CN206541806U - 基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

本实用新型涉及一种基板处理系统，基板处理系统包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；预备清洗区域，其设置于研磨部，并对执行研磨工艺的基板进行预备清洗(pre‑cleaning)；清洗部，其对在预备清洗区域得到预备清洗的基板进行清洗，从而有利效果在于，不降低工艺效率，并将在清洗工艺前残留于基板的异物最小化。

Description

基板处理系统
技术领域
本实用新型涉及一种基板处理系统，更为具体地涉及一种基板处理系统，其在进行基板的清洗工艺之前，使得残留于基板的异物一次分离，从而能够提高清洗效率。
背景技术
半导体元件由微细的电路线高度密集地制造而成，因此，晶元表面需要进行相应的精密研磨。为了对晶元进行更加精细地研磨，进行机械研磨及化学研磨并行的化学机械研磨工艺(CMP工艺)。
化学机械研磨(CMP)工艺是为了促进广域平坦化、由用于电路形成的接触/布线膜分离以及高集成元件化所致的晶元表面粗糙度提高等而对晶元的表面进行精密研磨工艺的工艺，所述广域平坦化对因在半导体元件制造过程中反复执行掩蔽、蚀刻及布线工艺等时所生成的晶元表面的凹凸引起的单元(cell)区域和周边电路区域间高度差进行去除。
所述CMP工艺通过以晶元的工艺面与研磨垫相面对的状态对所述晶元进行加压并同时对工艺面进行化学研磨和机械研磨来实现，研磨工艺结束的晶元被载体头抓握，并经过对粘于工艺面的异物进行清洗的清洗工艺。
换句话说，如图1所示，通常晶元的化学机械研磨工艺通过如下形式得到实现：如果晶元从装载单元20供给于化学机械研磨系统X1，则将晶元W以紧贴于载体头S1、S2、S1’、S2’；S的状态沿着规定的路径Po移动66-68的同时，在多个研磨平板P1、P2、P1’、P2’上进行化学机械研磨工艺。进行化学机械研磨工艺的晶元W通过载体头S转移至卸载单元的放置架10，并且转移至下一个进行清洗工艺的清洗单元X2，在多个清洗模块70执行对粘于晶元W的异物进行清洗的工艺。
但是，通过载体S得到搬运的基板W在各个研磨平板进行的研磨工艺的所需时间和在各个清洗单元C1、C2的清洗工艺的所需时间存在差异，因此在一个工艺结束后无法立即投入至下一个工艺，从而存在导致工艺延迟的问题。
另外，随着半导体的微细化及高集成化，对于晶元的清洗效率的重要性逐渐变大。特别是，如果在清洗模块进行晶元的清洗工艺之后，在晶元的表面还残留有异物，则降低收率，降低安全性及可靠性，因此需在清洗模块中最大限度地去除异物。
为此，在现有技术中提出了如下方案：将进行研磨工艺的晶元向清洗模块移送之前，首先对晶元进行一次清洗并去除异物后，在清洗模块重新清洗，从而可提高清洗效率
但是，在现有技术中，需要与清洗模块区别地额外设置用于进行预备清洗的预备清洗空间，据此存在如下问题：不仅对设备的布局不利，而且晶元的移送及清洗处理工艺变得复杂，清洗时间增加，据此费用增加且收率下降。特别是，研磨工艺结束后卸载于卸载位置的晶元转移至后续另外的预备清洗空间，从而在进行预备清洗后，需要重新移送至清洗模块，因为需要经过如上所述的复杂的移送过程，所以具有降低基板的整体的处理工艺效率地问题。
据此，最近进行用于能够提高化学机械研磨工艺的清洗效率及收率且减少费用的各种研究，但是尚有不足所以要求对此的开发。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种基板处理系统，其能够提高清洗效率，并且能够提高收率。
特别是，本实用新型的目的在于，在进行清洗工艺之前，可在基板被卸载的预备清洗区域对残留于基板的异物进行一次去除。
与此同时，本实用新型的目的在于，在进行本清洗工艺之前，进行完成研磨工艺的基板的预备清洗工艺，据此，消除了完成研磨工艺的基板无法连续投入于清洗工艺的局限，从而使得工艺效率提高。
此外，本实用新型的目的在于，即使不对现有设备的布局进行变更或增加，或者降低工艺效率，也可以在清洗工艺前将残留于基板的异物最小化。
并且，本实用新型的目的在于提供一种基板处理系统，其使得工艺效率提高，并连续不断地进行各个处理工艺。
并且，本实用新型的目的在于，不需要另外的机械臂或者夹子等，而是直接使得通过载体头得到搬运的同时进行研磨工艺的基板放置，从而缩短卸载基板所需的时间，并减少投入于研磨工艺的基板的移送的时间。
此外，本实用新型的目的在于，即使不对现有设备的布局进行变更或增加，或者降低工艺效率，也可以在清洗工艺前将残留于基板的异物最小化。
根据用于实现如上所述的本实用新型的目的的本实用新型的优选实施例，基板处理系统包括：研磨部，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；预备清洗区域，其设置于研磨部，并对执行研磨工艺的基板进行预备清洗(pre-cleaning)；清洗部，其对在预备清洗区域得到预备清洗的基板进行清洗。
其目的在于，当进行对基板的清洗时，在基板被卸载的预备清洗区域对残留于基板的异物进行一次预备清洗后，在清洗部进行基板的本清洗工艺，据此有效地去除残留于基板的异物，并且使得基板的清洗效率提高。
特别是，不对现有设备的布局(layout)进行变更或增加，而设置于研磨部且在基板被卸载的预备清洗区域对基板进行预备清洗，据此可得到的有利效果在于，不会使得工艺效率下降，并且在清洗工艺前对残留于基板的异物进行最小化。
换句话说，在将进行研磨工艺的基板移送至清洗部并进行本清洗工艺之前，也可以将基板移送至另外的清洗区域并进行预备清洗之后，重新移送至清洗部，但是在此情况下，将卸载于卸载区域的基板移送至另外的清洗区域后需要重新移送至清洗部，因为需要经过如上所述的复杂的移送过程，所以具有降低基板的整体的处理工艺效率的问题，为了额外地设置另外的清洗区域，需要对现有设备的布局进行变更或增加，因此降低空间利用性，增加设备变更所需的费用。但是，本实用新型中，将进行研磨工艺的基板卸载于预备清洗区域后移送至清洗部的工艺顺序保持不变，并且在基板被卸载的预备清洗区域对残留于基板的异物进行一次预备清洗，据此可得到的有利效果在于，即使不对现有设备的布局进行变更或增加，在没有降低工艺效率的情况下，在进行本清洗工艺之前，也对残留于基板的异物进行最小化。
尤其，可得到的有利效果在于，在清洗工艺之前，可以通过在预备清洗区域进行的预备工艺尽可能多地对残留于基板的异物进行去除，因此可提高通过本清洗工艺的清洗效果，并且使得清洗效率提高。
并且，可得到的有利效果在于，在预备清洗区域的预备清洗可以利用清洗液喷射部、蒸汽喷射部、异种流体喷射部、清洗刷、兆声波发生器中任意一个来进行，所述清洗液喷射部将清洗液喷射于基板的表面，所述蒸汽喷射部将蒸汽喷射于基板的表面，所述异种流体喷射部将异种流体喷射于基板的表面，所述清洗刷以旋转地形式接触于基板的表面，所述兆声波发生器将振动能供给于基板的表面，并且根据基板的特性或者蒸镀特性对预备清洗种类进行选择，以最佳的条件进行预备清洗。
并且，在预备清洗区域上清洗液喷射部、异种蒸汽喷射部及异种流体喷射部中至少任意一个可以以能够振荡的形式设置。如上所述的结构能够使得清洗液、蒸汽、异种流体以振荡的形式喷射于基板的表面，从而将通过清洗液、蒸汽、异种流体的清洗效率最大化，可以更加降低清洗液、蒸汽、异种流体的使用量。此外，如上所述的方式可得到的有利效果在于，通过由清洗液、蒸汽、异种流体所致的清洗力(包括撞击力)使得异物从基板表面的表面得到分离，同时将得到分离的异物清除后向基板的外部排出。
可包括隔断单元，其在预备清洗区域进行预备清洗期间，将预备清洗区域的预备清洗处理空间与其之外的空间进行隔断。隔断单元式将预备清洗区域的预备清洗处理空间与其之外的空间进行隔断，从而可得到的效果在于，从根本上对使用于预备清洗的化学药品(chemical)及清洗液等流入于进行研磨工艺的基板进行隔断。
此外，可设置有隔断单元，所述隔断单元选择性地对研磨部区域和清洗部区域进行隔断。隔断单元可从根本上对在研磨部区域产生的研磨物质及异物流入至清洗部区域进行隔断，从而清洗部区域可保持更加干净的处理环境。换句话说，与清洗部区域相比在研磨部区域产生较多的异物，如果在研磨部区域产生的异物流入至清洗部区域，则可产生异物引起的清洗错误或者清洗低下现象。对此，就开闭部件而言，隔断单元对研磨部区域和清洗部区域的界限进行整体隔断，从而从根本上对在研磨部区域产生的研磨物质及异物流入至清洗部区域进行隔断，进而能够提高在清洗部区域进行的清洗工艺的清洗效率。
此外，研磨部包括：第一研磨区域，其配置有多个第一研磨平板；第二研磨区域，其与第一研磨区域相面对并配置有多个第二研磨平板；基板移送路线，其配置于第一研磨区域和第二研磨区域之间，并对装载在设置于研磨部的装载区域的基板进行移送，装载于装载区域的基板沿着基板移送路线得到移送，从而在第一研磨区域或者第二研磨区域被研磨后，卸载于预备清洗区域。
如此，本实用新型可得到的有利效果在于，首先沿着基板移送路线移送基板，基板在第一研磨区域或者第二研磨区域被研磨后，立即卸载于预备清洗区域，据此，去除用于保持进行研磨的基板的湿式(wet)状态的另外的喷射装置，并且防止水印(watermark)的产生。
换句话说，可以首先在第一研磨区域或者第二研磨区域对基板进行研磨，在将进行研磨的基板沿着基板移送路线移送后，在预备清洗区域进行卸载，但是在基板被研磨后进行移送的结构中存在的问题在于，进行研磨的基板在沿着基板移送路线被移送的途中得到干燥，并且产生水印，或者基板的安装部件被损伤，因此不可避免地在基板移送路线上设置用于保持基板的湿式状态(浸湿的状态)的另外的喷射装置或者湿式浴装置(wettingbath)。但是，在本实用新型中，首先通过设置于第一研磨区域和第二研磨区域之间中心的基板移送路线移送基板，并且在第一研磨区域或者第二研磨区域对基板进行研磨后，立即将进行研磨的基板卸载于预备清洗区域，因此可得到的有利效果在于，即使不另外设置对基板进行浸湿的设备，也可以防止进行研磨工艺的基板被干燥，并且防止由于干燥而导致的基板安装部件的损伤及因水印而导致的次品。
清洗部可包括接触式清洗单元及非接触式清洗单元中至少任意一个，以便能够有效地进行用于对残留于基板表面的有机物及其他异物进行去除的清洗，所述接触式清洗单元以物理的形式接触于基板表面并进行清洗，所述非接触式清洗单元以物理的形式非接触于基板表面并进行清洗。接触式清洗单元以物理的形式直接接触于基板表面，并可去除大小较大的或者牢固地粘于基板表面的异物，非接触式清洗单元可通过将流体喷射于基板来以非接触方式去除残留于基板的微细的异物。
更为具体地，在接触式清洗单元可设置有清洗刷、化学药品供给部，非接触式清洗单元可利用清洗流体喷射部(清洗液喷射部、蒸汽喷射部、异种流体喷射部)、异丙醇(isopropyl alcohol)喷射部、兆声波发生器中至少任意一个来清洗基板。
此外，本实用新型可包括翻转单元，所述翻转单元设置为可从设置于研磨部的基板被装载的装载区域移动至预备清洗区域，并且在装载区域接收基板并移送至预备清洗区域，基板可以以支撑于翻转单元的状态在预备清洗区域得到预备清洗。
特别是，在形成于移送单元(例如，载体头)的移动路径上的基板的装载区域基板被翻转单元接收后，移送至预备清洗区域，据此，移送单元无需移动至预备清洗区域，而是仅移动至装载区域即可，因此可得到的有利效果在于，将移动单元的移动路径最小化。
具体地，翻转单元包括：可动组件(assembly)，其从装载区域移动至预备清洗区域；旋转组件，其可翻转(turning)旋转地连接于可动组件；夹紧(grip)组件，其连接于旋转组件并夹紧基板。
不同地，也可以构成为将翻转单元固定设置于预备清洗区域，并且翻转单元在预备清洗区域接收基板并使得基板翻转。
并且，在预备清洗区域的预备清洗以基板被翻转单元支撑的状态进行，据此可得到的有利效果在于，对在预备清洗区域进行预备清洗的期间以防止基板移动的形式执行的基板的支撑工艺进行简化。
当然，也可以在预备清洗区域通过另外的支撑装置(放置装置)对基板进行支撑并进行预备清洗，但是与预备清洗无关地必然执行的基板的翻转工艺中使得基板得到支撑，据此可得到的有利效果在于，对支撑基板的过程进行简化，并减少整体工艺。
例如，在预备清洗区域的预备清洗可以以基板通过翻转单元被翻转旋转地状态(以研磨面朝向上部的形式翻转的状态)进行，或者以基板通过翻转单元垂直地配置的状态进行，或者在基板通过翻转单元被翻转之前(以基板的研磨面朝向下部的形式配置的状态)以基板通过翻转单元得到支撑的状态进行。
并且，清洗部可包括多个清洗单元，所述清洗单元沿着上下方向叠层地配置，并且分别地执行对于基板的清洗。如此，以叠层的形式配置多个清洗单元，据此可得到的有利效果在于，使得清洗单元的足迹(footprint)减少，并使得空间效率性提高。
在此，所谓的多个清洗单元沿着上下方向得到叠层指的是，定义为多个清洗单元以两层结构或者三层结构以上叠层地配置。
例如，清洗单元包括：多个接触式清洗单元，其沿着上下方向叠层地配置，以物理的形式接触于基板的表面，并且分别地执行对于基板的清洗；非接触式清洗单元，其沿着上下方向叠层地配置，以物理的形式非接触于基板的表面，并且分别地执行对于基板的清洗。根据不同地情况，也可以只将接触式清洗单元和非接触式清洗单元中任意一个设置为叠层结构。
并且，清洗部设置有移送单元，所述移送单元使得基板从多个清洗单元中任意一个移送至多个清洗单元中另一个，基板通过移送单元在清洗部内得到移送。
基板可以沿着定义于清洗部的各种清洗路径得到清洗。在此，所谓的基板的清洗路径指的是，理解为基板在清洗部被清洗的顺序或基板得到移送并被清洗的路径。
更加具体地，基板构成为在清洗部沿着经过多个清洗单元中至少任意一个的清洗路径得到清洗。优选地，构成为基板的清洗路径经过多个接触式清洗单元中至少任意一个和多个非接触式清洗单元中至少任意一个，据此可提高基板的清洗效率。
不同地，将多个清洗单元中事先设定的至少任意一个从基板的清洗路径中跳过(skip)，从而可得到的有利效果在于，将清洗路径最短化。在此，所谓的将多个清洗单元中事先设定的至少任意一个从基板的清洗路径中跳过指的是，理解为基板在清洗部不经过被跳过的特定清洗单元而得到清洗。
并且，构成清洗部的多个清洗单元可包括隔断单元，所述隔断单元独立地将各个清洗空间与其之外的空间进行隔断。由此，可得到的效果在于，防止当清洗基板时产生的烟尘(fume)流入至邻接的其他清洗单元的清洗空间所引起的清洗错误及清洗低下。
具体地，隔断单元包括：外壳(casing)，其以包裹基板的周边的形式设置，并且提供独立地清洗处理空间；开闭部件，其沿着上下方向进行直线移动，并且对外壳的进出口进行开闭。
优选地，在外壳的外面形成有下部短坎部、上部短坎部、侧部倾斜短坎部，所述下部短坎部配置于外壳的进出口的下部，所述上部短坎部配置于外壳的进出口的上部，所述侧部倾斜短坎部倾斜地配置于外壳的进出口侧部，并且在开闭部件的上部内面以接触于上部短坎部的上面的形式形成有延长短坎部，开闭部件的下部底面接触于下部短坎部的上面，开闭部件的侧面接触于侧部倾斜短坎部。
如此，在外壳的外面形成有下部短坎部、上部短坎部、侧部倾斜短坎部，形成于开闭部件的上部内面的延长短坎部与上部短坎部的上面相接触，开闭部件的下部底面与下部短坎部的上面相接触，开闭部件的侧面与侧部倾斜短坎部相接触，换句话说，形成有沿着各个短坎部的周围面弯曲的多重密封(sealing)结构，据此，可得到的有利效果在于，提高多个清洗单元的各个清洗空间的密闭性能，更加有效地隔断清洗时产生的烟尘泄漏至外部。
此外，在清洗单元的外壳和开闭部件的之间缝隙设置有用于密闭的封装(packing)部件，从而可得到的效果在于，更加有效地对多个清洗单元的各个清洗空间进行密闭。
优选地，封装部件包括：上部封装部，其配置于延长短坎部和上部短坎部之间；下部封装部，其配置于开闭部件的下部底面和下部短坎部之间；侧部封装部，其配置于开闭部件的侧面和侧部倾斜短坎部之间。
如此，利用各个短坎部来在进出口的周边形成多重密封结构的同时，外壳和开闭部件的之间缝隙通过封装部件得到密闭，据此，可得到的有利效果在于，使得多个清洗单元的各个清洗空间的密闭性能提高，更加可靠地隔断清洗时产生的烟尘向外壳和开闭部件的之间缝隙泄漏。
另外，本实用新型可包括缓冲(buffer)模块，所述缓冲模块设置于所述研磨部和所述清洗部中任意一个以上，从而提供使得基板处于一定位置并等待下一个工艺的空间。
其目的在于，基板在研磨部进行研磨工艺和预备清洗工艺，并在清洗部只能产生进行基板的本清洗工艺的所需时间的偏差，如果在载体头等的设备中保留基板的时间为工艺时间的偏差程度，则导致工艺时间的延迟，直到具备基板投入至下一个工艺的环境为止，使得基板位于缓冲模块。
由此，本实用新型中，以持有基板的状态进行处理工艺的构成要素在未进行处理工艺的时间期间，使得基板位于缓冲模块的状态下，可进行新的工艺，因此可连续地进行基板的处理工艺，从而使得处理工艺效率提高。
在此，向位于所述缓冲模块的基板供给液体，从而保持所述基板的浸湿状态，并防止基板的干燥，因此防止在研磨工艺中粘于基板的研磨面的异物被固着，并且防止因水印的产生而引起的损伤，所述水印是由于基板干燥而产生的。
尤其，所述缓冲模块包括设置于所述研磨部的第一缓冲模块，以便当在所述预备清洗区域进行基板的所述预备清洗工艺时，在所述研磨部收容完成所述研磨工艺的所述基板。
由此，完成研磨工艺的基板在预备清洗区域无法能够立即进行预备清洗的状态下，使得基板位于第一缓冲模块，据此，以抓握基板的状态移动的同时进行研磨工艺的载体头马上得到新的基板的供给，从而一直进行研磨工艺。由此，在研磨部可连续地进行研磨工艺，从而提高工艺效率。
在此，优选地，所述第一缓冲模块设置有多个用于堆积的放置架，从而可收容多个基板。
此时，所述研磨部构成为载体头以抓握所述基板的状态移动的同时，在研磨平板上进行所述研磨工艺，所述第一缓冲模块配置于所述载体头移动的路径和所述预备清洗区域之间，从而能够缩短为了将基板从载体头放置于第一缓冲模块而移动的距离。
并且，所述第一缓冲模块构成为可在所述载体头的移动路径和所述预备清洗区域之间往返，从而第一缓冲模块向对完成研磨工艺的基板进行抓握的载体头的下侧移动，从而从载体头立即得到基板并使得基板收容及放置，据此可缩短载体头的移动路径。
特别是，所述放置架构成为以上下方向的成分循环，所述第一缓冲模块在循环的所述放置架中任意一个位于上侧的状态下从所述载体头收容基板并使得基板堆积，因此从载体头将基板安置于第一缓冲模块的工艺在非常短的时间内不需要额外的移动长度或者移动时间，可在短时间内有效地进行。
如在本申请人申请的韩国专利申请第2014-173576号中公开的一样，如上所述的提高处理效率在以一个布局进行多种研磨工艺的情况下更加突出。为此，本申请人申请的韩国专利申请第2014-173576号中记载的内容包括于本说明书。换句话说，在研磨部完成研磨工艺并通过载体头被移送的基板的供给周期是根据经过何种研磨工艺而不同，因此可得到的有利效果在于，针对从一个研磨部以不均匀的时间间距完成研磨工艺的基板，处理工艺也能够一直连续地进行基板的工艺。
另外，在所述预备清洗区域完成研磨工艺的所述基板被卸载从而进行所述预备清洗，或者在所述缓冲模块对等待中的所述基板进行预备清洗。
就执行针对基板的清洗而言，在基板被卸载的预备清洗区域对残留于基板的异物进行一次预备清洗后，在清洗部进行基板的本清洗工艺，据此有效地去除残留于基板的异物，并且能够提高基板的清洗效率。
特别是，在不对现有设备的布局(layout)进行变更或增加，而是设置于研磨部，并在基板被卸载的预备清洗区域对基板进行预备清洗，据此可得到的有利效果在于，不降低工艺效率，并在清洗工艺前将残留于基板的异物最小化。
换句话说，也可以构成在将完成研磨工艺的基板移送至清洗部而进行本清洗工艺前，向另外的清洗区域移送基板并进行预备清洗后，重新向清洗部移送，在此情况下，将卸载于卸载区域的基板向另外的清洗区域移送后，重新被移送至清洗部，因此因为需要经过如上所述的复杂的移送过程，所以具有降低基板的整体处理工艺效率的问题，为了额外设置另外的清洗区域，需要对现有设备的布局进行变更或增加，因此存在的问题在于，降低空间利用性，增加设备变更所需的费用。但是，本实用新型中，将完成研磨工艺的基板卸载于预备清洗区域后向清洗部移送的工艺顺序保持不变，并且在基板被卸载的预备清洗区域对残留于基板的异物进行一次预备清洗，据此可得到的有利效果在于，即使不对现有设备的布局进行变更或增加，也在不降低工艺效率的状态下在进行本清洗工艺之前将残留于基板的异物最小化。
尤其，在清洗工艺之前，通过在预备清洗区域进行的预备工艺尽可能多地去除以未固着的状态残留于基板的异物，因此可得到的有利效果在于，可提高通过本清洗工艺进行的清洗效果，并且提高清洗效率。
并且，所述缓冲模块可包括设置于所述清洗部的第二缓冲模块，以便当在作为所述多个清洗单元中任意一个的第一清洗单元中进行基板的清洗工艺时，收容将要供给至所述第一清洗单元的基板。由此，以多个清洗单元的清洗时间偏差程度在清洗单元不保留基板，而是使得在各个清洗单元中完成清洗工艺的基板位于第二缓冲模块，在各个清洗单元中可一直连续地进行清洗工艺。
特别是，所述叠层的多个清洗单元可包括：接触式清洗单元，其沿着上下方向叠层于一个足迹(footprint)区域；非接触式清洗单元，其沿着上下方向叠层于另外其他一个足迹区域。大体上，在接触式清洗单元和接触式清洗单元清洗所需的处理时间发生偏差。
由此，优选地，所述第二缓冲模块配置于所述非接触式清洗单元和所述接触式清洗单元之间。此外，根据本实用新型的其他实施形态，第二缓冲模块也可以配置于各个清洗单元之间，也可以与第一缓冲模块一样可移动地设置。并且，所述第二缓冲模块以叠层的形式配置于所述非接触式清洗单元和所述接触式清洗单元中任意一个所占用的足迹区域，从而在不占用另外的面积的同时也可以使得基板堆积。
此外，所述第二缓冲模块设置有多个用于堆积的放置架，从而可收容多个基板。
作为参考，本实用新型中所谓的基板的“预备清洗(precleaning)”指的是，对进行研磨的基板最初执行的清洗工艺，可理解为用于对在进行清洗前存在于基板的表面的异物进行一次清洗的清洗工艺。
此外，本实用新型中所谓的通过清洗部进行的清洗指的是，可理解为用于对在进行预备清洗后残留于基板的异物进行清洗的主清洗工艺。
如上所述，根据本实用新型，能够提高清洗效率，可简化清洗工艺。
特别是，根据本实用新型，在使得基板得到卸载的预备清洗区域对残留于基板的异物进行一次预备清洗后，在清洗部进行基板的本清洗工艺，据此可得到的有利效果在于，可有效地去除残留于基板的异物，提高基板的清洗效率。
尤其，根据本实用新型，在不对现有设备的布局进行变更或增加的状态下，在基板被卸载的预备清洗区域对基板进行预备清洗，据此可得到的效果在于，不降低工艺效率，并且在清洗工艺前将残留于基板的异物最小化。
换句话说，在将进行研磨工艺的基板向清洗部移送并进行本清洗工艺前，将基板移送至另外的清洗区域并进行预备清洗后，也可以重新移送至清洗部，但是在此情况下，将卸载于卸载区域的基板向另外的清洗区域移送后重新移送至清洗部，因为需要经过如上所述的复杂的移送过程，所以具有降低基板的整体处理工艺效率的问题，为了额外设置另外的清洗区域，需要对现有设备的布局进行变更或增加，因此问题在于，降低空间利用性，增加设备变更所需的费用。但是，根据本实用新型，将进行研磨工艺的基板卸载于预备清洗区域后向清洗部移送的工艺顺序保持不变，并且在基板被卸载的预备清洗区域对残留于基板的异物进行一次预备清洗，据此可得到的有利效果在于，即使不对现有设备的布局进行变更或增加，也在不降低工艺效率的状态下，在进行本清洗工艺前将残留于基板的异物最小化。
此外，根据本实用新型，在清洗工艺之前，通过在预备清洗区域执行的预备工艺来尽可能多地去除残留于基板的异物，因此可得到的有利效果在于，可提高通过清洗工艺进行清洗的效果，并且提高清洗效率。
此外，根据本实用新型，将构成清洗部的多个清洗单元叠层地配置为多层结构，据此可得到的有利效果在于，减少清洗部的足迹(footprint)，并提高空间效率性
此外，根据本实用新型，可减少由于基板清洗产生的费用，并可提高工艺效率性及收率。
此外，根据本实用新型，可根据基板的种类和特性对多种预备清洗方式进行选择并适用，因此可得到的有利效果在于，可有效地去除固着于基板表面的异物，并提高清洗效率。
此外，根据本实用新型，可以将残留于基板的异物最小化，因此可得到的有利效果在于，可将基板次品率最小化，并提高稳定性及可靠性。
并且，根据本实用新型，可得到的有利效果在于，提高基板的处理工艺效率，并可连续地一直进行各个处理工艺。
尤其，本实用新型中实现如下结构：通过载体头得到搬运的基板在没有臂或者夹子等的状态下也可以直接堆积于缓冲模块，据此可得到的效果在于，缩短基板卸载所需的时间，并提高整体工艺效率。
换句话说，根据本实用新型，以一个布局进行多种研磨工艺，在进行预备清洗工艺和多步骤清洗工艺的过程中，即使存在在各个处理工艺所需的时间差异，也可以得到的有利效果在于，将等待时间最小化，一直连续地进行处理工艺，从而提高工艺效率。
附图说明
图1是示出现有化学机械研磨设备的构成的图。
图2是示出根据本实用新型的基板处理系统的图。
图3是作为根据本实用新型的基板处理系统，用于说明基板放置部和清洗流体喷射部的图。
图4是作为根据本实用新型的基板处理系统，示出清洗液喷射部的图。
图5是作为根据本实用新型的基板处理系统，示出异种流体喷射部的图。
图6是作为根据本实用新型的基板处理系统，示出异种流体喷射部的其他例子的图。
图7是作为根据本实用新型的基板处理系统，用于说明异种流体喷射部的振荡(oscillation)功能的图。
图8是作为根据本实用新型的基板处理系统，示出蒸汽喷射部的图。
图9及图10是作为根据本实用新型的基板处理系统，异种流体喷射部的另外其他例子的图。
图11是作为根据本实用新型的基板处理系统，示出清洗刷的图。
图12是作为根据本实用新型的基板处理系统，示出兆声波发生部的图。
图13是作为根据本实用新型的基板处理系统，示出接触式清洗单元的第一清洗刷的图。
图14及图15是作为根据本实用新型的基板处理系统，用于说明接触式清洗单元的异物去除部的图。
图16是作为根据本实用新型的基板处理系统，示出接触式清洗单元的加压部件的图。
图17是作为根据本实用新型的基板处理系统，用于说明接触式清洗单元的摩擦力调节部的图。
图18是作为根据本实用新型的基板处理系统，用于说明接触式清洗单元的垂直荷重调节部的图。
图19是作为根据本实用新型的基板处理系统，示出接触式清洗单元的第二清洗刷的图。
图20是作为根据本实用新型的基板处理系统，用于说明清洗部的图。
图21至图24是作为根据本实用新型的基板处理系统，用于说明非接触式清洗单元的放置架及回收容器的结构及操作结构的图。
图25是作为根据本实用新型的基板处理系统，用于说明非接触式清洗单元的其他例子的图。
图26是示出根据本实用新型的其他实施例的基板处理系统的图。
图27至28是示出图26的翻转单元的图。
图29是示出可适用于根据本实用新型的基板处理系统的旋转臂的图。
图30是示出根据本实用新型的另外其他实施例的基板处理系统的图。
图31是用于说明图30的基板处理系统的清洗部的图。
图32至图34是用于说明通过图30的基板处理系统进行基板处理的过程的图。
图35是用于说明适用于图30的基板处理系统的封装部件的图。
图36是示出根据本实用新型的其他实施例的基板处理系统的图。
图37是作为根据本实用新型的基板处理系统，示出图36的第一缓冲模块的构成的图。
图38是作为根据本实用新型的基板处理系统，示出基板从载体头安放于图36的第一缓冲模块的放置架的构成的图。
图39是示出图36的基板处理系统的第二缓冲模块的图。
图40是设置于图36的基板处理系统的清洗部的第二缓冲模块的其他实施例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本实用新型的优选实施例进行详细说明，但是本实用新型并非受到实施例的限制或限定。作为参考，在本说明中相同的标号实质上指代相同的要素，在所述规则下可以引用记载于其他图中的内容进行说明，并且可省略判断为对从业者显而易见的或者反复的内容。
参照图2，根据本实用新型的基板处理系统1包括：研磨部100，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；预备清洗区域P1，其设置于研磨部100，并对进行研磨工艺的基板10进行预备清洗(pre-cleaning)；清洗部300，其对在预备清洗区域P1预备清洗的基板进行清洗。
研磨部100可设置为可进行化学机械研磨工艺的多种结构，本实用新型并非受到研磨部100的结构及布局(lay out)的限制或限定。
在研磨部100可设置有多个研磨平板110，在各个研磨平板110的上面可附着有研磨垫。供给于装载单元的基板10以紧贴于沿着预先设定的路径移动的载体头120的状态旋转接触于研磨垫的上面，从而可进行化学机械研磨工艺，所述装载单元设置于研磨部100的区域上，研磨液供给于研磨垫。
载体头120可在研磨部100区域上沿着已设定的循环路径移动，供给于装载单元的基板10(以下称为供给于基板的装载位置的基板)能够以紧贴于载体头120的状态通过载体头120被移送。以下举例说明如下构成：载体头120从装载单元开始经过研磨平板110，沿着大致为四边形形态的循环路径移动。
此外，在研磨部100可设置有移送单元和清洗单元130，所述移送单元将进入至研磨部100的装载区域的基板10移送至研磨平板110，所述清洗单元130在移送单元使得基板10在装载区域装载之前，对移送单元的装载面进行清洗。
作为移送单元可使用载体头120，清洗单元130在载体头120装载基板10之前可使得装载面事先得到清洗，因此能够防止由于可能残留于载体头120的装载面(底面)的异物而使得基板10在被研磨之前污染或损伤。并且，清洗单元130可设置为在基板100装载于研磨部100的装载区域期间配置于不妨碍装载的位置，然后在基板100装载于装载区域之后移动至装载区域。
清洗单元130可设置为可对移送单元(例如，载体头)的装载面进行清洗的多种结构，本实用新型并非受到清洗单元130的结构及清洗方式的限制或者限定。例如，因为在研磨部将基板10的研磨面朝向下部配置，所以清洗单元130沿着上下方向可包括可向上部喷射清洗水的多个清洗水喷嘴。优选地，清洗单元130能够在配置于移送单元的下部的状态下以移送单元的中心为基准可旋转地设置。
参照图2及图3，预备清洗区域P1设置于研磨部100的区域上，并且设置为如果进行研磨工艺的基板10被卸载，则对卸载的基板10进行预备清洗(pre-cleaning)。
作为参考，本实用新型中所谓的基板10的预备清洗指的是，可理解为在清洗部300进行清洗之前用于最大限度地对存在于基板10的表面(特别是，基板的研磨面)的异物进行清洗的工艺。特别是，在对基板10进行预备清洗时，可对存在于基板10的表面的异物中较大大小的异物(例如，大于100mm大小的异物)进行去除，并可对存在于基板10的表面的有机物进行去除。
如上所述，在预备清洗区域P1中进行研磨工艺的基板10被卸载，同时进行预备清洗，据此可以不用额外设置用于进行预备清洗的另外空间，因此无需对现有设备的布局进行变更或者增加，而是可以几乎保持不变，进行研磨的基板10立即进入清洗部，由此可降低清洗部300的污染程度的增加。
更为优选地，可包括隔断单元，其在预备清洗区域P1进行预备清洗期间，将预备清洗区域P1的预备清洗处理空间与其之外的空间隔断。在此，所谓的预备清洗区域P1的预备清洗处理空间指的是，可理解为进行预备清洗的空间，预备清洗处理空间可设置为通过隔断单元被独立地密闭的腔体结构。
隔断单元可设置为可提供与外部隔断的独立地密闭空间的多种结构。以下举例说明如下构成：隔断单元包括外壳210和开闭部件212，所述外壳210以包围基板10周边的形式设置，并且提供独立地预备清洗处理空间，所述开闭部件212对外壳210的进出口进行开闭。
例如，外壳210可设置为进出口形成于上端部的大致四角箱子形态，开闭部件212可构成为通过常用的驱动部214(例如，马达及动力传递部件的组合)直线移动，并且对外壳210的进出口进行开闭。根据情况的不同，也可以构成为在外壳的侧壁部形成进出口，开闭部件沿着上下方向移动并对进出口进行开闭。
并且，在预备清洗区域P1可包括基板放置部220，基板10水平地安放于所述基板放置部220的上部，并且所述基板放置部220以旋转轴221为中心以可旋转的形式设置于外壳210的内部。
作为参考，在本实用新型中所谓的基板放置部220可理解为放置装置，基板10可卸载于放置装置，并且在进行预备清洗期间可使得基板10保持被配置状态。
例如，在基板放置部220的上面可形成有放置针224，基板10的底面放置于放置针224。在形成基板放置部220的旋转夹具板(未示出)的上面可以以间隔规定间距的形式形成有多个放置针224，基板10的底面可放置于放置针224的上端，放置针224的个数及配置结构可根据所需的条件及设计样式可进行多样地变更。
此外，基板放置部220可包括边缘放置部222，基板10的边缘放置于所示边缘放置部222。例如，基板放置部220连接于旋转夹具板，从而可支撑基板10的边缘，优选地，在基板放置部220可形成有用于对基板10的外周末端进行收容并支撑的凹入部(未示出)，以便能够在高速旋转中防止基板10晃动。并且，在外壳210和基板放置部220之间可设置有覆盖部件226，所述覆盖部件226用于阻挡从基板10飞散的清洗液。根据情况的不同，基板放置部也可以在没有放置针或者边缘放置部的状态下形成为单纯的板形态。
可根据所需的条件及设计样式以多种清洗方式在预备清洗区域P1进行预备清洗。
例如，在预备清洗区域P1可设置有清洗流体喷射部201，所述清洗流体喷射部201通过向基板的表面喷射流体来进行预备清洗。
在此，所谓的清洗流体可理解为将喷射对象物质全部包括在内的概念，所述喷射对象物质是指如清洗液、蒸汽、异种流体等一样可向基板的表面喷射并进行预备清洗的物质，本实用新型并非受到清洗流体的种类的限制或者限定。
例如，参照图4，清洗流体喷射部201设置于预备清洗区域P1，并且可包括清洗液喷射部230，所述清洗液喷射部230向基板10表面喷射清洗液。
清洗液喷射部230可根据所需的条件构成为将各种清洗液喷射于基板10的表面。例如，清洗液喷射部230可构成为喷射SC1(Standard Clean-1，APM)、氨(ammonia)、硫酸(H2SO4)、过氧化氢、纯水(DIW)中至少任意一个。特别是，在本实用新型中因为预备清洗区域P1的预备清洗处理空间设置为独立地密闭的腔体结构，所以作为清洗液可使用如SC1一样的化学制品(chemical)，利用化学制品可进行预备清洗，因此可在后面将要叙述的清洗前事先对存在于基板10的表面的有机物一部分进行去除。
参照图5及图6，清洗流体喷射部201设置于预备清洗区域P1，并且可包括异种流体喷射部240，所述异种流体喷射部240向基板10的表面喷射相互不同的异种(heterogeneity)流体。
异种流体喷射部240可设置为能够喷射异种流体的多种结构。例如，异种流体喷射部240可包括：第一流体供给部241，其供给第一流体；第二流体供给部242，其供给与第一流体不同的第二流体，第一流体及第二流体能够以混合或者分离的状态通过如常用的喷嘴一样的喷射装置喷射于基板10的表面。
例如，参照图5，异种流体喷射部240可包括以独立的形式设置的第一流体喷嘴241及第二流体喷嘴242，在第一流体喷嘴及第二流体喷嘴将第一流体及第二流体可以以相互分离的状态喷射于基板10表面。
作为异种流体喷射部240的其他例子，参照图6，异种流体喷射部240可包括：第一流体通道241’，所述第一流体通道241’供给第一流体；第二流体通道242’，所述第二流体通道242’供给第二流体；混合喷射通道243’，所述混合喷射通道243’混合并喷射第一流体及第二流体，在混合喷射通道243’中第一流体及第二流体以相互混合的状态高速喷射于基板10表面。
在异种流体喷射部240可喷射的异种流体的种类及特性可根据所需的条件及设计样式进行多种变更。例如，第一流体可以是气态流体及液态流体中任意一种，第二流体可以是气态流体及液态流体中任意一个。例如，异种流体喷射部240为了提高去除异物的效率，可构成为同时喷射作为液态流体的纯水(DIW)和作为气态流体的氮(N2)。根据情况的不同，如果能够保证通过异种流体产生的撞击力及异物去除效率，则也可以使用两个不同种类的液态流体或者两个不同种类的气态流体。
此外，优选地，在清洗液喷射部230及异种流体喷射部240喷射的清洗液及/或异种流体以高压的形式被喷射，以便能够利用充分的撞击力来击打存在于基板10的表面的异物。
并且，参照图7，清洗液喷射部230及异种流体喷射部240中至少任意一个相对于基板10的表面以可振荡(oscillation)的形式设置，并且可构成为将清洗液及/或异种流体振荡地喷射(oscillation spray)于基板10的表面。
清洗液喷射部230及异种流体喷射部240中至少任意一个根据所需的条件及设计样式通过各种方式以可振荡的形式设置。以下举例说明如下构成：使得清洗液喷射部230及异种流体喷射部240摆动(swing)旋转，从而清洗液及/或异种流体能够振荡地喷射于基板10的表面。就如上所述的结构而言，清洗液及/或异种流体可振荡地喷射于基板10的表面，从而将通过清洗液及/或异种流体进行清洗的效率极大化，可更加减少清洗液及/或异种流体的使用量。此外，如上所述的方式可得到的效果在于，利用由于清洗液及/或异种流体产生的清洗力(包括撞击力)来从基板10表面的表面分离出异物的同时，对分离的异物进行清除并向基板10外部排出。
此外，参照图8，清洗流体喷射部201设置于预备清洗区域P1，并且可包括蒸汽喷射部250，所述蒸汽喷射部250将从蒸汽产生部252产生的蒸汽喷射于基板10表面。
特别是，从蒸汽喷射部250喷射的蒸汽在对存在于基板10的表面的有机物进行去除的方面有效。作为参考，蒸汽喷射部250可构成为以能够保证通过蒸汽去除有机物的效率的同时，以防止基板10损伤的温度喷射蒸汽。优选地，蒸汽喷射部250可以利用60℃～120℃来喷射蒸汽。
如清洗液喷射部230及异种流体喷射部240一样，蒸汽喷射部250也可以相对于基板10表面可振荡地设置，从而可构成为将蒸汽振荡地喷射于基板10的表面(参照图7)。
参照图9及图10，清洗流体喷射部201设置于预备清洗区域P1，并且包括异种流体喷射部260，所述异种流体喷射部260将相互不同地异种流体喷射于基板10的表面，并且异种流体喷射部260可包括：干冰供给部，其供给干冰粒子；流体喷射部，其将流体垂直地喷射于基板10的表面。
流体喷射部根据所需的条件及设计样式可构成为喷射多种流体。例如，流体喷射部可构成为喷射在气态流体及液态流体中至少任意一个。以下举例说明如下构成：异种流体喷射部同时喷射干冰粒子和气态流体261a。根据情况的不同，异种流体喷射部也可以构成为同时喷射干冰粒子和液态流体(例如，DIW)。
流体喷射部可设置为可将干冰粒子262a和流体混合并喷射的多种结构。例如，流体喷射部可包括：气态流体供给通道261，其供给气态流体供给；干冰供给通道262，其供给干冰；喷射体排出通道263，其对气态流体261a和干冰粒子262a进行混合及喷射。
以下举例说明如下构成：通过干冰供给通道262供给的干冰以液体状态的二氧化碳供给，并通过喷射体排出通道263的同时固化为干冰固体粒子。
为此，气态流体供给通道261包括沿着气态流体261a的流动方向截面固定的第一截面固定区域S1、沿着气态流体261a的流动方向截面逐渐减少的截面减少区域S2、沿着气态流体261a的流动方向截面固定的第二截面固定区域S31的一部分。
由此，气体流体261a在通过第一截面固定区域S1时流动得到稳定化，在通过截面减少区域S2时压力逐渐变小从而气体的流速变快，在通过第二截面固定区域S31的一部分时流动得到稳定化。此时，从第二截面固定区域S31开始的地点相隔规定距离的第一地点上形成有分支通道(干冰供给通道)的出口，由此通过气态流体供给通道261供给的压缩气体在通过截面减少区域S2时流速变快，在开始通过第二截面固定区域S31时成为流动得到稳定地状态。
在此状态下，液体状态的高压的二氧化碳通过分支通道(干冰供给通道)流入至第二截面固定区域的第一位置X1，如果液体状态的二氧化碳到达相对低压力的第二截面固定区域S31，则压力快速降低的同时固化为干冰固体粒子。
另外，气体供给部可构成为通过气态流体供给通道S261供给空气、氮气、氩气等惰性气体中任意一个以上。在通过气态流体供给通道261供给惰性气体的情况下，因为在基板10上化学反应被抑制，所以具有可提高清洗效果的优点。
分支通道形成为具有与沿着气态流体供给通道261的气体流动方向相同的方向成分，同时相对于沿着直线形态的中心线供给气态流体的气态流体供给通道261形成锐角。据此，通过分支通道流入的液体状态的二氧化碳顺畅地流入至气态流体供给通道261末端的第一位置X1。
例如，在分支通道(干冰供给通道)从402br至60bar的高压罐(tank)得到液体状态的二氧化碳的供给。并且，向分支通道流入的液体状态的二氧化碳的压力也保持得高。由此，在通过分支通道供给的液体状态的二氧化碳在第一位置X1与气态流体供给通道261汇合的瞬间，高压状态的二氧化碳压力从高压向低压降低，由此液体状态的二氧化碳固化为固体状态的干冰。
并且，通过分支通道不是供给固体状态的干冰粒子，而是通过分支通道供给液体状态的二氧化碳，从而液体状态的二氧化碳到达低压的气态流体供给通道261的同时，固化为微小的干冰固体粒子，因此与通过气态流体供给通道261流动的气体流动一起通过排出通道的同时被均匀地混合。
分支通道的截面与气态流体供给通道261相比以更小的截面形成，在第一位置X1被固化的干冰粒子的大小可通过调节分支通道的截面大小来调节。例如，干冰粒子的直径可形成为100μm至2000μm大小。
喷射体排出通道263与气态流体供给通道261相连从而配置为一字形态，在与分支通道连通的第一位置X1，通过分支通道供给的液体状态的二氧化碳被固化的干冰粒子与气态流体结合的同时形成喷射体。并且，喷射体通过从气态流体供给通道261和分支通道供给的气态流体和二氧化碳的流动压力朝向喷出口移动并得到排出。
此时，喷射体被排出的排出区域S3形成有沿着流动方向截面保持固定的第二截面固定区域S31和沿着流动方向截面逐渐扩张的截面扩张区域S32。由此，在第二截面固定区域S31的第一位置X1，在稳定地流动的气体流动内微细的干冰固体粒子均匀地扩散的同时通过排出区域S3。由此，在喷出口喷出的喷射体中，气态流体和微细的干冰固体粒子以均匀地混合的状态被排出。
特别是，在截面减少区域S2流速变快的气态流体通过截面扩大区域的同时，气体膨胀并降低温度，因此得到能够降低被喷出的喷射体温度的效果。由此，通过撞击基板10的表面的喷射体来使得基板10冷却，因此可得到的效果在于，能够抑制在清洗基板10期间通过热泳(Thermo-phoresis)效果从基板10脱离的微细粒子(异物粒子)在周边漂浮后再附着于基板10的情况。
如上所述，喷射干冰和流体的异种流体喷射部240可在较短的时间内干净地对在进行化学机械研磨工艺的基板10的表面上附着的多种研磨液进行去除，不仅缩短在后面将要叙述的刷子清洗工艺时间，而且可以减少用于去除粘于基板10的表面的异物的化学制品的量。
另外，在本实用新型的实施例中，举例说明通过使得液体状态的二氧化碳固化来得到干冰固体粒子的供给的构成，但是根据情况的不同，也可以构成为已被固化的干冰固体粒子通过干冰供给通道被供给。此外，喷射干冰和流体的异种流体喷射部也可以形成为包括具有较长的长度的狭缝形态的喷出口。
此外，同时喷射干冰和流体的异种流体喷射部260也相对于基板10表面可振荡地设置，从而可构成为将干冰及流体振动地喷射于基板10的表面(参照图7)。
并且，在本实用新型的实施例中，举例说明了喷射干冰和流体的异种流体喷射部包括气态流体供给通道、分支通道以及排出通道，但是根据情况的不同，可构成为清洗液或者化学制品通过与包括气态流体供给通道、分支通道以及排出通道的异种流体喷射部相同或者类似的结构被高速喷射。
此外，在喷射气态流体和液态流体(或者两种气态流体或者两种液态流体)的异种流体喷射部的情况下，也可以适用与喷射干冰和流体的异种流体喷射部相同或类似的喷射结构。假设，喷射气态流体和液态流体的异种流体喷射部包括气体供给通道(参照图9的261)和液体供给通道(参照图9的262)，所述气体供给通道设置有截面减少区域，所述截面减少区域沿着气体的流动方向截面逐渐减少从而使得气体的流速增大，并且可包括从截面减少区域至喷出口形成有第三区域，所述液体供给通道在与喷出口邻近的第一位置使得液体与气体供给通道汇合。
参照图11，在预备清洗区域P1可包括清洗刷280，所述清洗刷280以旋转的形式接触于基板10的表面。
作为清洗刷280可使用由可摩擦接触于基板10的表面的常用的材料(例如，多孔性材料的聚乙烯醇(polyvinyl alcohol))形成的刷子。并且，在清洗刷280的表面可形成有用于提高刷子的接触特性的多个清洗凸起。当然，根据情况的不同，也可以使用没有清洗凸起地刷子。
此外，在通过清洗刷280进行清洗期间，为了能够提高通过清洗刷280和基板10的摩擦接触而进行清洗的效果，可包括化学制品供给部230，所述化学制品供给部230在清洗刷280接触于基板10的期间向清洗刷280和基板10的接触部位供给化学制品。
化学制品供给部230可构成为向基板10或者清洗刷280中至少任意一个喷射化学制品，向清洗刷280喷射的化学制品的种类及特性可根据所需的条件及设计样式来进行多种变更。优选地，为了能够提高微细的有机物的去除效率，作为向清洗刷280喷射的化学制品可使用SC1(Standard Clean-1，APM)及氢氟酸(HF)中至少任意一个。根据情况的不同，也可以构成为向清洗刷280和基板的接触部位不是喷射化学制品而是喷射纯水(或者其他清洗液)，或者同时喷射化学制品及纯水。
参照图12，在预备清洗区域P1可设置有兆声波发生器270，所述兆声波发生器270向基板10表面供给振动能。
兆声波发生器270可根据所需的条件及设计样式通过多种方式向基板10的表面供给振动能(例如，高频振动能或者低频振动能)。以下举例说明如下构成：兆声波发生器270以通过清洗液喷射部230向基板10的表面喷射的清洗液或者化学制品为媒介使得基板10的表面振动，从而能够有效地从基板10分离存在于基板10的表面的异物。根据情况的不同，也可以构成为兆声波发生器直接向基板供给振动能量。
此外，可根据振动的频带使得被去除的颗粒(异物)的大小不同，兆声波发生器270可根据颗粒的大小选择性地将频带变得不同。如上所述的频带变更方式解决在形成于基板10表面的沟槽(trench)或者接触孔(contact hole)的内部存在气泡的情况下因气泡而超声波振动无法传递至基板10的表面的问题，并且可向基板10的表面提供超声波振动均匀地被施加的清洗液。
另外，在预备清洗区域P1进行预备清洗的基板10通过常用的移送臂(未示出)可移送至在后面将要叙述的清洗部300。移送臂设置为可在预备清洗区域P1和清洗部(例如，在后面将要叙述的接触式清洗单元)往返移动，从而仅可使用为将得到预备清洗的基板10移送至清洗部300的用途。作为参考，在预备清洗区域P1和清洗部300分别使得相互不同的基板10同时被清洗的期间，移送臂可以暂时在设置于预备清洗区域P1和清洗部300之间的躲避区域上等待。
重新参照图2，清洗部300设置于研磨部100的相邻的侧部，并且是为了对在预备清洗区域P1进行预备清洗的基板10的表面上残留的异物进行清洗而设置的。
作为参考，在本实用新型中，所谓的在清洗部300进行的基板10的清洗指的是，可理解为用于最大限度地对在进行预备清洗后残留于基板10的表面(特别是，也可以清洗基板的研磨面，基板的非研磨面)的异物进行清洗的工艺。特别是，在基板10的清洗中，可对存在于基板10表面的异物中较小大小的异物(例如，40～100nm大小的异物)和以较强的附着力附着的异物进行去除。
并且，构成为在清洗部300得到清洗的基板10以无清洗状态进行已设定的下一个工艺。在此，所谓的将基板10以无清洗状态进行下一个工艺指的是，可理解为将清洗部300中的清洗工艺作为最后工艺完成对基板10的所有清洗工艺，针对进行清洗工艺的基板10能够以没有额外的清洗工艺的状态进行下一个工艺(例如，蒸镀工艺)。
清洗部300可设置为可进行多步骤的清洗及干燥工艺的结构，并且本实用新型并非受到构成清洗部300的清洗站的结构及布局的限制或者限定。
优选地，为了能够有效地执行用于对残留于基板10表面的有机物及其他不同的异物进行去除的工艺，清洗部300可包括：接触式清洗单元400，其以物理的形式与基板10的表面接触并进行清洗；非接触式清洗单元500，其以非物理的形式与基板10的表面非接触并进行清洗。根据情况的不同，也可以构成为清洗部仅包括接触式清洗单元及非接触式清洗单元中任意一个。
接触式清洗单元400可设置为能够与基板10的表面以物理的形式接触并进行清洗的多种结构。以下举例说明如下构成：接触式清洗单元400包括第一接触式清洗单元402及第二接触式清洗单元404。
参照图13，作为一个例子，第一接触式清洗单元402可构成为包括第一清洗刷410，所述第一清洗刷410旋转的同时与基板10的表面接触。
例如，得到预备清洗的基板10可通过一对第一清洗刷410进行清洗，所述一对第一清洗刷410在通过常用的轴(spindle)(未示出)旋转的状态下进行旋转。根据情况的不同，也可以构成为基板不进行旋转而是以固定的状态通过第一清洗刷进行清洗。不同地，仅一个第一清洗刷可以针对基板的一个板面(例如，研磨面)进行清洗。
作为第一清洗刷410可使用由可摩擦接触于基板10的表面的常用的材料(例如，多孔性材料的聚乙烯醇)形成的刷子。并且，在第一清洗刷410的表面可形成有用于提高刷子的接触特性的多个清洗凸起。当然，根据情况的不同，也可以使用没有清洗凸起地刷子。
此外，在通过第一清洗刷410进行清洗的期间，为了能够提高通过第一清洗刷410和基板10的摩擦接触而进行清洗的效果，可包括化学制品供给部420，所述化学制品供给部420在第一清洗刷410接触于基板10的期间向第一清洗刷410和基板10的接触部位供给化学制品。
化学制品供给部420可构成为向基板10或者第一清洗刷410中至少任意一个喷射化学制品，向第一清洗刷410喷射的化学制品的种类及特性可根据所需的条件及设计样式进行多种变更。优选地，为了能够提高微细的有机物的去除效率，作为向第一清洗刷410喷射的化学制品可使用在SC1(Standard Clean-1，APM)及氢氟酸(HF)中至少任意一个。根据情况的不同，也可以构成为向第一清洗刷和基板的接触部位不是喷射化学制品而是喷射纯水，或者同时喷射化学制品及纯水。
另外，如果通过第一清洗刷410的摩擦接触清洗从基板10分离的异物附着于第一清洗刷410，则基板10可被再污染或者降低清洗效率，并且存在由于附着于第一清洗刷410的异物而产生基板10损伤的问题。
为了解决所述问题，可设置有异物去除部430，所述异物去除部430用于对附着于第一清洗刷410的表面的异物进行去除。
异物去除部430可设置为能够对附着于第一清洗刷410的表面的异物进行去除的多种结构，本实用新型并非受到异物去除部430的结构及方式的限制或者限定。
例如，参照图14，异物去除部430可包括：接触部件432，其可接触地设置于第一清洗刷410的外表面；超声波产生部434，其向接触部件432施加超声波。
接触部件432可设置为能够接触于第一清洗刷410的外表面的多种结构及形态。例如，接触部件432可形成为具有与第一清洗刷410的长度相对应的长度的条(bar)或者杆形态。根据情况的不同，接触部件可形成为具有圆弧形截面的结构，或者设置为接触部件在表面设置有接触凸起地结构。
超声波产生部434可将超声波施加于接触部件432并向接触部件432的表面供给振动能。作为超声波产生部434可使用能够产生超声波的常用的超声波产生装置。
接触部件432的表面可通过超声波产生部434被振动，由此通过第一清洗刷410从基板10分离的异物不会附着于第一清洗刷410的表面，而是随着振动的接触部件432的接触，可从第一清洗刷410的表面分离出来。根据情况的不同，也可以构成为通过接触部件从第一清洗刷分离出的异物被另外的收集桶或者吸入装置收集。
作为其他例子，参照图15，异物去除部430可包括：流体喷射部432’，其从第一清洗刷410的内部朝向外部方向喷射液态流体；超声波产生部434’，其向从流体喷射部432’喷射的液态流体施加超声波。
流体喷射部432’可设置为能够从第一清洗刷410的内部朝向外部方向喷射液态流体的多种结构。例如，流体喷射部432’可包括：流体供给流路432a’，其供给液态流体；流体喷射管432b’，其连接于流体供给流路432a’并沿着第一清洗刷410的长度方向配置于第一清洗刷410的内部，在流体喷射管432b’的表面以放射状形成有多个喷射孔432c’。
从流体供给流路432a’供给的液态流体可沿着流体喷射管432b’在第一清洗刷410的内部向轴方向被移送，向流体喷射管432b’供给的液态流体可利用流体供给流路432a’的供给压力及第一清洗刷410的旋转力通过喷射孔432c’被喷射。
超声波产生部434’是为了将超声波施加于从流体喷射部432’喷射的液态流体而设置的，作为超声波产生部434’可使用能够产生超声波的常用的超声波产生装置。
作为从异物去除部430的流体喷射部432’可喷射的液态流体，可使用具有液态状态的常用的流体，液态流体的种类及特性可根据所需的条件及设计样式进行多种变更。例如，异物去除部430的流体喷射部432’可喷射纯水(DIW)。
通过流体喷射部432’及超声波产生部434’可在第一清洗刷410的内部朝向外部方向(例如，第一清洗刷的半径方向)喷射具有振动能的液态流体，据此通过第一清洗刷410从基板10分离的异物不会附着于第一清洗刷410的表面，而是与具有振动能量的液态流体一起可从第一清洗刷410的表面得到分离。
此外，参照图16，可设置有加压部件440，所述加压部件440用于在相对于基板10的第一清洗刷410的非接触状态下，对第一清洗刷410的表面进行加压。
在此，所谓的相对于基板10的第一清洗刷410的非基础状态指的是，可理解为第一清洗刷410相对于基板10以非接触的形式配置为间隔一定间距的状态。例如，在第一清洗刷410被清洗的基板100可移送至下一个工艺，并且用于被清洗的又另一个基板10可移送至第一清洗刷410的清洗区域，如上所述，在基板10被移送的期间，第一清洗刷410相对于基板10以非接触状态配置。
在通过第一清洗刷410进行清洗的工艺中，第一清洗刷410接触于基板10的表面，以第一清洗刷410的表面被加压(或者压缩)的状态实现清洗，第一清洗刷410的旋转速度及摩擦力等的刷子清洗条件可以以第一清洗刷410接触于基板10的状态(被加压的状态)为基准设定。
但是，在第一清洗刷410相对于基板10以非接触状态配置的期间，化学制品及清洗液等从第一清洗刷410脱水，由此被压缩的第一清洗刷410的表面被复原(或者以接近于原状态的形式膨胀)。如上所述，在第一清洗刷410的表面被复原的状态下，对又另一个基板10进行清洗，则因为由于第一清洗刷410产生的摩擦力及加压力变得不同，所以问题在于，通过第一清洗刷410进行清洗的效果针对各个基板10难以保持得均匀。
为此，加压部件440在相对于基板10的第一清洗刷410的非接触状态下对第一清洗刷410的表面进行加压，从而可均匀地保持通过第一清洗刷410进行清洗的效果。优选地，加压部件440可构成为以与如下区间相对应的形式对第一清洗刷410的表面进行加压，所述区间为使得第一清洗刷410的表面以接触于基板10表面的状态被加压的区间。由此，第一清洗刷410可以在相对于基板10的接触及非接触状态下均以相同的条件使得表面被加压，所以能够均匀地保持通过第一清洗刷410对各个基板10的清洗效果。
加压部件440可设置为能够对第一清洗刷410的表面进行加压的多种结构。例如，加压部件440可形成为具有与第一清洗刷410的长度相对应的长度的条(bar)或者杆形态。根据情况的不同，加压部件可形成为具有圆弧形截面的结构，或者形成为覆盖第一清洗刷的整体表面的结构。
另外，在基板10通过第一清洗刷410被清洗的期间，相对于基板10的第一清洗刷410的摩擦力对基板10的清洗效果产生很大影响，因此为了均匀地保持基板10的清洗效果，相对于基板10的第一清洗刷410的摩擦力需得到均匀地保持。为此，可设置有摩擦力调节部450，所述摩擦力调节部450调节相对于基板10的第一清洗刷410的摩擦力。
摩擦力调节部450可设置为能够调节相对于基板10的第一清洗刷410的摩擦力的多种结构。优选地，摩擦力调节部450可构成为在通过第一清洗刷410进行清洗的工艺期间实时调节相对于基板10的第一清洗刷410的摩擦力。
例如，参照图17，摩擦力调节部450可包括：连接部件452，其连接于第一清洗刷410的旋转轴；感知部454，其感知相对于基板10的第一清洗刷410的摩擦力引起的连接部件452的位移；刷子移动部456，其根据在感知部454感知到的结果相对于基板10使得第一清洗刷410移动。
连接部件452以一体的形式连接于第一清洗刷410的旋转轴，如果根据相对于基板10的第一清洗刷410的摩擦力Ff变化在第一清洗刷410产生水平方向位移，则在连接部件452也可以产生相同的位移。
感知部454可使用能够对连接部件452的位移进行感知的多种装置。例如，作为感知部454可使用常用的负荷传感器(load cell)。根据情况的不同，可利用其他不同的常用的传感装置来对连接部件的位移进行感知。
刷子移动部456可根据在感知部454感知到的结果相对于基板10使得第一清洗刷410移动并调节摩擦力。假设，如果相对于基板10的第一清洗刷410的摩擦力Ff大于已设定的条件，则刷子移动部456可向相对于基板10使得第一清洗刷410隔开的方向使得第一清洗刷410移动，相反，如果相对于基板10的第一清洗刷410的摩擦力Ff小于已设定的条件，则刷子移动部456可向相对于基板10使得第一清洗刷410接近的方向使得第一清洗刷410移动。
刷子移动部456可设置为能够使得第一清洗刷410向相对于基板10接近及隔开的方向移动的多种结构，本实用新型并非受到刷子移动部456的结构及移动方式的限制或者限定。例如，刷子移动部456可包括：导螺杆(leadscrew)，其通过驱动马达的驱动力旋转；以及导向部件，其沿着导螺杆移动。
此外，在基板10通过第一清洗刷410被清洗的期间，通过第一清洗刷410作用于基板10的垂直荷重对基板10的清洗效果产生很大影响(例如，如果垂直荷重变高，则摩擦力变大)，因此为了均匀地保持基板10的清洗效果，通过第一清洗刷410作用于基板10的垂直荷重需得到均匀地保持。为此，可设置有垂直荷重调节部460，所述垂直荷重调节部460对通过第一清洗刷410作用于基板10的垂直荷重进行调节。
垂直荷重调节部460可设置为能够调节通过第一清洗刷410作用于基板10的垂直荷重的多种结构。优选地，垂直荷重调节部460可构成为对通过第一清洗刷410作用于基板10的垂直荷重实时进行调节。
例如，参照图18，垂直荷重调节部460可包括：垂直连接部件462，其垂直地连接于第一清洗刷410的旋转轴；感知部464，其对通过清洗刷和基板10的接触而作用于垂直连接部件462的垂直荷重引起的垂直连接部件462的位移进行感知；刷子移动部466，其根据在感知部464感知到的结果相对于基板10使得第一清洗刷410移动。
垂直连接部件462以一体的形式连接于第一清洗刷410的旋转轴，以便沿着重力方向垂直地配置，当第一清洗刷410接触于基板10时，由于通过第一清洗刷410作用于基板10的垂直荷重Fn变化而在第一清洗刷410产生垂直方向位移，则在垂直连接部件462也可以产生相同的位移。
感知部464配置于与垂直连接部件462相同的垂直线上，并构成为在相对于基板10的第一清洗刷410的接触及非接触状态下对在垂直连接部件462产生的垂直位移进行感知。
作为感知部464可使用能够感知垂直连接部件462的垂直方向位移的多种装置。例如，作为感知部464可使用常用的负荷传感器。根据情况的不同，可利用其他不同的常用的传感装置来对垂直连接部件的位移进行感知。
假设，当第一清洗刷410非接触于基板10时，通过垂直连接部件462在感知部464感知到的结果为“A”，当第一清洗刷410接触于基板10时，在感知部464感知到的结果被感知为比“A”小的“B”，则可通过“A”和“B”的差异来算出作用于基板10的垂直荷重Fn。作为参考，如果第一清洗刷410与基板10非接触(隔开)，则感知部可单纯地感知到第一清洗刷410的荷重(“A”)。相反，如果第一清洗刷410接触于基板10，则第一清洗刷410的荷重通过基板10一部分被分散，因此在感知部感知到的“B”值具有比“A”小的值。由此，可通过“A”和“B”的差异来算出作用于基板10的垂直荷重Fn。
刷子移动部466根据在感知部464感知到的结果相对于基板10使得第一清洗刷410移动，并可对作用于基板10的垂直荷重Fn进行调节。假设，如果作用于基板10的垂直荷重Fn大于已设定的条件，则刷子移动部466可向相对于基板10使得第一清洗刷410隔开的方向使得第一清洗刷410移动，相反，如果作用于基板10的垂直荷重Fn小于已设定的条件，则刷子移动部466可向相对于基板10使得第一清洗刷410接近的方向使得第一清洗刷410移动。
刷子移动部466可设置为能够使得第一清洗刷410向相对于基板10接近及隔开的方向移动地多种结构，本实用新型并非受到刷子移动部466的结构及移动方式的限制或者限定。例如，刷子移动部466可包括：导螺杆，其通过驱动马达的驱动力旋转；以及导向部件，其沿着导螺杆移动。
另外，参照图19，第二接触式清洗单元405可包括第二清洗刷412，所述第二清洗刷412旋转的同时接触于基板10表面。
第二清洗刷412可以以与第一清洗刷410相同或类似的结构及方式对基板10进行清洗。根据情况的不同，接触式清洗单元可以排除第二清洗刷412而仅由第一清洗刷构成。
并且，在通过第二清洗刷412对基板10进行清洗的期间，也可以使用异物去除部430、化学制品供给部420、加压部件440、摩擦力调节部450、垂直荷重调节部460中至少任意一个，通过第二清洗刷412进行清洗的工艺可根据所需的条件及设计样式进行多种变更。
并且，第一清洗刷410及第二清洗刷412可在通过另外的隔断单元(参照图20的402、404)所分别提供的独立的清洗处理空间分别进行清洗工艺。
另外，在第一接触式清洗单元(例如，第一清洗刷)进行清洗处理的基板10可通过常用的移送臂向第二接触式清洗单元(例如，第二清洗刷)移送。移送臂设置为在第一接触式清洗单元和第二接触式清洗单元可往返移动，从而可将在第一接触式清洗单元进行清洗处理的基板10向第二接触式清洗单元移送。作为参考，在第一接触式清洗单元和第二接触式清洗单元中分别对相互不同的基板10同时进行清洗的期间，移送臂可在设置于第一接触式清洗单元和第二接触式清洗单元之间的躲避区域上暂时等待。
此外，在第二接触式清洗单元(例如，第二清洗刷)进行清洗处理的基板10可通过常用的移送臂向后面将要叙述的非接触式清洗单元500移送。移送臂设置为在第二接触式清洗单元和非接触式清洗单元500可往返移动，从而可将在第二接触式清洗单元进行清洗处理的基板10向非接触式清洗单元500移送。作为参考，在第二接触式清洗单元和非接触式清洗单元中分别对相互不同的基板10同时进行清洗的期间，移送臂可在设置于第二接触式清洗单元和非接触式清洗单元之间的躲避区域上暂时等待。
非接触式清洗单元500可设置为以物理的形式与基板10表面非接触(non-contact)并可进行清洗的多种结构。以下举例说明如下构成：非接触式清洗单元500包括第一非接触式清洗单元502及第二非接触式清洗单元504。根据情况的不同，非接触式清洗单元也可以仅由一个清洗单元构成。
优选地，可设置有隔断单元502、504，所述隔断单元502、504在非接触式清洗单元500进行清洗的期间将非接触式清洗单元500的清洗处理空间与其之外的空间隔断。在此，所谓的非接触式清洗单元500的清洗处理空间指的是，可理解为通过非接触式清洗单元500进行清洗的空间，非接触式清洗单元500的清洗处理空间可设置为通过隔断单元被独立地密闭的腔体结构。
隔断单元502、504可设置为能够提供与外部隔断的独立的密闭空间的多种结构。以下举例说明如下构成：隔断单元502、504包括外壳502a、504a和开闭部件502b、504b，所述外壳502a、504a以包裹基板10的周边的形式设置，并且提供独立地清洗处理空间，所述开闭部件502b、504b对外壳502a、504a的进出口进行开闭(参照图20)。
例如，外壳502a、504a可设置为进出口形成于侧壁部的大致四角箱子形态，开闭部件502b、504b可构成为通过常用的驱动部(马达及动力传递部件的组合)沿着上下方向直线移动，并且对外壳502a、504a的进出口进行开闭。
并且，非接触式清洗单元500可包括：放置架520，其在上部使得基板10以张为单位放置，并且在外壳402a的内部以旋转轴521为中心可旋转地设置；回收容器530，其以包围放置架520的周围的形式设置，并对从基板10表面飞散的处理流体进行回收。
优选地，放置架520设置为沿着上下方向可移动，在回收容器530的内壁可沿着上下方向形成有多个回收杯532～538，所述多个回收杯532～538形成有多个回收管(duct)，所述多个回收管用于在相互不同的高度对相互不同的处理流体进行回收。以下举例说明如下构成：回收容器530包括四个回收杯532～538，所述四个回收杯532～538分别独立地形成有四个回收管。根据情况的不同，可构成为回收容器包括三个以下或者五个以上的回收杯(参照图21至图24)。
就如上所述的结构而言，在单一处理空间使得放置架520的高度成为不同，从而可利用多个种类的化学制品及/或流体等通过多种方式对基板10进行清洗，因此可提高残留于基板10的异物的去除效率。
在放置架520的上部可配置有后面将要叙述的喷射部，所述喷射部用于向放置于放置架520的基板10的上面喷射化学制品、流体、异种流体及蒸汽等，从基板10表面飞散的处理流体(使用于基板表面的清洗处理的流体)根据放置架520的高度可回收至相互不同的回收杯532～538。并且，用于排出分别回收的处理流体的排水道分别地连接于回收杯532～538。
非接触式清洗单元500可根据所需的条件及设计样式构成为通过多种方式进行清洗。
参照图21，非接触式清洗单元500可包括化学制品喷射部540，所述化学制品喷射部540向基板10的表面喷射至少一种以上的化学制品(chemical)。
在本实用新型中，非接触式清洗单元500的清洗处理空间独立地设置为密闭的腔体结构，因此作为清洗液可使用化学制品(chemical)。
作为化学制品喷射部540可使用能够喷射化学制品的常用的喷嘴，本实用新型并非受到喷嘴的种类及特性的限制或限定。优选地，可使用能够将化学制品以高压均匀地喷射于基板10的表面的喷嘴。
化学制品喷射部540可根据所需的条件及设计样式构成为将多种化学制品喷射于基板10的表面。优选地，非接触式清洗单元500的化学制品喷射部可喷射对有机物去除有效的臭氧氢氟酸(O3HF)、氢氟酸(HF)中至少任意一个。根据情况的不同，非接触式清洗单元的化学制品喷射部也可以喷射如SC1(Standard Clean-1，APM)、硫酸(H2SO4)、氨(ammonia)、过氧化氢等一样的其他不同的化学制品。
此外，非接触式清洗单元500的化学制品喷射部540以与设置于预备清洗区域P1的化学制品喷射部相同或者类似的方式相对于基板10表面以可振荡的形式设置，从而可构成为将化学制品以振荡的形式喷射(oscillation spray)于基板10表面(参照图7)。
作为参考，放置架520的放置条件(高度)可根据所需的条件及设计样式进行多种变更。例如，当在非接触式清洗单元500的化学制品喷射部540喷射化学制品时，放置架520可配置于最上端，从基板10飞散的处理流体(化学制品)可通过第一回收杯532被回收。
参照图22，非接触式清洗单元500可包括蒸汽喷射部550，所述蒸汽喷射部550向基板10表面喷射蒸汽。
特别是，从蒸汽喷射部550喷射的蒸汽在对存在于基板10表面的有机物进行去除的方面有效。作为参考，蒸汽喷射部550可构成为以能够保证通过蒸汽去除有机物的效率的同时防止基板10损伤的温度喷射蒸汽。优选地，蒸汽喷射部550可以利用60℃～120℃的温度来喷射蒸汽。
例如，在非接触式清洗单元500的蒸汽喷射部550喷射蒸汽时，放置架520可配置于最上端，即，第一个下端，向基板10飞散的处理流体可通过第二回收杯534被回收。
此外，非接触式清洗单元500可包括清洗液喷射部(未示出)，所述清洗液喷射部向基板10的表面喷射清洗液。
清洗液喷射部可根据所需的条件构成为将各种清洗液喷射于基板10的表面。例如，清洗液喷射部可构成为喷射如纯水(DIW)一样的清洗液。根据情况的不同，在喷射化学制品后也可以反复进行喷射纯水的过程。
此外，非接触式清洗单元500可包括异种(heterogeneity)流体喷射部(未示出)，所述异种流体喷射部向基板10的表面喷射相互不同的异种流体。
异种流体喷射部可设置为能够喷射异种流体的多种结构。例如，异种流体喷射部可包括：第一流体供给部，其供给第一流体；第二流体供给部，其供给与第一流体不同的第二流体，第一流体及第二流体能够以混合或者分离的状态通过如常用的喷嘴一样的喷射装置喷射于基板的表面。
假设，异种流体喷射部可包括以独立的形式设置的第一流体喷嘴及第二流体喷嘴，在第一流体喷嘴及第二流体喷嘴可以将第一流体及第二流体以相互分离的状态喷射于基板10的表面(参照图5)。
作为异种流体喷射部的其他例子，异种流体喷射部可包括：第一流体通道，其供给第一流体；第二流体通道，其供给第二流体；混合喷射通道，其混合并喷射第一流体及第二流体，在混合喷射通道中第一流体及第二流体以相互混合的状态高速喷射于基板10的表面(参照图6)。
在异种流体喷射部可喷射的异种流体的种类及特性可根据所需的条件及设计样式进行多种变更。例如，第一流体可以是气态流体及液态流体中任意一种，第二流体可以是气态流体及液态流体中任意一个。例如，异种流体喷射部可构成为同时喷射作为液态流体的纯水(DIW)和作为气态流体的氮(N2)，以便能够提高无处异物的效率。根据情况的不同，如果能够保证通过异种流体产生的撞击力及异物去除效率，则也可以使用两个不同种类的液态流体或者两个不同种类的气态流体。
与化学制品喷射部540一样，清洗液喷射部、蒸汽喷射部、异种流体喷射部中至少任意一个相对于基板10的表面可震荡地设置，从而可构成为将清洗液、蒸汽及异种流体以震荡的形式喷射于基板10的表面(参照图7)。
此外，参照图23，非接触式清洗单元500包括异种流体喷射部560，所述异种流体喷射部560向基板10的表面喷射相互不同的异种流体，并且异种流体喷射部560可包括：干冰供给部，其供给干冰粒子；流体喷射部，其向基板10的表面喷射流体。
流体喷射部根据所需的调节及设计样式可构成为喷射多种流体。例如，流体喷射部可构成为喷射气态流体及液态流体中至少任意一个。以下举例说明如下构成：异种流体喷射部560同时喷射干冰粒子和气态流体。根据情况的不同，异种流体喷射部也可构成为同时喷射干冰粒子和液态流体(例如，DIW)。
此外，参照图24，非接触式清洗单元500可包括异丙醇喷射部570，所述异丙醇喷射部570向基板10的表面喷射异丙醇(IPA)。
异丙醇喷射部570向基板10的表面喷射异丙醇，由此基板10的表面能够得到干燥，并可完成基板10的清洗工艺。
并且，在第一非接触式清洗单元502得到清洗处理的基板10可通过常用的移送臂向第二非接触式清洗单元504移送。移送臂设置为在第一非接触式清洗单元502和第二非接触式清洗单元504可往返移动，从而可将在第一非接触式清洗单元502得到清洗处理的基板10向第二非接触式清洗单元504移送。作为参考，在第一非接触式清洗单元502和第二非接触式清洗单元504中分别对相互不同的基板10同时进行清洗的期间，移送臂可在设置于第一非接触式清洗单元502和第二非接触式清洗单元504之间的躲避区域上暂时等待。
另外，在本实用新型的实施例中举例说明了非接触式清洗单元(或者接触式清洗单元)排列于单一层上，但是根据情况的不同，非接触式清洗单元可设置为多层结构。
参照图25，非接触式清洗单元500’设置为两层结构，并且可包括多个隔断单元501’～504’，所述隔断单元501’～504’独立地设置有密闭的处理空间，基板10沿着已设定的路径移动多个隔断单元501’～504’的同时被清洗。根据情况的不同，非接触式清洗单元可设置为三层以上的结构，本实用新型并非受到隔断单元的配置结构及配置方式的限制或限定。
另外，在本实用新型的实施例中举例说明了预备清洗区域单纯地设置为独立地密闭的腔体结构，但是根据情况的不同，可设置有选择性地对研磨部区域和清洗部区域进行隔断的隔断单元。
隔断单元可设置为能够选择性地对研磨部区域和清洗部区域进行隔断的多种结构，本实用新型并非受到隔断单元的种类及结构的限定和限制。例如，隔断单元可通过常用的左右滑动开闭方式或者上下百叶(shutter)方式来实现。
如上所述的结构可从根本上隔断在研磨部区域产生的研磨物质及异物流入至清洗部区域的现象，因此清洗部区域可保持更加干净的处理环境。换句话说，与清洗部区域相比在研磨部区域产生较多的异物，如果在研磨部区域产生的异物向清洗部区域流入，则可产生由于异物而导致的清洗错误或者清洗低下现象。由此，隔断单元整体地对研磨部区域和清洗部区域的边界进行隔断，因此从根本上隔断在研磨部区域产生的研磨物质及异物向清洗部区域流入的现象，从而可提高在清洗部区域进行的清洗工艺的清洗效率。
另外，图26是示出根据本实用新型的其他实施例的基板处理系统的图，图27至图28是示出图26的翻转单元的图。并且，对于与前述的构成相同及相当于相同的部分，赋予相同或者相当于相同的参照标号，省略对其的详细说明。
参照图26至图28，根据本实用新型的其他实施例的基板处理系统1包括翻转单元140，所述翻转单元140构成为从设置于研磨部(参照图2的100)的基板10被装载的装载区域P2可向预备清洗区域P1移动，从而在装载区域P2接收基板10并向预备清洗区域P1移送，基板10以被翻转单元140支撑的状态在预备清洗区域P1进行预备清洗。
翻转单元140在完成化学机械研磨工艺的基板10向清洗部300供给之前，能够使得基板10的研磨面(polishing surface)向相反方向翻转。
作为参考，在本实用新型中所谓的基板10的研磨面指的是，与研磨垫(参照图2的110)接触的同时被研磨的基板10的面(底面或者上面)。实质上，在化学机械研磨工艺中基板10的研磨面(例如，基板的底面)可配置为朝向下侧，翻转单元140使得基板10以颠倒180度的形式翻转，以便基板10的研磨面朝向上侧。
具体地，翻转单元140包括：可动组件144，其从装载区域P2向预备清洗区域P1移动；旋转组件146，其以可翻转(turning)旋转的形式连接于可动组件144；夹紧组件148，其连接于旋转组件146并夹紧基板10。
可动组件144设置为在研磨部10从基板10被装载的装载区域P2可向基板10被卸载的预备清洗区域P1移动。
基板10的装载区域P2可根据所需的条件及设计样式进行多种变更。优选地，装载区域P2可设置于移动单元(例如，载体头)的移动路径(例如，循环路径)上，以便能够缩短载体头120的移动路径。
换句话说，在基板的预备清洗区域设置于载体头的移动路径外侧的情况下，载体头沿着移动路径移动后，额外需要重新向设置于移动路径外侧的基板的预备清洗区域移动，因此问题在于，不必要地增加载体头的移动路径。但是，通过翻转单元140在基板10的装载区域P2接收基板10的结构中，载体头120无需移动至预备清洗区域P1，而是仅在移动路径上移动即可，因此可将载体头120的移动路径最小化。
可动组件144根据所需的条件及设计样式通过多种方式以可与预备清洗区域P1接近及隔开的形式设置。例如，可动组件144设置为可从装载区域P2向预备清洗区域P1(或者从预备清洗区域向装载区域)直线移动。根据情况的不同，也可以构成可动组件以一个地点为基准旋转并从装载区域向预备清洗区域移动。
可动组件144可构成为通过由驱动组件142产生的驱动力从装载区域向预备清洗区域P1移动。例如，可动组件144可通过由驱动组件142产生的驱动力从装载区域P2向预备清洗区域P1直线移动。
作为可动组件142可使用能够提供驱动力的常用的驱动装置，本实用新型并非受到驱动组件142的种类及特性的限制或限定。例如，作为驱动组件142可使用常用的直线马达(linear motor)。根据情况下的不同，可利用常用的马达及动力传递部件的组合(例如，齿轮或者带的组合)来构成驱动组件，或者利用螺丝钉(screw)部件来构成驱动组件。
夹紧组件146构成为连接于可动组件144并选择性地对基板10进行夹紧，夹紧组件146可通过可动组件144选择性地向装载区域P2或者预备清洗区域P1移动。优选地，夹紧组件146在基板10的化学机械研磨工艺中(或者基板的装载中)可向从载体头120的移动路径脱离的预备清洗区域P1躲避，并且能够仅在对完成化学机械研磨工艺的基板10进行接收时向装载区域P2接近。
此外，旋转组件148以可翻转(turning)旋转的形式连接于可动组件144，夹紧组件146连接于旋转组件148，从而可通过旋转组件148选择性地对可动组件144进行翻转旋转。
旋转组件148可利用常用的旋转轴及驱动装置来构成，旋转组件148的结构及特性可根据所需的条件及设计样式进行多种变更。根据情况的不同，也可以构成为夹紧组件固定于可动组件上，并且可动组件以可翻转旋转的形式构成于驱动组件。
夹紧组件146可设置为能够选择性地对基板10进行夹紧的多种结构，本实用新型并非受到夹紧组件146的结构及特性的限制或限定。例如，夹紧组件146可包括：第一夹紧部件442a，其支撑基板10的一侧；第二夹紧部件442b，其与第一夹紧部件442a相面对，并支撑基板10的其他一侧。
另外，在预备清洗区域P1的预备清洗可以以基板10通过翻转单元140被支撑的状态进行。换句话说，翻转单元140执行使得基板10翻转旋转的作用，可同时执行使得基板放置的放置部的作用。
如上所述，在预备清洗区域P1的预备清洗以基板10通过翻转单元140被支撑的状态进行，据此可得到的有利效果在于，对在预备清洗区域P1进行预备清洗的期间为了防止基板移动而进行的基板的支撑工艺进行简化。
当然，在预备清洗区域也可以通过另外的支撑装置(放置装置)对基板10进行支撑并进行预备清洗，但是与预备清洗无关地必然要进行的基板的翻转工艺中基板得到支撑，据此可得到的有利效果在于，简化支撑基板的过程，并且减少整体的工艺。
例如，在预备清洗区域P1的预备清洗可以在基板10通过翻转单元140被翻转旋转的状态(以研磨面朝向上部的形式翻转的状态)下进行。
作为其他的例子，在预备清洗区域P1的预备清洗可以以基板10通过翻转单元140被垂直地配置的状态进行。如上所述，以垂直地配置的状态对基板进行预备清洗，据此可得到的有利效果在于，如在预备清洗时使用的清洗液或者化学制品一样的清洗流体不残留于基板10的表面，而是更加快速容易地被排出。
根据情况的不同，也可以在基板通过翻转单元140被翻转之前(以基板的研磨面朝向下部的形式配置的状态)，基板通过翻转单元140被支撑的状态下进行预备清洗。
并且，所谓的基板10通过翻转单元140被支撑的状态下的预备清洗指的是，定义为将如下方式全部包括在内的概念：向基板的表面喷射如化学制品、纯水(DIW)、蒸汽、异种流体等一样的清洗流体的方式；将清洗刷以旋转的形式接触于基板的表面的方式；向基板的表面供给振动能的方式。
另外，图29是可适用于根据本实用新型的基板处理系统的旋转臂的图。
参照图29，根据本实用新型的基板处理系统1包括旋转臂201a，所述旋转臂201a可向第一位置RP1和第二位置RP1旋转，所述第一位置RP1在研磨部(参照图2的100)配置于预备清洗区域P1，所述第二位置RP1在研磨部100配置于预备清洗区域P1的外侧，清洗流体喷射部201以可分离的形式安装于旋转臂201a，从而向放置于基板放置部(参照图3的220)的基板10的表面喷射清洗流体。
在此，所谓的基板10放置于基板放置部220的状态指的是，理解为将如下状态全部包括在内的概念：基板10放置于基板放置部220的状态和基板通过翻转单元(图27的140)被支撑的状态。
旋转臂201a以一端为中心旋转并可从第一位置RP1向第二位置RP1移动，如果旋转臂201a配置于第一位置RP1，则清洗流体喷射部201向基板100表面喷射清洗流体。
清洗流体喷射部201以可分离的形式选择性地安装于旋转臂201a。
在此，所谓的清洗流体喷射部201指的是，可包括化学制品喷射部、清洗液喷射部、蒸汽喷射部、异种流体喷射部中至少任意一个，所述化学制品喷射部、清洗液喷射部、蒸汽喷射部、异种流体喷射部可喷射如化学制品、纯水(DIW)、蒸汽、异种流体等一样的清洗流体。
如上所述，相互不同的清洗流体喷射部201安装于一个旋转臂201a，据此无需分别设置用于安装喷射部的多个旋转臂或者支撑装置，而可以共用使用一个旋转臂，所述喷射部喷射相互不同种类的清洗流体，因此可得到的有利效果在于，简化结构，并且使得空间利用性增加。并且在进行基板的预备清洗的状态下，旋转臂201a配置于第二位置RP1，从而可得到的效果在于，预先防止与如载体头、调节器或者翻转单元一样的周边装置的冲突。
另外，图30是示出根据本实用新型的另外其他实施例的基板处理系统的图，图31是用于说明图30的基板处理系统的清洗部的图。此外，图32至图34是用于说明通过图30的基板处理系统的基板的处理过程的图，图35是用于说明适用于图30的基板处理系统的封装部件的图。
参照图30及图31，根据本实用新型的另外其他实施例的基板处理系统包括：研磨部100，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；预备清洗区域P1，其设置于研磨部100，并对进行研磨工艺的基板10进行预备清洗(pre-cleaning)；清洗部300，其对在预备清洗区域P1进行预备清洗的基板进行清洗，清洗部300包括多个清洗单元402、404、502、504，所述多个清洗单元402、404、502、504沿着上下方向叠层地配置，并且分别地对基板10进行清洗。
在研磨部100设置有多个研磨平板110，在各个研磨平板110的上面附着有研磨垫。供给于装载单元的基板10以紧贴于沿着预先设定的路径移动的载体头120的状态旋转地接触于供给有研磨液的研磨垫的上面，从而进行化学机械研磨工艺，所述装载单元设置于研磨部100的区域上。
例如，研磨部100包括：第一研磨区域101，其配置有多个第一研磨平板110；第二研磨区域102，其与第一研磨区域相面对并配置有多个第二研磨平板110’；基板移送路线104，其配置于第一研磨区域101和第二研磨区域102之间，并对装载于装载区域P2的基板10进行移送，所述装载区域P2设置于研磨部100，装载于装载区域P2的基板10沿着基板移送路线104被移送，从而在第一研磨区域101或者第二研磨区域102被研磨后，卸载于预备清洗区域P1。
基板移送路线104设置于第一研磨区域101和第二研磨区域102之间中心，从而装载于装载区域P2的基板10沿着基板移送路线104被移送后，可进入至第一研磨区域101或者第二研磨区域102。
如上所述，本实用新型中，首先沿着基板移送路线104移送基板10，基板10在第一研磨区域101或者第二研磨区域102被研磨后，立即卸载于预备清洗区域P1，据此可得到的有利效果在于，排除用于保持进行研磨的基板10的湿式(wet)状态的另外的喷射装置，并且防止产生水印。
换句话说，也可以首先在第一研磨区域101或者第二研磨区域102对基板进行研磨，并沿着基板移送路线对进行研磨得基板进行移送后，在预备清洗区域卸载，但是在基板被研磨后移送的结构(参照图26)中存在的问题在于，进行研磨的基板沿着基板移送路线被移送的途中变得干燥并产生水印，或者基板的安装部件被损伤，因此不可避免地在基板移送路线上设置用于保持基板的湿式状态(浸湿的状态)的另外的喷射装置或者湿式浴装置(wetting bath)。但是，在本实用新型中，首先通过设置于第一研磨区域101和第二研磨区域102之间中心的基板移送路线104来移送基板10，并在第一研磨区域101或者第二研磨区域102对基板10进行研磨后，立即将进行研磨的基板10卸载于预备清洗区域P1，因此可得到的有利效果在于，即使不另外设置有浸湿基板10的设备，也可以防止进行研磨工艺的基板10变干燥，并且防止由于干燥而导致的基板安装部件的损伤以及由于水印产生的次品。
进行研磨工艺的基板10在放置于基板放置部(参照图5的220)的状态下，通过清洗流体喷射部(清洗液喷射部、蒸汽喷射部、异种流体喷射部)、兆声波发生器、清洗刷中至少任意一个进行清洗(参照图4至图12)，所述基板放置部设置于预备清洗区域P1。
包括以叠层结构设置的多个清洗单元402、404、502、504的清洗部300可根据所需的条件构成为多种结构。在此，所谓的多个清洗单元402、404、502、504沿着上下方向叠层指的是，多个清洗单元402、404、502、504以两层结构或者三层结构以上叠层地配置。
例如，清洗单元402、404、502、504包括：多个接触式清洗单元402、404，其沿着上下方向叠层地配置，与基板的表面以物理的形式接触，并分别地对基板10进行清洗；多个非接触式清洗单元502、504，其沿着上下方向叠层地配置，与基板10的表面以物理的形式非接触，并分别地对基板10进行清洗。以下举例说明如下构成：两个接触式清洗单元402、404和两个非接触式清洗单元502、504分别配置为两层结构。根据情况的不同，也可以将接触式清洗单元和非接触式清洗单元中仅任意一个设置为叠层结构。
在多个接触式清洗单元402、404可设置有清洗刷(参照图13的410)、化学制品供给部(参照图13的420)等。
非接触式清洗单元502、504包括：放置架520，其在上部以张为单位放置有基板10，在外壳402a的内部以旋转轴521为中心可旋转地设置；回收容器530，其以包围放置架520的周围形式设置，并对从基板10的表面飞散的处理流体进行回收，并且基板10在放置于放置架520的状态下，可通过清洗流体喷射部(清洗液喷射部、蒸汽喷射部、异种流体喷射部)、异丙醇喷射部、兆声波发生器中至少任意一个进行清洗(参照图12、图21至图24)。
并且，在清洗部300设置有移送单元310，所述移送单元310将基板100从多个清洗单元402、404、502、504中任意一个向多个清洗单元402、404、502、504中另一个移送，基板10可通过移送单元310在清洗部300内被移送。
作为移送单元310可使用沿着上下方向可移动的常用得机械臂，本实用新型并非受到移送单元310的种类及结构的限制或限定。
基板10可沿着定义于清洗部300的多种清洗路径进行清洗。在此，所谓的基板10的清洗路径指的是，理解为基板10在清洗部300被清洗的顺序或者基板被移送的同时被清洗的路径。
更为具体地，构成为基板10在清洗部300沿着经过多个清洗单元402、404、502、504中至少任意一个的清洗路径进行清洗。优选地，构成为基板10的清洗路径经过多个接触式清洗单元402、404中至少任意一个和多个非接触式清洗单元502、504中至少任意一个，据此可提高基板10的清洗效率。
例如，参照图32，在预备清洗区域P1进行预备清洗后进入至清洗部300的基板10沿着依次经过第一接触式清洗单元402、第二接触式清洗单元404、第二非接触式清洗单元504的清洗路径C1进行清洗后被排出。此时，在第一接触式清洗单元402进行清洗的基板10可通过移送单元310向第二接触式清洗单元404移送，在第二接触式清洗单元404进行清洗的基板10可通过移送单元310向第二非接触式清洗单元504移送。
作为其他的例子，参照图32，在预备清洗区域P1进行预备清洗后进入至清洗部300的基板10沿着依次经过第一接触式清洗单元402、第一接触式清洗单元404、第一非接触式清洗单元502的清洗路径C2进行清洗后被排出。此时，在第一接触式清洗单元402进行清洗的基板10可通过移送单元310向第二接触式清洗单元404移送，在第二接触式清洗单元404进行清洗的基板10可通过移送单元310向第一非接触式清洗单元502移送。
此外，多个清洗单元402、404、502、504中预先设定的至少任意一个可在基板10的清洗路径上被跳过(skip)。
在此，所谓的多个清洗单元402、404、502、504中预先设定的至少任意一个在基板10的清洗路径上被跳过指的是，理解为基板在清洗部不经过被跳过的特定清洗单元而进行清洗。
例如，参照图33，在预备清洗区域P1进行预备清洗后进入至清洗部300的基板10不经过第一接触式清洗单元402，并沿着依次经过第二接触式清洗单元404和第二非接触式清洗单元504的清洗路径C3进行清洗后被排出。此时，进入清洗部300的基板10可通过移送单元310向第二接触式清洗单元404移送，在第二接触式清洗单元404进行清洗的基板10可通过移送单元310向第二非接触式清洗单元504移送。
作为其他的例子，参照图33，在预备清洗区域P1进行预备清洗后进入至清洗部300的基板10不经过第一接触式清洗单元402，而时沿着依次经过第二接触式清洗单元404和第一非接触式清洗单元502的清洗路径4进行清洗后被排出。此时，进入清洗部300的基板10可通过移送单元310向第二接触式清洗单元404移送，在第二接触式清洗单元404进行清洗的基板10可通过移送单元310向第一非接触式清洗单元502移送。
作为另外其他例子，参照图34，在预备清洗区域P1进行预备清洗后进入至清洗部300的基板10不经过第二接触式清洗单元404，而是沿着依次经过第一接触式清洗单元402和第二非接触式清洗单元504的清洗路径C5进行清洗后被排出。此时，在第一接触式清洗单元402进行清洗的基板10可通过移送单元310向第二非接触式清洗单元504移送。
作为另外其他例子，参照图34，在预备清洗区域P1进行预备清洗后进入至清洗部300的基板10不经过第二接触式清洗单元404，而是沿着依次经过第一接触式清洗单元402和第一非接触式清洗单元502的清洗路径C6进行清洗后被排出。此时，在第一接触式清洗单元402进行清洗的基板10可通过移送单元310向第一非接触式清洗单元502移送。
在本实用新型实施例中举例说明了基板10的清洗路径沿着正向(接触式清洗单元→非接触式清洗单元)构成，但是根据情况的不同，基板的清洗路径也可以沿着逆向(非接触式清洗单元→接触式清洗单元)构成。假设，在预备清洗区域进行预备清洗后进入清洗单元的基板也可以首先在第二非接触式清洗单元清洗后，在第一接触式清洗单元进行清洗后被排出。
另外，构成清洗部300的多个清洗单元402、404、502、504包括隔断单元，所述隔断单元将各个清洗空间与其之外的空间独立地隔断。
例如，隔断单元包括：外壳(参照图20的402a、404a、502a、504a)，其以包裹基板的周边的形式设置，并且提供独立的清洗处理空间；开闭部件(参照图20的402b、404b、502b、504b)，其对外壳(参照图20的402a、404a、502a、504a)的进出口进行开闭。
如上所述，多个清洗单元402、404、502、504的各个清洗空间通过隔断单元被独立地隔断，据此可得到的效果在于，防止因在清洗基板10时产生的烟尘(fume)向邻近的其他清洗单元的清洗空间流入而引起的清洗错误及清洗低下。
并且，优选地，各个清洗单元402、404、502、504的外壳(参照图20的402a、404a、502a、504a)和开闭部件(参照图20的402b、404b、502b、504b)设置为能够最大限度地防止从各个清洗空间烟尘被泄漏的现象。
例如，参照图35，开闭部件502b构成为沿着上下方向以百叶方式直线移动，并对外壳502a的进出口进行开闭，在外壳502a的外面形成有下部短坎部502a’、上部短坎部502a”、侧部倾斜短坎部502a”’，所述下部短坎部502a’配置于外壳502a的进出口的下部，所述上部短坎部502a”配置于外壳502a的进出口的上部，所述侧部倾斜短坎部502a”’倾斜地配置于外壳502a的进出口的侧部，并且在开闭部件502b的上部内面以与上部短坎部502a”得上面相接触的形式形成有延长短坎部502b’，开闭部件502b的下部底面与下部短坎部502a’的上面相接触，开闭部件502b的侧面与侧部倾斜短坎部502a”’相接触。
如上所述，在外壳502a的外面形成有下部短坎部502a’、上部短坎部502a”、侧部倾斜短坎部502a”’，形成于开闭部件502b的上部内面的延长短坎部502b’与上部短坎部502a”的上面相接触，开闭部件502b的下部底面与下部短坎部502a’的上面相接触，开闭部件502b的侧面与侧部倾斜短坎部502a”’相接触，换句话说，沿着各个短坎部502a’、502a”、502a”’、502b’的周围形成有弯曲的多重密封结构，据此可得到的有利效果在于，提高多个清洗单元402、404、502、504的各个清洗空间的密封性能，从而更加有效地隔断在清洗时产生的烟尘向外部泄漏。
更加优选地，在清洗单元502的外壳502a和开闭部件502b之间缝隙设置有用于密封的封装部件150，从而可得到的效果在于，更加有效地对多个清洗单元402、404、502、504的各个清洗空间进行密闭。
作为封装部件150可使用如橡胶、聚氨酯(urethane)、硅(silicon)等一样的弹性材料，封装部件150的材质可根据所需的条件及设计样式进行多种变更。
例如，封装部件150包括：上部封装部152，其配置于延长短坎部502b’和上部短坎部502a”之间；下部封装部154，其配置于开闭部件502b的下部底面和下部短坎部502a’之间；侧部封装部156，其配置于开闭部件502b的侧面和侧部倾斜短坎部502a”’之间。
如上所述，利用各个短坎部502a’、502a”、502a”’、502b’来在进出口的周边形成双重密封结构，同时外壳502a和开闭部件502b之间缝隙通过封装部件150被密闭，据此可得到的有利效果在于，提高多个清洗单元402、404、502、504的各个清洗空间的密闭性能，更加可靠地隔断在清洗时产生的烟尘向外壳502a和开闭部件502b之间缝隙泄漏的现象。
以下，参照图36至图39对根据本实用新型其他实施例的基板处理系统2进行详细说明。后述的基板处理系统2在设置有缓冲模块方面与前述的基板处理系统1存在差异，除此之外的构成是与根据前述的实施例的基板处理系统1相同或者类似的构成。由此针对除了缓冲模块之外的剩余构成赋予与前述的实施例的构成相同的附图标号，并省略对此的详细说明。
参照图36，根据本实用新型的基板处理系统2包括：研磨部100，其对基板进行化学机械研磨(CMP)工艺；预备清洗区域P1，其设置于研磨部100，并对完成研磨工艺的基板10进行预备清洗(pre-cleaning)；清洗部300，其对在预备清洗区域P1得到预备清洗的基板进行清洗；缓冲模块B，其设置于研磨部100和清洗部300中任意一个以上，提供使得基板处于一定位置并等待下一个工艺为止的空间。
研磨部100可设置为能够进行化学机械研磨工艺的多种结构，并可与前述的实施例的构成1相同或者类似地构成。
同样，预备清洗区域P1构成为设置于研磨部100的区域上，并且完成研磨工艺的基板10卸载于所述预备清洗区域P1，并且对被卸载的基板10进行预备清洗(pre-cleaning)。
如上所述，在预备清洗区域P1完成研磨工艺的基板10被卸载的同时进行预备清洗，据此无需额外设置有用于进行预备清洗的另外的空间，因此可以不对现有设备的布局进行变更或增加而几乎保持不变，并且可降低由于完成研磨的基板10立即进入清洗部而导致清洗部300的污染度的增加。
重新参照图36，在基板处理系统2设置有缓冲模块B(B1、B2)，在研磨部100的预备清洗区域P1和晶元载体120的循环路径之间配置有第一缓冲模块B1。
在研磨部100完成研磨工艺后被载体头120抓握的基板10向预备清洗区域P1供给并进行预备清洗后向清洗部300移送，从而完成主清洗工艺。此时，在研磨部100进行的研磨工艺根据研磨层的材料在工艺时间上产生偏差，据此可在研磨部完成研磨的基板10向预备清洗区域P1供给的时间上产生差异。
由此，当在研磨部100完成研磨工艺的基板10想要向预备清洗区域P1移送时，在预备清洗区域P1进行其他基板的预备清洗工艺的情况下，所述第一缓冲模块B1执行从晶元载体120得到基板10的供给后使得基板堆积的第一模式。
参照图37，第一缓冲模块B1设置有使得基板10放置的多个放置架901，将放置架901铰链连接于以旋转驱动部903为中心延伸为放射状的连接部件905，从而以保持放置架901的水平状态的同时循环放置架901的形态可旋转903a地设置。
并且，在第一缓冲模块B1的各个放置架901设置有对基板10的安装与否进行感知的感知传感器909，如果基板10放置于放置架901，则从纯水供给口908供给纯水910，从而保持放置于放置架901的基板10的浸湿状态。在图中示例了纯水供给口908在上侧朝向基板10供给纯水910的构成，但是纯水供给口也可以以在基板10的下侧朝向上方供给纯水910的形态一起或者单独配置。由此，即使基板10的研磨面朝向上侧和下侧中任意方向，也保持基板10研磨面的浸湿状态，从而防止在研磨工艺中粘于研磨面的异物被干燥并固着于研磨面的现象，同时也可以防止因基板10的性质而变干燥后被损伤的现象。
尤其，第一缓冲模块B1以可旋转循环的形式构成，以便多个放置架901具有上下方向成分，据此不管是哪个放置架901都可以位于最上侧。由此，如图38所示，将使得基板10放置的放置架901旋转903a至上侧位置的状态下，沿着导轨120R搬运载体头120的轴120x位于第一缓冲模块B1的上侧，并放置由载体头120抓握的基板10，据此基板10即使没有夹着基板并移动的移动装置(例如，移送臂或者移送机器人)，也可以从载体头120立即将基板10放置于放置架901。
与此同时，第一缓冲模块B1可通过驱动部M沿着设置于载体头120的循环路径和预备清洗区域P1之间的规定的路径以往返移动900d的形式设置。由此，即使载体头120为了基板的研磨工艺而不脱离循环路径(图2的箭头路径)，只要第一缓冲模块B1向载体头120的循环路径的下侧移动，则载体头120在第一缓冲模块B1的上侧使得基板10向下方落下，因此即使不额外耗费载体头120的移动路径及移动时间，也可以将载体头120的基板10转移到第一缓冲模块B1后，载体头120在装载单元20得到新的基板的供给，并立即开始研磨工艺。
在图中示例的构成为第一缓冲模块B1以旋转多个放置架的形态循环，但是本实用新型并非限于此，针对以与塔式停车场类似的形态或者除此之外的多种形态设置多个放置架的构成也可以适用为第一缓冲模块B1。
如此，根据本实用新型，即使在结束基板的研磨工艺后将基板向预备清洗工艺供给的供给周期与预备清洗工艺所需的时间不一致，载体头120也可以一直连续地进行基板的研磨工艺，因此可得到提高研磨工艺的效率的效果。
特别是，如在本申请人申请的韩国专利申请第2014-173576号中公开的一样，在一个布局的研磨部进行多种研磨工艺的情况下，在研磨部结束研磨工艺后向预备清洗工艺供给的周期有可能不固定。虽然如此，在本实用新型中在预备清洗区域P1的附近设置第一缓冲模块B1，据此可得到的有利效果在于，对于从研磨部以不均匀的时间间距结束研磨工艺的基板也可以一直连续地进行基板的处理工艺。
此外，在图36中示出的研磨部100基板沿着两个循环路径移动，但是在两个研磨循环路径进行的研磨工艺可以是相互不同的研磨工艺。在此情况下，就基板供给至向上、下配置的预备清洗区域P1而言，利用用于装载基板的移送装置来在上侧完成研磨工艺的基板10也可以向下侧的预备清洗区域P2供给，相反，利用用于装载基板的移送装置来在下侧完成研磨工艺的基板10也可以向上侧的预备清洗区域P2供给。如上所述，在两个研磨循环路径进行的研磨工艺中直到结束研磨为止所需的研磨时间产生偏差，因此不会在所述时间偏差期间盲目地等待，选择性地向配置于上下侧的预备清洗区域P2中任意一个供给，从而可缩短完成预备清洗工艺后向进行主清洗工艺的清洗部300供给的时间。
换句话说，即使向配置于上下侧的预备清洗区域P1供给的基板10的供给周期不规则，也可以在第一缓冲模块B1收容多余供给的基板10后，在预备清洗区域P1进行预备清洗工艺的基板为了主清洗工艺而向清洗部300移送后，立即在第一缓冲模块B1执行使得基板10向预备清洗区域P1供给的第一模式，因此即使在研磨部经过相互不同研磨工艺引起的完成研磨的基板的供给周期的偏差，也可以将工艺效率极大化。此时，在抓握完成研磨工艺的基板10的载体头向在分别配置于上、下侧的第一缓冲模块B1中基板堆积的数量少的第一缓冲模块供给基板10并使得基板堆积，从而可得到的优点在于，即使相互不同的研磨工艺在一个设备2中进行，也可以进行基板10的连续的处理工艺。
并且，也可以利用如机械臂一样的设备来使得基板10从第一缓冲模块B1向预备清洗区域P1供给，但是可以通过示出于图27及图28的翻转单元140来被移送。通过翻转单元140从第一缓冲模块B1向预备清洗区域P1移送的同时，基板10通过翻转单元140被颠倒180度，颠倒180度后以研磨面朝向上侧的姿势供给于预备清洗区域P1。
另外，在研磨部100的上、下侧分别完成研磨工艺的基板10在预备清洗区域P1不进行其他基板的预备清洗工艺的情况下，被载体头120抓握的基板10不经过第一缓冲模块B1，而是可执行从载体头120直接向预备清洗区域P1供给的第二模式。
在此情况下，如前述的实施例一样，如图27及图28所示，基板10从载体头120向翻转单元140移送，基板10在通过翻转单元140颠倒180度的状态下以研磨面朝向上侧的姿势供给于预备清洗区域P1。换句话说，翻转单元140的夹紧组件148配置于第一缓冲模块B1的上侧或者一侧，从而在载体头120的循环路径和预备清洗区域P1之间往返140d。
由此，因为预备清洗区域P1为空缺的状态，所以在可以立即进行完成研磨工艺的基板的预备清洗的情况下，可移动的翻转单元140从载体头120接收到基板10后将基板10向预备清洗区域P1移动。根据情况的不同，基板在被翻转单元140收取的状态下也可以在预备清洗区域P1进行预备清洗。
翻转单元140在完成化学机械研磨工艺的基板10向清洗部300供给之前能够使得基板10的研磨面(polishing surface)向相反方向翻转。
换句话说，基板的预备清洗区域设置于载体头的移动路径外侧的情况下，载体头沿着移动路径移动后，需要重新向设置于移动路径外侧的基板的预备清洗区域移动，因此不可避免的存在增加载体头的移动路径的问题。但是，在通过翻转单元140接收基板10的结构中，载体头120无需移动至预备清洗区域P1，仅在移动路径上移动就可以，因此无需将载体头120的移动路径增加在循环路径以外。
另外，如图36所示，在清洗部300配置有第二缓冲模块B2，所述第二缓冲模块B2在下一个清洗单元中正在进行基板的清洗工艺的情况下，对将要供给于下一个清洗单元的基板进行收容。
据此，以多个清洗单元的清洗时间偏差程度在首先完成处理工艺的清洗单元中不保留基板，在各个清洗单元完成清洗工艺的基板向第二缓冲模块B2移动并放置。
第二缓冲模块B2可构成为与第一缓冲模块B1类似的形态，但是如图39所示，基板10通过移送单元310在清洗单元400、500间移动，因此可构成为放置架911的相对于彼此的高度得到固定。
换句话说，形成有放置凸起911a的放置架911沿着上下方向配置有多个，将要投入于清洗单元400、500的基板10可放置于所述放置架911并被收容。同样，每个放置架911设置有供给纯水的纯水供给部918，从而向基板10供给纯水或者清洗液，并保持基板10的浸湿状态。
各个放置架911固定于沿着上下方向延长的框架915，多个放置架911与地面支撑架910一起通过驱动部M沿着上下方向910d移动，将基板10的高度可调节为移送单元310容易抓握的高度。
如图36所示，第二缓冲模块B2也可以配置于与清洗单元400、500不同的足迹(footprint)区域。在第二缓冲模块B2配置于与清洗单元400、500不同的足迹区域的情况下，为了缩短移送单元310将基板10向下一个清洗单元移动时所需的时间，第二缓冲模块B2可构成为在清洗单元400、500之间往返。由此，在想要通过移送单元310将基板10供给于接触式清洗单元400的情况下，第二缓冲模块B2以与接触式清洗单元400接近的形式移动，从而可缩短在第二缓冲模块B2堆积中的基板10向接触式清洗单元400供给的时间。此外，想要通过移送单元310将基板10供给于非接触式清洗单元500的情况下，第二缓冲模块B2以与非接触式清洗单元500接近的形式移动，从而可缩短在第二缓冲模块B2堆积中的基板10向非接触式清洗单元500供给的时间。
另外，如图40所示，也可以配置于与清洗单元400、500中任意一个以上相同的足迹区域。如图40所示，如果第二缓冲模块B2叠层于清洗单元400、500，或者位于清洗单元400、500的下侧，则不占用额外的足迹，因此优点在于，不仅在限定的空间内可设置缓冲模块，而且机械臂形态的移送单元310以没有方向转换的状态下可在清洗单元400、500和第二缓冲模块B2之间往返，因此可得到的效果在于，基板的供给移送变得更为简便。
在图中举例说明了在一个足迹区域配置有一个第二缓冲模块B2的构成，但是本实用新型中两个以上的第二缓冲模块B2可以配置于一个足迹区域。
尤其，优选地，第二缓冲模块B2配置于接触式清洗单元400和非接触式清洗单元500之间。在此，“之间”的术语的含义包括接触式清洗单元400和非接触式清洗单元500之间的“空间”，但是可理解为包括在接触式清洗单元400中的处理工艺和向非接触式清洗单元500供给之前的“时间”。由此得到的效果在于，可缩短在清洗部300的整体清洗时间(tacttime)。
换句话说，接触式清洗方式和非接触式清洗方式的清洗样态从本质上不同，因此在接触式清洗单元400对基板10进行清洗的处理时间与在非接触式清洗单元500对基板10进行清洗的处理时间上大部分产生差异。由此，在接触式清洗单元402、404中任意一个以上得到清洗的基板向非接触式清洗单元502、504供给之前的剩余时间期间，在接触式清洗单元402、404和非接触式清洗单元502、504之间配置有第二缓冲模块B2，所述第二缓冲模块B2使得基板10堆积并等待，从而在接触式清洗单元402、404可以一直连续地进行基板10的接触式清洗工艺，在非接触式清洗单元502、504可以逐一得到堆积于第二缓冲模块B2的基板的供给，并可以一直连续地进行非接触式清洗工艺，因此得到的效果在于，可更加增加在单位时间期间完成清洗的基板的数量。
如上所述，参照本实用新型的优选实施例进行了说明，但是如果是所属技术领域的熟练的从业者，则可理解为在不脱离以下记载于专利权利要求范围的本实用新型的思想及区域的范围内，对本实用新型进行多种修改及变更。
标号说明
10：基板 100：研磨部
110：研磨平板 120：载体头
201：清洗流体喷射部 210：外壳
212：开闭部件 220：基板放置部
230：清洗液喷射部 240、260:异种流体喷射部
250：蒸汽喷射部 270兆声波发生器
300：清洗部 400：接触式清洗单元
420：化学制品供给部 430：异物去除部
432：接触部件 434：超声波产生部
440：加压部件 450：摩擦力调节部
452：连接部件 454：感知部
456：刷子移动部 460：垂直荷重调节部
462：垂直连接部件 464：感知部
466：刷子移动部 500：非接触式清洗单元
520：放置架 530：回收容器
532～538：回收杯 540：化学制品喷射部
550：蒸汽喷射部 560：异种流体喷射部
570：异丙醇喷射部 901、911：放置架
908：清洗液供给部 B：缓冲模块
B1：第一缓冲模块 B2：第二缓冲模块

Claims (34)

1.一种基板处理系统，其特征在于，包括：
研磨部，其对基板进行化学机械研磨工艺；
预备清洗区域，其设置于所述研磨部，并对执行研磨工艺的基板进行预备清洗；
清洗部，其对在所述预备清洗区域进行所述预备清洗的基板进行清洗。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，
进行研磨工艺的所述基板卸载于所述预备清洗区域，并且对卸载的所述基板进行所述预备清洗。
3.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，包括：
清洗流体喷射部，其设置于所述预备清洗区域，并且向所述基板的表面喷射清洗流体。
4.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，
所述清洗流体喷射部包括蒸汽喷射部，所述蒸汽喷射部向所述基板的表面喷射蒸汽。
5.根据权利要求3所述的基板处理系统，其特征在于，
所述清洗流体喷射部包括异种流体喷射部，所述异种流体喷射部向所述基板的表面喷射相互不同的异种流体，
所述异种流体喷射部包括干冰供给部和流体喷射部，所述干冰供给部供给干冰粒子，所述流体喷射部向所述基板的表面垂直地喷射流体，
所述干冰粒子及所述流体以相互混合的状态向所述基板的表面喷射。
6.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，包括：
兆声波发生器，其设置于所述预备清洗区域，并且向所述基板的表面供给振动能量。
7.根据权利要求1所述的基板处理系统，其特征在于，包括：
清洗刷，其设置于所述预备清洗区域，并且以旋转的形式接触于基板的表面。
8.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，包括：
基板放置部，其设置于所述预备清洗区域，所述基板放置于所述基板放置部，
所述基板在卸载于所述基板放置部的状态下进行所述预备清洗。
9.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，所述研磨部包括：
第一研磨区域，其配置有多个第一研磨平板；
第二研磨区域，其与所述第一研磨区域相面对并配置有多个第二研磨平板；
基板移送路线，其配置于所述第一研磨区域和所述第二研磨区域之间，并对装载在设置于所述研磨部的装载区域的所述基板进行移送，
装载于所述装载区域的所述基板沿着所述基板移送路线得到移送，从而在所述第一研磨区域或者所述第二研磨区域被研磨后，卸载于所述预备清洗区域。
10.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，包括：
翻转单元，其设置为从设置于所述研磨部的所述基板被装载的装载区域可移动至所述预备清洗区域，并且在所述装载区域接收基板并移送至所述预备清洗区域，
所述基板以支撑于所述翻转单元的状态在所述预备清洗区域进行所述预备清洗。
11.根据权利要求10所述的基板处理系统，其特征在于，所述翻转单元包括：
可动组件，其从所述装载区域向所述预备清洗区域移动；
旋转组件，其可翻转旋转地连接于所述可动组件；
所述旋转组件在进行所述预备清洗的期间使得所述基板垂直地配置。
12.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，包括：
翻转单元，其设置于所述预备清洗区域，并在所述预备清洗区域接收所述基板并使得基板翻转。
13.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，还包括：
隔断单元，其在所述预备清洗区域进行所述预备清洗的期间，将所述预备清洗区域的预备清洗处理空间与其之外的空间隔断。
14.根据权利要求13所述的基板处理系统，其特征在于，所述隔断单元包括：
外壳，其以包裹所述基板的周边的形式设置，并且提供独立的所述预备清洗处理空间；
开闭部件，其对所述外壳的进出口进行开闭。
15.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，还包括：
第一缓冲模块，其设置于所述研磨部，以便当在所述预备清洗区域进行基板的所述预备清洗工艺时，在所述研磨部收容完成所述研磨工艺的所述基板。
16.根据权利要求15所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第一缓冲模块设置有多个用于堆积的放置架，从而收容多个基板。
17.根据权利要求16所述的基板处理系统，其特征在于，
所述放置架以上下方向的成分循环。
18.根据权利要求15所述的基板处理系统，其特征在于，
所述研磨部构成为，使得载体头以抓握所述基板的状态进行移动的同时，在研磨平板上进行所述研磨工艺，
所述第一缓冲模块在所述载体头的移动路径和所述预备清洗区域之间往返。
19.根据权利要求15所述的基板处理系统，其特征在于，还包括：
所述研磨部构成为，使得载体头以抓握所述基板的状态移动的同时，在研磨平板上进行所述研磨工艺，
所述第一缓冲模块配置于所述载体头移动的路径和所述预备清洗区域之间。
20.根据权利要求1至7中任意一项所述的基板处理系统，其特征在于，所述清洗部包括：
多个清洗单元，其沿着上下方向叠层地配置，并且分别地执行对于所述基板的清洗；
移送单元，其使得所述基板从所述多个清洗单元中任意一个移送至所述多个清洗单元中另一个，
所述基板在所述清洗部沿着经过所述多个清洗单元中的至少任意一个的清洗路径进行清洗。
21.根据权利要求20所述的基板处理系统，其特征在于，还包括：
第二缓冲模块，其设置于所述清洗部，并提供使得基板处于一定位置并等待在所述多个清洗单元中任意一个进行的清洗工艺为止的空间。
22.根据权利要求21所述的基板处理系统，其特征在于，所述叠层的多个清洗单元包括：
接触式清洗单元，其沿着上下方向叠层于一个足迹区域；
非接触式清洗单元，其沿着上下方向叠层于另外其他一个足迹区域。
23.根据权利要求22所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第二缓冲模块配置于所述非接触式清洗单元和所述接触式清洗单元之间。
24.根据权利要求23所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第二缓冲模块设置有多个用于堆积的放置架，从而收容多个基板。
25.根据权利要求24所述的基板处理系统，其特征在于，
所述第二缓冲模块以叠层的形式配置于所述非接触式清洗单元和所述接触式清洗单元中任意一个所占用的足迹区域。
26.根据权利要求22所述的基板处理系统，其特征在于，所述接触式清洗单元还包括：
清洗刷，其可旋转地设置，并且与所述基板的表面相接触；
化学制品供给部，其在所述清洗刷接触于所述基板的期间向所述清洗刷和所述基板的接触部位供给化学制品。
27.根据权利要求22所述的基板处理系统，其特征在于，所述非接触式清洗单元包括：
清洗流体喷射部，其向所述基板的表面喷射清洗流体。
28.根据权利要求27所述的基板处理系统，其特征在于，所述清洗流体喷射部包括：
蒸汽喷射部，其向所述基板的表面喷射蒸汽。
29.根据权利要求27所述的基板处理系统，其特征在于，所述清洗流体喷射部包括：
异种流体喷射部，其向所述基板的表面喷射相互不同的异种流体。
30.根据权利要求29所述的基板处理系统，其特征在于，
所述异种流体喷射部包括干冰供给部和流体喷射部，所述干冰供给部供给干冰粒子，所述流体喷射部向所述基板的表面喷射流体，
所述干冰粒子及所述流体以相互混合的状态向所述基板的表面喷射。
31.根据权利要求22所述的基板处理系统，其特征在于，所述非接触式清洗单元包括：
放置架，其可旋转地设置，并且所述基板以张为单元放置于上面
回收容器，其以包围所述放置架的周围的形式设置，并对从所述基板的表面飞散的处理流体进行回收。
32.根据权利要求31所述的基板处理系统，其特征在于，
所述放置架设置为沿着上下方向可移动，
在所述回收容器的内壁沿着上下方向形成有多个回收杯，所述多个回收杯形成有多个回收管，所述多个回收管用于在相互不同的高度对相互不同的所述处理流体进行回收。
33.根据权利要求22所述的基板处理系统，其特征在于，
所述多个清洗单元中预先设定的至少任意一个可在所述清洗路径上被跳过。
34.根据权利要求22所述的基板处理系统，其特征在于，还包括：
隔断单元，其将所述清洗单元的清洗空间与其之外的空间独立地隔断，
所述隔断单元包括外壳和开闭部件，所述外壳以包裹所述基板的周边的形式设置，并且提供独立的清洗处理空间，所述开闭部件沿着所述上下方向直线移动，并且对所述外壳的进出口进行开闭，
在所述外壳的外面形成有下部短坎部、上部短坎部、侧部倾斜短坎部，所述下部短坎部配置于所述外壳的进出口的下部，所述上部短坎部配置于所述外壳的进出口的上部，所述侧部倾斜短坎部倾斜地配置于所述外壳的进出口侧部，
在所述开闭部件的上部内面以接触于所述上部短坎部的上面的形式形成有延长短坎部，
所述开闭部件的下部底面接触于所述下部短坎部的上面，
所述开闭部件的侧面接触于所述侧部倾斜短坎部。
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