JP2021532602A - 非接触洗浄モジュール - Google Patents

非接触洗浄モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2021532602A
JP2021532602A JP2021505782A JP2021505782A JP2021532602A JP 2021532602 A JP2021532602 A JP 2021532602A JP 2021505782 A JP2021505782 A JP 2021505782A JP 2021505782 A JP2021505782 A JP 2021505782A JP 2021532602 A JP2021532602 A JP 2021532602A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
cleaning
assembly
gripping
plate assembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021505782A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7304935B2 (ja
Inventor
ジェーガン ランガラジャン,
エイドリアン ブランク,
エドワード ゴルボフスキー,
バラスブラマニーム コインバトール ジャガナサン,
スティーブン エム. ズニガ,
エカテリーナ ミハイリチェンコ,
マイケル エー. アンダーソン,
ジョナサン ピー. ドミン,
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of JP2021532602A publication Critical patent/JP2021532602A/ja
Priority to JP2023105054A priority Critical patent/JP2023134520A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7304935B2 publication Critical patent/JP7304935B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022Cleaning travelling work
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/02Cleaning by the force of jets, e.g. blowing-out cavities
    • B08B5/023Cleaning travelling work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B2203/00Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B2203/02Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B2203/0288Ultra or megasonic jets

Abstract

ウエハを洗浄するための洗浄モジュールは、垂直配向でウエハを支持するように構成された、捕獲カップと把持アセンブリとを含むウエハ把持装置を備える。捕獲カップは、処理領域を画定する、ウエハ把持装置の中心軸を中心として対称な角度付けされた部分を有する環状内表面を有する壁を含む。把持アセンブリは、第1のプレートアセンブリ、第2のプレートアセンブリ、複数の把持ピン、およびの複数の装填ピンを備える。把持ピンは、洗浄プロセス中にウエハを把持するように構成され、装填ピンは、装填および取り出しプロセス中にウエハを把持するように構成される。洗浄モジュールは、ウエハの表側および裏側に液体を送達するように構成されたノズル機構に連結されたスイープアームをさらに備える。【選択図】図10

Description

分野
[0001]本開示の実施形態は、概して、処理されたウエハを洗浄するための装置および方法に関し、より詳細には、ウエハを処理するための非接触洗浄システムおよび方法に関する。
関連技術の説明
[0002]様々な事例において、ウエハは、電気装置における使用のために処理される前に、ウエハからあらゆる汚染を除去するために洗浄される。1つまたは複数の実施形態において、ウエハを洗浄するために、化学バフ研磨および/またはブラシスクラビングなどの洗浄方法が利用される。しかしながら、これらの洗浄方法では、対応する洗浄プロセスの後に、ウエハへの粒子の再付着が生じる可能性がある。例えば、これらの洗浄プロセス(例えば、バフパスおよび/または洗浄ブラシ)のための接触媒体は、汚染源でありうる。粒子は、アナログ、ロジック、および/または高度なメモリ用途を含めるための処理をサポートできないウエハをもたらす可能性がある。その結果、処理されたウエハの歩留まりは悪影響を受けるであろう。
[0003]したがって、ウエハをさらに処理する前に、洗浄されたウエハから粒子を除去するために使用することができる改善された洗浄プロセスが必要とされている。
[0004]一実施例において、洗浄モジュールは、ウエハ把持装置を備える。ウエハ把持装置は、垂直配向でウエハを支持するように構成され、捕獲カップと把持アセンブリとを備える。捕獲カップは、環状の内表面を有する壁を備える。この環状内表面は、処理領域を画定し、ウエハ把持装置の中心軸を中心として対称な、角度付けされた部分を有する。把持アセンブリは、第1のプレートアセンブリ、第2のプレートアセンブリ、把持ピン、および装填ピンを備える。把持ピンは、第2のプレートアセンブリのものであり、装填ピンは第1のプレートアセンブリのものである。把持アセンブリは、装填位置、すすぎ位置および洗浄位置に位置決めされるように構成される。洗浄位置にあるとき、把持アセンブリは、処理領域内に配置されている。さらに、把持アセンブリが装填位置にあるとき、把持ピンは把持アセンブリの中心から第1の距離であり、把持アセンブリが洗浄位置にあるとき、把持ピンはウエハ把持装置の中心軸から第2の距離である。第1の距離は第2の距離より大きい。加えて、把持アセンブリが装填位置および洗浄位置にあるとき、装填ピンは各々が中心軸から第3の距離である。
[0005]一実施例において、ウエハ把持装置を含む洗浄モジュール内においてウエハを洗浄するための方法は、把持アセンブリの第1のプレートアセンブリを、把持アセンブリの第2のプレートアセンブリから離れてウエハ把持装置の捕獲カップの環状内表面に向うように移動させ、把持アセンブリを装填位置に位置決めすることを含む。ウエハは、第1のプレートアセンブリの複数の装填ピンによって垂直方向に受け入れられる。さらに、第1のプレートアセンブリを第2のプレートアセンブリから離れるように移動させることで、第2のプレートアセンブリの複数の把持ピンがウエハ把持装置の中心軸から第1の距離に位置決めされる。加えて、環状内表面は、中心軸を中心として対称な、角度付けされた部分を有し、環状内表面は加工領域を画定する。この方法は、第1のプレートアセンブリを第2のプレートアセンブリに向かって環状内表面から離れるように移動させ、把持アセンブリを洗浄位置に位置決めすることをさらに含む。さらに、複数の把持ピンは、把持アセンブリの第1のプレートアセンブリを第2のプレートアセンブリに向かって移動させることに応答して、中心軸から第2の距離に位置決めされ、ウエハを把持する。第1の距離は第2の距離より大きい。さらに、この方法は、洗浄プロセス中に、把持アセンブリ、捕獲カップおよびウエハを同時に回転させることを含む。
[0006]上述の本開示の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、一部の実施形態は添付図面に示される。しかしながら、本開示は他の等しく有効な実施形態も許容しうることから、添付図面はこの開示の典型的な実施形態のみを例示しているのであり、したがってその範囲を限定すると見なすべきではないことに留意されたい。
[0007]1つまたは複数の実施形態による、化学機械研磨システムの概略上面図を示す。 [0008]一実施形態による洗浄モジュールの概略側断面図である。 [0009]1つまたは複数の実施形態による洗浄モジュールの概略図を示す。 [0010]1つまたは複数の実施形態によるウエハ把持装置の概略側面断面図である。 1つまたは複数の実施形態によるウエハ把持装置の概略側面断面図である。 [0011]1つまたは複数の実施形態による把持アセンブリを示している。 1つまたは複数の実施形態による把持アセンブリを示している。 1つまたは複数の実施形態による把持アセンブリを示している。 [0012]1つまたは複数の実施形態による把持アセンブリを示している。 1つまたは複数の実施形態による把持アセンブリを示している。 [0013]AおよびBは、1つまたは複数の実施形態による種々のノズル機構を示している。 1つまたは複数の実施形態による種々のノズル機構を示している。 [0014]1つまたは複数の実施形態によるスイープアームの概略図を示している。 [0015]1つまたは複数の実施形態による、洗浄モジュール内部の空気の流れを示している。 [0016]1つまたは複数の実施形態による水抜き穴の部分概略図を示している。 [0017]1つまたは複数の実施形態による、ウエハを洗浄するための方法を示している。 [0018]1つまたは複数の実施形態によるウエハ把持装置の実施例を示す。 1つまたは複数の実施形態による、ウエハ把持装置の実施例である。 1つまたは複数の実施形態による、ウエハ把持装置の実施例を示す。 1つまたは複数の実施形態による、ウエハ把持装置の実施例を示す。 [0019]1つまたは複数の実施形態による洗浄モジュールの概略側断面図である。 [0020]1つまたは複数の実施形態によるウエハ把持装置の概略側面断面図である。 [0021]1つまたは複数の実施形態による把持アセンブリの図を示している。 1つまたは複数の実施形態による把持アセンブリの図を示している。 [0022]1つまたは複数の実施形態による、ウエハを洗浄するための方法を示している。 [0023]1つまたは複数の実施形態によるウエハ把持装置の実施例を示している。 1つまたは複数の実施形態によるウエハ把持装置の実施例を示している。 1つまたは複数の実施形態によるウエハ把持装置の実施例を示している。
[0024]理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通する同一要素を指し示すのに同一の参照番号を使用した。一実施形態において開示される要素は、それに関する具体的な記述がなくとも、他の実施形態で有益に利用できることが企図されている。
[0025]本開示の実施形態は、概して、処理されたウエハから粒子を除去するための改善された洗浄システムおよび方法に関する。様々な事例において、ウエハ洗浄は、化学バフ研磨および/またはブラシスクラビングによって実施される。しかしながら、このような事例では、ウエハは、化学バフ研磨および/またはブラシスクラビングプロセスのいずれかの後に、粒子の再付着を被ることがある。ウエハに再付着する粒子は、ウエハに緩く付着しており、比較的小さなサイズ(例えば、約50nm以下)であっても、ウエハ上に形成されるデバイスに欠陥が生成されることにより、ウエハをフロントエンド論理および先進メモリデバイスに合致するように作製できなくなる可能性がある。その結果、処理されたウエハの歩留まりは悪影響を受けるであろう。したがって、再付着した粒子を除去することができる新しい洗浄方法が必要とされている。例えば、以下の記載は、化学バフ研磨および/またはブラシスクラビング洗浄プロセスの後でウエハ上の残留粒子を除去するために利用することができる非接触洗浄方法のためのシステムおよび方法を説明する。
[0026]図1は、化学機械平坦化(「CMP」)システム100の一実施形態を示す上面図である。CMPシステム100は、ファクトリインターフェース102、洗浄機104、および研磨モジュール106を含む。ファクトリインターフェース102と研磨モジュール106との間でウエハ151を搬送するために、ロボット111が設けられている。ロボット111は、研磨モジュール106と洗浄機104との間でウエハを移送するように構成することもできる。ファクトリインターフェース102は、1つまたは複数のカセット114と1つまたは複数の搬送プラットフォーム116との間でウエハ(例えば、ウエハ151)を搬送するように構成されたロボット110を含む。加えて、ロボット110は、洗浄機104からウエハを受け取り、洗浄され研磨されたウエハをストレージカセット114に戻すように構成される。
[0027]研磨システム100は、複数の研磨ステーション124a〜124dおよびロードカップ123a〜123bを少なくとも部分的に支持および収納する研磨モジュール106を含む。各研磨ステーション124は、頭上トラック128に沿って並進するキャリアヘッドアセンブリ内部でウエハ151を運搬するように構成されたキャリアヘッド内に保持される基板を研磨するように適合されている。キャリアヘッドアセンブリ119は、キャリジ108に取り付けられたキャリアモータによってトラック128に沿って移動される。キャリッジ108は、一般に、頭上トラック128に沿ってキャリアヘッドアセンブリ119をガイドし、その位置の制御を容易にすることができる構造要素を含む。さらに、研磨モジュール106は、キャリアヘッドに基板を装填しかつキャリアヘッドから基板を取り出すための装填ステーション122も含む。各研磨ステーション124は、ウエハ研磨中に回転されるプラテン120を含む。加えて、各研磨ステーション124は、ウエハ(例えば、ウエハ151)を研磨するためのパッドおよび研磨液を利用する。
[0028]プログラマブルコンピュータなどのコントローラ190は、研磨モジュール106の要素に接続され、研磨モジュール106の要素を動作させるように構成される。例えば、コントローラ190は、ウエハ151の装填、取り出しおよび研磨モジュール106による研磨を制御することができる。
[0029]コントローラ190は、中央処理装置(CPU)192、メモリ194、及び支持回路196、例えば、入力/出力回路、電源、クロック回路、キャッシュ、などを含むことができる。メモリ194は、CPU192に接続される。メモリは、非一時的な計算可能可読媒体であり、ランダムアクセスメモリ(RAM)、読出し専用メモリ(ROM)、フロッピーディスク、ハードディスク、または他の形状のデジタルストレージといった、1つまたは複数の容易に利用可能なメモリでありうる。加えて、図では単一のコンピュータとして示されているが、コントローラ190は、例えば、複数の独立に動作するプロセッサ及びメモリを含む分散システムでもよい。このアーキテクチャは、キャリアヘッドが研磨ステーションに位置決めされる順序およびタイミングを制御するために、コントローラ190のプログラミングに基づいて、様々な研磨状況に適応可能である。
[0030]研磨システム100は、メガソニック洗浄モジュール161、前洗浄モジュール162、ブラシボックス洗浄モジュール164、最終洗浄モジュール166、および乾燥タンク168のうちの少なくとも1つをさらに含む。さらに、図1は、入力シャトルモジュールを含むことができる。一実施形態では、メガソニック洗浄モジュール161、前洗浄モジュール162、ブラシボックス洗浄モジュール164、最終洗浄モジュール166、および乾燥タンク168の各々は、Y方向に横並びに位置決めされた一対の処理チャンバを含む。2つの最終洗浄モジュール166は各々が、ここでより詳細に記載される洗浄モジュールを含む。図示のように、洗浄モジュール166は、最後の洗浄工程、例えば、最終洗浄モジュールとして使用することができる。他の実施形態では、1つまたは複数の洗浄モジュールは、洗浄モジュール166と乾燥タンク168との間に位置決めされる。さらに、1つまたは複数の実施形態では、モジュールのうちの1つまたは複数を省略することができる。
[0031]図2Aは、1つまたは複数の実施形態による、非接触洗浄モジュール200の断面図を概略的に示している。洗浄モジュール200は、メガソニック洗浄モジュール161、前洗浄モジュール162、ブラシボックス洗浄モジュール164のうちの1つまたは複数内で洗浄された後、ウエハが対応するマランゴニ乾燥タンク(例えば、乾燥タンク168)内に配置される前に、洗浄されるウエハ、例えばウエハ151を受け入れることができる。さらに、種々の実施形態では、洗浄モジュール200は、ウエハ洗浄サイクルおよび/またはエッジ/ベベル洗浄プロセス内部の任意の場所に配置することができる。洗浄モジュール200は、除去されない場合には対応するウエハが品質基準を満たさずに廃棄されることになりうるウエハから、汚染を除去するために利用することができる。
[0032]洗浄モジュール200は、ウエハ把持装置203、スイープアーム230、ノズル機構240、プレナム280、排気部260、スプレーバー290、ドレイン284、および空気取り入れ口270を含む。洗浄モジュール200は、感知装置294をさらに含むことができる。
[0033]ウエハ把持装置203は、ウエハ151を垂直方向に支持(例えば、保持)するように構成される。例えば、ウエハ把持装置203は、回転軸216に直角な垂直配向でウエハ151を支持するように構成される。ウエハ把持装置は、捕獲カップ210および把持アセンブリ220を含んでいる。捕獲カップ210は、第1の捕獲カップ211および第2の捕獲カップ212を含むことができる。第1の捕獲カップ211は、第2の捕獲カップ212に連結されうる。例えば、第1の捕獲カップ211は、1つまたは複数のボルトを介して第2の捕獲カップ212に連結することができる。第1の捕獲カップ211および第2の捕獲カップ212のうちの1つまたは複数は、ねじ付きボルトを受け入れるように構成された1つまたは複数のねじ付き部分を含むことができる。代替的に、捕獲カップ210は、単一の捕獲カップを含む。例えば、捕獲カップ210は、単一の連続した材料片から形成することができる。
[0034]捕獲カップ210は、環状内表面214を有する壁213を含む。環状内表面214は、ウエハ把持装置203内部の処理容積部297を画定する。環状内表面214は、ウエハ把持装置203の中心軸を中心として対称な、角度付けされた部分を有する。例えば、ウエハ151は、処理容積部297内部で洗浄することができる。さらに、環状内表面214は、回転軸216を中心として対称な角度付けされた部分を有する。
[0035]把持アセンブリ220は、洗浄のために洗浄流体がウエハ151に適用される間、ウエハ151を保持する。把持アセンブリ220は、図3Aおよび対応する記載を参照してさらに詳細に記載される。
[0036]洗浄流体は、把持アセンブリ220および捕獲カップ210が回転される間、ノズル機構240によってウエハの前側に、かつシャフト224に形成された流体源223に連結される開口部225を介してウエハの裏側に適用することができる。シャフト224は、洗浄流体をウエハ151に送達するように構成された1つまたは複数の管を含むことができる。
[0037]駆動モータ222は、シャフト224を介して把持アセンブリ220に連結されうる。駆動モータ222は、把持アセンブリ220および捕獲カップ210を、回転軸216を中心に回転させる。さらに、駆動モータ222は、回転軸216に沿って把持アセンブリ220に水平運動を付与することができる。駆動モータ222は、把持アセンブリ220と捕獲カップ210の回転を制御するように構成された第1のモータと、把持アセンブリ220の水平運動を制御するように構成された第2のモータとを含みうる。第1のモータは回転モータとも呼ばれ、第2のモータは線形アクチュエータとも呼ばれる。さらに、第2のモータは、流体圧モータの、空気圧モータの、電気機械モータの、および磁気モータのうちの1つとすることができる。水平運動は、一般に、軸方向への移動または回転軸216に平行な方向への移動である。一実施形態において、水平運動は、図3Aによって示されるX方向の動きに対応する。さらに、把持アセンブリ220の水平運動は、捕獲カップ210の移動から独立していてよい。加えて、把持アセンブリ220および捕獲カップ210は、一緒に(例えば、同時に)回転されるように構成されてもよい。
[0038]スイープアーム駆動モータ234は、以下でさらに説明するように、スイープアームシャフトに連結されて、スイープアーム230を、ウエハ151の表面に平行な弓形の経路で移動させるように構成されうる。スイープアーム234は、流体をノズル機構240に送達するための1つまたは複数の管を含みうる。
[0039]蓋202は、壁(例えば、外囲壁)283に形成された開口部を覆い、洗浄モジュール200にウエハ151を挿入し、かつ洗浄モジュール200からウエハ151を洗浄モジュール200からウエハ151を除去するために、洗浄モジュール200の内部容積部295へのアクセスを提供することができる。蓋202が閉鎖位置にあるとき、洗浄モジュール200の内部容積部295は、分離された環境と呼ぶことができる。例えば、蓋202が閉じているとき、ウエハ151の洗浄中に生成および/または使用される煙霧および液体が、洗浄プロセス中に洗浄モジュール200から逃げないように、洗浄モジュール200の内部容積部295は外部環境から分離されている。洗浄プロセス中に使用および/または生成されるあらゆる煙霧および洗浄流体は、排気部260および/またはドレイン284を介して制御された方式で洗浄モジュール200から除去される。
[0040]スプレーバー290は、ウエハ151が洗浄モジュール200に挿入されるときにウエハ151に前処理流体を適用し、および/またはウエハ151が洗浄モジュール200から除去されるときにウエハ151をすすぎ流体ですすぐことができる。一実施形態において、スプレーバー290は、ウエハ151が装填位置または取り出し位置にある間に、ウエハ151に流体を適用するために利用することができる。ウエハ151の前処理および/またはすすぎは、ウエハ151の表面から望ましくない粒子を除去することを助けることができる。例えば、洗浄モジュール200から除去される間にウエハ151をすすぐことは、ウエハ151の表面から緩んだ粒子を除去することを助け、さらには除去された粒子のウエハ151の表面への再付着の防止することを助ける。
[0041]ドレイン284は、洗浄モジュール200から過剰な水分を除去するために利用することができる。一実施形態において、ドレイン284は、洗浄プロセス中に洗浄モジュール200から過剰な洗浄流体を除去する。
[0042]空気は、空気取り入れ口270によってプレナム280に供給され、排気部260によって洗浄モジュール200から排気されうる。空気取り入れ口270およびプレナム280は、洗浄モジュール200の前部に位置決めされ、排気部260は、洗浄モジュール200の後部に位置決めされる。さらに、プレナム280および排気部260は、粒子がウエハ151の表面に再付着することを防止するために、洗浄モジュール200内部の空気の流れを制御するように構成することができる。排気部260と空気取り入れ口270の位置を逆にして、排気部260を洗浄モジュール200の前部に位置決めし、空気取り入れ口270を洗浄モジュール200の後部に位置決めしてもよい。
[0043]洗浄モジュール200の内部容積部295は、捕獲カップ210と壁(例えば、外囲壁)283との間にあるように画定されうる。ウエハ(例えば、ウエハ151)は、洗浄モジュール200に装填されるときに内部容積部295内に挿入され、洗浄モジュール200から取り外されるときに、内部容積部295から除去されうる。
[0044]感知装置294は、洗浄モジュール200内部のウエハ151を検出することができる。例えば、感知装置294は、内部容積部295内部のウエハ151を検出することができる。さらに、感知装置294は、ウエハ151が把持アセンブリ220によって保持されている間に、ウエハ151を検出することができる。感知装置294は、ウエハ151が把持アセンブリ220に適切にまたは不適切に装填されたときを検出することができる。さらに、感知装置294は、ウエハ151が把持アセンブリ220から落下または脱落したときを検知することができる。感知装置294はさらに、ウエハ151が洗浄モジュール200に挿入されたとき、および洗浄モジュール200から取り外されたときを決定することができる。
[0045]1つまたは複数の実施形態では、コントローラ190は、洗浄モジュール200の機能を制御することができる。例えば、コントローラ190は、少なくとも把持アセンブリ220、スプレーバー290、スイープアーム230、ノズル機構240、排気部260、および/または感知装置294の機能性を制御することができる。
[0046]図2Bは、2つの洗浄モジュール、例えば、洗浄モジュール200および201の外観を示している。いくつかの実施形態では、洗浄モジュール201は、図2A〜2Bに示されるように、洗浄モジュール200と同じ構成要素を含む。
[0047]洗浄機(例えば、洗浄機104)は、1つまたは複数の洗浄モジュール(例えば、洗浄モジュール200および201のうちの1つまたは複数)を含むことができる。例えば、洗浄機104は、洗浄モジュール200を含むことができ、洗浄モジュール201は省略されうる。代替的に、洗浄機104は、洗浄モジュール200および201の両方を含むことができる。さらに、洗浄機104は、3つ以上の洗浄モジュールを含むことができる。
[0048]洗浄モジュール200および201は、1つまたは複数の入口接続部292を含むことができる。入口接続部292は、洗浄プロセス中に洗浄モジュール200および201内部に設けられる洗浄流体のための経路を提供する。洗浄流体は、ノズル機構240、ノズル機構240に沿ったスイープアーム上のチューブ、流体源223、および/またはスプレーバー290に提供されうる。さらに、洗浄モジュール200および201は、洗浄モジュール200および201の外部の電力ケーブルに連結するように構成された電力ケーブル接続部293を含んでもよい。
[0049]加えて、図2Bは、洗浄モジュール200の蓋202および洗浄モジュール201の蓋204を示している。ウエハ装填プロセスの間、蓋202および204は、ウエハ(例えば、ウエハ151)がそれぞれの洗浄モジュール200、201の各々に挿入されうるように開放される。さらに、ウエハ抽出プロセスの間、蓋202および204は、ウエハ(例えば、ウエハ151)がそれぞれの洗浄モジュール200、201の各々から抽出されるように開放される。1つまたは複数の実施形態では、洗浄サイクル中、蓋202および204は閉鎖され、洗浄モジュール200および201をシールする。
[0050]図2Bの実施形態では、洗浄モジュール200および201は、洗浄プロセス中、ウエハ151が垂直配向となるように位置決めされる。しかしながら、他の実施形態では、他の配向が使用されてもよい。さらに、洗浄モジュール200および201の各々は、洗浄機(104)のアーキテクチャによって指示されるように、単一のモジュールとして動作するように構成することができる。
[0051]図3Aは、ウエハ把持装置203の例示的実施形態を示している。図示のように、ウエハ把持装置203は、図2Aに示されている把持アセンブリ220および捕獲カップ210を含んでいる。把持アセンブリ220は、少なくとも洗浄サイクルの間、処理容積部297内部に位置決めされる。
[0052]把持アセンブリ220は、第1のプレートアセンブリ318、第2のプレートアセンブリ320、装填ピン311、および把持ピン315を含む。把持アセンブリ220は、洗浄プロセスの洗浄サイクル中に、第1のプレートアセンブリ318および第2のプレートアセンブリ320を回転させるために、駆動モータ222によって駆動されうるシャフト224に連結されている。さらに、シャフト224は、第1および第2のプレートアセンブリ318、320を、装填位置、取り出し位置、すすぎ位置、および洗浄位置に出し入れするために駆動することができる。さらに、洗浄流体は、洗浄プロセス中に第1のプレートアセンブリ318の開孔351を介してウエハ151の裏側に適用されるように、シャフト224を通って流れることができる。一実施形態では、シャフト224は、シャフト224が+X方向および−X方向に並進する間に把持アセンブリ220が回転することを可能にするスプラインシャフトであってもよい。
[0053]把持ピン315は、洗浄プロセス中にウエハ151を把持、または保持することができる。把持ピン315は、ウエハ151を受け入れるように構成された成形領域を含んでもよい。例えば、把持ピン315は、ウエハ151のエッジを受け入れるように成形されたノッチ領域を含むことができる。さらに、把持ピン315は、第2のプレートアセンブリ320内部に収納されうる。追加的に、または代替的に、把持ピン315は、第2のプレートアセンブリ320に連結されてもよい。把持ピン315は、互いから約120°に配置することができる。代替的に、把持ピン315は、互いから120°未満、または互いから120°を上回る角度に配向されてもよい。さらに、把持ピン315の総数は、1つまたは複数であってもよい。代替的に、把持ピン315の総数は2つ以上である。さらに、把持ピン315の総数は3つ以上である。把持ピン315は、把持ピン315が、洗浄サイクルの間にウエハ151を把持、または保持することができるように、第1のプレートアセンブリ318内部の開口部を通過することができる。把持ピン315は、把持ピン315がウエハ151の洗浄プロセスを妨げないように、ウエハ151のエッジに沿ってウエハ151と最小の接触を有しうる。
[0054]装填ピン311は、装填および/または取り出しプロセスの間にウエハ151を把持または保持することができる。さらに、装填ピン311は、第1のプレートアセンブリ318に連結される。把持アセンブリ220が、洗浄位置と装填または取り出し位置との間で移動されると、装填ピン311は第1のプレートアセンブリ318と一緒に移動する。装填ピン311は、ウエハ151を受け入れるように構成された成形領域を含んでもよい。例えば、装填ピン311は、ウエハ151のエッジを受け入れるように成形されたノッチ領域を含むことができる。装填ピン311は、装填ピン311がウエハ151の洗浄プロセスを妨げないように、ウエハ151のエッジに沿ってウエハ151と最小の接触を有するように構成することができる。装填ピン311は、互いから約120°に配置されうる。代替的に、装填ピン311は、互いから120°未満、または互いから120°を上回る角度に配向されてもよい。さらに、装填ピン311の総数は、1つまたは複数、2つ以上、または3つ以上でありうる。
[0055]把持ピン315と装填ピン311の数は同じでもよい。代替的に、把持ピン315の数は、装填ピン311の数を超えてもよい。さらに、把持ピン315の数は、装填ピン311の数より少なくてもよい。
[0056]第1のプレートアセンブリ318および装填ピン311は、ウエハ装填プロセス中に利用することができる。さらに、第2のプレートアセンブリ320および把持ピン315は、装填プロセス中にウエハの干渉にならないように位置決めされる。例えば、第1のプレートアセンブリ318は、第2のプレートアセンブリ320に対して移動し、第1のプレートアセンブリ318を第1の捕獲カップ211の外側に位置決めし、把持ピン315を装填位置に位置決めすることができる。さらに、把持ピン315と把持アセンブリ220の中心との間の距離が増大する。加えて、把持ピン315は、装填ピン311の背後に配置されて、ウエハ151を装填ピン311上に垂直に装填するおよび/または取り出すためのクリアな経路を提供することができる。
[0057]捕獲カップ210の壁213は、第2のプレートアセンブリ320および/または把持ピン315のうちの1つまたは複数と相互作用するような形状である。壁213は、上述のように捕獲カップ210の一部とすることができ、環状壁は、第1の捕獲カップ211の一部でありうる。壁213は、第2のプレートアセンブリ320の特徴部312と相互作用することができるように、少なくとも1つの角度付けされた部分を含む。さらに、壁213は、水分をウエハ151からドレイン284へとガイドすることを助け、洗浄プロセス中のウエハ151上への粒子再付着を低減する。例えば、把持アセンブリ220がウエハ装填位置にあるとき、特徴部312は、以下でより詳細に記載されるように、第1のプレートアセンブリ318が第2のプレートアセンブリ320に対して移動できるように、壁213と相互作用する。
[0058]さらに、捕獲カップ210は、開口部331を含むことができる。開口部331の直径は、第1のプレートアセンブリ318の通過を可能にするために十分な大きさとすることができるが、第2のプレートアセンブリ320の通過を可能にするために十分な大きさではない。例えば、開口部331の直径は、第1のプレートアセンブリ318よりも大きく、第2のプレートアセンブリ320よりも小さい。
[0059]捕獲カップ210は、ウエハ151、把持アセンブリ220、および捕獲カップ210が駆動モータ222によって回転される間に水分がドレイン284に流入するように、捕獲カップ210のエッジに沿ってアレイ状に位置決めされたドレイン穴262を含みうる。さらに、第2の捕獲カップ212はドレイン穴を含むことができる。水分は、ドレイン穴370を通ってドレイン284(図2A)に流入し、そこで洗浄モジュール200から除去される。
[0060]図3Aに図示されるように、把持アセンブリ220は、ウエハ151を受け入れてウエハ151を洗浄位置に配置することを助けるように互いに対して移動するように構成された第1のプレートアセンブリ318と第2のプレートアセンブリ320とを含む。具体的には、図3Cおよび図3Dは、それぞれ、後退位置(例えば、洗浄位置)300aおよび伸長位置300bにある把持アセンブリ220の実施形態を示す。把持アセンブリ220は、洗浄プロセスの間に後退位置300aに位置決めすることができる。さらに、把持アセンブリ220は、ウエハ装填プロセスおよび/またはウエハ除去(取り出し)プロセスの間に伸長位置(例えば、装填位置)300bに位置決めすることができる。さらに、伸長位置300bは、洗浄モジュール200内部の把持アセンブリ220の装填位置に対応してもよい。装填/取り出し位置は、ウエハ151のすすぎ位置として機能してもよい。例えば、すすぎのために装填/取り出し位置に位置決めされているとき、脱イオン水および/または他の洗浄化学剤を、上部スプレーバー290からウエハ151上に送達することができる。加えて、把持アセンブリ220が装填位置にあるとき、把持アセンブリ220は、把持アセンブリ220が洗浄位置に位置決めされている位置からX方向に距離を置いて位置決めされる。一実施形態において、第1のプレートアセンブリ318の結合面301は、シャフト224に連結されて、シャフトによって駆動される。
[0061]1つまたは複数のバネ機構330は、第1のプレートアセンブリ318を第2のプレートアセンブリ320に連結することができる。バネ機構330は、バネ331および連結部材333を含みうる。バネ機構330は、特徴部(または要素)312が第1の捕獲カップ211に接触しているとき、第1のプレートアセンブリ318が第2のプレートアセンブリ320に対して移動することを可能にする。例えば、第2のプレートアセンブリ320は、把持アセンブリ220が正のX方向(例えば、第1の捕獲カップ211に向かって水平方向)に移動するにつれて、壁213と相互作用するように構成された特徴部312を含む。一実施形態において、バネ機構330の各々は、連結部材333の上をまたは連結部材と平行に移動する1つまたは複数のバネ331を含みうる。
[0062]把持ピン315は、少なくとも1つの他のピンに対して移動するように構成することができる。例えば、把持ピン315は、把持ピン315を他のピンの1つまたは複数から離れるように移動させる1つまたは複数の要素を含むことができる。把持ピン315は、洗浄プロセス中にウエハ(例えば、ウエハ151)を把持するように構成することができる。さらに、装填ピン311は、装填および取り出しプロセス中にウエハ151を把持または保持するように構成することができる。他の実施形態では、把持ピン315は、ウエハを装填ピンに対して保持するように移動させることができる。
[0063]把持アセンブリ220はまた、第1のプレートアセンブリ318に対する第2のプレートアセンブリ320の角運動を制限するように構成されたガイドピン317を含むことができる。
[0064]1つまたは複数の実施形態では、各把持ピン315は、把持ピン315の1つまたは複数に並進運動を付与する第1の捕獲カップ211のハウジングに接触するように構成された要素380に連結することができる。例えば、要素380が第1の捕獲カップ211に接触することに応答して、把持アセンブリ220が+X方向に移動されると、把持ピン315が軸302を中心に枢動し、把持アセンブリ220の外縁に向かって移動される。図3Bは、要素380が第1の捕獲カップ211に接触した直後で閉鎖位置にある、例示的な実施形態を示す。一実施形態において、把持アセンブリ220が+X方向に移動されると、要素380は第1の捕獲カップ211に接触し、軸302を中心に枢動する。これに応答して、要素380に連結された把持ピン315に並進運動が付与される。一実施形態において、要素380は、把持アセンブリ220の+X方向への移動が停止されるまで枢動し続ける。一実施形態において、要素380および把持ピン315は、+X方向への把持アセンブリ220の移動が停止した後、開放位置に位置決めされる。
[0065]さらに、要素380は、バネ要素381に連結されうる。バネ要素381は、さらに、要素380を開始位置に戻し、要素380が第1の捕獲カップ211のハウジングにもはや接触しないことに応答して、把持ピン315を把持位置に移動させることができる。バネ要素381は、要素380が第1の捕獲カップ211のハウジングにもはや接触しないときに、要素380が開始位置に戻るように、要素380を装填することができる。さらに、バネ要素381は、板バネまたは他の任意のバネ設計とすることができる。
[0066]装填ピン311および把持ピン315は、ウエハ151が把持アセンブリ220の第1のプレートアセンブリ318に接触しないように、ウエハ151を保持するように構成することができる。さらに、第1の捕獲カップ211に対するウエハ151の位置は、洗浄サイクル中に調節可能にすることができる。
[0067]図3Fは、閉鎖位置にある把持ピン315および要素380の実施形態を示し、端部380aは第1の捕獲カップ211と接触していない。図3Gは、開放位置にある要素380および把持ピン315を示す。図3Gに示される実施形態では、要素380の端部380aは、第1の捕獲カップ211と接触している。さらに、要素380は枢動して、要素380の端部380bが端部380aに対して移動している。一実施形態において、端部380bは、第2のプレートアセンブリ320の上面に向かって回転されている。加えて、把持ピン315も、第1の捕獲カップ211に向かって外側に傾斜するように移動されている。
[0068]図3Cをさらに参照すると、把持アセンブリ220は、1つまたは複数の開孔351をさらに含む。1つまたは複数の実施形態では、洗浄流体は、開孔(複数可)351を通ってウエハ151の裏側の上へと流れることができる。洗浄流体は、すすぎ剤(例えば、脱イオン水、オゾン水)または洗浄化学剤であってもよい。さらに、洗浄流体は、シャフト224を介して、次いで開孔351に供給されうる。
[0069]図3Eは、把持アセンブリ220の概略部分平面図を示す。開孔(複数可)351は、ウエハ151の裏側に化学剤を流す。1つまたは複数の開孔351は、実質的に円形または直線のパターンで配置することができる。開孔351の各々は、洗浄流体がウエハ151の裏面全体に均等に流れるように、実質的に同じサイズとすることができる。さらに、少なくとも1つの開孔351は、少なくとも1つの他の開孔とは異なるサイズとすることができる。
[0070]図4Aは、スイープアーム230に取り付けられたノズル機構240の底面図である。図示されるように、ノズル機構240は、ノズル410、ノズル420、およびノズル430を含む。代替的に、ノズル420およびノズル430のうちの1つまたは複数は省略されてもよい。さらに、ノズル機構240は、4つ以上のノズルを含んでもよい。ノズル410は、ウエハ151の表面に対して第1の角度(例えば、図4Bの角度412)で配置することができ、ノズル420は、ウエハ151の表面に対して第2の角度(例えば、図4Bの角度422)で配置することができ、ノズル430は、ウエハ151の表面または第1のプレートアセンブリ318の表面に対して第3の角度(例えば、図4Bの角度432)で配置することができる。角度412は、角度422および432の少なくとも一方と異なっていてもよい。さらに、角度422および432は、実質的に同様であってもよい。いくつかの構成では、ノズル410は、ノズル420およびノズル430がウエハの表面に対して配置される角度(例えば、422および432)よりも小さいウエハの表面に対する角度(例えば、角度412)で配置されうる。いくつかの構成では、角度412は、第1のプレートアセンブリ318またはウエハ151の表面に対して約30°から約50°であってよく、角度422および432は、ウエハ151の表面または第1のプレートアセンブリ318の表面に対して約80°から約100°である。一実施形態において、角度412は、ウエハ151の表面または第1のプレートアセンブリ318の表面に対して約45°であり、角度422および432は、ウエハ151の表面または第1のプレートアセンブリ318の表面に対して約90°(または直角)である。さらに、他の角度が利用されてもよい。追加的にまたは代替的に、角度412、422、および432は、各々が約80°と約100°との間であってもよい。さらに、ノズル410、420、および/または430の各々の位置は、ウエハ上の特定の半径方向位置を標的とするために、スイープアーム230の長さに沿った方向に調整することができる。加えて、各ノズルに対する角度および位置は、各ノズルによって出力された洗浄流体が一緒に機能してウエハ151の表面からあらゆる汚染を除去するように選択することができる。
[0071]ノズル機構240は、ノズル410、420および430を介して洗浄媒体をウエハ151の第1の表面上に出力するように構成することができる。洗浄媒体は、すすぎ剤および洗浄化学剤を含むことができる。さらに、ノズル機構240は、ノズル410を介して第1の洗浄媒体を、ノズル420を介して第2の洗浄媒体を、およびノズル430を介して第3の洗浄媒体を出力するように構成される。加えて、ノズル410、420、および430のうちの1つまたは複数は、1つまたは複数のすすぎ剤を適用するように構成される。
[0072]ノズル機構240は、1つまたは複数の非接触洗浄技術を含みうる。ノズル410、420、および430は、液体、気体、および粒子の任意の組み合わせである媒体を出力することができる。さらに、ノズル410、420、および430のうちの1つまたは複数は、高エネルギー媒体を出力するように構成された高エネルギーノズルであってもよい。高エネルギー媒体は、液体、気体、および粒子の任意の組み合わせでありうる。さらに、高エネルギー媒体は、高エネルギー洗浄化学剤であってもよい。ノズル410、420、および430のうちの1つまたは複数は、メガソニックノズル、流体ジェットノズル、または運動エネルギーノズルとすることができる。例えば、ノズル410は、気体と液体の混合物を送達するように構成されたメガソニックノズル、ジェットノズル、および運動エネルギーノズルのうちの1つである。メガソニックノズルは、メガソニック作動流体を生成するために、正弦波または他のパターンに従って、代替的に圧縮および希薄化を交互に洗浄流体に適用するように構成された1つまたは複数の要素を含む。例えば、メガソニックノズルは、メガソニック作動流体を発生させるために、950kHzの速度で正弦波パターンで、代替的に圧縮および希薄屈折を適用するように構成することができる。代替的に、他の周波数を使用してもよい。
[0073]ノズル420は、第1の化学剤を適用するように構成され、ノズル430は、すすぎ剤を適用するように構成される。さらに、ノズル410がメガソニックノズルであるとき、ノズル420は、第1の化学剤を適用するように構成され、ノズル430は、第2の化学剤を適用するように構成される。代替的に、ノズル410がメガソニックノズルであるとき、ノズル420は、第1のすすぎ剤を適用するように構成され、ノズル430は、第2のすすぎ剤を適用するように構成される。さらに、ノズルのうちの少なくとも2つは、同じすすぎ剤または化学剤を適用するように構成される。
[0074]洗浄流体は、流体接続部440を介してノズル機構240に供給することができる。接続部の数は、ノズル機構内部のノズルの数、および/またはノズル機構240によって利用される異なるタイプの化学剤および/またはすすぎ剤の数に基づくことができる。例えば、ノズル機構240が、2つの異なる洗浄流体を出力するように構成された3つのノズルを使用する場合、2つの接続部440を利用することができる。さらに、異なるノズルを通る異なる洗浄化学剤および/またはすすぎ剤の流量を変えることができる。例えば、ノズル410、420、および430の第1のものからの洗浄化学剤またはすすぎ剤の流量は、ノズル410、420、および430の第2のものからの洗浄化学剤またはすすぎ剤の流量とは異なっていてもよい。代替的に、ノズル410、420、および430のうちの少なくとも1つからの洗浄化学剤またはすすぎ剤の流量は、洗浄プロセスおよび/またはすすぎプロセス中に変更されてもよい。
[0075]図4は、3つの別個のノズルを示しているが、他の実施形態では、他の数のノズルを利用してもよい。例えば、4つ以上のノズルを利用することができる。さらに、3つ未満のノズルが利用されてもよい。
[0076]図5は、ノズル機構240の代替的実施形態を示す。図4の実施形態と比較して、ノズル機構240の共通の側に接続する接続部440のすべてを有する代わりに、第1の接続部442がノズル機構240の第1の側に接続し、第2の接続部444がノズル機構の第2の側に接続し、第1の側面は第2の側面と異なる。
[0077]次に、図2Aに戻ると、スイープアーム230は、スイープアームシャフト232とスイープアーム駆動モータ234とに連結されている。スイープアームシャフト232とスイープアーム駆動モータ234とは、スイープアーム駆動アセンブリ236を形成する。スイープアーム駆動アセンブリ236は、ノズル機構240によって出力される洗浄流体がウエハ151の表面全体に均一に分配されるように、洗浄プロセス中にウエハ151の表面上でノズル機構240を移動させるように構成される。スイープアーム駆動アセンブリ236はまた、スイープアーム230を軸方向に移動させて、ノズル機構240とウエハ151の表面との間の距離を設定するように構成される。
[0078]図6は、1つまたは複数の実施形態による、洗浄サイクル中のスイープアーム230およびノズル機構240のウエハ151上の経路610を示している。図6に示されるように、ウエハ151は、把持アセンブリ220によって上方に配置され、保持される。経路610は、ウエハ151のデバイス側の表面(前面)に平行な弓形の経路であってもよい。代替的に、他の形状および/または長さの経路を利用してもよい。例えば、スイープアーム230の可動範囲が変更されてもよい。図6に示されるように、スイープアーム230の端部に連結されたノズル機構240は、弓形経路内でウエハの中心を越えて通過する。スイープアーム230および/またはノズル機構240の位置は、確実にノズル機構240が処理中に回転ウエハ151の中心を越えて通過するように調整されてもよい。さらに、スイープアーム230の位置およびノズル機構240の位置のうちの少なくとも1つは、ノズル機構240がウエハ151の中心以外のウエハ151の一部分を越えて通過するように調整されてもよい。例えば、ウエハ151の表面に対するノズル機構240の位置を変化させるために、ノズル機構240をスイープアーム230に対して移動させることができる、および/またはスイープアーム230をスイープアームシャフト232に対して移動させることができる。さらに、ノズル機構240とウエハ151の表面との間の軸方向距離は、洗浄プロセスを助けるために変更することができる。
[0079]スイープアーム駆動モータ234は、洗浄プロセスの間に、スイープアームシャフト232を移動させ、次いでスイープアーム230とノズル機構240とをウエハ151の上で動かす。スイープアーム駆動モータ234は、ノズル機構240の走査速度を制御することができる。例えば、スイープアーム駆動モータ234は、ノズル機構が経路610に沿って走査移動する速度を制御することができる。
[0080]図6は、スプレーバー290をさらに示す。スプレーバー290は、ウエハが洗浄モジュール200に挿入されるときにウエハ151を前処理し、ウエハが洗浄モジュール200から除去されるときにウエハ151をすすぐことができる。スプレーバー290は、構成された1つまたは複数の流体を出力するように構成された1つまたは複数のノズルを含みうる。代替的に、スプレーバー290は、スプレーバー290全体に均一な流れを維持するように設計された穴を有する管を含んでもよい。例えば、ウエハ151が洗浄モジュール200の中へおよび外へ移送される際にウエハ151をスプレーバー290が通過するとき、スプレーバー290は、ウエハ151にすすぎ流体を適用し、ウエハ151が移送プロセス中に濡れたままであり、洗浄モジュール200から取り出されるときに粒子がウエハ151に再付着しないことを確実にする。
[0081]図7Aは、洗浄モジュール200内部の気流パターンの一実施例を示す。この気流パターンによって示されるように、気流がプレナム280から流出し、排気部260から流出する際に、再循環は最小化される。一般に、壁213の環状内表面214と捕獲カップ210の外表面の形状は、回転軸313を中心に回転されるときに、空気の再循環を減少させかつウエハの表面から流出する捕獲流体を捕獲する助けとなる。一実施形態において、壁213の環状内表面214は、処理容積部297内部の気流が把持アセンブリ220の外縁に沿って排気部260内に入るように、逆転形状を有する。さらに、捕獲カップ210の外表面は、内部容積295内部の気流が捕獲カップ210の外側の周りにあり、排気部260内に入るような形状にすることができる。さらに、捕獲カップ210の外表面の形状は、気流の大部分が必然的に捕獲カップ210の外側の周りで移動し、排気部260に入るような形状にすることができる。
[0082]ドレイン穴262の1つまたは複数の側面は、ドレイン穴262の側面間の距離が異なるように、角度を付けることができる。例えば、ドレイン穴262は先細にすることができる。ドレイン穴を先細にすることにより、捕獲カップ210の内側のエリアからの流体ポンプ流量を増加させることができる。さらに、捕獲カップ210と洗浄モジュール200のハウジングとの間に迷路(labyrinth)264を形成することができる。迷路264は、水分が迷路264を通って内部容積部295に逆流することを少なくとも部分的に制限するように構成することができる。
[0083]プレナム280は、洗浄モジュール200内部の気流を制御して、再循環を最小化するように構成することができる。例えば、プレナム280は、再循環を最小化するために、洗浄モジュール200に流入する空気の量を増加および/または減少させることができる。気流の再循環は、ここに開示される捕獲カップ210、把持アセンブリ220、プレナム280、排気部260、スプレーバー290、ドレイン284、および空気取入れ口270の構成によって最小化することができる。
[0084]一実施形態において、洗浄プロセスの間、ウエハ151の表面を横切る均一な気流が、排気部260とプレナム280によって生成される。種々の実施形態では、排気部260は、粒子がウエハ151の表面に再付着することを防止するために、洗浄モジュール200から空気が流出するための経路を提供するように構成される。上述のように、空気は、空気取り入れ口270によってプレナム280に供給され、排気部260によって洗浄モジュール200から排気されうる。プレナム280は、シャワーヘッド型プレナムであってもよい。さらに、排気部260の幾何学的形状および/または捕獲カップ210の形状(または第1の捕獲カップ211および/または第2の捕獲カップ212の形状)は、洗浄モジュール200内部の再循環を低減するように最適化することができる。再循環を減少させることにより、少なくとも、ウエハ151上への粒子および存在する場合は蒸発した洗浄流体の再付着が最小限に抑えられる。排気部260の幾何学的形状および/または捕獲カップ210の形状(または第1の捕獲カップ211および/または第2の捕獲カップ212の形状)は、捕獲カップ210の背後に迷路264を生成し、再循環を最小化することができる。さらに、ドレイン284は、洗浄モジュール200から洗浄流体およびすすぎ流体が除去されるための経路を提供し、洗浄モジュール200内部の再循環を最小化する。プレナム280は、プレナム280がノズル機構240に近接して位置決めされ、ウエハ151がプレナム280と排気部260との間にあるように、洗浄モジュール200の壁283に沿って位置決めすることができる。
[0085]図7Bは、1つまたは複数の実施形態による、把持アセンブリ220、開孔351、およびドレイン穴262の一部分の概略上面図である。ドレイン穴262の各々は、ドレイン284に流体連結される。さらに、把持アセンブリ220、捕獲カップ210およびウエハ151が回転されると、流体はドレイン穴262を強制的に通され、そこでドレイン284によって洗浄モジュールから除去される。
[0086]ドレイン穴262は、水分が洗浄プロセス中にドレイン穴262に流入するように、捕獲カップ210(または第2の捕獲カップ212)のエッジに沿って位置決めすることができる。ドレイン穴262は、洗浄プロセス中にウエハ151の表面から除去されたすべての粒子が洗浄モジュール200から除去されることを確実にするために、洗浄サイクル中に洗浄モジュールから水分を除去することを助けることができる。種々の実施形態では、少なくとも2つのドレイン穴262が利用される。他の実施形態では、3つ以上のドレイン穴262が利用される。
[0087]ドレイン穴262は、洗浄モジュール200内部の空気および/または流体の再循環を減少させるように構成することができる。例えば、ドレイン穴262のサイズおよび/または配向は、空気および/または流体の再循環を低減するように構成されうる。ドレイン穴262は、捕獲カップ210(または第2の捕獲カップ212)の表面に対して傾斜したまたは角度付けされた配向を有することができる。
[0088]一実施形態では、ドレイン284および/または排気部260は、排気孔(またはポート)262への水分の流入を最小化する1つまたは複数の内部迷路シールを含むことができる。
[0089]ドレイン284を利用して、洗浄サイクルの完了時に洗浄モジュール200から過剰な水分および/またはすべての流体を除去することができる。一実施形態において、水分は、ドレイン穴262を通ってドレイン284に流入する。例えば、ウエハ151が回転されるとき、ドレイン穴262は、水分がウエハ151上に集まらずに、ドレイン284を介して除去されるように構成される。一実施形態において、1つまたは複数のOリングまたは他のシール部材を、ドレイン284が洗浄モジュール200と出会う場所に位置決めすることができる。
[0090]図7Bは、排気部260に接続されて、処理容積部297内部、ウエハ151の周囲、および排気部260中に空気が流れるための経路を提供するように機能する排気孔261をさらに示す。一実施形態において、排気孔261は、洗浄モジュール内部の再循環を最小化するのに役立つ。
[0091]図8は、1つまたは複数の実施形態による、ウエハ(例えば、ウエハ151)を洗浄するための方法800を示す。動作810では、以下でさらに説明される図9Aに図示されるように、洗浄モジュールをウエハ装填位置に配置する。例えば、蓋202を開放し、洗浄モジュール200の把持アセンブリ220を、回転軸216に平行な横方向(例えば、X方向)に、捕獲カップ210の壁213の環状内表面214に向かって移動させる。把持アセンブリ220を壁213に向かって移動させると、把持アセンブリ220は装填位置に置かれる。一実施形態において、把持アセンブリ220を装填位置に配置することは、シャフト224を介して把持アセンブリ220を移動させることとと、壁213に向かって駆動モータ222を移動させること(例えば、動作812)とを含む。例えば、駆動モータ222は、把持アセンブリ220の第2のプレートアセンブリ320の特徴部312が壁213の環状内表面214に接触するように、把持アセンブリ220を壁213に向かって移動させる横方向にシャフト224を駆動する。特徴部312が壁213に接触すると、第1のプレートアセンブリ318の少なくとも一部が内部容積部295内に位置決めされるように、第1のプレートアセンブリ318が移動し続ける間、第2のプレートアセンブリ320の移動が停止される。第1のプレートアセンブリ318は、バネ機構330を介して第2のプレートアセンブリ320に連結されたままである。例えば、第1のプレートアセンブリ318が正のX方向に移動し、第2のプレートアセンブリ320の移動が停止すると、バネ機構330は伸長し、第1のプレートアセンブリ318と第2のプレートアセンブリ320との間の連結を維持する。
[0092]要素380の各々は、把持ピン315のそれぞれ1つに連結され、要素380が壁213に接触すると、把持ピン315の各々は、互いに移動可能なピンから離れるように傾斜(または移動)する。例えば、図9Aに示されるように、要素380が壁213に接触すると、要素380が枢動し、把持ピン315を把持アセンブリ220の中心から離れるように傾斜させて外側方向に移動させ、把持ピン315が移動させることは、他のピン(例えば、装填ピン311および把持ピン315の他の1つ)から離れるように傾斜して、把持ピン315間の分離距離が増加するように、把持ピン315を把持アセンブリ220の外縁に向かって移動させることを含む。
[0093]把持アセンブリ220は、洗浄のためにウエハ151が受け入れられるように、および/または洗浄サイクルが完了した後で洗浄モジュール200からウエハ151が取り外されるように、伸長位置300bに配置される。例えば、把持アセンブリ220は、第1のプレートアセンブリ318の少なくとも一部分が捕獲カップ210の壁213を越えて内部容積部295内に延びて伸長位置300bにあるように、駆動モータ222およびシャフト224によって駆動されうる。
[0094]図9Aは、把持アセンブリ220が装填位置に位置決めされている実施形態を示す。図9Aの実施形態では、把持ピン315は外側に移動され、第1のプレートアセンブリ318は第2のプレートアセンブリ320から離間している。さらに、少なくとも装填ピン311は、ウエハ151がロボットから装填ピン311上に受け入れられるように、捕獲カップ210の外側および内部容積部295内にある。装填位置では、第1のプレートアセンブリ318の表面301は、壁213の外縁と平行に、処理容積部297内部で捕獲カップ210の壁213から凹んでいるか、または捕獲カップ210の壁213の外側かつ内部容積部295内にありうる。代替的に、装填位置にあるとき、表面301は、壁213の外縁に平行であるか、または処理容積部297内にあってもよく、装填ピン311は、壁213の外側かつ内部容積部295内にあってもよい。
[0095]コントローラ190は、駆動モータ222に対し、図3Aの回転軸313に沿って横方向にシャフト224を移動させ、把持アセンブリ220を横方向に移動させるための命令を与えることができる。さらに、コントローラ190は、洗浄モジュール200が洗浄のためにウエハを受け取るように準備されていることを示す証印指標を受け取ることができる。
[0096]方法800の動作820では、洗浄のためにウエハが受け取られる。例えば、一実施形態において、ロボット910は、洗浄のためにウエハ151を把持アセンブリ220に挿入する。図9Aの実施形態に示されるように、ロボット910は、ウエハ151が装填ピン311によって保持される(例えば、装填ピンの溝内に静止する)ように、ウエハ151を挿入する。例えば、ロボット910は、把持アセンブリ220の装填ピン311内にウエハ151を配置するように構成される。
[0097]洗浄モジュール200への進入中、1つまたは複数のスプレーバー290は、洗浄モジュール200内に挿入されるとき、1つまたは複数の流体をウエハ151に適用することによって、ウエハ151を前処理することができる。一実施形態では、ウエハ151は、ウエハ151が1つまたは複数の他の洗浄モジュール(例えば、メガソニック洗浄モジュール161、前洗浄モジュール162、またはブラシボックス洗浄モジュール164)内部で洗浄された後に受け取られる。
[0098]ウエハ151が装填ピン311に完全に挿入された後、ロボット910はウエハ151を解放し、洗浄モジュール200から後退する。
[0099]コントローラ190は、スプレーバー290に対し、前処理プロセスを開始するための命令を与えることができる。さらに、コントローラ190は、ウエハ151が洗浄モジュール200に挿入されたことを示す証印指標を受け取ることができる。例えば、コントローラ190は、ウエハ151が洗浄モジュール200内部に配置されたことを示すセンサデータを感知装置294から受け取り、スプレーバー290が前処理プロセスを開始するための命令を生成することができる。
[00100]方法800の動作830では、洗浄モジュールが洗浄位置に配置される。例えば、洗浄モジュール200は、動作832に示されるように、把持アセンブリ220を壁213から離れるように移動させることによって、洗浄位置に配置されうる。駆動モータ222は、シャフト224を駆動して、把持アセンブリ220を処理容積部297内に後退させる。例えば、駆動モータ222は、回転軸216に沿って横方向または水平方向(例えば、X方向)にシャフト224を駆動して、把持アセンブリ220を壁213から離れるように移動させることができる。
[00101]駆動モータ222が把持アセンブリ220を壁213から離れるように移動させると、第1のプレートアセンブリ318は第2のプレートアセンブリ320に再度接触し、特徴部312と壁213との接触が終了する。さらに、要素380は閉鎖位置へと枢動し、把持ピン315は互いに向かって移動してウエハ151を把持する。把持ピン315は、ウエハ151を保持するためにウエハに圧力を加える。把持ピン315の各々は、ウエハ151を把持するための力を発揮するバネ機構に連結することができる。駆動モータ222は、第2のプレートアセンブリ320が捕獲カップ210に接触するまでシャフト224を駆動することができる。
[00102]さらに、把持アセンブリ220が負のX方向に(例えば、壁213から離れるように水平方向に)移動すると、特徴部312は壁213から離れるように移動し、バネ機構330は、第2のプレートアセンブリ320を第1のプレートアセンブリ318にクランプした状態に保つ。第1のプレートアセンブリ318および第2のプレートアセンブリ320は、特徴部312が壁213にもはや接触しないとき、互いに接触しうる。
[00103]図9Cの実施形態に示すように、ウエハ151は、把持アセンブリ220の把持ピン315によって保持される。図示の実施形態では、把持アセンブリ220は、要素380が壁213から離れるように移動されて把持ピン315がウエハ151を把持するように、壁213からX方向(例えば、回転軸216と平行)に移動されている。さらに、ロボット910は、洗浄モジュール200の内部容積部295から後退している。
[00104]コントローラ190は、駆動モータ222に対し、シャフト224を壁213から離れるように横方向に移動させて、把持アセンブリ220を横方向にかつ壁213から離れるように移動させるための命令を与えるように構成することができる。コントローラ190は、ウエハ151が把持アセンブリ220によって保持されており、ロボット910が内部容積部295から除去されたことを示す、感知装置294から受信されたセンサデータに基づいて、把持アセンブリ220の移動を開始することができる。把持アセンブリ220が後退位置300aに配置されたら、洗浄サイクルを開始することができる。
[00105]動作840では、ウエハが洗浄される。ウエハ151および把持アセンブリ220は、洗浄位置に配置されて、完全に処理容積部297内部に位置する。洗浄サイクルを実施することは、動作842によって示されるように、ウエハ151の上にスイープアームを位置決めすることと、ノズル機構240およびシャフト224を介してウエハ151の前面および裏面に流体を分配することとを含む。さらに、洗浄サイクルを実施することは、動作844によって示されるように、ウエハ151を回転させることを含む。例えば、駆動モータ222は、ウエハ151、捕獲カップ210および把持アセンブリ220を同時に回転させることができる。処理容積部297内部のウエハ151の位置は、洗浄プロセス中に変更することができる。例えば、ウエハ151と第2の捕獲カップ212との間の距離を変更することができる。ノズル機構240およびシャフト224を介したウエハ151の前面および裏面への流体の適用速度を変更することができる。例えば、流体は、同じ速度でまたは異なる速度で、ウエハ151の前面および裏面に適用されうる。代替的に、流体がウエハ151の前面および裏面に適用される速度は、洗浄プロセスまたはすすぎプロセスの間に変更されてもよい。例えば、流体がノズル機構を介してウエハ151の前面に適用される速度を、洗浄またはすすぎプロセスの間に上昇または低下させることができる。さらに、シャフト224を介してウエハ151の裏面に流体が適用される速度は、洗浄またはすすぎプロセスの間に上昇または低下させることができる。
[00106]ウエハ151を洗浄することは、ウエハ151の第1の側面(前面)および第2の側面(裏面)に洗浄流体が適用される間に、捕獲カップ210(例えば、第1の捕獲カップ211および第2の捕獲カップ212)、把持アセンブリ220およびウエハ151を連続的に回転させることを含む。洗浄流体が適用されている間に捕獲カップ210、把持アセンブリ220およびウエハ151を回転させることは、ウエハ151のいずれかの表面への粒子の再付着を最小化および/または排除することを助ける。駆動モータ222は、捕獲カップ210、把持アセンブリ220およびウエハ151を同時に回転させるように構成することができる。例えば、駆動モータ222は、捕獲カップ210、把持アセンブリ220、およびウエハ151を回転させるためにシャフト224を回転させることができる。ウエハ151は、流体がウエハ151の表面から除去されるように、約500RPMから約1000RPMの範囲の速度で回転される。代替的に、ウエハ151は、500RPM未満または約1000RPM超の速度で回転させることができる。さらに、ウエハ151が回転する速度は、洗浄プロセス中に変更することができる。
[00107]第1の洗浄流体は、流体源223、シャフト224、および1つまたは複数の開孔351を介して、ウエハ151の裏面(例えば、表面301に面するウエハ151の表面)に適用することができる。さらに、第2の流体は、ノズル機構240を介して、ウエハ151の前面(例えば、表面301とは反対を向くウエハ151の表面)に適用されてもよい。スイープアーム駆動モータ234は、ノズル機構240が弓形の経路内においてウエハ151の前面上を移動するように、スイープアーム230を移動させることができる。ノズル機構240は、洗浄プロセス中に洗浄流体をウエハ151の前面に適用するように構成することができる。流体は、洗浄化学剤および/またはすすぎ剤を含むことができる。洗浄流体は、ウエハ151の表面および裏面に実質的に同時に適用することができる。さらに、洗浄流体は、ウエハ151の裏面に洗浄流体を適用することから独立して、ウエハ151の前面に適用することができる。例えば、洗浄流体は、ウエハ151の前面に適用することができ、かつ1つまたは複数の重複期間および非重複期間の間に、ウエハ151の裏面に適用することができる。第1の非重複期間中に、1つまたは複数の洗浄流体をウエハ151の前面に適用することができ、第2の非重複期間中に、1つまたは複数の洗浄流体をウエハ151の裏面に適用することができる。洗浄サイクルの重複および非重複期間は、任意の順序で生じうる。さらに、重複および非重複期間の回数および/または順序は、洗浄サイクルごとに変更することができる。加えて、洗浄位置にある間、洗浄流体のウエハ151上への飛散は、少なくとも低減または排除することができる。
[00108]図9Dは、ウエハ151が洗浄位置にある実施形態を示す。洗浄位置は、把持アセンブリ220を処理容積部297内部での位置決めを含む。さらに、ウエハ把持具210が洗浄位置に配置されたら、洗浄サイクルを開始することができる。
[00109]洗浄プロセス、装填プロセスおよび取り出しプロセスのうちの少なくとも1つの間に、洗浄モジュール200内の気流は、再循環の発生を軽減し、粒子がウエハ151の表面に再付着することを防止する。
[00110]コントローラ190は、把持アセンブリ220が洗浄位置に配置されていることを示す証印指標を受け取ることができる。証印指標は、感知装置294からのセンサデータ内部に提供されてもよい。さらに、コントローラ190は、シャフト224および開孔351を通る洗浄流体の流れ、ならびにノズル機構240を通る流体の運動および制御を制御するように構成することができる。コントローラ190は、スイープアーム駆動モータ234に対し、ノズル機構240をウエハ151の表面を横切って移動させるための命令を与えることができる。さらに、コントローラ190は、ノズル機構に対し、ノズルのうちの1つまたは複数から洗浄流体を分配するための命令を出力することができる。さらに、コントローラ190は、異なる時間に洗浄流体が出力されるように、ノズルのタイミングを制御することができる。例えば、1つのノズルは、別のノズルの前に洗浄流体の分配を開始するように制御されうる。ノズルのうちの1つまたは複数は、ノズルのうちの少なくとも別の1つが洗浄流体を出力しない間に洗浄流体を出力するように構成することができる。
[00111]動作850では、洗浄されたウエハが洗浄モジュールから除去される。洗浄モジュールからウエハ151を除去することは、動作852を含み、把持アセンブリ220を取り出し位置に配置するために把持アセンブリ220を壁213に向かって移動させる。取り出し位置は、把持アセンブリ220の第1のプレートアセンブリ318を少なくとも部分的に内部容積部295内に移動させ、把持ピン315を後退および傾斜位置に配置することに対応しうる。例えば、装填位置は、ピン311のうちの1つまたは複数と、第1のプレートアセンブリ318の表面301とを内部容積部295内に位置決めすることを含みうる。さらに、洗浄モジュールからウエハを除去することは、動作854と、洗浄流体の分配を停止することと、動作856と、ウエハの回転を停止することとを含む。捕獲カップ210、把持アセンブリ220、およびウエハ151は、ウエハ151が内部容積部295内に位置するまで、駆動モータ222によって連続的に回転させることができる。
[00112]洗浄サイクルの終了時に、把持アセンブリ220は、駆動モータ222およびシャフト224によって装填位置へと移動される。さらに、ノズル機構240は、流体の噴霧を停止することができ、ノズル機構240およびスイープアーム230は、洗浄サイクルの終了時および把持アセンブリ220が移動される前に、壁213から離れるように移動させることができる。洗浄サイクルの終了時に、ノズル機構240およびスイープアーム230は、把持アセンブリ220およびロボット910の移動を妨害しないように位置決めすることができる。
[00113]洗浄サイクルの終了時に、洗浄流体の分配を停止することができる。さらに、把持アセンブリ220が壁213に向かって移動する前に、洗浄流体の分配を停止することができる。代替的に、頂面への流体の分配が停止されている間、流体は、ウエハ151の裏面上に分配され続けてもよい。
[00114]さらに、把持アセンブリ220が移動される間、把持アセンブリ220および捕獲カップ210は、ウエハ151への粒子の再付着を最小化するために、上述のように回転させることができる。一実施形態では、把持アセンブリ220が移動される間に把持アセンブリ220と捕獲カップ210とを回転させることにより、洗浄流体のウエハ151上への飛散が減少する。さらに、把持アセンブリ220、および捕獲カップ210の回転は、要素380が壁213に接触する前に停止される。加えて、要素380が壁213に接触する直前に、把持アセンブリ220および捕獲カップ210の回転を停止することができる。
[00115]図9Aは、ロボット910が洗浄モジュール200からウエハ151を除去することができるように、把持アセンブリ220が取り出し位置に位置決めされている例示的実施形態を示している。ロボット910は、蓋202によって妨げられていない開口部を通して洗浄モジュールにアクセスし、洗浄ウエハ151を拾い上げ、洗浄モジュール200から洗浄ウエハ151を除去することができる。
[00116]コントローラ190は、駆動モータ222に対し、シャフト224を壁213に向かって横方向に移動させ、把持アセンブリ220を横方向に壁213に向かって移動させて、ロボット910が洗浄されたウエハ151を洗浄モジュール200から除去することができるように把持アセンブリ220を取り出し位置に配置するための命令を与えることができる。さらに、コントローラ190は、ウエハ151が内部容積部295内に位置決めされた後、駆動モータ222に対し、捕獲カップ210および把持アセンブリ220の回転を停止させるための命令を与えることができる。コントローラ190は、ノズル機構240および/または流体源223に対し、洗浄流体の分配を停止するための命令を提供することもできる。コントローラ190は、ウエハ151が取り出し位置内部に配置されたことを示すセンサデータを感知装置294から受け取り、センサデータに応答して取り出しプロセスを開始することができる。
[00117]図10は、1つまたは複数の実施形態による、ウエハ処理システム用の非接触垂直洗浄モジュール、例えば洗浄モジュール1000を示す断面図である。洗浄モジュール1000は、垂直配向(例えば、回転軸1016に対して直角)でウエハ151を洗浄するように構成される。洗浄モジュール1000は、洗浄モジュール200と同様である。例えば、両方の洗浄モジュール200および1000は、ノズル機構240、プレナム280、排気部260、スプレーバー290、ドレイン284、空気取り入れ口270、駆動モータ222、シャフト224、および流体源223を含む。これらの要素は、上記でより詳細に記載されている。しかしながら、洗浄モジュール1000のウエハ把持装置1003は、洗浄モジュール200のウエハ把持装置203とは異なる。
[00118]洗浄モジュール200と同様に、洗浄モジュール1000は、メガソニック洗浄モジュール161、前洗浄モジュール162、ブラシボックス洗浄モジュール164のうちの1つまたは複数の内部でウエハが洗浄された後、ウエハが対応するマランゴニ乾燥タンク(例えば、乾燥タンク168)内に配置される前に、洗浄対象のウエハ、例えばウエハ151を受け入れることができる。洗浄モジュール1000は、ウエハ洗浄サイクルおよび/またはエッジ/ベベル洗浄プロセス内部の任意の場所に配置することができる。洗浄モジュール1000は、ウエハから汚染を除去するために利用することができ、汚染が除去されない場合、ウエハは品質基準を満たさずに廃棄される可能性がある。
[00119]ウエハ把持装置1003は、垂直配向(例えば、回転軸1016に直角な配向)でウエハ151を支持するように構成される。ウエハ把持装置1003は、捕獲カップ1010および把持アセンブリ1020を含んでいる。捕獲カップ1010は、捕獲カップ210と同様に構成される。例えば、捕獲カップ1010は、捕獲カップ210に関して記載されたように、単一の材料片から構成することができる。代替的に、捕獲カップ1010は、第1の捕獲カップ1011および第2の捕獲カップ1012を含むことができる。第1の捕獲カップ1011および第2の捕獲カップ1012は、第1の捕獲カップ211および第2の捕獲カップ212と同様に、互いに連結されうる。
[00120]捕獲カップ1010は、壁1013を含む。壁1013は、上述したように、壁213と同様に構成されている。壁1013は、上述のように環状内表面214と同様に構成された環状内表面1014を含む。環状内表面1014は、ウエハ把持装置1003の中心軸を中心として対称な、角度付けされた部分を有する。捕獲カップ1010は、以下でより詳細に記載される。
[00121]駆動モータ222は、把持アセンブリ1020に連結されている。駆動モータ222は、上記でより詳細に記載されている。駆動モータ222は、回転軸1016を中心とする把持アセンブリ1020および捕獲カップ101の回転を制御するように構成された第1のモータと、把持アセンブリ1020の水平運動を制御するように構成された第2のモータとを含みうる。水平運動は、一般に、把持アセンブリ1020の軸方向への移動または回転軸1016に平行な方向への移動である。水平運動は、X方向の動きに対応する。さらに、把持アセンブリ1020の水平運動は、捕獲カップ1010の移動から独立していてもよい。加えて、把持アセンブリ1020および捕獲カップ1010は、一緒に回転されるように構成することができ、例えば、把持アセンブリ1020および捕獲カップは同時に回転させることができる。
[00122]洗浄モジュール200に関して上述したように、スプレーバー290は、ウエハ151が洗浄モジュール1000に挿入されるときにウエハ151に前処理流体を適用し、および/またはウエハ151が洗浄モジュール1000から除去されるときにウエハ151をすすぎ流体ですすぐことができる。スプレーバー290は、ウエハ151が把持および洗浄されていない間に、ウエハ151に流体を適用するために利用されてもよい。
[00123]洗浄モジュール200aに関して上述したように、ドレイン284は、洗浄モジュール1000から過剰な水分を除去するために利用することができる。ドレイン284は、洗浄プロセス中に洗浄モジュール1000から過剰な洗浄流体を除去することができる。
[00124]洗浄モジュール200に関して記載したように、プレナム280は、空気取り入れ口270から洗浄モジュール1000内部を循環する空気を受け入れることができる。さらに、空気は、排気部260によって洗浄モジュール1000から排気されうる。空気取り入れ口270およびプレナム280は、洗浄モジュール200の前部に位置決めされ、排気部260は、洗浄モジュール1000の後部に位置決めされる。代替的に、排気部260と空気取り入れ口270の位置を逆にして、排気部260を洗浄モジュール1000の前部に位置決めし、空気取り入れ口270を洗浄モジュール1000の後部に位置決めしてもよい。さらに、プレナム280および排気部は、粒子がウエハ151の表面に再付着することを防止するために、洗浄モジュール1000内部の空気の流れを制御するように構成することができる。
[00125]洗浄モジュール1000は、感知装置294をさらに含むことができる。感知装置294は、上記でより詳細に説明されている。感知装置294は、洗浄モジュール1000内部のウエハ151を検出することができる。例えば、感知装置294は、内部容積部295内部のウエハ151を検出することができる。さらに、感知装置294は、ウエハ151が把持アセンブリ1020によって保持されている間に、ウエハ151を検出することができる。感知装置294は、ウエハ151が把持アセンブリ1020に適切にまたは不適切に装填された時を検出することができる。さらに、感知装置294は、ウエハ151が把持アセンブリ1020から落下または脱落したときを検知することができる。
[00126]コントローラ190は、洗浄モジュール200の機能性に類似の洗浄モジュール1000の機能性を制御することができる。例えば、コントローラ190は、少なくとも駆動モータ222、把持アセンブリ1020、スプレーバー290、スイープアーム230、ノズル機構240、空気取り入れ口270および/または排気部260の機能性を制御することができる。
[00127]図11は、図10に示されているウエハ把持装置1003の一実施例を示している。把持アセンブリ1020は、洗浄プロセスの間、処理容積部297内部に位置決めされる。さらに、把持アセンブリ1020は、第1のプレートアセンブリ1022、第2のプレートアセンブリ1024、装填ピン1030、および把持ピン1032を含む。第1のプレートアセンブリ1022は、駆動モータ222によって駆動されて第1のプレートアセンブリ1022、第2のプレートアセンブリ1024、および捕獲カップ1010を洗浄サイクル中に回転させることができるシャフト224に連結される。さらに、駆動モータ222は、軸1016に沿ってシャフト224を水平方向に移動させて、把持アセンブリ1020を装填位置および洗浄位置へ、およびそれらの外へ、移動させることができる。さらに、洗浄流体は、洗浄プロセス中に第1のプレートアセンブリ1022の開孔1051を介してウエハ151の裏側に適用されるように、シャフト224を通って流れることができる。一実施形態では、シャフト224は、シャフト224が+X方向および−X方向に並進する間に把持アセンブリ1020を駆動することを可能にするスプラインシャフトであってもよい。
[00128]壁1013の環状内表面1014は、洗浄中にウエハ151からドレイン284中へと水分をガイドし、ウエハ151上の粒子の再付着を減少させることを助けるような形状にすることができる。例えば、環状内表面1014は、洗浄中に水分をウエハ151から離れるようにガイドすることを助けるために、第1の角度付けされた部分と第2の角度付けされた部分とを含むことができる。第1の角度付けされた部分は、第2の角度付けされた部分よりも大きくすることができる。さらに、第1のプレートアセンブリ1022の表面1101に対する第2の角度付けされた部分の角度は、第1のプレートアセンブリ1022の表面1101に対する第1の角度付けされた部分の角度よりも大きくすることができる。
[00129]捕獲カップ1010は、第1の捕獲カップ1011および第2の捕獲カップ1012を含むように構成することができる。第1の捕獲カップ1011は、第2の捕獲カップ1012に取り付けることができる。例えば、第1の捕獲カップ1011は、1つまたは複数のボルトまたは同様の取り付け素子を介して第2の捕獲カップ1012に取り付けることができる。第1の捕獲カップ1011およびまたは第2の捕獲カップ1012は、ねじ山付きボルトを受け入れるように構成された1つまたは複数のねじ山付き部分を含んでもよい。代替的に、捕獲カップ1010は、単一の材料片から形成されてもよい。
[00130]第2の捕獲カップ1012は、図7Bのドレイン穴262を含むことができる。ドレイン穴262は、ウエハ151、把持アセンブリ220、および捕獲カップ1010が駆動モータ222によって回転される間に水分がドレイン284に流入するように、捕獲カップ1010のエッジに沿ってアレイに位置決めすることができる。さらに、ドレイン穴262は、第2の捕獲カップ1012のエッジに沿ってアレイに位置決めされてもよい。水分は、ドレイン穴262を通ってドレイン284に流入し、そこで洗浄モジュール1000から除去される。
[00131]第1のプレートアセンブリ1022および第2のプレートアセンブリ1024は、ウエハ151を受け入れ、ウエハ151を洗浄位置に配置することを助けるために、互いに対して移動するように構成される。具体的には、図12Aおよび12Bは、それぞれ後退位置1200aおよび伸長位置1200bにある把持アセンブリ1020の実施形態を示す。把持アセンブリ1020は、洗浄プロセス中に後退位置1200aに位置決めすることができる。さらに、把持アセンブリ1020は、ウエハ装填プロセスおよび/またはウエハ除去(取り出し)プロセスの間、伸長位置1200bに位置決めすることができる。伸長位置1200bは、洗浄モジュール1000内部における把持アセンブリ1020の装填位置に対応してもよい。さらに、装填位置にあるとき、把持アセンブリ1020は、洗浄位置からX方向に距離を置いて配置されてもよい。第1のプレートアセンブリ1022の表面1101は、シャフト224に連結されて同シャフトによって駆動される。
[00132]捕獲カップ1010は、第2のプレートアセンブリ1024に連結された1つまたは複数のバネ機構1230を含む。バネ機構1230は、第2のプレートアセンブリ1024を捕獲カップ1010の特定の距離内に保持し、第2のプレートアセンブリ1024が捕獲カップ1010に対して移動することを可能にするように機能する。捕獲カップ1010が第1の捕獲カップ1011および第2の捕獲カップ1012を含む実施形態では、1つまたは複数のバネ機構1230は、第2の捕獲カップ1012内部に配置される。
[00133]バネ機構1230は、典型的には、バネ1231および連結部材1233を含むであろう。バネ機構1230は、第1のプレートアセンブリ1022がシャフト224によって水平方向に駆動されるときに、第2のプレートアセンブリ1024が捕獲カップ1010(または第2の捕獲カップ1012)に対して移動することを可能にする。例えば、第1のプレートアセンブリ1022が伸長(例えば、装填または取り出し位置)位置1200bに移動されると、バネ機構1230は拡張し、第2のプレートアセンブリ1024を捕獲カップ1010(または第2の捕獲カップ1012)から離れるように移動させる。バネ機構1230の各々は、連結部材1233の上をまたは連結部材と平行に移動する1つまたは複数のバネ1231を含みうる。第2のプレートアセンブリ1024の軸方向運動は、連結部材1233によって制限されうる。
[00134]1つまたは複数のアクチュエータピン1242を、捕獲カップ1010(または第2の捕獲カップ1012)内に配置することができる。アクチュエータピン1242は、バネ要素1243に連結することができる。代替的に、アクチュエータピン1242が省略されて、バネ要素1243のみが使用されてもよい。さらに、アクチュエータピン1242の数は、把持ピン1032の数と等しい。例えば、各アクチュエータピン1242は、把持ピン1032のうちの対応する1つと相互作用するように構成されうる。
[00135]把持アセンブリ1020は、装填ピン1030および把持ピン1032を含むことができる。装填ピン1030は、装填プロセス中にウエハ151を受け入れて保持し、取り出しプロセス中にウエハ151を保持するように構成することができる。装填ピン1030は、第1のプレートアセンブリ1022に固定することができる。
[00136]把持ピン1032は、把持ピン1032上に動きを付与するように構成された1つまたは複数の要素1240を含みうる。例えば、把持ピン1032は、各把持ピン1032と把持アセンブリ1020の中心との間の距離が可変であるように構成されうる。さらに、把持ピン1032は、第2のプレートアセンブリ1024に連結されてもよい。例えば、第2のプレートアセンブリ1024は、把持ピン1032が配置されるキャビティを含むことができる。把持ピン1032は、洗浄プロセス中にウエハ(例えば、ウエハ151)を把持することができる。
[00137]把持アセンブリ1020は、1つまたは複数の装填ピン1030および1つまたは複数の把持ピン1032を含むことができる。例えば、把持アセンブリ1020は、少なくとも3つの把持ピン1032および少なくとも3つの装填ピン1030を含みうる。把持ピン1032は、各ピンが別の把持ピンと約120°となるように配置することができる。代替的に、把持ピン315は、互いに他の角度で配置されてもよい。さらに、装填ピン1030は、各ピンが別の装填ピンと約120°となるように配置されてもよい。代替的に、装填ピン1030は、互いに他の角度に配置されてもよい。加えて、把持ピン1032は、第1の角度に従って配置することができ、装填ピン1030は、第1の角度とは異なる第2の角度に従って配置することができる。把持ピン1032の数は、装填ピン1030の数より大きくてもよい。代替的に、把持ピン1032は、装填ピン1030の数以下である。
[00138]把持ピン1032は、装填または取り出し位置と把持位置との間で移動させることができる。例えば、要素1240がアクチュエータピン1242から外れ、ストッパ1247と係合すると、把持ピン1032は、把持位置と装填位置との間で移動される。把持ピン1032は、図12Aの実施形態では把持位置にあり、図12Bの実施形態では装填位置にある。
[00139]ストッパ1247は、捕獲カップ1010の一部とすることができる。代替的に、ストッパ1247は、捕獲カップ1010に取り付けられる。さらに、ストッパ1247の少なくとも一部が、キャビティ1246内部に位置決めされてもよい。例えば、ストッパ1247は、キャビティ内部に位置決めされた、要素1240と相互作用して把持ピン1032の移動を制御する突出部を含むことができる。ストッパ1247の突出部とアクチュエータピン1242との間の距離は、把持ピン1032の移動量を規定しうる。例えば、ストッパ1247の突出部とアクチュエータピン1242との間の距離が最適化されると、把持ピン1032にはより大量の移動が可能となる。さらに、単一のストッパ1247が示されているが、把持アセンブリ1020は、各把持ピン1032につき1つのストッパ1247を含むことができる。
[00140]把持ピン1032は、第1のプレートアセンブリ1022が第2のプレートアセンブリ1024に運動を付与することに応答して、把持位置に移動させることができる。例えば、第1のプレートアセンブリ1022が、シャフト224によって後退位置(例えば、洗浄位置)1200aに、または伸長位置(例えば、装填もしくは取り出し位置)に駆動されるとき。把持アセンブリを洗浄位置に配置するとき、第1のプレートアセンブリ1022によって第2のプレートアセンブリ1024上に加えられる力はバネ機構1230を圧縮させ、第2のプレートアセンブリ1024および素子(例えば、アクチュエーション要素)1240の軸方向運動がピン(例えば、アクチュエータピン)1242と接触することを可能にし、把持ピン1032をアセンブリ回転の中心に向かって軸1033を中心として枢動させることができる。
[00141]把持力は、バネ要素1243の圧縮によって規定されうる。さらに、バネ要素1243の圧縮は、第2のプレートアセンブリ1024と第2の捕獲カップ1012との間の距離に依存する。把持アセンブリ1200を伸長位置に配置するとき、第1のプレートアセンブリ1022は、第2のプレートアセンブリ1024から外れ、バネ機構1230が拡張して第2のプレートアセンブリ1024および素子1240を第2の捕獲カップ1012から離れるように移動させる。要素1240は、アクチュエータピン1242から外れてストッパ1247に接触し、把持ピン1032を、把持アセンブリ1200の回転の中心から離れるように軸1033を中心に枢動させることができる。さらに、第2のプレートアセンブリ1024の軸方向運動は、連結部材1233によって制限されてもよい。把持ピン1032の位置は、第2のプレートアセンブリ1024と第2の捕獲カップ1012との間の距離に対応し、要素1240のピン1242および/もしくはストッパ1247との係合、ならびに/または要素1240の把持ピン1032内部への配置によって規定されてもよい。把持ピン1032が把持位置にあるときは、把持ピン1032が装填位置または取り出し位置にあるときと比較して、把持ピン1032間の距離が減少しうる。
[00142]ピン1030および1032は、ウエハ151が第1のプレートアセンブリ1022と接触しないようにウエハ151を保持するように構成することができる。ウエハ151と第1のプレートアセンブリ1022との間の距離は固定される。
[00143]ベローズ1250は、第2のプレートアセンブリ1024の周りに配置され、水分が第2のプレートアセンブリ1024と捕獲カップ1010(または第2の捕獲カップ1012)との間のいずれかの空間に入ることを防止するように構成される。ベローズ1250は、第2のプレートアセンブリ1024を完全に囲むか、または第2のプレートアセンブリ1024を部分的にのみ囲むことができる。さらに、ベローズ1250は、第2のプレートアセンブリ1024の移動に応じて膨張および圧縮してもよい。加えて、ベローズは、捕獲カップ1010(または第2の捕獲カップ1012)に連結されてもよい。
[00144]水分がシャフト224に到達し、かつ/またはシャフト224と第2のプレートアセンブリ1024および/もしくは捕獲カップ1010(もしくは第2の捕獲カップ1012)との間に流れることを防止するために、ベローズ1252をシャフト224に連結することができる。ベローズ1252は、シャフト224を完全にまたは部分的に取り囲むことができる。さらに、ベロー1252は、シャフト224の運きに応答して拡張および圧縮してもよい。
[00145]ベローズ1254は、中に把持ピン1032が位置決めされているキャビティ1246と一緒に位置決めすることができる。ベローズ1254は、水分がキャビティに流入し、キャビティと第2の捕獲カップ1012との間に流れることを防止することを助けうる。
[00146]屈曲デバイスを、第2の捕獲カップ1012と第2のプレートアセンブリ1024との間に配置することができる。屈曲デバイスは、第2のプレートアセンブリ1024を捕獲カップ1010(または第2の捕獲カップ1012)から離れるように移動させることを助けるために、第2のプレートアセンブリ1024に力を掛けるように構成することができる。
[00147]把持アセンブリ1020は、ガイドピン1035をさらに含むことができる。ガイドピン1035は、第2のプレートアセンブリ1024に結合され、第1のプレートアセンブリ1022および第2のプレートアセンブリ1024の運動および位置合わせをガイドするように構成することができる。例えば、第1のプレートアセンブリ1022が第2のプレートアセンブリ1024に接近すると、ガイドピン1035はキャビティ1270を通過し、第1および第2のプレートアセンブリ1022、1024を位置合わせする。さらに、ガイドピン1035は、第1のプレートアセンブリ1022に対する第2のプレートアセンブリ1024の角運動を制限するように構成されてもよい。把持アセンブリ1020は、1つまたは複数のガイドピン1035を含んでもよく、または1つも含まなくともよい。
[00148]図12Bは、伸長された(例えば、装填または取り出し)位置1200bにある把持アセンブリ1020を示している。図示されるように、把持ピン1032は、第2のプレートアセンブリ1024の移動に応答して、捕獲カップ1010(または第2の捕獲カップ1012)から離れて装填位置に移動した。例えば、バネ機構1230は、第1のプレートアセンブリ1022が第2のプレートアセンブリ1024から離れるように移動され、第2のプレートアセンブリ1024を捕獲カップ1010(または第2の捕獲カップ1012)から離れるように押すことに応答して伸長している。さらに、要素1240は、アクチュエータピン1242から外れ、ストッパ1247と係合し、把持ピン1032を装填位置に移動させる。さらに、ベローズ1250およびベローズ1252は、それぞれ第2のプレートアセンブリ1024およびシャフト224の移動に伴って拡張する。
[00149]洗浄流体は、1つまたは複数の開孔1051を通ってウエハ151の裏側に流れることができる。洗浄流体は、すすぎ剤(例えば、脱イオン水またはオゾン水)または洗浄化学剤であってもよい。さらに、洗浄流体は、シャフト224を介して、次いで1つまたは複数の開孔1051に供給されうる。図示のように、1つまたは複数の開孔1051を利用して、化学物質をウエハ151の裏側に流すことができる。1つまたは複数の開孔1051は、第1のプレートアセンブリ1022に形成することができる。開孔1051の数は1つまたは複数である。さらに、1つまたは複数の開孔1051は、実質的に円形または直線パターンで配置することができる。一実施形態では、1つまたは複数の開孔1051の各々は、洗浄流体がウエハ151の裏面全体に均等に流れるように、実質的に同じサイズとすることができる。他の実施形態では、1つまたは複数の開孔1051のうちの少なくとも1つは、少なくとも1つの他の開孔とは異なるサイズであってもよい。
[00150]図13は、ウエハ(例えば、ウエハ151)を洗浄するための方法1300を示している。動作1310では、洗浄モジュールがウエハ装填位置に配置される。例えば、蓋202が開放され、洗浄モジュール1000の把持アセンブリ1020の第1のプレートアセンブリ1022が壁213に向かって横方向(例えば、X方向)に移動されて、把持アセンブリ1020を装填位置に配置する。把持アセンブリ1020を装填位置に配置することは、シャフト224および駆動モータ222を介して第1のプレートアセンブリ1022を壁213に向かって移動させること(動作1312)を含む。例えば、駆動モータ222は、第1のプレートアセンブリ1022が第2のプレートアセンブリ1024から分離するように、シャフト224を横方向に駆動して第1のプレートアセンブリ1022を壁213に向かって移動させることができる。さらに、バネ機構1230は、第1のプレートアセンブリ1022を第2の捕獲カップ1012から離れるように移動させることに応答して伸長し、要素1240が把持ピン1032を装填位置に配置することを可能にする。
[00151]把持ピン1032の各々は、他の各把持ピン1032から離れるように傾斜(または移動)されうるように、それぞれの要素1240に連結される。例えば、図14Aに示されるように、第1のプレートアセンブリ1022が第2のプレートアセンブリ1024から分離することに応答して、要素1240は、ストッパ1247と係合し、軸1033を中心に枢動し、把持アセンブリ1020の中心から離れるように把持ピン1030を傾斜させた。把持ピン1032を移動させることは、把持ピン1032が他の把持ピン1032および装填ピン1030から離れるように傾斜して、把持ピン1032間の分離距離と、把持ピン1032と装填ピン1030の間の距離とを増加させるように、把持アセンブリ1020の外縁に向かって把持ピン1032を移動させることを含む。
[00152]把持アセンブリ1020は、洗浄のためにウエハ151が受け入れられるように、および/または洗浄サイクルが完了した後で洗浄モジュール1000からウエハ151が取り外されるように、伸長位置1200bに配置されうる。例えば、把持アセンブリ1020は、第1のプレートアセンブリ1022の少なくとも一部が捕獲カップ1010(または第1の捕獲カップ1011)を越えて延び、伸長位置1200bに位置するように、駆動モータ222およびシャフト224によって駆動されうる。例えば、表面1101および装填ピン1030のうちの少なくとも1つは、捕獲カップ1010を越えて内部容積部295中に延びる。代替的に、表面1101は、装填ピン1030が内部容積部295内部に位置決めされている間に、処理容積部297内部に配置されてもよい。
[00153]コントローラ190は、駆動モータ222に対し、シャフト224を横方向に移動させ、軸1016に沿って水平方向に把持アセンブリ1020を移動させるための命令を与えることができる。さらに、コントローラ190は、洗浄モジュール1000が洗浄のためにウエハを受け取るように準備されていることを示す証印指標を受け取ることができる。証印指標は、感知装置294から受け取られたセンサデータとして受け取られうる。
[00154]方法1300の動作1320では、洗浄のためにウエハが受け取られる。例えば、一実施形態において、ロボット910は、洗浄のためにウエハ151を把持アセンブリ1020に挿入する。例えば、図14Aの実施形態に示されるように、ロボット910は、ウエハ151が装填ピン1030によって保持される(例えば、装填ピンの溝内に静止する)ように、ウエハ151を挿入する。
[00155]洗浄モジュール1000への進入中、1つまたは複数のスプレーバー290は、洗浄モジュール1000内に挿入されるとき、1つまたは複数の流体をウエハ151に適用することによって、ウエハ151を前処理することができる。ウエハ151は、ウエハ151が1つまたは複数の他の洗浄モジュール(例えば、メガソニック洗浄モジュール161、前洗浄モジュール162、またはブラシボックス洗浄モジュール164)内部で洗浄された後に受け取られる。
[00156]ウエハ151が装填ピン1030に完全に挿入された後、ロボット910はウエハ151を解放し、ロボット910が洗浄モジュール1000から後退する。
[00157]コントローラ190は、スプレーバー290に対し、前処理プロセスを開始するための命令を与える。さらに、コントローラ190は、ウエハ151が洗浄モジュール1000に挿入されたことを示す印証指標を受け取ることができる。証印指標は、感知装置294からセンサデータとして受け取られうる。
[00158]方法1300の動作1330では、洗浄モジュールが洗浄位置に配置される。例えば、洗浄モジュール1000は、動作1332に示されるように、第1のプレートアセンブリ1022を壁1024から離れるように第2のプレートアセンブリ1024に向かって移動させることによって、洗浄位置に配置することができる。駆動モータ222は、シャフト224を駆動して、把持アセンブリ1020の第1のプレートアセンブリ1022を後退させ、第1のプレートアセンブリ1022を壁1013から離れるように第2のプレートアセンブリ1024に向かって移動させる。例えば、駆動モータ222は、シャフト224を横方向または水平方向(例えば、X方向)に駆動して、第1のプレートアセンブリ1022を壁1013から離れるように第2のプレートアセンブリ1024に向かって移動させることができる。
[00159]さらに、駆動モータ222が第1のプレートアセンブリ1022を壁1013から離れるように第2のプレートアセンブリ1024に向かって移動させると、第1のプレートアセンブリ1022は第2のプレートアセンブリ1024に接触し、バネ機構1230を圧縮する。さらに、第1のプレートアセンブリ1022が第2のプレートアセンブリ1024にさらなる力を加え、バネ機構1230が圧縮すると、要素1240は、ストッパ1247から外れ、アクチュエータピン1242のうちの対応する1つと接触し、把持ピン1032を把持位置に配置する。これに応答して、把持ピン1032は、把持力または圧力をウエハ151に加える。第2のプレートアセンブリ1024の位置を変化させることによって、把持ピン1032によって加えられる把持力の量を変更することができる。
[00160]コントローラ190は、駆動モータ222に対し、シャフト224を壁1013から離れるように第2のプレートアセンブリ1024に向かって横方向に移動させ、第1のプレートアセンブリ1022を第2のプレートアセンブリ1024に向かって壁1013から離れるように横方向移動させるための命令を与えるように構成することができる。把持アセンブリ1020が後退位置1200bに配置されたら、洗浄サイクルを開始することができる。コントローラ190は、把持アセンブリ1020が後退位置1200b(例えば、洗浄位置)に位置決めされていることを示すセンサデータを感知装置294から受け取り、洗浄サイクルを開始することをことができる。
[00161]動作1340では、ウエハが洗浄される。ウエハ151および把持アセンブリ1020は、完全に処理容積部297内部に位置するように洗浄位置に配置される。ウエハ151は洗浄モジュール1000によって洗浄することができる。例えば、洗浄サイクルを実行することは、動作1342によって示されるように、ウエハ151の表面上に流体を分配することを含みうる。さらに、洗浄サイクルを実施することは、動作1344によって示されるようにウエハ151を回転させることを含む。
[00162]加えて、処理容積部297内部のウエハ151の位置は、洗浄プロセス中に変更することができる。例えば、第2のプレートアセンブリ1024と捕獲カップ1010(または第2の捕獲カップ1012)との間の距離のうちの1つまたは複数と、バネ機構1230が圧縮される量とを変更し、処理容積部297内部のウエハ151の位置を変更することができる。
[00163]ウエハ151を洗浄することは、ウエハ151の第1の側面(前面)および第2の側面(裏面)に洗浄流体が適用される間に、捕獲カップ1010、把持アセンブリ1020、およびウエハ151を同時に回転させることを含む。洗浄流体が適用されている間に捕獲カップ1010、把持アセンブリ1020およびウエハ151を同時に回転させることは、ウエハ151のいずれかの表面への粒子の再付着を最小化および/または排除することを助ける。例えば、駆動モータ222は、捕獲カップ1010、把持アセンブリ1020およびウエハ151を回転させるように構成することができる。例えば、駆動モータ222は、捕獲カップ1010、把持アセンブリ1020、およびウエハ151を回転させるためにシャフト224を回転させることができる。ウエハ151は、流体がウエハ151の表面から除去されるように、約500RPMから約1000RPMの範囲の速度で回転される。ウエハ151は、500RPM未満または約1000RPM超の速度で回転させることができる。さらに、ウエハ151が回転する速度は、洗浄プロセス中に変更することができる。加えて、ウエハ把持具210が洗浄位置に配置された後、洗浄サイクルを開始することができる。
[00164]第1の洗浄流体は、流体源223、シャフト224、および開孔1051を介して、ウエハ151の裏面(例えば、表面1101に隣接する表面)に適用されうる。さらに、第2の流体を、ノズル機構240を介して、ウエハ151の前面(例えば、表面1101と反対の表面)に適用することができる。スイープアーム駆動モータ234は、ノズル機構240が弓形の経路内においてウエハ151の前面の上を移動するように、スイープアーム230を移動させる。ノズル機構240は、洗浄プロセス中に洗浄流体をウエハ151の前面に適用するように構成することができる。流体は、洗浄化学剤および/またはすすぎ剤を含むことができる。一実施形態において、洗浄流体は、ウエハ151の表面および裏面に実質的に同時に適用することができる。さらに、洗浄流体は、ウエハ151の裏面に洗浄流体を適用することから独立して、ウエハ151の前面に適用することができる。例えば、洗浄流体は、ウエハ151の裏面に適用することができ、また1つまたは複数の重複期間および非重複期間の間に、ウエハ151の裏面に適用することができる。第1の非重複期間中に、1つまたは複数の洗浄流体をウエハ151の前面に適用することができ、第2の非重複期間中に、1つまたは複数の洗浄流体をウエハ151の裏面に適用することができる。洗浄サイクルの重複および非重複期間は、任意の順序で生じうる。さらに、重複および非重複期間の回数および/または順序は、洗浄サイクルごとに変更することができる。洗浄位置にある間に、洗浄流体のウエハ151上への飛散は、少なくとも低減することができ、種々の実施形態では排除することができる。
[00165]洗浄プロセス、装填プロセスおよび取り出しプロセスのうちの少なくとも1つの間に、洗浄モジュール200内の気流は、再循環の発生を軽減し、粒子がウエハ151の表面に再付着することを防止する。
[00166]コントローラ190は、把持アセンブリ220が洗浄位置に配置されていることを示す証印指標を受け取ることができる。例えば、コントローラ190は、感知装置294からセンサデータを受信することができる。さらに、コントローラ190は、シャフト224および開孔1051を通る洗浄流体の流れ、ならびにノズル機構240を通る流体の運動および制御を制御するように構成することができる。コントローラ190は、スイープアーム駆動モータ234に対し、ノズル機構240をウエハ151の表面を横切って移動させるための命令を与えることができる。さらに、コントローラ190は、ノズル機構に対し、ノズルのうちの1つまたは複数から洗浄流体を分配するための命令を出力することができる。さらに、コントローラ190は、異なる時間に洗浄流体が出力されるように、ノズルのタイミングを制御することができる。例えば、1つのノズルは、別のノズルの前に洗浄流体の分配を開始するように制御されうる。ノズルのうちの1つまたは複数は、ノズルのうちの少なくとも別の1つが洗浄流体を出力しない間に洗浄流体を出力するように構成することができる。
[00167]動作1350では、洗浄されたウエハが洗浄モジュールから除去される。洗浄モジュール1000からウエハを除去することは、把持アセンブリ1020の第1のプレートアセンブリ1022を、把持アセンブリ1020の第2のプレートアセンブリ1024から離れるように移動させること(動作1352)を含む。第1のプレートアセンブリ1022が第2の捕獲カップ1012から離れると、バネ機構1230が伸長し、第2のプレートアセンブリ1024に力を付与する。これに応答して、第2のプレートアセンブリ1024は、第1のプレートアセンブリ1022が移動されるのと同じ方向に移動し、アクチュエータピン1242によって要素1240に掛かる力が減少する。さらに、第2のプレートアセンブリ1024が要素1240を動かすと、ストッパ1247と係合して把持ピン1032を装填位置に移動させ、ウエハ151上の把持ピン1032の把持を解除し、ウエハ151を装填ピン1032上に取り出す。
[00168]さらに、洗浄モジュールからウエハを除去することは、動作1354、即ち洗浄流体の分配を停止することと、動作1356、即ちウエハの回転を停止することとを含む。
[00169]洗浄サイクルの終了時に、把持アセンブリ1020は、駆動モータ222およびシャフト224によって装填位置へと移動される。さらに、ノズル機構240は、噴霧流体を停止することができ、ノズル機構240およびスイープアーム230は、洗浄サイクルの終了時、第1のプレートアセンブリ1022が移動される前に、捕獲カップ1010から離れるように移動させることができ、ノズル機構240およびスイープアーム230を第1のプレートアセンブリ1022の移動経路から離れるように移動させることができる。例えば、洗浄サイクルの終了時に、ノズル機構240およびスイープアーム230は、把持アセンブリ1020およびロボット910の移動を妨害しないように位置決めすることができる。
[00170]駆動モータ222およびシャフト224は、第1のプレートアセンブリ1022を壁1013に向かって横方向に移動させ、第1のプレートアセンブリ1022を第2のプレートアセンブリ1024から分離させ、把持ピン1032を装填位置に配置するように構成することができる。さらに、ウエハ151は、内部容積部295内部で移動される。加えて、スプレーバー290は、取り出しプロセス中に係合して、ウエハ151に流体を適用することができる。
[00171]洗浄サイクルの終了時には、シャフト224およびノズル機構240を介して洗浄流体を分配することが停止される。第1のプレートアセンブリ1022が壁1013に向かって移動される前に、洗浄流体の分配が停止される。前面への流体の分配が停止されている間、流体は、ウエハ151の裏面上に分配され続けてもよい。
[00172]さらに、把持アセンブリ1020が取り出し位置に配置された後、ウエハ151を除去することができる。
[00173]図14Aは、ロボット910が洗浄モジュール1000からウエハ151を除去することができるように、把持アセンブリ1020が取り出し位置に位置決めされている実施例を示す。一実施形態において、ロボット910は、蓋202によって妨げられていない開口部を通して洗浄モジュールにアクセスし、洗浄ウエハ151を拾い上げ、洗浄モジュール200から洗浄ウエハ151を除去することができる。
[00174]コントローラ190は、駆動モータ222に対し、シャフト224を第1の捕獲カップ211に向かって横方向に移動させ、第1のプレートアセンブリ1022を横方向に壁1013に向かって移動させて、ロボット910が洗浄されたウエハ151を洗浄モジュール1000から除去することができるように、把持アセンブリ1020を取り出し位置に配置するための命令を与えることができる。さらに、コントローラ190は、ウエハ151が内部容積部295内に位置決めされた後、駆動モータ222に対し、捕獲カップ1010および把持アセンブリ1020の回転を停止させるための命令を与えることができる。コントローラ190は、ノズル機構240および/または流体源223に対し、洗浄流体の分配を停止するための命令を与えることもできる。さらに、コントローラ190は、スプレーバー290に対し、流体の分配を開始するための命令を与えることもできる。例えば、コントローラ190は、スプレーバー290に対し、第1のプレートアセンブリ1022の移動が開始するとき、第1のプレートアセンブリ1022が壁1013をクリアするとき、または取り出しプロセス中の他の任意の時点で、洗浄サイクルの終了と一致するように、流体の分配を開始するように命令することができる。
[00175]以上の記述は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく本開示の他の実施形態およびさらなる実施形態を考案することができ、本開示の範囲は、下記の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (15)

  1. 垂直配向でウエハを支持するように構成されたウエハ把持装置を備える洗浄モジュールであって、前記ウエハ把持装置が、
    環状内表面を有する壁を含む捕獲カップであって、前記環状内表面が、処理領域を画定し、かつ前記ウエハ把持装置の中心軸を中心として対称な角度付けされた部分を有する、前記捕獲カップと、
    装填位置、すすぎ位置、および洗浄位置のうちの少なくとも1つに位置決めされるように構成された把持アセンブリであって、前記把持アセンブリの前記洗浄位置が前記処理領域内部に配置される、前記把持アセンブリと
    を含み、
    前記把持アセンブリが、
    第1のプレートアセンブリと、
    第2のプレートアセンブリと、
    前記第2のプレートアセンブリの把持ピンであって、前記把持アセンブリが前記装填位置にあるとき前記把持アセンブリの中心から第1の距離であり、前記把持アセンブリが前記洗浄位置にあるとき前記ウエハ把持装置の前記中心軸から第2の距離であり、前記第1の距離が前記第2の距離よりも大きい、前記把持ピンと、
    前記第1のプレートアセンブリの装填ピンであって、前記把持アセンブリが前記装填位置および前記洗浄位置にあるとき前記中心軸から第3の距離である、前記第1のプレートアセンブリの装填ピンと
    を含む、洗浄モジュール。
  2. 前記把持アセンブリが前記洗浄位置に配置されているとき、前記ウエハのエッジが前記把持ピンと接触しており、前記ウエハが前記装填ピンと接触しておらず、前記把持ピンは、前記ウエハの前記エッジと接触して洗浄プロセス中に前記ウエハの干渉を低減するように構成されている、請求項1に記載の洗浄モジュール。
  3. 前記把持アセンブリが前記装填位置に配置されているとき、前記装填ピンは、前記ウエハの前記エッジと接触しており、前記洗浄プロセス中に前記装填ピンによる前記ウエハの干渉を低減するように構成されている、請求項2に記載の洗浄モジュール。
  4. 前記捕獲カップから離間した外囲壁をさらに備え、前記外囲壁と前記捕獲カップとの間に内部領域が画定されている、請求項1に記載の洗浄モジュール。
  5. 前記第1のプレートアセンブリが、
    前記把持アセンブリが前記装填位置にあるとき、少なくとも部分的に前記内部領域内部に位置決めされて、前記第2のプレートアセンブリから離間しており、
    前記把持アセンブリが前記洗浄位置にあるとき、少なくとも部分的に前記第2のプレートアセンブリに接触している、
    請求項4に記載の洗浄モジュール。
  6. 前記第2のプレートアセンブリが、1つまたは複数のバネ機構によって前記捕獲カップに連結されており、前記1つまたは複数のバネ機構は、前記把持アセンブリが前記洗浄位置にあるとき圧縮されている、請求項1に記載の洗浄モジュール。
  7. 前記捕獲カップがアクチュエータピンをさらに備え、
    前記把持ピンが、
    前記把持アセンブリが前記洗浄位置にあるとき前記アクチュエータピンと係合して前記把持ピンを前記洗浄位置に位置決めし、
    前記把持アセンブリが前記装填位置にあるとき前記アクチュエータピンから外れて前記把持ピンを前記装填位置に位置決めする
    ように構成されたアクチュエータ要素に連結されている、
    請求項1に記載の洗浄モジュール。
  8. 前記捕獲カップが、
    1つまたは複数のドレイン穴であって、前記環状内表面が、前記捕獲カップが前記中心軸を中心として回転されるときに水分を前記1つまたは複数のドレイン穴にガイドするように構成されている、前記1つまたは複数のドレイン穴
    をさらに含む、請求項1に記載の洗浄モジュール。
  9. 前記1つまたは複数のドレイン穴の各々が、前記内部領域への水分の流入を軽減するように成形されたそれぞれの空気迷路を通して前記洗浄モジュールの内部領域に流体連結されている、請求項8に記載の洗浄モジュール。
  10. 前記1つまたは複数のドレイン穴の各々が、第1の壁および第2の壁を含み、前記第1の壁は、前記第2の壁から離れる方向に先細になっている、請求項9に記載の洗浄モジュール。
  11. 前記第2のプレートアセンブリおよび前記捕獲カップに連結されたベローズをさらに備える、請求項1に記載の洗浄モジュール。
  12. スイープアームに連結されたノズル機構であって、
    前記第1のプレートアセンブリの表面と第1の角度に配向されて、高エネルギー流体を提供するように構成された第1のノズルと、
    前記第1のプレートアセンブリの表面と、前記第1の角度とは異なる第2の角度に配向された第2のノズルと
    を含む前記ノズル機構をさらに備える、請求項1に記載の洗浄モジュール。
  13. 洗浄プロセス中に、前記第1のノズルが高エネルギー洗浄流体を適用するように構成されており、前記第2のノズルが第2の流体を適用するように構成されている、請求項12に記載の洗浄モジュール。
  14. 前記第1のノズルが、気体と液体の混合物を送達するように構成されたメガソニックノズルおよびジェットノズルのうちの1つであり、前記スイープアームが、洗浄プロセス中に前記第1のプレートアセンブリの少なくとも一部分の上で前記ノズル機構を移動させるように構成されている、請求項12に記載の洗浄モジュール。
  15. シャフトを通して前記ウエハ把持装置に連結されて、洗浄プロセス中に、前記捕獲カップと前記把持アセンブリとを前記中心軸を中心として同時に回転させるように構成されている駆動モータをさらに備える、請求項1に記載の洗浄モジュール。
JP2021505782A 2018-08-06 2019-08-05 非接触洗浄モジュール Active JP7304935B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023105054A JP2023134520A (ja) 2018-08-06 2023-06-27 非接触洗浄モジュール

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IN201841029454 2018-08-06
IN201841029454 2018-08-06
US201862756158P 2018-11-06 2018-11-06
US62/756,158 2018-11-06
US201962795816P 2019-01-23 2019-01-23
US62/795,816 2019-01-23
PCT/US2019/045147 WO2020033326A1 (en) 2018-08-06 2019-08-05 Non-contact clean module

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023105054A Division JP2023134520A (ja) 2018-08-06 2023-06-27 非接触洗浄モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021532602A true JP2021532602A (ja) 2021-11-25
JP7304935B2 JP7304935B2 (ja) 2023-07-07

Family

ID=69228913

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021505782A Active JP7304935B2 (ja) 2018-08-06 2019-08-05 非接触洗浄モジュール
JP2023105054A Pending JP2023134520A (ja) 2018-08-06 2023-06-27 非接触洗浄モジュール

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023105054A Pending JP2023134520A (ja) 2018-08-06 2023-06-27 非接触洗浄モジュール

Country Status (6)

Country Link
US (2) US11289347B2 (ja)
JP (2) JP7304935B2 (ja)
KR (2) KR102653771B1 (ja)
CN (1) CN112543991A (ja)
TW (1) TWI819050B (ja)
WO (1) WO2020033326A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3110948B1 (fr) 2020-05-29 2022-08-12 Commissariat Energie Atomique Système de positionnement d’une plaque.
KR20210157574A (ko) * 2020-06-22 2021-12-29 주식회사 제우스 기판처리장치
KR102419631B1 (ko) * 2020-08-07 2022-07-12 남정원 분사 유닛 및 이를 포함하는 세정 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011071477A (ja) * 2009-08-27 2011-04-07 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2012004320A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JP2013526054A (ja) * 2010-04-30 2013-06-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 流体ジェットを伴うディスクブラシ洗浄装置モジュール
JP2013236056A (ja) * 2012-04-11 2013-11-21 Tokyo Electron Ltd 液処理装置

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3354367B2 (ja) * 1995-12-19 2002-12-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JP3396377B2 (ja) 1996-07-22 2003-04-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW418452B (en) * 1997-10-31 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Coating process
US6361422B1 (en) * 1999-06-15 2002-03-26 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for transferring semiconductor substrates using an input module
US6199298B1 (en) 1999-10-06 2001-03-13 Semitool, Inc. Vapor assisted rotary drying method and apparatus
KR100360402B1 (ko) 2000-03-22 2002-11-13 삼성전자 주식회사 회전성 분사노즐을 구비하는 웨이퍼 건조 장치 및 이를이용한 웨이퍼 건조 방법
US7364625B2 (en) 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
KR100416592B1 (ko) 2001-02-10 2004-02-05 삼성전자주식회사 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 세정 방법
US6895981B2 (en) 2002-07-19 2005-05-24 Semitool, Inc. Cross flow processor
US7520939B2 (en) 2003-04-18 2009-04-21 Applied Materials, Inc. Integrated bevel clean chamber
US20040222101A1 (en) 2003-04-18 2004-11-11 Applied Materials, Inc. Contact ring spin during idle time and deplate for defect reduction
US20040206373A1 (en) 2003-04-18 2004-10-21 Applied Materials, Inc. Spin rinse dry cell
US20050020077A1 (en) 2003-04-18 2005-01-27 Applied Materials, Inc. Formation of protection layer by dripping DI on wafer with high rotation to prevent stain formation from H2O2/H2SO4 chemical splash
US20050160992A1 (en) 2004-01-28 2005-07-28 Applied Materials, Inc. Substrate gripping apparatus
US20050173253A1 (en) 2004-02-05 2005-08-11 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for infilm defect reduction for electrochemical copper deposition
US8211242B2 (en) 2005-02-07 2012-07-03 Ebara Corporation Substrate processing method, substrate processing apparatus, and control program
US8070884B2 (en) 2005-04-01 2011-12-06 Fsi International, Inc. Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance
JP2007157898A (ja) 2005-12-02 2007-06-21 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
US7644512B1 (en) 2006-01-18 2010-01-12 Akrion, Inc. Systems and methods for drying a rotating substrate
US7849865B2 (en) 2007-01-05 2010-12-14 Semitool, Inc. System for processing a workpiece
EP2051285B1 (en) 2007-10-17 2011-08-24 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus
JP5242242B2 (ja) * 2007-10-17 2013-07-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
US8795032B2 (en) 2008-06-04 2014-08-05 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
US20110289795A1 (en) * 2010-02-16 2011-12-01 Tomoatsu Ishibashi Substrate drying apparatus, substrate drying method and control program
US9799537B2 (en) 2010-12-03 2017-10-24 Applied Materials, Inc. Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same
US8541309B2 (en) 2010-12-03 2013-09-24 Applied Materials, Inc. Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same
US10090189B2 (en) 2013-11-19 2018-10-02 Ebara Corporation Substrate cleaning apparatus comprising a second jet nozzle surrounding a first jet nozzle
KR101619166B1 (ko) * 2015-06-12 2016-05-18 카즈오 스기하라 기판의 세정·건조 처리 장치
CN206541806U (zh) 2016-05-03 2017-10-03 K.C.科技股份有限公司 基板处理系统
CN206541804U (zh) 2016-05-03 2017-10-03 K.C.科技股份有限公司 基板处理系统
JP7002874B2 (ja) 2017-07-21 2022-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム
US11241718B2 (en) 2018-04-20 2022-02-08 Applied Materials, Inc. Cleaning components and methods in a plating system

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011071477A (ja) * 2009-08-27 2011-04-07 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP2013526054A (ja) * 2010-04-30 2013-06-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 流体ジェットを伴うディスクブラシ洗浄装置モジュール
JP2012004320A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び処理方法
JP2013236056A (ja) * 2012-04-11 2013-11-21 Tokyo Electron Ltd 液処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP7304935B2 (ja) 2023-07-07
WO2020033326A1 (en) 2020-02-13
US20200043756A1 (en) 2020-02-06
KR20210029287A (ko) 2021-03-15
US11289347B2 (en) 2022-03-29
US20220044946A1 (en) 2022-02-10
TW202017080A (zh) 2020-05-01
CN112543991A (zh) 2021-03-23
KR102653771B1 (ko) 2024-04-03
TW202401631A (zh) 2024-01-01
KR20230116083A (ko) 2023-08-03
KR102560114B1 (ko) 2023-07-27
US11721563B2 (en) 2023-08-08
JP2023134520A (ja) 2023-09-27
TWI819050B (zh) 2023-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11721563B2 (en) Non-contact clean module
JP4621055B2 (ja) 基板とメニスカスとの境界面およびその取り扱い方法
US20090101181A1 (en) Substrate cleaning apparatus
US9646859B2 (en) Disk-brush cleaner module with fluid jet
KR20010071804A (ko) 웨이퍼 세정장치
US9799536B2 (en) Apparatus and method for cleaning flat objects in a vertical orientation with pulsed liquid jet
KR101965118B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102465094B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
TW200307334A (en) Integrated system for processing semiconductor wafers
JP2019145734A (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP2002159927A (ja) 基板洗浄装置
WO2013070289A1 (en) Brush box module for chemical mechanical polishing cleaner
JP3448844B2 (ja) 基板洗浄装置
CN204497200U (zh) 集成电路基板的清洁机台
US11791173B2 (en) Substrate cleaning equipment, substrate treatment system including the same, and method of fabricating semiconductor device using the substrate cleaning equipment
TWI834592B (zh) 非接觸式的清潔模組
TW201934212A (zh) 基板洗淨裝置、基板處理裝置、超音波洗淨液供給裝置及記錄媒介
JP6710694B2 (ja) 湿式化学プロセス中に基板にコンタクトするための摩擦強化パターンを有する周面を用いる圧縮成形物品
JP6348028B2 (ja) 基板処理装置
JP6892176B1 (ja) ワーク洗浄装置
JP2006302974A (ja) 半導体ウエハ枚葉洗浄装置
JP6412385B2 (ja) コンディショニング部、バフ処理モジュール、基板処理装置、及び、ドレスリンス方法
CN117612932A (zh) 晶圆清洗方法及清洗装置
JP2016055398A (ja) バフ処理モジュール、基板処理装置、及び、バフパッド洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210326

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220414

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220524

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20220824

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221012

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230414

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230606

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230627

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7304935

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150