JPH118213A - 半導体ウエハの処理方法 - Google Patents
半導体ウエハの処理方法Info
- Publication number
- JPH118213A JPH118213A JP15704897A JP15704897A JPH118213A JP H118213 A JPH118213 A JP H118213A JP 15704897 A JP15704897 A JP 15704897A JP 15704897 A JP15704897 A JP 15704897A JP H118213 A JPH118213 A JP H118213A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- chemical
- cleaning
- supply port
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】多量の薬液及び洗浄水を伴うことなく、微細パ
ターンについてまで効率良く洗浄することが可能な洗浄
度の高い半導体ウエハの処理方法を提供すること。 【解決手段】不活性ガスを封入した中チャンバ２の内部
で、半導体ウエハ３をウエハ支持体４で支持し、流体供
給ノズル６の進行方向側の洗浄液供給口から洗浄液を供
給し、進行方向の逆側の薬液供給口から薬液を供給し
て、支持された半導体ウエハ３の洗浄表面５を洗浄す
る。
ターンについてまで効率良く洗浄することが可能な洗浄
度の高い半導体ウエハの処理方法を提供すること。 【解決手段】不活性ガスを封入した中チャンバ２の内部
で、半導体ウエハ３をウエハ支持体４で支持し、流体供
給ノズル６の進行方向側の洗浄液供給口から洗浄液を供
給し、進行方向の逆側の薬液供給口から薬液を供給し
て、支持された半導体ウエハ３の洗浄表面５を洗浄す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの洗
浄又はシリコン酸化膜の除去処理に関し、特に、多量の
薬液及び洗浄水を伴うことなく、微細パターンを効率良
く洗浄する半導体ウエハの処理方法に関する。
浄又はシリコン酸化膜の除去処理に関し、特に、多量の
薬液及び洗浄水を伴うことなく、微細パターンを効率良
く洗浄する半導体ウエハの処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体ウエハを洗浄する際には、
洗浄用の薬液内に半導体ウエハを浸すウエット処理と、
薬液の蒸気を半導体ウエハに吹き付けるドライ処理とが
ある。
洗浄用の薬液内に半導体ウエハを浸すウエット処理と、
薬液の蒸気を半導体ウエハに吹き付けるドライ処理とが
ある。
【０００３】ここで、このウエット処理とは、洗浄用の
薬液に半導体ウエハを浸し、除去対象物を薬液と反応さ
せて反応生成物を薬液中に取り込むことにより、除去対
象物を半導体ウエハの表面から除去する技術である。
薬液に半導体ウエハを浸し、除去対象物を薬液と反応さ
せて反応生成物を薬液中に取り込むことにより、除去対
象物を半導体ウエハの表面から除去する技術である。
【０００４】例えば、特開平２−１７７３２７号公報に
は、半導体ウエハを洗浄液に溶けやすい蒸気雰囲気中に
晒した後に、洗浄液を半導体ウエハに供給するよう構成
した半導体ウエハの洗浄方法が開示されている。
は、半導体ウエハを洗浄液に溶けやすい蒸気雰囲気中に
晒した後に、洗浄液を半導体ウエハに供給するよう構成
した半導体ウエハの洗浄方法が開示されている。
【０００５】この従来技術に代表される従来のウエット
処理では、薬液中に混入している微粒子が新たに半導体
ウエハに付着し、また多量の薬液及び洗浄水が必要とな
り、さらに洗浄後の乾燥工程を要するという特性があ
る。
処理では、薬液中に混入している微粒子が新たに半導体
ウエハに付着し、また多量の薬液及び洗浄水が必要とな
り、さらに洗浄後の乾燥工程を要するという特性があ
る。
【０００６】特に、近年のＩＣパターンの微細化に伴っ
て、開口径が小さく奥行きが深い高アスペクト比の溝に
ついては、酸化膜除去の目的で使用される希ＨＦ溶液が
入りにくいため、かかるウエット処理を用いたとしても
高アスペクト比の溝を十分に洗浄できないという特性が
ある。
て、開口径が小さく奥行きが深い高アスペクト比の溝に
ついては、酸化膜除去の目的で使用される希ＨＦ溶液が
入りにくいため、かかるウエット処理を用いたとしても
高アスペクト比の溝を十分に洗浄できないという特性が
ある。
【０００７】これに対して、ドライ処理とは、発生した
薬液蒸気により半導体ウエハ表面に形成される薄膜内
で、ウエット処理と同様の反応を起こし、これにより生
じた反応生成物を真空排気等によって薬液とともに除去
する技術である。
薬液蒸気により半導体ウエハ表面に形成される薄膜内
で、ウエット処理と同様の反応を起こし、これにより生
じた反応生成物を真空排気等によって薬液とともに除去
する技術である。
【０００８】このため、このドライ処理を用いた場合に
は、少ない洗浄液で効率よく洗浄でき、また薬液を蒸気
にして使用するために、薬液中の微粒子混入を防止で
き、かつ、高アスペクト比の溝も洗浄可能で、乾燥工程
も不要になる。
は、少ない洗浄液で効率よく洗浄でき、また薬液を蒸気
にして使用するために、薬液中の微粒子混入を防止で
き、かつ、高アスペクト比の溝も洗浄可能で、乾燥工程
も不要になる。
【０００９】このドライ処理として、例えば特開昭６２
−１７３７２０号公報には、半導体ウエハを洗浄用薬液
の蒸気で洗浄した後、半導体ウエハを容器から取り出す
ことなく水蒸気で薬液を洗い流し、その後半導体ウエハ
を乾燥するウエハ洗浄装置が開示されている。
−１７３７２０号公報には、半導体ウエハを洗浄用薬液
の蒸気で洗浄した後、半導体ウエハを容器から取り出す
ことなく水蒸気で薬液を洗い流し、その後半導体ウエハ
を乾燥するウエハ洗浄装置が開示されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
ドライ処理は、上記ウエット処理と比べて洗浄度が低い
ため、半導体ウエハの高洗浄には適さないという問題が
ある。
ドライ処理は、上記ウエット処理と比べて洗浄度が低い
ため、半導体ウエハの高洗浄には適さないという問題が
ある。
【００１１】すなわち、ドライ処理の場合には、薬液蒸
気の凝縮並びに薄膜形成速度が半導体ウエハ表面の状態
によって異なるため、薬液薄膜に形成むらが生じ、その
結果として除去対象物の除去量が均一ではなくなる。
気の凝縮並びに薄膜形成速度が半導体ウエハ表面の状態
によって異なるため、薬液薄膜に形成むらが生じ、その
結果として除去対象物の除去量が均一ではなくなる。
【００１２】例えば、シリコン酸化膜の除去を目的とし
てフッ化水素と水の混合蒸気（ＨＦ＋Ｈ2Ｏ ）を用いた
場合には、ＨＦ＋Ｈ2Ｏ 蒸気が酸化膜の一部分に凝縮す
ると、この部分の酸化膜が真っ先に反応して反応生成物
が凝縮薬液に溶解する。
てフッ化水素と水の混合蒸気（ＨＦ＋Ｈ2Ｏ ）を用いた
場合には、ＨＦ＋Ｈ2Ｏ 蒸気が酸化膜の一部分に凝縮す
ると、この部分の酸化膜が真っ先に反応して反応生成物
が凝縮薬液に溶解する。
【００１３】このため、酸化膜が除去された部分は疎水
性となり、周辺の未だ酸化膜が存在する親水性の部分に
薬液及び反応生成物が引っ張られ、反応生成物を真空除
去する前に反応生成物が周辺に付着固化し、これが新た
なパーティクルを形成する結果となる。
性となり、周辺の未だ酸化膜が存在する親水性の部分に
薬液及び反応生成物が引っ張られ、反応生成物を真空除
去する前に反応生成物が周辺に付着固化し、これが新た
なパーティクルを形成する結果となる。
【００１４】このように、半導体ウエハを洗浄する際
に、ウエット処理を用いた場合には、薬液中の微粒子の
再付着、微細パターンの洗浄困難性、薬液及び洗浄水の
多量使用という問題があり、ドライ処理を用いた場合に
は、洗浄度が低く、新たなパーティクルを形成するとい
う問題がある。
に、ウエット処理を用いた場合には、薬液中の微粒子の
再付着、微細パターンの洗浄困難性、薬液及び洗浄水の
多量使用という問題があり、ドライ処理を用いた場合に
は、洗浄度が低く、新たなパーティクルを形成するとい
う問題がある。
【００１５】そこで、本発明では、上記問題点を解決
し、多量の薬液及び洗浄水を伴うことなく、微細パター
ンについてまで効率良く洗浄することが可能な洗浄度の
高い半導体ウエハの処理方法を提供することを目的とす
る。
し、多量の薬液及び洗浄水を伴うことなく、微細パター
ンについてまで効率良く洗浄することが可能な洗浄度の
高い半導体ウエハの処理方法を提供することを目的とす
る。
【００１６】
【課題を解決するための手段及び作用効果】上記目的を
達成するため、第１の発明は、不活性ガスを封入した環
境下で、所定の薬液流体と所定の洗浄液とを用いて半導
体ウエハを処理する半導体ウエハの処理方法において、
少なくとも第１の供給口及び第２の供給口を有する供給
ノズルを第１の供給口から第２の供給口に向けて前記半
導体ウエハの表面に沿って移動する際に、前記第１の供
給口から薬液流体を供給し、前記第２の供給口から洗浄
液を供給して、前記半導体ウエハの表面を処理するよう
構成したので、下記に示す効果が得られる。
達成するため、第１の発明は、不活性ガスを封入した環
境下で、所定の薬液流体と所定の洗浄液とを用いて半導
体ウエハを処理する半導体ウエハの処理方法において、
少なくとも第１の供給口及び第２の供給口を有する供給
ノズルを第１の供給口から第２の供給口に向けて前記半
導体ウエハの表面に沿って移動する際に、前記第１の供
給口から薬液流体を供給し、前記第２の供給口から洗浄
液を供給して、前記半導体ウエハの表面を処理するよう
構成したので、下記に示す効果が得られる。
【００１７】１）薬液及び洗浄液を節約することが可能
となる。
となる。
【００１８】２）反応生成物を半導体基板表面から効率
良く除去することが可能となる。
良く除去することが可能となる。
【００１９】３）微細パターンの内部のシリコン酸化膜
を効率良く除去することが可能となる。
を効率良く除去することが可能となる。
【００２０】また、第２の発明は、不活性ガスを封入し
た環境下で、所定の薬液流体と所定の洗浄液とを用いて
半導体ウエハを処理する半導体ウエハの処理方法におい
て、第１の供給口、第２の供給口、第３の供給口及び吸
引口を一連に配した供給ノズルを第１の供給口から吸引
口に向けて前記半導体ウエハの表面に沿って移動する際
に、前記第１の供給口から前記不活性ガスを供給し、前
記第２の供給口から薬液流体を供給し、前記第３の供給
口から洗浄液を供給して前記半導体ウエハの表面を処理
しつつ、前記吸引口により半導体ウエハ表面の液体を吸
引するよう構成したので、さらに下記に示す効果が得ら
れる。
た環境下で、所定の薬液流体と所定の洗浄液とを用いて
半導体ウエハを処理する半導体ウエハの処理方法におい
て、第１の供給口、第２の供給口、第３の供給口及び吸
引口を一連に配した供給ノズルを第１の供給口から吸引
口に向けて前記半導体ウエハの表面に沿って移動する際
に、前記第１の供給口から前記不活性ガスを供給し、前
記第２の供給口から薬液流体を供給し、前記第３の供給
口から洗浄液を供給して前記半導体ウエハの表面を処理
しつつ、前記吸引口により半導体ウエハ表面の液体を吸
引するよう構成したので、さらに下記に示す効果が得ら
れる。
【００２１】４）半導体ウエハ表面上での洗浄液と薬液
との力の調整を効率良く行うことが可能となる。
との力の調整を効率良く行うことが可能となる。
【００２２】５）より確実に反応生成物の残留を防ぐこ
とが可能となる。
とが可能となる。
【００２３】また、第３の発明は、前記薬液は、フッ化
水素であることを特徴とする。
水素であることを特徴とする。
【００２４】また、第４の発明は、前記薬液は、フッ化
水素とアルコールとの混合物であることを特徴とする。
水素とアルコールとの混合物であることを特徴とする。
【００２５】また、第５の発明は、前記薬液は、フッ化
水素と水との混合物であることを特徴とする。
水素と水との混合物であることを特徴とする。
【００２６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。なお、本実施の形態では、
パージ薬液流体としてフッ化水素（ＨＦ）ガスを使用
し、洗浄液として純水を使用し、不活性ガスとして窒素
を使用した場合について説明する。
て図面を参照して説明する。なお、本実施の形態では、
パージ薬液流体としてフッ化水素（ＨＦ）ガスを使用
し、洗浄液として純水を使用し、不活性ガスとして窒素
を使用した場合について説明する。
【００２７】図１は、本実施の形態で用いる半導体ウエ
ハ洗浄装置の構成を示す図である。
ハ洗浄装置の構成を示す図である。
【００２８】図１（ａ）に示す半導体ウエハ洗浄装置
は、水平移動可能な流体供給ノズル６を用いて、必要十
分な洗浄液及び薬液を半導体ウエハ３の洗浄表面５に供
給することにより、半導体ウエハ３を効率良く洗浄でき
るよう構成している。
は、水平移動可能な流体供給ノズル６を用いて、必要十
分な洗浄液及び薬液を半導体ウエハ３の洗浄表面５に供
給することにより、半導体ウエハ３を効率良く洗浄でき
るよう構成している。
【００２９】すなわち、この半導体ウエハ洗浄装置で
は、従来のウエット処理で使用されていた多量の薬液及
び洗浄液を要する薬液槽及び洗浄槽を用いるのではな
く、あたかもホースで洗車をするかのように、流体供給
ノズル６から洗浄液及び薬液を供給する。
は、従来のウエット処理で使用されていた多量の薬液及
び洗浄液を要する薬液槽及び洗浄槽を用いるのではな
く、あたかもホースで洗車をするかのように、流体供給
ノズル６から洗浄液及び薬液を供給する。
【００３０】具体的には、この半導体ウエハ洗浄装置
は、図１に示すように、外チャンバ１及び中チャンバ２
というチャンバの２重構造を有し、該中チャンバ２内の
ウエハ支持部４により半導体ウエハ３が支持される。
は、図１に示すように、外チャンバ１及び中チャンバ２
というチャンバの２重構造を有し、該中チャンバ２内の
ウエハ支持部４により半導体ウエハ３が支持される。
【００３１】そして、この中チャンバ２及び外チャンバ
１内には、圧力調整バルブ９及び１０を介して窒素供給
口７及び８から不活性ガスである窒素ガスを供給するよ
う構成されており、この中チャンバ２及び外チャンバ１
内のガスは、必要に応じて排気口１０から排気される。
１内には、圧力調整バルブ９及び１０を介して窒素供給
口７及び８から不活性ガスである窒素ガスを供給するよ
う構成されており、この中チャンバ２及び外チャンバ１
内のガスは、必要に応じて排気口１０から排気される。
【００３２】なお、外チャンバ１の圧力は、パージ薬液
流体であるＨＦガスが外チャンバ１から外部に逃げない
ようにするために、外気Ｐ０よりも低く設定されてい
る。
流体であるＨＦガスが外チャンバ１から外部に逃げない
ようにするために、外気Ｐ０よりも低く設定されてい
る。
【００３３】そして、この半導体ウエハ３の上部には、
パージ薬液流体であるＨＦガスと、洗浄液である純水を
供給できる流体供給ノズル６が配設され、該流体供給ノ
ズル６が供給するＨＦガス及び純水によって、半導体ウ
エハ３の洗浄表面５を洗浄する。
パージ薬液流体であるＨＦガスと、洗浄液である純水を
供給できる流体供給ノズル６が配設され、該流体供給ノ
ズル６が供給するＨＦガス及び純水によって、半導体ウ
エハ３の洗浄表面５を洗浄する。
【００３４】ここで、この流体供給ノズル６は、半導体
ウエハ３の洗浄表面と平行に移動できるよう構成されて
いるため、半導体ウエハ３の洗浄に際しては、図１
（ｂ）に示すように、流体供給ノズル６を移動しつつＨ
Ｆガス及び純水を洗浄表面５に供給することになる。
ウエハ３の洗浄表面と平行に移動できるよう構成されて
いるため、半導体ウエハ３の洗浄に際しては、図１
（ｂ）に示すように、流体供給ノズル６を移動しつつＨ
Ｆガス及び純水を洗浄表面５に供給することになる。
【００３５】次に、図１に示す流体供給ノズル６の具体
的な構成について説明する。
的な構成について説明する。
【００３６】図２は、図１に示す流体供給ノズル６の具
体的な構成を示す断面図である。
体的な構成を示す断面図である。
【００３７】同図に示すように、この流体供給ノズル６
は、洗浄液である純水を供給する洗浄液供給口と、パー
ジ薬液流体であるＨＦガスを供給する薬液供給口と、不
活性ガスである窒素とを供給する不活性ガス供給口とを
有するとともに、図中の矢印方向に平行移動できるよう
構成されている。
は、洗浄液である純水を供給する洗浄液供給口と、パー
ジ薬液流体であるＨＦガスを供給する薬液供給口と、不
活性ガスである窒素とを供給する不活性ガス供給口とを
有するとともに、図中の矢印方向に平行移動できるよう
構成されている。
【００３８】そして、洗浄水である純水の供給口につい
ては、流体供給ノズル６の進行方向側に設けて、該純水
を進行方向に対して鋭角に供給し、またパージ薬液流体
であるＨＦガスの供給口については、進行方向の逆側に
設けて、該ＨＦガスを進行方向に対して鈍角に供給す
る。
ては、流体供給ノズル６の進行方向側に設けて、該純水
を進行方向に対して鋭角に供給し、またパージ薬液流体
であるＨＦガスの供給口については、進行方向の逆側に
設けて、該ＨＦガスを進行方向に対して鈍角に供給す
る。
【００３９】そして、このＨＦガスのさらに外側から不
活性ガスである窒素ガスを鈍角に噴射することにより、
洗浄表面５上での洗浄液である純水とＨＦガス及び窒素
ガスとの力（洗浄表面５に平行な力の成分）の調整を行
っている。なお、ノズル進行方向に若干の力が働くよう
になっていることが望ましい。
活性ガスである窒素ガスを鈍角に噴射することにより、
洗浄表面５上での洗浄液である純水とＨＦガス及び窒素
ガスとの力（洗浄表面５に平行な力の成分）の調整を行
っている。なお、ノズル進行方向に若干の力が働くよう
になっていることが望ましい。
【００４０】このため、かかる純水及びＨＦガスは、半
導体ウエハ３の洗浄表面５上で混合し、半導体ウエハ３
の洗浄表面５の洗浄が開始される。
導体ウエハ３の洗浄表面５上で混合し、半導体ウエハ３
の洗浄表面５の洗浄が開始される。
【００４１】具体的には、ＨＦガスによってＨＦ溶液に
なった部分は即座に反応して疎水性となるため、該ＨＦ
溶液に溶解する反応生成物は該ＨＦ溶液とともに洗浄液
である純水側に引っ張られる。
なった部分は即座に反応して疎水性となるため、該ＨＦ
溶液に溶解する反応生成物は該ＨＦ溶液とともに洗浄液
である純水側に引っ張られる。
【００４２】この傾向は、ＨＦ溶液の表面張力が純水の
表面張力よりも小さいことにより一層加速されるため、
反応生成物は洗浄表面５上に残留しない。
表面張力よりも小さいことにより一層加速されるため、
反応生成物は洗浄表面５上に残留しない。
【００４３】ここで、この半導体ウエハ３の洗浄表面５
が高アスペクト比の微細パターンからなる場合であって
も、同様に微細パターン内部の洗浄が可能である。
が高アスペクト比の微細パターンからなる場合であって
も、同様に微細パターン内部の洗浄が可能である。
【００４４】すなわち、半導体ウエハ３は、通常、酸化
膜除去工程の前処理としてアンモニア過水又は硫酸過水
による処理がなされるため、微細パターンの内部に至る
まで酸化膜が形成され、親水性となる。
膜除去工程の前処理としてアンモニア過水又は硫酸過水
による処理がなされるため、微細パターンの内部に至る
まで酸化膜が形成され、親水性となる。
【００４５】したがって、洗浄水である純水が供給され
た部分の洗浄表面５は、微細パターンの内部にまで該純
水が浸透する。この状態で、ＨＦガスを斜めから供給す
ると、ＨＦガスの水への溶解度は無限であるから、洗浄
表面５上の純水部分にはＨＦガスが分子拡散する。
た部分の洗浄表面５は、微細パターンの内部にまで該純
水が浸透する。この状態で、ＨＦガスを斜めから供給す
ると、ＨＦガスの水への溶解度は無限であるから、洗浄
表面５上の純水部分にはＨＦガスが分子拡散する。
【００４６】この分子拡散は、純水で濡れている微細パ
ターンの内部にまで進行しＨＦ溶液となり、微細パター
ン内部のシリコン酸化膜と反応するので、該微細パター
ン内部の洗浄が可能となる。
ターンの内部にまで進行しＨＦ溶液となり、微細パター
ン内部のシリコン酸化膜と反応するので、該微細パター
ン内部の洗浄が可能となる。
【００４７】また、半導体ウエハ３の洗浄表面５に、疎
水部分と親水部分が存在する場合にも同様の作用が生じ
る。
水部分と親水部分が存在する場合にも同様の作用が生じ
る。
【００４８】すなわち、洗浄表面５の純水部分にＨＦガ
スが供給されると、ＨＦガスと純水の境界部分が高濃度
ＨＦ溶液となり、該高濃度ＨＦ溶液は純水に比べて表面
張力が小さく、界面活性剤と同程度の表面張力となるた
め、界面部分の高濃度ＨＦ溶液が微細パターンの内部に
浸入可能となるからである。
スが供給されると、ＨＦガスと純水の境界部分が高濃度
ＨＦ溶液となり、該高濃度ＨＦ溶液は純水に比べて表面
張力が小さく、界面活性剤と同程度の表面張力となるた
め、界面部分の高濃度ＨＦ溶液が微細パターンの内部に
浸入可能となるからである。
【００４９】そして、半導体ウエハ３の洗浄表面５の反
応生成物及び薬液混合液は、流体供給ノズル６の進行と
ともに移動し、最終的には半導体ウエハ３の終端から落
下するため、洗浄表面５の反応部分の移動が流体供給ノ
ズル６の移動制御のみに規定されることとなり、安定し
た洗浄が可能となる。
応生成物及び薬液混合液は、流体供給ノズル６の進行と
ともに移動し、最終的には半導体ウエハ３の終端から落
下するため、洗浄表面５の反応部分の移動が流体供給ノ
ズル６の移動制御のみに規定されることとなり、安定し
た洗浄が可能となる。
【００５０】次に、図１に示す半導体ウエハ洗浄装置の
応用例について説明する。
応用例について説明する。
【００５１】図３は、図１に示す半導体ウエハ洗浄装置
の応用例を示す図である。
の応用例を示す図である。
【００５２】同図に示すように、ここでは半導体ウエハ
３の一端に反応生成物及び薬液混合物の吸引口２０を設
けるよう構成している。
３の一端に反応生成物及び薬液混合物の吸引口２０を設
けるよう構成している。
【００５３】すなわち、図１に示す半導体ウエハ洗浄装
置では、流体供給ノズル６の移動制御のみによって洗浄
表面５の反応生成物及び薬液混合液を半導体ウエハの外
部に落下させることとしていたが、該反応生成物及び薬
液混合物の吸引口２０を設けることにより、より確実に
反応生成物の残留を防ぐことが可能となる。
置では、流体供給ノズル６の移動制御のみによって洗浄
表面５の反応生成物及び薬液混合液を半導体ウエハの外
部に落下させることとしていたが、該反応生成物及び薬
液混合物の吸引口２０を設けることにより、より確実に
反応生成物の残留を防ぐことが可能となる。
【００５４】なお、すでに説明したように、反応生成物
及び薬液混合物は、流体供給ノズル６の進行方向に引っ
張られるため、かかる吸引口２０は、流体供給ノズル６
の進行方向に設ける必要がある。
及び薬液混合物は、流体供給ノズル６の進行方向に引っ
張られるため、かかる吸引口２０は、流体供給ノズル６
の進行方向に設ける必要がある。
【００５５】図４は、図１に示す半導体ウエハ洗浄装置
の別の応用例を示す図である。
の別の応用例を示す図である。
【００５６】同図に示すように、ここでは、流体供給ノ
ズル６に吸引口２０を設けることにより、直ちに反応生
成物及び薬液混合物を吸引するよう構成している。
ズル６に吸引口２０を設けることにより、直ちに反応生
成物及び薬液混合物を吸引するよう構成している。
【００５７】なお、反応生成物及び薬液混合物は、流体
供給ノズル６の進行方向に引っ張られるため、ここでは
純水の供給口よりもさらに進行方向側に吸引口２０を設
けることとしている。
供給ノズル６の進行方向に引っ張られるため、ここでは
純水の供給口よりもさらに進行方向側に吸引口２０を設
けることとしている。
【００５８】上述してきたように、本実施の形態では、
不活性ガスを封入した中チャンバ２の内部で、半導体ウ
エハ３をウエハ支持体４で支持し、流体供給ノズル６の
進行方向側の洗浄液供給口から洗浄液を供給し、進行方
向の逆側の薬液供給口から薬液を供給して、半導体ウエ
ハ３の洗浄表面５を洗浄するよう構成したので、下記に
示す効果が得られる。
不活性ガスを封入した中チャンバ２の内部で、半導体ウ
エハ３をウエハ支持体４で支持し、流体供給ノズル６の
進行方向側の洗浄液供給口から洗浄液を供給し、進行方
向の逆側の薬液供給口から薬液を供給して、半導体ウエ
ハ３の洗浄表面５を洗浄するよう構成したので、下記に
示す効果が得られる。
【００５９】１）薬液及び洗浄液を節約することができ
る。
る。
【００６０】２）反応生成物を半導体基板表面から効率
良く除去することができる。
良く除去することができる。
【００６１】３）微細パターンの内部のシリコン酸化膜
を効率良く除去することができる。
を効率良く除去することができる。
【００６２】また、流体供給ノズルの薬液供給口のさら
に外側に設けた不活性ガス供給口から不活性ガスを供給
し、洗浄液供給口のさらに外側に設けた吸引口で反応生
成物等を吸引するよう構成したので、さらに下記に示す
効果が得られる。
に外側に設けた不活性ガス供給口から不活性ガスを供給
し、洗浄液供給口のさらに外側に設けた吸引口で反応生
成物等を吸引するよう構成したので、さらに下記に示す
効果が得られる。
【００６３】４）半導体ウエハ表面上での洗浄液と薬液
との力の調整を効率良く行うことができる。
との力の調整を効率良く行うことができる。
【００６４】５）より確実に反応生成物の残留を防ぐこ
とができる。
とができる。
【００６５】なお、本実施の形態では、半導体ウエハ３
を水平に支持する場合を示したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、流体供給ノズル６の進行方向が低
くなるように該半導体ウエハ３を斜めに支持することも
可能である。
を水平に支持する場合を示したが、本発明はこれに限定
されるものではなく、流体供給ノズル６の進行方向が低
くなるように該半導体ウエハ３を斜めに支持することも
可能である。
【００６６】このように半導体ウエハ３自体を斜めに支
持すれば、反応生成物及び薬液混合物の落下及び吸引を
さらに促進することができることになる。
持すれば、反応生成物及び薬液混合物の落下及び吸引を
さらに促進することができることになる。
【００６７】また、上記実施の形態では、薬液としてフ
ッ化水素ガスを用いた場合を示したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、フッ化水素とアルコールとの
混合物又はフッ化水素と水との混合物を薬液として用い
ることも可能である。
ッ化水素ガスを用いた場合を示したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、フッ化水素とアルコールとの
混合物又はフッ化水素と水との混合物を薬液として用い
ることも可能である。
【図１】本実施の形態で用いる半導体ウエハ洗浄装置の
構成を示す図。
構成を示す図。
【図２】図１に示す流体供給ノズルの具体的な構成を示
す断面図。
す断面図。
【図３】図１に示す半導体ウエハ洗浄装置の一応用例を
示す図。
示す図。
【図４】図１に示す半導体ウエハ洗浄装置の別の応用例
を示す図。
を示す図。
１…外チャンバ ２…中チャンバ ３…半導体ウエハ ４…ウエハ支持部 ５…洗浄表面 ６…流体供給ノズル ７，８…窒素供給口 ９，１０…圧力調整バルブ ２０…吸引口
Claims (5)
- 【請求項１】 不活性ガスを封入した環境下で、所定の
薬液流体と所定の洗浄液とを用いて半導体ウエハを処理
する半導体ウエハの処理方法において、 少なくとも第１の供給口及び第２の供給口を有する供給
ノズルを第１の供給口から第２の供給口に向けて前記半
導体ウエハの表面に沿って移動する際に、前記第１の供
給口から薬液流体を供給し、前記第２の供給口から洗浄
液を供給して、前記半導体ウエハの表面を処理すること
を特徴とする半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項２】 不活性ガスを封入した環境下で、所定の
薬液流体と所定の洗浄液とを用いて半導体ウエハを処理
する半導体ウエハの処理方法において、 第１の供給口、第２の供給口、第３の供給口及び吸引口
を一連に配した供給ノズルを第１の供給口から吸引口に
向けて前記半導体ウエハの表面に沿って移動する際に、
前記第１の供給口から前記不活性ガスを供給し、前記第
２の供給口から薬液流体を供給し、前記第３の供給口か
ら洗浄液を供給して前記半導体ウエハの表面を処理しつ
つ、前記吸引口により半導体ウエハ表面の液体を吸引す
ることを特徴とする半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項３】 前記薬液は、 フッ化水素であることを特徴とする請求項１又は２記載
の半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項４】 前記薬液は、 フッ化水素とアルコールとの混合物であることを特徴と
する請求項１又は２記載の半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項５】 前記薬液は、 フッ化水素と水との混合物であることを特徴とする請求
項１又は２記載の半導体ウエハの処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15704897A JPH118213A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体ウエハの処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15704897A JPH118213A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体ウエハの処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118213A true JPH118213A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15641063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15704897A Pending JPH118213A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 半導体ウエハの処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118213A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124501A (ja) * | 2000-04-20 | 2002-04-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 基板の表面の局所化された液体処理のための方法及び装置 |
| JP2002289567A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2005251806A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体用基板の洗浄方法およびスピン式洗浄装置 |
| US7282098B2 (en) | 2002-03-15 | 2007-10-16 | Seiko Epson Corporation | Processing-subject cleaning method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| JP2013102185A (ja) * | 2006-07-07 | 2013-05-23 | Tel Fsi Inc | １つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置 |
| US8899248B2 (en) | 2005-04-01 | 2014-12-02 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| US9039840B2 (en) | 2008-05-09 | 2015-05-26 | Tel Fsi, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
| KR20190019510A (ko) * | 2017-08-18 | 2019-02-27 | (주) 엔피홀딩스 | 기판 세정 시스템 |
-
1997
- 1997-06-13 JP JP15704897A patent/JPH118213A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002124501A (ja) * | 2000-04-20 | 2002-04-26 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | 基板の表面の局所化された液体処理のための方法及び装置 |
| JP2002289567A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US7282098B2 (en) | 2002-03-15 | 2007-10-16 | Seiko Epson Corporation | Processing-subject cleaning method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| US7695570B2 (en) | 2002-03-15 | 2010-04-13 | Seiko Epson Corporation | Processing-subject cleaning method and apparatus, and device manufacturing method and device |
| JP2005251806A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体用基板の洗浄方法およびスピン式洗浄装置 |
| US8899248B2 (en) | 2005-04-01 | 2014-12-02 | Tel Fsi, Inc. | Barrier structure and nozzle device for use in tools used to process microelectronic workpieces with one or more treatment fluids |
| JP2013102185A (ja) * | 2006-07-07 | 2013-05-23 | Tel Fsi Inc | １つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理するために用いられる道具において使われる隔壁構造およびノズル装置 |
| US8978675B2 (en) | 2006-07-07 | 2015-03-17 | Tel Fsi, Inc. | Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles |
| US9666456B2 (en) | 2006-07-07 | 2017-05-30 | Tel Fsi, Inc. | Method and apparatus for treating a workpiece with arrays of nozzles |
| US9039840B2 (en) | 2008-05-09 | 2015-05-26 | Tel Fsi, Inc. | Tools and methods for processing microelectronic workpieces using process chamber designs that easily transition between open and closed modes of operation |
| KR20190019510A (ko) * | 2017-08-18 | 2019-02-27 | (주) 엔피홀딩스 | 기판 세정 시스템 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5714203A (en) | Procedure for the drying of silicon | |
| US7494549B2 (en) | Substrate treatment apparatus and substrate treatment method | |
| KR100220028B1 (ko) | 스핀세정방법 | |
| JP3662472B2 (ja) | 基板表面の処理方法 | |
| US20080014358A1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
| JP4036751B2 (ja) | 洗浄並びにエッチング方法とその装置 | |
| JPH1116866A (ja) | シリコンの洗浄方法および洗浄装置 | |
| US20030121173A1 (en) | Wafer drying apparatus | |
| JPH118213A (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
| US20030124878A1 (en) | Wafer drying method | |
| JP3857314B2 (ja) | シリコン乾燥方法 | |
| US8277570B2 (en) | Method of preventing premature drying | |
| JP2003031548A (ja) | 基板表面の処理方法 | |
| JP7142461B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム | |
| US20020179112A1 (en) | Method of cleaning electronic device | |
| JP2001044429A (ja) | ゲート絶縁膜形成前処理方法及びその前処理装置 | |
| US20020023663A1 (en) | Apparatus and method for preventing the re-adherence of particles in wafer-cleaning process | |
| US6517636B1 (en) | Method for reducing particle contamination during the wet processing of semiconductor substrates | |
| JP6020626B2 (ja) | デバイス用Ｇｅ基板の洗浄方法、洗浄水供給装置及び洗浄装置 | |
| US20030093917A1 (en) | Apparatus and methods for processing electronic component precursors | |
| JP2002289575A (ja) | 基板処理方法及びその装置 | |
| JPH11265867A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JP7065622B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JPH10335300A (ja) | 半導体ウエハの処理方法 | |
| WO2015189933A1 (ja) | デバイス用Ｇｅ基板の洗浄方法、洗浄水供給装置及び洗浄装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050524 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050531 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051004 |