JPH0466175A - 水切り乾燥方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野〕 本発明は、電子部品、光学部品や機構部品等の洗浄後の
水切り乾燥方法に関する。

［従来の技術］ 従来、基体の洗浄後の水切り乾燥を行う方法は、−フロ
ン１１３やイソプロピルアルコール（以後、ＩＰＡと称
す）の浸漬、蒸気処理方法や水槽への浸漬後の引上げ方
法（特公昭６２−５３２３３、特開昭６０−２２３１３
０、同６１−２７０３９９、同６３−６７７３５）が用
いられてい机 前者のフロン１１３はオゾン層破壊物質であることから
早急な代替化が求められている。又ＩＰＡは可燃性物質
であるため、蒸気処理方法の場合特に危険性が高まるこ
とから、洗浄、乾燥装置に重、三重の安全装置の装備が
必要であり、装置コスト、処理コストとも増大する。

後者の水槽からの引上げ方法は、水質の管理が困難であ
り、水切り乾燥品質がばらつきやすく、乾燥に多大なエ
ネルギーと時間を要し、又基体が金属の場合発錆しやす
い。

［発明が解決しようとする課題］ 従来技術では、環境破壊、危険性や乾燥品質のばらつき
及び処理費の増大化等の問題点を有する。

そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、環境破壊に結びつかない溶剤を
安全性から非蒸気状態で用い、じみの発生の無い高い乾
燥品質を安価に実現させる水切り乾燥方法を提供するこ
とである。

［課題を解決するための手段］ 本発明の水切り乾燥方法は、水と自由混合する溶剤に洗
浄後の基体を浸漬し、該基体を引上げるか或いは溶剤面
を引下げて水切りを行い、更に該基体の余熱或いは加温
により乾燥を行う事を特徴とする。

水と自由混合する溶媒は、アルコール類、ケトン類、セ
ルソルブ類等やその混合物を用いる。

［作　用１ 本発明によれば、洗浄、リンス後の基体を、水と自由混
合する溶剤に浸漬するが、該溶剤は表面張力が低（、又
水の溶解度が大であることから、表面形状が複雑な基体
の微細な凹部の水までも溶解し、該基体上から取り除く
。

次に該基体を引上げるか或いは溶剤面を引下げるが、そ
の時に該基体上に該溶剤の膜が残るが、該溶剤の低い表
面張力から、その膜の厚みは低い水準におさえられる。

該基体表面に残る溶剤の膜厚が薄くなる事により、その
膜中に含まれる異物の総量も少な（なり、結果として乾
燥後の基体上の異物の残留も低い水準におさえられる。

又乾燥速度に関しても、低い蒸発潜熱から高速化が図れ
る。

［実　施　例］ ガラス板（３００ｍｍ角、１ｍｍ厚）を界面活性剤を含
む水溶液で洗浄し、水でゆすぎを行った後、下記溶剤（
液温２０℃）中に浸漬（１分）し、等速（１ｍｍ／５ｅ
ｃ）で該ガラス板を引上げるか或いは溶剤面を引下げた
。

水切り乾燥品質は目視検査とレーザー光散乱法による表
面異物欠陥装置（日立デコー、ＨＬＤ３００Ｂ）を用い
、０．２μｍ以上の塵埃粒子数の測定を行った。結果を
第１表に示す。

第　　１　　表 第　　２　　表 〔発明の効果］ 本発明は上述の如く、種々の基体の水切り乾燥に於いて
、シミの発生がなく、基体表面に残留する異物数を極め
て低い水準におさえることを可能にした。

次に下記基体（φ１００ｍｍ、０．５ｍｍ厚）を用い、
界面活性剤を含む水溶液で洗浄し、水でゆすぎを行った
後、実施例１同様の条件で水切り乾燥を行った。評価は
上述と同様の方法で行った。

結果を第２表に示す。

以上 出願人　　セイコーエプソン株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基体を溶液内に浸漬した後、該基体を引上げるか或い
   は溶液面を引下げて水切りを行い、更に該基体の余熱或
   いは加温により乾燥を行う方法に於いて、溶液が、水と
   の自由混合性を有する溶剤である事を特徴とする水切り
   乾燥方法。