CN204927248U - 能够执行多种处理工序的晶片处理系统 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及能够执行多种处理工序的晶片处理系统，本实用新型提供的晶片处理系统，包括：晶片载体，以保持晶片的状态沿着指定的第一路径和第二路径中的至少一个路径移动；第一处理平板，配置于上述第一路径上；以及第二处理平板，配置于上述第二路径上，针对借助上述晶片载体搬运的上述晶片，在上述第一处理平板和上述第二处理平板中的至少一个上执行处理工序，由此可以连续地向处理平板供给晶片载体，从而以高的单位时间效率执行处理工序。

Description

能够执行多种处理工序的晶片处理系统

技术领域

本实用新型涉及一种晶片处理系统，更详细地，涉及一种既可以具有一个配置结构，又可以根据需要来执行多种处理工序，并将在生产线中所占的空间最小化来将空间效率性极大化的晶片处理系统。

背景技术

随着由微细的电线以高密度集成的方式制造，半导体元件在晶片的表面执行与此相对应的精密的研磨。为了更加精密的执行晶片的研磨，执行机械研磨和化学研磨并行的化学机械研磨工序(CMP工序)。

最近，针对一个晶片，执行多种研磨工序来控制精致的研磨层的厚度。为了执行多种研磨工序，正在提出由晶片经由多个处理平板并移动的形态的晶片处理系统。

根据韩国公开专利公报第2011-13384号，公开了晶片载体以搭载有晶片的状态沿着圆形的导轨移动，并在沿着导轨配置的多个处理平板中执行多种研磨工序的结构。但是，由于晶片载体沿着一个导轨依次移动，并执行多种研磨工序，因此，具有可在一个配置结构中执行的多种研磨工序仅仅局限于一种或局限于遗漏一部分处理平板形式的多种研磨工序的问题。

并且，根据韩国公开专利公报第2011-65464号，晶片搭载于能够旋转的圆盘传送带的头部，并由圆盘传送带一边旋转，一边依次在指定的处理平板中执行多种研磨工序。但是，这种结构也只借助圆盘传送带的旋转来指定晶片的移动路径，因此，存在可以在一个配置结构中执行的多种研磨工序仅限于一种或只能仅限于遗漏一部分处理平板的形式的多种研磨工序的界限。

另一方面，如上所述的化学机械研磨工序用于对晶片的研磨层的表面实施平坦化，因此，使用于研磨工序的研磨垫片使用聚氨酯等较为坚硬的材质。将这种平坦化处理工序称之为主研磨工序。

但是，在坚硬的材质的研磨垫片中执行的主研磨工序有可能在晶片的研磨表面引起缺陷，因此，最近在执行主研磨工序之后，在利用更低的硬度的研磨垫片上，执行相比于主研磨工序中所执行的，在更短的时间内，以更为薄的厚度进行研磨的抛光(buffing)研磨工序，从而试图将晶片的研磨面的缺陷最小化。

但是，在以没有损伤的状态对晶片的研磨面进行收尾研磨的抛光研磨工序也可以根据晶片的状态借助多种工序来执行。即，抛光工序可以根据晶片的种类或所执行的化学机械研磨工序的变数而有所不同，通常，虽然抛光工序在一个步骤中得到收尾，但也有可能发生通过两个步骤的抛光工序来对晶片的研磨面进行收尾的情况。

但是，在韩国公开专利公报第2011-13384号和韩国公开专利公报第2011-65464号所公开的利用现有的化学机械研磨系统来执行抛光工序的情况下，不仅使装备变得过度复杂，而且使之后的向清洗单元移送的过程变得复杂，并且也不会相互独立地执行研磨工序，因此，在控制研磨工序的变数方面存在界限。

实用新型内容

解决的技术问题

本实用新型是在上述的技术背景下提出的，本实用新型的目的在于，可以在特化于以晶片的研磨面没有缺陷的状态执行收尾研磨的抛光研磨工序并进行适用，并可以根据蒸镀于晶片的研磨层的种类或厚度来执行多种形态的研磨工序。

由此，本实用新型的目的在于，既能将在半导体生产线中所占的空间最小化，又能根据晶片的状态或种类来执行多种研磨工序。

并且，本实用新型的目的在于，向清洗工序移送已执行研磨工序的晶片之前，向翻转180度的翻转机移送之前先经过预清洗工序，从而防止翻转机的污染。

技术方案

为了实现上述目的，本实用新型提供晶片处理系统，包括：晶片载体，以保持晶片的状态沿着指定的第一路径和第二路径中的至少一个路径移动；第一处理平板，配置于上述第一路径上；以及第二处理平板，配置于上述第二路径上，针对借助上述晶片载体搬运的上述晶片，在上述第一处理平板和上述第二处理平板中的至少一个上执行处理工序。

这是为了，使晶片载体沿着指定的路径移动，并在第一处理平板和第二处理平板中执行已在处理平板上指定的处理工序，由此可以连续地向处理平板供给晶片载体，从而以高的单位时间效率执行处理工序。

此时，上述晶片载体沿着循环路径移动，且上述处理平板配置于上述循环路径上。并且，通过设置沿着上述循环路径引导上述晶片载体的导轨，由此，晶片载体可以一边借助导轨来得到引导，一边在指定的循环路径移动，并执行处理工序。

上述导轨配置成闭环形态，从而以使晶片载体可以在处理平板上执行晶片的处理工序之后，重新回到原来的位置的方式进行配置。由此，可以从已在晶片载体搭载晶片的位置或其附近卸载完成处理工序的晶片，因此，可以在狭小的空间内执行在晶片载体搭载晶片或从晶片载体卸载晶片的工序。

最优选的是，上述第一路径和第二路径以能够相互来往的方式配置。借于此，晶片载体可以分别沿着各个循环路径移动，并相互交叉来进行来往，由此，既可以配置成一个配置结构，又可以进行对晶片的多种处理过程。

例如，在上述第一处理平板中已执行第一处理工序的第一晶片可向上述第一清洗单元供给并执行清洗工序；在上述第二处理平板中已执行第二处理工序的第二晶片可向上述第二清洗单元供给并执行清洗工序。

并且，在处理平板中执行需要相对短的工序时间的处理工序的情况下，在上述第一处理平板中已执行第一处理工序的第一晶片和第二晶片可以交替地向上述第一清洗单元和上述第二清洗单元中的任意一个供给，从而执行清洗工序。

并且，在处理平板中执行需要相对长的工序时间的处理工序的情况下，在上述第一处理平板中已执行第一处理工序的第一晶片和在上述第二处理平板中已执行第二处理工序的第二晶片可以向上述第一清洗单元供给，从而执行清洗工序。

并且，在需要多个步骤的处理工序的情况下，在上述第一处理平板中已执行第一处理工序的第一晶片可以在上述第二处理平板中执行第二处理工序，并供给至上述第一清洗单元以执行清洗工序。

此时，上述两个以上的循环路径的一部分路径能够以相互共用的方式构成，从而不仅可以获得使在两个循环路径中相互来往的工序更加自然的效果，而且还可以获得减少指定的生产现场所占的空间的效果。

另一方面，根据本实用新型的另一实施方式，上述晶片载体能够以沿着往复移动路径进行往复移动的方式构成。在这种情况下，可配置两个以上的往复移动路径，并在各个往复移动路径中分别配置处理平板，而两个以上的往复移动路径能够以相互来往的方式构成。

在以如上所述的方式构成的本实用新型的晶片处理系统中，在上述第一处理平板和上述第二处理平板中执行的研磨工序中的至少一个可以为化学机械研磨工序，也可以为抛光研磨工序。只是，优选地，化学机械研磨工序经由两个步骤以上的研磨步骤，因此，优选地，以如上所述的方式构成的本实用新型应在第一处理平板和第二处理平板中分别单独执行抛光研磨工序或以连续性的两个步骤以上的方式执行抛光研磨工序。

此时，优选地，抛光研磨工序使用硬度低于在化学机械研磨工序中所使用的聚氨酯材质的研磨垫片。

另一方面，借助上述晶片载体搬运的上述晶片可以为已执行化学机械研磨工序的晶片，而在上述处理平板中可以执行上述晶片的抛光研磨工序。

另一方面，N极和S极的永久磁铁以交替方式排列于上述晶片载体，而通过控制沿着移动路径来配置的线圈的电流，上述晶片载体能够以不具有驱动马达的状态移动。像这样，随着不在晶片载体设置驱动马达，能够维持更轻的状态来移动。

并且，如果上述晶片载体到达执行研磨工序的位置，则对接单元与上述晶片载体相对接，从而可以向上述晶片载体传递用于使上述晶片旋转驱动的驱动力和对上述晶片进行加压所需的气动中的任意一个以上。

另一方面，用于向晶片载体传递动力的对接单元以导轨为基准，位于相反的外侧，从而体现更加紧凑的配置结构。由此，上述晶片载体在第一处理平板所处的第一循环路径上的对接单元所对接方向和上述晶片载体在第二处理平板所处的第二循环路径上的对接单元所对接的方向相反。因此，优选地，为了以无需划分的方式使用用于在第一处理平板和第二处理平板中执行处理工序的晶片载体，在晶片载体中的分别相反的反面中形成有两个与对接单元相结合的对接面。

并且，在上述指定的路径中配置有装载单元和卸载单元，上述装载单元用于供给将要执行研磨工序的晶片，上述卸载单元用于排出已执行所有研磨工序的晶片。

尤其，由于具有在向卸载单元供给已执行多种处理工序的晶片之前对上述晶片进行预清洗的预清洗装置，因此，在一边经由研磨等处理工序，一边为了借助粘有研磨粒子或浆料的晶片来向清洗工序中投入晶片而向翻转机翻转180度的工序中，可以防止翻转机的污染。由此，可以减少翻转机的维护所需的时间，从而连续地进行晶片的研磨工序。

此时，上述预清洗装置可以由兆声波清洗机和喷嘴喷射式清洗机中的任意一个形成。在兆声波清洗机的情况下，向所喷射的清洗液传递高频的兆声波能量来使清洗液振动，来制成强有力的流体形态的声流(acousticstream)，从而由声流形态的清洗液与基板相冲突来去除基板上的污染粒子，因此具有可以确切地去除小的污染粒子的优点。

由此，在上述卸载单元中执行借助翻转机来使上述晶片翻转180度的工序的过程中，可以防止翻转机一边经由研磨工序，一边被受污染晶片的污染。

并且，本实用新型的晶片处理系统还包括清洗单元，上述清洗单元依次通过第一清洗模块、第二清洗模块、第三清洗模块及第四清洗模块，上述第一清洗模块接收上述已执行处理工序的晶片，并借助旋转的清洗刷子来进行接触清洗，上述第二清洗模块以旋风形式喷射清洗液来对上述晶片进行清洗，上述第三清洗模块一同喷射纯水和二氧化碳，上述第四清洗模块利用IPA液层来对晶片进行漂洗干燥。

这样，在结束如抛光工序的处理工序，使晶片的研磨面没有受损而得到研磨的状态下，借助清洗刷子来进行接触清洗，从而对粘在晶片的研磨面的异物进行第一次去除，并向研磨面喷射旋风形式的清洗液来去除晶片的小的异物之后，一同喷射纯水与无反应性的二氧化碳来以非离子化状态去除晶片表面的附着物，从而可以完整地清洗晶片的研磨面。接着，在将晶片浸渍于清洗液来进行漂洗之后，一边通过异丙醇(IPA)液层，一边进行排出，从而在较短的时间内干燥晶片的表面。由此，可以迅速且干净地对已执行研磨工序的晶片的表面进行清洗干燥。

此时，上述清洗单元可以由分别在上述第一处理平板和上述第二处理平板中并行排列成两列的第一清洗单元和第二清洗单元形成，并可以根据工序来划分在第一处理平板中执行研磨工序的晶片和在第二处理平板中执行研磨工序的晶片来以同时多发性的方式执行清洗干燥工序。

例如，在第一处理平板中执行研磨的上述第一晶片可向排列成一列的第一清洗单元供给，从而经由刷子清洗、借助旋风喷嘴的清洗、借助纯水和二氧化碳的清洗来执行IPA液层的漂洗干燥工序，而在上述第二处理平板中执行研磨的上述第二晶片可向与上述第二清洗单元并行排列的第二清洗单元供给，从而经由刷子清洗、借助旋风喷嘴的清洗、借助纯水和二氧化碳的清洗来执行基于IPA液层的漂洗干燥工序。

另一方面，在处理平板中执行的研磨工序为晶片的抛光研磨的情况下，研磨所需的时间大致短于清洗所需的时间，因此，可以使在上述第一处理平板中执行研磨的第一晶片以交替方式向第一清洗单元和第二清洗单元供给，从而经由清洗工序。

并且，在上述第一处理平板中执行一个步骤的化学机械研磨的第一晶片和在上述第二处理平板中执行化学机械研磨的第二晶片可以均向排列成一列的第一清洗单元供给，从而经由刷子清洗、借助旋风喷嘴的清洗、借助纯水和二氧化碳的清洗来执行基于IPA液层的漂洗干燥工序。

并且，在需要两个步骤的处理工序的情况下，首先由搭载于晶片载体的第一晶片在第一循环路径上的第一处理平板上执行第一化学机械研磨工序，然后由晶片载体向第二循环路径移动来在第二处理平板上执行第二化学机械研磨工序之后，向清洗模块移动，并经由清洗工序。

像这样，本实用新型可以利用设置成一个配置结构的晶片处理系统来进行对晶片的多种处理过程，从而可以根据蒸镀于晶片的研磨层的种类或厚度来以多样的方式执行多种研磨工序，由此，可以获得既能将在半导体生产线中所占的空间最小化，又能根据晶片的状态或种类来以多样的方式执行多种研磨工序的效果。

本说明书及本实用新型的保护范围所记载的“拥有”、“搭载”、“安装”等术语将定义为指称晶片与晶片载体一同移动的状态。因此，“拥有”、“搭载”、“安装”于晶片载体的晶片并不局限于必须位于晶片载体的内部等特殊的形态和位置。

实用新型的效果

如上所述，本实用新型借助可以沿着第一路径和第二路径中的任意一个以上移动的晶片载体来，在第一路径上的第一处理平板和第二路径上的第二处理平板中的任意一个以上中执行处理工序，并且，随着可以相互交叉或依次移动或独立地单独移动，可以利用设置成一个配置结构的晶片处理系统来对晶片执行多种研磨工序，因此，可以根据蒸镀于晶片的研磨层的种类或厚度来执行多种处理过程，由此可以获得既可以将在半导体生产线中所占的空间最小化，又可以根据晶片的状态或种类来以多样的方式执行多种研磨工序的有利效果。

即，本实用新型具有由第一路径和第二路径相互共用的共用路径，从而既可以将生产线所占的空间最小化，又可以使晶片在第一处理平板和第二处理平板之间自由自在地移动，并且，通过经由第一清洗单元和第二清洗单元中的任意一个中清洗工序，来衰减处理工序和清洗工序的所需时间的偏差，并且具有在没有停止的情况下以高的单位时间处理效率来执行工序的效果。

由此，本实用新型不仅可以执行晶片的化学机械研磨工序，而且可以使已执行化学机械研磨工序的晶片占很小的抛光研磨工序空间，并能执行多种形态的工序，因此，具有可以更加有效地进行晶片的研磨工序的收尾的效果。

并且，本实用新型以使晶片载体以拥有晶片的状态移动，但不旋转晶片载体的方式构成，并且，向晶片载体传递动力或气动的对接单元在第一导轨和第二导轨移动的期间内，从不同的方向接近并对接，并在晶片载体的两个面形成对接面，由此，具有可以在更加狭窄的空间内以紧凑的状态设置晶片的移动路径，也便于控制晶片载体的效果。

并且，本实用新型在搭载于晶片载体的晶片完成研磨工序并向卸载单元移送之前，借助预清洗装置来对晶片的研磨面进行清洗来去除异物，从而防止在卸载单元中把持晶片的状态下翻转180度的翻转机的污染，由此，具有既可以确保翻转机的工作可靠性，又可以通过减少维护时间间隔来体现更高的生产率的优点。

并且，本实用新型通过向针对结束研磨工序的晶片排列成一列的清洗单元全部供给，从而经由刷子清洗、借助旋风喷嘴的清洗、借助纯水和二氧化碳的清洗来执行基于IPA液层的漂洗干燥工序，由此具有可以在较短的时间内干净地执行晶片的清洗、漂洗及干燥工序的优点。

附图说明

图1为示出本实用新型的一实施例的晶片处理系统及执行清洗工序的配置结构的俯视图。

图2为示出图1的晶片处理系统的执行研磨工序的区域的配置结构的俯视图。

图3为说明沿着导轨移动的晶片载体向连接轨道移动的工作原理的图。

图4为图3的晶片载体的立体图。

图5为图4的纵向剖视图。

图6为示出图3的晶片载体与对接单元相对接的状态的立体图。

图7a及图7b为示出卸载单元中的翻转装置的图。

图8a及图8b为示出图1的预清洗装置的结构的简图。

图9为示出借助清洗刷子来实现晶片的接触清洗的第一清洗模块的结构的图。

图10为示出借助旋风喷嘴来实现晶片的非接触清洗的第二清洗模块的结构的图。

图11为图10的旋风喷嘴的纵向剖视图。

图12为示出借助IPA液层来实现干燥工序的第四清洗模块的结构的图。

图13为示出利用图1的晶片处理系统来同时执行不同晶片的一个步骤的研磨工序，并在两个清洗单元中分别执行清洗工序的第一实施方式的结构的图。

图14为示出利用图1的晶片处理系统来同时执行不同晶片的一个步骤的研磨工序，并在一个清洗单元中分别执行清洗工序的第二实施方式的结构的图。

图15为示出在利用图1的晶片处理系统来执行晶片的一个步骤的研磨工序之后，在相互不同的两个清洗单元中执行清洗工序的结构的图。

图16为示出利用图1的晶片处理系统来依次执行晶片的两个步骤的研磨工序，并在清洗单元中执行清洗工序的结构的图。

图17为示出本实用新型的再一实施方式的晶片处理系统的一部分结构的俯视图。

图18为可适用于本实用新型的晶片载体的立体图。

图19a为图18的纵向剖视图。

图19b为用于对晶片载体的悬浮原理进行说明的图。

图20至图22为用于对本实用新型的另一实施方式的晶片载体的悬浮原理进行说明的图。

附图标记的说明

10：装载单元20：卸载单元

30：预清洗装置100：晶片处理系统

D：对接单元P：处理平板

C：晶片载体W：晶片

具体实施方式

以下，参照附图对本实用新型的一实施例的晶片处理系统1进行详细说明。只是，在对本实用新型进行说明的过程中，对于公知的功能或结构赋予相同或类似的附图标记，而为了明确本实用新型的要旨，将省略对这些相同或类似的附图标记的说明。

如图1及图2所示，本实用新型的一实施例的晶片处理系统1分为：处理区域X1，用于执行晶片W的处理工序；以及清洗区域X2，对已执行处理工序的晶片W执行清洗及干燥工序。

在上述处理区域X1配置有：晶片载体C，以拥有晶片W的状态移动；第一导轨G1，沿着以通过第一处理平板P1的方式排列的第一循环路径R1，晶片载体C以能够移动的方式设置；第二导轨G2，沿着以通过第二处理平板P2的方式排列的第二循环路径R2，晶片载体C以能够移动的方式设置；以及延伸轨道Ge，从第一导轨G1和第二导轨G2分支。

并且，在晶片载体C沿着第一路径R1和第二路径R2来移动的路径上配置有：装载单元20，将晶片W搭载于晶片载体C；预清洗单元30，以预先方式对晶片W进行清洗；以及卸载单元10，从晶片载体C中卸载晶片W。

其中，如果装载单元20搭载将要在晶片载体C执行处理工序的晶片W，则晶片载体C沿着第一路径R1或第二路径R2向循环路径移动，并在第一处理平板P1和第二处理平板中的任意一个中执行预定的处理工序。并且，晶片载体C沿着第一导轨G1或第二导轨G2移动，并沿着共用导轨Gc移动，从而在预清洗装置30中第一次清洗粘在晶片W的研磨面的异物，并从卸载单元10中卸载已在晶片载体C中完成处理工序的晶片W。接着，晶片W向清洗单元1C、2C移动，从而执行阶段性的清洗工序。并且，晶片载体C执行重新向装载单元20返回的往复移动R1x’、R2x’。

此时，从由闭环形态的导轨G1、G2、Gc形成的第一路径R1和第二路径R2分支的延伸轨道Ge同样可以借助交叉部J3来选择性地进行来往。由此，晶片载体C分别向第一路径R1和第二路径R2循环和移动，并且，如果到达与延伸轨道Ge之间的第三交叉部J3，则晶片载体C可以通过与列车的线路变更结构类似的第三交叉部J3来向循环路径R1、R2和延伸轨道Ge中的任意一个移动。

在晶片载体C向延伸轨道Ge移动的情况下，搭载于晶片载体C的晶片W在预清洗装置30中得到预清洗之后，在卸载单元10中被卸载，晶片载体C从卸载单元10，向附图文字R1x'，R2x'所示的方向返回，并从装载单元20中接收新的晶片W来进行搭载之后，一边沿着第一路径R1移动，一边执行搭载的晶片W的处理工序。

此时，晶片载体C可以仅配置与处理平板P1、P2的数量相同的数量，并以执行逐个搭载晶片W，且在执行处理工序之后进行卸载的工序的方式移动，但根据本实用新型的优选实施方式，晶片载体C的配置数量多于处理平板P1、P2的数量，在处理平板P1、P2中执行处理工序的期间内，搭载于晶片载体C的晶片处于待机状态，之后在处理平板P1、P2中结束处理工序时，处于待机状态的晶片载体C所搭载的晶片直接在处理平板P1、P2中进行处理工序。由此，本实用新型具有可以在更短的时间内执行更多的处理工序，且可以简化晶片载体C的控制的优点。

并且，如图所示，在晶片载体C以搭载晶片W的状态移动的第一路径R1和第二路径R2能够形成为闭环形态的循环路径，并且，可以控制晶片载体C在第一路径R1和第二路径R2中仅向箭头方向的一个方向移动。借于此，可以防止晶片载体C在沿着第一路径R1和第二路径R2移动的过程中相互冲突或相互干涉，并能以更加容易的控制方式对晶片载体C进行移动控制。

另一方面，第一导轨G1和第二导轨G2分别向第一路径R1和第二路径R2引导晶片载体C，但在一部分区间中具有用于共用各自的路径R1、R2的共用导轨Gc，从而即使在狭小的空间内，也能使晶片载体C自由地来往于第一路径R1和第二路径R2。

其中，向第一导轨G1和第二导轨G2的共用导轨Gc进入的第一交叉部J1和从共用导轨Gc向第一导轨G1和第二导轨G2进入的第二交叉部J2以与列车线路合并后分离的方式类似地形成，由此，晶片载体C可以根据需要从第一导轨G1或第二导轨G2中的任意一个向共用导轨Gc移动，并且，从共用导轨Gc向第一导轨G1或第二导轨G2中的任意一个移动。

另一方面，根据本实用新型的再一实施方式，沿着第一路径R1配置的第一导轨G1和沿着第二路径R2配置的第二导轨G2不会共用一部分共用导轨Gc，而是可以构成为设有在配置成闭环形态的第一导轨G1和第二导轨G2之间来往的单独的连接轨道的形态。由此，沿着第一路径R1移动的晶片载体C可以向第二路径R2移动或向相反的方向移动。

并且，根据本实用新型的再一实施方式，配置有第一处理平板P1的第一导轨G1和配置有第二处理平板P2的第二导轨G2可以形成为如图17所示的由晶片载体C进行往复移动的路径Rx，而不是图1及图2所示的循环路径。如果形成为由晶片载体C进行往复移动的路径，则在处理平板P1、P2中完成处理工序的晶片需要从相同的路径返回，因此，晶片载体C无法待机并直接向处理平板P1、P2供给。对于以这种方式构成的处理单元X1'而言，后述的结构以相同或类似的方式适用，因此，为了明确本实用新型的要旨，将省略对此的说明。

上述晶片载体C沿着导轨G(G1、G2、Gc、Ge)移动。在图1及图2的配置图中，由多个垂直线形成的矩形形态以简化晶片载体C的方式呈现。

并且，如图4及图5所示，N极永久磁铁128n和S极永久磁铁128s以交替方式排列于晶片载体C的上侧，而晶片载体C的内部成为未设有驱动马达或气动供给装置的无动力状态。由此，如图3所示，通过控制向设在形成于处理平板P(P1、P2)的上侧的框架F的线圈90施加的电源88的电流方向，根据线性马达的原理来沿着导轨G移动。

并且，如果晶片载体C位于处理平板P的上侧，则对接单元D与晶片载体C相结合，从而供给用于使晶片W旋转驱动的旋转驱动力和用于向下方对晶片W进行加压的气动。

为此，如图4及图5所示，为了接收旋转驱动力，在内周面形成有由N极和S极的永久磁铁以交替方式排列的磁耦合器124，而N极和S极的永久磁铁也沿着圆周方向以交替方式排列于对接单元D的驱动轴186的外周面，由此，如果对接单元D的驱动轴186接近晶片载体C的磁耦合器124来以插入的状态旋转，则向磁耦合器124传递旋转驱动力来进行旋转驱动124r。因此，与磁耦合器124联动来旋转的旋转轴125一同旋转125r，旋转轴125的旋转驱动力借助齿轮等动力传递机构来使垂直轴126旋转驱动126r，并向处理头CH传递，从而在处理工序中使晶片W旋转驱动。此时，可在磁耦合器124的中央部形成有引导轴124o，以便引导对接单元D的驱动轴186插入于磁耦合器124。

并且，在晶片载体C的外周面的外面形成有与气动管道相结合的气动供给口123x，如果对接单元D与晶片载体C相接近8来进行对接，则对接单元D的气动管道187a的结合部187插入于气动供给口123x，并向通过从气动供给口123x延伸的气动供给路123、129来旋转的处理头CH传递。此时，处理头CH在处理工序中进行旋转126r驱动，因此，在气动供给路123、129上设有旋转接头RU，从而可以向旋转驱动的处理头CH顺畅地供给气动。

并且，如图1及图2所示，只有晶片载体C沿着导轨G移动，且与晶片载体C相对接来供给动力的对接单元D配置于导轨G1、G2的外侧(即，X1区域的边缘)，才能防止导轨G之间的间隔变得大于所需间隔以上，从而可以更加紧凑地构成导轨的配置结构。

因此，如图1所示，在提高整体空间效率方面，相对于第一导轨G1，对接单元D配置于外侧(以图1为基准的上侧)，相对于第二导轨G2，对接单元D也配置于外侧(以图1为基准的下侧)，并在相反的方向向反方向移动并对接的结构是非常有效的。此时，晶片载体C以不旋转的状态在路径中移动，因此，如图5所示，晶片载体C以能够与在上侧和下侧(图1基准)相接近的对接单元D相结合的方式在位于相反侧的两个面形成气动结合部123及磁耦合器124。由此，可以获得既可以更加紧凑地维持晶片处理系统的配置，又可以回避需要使晶片载体C旋转的复杂的控制及结构的优点。

并且，上侧辊子127U和下侧辊子127L以能够旋转的方式形成于晶片载体C的两侧面，以便能够沿着导轨G以没有摇动的方式移动。晶片载体C一边在沿着导轨C和连接轨道CR的路径移动，一边持续不旋转的状态。

附图中未说明的附图文字121为与晶片载体C的处理头CH之间的连接结合部。

另一方面，如图18所示，在晶片载体C的两侧面形成有用于收容导轨G的“匚”字剖面的凹槽部120v，在凹槽部120v的上侧设有悬浮电磁铁190。像这样，在晶片载体C的两侧凹入形成有凹槽部120v，在凹槽部120v以插入的方式配置有导轨，从而即使浮力对晶片载体C产生作用，晶片载体C的姿势也能以稳定的方式维持悬浮的状态。

悬浮电磁铁190向垂直方向配置线圈的卷绕轴，根据向悬浮电磁铁190施加的电流的方向，朝向上下方向转换为N极-S极、S极-N极。并且，在与悬浮电磁铁190相向的导轨G的表面固定有永久磁铁Mp。

由此，悬浮电磁铁190以与固定于导轨G的永久磁铁Mp的相同的极之间相向的方式向线圈施加电流(在图19a中，示出了以S极之间相向的方式施加的结构)，从而引导永久磁铁Mp和悬浮电磁铁190的反弹力Lf来与悬浮电磁铁190一同使晶片载体C以如图19a所示的方式向重力的反方向悬浮。

因此，当以在载体头部CH搭载晶片W的状态移动时，晶片载体C借助悬浮电磁铁190和导轨G的永久磁铁Mp的反弹力Lf来维持向重力的反方的悬浮状态，利用在晶片载体C的中央部的上面沿着移动方向交替排列的N极和S极的永久磁铁侧128和移动电磁铁90相互作用的推进力，沿着图1及图2的导轨G来以相对于导轨G悬浮的非接触状态移动。

由此，拥有晶片W的晶片载体C沿着导轨G悬浮，一边以非接触状态沿着导轨G移动，一边在研磨平板P1、P2中执行研磨工序，因此，在将晶片W搭载于晶片载体C的状态沿着导轨移送的过程中，可以从源头防止在晶片载体和导轨之间发生冲击或振动、噪音。因此，可以解决因向晶片载体C传递的冲击而丢失所搭载的晶片的问题。

并且，不会因沿着指定的第一路径R来移动的晶片载体C而引发振动，因此，可以解决因在一个晶片载体C中产生的振动通过导轨G向进行研磨工序的另一晶片载体C传递而降低进行研磨工序的晶片W的研磨品质的现有的问题。因此，借助晶片载体C，可以获得即使晶片W沿着导轨移动，并执行研磨工序，也可以更加准确地控制晶片的研磨厚度的效果。

在这种情况下，如果晶片载体C以悬浮的状态移动，并到达执行晶片W的研磨工序的研磨平板P1、P2的上侧，则慢慢去除向悬浮电磁铁190施加的电流，并将基于晶片载体C的自重的重力调节成略大于悬浮电磁铁190和永久磁铁Mp之间的反弹力，从而向上下方向与晶片载体C的“匚”字形的凹槽部(更准确地，电磁铁190的底面)120v相干涉，并如图19b所示，成为晶片载体C的凹槽部120v的上面120s放置于导轨G的状态。

接着，对接单元D(DL)与晶片载体C相对接来传递旋转驱动力和气动。由此，晶片载体C以在导轨G上接触的形态所处的状态下，可以稳定地执行搭载于载体头部CH的底面的晶片W的研磨工序。

另一方面，根据本实用新型的再一实施方式，如图20所示，悬浮电磁铁190也可以位于导轨G的下侧。在这种情况下，也在与悬浮电磁铁190相向的导轨G的底面设有永久磁铁Mp，悬浮电磁铁190和永久磁铁Mp借助相互拉动的引力来发挥使晶片载体C向重力的反方向抬起的拉力Lf。

在附图中，虽然以在导轨G的底面设置永久磁铁Mp的结构为例进行了说明，但导轨G可以由借助磁力来由引力产生作用的金属原材料形成。

在这种情况下，在研磨工序中，当不是由晶片载体C悬浮的状态，而是与导轨G上相接触来执行研磨工序时，凹槽部120v的上侧面120s成为与导轨G相接触的面。

另一方面，根据本实用新型的另一实施方式，如图21所示，悬浮电磁铁290位于导轨G，在晶片载体C的凹槽部120v的上侧设有可以借助磁力来由引力产生作用的金属片188。由此，向悬浮电磁铁290施加的电流的大小越大，悬浮电磁铁290拉动金属片188的引力Lf越大，因此，晶片载体C向重力的反方向悬浮。

与此相似地，根据本实用新型的另一实施方式，如图22所示，悬浮电磁铁290位于导轨G，在晶片载体C的凹槽部120v的下侧设有永久磁铁Mp。由此，可通过控制向悬浮电磁铁290施加的电流的方向，以使永久磁铁Mp和反弹力Lf产生作用的方式向悬浮电磁铁290的线圈施加电流，从而可以使晶片载体C向重力的反方向悬浮。

如图19b至图22所示，在晶片载体C和导轨G中的任意一个以上设有悬浮电磁铁190、290，使得晶片载体C从导轨G悬浮来以非接触性的状态移送，从而可以从源头上防止晶片载体C的移送引起的冲击、振动及噪音，由此，防止从一个晶片载体C的移动过程中产生的振动或冲击向执行化学机械研磨工序的另一晶片载体C传递，从而可以获得晶片W的研磨工序始终在恒定的状态下精确地实现的效果。

另一方面，如图6所示，对接单元D能够以可固定于框架F并与沿着导轨G移动的晶片载体C相结合的方式进行水平往复移动8的方式设置。为此，如果借助移动马达181来使旋转轴182旋转驱动，则借助丝杠的原理，移动板184对旋转轴182进行往复移动8。

并且，在移动板184设有驱动轴186，在上述驱动轴186固定有旋转驱动马达185，从而借助旋转驱动马达185来进行旋转驱动，而通过借助移动马达181来使移动板184移动，驱动轴186可向晶片载体C的磁耦合器124插入，并成为可以向晶片载体C传递旋转驱动力的状态。与此同时，随着移动板184的移动，气动供给管187a的结合部187可以与晶片载体C的气动供给部123x相结合，并成为还可以供给气动的状态。

上述第一导轨G1以能够在第一处理平板P1中对晶片载体C所拥有的晶片W进行处理工序(例如，抛光研磨工序或化学机械研磨工序)的方式进行配置。同样，上述第二导轨G2以能够在第二处理平板P2中对晶片载体C所拥有的晶片W进行处理工序(例如，抛光研磨工序或化学机械研磨工序)的方式进行配置。

在上述共用导轨Gc不配置处理平板，而是形成由晶片载体C移动的路径。此时，形成有交叉部J1、J2，在上述交叉部J1、J2中，沿着第一导轨G1和第二导轨G2移动的晶片载体C可以顺畅地向共用导轨Gc移动，并在共用导轨Gc中，顺畅地向第一导轨G1和第二导轨G2的一个移动。

另一方面，可以在各个处理平板P1、P2中执行化学机械研磨工序，也可以执行抛光研磨工序。在执行化学机械研磨工序的情况下，在处理平板P配置有浆料供给部、调节器等，在执行抛光处理工序的情况下，配置有用于供给向晶片供给的液体(纯水或碱性水等)的溶液供给部等。在处理平板P中执行抛光处理工序的情况下，在处理平板上设有硬度低于在执行化学机械研磨工序的情况下设置的聚氨酯系列的研磨垫片的硬度的研磨垫片。

如图所示，装载单元20、预清洗装置30及卸载单元10分别配置于接近导轨G的清洗区域C的区域。

其中，如图8a所示，在预清洗装置30设有清洗喷嘴35，上述清洗喷嘴35用于向搭载于晶片载体C的晶片W的研磨面以高水压喷射清洗液33，并且，清洗喷嘴35一边移动35d，一边向晶片W的整个研磨面高压喷射清洗液，从而去除粘在晶片W的研磨面的浆料或研磨粒子等较大的异物99。

另一方面，根据本实用新型的再一实施方式，如图8b所示，预清洗装置30'可向搭载于晶片载体C的晶片W的研磨面喷射高水压的清洗液38M，并以借助兆声波发振部38来被激振的状态向晶片W的研磨面喷射清洗液，从而借助被激振的清洗液来更加提高晶片W的清洗效率。

像这样，借助预清洗装置30来一次性去除粘在晶片W的研磨面的异物99，从而如图7a及图7b所示，在晶片载体C之后移动的卸载单元10中，翻转机50从晶片载体C接收晶片W，并以使研磨面SW位于上侧的方式翻转180度52r的工序中，可以防止翻转机50的臂52被粘在晶片W的异物99受到污染。

其中，未说明的附图标记52x为翻转机的臂52用于把持晶片W的铰链轴，未说明的附图标记51为用于使臂52翻转180度的旋转轴。

像这样，在卸载单元10中，从晶片载体C接收晶片W，并借助翻转机50来以旋转180度的方式翻转，从而以研磨面sw朝向上侧的状态向之后的清洗区域X2供给晶片来执行主清洗工序。

另一方面，如果在处理区域X1中结束实现晶片的研磨等的处理工序，并在卸载单元10中借助翻转机50来旋转180度而成为研磨面sw朝向上侧的状态，则借助遥控处理器RH1来向清洗单元1C、2C的移送夹持器Gr移送。移送夹持器Gr沿着移送导轨Rx移动，并在各清洗单元1C、2C的清洗模块C1、C2、C3、C4中执行晶片W的清洗工序和漂洗干燥工序。清洗单元1C、2C分别在清洗区域X2排列成两列，并执行四步骤的清洗干燥工序。

其中，如图9所示，第一清洗模块C1借助隔着晶片W在晶片W的表面旋转的清洗刷子BR的接触清洗力来去除残留于晶片W的表面的异物。如果在处理区域X1中晶片W经由处理工序来向第一清洗模块C1移送，则固定于支架80的清洗刷子BR沿着丝杠LS的旋转驱动向晶片W移动BRd，从而成为在晶片W的表面接触清洗刷子BR的状态，而清洗刷子BR一边旋转，一边以接触方式去除粘在晶片W的板面的相对大的异物。

在第一清洗模块C1中完成第一次清洗的晶片W借助移送夹持器Gr来向配置于之后的第二清洗模块C2移送。如图10所示，第二清洗模块C2在将晶片W放置于支架上的状态下，在原地进行自旋旋转，从旋风喷嘴70高速喷射混合有氮或空气77和清洗液66的混合气体70a，上述旋风喷嘴70向具有晶片W的半径方向成分的方向移动。由此，向晶片W的整个板面喷射混合气体70a来去除粘在表面的异物。

即，如图11所示，清洗液66通过中央的多个管路111来向下方供给，并通过包围清洗液管路111的管路72来向下方供给高压的空气77。此时，在喷嘴70下部形成有内向弯折部132，并形成有向半径方向成分突出的突出部73，由此，通过气体管路72来向下方喷射的空气77向半径内侧方向变更路径。因此，通过清洗液管路111向下方喷射的清洗液66和以具有半径内侧方向成分的方式向下方喷射的高压空气77相互混合，并成为在向旋风方向88x流动的高压空气中混合清洗液粒子66x的状态。由此，粘在晶片W的板面的异物可以借助具有水平方向成分的混合气体70a来产生前端方向的力，并能更加确切地从晶片W的板面分离。

在第二清洗模块C2中完成第二次清洗的晶片W借助移送夹持器Gr来向配置于之后的第三清洗模块C3移送。如图10所示类似地，第三清洗模块C3在将晶片W放置于支架上的状态下，在原地进行自旋旋转，并从清洗液喷嘴向晶片W的板面高速喷射清洗液与二氧化碳相混合的溶液，上述清洗液喷嘴向具有晶片W的半径方向成分的方向移动。由此，可以减少形成于晶片的板面的静电电荷，并在稳定的气氛下去除异物。

在第三清洗模块C3中借助第三次清洗来使表面变干净的晶片W借助移送夹持器Gr来向配置于之后的第四清洗模块C4移送。如图11所示，第四清洗模块C4在容器81内装有清洗液66，并借助隔壁112来分为两个区域之后，在借助盖84来与室外空气分离的区域中，从异丙醇(Isopropylalcohol，IPA)蒸汽供给器85供给IPA蒸汽。由此，IPA蒸汽在清洗液66的上侧形成液层85a。

因此，如果将晶片W浸渍于第一区域I，则晶片W沿着容器82的倾斜的底面来向第二区域II移动。在此过程中，晶片W借助清洗液66来得到清洗或漂洗，晶片W在第二区域II中借助夹持器82来抬起，并向外部排出。此时，在第二区域II形成有IPA液层85a，因此，由于清洗液66的表面张力和IPA液层85a的表面张力之间的差异，当在排出区域II中通过清洗液的水面时，借助其上方的IPA液层85a来使清洗液不残留于晶片的表面，因而执行干燥工序。

以下，参照图13，对利用以如上所述的方式构成的本实用新型的一实施例的晶片处理系统1来执行晶片W的处理工序的第一实施方式进行详细说明。

如图13所示，如果通过遥控处理器RH1、RH2分别从外部向两个装载单元20供给新的第一晶片W1和第二晶片W(S1)，则第一晶片W1沿着第一路径R1移动，从而在第一处理平板P1中执行第一处理工序，第二晶片W2沿着第二路径R2移动，从而在第二处理平板P2在执行第二处理工序。

接着，分别结束各个处理工序的第一晶片W1和第二晶片W2沿着第一导轨G1和第二导轨G2移动，并在第一交叉部J1中向共用导轨Gc移动，之后在位于共用导轨Gc的末端的第二交叉部J2中分别向第一导轨G1和第二导轨G2移动。并且，借助配置于导轨G1、G2上的预清洗装置30，对晶片W1、W2的研磨面进行第一次清洗，从而大致去除异物。

接着，如果晶片载体C到达第三交叉部J3，则向延伸导轨Ge移动，并一边在卸载单元10向臂RH1移送晶片W，一边借助翻转机50来翻转180度之后，在各个清洗单元1C、2C中的四步骤的清洗模块C1、C2、C3、C4中执行清洗干燥工序(图13的S2)。

像这样，可以利用以如上所述的方式构成的晶片处理系统1来在两侧同时执行对互不相同的两个晶片W1、W2的处理工序和清洗工序，从而可以提高生产率。这适合在处理平板P1、P2中的处理工序的所需时间与在清洗工序中的清洗时间相似的情况，大致在化学机械研磨工序的情况下，可以有效地得到适用。并且，即使是在处理平板P1、P2中的处理工序较短的抛光处理工序，也在各个处理平板P1、P2中向相邻的清洗单元1C、2C供给已执行抛光处理工序的晶片W1、W2,从而经由清洗工序，由此既可以使晶片的移动路径变短，又可以更加容易地控制晶片的移动。

在处理平板P1、P2中执行晶片W的处理工序的期间内，另一晶片载体C在装载单元20中搭载于晶片W来处于待机状态，如果搭载于前方晶片载体C的晶片W的处理工序结束之后从处理平板P1脱离，则处于待机状态的晶片载体C直接向处理平板P1移动来执行处理工序，并以没有中断的方式顺畅地实现处理平板P1、P2上的处理工序，从而可以在较短的时间内体现更多的处理效率。

以下，参照图14，对利用以如上所述的方式构成的本实用新型的一实施例的晶片处理系统1来执行晶片W的处理工序的第二实施方式进行详细说明。

如图14所示，如果通过遥控处理器RH1、RH2分别从外部向两个装载单元20供给新的第一晶片W1和第二晶片W(S1)，则第一晶片W1沿着第一路径R1移动，从而在第一处理平板P1中执行第一处理工序，第二晶片W2沿着第二路径R2移动，从而在第二处理平板P2在执行第二处理工序。

接着，分别结束各个处理工序的第一晶片W1和第二晶片W2沿着第一导轨G1和第二导轨G2移动，并在第一交叉部J1中向共用导轨Gc移动，之后从位于共用导轨Gc的末端的第二交叉部J2仅向第一导轨G1移动。

接着，已执行处理工序的第一晶片W1和第二晶片W2均在一个预清洗装置30中对研磨面进行预清洗，并向卸载单元10移送，从而移到翻转机50之后，以翻转180度的状态分别向任意一个清洗单元C1或清洗单元C2移送，并执行四步骤的清洗干燥工序(图14的S2)。

像这样，可以利用以如上所述的方式构成的晶片处理系统1来在两侧同时执行对互不相同的两个晶片W1、W2的处理工序和清洗工序，之后在一个清洗单元中执行清洗工序。这如同抛光处理工序，在处理平板P1、P2中的处理工序的所需时间少于清洗工序的所需时间的情况下，在各个处理平板P1、P2中执行一个步骤的抛光处理工序的之后，即使在一个清洗单元(1C和2C中的任意一个)中执行，也很充分，因此，优选地，适用于一个步骤的抛光处理工序。

以下，参照图15，对利用以如上所述的方式构成的本实用新型的一实施例的晶片处理系统1来执行晶片W的处理工序的第三实施方式进行详细说明。

如图15所示，如果通过遥控处理器RH1、RH2来从外部向两个装载单元20中的一个装载单元20供给新的第一晶片W1(S1)，则第一晶片W1沿着第一路径R1移动，从而在第一处理平板P1中执行第一处理工序。并且，之后通过装载单元20来向另一晶片载体C供给的第二晶片W2也沿着第一路径R1移动，从而在第一处理平板P1中执行处理工序。

接着，分别结束各个处理工序的第一晶片W1和第二晶片W2沿着第一导轨G1和第二导轨G2移动，并在第一交叉部J1中向共用导轨Gc移动，在位于共用导轨Gc的末端的第二交叉部J2中逐个向第一导轨G1和第二导轨G2移动。并且，借助配置于导轨G1、G2上的预清洗装置30来对晶片W1、W2的研磨面进行一次性清洗，从而大致去除异物。

接着，在分别向两个卸载单元10移送，并向翻转机50移送之后，以翻转180度的状态交替地向第一清洗单元1C和第二清洗单元2C移送，从而执行四步骤的清洗干燥工序(图15的S2)。

像这样，可以利用以如上所述的方式构成的晶片处理系统1来在一处执行对晶片W的处理工序之后，交替地向互不相同的清洗单元1C、2C供给，从而执行清洗工序。这可以使用于清洗工序所需时间长于一个步骤的化学机械研磨工序所需时间的情况。

以下，参照图16，对利用以如上所述的方式构成的本实用新型的一实施例的晶片处理系统1来执行晶片W的处理工序的第四实施方式进行详细说明。

如图16所示，如果通过遥控处理器RH1、RH2来从外部向两个装载单元20中的一个装载单元20供给新的晶片W1(S1)，则第一晶片W1沿着第一路径R1移动，从而在第一处理平板P1中执行第一处理工序。

接着，结束第一处理工序的第一晶片W1沿着第一导轨G1移动，并在第一交叉部J1中向共用导轨Gc移动，在位于共用导轨Gc的末端的第二交叉部J2中向第二导轨G2移动。并且，在配置于第二导轨G2的第二处理平板P2中执行第二处理工序。

接着，结束第二处理工序的第一晶片W1沿着第一导轨G1移动，并在第一交叉部J1中向共用导轨Gc移动，在位于共用导轨Gc的末端的第二交叉部J2中向第一导轨G1和第二导轨G2中的任意一个移动。并且，借助配置于导轨G1、G2上的预清洗装置30来对晶片W1的研磨面进行一次性清洗，从而大致去除异物。

像这样，在预清洗装置30中对已执行二个步骤的处理工序的第一晶片W1的研磨面进行清洗之后，向卸载单元10移送并移向翻转机50之后，以翻转180度的状态向清洗单元中的任意一个移送，从而执行清洗工序(图16的S2所呈现的路径)。

另一方面，虽然并未图示于图16，但第一晶片经由S1-R1-R2-Rx2'-S2的路径，来经由二个步骤的处理工序和清洗工序，并通过S1-R2-R1-R1x'-S2，两个晶片可以同时执行两个步骤的处理工序和四步骤的清洗工序。

在以如上所述的方式构成的本实用新型的晶片处理系统1中，晶片载体C沿着由第一导轨G1、第二导轨G2及延伸轨道Ge形成的路径移动，并在中央部形成有可以在第一路径R1和第二路径R2相互来往的共用导轨Gc，从而可以通过共用导轨Gc来使两个处理平板P相互交叉或依次移动，从而利用设置成一个配置结构的晶片处理系统1来对晶片实施多种研磨过程，因此，可以根据蒸镀于晶片的研磨层的种类或厚度来以多样的方式执行多种处理工序，由此，可以获得既能将在半导体生产线中所占的空间最小化，又能根据晶片的状态或种类来以多样的方式执行多种处理工序的有利效果。

尤其，本实用新型的晶片处理系统1为可以根据生产条件来同时执行化学机械研磨工序或抛光处理工序的结构，因此，具有既能将在半导体生产线中所占的空间最小化，又能根据晶片的状态或种类来执行多种抛光处理工序，并能通过与清洗单元之间的连接结构来在更短的时间内执行更干净的清洗工序的优点。

以上，虽然通过优选的实施例对本实用新型进行了例示性的说明，但本实用新型并不局限于这种特定的实施例，可以在本实用新型所提出的技术思想，具体地，在记载于本实用新型的保护范围的范畴内实施多种形态的修改、变形或改善。

Claims (22)

1.一种晶片处理系统，其特征在于，包括：

晶片载体，以保持晶片的状态沿着指定的第一路径和第二路径中的至少一个路径移动；

第一处理平板，配置于上述第一路径上；以及

第二处理平板，配置于上述第二路径上，

针对借助上述晶片载体搬运的上述晶片，在上述第一处理平板和上述第二处理平板中的至少一个上执行处理工序。

2.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，

上述第一路径和上述第二路径为循环路径。

3.根据权利要求2所述的晶片处理系统，其特征在于，

设有沿着上述循环路径引导上述晶片载体的导轨。

4.根据权利要求2所述的晶片处理系统，其特征在于，

上述第一路径和上述第二路径以能够使上述晶片载体相互来往的方式配置。

5.根据权利要求2所述的晶片处理系统，其特征在于，

上述第一路径和上述第二路径包括相互共用的共用路径。

6.根据权利要求2所述的晶片处理系统，其特征在于，

上述晶片载体在上述至少两个循环路径中只向指定的一个方向移动。

7.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，

上述第一路径和上述第二路径包括上述晶片载体进行往复移动的路径。

8.根据权利要求7所述的晶片处理系统，其特征在于，

上述第一路径和上述第二路径以相互来往的方式构成。

9.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，

借助上述晶片载体搬运的上述晶片为已执行化学机械研磨工序的晶片，在上述第一处理平板中执行上述晶片的抛光研磨工序。

10.根据权利要求9所述的晶片处理系统，其特征在于，

在上述第一处理平板中使用的研磨垫片的硬度低于在化学机械研磨工序中使用的研磨垫片的硬度。

11.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，

在上述第一处理平板执行上述晶片的化学机械研磨工序。

12.根据权利要求1至9中的任一项所述的晶片处理系统，其特征在于，

在上述晶片载体移动的路径上配置有装载单元和卸载单元，上述装载单元用于供给将要执行处理工序的晶片，上述卸载单元用于排出已执行上述所有处理工序的晶片。

13.根据权利要求12所述的晶片处理系统，其特征在于，

设有预清洗装置，用于在向上述卸载单元供给之前，对已执行研磨工序的晶片进行预清洗。

14.根据权利要求13所述的晶片处理系统，其特征在于，

上述预清洗装置为兆声波清洗机和喷嘴喷射式清洗机中的任意一个。

15.根据权利要求12所述的晶片处理系统，其特征在于，

在上述卸载单元设有用于使上述晶片翻转180度的翻转机。

16.根据权利要求1所述的晶片处理系统，其特征在于，

还包括第一清洗单元，用于清洗在上述第一处理平板和上述第二处理平板中的至少一个上已执行处理工序的晶片，

对在上述第一路径和上述第二路径中的一个路径中已执行处理工序的上述晶片，在上述第一清洗单元进行清洗。

17.根据权利要求16所述的晶片处理系统，其特征在于，

还包括第二清洗单元，该第二清洗单元与上述第一清洗单元并行排列，并对在上述第一处理平板和上述第二处理平板中的至少一个上已执行处理工序的晶片进行清洗，

对在上述第一路径和上述第二路径中的一个路径中已执行处理工序的上述晶片，在上述第二清洗单元进行清洗。

18.根据权利要求16所述的晶片处理系统，其特征在于，

上述第一清洗单元依次通过第一清洗模块、第二清洗模块、第三清洗模块及第四清洗模块，上述第一清洗模块接收上述已执行处理工序的晶片，并借助旋转的清洗刷子来进行接触清洗，上述第二清洗模块以旋风形式喷射清洗液来对上述晶片进行清洗，上述第三清洗模块一同喷射纯水和二氧化碳，上述第四清洗模块利用异丙醇液层来对晶片进行漂洗干燥。

19.根据权利要求17所述的晶片处理系统，其特征在于，

在上述第一处理平板已执行第一处理工序的第一晶片被供给至上述第一清洗单元，以执行清洗工序，

在上述第二处理平板已执行第二处理工序的第二晶片被供给至上述第二清洗单元，以执行清洗工序。

20.根据权利要求17所述的晶片处理系统，其特征在于，

在上述第一处理平板已执行第一处理工序的第一晶片和第二晶片交替供给至上述第一清洗单元和上述第二清洗单元中的一个，以执行清洗工序。

21.根据权利要求17所述的晶片处理系统，其特征在于，

在上述第一处理平板已执行第一处理工序的第一晶片和在上述第二处理平板已执行第二处理工序的第二晶片被供给至上述第一清洗单元，以执行清洗工序。

22.根据权利要求16所述的晶片处理系统，其特征在于，

对在上述第一处理平板已执行第一处理工序的第一晶片，在上述第二处理平板执行第二处理工序，之后被供给至上述第一清洗单元以执行清洗工序。