CZ291335B6 - Způsob sušení povrchu substrátu - Google Patents
Způsob sušení povrchu substrátu Download PDFInfo
- Publication number
- CZ291335B6 CZ291335B6 CZ1998517A CZ51798A CZ291335B6 CZ 291335 B6 CZ291335 B6 CZ 291335B6 CZ 1998517 A CZ1998517 A CZ 1998517A CZ 51798 A CZ51798 A CZ 51798A CZ 291335 B6 CZ291335 B6 CZ 291335B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- bath
- solution
- aqueous
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Abstract
Způsob je použitelný pro sušení povrchů substrátu z velkého množství materiálů, jako jsou polovodičové, kovové, plastové a, zejména, křemíkové materiály. Substrát, jako je křemíkový plátek (1), se ponoří do kapalné lázně (2) a poté se tento křemíkový plátek (1) od kapaliny lázně oddělí. Kapalina lázně (2) sestává z vodného roztoku (3) HF s koncentrací mezi 0,001 a 50 %. Přidáváním plynové směsi obsahující O.sub.2.n./O.sub.3.n. bezprostředně po dokončení sušicího procesu se křemíkový povrch hydrofilizuje. Přidáváním plynové směsi obsahující O.sub.2.n./O.sub.3.n. v průběhu sušicího procesu, probíhá čištění, jak ozón vstupuje do roztoku na povrchu kapaliny.ŕ
Description
Oblast techniky
Předkládaný vynález se týká způsobu čistého sušení povrchů substrátů, jako jsou polovodičové, keramické, kovové, skleněné, plastové a, zejména, křemíkové plátky a laserové disky, ve kterém je substrát ponořen do kapalné lázně a jeho povrchy jsou sušeny při oddělování substrátu od kapaliny prostřednictvím vedení plynu přes povrch kapaliny, přičemž tento plyn je rozpustný v kapalině a snižuje povrchové pnutí kapaliny.
Dosavadní stav techniky
Při výrobě mikroelektronických zařízení je křemík, který je obvykle ve formě monokrystalických plátků, silně znečištěn nebo poškozen v důsledku řezání, leštění, lakování nebo podobných postupů. Z tohoto důvodu je křemík obvykle čištěn v mnoha krocích, které se obvykle provádějí v kapalných lázních.
Různé chemické úpravy jsou obvykle výběrově účinné pro různé druhy znečištění (tj. částic, organických povlaků, funkčních organických skupin Si-CR3 nebo skupin kovů, které vzájemně vykazují podobné chemické chování). Chemické úpravy jsou obvykle oddělovány oplachovacími kroky, aby povrch křemíku byl bez chemických prostředků a aby se zabránilo míchání chemických prostředků. Vynikající čistota vody je důležitá pro minimalizaci rizika opětovného znečištění kovy při pH neutrálním.
Křemík může být opětovně znečištěn nečistotami, jako jsou částice nebo kovy, typu, které byly odstraněny v průběhu předcházející fáze čisticí sekvence v důsledku nečistot přítomných v následných oplachovacích krocích nebo v chemických prostředcích, jako jsou stabilizátory pro H2O2, používaných v následných čistících krocích. Celá čistící sekvence je dokončena krokem sušení.
Je známo mnoho různých postupů pro sušení povrchů křemíku. Tyto sušicí postupy zahrnují odstředivé sušení prostřednictvím odstředivých sil a sušení rozpouštědly, jako je trichloretanol nebo metylenchlorid. Navíc ještě existují sušicí techniky využívající horký vzduch, horkou vodu nebo isopropylalkohol. Jednou nevýhodou těchto obecně známých sušicích postupů je to, že na křemíkový plátek je prostřednictvím velkých sil vyvíjeno obrovské napětí. Z toho důvodu je nebezpečí poškození hran velké a navíc je možná tvorba částic způsobená pohyby křemíkových plátků vzhledem k nosiči. V extrémním případě, zejména s tenčími plátky nebo po tepelných úpravách, může toto napětí způsobit rozbití plátku, čímž se zničí zcela sušený předmět a znečistí se okolní plátky částicemi.
Sušicí postupy rovněž vedou na vysoké náklady na zpracování v důsledku použití drahých chemických prostředků, jejichž následná likvidace je nutná. Nakonec je jednou nevýhodou všech postupů uvedených výše nebezpečí opětovného znečištění kovy již vyčištěných povrchů v průběhu sušicího procesu.
Známé procedury pro sušení křemíku jsou popsány v článku „Ultraclean Marangoni Diying inGases and Liquids3“, v publikaci 'Particles in Gases and Liquids3: Detection, Characterization and ControT, vydal K.L.Mittal, Plenům Press, New York, 1993, strany 269 282. Procedura popsaná v tomto článku vyžaduje ponoření křemíkových plátků do vodní lázně a potom vyjmutí křemíkových plátků z vodní lázně za přidávání směsi isopropylalkoholu/dusíku přes povrch lázně. Isopropylalkohol je rozpustný ve vodě a snižuje povrchové pnutí, když je rozpuštěn ve vodě.
-1 CZ 291335 B6
Tato známá sušicí procedura je založena na tak zvaném MARANGONI principu nebo MARANGONI efektu. Tento princip je založen na skutečnosti, že se vytvoří vyšší koncentrace isopropylalkoholu na mírně směrem nahoru zakřivené oblasti mezi povrchem křemíku a povrchem vody, když jsou křemíkové plátky vyjímány z vodní lázně, než na povrchu vody dále od povrchu křemíku. Tato vyšší koncentrace isopropylalkoholu v oblasti mezi povrchem křemíku a povrchem vody způsobí v této oblasti menší povrchové pnutí než je na zbývajícím povrchu vody. Tento spád v povrchovém pnutí způsobí, že voda proudí od povrchu křemíku ke zbývajícímu povrchu vody, což má za následek sušení povrchu křemíku. Nevýhodou této procedury je kovové znečištění vody, které způsobuje také kovové znečištění povrchu křemíku. Navíc se mohou vyskytnout organické zbytky na tomto povrchu, které mohou být způsobeny isopropylalkoholem. Existuje tedy v současnosti potřeba způsobu pro sušení povrchu křemíku bez kovového a/nebo jiného znečištění povrchu křemíku.
EP 0 385 536-A1 popisuje postup pro sušení substrátu s pomocí MARANGONI efektu, ve kterém ale kapalná lázeň sestává z vody a plyn přidávaný přes povrch kapalné lázně je organické rozpouštědlo. Nevýhodou v této známé proceduře je to, že kovové znečištění vody nevyhnutelně vede na kovové znečištění povrchu substrátu. Navíc nemohou být vyloučeny organické zbytky na povrchu substrátu.
WO 95/08406 vůbec nevyužívá MARANGONI efektu, ale týká se čištění a sušení desek ve dvouvrstvé lázni, přičemž spodní vrstva sestává z vodného roztoku a homí vrstva sestává z organického rozpouštědla. Do vodného roztoku je vháněn ozón a deska je vytahována z čistící lázně skrz tyto dvě vrstvy. Po kroku čištění mohou následovat doplňkové kroky oxidace.
Základním cílem předkládaného vynálezu je tedy navrhnout způsob pro sušení povrchů substrátu typu, který je definován v úvodu nároků 1 a 2, který zaručí udržení vysokého stupně čistoty vyčištěných povrchů a účinné sušení substrátu se současným čištěním povrchu nekomplikovaným způsobem.
Uvedeného cíle je dosaženo způsoby sušení povrchů substrátu, které jsou definovány v patentových nárocích 1 a 2.
Výhodná provedení předkládaného vynálezu jsou specifikována v závislých patentových nárocích.
Podstata vynálezu
Předkládaný vynález navrhuje způsoby sušení povrchů substrátu. Způsoby podle předkládaného vynálezu zajišťují čistotu vyčištěných povrchů a účinné sušení povrchu. Předkládaný vynález je použitelný pro povrchy mnoha materiálů, včetně polovodičových, kovových (zejména hliníkových), plastových, skleněných a keramických materiálů. Předkládaný vynález je obzvláště užitečný pro sušení a čištění laserových disků a polovodičových křemíkových plátků. Mělo by být ovšem zcela zřejmé, že předkládaný vynález je využitelný pro sušení substrátů jakékoliv odpovídající fyzické formy, zejména ve formě plátků, desek nebo disků.
V prvním provedení se předkládaný vynález týká způsobu sušení povrchu substrátu, ve kterém se substrát ponoří do kapalné lázně a substrát a kapalina se následně odděluje, zatímco se přes povrch kapaliny vede plyn, přičemž tento plyn je rozpustný v kapalině a snižuje povrchové pnutí kapaliny. Například tak může být sušen polovodičový křemíkový plátek při vyjímání z kapalné lázně, zahrnující vodný roztok UF s koncentrací mezi 0,001 % a 50 %, s plynovou směsí Ο2/Ο3 vedenou přes povrch vodného roztoku HF.
Ve druhém provedení se předkládaný vynález týká způsobu sušení povrchu substrátu, ve kterém se substrát ponoří do kapalné lázně a následně se oddělí od kapalné lázně a směs plynů se vede
-2CZ 291335 B6 přes povrch substrátu po oddělení substrátu od kapalné lázně. Například tak může být polovodičový křemíkový plátek ponořen do vodného roztoku HF s koncentrací mezi 0,001 % a 50 % a směs plynová směs O2/O3 se vede přes povrch křemíkového plátku po vyjmutí z vodného roztoku
HF.
Přehled obrázků na výkresech
Předkládaný vynález bude v následujícím popisu podrobněji popsán prostřednictvím příkladných výhodných provedení ve spojení s odkazy na připojené výkresy.
Obr. 1 znázorňuje vyjímání křemíkového plátku z lázně s vodným roztokem HF za přidávání plynové směsi Ο2/Ο3;
Obr. 2 znázorňuje vyjímání křemíkového plátku z lázně s vodným roztokem HF bez přidávání plynové směsi O2/O3;
Obr. 3a až obr. 3c znázorňují chemické procesy čištění nebo hydrofílizace křemíkového povrchu s použitím postupů podle předkládaného vynálezu.
Příklady provedení vynálezu
V prvním provedení plynová směs vedená přes povrch roztoku HF obsahuje Ο2/Ο3, přičemž jako nosného plynu může být použito dusíku nebo podobného plynu. Nosný plyn by měl být chemicky netečný se složkou Ο2/Ο3 plynové směsi. Vhodné plyny zahrnují vzduch (N2, O2, CO2), CO2, He, Ne, Ar, Kr, Xe a Rn. Podíl O3 v plynové směsi O2/O3 je výhodně 1 mg až 0,5 g na litr plynové směsi Ο2/Ο3. Plynová směs může sestávat pouze z O2/O3. Pokud je ale použito nosného plynuje podíl plynové směsi O2/O3 výhodně větší než 10 %.
Aktivní křemíkové atomy na povrchu jsou změněny na vazby Si-H a Si-F. Výsledný povrchový charakter umožňuje sušení dokonce při velmi nízkých teplotách. Hodnota pH<7 vodného roztoku HF v průběhu sušení zabraňuje opětovnému znečištění kovy. Navíc HF odstraňuje kovové znečištění v kapalné lázni, které existuje v oxidované (= ionizované) formě jako Fe, a udržuje toto znečištění v kapalině ve formě fluoridových komplexů kovu. Pokud je veden ozón přes povrch vodného roztoku HF v souladu s prvním provedením předkládaného vynálezu, rozpouští se částečně ve vodném roztoku HF a převádí kovalentní vazební kombinace Si-Me na iontové kombinace, kde Me označuje kovy.
Navíc při rozpouštění ozónu ve vodném roztoku HF nastává MARANGONI efekt v koncentraci ozónu. Křemíkový povrch odchází hydrofilně z vodného roztoku HF, což znamená, že je smáčivý vodou nebo vodnými roztoky.
S postupem podle druhého provedení předkládaného vynálezu je plynová směs obsahující O2/O3 vedena přes povrch křemíku pouze po jeho sušení. Tedy vytváření křemíkového povrchu hydrofilním probíhá pouze po sušicím procesu. Výhodou tohoto postupu je velmi rychlé sušení křemíku.
U obou shora popisovaných provedení podle předkládaného vynálezu může být oddělování křemíku od vodného roztoku HF prováděno buď zdviháním křemíku ven z roztoku HF, nebo odtékáním dolů roztoku HF nebo kombinací obou dvou způsobů.
Se způsobem podle prvního provedení předkládaného vynálezu je vzájemná rychlost oddělování, kterou tvoří rychlost vyjímání křemíku z roztoku nebo rychlost odvádění roztoku z lázně, přibližně 1 až přibližně 50 mm/s a výhodně od 3 do 10 mm/s. Taková nízká rychlost je výhodná,
-3CZ 291335 B6 protože MARANGONI efekt je obzvláště účinný při nízkých rychlostech. Se způsobem podle druhého provedení předkládaného vynálezu je vzájemná rychlost oddělování mezi křemíkem a povrchem roztoku přibližně 0,1 do přibližně 20 cm/s a výhodně od 0,5 do přibližně 3,0 cm/s, protože sušení může být prováděno velmi rychle. Navíc, vodný roztok HF může obsahovat 5 příměsi, jako organické sloučeniny (jako je alkohol, isopropylalkohol a EDTA), organické kyseliny (jako je kyselina mravenčí, kyselina octová a kyselina citrónová), kyseliny (jako je HCL, H3PO4, H2SO4, HCLO, HCLO2, HCLO3 a HCLO4), povrchově aktivní činidla (kationtová nebo aniontová) nebo tuhé příměsi, jako je NH4F, při zajištění, že nepoškodí účinky vysvětlené výše a účinně vyčistí a vysuší stávající křemík. Kyseliny jsou přidávány v množství od 0 % do 10 přibližně 50 % hmotnostních, organické sloučeniny jsou přidávány v množství od 0 % do přibližně 80 % hmotnostních, povrchově aktivní činidla jsou přidávána v množství od 0 % do přibližně 5 % hmotnostních a tuhé příměsi jsou přidávány v množství od 0 % do přibližně 50 % hmotnostních. Jsou možné specifické aplikace, se kterými může být dosaženo silnějšího než uvedeného účinku nebo lepšího čištění a sušení prostřednictvím přidání jedné nebo více kyselin 15 do vodného roztoku HF. Výhodnými kyselinami jsou HCL, H2SO4 a H3PO4 nebo jejich směsi.
Ovšem jakákoliv jedna nebo více kyselin popsaných výše může být přidána s použitím rozsahu výše uvedených. Výhodnými směsmi kyselin jsou HF/HCL, HF/HCL/H2SO4, HF/H3PO4, HFTLPC^/HCL, HF/H3PO4/H2SO4, HF/H3PO4/HCL/H2SO4. Jinak může být roztok HF odstředěn na koncentraci c = 0 (čistá voda).
Navíc je výhodné obohacení nebo nasycení vodného roztoku HF ozónem před ponořením křemíku, což má za následek čistší křemíkové povrchy. Více monovrstev křemíku je oxidováno a potom erodováno. Tak je čištění účinné dokonce pro kovy těsně pod povrchem (podpovrchové znečištění).
Koncentrace HF je výhodně mezi 0,01 % a 0,1 %. Rozsah může být 0 % (čistá voda) až 90 % (koncentrovaný HF).
Stabilní obsah ozónu, srovnatelný s nasyceným stavem může být dosažen prostřednictvím 30 kontinuálního napájení nádrže s roztokem HF proudem plynu O2/O3 (například „probubláváním“). Další parametry, jako je teplota, koncentrace HF a přidávání příměsí (zejména povrchově aktivních činidel), mají vliv na obsah ozónu a nasycený stav. Úspěšná čisticí a sušicí procedura může být dosažena s kontinuálním proudem plynu O2/O3. Ve výhodném provedení má proud plynu rychlost v rozsahu od přibližně 50 do přibližně 300 1/h a vytváření ozónu je v rozsahu od 35 přibližně 10 do přibližně 50 g/h. Odhadnutá hodnota koncentrace ozónu v roztoku HF je v rozsahu od 10 do 80 mg/1.
Další výhodou předkládaného vynálezu je to, že postup může být proveden v teplotním rozsahu mezi 0 a 100 °C, přičemž výhodná teplota je 20 až 50 °C.
Příklad
Obr. 1 znázorňuje substrát, kterým je křemíkový plátek 1, který je pomalu vyjímán z kapalné 45 lázně 2 s kapalinou, která zahrnuje vodný roztok 3 HF, poté, co byl zcela ponořen do této lázně.
Směr vyjímání křemíkového plátku 1 je znázorněn šipkou ukazující vertikálně směrem nahoru, nad křemíkovým plátkem. Rychlost vyjímání je výhodně od okolo 3 do okolo 10 milimetrů za sekundu. Šipka šikmá vzhledem k povrchu křemíkového plátku znázorňuje současné přivádění plynové směsi O2/O3 přes vodný roztok v blízkosti povrchu plátku.
Při pomalém vyjímání křemíkového plátku 1 z vodného roztoku 3 HF lne k povrchu křemíku a je ohýbán směrem nahoru. To je znázorněno zakřivením povrchu kapaliny směrem nahoru v oblasti mezi povrchem roztoku a povrchem křemíkového plátku L V bodu A je rozpuštěno více ozónu než na jiných povrchu roztoku, tj. například v místě znázorněném bodem B. Protože v bodu A je 55 větší koncentrace ozónu než v bodu B, je v bodu A menší povrchové pnutí než v bodu B.Tento
-4CZ 291335 B6 spád povrchového pnutí způsobuje, že vodný roztok HF odchází z bodu A do bodu B a suší tak křemíkový povrch.
Obr. 2 znázorňuje substrát, kterým je křemíkový plátek 1, který je pomalu vyjímán z kapalné lázně 2 s kapalinou, která zahrnuje vodný roztok 3 HF, poté, co byl zcela ponořen do této lázně. Směr vyjímání křemíkového plátku 1 je znázorněn šipkou ukazující vertikálně směrem nahoru, nad křemíkovým plátkem. V důsledku nesmáčivosti (hydrofobicitě) křemíkového plátku je povrch kapaliny ohýbán směrem dolů u křemíkového povrchu. Hydrofilizace křemíkového povrchu ozónem probíhá pouze poté, co je již dokončen sušicí proces.
Obr. 3a znázorňuje, že roztok HF ve vodném roztoku zajišťuje erodování vrstev oxidu křemičitého, do kterých mohou být zapuštěny ionty kovů, jako je Fe.
Znečištění kovy, jako je Cu, které jsou přímo vázány k atomu Si, je odstraňováno oxidačně redukčním procesem, jak je znázorněno na obr. 3b.
Obr. 3c znázorňuje jak ozón způsobuje oxidaci křemíkového povrchu.
Křemík tedy opouští sušicí lázeň perfektně čistý, hydrofilní (smáčivý) a suchý.
Další provedení předkládaného vynálezu budou zřejmá osobám s průměrnými zkušenostmi z oboru. Přestože výhodná provedení a příklady popisují sušení křemíkových plátků, je předkládaný vynález použitelný pro substráty z mnoha materiálů vedle křemíku, jako například pro kovové, plastové, skleněné a keramické materiály. Termín „substrát“ není omezen na substráty, které nesou elektrické obvody, ale označuje jakýkoliv objekt nesoucí povrch, tj. mající odpovídající fyzickou formu, jako je například tvar plátků, desek nebo disků. Předkládaný vynález není omezen na specifické příklady a je definován následujícími patentovými nároky.
Claims (25)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Způsob sušení povrchu substrátu, který zahrnuje: ponoření substrátu do kapalné lázně; vedení plynu přes povrch kapalné lázně, přičemž tento plyn je rozpustný v kapalině a snižuje povrchové pnutí kapaliny, když je v ní rozpuštěn; a oddělování substrátu a kapaliny s rychlostí takovou, že rozdíl v povrchovém napětí mezi kapalinou mající první koncentraci rozpuštěného plynu u povrchu substrátu a kapalinou mající nižší koncentraci rozpuštěného plynu dále od povrchu substrátu suší substrát při oddělování, vyznačující se tím, že kapalina kapalné lázně zahrnuje vodný roztok HF a plyn zahrnuje směs O2/O3.
- 2. Způsob sušení povrchu substrátu, který zahrnuje:ponoření substrátu do kapalné lázně;oddělení substrátu od kapalné lázně, vyznačující se tím, že kapalina kapalné lázně zahrnuje vodný roztok HF, přičemž povrch substrátu je hydrofilní při oddělování od kapalné lázně, a substrát se odděluje od lázně s rychlostí, která umožňuje kapalině lázně odtékat od hydrofobního povrchu substrátu, aby se vytvářel suchý substrát; a po oddělení substrátu od kapalné lázně se přes povrch substrátu vede plyn který zahrnuje směs O2/O3, která tvoří hydrofilní povrch na substrátu.-5CZ 291335 B6
- 3. Způsob podle nároku2, vyznačující se tím, že vzájemná rychlost oddělování mezi substrátem a povrchem vodného roztoku HF je mezi 0,1 cm/s a 20 cm/s.
- 4. Způsob podle nároku3, vyznačující se tím, že vzájemná rychlost oddělování mezi substrátem a povrchem vodného roztoku HF je mezi 0,5 cm/s a 3,0 cm/s.
- 5. Způsob podle kteréhokoliv z předcházejících nároků, vyznačující se tím, že kapalina kapalné lázně zahrnuje vodný roztok HF s koncentrací mezi 0,001 % a 50 %.
- 6. Způsob podle nároku 5, vyznačující se tím, že koncentrace HF ve vodném roztoku je mezi 0,01 % a 0,1 %.
- 7. Způsob podle kteréhokoliv z předcházejících nároků, vyznačující se tím, že substrát zahrnuje křemík.
- 8. Způsob podle jednoho z nároků 1 až 6, vyznačující keramický materiál nebo skleněný materiál.
- 9. Způsob podle jednoho z nároků laž 6, vyznačující plastový materiál.
- 10. Způsob podle jednoho z nároků 1 až 6, vyznačující kovový materiál.
- 11. Způsob podle jednoho z nároků 1 až 6, vyznačující laserový disk.tím, že substrát zahrnuje t í m, že substrát zahrnuje t í m, že substrát zahrnuje t í m, že substrát zahrnuje
- 12. Způsob podle kteréhokoliv z nároků lažll, vyznačující se tím, že substrát a kapalina lázně jsou oddělovány zvedáním substrátu z kapalné lázně.
- 13. Způsob podle kteréhokoliv z nároků lažll, vyznačující se tím, že substrát a kapalina lázně jsou oddělovány odtékáním kapaliny z lázně.
- 14. Způsob podle kteréhokoliv z předcházejících nároků, vyznačující se tím, že kapalina lázně obsahuje alespoň jednu příměs vybranou ze skupiny sestávající z kyselin, organických kyselin, povrchově aktivních činidel a tuhých příměsí.
- 15. Způsob podle nároku 14, vyznačující se tím, že alespoň jednou příměsí je kyselina vybraná ze skupiny sestávající z HCL, H3PO4, H2SO4, HCLO, HCLO2, HCLO3 a HCLO4.
- 16. Způsob podle nároku 14, vyznačující se tím, že vodný roztok obsahuje směs kyselin, vybranou ze skupiny sestávající z HCL/H2SO4, H3PO4/HCL, H3PO4/H2SC>4, H3PO4/HCL/H2SO4.
- 17. Způsob podle kteréhokoliv z nároků Maž 16, vyznačující se tím, že kyselina se přidá pro vytvoření koncentrace až 50 % hmotnostních.
- 18. Způsob podle nároku 14, vyznačující se tím, že alespoň jednou příměsí je organická kyselina vybraná ze skupiny sestávající z kyseliny mravenčí, kyseliny octové a kyseliny citrónové.
- 19. Způsob podle nároku 18, vyznačující se tím, že organická kyselina se přidává pro vytvoření finální koncentrace až 80 % hmotnostních.
- 20. Způsob podle nároku 14, vyznačující se tím, že povrchově aktivní činidlo se přidává pro vytvoření finální koncentrace až 5 % hmotnostních.
- 21. Způsob podle nároku 14, vyznačující se tím, že tuhou příměsí je NH4F.
- 22. Způsob podle nároku 14, vyznačující se tím, že tuhá příměs se přidává pro vytvoření finální koncentrace až 50 % hmotnostních.
- 23. Způsob podle kteréhokoliv z nároků 1 až 22, v y z n a č u j í c í se t í m , ž e se provádí při teplotě mezi 0 a 100 °C.
- 24. Způsob podle nároku23, vyznačující se tím, že se provádí při teplotě mezi 20 a 50 °C.
- 25. Způsob podle kteréhokoliv z předcházejících nároků, vy tl n a č uj í c í se tím, že podíl O3 v plynové směsi O2/O3 je mezi 1 mg a 0,5 g na litr plynové směsi Ο2/Ο3.výkresyFig.2 A-8CZ 291335 B6I fig. 3α fig. 3b fig. 3cKonec dokumentu
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19531031A DE19531031C2 (de) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | Verfahren zum Trocknen von Silizium |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CZ51798A3 CZ51798A3 (cs) | 1998-07-15 |
CZ291335B6 true CZ291335B6 (cs) | 2003-02-12 |
Family
ID=7770207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CZ1998517A CZ291335B6 (cs) | 1995-08-23 | 1996-08-09 | Způsob sušení povrchu substrátu |
Country Status (24)
Country | Link |
---|---|
EP (2) | EP0846334B1 (cs) |
JP (1) | JP3857314B2 (cs) |
KR (1) | KR19990037642A (cs) |
CN (1) | CN1091542C (cs) |
AT (2) | ATE309613T1 (cs) |
AU (1) | AU697397B2 (cs) |
CA (1) | CA2228168A1 (cs) |
CZ (1) | CZ291335B6 (cs) |
DE (3) | DE19531031C2 (cs) |
DK (2) | DK0846334T3 (cs) |
ES (2) | ES2250292T3 (cs) |
HK (2) | HK1043661B (cs) |
HU (1) | HUP9802482A3 (cs) |
IL (1) | IL123042A (cs) |
MX (1) | MX9801464A (cs) |
NO (1) | NO980734L (cs) |
PL (1) | PL183355B1 (cs) |
PT (1) | PT846334E (cs) |
RU (1) | RU2141700C1 (cs) |
SI (1) | SI1199740T1 (cs) |
SK (1) | SK284835B6 (cs) |
TW (1) | TW427952B (cs) |
UA (1) | UA51663C2 (cs) |
WO (1) | WO1997008742A1 (cs) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19613620C2 (de) | 1996-04-04 | 1998-04-16 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
DE19800584C2 (de) * | 1998-01-09 | 2002-06-20 | Steag Micro Tech Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten |
DE19833257C1 (de) * | 1998-07-23 | 1999-09-30 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
DE19927457C2 (de) * | 1999-06-16 | 2002-06-13 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verwendung eines bekannten Verfahrens als Vorbehandlung zur Bestimmung der Diffusionslängen von Minoritätsträgern in einer Halbleiterscheibe |
DE10036691A1 (de) * | 2000-07-27 | 2002-02-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur chemischen Behandlung von Halbleiterscheiben |
DE10064081C2 (de) * | 2000-12-21 | 2002-06-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
DE10360269A1 (de) * | 2003-12-17 | 2005-07-28 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Verfahren zur schnellen Mischung von kleinvolumigen Flüssigkeiten und Kit zu dessen Anwendung |
US20060174421A1 (en) | 2004-12-17 | 2006-08-10 | Carter Daniel L | Process for extracting liquid from a fabric |
KR100897581B1 (ko) | 2007-11-14 | 2009-05-14 | 주식회사 실트론 | 웨이퍼 건조 방법 |
RU2486287C2 (ru) * | 2011-04-29 | 2013-06-27 | Антон Викторович Мантузов | Способ очистки поверхности полупроводниковых пластин и регенерации травильных растворов |
CN114993028B (zh) * | 2022-06-17 | 2023-05-30 | 高景太阳能股份有限公司 | 一种硅片烘干处理方法及系统 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2722783A1 (de) * | 1977-05-20 | 1978-11-30 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum reinigen von silicium |
US4169807A (en) * | 1978-03-20 | 1979-10-02 | Rca Corporation | Novel solvent drying agent |
DE3317286A1 (de) * | 1983-05-11 | 1984-11-22 | Heliotronic Forschungs- und Entwicklungsgesellschaft für Solarzellen-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Verfahren zur reinigung von silicium durch saeureeinwirkung |
FR2591324B1 (fr) * | 1985-12-10 | 1989-02-17 | Recif Sa | Appareil pour le sechage unitaire des plaquettes de silicium par centrifugation |
JPS62198127A (ja) * | 1986-02-25 | 1987-09-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法 |
US4722752A (en) * | 1986-06-16 | 1988-02-02 | Robert F. Orr | Apparatus and method for rinsing and drying silicon wafers |
US4902350A (en) * | 1987-09-09 | 1990-02-20 | Robert F. Orr | Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers |
NL8900480A (nl) * | 1989-02-27 | 1990-09-17 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het drogen van substraten na behandeling in een vloeistof. |
JPH0366126A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Sharp Corp | 絶縁膜の製造方法及びその製造装置 |
JPH0466175A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-03-02 | Seiko Epson Corp | 水切り乾燥方法 |
JPH04346431A (ja) * | 1991-05-24 | 1992-12-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体シリコンウェハの洗浄装置 |
WO1995008406A1 (en) * | 1993-09-22 | 1995-03-30 | Legacy Systems, Inc. | Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid |
-
1995
- 1995-08-23 DE DE19531031A patent/DE19531031C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-08-09 IL IL12304296A patent/IL123042A/en not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 JP JP50977197A patent/JP3857314B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-09 PT PT96929234T patent/PT846334E/pt unknown
- 1996-08-09 DK DK96929234T patent/DK0846334T3/da active
- 1996-08-09 KR KR1019980701119A patent/KR19990037642A/ko active Search and Examination
- 1996-08-09 HU HU9802482A patent/HUP9802482A3/hu unknown
- 1996-08-09 SI SI9630728T patent/SI1199740T1/sl unknown
- 1996-08-09 AT AT01130669T patent/ATE309613T1/de active
- 1996-08-09 DK DK01130669T patent/DK1199740T3/da active
- 1996-08-09 CZ CZ1998517A patent/CZ291335B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 CN CN96196222A patent/CN1091542C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-09 ES ES01130669T patent/ES2250292T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 SK SK212-98A patent/SK284835B6/sk unknown
- 1996-08-09 DE DE69635427T patent/DE69635427T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 AU AU68720/96A patent/AU697397B2/en not_active Ceased
- 1996-08-09 EP EP96929234A patent/EP0846334B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 PL PL96325121A patent/PL183355B1/pl not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 EP EP01130669A patent/EP1199740B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 RU RU98104458A patent/RU2141700C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1996-08-09 CA CA002228168A patent/CA2228168A1/en not_active Abandoned
- 1996-08-09 AT AT96929234T patent/ATE227885T1/de active
- 1996-08-09 DE DE69624830T patent/DE69624830T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 ES ES96929234T patent/ES2186800T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-09 WO PCT/EP1996/003541 patent/WO1997008742A1/en active IP Right Grant
- 1996-08-20 TW TW085110167A patent/TW427952B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-09-08 UA UA98020935A patent/UA51663C2/uk unknown
-
1998
- 1998-02-20 NO NO980734A patent/NO980734L/no unknown
- 1998-02-23 MX MX9801464A patent/MX9801464A/es not_active IP Right Cessation
- 1998-10-14 HK HK02104685.0A patent/HK1043661B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-10-14 HK HK98111262A patent/HK1010280A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5714203A (en) | Procedure for the drying of silicon | |
JP2787788B2 (ja) | 残留物除去方法 | |
KR100992479B1 (ko) | 세정액을 사용한 반도체 웨이퍼 세정 방법 | |
CZ291335B6 (cs) | Způsob sušení povrchu substrátu | |
JP2002517090A (ja) | エッチング後のアルカリ処理法 | |
US8076219B2 (en) | Reduction of watermarks in HF treatments of semiconducting substrates | |
KR20050001332A (ko) | 반도체 웨이퍼의 습식 화학적 표면 처리 방법 | |
JPH118213A (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
JPH07211688A (ja) | 化合物半導体基板の製造方法 | |
JP2004510573A (ja) | 電子デバイスの清浄方法 | |
JPH056884A (ja) | シリコンウエハーの洗浄方法 | |
JPS6293950A (ja) | ウエハの製造方法 | |
JPH04274324A (ja) | ウェーハの表面洗浄方法 | |
KR100219071B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 세정 방법 | |
JPH05343380A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
JPH04102323A (ja) | シリコン表面の処理方法 | |
KR19990051872A (ko) | 반도체장치의 게이트절연막 형성 전의 세정방법 | |
JPH05136115A (ja) | 半導体基板の保存方法 | |
KR940008005A (ko) | 반도체 웨이퍼 크리닝 방법 | |
KR19980029059A (ko) | 습식 세정 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD00 | Pending as of 2000-06-30 in czech republic | ||
MM4A | Patent lapsed due to non-payment of fee |
Effective date: 20030809 |