JPH09120951A - 基板の液切り装置 - Google Patents
基板の液切り装置Info
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- JPH09120951A JPH09120951A JP27732895A JP27732895A JPH09120951A JP H09120951 A JPH09120951 A JP H09120951A JP 27732895 A JP27732895 A JP 27732895A JP 27732895 A JP27732895 A JP 27732895A JP H09120951 A JPH09120951 A JP H09120951A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】液切り装置、特に薄膜半導体装置製造用大型ガ
ラス基板のウェット処理後の液切り装置を提供する。 【解決手段】ガラス基板を水平に搬送する搬送系、２室
の処理槽、及び基板の表裏に設けられた液切りユニット
からなり、搬送系上で基板を水平状態で処理するウェッ
ト処理装置の最終段リンス槽直後に用いる液切り装置に
於いて、前記液切りユニットからリンス液、乾燥ガスが
噴出することを特徴とし、また、前記液切りユニットに
於いて、同一ユニットに設けられた、リンス液用スリッ
ト、乾燥ガス用スリットから構成され、リンス液、乾燥
ガスがそれぞれのスリットから噴出することを特徴とす
る。
ラス基板のウェット処理後の液切り装置を提供する。 【解決手段】ガラス基板を水平に搬送する搬送系、２室
の処理槽、及び基板の表裏に設けられた液切りユニット
からなり、搬送系上で基板を水平状態で処理するウェッ
ト処理装置の最終段リンス槽直後に用いる液切り装置に
於いて、前記液切りユニットからリンス液、乾燥ガスが
噴出することを特徴とし、また、前記液切りユニットに
於いて、同一ユニットに設けられた、リンス液用スリッ
ト、乾燥ガス用スリットから構成され、リンス液、乾燥
ガスがそれぞれのスリットから噴出することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の液切り装置
に関し、特に薄膜半導体装置の製造に用いる大型ガラス
基板のウェット処理後の液切り装置に関する。
に関し、特に薄膜半導体装置の製造に用いる大型ガラス
基板のウェット処理後の液切り装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のウェット処理後の液切り装置につ
いて、図３を参照して説明する。なお、図３は、従来の
液切り装置を説明する図であって、このうち図３（Ａ）
は、その全体構造を示す図、図３（Ｂ）は、液切りユニ
ットの断面図である。従来のウェット処理装置は、図３
（Ａ）に示すように洗浄、エッチング等のウェット処理
最終段のリンス槽５の後に基板の上下に液切りユニット
を備えた液切り槽６より構成される。
いて、図３を参照して説明する。なお、図３は、従来の
液切り装置を説明する図であって、このうち図３（Ａ）
は、その全体構造を示す図、図３（Ｂ）は、液切りユニ
ットの断面図である。従来のウェット処理装置は、図３
（Ａ）に示すように洗浄、エッチング等のウェット処理
最終段のリンス槽５の後に基板の上下に液切りユニット
を備えた液切り槽６より構成される。
【０００３】洗浄、エッチング等の処理の最終段として
リンス槽５に搬送コロ４により搬送されたガラス基板１
は、リンス槽５の上下に備えられた純水のリンスシャワ
ー３によりリンスされた後、基板表面にリンス液が付着
した状態で液切り槽６に搬送される。液切り槽６では、
基板表面に付着したリンス液が、上下１組以上の液切り
ユニット２から噴出する乾燥空気、乾燥窒素等の乾燥ガ
スにより基板端から他方の基板端へ向かって、一部分の
リンス液は基板表面を伝いながら吹き飛ばされ液切りが
行われる。液切りユニット２の断面は、図３（Ｂ）に示
すように、液切りユニット２に導入された乾燥空気、乾
燥窒素等の乾燥ガスが乾燥ガス用スリット８から噴出す
る構造になっている。
リンス槽５に搬送コロ４により搬送されたガラス基板１
は、リンス槽５の上下に備えられた純水のリンスシャワ
ー３によりリンスされた後、基板表面にリンス液が付着
した状態で液切り槽６に搬送される。液切り槽６では、
基板表面に付着したリンス液が、上下１組以上の液切り
ユニット２から噴出する乾燥空気、乾燥窒素等の乾燥ガ
スにより基板端から他方の基板端へ向かって、一部分の
リンス液は基板表面を伝いながら吹き飛ばされ液切りが
行われる。液切りユニット２の断面は、図３（Ｂ）に示
すように、液切りユニット２に導入された乾燥空気、乾
燥窒素等の乾燥ガスが乾燥ガス用スリット８から噴出す
る構造になっている。
【０００４】ウェット処理後にガラス基板上に数μｍ以
上のシミが付着していると、パターン欠陥を形成した
り、残留した汚染物によりトランジスタ特性の劣化をも
たらし表示不良となるのでウェット処理後、汚染を残さ
ないような液切りが必要となる。液切り後にシミ、汚染
を残さないために、センサーを設けて、液切り槽に入る
直前までリンスが行われる装置が提案されている（特開
平４−１７９２２６号公報参照）。しかし、液切り直前
の汚染は避けられても、液切り時の汚染は避けられな
く、依然として問題が残る。
上のシミが付着していると、パターン欠陥を形成した
り、残留した汚染物によりトランジスタ特性の劣化をも
たらし表示不良となるのでウェット処理後、汚染を残さ
ないような液切りが必要となる。液切り後にシミ、汚染
を残さないために、センサーを設けて、液切り槽に入る
直前までリンスが行われる装置が提案されている（特開
平４−１７９２２６号公報参照）。しかし、液切り直前
の汚染は避けられても、液切り時の汚染は避けられな
く、依然として問題が残る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の前記したウェッ
ト処理後のエアーナイフのような液切り装置は、リンス
液で濡れた薄膜半導体装置用ガラス基板を液切りする場
合、基板表面のリンス液は、ガラス基板端から他方の基
板端へ向かって流されて液切りが行われる。即ち、周囲
とリンス液中の汚染物がリンス液中に凝集されながら基
板表面を流れ液切りされるので、シミの原因となる。特
に、ガラス基板の大型化により液切り面積が増大するた
め、汚染物の液体中への凝集は、避けられなくなり、パ
ターン欠陥、薄膜半導体の特性不良による表示不良の問
題があった。
ト処理後のエアーナイフのような液切り装置は、リンス
液で濡れた薄膜半導体装置用ガラス基板を液切りする場
合、基板表面のリンス液は、ガラス基板端から他方の基
板端へ向かって流されて液切りが行われる。即ち、周囲
とリンス液中の汚染物がリンス液中に凝集されながら基
板表面を流れ液切りされるので、シミの原因となる。特
に、ガラス基板の大型化により液切り面積が増大するた
め、汚染物の液体中への凝集は、避けられなくなり、パ
ターン欠陥、薄膜半導体の特性不良による表示不良の問
題があった。
【０００６】これを解決する手段として、ウェット処理
部から液切り部へ短時間で搬送し、さらに効果を高める
ために傾斜搬送する装置が提案されている（特開平４−
３３７６３７号公報参照）。しかしながら、この装置で
は、短時間で液切りが実行出来るように工夫されている
が、それでも有限の時間が必要であり、エアーナイフを
用いているためリンス液中の汚染物を凝集しながら液切
りすることには変わりなく、特に基板サイズの大型化に
伴い液切りされる面積が広くなるため、シミが残り易く
なり、依然として問題が残る。
部から液切り部へ短時間で搬送し、さらに効果を高める
ために傾斜搬送する装置が提案されている（特開平４−
３３７６３７号公報参照）。しかしながら、この装置で
は、短時間で液切りが実行出来るように工夫されている
が、それでも有限の時間が必要であり、エアーナイフを
用いているためリンス液中の汚染物を凝集しながら液切
りすることには変わりなく、特に基板サイズの大型化に
伴い液切りされる面積が広くなるため、シミが残り易く
なり、依然として問題が残る。
【０００７】本発明は、上記した問題などに鑑み成され
たものであって、その目的とするところは、第１に高精
度な洗浄などの処理プロセスを可能とする液切り装置を
提供することにあり、第２に洗浄、ないしエッチング処
理等のウェット処理後の汚染を改善する液切り装置を提
供することにあり、第３に薄膜半導体装置用の特に大型
ガラス基板を対象とした洗浄等の処理に好適な液切り装
置を提供することである。
たものであって、その目的とするところは、第１に高精
度な洗浄などの処理プロセスを可能とする液切り装置を
提供することにあり、第２に洗浄、ないしエッチング処
理等のウェット処理後の汚染を改善する液切り装置を提
供することにあり、第３に薄膜半導体装置用の特に大型
ガラス基板を対象とした洗浄等の処理に好適な液切り装
置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る液切り装置
は、リンス液用スリット、乾燥ガス用スリットを具備し
た液切りユニットからリンス液、乾燥ガスを噴出しなが
ら液切りを行う点を特徴とし、これにより前記した目的
とする液切り装置を提供するものである。
は、リンス液用スリット、乾燥ガス用スリットを具備し
た液切りユニットからリンス液、乾燥ガスを噴出しなが
ら液切りを行う点を特徴とし、これにより前記した目的
とする液切り装置を提供するものである。
【０００９】即ち、本発明は、ガラス基板を枚葉で搬送
する搬送系、及び基板の表裏に設けられた液切りユニッ
トからなり、搬送系上で基板を枚葉処理するウェット処
理装置の最終段リンス槽直後に用いる液切り装置に於い
て、前記液切りユニットからリンス液、乾燥ガスが噴出
することを特徴とする。また、液切りユニットは、同一
ユニットに設けられたリンス液用スリット、乾燥ガス用
スリットから構成され、リンス液、乾燥ガスがそれぞれ
のスリットから噴出することを特徴とする。
する搬送系、及び基板の表裏に設けられた液切りユニッ
トからなり、搬送系上で基板を枚葉処理するウェット処
理装置の最終段リンス槽直後に用いる液切り装置に於い
て、前記液切りユニットからリンス液、乾燥ガスが噴出
することを特徴とする。また、液切りユニットは、同一
ユニットに設けられたリンス液用スリット、乾燥ガス用
スリットから構成され、リンス液、乾燥ガスがそれぞれ
のスリットから噴出することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施の形
態であり、液切り装置を大型のガラス基板の洗浄に適用
した例を説明する図であって、このうち図１（Ａ）は、
洗浄装置のリンス槽、液切り槽の全体図を示す図であ
り、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の液切りユニットの断面
及び、液切り状態を示す拡大詳細図である。
して詳細に説明する。図１は、本発明の第１の実施の形
態であり、液切り装置を大型のガラス基板の洗浄に適用
した例を説明する図であって、このうち図１（Ａ）は、
洗浄装置のリンス槽、液切り槽の全体図を示す図であ
り、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の液切りユニットの断面
及び、液切り状態を示す拡大詳細図である。
【００１１】この実施の形態に係る液切り装置を備えた
洗浄装置は、図１（Ａ）に示すように、ガラス基板１を
水平に搬送する搬送コロ４を備えた洗浄装置の最終段と
してのリンス槽５と第１の液切り槽６０、第２の液切り
槽６１から構成され、リンス槽５にはガラス基板１の上
下に備えた１組以上のリンスシャワー３により純水リン
スされた後、第１の液切り槽６０に搬送される。第１の
液切り槽６０は、第２の液切り槽６１に備えられた液切
りユニット２のリンス液用スリット７から噴出したリン
ス液が再付着しないための分離槽である。第２の液切り
槽６１は、槽の入り口近傍に、ガラス基板１の上下に１
対の液切りユニット２を具備し、液切りユニット２によ
り液切りが行われる。
洗浄装置は、図１（Ａ）に示すように、ガラス基板１を
水平に搬送する搬送コロ４を備えた洗浄装置の最終段と
してのリンス槽５と第１の液切り槽６０、第２の液切り
槽６１から構成され、リンス槽５にはガラス基板１の上
下に備えた１組以上のリンスシャワー３により純水リン
スされた後、第１の液切り槽６０に搬送される。第１の
液切り槽６０は、第２の液切り槽６１に備えられた液切
りユニット２のリンス液用スリット７から噴出したリン
ス液が再付着しないための分離槽である。第２の液切り
槽６１は、槽の入り口近傍に、ガラス基板１の上下に１
対の液切りユニット２を具備し、液切りユニット２によ
り液切りが行われる。
【００１２】液切りユニット２は、図１（Ｂ）に示すよ
うに、リンス液用スリット７と乾燥ガス用スリット８か
ら成り、ガラス基板１と液切りユニット２のギャップ
は、乾燥ガス用スリット８の方をリンス液用スリット７
の部分よりギャップを小さくし、リンス液９が液切りさ
れたガラス基板１の表面に再付着しない構造となってお
り、リンス液用スリット７と乾燥ガス用スリット８は、
ガラス基板１に対して鋭角に噴出されるような角度に設
定する。なお、リンス液用スリット７と基板表面とのギ
ャップは５ｍｍで、基板との角度は４５°〜６０°、乾
燥ガス用スリット８と基板表面とのギャップは１〜２ｍ
ｍで、基板との角度は４５°〜６０°程度で良い。
うに、リンス液用スリット７と乾燥ガス用スリット８か
ら成り、ガラス基板１と液切りユニット２のギャップ
は、乾燥ガス用スリット８の方をリンス液用スリット７
の部分よりギャップを小さくし、リンス液９が液切りさ
れたガラス基板１の表面に再付着しない構造となってお
り、リンス液用スリット７と乾燥ガス用スリット８は、
ガラス基板１に対して鋭角に噴出されるような角度に設
定する。なお、リンス液用スリット７と基板表面とのギ
ャップは５ｍｍで、基板との角度は４５°〜６０°、乾
燥ガス用スリット８と基板表面とのギャップは１〜２ｍ
ｍで、基板との角度は４５°〜６０°程度で良い。
【００１３】リンス槽５でリンスされた基板の表面は、
リンス液９が付着した状態で第１液切り槽６０、第２液
切り槽６１に搬送される。液切りユニット２では、リン
ス液用スリット７からガラス基板表面に高純度の純水の
ようなリンス液が噴出されながら、同時に、乾燥ガス用
スリット８から噴出する乾燥ガスにより液切りが行われ
るため、液切り直前に純度の低いリンス液がガラス基板
１の表面に残らなく、リンス液９中に周囲の不純物が取
り込まれてシミ、汚染が残ることがない。リンス液用ス
リット７から噴出されるリンス液の圧力は、１ｋｇｆ／
ｃｍ2 程度で、乾燥ガス用スリット８から噴出される乾
燥ガスの圧力は、０．５〜１ｋｇｆ／ｃｍ2 程度で良
い。
リンス液９が付着した状態で第１液切り槽６０、第２液
切り槽６１に搬送される。液切りユニット２では、リン
ス液用スリット７からガラス基板表面に高純度の純水の
ようなリンス液が噴出されながら、同時に、乾燥ガス用
スリット８から噴出する乾燥ガスにより液切りが行われ
るため、液切り直前に純度の低いリンス液がガラス基板
１の表面に残らなく、リンス液９中に周囲の不純物が取
り込まれてシミ、汚染が残ることがない。リンス液用ス
リット７から噴出されるリンス液の圧力は、１ｋｇｆ／
ｃｍ2 程度で、乾燥ガス用スリット８から噴出される乾
燥ガスの圧力は、０．５〜１ｋｇｆ／ｃｍ2 程度で良
い。
【００１４】従って、本発明の液切り装置を用いると、
液切り時に、リンス液のガラス基板表面での不純物の凝
集によるシミ、汚染がなくなり、高精度の液切りが可能
となる。また、ＩＰＡ蒸気乾燥のように高価な装置、薬
品を用いなくても高精度の液切りが行え、パターン欠陥
を形成したり、残留した汚染物によりトランジスタ特性
の劣化をまたらし表示不良となることが低減し、歩留ま
り向上にも大きく寄与する。
液切り時に、リンス液のガラス基板表面での不純物の凝
集によるシミ、汚染がなくなり、高精度の液切りが可能
となる。また、ＩＰＡ蒸気乾燥のように高価な装置、薬
品を用いなくても高精度の液切りが行え、パターン欠陥
を形成したり、残留した汚染物によりトランジスタ特性
の劣化をまたらし表示不良となることが低減し、歩留ま
り向上にも大きく寄与する。
【００１５】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図２は、液切りユニットの断面、及び液切り
の状態を示す図である。液切りユニット２は、リンス液
用スリット７と乾燥ガス用スリット８、第２の乾燥ガス
用スリット８１から構成される。第２の乾燥ガス用スリ
ット８１は、第１の乾燥ガス用スリット８よりもガスラ
ス基板１に対して、鋭角に乾燥ガスが噴出されるように
傾斜させ、噴出出力を第２の乾燥ガス用スリット８１
を、第１の乾燥ガス用スリット８よりも大きくし、第１
の乾燥ガス用スリット８にエアーカーテンのような効果
を持たせ、リンス液９の跳ね返りをより高精度に制御で
きる構造となっている。なお、リンス液用スリット７の
基板との角度は４５°〜６０°、第１の乾燥ガス用スリ
ット８の基板との角度は６０°、第２の乾燥ガス用スリ
ット８１の基板との角度は４５°程度で良い。
説明する。図２は、液切りユニットの断面、及び液切り
の状態を示す図である。液切りユニット２は、リンス液
用スリット７と乾燥ガス用スリット８、第２の乾燥ガス
用スリット８１から構成される。第２の乾燥ガス用スリ
ット８１は、第１の乾燥ガス用スリット８よりもガスラ
ス基板１に対して、鋭角に乾燥ガスが噴出されるように
傾斜させ、噴出出力を第２の乾燥ガス用スリット８１
を、第１の乾燥ガス用スリット８よりも大きくし、第１
の乾燥ガス用スリット８にエアーカーテンのような効果
を持たせ、リンス液９の跳ね返りをより高精度に制御で
きる構造となっている。なお、リンス液用スリット７の
基板との角度は４５°〜６０°、第１の乾燥ガス用スリ
ット８の基板との角度は６０°、第２の乾燥ガス用スリ
ット８１の基板との角度は４５°程度で良い。
【００１６】従って、シミ、汚染の残らない第１の実施
の形態以上に歩留まり良く高精度の液切りが可能となる
効果が得られる。
の形態以上に歩留まり良く高精度の液切りが可能となる
効果が得られる。
【００１７】
【発明の効果】本発明に係る液切り装置は、以上詳記し
たとおり、洗浄、エッチング等のウェット処理後の液切
り槽で、純水のようなリンス液を流しながら、同時に乾
燥ガスで液切りを行うので、周囲やリンス液中の汚染が
ガラス基板表面に凝集し、シミ等が残らなく、より高精
度な液切りが可能となり、例えばシミ上に膜が形成され
た場合、密着性の低下により膜剥がれが生じ、パターン
異常となっていたが発生率が数％以下に減少する効果が
生じる。また、シミ状の汚染によるトランジスタ特性、
信頼性の劣化を低減する効果を生じる。
たとおり、洗浄、エッチング等のウェット処理後の液切
り槽で、純水のようなリンス液を流しながら、同時に乾
燥ガスで液切りを行うので、周囲やリンス液中の汚染が
ガラス基板表面に凝集し、シミ等が残らなく、より高精
度な液切りが可能となり、例えばシミ上に膜が形成され
た場合、密着性の低下により膜剥がれが生じ、パターン
異常となっていたが発生率が数％以下に減少する効果が
生じる。また、シミ状の汚染によるトランジスタ特性、
信頼性の劣化を低減する効果を生じる。
【００１８】また、薄膜半導体装置用大型ガラス基板に
対しては、特に基板面積が大きいため、特に高度な液切
り性能が必要となる。本発明の液切り装置を用いること
により基板の幅が４００ｍｍを越えるような大型ガラス
基板に対しても液切り不良に起因する不良は見られず、
本発明の有効性が確認された。
対しては、特に基板面積が大きいため、特に高度な液切
り性能が必要となる。本発明の液切り装置を用いること
により基板の幅が４００ｍｍを越えるような大型ガラス
基板に対しても液切り不良に起因する不良は見られず、
本発明の有効性が確認された。
【図１】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態の洗浄装置
の最終段の純水リンス槽、液切り槽の全体構造を示す
図、（Ｂ）は（Ａ）の液切りユニットの断面及び液切り
状態を示す詳細拡大図である。
の最終段の純水リンス槽、液切り槽の全体構造を示す
図、（Ｂ）は（Ａ）の液切りユニットの断面及び液切り
状態を示す詳細拡大図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態の液切りユニットの
断面及び液切り状態を示す詳細拡大図である。
断面及び液切り状態を示す詳細拡大図である。
【図３】（Ａ）は従来のウェット処理装置の最終段の純
水リンス槽、液切り槽の全体構造を示す図、（Ｂ）は液
切りユニットの断面及び液切り状態を示す詳細拡大図で
ある。
水リンス槽、液切り槽の全体構造を示す図、（Ｂ）は液
切りユニットの断面及び液切り状態を示す詳細拡大図で
ある。
１ ガラス基板 ２ 液切りユニット ３ リンスシャワー ４ 搬送コロ ５ リンス槽 ６ 液切り槽 ６０ 第１液切り槽 ６１ 第２液切り槽 ７ リンス液用スリット ８ 第１の乾燥ガス用スリット ８１ 第２の乾燥ガス用スリット ９ リンス液
Claims (3)
- 【請求項１】 ガラス基板を枚葉で搬送する搬送系、及
び基板の表裏に設けられた液切りユニットからなり、該
搬送系上で基板を枚葉処理するウェット処理装置の最終
段リンス槽直後の液切り装置であって、前記液切りユニ
ットからリンス液、乾燥ガスが噴出し、リンス液噴出し
口と乾燥ガス噴出し口が独立しかつ一体化していること
を特徴とする基板の液切り装置。 - 【請求項２】 前記液切りユニットは、同一ユニットに
設けられたリンス液用スリットと乾燥ガス用スリットか
ら構成され、リンス液、乾燥ガスがそれぞれのスリット
から噴出することを特徴とする請求項１記載の基板の液
切り装置。 - 【請求項３】 前記ガラス基板が、薄膜半導体装置用大
型ガラス基板であることを特徴とする請求項１または請
求項２記載の基板の液切り装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7277328A JP2850806B2 (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 基板の液切り装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7277328A JP2850806B2 (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 基板の液切り装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09120951A true JPH09120951A (ja) | 1997-05-06 |
| JP2850806B2 JP2850806B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=17582003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7277328A Expired - Fee Related JP2850806B2 (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 基板の液切り装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2850806B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100758220B1 (ko) * | 2005-10-20 | 2007-09-17 | 주식회사 케이씨텍 | 다중 슬릿형 노즐을 가지는 기판 세정 장치 및 이를 이용한세정 방법 |
| KR101217541B1 (ko) * | 2010-08-13 | 2013-01-02 | (주)비테크 | 유리 기판 균일 건조용 이중 에어나이프 분사장치 |
| KR101284680B1 (ko) * | 2006-12-21 | 2013-07-16 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 스팀세정장치 |
| JP2014022461A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄装置、洗浄方法および記憶媒体 |
| WO2019011382A1 (de) * | 2017-07-14 | 2019-01-17 | RENA Technologies GmbH | Trocknungsvorrichtung und verfahren zur trocknung eines substrats |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04123532U (ja) * | 1991-04-25 | 1992-11-09 | 日立電線株式会社 | 半導体基板の洗浄装置 |
-
1995
- 1995-10-25 JP JP7277328A patent/JP2850806B2/ja not_active Expired - Fee Related
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