洗するためエツチング液を完全に除去するこ
とができ、且つ洗浄された材料は水中に浸けるこ
となく直ちに乾燥することにより、残留したエツ
チング液との反応や水中に浸したことによる変化
を受けることがなく、半導体材料の品質を向上す
ることができる。
半導体材料の表面は適切に水洗されると共に裏面
も水洗するためエツチング液を完全に除去するこ
とができ、且つ洗浄された材料は水中に浸けるこ
となく直ちに乾燥することにより、残留したエツ
チング液との反応や水中に浸したことによる変化
を受けることがなく、半導体材料の品質を向上す
ることができる。
第1図は本発明による方法を行なう工程を含む
システムの一例の平面図、第2図は本発明におけ
る水洗工程を行なう装置の概略図、第3図は本発
明における水切乾燥を行なう回転装置の概略図、
第4図は水切乾燥の他の方式を示す概略図、第5
図は水洗槽の上に半導体材料を支持する他の方式
を示す平面図、第6図は第5図の実施例での水洗
工程を図式的に示す図、第7図は他の回転装置の
立面図である。 図中、7……水洗装置、9……回転装置、11
……チヤツクヘツド、14……水洗槽、15……
ウオータノズル、17……シヤワー装置、18…
…ガスノズル。
システムの一例の平面図、第2図は本発明におけ
る水洗工程を行なう装置の概略図、第3図は本発
明における水切乾燥を行なう回転装置の概略図、
第4図は水切乾燥の他の方式を示す概略図、第5
図は水洗槽の上に半導体材料を支持する他の方式
を示す平面図、第6図は第5図の実施例での水洗
工程を図式的に示す図、第7図は他の回転装置の
立面図である。 図中、7……水洗装置、9……回転装置、11
……チヤツクヘツド、14……水洗槽、15……
ウオータノズル、17……シヤワー装置、18…
…ガスノズル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 片面をエツチングされた半導体材料をカツプ
状の水洗槽の上にエツチングされた表面を下側に
して水平に支持し且つ前記槽内に備えられたウオ
ータノズルからのウオータジエツトにより前記材
料の表面を予備水洗し、次いで前記槽の下部より
吹き上げる純水により前記表面を水洗する段階
と、前記水洗中に半導体材料の上側になつている
裏面を上方より水を落して水洗する段階と、前記
水洗段階後直ちに半導体材料を回転して水切乾燥
を行なう段階とを含む半導体材料の洗浄乾燥方
法。 2 特許請求の範囲第1項に記載の方法におい
て、前記半導体材料の水切乾燥は上側になつてい
る半導体材料の裏面にガスブローを行なつて該裏
面を乾燥した後にその裏面で半導体材料を吸着し
て行なわれる半導体材料の洗浄乾燥方法。 3 特許請求の範囲第1項に記載の方法におい
て、前記半導体材料の裏面の水洗はシヤワーによ
つて行なわれる半導体材料の洗浄乾燥方法。 4 特許請求の範囲第3項に記載の方法におい
て、半導体材料の裏面の前記シヤワー水洗は前記
吹き上げ水による洗浄がある程度なされた後に行
なわれる半導体材料の洗浄乾燥方法。 5 特許請求の範囲第1項に記載の方法におい
て、前記水切乾燥は反転装置により反転して回転
装置に載せることによつて行なわれる半導体材料
の洗浄乾燥方法。 6 特許請求の範囲第1項に記載の方法におい
て、半導体材料の表面の前記水洗は加熱された純
水によつて行なわれる半導体材料の洗浄乾燥方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1824984A JPS60163436A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体材料の洗浄乾燥方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1824984A JPS60163436A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体材料の洗浄乾燥方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60163436A JPS60163436A (ja) | 1985-08-26 |
JPH0463539B2 true JPH0463539B2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=11966402
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1824984A Granted JPS60163436A (ja) | 1984-02-06 | 1984-02-06 | 半導体材料の洗浄乾燥方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60163436A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6260027U (ja) * | 1985-09-04 | 1987-04-14 | ||
JP2743274B2 (ja) * | 1988-07-01 | 1998-04-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板搬送装置 |
JPH0749791Y2 (ja) * | 1989-03-28 | 1995-11-13 | 沖電気工業株式会社 | 枚葉式スピン乾燥装置 |
JPH0648848Y2 (ja) * | 1989-08-04 | 1994-12-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | カセット二連式基板処理装置のカセット整列装置 |
KR100240022B1 (ko) * | 1996-11-21 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체장치 제조용 현상 장치 및 그의 제어방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5180161A (ja) * | 1975-01-09 | 1976-07-13 | Suwa Seikosha Kk | |
JPS5544780A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-29 | Toshiba Corp | Cleaning device for semiconductor wafer |
JPS5652197U (ja) * | 1979-09-27 | 1981-05-08 | ||
JPS57160131A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Hitachi Ltd | Washing cell |
JPS5994425A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-31 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4862772U (ja) * | 1971-11-16 | 1973-08-09 | ||
JPS5594043U (ja) * | 1978-12-21 | 1980-06-30 |
-
1984
- 1984-02-06 JP JP1824984A patent/JPS60163436A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5180161A (ja) * | 1975-01-09 | 1976-07-13 | Suwa Seikosha Kk | |
JPS5544780A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-29 | Toshiba Corp | Cleaning device for semiconductor wafer |
JPS5652197U (ja) * | 1979-09-27 | 1981-05-08 | ||
JPS57160131A (en) * | 1981-03-30 | 1982-10-02 | Hitachi Ltd | Washing cell |
JPS5994425A (ja) * | 1982-11-19 | 1984-05-31 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60163436A (ja) | 1985-08-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4519846A (en) | Process for washing and drying a semiconductor element | |
JPH04305929A (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
JP2001232250A (ja) | 膜形成装置 | |
JPH0276227A (ja) | 基板の洗浄乾燥方法及びその装置 | |
JP3341727B2 (ja) | ウエット装置 | |
JPH0463539B2 (ja) | ||
JP3730829B2 (ja) | 現像処理方法及び現像処理装置 | |
JPH0714811A (ja) | 洗浄乾燥方法及び洗浄乾燥装置 | |
JPS61247034A (ja) | 半導体スライスの洗浄方法 | |
JP2971681B2 (ja) | 処理装置 | |
JP3035450B2 (ja) | 基板の洗浄処理方法 | |
JPH09326375A (ja) | ウェハの洗浄方法および装置 | |
JP2971725B2 (ja) | 基板浸漬装置 | |
JP3266229B2 (ja) | 処理方法 | |
JP2692887B2 (ja) | スピンデベロッパ、レジスト処理装置及びレジスト処理方法 | |
JP3066986B2 (ja) | ウエット処理装置及びウエット処理方法 | |
JP3348150B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JPS61121337A (ja) | ウエハの処理方法 | |
JPS61100937A (ja) | ウエハ−の処理方法 | |
JPH07335601A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH06252072A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH05315240A (ja) | 現像装置 | |
JP2003031544A (ja) | 基板を乾燥させるための方法及び装置 | |
JPH0444323A (ja) | 基板の水切り乾燥装置 | |
JP2003077882A (ja) | 洗浄乾燥装置 |