TWI675433B - 基板反轉裝置、基板處理裝置、基板支撐裝置、基板反轉方法、基板處理方法以及基板支撐方法 - Google Patents
基板反轉裝置、基板處理裝置、基板支撐裝置、基板反轉方法、基板處理方法以及基板支撐方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI675433B TWI675433B TW107125731A TW107125731A TWI675433B TW I675433 B TWI675433 B TW I675433B TW 107125731 A TW107125731 A TW 107125731A TW 107125731 A TW107125731 A TW 107125731A TW I675433 B TWI675433 B TW I675433B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- contact
- pair
- contact area
- guides
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
- H01L21/67787—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks with angular orientation of the workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67796—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations with angular orientation of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本發明之基板支撐裝置的支撐機構係接觸水平姿勢的基板的周緣部且從下方支撐基板。支撐機構係具有一對導引部以及切換機構。一對導引部係於基板的寬度方向的兩側接觸基板的周緣部。切換機構係藉由將一對導引部的位置在第一接觸位置與第二接觸位置之間切換而變更一對導引部與基板之間的接觸狀態。一對導引部的各者係具有第一接觸區域以及第二接觸區域。第二接觸區域係在上下方向以及寬度方向中位於與第一接觸區域不同的位置。於基板支撐裝置中,配合基板的狀態而將導引部中的與基板的接觸區域在第一接觸區域與第二接觸區域之間切換。
Description
本發明係有關於基板反轉裝置、基板處理裝置、基板支撐裝置、基板反轉方法、基板處理方法以及基板支撐方法。
以往,於半導體基板(以下亦簡稱為「基板」。)的製造工序中對基板施行各種各樣的處理。例如,日本特開2014-3080號公報(專利文獻1)的基板處理裝置中,在進行對於基板的背面的刷洗(scrub cleaning)處理後,對基板的表面進行刷洗處理。於該基板處理裝置中,表面朝向上側的基板被搬入至索引區(indexer cell),在反轉收受部中使基板的上下反轉且進行背面的洗淨處理。背面的洗淨處理
結束的基板係在被配置於反轉收受部的上方的反轉部中基板的上下被反轉的狀態下進行表面的洗淨處理。洗淨處理結束的基板係被載置於配置在反轉收受部與反轉部之間的載置部,並往索引區搬出。於反轉收受部的基板反轉裝置中,基板係被支撐機構以水平姿勢支撐,且被支撐機構支撐的基板係被夾持反轉機構夾持並反轉。支撐機構係藉由使4個支撐構件的水平面抵接於基板的下表面而將基板以水平姿勢支撐。
然而,專利文獻1的基板處理裝置中,用以將未處理的基板反轉的反轉收受部以及用以將已洗淨且已處理的基板反轉的反轉部係分別設置。因此,存有基板處理裝置大型化之虞。另一方面,若與基板的狀態(例如未處理或已處理)無關地以相同的基板反轉裝置進行基板的反轉,則存有未處理的基板的髒污、微粒(particle)等在基板反轉裝置中附著於用以支撐基板的支撐構件(亦即導引部)並轉移至已處理的基板之虞。
本發明係針對基板反轉裝置,目的為配合基板的狀態將導引部中的與基板的接觸區域切換。
本發明的一較佳形態的基板反轉裝置係具有:支撐機構,係接觸於水平姿勢的基板的周緣部且從下方支撐前述
基板;以及夾持反轉機構,將藉由前述支撐機構支撐的前述基板夾持且反轉。前述支撐機構係具有:一對導引部,係於前述基板的寬度方向的兩側接觸前述基板的周緣部;導引移動機構,係使前述一對導引部在接觸於前述基板的接觸位置與較前述接觸位置從前述基板遠離的退避位置之間進退;以及切換機構,係藉由將位於前述接觸位置的前述一對導引部的位置在第一接觸位置與第二接觸位置之間切換而變更前述一對導引部與前述基板之間的接觸狀態。前述一對導引部的各者係具有:第一接觸區域,係於前述第一接觸位置中接觸前述基板的周緣部;以及第二接觸區域,係在上下方向以及前述寬度方向中位於與前述第一接觸區域不同的位置,且於前述第二接觸位置中接觸前述基板的周緣部。依據該基板反轉裝置,可配合基板的狀態而切換導引部中的與基板的接觸區域。
較佳為前述一對導引部的各者中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近下側且靠近前述寬度方向內側。前述切換機構係藉由變更前述一對導引部的前述寬度方向的距離而將前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換。
較佳為在前述一對導引部之中的一方的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近下側且靠近前述寬度方向內側。於前述一對導引部之中的另一方
的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近上側且靠近前述寬度方向外側。前述切換機構係藉由以於水平方向延伸的旋轉軸作為中心將前述一對導引部旋轉而將前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換,於前述第一接觸位置時前述一對導引部的前述第一接觸區域位於前述上下方向的相同位置,於前述第二接觸位置時前述一對導引部的前述第二接觸區域位於前述上下方向的相同位置。
較佳為在前述一對導引部之中的一方的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近下側且靠近前述寬度方向內側。在前述一對導引部之中的另一方的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近上側且靠近前述寬度方向外側。前述切換機構係藉由將前述另一方的導引部對於前述一方的導引部相對地於前述上下方向移動而將前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換,於前述第一接觸位置時前述一對導引部的前述第一接觸區域位於前述上下方向的相同位置,於前述第二接觸位置時前述一對導引部的前述第二接觸區域位於前述上下方向的相同位置。
較佳為由前述導引移動機構所進行的各導引部的移動方向係對於前述上下方向以及前述寬度方向呈傾斜。
較佳為前述切換機構係藉由將前述一對導引部與前述導引移動機構一起移動而將前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換。
較佳為前述一對導引部的各者中,前述第一接觸區域以及前述第二接觸區域為朝向上方的接觸面,前述第一接觸區域與前述第二接觸區域係階段狀地連接。
本發明亦適用於基板處理裝置。本發明的一較佳形態的基板處理裝置係具有:前述基板反轉裝置;背面洗淨處理部,係將於前述基板反轉裝置中被反轉的基板的背面洗淨;以及基板搬送部,係於前述基板反轉裝置與前述背面洗淨處理部之間搬送前述基板。
較佳為基板處理裝置進一步具有:洗淨處理區塊,係配置有前述背面洗淨處理部以及前述基板搬送部;以及索引區塊,係配置有另一個基板搬送部且將未處理的基板遞交至前述洗淨處理區塊並且從前述洗淨處理區塊收受已處理的基板。前述基板反轉裝置係配置於前述洗淨處理區塊與前述索引區塊之間的連接部。於前述基板搬送部以及前述另一個基板搬送部之中的一方的搬送部將基板搬入至前述基板反轉裝置的情形中,於前述基板反轉裝置中被反轉的前述基板係藉由另一方的基板搬送部從前述基板
反轉裝置搬出。
本發明亦適用於基板支撐裝置。本發明的一較佳形態的基板支撐裝置係具有:一對導引部,係於基板的寬度方向的兩側接觸水平姿勢的基板的周緣部且從下方支撐前述基板;以及切換機構,係藉由將前述一對導引部的位置在第一接觸位置與第二接觸位置之間切換而變更前述一對導引部與前述基板之間的接觸狀態。前述一對導引部的各者係具有:第一接觸區域,係於前述第一接觸位置中接觸前述基板的周緣部;以及第二接觸區域,係在上下方向以及前述寬度方向中位於與前述第一接觸區域不同的位置,且於前述第二接觸位置中接觸前述基板的周緣部。
本發明亦適用於在基板反轉裝置中將基板反轉的基板反轉方法,前述基板反轉裝置係包含有:一對導引部,係具有第一接觸區域,係接觸前述基板的周緣部;以及第二接觸區域,係在上下方向以及前述基板的寬度方向中位於與前述第一接觸區域不同的位置,且接觸前述基板的周緣部;以及夾持反轉機構,係將藉由前述一對導引部所支撐的前述基板夾持且反轉。
本發明的一較佳形態的基板反轉方法係包含有:a)工序,係將前述基板搬入至前述基板反轉裝置;b)工序,係使在前述基板的前述寬度方向的兩側中位於第一接觸
位置的前述一對導引部的前述第一接觸區域接觸水平姿勢的前述基板的周緣部且從下方支撐前述基板;c)工序,係藉由前述夾持反轉機構將前述基板夾持,使前述一對導引部往退避位置退避後,藉由前述夾持反轉機構將前述基板反轉;d)工序,將前述基板從前述基板反轉裝置搬出;e)工序,將前述基板搬入至前述基板反轉裝置;f)工序,使位於與前述第一接觸位置不同的第二接觸位置的前述一對導引部的第二接觸區域接觸水平姿勢的前述基板的周緣部且從下方支撐前述基板;g)工序,係藉由前述夾持反轉機構將前述基板夾持,使前述一對導引部往退避位置退避後,藉由前述夾持反轉機構將前述基板反轉;以及h)工序,係將前述基板從前述基板反轉裝置搬出。依據該基板反轉方法,可配合基板的狀態而切換導引部中的與基板的接觸區域。
本發明亦適用於基板處理方法。本發明的一較佳形態的基板處理方法係具有:前述基板反轉方法;以及背面洗淨處理工序,係在前述d)工序與前述e)工序之間將前述基板的背面洗淨。
本發明亦適用於在基板支撐裝置中將基板支撐的基板支撐方法,前述基板支撐裝置係包含有一對導引部,前述一對導引部係具有:第一接觸區域,係接觸基板的周緣部;以及第二接觸區域,係在上下方向以及寬度方向中位
於與前述第一接觸區域不同的位置且接觸前述基板的周緣部。本發明的一較佳形態的基板支撐方法係具有:a)工序,將前述基板搬入至前述基板支撐裝置;b)工序,係使在前述基板的寬度方向的兩側中位於第一接觸位置的前述一對導引部的前述第一接觸區域接觸水平姿勢的前述基板的周緣部且從下方支撐前述基板;c)工序,係將前述基板從前述基板支撐裝置搬出;d)工序,係將前述基板搬入至前述基板支撐裝置;e)工序,係使位於與前述第一接觸位置不同的第二接觸位置的前述一對導引部的第二接觸區域接觸水平姿勢的前述基板的周緣部且從下方支撐前述基板;以及f)工序,將前述基板從前述基板支撐裝置搬出。
本發明的前述目的以及其他的目的、特徵、態樣及優點係參照隨附圖式並藉由以下進行的本發明之詳細說明而明瞭。
1、1a‧‧‧基板處理裝置
9‧‧‧基板(半導體基板)
10‧‧‧索引區塊(索引區)
11‧‧‧載具台
12‧‧‧移載機器人
20‧‧‧洗淨處理區塊(洗淨處理區)
21a、21b、21c‧‧‧洗淨處理單元
22‧‧‧搬送機器人
23‧‧‧表面洗淨處理部
24‧‧‧背面洗淨處理部
25‧‧‧洗淨處理部
26‧‧‧接駁單元
27‧‧‧通路
28‧‧‧載置台
30‧‧‧反轉單元
40‧‧‧載置單元
41‧‧‧載置部
60‧‧‧控制部
70‧‧‧支撐機構
71‧‧‧斜軸部
72‧‧‧支撐柱
73‧‧‧缸體
74‧‧‧導引部
741‧‧‧上接觸面
742‧‧‧下接觸面
743‧‧‧上側面
744‧‧‧下側面
75‧‧‧支撐部
76‧‧‧導引移動機構
77、77a、77b‧‧‧切換機構
771、771a、771b‧‧‧切換驅動部
772b‧‧‧連接構件
773b‧‧‧旋轉軸
80‧‧‧夾持反轉機構
81‧‧‧滑軸部
82‧‧‧支撐柱
83‧‧‧夾持構件
84‧‧‧彈性構件
85‧‧‧反轉夾持部
86‧‧‧夾持部移動機構
861‧‧‧缸體
87‧‧‧旋轉機構
871‧‧‧馬達
872‧‧‧帶
873‧‧‧滑輪
95‧‧‧載具
100‧‧‧基板反轉裝置
100a、100b‧‧‧基板反轉裝置
121a、121b、221a、221b‧‧‧搬送臂
122、222‧‧‧臂台
123‧‧‧可動台
124‧‧‧滾珠螺桿
125‧‧‧導引軌
201、211‧‧‧自轉夾具
202、212‧‧‧洗淨刷
203、213‧‧‧噴嘴
204、214‧‧‧自轉馬達
223‧‧‧基台
300‧‧‧隔壁
301‧‧‧框體
302、303‧‧‧開口
A1‧‧‧支撐位置(第一接觸位置)
A2、B2‧‧‧退避位置
A3‧‧‧第二接觸位置
B1‧‧‧夾持位置
圖1為本發明之一實施形態之基板處理裝置的俯視圖。
圖2為從II-II線觀看基板處理裝置的圖。
圖3為從III-III線觀看基板處理裝置的圖。
圖4為顯示基板處理之流程的圖。
圖5為反轉單元(unit)的俯視圖。
圖6為從VI-VI線觀看反轉單元的圖。
圖7為從VII-VII線觀看反轉單元的圖。
圖8為顯示夾持反轉機構之重要部分的部分放大圖。
圖9為將導引部放大顯示的圖。
圖10為顯示由導引部所進行的基板的支撐狀態的圖。
圖11為顯示由導引部所進行的基板的支撐狀態的圖。
圖12為顯示基板反轉之流程的圖。
圖13為顯示基板反轉之流程的圖。
圖14為顯示另一個基板反轉裝置中的由導引部所進行的基板的支撐狀態的圖。
圖15為顯示導引部所進行的基板的支撐狀態的圖。
圖16為顯示由另一個基板反轉裝置中的導引部所進行的基板的支撐狀態的圖。
圖17為顯示由導引部所進行的基板的支撐狀態的圖。
圖18為另一個基板處理裝置的俯視圖。
圖19為從XIX-XIX線觀看基板處理裝置的圖。
圖1為本發明之一實施形態的基板處理裝置1的俯視圖。圖2為從圖1的II-II線觀看基板處理裝置1的圖。圖3為從圖1的III-III線觀看基板處理裝置1的圖。另外,
於以下所參照的各圖中,適宜地附記以Z軸方向作為鉛直方向(亦即上下方向)、以XY平面作為水平面的XYZ正交座標系統。
基板處理裝置1係用以將複數個半導體基板9(以下亦簡稱為「基板9」。)連續地進行處理的裝置。基板處理裝置1中例如進行對於基板9的洗淨處理。基板處理裝置1係具有索引區塊10以及洗淨處理區塊20。以下的說明中,將索引區塊10以及洗淨處理區塊20各別稱為索引區10以及洗淨處理區20。索引區10與洗淨處理區20係於X方向鄰接配置。
基板處理裝置1係進一步具有反轉單元30、載置單元40以及控制部60。反轉單元30以及載置單元40係配置於索引區10與洗淨處理區20之間的連接部。具體而言,反轉單元30以及載置單元40係將在索引區10與洗淨處理區20之間所設置的環境氣體阻隔用的隔壁300的一部分貫通而設置。控制部60係控制索引區10、洗淨處理區20以及反轉單元30等的各動作機構而執行基板9的洗淨處理。控制部60係例如包含有以下等構件的一般的電腦系統:CPU(Central Processing Unit;中央處理器),係進行各種演算處理;ROM(Read Only Memory;唯讀記憶體),係記憶基本程式;以及RAM(Random Access Memory;隨機存取記憶體),係記憶各種資訊。
索引區10係收受從基板處理裝置1的外部搬入的基板9(亦即進行洗淨處理區20中的處理前的未處理的基板)並遞交至洗淨處理區20。另外,索引區10係收受從洗淨處理區20搬出的基板9(亦即洗淨處理區20中的處理已結束的已處理的基板)並往基板處理裝置1的外部搬出。索引區10係具有複數個(例如4個)載具台(carrier stage)11以及移載機器人12。於各載具台11載置有可收納複數個圓板狀的基板9的載具95。移載機器人12係用以從各載具95取出未處理的基板9並且將已處理的基板9收納至各載具95之基板搬送部。
收納了複數個未處理的基板9的載具95係從基板處理裝置1的外部藉由AGV(Automated Guided Vehicle;自動導引車)等而被搬入且載置於各載具台11。另外,洗淨處理區20中的洗淨處理結束之已處理的基板9再度被收納於載置在載具台11的載具95。收納有已處理的基板9的載具95係藉由AGV等而被搬出至基板處理裝置1的外部。亦即,載具台11係作為用以收集未處理的基板9以及已處理的基板9之基板收集部而發揮功能。載具95係例如用以將基板9收納於密閉空間的FOUP(Front Opening Unified Pod;前開式統一盒)。載具95不限定為FOUP,亦可為例如SMIF(Standard Mechanical InterFace;標準機械介面)盒、或使所收納的基板9曝露於外氣的OC(Open
Cassette;開放式匣)。
移載機器人12係具有:2條搬送臂121a、121b、臂台122以及可動台123。2條搬送臂121a、121b係被裝載於臂台122。可動台123係螺合於與複數個載具台11的排列方向平行地(亦即沿著Y方向)延伸的滾珠螺桿(ball screw)124且設置成可對於2條導引軌125自由滑動。若滾珠螺桿124藉由省略圖示的旋轉馬達旋轉,則包含有可動台123的移載機器人12之全體係沿著Y方向水平地移動。
臂台122係裝載於可動台123上。於可動台123內建有用以使臂台122繞著於上下方向(亦即Z方向)延伸的旋轉軸旋轉的馬達(省略圖示)以及用以使臂台122沿著上下方向移動的馬達(省略圖示)。搬送臂121a、121b係上下分離地配置於臂台122上。搬送臂121a、121b係各別具有俯視觀看中為叉狀的形狀。搬送臂121a、121b係各別以叉狀部分將1片基板9的下表面支撐。另外,搬送臂121a、121b係藉由於臂台122所內建的驅動機構(省略圖示)而使多關節機構彎曲伸直,藉此沿著水平方向(亦即以臂台122的旋轉軸作為中心的徑方向)互相獨立地移動。
移載機器人12係藉由使以叉狀部分支撐基板9的搬送臂121a、121b各自地存取載置於載具台11的載具95、
反轉單元30以及載置單元40,而在載具95、反轉單元30以及載置單元40之間搬送基板9。
洗淨處理區20係例如為用以對基板9進行刷洗處理之區(cell;亦即處理區塊)。洗淨處理區20係具有2個洗淨處理單元21a、21b以及搬送機器人22。搬送機器人22係用以對反轉單元30、載置單元40以及洗淨處理單元21a、21b進行基板9的授受之基板搬送部。
洗淨處理單元21a、21b係挾著搬送機器人22於Y方向對向。搬送機器人22的(-Y)側的洗淨處理單元21b係具有1個以上的表面洗淨處理部23。於圖2所例示的洗淨處理單元21b中,於上下方向積層有4個表面洗淨處理部23。搬送機器人22的(+Y)側的洗淨處理單元21a係具有1個以上的背面洗淨處理部24。於圖2所例示的洗淨處理單元21a中,於上下方向積層有4個背面洗淨處理部24。
表面洗淨處理部23係進行基板9的表面的刷洗處理。所謂基板9的「表面」係指基板9的2個主面之中的形成有圖案(例如電路圖案)的主面。另外,所謂基板9的「背面」係指基板9的表面的反對側的主面。表面洗淨處理部23係例如具有:自轉夾具(spin chuck)201、洗淨刷202、噴嘴203以及自轉馬達204。自轉夾具201係將表面朝向上側的基板9以水平姿勢保持且繞著於上下方向延
伸的旋轉軸旋轉。自轉夾具201係例如藉由將基板9的背面吸附而保持基板9。洗淨刷202係抵接或接近被保持於自轉夾具201上的基板9的表面,進行基板9的表面的刷洗。噴嘴203係對基板9的表面吐出洗淨液(例如純水)。自轉馬達204係使基板9與自轉夾具201一起旋轉。從旋轉的基板9往周圍飛散的洗淨液係藉由將基板9的周圍圍起的杯部(省略圖示)而被承接。
背面洗淨處理部24係進行基板9的背面的刷洗處理。背面洗淨處理部24係具有例如自轉夾具211、洗淨刷212、噴嘴213以及自轉馬達214。自轉夾具211係將背面朝向上側的基板9以水平姿勢保持,繞著於上下方向延伸的旋轉軸旋轉。自轉夾具211係例如藉由將基板9的端緣部機械性地把持而保持基板9。洗淨刷212係抵接或接近被保持於自轉夾具211上的基板9的背面,進行基板9的背面的刷洗。噴嘴213係對基板9的背面吐出洗淨液(例如純水)。自轉馬達214係使基板9與自轉夾具211一起旋轉。從旋轉的基板9往周圍飛散的洗淨液係藉由將基板9的周圍圍起的杯部(省略圖示)而被承接。
搬送機器人22係具有2條搬送臂221a、221b、臂台222以及基台223。2條搬送臂221a、221b係被裝載於臂台222。基台223係被固定於洗淨處理區20的框體(frame)。如此,搬送機器人22的基台223係不於水平方
向以及上下方向移動。
臂台222係被裝載於基台223上。於基台223係內建有用以使臂台222繞著於上下方向延伸的旋轉軸旋轉的馬達(省略圖示)以及用以使臂台222沿著上下方向移動的馬達(省略圖示)。搬送臂221a、221b係上下分離地配置於臂台222上。搬送臂221a、221b係各別具有俯視觀看中為叉狀的形狀。搬送臂221a、221b係各別以叉狀部分將1片基板9的下表面支撐。另外,各搬送臂221a、221b係藉由於臂台222所內建的驅動機構(省略圖示)而使多關節機構彎曲伸直,藉此沿著水平方向(亦即以臂台222的旋轉軸作為中心的徑方向)互相獨立地移動。
搬送機器人22藉由使以叉狀部分支撐基板9的搬送臂221a、221b各自地存取洗淨處理單元21a、21b、反轉單元30以及載置單元40,而在洗淨處理單元21a、21b、反轉單元30以及載置單元40之間搬送基板9。另外,作為搬送機器人22中的往上下方向的移動機構,亦可採用使用了滑輪(pulley)和時序帶(timing belt)的帶輸送機構等的其他的機構。
反轉單元30係在使從索引區10收受的未處理的基板9的上下反轉後(亦即在將未處理的基板9的表面與背面180度反轉後),將該未處理的基板9遞交至洗淨處理區
20。反轉單元30係在使從洗淨處理區20收受的已處理的基板9的上下反轉後(亦即在將已處理的基板9的表面與背面180度反轉後),將該已處理的基板9遞交至索引區10或洗淨處理區20。亦即,反轉單元30係兼具有作為使基板9反轉的反轉部的功能以及作為在移載機器人12與搬送機器人22之間的基板9的授受部的功能。關於反轉單元30的構造將於後述。
載置單元40係配置於反轉單元30的上側。載置單元40與反轉單元30可為上下接觸亦可為上下分離。載置單元40係使用於索引區10與洗淨處理區20之間的基板9的授受。載置單元40係具有1個以上的載置部41。於圖2以及圖3所例示的載置單元40中,於上下方向積層有6個載置部41。各載置部41係將1片基板9以水平姿勢支撐。載置單元40中,例如6個載置部41之中的上側的3個載置部41係使用於已處理的基板9從洗淨處理區20往索引區10的授受,下側的3個載置部41係使用於例如未處理的基板9從索引區10往洗淨處理區20的授受。
然後,針對基板處理裝置1中的基板9的處理之流程之一例進行說明。基板處理裝置1中,根據記述有基板9的搬送程序(亦即所謂的流程)以及基板9的處理條件的配方(recipe)進行基板9的處理。以下,針對進行基板9的兩面(亦即表面以及背面)的洗淨的情形進行說明。
首先,收容了未處理的基板9的載具95係藉由AGV等而從基板處理裝置1的外部被搬入至索引區10的載具台11。然後,索引區10的移載機器人12係使用搬送臂121a、121b從該載具95將未處理的基板9取出2片,將該2片基板9搬入至反轉單元30(步驟S11)。基板9係以表面朝向上側的狀態被搬入至反轉單元30。反轉單元30中,基板反轉裝置100係反轉該2片基板9的正反,使各基板9成為背面朝向上側的狀態(步驟S12)。關於基板反轉裝置100的動作將於後述。
若反轉單元30中的2片基板9反轉,則洗淨處理區20的搬送機器人22係使用搬送臂221a、221b從反轉單元30收受2片基板9(亦即背面為朝向上側的狀態的2片基板9)。亦即,基板9從反轉單元30被搬出(步驟S13)。搬送機器人22係將2片基板9各別搬送至4個背面洗淨處理部24之中的任意的2個背面洗淨處理部24。
在搬入了基板9的背面洗淨處理部24中,進行基板9的背面洗淨處理(步驟S14)。具體而言,在背面洗淨處理部24中一邊將藉由自轉夾具211保持且旋轉背面朝向上側的狀態的基板9,一邊從噴嘴213對基板9的背面供給洗淨液。於該狀態下,洗淨刷212抵接或接近基板9的背面且於水平方向掃描,藉此於基板9的背面施行刷洗處
理。
若於背面洗淨處理部24結束基板9的背面洗淨處理,則搬送機器人22使用搬送臂221a、221b從2個背面洗淨處理部24依序取出已背面洗淨處理的2片基板9,將該2片基板9搬入至反轉單元30(步驟S15)。基板9係以背面朝向上側的狀態被搬入至反轉單元30。反轉單元30中,基板反轉裝置100係反轉該2片基板9的正反,使各基板9成為表面朝向上側的狀態(步驟S16)。
若在反轉單元30中2片基板9被反轉,則洗淨處理區20的搬送機器人22使用搬送臂221a、221b從反轉單元30收受2片基板9(亦即表面朝向上側的狀態的2片基板9)。亦即,基板9從反轉單元30被搬出(步驟S17)。搬送機器人22係將2片基板9各別搬送至4個表面洗淨處理部23之中的任意的2個表面洗淨處理部23。
於被搬入有基板9的表面洗淨處理部23中,進行基板9的表面洗淨處理(步驟S18)。具體而言,表面洗淨處理部23中係一邊藉由自轉夾具201保持且旋轉表面朝向上側的狀態的基板9,一邊從噴嘴203對基板9的表面供給洗淨液。於該狀態下,洗淨刷202抵接或接近基板9的表面且於水平方向掃描,藉此於基板9的表面施行刷洗處理。
若於表面洗淨處理部23結束基板9的表面洗淨處理,則搬送機器人22使用搬送臂221a、221b從2個表面洗淨處理部23依序取出表面洗淨處理後的2片基板9(亦即已處理的基板9),將該2片基板9搬入至載置單元40的2個載置部41。基板9係以表面朝向上側的狀態被載置部41支撐。之後,索引區10的移載機器人12係使用搬送臂121a、121b將該2片已處理的基板9取出且收納於載具95。
如上所述,基板處理裝置1中,可在於索引區10所設置的移載機器人12與於洗淨處理區20所設置的搬送機器人22之間進行基板9的授受時藉由基板反轉裝置100反轉基板9的正反。亦即,基板反轉裝置100除了使基板9反轉的機能之外亦負有作為移載機器人12與搬送機器人22之間的基板9的授受部的功能。藉此,相較於將基板9的授受部與反轉部分別地設置的情形,係減輕搬送機器人22的負擔並且減少洗淨處理區20內的處理步驟數。結果,可以有效率地抑制基板處理裝置1的產能(throughput)的降低。另外,如後所述,反轉單元30的基板反轉裝置100係執行一次可以將2片基板9適切地反轉。藉此,可以使基板處理裝置1中的產能成為良好。
接下來,針對反轉單元30的構成參照圖5至圖7進
行說明。圖5係反轉單元30的俯視圖。圖6係從圖5的VI-VI線觀看反轉單元30的圖。圖7係從圖5的VII-VII線觀看反轉單元30的圖。
反轉單元30係具有基板反轉裝置100以及框體301。框體301係將基板反轉裝置100收容於內部。基板反轉裝置100係具有支撐機構70以及夾持反轉機構80。支撐機構70係接觸水平姿勢的基板9的周緣部且從下方支撐該基板9。夾持反轉機構80係將被支撐機構70支撐的基板9夾持且反轉。於圖6所示的例中,支撐機構70係將2片基板9以於上下方向隔著間隔地積層的狀態支撐。另外,夾持反轉機構80係一次地將該2片基板9反轉。另外,支撐機構70亦可支撐1片或3片以上的基板9。另外,夾持反轉機構80亦可將該1片或3片以上的基板9夾持且一次地反轉。於框體301內配置有省略圖示的偵測部。該偵測部係偵測是否藉由支撐機構70將基板9正常地支撐。偵測部係例如配置在較基板9的上表面數mm至數cm上方的光感測器。
移載機器人12以及搬送機器人22(參照圖1)係可存取框體301的內部。於框體301的壁部之中的洗淨處理區20側(亦即(+X)側)的壁部形成有開口302,該開口302係用以供搬送機器人22的搬送臂221a、221b存取框體301的內部。另外,於框體301的壁部之中的索引區10側(亦即
(-X)側)的壁部形成有開口303,該開口303係用以供移載機器人12的搬送臂121a、121b存取框體301的內部。以下的說明中,將框體301中之形成有開口302(+X)之側稱為「前側」,將框體301中之形成有開口303(-X)之側稱為「後側」。另外,將與前後方向(亦即X方向)以及上下方向(亦即Z方向)正交的Y方向稱為「左右方向」。該左右方向亦為基板反轉裝置100的寬度方向。
支撐機構70係具有4個支撐部75、導引移動機構76以及切換機構77。4個支撐部75係於基板9的左右方向(亦即寬度方向)的兩側中於上下方向的大致相同位置各配置2個,從下方支撐基板9。基板9的右側的2個支撐部75係於前後方向隔著間隔地配置。基板9的左側的2個支撐部75亦於前後方向隔著間隔地配置。各支撐部75係具有斜軸部71、支撐柱72以及2個導引部74。導引移動機構76係具有配置於框體301的左右兩側的一對缸體(cylinder)73。切換機構77係具有於框體301的左右兩側配置的一對切換驅動部771。切換驅動部771係例如缸體。
支撐部75的斜軸部71係將框體301的左右方向的側壁部貫通。斜軸部71係隨著從框體301的外部向內部而向上方大致直線狀地延伸的棒狀構件。斜軸部71的上端部係位於框體301的內部。於斜軸部71的上端部連接有於上下方向延伸的支撐柱72。
向寬度方向內側(亦即向框體301的中央部)於左右方向延伸的導引部74係以單邊支撐狀態連接於支撐柱72的上端部以及下端部。導引部74的詳細形狀將於後述。於4條支撐柱72的上端部所連接的4個導引部74係位於上下方向的大致相同位置,且抵接於上側的基板9的周緣部的下表面。於4個支撐柱72的下端部所連接的4個導引部74係位於上下方向的大致相同位置,且抵接於下側的基板9的周緣部的下表面。於以下的說明中,將接觸且支撐各基板9的下表面之4個導引部74統稱為「導引部群」。
各導引部群的4個導引部74係相對於在左右方向延伸的基板9的直徑大致線對稱地配置。位於較基板9的該直徑靠近前側的2個導引部74係位於前後方向的大致相同位置,挾著基板9於左右方向對向。位於較基板9的該直徑靠近後側的2個導引部74亦位於前後方向的大致相同位置,挾著基板9於左右方向對向。以下的說明中,亦將各導引部群中的位於前後方向的大致相同位置且於左右方向對向的2個導引部74稱為「一對導引部74」。
各斜軸部71的下端部係位於框體301的外部。位於框體301的右側的2條斜軸部71的下端部係經由於前後方向延伸的連結棒(省略圖示)而連結於1個缸體73。缸體73的進退方向係大致平行於斜軸部71的延伸方向。藉由
驅動該缸體73,上述2條斜軸部71係於斜軸部71的延伸方向同步且移動。位於框體301的左側的2條斜軸部71的下端部係經由於前後方向延伸的連結棒(省略圖示)而連結於其他的1個缸體73。藉由驅動該缸體73,上述2條斜軸部71係於斜軸部71的延伸方向同步且移動。
基板反轉裝置100中,藉由驅動導引移動機構76的一對缸體73,而使各導引部74與斜軸部71一起從接觸且支撐基板9的支撐位置A1往從基板9遠離的退避位置A2移動。圖5以及圖6中,將位於退避位置A2的導引部74等以二點鏈線顯示。退避位置A2係位於較支撐位置A1靠近寬度方向外側(亦即左右方向中的從基板9的中心遠離的一側)且下側。換言之,導引部74係從支撐位置A1往退避位置A2地對斜下方移動,從退避位置A2往支撐位置A1地對斜上方移動。更換言之,位於支撐位置A1的導引部74係往遠離基板9的下表面以及側面的方向移動而位於退避位置A2。
退避位置A2係設定於在俯視觀看中較基板9的周緣靠近寬度方向外側(亦即基板9的徑方向外側)的位置。因此,退避位置A2成為藉由夾持反轉機構80反轉的各基板9通過的區域(亦即反轉區域)的外側。如此,配置於退避位置A2的導引部74係不會與反轉的基板9干涉。另外,上側的導引部74的退避位置A2係設定於例如較下側的導
引部74的支撐位置A1靠近上側。
如上所述,導引移動機構76所進行的各導引部74的移動方向係對於上下方向以及寬度方向呈傾斜。導引部74的移動方向與水平方向所成的角度係根據例如藉由複數個導引部群所支撐的複數個基板9間的上下方向的距離以及基板9的周緣與導引部74接觸於基板9的位置之間的徑方向的距離而適宜設定。另外,圖5所示的例中,各導引部74雖於俯視觀看中的Y方向移動,但亦可為沿著俯視觀看中的從基板9的中心放射狀地擴展的徑方向(亦即對於俯視觀看中的Y方向以及X方向呈傾斜的方向)移動。
接下來,參照圖5至圖8說明夾持反轉機構80的構成。圖8係顯示夾持反轉機構80的重要部分的部分放大圖。夾持反轉機構80係具有一對反轉夾持部85、夾持部移動機構86以及旋轉機構87。一對反轉夾持部85係配置於基板9的左右方向(亦即寬度方向)的兩側中的上下方向的大致相同位置。各反轉夾持部85係具有滑軸部81、支撐柱82以及2個夾持構件83。夾持部移動機構86係具有於框體301的左右兩側配置的一對缸體861。旋轉機構87係例如配置於框體301的(-Y)側。
反轉夾持部85的滑軸部81係貫通框體301的左右方
向的側壁部。滑軸部81係於Y方向大致直線狀地延伸的棒狀構件。滑軸部81係配設於設置在該側壁部的2條斜軸部71之間。滑軸部81的寬度方向內側的端部係位於框體301的內部。於滑軸部81的寬度方向內側的端部係連接有於上下方向延伸的支撐柱82的中央部。
向寬度方向內側於左右方向延伸的夾持構件83以單邊支撐狀態連接支撐柱82的上端部以及下端部。夾持構件83係具有錐(taper)面的構件,該錐面係例如基板9的端緣部進入的剖面V字狀的錐面。於2條支撐柱82的上端部連接的2個夾持構件83係位於上下方向的大致相同位置。於2條支撐柱82的下端部連接的2個夾持構件83也位於上下方向的大致相同位置。該等4個夾持構件83係位於在Y方向延伸的基板9的直徑的延長線上。
各滑軸部81的寬度方向外側的端部係位於框體301的外部。各滑軸部81的寬度方向外側的端部係與於Y方向收縮的彈性構件84抵接。彈性構件84係例如線圈彈簧。各滑軸部81係藉由彈性構件84而常時被往另一方的滑軸部81接近的方向按壓。基板反轉裝置100中,一對夾持構件83挾著藉由支撐機構70支撐的基板9而配置於基板9的左右。之後,該一對夾持構件83藉由被一對彈性構件84往寬度方向內側按壓而被付勢於基板9的側面。藉此,水平姿勢的基板9的周緣部藉由一對夾持構件
83而被夾持。
各滑軸部81的寬度方向外側的端部係經由從滑軸部81的端部鍔狀地擴展的凸緣(flange)部等而連接於夾持部移動機構86的缸體861。缸體861的進退方向係大致平行於左右方向。藉由驅動該缸體861,而使滑軸部81於左右方向移動。
基板反轉裝置100中,藉由夾持部移動機構86的一對缸體861被驅動,而使各夾持構件83從付勢於基板9的側面的夾持位置B1往從基板9起的寬度方向外側分離的退避位置B2與滑軸部81一起移動。圖7以及圖8中,位於退避位置B2的夾持構件83等係以二點鏈線顯示。位於退避位置B2的各夾持構件83係藉由夾持部移動機構86以及彈性構件84而與滑軸部81一起往夾持位置B1移動。
旋轉機構87係具有:馬達871、帶872以及滑輪873。滑輪873係連接於框體301的外部中的(-Y)側的滑軸部81。帶872係將馬達871的旋轉對滑輪873傳達。藉由馬達871被驅動,而使滑輪873以朝向Y方向的旋轉軸作為中心旋轉。該旋轉軸係通過滑軸部81的大致中心。基板處理裝置1中,藉由在支撐機構70的各導引部74退避至退避位置A2的狀態中驅動旋轉機構87驅動,而使滑軸部
81與滑輪873一起180度旋轉,使藉由各一對夾持構件83所夾持的基板9反轉。於圖7所示的例中,上下方向排列的2片基板9係一次地反轉。
接下來,參照圖9至圖11說明導引部74的形狀以及移動。圖9係將1個導引部74放大顯示的圖。其他的3個導引部74的構造亦與圖9所示為相同。圖10以及圖11係顯示導引部74所進行的基板9的支撐狀態的圖。圖10以及圖11中,為了使圖易於理解而省略支撐部75的上側的導引部74以及框體301等的圖示。於後述的圖14至圖17中亦同。
如圖9所示,於導引部74的寬度方向內側階段狀地配置有與基板9接觸的複數個面。導引部74係具有上接觸面741、下接觸面742、上側面743以及下側面744。上接觸面741以及下接觸面742係朝向上方的面。上接觸面741與下接觸面742係在上下方向以及寬度方向中位於彼此不同的位置。具體而言,下接觸面742係位於較上接觸面741靠近下側且靠近寬度方向內側。上接觸面741以及下接觸面742係例如大致垂直於上下方向的面。上接觸面741以及下接觸面742亦可為對於上下方向些微傾斜的面。例如,上接觸面741以及下接觸面742亦可為隨著向寬度方向內側而下方接近的傾斜面。
上側面743係從上接觸面741的寬度方向外側的端部往上方延伸的面。下側面744係從下接觸面742的寬度方向外側的端部往上方延伸而到達上接觸面741的寬度方向內側的端部的面。導引部74中,下接觸面742、下側面744、上接觸面741以及上側面743係從下側向上方階段狀地連續。
圖10係顯示藉由上述的位於支撐位置A1的導引部74而支撐基板9的樣子。圖10所示的例中,(+Y)側的導引部74的上接觸面741以及(-Y)側的導引部74的上接觸面741係接觸水平姿勢的基板9的下表面的周緣部。另外,各導引部74的上側面743(參照圖9)接觸於基板9的側面。各導引部74的下接觸面742以及下側面744(參照圖9)係與基板9未接觸。
圖11顯示導引部74從支撐位置A1往寬度方向外側且上方移動達較小的距離的狀態。圖11中,將圖10中的導引部74等的位置以二點鏈線顯示。圖11中的基板9的位置係與圖10所示的基板9的位置相同。圖11所示的例中,(+Y)側的導引部74的下接觸面742以及(-Y)側的導引部74的下接觸面742係接觸於基板9的下表面的周緣部。另外,各導引部74的下側面744(參照圖9)接觸於基板9的側面。各導引部74的上接觸面741以及上側面743(參照圖9)係與基板9未接觸。
以下的說明中,亦將圖10所示的導引部74的位置(亦即支撐位置A1)稱為「第一接觸位置A1」。另外,亦將圖11所示的導引部74的位置稱為「第二接觸位置A3」。另外,第一接觸位置A1、第二接觸位置A3以及第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間的導引部74的移動路徑統稱為「接觸位置」。
導引部74的第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間的移動係藉由切換機構77的切換驅動部771進行。切換驅動部771係於框體301的(+Y)側以及(-Y)側的各者中,使導引移動機構76的缸體73以及連接於該缸體73的2個支撐部75一起移動。換言之,切換機構77係將導引部74與導引移動機構76一起移動。於導引部74從第一接觸位置A1移動至第二接觸位置A3時,藉由切換驅動部771而使缸體73以及支撐部75往寬度方向外側且上方移動。於導引部74從第二接觸位置A3移動至第一接觸位置A1時,藉由切換驅動部771而使缸體73以及支撐部75往寬度方向內側且下方移動。由切換驅動部771所進行的缸體73以及導引部74的移動方向係大致垂直於由缸體73所進行的導引部74的移動方向。
切換機構77的切換驅動部771係將位於接觸位置的導引部74的位置在在第一接觸位置A1與第二接觸位置
A3之間切換。藉此,變更導引部74與基板9之間的接觸狀態(亦即導引部74中的接觸於基板9的部位)。以下的說明中,將在導引部74中的在第一接觸位置A1接觸於基板9的周緣部的區域稱為「第一接觸區域」,將在第二接觸位置A3接觸於基板9的周緣部的區域稱為「第二接觸區域」。於圖10以及圖11所示的例中,導引部74的上接觸面741為第一接觸區域,下接觸面742為第二接觸區域。亦即,各導引部74中,第二接觸區域係位於較第一接觸區域靠近下側且靠近寬度方向內側。
位於第一接觸位置A1的左右一對導引部74間的寬度方向的距離(例如一對導引部74的內端緣間的寬度方向的距離)係較位於第二接觸位置A3的一對導引部74間的寬度方向的距離小。另外,位於第一接觸位置A1的一對導引部74中的上接觸面741的外緣間的寬度方向的距離係與位於第二接觸位置A3的一對導引部74中的下接觸面742的外緣間的寬度方向的距離大致相同。
基板反轉裝置100中,例如在上述的步驟S12中使從索引區10搬入至反轉單元30的未處理的基板9反轉時,各導引部74係在接觸位置中配置於第一接觸位置A1,各導引部74的上接觸面741係接觸基板9的周緣部的下表面且支撐基板9(圖12,步驟S121)。之後,夾持反轉機構80係夾持被支撐機構70支撐的基板9,且於各導引部74
往退避位置A2退避後使基板9反轉(步驟S122)。另外,於上述的步驟S16中,在使從洗淨處理區20搬入至反轉單元30的已背面洗淨處理的基板9反轉時,各導引部74係在接觸位置中配置於第二接觸位置A3,各導引部74的下接觸面742係接觸基板9的周緣部的下表面且支撐基板9(圖13,步驟S161)。之後,夾持反轉機構80係夾持被支撐機構70支撐的基板9,且於各導引部74往退避位置A2退避後使基板9反轉(步驟S162)。或著,亦可為藉由配置於第二接觸位置A3的導引部74支撐未處理的基板9且藉由配置於第一接觸位置A1的導引部74支撐已背面洗淨處理的基板9。
如以上所說明,基板反轉裝置100係具有支撐機構70與夾持反轉機構80。支撐機構70係接觸水平姿勢的基板9的周緣部且從下方支撐基板9。夾持反轉機構80係將藉由支撐機構70支撐的基板9夾持且反轉。支撐機構70係具有一對導引部74、導引移動機構76以及切換機構77。一對導引部74係於基板9的寬度方向的兩側接觸基板9的周緣部。導引移動機構76係使一對導引部74在接觸於基板9的接觸位置與較該接觸位置從基板9遠離的退避位置A2之間進退。切換機構77係藉由將位於接觸位置的一對導引部74的位置在第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間切換而變更一對導引部74與基板9之間的接觸狀態。
一對導引部74的各者係具有第一接觸區域以及第二接觸區域。第一接觸區域(亦即上接觸面741)係在第一接觸位置A1中接觸基板9的周緣部。第二接觸區域(亦即下接觸面742)係在上下方向以及寬度方向中位於與第一接觸區域不同的位置且在第二接觸位置A3中接觸基板9的周緣部。
基板反轉裝置100中,可配合基板9的狀態(例如未處理或已處理)將導引部74中的與基板9的接觸區域在第一接觸區域與第二接觸區域之間切換。結果,可防止例如未處理的基板9的髒污、微粒等經由導引部74的與基板9的接觸區域而附著於已處理的清淨的基板9。
如上所述,基板反轉裝置100中,於一對導引部74的各者中,第二接觸區域(亦即下接觸面742)係位於較第一接觸區域(亦即上接觸面741)靠近下側且靠近寬度方向內側。切換機構77係藉由變更一對導引部74的寬度方向的距離而將一對導引部74的位置在第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間切換。藉此,可使一對導引部74的位置的切換變得容易。
另外,切換機構77係藉由將一對導引部74與導引移動機構76一起移動而將一對導引部74的位置在第一接觸
位置A1與第二接觸位置A3之間切換。藉此,可將有關於一對導引部74的進退(亦即接觸位置與退避位置A2之間的移動)的機構以及有關於接觸位置中的一對導引部74的位置的切換的機構簡單化。
如上所述,藉由導引移動機構76所進行的各導引部74的移動方向係對於上下方向以及寬度方向呈傾斜。藉此,可將導引部74在接觸位置與退避位置A2之間移動時的於導引部74的寬度方向中的移動距離縮小。結果,可以抑制基板反轉裝置100的寬度方向中的大型化。
基板反轉裝置100中,一對導引部74的各者中,第一接觸區域以及第二接觸區域(亦即上接觸面741以及下接觸面742)為朝向上方的接觸面,第一接觸區域與第二接觸區域係階段狀地連接。藉此,可輕易地在導引部74中形成第一接觸區域以及第二接觸區域。另外,可在第一接觸區域與第二接觸區域之間良好地抑制微粒等的移動。
基板處理裝置1係具有基板反轉裝置100、背面洗淨處理部24以及屬於基板搬送部的搬送機器人22。背面洗淨處理部24係將在基板反轉裝置100被反轉的基板9的背面洗淨。搬送機器人22係在基板反轉裝置100與背面洗淨處理部24之間搬送基板9。如上所述,基板反轉裝置100中,可配合基板9的狀態切換導引部74中的與基
板9的接觸區域。因此,可將未處理的基板9的反轉與已背面洗淨處理的基板9的反轉藉由1個基板反轉裝置100執行並且防止微粒等對於基板9的附著。結果,可縮短基板9的處理所需的時間。另外,相較於配合基板9的狀態而設置複數個基板反轉裝置的情形,亦可實現基板處理裝置1的小型化。
如上所述,基板處理裝置1係進一步具有屬於洗淨處理區塊的洗淨處理區20以及屬於索引區塊的索引區10。於洗淨處理區20配置有背面洗淨處理部24以及屬於基板搬送部的搬送機器人22。於索引區10配置有屬於另一個基板搬送部的移載機器人12。索引區10係將未處理的基板9遞交至洗淨處理區20並且從洗淨處理區20收受已處理的基板9。基板反轉裝置100係配置於洗淨處理區20與索引區10之間的連接部。在搬送機器人22以及移載機器人12之中一方的搬送部將基板9搬人至基板反轉裝置100的情形中,於基板反轉裝置100被反轉的基板9係藉由另一方的搬送部而從基板反轉裝置100搬出。如此,藉由將基板反轉裝置100利用於基板9的反轉以及索引區10與洗淨處理區20之間的基板9的授受,而可進一步縮短基板處理裝置1中的基板9的處理所需的時間。
基板處理裝置1中,並不必然需要進行基板9的表面以及背面的洗淨處理,例如,亦可僅進行使用表面洗淨處
理部23對基板9的表面的洗淨處理。或著,基板處理裝置1中亦可僅進行使用背面洗淨處理部24對基板9的背面的洗淨處理。
於基板處理裝置1僅進行對基板9的背面的洗淨處理的情形,在洗淨處理區20中進行了背面洗淨處理的基板9係藉由搬送機器人22而搬入至基板反轉裝置100,且在基板反轉裝置100被反轉後藉由索引區10的移載機器人12搬出。該情形中亦與上述同樣地可進一步縮短基板9的處理所需的時間。
接下來,說明其他的較佳的基板反轉裝置。圖14以及圖15係顯示由基板反轉裝置100a的導引部74所進行的基板9的支撐狀態的圖。導引部74的形狀係與圖9所示相同。圖14係顯示藉由位於第一接觸位置A1的導引部74支撐基板9的樣子。圖15係顯示藉由位於第二接觸位置A3的導引部74支撐基板9的樣子。圖15中,將圖14中的導引部74等的位置以二點鏈線顯示。圖15中的基板9的位置係與圖14所示的基板9的位置相同。
圖14所示的例中,(+Y)側的導引部74的上接觸面741以及(-Y)側的導引部74的下接觸面742係接觸水平姿勢的基板9的下表面的周緣部。另外,(+Y)側的導引部74的上側面743以及(-Y)側的導引部74的下側面744(參照圖
9)係接觸基板9的側面。(+Y)側的導引部74的下接觸面742以及(-Y)側的導引部74的上接觸面741(參照圖9)係與基板9未接觸。
圖15所示的例中,(+Y)側的導引部74的下接觸面742以及(-Y)側的導引部74的上接觸面741係接觸水平姿勢的基板9的下表面的周緣部。另外,(+Y)側的導引部74的下側面744以及(-Y)側的導引部74的上側面743(參照圖9)係接觸基板9的側面。(+Y)側的導引部74的上接觸面741以及(-Y)側的導引部74的下接觸面742(參照圖9)係與基板9未接觸。
與上述同樣地,將在導引部74中的第一接觸位置A1接觸於基板9的周緣部的區域稱為「第一接觸區域」,將在第二接觸位置A3接觸於基板9的周緣部的區域稱為「第二接觸區域」。圖14以及圖15所示的例中,(+Y)側的導引部74的上接觸面741以及(-Y)側的導引部74的下接觸面742為第一接觸區域,(+Y)側的導引部74的下接觸面742以及(-Y)側的導引部74的上接觸面741為第二接觸區域。換言之,(+Y)側的導引部74中,第二接觸區域位於較第一接觸區域靠近下側且靠近寬度方向內側,(-Y)側的導引部74中,第二接觸區域位於較第一接觸區域靠近上側且靠近寬度方向外側。
導引部74的第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間的移動係藉由切換機構77a進行。換言之,切換機構77a係將位於接觸位置的導引部74的位置在第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間切換。切換機構77a係具有一對切換驅動部771a。切換驅動部771a係例如缸體。切換機構77a係與上述的切換機構77同樣地將導引部74與導引移動機構76的缸體73一起移動。由切換驅動部771a所進行的缸體73以及導引部74的移動方向大致垂直於由缸體73所進行的導引部74的移動方向。
當(+Y)側的導引部74從第一接觸位置A1移動至第二接觸位置A3時,藉由切換驅動部771a而使缸體73以及支撐部75往寬度方向外側且上方移動。當(-Y)側的導引部74從第一接觸位置A1移動至第二接觸位置A3時,藉由切換驅動部771a而使缸體73以及支撐部75往寬度方向內側且下方移動。當(+Y)側的導引部74從第二接觸位置A3移動至第一接觸位置A1時,藉由切換驅動部771a而使缸體73以及支撐部75往寬度方向內側且下方移動。當(-Y)側的導引部74從第二接觸位置A3移動至第一接觸位置A1時,藉由切換驅動部771a而使缸體73以及支撐部75往寬度方向外側且上方移動。
位於第一接觸位置A1的左右一對導引部74間的寬度方向的距離(例如一對導引部74的內端緣間的寬度方向的
距離)係與位於第二接觸位置A3的一對導引部74間的寬度方向的距離大致相同。
位於第一接觸位置A1的一對導引部74中,(+Y)側的導引部74的屬於第一接觸區域的上接觸面741與(-Y)側的導引部74的屬於第一接觸區域的下接觸面742係位於上下方向的相同位置。另一方面,(+Y)側的導引部74的屬於第二接觸區域的下接觸面742係位於較(-Y)側的導引部74的屬於第二接觸區域的上接觸面741靠近下側。
另外,位於第二接觸位置A3的一對導引部74中,(+Y)側的導引部74的屬於第二接觸區域的下接觸面742與(-Y)側的導引部74的屬於第二接觸區域的上接觸面741位於上下方向的相同位置。另一方面,(+Y)側的導引部74的屬於第一接觸區域的上接觸面741係位於較(-Y)側的導引部74的屬於第一接觸區域的下接觸面742靠近上側。
如以上所說明,基板反轉裝置100a中,一對導引部74的各者係具有第一接觸區域以及第二接觸區域。第一接觸區域(亦即(+Y)側的導引部74的上接觸面741以及(-Y)側的導引部74的下接觸面742)係在第一接觸位置A1中接觸基板9的周緣部。另外,第二接觸區域(亦即(+Y)側的導引部74的下接觸面742以及(-Y)側的導引部74的上接觸面741)係在上下方向以及寬度方向中位於與第一
接觸區域不同的位置且在第二接觸位置A3中接觸基板9的周緣部。
藉此,與基板反轉裝置100同樣地,可配合基板9的狀態(例如未處理或已處理)而將導引部74中的與基板9的接觸區域在第一接觸區域與第二接觸區域之間切換。結果,可防止例如未處理的基板9的髒污、微粒等經由導引部74的與基板9的接觸區域而附著於已處理的清淨的基板9。
如上所述,基板反轉裝置100a中,一對導引部74之中的一方的導引部74(亦即(+Y)側的導引部74)中,第二接觸區域(亦即下接觸面742)係位於較第一接觸區域(亦即上接觸面741)靠近下側且靠近寬度方向內側。另外,該一對導引部74之中的另一方的導引部74(亦即(-Y)側的導引部74)中,第二接觸區域(亦即上接觸面741)係位於較第一接觸區域(亦即下接觸面742)靠近上側且靠近寬度方向外側。切換機構77a係藉由使另一方的導引部74對於上述一方的導引部74相對地於上下方向移動,而將一對導引部74的位置在該一對導引部74的第一接觸區域位於上下方向的相同位置的第一接觸位置A1與該一對導引部74的第二接觸區域位於上下方向的相同位置的第二接觸位置A3之間切換。藉此,可使一對導引部74的位置的切換變得容易。
另外,切換機構77a係藉由將一對導引部74與導引移動機構76一起移動而將一對導引部74的位置在第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間切換。藉此,可將有關於一對導引部74的進退(亦即接觸位置與退避位置A2之間的移動)的機構以及有關於接觸位置中的一對導引部74的位置的切換的機構簡單化。
基板反轉裝置100a中,藉由導引移動機構76所進行的各導引部74的移動方向係對於上下方向以及寬度方向呈傾斜。藉此,可將導引部74在接觸位置與退避位置A2之間移動時的於導引部74的寬度方向中的移動距離縮小。結果,可以抑制基板反轉裝置100a的寬度方向中的大型化。
圖16以及圖17係顯示由另一較佳的基板反轉裝置100b的導引部74所進行的基板9的支撐狀態的圖。導引部74的形狀係與圖9所示相同。圖16係顯示藉由位於第一接觸位置A1的導引部74支撐基板9的樣子。圖17係顯示藉由位於第二接觸位置A3的導引部74支撐基板9的樣子。圖17中,圖16中的導引部74等的位置以二點鏈線顯示。圖17中的基板9的位置係與圖16所示的基板9的位置相同。
圖16所示的例中,(+Y)側的導引部74的上接觸面741以及(-Y)側的導引部74的下接觸面742係接觸水平姿勢的基板9的下表面的周緣部。另外,(+Y)側的導引部74的上側面743以及(-Y)側的導引部74的下側面744(參照圖9)係接觸基板9的側面。(+Y)側的導引部74的下接觸面742以及(-Y)側的導引部74的上接觸面741(參照圖9)係與基板9未接觸。
圖17所示的例中,(+Y)側的導引部74的下接觸面742以及(-Y)側的導引部74的上接觸面741係接觸水平姿勢的基板9的下表面的周緣部。另外,(+Y)側的導引部74的下側面744以及(-Y)側的導引部74的上側面743(參照圖9)係接觸基板9的側面。(+Y)側的導引部74的上接觸面741以及(-Y)側的導引部74的下接觸面742(參照圖9)係與基板9未接觸。
與上述同樣地,將在導引部74中的第一接觸位置A1接觸於基板9的周緣部的區域稱為「第一接觸區域」,將在第二接觸位置A3接觸於基板9的周緣部的區域稱為「第二接觸區域」。圖16以及圖17所示的例中,(+Y)側的導引部74的上接觸面741以及(-Y)側的導引部74的下接觸面742為第一接觸區域,(+Y)側的導引部74的下接觸面742以及(-Y)側的導引部74的上接觸面741為第二接觸區域。換言之,(+Y)側的導引部74中,第二接觸區域
位於較第一接觸區域靠近下側且靠近寬度方向內側,(-Y)側的導引部74中,第二接觸區域位於較第一接觸區域靠近上側且靠近寬度方向外側。
導引部74的第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間的移動係藉由切換機構77b進行。換言之,切換機構77b係將位於接觸位置的導引部74的位置在第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間切換。切換機構77b係與上述的切換機構77同樣地將導引部74導引移動機構76的缸體73與一起移動。
切換機構77b係具有切換驅動部771b與連接構件772b。連接構件772b係大致於Y方向延伸的棒狀構件,且將左右一對導引部74連接。圖16所示的例中,連接構件772b係將一對導引部74經由支撐柱72連接。切換驅動部771係具有例如於X方向延伸的旋轉軸773b的馬達。切換驅動部771b的旋轉軸773b係連接於連接構件772b的Y方向的中央部。藉由切換驅動部771b,連接構件772b係以旋轉軸773b作為中心而旋轉,藉此一對導引部74一體地旋轉,一對導引部74的位置係在第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間切換。
當一對導引部74從第一接觸位置A1移動至第二接觸位置A3時,藉由切換驅動部771b,一對導引部74係以
圖16以及圖17中的逆時鐘方向旋轉。當一對導引部74從第二接觸位置A3移動至第一接觸位置A1時,藉由切換驅動部771b,一對導引部74係以圖16以及圖17中的順時鐘方向旋轉。
位於第一接觸位置A1的左右一對導引部74間的寬度方向的距離(例如一對導引部74的內端緣間的寬度方向的距離)係與位於第二接觸位置A3的一對導引部74間的寬度方向的距離大致相同。
位於第一接觸位置A1的一對導引部74中,(+Y)側的導引部74的屬於第一接觸區域的上接觸面741與(-Y)側的導引部74的屬於第一接觸區域的下接觸面742係位於上下方向的相同位置。另一方面,(+Y)側的導引部74的屬於第二接觸區域的下接觸面742係位於較(-Y)側的導引部74的屬於第二接觸區域的上接觸面741靠近下側。
另外,位於第二接觸位置A3的一對導引部74中,(+Y)側的導引部74的屬於第二接觸區域的下接觸面742與(-Y)側的導引部74的屬於第二接觸區域的上接觸面741位於上下方向的相同位置。另一方面,(+Y)側的導引部74的屬於第一接觸區域的上接觸面741係位於較(-Y)側的導引部74的屬於第一接觸區域的下接觸面742靠近上側。
如以上所說明,基板反轉裝置100b中,一對導引部74的各者係具有第一接觸區域以及第二接觸區域。第一接觸區域(亦即(+Y)側的導引部74的上接觸面741以及(-Y)側的導引部74的下接觸面742)係在第一接觸位置A1中接觸基板9的周緣部。另外,第二接觸區域(亦即(+Y)側的導引部74的下接觸面742以及(-Y)側的導引部74的上接觸面741)係在上下方向以及寬度方向中位於與第一接觸區域不同的位置且在第二接觸位置A3中接觸基板9的周緣部。
藉此,與基板反轉裝置100同樣地,可配合基板9的狀態(例如未處理或已處理)而將導引部74中的與基板9的接觸區域在第一接觸區域與第二接觸區域之間切換。結果,可防止例如未處理的基板9的髒污、微粒等經由導引部74的與基板9的接觸區域而附著於已處理的清淨的基板9。
如上所述,基板反轉裝置100b中,一對導引部74之中的一方的導引部74(亦即(+Y)側的導引部74)中,第二接觸區域(亦即下接觸面742)係位於較第一接觸區域(亦即上接觸面741)靠近下側且靠近寬度方向內側。另外,該一對導引部74之中的另一方的導引部74(亦即(-Y)側的導引部74)中,第二接觸區域(亦即上接觸面741)係位於較第一接觸區域(亦即下接觸面742)靠近上側且靠近寬度方向外
側。切換機構77b係以於水平方向延伸的旋轉軸作為中心而將一對導引部74旋轉,藉此將一對導引部74的位置在該一對導引部74的第一接觸區域位於上下方向的相同位置的第一接觸位置A1與該一對導引部74的第二接觸區域位於上下方向的相同位置的第二接觸位置A3之間切換。藉此,可使一對導引部74的位置的切換變得容易。
另外,基板反轉裝置100b中,(+Y)側的導引部74與(-Y)側的導引部74亦可藉由切換機構77b各別地旋轉而於第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間移動。即使於該情形中仍與上述同樣地可使一對導引部74的位置的切換變得容易。
另外,切換機構77b係藉由將一對導引部74與導引移動機構76一起移動而將一對導引部74的位置在第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間切換。藉此,可將有關於一對導引部74的進退(亦即接觸位置與退避位置A2之間的移動)的機構以及有關於接觸位置中的一對導引部74的位置的切換的機構簡單化。
基板反轉裝置100b中,藉由導引移動機構76所進行的各導引部74的移動方向係對於上下方向以及寬度方向呈傾斜。藉此,可將導引部74在接觸位置與退避位置A2之間移動時的於導引部74的寬度方向中的移動距離縮
小。結果,可抑制基板反轉裝置100b的寬度方向中的大型化。
上述基板反轉裝置100、100a、100b以及基板處理裝置1中係可進行各種變更。
導引部74的形狀不限定於圖9所示者而亦可進行各種變更。例如,導引部74除了第一接觸區域以及第二接觸區域之外亦可更具有與第一接觸區域以及第二接觸區域在上下方向以及寬度方向中位於不同的位置的第三接觸區域。第三接觸區域係在導引部74位於與第一接觸位置A1以及第二接觸位置A3不同的第三接觸位置的狀態下接觸於基板9的周緣部。藉此,可配合基板9的3種類的狀態而將導引部74中的與基板9的接觸區域切換。導引部74亦可具有4個以上的接觸區域。設置於導引部74的複數個接觸區域的配置並非必須為階段狀而可有各種變更。另外,該接觸區域並非必須為朝向上方的接觸面,接觸區域的形狀亦可有各種變更。
當藉由切換機構77、77a、77b而將一對導引部74的位置於第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間切換時,導引移動機構76並非必須為與一對導引部74一起移動。換言之,亦可在導引移動機構76停止的狀態下,藉由切換機構77、77a、77b而使一對導引部74在第一接觸
位置A1與第二接觸位置A3之間移動。
由導引移動機構76所進行的導引部74的移動方向(亦即接觸位置與退避位置A2之間的移動方向)並非必須為對於上下方向以及寬度方向呈傾斜,例如亦可為大致平行於上下方向或寬度方向。或著,亦可設置從導引部74往上方延伸的支撐棒,藉由該支撐棒以上端部作為中心,而使導引部74在接觸於基板9的接觸位置與從接觸位置往寬度方向分離的退避位置A2之間移動。
基板處理裝置1中,亦可適宜變更表面洗淨處理部23、背面洗淨處理部24以及載置部41的配置以及數量。另外,基板反轉裝置100、100a、100b並非必須為配置在索引區10與洗淨處理區20之間的連接部。基板反轉裝置100、100a、100b的位置亦可適宜變更。
基板反轉裝置100、100a、100b亦可利用在將基板9刷洗的基板處理裝置1以外的基板處理裝置。例如,基板反轉裝置100、100a、100b亦可利用於塗佈機、顯影機,該塗佈機、顯影機係經由基板收受部而排列設置有進行基板的阻劑(resist)塗佈處理的處理區塊以及進行基板的顯像處理的處理區塊。
另外,基板反轉裝置100、100a、100b亦可利用於圖
18以及圖19所示的基板處理裝置1a。圖18係基板處理裝置1a的俯視圖。圖19係從圖18的XIX-XIX線觀看基板處理裝置1a的圖。圖19中,一併以虛線圖示有較XIX-XIX線靠前之構成的一部分。
基板處理裝置1a係與圖1所示的基板處理裝置1同樣地具有索引區10以及洗淨處理區20。索引區10係具有4個載具台11以及移載機器人12。於各載具台11載置有可收納複數個基板9的載具95。
洗淨處理區20係具有搬送機器人22、4個洗淨處理單元21c、反轉單元30、載置單元40以及接駁(shuttle)單元26。搬送機器人22係在洗淨處理區20的在Y方向中央中的於X方向延伸的通路27上移動。搬送機器人22係對於反轉單元30、載置單元40、接駁單元26以及洗淨處理單元21c進行基板9的授受的基板搬送部。4個洗淨處理單元21c係配置於洗淨處理區20的中央部的周圍。4個洗淨處理單元21c之中的2個洗淨處理單元21c係配置於通路27的(+Y)側,其他的2個洗淨處理單元21c係配置於通路27的(-Y)側。各洗淨處理單元21c中,3個洗淨處理部25於上下方向積層。亦即,洗淨處理區20係具有12個洗淨處理部25。
反轉單元30、載置單元40以及接駁單元26係配置
於在通路27的(-X)側的端部所配置的載置台28上。反轉單元30係配置於接駁單元26的上側。載置單元40係配置於反轉單元30的上側。反轉單元30係如上所述地使基板9的上下反轉。載置單元40係如上所述地具有複數個載置部41且使用於與索引區10之間的基板9的授受。接駁單元26係保持基板9且再載置台28上於X方向移動。接駁單元26係使用於索引區10的移載機器人12與洗淨處理區20的搬送機器人22之間的基板9的授受。
基板反轉裝置100、100a、100b並非必須為基板處理裝置的一部分而亦可單獨利用。另外,亦可將從基板反轉裝置100、100a、100b省略了夾持反轉機構80的裝置作為基板支撐裝置利用。該情形中,該基板支撐裝置係具有一對導引部74以及切換機構77、77a、77b。一對導引部74係在基板9的寬度方向的兩側接觸於水平姿勢的基板9的周緣部且從下方支撐基板9。切換機構77、77a、77b係藉由將一對導引部74的位置在第一接觸位置A1與第二接觸位置A3之間切換而變更一對導引部74與基板9之間的接觸狀態。一對導引部74的各者係具有第一接觸區域以及第二接觸區域。第一接觸區域係在第一接觸位置A1中接觸基板9的周緣部。第二接觸區域係在上下方向以及寬度方向中位於與第一接觸區域不同的位置且在第二接觸位置A3中接觸基板9的周緣部。
依據該基板支撐裝置,可配合基板9的狀態(例如未處理或已處理)而將導引部74中的與基板9的接觸區域在第一接觸區域與第二接觸區域之間切換。結果,可防止例如未處理的基板9的髒污、微粒等經由導引部74的與基板9的接觸區域而附著於已處理的清淨的基板9。另外,上述的基板支撐裝置、基板反轉裝置100、100a、100b以及基板處理裝置1中,除了半導體基板以外亦可運用於液晶顯示裝置、電漿顯示器、FED(field emission display;平面顯示器)等的顯示裝置所使用的玻璃基板。或著,上述的基板支撐裝置、基板反轉裝置100、100a、100b以及基板處理裝置1中亦可運用於光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等的基板。
上述實施形態以及各變化例中的構成亦可在不相互矛盾的前提下適宜組合。
雖然已詳細地描述且說明本發明,但上述說明僅為例示而非限定。如此,可知在不脫離本發明之範圍的前提下可以有多種的變化及態樣。
Claims (20)
- 一種基板反轉裝置,係具有:支撐機構,係接觸於水平姿勢的基板的周緣部且從下方支撐前述基板;以及夾持反轉機構,將藉由前述支撐機構支撐的前述基板夾持且反轉;前述支撐機構係具有:一對導引部,係於前述基板的寬度方向的兩側接觸前述基板的周緣部;導引移動機構,係使前述一對導引部在接觸於前述基板的接觸位置與較前述接觸位置從前述基板遠離的退避位置之間進退;以及切換機構,係藉由將位於前述接觸位置的前述一對導引部的位置在第一接觸位置與第二接觸位置之間切換而變更前述一對導引部與前述基板之間的接觸狀態;前述一對導引部的各者係具有:第一接觸區域,係於前述第一接觸位置中接觸前述基板的周緣部;以及第二接觸區域,係在上下方向以及前述寬度方向中位於與前述第一接觸區域不同的位置,且於前述第二接觸位置中接觸前述基板的周緣部;前述一對導引部在前述第一接觸區域中接觸時的前述基板的狀態與前述一對導引部在前述第二接觸區域中接觸時的前述基板的狀態不同。
- 如請求項1所記載之基板反轉裝置,其中前述一對導引部的各者中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近下側且靠近前述寬度方向內側;前述切換機構係藉由變更前述一對導引部的前述寬度方向的距離而將前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換。
- 如請求項1所記載之基板反轉裝置,其中於前述一對導引部之中的一方的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近下側且靠近前述寬度方向內側;於前述一對導引部之中的另一方的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近上側且靠近前述寬度方向外側;前述切換機構係藉由以於水平方向延伸的旋轉軸作為中心將前述一對導引部旋轉而將前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換,於前述第一接觸位置時前述一對導引部的前述第一接觸區域位於前述上下方向的相同位置,於前述第二接觸位置時前述一對導引部的前述第二接觸區域位於前述上下方向的相同位置。
- 如請求項1所記載之基板反轉裝置,其中在前述一對導引部之中的一方的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近下側且靠近前述寬度方向內側;於前述一對導引部之中的另一方的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近上側且靠近前述寬度方向外側;前述切換機構係藉由將前述另一方的導引部對於前述一方的導引部相對地於前述上下方向移動而將前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換,於前述第一接觸位置時前述一對導引部的前述第一接觸區域位於前述上下方向的相同位置,於前述第二接觸位置時前述一對導引部的前述第二接觸區域位於前述上下方向的相同位置。
- 如請求項1至4中任一項所記載之基板反轉裝置,其中由前述導引移動機構所進行的各導引部的移動方向係對於前述上下方向以及前述寬度方向呈傾斜。
- 如請求項1至4中任一項所記載之基板反轉裝置,其中前述切換機構係藉由將前述一對導引部與前述導引移動機構一起移動而將前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換。
- 如請求項1至4中任一項所記載之基板反轉裝置,其中前述一對導引部的各者中,前述第一接觸區域以及前述第二接觸區域為朝向上方的接觸面,前述第一接觸區域與前述第二接觸區域係階段狀地連接。
- 一種基板處理裝置,係具有:如請求項1至7中任一項所記載的基板反轉裝置;背面洗淨處理部,係將於前述基板反轉裝置中被反轉的基板的背面洗淨;以及基板搬送部,係於前述基板反轉裝置與前述背面洗淨處理部之間搬送前述基板。
- 如請求項8所記載的基板處理裝置,其中係進一步具有:洗淨處理區塊,係配置有前述背面洗淨處理部以及前述基板搬送部;以及索引區塊,係配置有另一個基板搬送部且將未處理的基板遞交至前述洗淨處理區塊並且從前述洗淨處理區塊收受已處理的基板;前述基板反轉裝置係配置於前述洗淨處理區塊與前述索引區塊之間的連接部;於前述基板搬送部以及前述另一個基板搬送部之中的一方的搬送部將基板搬入至前述基板反轉裝置的情形中,於前述基板反轉裝置中被反轉的前述基板係藉由另一方的基板搬送部從前述基板反轉裝置搬出。
- 一種基板支撐裝置,係具有:一對導引部,係於基板的寬度方向的兩側接觸水平姿勢的基板的周緣部且從下方支撐前述基板;以及切換機構,係藉由將前述一對導引部的位置在第一接觸位置與第二接觸位置之間切換而變更前述一對導引部與前述基板之間的接觸狀態;前述一對導引部的各者係具有:第一接觸區域,係於前述第一接觸位置中接觸前述基板的周緣部;以及第二接觸區域,係在上下方向以及前述寬度方向中位於與前述第一接觸區域不同的位置,且於前述第二接觸位置中接觸前述基板的周緣部;前述一對導引部在前述第一接觸區域中接觸時的前述基板的狀態與前述一對導引部在前述第二接觸區域中接觸時的前述基板的狀態不同。
- 一種基板反轉方法,係於基板反轉裝置中將基板反轉,前述基板反轉裝置係包含有:一對導引部,係具有:第一接觸區域,係接觸前述基板的周緣部;以及第二接觸區域,係在上下方向以及前述基板的寬度方向中位於與前述第一接觸區域不同的位置,且接觸前述基板的周緣部;以及夾持反轉機構,係將藉由前述一對導引部所支撐的前述基板夾持且反轉;前述基板反轉方法係包含有:a)工序,係將前述基板搬入至前述基板反轉裝置;b)工序,係使在前述基板的前述寬度方向的兩側中位於第一接觸位置的前述一對導引部的前述第一接觸區域接觸水平姿勢的前述基板的周緣部且從下方支撐前述基板;c)工序,係藉由前述夾持反轉機構將前述基板夾持,使前述一對導引部往退避位置退避後,藉由前述夾持反轉機構將前述基板反轉;d)工序,將前述基板從前述基板反轉裝置搬出;e)工序,將前述基板搬入至前述基板反轉裝置;f)工序,使位於與前述第一接觸位置不同的第二接觸位置的前述一對導引部的第二接觸區域接觸水平姿勢的前述基板的周緣部且從下方支撐前述基板;g)工序,係藉由前述夾持反轉機構將前述基板夾持,使前述一對導引部往退避位置退避後,藉由前述夾持反轉機構將前述基板反轉;以及h)工序,係將前述基板從前述基板反轉裝置搬出。
- 如請求項11所記載的基板反轉方法,其中前述一對導引部的各者中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近下側且靠近前述寬度方向內側;藉由變更前述一對導引部的前述寬度方向的距離而將前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換。
- 如請求項11所記載的基板反轉方法,其中在前述一對導引部之中的一方的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近下側且靠近前述寬度方向內側;於前述一對導引部之中的另一方的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近上側且靠近前述寬度方向外側;藉由以於水平方向延伸的旋轉軸作為中心將前述一對導引部旋轉而將前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換,於前述第一接觸位置時前述一對導引部的前述第一接觸區域位於前述上下方向的相同位置,於前述第二接觸位置時前述一對導引部的前述第二接觸區域位於前述上下方向的相同位置。
- 如請求項11所記載的基板反轉方法,其中在前述一對導引部之中的一方的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近下側且靠近前述寬度方向內側;於前述一對導引部之中的另一方的導引部中,前述第二接觸區域係位於較前述第一接觸區域靠近上側且靠近前述寬度方向外側;藉由將前述另一方的導引部對於前述一方的導引部相對地於前述上下方向移動而將前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換,於前述第一接觸位置時前述一對導引部的前述第一接觸區域位於前述上下方向的相同位置,於前述第二接觸位置時前述一對導引部的前述第二接觸區域位於前述上下方向的相同位置。
- 如請求項11至14中任一項所記載的基板反轉方法,其中在前述c)工序以及前述g)工序中的各導引部的移動方向係對於前述上下方向以及前述寬度方向呈傾斜。
- 如請求項11至14中任一項所記載的基板反轉方法,其中當前述一對導引部的位置在前述第一接觸位置與前述第二接觸位置之間切換時,前述一對導引部係與用以使前述一對導引部往前述退避位置退避的導引移動機構一起移動。
- 如請求項11至14中任一項所記載的基板反轉方法,其中前述一對導引部的各者中,前述第一接觸區域以及前述第二接觸區域為朝向上方的接觸面,前述第一接觸區域與前述第二接觸區域係階段狀地連接。
- 一種基板處理方法,係具有:如請求項11至17中任一項所記載的基板反轉方法中的前述a)工序至前述h)工序;以及背面洗淨處理工序,係在前述d)工序與前述e)工序之間將前述基板的背面洗淨。
- 如請求項18所記載的基板處理方法,其中在前述a)工序中用以將前述基板搬入的基板搬送部與在前述d)工序中用以將前述基板搬出的基板搬送部為不同的基板搬送部。
- 一種基板支撐方法,係於基板支撐裝置中將基板支撐;前述基板支撐裝置係包含有一對導引部,前述一對導引部係具有:第一接觸區域,係接觸前述基板的周緣部;以及第二接觸區域,係在上下方向以及寬度方向中位於與前述第一接觸區域不同的位置且接觸前述基板的周緣部;前述基板支撐方法係具有:a)工序,將前述基板搬入至前述基板支撐裝置;b)工序,係使在前述基板的寬度方向的兩側中位於第一接觸位置的前述一對導引部的前述第一接觸區域接觸水平姿勢的前述基板的周緣部且從下方支撐前述基板;c)工序,係將前述基板從前述基板支撐裝置搬出;d)工序,係將前述基板搬入至前述基板支撐裝置;e)工序,係使位於與前述第一接觸位置不同的第二接觸位置的前述一對導引部的第二接觸區域接觸水平姿勢的前述基板的周緣部且從下方支撐前述基板;以及f)工序,將前述基板從前述基板支撐裝置搬出。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017-165317 | 2017-08-30 | ||
JP2017165317A JP7061439B2 (ja) | 2017-08-30 | 2017-08-30 | 基板反転装置、基板処理装置および基板支持装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201921577A TW201921577A (zh) | 2019-06-01 |
TWI675433B true TWI675433B (zh) | 2019-10-21 |
Family
ID=65436006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107125731A TWI675433B (zh) | 2017-08-30 | 2018-07-25 | 基板反轉裝置、基板處理裝置、基板支撐裝置、基板反轉方法、基板處理方法以及基板支撐方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10622242B2 (zh) |
JP (1) | JP7061439B2 (zh) |
KR (1) | KR102171889B1 (zh) |
CN (1) | CN109427637B (zh) |
TW (1) | TWI675433B (zh) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6160976B1 (ja) * | 2017-01-11 | 2017-07-12 | 三広アステック株式会社 | 平行撹拌翼 |
US11130291B2 (en) | 2019-03-29 | 2021-09-28 | Xerox Corporation | Composite-based additive manufacturing (CBAM) use of gravity for excess polymer removal |
US10920351B2 (en) | 2019-03-29 | 2021-02-16 | Xerox Corporation | Sewing method and apparatus to increase 3D object strength |
US11485110B2 (en) | 2019-03-29 | 2022-11-01 | Xerox Corporation | Cross layer fiber entanglement to increase strength of 3D part |
US11104077B2 (en) | 2019-03-29 | 2021-08-31 | Xerox Corporation | Composite-based additive manufacturing (CBAM) image quality (IQ) verification and rejection handling |
US11117325B2 (en) | 2019-03-29 | 2021-09-14 | Xerox Corporation | Composite-based additive manufacturing (CBAM) augmented reality assisted sand blasting |
US11046002B2 (en) | 2019-03-29 | 2021-06-29 | Xerox Corporation | Wetting agent additive for an in-line quality check of composite-based additive manufacturing (CBAM) substrates |
US11731352B2 (en) | 2019-03-29 | 2023-08-22 | Xerox Corporation | Apparatus and method for fabricating multi-polymer composite structures |
US11214000B2 (en) | 2019-04-03 | 2022-01-04 | Xerox Corporation | Apparatus and method for fabricating multi-sided printed composite sheet structures |
US11312049B2 (en) | 2019-04-03 | 2022-04-26 | Xerox Corporation | Additive manufacturing system for halftone colored 3D objects |
US11318671B2 (en) | 2019-05-21 | 2022-05-03 | Xerox Corporation | System and method for sheeting and stacking 3D composite printed sheets |
US11518092B2 (en) | 2019-06-19 | 2022-12-06 | Xerox Corporation | Patterned pre-stop for finishing additive manufactured 3D objects |
JP7446073B2 (ja) * | 2019-09-27 | 2024-03-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7267215B2 (ja) * | 2020-01-22 | 2023-05-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送装置、処理システム及び搬送方法 |
CN111288904A (zh) * | 2020-03-09 | 2020-06-16 | 广州市泰立机电设备有限公司 | 一种取板装置及取板方法 |
CN111855669B (zh) * | 2020-07-21 | 2023-05-12 | 苏州精濑光电有限公司 | 一种基板检测装置 |
JP2022104259A (ja) * | 2020-12-28 | 2022-07-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
JP7428780B2 (ja) * | 2021-12-24 | 2024-02-06 | セメス株式会社 | 基板処理装置及び方法 |
CN115732313B (zh) * | 2022-01-30 | 2024-04-05 | 江苏亚电科技股份有限公司 | 一种晶圆水平清洗装置的清洗方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200739794A (en) * | 2006-02-22 | 2007-10-16 | Ebara Corp | Substrate processing apparatus, substrate transporting apparatus, substrate holding apparatus and chemical processing apparatus |
TW201310565A (zh) * | 2011-08-26 | 2013-03-01 | Dainippon Screen Mfg | 基板反轉裝置及基板操作方法、以及基板處理裝置 |
TW201401405A (zh) * | 2012-06-18 | 2014-01-01 | Dainippon Screen Mfg | 基板處理裝置 |
TW201620069A (zh) * | 2012-06-15 | 2016-06-01 | 斯克林集團公司 | 基板翻轉裝置及基板處理裝置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05291375A (ja) * | 1992-04-08 | 1993-11-05 | Hitachi Ltd | ウエハ搬送アーム |
JPH0687531A (ja) * | 1992-09-09 | 1994-03-29 | Hitachi Ltd | 受け渡し治具および装置 |
JP3548403B2 (ja) * | 1997-12-02 | 2004-07-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4976811B2 (ja) | 2006-10-30 | 2012-07-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板搬送装置、基板搬送方法、および記録媒体 |
KR100921519B1 (ko) * | 2007-07-31 | 2009-10-12 | 세메스 주식회사 | 기판 이송 장치 및 이를 구비하는 기판 처리 설비, 그리고상기 장치의 기판 이송 방법 |
JP5589790B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-09-17 | 株式会社安川電機 | 基板搬送用ハンドおよび基板搬送ロボット |
JP5639963B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-12-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録した記録媒体 |
-
2017
- 2017-08-30 JP JP2017165317A patent/JP7061439B2/ja active Active
-
2018
- 2018-07-23 KR KR1020180085502A patent/KR102171889B1/ko active IP Right Grant
- 2018-07-24 US US16/043,197 patent/US10622242B2/en active Active
- 2018-07-25 TW TW107125731A patent/TWI675433B/zh active
- 2018-07-27 CN CN201810843560.1A patent/CN109427637B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW200739794A (en) * | 2006-02-22 | 2007-10-16 | Ebara Corp | Substrate processing apparatus, substrate transporting apparatus, substrate holding apparatus and chemical processing apparatus |
TW201310565A (zh) * | 2011-08-26 | 2013-03-01 | Dainippon Screen Mfg | 基板反轉裝置及基板操作方法、以及基板處理裝置 |
TW201620069A (zh) * | 2012-06-15 | 2016-06-01 | 斯克林集團公司 | 基板翻轉裝置及基板處理裝置 |
TW201401405A (zh) * | 2012-06-18 | 2014-01-01 | Dainippon Screen Mfg | 基板處理裝置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10622242B2 (en) | 2020-04-14 |
US20190067077A1 (en) | 2019-02-28 |
KR20190024661A (ko) | 2019-03-08 |
TW201921577A (zh) | 2019-06-01 |
JP2019046846A (ja) | 2019-03-22 |
CN109427637A (zh) | 2019-03-05 |
KR102171889B1 (ko) | 2020-10-30 |
JP7061439B2 (ja) | 2022-04-28 |
CN109427637B (zh) | 2023-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI675433B (zh) | 基板反轉裝置、基板處理裝置、基板支撐裝置、基板反轉方法、基板處理方法以及基板支撐方法 | |
US10040102B2 (en) | Substrate processing method | |
KR102430367B1 (ko) | 기판 반전 장치, 기판 처리 장치 및 기판 협지 장치 | |
KR101944147B1 (ko) | 기판 반전 장치 및 기판 처리 장치 | |
US7878213B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
US20080156361A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US8166985B2 (en) | Substrate cleaning and processing apparatus with magnetically controlled spin chuck holding pins | |
TWI496237B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
TW201401405A (zh) | 基板處理裝置 | |
US20090025749A1 (en) | Method for vertical transfer of semiconductor substrates in a cleaning module | |
US20040197179A1 (en) | Method and apparatus for vertical transfer of semiconductor substrates between cleaning modules | |
JP3562748B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2011171591A (ja) | ウエーハの搬出入装置 | |
EP1030347A1 (en) | Device for treatment of a substrate | |
KR100466296B1 (ko) | 이송 로봇 및 이를 이용한 기판 정렬 시스템 | |
KR20210037571A (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2008198883A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2000156391A (ja) | 半導体ウェーハ検査装置 | |
JP2000036527A (ja) | 基板搬送処理装置及び基板搬送処理方法 | |
JPH11165865A (ja) | 基板位置決め装置および基板位置決め方法 | |
JPH07183358A (ja) | 基板配列ピッチ変換装置 |