JP2003077882A - 洗浄乾燥装置 - Google Patents

洗浄乾燥装置

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JP2003077882A
JP2003077882A JP2001263754A JP2001263754A JP2003077882A JP 2003077882 A JP2003077882 A JP 2003077882A JP 2001263754 A JP2001263754 A JP 2001263754A JP 2001263754 A JP2001263754 A JP 2001263754A JP 2003077882 A JP2003077882 A JP 2003077882A
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water tank
cassette
substrate
drying apparatus
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JP2001263754A
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Naoya Hirano
直也 平野
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SPC Electronics Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 搬送中にウェハとの接触を最小限に抑えて汚
染率を低減するとともに装置全体を小型化する洗浄乾燥
装置を提供する。 【解決手段】 ウェハ1を保持する固定受台26を備え
た水槽20と、この水槽20内を昇降する昇降手段22
と、ウェハ1を複数収納して水槽20内に搬送されて昇
降手段22により水槽20内を昇降してウェハ1を固定
受台26に保持させるカセット10と、このカセット1
0を把持して水槽20内に搬送する搬送手段30とを備
え、ウェハ1を固定受台26に保持して水槽20内で洗
浄するとともに、カセット10に固定受台26よりも上
方に位置するウェハ1の保持部を備え、この保持部が洗
浄液の排出時に固定受台26より先に水面上に露出して
乾燥した後、固定受台26からウェハ1を引き上げるよ
うに設ける。また、カセットは、搬送手段が外枠内で開
閉して把持できる把持部を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄乾燥装置に係
り、より詳細には水槽内に洗浄液を貯留して基板を洗浄
した後、この水槽から洗浄液を排出して露出する基板に
水溶性有機溶剤の蒸気を含む不活性ガスを吹き付けて乾
燥させる洗浄乾燥装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体装置は、集積度が著しく増
大して半導体ウェハ加工の微細化が進んでおり、特に、
洗浄を終えた半導体ウェハ(以下、ウェハと称す)の表
面には極めて高いレベルの清浄度が求められている。こ
のためウェハの製造工程では、ウエット洗浄した後その
表面を十分に乾燥するため、洗浄液中に浸漬したウェハ
を引き上げながらIPA(イソプロピル・アルコール)
蒸気を含む不活性ガスを吹き付け、表面張力の勾配によ
りウェハが水に濡れないようにし、乾いたウェハ面を得
る乾燥方法が用いられている。図4は、このような不活
性ガスによる乾燥方法を用いた従来の洗浄乾燥装置の内
部構造を示す構成図である。また、図5は、図4に示し
たB−B線の断面で見た洗浄までの動作を示す図であ
り、図5(a)はウェハ1を可動受台43に設置した状
態を、図5(b)はウェハ1を固定受台46に設置した
状態を、図5(c)はウェハ1を洗浄している状態を各
々示している。また、図6は、図4に示した可動受台4
3によりウェハ1を洗浄液2内から上昇させた状態を示
す図である。また、図7は、図6に示したC部の詳細を
示す拡大図である。また、図8は、図4に示したB−B
線の断面で見た洗浄後の動作を示す図であり、図8
(a)は洗浄液2を所定の水位まで排出した状態を、図
8(b)は可動受台43がウェハ1を把持した状態を、
図8(c)は搬送手段50がウェハ1を把持して搬送す
る状態を各々示している。
【0003】図4に示すように、従来の洗浄乾燥装置
は、石英からなる水槽40と、この水槽40に複数のウ
ェハ1を搬送する搬送手段50と、水槽40内を上下に
昇降する昇降手段42と、この昇降手段42に支持され
てウェハ1を載置して水槽40内を昇降する可動受台4
3とを備えている。
【0004】ここで、水槽40は、外面に貫設した排出
口48と供給口49とを各々設け、洗浄液(例えば、純
水)の供給及び排出を可能にしている。また、水槽40
には、内側底面に平行して延在する一対の固定受台46
を設けている。また、昇降手段42は、水槽40の外側
から内部に延在して水槽40内を昇降する支持部材42
aを設け、この支持部材42aに水槽40の外側で係合
して昇降させるモータまたはエアシリンダなどの駆動源
(図示せず)を備えている。
【0005】また、可動受台43は、ウェハ1の配列方
向に平行して延在する一対の保持部材43aと、この保
持部材43aの両端を連結して支持部材42aに支持さ
れる連結板43bとにより形成されている。そして、こ
の可動受台43、昇降手段42、及び水槽40は、図示
されていなが、所定のシンク内に収納されて外部と閉鎖
された空間に配置されている。このシンク内には、上部
に開閉蓋(図示せず)を設けており、この開閉蓋を介し
て外部から搬送手段50によりウェハ1を搬送する。
【0006】このような構成からなる従来の洗浄乾燥装
置によりウェハ1の洗浄及び乾燥を行う場合、まず、図
4に示したように、所定の工程を終えた複数配列するウ
ェハ1を搬送手段50により把持してシンクの開閉蓋
(図示せず)を介して水槽40内に搬送する。これによ
りウェハ1は、図5(a)に示すように、水槽40内で
可動受台43上に移し替えられる。その後、水槽40で
は、搬送手段50を外部に移動させるとともに、可動受
台43を降下させて図5(b)に示すように、ウェハ1
を更に固定受台46上に移し替える。また、水槽40内
には、図5(b)に示した供給口49を介して洗浄液2
を供給し、図5(c)に示すようにウェハ1の洗浄を実
行する。そして、ウェハ1の洗浄が完了すると、水槽4
0内の洗浄液2を排出口48から排出するとともに、昇
降手段42(図4参照)により可動受台46を上昇さ
せ、洗浄液2中からウェハ1を引き上げて乾燥させる。
この際、水槽40内には、IPA蒸気を含む不活性ガス
を吹き付けるノズル(図示せず)を設けており、洗浄液
2中に浸漬したウェハ1を引き上げながら不活性ガスを
吹き付けて乾燥させる。
【0007】ところで、ウェハ1を洗浄液2から引き上
げる際、洗浄液2内で可動受台43がウェハ1を保持し
て図6に示すように洗浄液2の水面上に上昇する場合、
この水面と可動受台43の内側及びウェハ1の下端との
間には、図7に示すように略三角形の水膜Dが形成され
る。そして、この水膜Dは、可動受台43の上昇ととも
に一定の大きさになり、所定の大きさを越えると破れて
乾燥したウェハ1の下端部に微小水滴として付着して汚
染の原因になってしまう。また、可動受台43の保持部
材43aは、図7に示したように、ウェハ1との間に水
滴Eが残留し、洗浄及び乾燥処理後にウェハ1を取り出
す際にウェハ1の端部に微小水滴として付着して汚染原
因となる。
【0008】そこで、従来の洗浄乾燥装置では、まず、
水槽40内に不活性ガスを吹き付けた状態で排出口48
から洗浄液2を排出し、図8(a)に示すように、水面
上に可動受台43の保持部材43a先端とウェハ1とが
露出した状態にする。これと同時に、排出口48では、
洗浄液2の排出量を調節して固定受台46の露出が遅れ
るようにし、保持部材43a先端を乾燥させる。そし
て、保持部材43aの先端を乾燥した後、図8(b)に
示すように、可動受台43を上昇させてウェハ1を固定
受台46から離すように引き上げる。このようにウェハ
1は、乾燥させた保持部材43aの先端に保持して引き
上げることにより、図7に示した水膜D及び水滴Eによ
る微小水滴の付着汚染を確実に防止することができる。
そして、ウェハ1は、図8(b)に示したように洗浄及
び乾燥を終えて水槽40の上方に上昇されると、図8
(c)に示すように、搬送手段50に把持されて次の工
程に搬送される。このような従来技術としては、例え
ば、特許第2962705号などに開示されている。
【0009】このように従来の洗浄乾燥装置は、ウェハ
1の洗浄後に可動受台43の先端を洗浄液2内から露出
させて乾燥させた後にウェハ1を保持して引き上げるこ
とで、ウェハ1の引き上げ時に発生する水膜D及び水滴
E(図7参照)による微小水滴の付着汚染を確実に防止
していた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
洗浄乾燥装置では、図4に示したように、ウェハ1を水
槽40内の可動受台43に搬送する場合、外部に待機し
た搬送手段50により直接把持して搬送しており、例え
ば、図8(c)に示した洗浄後のウェハ1も同じ搬送手
段50により直接把持して次の工程に搬送するため、ウ
ェハ1と搬送手段50との接触回数が多く、搬送手段5
0が汚染することでウェハ1の汚染率が高くなるという
不具合があった。
【0011】また、従来の洗浄乾燥装置では、前述した
ように搬送手段50が水槽40内の可動受台43にウェ
ハ1を搬送する構造であり、この可動受台43にウェハ
1を移し替える際、図5(a)に示したように、水槽4
0内に搬送手段50が開閉するスペ−スを確保する必要
があるため、装置全体が大型化してしまい、小型化する
ことが困難になるという不具合があった。本発明はこの
ような課題を解決し、搬送中にウェハとの接触を最小限
に抑えて汚染率を低減するとともに装置全体を小型化す
る洗浄乾燥装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、水槽内に洗浄液を貯留して基板を洗浄し
た後、この水槽から洗浄液を排出して露出する基板に水
溶性有機溶剤の蒸気を含む不活性ガスを吹き付けて乾燥
させる洗浄乾燥装置にであって、基板を収納して保持す
る固定受台を備えた水槽と、この水槽内を上下に昇降す
る昇降手段と、基板を複数収納して水槽内に搬送されて
昇降手段により水槽内を昇降して基板を固定受台に保持
させるカセットと、このカセットを把持して水槽内に搬
送する搬送手段とを備え、昇降手段によりカセットを降
下させて固定受台に基板を保持させた状態で水槽内に洗
浄液を供給して洗浄するとともに、基板を固定受台に保
持させて降下したカセットに基板と接触することなく固
定受台よりも上方に位置する基板の保持部を備え、この
カセットの保持部が洗浄液の排出時に固定受台より先に
水面上に露出して乾燥した後、昇降手段の上昇により基
板を保持して水面下の固定受台から引き上げるように設
ける。
【0013】ここで、カセットは、基板を複数収納した
枠内で搬送手段が開閉して把持できる把持部を設けるこ
とが好ましい。また、把持部は、カセットの両側面に形
成した切り欠き部内に設けられ、この切り欠き部内で搬
送手段が開閉して把持するように設けることが好まし
い。また、昇降手段は、水槽の外側から内部に延在して
カセットを設置して水槽内を昇降する支持部材と、この
支持部材に水槽の外側で係合して昇降させる駆動源とか
らなることが好ましい。また、駆動源は、支持部材に係
合して昇降させるモータまたはエアシリンダのいずれか
であることが好ましい。また、水槽には、洗浄液の排出
時にカセットの保持部が水面から露出する水位を感知す
る水位センサを設け、この水位センサの感知信号に応じ
て昇降手段の昇降を制御するように設けることが好まし
い。また、水槽の他の実施例として、洗浄液の排出時に
カセットの保持部が水面から露出する時間をカウントす
るタイマを設け、このタイマの時間信号に応じて昇降手
段の昇降を制御するように設けることが好ましい。ま
た、水槽及び昇降手段は、開閉蓋を有した密閉されたシ
ンク内に収納されて基板の洗浄及び乾燥を行うことが好
ましい。また、水槽は、基板を洗浄及び乾燥する前にフ
ッ酸(HF)処理を実行可能に設けることが好ましい。
また、基板は半導体ウェハであり、洗浄液は純水である
ことが好ましい。
【0014】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
による洗浄乾燥装置の実施の形態を詳細に説明する。図
1は、本発明による洗浄乾燥装置の実施の形態の内部構
造を示す構成図である。また、図2は、図1に示したA
−A線の断面で見た洗浄までの動作を示す図であり、図
2(a)はカセット10を昇降手段30に設置した状態
を、図2(b)はカセット10を降下させた状態を、図
2(c)はウェハ1を洗浄している状態を各々示してい
る。また、図3は、図1に示したA−A線の断面で見た
洗浄後の動作を示す図であり、図3(a)は洗浄液2を
所定の水位まで排出した状態を、図3(b)はカセット
10がウェハ1を把持した状態を、図3(c)は搬送手
段30がカセット10を把持して搬送する状態を各々示
している。
【0015】図1に示すように、本発明による洗浄乾燥
装置の実施の形態は、図4に示した従来技術と同様に、
石英からなる水槽20と、この水槽20に複数のウェハ
1を搬送する搬送手段30と、水槽20内を上下に昇降
する昇降手段22とを備えている。また、本実施の形態
は、図4に示した従来技術とは異なり、昇降手段22に
可動受台を設けるのではなく、昇降手段22に着脱可能
なカセット10を設け、このカセット10に複数のウェ
ハ1を収納した状態で搬送手段30により水槽20内に
搬送する構造を備えている。従って、搬送手段30は、
複数のウェハ1を直接把持するのではなくカセット10
を介して保持するように形成している。
【0016】ここで、水槽20は、外面に貫設した排出
口28と供給口29とを各々設け、洗浄液(例えば、純
水)の供給及び排出を可能にしている。また、水槽20
には、内側底面に平行して延在して搬送されたウェハ1
を載置する一対の固定受台26を設けている。この水槽
20には、従来技術とは異なり、外側から内部に延在し
て昇降する複数(図1では4つ)の支持部材22aを備
えた昇降手段22を設けてカセット10を支持するよう
に形成している。この昇降手段22は、従来技術と同様
に、水槽20の外側で支持部材22aに係合して昇降さ
せるモータまたはエアシリンダなどの駆動源(図示せ
ず)を備えている。また、水槽20には、従来技術とは
異なり、供給口29から供給する洗浄液の水位を表示す
る水位計24を設けている。この水位計24には、水槽
20内の所定の水位を感知する水位センサ24aが設け
てあり、この水位センサ24aの感知信号に応じて昇降
手段22の昇降を制御するように設けている。
【0017】そして、昇降手段22及び水槽20は、図
示されていなが、所定のシンク内に収納されて外部と閉
鎖された空間に配置されている。このシンクは、上部に
開閉蓋(図示せず)を設けており、この開閉蓋を介して
外部から搬送手段30によりカセット10を搬送する構
造を備えている。また、シンク内には、IPA蒸気を含
む不活性ガスを吹き付けるノズル(図示せず)を設けて
あり、洗浄液中に浸漬したウェハ1を引き上げる際に不
活性ガスを吹き付けて乾燥させる役割をする。また、カ
セット10は、周壁を備えて上部及び底部が開口し、こ
の周壁内の両側面に複数配列したウェハ1の下側両端を
保持する保持部14(図2(b)参照)を備えている。
このカセット10は、ウェハ1を収納した前後両端に切
り欠き部11を設け、この切り欠き部11内に搬送手段
30が開閉して把持する把持部12を一体に形成してい
る。
【0018】このような構成からなる本発明による洗浄
乾燥装置の実施の形態によりウェハ1の洗浄及び乾燥を
行う場合、まず、図1に示したように、所定の工程を終
えたウェハ1を複数配列させて収納したカセット10を
搬送手段30により把持してシンクの開閉蓋(図示せ
ず)を介して水槽20内に搬送する。そして、カセット
10は、図2(a)に示すように、水槽20内に搬送し
て昇降手段22に載置して支持させる。ここで、搬送手
段30は、図2(a)に示したように、カセット10の
把持部12を把持または離す場合、カセット10の切り
欠き部11内で少し開閉することで行えるため、図5
(a)に示した従来技術のように搬送手段がウェハの外
周を把持する開閉スペ−スを水槽内に確保する必要がな
く、水槽の幅をカセットの側面近傍まで狭く形成でき、
装置全体を小型化することが可能になる。また、水槽2
0では、搬送手段30を外部に移動させるとともに、図
2(b)に示すように、昇降手段22を降下させてカセ
ット10の保持部14に支持したウェハ1を固定受台2
6に移し替える。この際、カセット10は、図2(b)
に示したように、保持部14がウェハ1に当接しないよ
うに所定の間隔で離れた位置まで昇降手段22により降
下させる。また、カセット10の保持部14は、昇降手
段22により降下させた場合、固定受台26よりも上方
に位置するように配置する。そして、水槽20内では、
図2(c)に示すように、水位計24を確認しながら供
給口29を介して洗浄液2が満水になるまで供給するこ
とでウェハ1の洗浄を実行する。
【0019】一方、ウェハ1の洗浄が完了すると、ま
ず、水槽20内に不活性ガスを吹き付けた状態で排出口
28から洗浄液2を排出し、図3(a)に示すように、
水面上にカセット10の保持部14とウェハ1とを露出
させる。このように水槽20内では、ウェハ1を洗浄し
た後、貯留した洗浄液2を排出することで水位が下が
り、ウェハ1とカセット10の保持部14とを水面上に
露出させ、このウェハ1と保持部14とを不活性ガスの
蒸気中に曝すことで乾燥させる。また、水槽20内で
は、図3(a)に示したように、洗浄液2の水位が下が
りウェハ1と保持部14とが露出する所定の水位に達し
た場合、この水位を水位計24の水位センサ24aが感
知する。そして、水槽20内では、水位センサ24aが
感知した感知信号に応じて昇降手段22が制御されて、
図3(b)に示すように上昇を開始する。これによりウ
ェハ1は、カセット10の保持部14に支持されて上昇
し、固定受台26から離されて引き上げられる。従っ
て、ウェハ1は、乾燥させたカセット10の保持部14
に保持されて引き上げられるため、図7に示した従来技
術のように、水膜D及び水滴E(図7参照)による微小
水滴の付着汚染を確実に防止できる。そして、カセット
10は、図3(b)に示した水槽20の上方に上昇する
ことで、図3(c)に示すように、搬送手段30に把持
されて次の工程に搬送される。このようにウェハ1は、
カセット10に収納した状態で、搬送手段30がカセッ
ト10の把持部12を把持して搬送するため、搬送手段
30による汚染を確実に防止するこができる。
【0020】以上、本発明による洗浄乾燥装置の実施の
形態を詳細に説明したが、本発明は前述した実施の形態
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で変更可能である。例えば、水槽内でウェハの洗浄及び
乾燥を行う実施の形態を説明したが、これに限定される
ものではなく、水槽内でウェハを洗浄及び乾燥する前に
フッ酸(HF)処理を実行することも可能である。ま
た、洗浄液の排出時にカセットの保持部が水面から露出
する水位を水位センサにより感知する実施の形態を説明
したが、これに限定されるものではなく、例えば、保持
部が水面から露出するまでの時間をカウントするタイマ
を設け、このタイマの時間信号に応じて昇降手段の昇降
を制御するように設けもよい。
【0021】
【発明の効果】このように本発明による洗浄乾燥装置に
よれば、搬送手段が基板(半導体ウェハ)を複数収納し
たカセットを把持して搬送するため、搬送手段と基板と
の接触が少なくなり、搬送手段による汚染を削減して品
質の良い基板を製造することが可能になる。また、本発
明による洗浄乾燥装置によれば、搬送手段がカセットの
把持部を把持または離す場合、カセットの外枠内で少し
開閉することで実行できるため、水槽内にウェハを把持
する搬送手段の開閉スペ−スを確保する必要がなく、水
槽の幅をカセットの側面近傍まで狭く形成でき、装置全
体を小型化することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による洗浄乾燥装置の実施の形態の内部
構造を示す構成図。
【図2】図1に示したA−A線の断面で見た洗浄までの
動作を示す図。
【図3】図1に示したA−A線の断面で見た洗浄後の動
作を示す図。
【図4】従来の洗浄乾燥装置の内部構造を示す構成図。
【図5】図4に示したB−B線の断面で見た洗浄までの
動作を示す図。
【図6】図4に示した可動受台によりウェハを洗浄液内
から上昇させた状態を示す図。
【図7】図6に示したC部の詳細を示す拡大図。
【図8】図4に示したB−B線の断面で見た洗浄後の動
作を示す図。
【符号の説明】
1 ウェハ 2 洗浄液 10 カセット 12 把持部 14 保持部 20 水槽 22 昇降手段 22a 支持部材 24 水位計 24a 水位センサ 26 固定受台 28 排出口 29 供給口

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 水槽内に洗浄液を貯留して基板を洗浄し
    た後、前記水槽から洗浄液を排出して露出する前記基板
    に水溶性有機溶剤の蒸気を含む不活性ガスを吹き付けて
    乾燥させる洗浄乾燥装置において、 前記基板を収納して保持する固定受台を備えた水槽と、 前記水槽内を上下に昇降する昇降手段と、 前記基板を複数収納して前記水槽内に搬送されて前記昇
    降手段により前記水槽内を昇降して前記基板を前記固定
    受台に保持させるカセットと、 前記カセットを把持して前記水槽内に搬送する搬送手段
    とを備え、 前記昇降手段により前記カセットを降下させて前記固定
    受台に前記基板を保持させた状態で前記水槽内に洗浄液
    を供給して洗浄するとともに、前記基板を前記固定受台
    に保持させて降下した前記カセットに前記基板と接触す
    ることなく前記固定受台よりも上方に位置する前記基板
    の保持部を備え、このカセットの保持部が前記洗浄液の
    排出時に前記固定受台より先に水面上に露出して乾燥し
    た後、前記昇降手段の上昇により前記基板を保持して水
    面下の前記固定受台から引き上げるように設けたことを
    特徴とする洗浄乾燥装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の洗浄乾燥装置におい
    て、 前記カセットは、前記基板を複数収納した枠内で前記搬
    送手段が開閉して把持できる把持部を設けたことを特徴
    とする洗浄乾燥装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の洗浄乾燥装置におい
    て、 前記把持部は、前記カセットの両側面に形成した切り欠
    き部内に設けられ、この切り欠き部内で前記搬送手段が
    開閉して把持するように設けたことを特徴とする洗浄乾
    燥装置。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の洗浄乾燥装置におい
    て、 前記昇降手段は、前記水槽の外側から内部に延在して前
    記カセットを設置して前記水槽内を昇降する支持部材
    と、この支持部材に前記水槽の外側で係合して昇降させ
    る駆動源とからなることを特徴とする洗浄乾燥装置。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の洗浄乾燥装置におい
    て、 前記駆動源は、前記支持部材に係合して昇降させるモー
    タまたはエアシリンダのいずれかであることを特徴とす
    る洗浄乾燥装置。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の洗浄乾燥装置におい
    て、 前記水槽には、前記洗浄液の排出時に前記カセットの保
    持部が水面から露出する水位を感知する水位センサを設
    け、この水位センサの感知信号に応じて前記昇降手段の
    昇降を制御するように設けたことを特徴とする洗浄乾燥
    装置。
  7. 【請求項7】 請求項1に記載の洗浄乾燥装置におい
    て、 前記水槽には、前記洗浄液の排出時に前記カセットの保
    持部が水面から露出する時間をカウントするタイマを設
    け、このタイマの時間信号に応じて前記昇降手段の昇降
    を制御するように設けたことを特徴とする洗浄乾燥装
    置。
  8. 【請求項8】 請求項1に記載の洗浄乾燥装置におい
    て、 前記水槽及び昇降手段は、開閉蓋を有した密閉されたシ
    ンク内に収納されて前記基板の洗浄及び乾燥を行うこと
    を特徴とする洗浄乾燥装置。
  9. 【請求項9】 請求項1に記載の洗浄乾燥装置におい
    て、 前記水槽は、前記基板を洗浄及び乾燥する前にフッ酸
    (HF)処理を実行可能に設けたことを特徴とする洗浄
    乾燥装置。
  10. 【請求項10】 請求項1に記載の洗浄乾燥装置におい
    て、 前記基板は半導体ウェハであり、前記洗浄液は純水であ
    ることを特徴とする洗浄乾燥装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108372963A (zh) * 2018-02-26 2018-08-07 上海提牛机电设备有限公司 一种硅片与片盒脱离机构
CN108899293A (zh) * 2018-07-06 2018-11-27 天长市百盛半导体科技有限公司 一种防清洁死角的太阳能电池晶体硅清洗装置
CN111095512A (zh) * 2017-09-08 2020-05-01 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 清洗半导体硅片的方法及装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111095512A (zh) * 2017-09-08 2020-05-01 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 清洗半导体硅片的方法及装置
KR20200047597A (ko) * 2017-09-08 2020-05-07 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 반도체 웨이퍼를 세정하기 위한 방법 및 장치
JP2020533789A (ja) * 2017-09-08 2020-11-19 エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置
JP7055467B2 (ja) 2017-09-08 2022-04-18 エーシーエム リサーチ (シャンハイ) インコーポレーテッド 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置
US11335550B2 (en) 2017-09-08 2022-05-17 Acm Research (Shanghai) Inc. Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer
KR102414340B1 (ko) * 2017-09-08 2022-06-29 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 반도체 웨이퍼를 세정하기 위한 방법 및 장치
CN111095512B (zh) * 2017-09-08 2024-01-26 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 清洗半导体硅片的方法及装置
CN108372963A (zh) * 2018-02-26 2018-08-07 上海提牛机电设备有限公司 一种硅片与片盒脱离机构
CN108899293A (zh) * 2018-07-06 2018-11-27 天长市百盛半导体科技有限公司 一种防清洁死角的太阳能电池晶体硅清洗装置
CN108899293B (zh) * 2018-07-06 2023-11-17 天长市百盛半导体科技有限公司 一种防清洁死角的太阳能电池晶体硅清洗装置

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