JPH06163500A - 基板の洗浄方法およびその装置 - Google Patents
基板の洗浄方法およびその装置Info
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- JPH06163500A JPH06163500A JP34118592A JP34118592A JPH06163500A JP H06163500 A JPH06163500 A JP H06163500A JP 34118592 A JP34118592 A JP 34118592A JP 34118592 A JP34118592 A JP 34118592A JP H06163500 A JPH06163500 A JP H06163500A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置構造の微細化高集積化に応じ、高
い基板清浄度を得るべく、その洗浄処理において裏面ダ
ストの表面側への再付着を有効に防止する。 【構成】 同一方向へ向けて配列された複数枚のウェハ
Ｗ，Ｗ，…を、隣接するウェハＷ，Ｗ同士の表面Ｗａと
表面Ｗａ、裏面Ｗｂと裏面Ｗｂをそれぞれ対向させて再
配列させた後、層流状態の上昇流を生じさせた洗浄液Ｃ
に浸漬することにより、各ウェハＷの裏面Ｗｂから剥離
した裏面ダストｐの表面Ｗａへの再付着を防止する。こ
の場合、特にウェハＷ，Ｗ間における洗浄液Ｃの層流状
態を均一にする構造とすることにより、再付着防止効果
をより高める。
い基板清浄度を得るべく、その洗浄処理において裏面ダ
ストの表面側への再付着を有効に防止する。 【構成】 同一方向へ向けて配列された複数枚のウェハ
Ｗ，Ｗ，…を、隣接するウェハＷ，Ｗ同士の表面Ｗａと
表面Ｗａ、裏面Ｗｂと裏面Ｗｂをそれぞれ対向させて再
配列させた後、層流状態の上昇流を生じさせた洗浄液Ｃ
に浸漬することにより、各ウェハＷの裏面Ｗｂから剥離
した裏面ダストｐの表面Ｗａへの再付着を防止する。こ
の場合、特にウェハＷ，Ｗ間における洗浄液Ｃの層流状
態を均一にする構造とすることにより、再付着防止効果
をより高める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は基板の洗浄方法および
その装置に関し、さらに詳細には、半導体基板や液晶ガ
ラス基板等の薄板状の基板を複数枚まとめて洗浄液に浸
漬する技術に関する。
その装置に関し、さらに詳細には、半導体基板や液晶ガ
ラス基板等の薄板状の基板を複数枚まとめて洗浄液に浸
漬する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の性能や信頼性を高く保持す
るためには、半導体基板（以下、ウェハと称する）の表
面の汚染物質を極力低減させて高い清浄度を保つことが
必須であり、この目的から、従来種々のウェハ洗浄処理
技術が開発されており、その一例としてフッ酸（ＨＦ）
処理の場合を図１２から図１４に示す。
るためには、半導体基板（以下、ウェハと称する）の表
面の汚染物質を極力低減させて高い清浄度を保つことが
必須であり、この目的から、従来種々のウェハ洗浄処理
技術が開発されており、その一例としてフッ酸（ＨＦ）
処理の場合を図１２から図１４に示す。
【０００３】ここに示されるＨＦ処理装置は、複数枚の
ウェハＷ，Ｗ，…をまとめて処理（バッチ処理）するた
めのもので、図１２に示すように、石英ガラスやフッ素
樹脂等の耐腐食性を有する材料からなり、ＨＦと純水の
混合液（洗浄液）Ｃが満たされている洗浄槽ａと、この
洗浄槽ａからオーバフローする洗浄液Ｃを集める外槽ｂ
とを備えている。
ウェハＷ，Ｗ，…をまとめて処理（バッチ処理）するた
めのもので、図１２に示すように、石英ガラスやフッ素
樹脂等の耐腐食性を有する材料からなり、ＨＦと純水の
混合液（洗浄液）Ｃが満たされている洗浄槽ａと、この
洗浄槽ａからオーバフローする洗浄液Ｃを集める外槽ｂ
とを備えている。
【０００４】上記洗浄槽ａの底部には、２本の給液パイ
プｄ，ｄが設けられるとともに、これら給液パイプｄ，
ｄの上側には、複数枚のウェハＷ，Ｗ，…を保持するウ
ェハ保持部ｅが設けられている。
プｄ，ｄが設けられるとともに、これら給液パイプｄ，
ｄの上側には、複数枚のウェハＷ，Ｗ，…を保持するウ
ェハ保持部ｅが設けられている。
【０００５】そして、洗浄槽ａ内に満たされた洗浄液Ｃ
中に、複数枚のウェハＷ，Ｗ，…をウェハ保持部ｅに載
置保持して浸漬し、循環ポンプＰにより濾過フィルタＦ
を介して洗浄液Ｃを循環させる。つまり、この洗浄液Ｃ
は、上記給液パイプｄ，ｄから洗浄槽ａ内へ供給され、
この供給量に対応した量の洗浄液Ｃが洗浄槽ａの上部開
口を乗り越えオーバフローして、外槽ｂへ流れ込む。
中に、複数枚のウェハＷ，Ｗ，…をウェハ保持部ｅに載
置保持して浸漬し、循環ポンプＰにより濾過フィルタＦ
を介して洗浄液Ｃを循環させる。つまり、この洗浄液Ｃ
は、上記給液パイプｄ，ｄから洗浄槽ａ内へ供給され、
この供給量に対応した量の洗浄液Ｃが洗浄槽ａの上部開
口を乗り越えオーバフローして、外槽ｂへ流れ込む。
【０００６】この時、洗浄槽ａ内には洗浄液Ｃの上昇流
（アップフロー）が生じ、この上昇流は、図１３に示す
ように各ウェハＷ，Ｗ間を流れて、各ウェハＷの表面
（鏡面）Ｗａと裏面Ｗｂに付着したダスト（塵埃）ｐ，
ｐ，…を剥離して、オーバフローする洗浄液Ｃと共に洗
浄槽ａの外へ運び出し、このダストｐ，ｐ，…を濾過フ
ィルタＦで除去した後、再び洗浄液Ｃのみが洗浄槽ａ内
へ戻る。
（アップフロー）が生じ、この上昇流は、図１３に示す
ように各ウェハＷ，Ｗ間を流れて、各ウェハＷの表面
（鏡面）Ｗａと裏面Ｗｂに付着したダスト（塵埃）ｐ，
ｐ，…を剥離して、オーバフローする洗浄液Ｃと共に洗
浄槽ａの外へ運び出し、このダストｐ，ｐ，…を濾過フ
ィルタＦで除去した後、再び洗浄液Ｃのみが洗浄槽ａ内
へ戻る。
【０００７】以上のように洗浄液Ｃが所定時間循環され
ることにより、各ウェハＷの表裏面Ｗａ，Ｗｂが清浄化
されることとなる。
ることにより、各ウェハＷの表裏面Ｗａ，Ｗｂが清浄化
されることとなる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近時は半導
体装置もサブミクロン時代を迎え、このような装置構造
の微細化、高集積化に伴って、ウェハＷの表面Ｗａにも
非常に高い清浄度が要求されている。
体装置もサブミクロン時代を迎え、このような装置構造
の微細化、高集積化に伴って、ウェハＷの表面Ｗａにも
非常に高い清浄度が要求されている。
【０００９】しかしながら、上記のような従来の洗浄方
法では、洗浄液Ｃの上昇流に乱雑な流れを生じる部分な
どがあって、特にウェハＷの裏面Ｗｂから剥離した裏面
ダストｐ，ｐ，…が表面Ｗａに再付着し、表面Ｗａに所
期の清浄度が得られず、これがため歩留りを大幅に低下
させるという問題が生じていた。
法では、洗浄液Ｃの上昇流に乱雑な流れを生じる部分な
どがあって、特にウェハＷの裏面Ｗｂから剥離した裏面
ダストｐ，ｐ，…が表面Ｗａに再付着し、表面Ｗａに所
期の清浄度が得られず、これがため歩留りを大幅に低下
させるという問題が生じていた。
【００１０】この点に関して、本発明者は、上記洗浄液
Ｃの上昇流における乱雑な流れの原因を追求すべく種々
の試験研究を行った結果、その主因が洗浄槽ａの底部に
設けられた２本の給液パイプｄ，ｄにあることを突き止
めた。
Ｃの上昇流における乱雑な流れの原因を追求すべく種々
の試験研究を行った結果、その主因が洗浄槽ａの底部に
設けられた２本の給液パイプｄ，ｄにあることを突き止
めた。
【００１１】すなわち、これら給液パイプｄ，ｄには、
図１４に示すように、多数（例えば６０個程度）の流出
穴ｆ，ｇ，ｈ，…が設けられているが、これらの流出穴
のうち、ウェハＷ，Ｗ，…間に向けて設けられた流出穴
ｆはほんの３〜５個程度（図示のものにおいては３個）
で、残りの流出穴ｇ，ｈ，…はすべて、ウェハＷ，Ｗ，
…と直接対向しない方向へそれぞれ向けられている（図
１２(a) および図１４(b) 参照）。
図１４に示すように、多数（例えば６０個程度）の流出
穴ｆ，ｇ，ｈ，…が設けられているが、これらの流出穴
のうち、ウェハＷ，Ｗ，…間に向けて設けられた流出穴
ｆはほんの３〜５個程度（図示のものにおいては３個）
で、残りの流出穴ｇ，ｈ，…はすべて、ウェハＷ，Ｗ，
…と直接対向しない方向へそれぞれ向けられている（図
１２(a) および図１４(b) 参照）。
【００１２】これは、ウェハＷ，Ｗ，…に直接強い洗浄
液流を当てるとエッチングむらを起こす可能性があるこ
とを考慮したものであって、ウェハ向きの流出穴ｆを極
力少なくする一方、残りの多数の流出穴ｇ，ｈ，…から
流出する洗浄液Ｃによって、攪拌された洗浄液の流れを
起こして、その溜まりを少なくしているのである。
液流を当てるとエッチングむらを起こす可能性があるこ
とを考慮したものであって、ウェハ向きの流出穴ｆを極
力少なくする一方、残りの多数の流出穴ｇ，ｈ，…から
流出する洗浄液Ｃによって、攪拌された洗浄液の流れを
起こして、その溜まりを少なくしているのである。
【００１３】ところが、実際には、このような流出穴配
設構造での洗浄液の流れは、均一な層流状態ではなく、
複雑かつ乱雑な流れとなってしまう。一方、ウェハＷの
裏面Ｗｂには、前工程からの持込みダスト（特にステッ
パーやインプラなどのチャッキングによるダスト）ｐ，
ｐ，…が多く付着している。そして、これらの裏面ダス
トｐ，ｐ，…は洗浄液Ｃにより剥離された後、その乱雑
な流れによりオーバフローすることなくまき散らされ
て、ウェハＷの表面Ｗａ側へ流れて再付着してしまうの
である。
設構造での洗浄液の流れは、均一な層流状態ではなく、
複雑かつ乱雑な流れとなってしまう。一方、ウェハＷの
裏面Ｗｂには、前工程からの持込みダスト（特にステッ
パーやインプラなどのチャッキングによるダスト）ｐ，
ｐ，…が多く付着している。そして、これらの裏面ダス
トｐ，ｐ，…は洗浄液Ｃにより剥離された後、その乱雑
な流れによりオーバフローすることなくまき散らされ
て、ウェハＷの表面Ｗａ側へ流れて再付着してしまうの
である。
【００１４】特に裏面ダストｐ，ｐ，…の再付着が激し
いのは、洗浄液がフッ酸（ＨＦ）の場合である。つま
り、ウェハＷの裏面Ｗｂ上の酸化膜がＨＦによりエッチ
ングされて、この酸化膜上に付着していた裏面ダストが
剥離する一方、ウェハＷの表面Ｗａ側もエッチングによ
りシリコン（Ｓｉ）表面が露出し、ダストが付着しやす
い状態にあり、これがため、上記剥離した裏面ダストが
表面Ｗａに多く再付着されてしまう。
いのは、洗浄液がフッ酸（ＨＦ）の場合である。つま
り、ウェハＷの裏面Ｗｂ上の酸化膜がＨＦによりエッチ
ングされて、この酸化膜上に付着していた裏面ダストが
剥離する一方、ウェハＷの表面Ｗａ側もエッチングによ
りシリコン（Ｓｉ）表面が露出し、ダストが付着しやす
い状態にあり、これがため、上記剥離した裏面ダストが
表面Ｗａに多く再付着されてしまう。
【００１５】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたものであって、その目的とするところは、ウェハ
の裏面から剥離した裏面ダストの表面への再付着を防止
して、半導体装置構造の微細化、高集積化に応じた高い
清浄度を得ることができる基板の洗浄方法およびその装
置を提供することにある。
されたものであって、その目的とするところは、ウェハ
の裏面から剥離した裏面ダストの表面への再付着を防止
して、半導体装置構造の微細化、高集積化に応じた高い
清浄度を得ることができる基板の洗浄方法およびその装
置を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の基板の洗浄方法は、基板を複数枚まとめて
洗浄液に浸漬して行うバッチ式洗浄方法であって、同一
方向へ向けて配列された複数枚の基板を、隣接する基板
同士の表面と表面、裏面と裏面をそれぞれ対向させて再
配列させた後、この再配列した複数枚の基板を、層流状
態の上昇流を生じさせた洗浄液に浸漬することを特徴と
する。
め、本発明の基板の洗浄方法は、基板を複数枚まとめて
洗浄液に浸漬して行うバッチ式洗浄方法であって、同一
方向へ向けて配列された複数枚の基板を、隣接する基板
同士の表面と表面、裏面と裏面をそれぞれ対向させて再
配列させた後、この再配列した複数枚の基板を、層流状
態の上昇流を生じさせた洗浄液に浸漬することを特徴と
する。
【００１７】また、本発明の基板の洗浄装置は、上記洗
浄方法の実施に使用されるものであって、基板の搬入出
部に、複数枚の基板を収納するウェハ置台と、このウェ
ハ置台上の複数枚の基板から、一枚置きの基板の組をそ
の配列方向と垂直方向へ離脱させるウェハ離脱手段と、
これらウェハ離脱手段とウェハ置台を、基板の配列方向
中心軸まわりに相対的に回転させる回転手段とを備え、
一方、基板の洗浄部に、上記ウェハ置台上の複数枚の基
板をまとめてチャッキングして搬送処理するウェハ搬送
手段と、このウェハ搬送手段により搬送される基板を浸
漬する洗浄液が満たされ、この洗浄液に層流状態の上昇
流を生じさせる構造を備えた洗浄液槽手段とを備えてな
ることを特徴とする。
浄方法の実施に使用されるものであって、基板の搬入出
部に、複数枚の基板を収納するウェハ置台と、このウェ
ハ置台上の複数枚の基板から、一枚置きの基板の組をそ
の配列方向と垂直方向へ離脱させるウェハ離脱手段と、
これらウェハ離脱手段とウェハ置台を、基板の配列方向
中心軸まわりに相対的に回転させる回転手段とを備え、
一方、基板の洗浄部に、上記ウェハ置台上の複数枚の基
板をまとめてチャッキングして搬送処理するウェハ搬送
手段と、このウェハ搬送手段により搬送される基板を浸
漬する洗浄液が満たされ、この洗浄液に層流状態の上昇
流を生じさせる構造を備えた洗浄液槽手段とを備えてな
ることを特徴とする。
【００１８】
【作用】本発明においては、同一方向へ向けて配列され
た複数枚の基板を、隣接する基板同士の表面と表面、裏
面と裏面をそれぞれ対向させて再配列させた後、この再
配列した複数枚の基板を、層流状態の上昇流を生じさせ
た洗浄液に浸漬することにより、各基板の裏面から剥離
した裏面ダストの表面への再付着を防止する。
た複数枚の基板を、隣接する基板同士の表面と表面、裏
面と裏面をそれぞれ対向させて再配列させた後、この再
配列した複数枚の基板を、層流状態の上昇流を生じさせ
た洗浄液に浸漬することにより、各基板の裏面から剥離
した裏面ダストの表面への再付着を防止する。
【００１９】さらに、洗浄槽内特に各基板間における洗
浄液の上昇流の均一な層流状態を確保する構造として、
一旦基板裏面から剥離した裏面ダストを、基板表面側へ
流れることなく確実に洗浄槽外へオーバフローさせるこ
とにより、上記基板の配列方向と相まって、基板表面へ
の再付着防止をより確実にする。
浄液の上昇流の均一な層流状態を確保する構造として、
一旦基板裏面から剥離した裏面ダストを、基板表面側へ
流れることなく確実に洗浄槽外へオーバフローさせるこ
とにより、上記基板の配列方向と相まって、基板表面へ
の再付着防止をより確実にする。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面に基づいて詳
細に説明する。
細に説明する。
【００２１】本発明に係る基板洗浄装置の主要部である
洗浄液槽装置を図１および図２に示す。この基板洗浄装
置は、具体的には、半導体基板（ウェハ）Ｗの洗浄を複
数枚まとめて行うバッチ式のもので、その洗浄液槽装置
（洗浄槽手段）１には、洗浄液Ｃとして、フッ酸（Ｈ
Ｆ）と純水との混合液つまり希フッ酸が満たされ、この
洗浄液Ｃ中に、ウェハＷ，Ｗ，…が複数枚（図示例にお
いては２５枚）まとめて浸漬される構成とされている。
洗浄液槽装置を図１および図２に示す。この基板洗浄装
置は、具体的には、半導体基板（ウェハ）Ｗの洗浄を複
数枚まとめて行うバッチ式のもので、その洗浄液槽装置
（洗浄槽手段）１には、洗浄液Ｃとして、フッ酸（Ｈ
Ｆ）と純水との混合液つまり希フッ酸が満たされ、この
洗浄液Ｃ中に、ウェハＷ，Ｗ，…が複数枚（図示例にお
いては２５枚）まとめて浸漬される構成とされている。
【００２２】また、これらウェハＷ，Ｗ，…の配列ピッ
チ（基板間ピッチ）Ｐは、本装置の処理工程の全工程に
わたって同一ピッチとされ、図示例においては６．３５
ｍｍ）に設定されている。また、ウェハＷ，Ｗ，…の配
列は、図３に示すように、隣接するウェハＷ，Ｗの表面
Ｗａ，Ｗａ同士、および裏面Ｗｂ，Ｗｂ同士がそれぞれ
対向するようにされている。
チ（基板間ピッチ）Ｐは、本装置の処理工程の全工程に
わたって同一ピッチとされ、図示例においては６．３５
ｍｍ）に設定されている。また、ウェハＷ，Ｗ，…の配
列は、図３に示すように、隣接するウェハＷ，Ｗの表面
Ｗａ，Ｗａ同士、および裏面Ｗｂ，Ｗｂ同士がそれぞれ
対向するようにされている。
【００２３】これに関連して、基板洗浄装置の基板搬入
部と基板搬出部には、後述するウェハ反転装置が設けら
れるとともに（図５〜図８参照）、このウェハ反転装置
と上記洗浄液槽装置１との間に、ウェハＷ，Ｗ，…を搬
送処理するウェハ搬送装置（ウェハ搬送手段）２が設け
られている。
部と基板搬出部には、後述するウェハ反転装置が設けら
れるとともに（図５〜図８参照）、このウェハ反転装置
と上記洗浄液槽装置１との間に、ウェハＷ，Ｗ，…を搬
送処理するウェハ搬送装置（ウェハ搬送手段）２が設け
られている。
【００２４】洗浄液槽装置１は、上記ウェハ搬送装置２
と共に基板洗浄部を構成するもので、洗浄液Ｃが満たさ
れる洗浄槽３と、この洗浄槽３からオーバフローする洗
浄液Ｃを集める外槽４とを備えてなり、これらの槽３，
４は石英ガラスやフッ素樹脂等の耐腐食性を有する材料
からなる。
と共に基板洗浄部を構成するもので、洗浄液Ｃが満たさ
れる洗浄槽３と、この洗浄槽３からオーバフローする洗
浄液Ｃを集める外槽４とを備えてなり、これらの槽３，
４は石英ガラスやフッ素樹脂等の耐腐食性を有する材料
からなる。
【００２５】洗浄槽３は、その上部開口５がオーバフロ
ー部とされるとともに、その底部に給液ボックス６が配
置されている。この給液ボックス６の給液回路７は、そ
の上流端が外槽４の底部に連通されるとともに、洗浄液
Ｃを循環させる循環ポンプ８と濾過フィルタ９を備えて
いる。５０は洗浄槽３の底部と図示しない排液回路とを
連通する排液プラグである。
ー部とされるとともに、その底部に給液ボックス６が配
置されている。この給液ボックス６の給液回路７は、そ
の上流端が外槽４の底部に連通されるとともに、洗浄液
Ｃを循環させる循環ポンプ８と濾過フィルタ９を備えて
いる。５０は洗浄槽３の底部と図示しない排液回路とを
連通する排液プラグである。
【００２６】給液ボックス６は、図４に示すように、そ
の内部に給液回路７の洗浄液供給ノズル１０，１０が臨
んで設けられるとともに、その上面６ａに洗浄液供給部
１１が複数列配設されている。
の内部に給液回路７の洗浄液供給ノズル１０，１０が臨
んで設けられるとともに、その上面６ａに洗浄液供給部
１１が複数列配設されている。
【００２７】各洗浄液供給部１１は、直線上に配設され
た多数の流出穴１１ａ，１１ａ，…からなり、これら洗
浄液供給部１１，１１，…の配列ピッチＰ1 （図４(a)
参照）は、ウェハＷ，Ｗ，…の基板間ピッチＰと同一の
６．３５ｍｍとされている。流出穴１１ａの軸線は上下
方向へ延びるように設定されている。
た多数の流出穴１１ａ，１１ａ，…からなり、これら洗
浄液供給部１１，１１，…の配列ピッチＰ1 （図４(a)
参照）は、ウェハＷ，Ｗ，…の基板間ピッチＰと同一の
６．３５ｍｍとされている。流出穴１１ａの軸線は上下
方向へ延びるように設定されている。
【００２８】また、給液ボックス６の上側には、左右一
対のウェハ保持部１２，１２が設けられている。これら
ウェハ保持部１２，１２には、上下２列の保持溝群１３
ａ，１３ｂを備え、これら１３ａ，１３ｂにウェハＷ，
Ｗ，…の下部両側縁部が支持される。保持溝群１３ａ，
１３ｂの溝ピッチは上記基板間ピッチＰに設定されてい
る。
対のウェハ保持部１２，１２が設けられている。これら
ウェハ保持部１２，１２には、上下２列の保持溝群１３
ａ，１３ｂを備え、これら１３ａ，１３ｂにウェハＷ，
Ｗ，…の下部両側縁部が支持される。保持溝群１３ａ，
１３ｂの溝ピッチは上記基板間ピッチＰに設定されてい
る。
【００２９】これに関連して、給液ボックス６の上面６
ａは、上記ウェハ保持部１２，１２に保持されたウェハ
Ｗ，Ｗ，…の底部円弧部に沿った円弧面に形成されると
ともに、上記洗浄液供給部１１，１１，…は、それぞれ
ウェハＷ，Ｗ間に配置されている。これにより、各洗浄
液供給部１１の流出穴１１ａ，１１ａ，…は、各ウェハ
Ｗ，Ｗ間において、ウェハＷの底部に近接してこのウェ
ハＷとほぼ同心状に位置されている。また、ウェハ保持
部１２の上下保持溝群１３ａ，１３ｂ間には、洗浄液Ｃ
の通過穴１５，１５，…が設けられており、洗浄液Ｃの
上昇流を阻害しない構造とされている。
ａは、上記ウェハ保持部１２，１２に保持されたウェハ
Ｗ，Ｗ，…の底部円弧部に沿った円弧面に形成されると
ともに、上記洗浄液供給部１１，１１，…は、それぞれ
ウェハＷ，Ｗ間に配置されている。これにより、各洗浄
液供給部１１の流出穴１１ａ，１１ａ，…は、各ウェハ
Ｗ，Ｗ間において、ウェハＷの底部に近接してこのウェ
ハＷとほぼ同心状に位置されている。また、ウェハ保持
部１２の上下保持溝群１３ａ，１３ｂ間には、洗浄液Ｃ
の通過穴１５，１５，…が設けられており、洗浄液Ｃの
上昇流を阻害しない構造とされている。
【００３０】また、ウェハ保持部１２，１２の左右外側
には、２本の補助給液パイプ１６，１６が配設されてい
る。この給液パイプ１６は、洗浄槽３の左右両側部分に
おける洗浄液Ｃの澱みを防止するためのものである。給
液パイプ１６は、上記給液回路７に連通されるとともに
（図示省略）、その上面部に多数の流出穴１６ａ，１６
ａ，…が上向きに設けられて、この部位に洗浄液Ｃの上
方への流れを形成するようにされている。
には、２本の補助給液パイプ１６，１６が配設されてい
る。この給液パイプ１６は、洗浄槽３の左右両側部分に
おける洗浄液Ｃの澱みを防止するためのものである。給
液パイプ１６は、上記給液回路７に連通されるとともに
（図示省略）、その上面部に多数の流出穴１６ａ，１６
ａ，…が上向きに設けられて、この部位に洗浄液Ｃの上
方への流れを形成するようにされている。
【００３１】外槽４は、洗浄槽３のオーバフロー部５を
全周にわたって取り囲むように設けられており、その底
部が給液回路７に連通されている。この給液回路７の中
途箇所は、切換弁５１を介して前述の排液回路に連通さ
れており、洗浄液Ｃが汚れてきたら、この排液回路を介
して、上記両槽３，４内の洗浄液Ｃが全て排液される。
全周にわたって取り囲むように設けられており、その底
部が給液回路７に連通されている。この給液回路７の中
途箇所は、切換弁５１を介して前述の排液回路に連通さ
れており、洗浄液Ｃが汚れてきたら、この排液回路を介
して、上記両槽３，４内の洗浄液Ｃが全て排液される。
【００３２】また、基板搬入部と搬出部にそれぞれ設け
られる前記ウェハ反転装置は、前工程から搬入されるウ
ェハＷ，Ｗ，…、または洗浄工程を終了したウェハＷ，
Ｗ，…を反転操作するもので、図５から図８に示すよう
に、ウェハ移替え装置２０、ウェハ置台２１、ウェハ離
脱装置（ウェハ離脱手段）２２、および置台回転装置
（回転手段）２３を主要部として備えてなる。
られる前記ウェハ反転装置は、前工程から搬入されるウ
ェハＷ，Ｗ，…、または洗浄工程を終了したウェハＷ，
Ｗ，…を反転操作するもので、図５から図８に示すよう
に、ウェハ移替え装置２０、ウェハ置台２１、ウェハ離
脱装置（ウェハ離脱手段）２２、および置台回転装置
（回転手段）２３を主要部として備えてなる。
【００３３】ウェハ移替え装置２０は、基板搬入出部に
おいて、ウェハＷ，Ｗ，…をキャリアカセット（図示省
略）とウェハ置台２１との間で移し替えるもので、これ
らの間で移動可能とされるとともに、左右一対のチャッ
キングアーム２４を備える。これらチャッキングアーム
２４，２４は、図示しない駆動源により開閉可能とされ
るとともに、その下端部内側には、図１０に示すような
上下二段のチャック溝２４ａ，２４ｂ，…を備える。
おいて、ウェハＷ，Ｗ，…をキャリアカセット（図示省
略）とウェハ置台２１との間で移し替えるもので、これ
らの間で移動可能とされるとともに、左右一対のチャッ
キングアーム２４を備える。これらチャッキングアーム
２４，２４は、図示しない駆動源により開閉可能とされ
るとともに、その下端部内側には、図１０に示すような
上下二段のチャック溝２４ａ，２４ｂ，…を備える。
【００３４】これらチャック溝２４ａ，２４ｂ，…はそ
れぞれ２５個設けられており、その配設間隔は、上記基
板間ピッチＰと同一寸法とされている。そして、チャッ
キングアーム２４，２４の閉止状態において、上記チャ
ック溝２４ａ，２４ｂによりウェハＷの下部両側端縁が
支持される構造とされている。
れぞれ２５個設けられており、その配設間隔は、上記基
板間ピッチＰと同一寸法とされている。そして、チャッ
キングアーム２４，２４の閉止状態において、上記チャ
ック溝２４ａ，２４ｂによりウェハＷの下部両側端縁が
支持される構造とされている。
【００３５】ウェハ置台２１は複数枚のウェハＷ，Ｗ，
…を収納するもので、図示例のものは２５枚のウェハ
Ｗ，Ｗ，…を上記基板間ピッチＰで配列する配列溝（図
示省略）を備えている。このウェハ置台２１は、支持枠
体２５上に回転可能に支持されている。６０はウェハ置
台２１上のウェハＷ，Ｗ，…の有無を検出するウェハ検
出用ホトセンサである。
…を収納するもので、図示例のものは２５枚のウェハ
Ｗ，Ｗ，…を上記基板間ピッチＰで配列する配列溝（図
示省略）を備えている。このウェハ置台２１は、支持枠
体２５上に回転可能に支持されている。６０はウェハ置
台２１上のウェハＷ，Ｗ，…の有無を検出するウェハ検
出用ホトセンサである。
【００３６】ウェハ離脱装置２２は、上記ウェハ置台２
１上に配列された２５枚のウェハＷ，Ｗ，…から、一枚
置きのウェハＷ，Ｗ，…の組を離脱させるもので、具体
的には、上記ウェハ置台２１の上側に昇降可能に設けら
れており、図示しない昇降シリンダに連結されている。
また、このウェハ離脱装置２２は図９に示すような左右
一対のウェハ保持部２２ａ，２２ａを備え、これらウェ
ハ保持部には、ウェハ保持溝２６ａとウェハ通過溝２６
ｂが交互にそれぞれ設けられている。
１上に配列された２５枚のウェハＷ，Ｗ，…から、一枚
置きのウェハＷ，Ｗ，…の組を離脱させるもので、具体
的には、上記ウェハ置台２１の上側に昇降可能に設けら
れており、図示しない昇降シリンダに連結されている。
また、このウェハ離脱装置２２は図９に示すような左右
一対のウェハ保持部２２ａ，２２ａを備え、これらウェ
ハ保持部には、ウェハ保持溝２６ａとウェハ通過溝２６
ｂが交互にそれぞれ設けられている。
【００３７】各ウェハ保持部２２ａにおける両溝２６
ａ，２６ｂの配設間隔は、上記基板間ピッチＰに等しく
６．３５ｍｍに設定されており、換言すれば、ウェハ保
持溝２６ａは、上記ウェハ置台２１のウェハ配列ピッチ
Ｐの２倍のピッチで配されている。
ａ，２６ｂの配設間隔は、上記基板間ピッチＰに等しく
６．３５ｍｍに設定されており、換言すれば、ウェハ保
持溝２６ａは、上記ウェハ置台２１のウェハ配列ピッチ
Ｐの２倍のピッチで配されている。
【００３８】また、左右両ウェハ保持部２２ａ，２２ａ
双方の構造的関係において、相互に対向するウェハ保持
溝２６ａ，２６ａ間の距離はウェハＷの直径よりも小さ
く設定されて、ここにウェハＷの下部両側縁部が支持さ
れる一方、ウェハ通過溝２６ｂ，２６ｂの溝底間距離は
ウェハＷの直径よりも大きく設定されて、ウェハＷが上
下方向へ通過可能とされている。
双方の構造的関係において、相互に対向するウェハ保持
溝２６ａ，２６ａ間の距離はウェハＷの直径よりも小さ
く設定されて、ここにウェハＷの下部両側縁部が支持さ
れる一方、ウェハ通過溝２６ｂ，２６ｂの溝底間距離は
ウェハＷの直径よりも大きく設定されて、ウェハＷが上
下方向へ通過可能とされている。
【００３９】置台回転装置２３は、これらウェハ離脱装
置２２とウェハ置台２１をその中心軸まわりに相対的に
回転させるためのもので、図示例においては、ウェハ置
台２１のみを回転駆動させる構造とされている。
置２２とウェハ置台２１をその中心軸まわりに相対的に
回転させるためのもので、図示例においては、ウェハ置
台２１のみを回転駆動させる構造とされている。
【００４０】この置台回転装置２３は、具体的には駆動
源としてサーボモータ３０を備え、このサーボモータ３
０の駆動軸３０ａに、ウェハ置台２１の中心つまりウェ
ハ配列方向中心が連結されている。そして、サーボモー
タ３０の回転駆動により、ウェハ置台２１が、その中心
軸まわりに正逆方向へ１８０°回転される。
源としてサーボモータ３０を備え、このサーボモータ３
０の駆動軸３０ａに、ウェハ置台２１の中心つまりウェ
ハ配列方向中心が連結されている。そして、サーボモー
タ３０の回転駆動により、ウェハ置台２１が、その中心
軸まわりに正逆方向へ１８０°回転される。
【００４１】また、前記ウェハ搬送装置２は、上記ウェ
ハ置台２１上からウェハＷ，Ｗ，…をまとめてチャッキ
ングして搬送処理するもので、前述したウェハ移替え装
置２０とほぼ同様の基本構造（図１０参照）を備えてお
り、詳細な構造説明は省略する。
ハ置台２１上からウェハＷ，Ｗ，…をまとめてチャッキ
ングして搬送処理するもので、前述したウェハ移替え装
置２０とほぼ同様の基本構造（図１０参照）を備えてお
り、詳細な構造説明は省略する。
【００４２】次に、以上のように構成された基板洗浄装
置におけるウェハＷ，Ｗ，…の洗浄方法について説明す
る。
置におけるウェハＷ，Ｗ，…の洗浄方法について説明す
る。
【００４３】Ａ．ウェハＷ，Ｗ，…の搬入：前工程の終
了したウェハＷ，Ｗ，…は、そのすべてが同一方向へ向
けて配列された状態でキャリアカセットに収納されたま
ま、基板洗浄装置の基板搬入部に搬入される（図示省
略）。
了したウェハＷ，Ｗ，…は、そのすべてが同一方向へ向
けて配列された状態でキャリアカセットに収納されたま
ま、基板洗浄装置の基板搬入部に搬入される（図示省
略）。
【００４４】Ｂ．ウェハＷ，Ｗ，…の反転：ウェハ反転
装置により、上記ウェハＷ，Ｗ，…の配列状態が以下の
手順で再配列される。
装置により、上記ウェハＷ，Ｗ，…の配列状態が以下の
手順で再配列される。
【００４５】 上記キャリアカセットの位置におい
て、ウェハ移替え装置２０は、そのチャッキングアーム
２４，２４を縮閉して、上記キャリアカセット内の２５
枚のウェハＷ，Ｗ，…をまとめてチャッキング支持しな
がら上昇し、これらウェハＷ，Ｗ，…をキャリアカセッ
トから取り出す。さらに、ウェハ移替え装置２０はウェ
ハ置台２１まで移動して下降し、チャッキングアーム２
４，２４を拡開して、ウェハ置台２１上にウェハＷ，
Ｗ，…を移し替える（図５(a) 参照）。
て、ウェハ移替え装置２０は、そのチャッキングアーム
２４，２４を縮閉して、上記キャリアカセット内の２５
枚のウェハＷ，Ｗ，…をまとめてチャッキング支持しな
がら上昇し、これらウェハＷ，Ｗ，…をキャリアカセッ
トから取り出す。さらに、ウェハ移替え装置２０はウェ
ハ置台２１まで移動して下降し、チャッキングアーム２
４，２４を拡開して、ウェハ置台２１上にウェハＷ，
Ｗ，…を移し替える（図５(a) 参照）。
【００４６】このときのウェハＷ，Ｗ，…の配列状態
は、図５(b) に示すように、そのすべてが同一方向へ向
けて配列されている。
は、図５(b) に示すように、そのすべてが同一方向へ向
けて配列されている。
【００４７】 ウェハ置台２１上にウェハＷ，Ｗ，…
が載置された状態において、ウェハ離脱装置２２が上昇
する。すると、ウェハ置台２１上のウェハＷ，Ｗ，…の
うち、一枚置き（２ピッチ毎）のウェハＷ´，Ｗ´，…
の組のみ（例えば１２枚）が、ウェハ保持溝２６ａ，２
６ａ，…に保持されたまま上方へ持ち上げられて、ウェ
ハ置台２１上のウェハＷ，Ｗ，…（例えば１３枚）から
離脱される（図６(a)(b) 参照）。
が載置された状態において、ウェハ離脱装置２２が上昇
する。すると、ウェハ置台２１上のウェハＷ，Ｗ，…の
うち、一枚置き（２ピッチ毎）のウェハＷ´，Ｗ´，…
の組のみ（例えば１２枚）が、ウェハ保持溝２６ａ，２
６ａ，…に保持されたまま上方へ持ち上げられて、ウェ
ハ置台２１上のウェハＷ，Ｗ，…（例えば１３枚）から
離脱される（図６(a)(b) 参照）。
【００４８】 この状態において、置台回転装置２３
が作動して、ウェハ置台２１が１８０°回転される（図
７(a) 参照）。これにより、ウェハ置台２１上のウェハ
Ｗ，Ｗ，…は、図７(b) に示すように、ウェハ離脱装置
２２上のウェハＷ´，Ｗ´，…に対して反対方向を向く
ことになる。
が作動して、ウェハ置台２１が１８０°回転される（図
７(a) 参照）。これにより、ウェハ置台２１上のウェハ
Ｗ，Ｗ，…は、図７(b) に示すように、ウェハ離脱装置
２２上のウェハＷ´，Ｗ´，…に対して反対方向を向く
ことになる。
【００４９】 ウェハ離脱装置２２が再び下降して元
の位置へ復帰し、離脱されていたウェハＷ´，Ｗ´，…
が、再びウェハ置台２１上のウェハＷ，Ｗ，…に合体さ
れて、各ウェハＷ，Ｗ間にそれぞれ位置される（図８
(a) 参照）。これにより、隣接するウェハＷ，Ｗ同士の
表面Ｗａと表面Ｗａ、裏面Ｗｂと裏面Ｗｂがそれぞれ対
向して再配列される。
の位置へ復帰し、離脱されていたウェハＷ´，Ｗ´，…
が、再びウェハ置台２１上のウェハＷ，Ｗ，…に合体さ
れて、各ウェハＷ，Ｗ間にそれぞれ位置される（図８
(a) 参照）。これにより、隣接するウェハＷ，Ｗ同士の
表面Ｗａと表面Ｗａ、裏面Ｗｂと裏面Ｗｂがそれぞれ対
向して再配列される。
【００５０】Ｃ．ウェハＷ，Ｗ，…の洗浄：洗浄部のウ
ェハ搬送装置２が作動して、上記ウェハ置台２１上の２
５枚のウェハＷ，Ｗ，…が全部取り出されるとともに、
洗浄液槽装置１の洗浄槽３の上方まで搬送された後、洗
浄槽３内のウェハ保持部１２上に載置される（図１およ
び図２参照）。
ェハ搬送装置２が作動して、上記ウェハ置台２１上の２
５枚のウェハＷ，Ｗ，…が全部取り出されるとともに、
洗浄液槽装置１の洗浄槽３の上方まで搬送された後、洗
浄槽３内のウェハ保持部１２上に載置される（図１およ
び図２参照）。
【００５１】この時、洗浄槽３内には洗浄液Ｃが満たさ
れているとともに、循環ポンプ８により、給液ボックス
６と補助給液パイプ１６，１６を介して、濾過フィルタ
９により濾過された洗浄液Ｃが給液回路７から供給され
る。これにより、洗浄液Ｃは、給液ボックス６からの流
出量に対応した量が洗浄槽３のオーバフロー部５から外
槽４へオーバフローして、再び給液回路７へ流れる。
れているとともに、循環ポンプ８により、給液ボックス
６と補助給液パイプ１６，１６を介して、濾過フィルタ
９により濾過された洗浄液Ｃが給液回路７から供給され
る。これにより、洗浄液Ｃは、給液ボックス６からの流
出量に対応した量が洗浄槽３のオーバフロー部５から外
槽４へオーバフローして、再び給液回路７へ流れる。
【００５２】以上のようにして、洗浄液Ｃが給液回路７
と洗浄槽３の閉回路内で循環されることにより、洗浄槽
３内には洗浄液Ｃの上昇流が生じる（図１および図２の
矢符参照）。この上昇流は、図３に示すように各ウェハ
Ｗ，Ｗ間を流れて、各ウェハＷの表面（鏡面）Ｗａと裏
面Ｗｂに付着したダスト（塵埃）ｐ，ｐ，…を剥離し
て、オーバフローする洗浄液Ｃと共に洗浄槽３外へ運び
出す。このダストｐ，ｐ，…は給液回路７の濾過フィル
タ９で除去された後、再び洗浄液Ｃのみが洗浄槽３内へ
還流される。
と洗浄槽３の閉回路内で循環されることにより、洗浄槽
３内には洗浄液Ｃの上昇流が生じる（図１および図２の
矢符参照）。この上昇流は、図３に示すように各ウェハ
Ｗ，Ｗ間を流れて、各ウェハＷの表面（鏡面）Ｗａと裏
面Ｗｂに付着したダスト（塵埃）ｐ，ｐ，…を剥離し
て、オーバフローする洗浄液Ｃと共に洗浄槽３外へ運び
出す。このダストｐ，ｐ，…は給液回路７の濾過フィル
タ９で除去された後、再び洗浄液Ｃのみが洗浄槽３内へ
還流される。
【００５３】以上のように洗浄液Ｃが所定時間循環され
ることにより、各ウェハＷの表裏面Ｗａ，Ｗｂが清浄化
されることとなる。
ることにより、各ウェハＷの表裏面Ｗａ，Ｗｂが清浄化
されることとなる。
【００５４】特にこの場合、隣接するウェハＷ，Ｗ，…
の表面Ｗａ，Ｗａ同士、および裏面Ｗｂ，Ｗｂ同士がそ
れぞれ対向して配列されている。しかも、給液ボックス
６の洗浄液供給部１１（流出穴１１ａ，１１ａ，…）
は、それぞれウェハＷ，Ｗ間において、ウェハＷの底部
に近接して位置して、各ウェハＷ，Ｗ間における洗浄液
Ｃの均一な層流状態での上昇流が確保されている。
の表面Ｗａ，Ｗａ同士、および裏面Ｗｂ，Ｗｂ同士がそ
れぞれ対向して配列されている。しかも、給液ボックス
６の洗浄液供給部１１（流出穴１１ａ，１１ａ，…）
は、それぞれウェハＷ，Ｗ間において、ウェハＷの底部
に近接して位置して、各ウェハＷ，Ｗ間における洗浄液
Ｃの均一な層流状態での上昇流が確保されている。
【００５５】したがって、一旦ウェハＷの裏面Ｗｂから
剥離した裏面ダストｐ，ｐ，…は、表面Ｗａ側へ回り込
むことなく確実に洗浄槽３外へ排出されるため、表面Ｗ
ａに再付着するおそれはほとんどない。
剥離した裏面ダストｐ，ｐ，…は、表面Ｗａ側へ回り込
むことなく確実に洗浄槽３外へ排出されるため、表面Ｗ
ａに再付着するおそれはほとんどない。
【００５６】Ｄ．ウェハＷ，Ｗ，…の反転：上記洗浄液
槽装置１による洗浄が終了したウェハＷ，Ｗ，…は、再
びウェハ搬送装置２により、洗浄槽３から取り出され
て、基板搬出部に待機するウェハ反転装置のウェハ置台
２１上に載置された後、上記Ｂの反転工程〜が逆の
手順で行われる。これにより、ウェハ置台２１上のウェ
ハＷ，Ｗ，…の配列状態は、図５(b) に示すように、そ
のすべてが同一方向へ向けて再配列されることとなる。
槽装置１による洗浄が終了したウェハＷ，Ｗ，…は、再
びウェハ搬送装置２により、洗浄槽３から取り出され
て、基板搬出部に待機するウェハ反転装置のウェハ置台
２１上に載置された後、上記Ｂの反転工程〜が逆の
手順で行われる。これにより、ウェハ置台２１上のウェ
ハＷ，Ｗ，…の配列状態は、図５(b) に示すように、そ
のすべてが同一方向へ向けて再配列されることとなる。
【００５７】Ｅ．ウェハＷ，Ｗ，…の搬出：洗浄工程が
すべて完了したウェハＷ，Ｗ，…は、ウェハ移替え装置
２０により、ウェハ置台２１からキャリアカセットに移
し替えられた後、次工程に向けて搬出される（図示省
略）。
すべて完了したウェハＷ，Ｗ，…は、ウェハ移替え装置
２０により、ウェハ置台２１からキャリアカセットに移
し替えられた後、次工程に向けて搬出される（図示省
略）。
【００５８】しかして、以上のように構成された本発明
装置による裏面ダストｐの付着防止効果を確認するため
に以下の試験を行った。
装置による裏面ダストｐの付着防止効果を確認するため
に以下の試験を行った。
【００５９】この試験においては、図示例の洗浄液槽装
置１を使用して、ウェハＷ，Ｗ，…の表面Ｗａ，Ｗａ同
士および裏面Ｗｂ，Ｗｂ同士を相互に対向させた場合
（本発明方法）、上記洗浄液槽装置１内にウェハＷ，
Ｗ，…を同一方向へ配列した場合（比較例１）、図１２
に示す従来の洗浄液槽装置を使用して、ウェハＷ，Ｗ，
…の表面Ｗａ，Ｗａ同士および裏面Ｗｂ，Ｗｂ同士を相
互に対向させた場合（比較例２）、および、図１２に示
す従来の洗浄液槽装置を使用して、ウェハＷ，Ｗ，…を
同一方向へ配列した場合（比較例３：従来方法）の４つ
の場合について、同一条件のもと一連の洗浄工程を行っ
て、ウェハＷの表面Ｗａへの裏面ダストｐ，ｐ，…の影
響を調べてみた。
置１を使用して、ウェハＷ，Ｗ，…の表面Ｗａ，Ｗａ同
士および裏面Ｗｂ，Ｗｂ同士を相互に対向させた場合
（本発明方法）、上記洗浄液槽装置１内にウェハＷ，
Ｗ，…を同一方向へ配列した場合（比較例１）、図１２
に示す従来の洗浄液槽装置を使用して、ウェハＷ，Ｗ，
…の表面Ｗａ，Ｗａ同士および裏面Ｗｂ，Ｗｂ同士を相
互に対向させた場合（比較例２）、および、図１２に示
す従来の洗浄液槽装置を使用して、ウェハＷ，Ｗ，…を
同一方向へ配列した場合（比較例３：従来方法）の４つ
の場合について、同一条件のもと一連の洗浄工程を行っ
て、ウェハＷの表面Ｗａへの裏面ダストｐ，ｐ，…の影
響を調べてみた。
【００６０】この試験結果から、本発明方法→比較例１
→比較例２→比較例３（従来方法）の順序でウェハＷの
表面Ｗａのダストｐの付着数が増加することが判明し
た。つまり、本発明装置を用いて本発明方法を実施した
場合（本発明方法）が最も裏面ダストｐの再付着量が少
なく、続いて、従来装置を用いて本発明方法を実施した
場合（比較例１）、本発明装置を用いて従来方法を実施
した場合（比較例２）の順で多くなり、従来装置を用い
て従来方法を実施した場合（比較例３：従来方法）が最
も裏面ダストｐの再付着量が多いことが判明した。
→比較例２→比較例３（従来方法）の順序でウェハＷの
表面Ｗａのダストｐの付着数が増加することが判明し
た。つまり、本発明装置を用いて本発明方法を実施した
場合（本発明方法）が最も裏面ダストｐの再付着量が少
なく、続いて、従来装置を用いて本発明方法を実施した
場合（比較例１）、本発明装置を用いて従来方法を実施
した場合（比較例２）の順で多くなり、従来装置を用い
て従来方法を実施した場合（比較例３：従来方法）が最
も裏面ダストｐの再付着量が多いことが判明した。
【００６１】以上より、本発明方法によれば、従来方法
に比較して、ウェハＷの裏面Ｗｂから剥離した裏面ダス
トｐの表面（鏡面）Ｗａ側へ回り込み、さらには再付着
の問題がはるかに少ないことが確認された。
に比較して、ウェハＷの裏面Ｗｂから剥離した裏面ダス
トｐの表面（鏡面）Ｗａ側へ回り込み、さらには再付着
の問題がはるかに少ないことが確認された。
【００６２】なお、上述した実施例はあくまでも本発明
の好適な具体例を示すものであって、本発明はこれに限
定して解釈されるべきでなく、本発明の要旨の範囲内で
種々設計変更可能である。
の好適な具体例を示すものであって、本発明はこれに限
定して解釈されるべきでなく、本発明の要旨の範囲内で
種々設計変更可能である。
【００６３】例えば、基板洗浄装置の各構成装置の構造
は図示例に限定されず、他の構成とすることも可能であ
る。その一例として、置台回転装置２３に替えて、ウェ
ハ離脱装置２２を回転させる回転手段を採用してもよ
い。
は図示例に限定されず、他の構成とすることも可能であ
る。その一例として、置台回転装置２３に替えて、ウェ
ハ離脱装置２２を回転させる回転手段を採用してもよ
い。
【００６４】また、ウェハ搬送装置２は、ウェハ置台２
１の２台分つまり５０枚のウェハＷ，Ｗ，…をまとめて
搬送処理する構成としてもよい。すなわち、一対のチャ
ッキングアーム２４，２４のチャック溝２４ａ，２４
ｂ，…が、図１１に示すように、それぞれ５０個（ウェ
ハ置台２１のウェハ配列数の２倍）設けられる構造とさ
れるとともに、図示しないが、ウェハ置台２１をウェハ
Ｗ，Ｗ，…の配列方向へ２台近接して並列配置する手段
が追加的に設けられ、さらに、これに対応して洗浄液槽
装置１の構造も改変される。このような構成とすること
により、より効率的な洗浄処理が可能となる。
１の２台分つまり５０枚のウェハＷ，Ｗ，…をまとめて
搬送処理する構成としてもよい。すなわち、一対のチャ
ッキングアーム２４，２４のチャック溝２４ａ，２４
ｂ，…が、図１１に示すように、それぞれ５０個（ウェ
ハ置台２１のウェハ配列数の２倍）設けられる構造とさ
れるとともに、図示しないが、ウェハ置台２１をウェハ
Ｗ，Ｗ，…の配列方向へ２台近接して並列配置する手段
が追加的に設けられ、さらに、これに対応して洗浄液槽
装置１の構造も改変される。このような構成とすること
により、より効率的な洗浄処理が可能となる。
【００６５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
隣接する基板同士の表面と表面、裏面と裏面をそれぞれ
対向させた状態で、層流状態の上昇流を生じさせた洗浄
液に浸漬するから、各基板の裏面から剥離した裏面ダス
トの表面への再付着を防止する。
隣接する基板同士の表面と表面、裏面と裏面をそれぞれ
対向させた状態で、層流状態の上昇流を生じさせた洗浄
液に浸漬するから、各基板の裏面から剥離した裏面ダス
トの表面への再付着を防止する。
【００６６】さらに、洗浄槽内特に各基板間における洗
浄液の上昇流の均一な層流状態が確保されるから、一旦
基板裏面から剥離した裏面ダストは、基板表面側へ流れ
ることなく確実に洗浄槽外へオーバフローされて、上記
の基板表面への再付着防止効果がより高められる。
浄液の上昇流の均一な層流状態が確保されるから、一旦
基板裏面から剥離した裏面ダストは、基板表面側へ流れ
ることなく確実に洗浄槽外へオーバフローされて、上記
の基板表面への再付着防止効果がより高められる。
【図１】本発明に係る一実施例である基板洗浄装置の主
要部である洗浄液槽装置を示す正面断面図である。
要部である洗浄液槽装置を示す正面断面図である。
【図２】同洗浄液槽装置を示す図１におけるII-II 線に
沿った側面断面図である。
沿った側面断面図である。
【図３】同洗浄液槽装置における基板の配列状態と洗浄
液の流れとの関係を示す図である。
液の流れとの関係を示す図である。
【図４】同洗浄液槽装置のおける給液ボックスを示す図
で、図４(a) は平面図、図４(b) は図４(a) におけるIV
-IV 線に沿った断面図である。
で、図４(a) は平面図、図４(b) は図４(a) におけるIV
-IV 線に沿った断面図である。
【図５】同基板洗浄装置におけるウェハ反転装置の動作
を説明する図で、図５(a) はウェハをウェハ移替え装置
によりウェハ置台上へ移し替える状態を示し、図５(b)
はその時のウェハ配列状態を示す。
を説明する図で、図５(a) はウェハをウェハ移替え装置
によりウェハ置台上へ移し替える状態を示し、図５(b)
はその時のウェハ配列状態を示す。
【図６】同基板洗浄装置におけるウェハ反転装置の動作
を説明する図で、図６(a) は一枚置きのウェハをウェハ
離脱装置によりウェハ置台から持ち上げる状態を示し、
図６(b) はその時のウェハ配列状態を示す。
を説明する図で、図６(a) は一枚置きのウェハをウェハ
離脱装置によりウェハ置台から持ち上げる状態を示し、
図６(b) はその時のウェハ配列状態を示す。
【図７】同基板洗浄装置におけるウェハ反転装置の動作
を説明する図で、図７(a) はウェハ置台を置台回転装置
により回転させる状態を示し、図７(b) はその時のウェ
ハ配列状態を示す。
を説明する図で、図７(a) はウェハ置台を置台回転装置
により回転させる状態を示し、図７(b) はその時のウェ
ハ配列状態を示す。
【図８】同基板洗浄装置におけるウェハ反転装置の動作
を説明する図で、図８(a) は一枚置きのウェハをウェハ
離脱装置によりウェハ置台上へ戻す状態を示し、図８
(b) はその時のウェハ配列状態を示す。
を説明する図で、図８(a) は一枚置きのウェハをウェハ
離脱装置によりウェハ置台上へ戻す状態を示し、図８
(b) はその時のウェハ配列状態を示す。
【図９】同ウェハ反転装置のウェハ離脱装置の要部を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１０】同基板洗浄装置のウェハ搬送装置およびウェ
ハ移替え装置におけるチャッキングアーム要部を示す平
面断面図で、ウェハをチャッキング支持している状態を
示している。
ハ移替え装置におけるチャッキングアーム要部を示す平
面断面図で、ウェハをチャッキング支持している状態を
示している。
【図１１】同チャッキングアーム要部の改変例を示す図
１０に対応した平面断面図である。
１０に対応した平面断面図である。
【図１２】従来の洗浄液槽装置の構成を示す図で、図１
２(a) は正面断面図、図１２(b)は図１２(a) におけるX
II-XII 線に沿った側面断面図である。
２(a) は正面断面図、図１２(b)は図１２(a) におけるX
II-XII 線に沿った側面断面図である。
【図１３】同従来の洗浄液槽装置における基板の配列状
態と洗浄液の流れとの関係を示す図である。
態と洗浄液の流れとの関係を示す図である。
【図１４】同従来の洗浄液槽装置における給液パイプを
示す図で、図１４(a) は平面図、図１４(b) は図１４
(a) におけるXIV-XIV 線に沿った断面図である。
示す図で、図１４(a) は平面図、図１４(b) は図１４
(a) におけるXIV-XIV 線に沿った断面図である。
１ 洗浄液槽装置 ２ ウェハ搬送装置（ウェハ搬送手段） ３ 洗浄槽 ４ 外槽 ６ 給液ボックス ６ａ 給液ボックスの上面 １１ 洗浄液供給部 １１ａ 洗浄液供給部の流出穴 １２ ウェハ保持部 １３ａ，１３ｂ 保持溝群 ２０ ウェハ移替え装置 ２１ ウェハ置台 ２２ ウェハ離脱装置（ウェハ離脱手段） ２２ａ ウェハ離脱装置のウェハ保持部 ２３ 置台回転装置（回転手段） ２４ チャッキングアーム ２４ａ，２４ｂ チャッキングアームのチャック溝 ２６ａ ウェハ離脱装置のウェハ保持溝 ２６ｂ ウェハ離脱装置のウェハウェハ通過
溝 ３０ 置台回転装置のサーボモータ Ｗ 半導体基板（ウェハ） Ｗａ ウェハの表面 Ｗｂ ウェハの裏面 ｐ ダスト Ｃ 洗浄液 Ｐ ウェハの基板間ピッチ Ｐ1 洗浄液供給部の配列ピッチ
溝 ３０ 置台回転装置のサーボモータ Ｗ 半導体基板（ウェハ） Ｗａ ウェハの表面 Ｗｂ ウェハの裏面 ｐ ダスト Ｃ 洗浄液 Ｐ ウェハの基板間ピッチ Ｐ1 洗浄液供給部の配列ピッチ
Claims (7)
- 【請求項１】 基板を複数枚まとめて洗浄液に浸漬して
行うバッチ式洗浄方法であって、 同一方向へ向けて配列された複数枚の基板を、隣接する
基板同士の表面と表面、裏面と裏面をそれぞれ対向させ
て再配列させた後、この再配列した複数枚の基板を、層
流状態の上昇流を生じさせた洗浄液に浸漬し、これによ
り、各基板の裏面から剥離した裏面ダストの表面への再
付着を防止することを特徴とする基板の洗浄方法。 - 【請求項２】 次の各工程からなることを特徴とする請
求項１に記載の基板の洗浄方法。 (a) 同一方向へ向けて配列された複数枚の基板から、一
枚置きの基板の組をその配列方向と垂直方向へ離脱させ
る工程 (b) この離脱させた基板の組と残った基板の組とを、そ
の配列方向中心軸まわりに相対的に１８０°回転させる
工程 (c) 上記離脱させた基板の組を再び、上記残った基板の
組に合体させることにより、隣接する基板同士の表面と
表面、裏面と裏面をそれぞれ対向させて再配列する工程 (d) この再配列した複数枚の基板を、層流状態の上昇流
を生じさせた洗浄液に浸漬する洗浄工程 (e) 洗浄工程終了後、上記(a) 〜(d) と同様の工程を行
って、すべての基板を同一方向へ向けて配列する工程 - 【請求項３】 基板の洗浄を複数枚まとめて行うバッチ
式洗浄装置であって、 基板の搬入出部に、複数枚の基板を収納するウェハ置台
と、このウェハ置台上の複数枚の基板から、一枚置きの
基板の組をその配列方向と垂直方向へ離脱させるウェハ
離脱手段と、これらウェハ離脱手段とウェハ置台を、基
板の配列方向中心軸まわりに相対的に回転させる回転手
段とを備え、 一方、基板の洗浄部に、上記ウェハ置台上の複数枚の基
板をまとめてチャッキングして搬送処理するウェハ搬送
手段と、このウェハ搬送手段により搬送される基板を浸
漬する洗浄液が満たされ、この洗浄液に層流状態の上昇
流を生じさせる構造を備えた洗浄液槽手段とを備えてな
ることを特徴とする基板の洗浄装置。 - 【請求項４】 上記ウェハ離脱手段は、上記基板の下部
両側縁部を支持する一対のウェハ保持部を備えてなり、
このウェハ保持部は、上記ウェハ置台の基板配列ピッチ
の２倍のピッチで配された複数のウェハ保持溝を有して
いる請求項３に記載の基板の洗浄装置。 - 【請求項５】 上記ウェハ搬送装置は、上記基板の下部
両側縁部を把持する開閉可能な一対のチャッキングアー
ムを備え、 このチャッキングアームが、上記ウェハ置台の基板配列
ピッチで配された、ウェハ置台基板配列数の２倍の数の
基板把持溝を有し、 さらに、上記ウェハ置台を基板の配列方向へ２台近接し
て並列配置する手段を備える請求項３に記載の基板の洗
浄装置。 - 【請求項６】 上記洗浄液槽手段は、洗浄液が満たされ
る洗浄槽と、この洗浄槽からオーバフローする洗浄液を
集める外槽とを備え、 上記洗浄槽の底部に、洗浄液を供給する給液ボックスが
配置され、 この給液ボックスの上面に、多数の流出穴からなる洗浄
液供給部が複数列配設され、 これら洗浄液供給部は、その配列ピッチが上記ウェハ搬
送装置により浸漬される基板間ピッチと同一とされると
ともに、これら基板間に配置されている請求項３に記載
の基板の洗浄装置。 - 【請求項７】 上記給液ボックスの上面が、浸漬される
基板の底部円弧部に沿った円弧面とされるとともに、こ
の円弧面が上記基板の底部円弧部に近接して設けられて
いる請求項６に記載の基板の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341185A JP2598359B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 基板の洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4341185A JP2598359B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 基板の洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163500A true JPH06163500A (ja) | 1994-06-10 |
| JP2598359B2 JP2598359B2 (ja) | 1997-04-09 |
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ID=18344020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4341185A Expired - Fee Related JP2598359B2 (ja) | 1992-11-26 | 1992-11-26 | 基板の洗浄装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2598359B2 (ja) |
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1992
- 1992-11-26 JP JP4341185A patent/JP2598359B2/ja not_active Expired - Fee Related
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