JPH046830A - 基体の引き上げ乾操方法 - Google Patents
基体の引き上げ乾操方法Info
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- JPH046830A JPH046830A JP10803590A JP10803590A JPH046830A JP H046830 A JPH046830 A JP H046830A JP 10803590 A JP10803590 A JP 10803590A JP 10803590 A JP10803590 A JP 10803590A JP H046830 A JPH046830 A JP H046830A
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- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 24
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体のシリコン基板、フォトマスク、液晶
パネルのガラス基板、光学レンズ、プリント基板等の洗
浄後の乾燥工程に用いる基体の引き上げ乾燥方法に関す
る。
パネルのガラス基板、光学レンズ、プリント基板等の洗
浄後の乾燥工程に用いる基体の引き上げ乾燥方法に関す
る。
［従来の技術］
従来、純水から基板を微低速で引き上げて行（ことによ
り、純水の表面張力を利用して基体に付着する水滴を極
力排去し、残った水分を基体の熱容量、あるいは熱風、
ヒーター等の補助手段による乾燥方式が提案され、実施
されている。
り、純水の表面張力を利用して基体に付着する水滴を極
力排去し、残った水分を基体の熱容量、あるいは熱風、
ヒーター等の補助手段による乾燥方式が提案され、実施
されている。
（特開昭５６−１６１４５１ ） 、 （特開昭６０２
２５１３０）、（特開昭６ｌ−２７０５９９）、（特開
昭６５−６７７５５） ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前述の従来技術では、表面張力の大きい
純水を用いて引き上げ乾燥を行なうため、表面形状の複
雑な基体には純水が回り込みにく（、又、基体上の微少
部に侵入した水滴、治具接触部に付着した水滴を除去し
に（いという問題点を有していた。
２５１３０）、（特開昭６ｌ−２７０５９９）、（特開
昭６５−６７７５５） ［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、前述の従来技術では、表面張力の大きい
純水を用いて引き上げ乾燥を行なうため、表面形状の複
雑な基体には純水が回り込みにく（、又、基体上の微少
部に侵入した水滴、治具接触部に付着した水滴を除去し
に（いという問題点を有していた。
更に疎水面を有する基体を純水中から引き上げ乾燥する
と、基体上に水滴が残り易くなり、じみが残ったりして
、乾燥品質が落ちてしまう。
と、基体上に水滴が残り易くなり、じみが残ったりして
、乾燥品質が落ちてしまう。
本発明はこの様な間層点を解決するもので、純水中に純
度の高いアルコールを混合させ、その混合水の表面張力
を調整し、それぞれの基体の表面状態に合った引き上げ
乾燥を行ない、乾燥品質を向上させることを目的とする
。
度の高いアルコールを混合させ、その混合水の表面張力
を調整し、それぞれの基体の表面状態に合った引き上げ
乾燥を行ない、乾燥品質を向上させることを目的とする
。
また、引き上げ乾燥後、わずかに基板上に残留する水と
アルコールの混合水の揮発性を良（し、乾燥スピードを
向上させることも目的とする。
アルコールの混合水の揮発性を良（し、乾燥スピードを
向上させることも目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明の基体の引き上げ乾燥方法は、純水から基体を微
低速で引き上げてい（ことにより、純水の表面張力を利
用して基体に付着する水滴を極力排去し、残った水分を
基体の熱容量、あるいは熱風、ヒーター等の補助手段に
より完全に乾燥させるという純水乾燥方式において、純
水中にアルコールを混合させたことを特徴゛とする。
低速で引き上げてい（ことにより、純水の表面張力を利
用して基体に付着する水滴を極力排去し、残った水分を
基体の熱容量、あるいは熱風、ヒーター等の補助手段に
より完全に乾燥させるという純水乾燥方式において、純
水中にアルコールを混合させたことを特徴゛とする。
［作用］
純水中にアルコールを混合した水は表面張力が減少する
。純水と紙アルコールの２成分系では、純水とアルコー
ルの組成比により、表面張力が決定す−る。表面形状が
複雑な基体（表面上に微細な凹凸面が多い基体）、及び
基体表面の疎水性が強い場合は、表面張力を下げること
により、細部まで混合水が回り込み、又混合水の除去が
可能となる。
。純水と紙アルコールの２成分系では、純水とアルコー
ルの組成比により、表面張力が決定す−る。表面形状が
複雑な基体（表面上に微細な凹凸面が多い基体）、及び
基体表面の疎水性が強い場合は、表面張力を下げること
により、細部まで混合水が回り込み、又混合水の除去が
可能となる。
アルコールは有物物の汚れを溶解する能力もあるため、
上の効果との併用により、じみの発生がな（なり、乾燥
品質が向上する。
上の効果との併用により、じみの発生がな（なり、乾燥
品質が向上する。
又、アルコールは純水と比較して蒸発潜熱が著しく低い
ため、引き上げ乾燥後、わずかに残った水分を、基体の
熱容量、あるいは熱風、ヒーター等の補助手段で完全に
乾燥させる際、乾燥時間が短かくてよい。
ため、引き上げ乾燥後、わずかに残った水分を、基体の
熱容量、あるいは熱風、ヒーター等の補助手段で完全に
乾燥させる際、乾燥時間が短かくてよい。
［実施例］
以下、本発明について、実施例に基づき詳細に説明する
。
。
（実施例１）
Ｐ形Ｂドープ（比抵抗１．６〜１．８ ＭΩｃｒｎ）、
直径３インチ（１，０，０面）のシリコンウェハーを、
加工液としてコロイダルシリカ（１００〜２００Ｘ、５
ｉ０２５０重量％、 ＰＨ１１）の液でメカノケミカル
ボリジングして、片面から約２０μｍ、研摩した。この
加工時の加工面圧力は１ｏｏｆ／ｃｄ、ポリシャ回転数
は、４０ｒｐｍであった。この加工直後のシリコンウェ
ハーを次の工程にて洗浄した。
直径３インチ（１，０，０面）のシリコンウェハーを、
加工液としてコロイダルシリカ（１００〜２００Ｘ、５
ｉ０２５０重量％、 ＰＨ１１）の液でメカノケミカル
ボリジングして、片面から約２０μｍ、研摩した。この
加工時の加工面圧力は１ｏｏｆ／ｃｄ、ポリシャ回転数
は、４０ｒｐｍであった。この加工直後のシリコンウェ
ハーを次の工程にて洗浄した。
（１）純水浸漬 １分 常温
（２）ＨｚＳＯ４”ＨｔＯｔ （容積比４：１）浸漬
１分 ８０℃ （５）純水浸漬 １分 常温 （４）ＩＨ４０Ｈ：Ｈ，Ｏ，：Ｈ，Ｏ（容積比１；１＝
５）浸漬 ５分 ７０℃ （５）純水浸漬 １分 常温 （６）ｕｐ：ａ、ｏ（容積比１：１ａ）浸漬１分 常温 （７）純水の流水浸漬 ５分 常温 このシリコンウェハーを、インプロピルアルコールと、
比抵抗１８４ＭΩ、液中００２μｍ以上の粒子数、ｉｃ
ｅ当たり１個以下の超純水の混合液、（容積比１：２０
）中に１分間浸漬し、５咽／秒の等速で引き上げた。得
られたシリコンウェハーには、水滴は付着していなかっ
た。
１分 ８０℃ （５）純水浸漬 １分 常温 （４）ＩＨ４０Ｈ：Ｈ，Ｏ，：Ｈ，Ｏ（容積比１；１＝
５）浸漬 ５分 ７０℃ （５）純水浸漬 １分 常温 （６）ｕｐ：ａ、ｏ（容積比１：１ａ）浸漬１分 常温 （７）純水の流水浸漬 ５分 常温 このシリコンウェハーを、インプロピルアルコールと、
比抵抗１８４ＭΩ、液中００２μｍ以上の粒子数、ｉｃ
ｅ当たり１個以下の超純水の混合液、（容積比１：２０
）中に１分間浸漬し、５咽／秒の等速で引き上げた。得
られたシリコンウェハーには、水滴は付着していなかっ
た。
（実施例２）
実施例１と同様のシリコンウェハーを、同一工程にて加
工し℃洗浄をおこなった。
工し℃洗浄をおこなった。
このシリコンウェハーを、イソプロピルアルコールと、
比抵抗１８．４ ＭΩ、液中のｏ、 ２μｍ以上の粒子
１ＣＣ当たり１個以下の超純水の混合液（容積比１ｚ
ｏｏ）中に１分間浸漬し、１０ｗ／秒の等速で引き上げ
た。得られたシリコンウェハーには、水滴は付着してい
なかった。
比抵抗１８．４ ＭΩ、液中のｏ、 ２μｍ以上の粒子
１ＣＣ当たり１個以下の超純水の混合液（容積比１ｚ
ｏｏ）中に１分間浸漬し、１０ｗ／秒の等速で引き上げ
た。得られたシリコンウェハーには、水滴は付着してい
なかった。
（実施例５）
実施例１と同様のシリコンウェハーを、同一工程にて加
工して洗浄をおこなった。
工して洗浄をおこなった。
このシリコンウェハーを、メタノールと、比抵抗１８４
ＭΩ、液中の０．２ ｐ ｍ以上の粒子、ＩＣｃ当たり
１個以下の超純水の混合液、（容積比１：１００）中に
１分間浸漬し、１０１１！Ｉ／秒の等速で引き上げた。
ＭΩ、液中の０．２ ｐ ｍ以上の粒子、ＩＣｃ当たり
１個以下の超純水の混合液、（容積比１：１００）中に
１分間浸漬し、１０１１！Ｉ／秒の等速で引き上げた。
得られたシリコンウエノ・−には、水滴は付着していな
かった。
かった。
（実施例４）
実施例１と同様のシリコンウニ／％−を、同一工程にて
加工して洗浄をおこなった。
加工して洗浄をおこなった。
このシリコンウェハーを、エタノールと、比抵抗１８．
４ ＭΩ、液中のＣＬ２１１ｍ以上の粒子、１ＣＣ当た
り１個以下の超純水の混合液、（容積比１：５）中に１
分間浸漬し、５謹／秒の等速で引き上げた。得られたシ
リコンウニ／飄−には、水滴は付着していなかった。
４ ＭΩ、液中のＣＬ２１１ｍ以上の粒子、１ＣＣ当た
り１個以下の超純水の混合液、（容積比１：５）中に１
分間浸漬し、５謹／秒の等速で引き上げた。得られたシ
リコンウニ／飄−には、水滴は付着していなかった。
（比較例１）
実施例１と同様のシリコンウエノ１−を、同一工程にて
加工して洗浄をおこなった。このシリコンウェハーを、
比抵抗１８．４ＭΩα液中の０．２μｍ以上の粒子、１
ＣＣ当たり１個以下の超純水中に１分間浸漬し、５瓢／
秒の等速で引き上げた。得られたシリコンウェハーには
、水滴が残留した。
加工して洗浄をおこなった。このシリコンウェハーを、
比抵抗１８．４ＭΩα液中の０．２μｍ以上の粒子、１
ＣＣ当たり１個以下の超純水中に１分間浸漬し、５瓢／
秒の等速で引き上げた。得られたシリコンウェハーには
、水滴が残留した。
更にクラス１０以下の清浄なりリーンブース下に放置し
たところ１０分後に水滴はなくなった。
たところ１０分後に水滴はなくなった。
（比較例２）
超純水の比抵抗を、高純度の炭酸ガス吹込みによりＢＭ
Ｑ口に下げた、０．２μｍ以上の粒子、１０Ｃ当たり１
個以下の超純水であることの条件以外は、全て比較例１
と同じことをおこなった。得られたシリコンウェハーに
は水滴が残留した。更にクラス１０以下の清浄なりリー
ンブース下に放置したところ、１０分後に水滴はなくな
った。
Ｑ口に下げた、０．２μｍ以上の粒子、１０Ｃ当たり１
個以下の超純水であることの条件以外は、全て比較例１
と同じことをおこなった。得られたシリコンウェハーに
は水滴が残留した。更にクラス１０以下の清浄なりリー
ンブース下に放置したところ、１０分後に水滴はなくな
った。
（比較例）
実施例１と同様のシリコンウェハーを、同一工程にて加
工して洗浄をおこなった。
工して洗浄をおこなった。
このシリコンウェハーを、高純度の炭酸ガス吹込みによ
り比抵抗８ＭΩのに下げた、０２μｍ以上の粒子１ｃｃ
当たり１個以下の超純水中に１分間浸漬し、１０ｗ／秒
の等速で引き上げた。得られたシリコンウェハーには水
滴が残留した。更にクラス１０以下の清浄なりリーンブ
ース下に放置したところ、１５分後に水滴はな（なった
。
り比抵抗８ＭΩのに下げた、０２μｍ以上の粒子１ｃｃ
当たり１個以下の超純水中に１分間浸漬し、１０ｗ／秒
の等速で引き上げた。得られたシリコンウェハーには水
滴が残留した。更にクラス１０以下の清浄なりリーンブ
ース下に放置したところ、１５分後に水滴はな（なった
。
更にシリコンウェハーの清浄性を比較するため、光散乱
法によるウエノ・一基板表面欠陥検査装置（日立デコー
、ＨＬＤ−ｓｏｏＢ）を用い、０２μｍ以上の塵埃粒子
数の測定をおこなった。
法によるウエノ・一基板表面欠陥検査装置（日立デコー
、ＨＬＤ−ｓｏｏＢ）を用い、０２μｍ以上の塵埃粒子
数の測定をおこなった。
その結果を表に示す。
［発明の効果］
以上のことから明らかなように、本発明による純水中に
アルコールを混合した液からの引き上げ乾燥方法では、
水滴の除去が容易であり、更に清浄度の高い乾燥が可能
である。
アルコールを混合した液からの引き上げ乾燥方法では、
水滴の除去が容易であり、更に清浄度の高い乾燥が可能
である。
以上
Claims (1)
- 純水から基体を微低速で引き上げていくことにより、
純水の表面張力を利用して基体に付着する水滴を極力排
去し、残った水分を基体の熱容量、あるいは熱風、ヒー
ター等の補助手段により完全に乾燥させるという純水乾
燥方式において、純水中にアルコールを混合させたこと
を特徴とする基体の引き上げ乾燥方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10803590A JPH046830A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 基体の引き上げ乾操方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10803590A JPH046830A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 基体の引き上げ乾操方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH046830A true JPH046830A (ja) | 1992-01-10 |
Family
ID=14474300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10803590A Pending JPH046830A (ja) | 1990-04-24 | 1990-04-24 | 基体の引き上げ乾操方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH046830A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998042974A1 (fr) | 1997-03-25 | 1998-10-01 | Isuzu Motors Limited | Injecteur |
| US6138690A (en) * | 1997-04-28 | 2000-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and an apparatus for the wet treatment of a semiconductor wafer |
-
1990
- 1990-04-24 JP JP10803590A patent/JPH046830A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998042974A1 (fr) | 1997-03-25 | 1998-10-01 | Isuzu Motors Limited | Injecteur |
| US6138690A (en) * | 1997-04-28 | 2000-10-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and an apparatus for the wet treatment of a semiconductor wafer |
| US6227213B1 (en) | 1997-04-28 | 2001-05-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and an apparatus for the wet treatment of a semiconductor wafer |
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