JP2001110771A - 基板洗浄装置及び基板処理装置 - Google Patents
基板洗浄装置及び基板処理装置Info
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- XTLLEKPEGOLOIA-UHFFFAOYSA-N CCCC1C(C)(C)CCC1 Chemical compound CCCC1C(C)(C)CCC1 XTLLEKPEGOLOIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板外周の支持バーが接触している部分に洗
浄残り、エッチング残りが発生することのない基板洗浄
装置及び洗浄部に該基板洗浄装置を用いた基板処理装置
を提供すること。 【解決手段】 所定の加工を施した基板を支持部材で支
持し、該基板を回転させながら洗浄する基板洗浄装置に
おいて、支持部材は低速回転において基板Ｗの外周部に
当接して基板Ｗを挟持し、高速回転において基板Ｗの外
周部から離脱する３個以上の第１の支持バー１１ａと、
低速回転において基板Ｗの外周部から離脱し、高速回転
において基板外周部に当接して基板Ｗを挟持する３個以
上の第２の支持バー１１ｂとからなる。
浄残り、エッチング残りが発生することのない基板洗浄
装置及び洗浄部に該基板洗浄装置を用いた基板処理装置
を提供すること。 【解決手段】 所定の加工を施した基板を支持部材で支
持し、該基板を回転させながら洗浄する基板洗浄装置に
おいて、支持部材は低速回転において基板Ｗの外周部に
当接して基板Ｗを挟持し、高速回転において基板Ｗの外
周部から離脱する３個以上の第１の支持バー１１ａと、
低速回転において基板Ｗの外周部から離脱し、高速回転
において基板外周部に当接して基板Ｗを挟持する３個以
上の第２の支持バー１１ｂとからなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハ等の基
板の洗浄装置に関し、特にめっき加工又は研磨加工を施
した基板の洗浄に好適な洗浄装置及び該洗浄装置を用い
枚葉式に基板の加工及び洗浄処理を行なう基板処理装置
に関するものである。
板の洗浄装置に関し、特にめっき加工又は研磨加工を施
した基板の洗浄に好適な洗浄装置及び該洗浄装置を用い
枚葉式に基板の加工及び洗浄処理を行なう基板処理装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】銅めっき加工又は研磨加工された半導体
ウエハ等の基板は、該加工の後、洗浄装置で洗浄される
が、基板のべべル部分（エッジ部及びその近傍）に汚染
が残っていると、基板を収納し次の工程に基板を搬送す
る基板カセット内が汚染されクロスコンタミの原因とな
る。
ウエハ等の基板は、該加工の後、洗浄装置で洗浄される
が、基板のべべル部分（エッジ部及びその近傍）に汚染
が残っていると、基板を収納し次の工程に基板を搬送す
る基板カセット内が汚染されクロスコンタミの原因とな
る。
【０００３】また、銅めっき加工が施された基板のべべ
ル部分には、シード層である銅のスパッタ膜が形成され
たままになっている。このスパッタ銅薄膜も次工程に運
ばれるカセット内で脱離し、クロスコンタミの原因にな
る。
ル部分には、シード層である銅のスパッタ膜が形成され
たままになっている。このスパッタ銅薄膜も次工程に運
ばれるカセット内で脱離し、クロスコンタミの原因にな
る。
【０００４】半導体基板（半導体ウエハ）のべべル部分
の銅の残渣は、研磨加工の前のアニール処理によって
は、基板の母材であるＳｉ中に拡散し、半導体デバイス
の不良を起こすことにもなる。これらの理由により、基
板のべべル部分の汚染物、銅の薄膜は完全に除去する必
要がある。
の銅の残渣は、研磨加工の前のアニール処理によって
は、基板の母材であるＳｉ中に拡散し、半導体デバイス
の不良を起こすことにもなる。これらの理由により、基
板のべべル部分の汚染物、銅の薄膜は完全に除去する必
要がある。
【０００５】従来のこの種の基板洗浄装置は基板の外周
部分を複数の支持バーで挟持して、基板を回転させなが
ら、基板の表裏両面に洗浄液を流して洗浄する構成であ
る。ところが基板の外周部を複数の支持バーで挟持した
ままで洗浄液を流しても、又はエッチング液を流して
も、該支持バーが接触している部分に洗浄残り、エッチ
ング残りが発生してしまうという問題がある。
部分を複数の支持バーで挟持して、基板を回転させなが
ら、基板の表裏両面に洗浄液を流して洗浄する構成であ
る。ところが基板の外周部を複数の支持バーで挟持した
ままで洗浄液を流しても、又はエッチング液を流して
も、該支持バーが接触している部分に洗浄残り、エッチ
ング残りが発生してしまうという問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の点に鑑
みてなされたもので、基板外周の支持バーが接触してい
る部分に洗浄残り、エッチング残りが発生することのな
い基板洗浄装置及び洗浄部に該基板洗浄装置を用いた基
板処理装置を提供することを目的とする。
みてなされたもので、基板外周の支持バーが接触してい
る部分に洗浄残り、エッチング残りが発生することのな
い基板洗浄装置及び洗浄部に該基板洗浄装置を用いた基
板処理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１に記載の発明は、所定の加工を施した基板を支
持部材で支持し、該基板を回転させながら洗浄する基板
洗浄装置において、支持部材は低速回転において基板の
外周部に当接して基板を挟持し、高速回転において基板
外周部から離脱する３個以上の第１の支持バーと、低速
回転において基板外周部から離脱し、高速回転において
基板外周部に当接して基板を挟持する３個以上の第２の
支持バーとからなることを特徴とする。
請求項１に記載の発明は、所定の加工を施した基板を支
持部材で支持し、該基板を回転させながら洗浄する基板
洗浄装置において、支持部材は低速回転において基板の
外周部に当接して基板を挟持し、高速回転において基板
外周部から離脱する３個以上の第１の支持バーと、低速
回転において基板外周部から離脱し、高速回転において
基板外周部に当接して基板を挟持する３個以上の第２の
支持バーとからなることを特徴とする。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、所定の加
工を施した基板を支持部材で支持し、該基板を回転させ
ながら洗浄する基板洗浄装置において、支持部材は所定
以下の遠心力では基板外周部に当接し基板を挟持し、所
定以上の遠心力で基板外周部から離脱する３個以上の第
１の支持バーと、所定以下の遠心力では基板外周部から
離脱し、所定以上の遠心力で基板外周部に当接して基板
を挟持する３個以上の第２の支持バーとからなることを
特徴とする。
工を施した基板を支持部材で支持し、該基板を回転させ
ながら洗浄する基板洗浄装置において、支持部材は所定
以下の遠心力では基板外周部に当接し基板を挟持し、所
定以上の遠心力で基板外周部から離脱する３個以上の第
１の支持バーと、所定以下の遠心力では基板外周部から
離脱し、所定以上の遠心力で基板外周部に当接して基板
を挟持する３個以上の第２の支持バーとからなることを
特徴とする。
【０００９】上記のように低速回転又は所定以下の遠心
力では基板の外周部に当接して基板を挟持し、高速回転
又は所定以上の遠心力で基板外周部から離脱する３個以
上の第１の支持バーと、低速回転又は所定以下の遠心力
では基板外周部から離脱し、所定以上の遠心力で基板外
周部に当接して基板を挟持する３個以上の第２の支持バ
ーとで基板を保持する構成とするので、基板洗浄中に基
板外周部から第１又は第２のいずれかの支持バーが離脱
する期間があり、支持バー基板外周部から離脱した時こ
の部分に洗浄液が流れ洗浄されるので、洗浄残りが発生
しない。
力では基板の外周部に当接して基板を挟持し、高速回転
又は所定以上の遠心力で基板外周部から離脱する３個以
上の第１の支持バーと、低速回転又は所定以下の遠心力
では基板外周部から離脱し、所定以上の遠心力で基板外
周部に当接して基板を挟持する３個以上の第２の支持バ
ーとで基板を保持する構成とするので、基板洗浄中に基
板外周部から第１又は第２のいずれかの支持バーが離脱
する期間があり、支持バー基板外周部から離脱した時こ
の部分に洗浄液が流れ洗浄されるので、洗浄残りが発生
しない。
【００１０】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載の基板洗浄装置において、基板の洗浄には
銅めっき加工を施した基板のべべル部分に形成されたシ
ード層及び銅めっき薄膜をエッチングするエッチングプ
ロセスを含んでいることを特徴とする。
又は２に記載の基板洗浄装置において、基板の洗浄には
銅めっき加工を施した基板のべべル部分に形成されたシ
ード層及び銅めっき薄膜をエッチングするエッチングプ
ロセスを含んでいることを特徴とする。
【００１１】上記のように基板のべべル部分に形成され
たシード層及び銅めっき薄膜をエッチングするエッチン
グプロセスを含むので、支持バーが基板外周部を離脱し
た時にこの部分にエッチング液が流れエッチングされる
ので、支持バーが当接する部分に洗浄残りやエッチング
残りが発生しない。
たシード層及び銅めっき薄膜をエッチングするエッチン
グプロセスを含むので、支持バーが基板外周部を離脱し
た時にこの部分にエッチング液が流れエッチングされる
ので、支持バーが当接する部分に洗浄残りやエッチング
残りが発生しない。
【００１２】また、請求項４に記載の発明は、基板に所
定の加工処理及び洗浄処理を施す基板処理装置におい
て、加工処理は銅めっき加工又は研磨加工であり、銅め
っき加工を行なうめっき部又は研磨加工を行なう研磨部
と洗浄処理を施す洗浄部は一体化した装置として構成さ
れ、洗浄部の少なくとも１つの洗浄装置には少なくとも
請求項１乃至３に記載のいずれかの洗浄装置を用い、め
っき加工又は研磨加工と洗浄を枚葉式に連続処理するよ
うに構成したことを特徴とする。
定の加工処理及び洗浄処理を施す基板処理装置におい
て、加工処理は銅めっき加工又は研磨加工であり、銅め
っき加工を行なうめっき部又は研磨加工を行なう研磨部
と洗浄処理を施す洗浄部は一体化した装置として構成さ
れ、洗浄部の少なくとも１つの洗浄装置には少なくとも
請求項１乃至３に記載のいずれかの洗浄装置を用い、め
っき加工又は研磨加工と洗浄を枚葉式に連続処理するよ
うに構成したことを特徴とする。
【００１３】上記のようにめっき加工又は研磨加工を行
なう加工部と洗浄を行なう洗浄部を一体化した装置と
し、洗浄部の少なくとも１つの洗浄装置には少なくとも
請求項１乃至３に記載のいずれかの洗浄装置を用い、め
っき加工又は研磨加工と洗浄を枚葉式に連続処理するよ
うに構成するので、基板のめっき加工又は研磨加工と洗
浄残り又は洗浄残りとエッチング残りのない洗浄を１つ
の装置で連続して行なうことができる。
なう加工部と洗浄を行なう洗浄部を一体化した装置と
し、洗浄部の少なくとも１つの洗浄装置には少なくとも
請求項１乃至３に記載のいずれかの洗浄装置を用い、め
っき加工又は研磨加工と洗浄を枚葉式に連続処理するよ
うに構成するので、基板のめっき加工又は研磨加工と洗
浄残り又は洗浄残りとエッチング残りのない洗浄を１つ
の装置で連続して行なうことができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態例を図
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る基板洗浄装
置の要部概略構成図である。図に示すように、本基板洗
浄装置は、基板Ｗを保持して回転する回転機構１０と、
２つの洗浄ノズル３１、３２とを具備して構成されてい
る。
面に基づいて説明する。図１は本発明に係る基板洗浄装
置の要部概略構成図である。図に示すように、本基板洗
浄装置は、基板Ｗを保持して回転する回転機構１０と、
２つの洗浄ノズル３１、３２とを具備して構成されてい
る。
【００１５】回転機構１０は基板Ｗの外周部を挟持する
複数の支持バー１１と該支持バー１１を支持する支持台
部材１３を具備し、該支持バー１１は支持台部材１３に
ヒンジピン１２で回動自在に支持されている。また、回
転機構１０はモータ１４によりプリー１５、ベルト１
６、プリー１７を介して回転されるように構成されてい
る。支持バー１１は図２に示すように基板Ｗの外周部に
６個配置されている。
複数の支持バー１１と該支持バー１１を支持する支持台
部材１３を具備し、該支持バー１１は支持台部材１３に
ヒンジピン１２で回動自在に支持されている。また、回
転機構１０はモータ１４によりプリー１５、ベルト１
６、プリー１７を介して回転されるように構成されてい
る。支持バー１１は図２に示すように基板Ｗの外周部に
６個配置されている。
【００１６】上記６個の支持バーのうち、後に詳述する
ように、３個の支持バー１１ａは低速回転において基板
Ｗの外周部に当接して該基板Ｗを挟持し、高速回転にお
いて該基板Ｗの外周部から離脱する第１の支持バーであ
り、他の３個の支持バー１１ｂは低速回転において基板
Ｗの外周部から離脱し、高速回転において基板Ｗの外周
部に当接して該基板Ｗを挟持する第２の支持バーであ
る。即ち、基板Ｗが低速回転している時は３個の支持バ
ー１１ａで基板Ｗを挟持し、高速回転している時は３個
の支持バー１１ｂで基板Ｗを挟持している。
ように、３個の支持バー１１ａは低速回転において基板
Ｗの外周部に当接して該基板Ｗを挟持し、高速回転にお
いて該基板Ｗの外周部から離脱する第１の支持バーであ
り、他の３個の支持バー１１ｂは低速回転において基板
Ｗの外周部から離脱し、高速回転において基板Ｗの外周
部に当接して該基板Ｗを挟持する第２の支持バーであ
る。即ち、基板Ｗが低速回転している時は３個の支持バ
ー１１ａで基板Ｗを挟持し、高速回転している時は３個
の支持バー１１ｂで基板Ｗを挟持している。
【００１７】そして３個の支持バー１１ａ（又は支持バ
ー１１ｂ）で基板Ｗを挟持しているときは、他の３個の
支持バー１１ｂ（又は支持バー１１ａ）は基板Ｗから離
れている。また、低速回転と高速回転の間の所定の範囲
は３個の第１の支持バー１１ａと３個の第２の支持バー
１１ｂの６個で基板Ｗを挟持している。基板の回転速度
が例えば１０００ｒｐｍになった時、第２の支持バー１
１ｂが基板Ｗの外周に接触し、１５００ｒｐｍになった
時第１の支持バー１１ａが基板Ｗの外周から離れるよう
にし、基板Ｗの回転速度５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ
の間を往復させることにより、３個の第１の支持バー１
１ａ、３個の第２の支持バー１１ｂとも基板Ｗの洗浄中
にも係らず基板Ｗから離れる期間がある。従って、この
期間に基板Ｗの外周部の支持バー１１ａ及び第２の支持
バー１１ｂが当接する部分に洗浄液が流れ洗浄されるか
ら洗浄残りが発生することはない。
ー１１ｂ）で基板Ｗを挟持しているときは、他の３個の
支持バー１１ｂ（又は支持バー１１ａ）は基板Ｗから離
れている。また、低速回転と高速回転の間の所定の範囲
は３個の第１の支持バー１１ａと３個の第２の支持バー
１１ｂの６個で基板Ｗを挟持している。基板の回転速度
が例えば１０００ｒｐｍになった時、第２の支持バー１
１ｂが基板Ｗの外周に接触し、１５００ｒｐｍになった
時第１の支持バー１１ａが基板Ｗの外周から離れるよう
にし、基板Ｗの回転速度５００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ
の間を往復させることにより、３個の第１の支持バー１
１ａ、３個の第２の支持バー１１ｂとも基板Ｗの洗浄中
にも係らず基板Ｗから離れる期間がある。従って、この
期間に基板Ｗの外周部の支持バー１１ａ及び第２の支持
バー１１ｂが当接する部分に洗浄液が流れ洗浄されるか
ら洗浄残りが発生することはない。
【００１８】洗浄ノズル３１は、基板Ｗの上表面側、め
っき加工や研磨加工を施した側面に接近した位置であっ
て、洗浄液が基板Ｗの上表面中央部に噴射されるように
設置されている。洗浄ノズル３１は基板Ｗの加工面が下
向きの場合は下表面に向かって洗浄液が噴射されるよう
に配置される。
っき加工や研磨加工を施した側面に接近した位置であっ
て、洗浄液が基板Ｗの上表面中央部に噴射されるように
設置されている。洗浄ノズル３１は基板Ｗの加工面が下
向きの場合は下表面に向かって洗浄液が噴射されるよう
に配置される。
【００１９】洗浄ノズル３１から噴射される洗浄液Ｑ１
としては、基板Ｗの面上に形成された銅薄をエッチング
せず、メタル汚染に有効な洗浄液を用いる。即ち、例え
ば必要に応じて、純水、又は希硫酸、又は希フッ酸（Ｄ
ＨＦ）、又はイオン水、又はオゾン水と希フッ酸の２段
洗浄、又は過酸化水素（Ｈ2Ｆ2）と希フッ酸の２段洗浄
のいずれかを使用する。
としては、基板Ｗの面上に形成された銅薄をエッチング
せず、メタル汚染に有効な洗浄液を用いる。即ち、例え
ば必要に応じて、純水、又は希硫酸、又は希フッ酸（Ｄ
ＨＦ）、又はイオン水、又はオゾン水と希フッ酸の２段
洗浄、又は過酸化水素（Ｈ2Ｆ2）と希フッ酸の２段洗浄
のいずれかを使用する。
【００２０】洗浄ノズル３２は、基板Ｗの裏面側、即ち
めっき加工や研磨加工等の加工を施していない面側の下
部中央の位置に設置されている。洗浄ノズル３２は基板
裏面が上向きの場合は基板上方に位置する。この洗浄ノ
ズル３２から噴射される洗浄液Ｑ２は、加工面に比べる
と、基板上に付着した銅を除去することが可能な洗浄液
を用い、例えば必要に応じて、純水、又は希硫酸、又は
希フッ酸（ＤＨＦ）、又はイオン水、又はオゾン水と希
フッ酸の２段洗浄、又は過酸化水素（Ｈ2Ｆ2）と希フッ
酸の２段洗浄のいずれかを使用する。
めっき加工や研磨加工等の加工を施していない面側の下
部中央の位置に設置されている。洗浄ノズル３２は基板
裏面が上向きの場合は基板上方に位置する。この洗浄ノ
ズル３２から噴射される洗浄液Ｑ２は、加工面に比べる
と、基板上に付着した銅を除去することが可能な洗浄液
を用い、例えば必要に応じて、純水、又は希硫酸、又は
希フッ酸（ＤＨＦ）、又はイオン水、又はオゾン水と希
フッ酸の２段洗浄、又は過酸化水素（Ｈ2Ｆ2）と希フッ
酸の２段洗浄のいずれかを使用する。
【００２１】図３は第１の支持バー１１ａの構成例を示
す図である。第１の支持バー１１ａはヒンジピン１２よ
り上方部分Ｌ１の質量がヒンジピン１２より下方部分Ｌ
２の質量より大きく作られている。基板Ｗの停止時は第
１の支持バー１１ａはスプリング１８の弾発力で基板Ｗ
の外周部に押し付けられ、３個の第１の支持バー１１ａ
で基板Ｗを挟持している。基板Ｗの回転速度が上昇する
と遠心力が作用し、上方部分Ｌ１の遠心力が下方部分Ｌ
２の遠心力に打ち勝って、第１の支持バー１１ａはヒン
ジピン１２を中心に基板Ｗの外周部から離れる方向に回
動し、基板Ｗの保持を解除する。
す図である。第１の支持バー１１ａはヒンジピン１２よ
り上方部分Ｌ１の質量がヒンジピン１２より下方部分Ｌ
２の質量より大きく作られている。基板Ｗの停止時は第
１の支持バー１１ａはスプリング１８の弾発力で基板Ｗ
の外周部に押し付けられ、３個の第１の支持バー１１ａ
で基板Ｗを挟持している。基板Ｗの回転速度が上昇する
と遠心力が作用し、上方部分Ｌ１の遠心力が下方部分Ｌ
２の遠心力に打ち勝って、第１の支持バー１１ａはヒン
ジピン１２を中心に基板Ｗの外周部から離れる方向に回
動し、基板Ｗの保持を解除する。
【００２２】なお、１９はプッシュシリンダであり、該
プッシュシリンダ１９で第１の支持バー１１ａの下端を
押すことにより、該支持バー１１ａを基板Ｗの外周から
離れるように回動させることができる。
プッシュシリンダ１９で第１の支持バー１１ａの下端を
押すことにより、該支持バー１１ａを基板Ｗの外周から
離れるように回動させることができる。
【００２３】図４は第２の支持バー１１ｂの構成例を示
す図である。第２の支持バー１１ｂはヒンジピン１２よ
り上方部分Ｌ１の質量がヒンジピン１２より下方部分Ｌ
２の質量より小さく作られている。基板Ｗの停止時はス
プリング２０の弾発力で基板Ｗの外周から離れるように
押し付けられている。基板Ｗの回転速度が上昇すると遠
心力が作用し、下方部分Ｌ２の遠心力が上方部分Ｌ１の
遠心力に打ち勝って、第２の支持バー１１ｂはヒンジピ
ン１２を中心に基板Ｗの外周部に当接する方向に回動
し、３個の第２の支持バー１１ｂで基板Ｗを挟持する。
す図である。第２の支持バー１１ｂはヒンジピン１２よ
り上方部分Ｌ１の質量がヒンジピン１２より下方部分Ｌ
２の質量より小さく作られている。基板Ｗの停止時はス
プリング２０の弾発力で基板Ｗの外周から離れるように
押し付けられている。基板Ｗの回転速度が上昇すると遠
心力が作用し、下方部分Ｌ２の遠心力が上方部分Ｌ１の
遠心力に打ち勝って、第２の支持バー１１ｂはヒンジピ
ン１２を中心に基板Ｗの外周部に当接する方向に回動
し、３個の第２の支持バー１１ｂで基板Ｗを挟持する。
【００２４】第１の支持バー１１ａが基板Ｗから離れる
回転数Ｎ１（ｒｐｍ）と第２の支持バー１１ｂが基板Ｗ
に接触する回転数Ｎ２（ｒｐｍ）はそれぞれスプリング
１８及びスプリング２０の弾発力を調整すればよい。ま
た、回転数Ｎ１を回転数Ｎ２より大きくすれば基板Ｗは
常にどちらかの支持バーに挟持されており、基板Ｗは離
脱することはない。
回転数Ｎ１（ｒｐｍ）と第２の支持バー１１ｂが基板Ｗ
に接触する回転数Ｎ２（ｒｐｍ）はそれぞれスプリング
１８及びスプリング２０の弾発力を調整すればよい。ま
た、回転数Ｎ１を回転数Ｎ２より大きくすれば基板Ｗは
常にどちらかの支持バーに挟持されており、基板Ｗは離
脱することはない。
【００２５】図５は本発明に係る基板洗浄装置の要部概
略構成図である。本洗浄装置は、図示するようにエッチ
ングノズル３３が配置されエッチングプロセスを実施で
きるように構成されている。支持バー１１は図示は省略
するが図１乃至図４の場合と同様、第１の支持バー１１
ａと第２の支持バー１１ｂを具備し、エッチング処理中
及び洗浄処理中にいずれか一方が基板Ｗの外周から離脱
するようになっている。
略構成図である。本洗浄装置は、図示するようにエッチ
ングノズル３３が配置されエッチングプロセスを実施で
きるように構成されている。支持バー１１は図示は省略
するが図１乃至図４の場合と同様、第１の支持バー１１
ａと第２の支持バー１１ｂを具備し、エッチング処理中
及び洗浄処理中にいずれか一方が基板Ｗの外周から離脱
するようになっている。
【００２６】エッチングノズル３３は基板Ｗのエッジ部
から所定寸法（例えばエッジ部から５ｍｍ以下）のとこ
ろに位置合わせして配置されている。該エッチングノズ
ル３３から基板Ｗの加工面にエッチング液Ｑ３を噴射し
て、基板Ｗの表面のエッジ部及びその近傍に形成された
銅箔を除去する。このとき第１の支持バー１１ａ及び第
２の支持バー１１ｂのいずれか一方が、基板Ｗの外周部
から離脱するので、この第１の支持バー１１ａ及び第２
の支持バー１１ｂが当接していた部分にもエッチング液
が流れこの部分にエッチング残りが発生することがな
い。なお、エッチング処理の詳細は本特許出願人が先に
出願した特願平１１−１３９１８３号の明細書及び図面
に記載しているのでここでは省略する。
から所定寸法（例えばエッジ部から５ｍｍ以下）のとこ
ろに位置合わせして配置されている。該エッチングノズ
ル３３から基板Ｗの加工面にエッチング液Ｑ３を噴射し
て、基板Ｗの表面のエッジ部及びその近傍に形成された
銅箔を除去する。このとき第１の支持バー１１ａ及び第
２の支持バー１１ｂのいずれか一方が、基板Ｗの外周部
から離脱するので、この第１の支持バー１１ａ及び第２
の支持バー１１ｂが当接していた部分にもエッチング液
が流れこの部分にエッチング残りが発生することがな
い。なお、エッチング処理の詳細は本特許出願人が先に
出願した特願平１１−１３９１８３号の明細書及び図面
に記載しているのでここでは省略する。
【００２７】上記実施形態例で洗浄ノズル３１、３２及
びエッチングノズル３３から噴射され、洗浄やエッチン
グに供された洗浄液Ｑ１、Ｑ２及びエッチング液Ｑ３は
液受皿３４で受けられ、排出口３５から排出される。
びエッチングノズル３３から噴射され、洗浄やエッチン
グに供された洗浄液Ｑ１、Ｑ２及びエッチング液Ｑ３は
液受皿３４で受けられ、排出口３５から排出される。
【００２８】なお、図３及び図４においては、第１の支
持バー１１ａ及び第２の支持バー１１ｂを遠心力を利用
して、基板外周部に当接及び離脱させる例を示したが、
第１の支持バー１１ａ及び第２の支持バー１１ｂの当接
及び離脱方法としては、これに限定されるものではな
く、例えば図６に示すように、第１の支持バー１１ａの
上方部と下方部にそれぞれスプリング２１とプッシュシ
リンダ２２を設け、常時はスプリング２１で第１の支持
バー１１を基板Ｗの外周部に当接させておき、基板Ｗの
回転数Ｎ１を越えたらプッシュシリンダ２２を作動して
第１の支持バー１１ａを基板から離脱させ、更に図７に
示すように、第２の支持バー１１ｂの上方部と下方部に
それぞれプッシュシリンダ２４とスプリング２３を設
け、基板Ｗが回転数Ｎ２を越えたらプッシュシリンダ２
４を作動して第２の支持バー１１ｂを基板に当接させる
ように構成してもよい。
持バー１１ａ及び第２の支持バー１１ｂを遠心力を利用
して、基板外周部に当接及び離脱させる例を示したが、
第１の支持バー１１ａ及び第２の支持バー１１ｂの当接
及び離脱方法としては、これに限定されるものではな
く、例えば図６に示すように、第１の支持バー１１ａの
上方部と下方部にそれぞれスプリング２１とプッシュシ
リンダ２２を設け、常時はスプリング２１で第１の支持
バー１１を基板Ｗの外周部に当接させておき、基板Ｗの
回転数Ｎ１を越えたらプッシュシリンダ２２を作動して
第１の支持バー１１ａを基板から離脱させ、更に図７に
示すように、第２の支持バー１１ｂの上方部と下方部に
それぞれプッシュシリンダ２４とスプリング２３を設
け、基板Ｗが回転数Ｎ２を越えたらプッシュシリンダ２
４を作動して第２の支持バー１１ｂを基板に当接させる
ように構成してもよい。
【００２９】図８は本発明に係る基板洗浄装置を組み込
んで一体化した基板処理装置の構成例を示す図である。
本基板処理装置は、同図に示すように、複数のめっき槽
１０１、１０１とロボット１０３とロードステージ１０
５及び粗水洗部１０７とを備えためっき加工部１００
と、本発明に係る基板洗浄装置１１１、１１３とリンサ
ドライヤ１１５、１１７とロボット１１９とロード基板
カセット１２１とアンロード側基板カセット１２３とを
備えた洗浄部１１０とを具備する構成である。
んで一体化した基板処理装置の構成例を示す図である。
本基板処理装置は、同図に示すように、複数のめっき槽
１０１、１０１とロボット１０３とロードステージ１０
５及び粗水洗部１０７とを備えためっき加工部１００
と、本発明に係る基板洗浄装置１１１、１１３とリンサ
ドライヤ１１５、１１７とロボット１１９とロード基板
カセット１２１とアンロード側基板カセット１２３とを
備えた洗浄部１１０とを具備する構成である。
【００３０】ロボット１１９によりロード側基板カセッ
ト１２１から未処理の基板を１枚ずつ取り出してロード
ステージ１０５に載置する。ロボット１０３によりロー
ドステージ１０５に載置された基板をめっき槽１０１に
移送してめっき加工を行ない、粗水洗部１０７で粗水洗
を行なう。粗水洗された基板はロボット１１９により、
本発明に係る洗浄装置１１１、１１３に移送され、ここ
で基板の表裏面洗浄又は外周部のエッチングと洗浄を行
ない、その後リンサドライヤ１１５、１１７で洗浄・乾
燥した後にアンロード側基板カセット１２３に基板を収
納する。つまり、基板のめっき加工と洗浄の処理を枚葉
式に連続して行なう。
ト１２１から未処理の基板を１枚ずつ取り出してロード
ステージ１０５に載置する。ロボット１０３によりロー
ドステージ１０５に載置された基板をめっき槽１０１に
移送してめっき加工を行ない、粗水洗部１０７で粗水洗
を行なう。粗水洗された基板はロボット１１９により、
本発明に係る洗浄装置１１１、１１３に移送され、ここ
で基板の表裏面洗浄又は外周部のエッチングと洗浄を行
ない、その後リンサドライヤ１１５、１１７で洗浄・乾
燥した後にアンロード側基板カセット１２３に基板を収
納する。つまり、基板のめっき加工と洗浄の処理を枚葉
式に連続して行なう。
【００３１】図９は本発明に係る基板洗浄装置を組み込
んで一体化した基板処理装置の構成を示す図である。本
基板処理装置は、同図に示すように、化学的機械研磨加
工部１３０と洗浄部１５０とから構成される。化学的機
械研磨加工部１３０は表面に研磨面を設けたターンテー
ブル１３４と下面に基板を保持して回転するトップリン
グヘッド１３５を設けたトップリング１３７と研磨面を
ドレッシングするドレッサー１４１と基板をトップリン
グ１３７に受け渡しするプッシャー１４３とを備えてい
る。
んで一体化した基板処理装置の構成を示す図である。本
基板処理装置は、同図に示すように、化学的機械研磨加
工部１３０と洗浄部１５０とから構成される。化学的機
械研磨加工部１３０は表面に研磨面を設けたターンテー
ブル１３４と下面に基板を保持して回転するトップリン
グヘッド１３５を設けたトップリング１３７と研磨面を
ドレッシングするドレッサー１４１と基板をトップリン
グ１３７に受け渡しするプッシャー１４３とを備えてい
る。
【００３２】また、洗浄部１５０は本発明に係る基板洗
浄装置である１次洗浄機１５５、２次洗浄機１５７、ス
ピンドライヤ１５９、ロボット１５１、ロボット１５
３、反転機１６１、反転機１６２、ロード・アンロード
用の基板カセット１６５を具備している。
浄装置である１次洗浄機１５５、２次洗浄機１５７、ス
ピンドライヤ１５９、ロボット１５１、ロボット１５
３、反転機１６１、反転機１６２、ロード・アンロード
用の基板カセット１６５を具備している。
【００３３】ロボット１５１、ロボット１５３により基
板カセット１６５から未処理の基板を１枚ずつ取り出さ
れた基板はプッシャー１４３を介してトップリング１３
７に受け渡されてターンテーブル１３４の研磨面で化学
的機械研磨された後、再びプッシャー１４３を介して１
次洗浄機１５５と２次洗浄機１５７で洗浄され、スピン
ドライヤ１５９で乾燥された後、基板カセット１６５に
収納される。つまり化学的機械研磨と洗浄とを枚葉式に
連続して処理する。
板カセット１６５から未処理の基板を１枚ずつ取り出さ
れた基板はプッシャー１４３を介してトップリング１３
７に受け渡されてターンテーブル１３４の研磨面で化学
的機械研磨された後、再びプッシャー１４３を介して１
次洗浄機１５５と２次洗浄機１５７で洗浄され、スピン
ドライヤ１５９で乾燥された後、基板カセット１６５に
収納される。つまり化学的機械研磨と洗浄とを枚葉式に
連続して処理する。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、各請求項に記載の
発明によれば下記のような優れた効果が期待できる。
発明によれば下記のような優れた効果が期待できる。
【００３５】請求項１及び２に記載の発明によれば、低
速回転又は所定以下の遠心力では基板の外周部に当接し
て基板を挟持し、高速回転又は所定以上の遠心力で基板
外周部から離脱する３個以上の第１の支持バーと、低速
回転又は所定以下の遠心力では基板外周部から離脱し、
所定以上の遠心力で基板外周部に当接して基板を挟持す
る３個以上の第２の支持バーとで基板を保持する構成と
するので、基板洗浄中に基板外周部から第１又は第２の
いずれかの支持バーが離脱する期間があり、支持バーが
基板外周部から離脱した時この部分に洗浄液が流れ洗浄
されるので、洗浄残りが発生しない。
速回転又は所定以下の遠心力では基板の外周部に当接し
て基板を挟持し、高速回転又は所定以上の遠心力で基板
外周部から離脱する３個以上の第１の支持バーと、低速
回転又は所定以下の遠心力では基板外周部から離脱し、
所定以上の遠心力で基板外周部に当接して基板を挟持す
る３個以上の第２の支持バーとで基板を保持する構成と
するので、基板洗浄中に基板外周部から第１又は第２の
いずれかの支持バーが離脱する期間があり、支持バーが
基板外周部から離脱した時この部分に洗浄液が流れ洗浄
されるので、洗浄残りが発生しない。
【００３６】請求項３に記載の発明によれば、基板のべ
べル部分に形成されたシード層及び銅めっき薄膜をエッ
チングするエッチングプロセスを含むので、支持バーが
基板外周部を離脱した時にこの部分にエッチング液が流
れエッチングされるので、支持バーが当接する部分に洗
浄残りやエッチング残りが発生しない。
べル部分に形成されたシード層及び銅めっき薄膜をエッ
チングするエッチングプロセスを含むので、支持バーが
基板外周部を離脱した時にこの部分にエッチング液が流
れエッチングされるので、支持バーが当接する部分に洗
浄残りやエッチング残りが発生しない。
【００３７】請求項４に記載の発明によれば、めっき加
工又は研磨加工を行なう加工部と洗浄を行なう洗浄部を
一体化した装置とし、洗浄部の少なくとも１つの洗浄装
置には少なくとも請求項１乃至３に記載のいずれかの洗
浄装置を用い、めっき加工又は研磨加工と洗浄を枚葉式
に連続処理するように構成するので、基板のめっき加工
又は研磨加工と洗浄残り又は洗浄残りとエッチング残り
のない洗浄を１つの装置で連続して行なうことができ
る。
工又は研磨加工を行なう加工部と洗浄を行なう洗浄部を
一体化した装置とし、洗浄部の少なくとも１つの洗浄装
置には少なくとも請求項１乃至３に記載のいずれかの洗
浄装置を用い、めっき加工又は研磨加工と洗浄を枚葉式
に連続処理するように構成するので、基板のめっき加工
又は研磨加工と洗浄残り又は洗浄残りとエッチング残り
のない洗浄を１つの装置で連続して行なうことができ
る。
【図１】本発明に係る基板洗浄装置の要部概略構成図で
ある。
ある。
【図２】本発明に係る基板洗浄装置の基板と支持バーの
配置状態を示す平面図である。
配置状態を示す平面図である。
【図３】本発明に係る基板洗浄装置の第１の支持バーの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図４】本発明に係る基板洗浄装置の第２の支持バーの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図５】本発明に係る基板洗浄装置の要部概略構成図で
ある。
ある。
【図６】本発明に係る基板洗浄装置の第１の支持バーの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図７】本発明に係る基板洗浄装置の第２の支持バーの
構成を示す図である。
構成を示す図である。
【図８】本発明に係る基板処理装置の平面構成を示す図
である。
である。
【図９】本発明に係る基板処理装置の平面構成を示す図
である。
である。
１０ 回転機構 １１ 支持バー １２ ヒンジピン １３ 支持台部材 １４ モータ １５ プリー １６ ベルト １７ プリー １８ スプリング １９ プッシュシリンダ ２０ スプリング ２１ スプリング ２２ プッシュシリンダ ２３ スプリング ２４ プッシュシリンダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森澤 伸哉 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB34 AB42 BB24 BB92 BB93 BB96 CC01 CC13 4K057 WA20 WM04 WM11 WN01 5F031 CA02 FA01 HA24 HA27 HA30 LA07 MA22 MA23 MA24 5F043 EE07 EE35 GG10
Claims (4)
- 【請求項１】 所定の加工を施した基板を支持部材で支
持し、該基板を回転させながら洗浄する基板洗浄装置に
おいて、 前記支持部材は低速回転において前記基板の外周部に当
接して該基板を挟持し、高速回転において該基板外周部
から離脱する３個以上の第１の支持バーと、低速回転に
おいて前記基板外周部から離脱し、高速回転において前
記基板外周部に当接して該基板を挟持する３個以上の第
２の支持バーとからなることを特徴とする基板洗浄装
置。 - 【請求項２】 所定の加工を施した基板を支持部材で支
持し、該基板を回転させながら洗浄する基板洗浄装置に
おいて、 前記支持部材は所定以下の遠心力では前記基板外周部に
当接し該基板を挟持し、所定以上の遠心力で該基板外周
部から離脱する３個以上の第１の支持バーと、所定以下
の遠心力では前記基板外周部から離脱し、所定以上の遠
心力で該基板外周部に当接して該基板を挟持する３個以
上の第２の支持バーとからなることを特徴とする基板洗
浄装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の基板洗浄装置に
おいて、 前記基板の洗浄には銅めっき加工を施した基板のべべル
部分に形成された銅薄膜をエッチングするエッチングプ
ロセスを含んでいることを特徴とする基板洗浄装置。 - 【請求項４】 基板に所定の加工処理及び洗浄処理を施
す基板処理装置において、 前記加工処理は銅めっき加工又は研磨加工であり、該銅
めっき加工を行なうめっき部又は研磨加工を行なう研磨
部と前記洗浄処理を施す洗浄部は一体化した装置として
構成され、該洗浄部の少なくとも１つの洗浄装置には少
なくとも請求項１乃至３に記載のいずれかの洗浄装置を
用い、前記めっき加工又は研磨加工と洗浄を枚葉式に連
続処理するように構成したことを特徴とする基板洗浄装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28843899A JP2001110771A (ja) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28843899A JP2001110771A (ja) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001110771A true JP2001110771A (ja) | 2001-04-20 |
Family
ID=17730224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28843899A Pending JP2001110771A (ja) | 1999-10-08 | 1999-10-08 | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001110771A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003197718A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2005045287A (ja) * | 2004-10-28 | 2005-02-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2006004955A (ja) * | 2003-05-30 | 2006-01-05 | Ebara Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| KR100829924B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2008-05-19 | 세메스 주식회사 | 스핀헤드 및 이를 이용하여 웨이퍼를 홀딩/언홀딩하는 방법 |
| JP2009517866A (ja) * | 2005-11-23 | 2009-04-30 | マテリアルズ・アンド・テクノロジーズ・コーポレーション | 基板を保持するための装置及び方法 |
| JP2009170473A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Tatsumo Kk | アライナ装置 |
| JP2014045029A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板回転保持装置および基板処理装置 |
| KR20140099191A (ko) * | 2013-02-01 | 2014-08-11 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치 |
| CN115289790A (zh) * | 2022-07-25 | 2022-11-04 | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 | 一种去除硅片边缘水迹的方法 |
-
1999
- 1999-10-08 JP JP28843899A patent/JP2001110771A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US9011064B2 (en) | 2005-11-23 | 2015-04-21 | Materials And Technologies Corporation | Device and method for holding a substrate |
| KR100829924B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2008-05-19 | 세메스 주식회사 | 스핀헤드 및 이를 이용하여 웨이퍼를 홀딩/언홀딩하는 방법 |
| JP2009170473A (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-30 | Tatsumo Kk | アライナ装置 |
| JP2014045029A (ja) * | 2012-08-24 | 2014-03-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板回転保持装置および基板処理装置 |
| KR20140099191A (ko) * | 2013-02-01 | 2014-08-11 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치 |
| KR102142893B1 (ko) * | 2013-02-01 | 2020-08-10 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 이면의 연마 방법 및 기판 처리 장치 |
| CN115289790A (zh) * | 2022-07-25 | 2022-11-04 | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 | 一种去除硅片边缘水迹的方法 |
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