JP2003197718A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置及び基板処理方法Info
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Abstract
処理装置及び基板処理方法を提供する。 【解決手段】 複数の保持部材70によって基板Wの周
縁を保持し,基板Wを回転させて処理する基板処理装置
において,前記複数の保持部材70を,基板W周縁を保
持する保持状態と基板W周縁の保持を解除した解除状態
とにさせる保持解除機構と,前記複数の保持部材70が
前記解除状態の際に基板Wを支持する支持機構を備え,
前記複数の保持部材70が前記解除状態の際に,前記複
数の保持部材70と前記基板W周縁が相対的に移動する
こととした。
Description
ハやLCD基板用ガラス等の基板を洗浄処理などする基
板処理装置及び基板処理方法に関する。
おいては,半導体ウェハ(以下,「ウェハ」という。)
に対して処理液を供給し,現像,塗布,洗浄等の処理を
行う処理システムが使用されている。かような処理シス
テムに備えられる枚葉式の基板処理装置は,ウェハを略
水平に保持し,ノズル等から供給する処理液によって所
定の処理を施すものである。また,この装置には,ウェ
ハを保持すると共に水平面内で回転させることができる
スピンチャックが備えられ,これによりウェハを回転保
持し,処理面上に供給された処理液を遠心力により処理
面全体に拡散させる。かかる場合,ウェハの周縁に対し
て保持部材を当接させるようにしている。例えば,ウェ
ハの周囲において中心角が120°となるよう,スピン
チャックに3つの保持部材を設け,それら3つの保持部
材をウェハの外周面に当接させて,ウェハを周縁から保
持するようにしていた。
基板処理装置においては,処理中に保持部材がウェハに
当接する位置を交替させないので,その当接箇所に処理
むらが発生する問題があった。例えばウェハの洗浄処理
においては,ウェハの周縁やベベル部(ウェハ表面の周
辺部)を効果的に洗浄できない問題があった。
を防止することができる基板処理装置及び基板処理方法
を提供することにある。
に,本発明によれば,複数の保持部材によって基板の周
縁を保持し,基板を回転させて処理する基板処理装置で
あって,前記複数の保持部材を,基板周縁を保持する保
持状態と基板周縁の保持を解除した解除状態とにさせる
保持解除機構と,前記複数の保持部材が前記解除状態の
際に基板を支持する支持機構を備え,前記複数の保持部
材が前記解除状態の際に,前記複数の保持部材と前記基
板周縁が相対的に移動することを特徴とする基板処理装
置が提供される。かかる基板処理装置にあっては,例え
ば,複数の保持部材は,移動前と移動後の保持状態にお
いて,基板周縁の異なる箇所を保持する。従って,複数
の保持部材が基板の周縁に対して移動する前の処理にお
いては,移動後の保持部材が当接する箇所へ処理液を供
給することができる。複数の保持部材が基板に対して移
動した後の処理においては,移動前に保持部材が当接し
ていた箇所へ処理液を供給することができる。従って,
基板の処理むらを防止することができる。
を制御する制御部を備え,前記制御部の制御により,前
記保持解除機構によって前記複数の保持部材を前記保持
状態から解除状態にさせ,その後再び前記複数の保持部
材を保持状態にする前に,前記複数の保持部材と前記基
板周縁を相対的に移動させることが好ましい。この場
合,複数の保持部材は,移動前と移動後の保持状態にお
いて,基板周縁の異なる箇所を保持する。
体を供給し,前記液体の表面張力を利用して基板を支持
することが好ましい。さらに,前記液体は純水であって
も良い。この場合,基板に固体を接触させずに支持する
ことができる。従って,パーティクルの発生を防止する
ことができる。
支持する少なくとも3個の支持部材を備えることとして
も良い。この場合,基板を確実に支持することができ
る。
り保持された基板下面に相対的に近接自在に構成された
アンダープレートを備えることとしても良い。この場
合,例えば,基板の下面全体に均一に接触する処理液の
液膜を形成して処理し,処理液の消費量を節約すること
ができる。
ダーを備えることが好ましい。また,この基板処理装置
にあっては,前記複数の保持部材を回転プレートに取り
つけると共に,これら複数の保持部材を基板の周縁を保
持するように付勢する弾性部材を設け,前記解除機構
は,前記弾性部材が付勢する力に抗する力を与え,前記
保持部材を基板から離隔させるようにしても良い。
よって基板の周縁を保持し,基板を回転させて処理し,
次いで,基板の下面を支持して前記基板周縁の保持を解
除し,前記基板周縁に対して複数の保持部材を相対的に
移動させた後,前記複数の保持部材の移動前に保持した
箇所と異なる箇所において前記複数の保持部材によって
基板周縁を保持し,再び基板を回転させて処理すること
を特徴とする,基板処理方法が提供される。
板を下降させて待機状態とし,前記基板周縁に対して前
記複数の保持部材を相対的に移動させることが好まし
い。
当接部を互いに開いて基板周縁の保持を解除し,前記下
面を支持した基板を下降させて待機状態とし,前記当接
部を互いに閉じ,次いで,前記複数の保持部材を前記待
機中の基板の周縁に対して相対的に移動させ,前記当接
部を互いに開き,前記下面を支持した基板を上昇させ,
前記当接部を互いに閉じ,基板の周縁を前記移動前に保
持した箇所と異なる箇所において保持するようにしても
良い。
の下面に対してアンダープレートを相対的に近接させ,
前記基板下面と前記アンダープレートとの間に液体を供
給し,前記液体の表面張力を利用して基板を支持するこ
とが好ましい。
態を,基板の一例としてウェハの周辺部と裏面を洗浄処
理するように構成された基板処理装置としての基板処理
ユニットに基づいて説明する。ここでいう洗浄処理と
は,基板に積層された膜の除去洗浄を含む。図1は,本
実施の形態にかかる基板処理ユニット12,13を組み
込んだ洗浄処理システム1の平面図である。図2は,そ
の側面図である。この洗浄処理システム1は,ウェハW
に洗浄処理及び洗浄処理後の熱的処理を施す洗浄処理部
2と,洗浄処理部2に対してウェハWを搬入出する搬入
出部3から構成されている。
ェハWが所定の間隔で略水平に収容可能な容器(キャリ
アC)を載置するための載置台6が設けられたイン・ア
ウトポート4と,載置台6に載置されたキャリアCと洗
浄処理部2との間でウェハの受け渡しを行うウェハ搬送
装置7が備えられたウェハ搬送部5と,から構成されて
いる。
入出され,キャリアCの側面には開閉可能な蓋体が設け
られている。また,キャリアCには,ウェハWを所定間
隔で保持するための棚板が内壁に設けられており,ウェ
ハWを収容する25個のスロットが形成されている。ウ
ェハWは表面(半導体デバイスを形成する面)が上面
(ウェハWを水平に保持した場合に上側となっている
面)となっている状態で各スロットに1枚ずつ収容され
る。
例えば,3個のキャリアCを水平面のY方向に並べて所
定位置に載置することができるようになっている。キャ
リアCは蓋体が設けられた側面をイン・アウトポート4
とウェハ搬送部5との境界壁8側に向けて載置される。
境界壁8においてキャリアCの載置場所に対応する位置
には窓部9が形成されており,窓部9のウェハ搬送部5
側には,窓部9をシャッター等により開閉する窓部開閉
機構10が設けられている。
けられた蓋体もまた開閉可能であり,窓部9の開閉と同
時にキャリアCの蓋体も開閉する。窓部開閉機構10
は,キャリアCが載置台の所定位置に載置されていない
ときは動作しないように,インターロックを設けること
が好ましい。窓部9を開口してキャリアCのウェハ搬入
出口とウェハ搬送部5とを連通させると,ウェハ搬送部
5に配設されたウエハ搬送装置7のキャリアCへのアク
セスが可能となり,ウェハWの搬送を行うことが可能な
状態となる。窓部9の上部には図示しないウェハ検出装
置が設けられており,キャリアC内に収容されたウェハ
Wの枚数と状態をスロット毎に検出することができるよ
うになっている。このようなウェハ検出装置は,窓部開
閉機構10に装着させることも可能である。
置7は,Y方向とZ方向に移動可能であり,かつ,X―
Y平面内(θ方向)で回転自在に構成されている。ま
た,ウェハ搬送装置7は,ウェハWを把持する取出収納
アーム11を有し,この取出収納アーム11はX方向に
スライド自在となっている。こうして,ウェハ搬送装置
7は,載置台6に載置された全てのキャリアCの任意の
高さのスロットにアクセスし,また,洗浄処理部2に配
設された上下2台のウェハ受け渡しユニット16,17
にアクセスして,イン・アウトポート4側から洗浄処理
部2側へ,逆に洗浄処理部2側からイン・アウトポート
4側へウェハWを搬送することができるようになってい
る。
と,2台のウェハ受け渡しユニット16,17と,本実
施の形態にかかる2台の基板処理ユニット12,13
と,基板洗浄ユニット14,15と,処理後のウェハW
を加熱処理する3台の加熱ユニット及び加熱されたウェ
ハWを冷却する冷却ユニットからなる加熱・冷却部19
を備えている。主ウェハ搬送装置18は,ウェハ受け渡
しユニット16,17,基板処理ユニット12,13,
基板洗浄ユニット14,15,加熱・冷却部19の全て
のユニットにアクセス可能に配設されている。ウェハ受
け渡しユニット16,17は,ウェハ搬送部5との間で
ウェハWの受け渡しを行うためにウェハWを一時的に載
置する。
1全体を稼働させるための電源である電装ユニット23
と,洗浄処理システム1内に配設された各種装置及び洗
浄処理システム1全体の動作制御を行う機械制御ユニッ
ト24と,基板処理ユニット12,13及び基板洗浄ユ
ニット14,15に送液する所定の処理液を貯蔵する薬
液貯蔵ユニット25とが配設されている。電装ユニット
23は図示しない主電源と接続される。洗浄処理部2の
天井部には,各ユニット及び主ウェハ搬送装置18に,
清浄な空気をダウンフローするためのファンフィルター
ユニット(FFU)26が配設されている。
と機械制御ユニット24を洗浄処理部2の外側に設置す
ることによって,又は外部に引き出すことによって,こ
の面(Y方向)からウェハ受け渡しユニット16,1
7,主ウェハ搬送装置18,加熱・冷却部19のメンテ
ナンスを容易に行うことが可能である。
態にかかる基板処理ユニット12内に配設された各種機
構の動作制御を行う制御部24aが設置されている。制
御部24aは基板処理ユニット12内に配設された各種
機構と配線接続されており,これらに制御信号を送信
し,基板処理ユニット12全体の動作制御を行うことが
できる。また,機械制御ユニット24内には,各基板処
理ユニット13又は基板洗浄ユニット14,15内に配
設された各種機構の動作制御を行う図示しない制御部が
設置され,それぞれ基板処理ユニット13又は基板洗浄
ユニット14,15全体の動作制御を行う。
ずれもウェハ搬送部5との間でウェハWの受け渡しを行
うためにウェハWを一時的に載置するものであり,これ
らウェハ受け渡しユニット16,17は上下2段に積み
重ねられて配置されている。例えば,下段のウェハ受け
渡しユニット17は,イン・アウトポート4側から洗浄
処理部2側へ搬送するウェハWを載置するために用い,
上段のウェハ受け渡しユニット16は,洗浄処理部2側
からイン・アウトポート4側へ搬送するウェハWを載置
するために用いることができる。
からのダウンフローの一部は,ウェハ受け渡しユニット
16,17と,その上部の空間を通ってウェハ搬送部5
に向けて流出する構造となっている。これにより,ウェ
ハ搬送部5から洗浄処理部2へのパーティクル等の侵入
が防止され,洗浄処理部2の清浄度が保持されるように
なっている。
タの回転駆動力によって回転可能な筒状支持体30と,
筒状支持体30の内側に沿ってZ方向に昇降自在に設け
られたウェハ搬送体31とを有している。ウェハ搬送体
31は,筒状支持体30の回転に伴って一体的に回転さ
れるようになっており,それぞれ独立して進退移動する
ことが可能な多段に配置された3本の搬送アーム34,
35,36を備えている。
に配設されている。また,基板処理ユニット12,13
は,ウェハW裏面の洗浄と,ウェハW表面の周辺部の除
去処理と洗浄(Back−Bevel洗浄処理)をする
ことができ,同様の構成を有する。そこで,本実施の形
態にかかる基板処理ユニット12を例として,その構造
について以下に詳細に説明することとする。
ある。基板処理ユニット12のユニットチャンバー42
内には,ウェハWを収納する密閉構造のアウターチャン
バー43と,エッジアーム格納部44を備えている。ユ
ニットチャンバー42には開口45が形成され,開口4
5を図示しない開閉機構によって開閉するユニットチャ
ンバー用メカシャッター46が設けられており,例えば
搬送アーム34によって基板処理ユニット12に対して
開口45からウェハWが搬入出される際には,このユニ
ットチャンバー用メカシャッター46が開くようになっ
ている。ユニットチャンバー用メカシャッター46はユ
ニットチャンバー42の内部から開口45を開閉するよ
うになっており,ユニットチャンバー42内が陽圧にな
ったような場合でも,ユニットチャンバー42内部の雰
囲気が外部に漏れ出ない。
成され,開口47を図示しないシリンダ駆動機構によっ
て開閉するアウターチャンバー用メカシャッター48が
設けられており,例えば搬送アーム34によってアウタ
ーチャンバー43に対して開口47からウェハWが搬入
出される際には,このアウターチャンバー用メカシャッ
ター48が開くようになっている。アウターチャンバー
用メカシャッター48は,ユニットチャンバー用メカシ
ャッター46と共通の開閉機構によって開閉するように
しても良い。アウターチャンバー用メカシャッター48
はアウターチャンバー43の内部から開口47を開閉す
るようになっており,アウターチャンバー43内が陽圧
になったような場合でも,アウターチャンバー43内部
の雰囲気が外部に漏れ出ない。
9が形成され,開口49を図示しない駆動機構によって
開閉するエッジアーム格納部用シャッター50が設けら
れている。エッジアーム格納部44をアウターチャンバ
ー43と雰囲気隔離するときは,このエッジアーム格納
部用シャッター50を閉じる。エッジアーム格納部用シ
ャッター50はアウターチャンバー43の内部から開口
49を開閉するようになっており,ユニットチャンバー
42内が陽圧になったような場合でも,ユニットチャン
バー42内部の雰囲気が外部に漏れ出ない。
水,及びN2ガス等の処理流体を吐出可能なエッジアー
ム60が格納されている。エッジアーム60は,アウタ
ーチャンバー43内に収納されている後述のスピンチャ
ック71で保持されたウェハWの周辺部に移動可能であ
る。エッジアーム60は,処理時以外はエッジアーム格
納部44にて待避する。エッジアーム60が開口49か
らアウターチャンバー43内に移動するときは,エッジ
アーム格納部用シャッター50が開くようになってい
る。
に,ウェハW表面に積層された銅などの金属膜MCを除
去する薬液を供給する薬液供給ノズル61と,周辺部の
リンス処理を施す純水を供給する純水供給ノズル62
と,周辺部の乾燥処理を施すN2ガスを供給するN2ガ
ス供給ノズル63と,エッジアーム60からウェハWに
供給された処理液の飛散を防止する遮蔽板64と,エッ
ジアーム60から供給された薬液,純水,N2ガス等の
処理流体及び処理中に発生する雰囲気を吸引する吸引ノ
ズル65が備えられている。また,ウェハWの中心と周
辺部とを結ぶ線上に中心側から遮蔽板64,薬液供給ノ
ズル61,純水供給ノズル62,N2ガス供給ノズル6
3,吸引ノズル65の順に並べて配置されている。薬液
供給ノズル61,純水供給ノズル62及びN2ガス供給
ノズル63の先端はウェハWの外周方向に向かって傾斜
しているので,エッジアーム60から供給された処理流
体は,ウェハWの外側へスムーズに流れ出る。
薬液を供給する時,及び純水供給ノズル62から純水を
供給する時は,同時にN2ガス供給ノズル63からN2
ガスを供給する。また,薬液又は純水の供給を開始する
前に,N2ガス供給ノズル63からのN2ガスの供給を
開始する。この場合,N2ガスによって薬液又は純水を
ウェハWの外周方向へ押し流し,薬液又は純水がウェハ
Wの中心側に流れることを防止する。N2ガス供給ノズ
ル63の先端はウェハWの外周方向に向かっているの
で,N2ガスによって薬液又は純水をウェハWの外側に
効果的に押し流すことができる。
3内には,例えばウェハWの表面を上面にして周縁を保
持する3つの保持部材70と,3つの保持部材70を回
転移動させて3つの保持部材70に周縁を保持されたウ
ェハWを回転させるスピンチャック71と,3つの保持
部材70をウェハWの周縁を保持した状態とウェハWの
周縁の保持を解除した状態にさせる保持解除機構74が
配置されている。また,3つの保持部材70によりウェ
ハWが周縁を保持された場合にウェハWの下面(裏面)
が位置する高さに対して相対的に昇降移動するアンダー
プレート75が配置されている。さらに,3つの保持部
材70により周縁を保持された状態(周縁保持状態)の
ウェハWの周囲を囲むインナーカップ80と,3つの保
持部材70により周縁を保持されたウェハWの上面(表
面)に対して相対的に昇降移動するトッププレート82
を備えている。アウターチャンバー43内の底部には,
アウターチャンバー43内の液滴を排液する図示しない
アウターチャンバー排出管が接続されている。
0が取りつけられる回転プレート83と,この回転プレ
ート83の下部に接続された回転筒体84とを備える。
回転筒体84の外周面には,ベルト87が巻回されてお
り,ベルト87をモータ88によって周動させることに
より,スピンチャック71全体が回転し,保持部材70
が円周上を回転移動するようになっている。
囲において,中心角が120°となるように,3箇所に
保持部材70が配置されており,それら3つの保持部材
70により,ウェハWを周縁から保持できるようになっ
ている。また,回転プレート83の周囲において,中心
角が120°となるように,3箇所にウェハホルダー9
0が配置されており,それら3つのウェハホルダー90
により,ウェハWの周縁を囲み,ウェハWの横ずれを防
止するようになっている。
持部材70は,図6に示すように,回転プレート83に
対して略垂直方向に設けられた垂直腕91と回転プレー
ト83に対して略平行方向に設けられた平行な平行腕9
2を有するL字形状をしている。このようにL字形状に
構成された保持部材70を回転プレート83に対して略
垂直面内で揺動自在に取りつける保持部材軸97が設け
られている。また,垂直腕91は回転プレート83の上
方に突出し,平行腕92は回転プレート83の下方に設
けられ,垂直腕91と平行腕92の間で略直角をなす内
角部分に回転プレート83の周縁を挟むように配置され
ている。垂直腕91の上端部にはウェハWの周縁に当接
する当接部95が設けられている。平行腕92と回転プ
レート83との間には,ウェハWの周縁を保持するよう
に付勢する圧縮ばね96が設けられている。
に当接させ他端を平行腕92に当接させている。圧縮ば
ね96は,平行腕92に対して回転プレート83から離
隔させる向きの力を与え,この力を利用して,垂直腕9
1に設けた当接部95をウェハWの周縁に近接させ,3
つの保持部材70の当接部95を互いに閉じることがで
きる。
により上下に移動する保持部材開閉ピン100を備えて
いる。保持部材開閉ピン100は,回転プレート83の
下方に配置された平行腕92の下面に対して相対的に上
下移動することができる。保持部材開閉ピン100が上
昇すると,圧縮ばね96が平行腕92に与える力に抗す
る力を与え,3つの保持部材70の当接部95を互いに
開くことができる。一方,保持部材開閉ピン100が下
降すると,圧縮ばね96が平行腕92に与える力によ
り,3つの保持部材70の当接部95を互いに閉じるこ
とができる。このように,保持解除機構74の保持部材
開閉ピン100の上下移動により,3つの当接部95を
互いに開閉することができる。
材開閉ピン100を上昇させて3つの保持部材70の当
接部95を互いに開いた状態にしておき,当接部95に
周縁を囲まれる位置にウェハWを移動させ,その後,保
持部材開閉ピン100を下降させて3つの保持部材70
の当接部95を互いに閉じ,当接部95をウェハW周縁
に当接させる。また,ウェハWの周縁の保持を解除する
際には,図7に示すように保持部材開閉ピン100を上
昇させて3つの保持部材70の当接部95を互いに開
き,図8に示すように当接部95に周縁を囲まれる位置
からウェハWを退避させる。このように,保持部材開閉
ピン100の昇降により,3つの当接部95を互いに開
閉し,3つの保持部材70を,ウェハWを保持する状態
(保持状態)とウェハWの保持を解除した状態(解除状
態)にすることができる。
うに,第1の保持部材開閉ピン100aと第2の保持部
材開閉ピン100bをそれぞれ3つ備えている。保持部
材開閉ピン100aは,回転プレート83の下方におい
て,3つの保持部材70がなす角度と同じ大きさの中心
角,即ち中心角120°となるように,3箇所に配置さ
れている。同様に保持部材開閉ピン100bも,回転プ
レート83の下方において,3つの保持部材70がなす
角度と同じ大きさの中心角,即ち中心角120°となる
ように3箇所に配置されている。なお,隣り合う保持部
材開閉ピン100aと保持部材開閉ピン100bは,例
えば中心角が10°となるように配置されている。これ
ら6つの保持部材開閉ピン100は,保持解除機構74
の図示しない昇降機構により同時に上下移動するように
なっている。
保持部材70は保持部材開閉ピン100a,100bに
対して相対的に回転する。即ち,3つの保持部材70
は,3つの保持部材開閉ピン100aによって3つの当
接部95を互いに開閉する位置(第1の開閉位置)と,
3つの保持部材開閉ピン100bによって3つの当接部
95を互いに開閉する位置(第2の開閉位置)との間を
回転移動することができる。図9(a)に示すように,
3つの保持部材70をそれぞれ第1の開閉位置に移動さ
せたときは,3つの保持部材開閉ピン100aがそれぞ
れ平行腕92に当接するので,3つの保持部材開閉ピン
100aを同時に上下移動させることにより3つの当接
部95を互いに開閉し,ウェハWの周縁を保持又は保持
解除する。また,図9(b)に示すように,3つの保持
部材70をそれぞれ第2の開閉位置に移動させたとき
は,3つの保持部材開閉ピン100bがそれぞれ平行腕
92に当接するので,3つの保持部材開閉ピン100b
を同時に上下移動させることにより3つの当接部95を
互いに開閉し,ウェハWの周縁を保持又は保持解除す
る。
から回転プレート83へ貫挿するアンダープレートシャ
フト110上に接続されている。アンダープレートシャ
フト110は,水平板111の上面に固着されており,
この水平板111は,アンダープレートシャフト110
と一体的に,エアシリンダー等からなる昇降機構112
により鉛直方向に昇降させられる。また,アンダープレ
ート75は,3つの保持部材70に囲まれた位置に配置
されている。従って,アンダープレート75は,下降し
て3つの保持部材70の当接部95から離れる状態と,
上昇して3つの保持部材70の当接部95に近接する状
態とに上下に移動自在である。なお,アンダープレート
75を所定高さに固定する一方で,回転筒体84に図示
しない昇降機構を接続させて,スピンチャック71全体
を鉛直方向に昇降させることにより,アンダープレート
75を3つの保持部材70に対して相対的に上下に移動
自在にしても良い。
液や純水などの処理液や乾燥ガス(N2ガス)等の処理
流体を供給する下面供給路115が,アンダープレート
シャフト110内を貫通して設けられている。また,下
面供給路115は,ウェハW下面を支持するための純水
等の液体を供給する。アンダープレート75上面とウェ
ハW下面との間に液体層PLを形成すると,液体層PL
の表面張力を利用して,液体層PL上にウェハWを支持
することができる。即ち,図7に示すようにウェハWが
液体層PLの上に浮いた状態となり,ウェハWを下面の
みから支持することができる。この場合,ウェハWに固
体を接触させずに支持するので,パーティクルの発生を
防止することができる。本実施の形態にかかる基板処理
装置において,ウェハWの下面を支持する支持機構は,
アンダープレート75と,下面供給路115により構成
される。なお,液体層PLとする液体には,ウェハWの
洗浄処理に用いる洗浄薬液を使用することもできる。
ウェハホルダー90の内側に配置されているので,液体
層PLに支持されたウェハWは周縁を3つのウェハホル
ダー90に囲まれた状態となる。液体層PLの上に浮い
たウェハWがアンダープレート75の上面の所定位置か
ら横方向に移動すると,ウェハWの周縁の側面がウェハ
ホルダー90のいずれかに当接するので,ウェハWが横
方向に移動しても,3つのウェハホルダー90に囲まれ
た位置から外へ移動することはない。これにより,下面
を支持されたウェハWがアンダープレート75上から横
ずれを起こすことを防止できる。
入してウェハWをスピンチャック71に受け渡すとき,
及びウェハWをスピンチャック71から受け取りアウタ
ーチャンバー43内からウェハWを搬出するときは,ア
ンダープレート75を下降させて,3つの保持部材70
の当接部95から離れて待機する状態(待機状態)にす
る。この場合,アンダープレート75と3つの保持部材
70により保持されるウェハWの位置(高さ)との間に
は,十分な隙間が形成され,搬送アーム34,35,3
6は,余裕をもってスピンチャック71にウェハWを受
け渡し,又はスピンチャック71からウェハWを受け取
ることができる。
アンダープレート75を上昇させて,3つの保持部材7
0により保持されたウェハW下面に近接した位置(処理
位置)にある状態にし,ウェハW下面に対して下面供給
路115から処理流体を供給する。即ち,アンダープレ
ート75とウェハW下面の間の狭い隙間を形成し,隙間
に処理流体を供給する。下面供給路115から例えば洗
浄薬液を供給すると,狭い隙間において洗浄薬液がウェ
ハW下面の全体に押し広げられ,ウェハW下面全体に均
一に接触する洗浄薬液の液膜が形成される。このように
隙間に洗浄薬液を液盛りして液膜を形成すると,表面張
力により洗浄薬液の液膜の形状崩れを防ぐことができ
る。例えば洗浄薬液の液膜の形状が崩れてしまうと,ウ
ェハW下面において洗浄薬液の液膜に非接触の部分が発
生したり,又は液膜中に気泡が混合してしまい洗浄不良
を起こしてしまうが,狭い隙間で洗浄薬液を液盛りする
ことにより,洗浄薬液の液膜の形状を保って洗浄不良を
防止することができる。
レート75を上昇させて,ウェハW下面とアンダープレ
ート75上面との間に隙間を形成し,下面供給路115
から隙間に例えば純水等の液体を供給する。さらに,各
保持部材70が保持解除機構74により解除される位置
にある場合,ウェハWの周縁の保持を解除して,液体層
PLによって下面を支持した状態(下面支持状態)にす
ることができる。下面支持状態のウェハWは,アンダー
プレート75を上下に移動させることにより,3つの保
持部材70の当接部95に当接され周縁を保持される位
置(周縁保持位置)と,当接部95より下方で待機する
位置(待機位置)とに,上下に移動することができる。
アンダープレート75により下面を支持されたウェハW
は,アンダープレート75の昇降により上下に移動する
際も,常に3つのウェハホルダー90により周縁を囲ま
れているので,ウェハWの横ずれが防止される。液体層
PLを排除するときは,3つの保持部材70によって周
縁を保持した状態(周縁保持状態)のウェハWをスピン
チャック71によりアンダープレート75に対して相対
的に回転させ,遠心力によって液体層PLをウェハWの
外周方向へ排出する。
Wを待機位置へ待機させる状態(下面支持待機状態)に
したとき3つの当接部95を互いに閉じても,3つの保
持部材70とアンダープレート75及び下面支持待機状
態のウェハWとの間には十分な間隔が形成され,3つの
保持部材70と下面支持待機状態のウェハWが接触しな
いようになっている。従って,3つの保持部材70は,
スピンチャック71の回転により,下面支持待機状態の
ウェハWに接触せずにウェハWの周縁に対して相対的に
移動することができる。
(時計方向)に回転するときは,3つの保持部材70
が,保持部材開閉ピン100a,100bに対して相対
的に右回りに回転する。この場合は,制御部24aは,
3つの保持部材開閉ピン100bによって3つの保持部
材70を保持状態から解除状態にする制御を行う。即
ち,図9(a)に示すように,保持状態の3つの保持部
材70をそれぞれ第1の開閉位置(3つの保持部材開閉
ピン100aの上方)に静止させ,保持部材開閉ピン1
00aを上昇させることにより,当接部95を互いに開
いて,3つの保持部材70を解除状態にする。一方,ア
ンダープレート75とウェハW下面との間に液体層PL
を形成しておき,ウェハWを周縁保持状態から下面支持
状態にする制御を行う。そして,ウェハWを3つの保持
部材70の当接部95より下方へ待機させる状態(下面
支持待機状態)にする。その後,保持部材開閉ピン10
0aを下降させることにより当接部95を互いに閉じ
る。制御部24aの制御により,スピンチャック71を
上部から見て右回りに回転させると,3つの保持部材7
0が,待機中のウェハWの周縁に対して相対的に右回り
に移動するとともに,保持部材開閉ピン100a,10
0bに対して相対的に右回りに移動する。そして,制御
部24aの制御により,解除状態の3つの保持部材70
を,図9(b)に示すようにそれぞれ第2の開閉位置
(保持部材開閉ピン100bの上方)に静止させ,保持
部材開閉ピン100bを上昇させることにより,当接部
95を互いに開いた状態にしておく。そして,アンダー
プレート75を上昇させてウェハWを待機位置から周縁
保持位置へ移動させ,周縁を当接部95に囲まれた状態
にする。その後,保持部材開閉ピン100bを下降させ
ることにより当接部95を互いに閉じ,ウェハWの周縁
に当接部95を当接させる。こうして,再び3つの保持
部材70を保持状態とし,ウェハWを3つの保持部材7
0により保持される周縁保持状態とすることができる。
待機中のウェハWの周縁に対して移動した後の当接部9
5は,移動する前に当接した箇所よりも右回りに移動し
た箇所に当接する。
左回り(反時計方向)に回転するときは,3つの保持部
材70が,保持部材開閉ピン100a,100bに対し
て相対的に左回りに回転する。この場合は,制御部24
aは,保持状態の3つの保持部材70をそれぞれ第2の
開閉位置に静止させ,3つの保持部材開閉ピン100b
によって3つの保持部材70を保持状態から解除状態に
する。また,ウェハW下面に液体層PLを形成すること
により,ウェハWを周縁保持状態から下面支持状態と
し,保持部材70を下面支持待機状態のウェハW周縁に
対して左回りに回転移動させる。そして,解除状態の3
つの保持部材70をそれぞれ第1の開閉位置に静止さ
せ,保持部材開閉ピン100aによって3つの保持部材
70を解除状態から保持状態にする。待機中のウェハW
の周縁に対して移動した後の当接部95は,移動する前
に当接した箇所よりも左回りに移動した箇所に当接す
る。
転,保持解除機構74の保持部材開閉ピン100a,1
00bの昇降,アンダープレート75の昇降,下面供給
路115の液体供給を制御する制御部24aは,保持解
除機構74の保持部材開閉ピン100aを上昇させるこ
とによって,3つの保持部材70を保持状態から解除状
態にさせ,その後,保持解除機構74の保持部材開閉ピ
ン100bを下降させることによって再び3つの保持部
材70を保持状態にする前に,スピンチャック71の回
転によって3つの保持部材70とウェハW周縁を相対的
に移動させる。そして,3つの保持部材70はウェハW
の周縁を異なる箇所において保持することができる。3
つの保持部材70をウェハWの周縁に対して移動させる
前においては,移動後の保持部材70が当接する箇所へ
処理液を供給することができる。3つの保持部材70を
ウェハWの周縁に対して移動させた後においては,移動
前の保持部材70が当接した箇所へ処理液を供給するこ
とができる。従って,3つの保持部材70が移動前に当
接する箇所も移動後に当接する箇所も,ウェハWの周縁
を全て処理し,ウェハWの処理むらを防止することがで
きる。
ャック71をインナーカップ80の上端よりも上方に突
出させてウェハWを授受させる状態と,スピンチャック
71及びウェハWを包囲し,ウェハW両面に供給した洗
浄薬液や処理流体等が周囲に飛び散ることを防止する状
態とに上下に移動自在である。インナーカップ80を下
降させてスピンチャック71を対してウェハWを授受さ
せる場合,アンダープレート75を待機位置に位置さ
せ,トッププレート82を退避位置に位置させる。そう
すれば,アンダープレート75とトッププレート82と
の間には,スピンチャック71に対するウェハWの授受
に十分な隙間が形成される。インナーカップ80の底部
には,インナーカップ80内の液滴を排液する図示しな
いインナーカップ排出管が接続されている。
転軸120の下端に接続されており,水平板121に設
置された回転軸モータ122によって回転する。トップ
プレート回転軸120は,水平板121の下面に回転自
在に保持され,この水平板121は,アウターチャンバ
ー43上部に固着されたエアシリンダー等からなる回転
軸昇降機構123により鉛直方向に昇降する。従って,
トッププレート82は,回転軸昇降機構123の稼動に
より,スピンチャック71により保持されたウェハW上
面から離れた位置(退避位置)と近接した位置(処理位
置)とに上下に移動自在である。また,図3に示すよう
に,トッププレート82の直径はウェハWの直径より小
さく,エッジアーム60がウェハWの周辺部を処理でき
るようになっている。また,トッププレート82には,
例えばN2ガスを供給する上面供給路125が,トップ
プレート回転軸120内を貫通して設けられている。ア
ウターチャンバー43上部には,アウターチャンバー4
3内部にN2ガスを供給するN2ガス供給手段126が
備えられている。
御部24aは,ユニットチャンバー用メカシャッター4
6の図示しない開閉機構,アウターチャンバー用メカシ
ャッター48の図示しない開閉機構,エッジアーム格納
部用シャッター50の図示しない開閉機構,エッジアー
ム60を移動させる図示しない駆動機構,エッジアーム
60から処理流体を吐出させる図示しない開閉弁,3つ
の保持部材70を保持状態と解除状態にする保持解除機
構74,スピンチャック71を回転させるモータ88,
アンダープレート75を昇降させる昇降機構112,下
面供給路115から処理流体を吐出させる開閉弁,イン
ナーカップ80を昇降させる図示しない昇降機構,トッ
ププレート82を回転させる回転軸モータ122,トッ
ププレート82を昇降させる回転軸昇降機構123,上
面供給路125から処理流体を吐出させる開閉弁,N2
ガス供給手段126からN2を吐出させる図示しない開
閉弁等に制御信号を送信して,基板処理ユニット12全
体の動作制御を行う。
板処理ユニット13も,基板処理ユニット12と同様の
構成を有し,ウェハW裏面の洗浄と,ウェハW表面の周
辺部除去処理と周辺部の洗浄(Back−Bevel洗
浄処理)をすることができる。また,基板洗浄ユニット
14,15は,各種の洗浄液によりウェハW両面を洗浄
し,乾燥処理をするように構成されている。
先ず図示しない搬送ロボットにより未だ洗浄されていな
いウェハWを例えば25枚ずつ収納したキャリアCがイ
ン・アウトポート4に載置される。そして,このイン・
アウトポート4に載置されたキャリアCから取出収納ア
ーム11によって一枚ずつウェハWが取り出され,取出
収納アーム3から主ウェハ搬送装置7にウェハWが受け
渡される。そして,搬送アーム34によってウェハWは
基板処理ユニット12又は13に適宜搬入され,ウェハ
W裏面の洗浄と,ウェハW表面の周辺部除去処理と周辺
部の洗浄が行われる。又,基板洗浄ユニット14又は1
5に適宜搬入され,ウェハWに付着しているパーティク
ルなどの汚染物質が洗浄,除去される。こうして所定の
洗浄処理が終了したウェハWは,再び主ウェハ搬送装置
7によって基板処理ユニット12,13又は基板洗浄ユ
ニット14,15から適宜搬出され,取出収納アーム1
1に受け渡されて,再びキャリアCに収納される。
いて代表して基板処理ユニット12での処理について説
明する。図5に示すように,先ずユニットチャンバー用
メカシャッター46とアウターチャンバー用メカシャッ
ター47を開き,ウェハWを保持した例えば搬送アーム
34を装置内に進入させる。一方,3つの保持部材70
がそれぞれ第1の開閉位置に位置する状態で,スピンチ
ャック71を静止させる。そして,保持部材開閉ピン1
00aを上昇させて3つの保持部材70の当接部95を
互いに開いた状態にしておく。また,アンダープレート
75は,ウェハWに当接する3つの当接部95から離れ
た位置に下降させて待機状態にする。また,インナーカ
ップ80は下降してウェハW及び3つの保持部材70を
上方に相対的に突出させる。トッププレート82は予め
上昇して退避位置に位置している。エッジアーム格納部
用シャッター50は閉じている。
を3つの当接部95の間における所定位置に降ろしてウ
ェハWを待機させる。そして,保持部材開閉ピン100
aを下降させて3つの当接部95を互いに閉じ,搬送ア
ーム34に支持されたウェハWの周縁に当接部95を当
接させて,ウェハWの周縁を3つの保持部材70により
保持する。即ち,ウェハWを周縁保持状態とし,3つの
保持部材70を保持状態とする。ウェハWは半導体デバ
イスが形成される表面を上面にして保持される。搬送ア
ーム34は,ウェハWを保持部材70に受け渡した後,
アウターチャンバー43及びユニットチャンバー42の
内部から退出し,退出後,ユニットチャンバー用メカシ
ャッター46とアウターチャンバー用メカシャッター4
7を閉じる。
る。インナーカップ80が上昇し,3つの保持部材70
とウェハWを囲んだ状態となる。アンダープレート75
を上昇させて,ウェハW下面に対して近接させる。処理
位置に移動したアンダープレート75とスピンチャック
71により保持されたウェハW下面(ウェハW裏面)の
間には,例えば0.5〜3mm程度の隙間が形成され
る。アンダープレート75上では,下面供給路115か
ら洗浄薬液を例えば静かに染み出させて隙間に洗浄薬液
を供給する。ウェハW下面全体に均一に接触する洗浄薬
液の液膜を形成すると,洗浄薬液の供給を停止してウェ
ハW下面を洗浄処理する。
液の液膜の形状が崩れない程度の比較的低速の回転速度
(例えば10〜30rpm程度)で回転し,3つの保持
部材70により保持されたウェハWを回転させる。ウェ
ハWの回転により洗浄薬液の液膜内に液流が発生し,こ
の液流により,洗浄薬液の液膜内の淀みを防止するとと
もに洗浄効率が向上する。洗浄薬液の液膜の形状が崩れ
そうになった場合等には,新液を供給して洗浄薬液の液
膜の形状を適宜修復する。このように洗浄薬液の消費量
を節約する。なお,洗浄薬液の液滴をアンダープレート
75の周縁から滴り落とす一方で,下面供給路115に
より洗浄薬液を継続的に供給することにより,洗浄薬液
の液膜内を常に真新しい洗浄薬液に置換して好適な洗浄
薬液処理を実施することも可能である。この場合も,新
液をなるべく静かに供給して洗浄薬液の省液化を図ると
良い。
形成する際に,洗浄薬液をウェハWの裏面の周囲からウ
ェハWの表面(金属膜MCの表面)側へ回り込ませて,
後述する周辺部除去が行われるウェハW表面の周辺部に
まで洗浄薬液を供給する。そして,ウェハW裏面の洗浄
処理と同時に,ウェハW表面の周辺部洗浄処理が行われ
る。
00rpmにて5秒間回転する。即ち,ウェハWに液盛
りされた洗浄薬液がインナーカップ80内に振り落とさ
れて,インナーカップ排出管から排液される。次に,ア
ンダープレート75とウェハW下面の間に,下面供給路
115から例えば10秒間,N2ガスを供給し,ウェハ
W下部の洗浄薬液雰囲気を排出する。N2ガスの供給に
よって,ウェハWの裏面から洗浄薬液の液滴を取り除く
ことができる。また,排出した洗浄薬液雰囲気,N2ガ
ス,洗浄薬液の液滴の中から洗浄薬液のみを回収して,
再利用することもできる。
膜MCの隅を薬液によって除去する周辺部除去処理工程
を行う。周辺部除去処理工程は,3つの保持部材70を
ウェハWの周縁に対して相対的に移動させる前の周縁保
持状態で周辺部除去処理を行う前周辺部除去処理工程
と,3つの保持部材70をウェハWの周縁に対して相対
的に移動させる保持部材移動工程と,3つの保持部材7
0をウェハWの周縁に対して相対的に移動させた後の周
縁保持状態で周辺部除去処理を行う後周辺部除去処理工
程とを有する。
ッププレート82が処理位置まで移動する。また,エッ
ジアーム格納部用シャッター50が開き,エッジアーム
60がスピンチャック71で保持されたウェハWの周辺
部上方の所定位置まで移動し,N2ガス供給ノズル63
がN2ガスの供給を開始する。次いで純水供給ノズル6
2による純水の供給と,薬液供給ノズル61による薬液
の供給を開始する。そして,ウェハWの表面に積層され
た金属膜MCの隅を薬液によって除去する周辺部除去処
理を行う。
は例えば上方からみて右回りに,300rpm程度の回
転数で回転する。下面供給路115は,N2ガスの吐出
を継続し,アンダープレート75とウェハW下面との間
へN2ガスを供給する。また,処理位置に下降したトッ
ププレート82の上面供給路125からN2ガスを供給
する。上面供給路125が供給するN2ガスは,薬液供
給ノズル61が供給する薬液及び周辺部除去処理中に発
生する薬液雰囲気が,ウェハWの中心側の面に流れ込む
ことを防止する。即ち,N2ガス供給ノズル63と上面
供給路125が供給するN2ガスによって,薬液がウェ
ハWの中心側の面に流れ込むことを効果的に防止する。
さらに,上面供給路125からN2ガスを供給すると,
ウェハW表面のウォーターマーク発生を防止する効果が
ある。また,周辺部除去処理中はN2ガス供給手段10
7よりN2ガスを供給し,アウターチャンバー43内に
ダウンフローを形成する。トッププレート82上面とア
ウターチャンバー43の間の空間はN2ガスによって満
たされ,薬液雰囲気がアウターチャンバー43内の上部
に上昇することを防止する。従って,周辺部除去処理後
にアウターチャンバー43内に薬液が残留することを防
止する。
61の薬液供給を停止し,除去処理を停止する。次い
で,純水供給ノズル62による純水の供給を停止し,最
後に,N2ガス供給ノズル63によるN2ガスの供給を
停止する。そして,下面供給路115のN2ガス供給を
停止する。その後,スピンチャック71の回転を停止す
る。このとき,3つの保持部材70がそれぞれ第1の開
閉位置に静止するように,スピンチャック71を停止さ
せる。
ず,下面供給路115から,ウェハW下面に近接してい
るアンダープレート75とウェハW下面との間に純水を
供給し,純水の液体層PLを形成する。ウェハW下面と
アンダープレート75上面との間に十分な液量の液体層
PLが形成されたら,下面供給路115からの純水の供
給を停止する。そして,保持部材開閉ピン100aを上
昇させ,3つの保持部材70の当接部95を互いに開
き,ウェハWの周縁から当接部95を離隔する。このよ
うにして,3つの保持部材70を解除状態とし,ウェハ
Wの下面を液体層PLの表面張力を利用してアンダープ
レート75の上面において支持する。
て,下面支持状態のウェハWを待機位置へ移動させる。
このとき,当接部95はウェハW周縁から離隔している
ので,ウェハWの周縁は保持部材70に接触することな
く,十分な余裕をもって周縁保持位置から下方の待機位
置へ移動される。そして,ウェハWを3つの保持部材7
0の当接部95より下方へ待機させる状態(下面支持待
機状態)にする。
移動したら,保持部材開閉ピン100aを下降させ,3
つの保持部材70の当接部95を互いに閉じる。そし
て,スピンチャック71が上部から見て右回りに回転す
ると,スピンチャック71が静止しているアンダープレ
ート75及びアンダープレートシャフト110の周りを
右回りに回転する。これにより,スピンチャック71と
共に3つの保持部材70が,待機位置にて待機中のウェ
ハWの周縁に対して相対的に右回りに移動する。また,
3つの保持部材70が,保持部材開閉ピン100a,保
持部材開閉ピン100bに対して相対的に右回りに移動
する。そして,3つの保持部材開閉ピン100bによっ
て当接部95を互いに開閉可能な位置まで,スピンチャ
ック71を回転させる。即ち,保持部材開閉ピン100
aと保持部材開閉ピン100bが回転中心に対してなす
中心角の角度,例えば1〜10°の回転を行う。こうし
て,3つの保持部材70がそれぞれ第2の開閉位置に静
止するように,スピンチャック71を停止させる。
せて3つの当接部95を互いに開く。このとき,3つの
当接部95は,ウェハWの周縁が保持部材70に接触す
ることなく十分な余裕をもって上方へ移動される位置ま
で,互いに開いている。そして,アンダープレート75
及び下面支持状態のウェハWを上方へ移動させ,ウェハ
Wを保持部材70により保持される周縁保持位置に静止
させる。
せて3つの当接部95を互いに閉じ,ウェハWの周縁に
当接部95を当接させる。待機中のウェハWの周縁に対
して相対的に右回りに移動した後の当接部95は,移動
する前に当接した箇所よりも右回りに移動した箇所に当
接する。このようにして,3つの保持部材70は,解除
状態から再び保持状態となる。また,ウェハWの周縁に
対して移動することにより,待機中のウェハWの周縁に
対して移動する前と移動後の保持状態において,ウェハ
Wの周縁の異なる箇所を保持することができる。
と共に,ウェハW下面とウェハW下面に近接しているア
ンダープレート75との間に下面供給路115からN2
ガスを供給して,ウェハW下面とアンダープレート75
との間の液体層PLを排出する。即ち,スピンチャック
71のアンダープレート75に対する相対的な回転によ
り,遠心力を与えて液体層PLをウェハWの外周方向へ
移動させると共に,N2ガスによって液体層PLを外周
方向へ押し出す。スピンチャック71は例えば300r
pm程度の回転数で回転する。
る。下面供給路115は,アンダープレート75とウェ
ハW下面との間へのN2ガス供給を継続する。所定の位
置に移動したエッジアーム60に設けられたN2ガス供
給ノズル63が,N2ガスの供給を開始し,次いで純水
供給ノズル62による純水の供給と,薬液供給ノズル6
1による薬液の供給を開始する。そして,ウェハWの表
面に積層された金属膜MCの隅を最終的な所定の除去量
まで除去処理する。例えば,前周辺部除去処理工程にお
ける除去量を最終的な所定の除去量の半分とし,後周辺
部除去処理工程において残りの除去量を処理して,周辺
部除去処理工程における最終的な所定の除去量まで除去
処理する。後周辺部除去処理工程においても,前周辺部
除去処理工程と同様の処理を行う。トッププレート82
は処理位置に下降して,上面供給路125からN2ガス
を供給する。また,N2ガス供給手段107よりN2ガ
スを供給し,アウターチャンバー43内にダウンフロー
を形成する。
ノズル61の薬液供給を停止し,除去処理を停止する。
N2ガス供給ノズル63はN2ガスの供給を継続し,純
水供給ノズル62は純水の供給を継続する。これによ
り,ウェハWの周辺部を純水によってリンス処理する周
辺部リンス処理が開始される。一方,下面供給路115
からアンダープレート75とウェハW下面の間に純水を
供給する。こうして,ウェハWの周辺部と裏面をリンス
処理して薬液を洗い流す。なお,リンス処理において
も,ウェハW下面をアンダープレート75によって支持
し,3つの保持部材70を保持部材開閉ピン100aに
よって周縁保持解除状態にされる位置から保持部材開閉
ピン100bによって周縁保持状態にされる位置へ移動
させることにより,3つの保持部材70が保持する箇所
を交替して変化させ,ウェハWの周縁全てに純水が供給
されるようにしても良い。
82を処理位置に下降させ,上面供給路125からN2
ガスを供給する。上面供給路125が供給するN2ガス
は,純水供給ノズル62が供給する純水及び周辺部リン
ス処理中に発生する水蒸気雰囲気が,ウェハWの中心側
の面に流れ込むことを防止する。こうして,N2ガス供
給ノズル63と上面供給路125が供給するN2ガスに
よって,純水がウェハWの中心側の面に流れ込むことを
防止する。また,上面供給路125からN2ガスを供給
すると,ウェハW表面のウォーターマーク発生を防止す
る効果がある。
62と下面供給路115による純水の供給を停止する。
N2ガス供給ノズル63はウェハWの周辺部にN2ガス
の供給を続け,周辺部乾燥処理を行う。一方,下面供給
路115からアンダープレート75とウェハW下面の間
にN2ガスを供給して,裏面乾燥処理を行う。周辺部乾
燥処理と裏面乾燥処理が終了すると,N2ガス供給ノズ
ル63と下面供給路115によるN2ガスの供給を停止
し,トッププレート82が退避位置に上昇する。
ーム格納部44内に移動し,エッジアーム格納部用シャ
ッター50が閉じる。スピンチャック71の回転を停止
させ,ウェハWの回転を止める。次いで,基板処理ユニ
ット12内からウェハWを搬出する。ユニットチャンバ
ー用メカシャッター46とアウターチャンバー用メカシ
ャッター47を開き,主ウェハ搬送装置18が搬送アー
ム34を装置内に進入させる。インナーカップ80は下
降してウェハW及び3つの保持部材70を上方に相対的
に突出させる。また,アンダープレート75は,3つの
当接部95の高さに保持されているウェハWから離れた
位置に下降し待機状態になる。スピンチャック71は3
つの保持部材70がそれぞれ3つの保持部材開閉ピン1
00aの上に位置する状態で静止している。そして,搬
送アーム34がウェハWを受け取る所定位置においてウ
ェハWに当接し待機する。この状態で保持部材開閉ピン
100aを上昇させて3つの当接部95を互いに開く
と,ウェハWを搬送アーム34により支持する状態とな
る。こうして,搬送アーム34は3つの保持部材70か
らウェハWを受け取り,装置内から退出する。
保持部材70をウェハWの周縁に対して移動させる保持
部材移動工程前の前周辺部除去処理工程においては,移
動後の保持部材70が当接する箇所へ処理液を供給する
ことができる。保持部材移動工程後の後周辺部除去処理
工程においては,移動前の保持部材70が当接した箇所
へ処理液を供給することができる。従って,ウェハWの
処理むらを防止することができる。
示したが,本発明はここで説明した形態に限定されな
い。例えば,保持部材70の数は3個に限定されず,3
個以上であれば良い。そして,保持部材開閉ピン100
a,100bは保持部材70と同じ数が設置されるよう
にし,複数の保持部材開閉ピン100aがなす中心角及
び,複数の保持部材開閉ピン100bがなす中心角は複
数の保持部材70がなす中心角と同じ大きさになるよう
にする。例えば,保持部材70は中心角が90°となる
ように4箇所に配置するようにしても良い。この場合,
保持部材開閉ピン100aは中心角が90°となるよう
に4箇所に配置し,保持部材開閉ピン100bも中心角
が90°となるように4箇所に配置する。即ち,保持部
材開閉ピン100を各保持部材70のそれぞれの平行腕
92に当接させるようにして,各保持部材70の当接部
95を互いに開閉する。なお,ウェハホルダー90の数
は3個に限定されず,形状を適宜変更して設置すること
が可能である。
部材開閉ピン100aと保持部材開閉ピン100bをそ
れぞれ一体化した部材としても良い。例えば,図10に
示すように,スピンチャック71の回転により回転移動
する平行腕92の軌跡に沿った円弧形状としても良い。
この円弧形状の保持部材開閉ピン100’は,上昇させ
たときの高さが一定となる。3つの平行腕92に対して
それぞれ3つの保持部材開閉ピン100’を当接,上昇
させて3つの当接部95を互いに開いた状態とし,平行
腕92を保持部材開閉ピン100’に接触させたまま,
3つの保持部材70を保持部材開閉ピン100に対して
相対的に回転移動させると,3つの当接部95は互いに
開いた状態のままで回転移動する。従って,3つの当接
部95が互いに開いた状態のまま,下面から支持された
ウェハWの周縁に対して3つの保持部材70を移動させ
ることができる。この場合,アンダープレート75及び
アンダープレート75に下面を支持されたウェハWを3
つの保持部材70に対して下降させずに,周縁の保持を
解除した位置において下面を支持したまま待機させるこ
とができる。
の周縁部の下面に当接する複数の支持部材130を設け
ても良い。例えばこの支持部材130は,図11に示す
ように,アンダープレート75の周辺部において中心角
が120°となるように配置されており,それら3つの
支持部材130により,ウェハWの下面を周縁から保持
できるようになっている。また,3つの支持部材130
は,アンダープレート75が上昇したとき3つの保持部
材70に接触しないように,3つの保持部材70の下方
からずれた位置に設けるようにする。各々の支持部材1
30は,図12に示すように,ウェハWの外側に向かっ
て傾斜する斜面を有し,ウェハWの周縁面と下面により
構成される角部に斜面を当接させて,3つの支持部材1
30によりウェハWを支持することができる。この場
合,支持部材130の斜面にウェハWの角部を当接させ
るので,ウェハWとの接触面積が最小となる。従って,
ウェハWに固体である支持部材130を接触させて支持
しても,パーティクルの発生が抑制される。なお,支持
部材130の数は3個に限定されず,3個以上であれば
良い。例えば,支持部材130は中心角が90°となる
ように4箇所に配置するようにしても良い。この複数の
支持部材130によって,ウェハWの周縁の保持を解除
したウェハWを下面から支持するようにしても良い。ま
た,液体層PLの表面張力を利用してウェハWをアンダ
ープレート75の上面に支持すると共に,3つの支持部
材130をウェハWの下面の周縁に当接させると,安定
させて確実に支持することができ,ウェハWの横ずれの
発生を抑制することができる。
Wを静止させて,その周縁に対して3つの保持部材70
を移動させたが,3つの保持部材70を静止させ,下面
支持状態のウェハWを回転させることにより,3つの保
持部材70をウェハWの周縁に対して相対的に移動させ
るようにしても良い。例えば,アンダープレートシャフ
ト110に回転駆動装置を備えてアンダープレート75
を回転自在に構成する。また,アンダープレート75の
上面に設けた3つの支持部材130によってウェハWを
下面支持状態にする。これにより,下面支持状態のウェ
ハWを回転させることができる。この場合も,3つの保
持部材70がウェハWの周縁に対して相対的に移動する
前と移動した後の保持状態において,ウェハW周縁を異
なる箇所において保持することができ,相対的に移動す
る前と移動した後にそれぞれ3つの当接部95が当接す
る箇所を処理することができる。
や洗浄処理を施す基板処理装置に限定されず,その他の
種々の処理液などを用いて他の処理を基板に対して施す
ものであっても良い。また,基板は半導体ウェハに限ら
ず,その他のLCD基板用ガラスやCD基板,プリント
基板,セラミック基板などであっても良い。
によれば,複数の保持部材を基板の周縁に対して相対的
に移動させることができるので,保持部材が当接する箇
所を変化させることができる。移動前の処理において
は,移動後の保持部材が当接する箇所へ処理液を供給す
ることができる。複数の保持部材が基板に対して移動し
た後の処理においては,移動前の保持部材が当接した箇
所へ処理液を供給することができる。従って,基板の処
理むらを防止することができる。
の平面図である。
の断面図である。
る説明図である。
である。
降させ,当接部を互いに閉じる状態を説明する説明図で
ある。
開閉ピンの位置関係を説明する説明図である。
説明する説明図である。
に設けた支持部材を説明する説明図である。
図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 複数の保持部材によって基板の周縁を保
持し,基板を回転させて処理する基板処理装置であっ
て,前記複数の保持部材を,基板周縁を保持する保持状
態と基板周縁の保持を解除した解除状態とにさせる保持
解除機構と,前記複数の保持部材が前記解除状態の際に
基板を支持する支持機構を備え,前記複数の保持部材が
前記解除状態の際に,前記複数の保持部材と前記基板周
縁が相対的に移動することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項2】 前記保持解除機構及び前記支持機構の動
作を制御する制御部を備え,前記制御部の制御により,
前記保持解除機構によって前記複数の保持部材を前記保
持状態から解除状態にさせ,その後再び前記複数の保持
部材を保持状態にする前に,前記複数の保持部材と前記
基板周縁を相対的に移動させることを特徴とする,請求
項1に記載の基板処理装置。 - 【請求項3】 前記支持機構は,前記基板下面に液体を
供給し,前記液体の表面張力を利用して基板を支持する
ことを特徴とする,請求項1又は2に記載の基板処理装
置。 - 【請求項4】 前記液体は,純水であることを特徴とす
る,請求項3に記載の基板処理装置。 - 【請求項5】 前記支持機構は,前記基板下面に当接し
て支持する少なくとも3個の支持部材を備えることを特
徴とする,請求項1〜4のいずれかに記載の基板処理装
置。 - 【請求項6】 前記支持機構は,前記複数の保持手段に
より保持された基板下面に相対的に近接自在に構成され
たアンダープレートを備えることを特徴とする,請求項
1〜5のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項7】 前記基板の横ずれを防止するホルダーを
備えることを特徴とする,請求項1〜6のいずれかに記
載の基板処理装置。 - 【請求項8】 前記複数の保持部材を回転プレートに取
りつけると共に,これら複数の保持部材を基板の周縁を
保持するように付勢する弾性部材を設け,前記解除機構
は,前記弾性部材が付勢する力に抗する力を与え,前記
保持部材を基板から離隔させることを特徴とする,請求
項1〜7のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項9】 複数の保持部材によって基板の周縁を保
持し,基板を回転させて処理し,次いで,基板の下面を
支持して前記基板周縁の保持を解除し,前記基板周縁に
対して複数の保持部材を相対的に移動させた後,前記複
数の保持部材の移動前に保持した箇所と異なる箇所にお
いて前記複数の保持部材によって基板周縁を保持し,再
び基板を回転させて処理することを特徴とする,基板処
理方法。 - 【請求項10】 前記下面を支持した基板を下降させて
待機状態とし,前記基板周縁に対して前記複数の保持部
材を相対的に移動させることを特徴とする,請求項9に
記載の基板処理方法。 - 【請求項11】 前記保持部材が基板周縁に当接する当
接部を互いに開いて基板周縁の保持を解除し,前記下面
を支持した基板を下降させて待機状態とし,前記当接部
を互いに閉じ,次いで,前記複数の保持部材を前記待機
中の基板の周縁に対して相対的に移動させ,前記当接部
を互いに開き,前記下面を支持した基板を上昇させ,前
記当接部を互いに閉じ,基板の周縁を前記移動前に保持
した箇所と異なる箇所において保持することを特徴とす
る,請求項9に記載の基板処理方法。 - 【請求項12】 基板の下面を支持するに際し,基板の
下面に対してアンダープレートを相対的に近接させ,前
記基板下面と前記アンダープレートとの間に液体を供給
し,前記液体の表面張力を利用して基板を支持すること
を特徴とする,請求項9,10又は11に記載の基板処
理方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004119716A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持機構および基板保持方法 |
JP2008022010A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2008060578A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Semes Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009517866A (ja) * | 2005-11-23 | 2009-04-30 | マテリアルズ・アンド・テクノロジーズ・コーポレーション | 基板を保持するための装置及び方法 |
JP2012099862A (ja) * | 2004-10-12 | 2012-05-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2013254959A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-12-19 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
CN103855059A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | 株式会社迪思科 | 清洗装置 |
JP2017076807A (ja) * | 2013-01-11 | 2017-04-20 | 株式会社荏原製作所 | 基板把持装置 |
CN108630566A (zh) * | 2017-03-24 | 2018-10-09 | 株式会社斯库林集团 | 基板保持旋转装置及具备该装置的基板处理装置及方法 |
JP6830170B1 (ja) * | 2020-02-25 | 2021-02-17 | 株式会社スギノマシン | 洗浄機及び洗浄方法 |
WO2024042950A1 (ja) * | 2022-08-26 | 2024-02-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05326676A (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-10 | Fujitsu Ltd | クランプ機構 |
JPH06310481A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Fuji Film Micro Device Kk | ブラシスクラブ洗浄方法および装置 |
JPH09107023A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Toshiba Microelectron Corp | 被処理物の回転保持装置 |
JPH1027757A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 真空処理装置 |
JPH11219998A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-10 | Hitachi Ltd | 薄板形状物を加工用ホルダに移し替える方法 |
JP2001110771A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Ebara Corp | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
-
2001
- 2001-12-26 JP JP2001394908A patent/JP3958572B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05326676A (ja) * | 1992-05-19 | 1993-12-10 | Fujitsu Ltd | クランプ機構 |
JPH06310481A (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-04 | Fuji Film Micro Device Kk | ブラシスクラブ洗浄方法および装置 |
JPH09107023A (ja) * | 1995-10-13 | 1997-04-22 | Toshiba Microelectron Corp | 被処理物の回転保持装置 |
JPH1027757A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-01-27 | Shibaura Eng Works Co Ltd | 真空処理装置 |
JPH11219998A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-10 | Hitachi Ltd | 薄板形状物を加工用ホルダに移し替える方法 |
JP2001110771A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-20 | Ebara Corp | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004119716A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持機構および基板保持方法 |
JP2012099862A (ja) * | 2004-10-12 | 2012-05-24 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP2009517866A (ja) * | 2005-11-23 | 2009-04-30 | マテリアルズ・アンド・テクノロジーズ・コーポレーション | 基板を保持するための装置及び方法 |
US9011064B2 (en) | 2005-11-23 | 2015-04-21 | Materials And Technologies Corporation | Device and method for holding a substrate |
JP2008022010A (ja) * | 2006-07-12 | 2008-01-31 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2008060578A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Semes Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4538754B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2010-09-08 | セメス株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2013254959A (ja) * | 2009-08-27 | 2013-12-19 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2014110270A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | 洗浄装置 |
CN103855059A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | 株式会社迪思科 | 清洗装置 |
JP2017076807A (ja) * | 2013-01-11 | 2017-04-20 | 株式会社荏原製作所 | 基板把持装置 |
US9892953B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-02-13 | Ebara Corporation | Substrate gripping apparatus |
CN108630566A (zh) * | 2017-03-24 | 2018-10-09 | 株式会社斯库林集团 | 基板保持旋转装置及具备该装置的基板处理装置及方法 |
JP2018163974A (ja) * | 2017-03-24 | 2018-10-18 | 株式会社Screenホールディングス | 基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法 |
US10998220B2 (en) | 2017-03-24 | 2021-05-04 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
CN108630566B (zh) * | 2017-03-24 | 2022-03-29 | 株式会社斯库林集团 | 基板保持旋转装置及具备该装置的基板处理装置及方法 |
JP6830170B1 (ja) * | 2020-02-25 | 2021-02-17 | 株式会社スギノマシン | 洗浄機及び洗浄方法 |
JP2021133282A (ja) * | 2020-02-25 | 2021-09-13 | 株式会社スギノマシン | 洗浄機及び洗浄方法 |
WO2024042950A1 (ja) * | 2022-08-26 | 2024-02-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
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