JPH04151833A - シリコンウエハ洗浄方法 - Google Patents
シリコンウエハ洗浄方法Info
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- JPH04151833A JPH04151833A JP27531990A JP27531990A JPH04151833A JP H04151833 A JPH04151833 A JP H04151833A JP 27531990 A JP27531990 A JP 27531990A JP 27531990 A JP27531990 A JP 27531990A JP H04151833 A JPH04151833 A JP H04151833A
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- cleaning
- wafer
- wafers
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、シリコンウェハをウェハキャリアに収容し、
ウェハキャリアごと洗浄液に浸漬するシリコンウェハ洗
浄方法に関する。
ウェハキャリアごと洗浄液に浸漬するシリコンウェハ洗
浄方法に関する。
（従来の技術）
シリコンウェハの製造工程において、シリコンウェハの
表面は清浄に保つ必要がある。たとえば、７オトエツチ
ングの際にシリコンウェハの表面に塵が４１着している
等の汚染があると配線ショートや断線の原因となる等、
製品の性能と信頼性を向上させるためにはシリコンウェ
ハの表面の汚染物質を極力低減させる必要がある。その
ため、シリコンウェハ製造工程中においても酸化膜生成
前の前洗浄、７オトエツチング後の後洗浄等の洗浄工程
がある。
表面は清浄に保つ必要がある。たとえば、７オトエツチ
ングの際にシリコンウェハの表面に塵が４１着している
等の汚染があると配線ショートや断線の原因となる等、
製品の性能と信頼性を向上させるためにはシリコンウェ
ハの表面の汚染物質を極力低減させる必要がある。その
ため、シリコンウェハ製造工程中においても酸化膜生成
前の前洗浄、７オトエツチング後の後洗浄等の洗浄工程
がある。
シリコンウェハの洗浄は、第４図に示すようにウェハキ
ャリア２にシリコンウェハＸ１を何枚かまとめて平行に
収容し、Ｎ Ｈ４０Ｈ＋ Ｈ２０２＋１−１２０、ＨＣ
ｌ ＋ Ｉ’ｌ ２０ □＋ Ｈ２０等の薬液（ｎ 入
ツタ洗浄Ｐａ ３にウェハキャリア２ごと浸漬し、薬液
洗浄後は後続の洗浄槽３で純水に浸漬することにより行
っている。
ャリア２にシリコンウェハＸ１を何枚かまとめて平行に
収容し、Ｎ Ｈ４０Ｈ＋ Ｈ２０２＋１−１２０、ＨＣ
ｌ ＋ Ｉ’ｌ ２０ □＋ Ｈ２０等の薬液（ｎ 入
ツタ洗浄Ｐａ ３にウェハキャリア２ごと浸漬し、薬液
洗浄後は後続の洗浄槽３で純水に浸漬することにより行
っている。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、従来は第２図に示すようにウェハキャリア２
にシリコンウェハ１をすべて同方向に向けて収容してい
たので、シリコンウェハの表面１ａと隣接するシリコン
ウェハの裏面１ ｂとが対向することになる。そして、
この表面と裏面とでは洗浄前に付着している汚染物質の
量が異なる。才なわち、表面側は集積回路を作成する側
であるため他に接触しないように取り扱われるが、裏面
は治具等との接触を避けることができないので、どうし
ても裏面側の汚染が激しくなってしまい、裏面は表面に
比較して１０倍以上も付着物が多い。
にシリコンウェハ１をすべて同方向に向けて収容してい
たので、シリコンウェハの表面１ａと隣接するシリコン
ウェハの裏面１ ｂとが対向することになる。そして、
この表面と裏面とでは洗浄前に付着している汚染物質の
量が異なる。才なわち、表面側は集積回路を作成する側
であるため他に接触しないように取り扱われるが、裏面
は治具等との接触を避けることができないので、どうし
ても裏面側の汚染が激しくなってしまい、裏面は表面に
比較して１０倍以上も付着物が多い。
そうすると、ウェハキャリアに収容されたシリコンウェ
ハ間の間隔は４ｍＴｆ１程度であるので、下方から洗浄
液がシリコンウェハ間を上方に流れて洗浄する過程にお
いて、裏面１ｂから分離した汚染物質が向かい側の隣接
シリコンウェハの表面１ａに再付着してしまうという問
題があった。この汚染物質の転写は第３図に示すように
洗浄液の流量を多くしてやれば減少するので、従来はこ
れにより対処できた。
ハ間の間隔は４ｍＴｆ１程度であるので、下方から洗浄
液がシリコンウェハ間を上方に流れて洗浄する過程にお
いて、裏面１ｂから分離した汚染物質が向かい側の隣接
シリコンウェハの表面１ａに再付着してしまうという問
題があった。この汚染物質の転写は第３図に示すように
洗浄液の流量を多くしてやれば減少するので、従来はこ
れにより対処できた。
しかし、回路の集積度が高くなるにしたがって高清浄度
が要求されるようになり、洗浄液の流量を増すだけでは
解決できないことになってきた。
が要求されるようになり、洗浄液の流量を増すだけでは
解決できないことになってきた。
そこで、本発明は洗浄液の流量を増加させないでもこの
汚染物質の転写の問題を解決できるシリコンウェハ洗浄
方法を提供する。
汚染物質の転写の問題を解決できるシリコンウェハ洗浄
方法を提供する。
ｑ−
（課題を解決するための手段）
本発明は、複数枚のシリコンウェハをウェハキャリアに
収容し、ウェハキャリアごと洗浄液中に浸漬して洗浄す
るシリコンウェハ洗浄方法において、隣接するシリコン
ウエノ）の表面と表面、裏面と裏面を対向させてウェハ
キャリアに収容することを特徴とするシリコンウェハ洗
浄方法である。
収容し、ウェハキャリアごと洗浄液中に浸漬して洗浄す
るシリコンウェハ洗浄方法において、隣接するシリコン
ウエノ）の表面と表面、裏面と裏面を対向させてウェハ
キャリアに収容することを特徴とするシリコンウェハ洗
浄方法である。
（作用）
本発明によれば、第１図に示すように、隣接するシリコ
ンウェハの表面１ａと表面１ａ、裏面１ ｂと裏面１１
）が対向するようにシリコンウェハ１をウェハキャリア
２に収容して洗浄する。これにより表面１ａが裏面１ｂ
と向かい合うことはなくなり、裏面１ｂから表面１ａへ
の汚染物質の転写の問題は生じない。裏面１１）から分
離した汚染物質が向かい合うシリコンウェハの裏面１ｂ
に付着することはあるが、これは裏面であるので差し支
えない。
ンウェハの表面１ａと表面１ａ、裏面１ ｂと裏面１１
）が対向するようにシリコンウェハ１をウェハキャリア
２に収容して洗浄する。これにより表面１ａが裏面１ｂ
と向かい合うことはなくなり、裏面１ｂから表面１ａへ
の汚染物質の転写の問題は生じない。裏面１１）から分
離した汚染物質が向かい合うシリコンウェハの裏面１ｂ
に付着することはあるが、これは裏面であるので差し支
えない。
そして、シリコンウェハ間を流れた洗浄液はそのまま洗
浄槽の上からオーバーフローするので、シリコンウェハ
間における転写さえ防止すれば十分である。
浄槽の上からオーバーフローするので、シリコンウェハ
間における転写さえ防止すれば十分である。
本発明を実施するためには、シリコンウエノ１をウェハ
キャリアに収容する際に、その向きを１枚毎に変えなけ
ればならない。従来からシリコンウェハのウェハキャリ
アへの収容はウェハハンドリングユニットを用いて行っ
ているが、このように１枚毎に向を変えることはソフト
ウェア的に容易に対処可能である。
キャリアに収容する際に、その向きを１枚毎に変えなけ
ればならない。従来からシリコンウェハのウェハキャリ
アへの収容はウェハハンドリングユニットを用いて行っ
ているが、このように１枚毎に向を変えることはソフト
ウェア的に容易に対処可能である。
（実施例）
本発明法によりシリコンウェハの洗浄を行ったところ、
従来の表面と裏面とが向かい合う洗浄方法に比べて汚染
度が１／３〜１１５に低下した。
従来の表面と裏面とが向かい合う洗浄方法に比べて汚染
度が１／３〜１１５に低下した。
（発明の効果）
本発明により、シリコンウエノ１を洗浄液中で洗浄する
際に、裏面から分離した汚染物質が表面に再付着するの
を洗浄液の流量を増加させることなく防止することがで
き、集積度の向上に伴う高清浄度の要求に応じることが
可能となる。
際に、裏面から分離した汚染物質が表面に再付着するの
を洗浄液の流量を増加させることなく防止することがで
き、集積度の向上に伴う高清浄度の要求に応じることが
可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す図、
−５＝
第２図は従来のシリコンウェハ洗浄方法の問題点を示す
図、 第３図は洗浄液の流量とシリコンウニ２１表面への付着
物数との関係を模式的に示す図、第４図はシリコンウェ
ハの洗浄工程を模式的に示す図である。 １・・・シリコンウェハ、ｌａ・・・表面、１ｂ・・・
裏面、２・・・ウェハキャリア、３・・・洗浄槽、４・
・・洗浄液、５・・・洗浄液供給管、６・・・洗浄室。
図、 第３図は洗浄液の流量とシリコンウニ２１表面への付着
物数との関係を模式的に示す図、第４図はシリコンウェ
ハの洗浄工程を模式的に示す図である。 １・・・シリコンウェハ、ｌａ・・・表面、１ｂ・・・
裏面、２・・・ウェハキャリア、３・・・洗浄槽、４・
・・洗浄液、５・・・洗浄液供給管、６・・・洗浄室。
Claims (1)
- （１）複数枚のシリコンウェハをウェハキャリアに収容
し、ウェハキャリアごと洗浄液中に浸漬して洗浄するシ
リコンウェハ洗浄方法において、隣接するシリコンウェ
ハの表面と表面、裏面と裏面を対向させてウェハキャリ
アに収容することを特徴とするシリコンウェハ洗浄方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27531990A JPH04151833A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | シリコンウエハ洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27531990A JPH04151833A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | シリコンウエハ洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04151833A true JPH04151833A (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=17553792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27531990A Pending JPH04151833A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | シリコンウエハ洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04151833A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163500A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Sugai:Kk | 基板の洗浄方法およびその装置 |
| JPH06163501A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Sugai:Kk | 基板の洗浄方法およびその装置 |
| JP2016009729A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP27531990A patent/JPH04151833A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06163500A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Sugai:Kk | 基板の洗浄方法およびその装置 |
| JPH06163501A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Sugai:Kk | 基板の洗浄方法およびその装置 |
| JP2016009729A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
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