JPH04151828A - 薬液雰囲気分離装置 - Google Patents
薬液雰囲気分離装置Info
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- JPH04151828A JPH04151828A JP2275314A JP27531490A JPH04151828A JP H04151828 A JPH04151828 A JP H04151828A JP 2275314 A JP2275314 A JP 2275314A JP 27531490 A JP27531490 A JP 27531490A JP H04151828 A JPH04151828 A JP H04151828A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、シリコンウェハの洗浄工程において、シリコ
ンウェハを薬液洗浄するための洗浄室間を水中搬送槽を
用いて雰囲気分離し、シリコンウェハを一方の洗浄室か
ら他方の洗浄室へ水中を通して搬送する薬液雰囲気分離
装置に関する。
ンウェハを薬液洗浄するための洗浄室間を水中搬送槽を
用いて雰囲気分離し、シリコンウェハを一方の洗浄室か
ら他方の洗浄室へ水中を通して搬送する薬液雰囲気分離
装置に関する。
（従来の技術）
シリコンウェハの製造工程において、シリコンウェハの
表面は清浄に保つ必要がある。たとえば、７オトエツチ
ングの際にシリコンウェハ１の表面に塵が付着している
等の汚染があると配線ショートや断線の原因となる等、
製品の性能と信頼性を向上させるためにはシリコンウェ
ハの表面の汚染物質を極力低減させる必要がある。その
ため、シリコンウェハ製造工程中において酸化膜生成前
の前洗浄、７オトエツチング後の後洗浄等の洗浄工程が
設けられている６ シリコンウェハの洗浄は、第５図に示すようにウェハキ
ャリア７にシリコンウェハ為５を何枚かまとめて平行に
セットし、Ｎ Ｈ４０Ｈ＋ Ｈ２０２＋１−１２０、Ｈ
ＣＩ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｉ〜■、０等の薬液の入った薬液洗浄
槽８Ａにウェハキャリア７ごと浸漬し、薬液洗浄後は純
水洗浄槽９Ａに浸漬することにより行っている。
表面は清浄に保つ必要がある。たとえば、７オトエツチ
ングの際にシリコンウェハ１の表面に塵が付着している
等の汚染があると配線ショートや断線の原因となる等、
製品の性能と信頼性を向上させるためにはシリコンウェ
ハの表面の汚染物質を極力低減させる必要がある。その
ため、シリコンウェハ製造工程中において酸化膜生成前
の前洗浄、７オトエツチング後の後洗浄等の洗浄工程が
設けられている６ シリコンウェハの洗浄は、第５図に示すようにウェハキ
ャリア７にシリコンウェハ為５を何枚かまとめて平行に
セットし、Ｎ Ｈ４０Ｈ＋ Ｈ２０２＋１−１２０、Ｈ
ＣＩ＋Ｈ２Ｏ２＋Ｉ〜■、０等の薬液の入った薬液洗浄
槽８Ａにウェハキャリア７ごと浸漬し、薬液洗浄後は純
水洗浄槽９Ａに浸漬することにより行っている。
ところで、これら薬液は洗浄効果を高めるため加熱する
ことが多い。たとえば、ＮＨ，ＯＨや■４Ｃ１の場合に
は８０℃程度、Ｈ２Ｓ Ｏ、や有慨溶剤のジクロルベン
ゼン等を用いる場合には１２０“Ｃ一 程度に加熱する。そうすると、加熱された薬液洗浄槽８
Δからは薬液や水分が蒸発し、薬液洗浄槽８Ａを含む洗
浄室１０Ａ内は当該薬液の雰囲気となる。
ことが多い。たとえば、ＮＨ，ＯＨや■４Ｃ１の場合に
は８０℃程度、Ｈ２Ｓ Ｏ、や有慨溶剤のジクロルベン
ゼン等を用いる場合には１２０“Ｃ一 程度に加熱する。そうすると、加熱された薬液洗浄槽８
Δからは薬液や水分が蒸発し、薬液洗浄槽８Ａを含む洗
浄室１０Ａ内は当該薬液の雰囲気となる。
このように、洗浄室１０Ａ内が薬ａ雰囲気となると、た
とえばＮ ＨイＯＨで洗浄した後Ｊ−Ｉ ＣＩで洗浄す
るというように異種の薬液で洗浄する必要がある場合、
両方の薬液の雰囲気同志が接触すると反応により塩が生
成してしまう等の問題があるので、各薬液について洗浄
室を１０Ａ、１０Ｂと別個にしなければならない。しか
も、これら両洗浄室１０Ａ、ＩＯＢ間を通してシリコン
ウェハを搬送する必要がある。したがって、両洗浄室１
０Ａ。
とえばＮ ＨイＯＨで洗浄した後Ｊ−Ｉ ＣＩで洗浄す
るというように異種の薬液で洗浄する必要がある場合、
両方の薬液の雰囲気同志が接触すると反応により塩が生
成してしまう等の問題があるので、各薬液について洗浄
室を１０Ａ、１０Ｂと別個にしなければならない。しか
も、これら両洗浄室１０Ａ、ＩＯＢ間を通してシリコン
ウェハを搬送する必要がある。したがって、両洗浄室１
０Ａ。
１０Ｂ間の仕切り部は、シリコンウェハを搬送可ＯＢで
かつ雰囲気に関しては分離する必要が生じ、」二Ｆスラ
イド式仕切り壁等の雰囲気分離装置が必要になる。
かつ雰囲気に関しては分離する必要が生じ、」二Ｆスラ
イド式仕切り壁等の雰囲気分離装置が必要になる。
しかし、このように駆動式仕切り壁を設けるものはどう
してもその駆動装置等が大掛かりとなって寸法が大軽く
なり、コストも高くならざるを得ない。また、シリコン
ウェハの通過に際して仕切り壁の開閉の操作も必要にな
る。
してもその駆動装置等が大掛かりとなって寸法が大軽く
なり、コストも高くならざるを得ない。また、シリコン
ウェハの通過に際して仕切り壁の開閉の操作も必要にな
る。
そこで、第２図に示すように、面洗浄室間の仕切り部に
両洗浄室にわたって」二部開放の水中搬送槽１を設けた
ものが考えられた。すなわち、第３図に示すように、一
方の洗浄室からシリコンウェハ５を水中搬送槽１の水中
搬送機２に載せ（同図（Ａ））、水中を他方の洗浄室に
搬送しく同図（Ｃ））、他力の洗浄室で水中搬送槽１か
ら別搬送機により取り出すものである。これ１こよれば
、薬液雰囲気に関しては分離し、かつシリコンウェハは
純水で洗浄しながら次の洗浄室へ搬送することができる
と考えられた。
両洗浄室にわたって」二部開放の水中搬送槽１を設けた
ものが考えられた。すなわち、第３図に示すように、一
方の洗浄室からシリコンウェハ５を水中搬送槽１の水中
搬送機２に載せ（同図（Ａ））、水中を他方の洗浄室に
搬送しく同図（Ｃ））、他力の洗浄室で水中搬送槽１か
ら別搬送機により取り出すものである。これ１こよれば
、薬液雰囲気に関しては分離し、かつシリコンウェハは
純水で洗浄しながら次の洗浄室へ搬送することができる
と考えられた。
（発明が解決しようとする課題）
ところが、この水中搬送槽では、薬液雰囲気に関する分
離が完全ではないという問題がある。すなわち、上部開
放なので第４図（Ａ＞に示すように水面と仕切り壁３と
の隙間を気体が通過することを避けることができず、両
洗浄室の薬液雰囲気が混合してしまうのである。
離が完全ではないという問題がある。すなわち、上部開
放なので第４図（Ａ＞に示すように水面と仕切り壁３と
の隙間を気体が通過することを避けることができず、両
洗浄室の薬液雰囲気が混合してしまうのである。
そこで、同図（Ｂ）に示すように仕切り壁３を下部に延
長してその先端を水中１こ浸漬させ、仕切り壁３と水面
との隙間をなくして気体の通過を防止することが考えら
れる。そして、たしかにこのようにすれば気体の通過は
防止でき、薬液雰囲気の混合という問題は生じない。
長してその先端を水中１こ浸漬させ、仕切り壁３と水面
との隙間をなくして気体の通過を防止することが考えら
れる。そして、たしかにこのようにすれば気体の通過は
防止でき、薬液雰囲気の混合という問題は生じない。
しかしながら、この仕切り壁３は樹脂等で作られている
場合が多く、仕切り壁３先端が水中に浸漬することによ
り洗浄水中へ樹脂等が溶は出し、洗浄水が汚染されてシ
リコンウェハの汚染の原因となるという問題がある。
場合が多く、仕切り壁３先端が水中に浸漬することによ
り洗浄水中へ樹脂等が溶は出し、洗浄水が汚染されてシ
リコンウェハの汚染の原因となるという問題がある。
また、これらの場合、特に仕切り壁の先端を洗浄水に浸
漬する場合には、１４図（Ｃ）に示すようｌこ水面にお
ける洗浄水の流れは仕切り壁３で分断され、洗浄水のオ
ーバー７０−は各洗浄室において仕切り壁方向以外の３
方向の流れとなる。そうなると、仕切り壁３の近傍には
流れのよどんだ部分が生じ、この部分には汚染物質６が
浮遊したまま蓄積されてしまうことになる。この汚染物
質６は、水中搬送槽１からシリコンウェハ５を引き」ニ
げる時にシリコンウェハ５に４１１着して汚染原因とな
る。
漬する場合には、１４図（Ｃ）に示すようｌこ水面にお
ける洗浄水の流れは仕切り壁３で分断され、洗浄水のオ
ーバー７０−は各洗浄室において仕切り壁方向以外の３
方向の流れとなる。そうなると、仕切り壁３の近傍には
流れのよどんだ部分が生じ、この部分には汚染物質６が
浮遊したまま蓄積されてしまうことになる。この汚染物
質６は、水中搬送槽１からシリコンウェハ５を引き」ニ
げる時にシリコンウェハ５に４１１着して汚染原因とな
る。
本発明は、薬液雰囲気に関しての分離を完全にするとと
もに、洗浄水によどんだ部分が生じるのを防止できる薬
液雰囲気分離装置を提供する。
もに、洗浄水によどんだ部分が生じるのを防止できる薬
液雰囲気分離装置を提供する。
（課題を解決するための手段）
本発明は、シリコンウェハ洗浄室間の仕切り部に両洗浄
室にわたって水中搬送槽を設け、シリコンウェハを一方
の洗浄室から他方の洗浄室へ水中搬送する搬送機を設け
た薬液雰囲気分離装置において、水中搬送槽の上部を二
分割して各洗浄室毎に開口させ、両閉口部の間に仕切り
壁を設けたことを特徴とする薬液雰囲気分離装置である
。
室にわたって水中搬送槽を設け、シリコンウェハを一方
の洗浄室から他方の洗浄室へ水中搬送する搬送機を設け
た薬液雰囲気分離装置において、水中搬送槽の上部を二
分割して各洗浄室毎に開口させ、両閉口部の間に仕切り
壁を設けたことを特徴とする薬液雰囲気分離装置である
。
（作用）
本発明は、水中搬送槽の上部を二分割して各洗浄室毎に
開口させ、仕切り壁は両閉口部の間に設けた。これによ
り、仕切り壁を水中に浸漬させることなく仕切り壁と水
面との隙間が生じるのを防ぎ、洗浄水の汚染を防止しつ
つ雰囲気の混合を防ぐことができる。また、各洗浄室に
おける開口部からの洗浄水のオーバーフローは仕切り壁
に妨げられることなく全方向への流れとなり、流れがよ
どんで汚染物質がＭ稙されるのを防止することがで軽る
。
開口させ、仕切り壁は両閉口部の間に設けた。これによ
り、仕切り壁を水中に浸漬させることなく仕切り壁と水
面との隙間が生じるのを防ぎ、洗浄水の汚染を防止しつ
つ雰囲気の混合を防ぐことができる。また、各洗浄室に
おける開口部からの洗浄水のオーバーフローは仕切り壁
に妨げられることなく全方向への流れとなり、流れがよ
どんで汚染物質がＭ稙されるのを防止することがで軽る
。
（実施例）
第１図に本発明の実施例を示す。
この例は開口部が四角形である最も一般的なものである
が、何も四角形に限定されるものではなく、適宜多角形
あるいは円形でも採用できる。
が、何も四角形に限定されるものではなく、適宜多角形
あるいは円形でも採用できる。
水中搬送槽の」二部は二分割され、各洗浄室毎に開口し
ており、仕切り壁は両閉口部の開に設けたので、仕切り
壁先端と水面との開に隙間ができるという問題点は解決
される。また、洗浄水供給管４を通して洗浄水を供給す
れば、第１図および第４図（Ｄ）に示すように各開口部
において洗浄水は４力向にオーバーフローし、水面によ
どみが生じることはなく、浮遊した汚染物質はオーバー
７０−水とともに除去され、洗浄水の清浄度が保たれる
。
ており、仕切り壁は両閉口部の開に設けたので、仕切り
壁先端と水面との開に隙間ができるという問題点は解決
される。また、洗浄水供給管４を通して洗浄水を供給す
れば、第１図および第４図（Ｄ）に示すように各開口部
において洗浄水は４力向にオーバーフローし、水面によ
どみが生じることはなく、浮遊した汚染物質はオーバー
７０−水とともに除去され、洗浄水の清浄度が保たれる
。
シリコンウェハを一方の洗浄室から他方の洗浄室に搬送
するのは、第３図に示されたように搬送ＴｆＩｉ２を用
いて同様に行うことができる。
するのは、第３図に示されたように搬送ＴｆＩｉ２を用
いて同様に行うことができる。
また、このように仕切り壁と水中搬送槽とを組み合わせ
ると、工作の精度上１１４１図および第４図（Ｄ）のＸ
−Ｚの位置において仕切り壁と水中搬送槽との開には２
〜３ｍｍ程度の隙間ができることがある。しかし、仕切
り壁は両開１」部の間に設けられており、開口部からは
仕切り壁の方向にも洗浄水がオーバー７０−してくるの
で、ＸおよびＹ位置の隙間についてはオーバー７０−水
によりふさぐことがで終る。また、Ｚ位置の隙間につい
ては、洗浄室内にＺ位置より上方まで水を溜めることに
よりふさぐことがで鯵る６ したがって、これらの隙間
を気体が通過して雰囲気が混合する問題は生じない。
ると、工作の精度上１１４１図および第４図（Ｄ）のＸ
−Ｚの位置において仕切り壁と水中搬送槽との開には２
〜３ｍｍ程度の隙間ができることがある。しかし、仕切
り壁は両開１」部の間に設けられており、開口部からは
仕切り壁の方向にも洗浄水がオーバー７０−してくるの
で、ＸおよびＹ位置の隙間についてはオーバー７０−水
によりふさぐことがで終る。また、Ｚ位置の隙間につい
ては、洗浄室内にＺ位置より上方まで水を溜めることに
よりふさぐことがで鯵る６ したがって、これらの隙間
を気体が通過して雰囲気が混合する問題は生じない。
（発明の効果）
本発明により、シリコンウェハ洗浄室間において薬液雰
囲気を完全に分離しつつシリコンウェハを水中搬送する
ことが可能となる。また、洗浄水に汚染物質が蓄積する
ことも防止でか、したがってシリコンウェハに汚染物質
が伺着するのを防止できる。
囲気を完全に分離しつつシリコンウェハを水中搬送する
ことが可能となる。また、洗浄水に汚染物質が蓄積する
ことも防止でか、したがってシリコンウェハに汚染物質
が伺着するのを防止できる。
第１図は本発明の薬液雰囲気分離装置の実施例を示す図
、 第２図は従来の水中搬送型の薬液雰囲気分離装置を示す
図、 第３図は水中搬送槽におけるシリコンウェハの搬送を示
す図、 第４図は水中搬送槽における洗浄水のオーバー７０−等
を示す図、 第５図はシリコンウェハの洗浄工程を構成的に示す図で
ある。 １・・・水中搬送槽、２・・・搬送機、３・・・仕切り
壁、４・・・洗浄水供給管、５・・・シリコンウェハ、
６・・・汚染物質、７・・・ウェハキャリア、８Ａ、８
１３・・・薬液洗浄槽、９Ａ、９Ｂ・・・純水洗浄槽、
ＩＯＡ、１０Ｂ・・・洗浄室。
、 第２図は従来の水中搬送型の薬液雰囲気分離装置を示す
図、 第３図は水中搬送槽におけるシリコンウェハの搬送を示
す図、 第４図は水中搬送槽における洗浄水のオーバー７０−等
を示す図、 第５図はシリコンウェハの洗浄工程を構成的に示す図で
ある。 １・・・水中搬送槽、２・・・搬送機、３・・・仕切り
壁、４・・・洗浄水供給管、５・・・シリコンウェハ、
６・・・汚染物質、７・・・ウェハキャリア、８Ａ、８
１３・・・薬液洗浄槽、９Ａ、９Ｂ・・・純水洗浄槽、
ＩＯＡ、１０Ｂ・・・洗浄室。
Claims (1)
- （１）シリコンウェハ洗浄室間の仕切り部に両洗浄室に
わたって水中搬送槽を設け、シリコンウェハを一方の洗
浄室から他方の洗浄室へ水中搬送する搬送機を設けた薬
液雰囲気分離装置において、水中搬送槽の上部を二分割
して各洗浄室毎に開口させ、両閉口部の間に仕切り壁を
設けたことを特徴とする薬液雰囲気分離装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2275314A JPH04151828A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 薬液雰囲気分離装置 |
| US08/071,224 US5341825A (en) | 1990-10-16 | 1993-06-02 | Liquid overflow tank combined with partition isolating two chambers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2275314A JPH04151828A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 薬液雰囲気分離装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04151828A true JPH04151828A (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=17553721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2275314A Pending JPH04151828A (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 | 薬液雰囲気分離装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5341825A (ja) |
| JP (1) | JPH04151828A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088221A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板のウエット処理装置 |
| JP2020533789A (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-19 | エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド | 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW363903B (en) * | 1996-03-11 | 1999-07-11 | Memc Electronic Materials Spa | Apparatus for use in automatically cleaning semiconductor wafers and methods for drying a semiconductor wafer in the automatic drying machine |
| DE69732392T8 (de) * | 1996-06-24 | 2006-04-27 | Interuniversitair Microelectronica Centrum Vzw | Vorrichtung und Verfahren zur Nassreinigung oder zum Ätzen eines flachen Substrats |
| US5845661A (en) * | 1997-06-18 | 1998-12-08 | R. H. Sheppard Co., Inc. | Parts washer |
| JP2001291698A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-10-19 | Nec Corp | 処理装置および処理方法 |
| CN110752165A (zh) * | 2018-07-23 | 2020-02-04 | 东泰高科装备科技有限公司 | 一种湿法栏具提升固定装置及方法 |
| US11037805B2 (en) * | 2018-11-23 | 2021-06-15 | Nanya Technology Corporation | Wafer cleaning apparatus and method of cleaning wafer |
| CN117259313A (zh) * | 2022-06-14 | 2023-12-22 | 天津市环欧新能源技术有限公司 | 一种储液槽及设有该储液槽的清洗机 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US3987816A (en) * | 1975-12-30 | 1976-10-26 | Hooker Chemicals & Plastics Corporation | Entrance duct with weir |
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| JPS6457624A (en) * | 1987-08-28 | 1989-03-03 | Kurita Water Ind Ltd | Cleaning equipment |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP2275314A patent/JPH04151828A/ja active Pending
-
1993
- 1993-06-02 US US08/071,224 patent/US5341825A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH088221A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-01-12 | Nec Kyushu Ltd | 半導体基板のウエット処理装置 |
| JP2020533789A (ja) * | 2017-09-08 | 2020-11-19 | エーシーエム リサーチ （シャンハイ） インコーポレーテッド | 半導体ウェハの洗浄方法及び洗浄装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5341825A (en) | 1994-08-30 |
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