JP3326642B2 - 基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置 - Google Patents

基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置

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    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の研磨平坦化
を行った後のパーティクル・レベルを低減させることが
可能な基板の研磨後処理方法、およびこれに用いて好適
な研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＶＬＳＩ，ＵＬＳＩ等の半導体装置にお
いては、高集積化が進むにつれてチップ内のデバイス段
差が増大している。たとえば、スタック型キャパシタを
用いるＤＲＡＭでは、所定のセル容量を確保する必要か
らある程度以上はセル高さを減少させることはできず、
セル領域と周辺領域との間に大きな絶対段差が発生す
る。また、ゲート・アレイ等の論理デバイスでは、チッ
プ内における配線領域の占有面積を抑えながら配線チャ
ネル数を増加するために多層配線が行われているが、こ
の配線領域と周辺領域との間にも大きな絶対段差が存在
する。
【０００３】かかる大きなデバイス段差は、高開口数
（ＮＡ）と短波長化に伴う焦点深度の低下が深刻化して
いる現状のフォトリソグラフィにおいて、正確なパター
ン形成を阻害する大きな要因となる。このため、デバイ
ス表面の絶対段差を低減する、いわゆるグローバル平坦
化の必要性が高まっている。
【０００４】グローバル平坦化には幾つかの手法が知ら
れているが、中でも化学機械研磨（ＣＭＰ：ｃｈｅｍｉ
ｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）
法は、ウェハ面内における除去速度が均一で、表面の微
小な突起（スパイク）も速やかに除去できる方法であ
る。これは、典型的には化学繊維からなる研磨布を貼着
した研磨定盤上に高純度シリカ微粒子を含有する研磨ス
ラリーを供給し、この表面に上方からスピンドル・ヘッ
ドに真空吸着されたウェハの被研磨面を摺接させながら
研磨を行う方法である。これにより、トレンチ埋込み後
の酸化膜の平坦化、多層配線における層間絶縁膜の平坦
化、さらに埋込み型あるいは全面堆積型の金属膜の平坦
化等が検討されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、化学機
械研磨法にはパーティクル汚染によるデバイスの信頼性
低下をいかに防止するかといった課題も残されている。
このパーティクル汚染源としては、研磨スラリーに含ま
れるシリカ微粒子、研磨に伴って被研磨面から発生する
パーティクル、研磨布の疲労破壊により発生するパーテ
ィクル等が考えられるが、本発明者の観察によると、最
大の原因はシリカ微粒子である。
【０００６】このため、化学機械研磨は有効な後処理方
法と組み合わせて実施することが特に重要とされてい
る。現状ではこの後処理として、ブラシ・スクラブ洗浄
（物理洗浄）やディップ式洗浄（化学洗浄または薬液洗
浄）が広く行われているが、生産性や除去効果を十分満
足する方法は未だ確立されていない。
【０００７】このように生産性や除去効果が十分に満足
されない原因としては、次のようなことが考えれる。す
なわち、シリカ微粒子の表面には通常、水酸基（−Ｏ
Ｈ）が２．４〜３．２×１０4 個／ｃｍ2 の割合で存在
するが、被研磨面上にも水酸基が存在すると、双方の水
酸基の間で水素結合が形成される。特に、ＳｉＯx 系層
間絶縁膜の平坦化を行うプロセスでは被研磨面に水酸基
が多く存在するため、かかるシリカ粒子の吸着量が多く
なる。
【０００８】しかし、研磨が終了して被研磨面が乾燥す
ると、上記の水素結合部分において脱水縮合が起こり、
シリカ粒子と被研磨面とがシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）
により連結されてしまう。かかる共有結合が一旦生成し
てしまうと、通常の物理洗浄や薬液洗浄ではもはや除去
することができない。
【０００９】さらに、従来は研磨処理と後処理とがそれ
ぞれ別の装置で行われているが、これによるクリーン・
ルーム内での装置占有面積の増大や、装置間でウェハを
搬送することに伴うスルー・プットの低下や新たな汚染
の虞れ等が懸念される。そこで本発明は、研磨処理、特
に化学機械研磨処理を行った後にパーティクル汚染を有
効に防止することが可能な基板の研磨後処理方法、およ
びこれに用いる研磨装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述の目的
を達成するために検討を行った結果、被研磨面へのシリ
カ微粒子の固着を防止するためにはシロキサン結合の生
成を抑えることが必要であり、このためには研磨処理後
に次工程へ基板を搬送する間にも、常に基板を乾燥させ
ないことが重要であることを見出した。
【００１１】本発明は、上述の知見にもとづいて提案さ
れるものである。すなわち、本発明の基板の研磨後処理
方法は、基板に研磨処理を施した直後から後処理が終了
するまでの間、シャワーヘッド又は超音波加湿器によ
り、該基板の湿潤状態を維持するものである。
【００１２】上記研磨処理は、典型的には化学機械研磨
処理である。また、上記の後処理は、薬液洗浄により行
うことができる。この薬液洗浄は、半導体プロセスにお
いて通常用いられているＳＣ−１洗浄液（ＮＨ4 ＯＨ／
Ｈ2Ｏ2 ／Ｈ2 Ｏ）や希フッ酸等を用いて行うことがで
きる。また、この薬液洗浄をさらに物理洗浄と組み合わ
せると、一層効果的である。この物理洗浄としては、ブ
ラシ・スクラブ洗浄、脱イオン水を用いた精密スクラブ
洗浄、高圧水吹き付け洗浄、超音波洗浄（メガソニック
洗浄を含む）等が挙げられる。このとき、実用的には、
物理洗浄を行った後に薬液洗浄を行うことが特に有効で
ある。
【００１３】さらに、上記薬液洗浄はディップ洗浄でも
良いが、パーティクル汚染を効果的に低減させる観点か
らは、スピン洗浄により行うことが特に好ましい。
【００１４】かかる研磨後処理方法を実施するために
は、基板に研磨処理、特に化学機械研磨を施す研磨ユニ
ットと、該基板の洗浄処理を行う洗浄ユニットと、該基
板のリンスおよび乾燥を行うリンス／乾燥ユニットとを
備え、隣接するこれらユニット間が、シャワーヘッド又
は超音波加湿器により前記基板を湿潤雰囲気下で搬送可
能なユニット間湿潤搬送機構により連結されてなる研磨
装置を用いる。
【００１５】研磨処理を終了したウェハは、次の洗浄工
程へ送られる前に一旦、基板待機手段により保持される
ので、まずここに基板の湿潤状態を維持するための機能
を付与することができる。なお、研磨処理時は通常、基
板はスピンドル・ヘッドに被研磨面が下向き（フェイス
・ダウン）となるように保持され、後処理時には基板ス
テージ上に上向き（フェイス・アップ）となるように保
持されるので、この基板待機手段には必要に応じて基板
の表裏を反転させる機能が付加されていても良い。
【００１６】上記洗浄ユニットは、前記基板の薬液洗浄
を行う薬液洗浄室を少なくとも１基設けたものである。
２基以上設けた場合には、各薬液洗浄室で同じ薬液を用
いてパーティクル・レベルを段階的に向上させても良い
が、パーティクル除去特性の異なる薬液を用いた洗浄を
行うこともできる。あるいは、薬液洗浄室に加えて物理
洗浄室を少なくとも１基設けた洗浄ユニットを用いても
良い。物理洗浄室を２基以上設けた場合には、各室内で
異なる種類の洗浄を行ったり、あるいは基板の表面と裏
面とに分けた洗浄を行うこともできる。
【００１７】効果的なパーティクル除去を行う観点から
は、物理洗浄室は薬液洗浄室の前段に配置することが特
に望ましい。なお、いずれの場合にも、薬液洗浄室には
スピン洗浄手段を設けることが特に好適である。
【００１８】ここで、上記洗浄ユニット内の隣接する各
洗浄室間は、上記基板を湿潤雰囲気下で搬送可能なユニ
ット内湿潤搬送機構により連結することができる。この
場合、湿潤雰囲気を作り出す手段としては、ノズルやシ
ャワー・ヘッドを用いた純水散布や超音波加湿等があ
る。さらに、前記研磨ユニット、前記洗浄ユニット、お
よび前記リンス／乾燥ユニットはそれぞれパーティクル
・レベルが異なるため、隔壁によりその内部雰囲気が相
互に分離されていることが特に好ましい。この場合、こ
の隔壁に前記ユニット間湿潤搬送機構を組み込むことが
できる。
【００１９】さらに、これらのユニット中で最もパーテ
ィクル・レベルの高いのは研磨ユニットであるから、こ
の内部雰囲気を他のユニットの内部雰囲気よりも減圧と
しておくと良い。
【００２０】
【作用】本発明では、研磨処理後の後処理が終了するま
での間に、シャワーヘッド又は超音波加湿器により、基
板の乾燥が防止されるので、パーティクルを通常の物理
洗浄や薬液洗浄で除去可能な状態に保つことができ、結
果的にパーティクル汚染を効果的に抑制することができ
る。特に、シリカ微粒子を砥粒として用いる化学機械研
磨においては、たとえ研磨処理中にシリカ微粒子が被研
磨面との相互作用により該被研磨面に吸着されていて
も、乾燥が防止されることにより脱水縮合によるシロキ
サン結合の生成には至らない。したがって、パーティク
ルの主因をなすシリカ粒子は、通常の薬液洗浄で容易に
除去することができる。さらに、薬液洗浄を物理洗浄と
組み合わせて行った場合には、水素結合に代表される上
記相互作用をそのエネルギーを上回る機械的エネルギー
により破壊する効果が加わるため、パーティクル除去効
果を一層高めることができる。
【００２１】なお、上記薬液洗浄を特にスピン洗浄によ
り行えば、薬液流が常に被研磨面上のパーティクルを流
し去りながら洗浄を行うことができ、パーティクル・レ
ベルが大幅に低減される。
【００２２】また、本発明の研磨装置では、研磨ユニッ
ト、洗浄ユニット、リンス／乾燥ユニットが、シャワー
ヘッド又は超音波加湿器により、相互にユニット間湿潤
搬送機構により連結されている他、上記研磨ユニット内
の基板待機手段、さらに上記洗浄ユニット内の複数の洗
浄室間を連結するユニット内湿潤搬送機構のシャワーヘ
ッド又は超音波加湿器により、基板を湿潤状態に保持す
る工夫が施されているため、研磨処理／物理洗浄／薬液
洗浄／リンスに至る一連の工程を基板を乾燥させずに行
うことができる。これら各ユニットを互いに隔壁により
分離した場合には、パーティクル・レベルの本来低いユ
ニットにパーティクル・レベルの高いユニットからの悪
影響が及ぶことを防止することができ、パーティクル低
減効率が向上する。さらに、全ユニット中で最もパーテ
ィクル・レベルの高い研磨ユニットの内部雰囲気を他の
ユニットの内部雰囲気よりも減圧としておくことによ
り、研磨ユニット内パーティクルの他ユニットへの拡散
を防止することができ、やはりパーティクル・レベルの
改善上有利となる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の基板の研磨後処理方法を具体
的な実験結果にもとづいて説明し、さらに本発明の研磨
装置の具体的な構成例について説明する。
【００２４】実験例１ 本実験例では、化学機械研磨から後処理であるスピン洗
浄（薬液洗浄）に至るまでの間のウェット（湿潤）搬送
の効果を確認する実験を行った。サンプル作成方法は、
以下のとおりである。すなわち、５インチ径Ｓｉウェハ
上に膜厚約４００ｎｍに形成されたＳｉＯ2 層間絶縁膜
を残り膜厚が約２００ｎｍとなるまで同一条件にて化学
機械研磨を行った後、これらのウェハを２グループに分
け、一方は水中に保管しながら、他方は一旦乾燥させた
状態でそれぞれスピン洗浄工程へ搬送し、同一条件にて
ＳＣ−１洗浄を行った。その後、粒径０．３μｍ以上の
パーティクルを、パーティクル・カウンタを用いて測定
した。
【００２５】結果を図１に示す。水中保管によるウェッ
ト搬送を行ったグループ〔１〕では、乾燥状態で搬送し
たグループ〔２〕に比べてパーティクル総数が１桁減少
していることが明らかである。これは、ＳｉＯ2 層間絶
縁膜の表面の乾燥が防止されることにより、シリカ粒子
とＳｉＯ2 層間絶縁膜との間のシロキサン結合の生成が
抑制されたためであると考えられる。
【００２６】本実験例により、ウェット搬送の有効性が
確認された。
【００２７】実験例２ 本実験例では、スピン洗浄（薬液洗浄）前の物理洗浄の
効果を確認する実験を行った。サンプル作成方法は、以
下のとおりである。すなわち、実施例１と同様に化学機
械研磨を行った後、これらのウェハを２グループに分
け、一方はブラシ・スクラブ洗浄を経てスピン洗浄工程
へ搬送し、他方は直接にスピン洗浄工程へ搬送した。な
お、両グループとも、搬送は水中保管によるウェット搬
送とした。これら両グループのウェハについて、実施例
１と同様にＳＣ−１洗浄を行い、粒径０．３μｍ以上の
パーティクル総数を比較した。
【００２８】結果を図２に示す。ブラシ・スクラブ洗浄
を行ったグループ〔３〕では、行わなかったグループ
〔４〕に比べてパーティクル総数が２桁減少しているこ
とが明らかである。これは、ブラシ・スクラブ洗浄によ
りウェハ表面に存在するシリカ微粒子が予めかなり低減
された結果、スピン洗浄時に液中に浮遊するパーティク
ル数が減少し、ＳｉＯ2 層間絶縁膜表面への再付着が抑
制されたためであると考えられる。
【００２９】本実験例により、薬液洗浄前の物理洗浄の
効果が確認された。
【００３０】実験例３ 本実験例では、薬液洗浄としてのスピン洗浄の効果を確
認する実験を行った。サンプル作成方法は、以下のとお
りである。すなわち、実施例２と同様に化学機械研磨お
よびブラシ・スクラブ洗浄を行った後、これらのウェハ
を４グループに分け、ひとつはスピン洗浄工程、ひとつ
はディップ洗浄工程、ひとつは精密スクラブ洗浄とディ
ップ洗浄の組み合わせ工程、残るひとつは精密スクラブ
洗浄工程へ搬送した。なお、上記スピン洗浄およびディ
ップ洗浄には、沸騰ＳＣ−１溶液（ＳＣ−１ボイル）と
希フッ酸（ＤＨＦ）を使用した。また、いずれのグルー
プも、搬送は水中保管によるウェット搬送とした。
【００３１】これら各グループのウェハについて、粒径
０．３μｍ以上のパーティクル総数を測定した結果を、
図３に示す。スピン洗浄を行ったグループ〔５〕に対す
るプロセスは、前述の実施例２のグループ〔３〕と同じ
であり、したがって結果も同じである。ディップ洗浄を
行ったグループ〔６〕ではパーティクル・レベルが大き
く劣化しているが、これは洗浄液中に浮遊するパーティ
クルの再付着が生じたためである。また、精密スクラブ
洗浄のみを行ったグループ〔８〕でもこれに次いでパー
ティクル・レベルが劣化しているが、これはブラシに残
留するパーティクルの再付着が原因と考えられる。精密
スクラブ洗浄とディップ洗浄を組み合わせて行ったグル
ープ〔７〕では、グループ〔６〕およびグループ〔８〕
に比べれば大きな改善がみられるが、スピン洗浄を行っ
たグループ〔５〕には及んでいない。したがって、最終
的な薬液洗浄方法としては、やはりスピン洗浄が最も優
れていることが確認された。
【００３２】実施例 本実施例では、上述の実験結果を踏まえ、化学機械研磨
→物理洗浄→薬液洗浄→リンスの一連の工程を連続的か
つウェハを乾燥させずに行う研磨装置を構成した。ま
ず、上記研磨装置全体の概略を図４に示す。この装置
は、作業の流れ順にしたがって、ローダ・ユニットＩ、
研磨ユニットII、洗浄ユニットIII 、リンス／乾燥ユニ
ットＩＶ、アンローダ・ユニットＶの５つの主要ユニッ
トが直列に配列された構成を有する。これら各ユニット
は並列な２本の処理ラインを有しており、２枚のウェハ
について同時処理が可能とされている。
【００３３】上記各ユニットは、それぞれ達成されるべ
き清浄度が異なるため、互いに隔壁２７，１３，２２，
２５により分離され、各ユニット毎の清浄度の維持が図
られている。また、研磨ユニットIIは最も大量のパーテ
ィクルを発生するユニットであるため、その内部雰囲気
は前段のローダ・ユニットＩおよび後段の洗浄ユニット
III よりも減圧とされ、パーティクルの拡散を防止する
ようになされている。
【００３４】また、研磨ユニットIIからリンス／乾燥ユ
ニットＩＶに至る間の隔壁１３，２２には、ゲート・バ
ルブと湿潤搬送の機能を兼ねたユニット間湿潤搬送機構
１２，２１が組み込まれており、これを通じてウェハが
湿潤下に搬送されるようになされている。なお、リンス
／乾燥ユニットＩＶとアンローダ・ユニットＶの間のユ
ニット間搬送機構２４は、湿潤環境を与えるものではな
い。
【００３５】次に、各ユニットについて順次説明する。
上記ローダ・ユニットＩは、２個のウェハ・カセット１
を収容している。個々のウェハ・カセット１には、複数
枚のウェハがそれぞれ被研磨面を上側に向けた（フェイ
ス・アップ）状態で納められている。
【００３６】研磨ユニットIIは、上記ウェハ・カセット
１から隔壁２７を通して１枚ずつウェハを取り出し表裏
を反転させる真空チャック式の搬送アーム２、この搬送
アーム２により取り出されたウェハを被研磨面を下側に
向けた（フェイス・ダウン）状態で待機させるウェハ・
マウント部３、ウェハ・マウント部３上で待機している
ウェハを真空チャックを用いて吸着するスピンドル・ヘ
ッド６、このスピンドル・ヘッド６を保持する梁状のホ
ルダ７、このホルダ７を矢印Ｂ方向にスライドさせるた
めのガイド・レール４、矢印Ａ方向に回転しながらウェ
ハの被研磨面と所定圧力にて摺接されることによりこれ
を研磨する研磨定盤５、この研磨定盤５の表面に張設さ
れたポリウレタン研磨布を再生するために一端を支点と
して矢印Ｃ方向に回転可能に設置されたドレッサー８、
研磨後のウェハをフェイス・ダウン状態で湿潤保持する
と共に、スピンドル・ヘッド６のクリーニングも兼ねた
ウェハ・マウント部９、このウェハ・マウント部９から
ウェハを取り出し、その表裏を反転させる真空チャック
式の搬送アーム部１０、この搬送アーム部１０から脱着
されたウェハをフェイス・アップ状態で待機させるウェ
ハ・マウント部１１等の部材からなる。
【００３７】ここで、上記ウェハ・マウント部９，１１
には、化学機械研磨処理を終了した基板をその湿潤状態
を維持しながら待機させるために、本発明の特色ある乾
燥防止策が施されている。この詳細な構成を、図５に示
す。この図は、ウェハ・マウント部９、搬送アーム部１
０、ウェハ・マウント部１１の各部を示す要部拡大断面
図である。
【００３８】研磨を終了したウェハＷはスピンドル・ヘ
ッド６に吸着された状態でホルダ７によってウェハ・マ
ウント９へ搬送され、矢印Ｆ1 方向に上下動が可能なス
テージ３１上にフェイス・ダウン状態で載置される。こ
のステージ３１の周囲からは、脱イオン水供給系統４２
から送水される脱イオン水がノズル３２を通じて散布さ
れ、ウェハＷの裏面（被研磨面でない方）の乾燥を防止
している。これらの部材はカップ３０の中に収容されて
おり、パーティクルを含んで流下した脱イオン水は、該
カップ３０の底面の排水口から排液系統４３へ送出され
る。
【００３９】上記搬送アーム部１０は、矢印Ｆ2 方向の
上下動と矢印Ｅ方向の回転運動が可能な支柱３３、この
支柱３３に接続されるアーム３４、このアーム３４の先
端部を矢印Ｄ方向に回転させるモータ３５、およびアー
ムの３４の先端部にてウェハを吸着するチャッキング・
ヘッド３６等の部材からなる。上記アーム３４および支
柱３３の内部には、一端が真空系統４４に接続され、他
端が上記チャッキング・ヘッド３６のチャッキング面に
開口する排気管３７が挿通されており、ここを通じた排
気流によりウェハＷがチャッキングされるようになされ
ている。
【００４０】また、上記ウェハ・マウント部１１は、上
記アーム３４により搬送されたウェハＷをフェイス・ア
ップ状態で載置し、矢印Ｆ3 方向に上下動が可能なステ
ージ３９を備えている。このときのウェハＷの表面（被
研磨面）には、脱イオン水供給系統４２から送水される
脱イオン水が上記ステージ３９内部に挿通される給水配
管４０通じてシャワー・ヘッド４１から散布され、乾燥
を防止するようになされている。これらの部材はカップ
３８の中に収容されており、パーティクルを含んで流下
した脱イオン水は、該カップ３８の底面の排水口から排
液系統４３へ送出される。
【００４１】図４に戻り、次の洗浄ユニットIII につい
て説明する。この洗浄ユニットIIIは、１ラインにつき
直列に４個ずつ、計８個の洗浄室１４，１６，１８，２
０を有しており、各洗浄室間はゲート・バルブと湿潤搬
送の機能を兼ねたユニット内湿潤搬送機構１５，１７，
１９により接続されている。これらの洗浄室１４，１
６，１８，２０で行われる洗浄の種類は、任意に組み合
わせることができる。たとえば、一例として前二者を物
理洗浄用、後二者を薬液洗浄用とし、洗浄室１４ではウ
ェハＷの表面（被研磨面）のブラシ・スクラブ洗浄、洗
浄室１６ではウェハＷの裏面（被研磨面でない方）のブ
ラシ・スクラブ洗浄、洗浄室１８ではＳＣ−１洗浄液を
用いたウェハＷの裏面のスピン洗浄、洗浄室２０では希
フッ酸を用いたウェハＷの表面のスピン洗浄を行うこと
ができる。
【００４２】なお、上記の物理洗浄は、上記の組み合わ
せ以外にも、ブラシ・スクラブ洗浄と精密スクラブ洗浄
の組み合わせ、あるいはメガソニック洗浄とブラシ・ス
クラブ洗浄の組み合わせにより行っても良い。また、上
記の薬液洗浄において、ＳＣ−１洗浄はＳｉＯ2 層間絶
縁膜の平坦化プロセス終了時にウェハＷの裏面に通常被
着されているポリシリコン層の除去、希フッ酸洗浄は金
属やパーティクルの除去を目的として行うものである。
当然のことながら、薬液の種類はウェハＷが経てきたプ
ロセスの内容に応じて最適なものを選択するようにす
る。
【００４３】ところで、本発明の特色ある乾燥防止策
は、洗浄室１４，１６、およびユニット内湿潤搬送機構
１５，１７，１８にも施されている。ここではその代表
例として、洗浄室１４、ユニット内湿潤搬送機構１５、
洗浄室１６の要部拡大断面図を図６に示す。なお、他の
ユニット内湿潤搬送機構１７，１９、あるいはユニット
間湿潤搬送機構１２，２１の構成も、基本的には以下に
述べるユニット内湿潤搬送機構１５と同様である。
【００４４】まず洗浄室１４は、前段のユニット間湿潤
搬送機構１２からゲート・バルブ５１を介して接続され
ているチャンバ５２内に、ウェハＷを載置し矢印Ｈ1 方
向の上下動と矢印Ｇ1 方向の回転が可能となされたステ
ージ５３、およびウェハＷに向けて脱イオン水供給系統
６１から送水される脱イオン水を散布するノズル５４を
有している。なお、図６ではすべての洗浄室１４，１
６，１８，２０に共通する部材のみを示しており、物理
洗浄用のブラシや薬液洗浄用の薬液供給ノズル等、個別
の洗浄に特有の部材は図示されていない。
【００４５】次段のユニット間湿潤搬送機構１５は、洗
浄室１４における洗浄処理を終了したウェハＷをゲート
・バルブ５１を介して取り出す機構であり、チャンバ５
５内にウェハＷを搬送するアーム５６と、脱イオン水供
給系統６１から送水される脱イオン水を該チャンバ５５
の天井から散布するシャワー・ヘッド５７を有する。な
お、湿潤環境を与える手段としては、上記シャワー・ヘ
ッド５７の他、超音波加湿装置を用いることもできる。
【００４６】また、洗浄室１４と洗浄室１６との間でウ
ェハＷの表裏を反転させる必要がある場合には、上記ア
ーム５６に前述のアーム３４に装着されていたようなモ
ータを取り付ければ良い。
【００４７】さらに次段の洗浄室１６の構成は洗浄室１
４と基本的には同じであり、前段のユニット間湿潤搬送
機構１５からゲート・バルブ５１を介して接続されてい
るチャンバ５８内に、ウェハＷを載置し矢印Ｈ2 方向の
上下動と矢印Ｇ2 方向の回転が可能となされたステージ
５９、およびウェハＷに向けて脱イオン水を散布するノ
ズル６０を有している。
【００４８】この洗浄室１６における洗浄を終了したウ
ェハＷは、ゲート・バルブ５１を介してさらに次段の洗
浄室１７へ搬出される。なお、これらの各チャンバ５
２，５５，５８においてパーティクルを含んで流下した
脱イオン水は、チャンバ底部の排水口から排液系統６２
へ送出される。
【００４９】図４に戻り、次のリンス／乾燥ユニットＩ
Ｖについて説明する。このリンス／乾燥ユニットＩＶ
は、脱イオン水によるウェハＷのリンスとスピン乾燥を
行うためのリンス／乾燥装置２３を有する。スピン乾燥
時には、装置上部のエア・フィルターを通じてウェハＷ
面に乾燥用の清浄な空気が供給されるようになされてい
る。
【００５０】最後のアンローダ・ユニットＶは、２個の
ウェハ・カセット２６を収容している。個々のウェハ・
カセット２６には、乾燥されたウェハが順次、被研磨面
を上側に向けた（フェイス・アップ）状態で納められ
る。
【００５１】このように構成された研磨装置を用いて実
際に数百枚のウェハの連続処理を行ったところ、パーテ
ィクル・レベルは常に良好に維持され、再現性の高い研
磨処理およびこれに続く後処理を行うことができた。
【００５２】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の基板の研磨後処理方法によれば、化学機械研磨が終
了した後、物理洗浄、薬液洗浄、リンスに至る一貫した
プロセスにおいて、シャワーヘッド又は超音波加湿器に
より、ウェハＷの湿潤状態を常に維持できるため、パー
ティクルの除去効率が大幅に改善される。しかも、これ
らのプロセスを行う手段がすべて一体化された研磨装置
を用いるため、クリーン・ルーム内におけるスペース効
率が向上し、さらに不要な汚染を防止し、スループット
を向上させ、ひいては経済性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】化学機械研磨からスピン洗浄に至るまでの間の
ウェット搬送の効果を確認する実験の手順および結果を
示す図である。
【図２】スピン洗浄前の物理洗浄の効果を確認する実験
の手順および結果を示す図である。
【図３】薬液洗浄としてのスピン洗浄の効果を他の洗浄
方法と比較する実験の手順および結果を示す図である。
【図４】本発明の研磨装置の構成例を示す模式的上面図
である。
【図５】上記研磨装置の研磨ユニットに含まれるウェハ
・マウント部と搬送アーム部の構成例を示す要部拡大断
面図である。
【図６】上記研磨装置の洗浄ユニットに含まれる洗浄室
とユニット内搬送機構の構成例を示す要部拡大断面図で
ある。
【符号の説明】
Ｉ ・・・ローダ・ユニット II ・・・研磨ユニット III ・・・洗浄ユニット ＩＶ ・・・リンス／乾燥ユニット Ｖ ・・・アンローダ・ユニット ５ ・・・研磨定盤 ６ ・・・スピンドル・ヘッド ９，１１ ・・・ウェハ・マウント部 １０ ・・・搬送アーム部 １２，２１ ・・・ユニット間湿潤搬送機構 １３，２２，２５，２７・・・隔壁 １４，１６，１８，２０・・・洗浄室 １５，１７，１９ ・・・ユニット内湿潤搬送機構 ２３ ・・・リンス／乾燥装置 ３１，３９，５３，５９・・・ステージ ３２ ・・・ノズル ４１，５７ ・・・シャワー・ヘッド
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/02 H01L 21/68

Claims (14)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板に研磨処理を施した直後から後処理
    が終了するまでの間、シャワーヘッド又は超音波加湿器
    により、該基板の湿潤状態を維持することを特徴とする
    基板の研磨後処理方法。
  2. 【請求項２】 前記研磨処理は、化学機械研磨処理であ
    ることを特徴とする請求項１記載の基板の研磨後処理方
    法。
  3. 【請求項３】 前記後処理は、薬液洗浄工程を含むこと
    を特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板の研
    磨後処理方法。
  4. 【請求項４】 前記後処理は、物理洗浄工程と薬液洗浄
    工程とを含むことを特徴とする請求項１または請求項２
    に記載の基板の研磨後処理方法。
  5. 【請求項５】 前記薬液洗浄工程ではスピン洗浄を行う
    ことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の基板
    の研磨後処理方法。
  6. 【請求項６】 基板に研磨処理を施す研磨ユニットと、
    該基板の洗浄処理を行う洗浄ユニットと、該基板のリン
    スおよび乾燥を行うリンス／乾燥ユニットとを備え、隣
    接するこれらユニット間が、シャワーヘッド又は超音波
    加湿器により前記基板を湿潤雰囲気下で搬送可能なユニ
    ット間湿潤搬送機構により連結されてなることを特徴と
    する研磨装置。
  7. 【請求項７】 前記研磨ユニットは化学機械研磨手段を
    有することを特徴とする請求項６記載の研磨装置。
  8. 【請求項８】 前記研磨ユニットは、研磨処理を終了し
    た基板をその湿潤状態を維持しながら待機させる基板待
    機手段を備えることを特徴とする請求項６または請求項
    ７に記載の研磨装置。
  9. 【請求項９】 前記洗浄ユニットは、前記基板の薬液洗
    浄を行う薬液洗浄室を少なくとも１基備えてなることを
    特徴とする請求項６ないし請求項８のいずれか１項に記
    載の研磨装置。
  10. 【請求項１０】 前記洗浄ユニットは、前記基板の物理
    洗浄を行う物理洗浄室と、前記基板の薬液洗浄を行う薬
    液洗浄室とを少なくとも１基ずつ備えてなることを特徴
    とする請求項６ないし請求項８のいずれか１項に記載の
    研磨装置。
  11. 【請求項１１】 前記薬液洗浄室は、スピン洗浄手段を
    備えてなることを特徴とする請求項９または請求項１０
    に記載の研磨装置。
  12. 【請求項１２】 前記洗浄ユニット内の隣接する各洗浄
    室間は、前記基板を湿潤雰囲気下で搬送可能なユニット
    内湿潤搬送機構により連結されてなることを特徴とする
    請求項９ないし請求項１１に記載の研磨装置。
  13. 【請求項１３】 前記研磨ユニット、前記洗浄ユニッ
    ト、および前記乾燥ユニットは隔壁によりその内部雰囲
    気が相互に分離され、該隔壁に前記ユニット間湿潤搬送
    機構が組み込まれてなることを特徴とする請求項９ない
    し請求項１２のいずれか１項に記載の研磨装置。
  14. 【請求項１４】 前記研磨ユニットの内部雰囲気は、他
    のユニットの内部雰囲気よりも減圧とされてなることを
    特徴とする請求項６ないし請求項１３のいずれか１項に
    記載の研磨装置。
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Families Citing this family (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5885138A (en) 1993-09-21 1999-03-23 Ebara Corporation Method and apparatus for dry-in, dry-out polishing and washing of a semiconductor device
DE19544328B4 (de) 1994-11-29 2014-03-20 Ebara Corp. Poliervorrichtung
KR100487590B1 (ko) * 1995-08-21 2005-08-04 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 폴리싱장치
US7097544B1 (en) * 1995-10-27 2006-08-29 Applied Materials Inc. Chemical mechanical polishing system having multiple polishing stations and providing relative linear polishing motion
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
JPH09139368A (ja) * 1995-11-14 1997-05-27 Sony Corp 化学的機械研磨方法
US5624303A (en) * 1996-01-22 1997-04-29 Micron Technology, Inc. Polishing pad and a method for making a polishing pad with covalently bonded particles
EP0803326B1 (en) * 1996-04-26 2002-10-02 Ebara Corporation Polishing apparatus
JPH11156704A (ja) * 1997-11-21 1999-06-15 Ebara Corp 基板の研磨装置
US6413156B1 (en) 1996-05-16 2002-07-02 Ebara Corporation Method and apparatus for polishing workpiece
JP3560051B2 (ja) * 1996-11-15 2004-09-02 株式会社荏原製作所 基板の研磨方法及び装置
JP2000315665A (ja) 1999-04-29 2000-11-14 Ebara Corp 研磨方法及び装置
US6221171B1 (en) 1996-06-04 2001-04-24 Ebara Corporation Method and apparatus for conveying a workpiece
DE69739740D1 (de) 1996-11-14 2010-03-04 Ebara Corp Drainageanordnung einer Polieranlage
JPH10163138A (ja) * 1996-11-29 1998-06-19 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法および研磨装置
US6036582A (en) * 1997-06-06 2000-03-14 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6613674B1 (en) * 1997-11-12 2003-09-02 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of forming integrated circuitry, and methods of forming dynamic random access memory circuitry
EP0954407B1 (en) 1997-11-21 2004-07-21 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP2000040684A (ja) * 1998-07-23 2000-02-08 Ebara Corp 洗浄装置
JP2000040679A (ja) * 1998-07-24 2000-02-08 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US6132294A (en) * 1998-09-28 2000-10-17 Siemens Aktiengesellschaft Method of enhancing semiconductor wafer release
JP3048142B2 (ja) * 1998-10-19 2000-06-05 株式会社東京精密 ウェーハ加工装置
JP3979750B2 (ja) * 1998-11-06 2007-09-19 株式会社荏原製作所 基板の研磨装置
KR20000033394A (ko) * 1998-11-23 2000-06-15 윤종용 Cmp용 연마제 와 그 제조방법
US6354922B1 (en) 1999-08-20 2002-03-12 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6358128B1 (en) 1999-03-05 2002-03-19 Ebara Corporation Polishing apparatus
JP3693847B2 (ja) 1999-03-26 2005-09-14 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 研磨後ウェハの保管方法および装置
US20010014498A1 (en) * 1999-04-30 2001-08-16 Gregory M. Amico Method and apparatus for forming an inlaid capacitor in a semiconductor wafer
US6251001B1 (en) * 1999-05-10 2001-06-26 Applied Materials, Inc. Substrate polishing with reduced contamination
JP4554011B2 (ja) 1999-08-10 2010-09-29 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
KR100356987B1 (ko) * 2000-01-22 2002-10-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 열경화성 수지 제거용 조성물
US6416391B1 (en) * 2000-02-28 2002-07-09 Seh America, Inc. Method of demounting silicon wafers after polishing
TW492100B (en) * 2000-03-13 2002-06-21 Disco Corp Semiconductor wafer processing apparatus
JP2001274123A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板研磨装置及び基板研磨方法
JP4672829B2 (ja) * 2000-04-19 2011-04-20 株式会社岡本工作機械製作所 研削されたウエハの洗浄・搬送方法
US6488565B1 (en) * 2000-08-29 2002-12-03 Applied Materials, Inc. Apparatus for chemical mechanical planarization having nested load cups
US6409051B1 (en) * 2000-09-28 2002-06-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for dispensing a fluid media
DE10052762A1 (de) * 2000-10-25 2002-05-16 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen einer Halbleiterscheibe
JP2003051481A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US6638145B2 (en) * 2001-08-31 2003-10-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. Constant pH polish and scrub
US6949411B1 (en) 2001-12-27 2005-09-27 Lam Research Corporation Method for post-etch and strip residue removal on coral films
US8522799B2 (en) * 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
DE102005000645B4 (de) 2004-01-12 2010-08-05 Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten
JP4764604B2 (ja) * 2004-01-30 2011-09-07 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路装置の製造方法
US7393265B2 (en) * 2004-10-08 2008-07-01 Showa Denko K.K. Liquid honing machine and liquid honing method
US20080173335A1 (en) * 2005-04-11 2008-07-24 Doosan Mecatec Co., Ltd Semiconductor Wafer Cleaning System
US7172496B1 (en) * 2005-08-17 2007-02-06 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for cleaning slurry depositions from a water carrier
JP2007222753A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Hoya Corp 洗浄装置及び洗浄方法
US20070240734A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Ching-Wen Teng Method of cleaning post-cmp wafer
KR100757850B1 (ko) * 2006-06-22 2007-09-11 세메스 주식회사 기판 처리 방법
JP2007043183A (ja) * 2006-09-05 2007-02-15 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法
KR100840648B1 (ko) 2006-12-29 2008-06-24 동부일렉트로닉스 주식회사 화학기계적 연마 장치와 이를 이용한 웨이퍼 건조 방법
KR101330990B1 (ko) * 2011-03-03 2013-11-20 에이치아이티 주식회사 반도체 제조 설비
JP5878441B2 (ja) 2012-08-20 2016-03-08 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置及び基板処理装置
CN206541806U (zh) * 2016-05-03 2017-10-03 K.C.科技股份有限公司 基板处理系统
US10500691B2 (en) * 2016-08-29 2019-12-10 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6971676B2 (ja) * 2016-08-29 2021-11-24 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
CN110815035B (zh) * 2019-11-14 2021-09-14 杭州众硅电子科技有限公司 一种结合研磨和单晶圆清洗模组的化学机械平坦化设备
CN110919526A (zh) * 2019-11-24 2020-03-27 湖南凯通电子有限公司 陶瓷基板研磨机
CN111958358B (zh) * 2020-08-19 2022-12-09 江苏诚益达智能科技有限公司 一种多形式打磨的工件端面磨抛平台
KR20220122363A (ko) * 2021-02-26 2022-09-02 주식회사 케이씨텍 기판 연마 시스템

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4050954A (en) * 1976-03-25 1977-09-27 International Business Machines Corporation Surface treatment of semiconductor substrates
US4116714A (en) * 1977-08-15 1978-09-26 International Business Machines Corporation Post-polishing semiconductor surface cleaning process
JPS5914464A (ja) * 1982-07-09 1984-01-25 Hitachi Ltd 自動ポリツシング装置
US4680893A (en) * 1985-09-23 1987-07-21 Motorola, Inc. Apparatus for polishing semiconductor wafers
JPH01233734A (ja) * 1988-03-14 1989-09-19 Hitachi Ltd 半導体ウエハの搬送方法およびその装置ならびにそれを用いたウエハ処理装置
JP3225441B2 (ja) * 1991-04-23 2001-11-05 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5320706A (en) * 1991-10-15 1994-06-14 Texas Instruments Incorporated Removing slurry residue from semiconductor wafer planarization
JPH0615565A (ja) * 1991-12-18 1994-01-25 Shin Etsu Handotai Co Ltd ウエーハ自動ラッピング装置
JP3309416B2 (ja) * 1992-02-13 2002-07-29 松下電器産業株式会社 連結式クリーン空間装置
JPH05291231A (ja) * 1992-04-06 1993-11-05 Japan Energy Corp 化合物半導体ウェーハの製造方法
KR100230694B1 (ko) * 1992-05-18 1999-11-15 다카시마 히로시 기판세정처리장치
US5329732A (en) * 1992-06-15 1994-07-19 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
US5498199A (en) * 1992-06-15 1996-03-12 Speedfam Corporation Wafer polishing method and apparatus
JPH0663862A (ja) * 1992-08-22 1994-03-08 Fujikoshi Mach Corp 研磨装置
JP3341033B2 (ja) * 1993-06-22 2002-11-05 忠弘 大見 回転薬液洗浄方法及び洗浄装置

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Publication number Publication date
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JPH07135192A (ja) 1995-05-23

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