JP2022104259A - 基板処理システムおよび基板処理方法 - Google Patents
基板処理システムおよび基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022104259A JP2022104259A JP2020219355A JP2020219355A JP2022104259A JP 2022104259 A JP2022104259 A JP 2022104259A JP 2020219355 A JP2020219355 A JP 2020219355A JP 2020219355 A JP2020219355 A JP 2020219355A JP 2022104259 A JP2022104259 A JP 2022104259A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- posture
- protective film
- unit
- protected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 778
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 176
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 260
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 243
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 96
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims abstract description 43
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims abstract description 43
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 324
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 93
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 61
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 45
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 38
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 18
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- -1 oxygen radicals Chemical class 0.000 description 15
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 11
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 description 10
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 7
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 5
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 5
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 4
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 4
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 4
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 4-diazoniophenolate Chemical compound [O-]C1=CC=C([N+]#N)C=C1 WTQZSMDDRMKJRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 125000004419 alkynylene group Chemical group 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 description 3
- 239000001866 hydroxypropyl methyl cellulose Substances 0.000 description 3
- 229920003088 hydroxypropyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000010979 hydroxypropyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N hydroxypropyl methyl cellulose Chemical compound OC1C(O)C(OC)OC(CO)C1OC1C(O)C(O)C(OC2C(C(O)C(OC3C(C(O)C(O)C(CO)O3)O)C(CO)O2)O)C(CO)O1 UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 3
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005201 scrubbing Methods 0.000 description 3
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 3
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 2
- JSYPRLVDJYQMAI-ODZAUARKSA-N (z)-but-2-enedioic acid;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.OC(=O)\C=C/C(O)=O JSYPRLVDJYQMAI-ODZAUARKSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NUYADIDKTLPDGG-UHFFFAOYSA-N 3,6-dimethyloct-4-yne-3,6-diol Chemical compound CCC(C)(O)C#CC(C)(O)CC NUYADIDKTLPDGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 150000001299 aldehydes Chemical class 0.000 description 2
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012661 block copolymerization Methods 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- RYYVLZVUVIJVGH-UHFFFAOYSA-N caffeine Chemical compound CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1N=CN2C RYYVLZVUVIJVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N glyoxylic acid Chemical compound OC(=O)C=O HHLFWLYXYJOTON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 125000006527 (C1-C5) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 1,2-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC=CC1=O WOAHJDHKFWSLKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 1,2-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C(=O)C=CC2=C1 KETQAJRQOHHATG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940105324 1,2-naphthoquinone Drugs 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylprop-2-en-1-one Chemical compound C=CC(=O)N1CCOCC1 XLPJNCYCZORXHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFLIGXQYDUVXDW-UHFFFAOYSA-N 2,3-bis[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(CC=2C(=C(O)C=CC=2C)CC=2C(=CC=C(C)C=2)O)=C1 UFLIGXQYDUVXDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAQOZOILPAMFSW-UHFFFAOYSA-N 2,6-bis[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(CC=2C(=C(CC=3C(=CC=C(C)C=3)O)C=C(C)C=2)O)=C1 MAQOZOILPAMFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C(C)=C JKNCOURZONDCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DPBJAVGHACCNRL-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCOC(=O)C=C DPBJAVGHACCNRL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C(CC=2C(=CC=C(C)C=2)O)=C1 XZXYQEHISUMZAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRCRJFOGPCJKPF-UHFFFAOYSA-N 2-butylbenzene-1,4-diol Chemical compound CCCCC1=CC(O)=CC=C1O XRCRJFOGPCJKPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JQPFYXFVUKHERX-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-cyclohexen-1-one Natural products OC1=CCCCC1=O JQPFYXFVUKHERX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WWJCRUKUIQRCGP-UHFFFAOYSA-N 3-(dimethylamino)propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CN(C)CCCOC(=O)C(C)=C WWJCRUKUIQRCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDPBBNNDDQOWPJ-UHFFFAOYSA-N 4-[1,2,2-tris(4-hydroxyphenyl)ethyl]phenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 HDPBBNNDDQOWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930024421 Adenine Natural products 0.000 description 1
- GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N Adenine Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2 GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N D-mannopyranose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-QTVWNMPRSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930091371 Fructose Natural products 0.000 description 1
- RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N Fructose Chemical compound OC[C@H]1O[C@](O)(CO)[C@@H](O)[C@@H]1O RFSUNEUAIZKAJO-ARQDHWQXSA-N 0.000 description 1
- 239000005715 Fructose Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- LPHGQDQBBGAPDZ-UHFFFAOYSA-N Isocaffeine Natural products CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1N(C)C=N2 LPHGQDQBBGAPDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 229920001665 Poly-4-vinylphenol Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N Uric Acid Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C2=C1NC(=O)N2 LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N Uric acid Natural products N1C(=O)NC(=O)C2NC(=O)NC21 TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)phenyl]methanol Chemical compound OCC1=CC=C(CO)C=C1 BWVAOONFBYYRHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZVQCMJNVPIDEA-UHFFFAOYSA-N [CH2]CN(CC)CC Chemical group [CH2]CN(CC)CC MZVQCMJNVPIDEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEMQUICCWRPKDB-UHFFFAOYSA-N acetic acid;cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound CC(O)=O.OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O AEMQUICCWRPKDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GAMPNQJDUFQVQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid;phthalic acid Chemical compound CC(O)=O.OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O GAMPNQJDUFQVQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229960000643 adenine Drugs 0.000 description 1
- IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N allene Chemical group C=C=C IYABWNGZIDDRAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920005603 alternating copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003242 anti bacterial agent Substances 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003429 antifungal agent Substances 0.000 description 1
- 229940121375 antifungal agent Drugs 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000003899 bactericide agent Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N biphenyl-4,4'-diol Chemical group C1=CC(O)=CC=C1C1=CC=C(O)C=C1 VCCBEIPGXKNHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- DLDJFQGPPSQZKI-UHFFFAOYSA-N but-2-yne-1,4-diol Chemical compound OCC#CCO DLDJFQGPPSQZKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001948 caffeine Drugs 0.000 description 1
- VJEONQKOZGKCAK-UHFFFAOYSA-N caffeine Natural products CN1C(=O)N(C)C(=O)C2=C1C=CN2C VJEONQKOZGKCAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920003174 cellulose-based polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 1
- QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OILAIQUEIWYQPH-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dione Chemical compound O=C1CCCCC1=O OILAIQUEIWYQPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLMGYIOTPQVQJR-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-diol Chemical compound OC1CCCC(O)C1 RLMGYIOTPQVQJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJSLFCCWAKVHIW-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,3-dione Chemical compound O=C1CCCC(=O)C1 HJSLFCCWAKVHIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000664 diazo group Chemical group [N-]=[N+]=[*] 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 229920000578 graft copolymer Polymers 0.000 description 1
- KDOWHHULNTXTNS-UHFFFAOYSA-N hex-3-yne-2,5-diol Chemical compound CC(O)C#CC(C)O KDOWHHULNTXTNS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXMQYKBAZRDVTC-UHFFFAOYSA-N hexa-2,4-diyne-1,6-diol Chemical compound OCC#CC#CCO JXMQYKBAZRDVTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920003132 hydroxypropyl methylcellulose phthalate Polymers 0.000 description 1
- 229940031704 hydroxypropyl methylcellulose phthalate Drugs 0.000 description 1
- 229920000639 hydroxypropylmethylcellulose acetate succinate Polymers 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000003903 lactic acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- DFENKTCEEGOWLB-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(methylamino)-2-methylidenepentanamide Chemical compound CCCC(=C)C(=O)N(NC)NC DFENKTCEEGOWLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088644 n,n-dimethylacrylamide Drugs 0.000 description 1
- YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylprop-2-enamide Chemical compound CN(C)C(=O)C=C YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N n-(2-methyl-4-oxopentan-2-yl)prop-2-enamide Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)NC(=O)C=C OMNKZBIFPJNNIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPHQUSNPXDGUHL-UHFFFAOYSA-N n-methylprop-2-enamide Chemical compound CNC(=O)C=C YPHQUSNPXDGUHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diol Chemical compound C1=C(O)C=CC2=CC(O)=CC=C21 MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002866 paraformaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 125000001147 pentyl group Chemical group C(CCCC)* 0.000 description 1
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001444 polymaleic acid Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N propyne Chemical group CC#C MWWATHDPGQKSAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 150000003460 sulfonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- KFUSEUYYWQURPO-OWOJBTEDSA-N trans-1,2-dichloroethene Chemical group Cl\C=C\Cl KFUSEUYYWQURPO-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
- 229940116269 uric acid Drugs 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 125000002256 xylenyl group Chemical class C1(C(C=CC=C1)C)(C)* 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67046—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly scrubbing means, e.g. brushes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
- B08B3/022—Cleaning travelling work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
【課題】基板の保護対象面の汚染を抑制しつつ、基板の洗浄対象面を良好に洗浄できる基板処理システムおよび基板処理方法を提供する。【解決手段】第1スピンチャック6Aは、基板Wに下側から対向する第1スピンベースを含み、保護対象面W1が上側に向けられる第1姿勢で基板Wを保持する。保護膜塗布ノズルは、第1スピンチャック6Aに保持されている基板Wの保護対象面W1において少なくとも周縁部に保護膜を塗布する。反転ユニット5は、第1姿勢から、保護対象面W1が下側に向けられる第2姿勢に基板Wの姿勢が変化するように、基板Wの周縁部に接触しながら基板Wを反転させる。第2スピンチャック6Bは、基板Wに下側から対向する第2スピンベースを含み、基板Wを前記第2姿勢で保持する。スクラブ洗浄ユニットは、第2スピンチャック6Bに保持されている基板Wの洗浄対象面W2を洗浄する。【選択図】図1A
Description
この発明は、基板を処理する基板処理システムと、基板を処理する基板処理方法とに関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウェハ、液晶表示装置および有機EL(Electroluminescence)表示装置等のFPD(Flat Panel Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。
下記特許文献1には、基板の上面であるデバイス面をIPA(イソプロピルアルコール)で処理した後、基板の下面である非デバイス面を洗浄する基板処理装置が開示されている。
特許文献1では、非デバイス面が下側に向けられた状態で、非デバイス面が洗浄される。非デバイス面の下側にスピンベース等の部材が配置されているため、非デバイス面を洗浄する手段は、空間的制限を受ける。
空間的制限を緩和するために、非デバイス面が上側に向けられた状態で非デバイス面を洗浄することが考え得るが、そのためには、基板が基板処理装置に搬送される前に、基板を反転させる必要がある。しかしこの場合、基板の反転に用いる部材がデバイス面に接触し、デバイス面が汚染されるという問題が生じる。
空間的制限を緩和するために、非デバイス面が上側に向けられた状態で非デバイス面を洗浄することが考え得るが、そのためには、基板が基板処理装置に搬送される前に、基板を反転させる必要がある。しかしこの場合、基板の反転に用いる部材がデバイス面に接触し、デバイス面が汚染されるという問題が生じる。
そこで、この発明の1つの目的は、基板の保護対象面の汚染を抑制しつつ、基板の洗浄対象面を良好に洗浄できる基板処理システムおよび基板処理方法を提供することである。
本開示の一態様は、保護対象面と前記保護対象面の反対側の洗浄対象面とを有する基板に下側から対向する第1ベースを含み、前記保護対象面が上側に向けられる第1姿勢で前記基板を保持する第1基板保持ユニットと、前記第1基板保持ユニットに保持されている前記基板の前記保護対象面において少なくとも周縁部に保護膜を塗布する保護膜塗布ノズルと、前記第1姿勢から、前記保護対象面が下側に向けられる第2姿勢に前記基板の姿勢が変化するように、前記基板の周縁部に接触しながら前記基板を反転させる第1反転ユニットと、前記基板に下側から対向する第2ベースを含み、前記基板を前記第2姿勢で保持する第2基板保持ユニットと、前記第2基板保持ユニットに保持されている前記基板の前記洗浄対象面を洗浄する洗浄ユニットとを備える、基板処理システムを提供する。
この構成によれば、基板を反転させる際には、基板の周縁部が第1反転ユニットに接触する。そのため、保護対象面の少なくとも周縁部に保護膜が塗布されている状態で基板を反転させれば、第1反転ユニットの接触に起因する汚染を抑制しながら基板の姿勢を第2姿勢に変化させることができる。その後、基板の姿勢が第2姿勢である状態で、洗浄ユニットによって基板の洗浄対象面を上側から洗浄することができる。そのため、第2ベースによる空間的制限を受けることなく、洗浄対象面を良好に洗浄することができる。
以上のように、基板の保護対象面の汚染を抑制しつつ、基板の洗浄対象面を良好に洗浄できる。なお、汚染とは、たとえば、パーティクル等の汚染物質が付着することである。
本開示の一態様では、前記第1基板保持ユニットが、前記洗浄対象面の中央部を前記第1ベースに吸着させて前記基板を保持する第1吸着保持ユニットを含む。そのため、第1基板保持ユニットは、基板の周縁部に接触する部材を設けることなく基板を保持することができる。すなわち、基板の保護対象面の周縁部の近傍に保護膜の塗布の妨げになる部材を設けることなく、保護膜を塗布できる。そのため、保護対象面の周縁部に対する保護膜の均一性の向上を図れる。したがって、基板の保護対象面の汚染を一層抑制できる。
本開示の一態様では、前記第1基板保持ユニットが、前記洗浄対象面の中央部を前記第1ベースに吸着させて前記基板を保持する第1吸着保持ユニットを含む。そのため、第1基板保持ユニットは、基板の周縁部に接触する部材を設けることなく基板を保持することができる。すなわち、基板の保護対象面の周縁部の近傍に保護膜の塗布の妨げになる部材を設けることなく、保護膜を塗布できる。そのため、保護対象面の周縁部に対する保護膜の均一性の向上を図れる。したがって、基板の保護対象面の汚染を一層抑制できる。
本開示の一態様では、前記第2基板保持ユニットが、前記第2ベースに支持され、前記基板の前記保護対象面の周縁部に接触して前記基板を把持する複数のチャックピンを含む。
洗浄対象面を洗浄する際には、基板の保護対象面の中央部に第2ベースを吸着させたり、第2ベースに支持された複数のチャックピンで基板の周縁部を把持したりする必要がある。すなわち、洗浄対象面の洗浄は、基板の保護対象面の少なくとも一部に、第2基板保持ユニットを構成する部材を接触させた状態で実行される。
洗浄対象面を洗浄する際には、基板の保護対象面の中央部に第2ベースを吸着させたり、第2ベースに支持された複数のチャックピンで基板の周縁部を把持したりする必要がある。すなわち、洗浄対象面の洗浄は、基板の保護対象面の少なくとも一部に、第2基板保持ユニットを構成する部材を接触させた状態で実行される。
この基板処理システムによれば、基板の保護対象面の周縁部に少なくとも保護膜が塗布されるので、基板の保護対象面の周縁部に直に複数のチャックピンを接触させることなく、複数のチャックピンで基板の周縁部を把持できる。そのため、洗浄時における基板の保持に起因する保護対象面の汚染を確実性高く抑制できる。
本開示の一態様では、前記保護膜塗布ユニットが、前記基板の前記保護対象面の全体に前記保護膜を塗布するように構成されている。そして、前記第2基板保持ユニットが、前記保護対象面の中央部を前記第2ベースに吸着させて前記基板を保持する第2吸着保持ユニットを含む。
本開示の一態様では、前記保護膜塗布ユニットが、前記基板の前記保護対象面の全体に前記保護膜を塗布するように構成されている。そして、前記第2基板保持ユニットが、前記保護対象面の中央部を前記第2ベースに吸着させて前記基板を保持する第2吸着保持ユニットを含む。
この構成によれば、基板の保護対象面の全体に保護膜が塗布される。そのため、基板の保護対象面の中央部に第2ベースを直に接触させることなく、保護膜の中央部を第2ベースに吸着させて基板を保持することができる。そのため、洗浄時における基板の保持に起因する保護対象面の汚染を抑制できる。
本開示の一態様では、前記洗浄ユニットが、前記洗浄対象面に向けて洗浄液の液滴を噴射することで前記洗浄対象面に対してスプレー洗浄を実行するスプレーノズルを含む。
本開示の一態様では、前記洗浄ユニットが、前記洗浄対象面に向けて洗浄液の液滴を噴射することで前記洗浄対象面に対してスプレー洗浄を実行するスプレーノズルを含む。
この構成によれば、洗浄液の液滴がスプレーノズルから洗浄対象面に向けて噴射されることでスプレー洗浄が行われる。そのため、洗浄液の液滴の衝突に起因する物理力によって洗浄対象面が効果的に洗浄される。
本開示の一態様では、前記洗浄ユニットが、前記基板の前記洗浄対象面に接触して前記洗浄対象面をスクラブ洗浄する洗浄部材を含む。
本開示の一態様では、前記洗浄ユニットが、前記基板の前記洗浄対象面に接触して前記洗浄対象面をスクラブ洗浄する洗浄部材を含む。
この構成によれば、洗浄対象面に洗浄部材が接触されることでスクラブ洗浄が行われる。そのため、スクラブ洗浄に起因して洗浄対象面から飛散する汚染物質が雰囲気中を浮遊する。保護対象面が保護膜の塗布によって保護されていれば、保護対象面への汚染物質の付着を抑制できる。
本開示の一態様では、前記基板処理システムが、前記第2姿勢から前記第1姿勢に記基板の姿勢が変化するように前記基板の周縁部に接触しながら前記基板を反転させる第2反転ユニットと、前記基板に下側から対向する第3ベースを含み、前記基板を前記第1姿勢で保持する第3基板保持ユニットと、前記保護対象面から前記保護膜を除去する除去液を、前記第3基板保持ユニットに保持されている前記基板の前記保護対象面に供給する除去液ノズルとをさらに備える。
本開示の一態様では、前記基板処理システムが、前記第2姿勢から前記第1姿勢に記基板の姿勢が変化するように前記基板の周縁部に接触しながら前記基板を反転させる第2反転ユニットと、前記基板に下側から対向する第3ベースを含み、前記基板を前記第1姿勢で保持する第3基板保持ユニットと、前記保護対象面から前記保護膜を除去する除去液を、前記第3基板保持ユニットに保持されている前記基板の前記保護対象面に供給する除去液ノズルとをさらに備える。
この構成によれば、基板の保護対象面に向けて上側から除去液を供給できる。そのため、下側に向けられた保護対象面に除去液を供給する構成と比較して、除去液を保護対象面の全体に満遍なく広げやすい。したがって、保護膜を保護対象面から良好に除去できる。
本開示の一態様では、前記第1基板保持ユニットが前記第3基板保持ユニットを兼ねている。そのため、保護膜の塗布および除去が、同一の基板保持ユニット(第1基板保持ユニット)に保持された状態で行われる。したがって、保護膜除去のために別の基板保持ユニットを設ける場合と比較して、基板処理システムの小型化を図れる。
本開示の一態様では、前記第1基板保持ユニットが前記第3基板保持ユニットを兼ねている。そのため、保護膜の塗布および除去が、同一の基板保持ユニット(第1基板保持ユニット)に保持された状態で行われる。したがって、保護膜除去のために別の基板保持ユニットを設ける場合と比較して、基板処理システムの小型化を図れる。
本開示の一態様では、前記基板処理システムが、前記第2姿勢から前記第1姿勢に記基板の姿勢が変化するように前記基板の周縁部に接触しながら前記基板を反転させる第2反転ユニットと、前記基板に下側から対向する第3ベースを含み、前記基板を前記第1姿勢で保持する第3基板保持ユニットと、前記保護対象面に対してプラズマ処理、または、光照射処理を実行することによって、前記保護対象面から前記保護膜を除去するドライ除去ユニットとをさらに備える。
この構成によれば、プラズマ処理、または、紫外線照射処理を実行することによって、液体を基板に供給することなく、保護対象面から保護膜を除去できる。そのため、基板を乾燥させる手間を省くことができ、保護対象面を乾燥させる際にウォータマーク(乾燥痕)の発生を抑制できる。
本開示の一態様では、前記基板処理システムが、前記第2基板保持ユニットに保持されている前記基板の前記保護対象面と前記第2ベースとの間の空間に気体を供給する気体供給ユニットをさらに備える。この構成によれば、第2ベースと保護対象面との間の空間に気体が供給されるため、当該空間から当該空間の外部へ向かう気流が形成される。そのため、洗浄対象面の洗浄中に、雰囲気中に飛散する汚染物質が第2ベースと保護対象面との間の空間に流入し、保護対象面に付着することを抑制できる。したがって、基板の保護対象面を良好に保護できる。
本開示の一態様では、前記基板処理システムが、前記第2基板保持ユニットに保持されている前記基板の前記保護対象面と前記第2ベースとの間の空間に気体を供給する気体供給ユニットをさらに備える。この構成によれば、第2ベースと保護対象面との間の空間に気体が供給されるため、当該空間から当該空間の外部へ向かう気流が形成される。そのため、洗浄対象面の洗浄中に、雰囲気中に飛散する汚染物質が第2ベースと保護対象面との間の空間に流入し、保護対象面に付着することを抑制できる。したがって、基板の保護対象面を良好に保護できる。
本開示の一態様では、前記基板処理システムが、前記基板を前記第1姿勢で収容する収容器を載置する収容器載置部材と、前記基板の前記洗浄対象面および前記保護対象面のうち下側に向けられた面の周縁部に接触するハンドを有し、前記収容器載置部材、前記第1基板保持ユニット、前記第1反転ユニット、および、前記第2基板保持ユニットの間で前記基板を搬送する搬送ユニットとをさらに備える。
この構成によれば、搬送ユニットによって収容器載置部材に載置されている収容器から第1基板保持ユニットに基板を搬送できる。基板は、第1姿勢で収容器に収容される。そのため、収容器から搬出された基板を、反転させることなく、第1姿勢で第1基板保持ユニットに保持させることができる。
また、搬送ユニットによって第1基板保持ユニットから第1反転ユニットに基板を搬送させることができる。保護対象面に保護膜が塗布された後に、第1反転ユニットに搬送された基板を第1反転ユニットによって反転させれば、第1反転ユニットによる基板の周縁部の接触に起因する基板の保護対象面の汚染を抑制しながら基板の姿勢を第2姿勢に変化させることができる。その後、搬送ユニットによって第1反転ユニットから第2基板保持ユニットに基板を搬送すれば、基板を第2姿勢で第2基板保持ユニットに保持させて洗浄対象面を洗浄することができる。
また、搬送ユニットによって第1基板保持ユニットから第1反転ユニットに基板を搬送させることができる。保護対象面に保護膜が塗布された後に、第1反転ユニットに搬送された基板を第1反転ユニットによって反転させれば、第1反転ユニットによる基板の周縁部の接触に起因する基板の保護対象面の汚染を抑制しながら基板の姿勢を第2姿勢に変化させることができる。その後、搬送ユニットによって第1反転ユニットから第2基板保持ユニットに基板を搬送すれば、基板を第2姿勢で第2基板保持ユニットに保持させて洗浄対象面を洗浄することができる。
本開示の他の態様は、保護対象面と前記保護対象面の反対側の洗浄対象面とを有する基板を、第1ベースに上側から対向する第1保持位置に、前記保護対象面が上側に向けられている第1姿勢で保持する第1基板保持工程と、前記第1基板保持工程によって、前記第1姿勢で前記第1保持位置に保持されている前記基板の前記保護対象面において少なくとも周縁部に保護膜を塗布する保護膜塗布工程と、前記保護膜塗布工程の後、前記第1姿勢から、前記保護対象面が下側に向けられている第2姿勢に前記基板の姿勢が変化するように、第1反転ユニットで前記基板の周縁部に接触させて前記基板を反転させる第1反転工程と、前記第1反転工程によって姿勢が前記第2姿勢となった前記基板を、第2ベースに上側から対向する第2保持位置に保持する第2基板保持工程と、前記第2基板保持工程によって前記第2姿勢で前記第2保持位置に保持されている前記基板の前記洗浄対象面を洗浄する洗浄工程とを含む、基板処理方法を提供する。
この方法によれば、上述の基板処理システムと同様の効果を奏する。
本開示の他の態様では、前記基板処理方法が、前記洗浄工程の後、前記第2姿勢から前記第1姿勢に前記基板の姿勢が変化するように、第2反転ユニットで前記基板の周縁部を把持して前記基板を反転させる第2反転工程と、第3ベースに上側から対向する第3保持位置に、前記第2反転工程によって姿勢が前記第1姿勢となった前記基板を保持する第3基板保持工程と、前記第3基板保持工程によって前記第1姿勢で前記第1保持位置に保持されている前記基板に除去液を供給することによって前記保護膜の除去する保護膜除去工程とを含む。
本開示の他の態様では、前記基板処理方法が、前記洗浄工程の後、前記第2姿勢から前記第1姿勢に前記基板の姿勢が変化するように、第2反転ユニットで前記基板の周縁部を把持して前記基板を反転させる第2反転工程と、第3ベースに上側から対向する第3保持位置に、前記第2反転工程によって姿勢が前記第1姿勢となった前記基板を保持する第3基板保持工程と、前記第3基板保持工程によって前記第1姿勢で前記第1保持位置に保持されている前記基板に除去液を供給することによって前記保護膜の除去する保護膜除去工程とを含む。
本開示の他の態様では、前記基板処理方法が、前記洗浄工程の後、前記第2姿勢から前記第1姿勢に前記基板の姿勢が変化するように、第2反転ユニットを前記基板の周縁部に接触させて前記基板を反転させる第2反転工程と、第3ベースに上側から対向する第3保持位置に、前記基板を前記第1姿勢で保持する第3基板保持工程と、前記第3基板保持工程によって前記第1姿勢で前記第3保持位置に保持されている前記基板に対してプラズマ処理または光照射処理を実行することによって、前記保護対象面から前記保護膜の除去する保護膜除去工程とを含む。
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して説明する。
<第1実施形態>
図1Aは、この発明の第1実施形態に係る基板処理システム1に備えられる基板処理装置2の構成を説明するための平面図である。図1Bは、基板処理装置2の構成を説明するための図解的な立面図である。
<第1実施形態>
図1Aは、この発明の第1実施形態に係る基板処理システム1に備えられる基板処理装置2の構成を説明するための平面図である。図1Bは、基板処理装置2の構成を説明するための図解的な立面図である。
基板処理システム1は、シリコンウエハ等の基板Wを処理するシステムである。基板処理システム1は、基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置(枚葉処理装置)2と、基板処理装置2を制御する制御装置(コントローラ)3とを含む。
基板処理装置2は、液体で基板Wを処理する複数の液処理装置4と、液処理装置4で処理される複数枚の基板Wを収容する複数のキャリア(収容器)Cがそれぞれ載置される複数のロードポート(収容器載置部材)LPと、ロードポートLPと液処理装置4との間で基板Wを搬送する複数の搬送ロボット(インデクサロボットIRおよび主搬送ロボットCR)とを含む。
基板処理装置2は、液体で基板Wを処理する複数の液処理装置4と、液処理装置4で処理される複数枚の基板Wを収容する複数のキャリア(収容器)Cがそれぞれ載置される複数のロードポート(収容器載置部材)LPと、ロードポートLPと液処理装置4との間で基板Wを搬送する複数の搬送ロボット(インデクサロボットIRおよび主搬送ロボットCR)とを含む。
この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板Wの直径は、たとえば、300mmである。基板Wは、保護対象面W1と、保護対象面W1とは反対側の洗浄対象面W2とを有する。保護対象面W1は、保護の対象となる面であり、洗浄対象面W2は、物理洗浄の対象となる面である。保護対象面W1は、微細な回路パターンが形成されたデバイス面、および、回路パターンが形成されていない非デバイス面のいずれかである。洗浄対象面W2も、デバイス面および非デバイス面のいずれかである。回路パターンは、たとえば、微細なトレンチにより形成されたライン状のパターンであってもよいし、複数の微細孔(ボイドまたはポア)を設けることにより形成されていてもよい。典型的には、保護対象面W1がデバイス面であり、洗浄対象面W2が非デバイス面である。
各キャリアCは、図2に示すように、複数枚の基板Wを収容する筐体部C1と、基板Wの周縁部に下側から接触し基板Wを1枚ずつ支持する複数の支持部C2とを含む。そのため、保護対象面W1が支持部C2との接触によって汚染されないように、基板Wは、保護対象面W1が上側に向けられる第1姿勢でキャリアCに収容されており、基板Wの洗浄対象面W2の周縁部が支持部C2に接触している。
洗浄対象面W2の周縁部とは、基板Wの周端と、洗浄対象面W2において基板Wの周端から所定距離だけ内側の位置との間の領域である。同様に、保護対象面W1の周縁部とは、基板Wの周端と、保護対象面W1において基板Wの周端から所定距離だけ内側の位置との間の領域である。
複数の搬送ロボットは、ロードポートLP上のキャリアCに対して基板Wの搬入および搬出を行うインデクサロボットIRと、インデクサロボットIRとの間で基板Wの受け渡しを行い、かつ、複数の液処理装置4に対して基板Wの搬入および搬出を行う主搬送ロボットCRとを含む。
複数の搬送ロボットは、ロードポートLP上のキャリアCに対して基板Wの搬入および搬出を行うインデクサロボットIRと、インデクサロボットIRとの間で基板Wの受け渡しを行い、かつ、複数の液処理装置4に対して基板Wの搬入および搬出を行う主搬送ロボットCRとを含む。
基板処理装置2は、インデクサロボットIRおよび主搬送ロボットCRから基板Wを受け取り、基板Wの周縁部を把持して基板Wを反転させる反転ユニット5をさらに含む。基板Wが反転ユニット5に反転されることによって、基板Wの姿勢は、第1姿勢と、保護対象面W1が下側に向けられる第2姿勢とのいずれかに変化する。
インデクサロボットIRおよび主搬送ロボットCRは、ロードポートLPから複数の液処理装置4に延びる搬送経路TR上に配置されている。反転ユニット5は、搬送経路TR上において、インデクサロボットIRと主搬送ロボットCRとの間に位置する。
インデクサロボットIRおよび主搬送ロボットCRは、ロードポートLPから複数の液処理装置4に延びる搬送経路TR上に配置されている。反転ユニット5は、搬送経路TR上において、インデクサロボットIRと主搬送ロボットCRとの間に位置する。
各搬送ロボットは、いずれも、一対の多関節アームARと、上下に互いに離間するように一対の多関節アームARの先端にそれぞれ設けられた一対のハンドHとを含む多関節アームロボットである。各搬送ロボットに備えられているハンドHは、洗浄対象面W2および保護対象面W1のうち下側に向けられた面の周縁部に接触して基板Wを保持するように構成されている(後述する図8Dおよび図8Fを参照)。
複数の液処理装置4は、水平に離れた4つの位置にそれぞれ配置された4つの処理タワーを形成している。各処理タワーは、上下方向に積層された複数(図1Bの例では3つ)の液処理装置4を含む。4つの処理タワーは、搬送経路TRの両側に2つずつ配置されている。
複数の液処理装置4は、基板Wの保護対象面W1に保護膜を塗布したり保護対象面W1から保護膜を除去したりする複数の膜塗布除去装置4Aと、基板Wの洗浄対象面W2に対して物理洗浄を実行する複数の物理洗浄装置4Bとを含む。物理洗浄とは、基板Wに物理力を作用させることによって基板Wを洗浄することである。物理力とは、洗浄液または洗浄部材が基板Wに与える衝撃(運動エネルギー)である。
複数の液処理装置4は、基板Wの保護対象面W1に保護膜を塗布したり保護対象面W1から保護膜を除去したりする複数の膜塗布除去装置4Aと、基板Wの洗浄対象面W2に対して物理洗浄を実行する複数の物理洗浄装置4Bとを含む。物理洗浄とは、基板Wに物理力を作用させることによって基板Wを洗浄することである。物理力とは、洗浄液または洗浄部材が基板Wに与える衝撃(運動エネルギー)である。
この実施形態では、インデクサロボットIR側の2つの処理タワーが、複数の膜塗布除去装置4Aによって構成されており、インデクサロボットIRとは反対側の2つの処理タワーが、複数の物理洗浄装置4Bによって構成されている。
各膜塗布除去装置4Aは、基板Wを水平に保持しながら基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1(鉛直軸線)まわりに基板Wを回転させる第1スピンチャック6Aと、第1スピンチャック6Aを取り囲み基板Wから飛散する液体を受ける第1処理カップ7Aと、第1スピンチャック6Aおよび第1処理カップ7Aを収容する第1チャンバ8Aとを含む。
各膜塗布除去装置4Aは、基板Wを水平に保持しながら基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1(鉛直軸線)まわりに基板Wを回転させる第1スピンチャック6Aと、第1スピンチャック6Aを取り囲み基板Wから飛散する液体を受ける第1処理カップ7Aと、第1スピンチャック6Aおよび第1処理カップ7Aを収容する第1チャンバ8Aとを含む。
各物理洗浄装置4Bは、基板Wを水平に保持しながら基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A2(鉛直軸線)まわりに基板Wを回転させる第2スピンチャック6Bと、第2スピンチャック6Bを取り囲み基板Wから飛散する液体を受ける第2処理カップ7Bと、第2スピンチャック6Bおよび第2処理カップ7Bを収容する第2チャンバ8Bとを含む。
第1チャンバ8Aには、主搬送ロボットCRによって、基板Wを搬入したり基板Wを搬出したりするための出入口(図示せず)が形成されている。第1チャンバ8Aには、この出入口を開閉するシャッタユニット(図示せず)が備えられている。第2チャンバ8Bは、第1チャンバ8Aと同様に、の構成出入口(図示せず)およびシャッタユニット(図示せず)を有する。複数の搬送ロボットは、複数のキャリアC(複数のロードポートLP)、反転ユニット5、第1スピンチャック6Aおよび第2スピンチャック6Bの間で、基板Wを搬送する搬送ユニットを構成している。
第1チャンバ8Aには、主搬送ロボットCRによって、基板Wを搬入したり基板Wを搬出したりするための出入口(図示せず)が形成されている。第1チャンバ8Aには、この出入口を開閉するシャッタユニット(図示せず)が備えられている。第2チャンバ8Bは、第1チャンバ8Aと同様に、の構成出入口(図示せず)およびシャッタユニット(図示せず)を有する。複数の搬送ロボットは、複数のキャリアC(複数のロードポートLP)、反転ユニット5、第1スピンチャック6Aおよび第2スピンチャック6Bの間で、基板Wを搬送する搬送ユニットを構成している。
図3は、膜塗布除去装置4Aの構成例を説明するための模式的な断面図である。図3では、第1チャンバ8Aの図示が省略されている。
第1スピンチャック6Aは、第1姿勢に基板Wを保持する第1基板保持ユニットの一例である。第1スピンチャック6Aは、第1姿勢に基板Wを保持しながら回転軸線A1まわりに基板Wを回転させる第1基板保持回転ユニットの一例でもある。
第1スピンチャック6Aは、第1姿勢に基板Wを保持する第1基板保持ユニットの一例である。第1スピンチャック6Aは、第1姿勢に基板Wを保持しながら回転軸線A1まわりに基板Wを回転させる第1基板保持回転ユニットの一例でもある。
第1スピンチャック6Aは、基板Wに下側から対向し基板Wの洗浄対象面W2の中央部を吸着保持する第1スピンベース21(第1ベース)と、回転軸線A1に沿って鉛直方向に延び第1スピンベース21に結合された第1回転軸22と、第1回転軸22を回転軸線A1まわりに回転させる第1スピンモータ23と、第1回転軸22および第1スピンモータ23を収容する第1モータハウジング24とを含む。洗浄対象面W2の中央部は、洗浄対象面W2の中心と、当該中心の周辺の領域とを含む領域であり、洗浄対象面W2の周縁部よりも中心側の領域である。
第1スピンベース21は、基板Wの洗浄対象面W2に吸着する吸着面21aを有する。吸着面21aは、たとえば、第1スピンベース21の上面であり、その中心を回転軸線A1が通る円形状面である。吸着面21aの直径は基板Wの直径よりも小さい。第1回転軸22の上端部は、第1モータハウジング24から突出しており、第1スピンベース21に結合されている。
第1スピンベース21および第1回転軸22には、吸引経路25が挿入されている。吸引経路25は、第1スピンベース21の吸着面21aの中心から露出する吸引口25aを有する。吸引経路25は、吸引配管26に連結されている。吸引配管26は、真空ポンプ等の吸引装置27に連結されている。
吸引経路25には、その経路を開閉するための吸引バルブ28が介装されている。吸引バルブ28を開くことによって、第1スピンベース21の吸着面21aに配置された基板Wが吸引経路25の吸引口25aに吸引される。それによって、基板Wは、吸着面21aに下側から吸着されて、所定の保持位置(図3に示す基板Wの位置、第1保持位置。)に水平に保持される。第1スピンチャック6Aは、基板Wを第1スピンベース21に吸着させて基板Wを水平に保持する第1吸着保持ユニットの一例である。
吸引経路25には、その経路を開閉するための吸引バルブ28が介装されている。吸引バルブ28を開くことによって、第1スピンベース21の吸着面21aに配置された基板Wが吸引経路25の吸引口25aに吸引される。それによって、基板Wは、吸着面21aに下側から吸着されて、所定の保持位置(図3に示す基板Wの位置、第1保持位置。)に水平に保持される。第1スピンチャック6Aは、基板Wを第1スピンベース21に吸着させて基板Wを水平に保持する第1吸着保持ユニットの一例である。
第1スピンモータ23によって第1回転軸22が回転されることにより、第1スピンベース21が回転される。これにより、第1スピンベース21と共に、基板Wが回転軸線A1まわりに回転される。
第1スピンチャック6Aは、基板Wの保護対象面W1の中心が回転軸線A1に近づくように基板Wを水平移動させるセンタリングユニット29を備えていてもよい。
第1スピンチャック6Aは、基板Wの保護対象面W1の中心が回転軸線A1に近づくように基板Wを水平移動させるセンタリングユニット29を備えていてもよい。
第1スピンベース21よりも上側には、第1スピンチャック6Aに保持されている基板Wの保護対象面W1との間の空間内の雰囲気を当該空間の外部の雰囲気から遮断する遮断板30が設けられている。
遮断板30は、第1スピンチャック6Aに保持された基板Wの保護対象面W1に上側から対向する対向面30aを有する。遮断板30は、基板Wとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状に形成されている。遮断板30において対向面30aとは反対側には、支持軸31が固定されている。
遮断板30は、第1スピンチャック6Aに保持された基板Wの保護対象面W1に上側から対向する対向面30aを有する。遮断板30は、基板Wとほぼ同じ径またはそれ以上の径を有する円板状に形成されている。遮断板30において対向面30aとは反対側には、支持軸31が固定されている。
遮断板30は、遮断板30を昇降させる遮断板昇降ユニット32に接続されている。遮断板昇降ユニット32は、たとえば、支持軸31を昇降駆動する電動モータまたはエアシリンダ等のアクチュエータ(図示せず)を含む。遮断板30は、回転軸線A1まわりに回転可能であってもよい。
第1処理カップ7Aは、第1スピンベース21の吸着面21aに保持されている基板Wから飛散する液体を受け止める複数のガード33と、複数のガード33によって下側に案内される液体を受け止める複数のカップ34と、平面視において、全てのガード33およびカップ34を取り囲む排気桶35とを含む。
第1処理カップ7Aは、第1スピンベース21の吸着面21aに保持されている基板Wから飛散する液体を受け止める複数のガード33と、複数のガード33によって下側に案内される液体を受け止める複数のカップ34と、平面視において、全てのガード33およびカップ34を取り囲む排気桶35とを含む。
図3には、3つのガード33と、3つのカップ34とが設けられている例を示している。各ガード33には、カップ34が1つずつ対応しており、各カップ34は、対応するガード33によって下側に案内された液体を受け止める。
複数のガード33には、複数のガード33を別々に昇降させる第1ガード昇降ユニット36が接続されている。第1ガード昇降ユニット36は、下位置と上位置との間で複数のガード33を個別に昇降させる。第1ガード昇降ユニット36は、複数のガード33のそれぞれの昇降を駆動する複数のアクチュエータ(図示せず)を含む。アクチュエータは、電動モータまたはエアシリンダであってもよい。
複数のガード33には、複数のガード33を別々に昇降させる第1ガード昇降ユニット36が接続されている。第1ガード昇降ユニット36は、下位置と上位置との間で複数のガード33を個別に昇降させる。第1ガード昇降ユニット36は、複数のガード33のそれぞれの昇降を駆動する複数のアクチュエータ(図示せず)を含む。アクチュエータは、電動モータまたはエアシリンダであってもよい。
膜塗布除去装置4Aは、第1保持位置に位置する基板Wの保護対象面W1に向けて上側から流体を供給する複数のノズルをさらに含む。複数のノズルは、水平方向および鉛直方向に移動する移動ノズル9と、水平位置および鉛直位置が固定された固定ノズル10と、第1保持位置に位置する基板Wの保護対象面W1の中央部に対向する位置で遮断板30とともに上下動する中央ノズル11とを含む。保護対象面W1の中央部は、保護対象面W1の中心と、中心の周辺の領域とを含む領域であり、保護対象面W1の周縁部よりも中心側の領域である。
移動ノズル9は、水平方向および鉛直方向に移動させる複数のノズル移動ユニット37に接続されている。移動ノズル9は、水平方向において、中心位置と、ホーム位置(退避位置)との間で移動することができる。移動ノズル9は、中心位置に位置するとき、基板Wの保護対象面W1の中央部に対向する。移動ノズル9は、ホーム位置に位置するとき、基板Wの保護対象面W1には対向せず、平面視において、第1処理カップ7Aの外方に位置する。ノズル移動ユニット37は、電動モータまたはエアシリンダ等のアクチュエータ(図示せず)を含む。移動ノズル9は、回動式のノズルであってもよいし、直動式のノズルであってもよい。
移動ノズル9は、その先端に吐出口9aを有する。吐出口9aは、第1保持位置よりも上側に設けられている。移動ノズル9が基板Wに上側から対向するとき、吐出口9aは、基板Wの保護対象面W1に上側から対向する。移動ノズル9は、第1保持位置に位置する基板Wの保護対象面W1に向けて保護膜形成液および除去液を供給(吐出)するように構成されている。
移動ノズル9は、基板Wの保護対象面W1に保護膜形成液を供給する保護膜形成液ノズルの一例であり、基板Wの保護対象面W1にアンモニア水等の除去液を供給する除去液ノズルの一例でもある。吐出口9aは、保護膜形成液を吐出する保護膜形成液吐出口の一例であり、除去液を吐出する除去液吐出口の一例でもある。
保護膜形成液は、基板Wの保護対象面W1を保護する保護膜を形成する液体である。保護膜形成液には、溶質および溶媒が含有されている。保護膜形成液は、保護膜形成液に含まれる溶媒の少なくとも一部が揮発(蒸発)することによって保護膜を形成する。保護膜は、基板W上に存在するパーティクル等の除去対象物を保持し、一定の形状を有する半固体状膜または固体状膜である。保護膜は、ゲル状であってもよい。
保護膜形成液は、基板Wの保護対象面W1を保護する保護膜を形成する液体である。保護膜形成液には、溶質および溶媒が含有されている。保護膜形成液は、保護膜形成液に含まれる溶媒の少なくとも一部が揮発(蒸発)することによって保護膜を形成する。保護膜は、基板W上に存在するパーティクル等の除去対象物を保持し、一定の形状を有する半固体状膜または固体状膜である。保護膜は、ゲル状であってもよい。
保護膜の形成時点は明確ではないが、溶媒の蒸発によって、一定の形状を保つことができる程度に保護膜形成液の粘度が上昇すれば保護膜が形成されたと捉えることができる。回転状態の基板Wに保護膜形成液を供給すると、基板Wに着液した瞬間から溶媒の蒸発が開始されて保護膜が形成される。そのため、基板Wへの保護膜形成液の供給は、保護膜の塗布ともいう。したがって、移動ノズル9は、保護膜塗布ノズルの一例でもある。
保護膜は、保護膜形成液が固化または硬化されることによって形成されてもよい。ここで、「固化」とは、たとえば、溶媒の揮発に伴い、分子間や原子間に作用する力等によって溶質が固まることを指す。「硬化」とは、たとえば、重合や架橋等の化学的な変化によって、溶質が固まることを指す。したがって、「固化または硬化」とは、様々な要因によって溶質が「固まる」ことを表している。 保護膜形成液には、溶質として、低溶解性成分と、除去液に対する溶解性が低溶解性成分よりも高い高溶解性成分とが含有されている。低溶解性成分および高溶解性成分としては、除去液に対する溶解性が互いに異なる物質を用いることができる。低溶解性成分は、たとえば、ノボラックである。高溶解性成分は、たとえば、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパンである。
保護膜形成液に含有される溶媒は、低溶解性成分および高溶解性成分を溶解させる液体であればよい。保護膜形成液に含有される溶媒は、除去液と相溶性を有する液体であることが好ましい。相溶性とは、2種類の液体が互いに溶けて混ざり合う性質のことである。
保護膜形成液には、腐食防止成分が含まれていてもよい。詳しくは後述するが、腐食防止成分は、たとえば、BTA(ベンゾトリアゾール)である。
保護膜形成液には、腐食防止成分が含まれていてもよい。詳しくは後述するが、腐食防止成分は、たとえば、BTA(ベンゾトリアゾール)である。
保護膜は、主に、固体状態の低溶解性成分(低溶解性固体)と固体状態の高溶解成分(高溶解性固体)とによって構成されている。保護膜中には、溶媒が残存していてもよい。保護膜形成液に含有される各成分(溶媒、低溶解性成分、高溶解性成分および腐食防止成分)の詳細については後述する。
除去液は、保護膜を基板Wの主面から剥離して除去するための液体である。除去液は、アンモニア水以外のアルカリ性水溶液(アルカリ性液体)であってもよい。アンモニア水以外のアルカリ性水溶液の具体例としては、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)水溶液、および、コリン水溶液、ならびにこれらのいずれかの組合せが挙げられる。除去液は、純水(好ましくはDIW)であってもよいし、中性または酸性の水溶液(非アルカリ性水溶液)であってもよい。
除去液は、保護膜を基板Wの主面から剥離して除去するための液体である。除去液は、アンモニア水以外のアルカリ性水溶液(アルカリ性液体)であってもよい。アンモニア水以外のアルカリ性水溶液の具体例としては、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)水溶液、および、コリン水溶液、ならびにこれらのいずれかの組合せが挙げられる。除去液は、純水(好ましくはDIW)であってもよいし、中性または酸性の水溶液(非アルカリ性水溶液)であってもよい。
移動ノズル9には、移動ノズル9に保護膜形成液および除去液を案内する共通配管40が接続されている。共通配管40には、共通配管40に保護膜形成液を案内する保護膜形成液配管41と、共通配管40に除去液を案内する除去液配管42とが接続されている。
保護膜形成液配管41に介装された保護膜形成液バルブ51が開かれると、保護膜形成液が、移動ノズル9の吐出口9aから下側に連続流で吐出される。除去液配管42に介装された除去液バルブ52が開かれると、除去液が、移動ノズル9の吐出口9aから下側に連続流で吐出される。
保護膜形成液配管41に介装された保護膜形成液バルブ51が開かれると、保護膜形成液が、移動ノズル9の吐出口9aから下側に連続流で吐出される。除去液配管42に介装された除去液バルブ52が開かれると、除去液が、移動ノズル9の吐出口9aから下側に連続流で吐出される。
固定ノズル10は、平面視で遮断板30よりも外側に配置されている。固定ノズル10には、固定ノズル10にリンス液を案内するリンス液配管43が接続されている。リンス液配管43に介装されたリンス液バルブ53が開かれると、リンス液が、固定ノズル10から斜め下側に連続流で吐出され、第1保持位置に位置する基板Wの保護対象面W1の中央部に供給される。固定ノズル10は、リンス液ノズルの一例である。
リンス液は、炭酸水に限られない。リンス液は、DIW(Deionized Water)、炭酸水、電解イオン水、希釈濃度(たとえば、1ppm以上で、かつ、100ppm以下)の塩酸水、希釈濃度(たとえば、1ppm以上で、かつ、100ppm以下)のアンモニア水、還元水(水素水)のうちの少なくとも1つを含有する液であってもよい。
中央ノズル11は、遮断板30および支持軸31に収容されている。中央ノズル11の先端に設けられた吐出口11aは、遮断板30に形成された連通孔30bから露出しており、基板Wの保護対象面W1の中央部に上側から対向している。
中央ノズル11は、遮断板30および支持軸31に収容されている。中央ノズル11の先端に設けられた吐出口11aは、遮断板30に形成された連通孔30bから露出しており、基板Wの保護対象面W1の中央部に上側から対向している。
中央ノズル11は、IPA等の残渣除去液を基板Wの上面に供給する残渣除去液チューブ39と、複数のチューブを取り囲む筒状のケーシング38とを含む。残渣除去液チューブ39およびケーシング38は、回転軸線A1に沿って上下方向に延びている。残渣除去液は、除去液によって基板Wの上面から剥離されて排除された後に基板Wの保護対象面W1に残る保護膜の残渣を溶解して基板W上から除去するための液体である。ケーシング38には、残渣除去液チューブ39の他に、リンス液チューブおよび気体チューブ等が挿入されていてもよい。
残渣除去液チューブ39は、残渣除去液を残渣除去液チューブ39に案内する残渣除去液配管44に接続されている。残渣除去液配管44に介装された残渣除去液バルブ54が開かれると、残渣除去液が、残渣除去液チューブ39(中央ノズル11)から基板Wの保護対象面W1の中央部に向けて連続流で吐出される。残渣除去液チューブ39は、残渣除去液配管44の先端部によって構成されていてもよい。中央ノズル11は、残渣除去液ノズルの一例である。
残渣除去液は、リンス液および保護膜形成液と相溶性を有することが好ましい。残渣除去液は、保護膜の残渣を溶解させる。そのため、残渣除去液は、残渣溶解液ともいう。残渣除去液は、たとえば、有機溶剤であり、IPA、HFE(ハイドロフルオロエーテル)、メタノール、エタノール、アセトン、PGEE(プロピレングリコールモノエチルエーテル)およびTrans-1,2-ジクロロエチレンのうちの少なくとも1つを含む液であってもよい。
図4は、物理洗浄装置4Bの構成例を説明するための模式的な断面図である。図4では、第2チャンバ8Bの図示が省略されている。
第2スピンチャック6Bは、基板Wを第2姿勢に保持する第2基板保持ユニットの一例である。第2スピンチャック6Bは、第2姿勢に基板Wを保持しながら回転軸線A2まわりに基板Wを回転させる第2基板保持回転ユニットの一例でもある。
第2スピンチャック6Bは、基板Wを第2姿勢に保持する第2基板保持ユニットの一例である。第2スピンチャック6Bは、第2姿勢に基板Wを保持しながら回転軸線A2まわりに基板Wを回転させる第2基板保持回転ユニットの一例でもある。
第2スピンチャック6Bは、基板Wの保護対象面W1に下側から対向する平面視略円形状の第2スピンベース61(第2ベース)と、第2スピンベース61に支持され、基板Wの周縁部を把持する複数のチャックピン60と、回転軸線A2に沿って鉛直方向に延び第2スピンベース61と一体回転するように構成されている第2回転軸62と、第2回転軸62を回転軸線A2まわりに回転させる第2スピンモータ63と、第2回転軸62および第2スピンモータ63を収容する第2モータハウジング64とを含む。
複数のチャックピン60は、第2スピンベース61の周方向に間隔を空けて第2スピンベース61の上面に配置されている。複数のチャックピン60を開閉駆動するために、開閉ユニット69が設けられている。複数のチャックピン60は、開閉ユニット69によって閉位置に移動されることによって基板Wを把持する。複数のチャックピン60は、開閉ユニット69によって開位置に移動されることによって基板Wに対する把持を解放する。開位置に位置する複数のチャックピン60は、基板Wに対する把持を解放する一方で、基板Wの保護対象面W1の周縁部を下側から支持する。開閉ユニット69は、たとえば、リンク機構(図示せず)と、駆動源(図示せず)とを含む。当該駆動源は、たとえば、電動モータを含む。
基板Wは、複数のチャックピン60によって、基板Wの周縁部を把持して基板Wを所定の保持位置(図4に示す基板Wの位置、第2保持位置。)に水平に保持される。
第2回転軸62の上端部は、第2スピンベース61に結合されている。第2スピンモータ63によって第2回転軸62が回転されることにより、第2スピンベース61が回転される。これにより、第2スピンベース61と共に、基板Wが回転軸線A2まわりに回転される。
第2回転軸62の上端部は、第2スピンベース61に結合されている。第2スピンモータ63によって第2回転軸62が回転されることにより、第2スピンベース61が回転される。これにより、第2スピンベース61と共に、基板Wが回転軸線A2まわりに回転される。
第2処理カップ7Bは、第2スピンチャック6Bに保持されている基板Wから飛散する液体を受け止める複数のガード65と、複数のガード65によって下側に案内される液体を受け止める複数のカップ66と、平面視において、全てのガード65およびカップ66を取り囲む排気桶67とを含む。
図4には、3つのガード65と、3つのカップ66とが設けられている例を示している。各ガード65には、カップ66が1つずつ対応しており、各カップ66は、対応するガード65によって下側に案内された液体を受け止める。
図4には、3つのガード65と、3つのカップ66とが設けられている例を示している。各ガード65には、カップ66が1つずつ対応しており、各カップ66は、対応するガード65によって下側に案内された液体を受け止める。
複数のガード65には、複数のガード65を別々に昇降させる第2ガード昇降ユニット68が接続されている。第2ガード昇降ユニット68は、下位置と上位置との間で複数のガード65を個別に昇降させる。第2ガード昇降ユニット68は、複数のガード65のそれぞれの昇降を駆動する複数のアクチュエータ(図示せず)を含む。アクチュエータは、電動モータまたはエアシリンダであってもよい。
物理洗浄装置4Bは、下側から基板Wの保護対象面W1に流体を供給する下側ノズル12と、基板Wの洗浄対象面W2に対してスクラブ洗浄を実行するスクラブ洗浄ユニット70(洗浄ユニット)をさらに含む。スクラブ洗浄とは、ブラシ等の洗浄部材を基板Wに接触させて擦り洗いすることで基板Wに物理力を作用させる洗浄手法のことである。スクラブ洗浄における物理力は、擦り洗いの際にブラシ等の洗浄部材が基板Wに与える衝撃(運動エネルギー)である。
スクラブ洗浄ユニット70は、基板Wの洗浄対象面W2にDIW等の洗浄液を供給する洗浄液ノズル71と、基板Wの洗浄対象面W2に接触して洗浄対象面W2を洗浄する洗浄ブラシ72(洗浄部材)と、洗浄ブラシ72を先端部に保持する揺動アーム73と、揺動アーム73を揺動するアーム駆動機構74とを含む。
洗浄液ノズル71には、洗浄液ノズル71に洗浄液を案内する洗浄液配管45が接続されている。洗浄液配管45には、洗浄液配管45内の流路を開閉する洗浄液バルブ55が介装されている。洗浄液バルブ55を開閉することによって、洗浄液ノズル71からの洗浄液の吐出および停止が切り替えられる。
洗浄液ノズル71には、洗浄液ノズル71に洗浄液を案内する洗浄液配管45が接続されている。洗浄液配管45には、洗浄液配管45内の流路を開閉する洗浄液バルブ55が介装されている。洗浄液バルブ55を開閉することによって、洗浄液ノズル71からの洗浄液の吐出および停止が切り替えられる。
洗浄液ノズル71から吐出される洗浄液は、DIWに限られない。洗浄液ノズル71から吐出される洗浄液は、膜塗布除去装置4Aにおいて用いられるリンス液として列挙したもののうちから選択される。
洗浄ブラシ72は、PVA(ポリビニルアルコール)等の合成樹脂で作成された弾性変形可能なスポンジブラシである。洗浄ブラシ72は、揺動アーム73に支持されるブラシホルダ75から下側に突出している。洗浄ブラシ72は、スポンジブラシに限らず、樹脂製の複数の繊維によって形成された毛束を備えるブラシであってもよい。
洗浄ブラシ72は、PVA(ポリビニルアルコール)等の合成樹脂で作成された弾性変形可能なスポンジブラシである。洗浄ブラシ72は、揺動アーム73に支持されるブラシホルダ75から下側に突出している。洗浄ブラシ72は、スポンジブラシに限らず、樹脂製の複数の繊維によって形成された毛束を備えるブラシであってもよい。
アーム駆動機構74は、揺動アーム73を水平面に沿って揺動させたり、揺動アーム73を上下動させたりすることができるように構成されている。この構成により、基板Wが第2スピンチャック6Bに保持されて回転しているときに、洗浄ブラシ72を基板Wの洗浄対象面W2に押し付け、かつ、その押し付け位置を基板Wの半径方向に移動させることにより、基板Wの洗浄対象面W2の全域をスクラブ洗浄することができる。
アーム駆動機構74は、たとえば、揺動アーム73を上下動させる昇降アクチュエータ(図示せず)と、揺動アーム73を揺動させる揺動アクチュエータ(図示せず)とを含む。昇降アクチュエータは、電動モータまたはエアシリンダであってもよい。揺動アクチュエータは、電動モータまたはエアシリンダであってもよい。
下側ノズル12は、第2スピンベース61の上面中央部で開口する貫通孔61bに挿入されている。下側ノズル12の吐出口12aは、第2スピンベース61の上面から露出されている。下側ノズル12の吐出口12aは、基板Wの保護対象面W1の中央部に下側から対向する。
下側ノズル12は、第2スピンベース61の上面中央部で開口する貫通孔61bに挿入されている。下側ノズル12の吐出口12aは、第2スピンベース61の上面から露出されている。下側ノズル12の吐出口12aは、基板Wの保護対象面W1の中央部に下側から対向する。
下側ノズル12は、窒素ガス(N2)等の気体を吐出するように構成されている。下側ノズル12には、下側ノズル12に案内する第1気体配管46が接続されている。第1気体配管46には、その流路を開閉する第1気体バルブ56が介装されている。
下側ノズル12と第2スピンベース61の貫通孔61bとの間の空間によって、平面視円環状の気体流路13が形成されている。気体流路13は、第2回転軸62の内周面と下側ノズル12との間の空間に挿入された第2気体配管47に接続されている。第2気体配管47に介装された第2気体バルブ57が開かれると、窒素ガス等の気体が、気体流路13から基板Wの保護対象面W1の中心の周囲の部分に向けて吐出される。下側ノズル12および気体流路13は、保護対象面W1と第2スピンベース61との間の空間に気体を供給する気体供給ユニットを構成している。気体の吐出は、下側ノズル12および気体流路13のいずれか一方のみから行うことも可能である。
下側ノズル12と第2スピンベース61の貫通孔61bとの間の空間によって、平面視円環状の気体流路13が形成されている。気体流路13は、第2回転軸62の内周面と下側ノズル12との間の空間に挿入された第2気体配管47に接続されている。第2気体配管47に介装された第2気体バルブ57が開かれると、窒素ガス等の気体が、気体流路13から基板Wの保護対象面W1の中心の周囲の部分に向けて吐出される。下側ノズル12および気体流路13は、保護対象面W1と第2スピンベース61との間の空間に気体を供給する気体供給ユニットを構成している。気体の吐出は、下側ノズル12および気体流路13のいずれか一方のみから行うことも可能である。
下側ノズル12および気体流路13から吐出される気体は、窒素ガスに限られない。気体流路13から吐出される気体は、空気であってもよい。また、下側ノズル12および気体流路13から吐出される気体は、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよい。不活性ガスとは、窒素ガスに限られず、基板Wの上面に対して不活性なガスのことである。不活性ガスの例としては、窒素ガスの他に、アルゴン等の希ガス類が挙げられる。
図5Aは、反転ユニット5の構成例を説明するための模式的な断面図である。図5Bは、図5Aに示すVB-VB線に沿う断面図である。図5Cは、図5Aに示すVC-VC線に沿う断面図である。図5Dは、図5Cに示す状態から基板Wが反転された状態を説明するための断面図である。
図5Aを参照して、反転ユニット5は、基板Wを収容する収容筐体80と、基板Wの下面(保護対象面W1および洗浄対象面W2のうち下側に向けられている面)の周縁部に接触して基板Wを下側から支持する支持機構81と、収容筐体80内で基板Wの周縁部を挟持し上下に反転させる挟持反転機構90とを含む。
図5Aを参照して、反転ユニット5は、基板Wを収容する収容筐体80と、基板Wの下面(保護対象面W1および洗浄対象面W2のうち下側に向けられている面)の周縁部に接触して基板Wを下側から支持する支持機構81と、収容筐体80内で基板Wの周縁部を挟持し上下に反転させる挟持反転機構90とを含む。
収容筐体80の内部には、インデクサロボットIRおよび主搬送ロボットCR(図1Aを参照)の両方がアクセス可能である。収容筐体80には、インデクサロボットIRの一対のハンドH(図1Aを参照)を収容筐体80の内部にアクセスさせるための第1開口80aと、主搬送ロボットCRの一対のハンドH(図1Aを参照)を収容筐体80の内部にアクセスさせるための第2開口80bとが形成されている。この実施形態では、収容筐体80の内部には、2枚の基板Wが同時に収容可能である(図5Bを参照)。
図5Aおよび図5Bを参照して、支持機構81は、基板Wの下面の周縁部に接触して基板Wを下側から支持する複数の第1支持部材82と、複数の第1支持部材82に水平方向から対向する位置で、基板Wの下面の周縁部に接触して基板Wを下側から支持する複数の第2支持部材83とを含む。複数の第1支持部材82および第2支持部材83は、所定の基準位置(上側基準位置)に基板Wが位置するように、基板Wを下側から支持する。
図5Bに示すように、基板Wの姿勢が第1姿勢であれば、第1支持部材82および第2支持部材83は、基板Wの洗浄対象面W2の周縁部に接触する。図示しないが、基板Wの姿勢が第2姿勢であれば、第1支持部材82および第2支持部材83は、基板Wの保護対象面W1の周縁部に接触する。
支持機構81は、基板Wを支持する支持位置と支持位置から下側に退避した退避位置との間で複数の第1支持部材82を移動させる第1アクチュエータ84と、基板Wを支持する支持位置と支持位置から下側に退避した退避位置との間で複数の第2支持部材83を移動させる第2アクチュエータ85とをさらに含む。第1アクチュエータ84は、退避位置から支持位置に向かうときに平面視において複数の第2支持部材83に近づくように、複数の第1支持部材82を斜め上方向に移動させる。第1アクチュエータ84は、電動モータまたはエアシリンダであってもよい。第2アクチュエータ85は、退避位置から支持位置に向かうときに平面視において複数の第1支持部材82に近づくように、複数の第2支持部材83を斜め上方向に移動させる。第2アクチュエータ85も、第1アクチュエータ84と同様に、電動モータまたはエアシリンダであってもよい。
支持機構81は、基板Wを支持する支持位置と支持位置から下側に退避した退避位置との間で複数の第1支持部材82を移動させる第1アクチュエータ84と、基板Wを支持する支持位置と支持位置から下側に退避した退避位置との間で複数の第2支持部材83を移動させる第2アクチュエータ85とをさらに含む。第1アクチュエータ84は、退避位置から支持位置に向かうときに平面視において複数の第2支持部材83に近づくように、複数の第1支持部材82を斜め上方向に移動させる。第1アクチュエータ84は、電動モータまたはエアシリンダであってもよい。第2アクチュエータ85は、退避位置から支持位置に向かうときに平面視において複数の第1支持部材82に近づくように、複数の第2支持部材83を斜め上方向に移動させる。第2アクチュエータ85も、第1アクチュエータ84と同様に、電動モータまたはエアシリンダであってもよい。
この実施形態では、収容筐体80の内部に2枚の基板Wが同時に収容される。そのため、支持機構81は、第1支持部材82(第1上側支持部材)よりも下側において、基板Wの下面の周縁部に接触して基板Wを下側から支持する複数の第1下側支持部材86と、複数の第2支持部材83(第2上側支持部材)よりも下側において、複数の第1下側支持部材86に水平方向から対向する位置で、基板Wの下面の周縁部に接触して基板Wを下側から支持する複数の第2下側支持部材87とを含む。
第1下側支持部材86および第2下側支持部材87は、所定の基準位置(下側基準位置)に基板Wが位置するように基板Wを支持する。図5Bに示すように、基板Wの姿勢が第1姿勢であれば、第1下側支持部材86および第2下側支持部材87は、基板Wの洗浄対象面W2の周縁部に接触する。図示しないが、基板Wの姿勢が第2姿勢であれば、第1下側支持部材86および第2下側支持部材87は、基板Wの保護対象面W1の周縁部に接触する。
支持機構81は、第1支持部材82および当該第1支持部材82に対応する第1下側支持部材86を連結する複数の第1連結部88と、第2支持部材83および当該第2支持部材83に対応する第2下側支持部材87を連結する複数の第2連結部89とをさらに含む(図5Bを参照)。そのため、複数の第1下側支持部材86は、第1アクチュエータ84によって、複数の第1支持部材82とともに斜め方向に移動する。さらに、複数の第2下側支持部材87は、第2アクチュエータ85によって、複数の第2支持部材83とともに斜め方向に移動する。
図5Cでは、支持機構81の図示を省略している。図5Aおよび図5Cを参照して、挟持反転機構90は、一対の第1対向部材91と、一対の第1対向部材91のそれぞれに水平方向から対向し、対応する第1対向部材91とともに、基準位置に位置する基板Wをそれぞれ挟持する一対の第2対向部材92とを含む。挟持反転機構90は、一対の第1対向部材91を支持し水平方向に延びる第1支持軸95と、一対の第2対向部材92を支持し第1支持軸95と同軸状に延びる第2支持軸96と、第1対向部材91および第2対向部材92が対向する対向方向Fに第1支持軸95を移動させる第1水平移動機構93と、対向方向Fに第2支持軸96を移動させる第2水平移動機構94とを含む。第1水平移動機構93は、たとえば、電動モータまたはエアシリンダである。第2水平移動機構94は、電動モータまたはエアシリンダである。
第1対向部材91は、基板Wの保護対象面W1の周縁部および洗浄対象面W2の周縁部の両方に接触する。第2対向部材92は、基板Wの中心に対して第1対向部材91とは反対側の位置で、基板Wの保護対象面W1の周縁部および洗浄対象面W2の周縁部の両方に接触する。
挟持反転機構90は、第1支持軸95の中心軸線A3まわりに第1支持軸95と一体回転するように第1支持軸95が挿通された第1回転軸97と、中心軸線A3まわりに第2支持軸96と一体回転するように第2支持軸96が挿通された第2回転軸98とを含む。第1回転軸97と第1支持軸95とは、たとえば、凹凸係合によって一体回転可能にされている。第2回転軸98と第2支持軸96とは、たとえば、凹凸係合によって一体回転可能にされている。
挟持反転機構90は、第1支持軸95の中心軸線A3まわりに第1支持軸95と一体回転するように第1支持軸95が挿通された第1回転軸97と、中心軸線A3まわりに第2支持軸96と一体回転するように第2支持軸96が挿通された第2回転軸98とを含む。第1回転軸97と第1支持軸95とは、たとえば、凹凸係合によって一体回転可能にされている。第2回転軸98と第2支持軸96とは、たとえば、凹凸係合によって一体回転可能にされている。
挟持反転機構90は、第1回転軸97を中心軸線A3まわりに回転させる回転機構99と、第1回転軸97および第2回転軸98を連結する一対の軸連結部材100とをさらに含む。回転機構99は、たとえば、電動モータまたはエアシリンダを含む。
一対の第1対向部材91は、中心軸線A3を中心として対称に配置されており、一対の第2対向部材92は、中心軸線A3を中心として対称に配置されている。挟持反転機構90は、一対の第1対向部材91と第1支持軸95とを連結する第1連結部材101と、一対の第2対向部材92と第2支持軸96と連結する第2連結部材102とをさらに含む。
一対の第1対向部材91は、中心軸線A3を中心として対称に配置されており、一対の第2対向部材92は、中心軸線A3を中心として対称に配置されている。挟持反転機構90は、一対の第1対向部材91と第1支持軸95とを連結する第1連結部材101と、一対の第2対向部材92と第2支持軸96と連結する第2連結部材102とをさらに含む。
回転機構99が駆動することによって、第1回転軸97および第2回転軸98が回転し、一対の第1対向部材91および一対の第2対向部材92が中心軸線A3まわりに回転する。
以下では、反転ユニット5による基板Wの反転動作について説明する。
まず、インデクサロボットIRまたは主搬送ロボットCR(図1Aを参照)によって、図5Bに示すように、複数の第1支持部材82および複数の第2支持部材83に1枚の基板W(以下では、「基板WA」という。)が載置され、複数の第1下側支持部材86および複数の第2下側支持部材87に1枚の基板W(以下では、「基板WB」という。)が載置される。
以下では、反転ユニット5による基板Wの反転動作について説明する。
まず、インデクサロボットIRまたは主搬送ロボットCR(図1Aを参照)によって、図5Bに示すように、複数の第1支持部材82および複数の第2支持部材83に1枚の基板W(以下では、「基板WA」という。)が載置され、複数の第1下側支持部材86および複数の第2下側支持部材87に1枚の基板W(以下では、「基板WB」という。)が載置される。
以下では、簡略化のため、基板WAの反転動作のみについて説明する。基板WBの反転動作については、以下の説明における「複数の第1支持部材82」および「複数の第2支持部材83」と、「複数の第1下側支持部材86」および「複数の第2下側支持部材87」とを入れ替えた動作と同じである。
基板WAが複数の第1支持部材82および複数の第2支持部材83に載置されている状態で、第1対向部材91および第2対向部材92を互いに近づけることで、第1対向部材91および第2対向部材92によって基板WAが挟持される。
基板WAが複数の第1支持部材82および複数の第2支持部材83に載置されている状態で、第1対向部材91および第2対向部材92を互いに近づけることで、第1対向部材91および第2対向部材92によって基板WAが挟持される。
第1対向部材91および第2対向部材92によって基板WAが挟持されている状態で複数の第1支持部材82および複数の第2支持部材83を斜め下方向に退避位置に向けて移動させて複数の第1支持部材82および複数の第2支持部材83を退避させる。これにより、基板WAが第1対向部材91および第2対向部材92に受け渡される。
複数の第1支持部材82および複数の第2支持部材83が退避した状態で、第1対向部材91および第2対向部材92を回転させることで、基板WAが反転される。基板WAの姿勢は、図5Cに示す反転前の状態では、第1姿勢であり、図5Dに示す反転後の状態をでは、第2姿勢である。
複数の第1支持部材82および複数の第2支持部材83が退避した状態で、第1対向部材91および第2対向部材92を回転させることで、基板WAが反転される。基板WAの姿勢は、図5Cに示す反転前の状態では、第1姿勢であり、図5Dに示す反転後の状態をでは、第2姿勢である。
基板WAが反転された後、複数の第1下側支持部材86および複数の第2下側支持部材87を斜め上側に支持位置に向けて移動させることで、複数の第1下側支持部材86および複数の第2下側支持部材87によって基板WAが下側から支持される。複数の第1下側支持部材86および複数の第2下側支持部材87によって基板WAが下側から支持されている状態で、第1対向部材91および第2対向部材92を互いに離間させるように移動させることで、複数の第1下側支持部材86および複数の第2下側支持部材87に基板WAが受け渡される。この状態で、インデクサロボットIRおよび主搬送ロボットCR(図1Aを参照)が基板WAにアクセスできる。
同様の動作によって、基板WAの姿勢を、第2姿勢から第1姿勢に変化させることもできる。このように、反転ユニット5は、第1姿勢および第2姿勢のいずれかに基板Wの姿勢が変化するように、第1対向部材91および第2対向部材92によって基板Wの周縁部を挟持して基板Wを反転させることができる。
反転ユニット5は、支持機構81を用いて基板Wを下側から支持できるため、基板Wを反転させることなくインデクサロボットIRおよび主搬送ロボットCRの間で基板Wを受け渡すために基板Wが一時的に載置される載置ユニットとしても機能する。
反転ユニット5は、支持機構81を用いて基板Wを下側から支持できるため、基板Wを反転させることなくインデクサロボットIRおよび主搬送ロボットCRの間で基板Wを受け渡すために基板Wが一時的に載置される載置ユニットとしても機能する。
図6は、基板処理システム1の制御に関する構成例を説明するためのブロック図である。制御装置3は、コンピュータ本体3aと、コンピュータ本体3aに接続された周辺装置3dとを含む、コンピュータである。コンピュータ本体3aは、各種の命令を実行するCPU3b(central processing unit:中央処理装置)と、情報を記憶する主記憶装置3cとを含む。周辺装置3dは、プログラムP等の情報を記憶する補助記憶装置3eと、リムーバブルメディアRMから情報を読み取る読取装置3fと、ホストコンピュータ等の他の装置と通信する通信装置3gとを含む。
制御装置3は、入力装置3A、表示装置3B、および警報装置3Cに接続されている。入力装置3Aは、ユーザやメンテナンス担当者等の操作者が基板処理装置2に情報を入力するときに操作される。情報は、表示装置3Bの画面に表示される。入力装置3Aは、キーボード、ポインティングデバイス、およびタッチパネルのいずれかであってもよいし、これら以外の装置であってもよい。入力装置3Aおよび表示装置3Bを兼ねるタッチパネルディスプレイが基板処理装置2に設けられていてもよい。警報装置3Cは、光、音、文字、および図形のうちの1つ以上を用いて警報を発する。入力装置3Aがタッチパネルディスプレイの場合、入力装置3Aが、警報装置3Cを兼ねていてもよい。
CPU3bは、補助記憶装置3eに記憶されたプログラムPを実行する。補助記憶装置3e内のプログラムPは、制御装置3に予めインストールされたものであってもよいし、読取装置3fを通じてリムーバブルメディアRMから補助記憶装置3eに送られたものであってもよいし、ホストコンピュータHC等の外部装置から通信装置3gを通じて補助記憶装置3eに送られたものであってもよい。
補助記憶装置3eおよびリムーバブルメディアRMは、電力が供給されていなくても記憶を保持する不揮発性メモリである。補助記憶装置3eは、たとえば、ハードディスクドライブ等の磁気記憶装置である。リムーバブルメディアRMは、たとえば、コンパクトディスク等の光ディスクまたはメモリーカード等の半導体メモリである。リムーバブルメディアRMは、プログラムPが記録されたコンピュータ読取可能な記録媒体の一例である。リムーバブルメディアRMは、一時的ではない有形の記録媒体である。
補助記憶装置3eは、複数のレシピRを記憶している。レシピRは、基板Wの処理内容、処理条件、および処理手順を規定する情報である。複数のレシピRは、基板Wの処理内容、処理条件、および処理手順の少なくとも一つにおいて互いに異なる。
制御装置3は、主記憶装置3cに設定されたレシピRにしたがって基板Wが処理されるように液処理装置4、反転ユニット5、インデクサロボットIR、主搬送ロボットCR等を制御する。以下の各工程は、制御装置3がこれらの構成を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置3は、以下の各工程を実行するようにプログラムされている。
制御装置3は、主記憶装置3cに設定されたレシピRにしたがって基板Wが処理されるように液処理装置4、反転ユニット5、インデクサロボットIR、主搬送ロボットCR等を制御する。以下の各工程は、制御装置3がこれらの構成を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置3は、以下の各工程を実行するようにプログラムされている。
図7は、基板処理システム1よる基板処理の一例を説明するための流れ図である。図7には、主として、制御装置3がプログラムを実行することによって実現される処理が示されている。図8A~図8Hは、基板処理システム1による基板処理の各工程の様子を説明するための模式図である。
基板処理システム1による基板処理では、たとえば、図7に示すように、保護膜形成液供給工程(ステップS1)、保護膜形成工程(ステップS2)、第1反転工程(ステップS3)、物理洗浄工程(ステップS4)、第2反転工程(ステップS5)、保護膜除去工程(ステップS6)、リンス工程(ステップS7)、残渣除去工程(ステップS8)、および、基板乾燥工程(ステップS9)がこの順番で実行される。
基板処理システム1による基板処理では、たとえば、図7に示すように、保護膜形成液供給工程(ステップS1)、保護膜形成工程(ステップS2)、第1反転工程(ステップS3)、物理洗浄工程(ステップS4)、第2反転工程(ステップS5)、保護膜除去工程(ステップS6)、リンス工程(ステップS7)、残渣除去工程(ステップS8)、および、基板乾燥工程(ステップS9)がこの順番で実行される。
以下では、基板処理システム1による基板処理について、主に図1A~図4および図7を参照して説明する。図8A~図8Hについては適宜参照する。
まず、未処理の基板Wが、インデクサロボットIRによってキャリアCから搬出される。インデクサロボットIRは、反転ユニット5を介して、主搬送ロボットCRに基板Wを受け渡す。主搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRから受け取った基板Wを膜塗布除去装置4A内に搬送し、第1スピンチャック6Aに受け渡す。
まず、未処理の基板Wが、インデクサロボットIRによってキャリアCから搬出される。インデクサロボットIRは、反転ユニット5を介して、主搬送ロボットCRに基板Wを受け渡す。主搬送ロボットCRは、インデクサロボットIRから受け取った基板Wを膜塗布除去装置4A内に搬送し、第1スピンチャック6Aに受け渡す。
前述したように、基板Wは、第1姿勢でキャリアC内に収容されている(図2を参照)。そのため、第1スピンチャック6Aに受け渡された後においても、基板Wの姿勢は第1姿勢に維持されている。
主搬送ロボットCRから第1スピンチャック6Aに受け渡されることによって、基板Wは、第1スピンベース21の吸着面21a上に基板Wが載置される。基板Wが吸着面21aに載置されている状態で、吸引バルブ28が開かれる。これにより、基板Wの洗浄対象面W2が、下側から第1スピンベース21の吸着面21aに吸着される。これにより、図8Aに示すように、基板Wが第1姿勢で第1保持位置に保持される(第1基板保持工程)。
主搬送ロボットCRから第1スピンチャック6Aに受け渡されることによって、基板Wは、第1スピンベース21の吸着面21a上に基板Wが載置される。基板Wが吸着面21aに載置されている状態で、吸引バルブ28が開かれる。これにより、基板Wの洗浄対象面W2が、下側から第1スピンベース21の吸着面21aに吸着される。これにより、図8Aに示すように、基板Wが第1姿勢で第1保持位置に保持される(第1基板保持工程)。
第1スピンベース21上に載置された基板Wは、吸引バルブ28が開かれる前に、センタリングユニット29によって、基板Wの保護対象面W1の中央部と回転軸線A1とがほぼ一致するようにセンタリングされてもよい。
次に、主搬送ロボットCRが膜塗布除去装置4A外に退避した後、保護膜形成液供給工程(ステップS1)が開始される。保護膜形成液供給工程では、まず、第1スピンモータ23が、第1スピンベース21を回転させる。これにより、第1保持位置に保持されている基板Wが回転される(第1基板回転工程)。
次に、主搬送ロボットCRが膜塗布除去装置4A外に退避した後、保護膜形成液供給工程(ステップS1)が開始される。保護膜形成液供給工程では、まず、第1スピンモータ23が、第1スピンベース21を回転させる。これにより、第1保持位置に保持されている基板Wが回転される(第1基板回転工程)。
その後、ノズル移動ユニット37が、移動ノズル9を処理位置に移動させる。移動ノズル9の処理位置は、たとえば、中央位置である。移動ノズル9が処理位置に位置する状態で、保護膜形成液バルブ51が開かれる。これにより、図8Aに示すように、回転状態の基板Wの保護対象面W1の中央部に向けて、移動ノズル9の吐出口9aから、保護膜形成液が供給(吐出)される(保護膜形成液供給工程、保護膜形成液吐出工程)。基板Wの保護対象面W1に供給された保護膜形成液が、遠心力により、保護対象面W1の全体に広がる。これにより、図8Bに示すように、基板Wの保護対象面W1の全体に保護膜形成液の液膜201が形成される(液膜形成工程)。
次に、保護膜形成工程(ステップS2)が実行される。保護膜形成工程では、保護膜形成液の液膜201を薄膜化しながら液膜201中の溶媒の蒸発を促進することで、半固体状または固体状の保護膜200(図8Cを参照)が保護対象面W1に形成される。
保護膜形成工程では、基板W上の保護膜形成液の液膜201の厚さが薄くされる(薄膜化工程)。具体的には、保護膜形成液バルブ51が閉じられることにより、基板Wに対する保護膜形成液の供給が停止される。保護対象面W1への保護膜形成液の供給が停止された状態で基板Wが回転するため、保護対象面W1から保護膜形成液の一部が排除される(スピンオフ工程)。これにより、基板W上の液膜201の厚さが適切な厚さになる。保護膜形成液バルブ51が閉じられた後、移動ノズル9はノズル移動ユニット37によってホーム位置に移動される。
保護膜形成工程では、基板W上の保護膜形成液の液膜201の厚さが薄くされる(薄膜化工程)。具体的には、保護膜形成液バルブ51が閉じられることにより、基板Wに対する保護膜形成液の供給が停止される。保護対象面W1への保護膜形成液の供給が停止された状態で基板Wが回転するため、保護対象面W1から保護膜形成液の一部が排除される(スピンオフ工程)。これにより、基板W上の液膜201の厚さが適切な厚さになる。保護膜形成液バルブ51が閉じられた後、移動ノズル9はノズル移動ユニット37によってホーム位置に移動される。
基板Wの回転に起因する遠心力は、基板Wの保護対象面W1から保護膜形成液が排除されるだけでなく、液膜201に接する気体にも作用する。遠心力の作用により、当該気体が基板Wの保護対象面W1の中心側から周縁側に向かう気流が形成される。この気流により、液膜201に接する気体状態の溶媒が基板Wに接する雰囲気から排除される。そのため、基板W上の保護膜形成液からの溶媒の蒸発(揮発)が促進され、図8Cに示すように、保護膜200が形成される(溶媒蒸発工程、保護膜形成工程)。このように、保護膜形成液の供給の後、保護対象面W1には速やかに保護膜200が形成される。言い換えると、保護膜形成液の供給によって、保護対象面W1に保護膜200が塗布される(保護膜塗布工程)。
保護膜形成工程が開始される前に、図8Aに示すように保護対象面W1の中央部のみに保護膜形成液が存在している状態で、保護膜形成液バルブ51が閉じられてもよい。この場合、基板Wの回転に起因する遠心力によって、保護膜形成液が保護対象面W1の全体に広がって液膜201が薄くされる。そのため、保護対象面W1から排除される保護膜形成液の量を低減できる。
保護膜200を塗布する際、第1スピンベース21の吸着面21aに、洗浄対象面W2の中央部を吸着されている。そのため、第1スピンチャック6Aは、基板Wの周縁部に接触する部材を設けることなく、基板Wを保持することができる。すなわち、保護対象面W1の周縁部の近傍に保護膜200の塗布の妨げになる部材を設けることなく、保護膜200を塗布できる。そのため、保護対象面W1の周縁部に対する保護膜200の均一性の向上を図れる。言い換えると、基板Wの保護対象面W1を良好に保護できる。
保護対象面W1に保護膜200が形成されている状態で、基板Wは、主搬送ロボットCRによって、膜塗布除去装置4Aから搬出される。具体的には、基板Wの回転が停止され、かつ、吸引バルブ28が閉じられた後、主搬送ロボットCRが第1スピンチャック6Aから基板Wを受け取る。図8Dに示すように、基板Wは、洗浄対象面W2の周縁部にハンドHが接触した状態で主搬送ロボットCRによって搬送される。膜塗布除去装置4Aから搬出された基板Wは、主搬送ロボットCRによって反転ユニット5に搬入される。反転ユニット5に搬入された基板Wは、基板Wの姿勢が第1姿勢から第2姿勢に変化するように、反転ユニット5によって反転される(ステップS3:第1反転工程)。図8Eには、反転ユニット5によって反転された後の基板Wの様子を示す。詳しくは、反転ユニット5は、保護対象面W1に保護膜200が形成されている状態の基板Wの姿勢が、第1姿勢から第2姿勢に変化するように、基板Wの周縁部に接触しながら基板Wを反転させる。反転ユニット5は、第1反転ユニットとして機能する。
反転ユニット5によって反転された基板Wは、主搬送ロボットCRによって、反転ユニット5から搬出される。図8Fに示すように、基板Wは、保護対象面W1の周縁部にハンドHが接触した状態で主搬送ロボットCRによって搬送される。基板Wは、主搬送ロボットCRによって物理洗浄装置4B内に搬入され、第2スピンチャック6Bに受け渡される。これにより、基板Wは、保護対象面W1が下側に向けられた状態で、開位置に位置する複数のチャックピン60上に上側から載置される。主搬送ロボットCRは、基板Wを複数のチャックピン60上に載置した後、物理洗浄装置4B外に退避する。
複数のチャックピン60上に基板Wが載置されている状態で、複数のチャックピン60が閉位置に移動される。これにより、第2スピンチャック6Bは、反転ユニット5によって姿勢が第2姿勢に変化された状態の基板Wを保持する。詳しくは、図8Gに示すように、複数のチャックピン60が保護対象面W1の周縁部に接触して基板Wを把持し、基板Wを第2姿勢で第2保持位置に保持する(第2基板保持工程)。保護対象面W1の周縁部には保護膜200が塗布されるので、保護対象面W1の周縁部に直に複数のチャックピン60を接触させることなく、複数のチャックピン60で基板Wの周縁部を把持できる。そのため、基板Wの保持に起因する保護対象面W1の汚染を確実性高く抑制できる。
複数のチャックピン60に基板Wが把持されている状態で、第2スピンモータ63が第2スピンベース61を回転させる。これにより、第2保持位置に保持されている基板Wが回転される(第2基板回転工程)。
次に、基板Wの洗浄対象面W2の物理処理する物理洗浄工程(ステップS4)が開始される。物理洗浄工程では、スクラブ洗浄ユニット70は、保護対象面W1に保護膜200が形成されており、かつ、第2スピンチャック6Bに保持されている状態の基板Wの洗浄対象面W2を洗浄する。詳しくは、基板Wの洗浄対象面W2に洗浄液を供給しながら洗浄対象面W2に洗浄ブラシ72を押し付けて洗浄対象面W2を洗浄するスクラブ洗浄(物理洗浄)が実行される。
次に、基板Wの洗浄対象面W2の物理処理する物理洗浄工程(ステップS4)が開始される。物理洗浄工程では、スクラブ洗浄ユニット70は、保護対象面W1に保護膜200が形成されており、かつ、第2スピンチャック6Bに保持されている状態の基板Wの洗浄対象面W2を洗浄する。詳しくは、基板Wの洗浄対象面W2に洗浄液を供給しながら洗浄対象面W2に洗浄ブラシ72を押し付けて洗浄対象面W2を洗浄するスクラブ洗浄(物理洗浄)が実行される。
より具体的には、基板Wが回転されている状態で、洗浄液バルブ55が開かれる。これにより、基板Wの洗浄対象面W2の中央部に向けて洗浄液ノズル71から洗浄液が供給される。洗浄対象面W2に供給された洗浄液は、遠心力により、基板Wの洗浄対象面W2の全体に広がる。図8Gに示すように、基板Wの洗浄対象面W2に洗浄液を供給しながら、洗浄対象面W2に押し付けられた洗浄ブラシ72を水平移動させることで、洗浄対象面W2に対するスクラブ洗浄が実行される。これにより、洗浄ブラシ72によって、洗浄対象面W2に物理力を作用させて洗浄対象面W2が洗浄される。
スクラブ洗浄は、連続流の液体による洗浄よりも大きい衝撃エネルギーを洗浄対象面W2に与える。そのため、連続流の液体による洗浄と比較して汚染物質が飛散し易い。保護対象面W1の全体に保護膜200が塗布されていれば、物理洗浄によって洗浄対象面W2を充分に洗浄しながら、物理洗浄に起因する保護対象面W1の汚染を抑制できる。
また、スクラブ洗浄が実行される際、下側ノズル12および気体流路13から吐出される気体が、保護対象面W1と第2スピンベース61との間の空間に供給される(気体供給工程)。
また、スクラブ洗浄が実行される際、下側ノズル12および気体流路13から吐出される気体が、保護対象面W1と第2スピンベース61との間の空間に供給される(気体供給工程)。
第2スピンベース61と保護対象面W1との間の空間に気体が供給されるため、当該空間から当該空間の外部へ向かう気流が形成される。そのため、洗浄対象面W2のスクラブ洗浄中に、雰囲気中に飛散する汚染物質が第2スピンベース61と保護対象面W1との間の空間に流入し、保護対象面W1に付着することを抑制できる。また、基板Wの洗浄対象面W2上に付着している洗浄液が基板Wの保護対象面W1に移動することを抑制できる。したがって、保護対象面W1を良好に保護できる。
洗浄対象面W2に対して物理洗浄が行われた基板Wは、主搬送ロボットCRによって、物理洗浄装置4Bから搬出される。具体的には、基板Wの回転が停止され、かつ、複数のチャックピン60を開位置に移動させた後に、主搬送ロボットCRが第2スピンチャック6Bから基板Wを受け取る。基板Wは、保護対象面W1の周縁部にハンドHが接触した状態で主搬送ロボットCRによって搬送される(上述の図8Fを参照)。
物理洗浄装置4Bから搬出された基板Wは、主搬送ロボットCRによって反転ユニット5に搬入される。反転ユニット5に搬入された基板Wは、基板Wの姿勢が第1姿勢に変化するように、反転ユニット5によって反転される(ステップS5:第2反転工程)。詳しくは、反転ユニット5は、保護対象面W1に保護膜200が形成されている状態の基板Wの姿勢が、第2姿勢から第1姿勢に変化するように、基板Wの周縁部に接触しながら基板Wを反転させる。反転ユニット5は、第2反転ユニットとして機能する。
反転ユニット5によって反転された基板Wは、主搬送ロボットCRによって反転ユニット5から搬出される。基板Wは、洗浄対象面W2の周縁部にハンドHが接触した状態で主搬送ロボットCRによって搬送される(上述の図8Dを参照)。基板Wは、主搬送ロボットCRによって膜塗布除去装置4Aに内に搬入され、第1スピンチャック6Aに渡される。詳しくは、第1スピンベース21の吸着面21a上に基板Wが載置される。この状態で、吸引バルブ28が開かれることによって、基板Wの洗浄対象面W2が、下側から第1スピンベース21の吸着面21aに吸着される。これにより、図8Hに示すように、基板Wが第1姿勢で第1保持位置に保持される(第3基板保持工程)。
第1スピンチャック6Aは、反転ユニット5によって姿勢が第2姿勢から第1姿勢に変化された状態の基板Wを保持する。第1スピンベース21は、第3ベースとして機能し、第1スピンチャック6Aは、基板Wを第3保持位置(図3に示す基板Wの位置)に保持する第3基板保持ユニットとして機能する。この実施形態では、第3保持位置は、第1保持位置と同じ位置である。
次に、主搬送ロボットCRが膜塗布除去装置4A外に退避した後、保護膜除去工程(ステップS6)が開始される。保護膜除去工程では、まず、第1スピンモータ23が、第1スピンベース21を回転させる。これにより、水平に保持された基板Wが回転される(第3基板回転工程)。
その後、ノズル移動ユニット37が、移動ノズル9を処理位置(中央位置)に移動させる。移動ノズル9が処理位置に位置する状態で、除去液バルブ52が開かれる。これにより、図8Hに示すように、回転状態の基板Wの保護対象面W1の中央部に向けて、移動ノズル9の吐出口9aから除去液が供給(吐出)される(除去液供給工程、除去液吐出工程)。移動ノズル9は、反転ユニット5によって姿勢が第2姿勢から第1姿勢に変化され、かつ、第1スピンチャック6Aにより保持されている状態の基板Wの保護対象面W1に対して除去液を供給する。
その後、ノズル移動ユニット37が、移動ノズル9を処理位置(中央位置)に移動させる。移動ノズル9が処理位置に位置する状態で、除去液バルブ52が開かれる。これにより、図8Hに示すように、回転状態の基板Wの保護対象面W1の中央部に向けて、移動ノズル9の吐出口9aから除去液が供給(吐出)される(除去液供給工程、除去液吐出工程)。移動ノズル9は、反転ユニット5によって姿勢が第2姿勢から第1姿勢に変化され、かつ、第1スピンチャック6Aにより保持されている状態の基板Wの保護対象面W1に対して除去液を供給する。
基板Wの保護対象面W1に供給された除去液は、遠心力により、保護対象面W1の全体に広がり、基板Wの周縁部から基板W外に排出される。除去液の作用によって、保護対象面W1から保護膜200が除去される。詳しくは、保護対象面W1の保護膜200が剥離され、除去液とともに基板W外に排出される。保護対象面W1に向けて上側から除去液を供給すれば、下側に向けられた保護対象面W1に除去液を供給する構成と比較して、除去液を保護対象面W1の全体に満遍なく広げやすい。したがって、保護膜200を保護対象面W1から良好に除去できる。
また保護膜除去工程では、保護膜200の除去が、保護膜200を塗布するときと同一の部材、すなわち、第1スピンチャック6Aに保持された状態で行われる。したがって、保護膜200を除去するために別の基板保持ユニットを設ける場合と比較して、基板処理システム1の小型化を図れる。
保護膜除去工程(ステップS6)の後、リンス液によって基板Wの保護対象面W1から除去液を洗い流すリンス工程(ステップS7)と、残渣除去液によって、保護膜200の残渣を基板Wの保護対象面W1から除去する残渣除去工程(ステップS8)とが順次に実行される。
保護膜除去工程(ステップS6)の後、リンス液によって基板Wの保護対象面W1から除去液を洗い流すリンス工程(ステップS7)と、残渣除去液によって、保護膜200の残渣を基板Wの保護対象面W1から除去する残渣除去工程(ステップS8)とが順次に実行される。
リンス工程では、回転状態の基板Wの保護対象面W1の中央部に向けて、固定ノズル10からリンス液が供給(吐出)される(リンス液供給工程、リンス液吐出工程)。残渣除去工程では、回転状態の基板Wの保護対象面W1の中央部に向けて、中央ノズル11から残渣除去液が供給(吐出)される(残渣除去液供給工程、残渣除去液吐出工程)。
除去液によって基板Wから保護膜が剥離されて基板W上から排除された後においても基板Wの保護対象面W1に保護膜200の残渣が残っていることがある。基板Wの保護対象面W1に供給された残渣除去液は、このような保護膜200の残渣を溶解する。中央ノズル11から基板Wの保護対象面W1に供給された残渣除去液は、遠心力により、基板Wの保護対象面W1の全体に広がり、基板Wの周縁部から基板W外に排出される。残渣除去液は、保護対象面W1で広がりながら、保護膜の残渣を溶解する。これにより、基板W上の保護膜の残渣が除去される。
除去液によって基板Wから保護膜が剥離されて基板W上から排除された後においても基板Wの保護対象面W1に保護膜200の残渣が残っていることがある。基板Wの保護対象面W1に供給された残渣除去液は、このような保護膜200の残渣を溶解する。中央ノズル11から基板Wの保護対象面W1に供給された残渣除去液は、遠心力により、基板Wの保護対象面W1の全体に広がり、基板Wの周縁部から基板W外に排出される。残渣除去液は、保護対象面W1で広がりながら、保護膜の残渣を溶解する。これにより、基板W上の保護膜の残渣が除去される。
残渣除去工程の後、第1スピンモータ23が基板Wの回転を加速させて、高回転速度(たとえば数千rpm)で基板Wを回転させる(基板乾燥工程:ステップS9)。これにより、液体が基板Wから除去され、基板Wが乾燥される。基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、第1スピンモータ23が回転を停止する。これにより、基板Wの回転が停止される。
その後、主搬送ロボットCRが、膜塗布除去装置4Aに進入して、第1スピンチャック6Aから処理済みの基板Wを受け取って、膜塗布除去装置4A外へと搬出する。膜塗布除去装置4Aから搬出された基板Wは、反転ユニット5を介して、主搬送ロボットCRからインデクサロボットIRに受け渡される。インデクサロボットIRは、反転ユニット5から基板Wを受け取り、基板Wの姿勢を第1姿勢に維持したまま基板WをキャリアCに収容する(図1Bも参照)。
次に、図9A~図9Cを用いて、保護膜200が基板Wから除去される様子を詳細に説明する。図9A~図9Cは、保護膜200が基板Wから除去される様子を説明するための模式図である。
基板Wの保護対象面W1には、パーティクル203が付着している場合がある。保護膜形成液が一定の形状を保つ程度に固まることによって、パーティクル203が保護対象面W1から引き剥がされて、保護膜200内に取り込まれる。そのため、保護膜形成工程(ステップS2)において形成された保護膜200は、図9Aに示すように、基板Wの保護対象面W1に付着しているパーティクル203を保持している。
基板Wの保護対象面W1には、パーティクル203が付着している場合がある。保護膜形成液が一定の形状を保つ程度に固まることによって、パーティクル203が保護対象面W1から引き剥がされて、保護膜200内に取り込まれる。そのため、保護膜形成工程(ステップS2)において形成された保護膜200は、図9Aに示すように、基板Wの保護対象面W1に付着しているパーティクル203を保持している。
保護膜除去工程が行われる前、保護膜200は、固体状態の高溶解性成分(高溶解性固体210)と、固体状態の低溶解性成分(低溶解性固体211)とを含有している。高溶解性固体210および低溶解性固体211は、保護膜形成液に含有される溶媒の少なくとも一部が蒸発することによって、形成される。
図9Bを参照して、除去液によって、高溶解性固体210が選択的に溶解される。すなわち保護膜200が部分的に溶解される(溶解工程、部分溶解工程)。
図9Bを参照して、除去液によって、高溶解性固体210が選択的に溶解される。すなわち保護膜200が部分的に溶解される(溶解工程、部分溶解工程)。
「高溶解性固体210が選択的に溶解される」とは、固体状態の高溶解性固体210のみが溶解されるという意味ではない。「高溶解性固体210が選択的に溶解される」とは、固体状態の低溶解性固体211も僅かに溶解されるが、大部分の高溶解性固体210が溶解されるという意味である。
高溶解性固体210の選択的な溶解をきっかけとして、保護膜200において高溶解性固体210が偏在している部分に除去液経路としての貫通孔202が形成される(貫通孔形成工程)。
高溶解性固体210の選択的な溶解をきっかけとして、保護膜200において高溶解性固体210が偏在している部分に除去液経路としての貫通孔202が形成される(貫通孔形成工程)。
高溶解性固体210が偏在している部分には、高溶解性固体210のみが存在するのではなく、低溶解性固体211も存在する。除去液が高溶解性固体210だけでなく高溶解性固体210の周囲の低溶解性固体211も溶解させるため、貫通孔202の形成が促進される。
貫通孔202は、平面視で、たとえば、直径数nmの大きさである。貫通孔202は、観測可能な程度に明確に形成されている必要はない。すなわち、保護膜200の上面から基板Wの保護対象面W1まで除去液を移動させる除去液経路が保護膜200に形成されていればよく、その除去液経路が全体として保護膜200を貫通していればよい。
貫通孔202は、平面視で、たとえば、直径数nmの大きさである。貫通孔202は、観測可能な程度に明確に形成されている必要はない。すなわち、保護膜200の上面から基板Wの保護対象面W1まで除去液を移動させる除去液経路が保護膜200に形成されていればよく、その除去液経路が全体として保護膜200を貫通していればよい。
ここで、保護膜200中に溶媒が適度に残留している場合には、除去液は、保護膜200に残留している溶媒に溶け込みながら保護膜200を部分的に溶解する。詳しくは、除去液が保護膜200中に残留している溶媒に溶け込みながら保護膜200中の高溶解性固体210を溶解して貫通孔202(隙間、経路)を形成する。そのため、保護膜200内に除去液が進入しやすい(溶解進入工程)。除去液は、貫通孔202を通って、基板Wと低溶解性固体211との界面に到達する。
基板Wの保護対象面W1に到達した除去液は、保護膜200と基板Wとの界面に作用して保護膜200を剥離し、剥離された保護膜200を基板Wの保護対象面W1から除去する(剥離除去工程)。
詳しくは、除去液に対する低溶解性固体211の溶解性は低く、大部分の低溶解性固体211は固体状態で維持される。そのため、貫通孔202を介して基板Wの保護対象面W1付近まで到達した除去液は、低溶解性固体211において基板Wの保護対象面W1付近の部分を僅かに溶解させる。これにより、図9Bの拡大図に示すように、除去液が、基板Wの保護対象面W1付近の低溶解性固体211を徐々に溶解させながら、保護膜200と基板Wの保護対象面W1との間の隙間Gに進入していく(除去液進入工程)。
詳しくは、除去液に対する低溶解性固体211の溶解性は低く、大部分の低溶解性固体211は固体状態で維持される。そのため、貫通孔202を介して基板Wの保護対象面W1付近まで到達した除去液は、低溶解性固体211において基板Wの保護対象面W1付近の部分を僅かに溶解させる。これにより、図9Bの拡大図に示すように、除去液が、基板Wの保護対象面W1付近の低溶解性固体211を徐々に溶解させながら、保護膜200と基板Wの保護対象面W1との間の隙間Gに進入していく(除去液進入工程)。
そして、たとえば、貫通孔202の周縁を起点として保護膜200にクラックが形成される。そのため、高溶解性固体210は、クラック発生成分ともいわれる。保護膜200は、クラックの形成によって分裂し、膜片204となる。図9Cに示すように、保護膜200の膜片204は、パーティクル203を保持している状態で基板Wから剥離される(保護膜分裂工程、保護膜除去工程)。
そして、除去液の供給を継続することによって、膜片204となった保護膜200が、パーティクル203を保持している状態で、除去液によって洗い流される。言い換えると、パーティクル203を保持する膜片204が基板W外に押し出されて基板Wの保護対象面W1から排除される(保護膜排除工程、除去対象物排除工程)。これにより、基板Wの保護対象面W1を良好に洗浄することができる。
以上のように、基板Wの保護対象面W1に除去液を供給することによって、高溶解性固体210が溶解されて、保護膜200が基板の保護対象面W1から剥離される。
このように、高溶解性成分および低溶解成分を含有する保護膜形成液を用いた場合、除去液を保護膜200と基板Wとの界面に速やかに作用させつつ、大部分の保護膜200を固体状態に維持できる。低溶解性成分を固体状態に維持したまま基板Wの保護対象面W1から除去できるため、低溶解性固体211でパーティクル203を保持しながら、低溶解性固体211と基板Wとの界面に除去液を作用させることができる。
このように、高溶解性成分および低溶解成分を含有する保護膜形成液を用いた場合、除去液を保護膜200と基板Wとの界面に速やかに作用させつつ、大部分の保護膜200を固体状態に維持できる。低溶解性成分を固体状態に維持したまま基板Wの保護対象面W1から除去できるため、低溶解性固体211でパーティクル203を保持しながら、低溶解性固体211と基板Wとの界面に除去液を作用させることができる。
その結果、保護膜200を基板Wから速やかに剥離しつつ、保護膜200とともにパーティクル203を基板Wから効率良く除去することができる。
第1実施形態によれば、搬送ユニット(インデクサロボットIRおよび主搬送ロボットCR)によってキャリアCから第1スピンチャック6Aに基板Wを搬送できる。基板Wは、第1姿勢でキャリアCに収容される。そのため、キャリアCに収容されている基板Wを、反転ユニット5で反転させることなく、第1姿勢で第1スピンチャック6Aに保持させることができる。
第1実施形態によれば、搬送ユニット(インデクサロボットIRおよび主搬送ロボットCR)によってキャリアCから第1スピンチャック6Aに基板Wを搬送できる。基板Wは、第1姿勢でキャリアCに収容される。そのため、キャリアCに収容されている基板Wを、反転ユニット5で反転させることなく、第1姿勢で第1スピンチャック6Aに保持させることができる。
基板Wを反転させる際には、基板Wの周縁部が反転ユニット5に接触する。そのため、保護対象面W1の少なくとも周縁部に保護膜200が塗布されている状態で基板Wを反転させれば、反転ユニット5の接触に起因する汚染を抑制しながら基板Wの姿勢を第2姿勢に変化させることができる。
その後、基板Wの姿勢が第2姿勢である状態で、スクラブ洗浄ユニット70によって洗浄対象面W2を上側から洗浄することができる。そのため、第2スピンベース61による空間的制限を受けることなく、洗浄対象面W2を良好に洗浄することができる。第2スピンベース61による空間的制限を受けないため、スクラブ洗浄ユニット70のような下側ノズル12よりも大掛かりなユニットによる洗浄対象面W2の洗浄が実現可能である。
その後、基板Wの姿勢が第2姿勢である状態で、スクラブ洗浄ユニット70によって洗浄対象面W2を上側から洗浄することができる。そのため、第2スピンベース61による空間的制限を受けることなく、洗浄対象面W2を良好に洗浄することができる。第2スピンベース61による空間的制限を受けないため、スクラブ洗浄ユニット70のような下側ノズル12よりも大掛かりなユニットによる洗浄対象面W2の洗浄が実現可能である。
以上のように、保護対象面W1の汚染を抑制しつつ、洗浄対象面W2を良好に洗浄できる。
第1実施形態によれば、保護膜200の塗布によって保護対象面W1が保護される。そのため、第1実施形態とは異なり保護テープによって保護対象面W1を保護する場合と比較して、スクラブ洗浄時に保護テープの粘着剤が巻き上げられ、巻き上げられた粘着剤が基板の洗浄対象面W2に付着することを抑制できる。
第1実施形態によれば、保護膜200の塗布によって保護対象面W1が保護される。そのため、第1実施形態とは異なり保護テープによって保護対象面W1を保護する場合と比較して、スクラブ洗浄時に保護テープの粘着剤が巻き上げられ、巻き上げられた粘着剤が基板の洗浄対象面W2に付着することを抑制できる。
洗浄対象面W2に粘着剤が付着した場合には、保護テープを除去するために洗浄対象面W2を第1スピンベース21に吸着させる際に、粘着剤に起因して基板Wに割れが発生するおそれがある。第1実施形態によれば、第1スピンベース21への粘着剤の付着は発生しないため、基板Wの割れを抑制できる。
保護テープを用いる場合において、基板Wの割れを抑制するためには、洗浄ブラシ72による洗浄位置を精度良く調整したり、第1スピンベース21の吸着位置を調整したりすることで、粘着剤の巻き上げおよび基板の割れの発生を抑制する必要がある。
保護テープを用いる場合において、基板Wの割れを抑制するためには、洗浄ブラシ72による洗浄位置を精度良く調整したり、第1スピンベース21の吸着位置を調整したりすることで、粘着剤の巻き上げおよび基板の割れの発生を抑制する必要がある。
したがって、第1実施形態によれば、保護テープを用いて保護対象面W1を保護する構成と比較して、保護対象面W1の保護および洗浄対象面W2の洗浄の煩雑化を抑制できる。
図10に示すように、保護膜200は、基板Wの保護対象面W1の周縁部のみに塗布されていてもよい。第2スピンチャック6Bの複数のチャックピン60は、基板Wの周縁部を把持することで基板Wを第2姿勢に保持するため、保護膜200が基板Wの保護対象面W1の周縁部のみに塗布される構成であっても、第2スピンチャック6Bの保持による基板Wの保護対象面W1の汚染を抑制できる。また、反転ユニット5は、第1対向部材91および第2対向部材92によって基板Wの周縁部を挟持して基板Wを反転させるため、保護膜200が基板Wの保護対象面W1の周縁部のみに塗布される構成であっても、反転ユニット5による基板Wの保護対象面W1の汚染を抑制できる。
図10に示すように、保護膜200は、基板Wの保護対象面W1の周縁部のみに塗布されていてもよい。第2スピンチャック6Bの複数のチャックピン60は、基板Wの周縁部を把持することで基板Wを第2姿勢に保持するため、保護膜200が基板Wの保護対象面W1の周縁部のみに塗布される構成であっても、第2スピンチャック6Bの保持による基板Wの保護対象面W1の汚染を抑制できる。また、反転ユニット5は、第1対向部材91および第2対向部材92によって基板Wの周縁部を挟持して基板Wを反転させるため、保護膜200が基板Wの保護対象面W1の周縁部のみに塗布される構成であっても、反転ユニット5による基板Wの保護対象面W1の汚染を抑制できる。
同様に、反転ユニット5の複数の第1支持部材82、複数の第2支持部材83、複数の第1下側支持部材86および複数の第2下側支持部材87による基板Wの保護対象面W1の汚染を抑制できる。同様に、複数の搬送ロボットのハンドHによる基板Wの保護対象面W1の汚染を抑制できる。このように、保護膜200は、少なくとも保護対象面W1の周縁部に塗布されればよい。しかしながら、上述したように、保護対象面W1の全体に保護膜200を塗布することで、スクラブ洗浄等の物理洗浄の際に飛散する汚染物質から保護対象面W1をより効果的に保護できる。
図11は、第1実施形態の第1変形例に係る物理洗浄装置4Bの構成例を説明するための模式的な断面図である。
第1実施形態の第1変形例に係る物理洗浄装置4Bの第2スピンチャック6Bでは、第2スピンベース121が、基板Wに下側から対向し基板Wの洗浄対象面W2の中央部を吸着保持するように構成されている。
第1実施形態の第1変形例に係る物理洗浄装置4Bの第2スピンチャック6Bでは、第2スピンベース121が、基板Wに下側から対向し基板Wの洗浄対象面W2の中央部を吸着保持するように構成されている。
第2スピンベース121は、基板Wの洗浄対象面W2に吸着する吸着面121aを有する。吸着面121aは、たとえば、第2スピンベース121の上面であり、その中心を回転軸線A2が通る円形状面である。吸着面121aの直径は基板Wの直径よりも小さい。第2回転軸62の上端部は、第2モータハウジング64から突出しており、第2スピンベース121に結合されている。
第2スピンベース121および第2回転軸62には、吸引経路125が挿入されている。吸引経路125は、第2スピンベース121の吸着面121aの中心から露出する吸引口125aを有する。吸引経路125は、吸引配管126に連結されている。吸引配管126は、真空ポンプ等の吸引装置127に連結されている。
吸引経路125には、その経路を開閉するための吸引バルブ128が介装されている。吸引バルブ128を開くことによって、第2スピンベース121の吸着面121aに配置された基板Wが吸引経路125の吸引口125aに吸引される。それによって、基板Wは、吸着面121aに下側から吸着されて、所定の保持位置(図11に示す基板Wの位置、第2保持位置。)に保持される。第2スピンチャック6Bは、基板Wを第2スピンベース121に吸着させて保持する第2吸着保持ユニットの一例である。
吸引経路125には、その経路を開閉するための吸引バルブ128が介装されている。吸引バルブ128を開くことによって、第2スピンベース121の吸着面121aに配置された基板Wが吸引経路125の吸引口125aに吸引される。それによって、基板Wは、吸着面121aに下側から吸着されて、所定の保持位置(図11に示す基板Wの位置、第2保持位置。)に保持される。第2スピンチャック6Bは、基板Wを第2スピンベース121に吸着させて保持する第2吸着保持ユニットの一例である。
第2スピンモータ63によって第2回転軸62が回転されることにより、第2スピンベース121が回転される。これにより、第2スピンベース121と共に、基板Wが回転軸線A2まわりに回転される。
第2スピンチャック6Bは、基板Wの洗浄対象面W2の中心が回転軸線A2に近づくように基板Wを水平移動させるセンタリングユニット129を備えていてもよい。
第2スピンチャック6Bは、基板Wの洗浄対象面W2の中心が回転軸線A2に近づくように基板Wを水平移動させるセンタリングユニット129を備えていてもよい。
第1変形例では、基板Wの保護対象面W1の全体に保護膜200が塗布され、第2スピンチャック6Bが、保護対象面W1の中央部を第2スピンベース121に吸着させて基板Wを保持する。そのため、基板Wの保護対象面W1の中央部に第2スピンベース121を直に接触させることなく、保護膜200の中央部を第2スピンベース121に吸着させて基板Wを保持することができる。そのため、物理洗浄時における基板Wの保持に起因する保護対象面W1の汚染を抑制できる。
<第2実施形態>
図12は、第2実施形態に係る基板処理システム1Pに備えられる物理洗浄装置4Bの構成例を説明するための模式的な断面図である。図12において、前述の図1~図11に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図12は、第2実施形態に係る基板処理システム1Pに備えられる物理洗浄装置4Bの構成例を説明するための模式的な断面図である。図12において、前述の図1~図11に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
基板処理システム1Pが、第1実施形態に係る基板処理システム1と主に異なる点は、第2実施形態に係る物理洗浄装置4Bが、スクラブ洗浄ユニット70の代わりに、基板Wの洗浄対象面W2に対してスプレー洗浄(物理洗浄)を実行するスプレー洗浄ユニット130(洗浄ユニット)を含む点である。スプレー洗浄は、液滴状態の洗浄液を洗浄対象面W2に衝突させて洗浄対象面W2に物理力を作用させる洗浄手法のことである。スプレー洗浄における物理力は、洗浄液の液滴Dが洗浄対象面W2に衝突する際の衝撃(運動エネルギー)である。
スプレー洗浄ユニット130は、多数の洗浄液(たとえば、DIW)の液滴を噴射するスプレーノズル131と、スプレーノズル131を先端部に保持する揺動アーム132と、揺動アーム132を揺動するアーム駆動機構133とを含む。
アーム駆動機構133は、揺動アーム132を水平面に沿って揺動させたり、揺動アーム132を上下動させたりすることができるように構成されている。アーム駆動機構133は、たとえば、揺動アーム132を上下動させる昇降アクチュエータ(図示せず)と、揺動アーム132を揺動させる揺動アクチュエータ(図示せず)とを含む。昇降アクチュエータは、電動モータまたはエアシリンダであってもよい。揺動アクチュエータは、電動またはエアシリンダであってもよい。
アーム駆動機構133は、揺動アーム132を水平面に沿って揺動させたり、揺動アーム132を上下動させたりすることができるように構成されている。アーム駆動機構133は、たとえば、揺動アーム132を上下動させる昇降アクチュエータ(図示せず)と、揺動アーム132を揺動させる揺動アクチュエータ(図示せず)とを含む。昇降アクチュエータは、電動モータまたはエアシリンダであってもよい。揺動アクチュエータは、電動またはエアシリンダであってもよい。
スプレー洗浄ユニット130は、洗浄液供給源からスプレーノズル131に洗浄液を案内する洗浄液配管134と、洗浄液配管134内の流路を開閉する洗浄液バルブ135と、洗浄液配管134に送液するポンプ136と、スプレーノズル131内の洗浄液を排出する排出配管137と、排出配管137内の流路を開閉する排出バルブ138とを含む。
洗浄液は、常時、所定圧力(たとえば、10MPa以下)でスプレーノズル131に供給されている。ポンプ136は、スプレーノズル131に供給される洗浄液の圧力を任意の圧力に変更することができる。
洗浄液は、常時、所定圧力(たとえば、10MPa以下)でスプレーノズル131に供給されている。ポンプ136は、スプレーノズル131に供給される洗浄液の圧力を任意の圧力に変更することができる。
スプレー洗浄ユニット130は、スプレーノズル131に内蔵されている圧電素子(ピエゾ素子)139を含む。圧電素子139には、配線141を介して、電圧印加ユニット140が接続されている。電圧印加ユニット140は、交流電圧が圧電素子139に印加して、印加された交流電圧の周波数に対応する周波数で圧電素子139を振動させる。電圧印加ユニット140は、たとえば、インバータを含む。電圧印加ユニット140は、圧電素子139に印加される交流電圧の周波数を任意の周波数(たとえば、数百KHz~数MHz)に変更することができる。
スプレーノズル131は、ノズル本体131aと、ノズル本体131aの内部に形成された洗浄液流通路131bと、洗浄液流通路131bに接続されノズル本体131aの表面から開口する複数の噴射口131c(吐出口)とを有する。洗浄液流通路131bは、洗浄液配管134から洗浄液が供給され、排出配管137に洗浄液を排出する流路である。
スプレーノズル131には、常時、高圧で洗浄液が供給されている。排出バルブ138が閉じられている状態では、洗浄液流通路131bにおける洗浄液の圧力(液圧)が高い。そのため、排出バルブ138が閉じられている状態では、液圧によって各噴射口131cから洗浄液が噴射される。さらに、排出バルブ138が閉じられている状態で、交流電圧が圧電素子139に印加されると、洗浄液流通路131bを流れる洗浄液に圧電素子139の振動が付与され、各噴射口131cから噴射される洗浄液が、この振動によって分断される。そのため、排出バルブ138が閉じられている状態で、交流電圧が圧電素子139に印加されると、液滴状態の洗浄液が各噴射口131cから噴射される。これにより、粒径が均一な多数の洗浄液の液滴Dが均一な速度で同時に噴射される。
スプレーノズル131から吐出される洗浄液は、DIWに限られない。スプレーノズル131から吐出される洗浄液は、膜塗布除去装置4Aにおいて用いられるリンス液として列挙したもののうちから選択される。
第2実施形態に係る基板処理システム1Pによれば、図7に示す基板処理を実行することができる。ただし、物理洗浄工程(ステップS4)では、スプレー洗浄ユニット130は、保護対象面W1に保護膜200が形成されており、かつ、第2スピンチャック6Bに保持されている状態の基板Wの洗浄対象面W2を洗浄する。詳しくは、基板Wの洗浄対象面W2に多数の洗浄液の液滴Dを噴射することで洗浄対象面W2に物理力を作用させて洗浄対象面W2を洗浄するスプレー洗浄(物理洗浄)が実行される。
第2実施形態に係る基板処理システム1Pによれば、図7に示す基板処理を実行することができる。ただし、物理洗浄工程(ステップS4)では、スプレー洗浄ユニット130は、保護対象面W1に保護膜200が形成されており、かつ、第2スピンチャック6Bに保持されている状態の基板Wの洗浄対象面W2を洗浄する。詳しくは、基板Wの洗浄対象面W2に多数の洗浄液の液滴Dを噴射することで洗浄対象面W2に物理力を作用させて洗浄対象面W2を洗浄するスプレー洗浄(物理洗浄)が実行される。
具体的には、洗浄液バルブ135が開かれ排出バルブ138が閉じられ、電圧印加ユニット140は、圧電素子139に交流電圧を印加する。これにより、回転状態の基板Wの上面の中央領域に向けて、スプレーノズル131から洗浄液が液滴状態で供給(吐出)される(液滴供給工程)。その際、アーム駆動機構133が揺動アーム132を基板Wの半径方向に移動させることにより、基板Wの洗浄対象面W2の全域をスプレー洗浄することができる。
第2実施形態によれば、スプレー洗浄ユニット130が、洗浄対象面W2に洗浄液の液滴Dを噴射することで洗浄対象面W2をスプレー洗浄するスプレーノズル131を含む。スプレー洗浄は、連続流の液体による洗浄よりも大きい衝撃エネルギーを洗浄対象面W2に与える。そのため、連続流の洗浄液による洗浄と比較して汚染物質が飛散し易い。
第2実施形態のように、保護対象面W1の全体に保護膜200が塗布されていれば、物理洗浄によって洗浄対象面W2を充分に洗浄しながら、物理洗浄に起因する保護対象面W1の汚染を抑制できる。
第2実施形態のように、保護対象面W1の全体に保護膜200が塗布されていれば、物理洗浄によって洗浄対象面W2を充分に洗浄しながら、物理洗浄に起因する保護対象面W1の汚染を抑制できる。
たとえば、洗浄液としてDIWを用い、除去液としてアンモニア水を用いた場合には、洗浄液に対する保護膜200の溶解性が除去液に対する保護膜200の溶解性よりも低い。洗浄対象面W2に付着した洗浄液が基板Wの周縁部を伝って保護対象面W1に移動した場合、または、洗浄対象面W2に衝突した洗浄液が洗浄対象面W2から跳ね返って基板Wの周囲を浮遊し、保護対象面W1に付着した場合であっても、洗浄液に起因する意図しない保護膜200の溶解を抑制できる。
<第3実施形態>
図13Aは、この発明の第3実施形態に係る基板処理システム1Qに備えられる基板処理装置2Qの構成を説明するための平面図である。図13Bは、第3実施形態に係る基板処理装置2Qの構成を説明するための図解的な立面図である。図13Aおよび図13B、ならびに後述する図14~図17において、前述の図1~図12に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図13Aは、この発明の第3実施形態に係る基板処理システム1Qに備えられる基板処理装置2Qの構成を説明するための平面図である。図13Bは、第3実施形態に係る基板処理装置2Qの構成を説明するための図解的な立面図である。図13Aおよび図13B、ならびに後述する図14~図17において、前述の図1~図12に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
基板処理装置2Qは、第1実施形態に係る基板処理装置2(図1Aを参照)とは異なり、ドライ処理によって保護膜を保護対象面W1から除去できるように構成されている。詳しくは、基板処理装置2Qは、複数の液処理装置4と、複数の搬送ロボットと、反転ユニット5A(第1反転ユニット)と、反転ユニット5B(第2反転ユニット)と、基板Wに対してドライ処理を実行する複数のドライ処理装置14とを含む。
第3実施形態では、複数の搬送ロボットは、ロードポートLP上のキャリアCに対して基板Wの搬入および搬出を行うインデクサロボットIRと、インデクサロボットIRとの間で基板Wの受け渡しを行い、かつ、複数の液処理装置4に対して基板Wの搬入および搬出を行う第1主搬送ロボットCR1と、第1主搬送ロボットCR1との間で基板Wの受け渡しを行い、かつ、複数のドライ処理装置14に対して基板Wの搬入および搬出を行う第2主搬送ロボットCR2とを含む。
反転ユニット5Aは、インデクサロボットIRおよび第1主搬送ロボットCR1から基板Wを受け取り、第1姿勢および第2姿勢のいずれかに基板Wの姿勢が変化するように基板Wを反転させる。反転ユニット5Bは、第1主搬送ロボットCR1および第2主搬送ロボットCR2から基板Wを受け取り、第1姿勢および第2姿勢のいずれかに基板Wの姿勢が変化するように基板Wを反転させる。反転ユニット5Aおよび反転ユニット5Bの構成および動作は、図5A~図5Dに示す反転ユニット5と同様である。
インデクサロボットIR、第1主搬送ロボットCR1および第2主搬送ロボットCR2は、搬送経路TR上に配置されている。反転ユニット5Aは、搬送経路TR上において、インデクサロボットIRと第1主搬送ロボットCR1との間に位置する。反転ユニット5Bは、搬送経路TR上において、第1主搬送ロボットCR1と第2主搬送ロボットCR2との間に位置する。第1主搬送ロボットCR1との間に位置する。
各搬送ロボットは、いずれも、一対の多関節アームARと、上下に互いに離間するように一対の多関節アームARの先端にそれぞれ設けられた一対のハンドHとを含む多関節アームロボットである。各搬送ロボットに備えられているハンドHは、洗浄対象面W2および保護対象面W1のうち下側に向けられた面の周縁部に接触して基板Wを保持するように構成されている。
複数の液処理装置4は、基板Wの保護対象面W1に保護膜を塗布する複数の膜塗布装置4Cと、基板Wの洗浄対象面W2に対して物理洗浄を実行する複数の物理洗浄装置4Bとを含む。複数のドライ処理装置14は、基板Wの保護対象面W1から保護膜を除去する複数の膜除去装置14Aを含む。
複数の液処理装置4は、水平に離れた4つの位置にそれぞれ配置された4つの液処理タワーを形成している。各液処理タワーは、上下方向に積層された複数(図13Bの例では3つ)の液処理装置4を含む。4つの液処理タワーは、搬送経路TRの両側に2つずつ配置されている。複数のドライ処理装置14は、4つの液処理タワーよりもインデクサロボットIR側とは反対側に配置された2つのドライ処理タワーを形成している。2つのドライ処理タワーは、搬送経路TRの両側に1つずつ配置されている。
複数の液処理装置4は、水平に離れた4つの位置にそれぞれ配置された4つの液処理タワーを形成している。各液処理タワーは、上下方向に積層された複数(図13Bの例では3つ)の液処理装置4を含む。4つの液処理タワーは、搬送経路TRの両側に2つずつ配置されている。複数のドライ処理装置14は、4つの液処理タワーよりもインデクサロボットIR側とは反対側に配置された2つのドライ処理タワーを形成している。2つのドライ処理タワーは、搬送経路TRの両側に1つずつ配置されている。
この実施形態では、インデクサロボットIR側の2つの処理タワーが、複数の膜塗布装置4Cによって構成されており、インデクサロボットIRとは反対側の2つの処理タワーが、複数(図13Bの例では3つ)の物理洗浄装置4Bによって構成されている。2つのドライ処理タワーは、複数の膜除去装置14Aによって構成されている。
図14に示すように、膜塗布装置4Cは、移動ノズル9を除いて、第1実施形態に係る膜塗布除去装置4A(図3を参照)と同様の構成を有している。詳しくは、膜塗布装置4Cに備えられる移動ノズル9には、保護膜形成液配管41が直に接続されており、移動ノズル9は、除去液を吐出しないように構成されている。また、膜塗布装置4Cには、リンス液および残渣除去液の供給ユニット、すなわち、固定ノズル10および中央ノズル11が設けられていない。
図14に示すように、膜塗布装置4Cは、移動ノズル9を除いて、第1実施形態に係る膜塗布除去装置4A(図3を参照)と同様の構成を有している。詳しくは、膜塗布装置4Cに備えられる移動ノズル9には、保護膜形成液配管41が直に接続されており、移動ノズル9は、除去液を吐出しないように構成されている。また、膜塗布装置4Cには、リンス液および残渣除去液の供給ユニット、すなわち、固定ノズル10および中央ノズル11が設けられていない。
図13Aに示すように、各膜除去装置14Aは、たとえば、表面に陽極酸化処理(アルマイト処理)が施されたアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属からなる処理容器150を収容する第3チャンバ8Cとを含む。第3チャンバ8Cは、第1チャンバ8Aと同様に、出入口(図示せず)およびシャッタユニット(図示せず)を有する。
複数の搬送ロボット(インデクサロボットIR、第1主搬送ロボットCR1および第2主搬送ロボットCR2)は、複数のキャリアC(複数のロードポートLP)、反転ユニット5、第1スピンチャック6A、第2スピンチャック6Bおよび処理容器150の間で、基板Wを搬送する搬送ユニットを構成している。
複数の搬送ロボット(インデクサロボットIR、第1主搬送ロボットCR1および第2主搬送ロボットCR2)は、複数のキャリアC(複数のロードポートLP)、反転ユニット5、第1スピンチャック6A、第2スピンチャック6Bおよび処理容器150の間で、基板Wを搬送する搬送ユニットを構成している。
図15は、膜除去装置14Aの模式的な断面図である。膜除去装置14Aは、処理容器150と、処理ガス供給部151から処理容器150内に処理ガスを案内する処理ガス配管152と、処理容器150内の雰囲気を排出する排気配管153と、排気配管153に介装され処理容器150内の圧力を調節する圧力調節バルブ154と、処理容器150内の処理ガスをプラズマに変化させるプラズマ発生ユニット155(ドライ除去ユニット)とをさらに含む。プラズマ発生ユニット155は、基板Wの上方に配置される上電極156と、上電極156に対向して配置され、基板Wが載置される下電極157(第3ベース)とを含む。
下電極157には、電力供給装置160が電気的に接続されている。電力供給装置160は、下電極157に高周波電力(プラズマ励起用高周波電力)を供給する。電力供給装置160は、フィルタ、整合器、電源等を含む。処理容器150の側壁には、基板Wの搬入出口150aが設けられており、処理容器150は、搬入出口150aを開閉させるゲートバルブ150bを有する。基板Wは、下電極157上に載置されることによって、所定の保持位置(図15に示す基板Wの位置、第3保持位置。)に水平に保持される。
図示しないが、下電極157から基板Wを持ち上げるための複数のリフトピンが設けられていてもよく、複数のリフトピンは、その先端部が下電極157の上面よりも下側に位置する退避位置と、その先端部が下電極157の上面よりも上側に位置する持ち上げ位置との間で移動できる。
処理ガス供給部151は,たとえば、処理容器150内での基板のプロセス処理や処理容器150内のクリーニング処理などに必要な処理ガスやパージガスなどを供給するガス供給源、および、ガス供給源からのガスの導入を制御するバルブ及びマスフローコントローラにより構成されている。
処理ガス供給部151は,たとえば、処理容器150内での基板のプロセス処理や処理容器150内のクリーニング処理などに必要な処理ガスやパージガスなどを供給するガス供給源、および、ガス供給源からのガスの導入を制御するバルブ及びマスフローコントローラにより構成されている。
プラズマ発生ユニット155は、処理容器150内の処理ガスをプラズマに変化させて、酸素ラジカル等による分解反応や酸化反応等の化学反応によって、基板W上の保護膜を、液体状態を経ずに気化させることができる。処理ガスは、たとえば、アッシングガスである。アッシングガスは、酸素ガス(O2ガス)および炭酸ガス(CO2ガス)のうちの少なくとも1種類を含むガスである。
図16は、第3実施形態に係る基板処理システム1Qによる具体的な基板処理の流れを説明するためのフローチャートである。第3実施形態に係る基板処理システム1Qによる基板処理では、図7に示す基板処理とは異なり、リンス工程(ステップS7)、残渣除去工程(ステップS8)および乾燥工程(ステップS9)が省略されている。以下では、第1実施形態に係る基板処理と異なる点を中心に、第3実施形態に係る基板処理システム1Qによる基板処理の一例について説明する。
詳しくは、まず、未処理の基板Wが、インデクサロボットIRによってキャリアCから搬出される。インデクサロボットIRは、反転ユニット5Aを介して、第1主搬送ロボットCR1に基板Wを受け渡す。第1主搬送ロボットCR1は、インデクサロボットIRから受け取った基板Wを膜塗布装置4C内に搬送し、第1スピンチャック6Aに受け渡す。
基板Wは、第1姿勢でキャリアC内に収容されている(図13Bを参照)。そのため、第1スピンチャック6Aに受け渡された後においても、基板Wの姿勢は第1姿勢に維持されている。そして、第1実施形態に係る基板処理と同様に、膜塗布装置4Cによって、基板Wの保護対象面W1に保護膜200が塗布される(図8A~図8Cを参照)。言い換えると、膜塗布装置4Cによって、保護膜形成液供給工程(ステップS1)および保護膜形成工程(ステップS2)が実行される。
基板Wは、第1姿勢でキャリアC内に収容されている(図13Bを参照)。そのため、第1スピンチャック6Aに受け渡された後においても、基板Wの姿勢は第1姿勢に維持されている。そして、第1実施形態に係る基板処理と同様に、膜塗布装置4Cによって、基板Wの保護対象面W1に保護膜200が塗布される(図8A~図8Cを参照)。言い換えると、膜塗布装置4Cによって、保護膜形成液供給工程(ステップS1)および保護膜形成工程(ステップS2)が実行される。
保護対象面W1に保護膜200が形成されている状態で、基板Wは、第1主搬送ロボットCR1によって、膜塗布装置4Cから搬出される。基板Wは、洗浄対象面W2の周縁部にハンドHが接触した状態で第1主搬送ロボットCR1によって搬送される。膜塗布装置4Cから搬出された基板Wは、第1主搬送ロボットCR1によって反転ユニット5Aに搬入される。反転ユニット5Aに搬入された基板Wは、基板Wの姿勢が第1姿勢から第2姿勢に変化するように、反転ユニット5Aによって反転される(ステップS3:第1反転工程)。詳しくは、反転ユニット5Aは、保護対象面W1に保護膜200が形成されている状態の基板Wの姿勢が、第1姿勢から第2姿勢に変化するように、基板Wの周縁部に接触しながら基板Wを反転させる。
反転ユニット5Aによって反転された基板Wは、第1主搬送ロボットCR1によって、反転ユニット5Aから搬出される。基板Wは、保護対象面W1の周縁部にハンドHが接触した状態で第1主搬送ロボットCR1によって搬送される。基板Wは、第1主搬送ロボットCR1によって物理洗浄装置4B内に搬入され、第2スピンチャック6Bに受け渡される。そして、第2実施形態に係る基板処理と同様に、物理洗浄装置4Bによって、基板Wの洗浄対象面W2に対して物理洗浄が実行される(物理洗浄工程:ステップS4)。
物理洗浄工程(ステップS4)の後、基板Wは、第1主搬送ロボットCR1によって物理洗浄装置4Bから搬出され、その後、反転ユニット5Bに搬入される。反転ユニット5Bに搬入された基板Wは、基板Wの姿勢が第1姿勢に変化するように、反転ユニット5Bによって反転される(ステップS5:第2反転工程)。詳しくは、反転ユニット5Bは、保護対象面W1に保護膜200が形成されている状態の基板Wの姿勢が、第2姿勢から第1姿勢に変化するように、基板Wの周縁部に接触しながら基板Wを反転させる。
反転ユニット5Bによって反転された基板Wは、第2主搬送ロボットCR2によって反転ユニット5Bから搬出される。基板Wは、洗浄対象面W2の周縁部にハンドHが接触した状態で第2主搬送ロボットCR2によって搬送される。そして、基板Wは、第2主搬送ロボットCR2によって膜除去装置14A内に搬入され、プラズマ発生ユニット155に渡される。詳しくは、下電極157上に基板Wが載置される。これにより、基板Wは、図15に示すように、基板Wが第1姿勢で第3保持位置に保持される(第3基板保持工程)。このように、下電極157は、反転ユニット5Bによって姿勢が第2姿勢から第1姿勢に変化された状態の基板を保持する。下電極157は、第3基板保持ユニットの一例である。
そして、処理ガス供給部151から処理容器150内にアッシングガスを導入しつつ、処理容器150内の圧力が所定のアッシング設定圧力になるように圧力調節バルブ154の開度が制御される(アッシングガス導入工程)。次いで、電力供給装置160から高周波を印加する。たとえば、40MHzの高周波を1000Wのパワーで印加する。これにより、酸素ガスのプラズマが励起され、保護膜200が、処理容器150内のプラズマに起因する化学反応により液体を経ずに気体に変化する。これにより、基板W上から保護膜200が除去される(保護膜気化除去工程)。高周波の印加が開始されてから所定期間経過した後、電力供給装置160からの高周波が停止され、酸素ガスの導入が停止される。
このように、プラズマ発生ユニット155は、保護対象面W1に保護膜200が形成されており、かつ、下電極157に保持されている状態の基板Wの保護対象面W1に対してプラズマ処理を実行することによって保護対象面W1から保護膜200を除去する。
その後、第2主搬送ロボットCR2が、膜除去装置14Aに進入して、下電極157から処理済みの基板Wを受け取って、膜除去装置14A外へと搬出する。膜除去装置14Aから搬出された基板Wは、反転ユニット5B、第1主搬送ロボットCR1、および反転ユニット5Aを順に介して、第2主搬送ロボットCR2からインデクサロボットIRに受け渡される。インデクサロボットIRは、基板Wの姿勢を第1姿勢に維持したまま基板WをキャリアCに収容する(図13Bも参照)。
その後、第2主搬送ロボットCR2が、膜除去装置14Aに進入して、下電極157から処理済みの基板Wを受け取って、膜除去装置14A外へと搬出する。膜除去装置14Aから搬出された基板Wは、反転ユニット5B、第1主搬送ロボットCR1、および反転ユニット5Aを順に介して、第2主搬送ロボットCR2からインデクサロボットIRに受け渡される。インデクサロボットIRは、基板Wの姿勢を第1姿勢に維持したまま基板WをキャリアCに収容する(図13Bも参照)。
また、図15に示す例とは異なり、光照射によって保護膜200が除去されるように構成されていてもよい。たとえば、図17に示すように、膜除去装置14Aが、処理容器150と処理容器150内に配置され、基板Wが載置されるベース170(第3ベース)と、ベース170に載置された基板Wの保護対象面W1に向けてUV等の光を照射する光照射ユニット171(ドライ除去ユニット)とを含んでいてもよい。この場合、基板W上の保護膜200は、光の照射によって分解されて、液体状態を経ずに気体に変化する。光照射ユニット171は、たとえば、複数の光照射ランプを含んでいる。光照射ユニット171には、光照射ランプに電力を供給する電力供給装置172が接続されている。
保護膜200の除去に光照射ユニット171が用いられる場合、膜除去装置14A内に搬入された基板Wは、ベース170に載置されることによって、図17に示すように、第1姿勢で第3保持位置に保持される(第3基板保持工程)。ベース170は、第3基板保持ユニットの一例である。
そして、電力供給装置172から電力が供給されて光照射ユニット171からUV等の光が照射される(光照射工程)。保護膜200が、光照射によって液体を経ずに気体に変化することにより、基板W上から除去される(保護膜気化除去工程)。
そして、電力供給装置172から電力が供給されて光照射ユニット171からUV等の光が照射される(光照射工程)。保護膜200が、光照射によって液体を経ずに気体に変化することにより、基板W上から除去される(保護膜気化除去工程)。
このように、光照射ユニット171は、保護対象面W1に保護膜200が形成されており、かつ、ベース170に保持されている状態の基板Wの保護対象面W1に対して光照射処理を実行することによって保護対象面W1から保護膜200を除去する。
以上のように、膜除去装置14Aが、基板Wの保護対象面W1に対してプラズマ処理、または、光照射処理を実行することによって、液体を基板Wに供給することなく、基板Wの保護対象面W1から保護膜200を除去できる。そのため、基板Wを乾燥させる手間を省くことができ、保護対象面W1を乾燥させる際にウォータマーク(乾燥痕)の発生を抑制できる。
以上のように、膜除去装置14Aが、基板Wの保護対象面W1に対してプラズマ処理、または、光照射処理を実行することによって、液体を基板Wに供給することなく、基板Wの保護対象面W1から保護膜200を除去できる。そのため、基板Wを乾燥させる手間を省くことができ、保護対象面W1を乾燥させる際にウォータマーク(乾燥痕)の発生を抑制できる。
<保護膜形成液の一例>
以下では、上述の実施形態に用いられる保護膜形成液中の各成分の一例について説明する。
以下では、「Cx~y」、「Cx~Cy」および「Cx」などの記載は、分子または置換基中の炭素の数を意味する。例えば、C1~6アルキルは、1以上6以下の炭素を有するアルキル鎖(メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等)を意味する。
以下では、上述の実施形態に用いられる保護膜形成液中の各成分の一例について説明する。
以下では、「Cx~y」、「Cx~Cy」および「Cx」などの記載は、分子または置換基中の炭素の数を意味する。例えば、C1~6アルキルは、1以上6以下の炭素を有するアルキル鎖(メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル等)を意味する。
ポリマーが複数種類の繰り返し単位を有する場合、これらの繰り返し単位は共重合する。特に限定されて言及されない限り、これら共重合は、交互共重合、ランダム共重合、ブロック共重合、グラフト共重合、またはこれらの混在のいずれであってもよい。ポリマーや樹脂を構造式で示す際、括弧に併記されるnやm等は繰り返し数を示す。
<低溶解性成分>
(A)低溶解性成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸誘導体、ポリマレイン酸誘導体、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール誘導体、ポリメタクリル酸誘導体、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも1つを含む。好ましくは、(A)低溶解性成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリアクリル酸誘導体、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸誘導体、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも1つを含んでいてもよい。さらに好ましくは、(A)低溶解性成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリカーボネート、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも1つを含んでいてもよい。ノボラックはフェノールノボラックであってもよい。
<低溶解性成分>
(A)低溶解性成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリスチレン、ポリアクリル酸誘導体、ポリマレイン酸誘導体、ポリカーボネート、ポリビニルアルコール誘導体、ポリメタクリル酸誘導体、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも1つを含む。好ましくは、(A)低溶解性成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリアクリル酸誘導体、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸誘導体、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも1つを含んでいてもよい。さらに好ましくは、(A)低溶解性成分は、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ポリカーボネート、およびこれらの組合せの共重合体、の少なくとも1つを含んでいてもよい。ノボラックはフェノールノボラックであってもよい。
保護膜形成液は(A)低溶解性成分として、上記の好適例を1または2以上組み合わせて含んでもよい。たとえば、(A)低溶解性成分はノボラックとポリヒドロキシスチレンの双方を含んでもよい。
(A)低溶解性成分は乾燥されることで膜化し、前記膜は除去液で大部分が溶解されることなく除去対象物を保持したまま剥がされることが、好適な一態様である。なお、除去液によって(A)低溶解性成分のごく一部が溶解される態様は許容される。
(A)低溶解性成分は乾燥されることで膜化し、前記膜は除去液で大部分が溶解されることなく除去対象物を保持したまま剥がされることが、好適な一態様である。なお、除去液によって(A)低溶解性成分のごく一部が溶解される態様は許容される。
好ましくは、(A)低溶解性成分はフッ素および/またはケイ素を含有せず、より好ましくは双方を含有しない。
前記共重合はランダム共重合、ブロック共重合が好ましい。
権利範囲を限定する意図はないが、(A)低溶解性成分の具体例として、下記化学式1~化学式7に示す各化合物が挙げられる。
前記共重合はランダム共重合、ブロック共重合が好ましい。
権利範囲を限定する意図はないが、(A)低溶解性成分の具体例として、下記化学式1~化学式7に示す各化合物が挙げられる。
(アスタリスク*は、隣接した構成単位への結合を示す。)
(RはC1~4アルキル等の置換基を意味する。アスタリスク*は、隣接した構成単位への結合を示す。)
(Meは、メチル基を意味する。アスタリスク*は、隣接した構成単位への結合を示す。)
(A)低溶解性成分の重量平均分子量(Mw)は好ましくは150~500,000であり、より好ましくは300~300,000であり、さらに好ましくは500~100,000であり、よりさらに好ましくは1,000~50,000である。
(A)低溶解性成分の重量平均分子量(Mw)は好ましくは150~500,000であり、より好ましくは300~300,000であり、さらに好ましくは500~100,000であり、よりさらに好ましくは1,000~50,000である。
(A)低溶解性成分は合成することで入手可能である。また、購入することもできる。購入する場合、例として供給先は以下が挙げられる。供給先が(A)ポリマーを合成することも可能である。
ノボラック:昭和化成(株)、旭有機材(株)、群栄化学工業(株)、住友ベークライト(株)
ポリヒドロキシスチレン:日本曹達(株)、丸善石油化学(株)、東邦化学工業(株)
ポリアクリル酸誘導体:(株)日本触媒
ポリカーボネート:シグマアルドリッチ
ポリメタクリル酸誘導体:シグマアルドリッチ
保護膜形成液の全質量と比較して、(A)低溶解性成分が0.1~50質量%であり、好ましくは0.5~30質量%であり、より好ましくは1~20質量%であり、さらに好ましくは1~10質量%である。つまり、保護膜形成液の全質量を100質量%とし、これを基準として(A)低溶解性成分が0.1~50質量%である。すなわち、「と比較して」は「を基準として」と言い換えることが可能である。特に言及しない限り、以下においても同様である。
ノボラック:昭和化成(株)、旭有機材(株)、群栄化学工業(株)、住友ベークライト(株)
ポリヒドロキシスチレン:日本曹達(株)、丸善石油化学(株)、東邦化学工業(株)
ポリアクリル酸誘導体:(株)日本触媒
ポリカーボネート:シグマアルドリッチ
ポリメタクリル酸誘導体:シグマアルドリッチ
保護膜形成液の全質量と比較して、(A)低溶解性成分が0.1~50質量%であり、好ましくは0.5~30質量%であり、より好ましくは1~20質量%であり、さらに好ましくは1~10質量%である。つまり、保護膜形成液の全質量を100質量%とし、これを基準として(A)低溶解性成分が0.1~50質量%である。すなわち、「と比較して」は「を基準として」と言い換えることが可能である。特に言及しない限り、以下においても同様である。
<高溶解性成分>
(B)高溶解性成分は(B’)クラック促進成分である。(B’)クラック促進成分は、炭化水素を含んでおり、さらにヒドロキシ基(-OH)および/またはカルボニル基(-C(=O)-)を含んでいる。(B’)クラック促進成分がポリマーである場合、構成単位の1種が1単位ごとに炭化水素を含んでおり、さらにヒドロキシ基および/またはカルボニル基を有する。カルボニル基とは、カルボン酸(-COOH)、アルデヒド、ケトン、エステル、アミド、エノンが挙げられ、カルボン酸が好ましい。
(B)高溶解性成分は(B’)クラック促進成分である。(B’)クラック促進成分は、炭化水素を含んでおり、さらにヒドロキシ基(-OH)および/またはカルボニル基(-C(=O)-)を含んでいる。(B’)クラック促進成分がポリマーである場合、構成単位の1種が1単位ごとに炭化水素を含んでおり、さらにヒドロキシ基および/またはカルボニル基を有する。カルボニル基とは、カルボン酸(-COOH)、アルデヒド、ケトン、エステル、アミド、エノンが挙げられ、カルボン酸が好ましい。
権利範囲を限定する意図はなく、理論に拘束されないが、保護膜形成液が乾燥され基板上に保護膜を形成し、除去液が保護膜を剥離する際に(B)高溶解性成分が、保護膜が剥がれるきっかけとなる部分を生むと考えられる。このために、(B)高溶解性成分は除去液に対する溶解性が、(A)低溶解性成分よりも高いものであることが好ましい。(B’)クラック促進成分がカルボニル基としてケトンを含む態様として環形の炭化水素が挙げられる。具体例として、1,2-シクロヘキサンジオンや1,3-シクロヘキサンジオンが挙げられる。
より具体的な態様として、(B)高溶解性成分は、下記(B-1)、(B-2)および(B-3)の少なくともいずれか1つで表される。
(B-1)は下記化学式8を構成単位として1~6つ含んでなり(好適には1~4つ)、各構成単位が連結基(リンカーL1)で結合される化合物である。ここで、リンカーL1は、単結合であってもよいし、C1~6アルキレンであってもよい。前記C1~6アルキレンはリンカーとして構成単位を連結し、2価の基に限定されない。好ましくは2~4価である。前記C1~6アルキレンは直鎖、分岐のいずれであっても良い。
(B-1)は下記化学式8を構成単位として1~6つ含んでなり(好適には1~4つ)、各構成単位が連結基(リンカーL1)で結合される化合物である。ここで、リンカーL1は、単結合であってもよいし、C1~6アルキレンであってもよい。前記C1~6アルキレンはリンカーとして構成単位を連結し、2価の基に限定されない。好ましくは2~4価である。前記C1~6アルキレンは直鎖、分岐のいずれであっても良い。
Cy1はC5~30の炭化水素環であり、好ましくはフェニル、シクロヘキサンまたはナフチルであり、より好ましくはフェニルである。好適な態様として、リンカーL1は複数のCy1を連結する。
R1はそれぞれ独立にC1~5アルキルであり、好ましくはメチル、エチル、プロピル、またはブチルである。前記C1~5アルキルは直鎖、分岐のいずれであっても良い。
R1はそれぞれ独立にC1~5アルキルであり、好ましくはメチル、エチル、プロピル、またはブチルである。前記C1~5アルキルは直鎖、分岐のいずれであっても良い。
nb1は1、2または3であり、好ましくは1または2であり、より好ましくは1である。nb1’は0、1、2、3または4であり、好ましくは0、1または2である。
下記化学式9は、化学式8に記載の構成単位を、リンカーL9を用いて表した化学式である。リンカーL9は単結合、メチレン、エチレン、またはプロピレンであることが好ましい。
下記化学式9は、化学式8に記載の構成単位を、リンカーL9を用いて表した化学式である。リンカーL9は単結合、メチレン、エチレン、またはプロピレンであることが好ましい。
権利範囲を限定する意図はないが、(B-1)の好適例として、2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2’-メチレンビス(4-メチルフェノール)、2,6-ビス[(2-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)メチル]-4-メチルフェノール、1,3-シクロヘキサンジオール、4,4’-ジヒドロキシビフェニル、2,6-ナフタレンジオール、2,5-ジ-tert-ブチルヒドロキノン、1,1,2,2-テトラキス(4-ヒドロキシフェニル)エタンが挙げられる。これらは、重合や縮合によって得てもよい。
一例として下記化学式10に示す2,6-ビス[(2-ヒドロキシ-5-メチルフェニル)メチル]-4-メチルフェノールを取り上げ説明する。同化合物は(B-1)において、化学式8の構成単位を3つ有し、構成単位はリンカーL1(メチレン)で結合される。nb1=nb1’=1であり、R1はメチルである。
(B-2)は下記化学式11で表される。
R21、R22、R23、およびR24は、それぞれ独立に水素またはC1~5のアルキルであり、好ましくは水素、メチル、エチル、t-ブチル、またはイソプロピルであり、より好ましくは水素、メチル、またはエチルであり、さらに好ましくはメチルまたはエチルである。
リンカーL21およびリンカーL22は、それぞれ独立に、C1~20のアルキレン、C1~20のシクロアルキレン、C2~4のアルケニレン、C2~4のアルキニレン、またはC6~20のアリーレンである。これらの基はC1~5のアルキルまたはヒドロキシで置換されていてもよい。ここで、アルケニレンとは、1以上の二重結合を有する二価の炭化水素を意味し、アルキニレンとは、1以上の三重結合を有する二価の炭化水素基を意味するものとする。リンカーL21およびリンカーL22は、好ましくはC2~4のアルキレン、アセチレン(C2のアルキニレン)またはフェニレンであり、より好ましくはC2~4のアルキレンまたはアセチレンであり、さらに好ましくはアセチレンである。
リンカーL21およびリンカーL22は、それぞれ独立に、C1~20のアルキレン、C1~20のシクロアルキレン、C2~4のアルケニレン、C2~4のアルキニレン、またはC6~20のアリーレンである。これらの基はC1~5のアルキルまたはヒドロキシで置換されていてもよい。ここで、アルケニレンとは、1以上の二重結合を有する二価の炭化水素を意味し、アルキニレンとは、1以上の三重結合を有する二価の炭化水素基を意味するものとする。リンカーL21およびリンカーL22は、好ましくはC2~4のアルキレン、アセチレン(C2のアルキニレン)またはフェニレンであり、より好ましくはC2~4のアルキレンまたはアセチレンであり、さらに好ましくはアセチレンである。
nb2は0、1または2であり、好ましくは0または1、より好ましくは0である。
権利範囲を限定する意図はないが、(B-2)の好適例として、3,6-ジメチル-4-オクチン-3,6-ジオール、2,5-ジメチル-3-ヘキシン-2,5-ジオール、が挙げられる。別の一形態として、3-ヘキシン-2,5-ジオール、1,4-ブチンジオール、2,4-ヘキサジイン-1,6-ジオール、1,4-ブタンジオール、シス-1,4-ジヒドロキシ-2-ブテン、1,4-ベンゼンジメタノールも(B-2)の好適例として挙げられる。
権利範囲を限定する意図はないが、(B-2)の好適例として、3,6-ジメチル-4-オクチン-3,6-ジオール、2,5-ジメチル-3-ヘキシン-2,5-ジオール、が挙げられる。別の一形態として、3-ヘキシン-2,5-ジオール、1,4-ブチンジオール、2,4-ヘキサジイン-1,6-ジオール、1,4-ブタンジオール、シス-1,4-ジヒドロキシ-2-ブテン、1,4-ベンゼンジメタノールも(B-2)の好適例として挙げられる。
(B-3)は下記化学式12で表される構成単位を含んでなり、重量平均分子量 (Mw)が500~10,000のポリマーである。Mwは、好ましくは600~5,000であり、より好ましくは700~3,000である。
ここで、R25は-H、-CH3、または-COOHであり、好ましくは-H、または-COOHである。1つの(B-3)ポリマーが、それぞれ化学式12で表される2種以上の構成単位を含んでなることも許容される。
権利範囲を限定する意図はないが、(B-3)ポリマーの好適例として、アクリル酸、マレイン酸、またはこれらの組合せの重合体が挙げられる。ポリアクリル酸、マレイン酸アクリル酸コポリマーがさらに好適な例である。
権利範囲を限定する意図はないが、(B-3)ポリマーの好適例として、アクリル酸、マレイン酸、またはこれらの組合せの重合体が挙げられる。ポリアクリル酸、マレイン酸アクリル酸コポリマーがさらに好適な例である。
共重合の場合、好適にはランダム共重合またはブロック共重合であり、より好適にはランダム共重合である。
一例として、下記化学式13に示す、マレイン酸アクリル酸コポリマーを挙げて説明する。同コポリマーは(B-3)に含まれ、化学式12で表される2種の構成単位を有し、1の構成単位においてR25は-Hであり、別の構成単位においてR25は-COOHである。
一例として、下記化学式13に示す、マレイン酸アクリル酸コポリマーを挙げて説明する。同コポリマーは(B-3)に含まれ、化学式12で表される2種の構成単位を有し、1の構成単位においてR25は-Hであり、別の構成単位においてR25は-COOHである。
言うまでもないが、保護膜形成液は(B)高溶解性成分として、上記の好適例を1または2以上組み合わせて含んでも良い。例えば、(B)高溶解性成分は2,2-ビス(4-ヒドロキシフェニル)プロパンと3,6-ジメチル-4-オクチン-3,6-ジオールの双方を含んでも良い。
(B)高溶解性成分は、分子量80~10,000であってもよい。高溶解性成分は、好ましくは分子量90~5000であり、より好ましくは100~3000である。(B)高溶解性成分が樹脂、重合体またはポリマーの場合、分子量は重量平均分子量(Mw)で表す。
(B)高溶解性成分は、分子量80~10,000であってもよい。高溶解性成分は、好ましくは分子量90~5000であり、より好ましくは100~3000である。(B)高溶解性成分が樹脂、重合体またはポリマーの場合、分子量は重量平均分子量(Mw)で表す。
(B)高溶解性成分は合成しても購入しても入手することが可能である。供給先としては、シグマアルドリッチ、東京化成工業、日本触媒が挙げられる。
保護膜形成液中において、(B)高溶解性成分は、(A)低溶解性成分の質量と比較して、好ましくは1~100質量%であり、より好ましくは1~50質量%である。保護膜形成液中において、(B)高溶解性成分は、(A)低溶解性成分の質量と比較して、さらに好ましくは1~30質量%である。
保護膜形成液中において、(B)高溶解性成分は、(A)低溶解性成分の質量と比較して、好ましくは1~100質量%であり、より好ましくは1~50質量%である。保護膜形成液中において、(B)高溶解性成分は、(A)低溶解性成分の質量と比較して、さらに好ましくは1~30質量%である。
<溶媒>
(C)溶媒は有機溶剤を含むことが好ましい。(C)溶媒は揮発性を有していてもよい。揮発性を有するとは水と比較して揮発性が高いことを意味する。例えば、(C)1気圧における溶媒の沸点は、50~250℃であることが好ましい。1気圧における溶媒の沸点は、50~200℃であることがより好ましく、60~170℃であることがさらに好ましい。1気圧における溶媒の沸点は、70~150℃であることがよりさらに好ましい。(C)溶媒は、少量の純水を含むことも許容される。(C)溶媒に含まれる純水は、(C)溶媒全体と比較して、好ましくは30質量%以下である。溶媒に含まれる純水は、より好ましくは20質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。溶媒に含まれる純水は、よりさらに好ましくは5質量%以下である。溶媒が純水を含まない(0質量%)ことも、好適な一形態である。純水とは、好適にはDIWである。
(C)溶媒は有機溶剤を含むことが好ましい。(C)溶媒は揮発性を有していてもよい。揮発性を有するとは水と比較して揮発性が高いことを意味する。例えば、(C)1気圧における溶媒の沸点は、50~250℃であることが好ましい。1気圧における溶媒の沸点は、50~200℃であることがより好ましく、60~170℃であることがさらに好ましい。1気圧における溶媒の沸点は、70~150℃であることがよりさらに好ましい。(C)溶媒は、少量の純水を含むことも許容される。(C)溶媒に含まれる純水は、(C)溶媒全体と比較して、好ましくは30質量%以下である。溶媒に含まれる純水は、より好ましくは20質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。溶媒に含まれる純水は、よりさらに好ましくは5質量%以下である。溶媒が純水を含まない(0質量%)ことも、好適な一形態である。純水とは、好適にはDIWである。
有機溶剤としては、イソプロパノール(IPA)等のアルコール類、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコールモノエチルエーテル(PGEE)等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、乳酸メチル、乳酸エチル(EL)等の乳酸エステル類、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、メチルエチルケトン、2-ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、N,N-ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン等のアミド類、γ-ブチロラクトン等のラクトン類等を挙げることができる。これらの有機溶剤は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができる。
好ましい一態様として、(C)溶媒が含む有機溶剤は、IPA、PGME、PGEE、EL、PGMEA、これらのいかなる組合せから選ばれる。有機溶剤が2種の組合せである場合、その体積比は、好ましくは20:80~80:20であり、より好ましくは30:70~70:30である。
保護膜形成液の全質量と比較して、(C)溶媒は、0.1~99.9質量%である。保護膜形成液の全質量と比較して、(C)溶媒は、好ましくは50~99.9質量%であり、より好ましくは75~99.5質量%である。保護膜形成液の全質量と比較して、(C)溶媒は、さらに好ましくは80~99質量%であり、よりさらに好ましくは85~99質量%である。
保護膜形成液の全質量と比較して、(C)溶媒は、0.1~99.9質量%である。保護膜形成液の全質量と比較して、(C)溶媒は、好ましくは50~99.9質量%であり、より好ましくは75~99.5質量%である。保護膜形成液の全質量と比較して、(C)溶媒は、さらに好ましくは80~99質量%であり、よりさらに好ましくは85~99質量%である。
<腐食防止成分>
(D)腐食防止成分としては、BTA以外にも、尿酸、カフェイン、ブテリン、アデニン、グリオキシル酸、グルコース、フルクトース、マンノース等が挙げられる。
<その他の添加物>
本発明の保護膜形成液は、(E)その他の添加物をさらに含んでいてもよい。本発明の一態様として、(E)その他の添加物は、界面活性剤、酸、塩基、抗菌剤、殺菌剤、防腐剤、または抗真菌剤を含んでなり(好ましくは、界面活性剤)、これらのいずれの組合せを含んでいてもよい。
(D)腐食防止成分としては、BTA以外にも、尿酸、カフェイン、ブテリン、アデニン、グリオキシル酸、グルコース、フルクトース、マンノース等が挙げられる。
<その他の添加物>
本発明の保護膜形成液は、(E)その他の添加物をさらに含んでいてもよい。本発明の一態様として、(E)その他の添加物は、界面活性剤、酸、塩基、抗菌剤、殺菌剤、防腐剤、または抗真菌剤を含んでなり(好ましくは、界面活性剤)、これらのいずれの組合せを含んでいてもよい。
本発明の一態様として、保護膜形成液中の(A)低溶解性成分の質量と比較して、(D)その他の添加物(複数の場合、その和)は、0~100質量(好ましくは0~10質量%、より好ましくは0~5質量%、さらに好ましくは0~3質量%、よりさらに好ましくは0~1質量%)である。保護膜形成液が(E)その他の添加剤を含まない(0質量%)ことも、本発明の態様の一つである。
<その他の実施形態>
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、図1Aおよび図13Aの例では、制御装置3が基板処理装置2,2Q内に設けられている例を示しているが、制御装置3は、基板処理装置2、2Qから独立して配置されていてもよい。
この発明は、以上に説明した実施形態に限定されるものではなく、さらに他の形態で実施することができる。
たとえば、図1Aおよび図13Aの例では、制御装置3が基板処理装置2,2Q内に設けられている例を示しているが、制御装置3は、基板処理装置2、2Qから独立して配置されていてもよい。
また、上述の実施形態の膜塗布除去装置4Aでは、保護膜形成液および除去液は移動ノズル9から吐出され、リンス液が固定ノズル10から吐出される。しかしながら、これらの液体は、必ずしも上述の実施形態に設けられたノズルから吐出される必要はなく、各液体を吐出するノズルの形態は限定されない。たとえば、残渣除去液と同様に、中央ノズル11から吐出口から吐出されるように構成されていてもよい。
また、上述の第1実施形態および第2実施形態では、膜塗布除去装置4Aによって、保護膜200の塗布および除去が行われる。しかしながら、除去液による保護膜200の除去、基板Wの保護対象面W1のリンス、および保護対象面W1からの残渣除去は、保護膜200の塗布とは別の液処理装置4によって実行されてもよい。詳しくは、保護膜200の塗布を行うことができず、かつ、基板Wへの除去液、リンス液、および残渣除去液を供給できる膜除去装置によって実行されてもよい。この膜除去装置には、第1スピンチャック6Aまたは第2スピンチャック6Bと同様の構成のスピンチャックが設けられている。このスピンチャック(第3基板保持ユニット)は、基板Wに下側から対向する第3ベースを有し、基板Wを水平に保持する。
また、上述の第3実施形態に係る基板処理の一例では、第1反転工程が反転ユニット5Aによって実行され、第2反転工程が反転ユニット5Bによって実行される。しかしながら、第1反転工程および第2反転工程は、いずれの反転ユニットによって実行されてもよい。
また、上述の第1実施形態および第2実施形態では、単一の反転ユニット5によって、第1反転工程および第2反転工程が実行される。しかしながら、反転ユニット5が複数設けられていて、第1反転工程および第2反転工程が、別々の反転ユニット5によって実行されてもよい。
また、上述の第1実施形態および第2実施形態では、単一の反転ユニット5によって、第1反転工程および第2反転工程が実行される。しかしながら、反転ユニット5が複数設けられていて、第1反転工程および第2反転工程が、別々の反転ユニット5によって実行されてもよい。
また、上述した各実施形態では、洗浄対象面W2に対してスプレー洗浄またはスクラブ洗浄等の物理洗浄が実行される。しかしながら、洗浄対象面W2は、必ずしも物理洗浄によって洗浄される必要はなく、連続流の洗浄液の供給によって洗浄されてもよい。
保護膜形成液は、上述したものに限られない。たとえば、保護膜形成液として、レジスト膜形成液または反射膜形成液を用いることが可能である。その場合、除去液として、現像液を用いることができる。
保護膜形成液は、上述したものに限られない。たとえば、保護膜形成液として、レジスト膜形成液または反射膜形成液を用いることが可能である。その場合、除去液として、現像液を用いることができる。
反射防止膜形成液は、溶媒および溶質を含有する。反射防止膜形成液に含有される溶質は、たとえば、親水性基を有するアントラセン骨格含有反射防止膜形重合体を含む。アントラセン骨格含有重合体は、アクリル酸、メタクリル酸、ビニルアルコール、ビニルピロリドン、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステルからなる群から選択される少なくとも1種類のモノマーとアントラセン骨格含有モノマーとのコポリマーである。反射防止膜形成液に含有される溶媒は、たとえば、有機溶剤または水である。反射防止膜形成液に含有される溶質は、フッ素系樹脂であってもよい。
この溶媒として用いられる有機溶剤としては、(a)炭化水素、たとえばn-ヘキサン、n-オクタン、シクロヘキサン等、(b)アルコール、たとえばメチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール等、(c)ケトン、たとえばアセトン、メチルエチルケトン等、および(d)エステル、たとえば酢酸メチル、酢酸エチル、乳酸エチル等、(e)エーテル、例えばジエチルエーテル、ジブチルエーテル等、(f)その他の極性溶媒、たとえばジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、メチルセロソルブ、セロソルブ、ブチルセロソルブ、セロソルブアセテート、アルキルセロソルブアセテート、ブチルカルビトール、カルビトールアセテート等、などから目的に応じて任意のものを用いることができる。
レジスト膜形成液は、溶媒と、溶媒に溶解される溶質としてのレジスト組成物とを含有する。レジスト膜を構成するレジスト組成物としては、ポジ型のレジスト組成物およびネガ型組成物等を用いることができる。ポジ型のレジスト組成物としては、たとえば、キノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるもの、化学増幅型レジスト組成物等が挙げられる。
ネガ型のレジスト組成物としては、たとえば、ポリケイ皮酸ビニル等の感光性基を有する高分子化合物を含むもの、芳香族アジド化合物を含有するもの或いは環化ゴムとビスアジド化合物からなるようなアジド化合物を含有するもの、ジアゾ樹脂を含むもの、付加重合性不飽和化合物を含む光重合性組成物、化学増幅型ネガ型レジスト組成物等が挙げられる。
ここでキノンジアジド系感光剤とアルカリ可溶性樹脂とからなるポジ型レジスト組成物において用いられるキノンジアジド系感光剤の例としては、1,2-ベンゾキノンジアジド-4-スルホン酸、1,2-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸、1,2-ナフトキノンジアジド-5-スルホン酸、これらのスルホン酸のエステル或いはアミド等が挙げられる。またアルカリ可溶性樹脂の例としては、ノボラック樹脂、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、アクリル酸あるいはメタクリル酸のコポリマーなどが挙げられる。ノボラック樹脂としては、フェノール、o-クレゾール、m-クレゾール、p-クレゾール、キシレノール等のフェノール類の1種又は2種以上と、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド等のアルデヒド類の1種以上から製造されるものが好ましいものとして挙げられる。
また、化学増幅型のレジスト組成物は、ポジ型およびネガ型のいずれであっても用いることができる。化学増幅型レジストは、放射線照射により酸を発生させ、この酸の触媒作用による化学変化により放射線照射部分の現像液に対する溶解性を変化させてパターンを形成するもので、たとえば、放射線照射により酸を発生させる酸発生化合物と、酸の存在下に分解しフェノール性水酸基あるいはカルボキシル基のようなアルカリ可溶性基が生成される酸感応性基含有樹脂からなるもの、アルカリ可溶樹脂と架橋剤、酸発生剤からなるものが挙げられる。
また、保護膜形成液として、溶媒を蒸発させることで水溶性膜を形成する水溶性ポリマー含有液を用いることも可能である。
水溶性ポリマーは、たとえば、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースヘキサヒドロフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、セルロースアセテートヘキサヒドロフタレート、カルボキシメチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロースなどのセルロース系重合体、N,N‐ジメチルアクリルアミド、ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、N,N‐ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、N‐メチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、N,N‐ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリロイルモルホリン、アクリル酸等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等のビニル系重合体の少なくともいずれかを含有する。これらの水溶性ポリマーは1種のみを用いてもよいし、2種以上を組み合せて用いてもよい。
水溶性ポリマーは、たとえば、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースアセテートサクシネート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースヘキサヒドロフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、セルロースアセテートヘキサヒドロフタレート、カルボキシメチルセルロース、エチルセルロース、メチルセルロースなどのセルロース系重合体、N,N‐ジメチルアクリルアミド、ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、N,N‐ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、N‐メチルアクリルアミド、ジアセトンアクリルアミド、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジエチルアミノエチルメタクリレート、N,N‐ジメチルアミノエチルアクリレート、アクリロイルモルホリン、アクリル酸等のアクリル系重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン等のビニル系重合体の少なくともいずれかを含有する。これらの水溶性ポリマーは1種のみを用いてもよいし、2種以上を組み合せて用いてもよい。
保護膜として水溶性膜を用いる場合、除去液としてDIWを用いることで、保護膜は、除去液に溶解されて基板W上から除去される(溶解除去工程)。その場合、リンス液の供給は省略可能である。第1実施形態および第2実施形態と同様に保護膜が低溶解性固体および高溶解性固体によって構成されている場合であっても、除去液としてDIWを用いる場合には、リンス液の供給を省略できる。
この明細書において、「~」または「-」を用いて数値範囲を示した場合、特に限定されて言及されない限り、これらは両方の端点を含み、単位は共通する。例えば、5~25モル%は、5モル%以上25モル%以下を意味する。
なお、上述の実施形態では、「沿う」、「水平」、「鉛直」といった表現を用いたが、厳密に「沿う」、「水平」、「鉛直」であることを要しない。すなわち、これらの各表現は、製造精度、設置精度等のずれを許容するものである。
なお、上述の実施形態では、「沿う」、「水平」、「鉛直」といった表現を用いたが、厳密に「沿う」、「水平」、「鉛直」であることを要しない。すなわち、これらの各表現は、製造精度、設置精度等のずれを許容するものである。
その他、特許請求の範囲に記載した範囲で種々の変更を行うことができる。
1 :基板処理システム
1P :基板処理システム
1Q :基板処理システム
2 :基板処理装置
2Q :基板処理装置
5 :反転ユニット
5A :第1反転ユニット
5B :第2反転ユニット
6A :第1スピンチャック(第1基板保持ユニット、第3基板保持ユニット)
6B :第2スピンチャック(第2基板保持ユニット)
9 :移動ノズル(保護膜塗布ノズル、除去液ノズル)
12 :下側ノズル(気体供給ユニット)
13 :気体流路(気体供給ユニット)
21 :第1スピンベース(第1ベース、第3ベース)
70 :スクラブ洗浄ユニット(洗浄ユニット)
60 :チャックピン
61 :第2スピンベース(第2ベース)
72 :洗浄ブラシ(洗浄部材)
130 :スプレー洗浄ユニット(洗浄ユニット)
131 :スプレーノズル
155 :プラズマ発生ユニット(ドライ除去ユニット)
157 :下電極(第3ベース、第3基板保持ユニット)
170 :ベース(第3ベース、第3基板保持ユニット)
171 :光照射ユニット(ドライ除去ユニット)
200 :保護膜
C :キャリア(収容器)
CR :主搬送ロボット(搬送ユニット)
CR1 :第1主搬送ロボット(搬送ユニット)
CR2 :第2主搬送ロボット(搬送ユニット)
D :液滴
H :ハンド
IR :インデクサロボット(搬送ユニット)
LP :ロードポート(収容器載置部材)
W :基板
W1 :保護対象面
W2 :洗浄対象面
1P :基板処理システム
1Q :基板処理システム
2 :基板処理装置
2Q :基板処理装置
5 :反転ユニット
5A :第1反転ユニット
5B :第2反転ユニット
6A :第1スピンチャック(第1基板保持ユニット、第3基板保持ユニット)
6B :第2スピンチャック(第2基板保持ユニット)
9 :移動ノズル(保護膜塗布ノズル、除去液ノズル)
12 :下側ノズル(気体供給ユニット)
13 :気体流路(気体供給ユニット)
21 :第1スピンベース(第1ベース、第3ベース)
70 :スクラブ洗浄ユニット(洗浄ユニット)
60 :チャックピン
61 :第2スピンベース(第2ベース)
72 :洗浄ブラシ(洗浄部材)
130 :スプレー洗浄ユニット(洗浄ユニット)
131 :スプレーノズル
155 :プラズマ発生ユニット(ドライ除去ユニット)
157 :下電極(第3ベース、第3基板保持ユニット)
170 :ベース(第3ベース、第3基板保持ユニット)
171 :光照射ユニット(ドライ除去ユニット)
200 :保護膜
C :キャリア(収容器)
CR :主搬送ロボット(搬送ユニット)
CR1 :第1主搬送ロボット(搬送ユニット)
CR2 :第2主搬送ロボット(搬送ユニット)
D :液滴
H :ハンド
IR :インデクサロボット(搬送ユニット)
LP :ロードポート(収容器載置部材)
W :基板
W1 :保護対象面
W2 :洗浄対象面
Claims (14)
- 保護対象面と前記保護対象面の反対側の洗浄対象面とを有する基板に下側から対向する第1ベースを含み、前記保護対象面が上側に向けられる第1姿勢で前記基板を保持する第1基板保持ユニットと、
前記第1基板保持ユニットに保持されている前記基板の前記保護対象面において少なくとも周縁部に保護膜を塗布する保護膜塗布ノズルと、
前記第1姿勢から、前記保護対象面が下側に向けられる第2姿勢に前記基板の姿勢が変化するように、前記基板の周縁部に接触しながら前記基板を反転させる第1反転ユニットと、
前記基板に下側から対向する第2ベースを含み、前記基板を前記第2姿勢で保持する第2基板保持ユニットと、
前記第2基板保持ユニットに保持されている前記基板の前記洗浄対象面を洗浄する洗浄ユニットとを備える、基板処理システム。 - 前記第1基板保持ユニットが、前記洗浄対象面の中央部を前記第1ベースに吸着させて前記基板を保持する第1吸着保持ユニットを含む、請求項1に記載の基板処理システム。
- 前記第2基板保持ユニットが、前記第2ベースに支持され、前記基板の前記保護対象面の周縁部に接触する複数のチャックピンを含む、請求項1または2に記載の基板処理システム。
- 前記保護膜塗布ノズルが、前記基板の前記保護対象面の全体に前記保護膜を塗布するように構成されており、
前記第2基板保持ユニットが、前記保護対象面の中央部を前記第2ベースに吸着させて前記基板を保持する第2吸着保持ユニットを含む、請求項1または2に記載の基板処理システム。 - 前記洗浄ユニットが、前記洗浄対象面に向けて洗浄液の液滴を噴射することで前記洗浄対象面に対してスプレー洗浄を実行するスプレーノズルを含む、請求項1~4のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記洗浄ユニットが、前記基板の前記洗浄対象面に接触して前記洗浄対象面をスクラブ洗浄する洗浄部材を含む、請求項1~5のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記第2姿勢から前記第1姿勢に記基板の姿勢が変化するように前記基板の周縁部に接触しながら前記基板を反転させる第2反転ユニットと、
前記基板に下側から対向する第3ベースを含み、前記基板を前記第1姿勢で保持する第3基板保持ユニットと、
前記保護対象面から前記保護膜を除去する除去液を、前記第3基板保持ユニットに保持されている前記基板の前記保護対象面に供給する除去液ノズルとをさらに備える、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記第1基板保持ユニットが前記第3基板保持ユニットを兼ねている、請求項7に記載の基板処理システム。
- 前記第2姿勢から前記第1姿勢に記基板の姿勢が変化するように前記基板の周縁部に接触しながら前記基板を反転させる第2反転ユニットと、
前記基板に下側から対向する第3ベースを含み、前記基板を前記第1姿勢で保持する第3基板保持ユニットと、
前記保護対象面に対してプラズマ処理、または、光照射処理を実行することによって、前記保護対象面から前記保護膜を除去するドライ除去ユニットとをさらに備える、請求項1~6のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 前記第2基板保持ユニットに保持されている前記基板の前記保護対象面と前記第2ベースとの間の空間に気体を供給する気体供給ユニットをさらに備える、請求項1~9のいずれか一項に記載の基板処理システム。
- 前記基板を前記第1姿勢で収容する収容器を載置する収容器載置部材と、
前記基板の前記洗浄対象面および前記保護対象面のうち下側に向けられた面の周縁部に接触するハンドを有し、前記収容器載置部材、前記第1基板保持ユニット、前記第1反転ユニット、および、前記第2基板保持ユニットの間で前記基板を搬送する搬送ユニットとをさらに備える、請求項1~10のいずれか一項に記載の基板処理システム。 - 保護対象面と前記保護対象面の反対側の洗浄対象面とを有する基板を、第1ベースに上側から対向する第1保持位置に、前記保護対象面が上側に向けられている第1姿勢で保持する第1基板保持工程と、
前記第1基板保持工程によって、前記第1姿勢で前記第1保持位置に保持されている前記基板の前記保護対象面において少なくとも周縁部に保護膜を塗布する保護膜塗布工程と、
前記保護膜塗布工程の後、前記第1姿勢から、前記保護対象面が下側に向けられている第2姿勢に前記基板の姿勢が変化するように、第1反転ユニットを前記基板の周縁部に接触させて前記基板を反転させる第1反転工程と、
前記第1反転工程によって姿勢が前記第2姿勢となった前記基板を、第2ベースに上側から対向する第2保持位置に保持する第2基板保持工程と、
前記第2基板保持工程によって前記第2姿勢で前記第2保持位置に保持されている前記基板の前記洗浄対象面に対する洗浄を実行する洗浄工程とを含む、基板処理方法。 - 前記洗浄工程の後、前記第2姿勢から前記第1姿勢に前記基板の姿勢が変化するように、第2反転ユニットを前記基板の周縁部に接触させて前記基板を反転させる第2反転工程と、
第3ベースに上側から対向する第3保持位置に、前記第2反転工程によって姿勢が前記第1姿勢となった前記基板を保持する第3基板保持工程と、
前記第3基板保持工程によって前記第1姿勢で前記第1保持位置に保持されている前記基板に除去液を供給することによって前記保護膜の除去する保護膜除去工程とを含む、請求項12に記載の基板処理方法。 - 前記洗浄工程の後、前記第2姿勢から前記第1姿勢に前記基板の姿勢が変化するように、第2反転ユニットを前記基板の周縁部に接触させて前記基板を反転させる第2反転工程と、
第3ベースに上側から対向する第3保持位置に、前記第2反転工程によって姿勢が前記第1姿勢となった前記基板を保持する第3基板保持工程と、
前記第3基板保持工程によって前記第1姿勢で前記第3保持位置に保持されている前記基板に対してプラズマ処理または光照射処理を実行することによって、前記保護対象面から前記保護膜の除去する保護膜除去工程とを含む、請求項12に記載の基板処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020219355A JP2022104259A (ja) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
KR1020210179457A KR102658090B1 (ko) | 2020-12-28 | 2021-12-15 | 기판 처리 시스템, 및 기판 처리 방법 |
US17/553,869 US20220203409A1 (en) | 2020-12-28 | 2021-12-17 | Substrate processing system and substrate processing method |
CN202111569127.1A CN114695184A (zh) | 2020-12-28 | 2021-12-21 | 衬底处理系统及衬底处理方法 |
TW110148830A TWI797914B (zh) | 2020-12-28 | 2021-12-27 | 基板處理系統及基板處理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020219355A JP2022104259A (ja) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022104259A true JP2022104259A (ja) | 2022-07-08 |
Family
ID=82119339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020219355A Pending JP2022104259A (ja) | 2020-12-28 | 2020-12-28 | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220203409A1 (ja) |
JP (1) | JP2022104259A (ja) |
KR (1) | KR102658090B1 (ja) |
CN (1) | CN114695184A (ja) |
TW (1) | TWI797914B (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4180787B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2008-11-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4771845B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2011-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び記憶媒体 |
US10192771B2 (en) * | 2015-09-29 | 2019-01-29 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate holding/rotating device, substrate processing apparatus including the same, and substrate processing method |
CN108666232B (zh) * | 2017-03-28 | 2021-11-12 | 雷仲礼 | 基板处理系统、基板翻转装置和方法 |
JP7061439B2 (ja) * | 2017-08-30 | 2022-04-28 | 株式会社Screenホールディングス | 基板反転装置、基板処理装置および基板支持装置 |
JP7208814B2 (ja) * | 2019-02-13 | 2023-01-19 | 株式会社Screenホールディングス | 生成装置、基板処理装置、及び基板処理方法 |
JP7191748B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2022-12-19 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2020
- 2020-12-28 JP JP2020219355A patent/JP2022104259A/ja active Pending
-
2021
- 2021-12-15 KR KR1020210179457A patent/KR102658090B1/ko active IP Right Grant
- 2021-12-17 US US17/553,869 patent/US20220203409A1/en active Pending
- 2021-12-21 CN CN202111569127.1A patent/CN114695184A/zh active Pending
- 2021-12-27 TW TW110148830A patent/TWI797914B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI797914B (zh) | 2023-04-01 |
TW202231369A (zh) | 2022-08-16 |
KR102658090B1 (ko) | 2024-04-16 |
CN114695184A (zh) | 2022-07-01 |
KR20220094142A (ko) | 2022-07-05 |
US20220203409A1 (en) | 2022-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW202223984A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP7431077B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI785316B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
US11921426B2 (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and recipe selection method | |
KR102658090B1 (ko) | 기판 처리 시스템, 및 기판 처리 방법 | |
TWI794774B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP2022073303A (ja) | 基板処理システムおよび基板処理方法 | |
JP2021153139A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7355535B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2022190451A1 (ja) | 基板処理方法、および、基板処理装置 | |
JP7513454B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TWI816155B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
JP7296309B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7292192B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、およびレシピ選択方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230620 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20240314 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240425 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240610 |