JPH06310481A - ブラシスクラブ洗浄方法および装置 - Google Patents

ブラシスクラブ洗浄方法および装置

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JPH06310481A
JPH06310481A JP9967893A JP9967893A JPH06310481A JP H06310481 A JPH06310481 A JP H06310481A JP 9967893 A JP9967893 A JP 9967893A JP 9967893 A JP9967893 A JP 9967893A JP H06310481 A JPH06310481 A JP H06310481A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
brush
scrubbing
holding
semiconductor wafer
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9967893A
Other languages
English (en)
Inventor
Hisashi Oshiba
久 大柴
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Fujifilm Holdings Corp
Fujifilm Microdevices Co Ltd
Original Assignee
Fujifilm Microdevices Co Ltd
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウエハブラシスクラブ洗浄に関し、半
導体ウエハ両面の全面を洗浄することのできるブラシス
クラブ洗浄技術を提供することを目的とする。 【構成】 半導体ウエハをウエハ保持治具で保持し、ブ
ラシを回転させながら半導体ウエハ表面をスクラビング
するブラシスクラブ洗浄方法において、半導体ウエハを
相対する第1のエッジ部分で保持し、第1のブラシスク
ラビングする工程と、半導体ウエハの保持位置を第1の
エッジ部分と重複しない相対する第2のエッジ部分で保
持し、第2の変えて2回以上ブラシスクラビングする工
程とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの洗浄、
特に半導体ウエハのブラシスクラブ洗浄に関する。
【0002】半導体装置の製造においては、ウエハの表
面の高清浄化の他、プロセス中で汚染された裏面のパー
ティクル除去が重要な課題になっている。たとえば、ウ
エハ表面にBPSG膜を堆積した後、またはポリSi膜
堆積に続いて燐処理をした後等には、ウエハ裏面にも堆
積ないし付着が生じる。これは、ウエハ移動時にウエハ
保持治具で保持し易くするために、ウエハ載置台のウエ
ハ外周部近傍にウエハ下部にまで入り込んだ穴を掘って
あること等による。
【0003】これらの工程後に、ウエハ裏面のパーティ
クルを効果的に除去する方法が期待されている。
【0004】
【従来の技術】図4は、従来の両面ブラシスクラブ洗浄
装置のブラシおよびウエハ保持治具の基本構成図であ
る。図4左側はウエハを上から見た平面図、右側は横か
ら見た断面図である。
【0005】ウエハ3の相対するエッジ部分を、ウエハ
保持治具2bおよび2aで挟み込むことによってウエハ
3を保持している。一対のブラシ1を回転させながら、
ウエハを挟み込むようにしてウエハ表面および裏面に沿
って移動させ、ウエハ表裏面を同時にスクラビングす
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】図4に示したような、
ウエハ3をウエハ保持治具2bおよび2aで保持して、
ウエハ両面をブラシスクラビングする方法では、ウエハ
保持治具で保持されている部分はスクラビングできな
い。したがって、ウエハ両面の全面を洗浄することはで
きない。
【0007】本発明の目的は、半導体ウエハ表・裏両面
の周辺部を含め、全面を洗浄することのできるブラシス
クラブ洗浄技術を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明のブラシスクラブ
洗浄方法は、半導体ウエハをウエハ保持治具で保持し、
ブラシを回転させながら半導体ウエハ表面をスクラビン
グするブラシスクラブ洗浄方法において、半導体ウエハ
を相対する第1のエッジ部分で保持し、第1のブラシス
クラビングする工程と、半導体ウエハの保持位置を第1
のエッジ部分と重複しない相対する第2のエッジ部分で
保持し、第2の変えて2回以上ブラシスクラビングする
工程とを含む。
【0009】
【作用】従来のブラシスクラブ方法では、ウエハ保持治
具が妨げとなってウエハ全面を洗浄することができなか
った。本発明によるスクラブ方法では、ウエハの保持位
置を変えて2回以上スクラビングするため、1回目のス
クラングでウエハ保持治具が妨げとなって洗浄できなか
った部分を、2回目以降のスクラビングで洗浄すること
が可能となる。そのため、ウエハ全面を洗浄することが
可能となる。
【0010】
【実施例】図1を参照して、本発明の第1の実施例によ
る両面ブラシスクラブ洗浄方法について説明する。
【0011】本実施例による両面ブラシスクラブ洗浄装
置は、二対のウエハ保持治具2a、2bおよび2c、2
dを有している。ウエハ保持治具2aおよび2bは、ウ
エハを中心として相対する位置に配置されており、その
相対距離を変える方向に移動可能である。ウエハ保持治
具2aおよび2bを、互いに近付けることによって、ウ
エハのエッジ部分でウエハを水平に保持することができ
る。
【0012】ウエハ保持治具2cおよび2dは、ウエハ
保持治具2aおよび2bをウエハの中心軸を回転軸とし
て約90°回転させた位置に配置されている。ウエハ保
持治具2aおよび2bと同様に、その相対距離を変える
方向に移動可能である。
【0013】そのため、ウエハ保持治具2cおよび2d
は、ウエハ保持治具2aおよび2bがウエハを保持する
エッジ部分とは重複しない異なるエッジ部分で、ウエハ
を水平に保持することができる。
【0014】ウエハの表面および裏面側に、ベリクレ
ン、ナイロン、モヘア等のブラシ1が1つずつ配置され
ている。一対のブラシ1は、ウエハ3を挟み込むように
して回転しながら、それぞれ表面上または裏面上を移動
する。
【0015】図1(A)は、1回目のスクラビング工程
を説明する図である。図1(A)左側は、ウエハを上か
ら見た平面図、右側は横から見た断面図である。ウエハ
3を、ウエハ保持治具2aおよび2bによってウエハの
相対するエッジ部分で挟むように保持する。このとき、
ウエハ保持治具2cおよび2dは、ブラシ1のスクラビ
ング動作の邪魔にならないように、ウエハ3から離れた
位置にある。
【0016】このように、ウエハ3を保持してブラシ1
を回転させながら移動させ、ウエハ3の両面をスクラビ
ングする。スクラビングは、ブラシ1をウエハ3の両面
に沿って複数回往復させてもよい。
【0017】次に、ウエハ保持治具2cおよび2dを互
いに近付けてウエハ3を保持し、ウエハ保持治具2aお
よび2bを互いに遠ざけ、ウエハ3から離す。図1
(B)は、このようにして、ウエハ3を保持している様
子を示す。図1(B)左側は、ウエハを上から見た平面
図、右側は横から見た断面図である。
【0018】ブラシ1を回転させながら移動させ、2回
目のスクラビングを行なう。さらに、ブラシを複数回往
復させ、スクラビングしてもよい。1回目のスクラビン
グでウエハ保持治具の影になっていた部分も、2回目の
スクラビングでは露出されているので、ブラシ1によっ
てスクラビングされる。このように、ウエハの保持方向
を変えて1回目と2回目のスクラビングを行なうことに
より、ウエハ全面がスクラビングされる。なお、2回目
のスクラビングの後、さらに、1回目、2回目と同様の
スクラビングを繰り返してもよい。
【0019】次に、図2を参照して、本発明の第2の実
施例による両面ブラシスクラブ洗浄方法について説明す
る。図2(A)は、ウエハ3を上から見た平面図、図2
(B)は、ウエハを横から見た断面図である。
【0020】第2の実施例による洗浄装置は、一対のウ
エハ保持治具2aおよび2bを有している。さらに、第
1の実施例と同様に、一対のブラシ1を有している。ウ
エハ保持治具2aおよび2bは、第1の実施例と同様に
相対距離を変える方向に移動可能である。さらに、ウエ
ハ3の中心軸を回転軸として約90°回転可能である。
【0021】ウエハ3の中心部の下方には、真空チャッ
ク4が配置されている。真空チャック4は上下に移動可
能であり、ウエハ3を吸着して固定することができる。
まず、ウエハ保持治具2aおよび2bを互いに近付けて
真空チャック4上のウエハ3を保持する。その後、真空
チャック4は、ウエハ3から十分離す。ブラシ1を回転
させながら、ウエハ3の両面に沿って移動し、1回目の
スクラビングを行なう。
【0022】次に、真空チャック4を上方に移動し、ウ
エハ3に接する位置で停止し、ウエハ3を吸着固定す
る。ウエハ保持治具2aおよび2bを、互いに遠ざけて
ウエハ3から離し、ウエハ3の中心軸のまわりに約90
°回転させる。
【0023】再びウエハ保持治具2aおよび2bを、互
いに近付けてウエハ3を保持する。真空チャック4によ
る吸着を停止し、真空チャック4を下方に移動し、ウエ
ハ3から十分離す。
【0024】このようにして、ウエハ保持治具2a、2
bでウエハ3の約90°回転したエッジ部分を保持し
て、ブラシ1を回転させながら、ウエハ3の両面に沿っ
て移動し、2回目のスクラビングを行なう。
【0025】2回目のスクラビングにおいては、1回目
のスクラビングでウエハ保持治具の影になっていた部分
も露出されるので、第1の実施例同様、ウエハ全面がス
クラビングされることになる。
【0026】なお、本実施例においては、ウエハ保持治
具が1組で済み、構成が簡単化する。2回目の洗浄の
後、さらに1回目と同様の洗浄工程に戻ってもよい。こ
のような工程を複数回繰り返してスクラビングを行なっ
てもよい。
【0027】次に、図3を参照して、本発明の第3の実
施例による両面ブラシスクラブ洗浄方法について説明す
る。第3の実施例による洗浄装置は、第2の実施例と同
様に一対のウエハ保持治具2aおよび2b、一対のブラ
シ1、および真空チャック4を有している。
【0028】ウエハ保持治具2aおよび2bは、第1の
実施例と同様に相対距離を変える方向に移動可能であ
る。真空チャック4は上下に移動可能であり、さらにウ
エハ3を吸着して固定し、中心軸のまわりに回転するこ
とができる。
【0029】ウエハ保持治具2aおよび2bを互いに近
付けて、図3(A)に示すように、ウエハ3を保持す
る。ブラシ1を回転させながらウエハ3の両面に沿って
移動し、1回目のスクラビングを行なう。このとき、真
空チャック4はウエハ3から十分離れている。
【0030】次に、図3(B)に示すように、真空チャ
ック4を上方に移動し、ウエハ3に接する位置で停止
し、ウエハを吸着固定する。ウエハ保持治具2aおよび
2bを互いに遠ざけ、ウエハ3から離す。真空チャック
4を約90°回転させる。本実施例では、約90°回転
させたが、約270°回転させても同様の効果が得られ
る。
【0031】再び、ウエハ保持治具2aおよび2bを互
いに近付け、ウエハ3を保持する。真空チャック4によ
る吸着を停止し、真空チャック4を下方に移動してウエ
ハ3から十分離す。
【0032】このようにして、ウエハ3を1回目とは重
複しないエッジ部分で保持し、ブラシ1を回転させなが
らウエハ3の両面に沿って移動し、2回目のスクラビン
グを行なう。
【0033】第1、第2の実施例同様、ウエハを異なる
部分で保持して、1回目、2回目のスクラビングを行な
うことにより、ウエハ全面をスクラビング洗浄すること
ができる。
【0034】また、1回目のスクラビングと2回目のス
クラビングとは、ウエハに対する方向が直交している。
ウエハに対して異なる方向からスクラビングすることに
よる洗浄力の向上も期待できる。
【0035】さらに、ウエハ保持治具を回転させる場合
と較べ、真空チャックを回転可能とすれば済むので、全
体の構成を小型化することもできる。なお、スクラビン
グは2回に限らず、同様の工程を複数回繰り返し、スク
ラビングを行なってもよい。
【0036】上記、第1〜第3の実施例に示したよう
に、ウエハの保持位置を変えてスクラビングを2回以上
行なうことにより、ウエハ3両面の全面をスクラビング
することができる。
【0037】上記実施例では、ウエハ保持治具の保持部
断面がL字型で、ウエハ片面とのみ接する場合について
説明したが、保持部断面をU字型にし、ウエハ両面で保
持してもよい。
【0038】図5(A)は、ウエハ保持治具の保持部断
面がL字型の例、図5(B)はU字型の例を示す。ウエ
ハ保持治具の保持部断面をU字型にして、ウエハ両面で
保持することにより、ウエハの保持を確実にすることが
できる。
【0039】また、上記実施例では、ウエハの両面に1
つずつのブラシを配置し、1組のブラシでウエハを挟み
込むようにしてスクラビングする方法について説明した
が、1つのブラシで両面をスクラビングしてもよい。
【0040】たとえば、最初にウエハ表面のみをスクラ
ビングし、次にブラシをウエハの裏面側へ移動させて裏
面をスクラビングしてもよい。また、最初にウエハ表面
のみをスクラビングし、次にウエハの表裏を反転させて
裏面をスクラビングしてもよい。
【0041】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。たとえば、
種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者
に自明であろう。
【0042】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウエハ周辺部の表・裏両面をスクラビングすることが可
能となる。このことにより、ウエハ表・裏両面のパーテ
ィクルを効率的に洗浄し、除去することができるため、
半導体プロセスの歩留りを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例による両面ブラシスクラ
ブ洗浄装置の洗浄部の平面図および断面図である。
【図2】本発明の第2の実施例による両面ブラシスクラ
ブ洗浄装置の洗浄部の平面図および断面図である。
【図3】本発明の第3の実施例による両面ブラシスクラ
ブ洗浄装置の洗浄部の平面図および断面図である。
【図4】従来の実施例による両面ブラシスクラブ洗浄装
置の洗浄部の平面図および断面図である。
【図5】本発明の実施例によるウエハ保持治具の保持部
およびウエハの断面図である。
【符号の説明】
1 ブラシ 2a、2b、2c、2d ウエハ保持治具 3 ウエハ 4 真空チャック

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウエハをウエハ保持治具で保持
    し、ブラシを回転させながら半導体ウエハ表面をスクラ
    ビングするブラシスクラブ洗浄方法において、 半導体ウエハを相対する第1のエッジ部分で保持し、第
    1のブラシスクラビングする工程と、 半導体ウエハの保持位置を第1のエッジ部分と重複しな
    い相対する第2のエッジ部分で保持し、第2の変えて2
    回以上ブラシスクラビングする工程とを含むブラシスク
    ラブ洗浄方法。
  2. 【請求項2】 半導体ウエハをウエハ保持治具で保持
    し、ブラシを回転させながら半導体ウエハ表面をスクラ
    ビングするブラシスクラブ洗浄装置において、 半導体ウエハの相対するエッジ部分で半導体ウエハを保
    持する一組のウエハ保持治具と、 前記ウエハ保持治具が半導体ウエハを保持するエッジ部
    分と重複しない位置にあるエッジ部分で半導体ウエハを
    保持する一組の他のウエハ保持治具と、 半導体ウエハ表面をスクラビングするブラシとを有する
    ブラシスクラブ洗浄装置。
  3. 【請求項3】 半導体ウエハをウエハ保持治具で保持
    し、ブラシを回転させながら半導体ウエハ表面をスクラ
    ビングするブラシスクラブ洗浄装置において、 第1の方向で半導体ウエハの相対するエッジ部分を保持
    することができ、また、前記第1の方向と交差する第2
    の方向で前記エッジ部分と重複しない別の相対するエッ
    ジ部分で半導体ウエハを保持することのできる一組の回
    転可能な半導体ウエハ保持治具と、 半導体ウエハを保持するための手段と、 半導体ウエハ表面をスクラビングするブラシとを有する
    ブラシスクラブ洗浄装置。
  4. 【請求項4】 半導体ウエハをウエハ保持治具で保持
    し、ブラシを回転させながら半導体ウエハ表面をスクラ
    ビングするブラシスクラブ洗浄装置において、 半導体ウエハの相対するエッジ部分で半導体ウエハを保
    持する一組のウエハ保持治具と、 半導体ウエハを保持し、かつ回転させることのできる保
    持回転手段と、 半導体ウエハ表面をスクラビングするブラシとを有する
    ブラシスクラブ洗浄装置。
JP9967893A 1993-04-26 1993-04-26 ブラシスクラブ洗浄方法および装置 Withdrawn JPH06310481A (ja)

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JP (1) JPH06310481A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6186873B1 (en) * 2000-04-14 2001-02-13 International Business Machines Corporation Wafer edge cleaning
JP2003197718A (ja) * 2001-12-26 2003-07-11 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2013105828A (ja) * 2011-11-11 2013-05-30 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及び円形板状ワークの洗浄方法

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